JP2024040484A - 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ - Google Patents
磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024040484A JP2024040484A JP2024021392A JP2024021392A JP2024040484A JP 2024040484 A JP2024040484 A JP 2024040484A JP 2024021392 A JP2024021392 A JP 2024021392A JP 2024021392 A JP2024021392 A JP 2024021392A JP 2024040484 A JP2024040484 A JP 2024040484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- magnetic
- magnetic recording
- layer
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 claims abstract description 45
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 178
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 claims description 128
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 73
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 52
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- 229910000704 hexaferrum Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 18
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 9
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims description 5
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 360
- 239000002585 base Substances 0.000 description 71
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 57
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 55
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 54
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 50
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 42
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 38
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 description 36
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 32
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 25
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 23
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 23
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 23
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 19
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 16
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 16
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 14
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- AJCDFVKYMIUXCR-UHFFFAOYSA-N oxobarium;oxo(oxoferriooxy)iron Chemical compound [Ba]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O AJCDFVKYMIUXCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000003705 background correction Methods 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 10
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 10
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 9
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 8
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 8
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 8
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 7
- 238000003490 calendering Methods 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 5
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 4
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 4
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 4
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 4
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 4
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 4
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101000606504 Drosophila melanogaster Tyrosine-protein kinase-like otk Proteins 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- JZQOJFLIJNRDHK-CMDGGOBGSA-N alpha-irone Chemical compound CC1CC=C(C)C(\C=C\C(C)=O)C1(C)C JZQOJFLIJNRDHK-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 3
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- ULBTUVJTXULMLP-UHFFFAOYSA-N butyl octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCCC ULBTUVJTXULMLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920001123 polycyclohexylenedimethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 2
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 2
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 2
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 2
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCO HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001747 Cellulose diacetate Polymers 0.000 description 1
- DQEFEBPAPFSJLV-UHFFFAOYSA-N Cellulose propionate Chemical compound CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 DQEFEBPAPFSJLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002796 Si–Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002433 Vinyl chloride-vinyl acetate copolymer Polymers 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002156 adsorbate Substances 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003180 amino resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006218 cellulose propionate Polymers 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(II) oxide Inorganic materials [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 229910001651 emery Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N n-Propyl acetate Natural products CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940090181 propyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N valeric acid Chemical compound CCCCC(O)=O NQPDZGIKBAWPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
【課題】使用時における良好な走行性能を発揮することのできる磁気記録媒体を提供する。【解決手段】この磁気記録媒体は、テープ状の磁気記録媒体であって、ポリエステルを主たる成分とする基体と、その基体上に設けられた下地層と、その下地層上に設けられた磁性層と、基体の、下地層と反対側に設けられたバック層とを有する。バック層の、基体と反対側の表面のクルトーシスが２．０以上であり、磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、潤滑剤を除去および乾燥した状態における磁気記録媒体の全体のＢＥＴ比表面積は３．５ｍ2／ｇ以上である。【選択図】図１
Description
本開示は、磁気記録媒体、およびそれを用いた磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジに関する。
電子データの保存のために、テープ状の磁気記録媒体が幅広く利用されている。例えば特許文献１には、磁気記録媒体の電磁変換特性を向上するために、磁性層の表面を平滑化することが記載されている。また、同文献では、磁気記録媒体とヘッドの接触による摩擦を抑えるために、磁性層に潤滑剤を添加することが記載されている。
テープ状の磁気記録媒体は、例えば磁気記録カートリッジに収容される。磁気記録カートリッジ１つ当たりの記録容量をさらに増やすために、磁気記録カートリッジに収容される磁気記録媒体の全厚をより薄くし、磁気記録カートリッジ１つ当たりの磁気記録媒体の長さ（いわゆるテープ長）を増加させることが考えられる。しかしながら、全厚が薄い磁気記録媒体は走行安定性に劣る場合がある。特に、繰り返し記録および／または再生を行う場合に、全厚が薄い磁気記録媒体は、その表面状態（特には摩擦に関する表面状態）が変化し、走行安定性が劣化する場合がある。
そこで、繰り返しの記録動作や再生動作を実施したあとであっても、走行安定性に優れる全厚の薄い磁気記録媒体が望まれる。
本開示の一実施形態としての磁気記録媒体は、テープ状の磁気記録媒体であって、基体と、その基体上に設けられた下地層と、その下地層上に設けられた磁性層と、基体の、下地層と反対側に設けられたバック層とを有する。基体は、ポリエステルを主たる成分として含む。バック層の、基体と反対側の表面のクルトーシスが２．０以上である。磁性層の表面には、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みが１６００μｍ2あたり１０個以上２００個以下の割合で形成されており、磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下である。下地層および磁性層は、潤滑剤を含み、その潤滑剤を除去および乾燥した状態における磁気記録媒体の全体のＢＥＴ比表面積は、３．５ｍ2／ｇ以上である。磁気記録媒体の垂直方向における角形比は、６５％以上である。磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下である。磁気記録媒体の平均厚みは、５．６μｍ以下である。
本開示の一実施形態としての磁気記録再生装置は、上記磁気記録媒体を順次送り出すことのできる送り出し部と、その送り出し部から送り出された磁気記録媒体を巻き取ることのできる巻き取り部と、送り出し部から巻き取り部へ向けて走行する磁気記録媒体と接触しつつ、磁気記録媒体への情報書き込み、および磁気記録媒体からの情報読み出しを行うことのできる磁気ヘッドとを備える。
本開示の一実施形態としての磁気記録媒体および磁気記録再生装置では、磁気記録媒体の全体のＢＥＴ比表面積が３．５ｍ2／ｇ以上であるので、潤滑剤が磁気記録媒体の表面に安定して供給される。また、バック層の、基体と反対側の表面のクルトーシスが２．０以上であるので、磁気記録媒体の巻きずれが生じにくい。さらに、磁性層の表面に所定の面密度で凹みが設けられているので、走行時において磁性層の表面とヘッドとの接触が良好に保たれる。
以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．一実施の形態
１－１．磁気記録媒体の構成
１－２．磁気記録媒体の製造方法
１－３．記録再生装置の構成
１－４．効果
２．変形例
１．一実施の形態
１－１．磁気記録媒体の構成
１－２．磁気記録媒体の製造方法
１－３．記録再生装置の構成
１－４．効果
２．変形例
＜１．一実施の形態＞
［１－１ 磁気記録媒体１０の構成］
図１は、本開示の一実施の形態に係る磁気記録媒体１０の断面構成例を表している。図１に示したように、磁気記録媒体１０は複数層が積層された積層構造を有する。具体的には、磁気記録媒体１０は、長尺のテープ状の基体１１と、基体１１の一方の主面１１Ａ上に設けられた下地層１２と、下地層１２の上に設けられた磁性層１３と、基体１１の他方の主面１１Ｂ上に設けられたバック層１４とを備える。磁性層１３の表面１３Ｓが、磁気ヘッドが当接しつつ走行することとなる表面となる。なお、下地層１２およびバック層１４は、必要に応じて備えられるものであり、無くてもよい。なお、磁気記録媒体１０の平均厚みは、例えば５．６μｍ以下であるとよい。
［１－１ 磁気記録媒体１０の構成］
図１は、本開示の一実施の形態に係る磁気記録媒体１０の断面構成例を表している。図１に示したように、磁気記録媒体１０は複数層が積層された積層構造を有する。具体的には、磁気記録媒体１０は、長尺のテープ状の基体１１と、基体１１の一方の主面１１Ａ上に設けられた下地層１２と、下地層１２の上に設けられた磁性層１３と、基体１１の他方の主面１１Ｂ上に設けられたバック層１４とを備える。磁性層１３の表面１３Ｓが、磁気ヘッドが当接しつつ走行することとなる表面となる。なお、下地層１２およびバック層１４は、必要に応じて備えられるものであり、無くてもよい。なお、磁気記録媒体１０の平均厚みは、例えば５．６μｍ以下であるとよい。
磁気記録媒体１０は長尺のテープ状をなし、記録動作および再生動作の際には、自らの長手方向に沿って走行することとなる。磁気記録媒体１０は、例えば記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える記録再生装置に用いられるものであることが好ましい。
（基体１１）
基体１１は、下地層１２および磁性層１３を支持する非磁性支持体である。基体１１は、長尺のフィルム状をなしている。基体１１の平均厚みの上限値は、好ましくは４．２μｍ以下、より好ましくは４.０μｍ以下である。基体１１の平均厚みの上限値が４．２μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。基体１１の平均厚みの下限値は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは３．２μｍ以上である。基体１１の平均厚みの下限値が３μｍ以上であると、基体１１の強度低下を抑制することができる。
基体１１は、下地層１２および磁性層１３を支持する非磁性支持体である。基体１１は、長尺のフィルム状をなしている。基体１１の平均厚みの上限値は、好ましくは４．２μｍ以下、より好ましくは４.０μｍ以下である。基体１１の平均厚みの上限値が４．２μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。基体１１の平均厚みの下限値は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは３．２μｍ以上である。基体１１の平均厚みの下限値が３μｍ以上であると、基体１１の強度低下を抑制することができる。
基体１１の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルの基体１１以外の層、すなわち下地層１２、磁性層１３およびバック層１４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてミツトヨ（Mitutoyo）社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルである基体１１の厚みを５点以上の位置で測定する。その後、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、基体１１の平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
基体１１は、例えば、ポリエステル類を主たる成分として含んでいる。基体１１は、ポリエステル類に加えて、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、およびその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。基体１１が上記材料のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。
基体１１に含まれるポリエステル類は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン－ｐ－オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含む。
基体１１に含まれるポリオレフィン類は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）およびＰＰ（ポリプロピレン）のうちの少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）およびＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）およびＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの少なくとも１種を含む。
基体１１に含まれるその他の高分子樹脂は、例えば、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）およびＰＵ（ポリウレタン）のうちの少なくとも１種を含む。
（磁性層１３）
磁性層１３は、信号を記録するための記録層である。磁性層１３は、例えば、磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む。磁性層１３が、必要に応じて、導電性粒子、研磨剤、防錆剤等の添加剤をさらに含んでいてもよい。
磁性層１３は、信号を記録するための記録層である。磁性層１３は、例えば、磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む。磁性層１３が、必要に応じて、導電性粒子、研磨剤、防錆剤等の添加剤をさらに含んでいてもよい。
磁性層１３は、多数の凹み１３Ａが設けられた表面１３Ｓを有している。これらの多数の凹み１３Ａには、潤滑剤が蓄えられている。多数の凹み１３Ａは、磁性層１３の表面に対して垂直方向に延設されていることが好ましい。磁性層１３の表面１３Ｓに対する潤滑剤の供給性を向上することができるからである。なお、多数の凹み１３Ａの一部が垂直方向に延設されていてもよい。また、磁性層１３の表面１３Ｓには、磁性層１３の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹み１３Ａが、例えば１６００μｍ2あたり１０個以上２００個以下、好ましくは１０個以上２００個以下、より好ましくは２０個以上２００個以下の割合で形成されている。
磁性層１３の表面１３Ｓの凹み１３Ａの面密度は、例えば以下のようにして求められる。磁性層１３の表面１３ＳをＡＦＭにより観察し、４０μｍ×４０μｍのＡＦＭ像を得る。ＡＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100、ＮａｎｏＳｃｏｐｅＩＩＩａとその解析ソフトを用い、カンチレバーとしてはシリコン単結晶製のものを用い（注１）、タッピング周波数として、200-400Hzのチューニングにて測定を行う。次に、ＡＦＭ像を512×512（＝262,144）個の測定点に分割し、各測定点にて高さＺ（ｉ）（ｉ：測定点番号、ｉ＝１～262,144）を測定し、測定した各測定点の高さＺ（ｉ）を単純に平均（算術平均）して平均高さ（基準面）Ｚave（＝（Ｚ（１）＋Ｚ（２）＋・・・＋Ｚ（262,144））／262,144）を求める。この際には、画像処理として、Flatten order 2及びplanefitorder 3 XYによりフィルタリング処理を行ったものをデータとして用いる。
（注１）Nano World社製 SPMプローブ NCH ノーマルタイプ PointProbe L（カンチレバー長）＝１２５μｍ
（注１）Nano World社製 SPMプローブ NCH ノーマルタイプ PointProbe L（カンチレバー長）＝１２５μｍ
図２Ａは、拡大観察した磁性層１３の表面１３Ｓの一例である。図２Ａにおいて、ＸＹ面が磁性層１３の表面１３Ｓの広がる方向であり、例えば４０μｍ×４０μｍ＝１６００μｍ2の表面積を有する領域である。また、図２ＡにおいてＺ軸が凹み１３Ａの深さを表している。４０μｍ×４０μｍ＝１６００μｍ2の表面積を有する領域において、磁性層１３の平均厚み（例えば７０ｎｍ）の２０％以上に相当する基準面からの深さを有する凹み１３Ａの個数をカウントすることで求める。図２Ｂは、図２Ａに示した１６００μｍ2の表面積を有する領域における、複数の凹み１３Ａの分布を模式的に表している。具体的には、図２ＡのIIB-IIB切断線に沿った断面の一部を表している。図２Ｂにおいて、縦軸はＺ軸に沿った凹み１３Ａの深さに対応しており、具体的には、磁性層１３の平均厚み（例えば７０ｎｍ）に対する凹み１３Ａの深さの割合［％］を表している。図２Ｂの断面においては、磁性層１３の平均厚み（例えば７０ｎｍ）の２０％以上に相当する深さを有する凹み１３Ａの個数は、凹み１３Ａ－１，１３Ａ－２の２個である。図２Ｃは、図２Ａに示した１６００μｍ2の表面積を有する領域における、複数の凹み１３Ａの分布を模式的に表している。図２Ｃに示した例では、磁性層１３の平均厚み（例えば７０ｎｍ）の２０％以上に相当する深さを有する凹み１３Ａの個数は、３３個である。なお、図２Ｃに示した凹み１３Ａは図２Ａに示した凹み１３Ａに対応し、図２Ｃに示した凹み１３Ａ－１および凹み１３Ａ－２はそれぞれ図２Ｂに示した凹み１３Ａ－１および凹み１３Ａ－２に対応している。また、磁性層１３の平均厚みは、後述するように、磁気記録媒体１０を、その主面に対して垂直に薄く加工して試料片を作製し、その試験片の断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により観察することで求める。
磁性層１３の表面１３Ｓの算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下、好ましくは２．２ｎｍ以下、より好ましくは１．９ｎｍ以下である。算術平均粗さＲａが２．５ｎｍ以下であると、優れた電磁変換特性を得ることができる。磁性層１３の表面１３Ｓの算術平均粗さＲａの下限値は、好ましくは１．０ｎｍ以上、より好ましくは１．２ｎｍ以上、さらにより好ましくは１．４ｎｍ以上である。磁性層１３の表面１３Ｓの算術平均粗さＲａの下限値が１．０ｎｍ以上であると、摩擦の増大による走行性の低下を抑制することができる。
表面１３Ｓの算術平均粗さＲａは以下のようにして求められる。まず、磁性層１３の表面をＡＦＭ（Atomic Force Microscope）により観察し、４０μｍ×４０μｍのＡＦＭ像を得る。ＡＦＭとしてはDigital Instruments社製、Nano Scope IIIa D3100を用い、カンチレバーとしてはシリコン単結晶製のものを用い、タッピング周波数として２００Ｈｚ～４００Ｈｚのチューニングにて測定を行う。カンチレバーは、例えばNano World社製の「SPMプローブ NCH ノーマルタイプ PointProbe L(カンチレバー長)=125um」を用いることができる。次に、ＡＦＭ像を512×512（＝262,144）個の測定点に分割し、各測定点にて高さＺ（ｉ）（ｉ：測定点番号、ｉ＝１～262,144）を測定し、測定した各測定点の高さＺ（ｉ）を単純に平均（算術平均）して平均高さ（平均面）Ｚave（＝（Ｚ（１）＋Ｚ（２）＋・・・＋Ｚ（262,144））／262,144）を求める。続いて、各測定点での平均中心線からの偏差Ｚ”（ｉ）（＝｜Ｚ（ｉ）－Ｚave｜）を求め、算術平均粗さＲａ［ｎｍ］（＝（Ｚ”（１）＋Ｚ”（２）＋・・・＋Ｚ”（262,144））／262,144）を算出する。この際には、画像処理として、Flatten order2、ならびに、planefit order 3 XYによりフィルタリング処理を行ったものをデータとして用いる。
潤滑剤を除去および乾燥した状態における磁気記録媒体１０の全体のＢＥＴ比表面積の下限値は、３．５ｍ2／ｇ以上、好ましくは４ｍ2／ｇ以上、より好ましくは４．５ｍ2／ｇ以上、さらにより好ましくは５ｍ2／ｇ以上である。ＢＥＴ比表面積の下限値が３．５ｍ2／ｇ以上であると、繰り返し記録または再生を行った後にも（すなわち磁気ヘッドを磁気記録媒体１０の表面に接触させて繰り返し走行を行った後にも）、磁性層１３の表面と磁気ヘッドの間に対する潤滑剤の供給量の低下を抑制することができる。したがって、動摩擦係数の増加を抑制することができる。
潤滑剤を除去および乾燥した状態における磁気記録媒体１０の全体のＢＥＴ比表面積の上限値は、好ましくは７ｍ2／ｇ以下、より好ましくは６ｍ2／ｇ以下、さらにより好ましくは５．５ｍ2／ｇ以下である。ＢＥＴ比表面積の上限値が７ｍ2／ｇ以下であると、多数回走行後にも潤滑剤を枯渇することなく十分に供給できる。したがって、動摩擦係数の増加を抑制することができる。
ここでいう潤滑剤を除去および乾燥した状態における磁気記録媒体１０とは、磁気記録媒体１０を常温のヘキサンに２４時間に亘って浸漬させたのち、ヘキサンから取り出して自然乾燥させた状態の磁気記録媒体１０をいう。
ＢＪＨ法により求められる磁気記録媒体１０の全体の平均細孔直径は、６ｎｍ以上１２ｎｍ以下、好ましくは７ｎｍ以上１１ｎｍ以下、より好ましくは７．５ｎｍ以上１１ｎｍ以下である。平均細孔直径が６ｎｍ以上１２ｎｍ以下であると、上述した動摩擦係数の増加を抑制する効果をさらに向上させることができる。
ＢＥＴ比表面積および細孔分布（細孔容積、脱着時最大細孔容積の細孔直径）は以下のようにして求められる。まず、面積０．１２６５ｍ2より１割程度大きいサイズの磁気記録媒体１０をヘキサン中（テープが十分に浸漬できる量、例えば、１５０ｍＬ）に２４時間浸したのち、自然乾燥させ、面積０．１２６５ｍ2（例えば、乾燥後のテープの両端５０ｃｍを切り落とし、テープ幅×１０ｍを準備する。）のサイズに切り出すことにより、測定サンプルを作製する。次に、比表面積・細孔分布測定装置を用いて、ＢＪＨ法により細孔分布（細孔容積及び平均細孔直径）を求める。以下に、測定装置および測定条件を示す。このようにして、細孔の平均直径が測定される。
測定環境：室温
測定装置：Micromeritics社製3FLEX
測定吸着質：Ｎ2ガス
測定圧力範囲（Ｐ／Ｐ０）：０～０．９９５
前記測定圧力範囲に関して、圧力は以下の表１の通りに変化される。以下の表１における圧力値は相対圧Ｐ／Ｐ０である。以下の表において、例えばステップ１において、開始圧０．０００から到達圧０．０１０へ、１０秒当たり０．００１変化するように、圧力が変化される。圧力が到達圧に達したら、次のステップにおける圧力変化が行われる。ステップ２～１０においても同様である。ただし、各ステップにおいて、圧力が平衡に達していない場合は、装置は圧力が平衡になるのを待ってから次のステップに移行する。
測定環境：室温
測定装置：Micromeritics社製3FLEX
測定吸着質：Ｎ2ガス
測定圧力範囲（Ｐ／Ｐ０）：０～０．９９５
前記測定圧力範囲に関して、圧力は以下の表１の通りに変化される。以下の表１における圧力値は相対圧Ｐ／Ｐ０である。以下の表において、例えばステップ１において、開始圧０．０００から到達圧０．０１０へ、１０秒当たり０．００１変化するように、圧力が変化される。圧力が到達圧に達したら、次のステップにおける圧力変化が行われる。ステップ２～１０においても同様である。ただし、各ステップにおいて、圧力が平衡に達していない場合は、装置は圧力が平衡になるのを待ってから次のステップに移行する。
磁性層１３は、例えば図３Ａに示すように、複数のサーボバンドＳＢと複数のデータバンドＤＢとを予め有していることが好ましい。図３Ａは、磁気記録媒体１０におけるデータバンドＤＢおよびサーボバンドＳＢのレイアウトを表す概略説明図であり、積層構造を有する磁気記録媒体１０における積層方向と直交する面内のレイアウトを表している。図３Ａに示したように、複数のサーボバンドＳＢは、磁気記録媒体１０の幅方向に等間隔で設けられている。磁気記録媒体１０の幅方向とは、磁気記録媒体１０の長手方向および磁気記録媒体１０の積層方向の双方に対して直交する方向である。幅方向において隣り合うサーボバンドＳＢ同士の間には、データバンドＤＢが設けられている。サーボバンドＳＢには、磁気ヘッドのトラッキング制御をするためのサーボ信号が予め書き込まれている。データバンドＤＢには、ユーザデータが記録される。
磁性層１３の表面１３Ｓの面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積ＳSBの割合ＲS（＝（ＳSB／Ｓ）×１００）の上限値は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは４．０％以下、より好ましくは３．０％以下、さらにより好ましくは２．０％以下である。一方、磁性層１３の表面の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積ＳSBの割合ＲSの下限値は、５以上のサーボトラックを確保する観点から、好ましくは０．８％以上である。
磁性層１３の表面の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積ＳSBの割合ＲSは、例えば、磁気記録媒体１０を、フェリコロイド現像液（株式会社シグマハイケミカル製、シグマ―カーＱ）を用いて現像し、その後、現像した磁気記録媒体１０を光学顕微鏡で観察することで測定することができる。光学顕微鏡の観察像から、サーボバンド幅ＷSBおよびサーボバンドＳＢの本数を測定する。次に、以下の式から割合ＲSを求める。
割合ＲS［％］＝（（（サーボバンド幅ＷSB）×（サーボバンド本数））／（磁気記録媒体１０の幅））×１００
割合ＲS［％］＝（（（サーボバンド幅ＷSB）×（サーボバンド本数））／（磁気記録媒体１０の幅））×１００
サーボバンドＳＢの数は、好ましくは５以上、より好ましくは５＋４ｎ（但し、ｎは正の整数である。）以上である。サーボバンドＳＢの数が５以上であると、磁気記録媒体１０の幅方向の寸法変化によるサーボ信号への影響を抑制し、オフトラックが少ない安定した記録再生特性を確保できる。
サーボバンド幅ＷSBの上限値は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは９５μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、さらにより好ましくは３０μｍ以下である。サーボバンド幅ＷSBの下限値は、記録ヘッド製造の観点から、好ましくは１０μｍ以上である。サーボバンド幅ＷSBの幅は以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０を、フェリコロイド現像液（株式会社シグマハイケミカル製、シグマ―カーＱ）を用いて現像する。次に、現像した磁気記録媒体１０を光学顕微鏡で観察することでサーボバンド幅ＷSBの幅を測定することができる。
磁性層１３は、図３Ｂに示したように、データバンドＤＢに複数のデータトラックＴｋを形成可能に構成されている。この場合、データトラック幅ＷTkの上限値は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは２．０μｍ以下、より好ましくは１．５μｍ以下、さらにより好ましくは１．０μｍ以下である。データトラック幅ＷTkの下限値は、磁性粒子サイズの観点から、好ましくは０．０２μｍ以上である。
磁性層１３は、高記録容量を確保する観点から、磁化反転間距離Ｌの最小値が好ましくは４８ｎｍ以下、より好ましくは４４ｎｍ以下、さらにより好ましくは４０ｎｍ以下となるように、データを記録可能に構成されている。磁化反転間距離Ｌの最小値の下限値は、磁性粒子サイズの観点から考慮される。
磁性層１３の平均厚みの上限値は、好ましくは９０ｎｍ以下、特に好ましくは８０ｎｍ以下、より好ましくは７０ｎｍ以下、さらにより好ましくは５０ｎｍ以下である。磁性層１３の平均厚みの上限値が９０ｎｍ以下であると、記録ヘッドとしてはリング型ヘッドを用いた場合に、磁性層１３の厚み方向に均一に磁化を記録できるため、電磁変換特性を向上することができる。
磁性層１３の平均厚みの下限値は、好ましくは３５ｎｍ以上である。磁性層１３の平均厚みの上限値が３５ｎｍ以上であると、再生ヘッドとしてはＭＲ型ヘッドを用いた場合に、出力を確保できるため、電磁変換特性を向上することができる。
磁性層１３の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０の磁性層１３の表面１３Ｓおよびバック層１４の表面１４Ｓにカーボン膜を蒸着法により形成したのち、磁性層１３の表面１３Ｓを覆うカーボン膜の上にタングステン薄膜を蒸着法によりさらに形成する。これらのカーボン膜およびタングステン膜は、後述の薄片化処理においてサンプルを保護するものである。
次に、磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。得られた薄片化サンプルの前記断面を、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察し、ＴＥＭ像を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率及び加速電圧は適宜調整されてよい。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録媒体１０の長手方向の少なくとも１０点以上の位置で磁性層１３の厚みを測定する。得られた測定値を単純に平均（算術平均）した平均値を磁性層１３の平均厚みとする。なお、前記測定が行われる位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。
（磁性粉）
磁性粉は、例えば、ε酸化鉄を含有するナノ粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）の粉末を含んでいる。ε酸化鉄粒子は微粒子でも高保磁力を得ることができる。ε酸化鉄粒子に含まれるε酸化鉄は、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。
磁性粉は、例えば、ε酸化鉄を含有するナノ粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）の粉末を含んでいる。ε酸化鉄粒子は微粒子でも高保磁力を得ることができる。ε酸化鉄粒子に含まれるε酸化鉄は、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。
図４は、磁性層１３に含まれるε酸化鉄粒子２０の断面構造の一例を模式的に表す断面図である。図４に示したように、ε酸化鉄粒子２０は、球状もしくはほぼ球状を有しているか、または立方体状もしくはほぼ立方体状を有している。ε酸化鉄粒子２０が上記のような形状を有しているので、磁性粒子としてε酸化鉄粒子２０を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、磁気記録媒体１０の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制することができる。したがって、磁性粉の分散性を高め、より良好なＳＮＲ（Signal-to-Noise Ratio）を得る
ことができる。
ことができる。
ε酸化鉄粒子２０は、例えばコアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子２０は、図４に示したように、コア部２１と、このコア部２１の周囲に設けられた２層構造のシェル部２２とを備える。２層構造のシェル部２２は、コア部２１上に設けられた第１シェル部２２ａと、第１シェル部２２ａ上に設けられた第２シェル部２２ｂとを有する。
ε酸化鉄粒子２０におけるコア部２１は、ε酸化鉄を含んでいる。コア部２１に含まれるε酸化鉄は、ε－Ｆｅ2 Ｏ3 結晶を主相とするものが好ましく、単相のε－Ｆｅ2 Ｏ3からなるものがより好ましい。
第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部２１の周囲全体を覆っていてもよい。コア部２１と第１シェル部２２ａの交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部２１の表面全体を覆っていることが好ましい。
第１シェル部２２ａは、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α－Ｆｅ、Ｎｉ－Ｆｅ合金またはＦｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金等の軟磁性体を含む。α－Ｆｅは、コア部２１に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。
第２シェル部２２ｂは、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部２２ｂは、α酸化鉄、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素を含む。α酸化鉄は、例えばＦｅ3 Ｏ4 、Ｆｅ2 Ｏ3 およびＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含んでいる。第１シェル部２２ａがα－Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部２２ａに含まれるα－Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。
ε酸化鉄粒子２０が、上述のように第１シェル部２２ａを有することで、熱安定性を確保するためにコア部２１単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ、ε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）２０全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子２０が、上述のように第２シェル部２２ｂを有することで、磁気記録媒体１０の製造工程およびその工程前において、ε酸化鉄粒子２０が空気中に暴露されて粒子表面に錆び等が発生することによりε酸化鉄粒子２０の特性が低下するのを抑制することができる。したがって、第１シェル部２２ａを第２シェル部２２ｂにより覆うことで、磁気記録媒体１０の特性劣化を抑制することができる。
磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）は、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２２ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２２ｎｍ以下である。磁気記録媒体１０では、記録波長の１／２のサイズの領域が実際の磁化領域となる。このため、磁性粉の平均粒子サイズを最短記録波長の半分以下に設定することで、良好なＳ／Ｎを得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子サイズが２２ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気記録媒体１０（例えば５０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された磁気記録媒体１０）において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。
磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１以上３．０以下、より好ましくは１以上２．８以下、さらにより好ましくは１以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができると共に、磁性層１３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。
上記の磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は、以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。薄片化は磁気テープの長さ方向(長手方向)に沿うかたちで行う。すなわち、この薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向および厚み方向の双方に平行な断面が形成される。得られた薄片サンプルについて、透過電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ製 H-9500)を用いて、加速電圧：２００ｋＶ、総合倍率５００，０００倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から５０個の粒子を無作為に選び出し、各粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳとを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、各粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、粒子の長軸長ＤＬと直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。
続いて、測定した５０個の粒子の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬaveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬaveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、測定した５０個の粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳaveを求める。そして、平均長軸長ＤＬaveおよび平均短軸長ＤＳaveから粒子の平均アスペクト比（ＤＬave／ＤＳave）を求める。
磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５５００ｎｍ3以下、より好ましくは２７０ｎｍ3以上５５００ｎｍ3以下、さらにより好ましくは９００ｎｍ3以上５５００ｎｍ3以下である。磁性粉の平均粒子体積が５５００ｎｍ3以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２２ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が２７０ｎｍ3以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを８ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。
ε酸化鉄粒子２０が球状またはほぼ球状を有している場合には、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、平均長軸長ＤＬaveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。
Ｖ＝（π/６）×（ＤＬave）3
Ｖ＝（π/６）×（ＤＬave）3
（結着剤）
結着剤としては、ポリウレタン系樹脂、塩化ビニル系樹脂等に架橋反応を付与した構造の樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、磁気記録媒体１０に対して要求される物性等に応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型の磁気記録媒体１０において一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。
結着剤としては、ポリウレタン系樹脂、塩化ビニル系樹脂等に架橋反応を付与した構造の樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、磁気記録媒体１０に対して要求される物性等に応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型の磁気記録媒体１０において一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。
例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル－エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴム等が挙げられる。
また、熱硬化性樹脂、または反応型樹脂の例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。
また、上述した各結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、－ＳＯ3 Ｍ、－ＯＳＯ3 Ｍ、－ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）2 等の極性官能基が導入されていてもよい。ここで、上記化学式中のＭは、水素原子、またはリチウム、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属である。
さらに、極性官能基としては、－ＮＲ１Ｒ２、－ＮＲ１Ｒ２Ｒ３+Ｘ-の末端基を有する側鎖型のもの、＞ＮＲ１Ｒ２+Ｘ-の主鎖型のものが挙げられる。ここで、上記式中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３は、水素原子、または炭化水素基であり、Ｘ-は弗素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン元素イオン、または無機もしくは有機イオンである。また、極性官能基としては、－ＯＨ、－ＳＨ、－ＣＮ、エポキシ基等も挙げられる。
（潤滑剤）
磁性層１３に含まれる潤滑剤は、例えば脂肪酸および脂肪酸エステルを含有している。潤滑剤に含有される脂肪酸は、例えば下記の一般式＜１＞により示される化合物および一般式＜２＞により示される化合物のうちの少なくとも一方を含むことが好ましい。また、潤滑剤に含有される脂肪酸エステルは、下記の一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物のうちの少なくとも一方を含むことが好ましい。潤滑剤が、一般式＜１＞により示される化合物および一般式＜３＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜３＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜３＞により示される化合物の３種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の３種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の３種を含むことにより、一般式＜２＞により示される化合物、一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の３種を含むことにより、または、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜２＞により示される化合物、一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の４種を含むことにより、磁気記録媒体１０における繰り返しの記録又は再生による動摩擦係数の増加を抑制することができる。その結果、磁気記録媒体１０の走行性をさらに向上させることができる。
ＣＨ3（ＣＨ2）kＣＯＯＨ ・・・＜１＞
（但し、一般式＜１＞において、ｋは１４以上２２以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）mＣＯＯＨ ・・・＜２＞
（但し、一般式＜２＞において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）pＣＯＯ（ＣＨ2）qＣＨ3 ・・・＜３＞
（但し、一般式＜３＞において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）pＣＯＯ－（ＣＨ2）qＣＨ（ＣＨ3）2 …＜４＞
（但し、前記一般式＜４＞において、ｐは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｑは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）
磁性層１３に含まれる潤滑剤は、例えば脂肪酸および脂肪酸エステルを含有している。潤滑剤に含有される脂肪酸は、例えば下記の一般式＜１＞により示される化合物および一般式＜２＞により示される化合物のうちの少なくとも一方を含むことが好ましい。また、潤滑剤に含有される脂肪酸エステルは、下記の一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物のうちの少なくとも一方を含むことが好ましい。潤滑剤が、一般式＜１＞により示される化合物および一般式＜３＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜３＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の２種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜３＞により示される化合物の３種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜２＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の３種を含むことにより、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の３種を含むことにより、一般式＜２＞により示される化合物、一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の３種を含むことにより、または、一般式＜１＞により示される化合物、一般式＜２＞により示される化合物、一般式＜３＞により示される化合物および一般式＜４＞により示される化合物の４種を含むことにより、磁気記録媒体１０における繰り返しの記録又は再生による動摩擦係数の増加を抑制することができる。その結果、磁気記録媒体１０の走行性をさらに向上させることができる。
ＣＨ3（ＣＨ2）kＣＯＯＨ ・・・＜１＞
（但し、一般式＜１＞において、ｋは１４以上２２以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）mＣＯＯＨ ・・・＜２＞
（但し、一般式＜２＞において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）pＣＯＯ（ＣＨ2）qＣＨ3 ・・・＜３＞
（但し、一般式＜３＞において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）pＣＯＯ－（ＣＨ2）qＣＨ（ＣＨ3）2 …＜４＞
（但し、前記一般式＜４＞において、ｐは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｑは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）
（添加剤）
磁性層１３は、非磁性補強粒子として、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等をさらに含んでいてもよい。
磁性層１３は、非磁性補強粒子として、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等をさらに含んでいてもよい。
（下地層１２）
下地層１２は、非磁性粉および結着剤を含む非磁性層である。下地層１２が、必要に応じて、潤滑剤、導電性粒子、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。また、下地層１２は、複数層が積層されてなる多層構造を有していてもよい。下地層１２の平均厚みは、好ましくは０．５μｍ以上０．９μｍ以下、より好ましくは０．６μｍ以上０．７μｍ以下である。下地層１２の平均厚みを０．９μｍ以下に薄くすることにより、基体１１の厚みを薄くする場合よりも磁気記録媒体１０全体のヤング率が効果的に低下する。このため、磁気記録媒体１０に対するテンションコントロールが容易となる。また、下地層１２の平均厚みを０．５μｍ以上とすることにより、基体１１と下地層１２との接着力が確保される。そのうえ、下地層１２の厚みのばらつきを抑えることができ、磁性層１３の表面１３Ｓの粗さが大きくなるのを防ぐことができる。
下地層１２は、非磁性粉および結着剤を含む非磁性層である。下地層１２が、必要に応じて、潤滑剤、導電性粒子、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。また、下地層１２は、複数層が積層されてなる多層構造を有していてもよい。下地層１２の平均厚みは、好ましくは０．５μｍ以上０．９μｍ以下、より好ましくは０．６μｍ以上０．７μｍ以下である。下地層１２の平均厚みを０．９μｍ以下に薄くすることにより、基体１１の厚みを薄くする場合よりも磁気記録媒体１０全体のヤング率が効果的に低下する。このため、磁気記録媒体１０に対するテンションコントロールが容易となる。また、下地層１２の平均厚みを０．５μｍ以上とすることにより、基体１１と下地層１２との接着力が確保される。そのうえ、下地層１２の厚みのばらつきを抑えることができ、磁性層１３の表面１３Ｓの粗さが大きくなるのを防ぐことができる。
なお、下地層１２の平均厚みは、例えば次のように求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルの磁気記録媒体１０について、下地層１２および磁性層１３を基体１１から剥がす。次に、測定装置としてミツトヨ（Mitutoyo）社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用い、基体１１から剥がした下地層１２と磁性層１３との積層体の厚みを、５点以上の位置で測定する。そののち、それらの測定値を単純平均（算術平均）し、下地層１２と磁性層１３との積層体の平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。最後に、その積層体の平均厚みから、上述のようにＴＥＭを用いて測定した磁性層１３の平均厚みを差し引くことにより、下地層１２の平均厚みを求める。
下地層１２は、細孔を有していてよく、すなわち、下地層１２は、多数の細孔が設けられていてもよい。下地層１２の細孔は、例えば磁性層１３に細孔（凹み１３Ａ）を形成することに伴い形成されてよく、特には、磁気記録媒体１０のバック層１４の表面１４Ｓに設けられた多数の突部を磁性層側表面に押し当てることによって形成されうる。すなわち、突部の形に対応する凹みが磁性層１３の表面１３Ｓに形成されることによって、磁性層１３および下地層１２に細孔がそれぞれ形成されうる。また、磁性層形成用塗料の乾燥工程で溶剤が揮発することに伴い細孔が形成されてもよい。また、磁性層１３を形成するために磁性層形成用塗料を下地層１２の表面に塗布した際に磁性層形成用塗料中の溶剤が下層を塗布乾燥させた際に形成された下地層１２の細孔を通り、下地層１２内に浸透しうる。そののち磁性層１３の乾燥工程において下地層１２内に浸透した溶剤が揮発する際に、下地層１２内に浸透した溶剤が下地層１２から磁性層１３の表面１３Ｓへ移動していくことによって細孔が形成されてもよい。このように形成された細孔は、例えば磁性層１３と下地層１２とを連通しているものでありうる。磁性層形成用塗料の固形分若しくは溶剤の種類及び／又は磁性層形成用塗料の乾燥条件を変更することによって、細孔の平均直径を調整することが出来る。磁性層１３および下地層１２の両方に細孔が形成されていることによって、良好な走行安定性のために特に適した量の潤滑剤が磁性層側表面に現れ、繰り返しの記録又は再生による動摩擦係数の増加をさらに抑制することができる。
繰り返し記録または再生後における動摩擦係数の低下を抑制する観点からすると、下地層１２の孔部と磁性層１３の凹み１３Ａとがつながっていることが好ましい。ここで、下地層１２の孔部と磁性層１３の凹み１３Ａとがつながっているとは、下地層１２の多数の孔部のうちの一部のものと、磁性層１３の多数の凹み１３Ａのうちの一部のものとがつながっている状態を含むものとする。
磁性層１３の表面１３Ｓに対する潤滑剤の供給性を向上する観点からすると、多数の凹み１３Ａは、磁性層１３の表面１３Ｓに対して垂直方向に延設されているものを含んでいることが好ましい。また、磁性層１３の表面１３Ｓに対する潤滑剤の供給性を向上する観点からすると、磁性層１３の表面１３Ｓに対して垂直方向に延設された下地層１２の孔部と、磁性層１３の表面１３Ｓに対して垂直方向に延設された磁性層１３の凹み１３Ａとがつながっていることが好ましい。
（下地層１２の非磁性粉）
非磁性粉は、例えば無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも１種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素粉を含んでいてもよい。なお、１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これに限定されるものではない。
非磁性粉は、例えば無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも１種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素粉を含んでいてもよい。なお、１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これに限定されるものではない。
（下地層１２の結着剤）
下地層１２における結着剤は、上述の磁性層１３と同様である。
下地層１２における結着剤は、上述の磁性層１３と同様である。
（バック層１４）
バック層１４は、例えば結着剤および非磁性粉を含んでいる。バック層１４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。バック層１４における結着剤および非磁性粉は、上述の下地層１２における結着剤および非磁性粉と同様である。
バック層１４は、例えば結着剤および非磁性粉を含んでいる。バック層１４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。バック層１４における結着剤および非磁性粉は、上述の下地層１２における結着剤および非磁性粉と同様である。
バック層１４における非磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。バック層１４の非磁性粉の平均粒子サイズは、上記の磁性層１３における磁性粉の平均粒子サイズと同様にして求められる。非磁性粉が、２以上の粒度分布を有するものを含んでいてもよい。
バック層１４の、基体１１と反対側の表面１４Ｓのクルトーシス（Ｓｋｕ）は、２．０以上４．０以下であるとよい。巻きずれを効果的に抑えることができるからである。但し、巻きずれ防止の効果を向上させるには、表面１４Ｓのクルトーシス（Ｓｋｕ）は、より好ましくは３．０以上４．０以下、よりいっそう好ましくは３．５ｎｍ以上４．０以下であるとよい。
表面１４Ｓのクルトーシスは以下のとおりに測定される。まず、１２．６５ｍｍ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを１００ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、サンプルの被測定面（バック層１４の表面１４Ｓ）が上になるようにスライドグラスに乗せ、サンプルの端部をメンディングテープで固定する。測定装置としてVertScan（対物レンズ５０倍）を用いて表面形状を測定し、ＩＳＯ ２５１７８の規格に基づいて以下の数１に記載の式からクルトーシスＳｋｕを求める。
・装置：光干渉を用いた非接触粗度計
（株式会社菱化システム製 非接触表面・層断面形状計測システム VertScan R5500GL-M100-AC）
・対物レンズ：５０倍
・CCD：1/3レンズ
・測定領域：６４０×４８０ピクセル（視野：約95μｍ×71μｍ）
・測定モード：ｐｈａｓｅ
・波長フィルター：５２０ｎｍ
・ノイズ除去フィルター スムージング3ｘ3
・面補正：２次多項式近似面にて補正
・測定ソフトウエア：VS-Measure Version5.5.2
・解析ソフトウエア：VS-viewer Version5.5.5
・装置：光干渉を用いた非接触粗度計
（株式会社菱化システム製 非接触表面・層断面形状計測システム VertScan R5500GL-M100-AC）
・対物レンズ：５０倍
・CCD：1/3レンズ
・測定領域：６４０×４８０ピクセル（視野：約95μｍ×71μｍ）
・測定モード：ｐｈａｓｅ
・波長フィルター：５２０ｎｍ
・ノイズ除去フィルター スムージング3ｘ3
・面補正：２次多項式近似面にて補正
・測定ソフトウエア：VS-Measure Version5.5.2
・解析ソフトウエア：VS-viewer Version5.5.5
上述のようにして、長手方向で少なくとも５点以上の位置にてクルトーシスを測定したのち、求めた５点の平均をとる。
バック層１４の平均厚みの上限値は、好ましくは０．６μｍ以下であり、特に好ましくは０．５μｍ以下である。バック層１４の平均厚みの上限値が０．６μｍ以下であると、磁気記録媒体１０の平均厚みが５．６μｍ以下である場合でも、下地層１２や基体１１の厚みを厚く保つことができるので、磁気記録媒体１０の記録再生装置内での走行安定性を保つことができる。バック層１４の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．２μｍ以上であり、特に好ましくは０．３μｍ以上である。
バック層１４の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてミツトヨ（Mitutoyo）社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルである磁気記録媒体１０の厚みを５点以上で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、磁気記録媒体１０の平均厚みｔT［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。続いて、サンプルの磁気記録媒体１０からバック層１４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。そののち、再び上記のレーザーホロゲージを用い、磁気記録媒体１０からバック層１４を除去したサンプルの厚みを５点以上で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）してバック層１４を除去した磁気記録媒体１０の平均厚みｔB［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。最後に、以下の式よりバック層１４の平均厚みｔb［μｍ］を求める。
ｔb［μｍ］＝ｔT［μｍ］－ｔB［μｍ］
ｔb［μｍ］＝ｔT［μｍ］－ｔB［μｍ］
図１に示したように、バック層１４は、多数の突部１４Ａが設けられた表面を有している。多数の突部１４Ａは、磁気記録媒体１０をロール状に巻き取った状態において、磁性層１３の表面１３Ｓに多数の凹み１３Ａを形成するためのものである。多数の凹み１３Ａは、例えば、バック層１４の表面から突出された多数の非磁性粒子により形成される。
（磁気記録媒体１０の平均厚み）
磁気記録媒体１０の平均厚み（平均全厚）の上限値は、好ましくは５．６μｍ以下、より好ましくは５．０μｍ以下、特に好ましくは４．６μｍ以下、さらにより好ましくは４．４μｍ以下である。磁気記録媒体１０の平均厚みが５．６μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。磁気記録媒体１０の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば３．５μｍ以上である。
磁気記録媒体１０の平均厚み（平均全厚）の上限値は、好ましくは５．６μｍ以下、より好ましくは５．０μｍ以下、特に好ましくは４．６μｍ以下、さらにより好ましくは４．４μｍ以下である。磁気記録媒体１０の平均厚みが５．６μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。磁気記録媒体１０の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば３．５μｍ以上である。
磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔＴ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
（保磁力Ｈｃ）
磁気記録媒体１０の長手方向における保磁力Ｈｃの上限値は、好ましくは２０００Ｏｅ以下、より好ましくは１９００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは１８００Ｏｅ以下である。長手方向における保磁力Ｈｃ２が２０００Ｏｅ以下であると、記録ヘッドからの垂直方向の磁界により感度良く磁化が反応するため、良好な記録パターンを形成することができる。
磁気記録媒体１０の長手方向における保磁力Ｈｃの上限値は、好ましくは２０００Ｏｅ以下、より好ましくは１９００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは１８００Ｏｅ以下である。長手方向における保磁力Ｈｃ２が２０００Ｏｅ以下であると、記録ヘッドからの垂直方向の磁界により感度良く磁化が反応するため、良好な記録パターンを形成することができる。
磁気記録媒体１０の長手方向に測定した保磁力Ｈｃの下限値が、好ましくは１０００Ｏｅ以上である。長手方向にける保磁力Ｈｃの下限値が１０００Ｏｅ以上であると、記録ヘッドからの漏れ磁束による減磁を抑制することができる。
上記の保磁力Ｈｃは以下のようにして求められる。磁気記録媒体１０を３枚重ね合わせて両面テープで接着したのち、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜くことにより測定サンプルを作成する。この際に、磁気記録媒体の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気記録媒体１０の長手方向（磁気記録媒体１０の走行方向）に対応する測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ－Ｈループを測定する。次に、アセトンまたはエタノール等を用いて塗膜（下地層１２、磁性層１３およびバック層１４等）を払拭し、基体１１のみを残す。そして、得られた基体１１を両面テープで３枚重ね合わせて接着したのち、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜くことによりバックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に補正用サンプルという。）を得る。そののち、ＶＳＭを用いて基体１１の長手方向（磁気記録媒体１０の走行方向）に対応する補正用サンプル（基体１１）のＭ－Ｈループを測定する。
測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ－Ｈループおよび補正用サンプル（基体１１）のＭ－Ｈループの測定においては、例えば東英工業製の好感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とする。
２つのＭ－Ｈループを得たのち、測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（基体１１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭＰ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループから保磁力Ｈｃが求められる。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０の長手方向に測定する際の"反磁界補正"は行わないものとする。
（角形比）
磁気記録媒体１０の垂直方向（厚み方向）における角形比Ｓ１は、例えば６５％以上であり、好ましくは７０％以上、より好ましくは７５％以上、さらにより好ましくは８０％以上、特に好ましくは８５％以上である。角形比Ｓ１が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。
磁気記録媒体１０の垂直方向（厚み方向）における角形比Ｓ１は、例えば６５％以上であり、好ましくは７０％以上、より好ましくは７５％以上、さらにより好ましくは８０％以上、特に好ましくは８５％以上である。角形比Ｓ１が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。
角形比Ｓ１は以下のようにして求められる。磁気記録媒体１０を３枚重ね合わせて両面テープで接着したのち、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜くことにより測定サンプルを作成する。この際に、磁気記録媒体の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気記録媒体１０の長手方向（磁気記録媒体１０の走行方向）に対応する測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ－Ｈループを測定する。次に、アセトンまたはエタノール等を用いて塗膜（下地層１２、磁性層１３およびバック層１４等）を払拭し、基体１１のみを残す。そして、得られた基体１１を両面テープで３枚重ね合わせて接着したのち、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜くことによりバックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に補正用サンプルという。）を得る。そののち、ＶＳＭを用いて基体１１の長手方向（磁気記録媒体１０の走行方向）に対応する補正用サンプル（基体１１）のＭ－Ｈループを測定する。
測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ－Ｈループおよび補正用サンプル（基体１１）のＭ－Ｈループの測定においては、例えば東英工業製の好感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とする。
２つのＭ－Ｈループを得たのち、測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（基体１１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭＰ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）および残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）を以下の式に代入して、角形比Ｓ１（％）を計算する。
角形比Ｓ１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００
なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０の垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。
角形比Ｓ１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００
なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０の垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。
磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）における角形比Ｓ２は、好ましくは３５％以下、より好ましくは３０％以下、さらにより好ましくは２５％以下、特に好ましくは２０％以下、最も好ましくは１５％以下である。角形比Ｓ２が３５％以下であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。
角形比Ｓ２は、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０および基体１１の長手方向（走行方向）に測定すること以外は角形比Ｓ１と同様にして求められる。
（ＳＦＤ）
磁気記録媒体１０のＳＦＤ（Switching Field Distribution）曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙは、好ましくは３．０以上であり、より好ましくは５．０以上、さらにより好ましくは７．０以上、特に好ましくは１０．０以上、最も好ましくは２０．０以上である（図５参照）。ピーク比Ｘ／Ｙが３．０以上であると、実際の記録に寄与するε酸化鉄粒子２０の他にε酸化鉄特有の低保磁力成分（例えば軟磁性粒子や超常磁性粒子等）が磁性粉中に多く含まれることを抑制できる。したがって、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できるので、より優れたＳＮＲを得ることができる。ピーク比Ｘ／Ｙの上限値は特に限定されるものではないが、例えば１００以下である。
磁気記録媒体１０のＳＦＤ（Switching Field Distribution）曲線において、メインピーク高さＸと磁場ゼロ付近のサブピークの高さＹとのピーク比Ｘ／Ｙは、好ましくは３．０以上であり、より好ましくは５．０以上、さらにより好ましくは７．０以上、特に好ましくは１０．０以上、最も好ましくは２０．０以上である（図５参照）。ピーク比Ｘ／Ｙが３．０以上であると、実際の記録に寄与するε酸化鉄粒子２０の他にε酸化鉄特有の低保磁力成分（例えば軟磁性粒子や超常磁性粒子等）が磁性粉中に多く含まれることを抑制できる。したがって、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できるので、より優れたＳＮＲを得ることができる。ピーク比Ｘ／Ｙの上限値は特に限定されるものではないが、例えば１００以下である。
上記のピーク比Ｘ／Ｙは、以下のようにして求められる。まず、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得る。次に、得られたＭ－ＨループからＳＦＤカーブを算出する。ＳＦＤカーブの算出には測定機に付属のプログラムを用いてもよいし、その他のプログラムを用いてもよい。算出したＳＦＤカーブがＹ軸（ｄＭ／ｄＨ）を横切る点の絶対値を「Ｙ」とし、Ｍ－Ｈループで言うところの保磁力Ｈｃ近傍に見られるメインピークの高さを「Ｘ」として、ピーク比Ｘ／Ｙを算出する。なお、Ｍ－Ｈループの測定は、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様に２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。また、使用するＶＳＭの感度に合わせて、測定するサンプルを複数枚重ねてＭ－Ｈループを測定してもよい。
（活性化体積Ｖact）
活性化体積Ｖactが、好ましくは８０００ｎｍ3以下、より好ましくは６０００ｎｍ3以下、さらにより好ましくは５０００ｎｍ3以下、特に好ましくは４０００ｎｍ3以下、最も好ましくは３０００ｎｍ3以下である。活性化体積Ｖactが８０００ｎｍ3以下であると、磁性粉の分散状態が良好になるため、ビット反転領域を急峻にすることができ、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できる。したがって、より優れたＳＮＲが得られる。
活性化体積Ｖactが、好ましくは８０００ｎｍ3以下、より好ましくは６０００ｎｍ3以下、さらにより好ましくは５０００ｎｍ3以下、特に好ましくは４０００ｎｍ3以下、最も好ましくは３０００ｎｍ3以下である。活性化体積Ｖactが８０００ｎｍ3以下であると、磁性粉の分散状態が良好になるため、ビット反転領域を急峻にすることができ、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できる。したがって、より優れたＳＮＲが得られる。
上記の活性化体積Ｖactは、Ｓｔｒｅｅｔ＆Ｗｏｏｌｌｅｙにより導出された下記の式により求められる。
Ｖact（ｎｍ3）＝ｋB×Ｔ×Χirr／（μ0×Ｍｓ×Ｓ）
（但し、ｋB：ボルツマン定数（１．３８×１０-23Ｊ／Ｋ）、Ｔ：温度（Ｋ）、Χirr：非可逆磁化率、μ0：真空の透磁率、Ｓ：磁気粘性係数、Ｍｓ：飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｍ3））
Ｖact（ｎｍ3）＝ｋB×Ｔ×Χirr／（μ0×Ｍｓ×Ｓ）
（但し、ｋB：ボルツマン定数（１．３８×１０-23Ｊ／Ｋ）、Ｔ：温度（Ｋ）、Χirr：非可逆磁化率、μ0：真空の透磁率、Ｓ：磁気粘性係数、Ｍｓ：飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｍ3））
上記式に代入される非可逆磁化率Χirr、飽和磁化Ｍｓおよび磁気粘性係数Ｓは、ＶＳＭを用いて以下のようにして求められる。ＶＳＭに用いる測定サンプルは、磁気記録媒体１０を両面テープで３枚重ね合わされたものをφ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜くことにより作製される。この際に、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。なお、ＶＳＭによる測定方向は、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）とする。また、ＶＳＭによる測定は、長尺状の磁気記録媒体１０から切り出された測定サンプルに対して２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。さらに、測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループ、補正用サンプル（基体１１）のＭ－Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。
（非可逆磁化率Χirr）
非可逆磁化率Χirrは、残留磁化曲線（ＤＣＤ曲線）の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近における傾きと定義される。まず、磁気記録媒体１０全体に－１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に約１５．９ｋＡ／ｍ（２００Ｏｅ）の磁界を印加し再びゼロに戻し残留磁化量を測定する。その後も同様に、先ほどの印加磁界よりもさらに１５．９ｋＡ／ｍ大きい磁界を印加しゼロに戻す測定を繰り返し行い、印加磁界に対して残留磁化量をプロットしＤＣＤ曲線を測定する。得られたＤＣＤ曲線から、磁化量ゼロとなる点を残留保磁力Ｈｒとし、さらにＤＣＤ曲線を微分し、各磁界におけるＤＣＤ曲線の傾きを求める。このＤＣＤ曲線の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近の傾きがΧirrとなる。
非可逆磁化率Χirrは、残留磁化曲線（ＤＣＤ曲線）の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近における傾きと定義される。まず、磁気記録媒体１０全体に－１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に約１５．９ｋＡ／ｍ（２００Ｏｅ）の磁界を印加し再びゼロに戻し残留磁化量を測定する。その後も同様に、先ほどの印加磁界よりもさらに１５．９ｋＡ／ｍ大きい磁界を印加しゼロに戻す測定を繰り返し行い、印加磁界に対して残留磁化量をプロットしＤＣＤ曲線を測定する。得られたＤＣＤ曲線から、磁化量ゼロとなる点を残留保磁力Ｈｒとし、さらにＤＣＤ曲線を微分し、各磁界におけるＤＣＤ曲線の傾きを求める。このＤＣＤ曲線の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近の傾きがΧirrとなる。
（飽和磁化Ｍｓ）
まず、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得る。次に、得られたＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）の値と、測定サンプル中の磁性層１３の体積（ｃｍ3）から、Ｍｓ（ｅｍｕ／ｃｍ3）を算出する。なお、磁性層１３の体積は測定サンプルの面積に磁性層１３の平均厚みを乗ずることにより求められる。磁性層１３の体積の算出に必要な磁性層１３の平均厚みの算出方法は、上述した通りである。
まず、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得る。次に、得られたＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）の値と、測定サンプル中の磁性層１３の体積（ｃｍ3）から、Ｍｓ（ｅｍｕ／ｃｍ3）を算出する。なお、磁性層１３の体積は測定サンプルの面積に磁性層１３の平均厚みを乗ずることにより求められる。磁性層１３の体積の算出に必要な磁性層１３の平均厚みの算出方法は、上述した通りである。
（磁気粘性係数Ｓ）
まず、磁気記録媒体１０（測定サンプル）全体に－１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。そののち、反対方向に、ＤＣＤ曲線より得られた残留保磁力Ｈｒの値と同等の磁界を印加する。磁界を印加した状態で１０００秒間、磁化量を一定の時間間隔で継続的に測定する。このようにして得られた、時間ｔと磁化量Ｍ（ｔ）との関係を以下の式に照らし合わせて磁気粘性係数Ｓを算出する。
Ｍ（ｔ）＝Ｍ０＋Ｓ×ｌｎ（ｔ）
（但し、Ｍ（ｔ）：時間ｔの磁化量、Ｍ０：初期の磁化量、Ｓ：磁気粘性係数、ｌｎ（ｔ）：時間の自然対数）
まず、磁気記録媒体１０（測定サンプル）全体に－１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。そののち、反対方向に、ＤＣＤ曲線より得られた残留保磁力Ｈｒの値と同等の磁界を印加する。磁界を印加した状態で１０００秒間、磁化量を一定の時間間隔で継続的に測定する。このようにして得られた、時間ｔと磁化量Ｍ（ｔ）との関係を以下の式に照らし合わせて磁気粘性係数Ｓを算出する。
Ｍ（ｔ）＝Ｍ０＋Ｓ×ｌｎ（ｔ）
（但し、Ｍ（ｔ）：時間ｔの磁化量、Ｍ０：初期の磁化量、Ｓ：磁気粘性係数、ｌｎ（ｔ）：時間の自然対数）
（摩擦係数比（μB／μA））
磁気記録媒体１０は、好ましくは、磁気記録媒体１０の長手方向に０．４Ｎの張力を加えた状態における磁気記録媒体１０の磁性層１３の表面１３Ｓと磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μAと、磁気記録媒体１０の長手方向に１．２Ｎの張力を加えた状態における磁気記録媒体１００の磁性層１３の表面１３Ｓと磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μBとの摩擦係数比（μB／μA）が１．０以上２．０以下であり、より好ましくは１．０以上１．８以下であり、さらにより好ましくは１．０以上１．６以下である。摩擦係数比（μB／μA）が上記数値範囲内にあることによって、走行時の張力変動による動摩擦係数の変化を小さくすることができるため、磁気記録媒体１０の走行を安定させることができる。
磁気記録媒体１０は、好ましくは、磁気記録媒体１０の長手方向に０．４Ｎの張力を加えた状態における磁気記録媒体１０の磁性層１３の表面１３Ｓと磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μAと、磁気記録媒体１０の長手方向に１．２Ｎの張力を加えた状態における磁気記録媒体１００の磁性層１３の表面１３Ｓと磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μBとの摩擦係数比（μB／μA）が１．０以上２．０以下であり、より好ましくは１．０以上１．８以下であり、さらにより好ましくは１．０以上１．６以下である。摩擦係数比（μB／μA）が上記数値範囲内にあることによって、走行時の張力変動による動摩擦係数の変化を小さくすることができるため、磁気記録媒体１０の走行を安定させることができる。
摩擦係数比（μＢ／μＡ）を算出するための動摩擦係数μＡおよび動摩擦係数μＢは以下のとおりにして求められる。先ず、図９に示したように、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を、互いに離間して平行に配置された１インチ径の円柱状の２本のガイドロール９１，９２に磁性層１３の表面１３Ｓが接触するように載せる。２本のガイドロール９１，９２は、互いの位置関係が固定されている。
次いで、ＬＴＯ５ドライブに搭載されているヘッドブロック（記録再生用）９３に対し、磁気記録媒体１０を、磁性層１３の表面１３Ｓが接触し、かつ抱き角θ１［°］＝５．６°となるように接触させ、磁気記録媒体１０の一端を掴み治具９４により把持して可動式ストレインゲージ９５と繋ぐと共に、磁気記録媒体１０の他端に錘９６を吊り下げ、０．４ＮのテンションＴ０を付与する。なお、ヘッドブロック９３は、抱き角θ１［°］が５．６°となった位置において固定されるようになっている。これにより、ガイドロール９１，９２とヘッドブロック９３との位置関係も固定される。
次いで、可動式ストレインゲージ９５によって、磁気記録媒体１０を、ヘッドブロック９３に対して１０ｍｍ／ｓの速度で可動式ストレインゲージ９５へ向かうように６０ｍｍ摺動させる。この摺動時の可動式ストレインゲージ９５の出力値（電圧）を、事前に取得されている出力値と荷重との直線関係（後述する）に基づき、Ｔ［Ｎ］に変換する。上記６０ｍｍの摺動の摺動開始から摺動停止までの間に、１３回Ｔ［Ｎ］を取得し、最初と最後の計２回を除いた１１個のＴ［Ｎ］を単純平均することによって、Ｔave［Ｎ］が得られる。
その後、以下の式より動摩擦係数μAを求める。
その後、以下の式より動摩擦係数μAを求める。
上述の直線関係は以下のとおりに得られる。すなわち、可動式ストレインゲージ９５に０．４Ｎの荷重をかけた場合と１．５Ｎの荷重をかけた場合のそれぞれについて、可動式ストレインゲージ９５の出力値（電圧）を得る。得られた２つの出力値と前記２つの荷重とから、出力値と荷重との直線関係が得られる。当該直線関係を用いて、上記のとおり、摺動時の可動式ストレインゲージ９５による出力値（電圧）がＴ［Ｎ］に変換される。
動摩擦係数μBは、前記他端に付与されるテンションＴ0［Ｎ］を１．２Ｎとすること以外は動摩擦係数μAの測定方法と同じ方法で測定される。
以上のとおりにして測定された動摩擦係数μA及び動摩擦係数μBから、摩擦係数比（μB／μA）が算出される。
以上のとおりにして測定された動摩擦係数μA及び動摩擦係数μBから、摩擦係数比（μB／μA）が算出される。
磁気記録媒体１０に加わる張力が０．６Ｎであるときの磁性層１３の表面１３Ｓと磁気ヘッドの間の動摩擦係数をμＣとした場合、走行開始から５回目の動摩擦係数μＣ（５）と走行開始から１０００回目の動摩擦係数μＣ（１０００）との摩擦係数比（μＣ（１０００）／μＣ（５））が、好ましくは１．０以上１．９以下、より好ましくは１．２以上１．８以下である。摩擦係数比（μＣ（１０００）／μＣ（５））が１．０以上で１．９以下であると、多数回走行による動摩擦係数の変化を小さくできるため、磁気記録媒体１０の走行を安定させることができる。ここで、磁気ヘッドとしては磁気記録媒体１０に対応したドライブのものを用いるものとする。
（摩擦係数比（μC(1000)／μC(5)））
摩擦係数比（μＣ（１０００）／μＣ（５））を算出するための動摩擦係数μＣ（５）および動摩擦係数μＣ（１０００）は以下のとおりにして求められる。
摩擦係数比（μＣ（１０００）／μＣ（５））を算出するための動摩擦係数μＣ（５）および動摩擦係数μＣ（１０００）は以下のとおりにして求められる。
磁気記録媒体１０は、好ましくは、長手方向に０．６Ｎの張力を加えた状態にある前記磁気記録媒体を、磁気ヘッド上を５往復摺動させた場合の５往復目における動摩擦係数μC(5)と、当該磁気ヘッド上を１０００往復させた場合の１０００往復目における動摩擦係数μC(1000)との摩擦係数比（μC(1000)／μC(5)）が１．０～２．０であり、より好ましくは１．０～１．８であり、さらにより好ましくは１．０～１．６である。摩擦係数比（μC(1000)／μC(5)）が上記数値範囲内にあることによって、多数回走行による動摩擦係数の変化を小さくすることができるため、磁気記録媒体１０の走行を安定させることができる。
摩擦係数比（μC(1000)／μC(5)）を算出するための動摩擦係数μC(5)及び動摩擦係数
μC(1000)は以下のとおりにして求められる。
磁気記録媒体１０の前記他端に付与されるテンションＴ0［Ｎ］を０．６Ｎとすること以外は動摩擦係数μAの測定方法と同じようにして、磁気記録媒体１０を可動式ストレインゲージ７１と繋ぐ。そして、磁気記録媒体１０を、ヘッドブロック７４に対して１０ｍｍ／ｓにて可動式ストレインゲージへ向かって６０ｍｍ摺動させ（往路）及び可動式ストレインゲージから離れるように６０ｍｍ摺動させる（復路）。この往復動作を１０００回繰り返す。この１０００回の往復動作のうち、５回目の往路の６０ｍｍの摺動の摺動開始から摺動停止までの間に、ストレインゲージの出力値（電圧）を１３回を取得し、動摩擦係数μAで求めた出力値と荷重との直線関係（後述する）に基づき、Ｔ［Ｎ］に変換する。最初と最後の計２回を除いた１１個を単純平均することによりＴave［Ｎ］を求める。
以下の式により、動摩擦係数μC(5)を求める。
さらに、動摩擦係数μC(1000)は、１０００回目の往路の測定をすること以外は動摩擦係数μC(5)と同様にして求める。
以上のとおりにして測定された動摩擦係数μC(5)及び動摩擦係数μC(1000)から、摩擦
係数比μC(1000)／μC(5)が算出される。
μC(1000)は以下のとおりにして求められる。
磁気記録媒体１０の前記他端に付与されるテンションＴ0［Ｎ］を０．６Ｎとすること以外は動摩擦係数μAの測定方法と同じようにして、磁気記録媒体１０を可動式ストレインゲージ７１と繋ぐ。そして、磁気記録媒体１０を、ヘッドブロック７４に対して１０ｍｍ／ｓにて可動式ストレインゲージへ向かって６０ｍｍ摺動させ（往路）及び可動式ストレインゲージから離れるように６０ｍｍ摺動させる（復路）。この往復動作を１０００回繰り返す。この１０００回の往復動作のうち、５回目の往路の６０ｍｍの摺動の摺動開始から摺動停止までの間に、ストレインゲージの出力値（電圧）を１３回を取得し、動摩擦係数μAで求めた出力値と荷重との直線関係（後述する）に基づき、Ｔ［Ｎ］に変換する。最初と最後の計２回を除いた１１個を単純平均することによりＴave［Ｎ］を求める。
以下の式により、動摩擦係数μC(5)を求める。
以上のとおりにして測定された動摩擦係数μC(5)及び動摩擦係数μC(1000)から、摩擦
係数比μC(1000)／μC(5)が算出される。
［１－２ 磁気記録媒体１０の製造方法］
次に、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の製造方法について説明する。まず、非磁性粉、結着剤および潤滑剤等を溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉、結着剤および潤滑剤等を溶剤に混練、分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。次に、結着剤および非磁性粉等を溶剤に混練、分散させることにより、バック層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料、下地層形成用塗料およびバック層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。
次に、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の製造方法について説明する。まず、非磁性粉、結着剤および潤滑剤等を溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉、結着剤および潤滑剤等を溶剤に混練、分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。次に、結着剤および非磁性粉等を溶剤に混練、分散させることにより、バック層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料、下地層形成用塗料およびバック層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。
上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテート等のエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２－エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。
上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダー等の混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」等）、ホモジナイザー、超音波分散機等の分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。
次に、下地層形成用塗料を基体１１の一方の主面１１Ａに塗布して乾燥させることにより、下地層１２を形成する。続いて、この下地層１２上に磁性層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、磁性層１３を下地層１２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１の厚み方向に磁場配向させることが好ましい。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１の走行方向（長手方向）に磁場配向させたのちに、基体１１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。このような磁場配向処理をすることで、磁性粉の垂直配向度（すなわち角形比Ｓ１）を向上することができる。磁性層１３の形成後、バック層形成用塗料を基体１１の他方の主面１１Ｂに塗布して乾燥させることにより、バック層１４を形成する。これにより、磁気記録媒体１０が得られる。
角形比Ｓ１、Ｓ２は、例えば、磁性層形成用塗料の塗膜に印加される磁場の強度、磁性層形成用塗料中における固形分の濃度、磁性層形成用塗料の塗膜の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整することにより所望の値に設定される。塗膜に印加される磁場の強度は、磁性粉の保磁力の２倍以上であることが好ましい。角形比Ｓ１をさらに高めるためには（すなわち角形比Ｓ２をさらに低めるためには）、磁性層形成用塗料中における磁性粉の分散状態を向上させることが好ましい。また、角形比Ｓ１をさらに高めるためには、磁性粉を磁場配向させるための配向装置に磁性層形成用塗料が入る前の段階で、磁性粉を磁化させておくことも有効である。なお、上記の角形比Ｓ１、Ｓ２の調整方法は単独で使用されてもよいし、２以上組み合わされて使用されてもよい。
その後、得られた磁気記録媒体１０にカレンダー処理を行い、磁性層１３の表面１３Ｓを平滑化する。次に、カレンダー処理が施された磁気記録媒体１０をロール状に巻き取ったのち、この状態で磁気記録媒体１０に加熱処理を行うことにより、バック層１４の表面１４Ｓの多数の突部１４Ａを磁性層１３の表面１３Ｓに転写する。これにより、磁性層１３の表面１３Ｓに多数の凹み１３Ａが形成される。
加熱処理の温度は、５０℃以上８０℃以下であることが好ましい。加熱処理の温度が５０℃以上であると、良好な転写性を得ることができる。一方、加熱処理の温度が８０℃以下であると、細孔量が多くなりすぎ、磁性層１３の表面１３Ｓの潤滑剤が過多になってしまうおそれがある。ここで、加熱処理の温度は、磁気記録媒体１０を保持する雰囲気の温度である。
加熱処理の時間は、１５時間以上４０時間以下であることが好ましい。加熱処理の時間が１５時間以上であると、良好な転写性を得ることができる。一方、加熱処理の時間が４０時間以下であると、生産性の低下を抑制することができる。
また、加熱処理の際に磁気記録媒体１０に対して付与する圧力の範囲は１５０ｋｇ／ｃｍ以上４００ｋｇ／ｃｍ以下であるとよい。
最後に、磁気記録媒体１０を所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断する。以上により、目的とする磁気記録媒体１０が得られる。
以上の製造方法では、バック層１４の表面１４Ｓに設けられた多数の突部１４Ａを、磁性層１３の表面１３Ｓに転写することにより、磁性層１３の表面に細孔（凹み１３Ａ）が形成されるが、細孔の形成方法はこれに限定されるものではない。例えば、磁性層形成用塗料に含まれる溶剤の種類の調整及び／又は磁性層形成用塗料の乾燥条件の調整によって、磁性層１３の表面１３Ｓに細孔が形成されてもよい。また、例えば磁性層形成用塗料の溶剤が乾燥する過程において、磁性層形成用塗料に含まれる固形物と溶剤の偏在により細孔が形成されうる。また、磁性層形成用塗料を塗布する過程において、磁性層形成用塗料に含まれる溶剤は、下層を塗布乾燥させた際に形成された下地層１２の細孔を通って下地層１２にも吸収されうる。前記塗布後の乾燥工程で下地層１２から磁性層１３を通って溶剤が移動することによって、磁性層１３と下地層１２とを連通する細孔が形成されうる。
［１－３ 記録再生装置３０の構成］
次に、図６を参照して、上述の磁気記録媒体１０への情報の記録、および上述の磁気記録媒体１０からの情報の再生を行う記録再生装置３０の構成について説明する。
次に、図６を参照して、上述の磁気記録媒体１０への情報の記録、および上述の磁気記録媒体１０からの情報の再生を行う記録再生装置３０の構成について説明する。
記録再生装置３０は、磁気記録媒体１０の長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有している。また、記録再生装置３０は、磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有している。ここでは、説明を容易とするために、記録再生装置３０が１つの磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有している場合について説明する。但し、本開示では、記録再生装置３０が、複数の磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有していてもよい。先に述べたように、磁気記録媒体１０はテープ状であり、例えば長尺状の磁気記録テープであってもよい。磁気記録媒体１０は、例えば磁気記録媒体カートリッジ１０Ａの内部のリールに巻き付けられた状態で筐体に収容されていてよい。磁気記録媒体１０は、記録再生の際に長手方向に走行されるようになっている。また、磁気記録媒体１０は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは７５ｎｍ以下、さらにより好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成されていてよく、例えば最短記録波長が上記範囲内にある記録再生装置３０に用いられうる。記録トラック幅は、例えば２μｍ以下でありうる。
記録再生装置３０は、例えばネットワーク４３を介してサーバ４１およびパーソナルコンピュータ（以下「ＰＣ」という。）４２等の情報処理装置に接続されており、これらの情報処理装置から供給されたデータを磁気記録媒体カートリッジ１０Ａに記録可能に構成されている。
記録再生装置３０は、図６に示したように、スピンドル３１と、リール３２と、駆動装置３３と、駆動装置３４と、複数のガイドローラ３５と、ヘッドユニット３６と、通信インターフェース（以下、Ｉ／Ｆと記す）３７と、制御装置３８とを備える。
スピンドル３１は、磁気記録媒体カートリッジ１０Ａを装着可能に構成されている。磁気記録媒体カートリッジ１０Ａは、ＬＴＯ（Linear Tape Open）規格に準拠しており、カートリッジケース１０Ｂに磁気記録媒体１０を巻装した単一のリール１０Ｃを回転可能に収容している。磁気記録媒体１０には、サーボ信号としてハの字状のサーボパターンが予め記録されている。リール３２は、磁気記録媒体カートリッジ１０Ａから引き出された磁気記録媒体１０の先端を固定可能に構成されている。
駆動装置３３は、スピンドル３１を回転駆動させる装置である。駆動装置３４は、リール３２を回転駆動させる装置である。磁気記録媒体１０に対してデータの記録または再生を行う際には、駆動装置３３と駆動装置３４とが、スピンドル３１とリール３２とをそれぞれ回転駆動させることによって、磁気記録媒体１０を走行させる。ガイドローラ３５は、磁気記録媒体１０の走行をガイドするためのローラである。
ヘッドユニット３６は、磁気記録媒体１０にデータ信号を記録するための複数の記録ヘッドと、磁気記録媒体１０に記録されているデータ信号を再生するための複数の再生ヘッドと、磁気記録媒体１０に記録されているサーボ信号を再生するための複数のサーボヘッドとを備える。記録ヘッドとしては例えばリング型ヘッドを用いることができ、再生ヘッドとしては例えば磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用いることができるが、記録ヘッドおよび再生ヘッドの種類はこれに限定されるものではない。
Ｉ／Ｆ３７は、サーバ４１およびＰＣ４２等の情報処理装置と通信するためのものであり、ネットワーク４３に対して接続される。
制御装置３８は、記録再生装置３０の全体を制御する。例えば、制御装置３８は、サーバ４１およびＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、情報処理装置から供給されるデータ信号をヘッドユニット３６により磁気記録媒体１０に記録する。また、制御装置３８は、サーバ４１およびＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、ヘッドユニット３６により、磁気記録媒体１０に記録されたデータ信号を再生し、情報処理装置に供給する。
［１－４ 効果］
このように、本実施の形態の磁気記録媒体１０は、基体１１と下地層１２と磁性層１３とバック層１４とが順に積層されたテープ状の部材であり、以下の（１）から（９）の各構成要件を満たすようにしたものである。
（１）基体１１は、ポリエステルを主たる成分として含む。
（２）バック層１４の、基体と反対側の表面１４Ｓのクルトーシス（Ｓｋｕ）が２．０以上である。
（３）磁性層１３の表面１３Ｓには、磁性層１３の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹み１３Ａが、１６００μｍ2あたり１０個以上２００個以下の割合で形成されている。
（４）磁性層１３の表面１３Ｓの算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下である。
（５）下地層１２および磁性層１３は、潤滑剤を含む。
（６）潤滑剤を除去および乾燥した状態における磁気記録媒体１０の全体のＢＥＴ比表面積は、３．５ｍ2／ｇ以上である。
（７）磁気記録媒体の垂直方向における角形比は、６５％以上である。
（８）磁性層１３の平均厚みは、９０ｎｍ以下である。
（９）磁気記録媒体１０の平均厚みは、５．６μｍ以下である。
このように、本実施の形態の磁気記録媒体１０は、基体１１と下地層１２と磁性層１３とバック層１４とが順に積層されたテープ状の部材であり、以下の（１）から（９）の各構成要件を満たすようにしたものである。
（１）基体１１は、ポリエステルを主たる成分として含む。
（２）バック層１４の、基体と反対側の表面１４Ｓのクルトーシス（Ｓｋｕ）が２．０以上である。
（３）磁性層１３の表面１３Ｓには、磁性層１３の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹み１３Ａが、１６００μｍ2あたり１０個以上２００個以下の割合で形成されている。
（４）磁性層１３の表面１３Ｓの算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下である。
（５）下地層１２および磁性層１３は、潤滑剤を含む。
（６）潤滑剤を除去および乾燥した状態における磁気記録媒体１０の全体のＢＥＴ比表面積は、３．５ｍ2／ｇ以上である。
（７）磁気記録媒体の垂直方向における角形比は、６５％以上である。
（８）磁性層１３の平均厚みは、９０ｎｍ以下である。
（９）磁気記録媒体１０の平均厚みは、５．６μｍ以下である。
本実施の形態の磁気記録媒体１０は、このような構成を有することにより、全厚を薄くし、繰り返し記録または繰り返し再生を実行したのちであっても、動摩擦係数の増加を抑制できる。また、磁性層１３の表面１３Ｓと当接するバック層１４の表面１４Ｓのクルトーシスが２．０以上であることにより、潤滑剤が現れやすい表面１３Ｓと表面１４Ｓとの界面においても適度な摩擦力が生じ、磁気記録媒体１０の巻きずれを防止することができる。また、磁性層１３の表面１３Ｓに、所定の面密度で複数の凹み１３Ａが形成されているので、具体的には磁性層１３の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹み１３Ａが、１６００μｍ2あたり１０個以上２００個以下の割合で形成されているので、良好な電磁変換特性を維持できる。適切な面密度で形成された複数の凹み１３Ａを設けることで、磁気記録媒体１０の走行中に巻き込まれる空気を磁性層１３の表面１３Ｓとヘッドとの界面から逃がすことができ、磁性層１３の表面１３Ｓとヘッドとの接触を良好に保つことができるためと考えられる。
＜２．変形例＞
（変形例１）
上記の一実施の形態では、２層構造のシェル部２２を有するε酸化鉄粒子２０（図４）を例示して説明したが、本技術の磁気記録媒体は、例えば図７に示したように、単層構造のシェル部２３を有するε酸化鉄粒子２０Ａを含むようにしてもよい。ε酸化鉄粒子２０Ａにおけるシェル部２３は、例えば第１シェル部２２ａと同様の構成を有する。但し、特性劣化を抑制する観点においては、変形例１のε酸化鉄粒子２０Ａよりも上記の一実施の形態で説明した２層構造のシェル部２２を有するε酸化鉄粒子２０が好ましい。
（変形例１）
上記の一実施の形態では、２層構造のシェル部２２を有するε酸化鉄粒子２０（図４）を例示して説明したが、本技術の磁気記録媒体は、例えば図７に示したように、単層構造のシェル部２３を有するε酸化鉄粒子２０Ａを含むようにしてもよい。ε酸化鉄粒子２０Ａにおけるシェル部２３は、例えば第１シェル部２２ａと同様の構成を有する。但し、特性劣化を抑制する観点においては、変形例１のε酸化鉄粒子２０Ａよりも上記の一実施の形態で説明した２層構造のシェル部２２を有するε酸化鉄粒子２０が好ましい。
（変形例２）
上記一実施の形態の磁気記録媒体１０では、コアシェル構造を有するε酸化鉄粒子２０を例示して説明したが、ε酸化鉄粒子が、コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよいし、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。この場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）およびＩｎ（インジウム）のうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。
上記一実施の形態の磁気記録媒体１０では、コアシェル構造を有するε酸化鉄粒子２０を例示して説明したが、ε酸化鉄粒子が、コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよいし、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。この場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）およびＩｎ（インジウム）のうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。
具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε－Ｆｅ2-xＭxＯ3結晶（但し、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。
（変形例３）
本開示の磁性粉は、ε酸化鉄粒子の粉末に代えて、六方晶フェライトを含有するナノ粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）の粉末を含むようにしてもよい。六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状またはほぼ六角板状を有する。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ（バリウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｐｂ（鉛）およびＣａ（カルシウム）のうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種を含む。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライトまたはストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外にＳｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外にＢａ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。
本開示の磁性粉は、ε酸化鉄粒子の粉末に代えて、六方晶フェライトを含有するナノ粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）の粉末を含むようにしてもよい。六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状またはほぼ六角板状を有する。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ（バリウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｐｂ（鉛）およびＣａ（カルシウム）のうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種を含む。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライトまたはストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外にＳｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外にＢａ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。
より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ12Ｏ19で表される平均組成を有する。但し、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。
磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズは、２５ｎｍ以下、２２ｎｍ以下、２１ｎｍ以下、もしくは２０ｎｍ以下であるとなおよい。また、磁性粉の平均粒子サイズは、例えば１０ｎｍ以上であり、好ましくは１２ｎｍ以上、より好ましくは１５ｎｍ以上であるとよい。したがって、六方晶フェライト粒子の粉末を含む磁性粉の平均粒子サイズは、例えば１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、１２ｎｍ以上３０ｎｍ以下、１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下、または１５ｎｍ以上２２ｎｍ以下とすることができる。磁性粉の平均粒子サイズが上記上限値以下である場合（例えば５０ｎｍ以下、特には３０ｎｍ以下である場合）、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子サイズが上記下限値以上である場合（例えば１０ｎｍ以上、好ましくは１２ｎｍ以上である場合）、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。
磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は、好ましくは１以上３．５以下、より好ましくは１以上３．１以下、又は２以上３．１以下、さらにより好ましくは２以上３以下でありうる。磁性粉の平均アスペクト比が上記数値範囲内にあることによって、磁性粉の凝集を抑制することができ、さらに、磁性層１３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。これは、磁性粉の垂直配向性の向上をもたらしうる。
なお、六方晶フェライト粒子の粉末を含む磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。薄片化は磁気テープの長さ方向(長手方向)に沿うかたちで行う。得られた薄片サンプルについて、透過電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ製 H-9500)を用いて、加速電圧：２００ｋＶ、総合倍率５００，０００倍で記録層の厚み方向に対して記録層全体が含まれるように断面観察を行う。次に、撮影したＴＥＭ写真から観察面の方向に側面を向けている粒子を５０個選び出し、各粒子の最大板厚ＤＡを測定する。このようにして求めた最大板厚ＤＡを単純に平均（算術平均）して平均最大板厚ＤＡaveを求める。続いて、各磁性粉の板径ＤＢを測定する。ここで、板径ＤＢとは、磁性粉の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。続いて、測定した板径ＤＢを単純平均（算術平均）して平均板径ＤＢaveを求める。そして、平均最大板厚ＤＡaveおよび平均板径ＤＢaveから粒子の平均アスペクト比（ＤＢave／ＤＡave）を求める。
磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５９００ｎｍ3以下、より好ましくは５００ｎｍ3以上３４００ｎｍ3以下、さらにより好ましくは１０００ｎｍ3以上２５００ｎｍ3以下である。磁性粉の平均粒子体積が５９００ｎｍ3以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを３０ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ3以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを１２ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。
なお、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法により、平均最大板厚ＤＡaveおよび平均最大板径ＤＢaveを求める。次に、以下の式により、ε酸化鉄粒子の平均体積Ｖを求める。
本技術の特に好ましい実施態様に従い、磁性粉は、バリウムフェライト磁性粉またはストロンチウムフェライト磁性粉であり、より好ましくはバリウムフェライト磁性粉でありうる。バリウムフェライト磁性粉は、バリウムフェライトを主相とする鉄酸化物の磁性粒子（以下「バリウムフェライト粒子」という。）を含む。バリウムフェライト磁性粉は、例えば高温多湿環境でも抗磁力が落ちないなど、データ記録の信頼性が高い。このような観点から、バリウムフェライト磁性粉は、磁性粉として好ましい。
バリウムフェライト磁性粉の平均粒子サイズは、５０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下である。
磁性層１３が磁性粉としてバリウムフェライト磁性粉を含む場合、磁性層１３の平均厚みｔｍ［ｎｍ］が、３５ｎｍ≦ｔｍ≦１００ｎｍであることが好ましく、特に好ましくは８０ｎｍ以下である。また、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃが、好ましくは１６０ｋＡ／ｍ以上２８０ｋＡ／ｍ以下、より好ましくは１６５ｋＡ／ｍ以上２７５ｋＡ／ｍ以下、更により好ましくは１７０ｋＡ／ｍ以上２７０ｋＡ／ｍ以下である。
（変形例４）
磁性粉は、ε酸化鉄粒子の粉末に代えて、Ｃｏ含有スピネルフェライトを含有するナノ粒子（以下「コバルトフェライト粒子」という。）の粉末を含むようにしてもよい。コバルトフェライト粒子は、一軸結晶異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト粒子は、例えば、立方体状またはほぼ立方体状を有している。Ｃｏ含有スピネルフェライトが、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。
磁性粉は、ε酸化鉄粒子の粉末に代えて、Ｃｏ含有スピネルフェライトを含有するナノ粒子（以下「コバルトフェライト粒子」という。）の粉末を含むようにしてもよい。コバルトフェライト粒子は、一軸結晶異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト粒子は、例えば、立方体状またはほぼ立方体状を有している。Ｃｏ含有スピネルフェライトが、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。
Ｃｏ含有スピネルフェライトは、例えば以下の式で表される平均組成を有する。
Ｃｏx Ｍy Ｆｅ2 ＯZ（但し、式（１）中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ、ｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）
Ｃｏx Ｍy Ｆｅ2 ＯZ（但し、式（１）中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ、ｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）
磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上２３ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが２５ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが１０ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は上述の一実施形態と同様である。また、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比も上述の一実施形態の算出方法と同様にして求められる。
磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは１５０００ｎｍ3以下、より好ましくは１０００ｎｍ3以上１２０００ｎｍ3以下である。磁性粉の平均粒子体積が１５０００ｎｍ3以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２５ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が１０００ｎｍ3以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを１０ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。なお、磁性粉の平均粒子体積は、上述の一実施形態における磁性粉の平均粒子体積の算出方法（ε酸化鉄粒子が立方体状またはほぼ立方体状を有している場合の平均粒子体積の算出方法）と同様である。
コバルトフェライト磁性粉の保磁力Ｈｃは、好ましくは２５００Ｏｅ以上、より好ましくは２６００Ｏｅ以上３５００Ｏｅ以下である。
（変形例５）
磁気記録媒体１０は、例えば図８に示したように、基体１１の少なくとも一方の表面に設けられたバリア層１５をさらに備えるようにしてもよい。バリア層１５は、基体１１が有する環境に応じた寸法変化を抑制するための層である。例えば、その寸法変化を及ぼす原因の一例として、基体１１の吸湿性があるが、バリア層１５を設けることにより基体１１への水分の侵入速度を低減することができる。バリア層１５は、例えば、金属または金属酸化物を含む。ここでいう金属としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｂａ、Ｐｔ、ＡｕおよびＴａのうちの少なくとも１種を用いることができる。金属酸化物としては、例えば、上記金属を１種または２種以上含む金属酸化物を用いることができる。より具体的には例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＣｕＯ、ＣｏＯ、ＳｉＯ2 、Ｃｒ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2 Ｏ5 およびＺｒＯ2 のうちの少なくとも１種を用いることができる。また、バリア層１５が、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）またはダイヤモンド等を含むようにしてもよい。
磁気記録媒体１０は、例えば図８に示したように、基体１１の少なくとも一方の表面に設けられたバリア層１５をさらに備えるようにしてもよい。バリア層１５は、基体１１が有する環境に応じた寸法変化を抑制するための層である。例えば、その寸法変化を及ぼす原因の一例として、基体１１の吸湿性があるが、バリア層１５を設けることにより基体１１への水分の侵入速度を低減することができる。バリア層１５は、例えば、金属または金属酸化物を含む。ここでいう金属としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｂａ、Ｐｔ、ＡｕおよびＴａのうちの少なくとも１種を用いることができる。金属酸化物としては、例えば、上記金属を１種または２種以上含む金属酸化物を用いることができる。より具体的には例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＣｕＯ、ＣｏＯ、ＳｉＯ2 、Ｃｒ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2 Ｏ5 およびＺｒＯ2 のうちの少なくとも１種を用いることができる。また、バリア層１５が、ダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）またはダイヤモンド等を含むようにしてもよい。
バリア層１５の平均厚みは、好ましくは２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。バリア層１５の平均厚みは、磁性層１３の平均厚みと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、バリア層１５の厚みに応じて適宜調整される。
（変形例６）
上記の一実施の形態では、バック層１４の表面１４Ｓに設けられた多数の突部１４Ａを、磁性層１３の表面１３Ｓに転写することにより、磁性層１３の表面１３Ｓに多数の凹み１３Ａを形成する場合について説明したが、多数の凹み１３Ａの形成方法はこれに限定されるものではない。例えば、磁性層形成用塗料に含まれる溶剤の種類および磁性層形成用塗料の乾燥条件等を調整することで、磁性層１３の表面１３Ｓに多数の凹み１３Ａを形成するようにしてもよい。
上記の一実施の形態では、バック層１４の表面１４Ｓに設けられた多数の突部１４Ａを、磁性層１３の表面１３Ｓに転写することにより、磁性層１３の表面１３Ｓに多数の凹み１３Ａを形成する場合について説明したが、多数の凹み１３Ａの形成方法はこれに限定されるものではない。例えば、磁性層形成用塗料に含まれる溶剤の種類および磁性層形成用塗料の乾燥条件等を調整することで、磁性層１３の表面１３Ｓに多数の凹み１３Ａを形成するようにしてもよい。
（変形例７）
上述の一実施形態に係る磁気記録媒体１０をライブラリ装置に用いるようにしてもよい。この場合、ライブラリ装置は、上述の一実施形態における記録再生装置３０を複数備えるものであってもよい。
上述の一実施形態に係る磁気記録媒体１０をライブラリ装置に用いるようにしてもよい。この場合、ライブラリ装置は、上述の一実施形態における記録再生装置３０を複数備えるものであってもよい。
（変形例８）
（磁気記録媒体１０の伸縮性およびテンションコントロール）
磁気記録媒体１０の伸縮性および記録再生装置３０による磁気記録媒体１０のテンションコントロールを行う変形例について説明する。ＬＴＯ規格では、データの高密度記録化の要請により、記録トラック数が急激に増加している。このような場合、記録トラック幅が狭くなってしまい、磁気記録媒体１の幅（Ｙ軸方向）のわずかな変動が問題となる場合がある。
（磁気記録媒体１０の伸縮性およびテンションコントロール）
磁気記録媒体１０の伸縮性および記録再生装置３０による磁気記録媒体１０のテンションコントロールを行う変形例について説明する。ＬＴＯ規格では、データの高密度記録化の要請により、記録トラック数が急激に増加している。このような場合、記録トラック幅が狭くなってしまい、磁気記録媒体１の幅（Ｙ軸方向）のわずかな変動が問題となる場合がある。
例えば、データ記録装置２０によって、磁気記録媒体１に所定のデータが記憶され、その後（例えば、一定期間保管後）、記録再生装置３０により、磁気記録媒体１０に記録されたデータが再生されるとする。このような場合、データ再生時の磁気記録媒体１０の幅が、磁気記録媒体１０のデータ記録時の幅に比べてわずかにでも変動してしまうと、オフトラック（ヘッドユニット３６におけるデータ再生ヘッドが誤った記録トラック５上に位置してしまうこと）が発生してしまう場合がある。このため、磁気記録媒体１０に記録されたデータが正確に再生できずにエラーが発生してしまう可能性がある。
磁気記録媒体１０の幅の変動の原因としては、例えば、温度の変動、湿度の変動等が挙げられる。一般的には、磁気記録媒体１０を伸縮しないように磁気記録媒体１０を設計することで、磁気記録媒体１０の幅の変動に対応するといった手法が用いられる。しかしながら、磁気記録媒体１０を全く伸縮しないようにすることは現実的には不可能である。
そこで、本変形例では、磁気記録媒体１０を伸縮し難くするのではなく、逆に、ある程度磁気記録媒体１０を伸縮しやすくし、また、記録再生装置３０において磁気記録媒体１０のテンション（Ｘ軸方向：磁気記録媒体１０の搬送方向のテンション）をコントロールする（増減させる）といった手法が用いられる。
具体的には、データ記録装置２０は、データ信号の再生時において、必要に応じて（磁気記録媒体１０の幅が広がっている場合）、磁気記録媒体１０の長手方向（Ｘ軸方向）のテンションを高くすることで磁気記録媒体１０の幅（Ｙ軸方向）を小さくする。また、記録再生装置３０は、データ信号の再生時において、必要に応じて（磁気記録媒体１０の幅が狭まっている場合）、磁気記録媒体１０の長手方向のテンションを低くすることで磁気記録媒体１０の幅を大きくする。なお、記録再生装置３０は、データ信号の再生時だけでなく、データ信号の記録時においても磁気記録媒体１０の長手方向のテンションをコントロールしてもよい。
このような方法によれば、例えば、温度等により磁気記録媒体１０の幅が変動したしまったときに、必要に応じて磁気記録媒体１０の幅を調整することで、磁気記録媒体１０の幅を一定にすることが可能となる。従って、オフトラックを防止することができ、磁気記録媒体１０に記録されたデータを正確に再生することが可能であると考えられる。
以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
以下の実施例および比較例において、垂直方向における角形比Ｓ１、長手方向における角形比Ｓ２、細孔分布（細孔容積、脱着時最大細孔容積の細孔直径）、ＢＥＴ比表面積、平均アスペクト比、磁性粉の平均粒子サイズ、磁性粉の平均粒子体積、磁性層の平均厚み、基体の平均厚み、磁性層の表面の算術平均粗さ、バック層の表面のクルトーシス、および磁性層の表面の凹みの面密度は、上述の一実施形態にて説明した測定方法により求められた値である。
［実施例１］
実施例１としての磁気記録媒体を以下のようにして得た。
実施例１としての磁気記録媒体を以下のようにして得た。
＜磁性層形成用塗料の調製工程＞
磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、磁性層形成用塗料を調製した。
磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、磁性層形成用塗料を調製した。
（第１組成物）
第１組成物における各構成要素および重量は以下の通りである。
・バリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子の粉末（六角板状、平均アスペクト比２．８、平均粒子体積１９５０ｎｍ3）：１００質量部
・塩化ビニル系樹脂：４２質量部 （溶剤含む）
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ3Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
・酸化アルミニウム粉末：５質量部（α－Ａｌ2Ｏ3、平均粒径０．１μｍ）
・カーボンブラック（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）：２質量部
第１組成物における各構成要素および重量は以下の通りである。
・バリウムフェライト（ＢａＦｅ12Ｏ19）粒子の粉末（六角板状、平均アスペクト比２．８、平均粒子体積１９５０ｎｍ3）：１００質量部
・塩化ビニル系樹脂：４２質量部 （溶剤含む）
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ3Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
・酸化アルミニウム粉末：５質量部（α－Ａｌ2Ｏ3、平均粒径０．１μｍ）
・カーボンブラック（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）：２質量部
（第２組成物）
第２組成物における各構成要素および重量は以下の通りである。
・塩化ビニル系樹脂：３質量部（溶液含む）
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
・脂肪酸エステルとしてｎ－ブチルステアレート：２質量部
・メチルエチルケトン：１２１．３質量部
・トルエン：１２１．３質量部
・シクロヘキサノン：６０．７質量部
第２組成物における各構成要素および重量は以下の通りである。
・塩化ビニル系樹脂：３質量部（溶液含む）
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
・脂肪酸エステルとしてｎ－ブチルステアレート：２質量部
・メチルエチルケトン：１２１．３質量部
・トルエン：１２１．３質量部
・シクロヘキサノン：６０．７質量部
上述のようにして調製した磁性層形成用塗料に、硬化剤としてポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：４質量部と、脂肪酸としてステアリン酸：２
質量部とを添加した。
質量部とを添加した。
＜下地層形成用塗料の調製工程＞
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。
（第３組成物）
第３組成物における各構成要素および重量は以下の通りである。
・針状酸化鉄粉末（α－Ｆｅ2Ｏ3、平均長軸長０．１５μｍ）：１００質量部
・塩化ビニル系樹脂（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）：６０.６質量部（溶液含む）
・カーボンブラック（平均粒径２０ｎｍ）：１０質量部
第３組成物における各構成要素および重量は以下の通りである。
・針状酸化鉄粉末（α－Ｆｅ2Ｏ3、平均長軸長０．１５μｍ）：１００質量部
・塩化ビニル系樹脂（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）：６０.６質量部（溶液含む）
・カーボンブラック（平均粒径２０ｎｍ）：１０質量部
（第４組成物）
第４組成物における各構成要素および重量は以下の通りである。
・ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
・脂肪酸エステルとしてｎ－ブチルステアレート：２質量部
・メチルエチルケトン：１０８．２質量部
・トルエン：１０８．２質量部
・シクロヘキサノン：１８．５質量部
第４組成物における各構成要素および重量は以下の通りである。
・ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
・脂肪酸エステルとしてｎ－ブチルステアレート：２質量部
・メチルエチルケトン：１０８．２質量部
・トルエン：１０８．２質量部
・シクロヘキサノン：１８．５質量部
上述のようにして調製した下地層形成用塗料に、硬化剤としてポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：４質量部と、脂肪酸としてステアリン酸：２質量部とを添加した。
＜バック層形成用塗料の調製工程＞
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。・小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）：９０質量部
・大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２７０ｎｍ）：１０質量部
・ポリエステルポリウレタン（東ソー株式会社製、商品名：Ｎ－２３０４）：１００質量部
・メチルエチルケトン：５００質量部
・トルエン：４００質量部
・シクロヘキサノン：１００質量部
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。・小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）：９０質量部
・大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２７０ｎｍ）：１０質量部
・ポリエステルポリウレタン（東ソー株式会社製、商品名：Ｎ－２３０４）：１００質量部
・メチルエチルケトン：５００質量部
・トルエン：４００質量部
・シクロヘキサノン：１００質量部
＜塗布工程＞
上述のようにして調製した磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料を用いて、非磁性支持体である平均厚み４．０μｍの長尺のポリエステルフィルムの一方の主面上に、カレンダー後に平均厚み０.６μｍの下地層、および平均厚み８０ｎｍの磁性層になるように以下のようにして形成した。まず、ポリエステルフィルムの一方の主面上に下地層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、下地層を形成した。次に、下地層上に磁性層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、磁性層を形成した。なお、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をフィルムの厚み方向に磁場配向させた。また、磁性層形成用塗料の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。続いて、ポリエステルフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、平均厚み０．３μｍのバック層を形成した。また、バック層の表面のクルトーシスは２．３とした。これにより、磁気記録媒体が得られた。なお、バック層の表面のクルトーシスは、バック層形成用塗料に添加される粒子の大きさおよび形状を変更することにより調整可能である。さらに、例えば、バッ層を形成した後に後述のカレンダー処理の際の圧力および温度を調整することによっても、バック層の表面のクルトーシスを調整することができる。例えばカレンダー処理における圧力を高くすることにより、バック層の表面のクルトーシスを小さくすることができる。また、カレンダー処理における温度を高くすることによってもバック層の表面のクルトーシスを小さくすることができる。
上述のようにして調製した磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料を用いて、非磁性支持体である平均厚み４．０μｍの長尺のポリエステルフィルムの一方の主面上に、カレンダー後に平均厚み０.６μｍの下地層、および平均厚み８０ｎｍの磁性層になるように以下のようにして形成した。まず、ポリエステルフィルムの一方の主面上に下地層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、下地層を形成した。次に、下地層上に磁性層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、磁性層を形成した。なお、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をフィルムの厚み方向に磁場配向させた。また、磁性層形成用塗料の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。続いて、ポリエステルフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、平均厚み０．３μｍのバック層を形成した。また、バック層の表面のクルトーシスは２．３とした。これにより、磁気記録媒体が得られた。なお、バック層の表面のクルトーシスは、バック層形成用塗料に添加される粒子の大きさおよび形状を変更することにより調整可能である。さらに、例えば、バッ層を形成した後に後述のカレンダー処理の際の圧力および温度を調整することによっても、バック層の表面のクルトーシスを調整することができる。例えばカレンダー処理における圧力を高くすることにより、バック層の表面のクルトーシスを小さくすることができる。また、カレンダー処理における温度を高くすることによってもバック層の表面のクルトーシスを小さくすることができる。
＜カレンダー工程および転写工程＞
続いて、カレンダー処理を行い、磁性層の表面を平滑化した。次に、磁性層の表面が平滑化された磁気記録媒体をロール状に巻き取ったのち、その状態のまま磁気記録媒体に６０℃、１０時間の加熱処理を行った。そして、内周側に位置している端部が反対に外周側に位置するように、磁気記録媒体をロール状に巻き直したのち、その状態のまま磁気記録媒体に６０℃、１０時間の加熱処理を再度行った。これにより、バック層の表面の多数の突部が磁性層の表面に転写され、磁性層の表面に多数の凹みが形成された。磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みは、１６００μｍ2あたり１５個となるようにした。
続いて、カレンダー処理を行い、磁性層の表面を平滑化した。次に、磁性層の表面が平滑化された磁気記録媒体をロール状に巻き取ったのち、その状態のまま磁気記録媒体に６０℃、１０時間の加熱処理を行った。そして、内周側に位置している端部が反対に外周側に位置するように、磁気記録媒体をロール状に巻き直したのち、その状態のまま磁気記録媒体に６０℃、１０時間の加熱処理を再度行った。これにより、バック層の表面の多数の突部が磁性層の表面に転写され、磁性層の表面に多数の凹みが形成された。磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みは、１６００μｍ2あたり１５個となるようにした。
＜裁断工程＞
上述のようにして得られた磁気記録媒体を１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、目的とする長尺状の磁気記録媒体（平均厚み５．６μｍ）が得られた。なお、得られた磁気記録媒体の、潤滑剤を除去および乾燥した状態におけるＢＥＴ比表面積は４ｍ2／ｇであった。
上述のようにして得られた磁気記録媒体を１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、目的とする長尺状の磁気記録媒体（平均厚み５．６μｍ）が得られた。なお、得られた磁気記録媒体の、潤滑剤を除去および乾燥した状態におけるＢＥＴ比表面積は４ｍ2／ｇであった。
［実施例２，１３］
塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定したことを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例２，１３としての磁気記録媒体をそれぞれ得た。
塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定したことを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例２，１３としての磁気記録媒体をそれぞれ得た。
［実施例３，４］
バック層に含まれる粒子径を変更し、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みが１６００μｍ2あたり１３個となるようにした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定したことを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例３，４としての磁気記録媒体をそれぞれ得た。
バック層に含まれる粒子径を変更し、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みが１６００μｍ2あたり１３個となるようにした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定したことを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例３，４としての磁気記録媒体をそれぞれ得た。
［実施例５］
塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。さらに、転写工程において加熱条件を調整し、ＢＥＴ比表面積を４．５ｍ2／ｇとした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例５としての磁気記録媒体を得た。
塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。さらに、転写工程において加熱条件を調整し、ＢＥＴ比表面積を４．５ｍ2／ｇとした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例５としての磁気記録媒体を得た。
［実施例６］
バック層に含まれる粒子径を変更し、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みが１６００μｍ2あたり１８個となるようにした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。さらに、転写工程において加熱条件を調整し、ＢＥＴ比表面積を５．０ｍ2／ｇとした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例５としての磁気記録媒体を得た。
バック層に含まれる粒子径を変更し、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みが１６００μｍ2あたり１８個となるようにした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。さらに、転写工程において加熱条件を調整し、ＢＥＴ比表面積を５．０ｍ2／ｇとした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例５としての磁気記録媒体を得た。
［実施例７］
磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉としてストロンチウムフェライト粒子の粉末（六角板状、平均アスペクト比３．０、平均粒子サイズ２１．３ｎｍ、粒子体積２０００ｎｍ3）を用いた。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。これらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例７としての磁気記録媒体を得た。
磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉としてストロンチウムフェライト粒子の粉末（六角板状、平均アスペクト比３．０、平均粒子サイズ２１．３ｎｍ、粒子体積２０００ｎｍ3）を用いた。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。これらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例７としての磁気記録媒体を得た。
［実施例８］
磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉としてε酸化鉄粒子の粉末（球状、平均アスペクト比１．１、平均粒子サイズ１６ｎｍ、粒子体積２１５０ｎｍ3）を用いた。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。これらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例８としての磁気記録媒体を得た。
磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉としてε酸化鉄粒子の粉末（球状、平均アスペクト比１．１、平均粒子サイズ１６ｎｍ、粒子体積２１５０ｎｍ3）を用いた。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。これらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例８としての磁気記録媒体を得た。
［実施例９］
磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉としてコバルトフェライトの粉末（立方体状、平均アスペクト比１．７、平均粒子サイズ１８．５ｎｍ、粒子体積２２００ｎｍ3）を用いた。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。これらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例９としての磁気記録媒体を得た。
磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉としてコバルトフェライトの粉末（立方体状、平均アスペクト比１．７、平均粒子サイズ１８．５ｎｍ、粒子体積２２００ｎｍ3）を用いた。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。これらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例９としての磁気記録媒体を得た。
［実施例１０］
バック層形成用塗料における小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）の配合量を８０質量部とすると共に大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２７０ｎｍ）の配合量を２０質量部とした。また、転写工程において加熱条件を調整し、細孔容積を０．０２３ｃｍ3／ｇとし、脱着時最大細孔容積の細孔直径を９ｎｍとした。さらに、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１０としての磁気記録媒体を得た。
バック層形成用塗料における小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）の配合量を８０質量部とすると共に大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２７０ｎｍ）の配合量を２０質量部とした。また、転写工程において加熱条件を調整し、細孔容積を０．０２３ｃｍ3／ｇとし、脱着時最大細孔容積の細孔直径を９ｎｍとした。さらに、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１０としての磁気記録媒体を得た。
［実施例１１］
転写工程において加熱条件を調整し、脱着時最大細孔容積の細孔直径を１０ｎｍとした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１１としての磁気記録媒体を得た。
転写工程において加熱条件を調整し、脱着時最大細孔容積の細孔直径を１０ｎｍとした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１１としての磁気記録媒体を得た。
［実施例１２］
バック層形成用塗料を形成するにあたり、小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）の代わりに小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）５０ｎｍ）７０質量部を配合すると共に、大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２７０ｎｍ）の配合量を３０質量部とした。さらに、転写工程において加熱条件を調整した。これにより、脱着時最大細孔容積の細孔直径を１２ｎｍ、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり２０個とし、バック層の表面のクルトーシスを２．６とした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。さらに、転写工程において加熱条件を調整し、ＢＥＴ比表面積を６．０ｍ2／ｇとした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１２としての磁気記録媒体を得た。
バック層形成用塗料を形成するにあたり、小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）の代わりに小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）５０ｎｍ）７０質量部を配合すると共に、大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２７０ｎｍ）の配合量を３０質量部とした。さらに、転写工程において加熱条件を調整した。これにより、脱着時最大細孔容積の細孔直径を１２ｎｍ、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり２０個とし、バック層の表面のクルトーシスを２．６とした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。さらに、転写工程において加熱条件を調整し、ＢＥＴ比表面積を６．０ｍ2／ｇとした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１２としての磁気記録媒体を得た。
［実施例１４］
塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。さらに、転写工程において加熱条件を調整し、ＢＥＴ比表面積を３．９ｍ2／ｇとした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１４としての磁気記録媒体を得た。
塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。さらに、転写工程において加熱条件を調整し、ＢＥＴ比表面積を３．９ｍ2／ｇとした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１４としての磁気記録媒体を得た。
［実施例１５］
塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。さらに、転写工程において加熱条件を調整し、ＢＥＴ比表面積を３．８ｍ2／ｇとした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１５としての磁気記録媒体を得た。
塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。さらに、転写工程において加熱条件を調整し、ＢＥＴ比表面積を３．８ｍ2／ｇとした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１５としての磁気記録媒体を得た。
［実施例１６］
磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉として、平均アスペクト比２．５、平均粒子サイズ１９．０ｎｍ、平均粒子体積１６００ｎｍ3である六角板状バリウムフェライト粒子の粉末を用いたことを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１６としての磁気記録媒体を得た。なお、脱着時最大細孔容積の細孔直径は７ｎｍとし、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり１６個とした。
磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉として、平均アスペクト比２．５、平均粒子サイズ１９．０ｎｍ、平均粒子体積１６００ｎｍ3である六角板状バリウムフェライト粒子の粉末を用いたことを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１６としての磁気記録媒体を得た。なお、脱着時最大細孔容積の細孔直径は７ｎｍとし、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり１６個とした。
［実施例１７］
磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉として、平均アスペクト比２．３、平均粒子サイズ１７．０ｎｍ、平均粒子体積１３００ｎｍ3である六角板状バリウムフェライト粒子の粉末を用いたことを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例２１としての磁気記録媒体を得た。なお、脱着時最大細孔容積の細孔直径は６ｎｍとし、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり１７個とした。
磁性層形成用塗料の調製工程において、磁性粉として、平均アスペクト比２．３、平均粒子サイズ１７．０ｎｍ、平均粒子体積１３００ｎｍ3である六角板状バリウムフェライト粒子の粉末を用いたことを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例２１としての磁気記録媒体を得た。なお、脱着時最大細孔容積の細孔直径は６ｎｍとし、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり１７個とした。
［実施例１８］
磁性層の平均厚みを６０ｎｍとし、磁気記録媒体の平均厚みを４．３μｍとした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１８としての磁気記録媒体を得た。なお、ＢＥＴ比表面積は３．９ｍ2／ｇであった。
磁性層の平均厚みを６０ｎｍとし、磁気記録媒体の平均厚みを４．３μｍとした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１８としての磁気記録媒体を得た。なお、ＢＥＴ比表面積は３．９ｍ2／ｇであった。
［実施例１９］
磁性層の平均厚みを４０ｎｍとし、磁気記録媒体の平均厚みを４．３μｍとした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１９としての磁気記録媒体を得た。なお、ＢＥＴ比表面積は３．８ｍ2／ｇであった。
磁性層の平均厚みを４０ｎｍとし、磁気記録媒体の平均厚みを４．３μｍとした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例１９としての磁気記録媒体を得た。なお、ＢＥＴ比表面積は３．８ｍ2／ｇであった。
［実施例２０］
塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。さらに、転写工程において加熱条件を調整し、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり１１個とし、ＢＥＴ比表面積を３．５ｍ2／ｇとした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例２０としての磁気記録媒体を得た。
塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。さらに、転写工程において加熱条件を調整し、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり１１個とし、ＢＥＴ比表面積を３．５ｍ2／ｇとした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例２０としての磁気記録媒体を得た。
［実施例２１］
バック層形成用塗料を形成するにあたり、小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）の代わりに小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）５０ｎｍ）６０質量部を配合すると共に、大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２７０ｎｍ）の配合量を４０質量部とした。さらに、転写工程において加熱条件を調整した。これにより、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり２２個とし、バック層の表面のクルトーシスを３．５とした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例２１としての磁気記録媒体を得た。
バック層形成用塗料を形成するにあたり、小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）の代わりに小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）５０ｎｍ）６０質量部を配合すると共に、大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２７０ｎｍ）の配合量を４０質量部とした。さらに、転写工程において加熱条件を調整した。これにより、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり２２個とし、バック層の表面のクルトーシスを３．５とした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例２１としての磁気記録媒体を得た。
［実施例２２］
バック層形成用塗料における小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）の配合量を７０質量部とすると共に大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２７０ｎｍ）の配合量を３０質量部とした。さらに、転写工程において加熱条件を調整した。これにより、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり１６０個とし、バック層の表面のクルトーシスを３．０とした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例２２としての磁気記録媒体を得た。
バック層形成用塗料における小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）の配合量を７０質量部とすると共に大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２７０ｎｍ）の配合量を３０質量部とした。さらに、転写工程において加熱条件を調整した。これにより、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり１６０個とし、バック層の表面のクルトーシスを３．０とした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして実施例２２としての磁気記録媒体を得た。
［比較例１］
塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表３に示す値に設定した。さらに、転写工程において加熱条件を調整し、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり１２個とし、ＢＥＴ比表面積を３．０ｍ2／ｇとした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして比較例１としての磁気記録媒体を得た。
塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表３に示す値に設定した。さらに、転写工程において加熱条件を調整し、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり１２個とし、ＢＥＴ比表面積を３．０ｍ2／ｇとした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして比較例１としての磁気記録媒体を得た。
［比較例２］
塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表３に示す値に設定した。さらに、転写工程において加熱条件を調整し、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり１４個とし、ＢＥＴ比表面積を２．０ｍ2／ｇとした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして比較例２としての磁気記録媒体を得た。
塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表３に示す値に設定した。さらに、転写工程において加熱条件を調整し、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり１４個とし、ＢＥＴ比表面積を２．０ｍ2／ｇとした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして比較例２としての磁気記録媒体を得た。
［比較例３］
バック層形成用塗料を形成するにあたり、小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）の代わりに小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）５０ｎｍ）８０質量部を配合すると共に、大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２７０ｎｍ）の配合量を２０質量部とした。さらに、転写工程において加熱条件を調整した。これにより、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり１６個とし、バック層の表面のクルトーシスを３．０とした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表３に示す値に設定した。さらに、転写工程において加熱条件を調整し、細孔容積を０．０１８ｃｍ3／ｇとし、ＢＥＴ比表面積を３．０ｍ2／ｇとした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして比較例３としての磁気記録媒体を得た。
バック層形成用塗料を形成するにあたり、小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）の代わりに小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）５０ｎｍ）８０質量部を配合すると共に、大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２７０ｎｍ）の配合量を２０質量部とした。さらに、転写工程において加熱条件を調整した。これにより、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり１６個とし、バック層の表面のクルトーシスを３．０とした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表３に示す値に設定した。さらに、転写工程において加熱条件を調整し、細孔容積を０．０１８ｃｍ3／ｇとし、ＢＥＴ比表面積を３．０ｍ2／ｇとした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして比較例３としての磁気記録媒体を得た。
［比較例４］
バック層形成用塗料を形成するにあたり、小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）の代わりに小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）５０ｎｍ）９０質量部を配合すると共に、大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２７０ｎｍ）の配合量を１０質量部とした。さらに、転写工程において加熱条件を調整した。これにより、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり１３個とした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表３に示す値に設定した。さらに、転写工程において加熱条件を調整し、細孔容積を０．０１５ｃｍ3／ｇとし、ＢＥＴ比表面積を２．５ｍ2／ｇした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして比較例４としての磁気記録媒体を得た。
バック層形成用塗料を形成するにあたり、小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）の代わりに小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）５０ｎｍ）９０質量部を配合すると共に、大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２７０ｎｍ）の配合量を１０質量部とした。さらに、転写工程において加熱条件を調整した。これにより、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり１３個とした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表３に示す値に設定した。さらに、転写工程において加熱条件を調整し、細孔容積を０．０１５ｃｍ3／ｇとし、ＢＥＴ比表面積を２．５ｍ2／ｇした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして比較例４としての磁気記録媒体を得た。
［比較例５］
バック層形成用塗料を形成するにあたり、カーボンブラックの粉末として、小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）の代わりに小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）５０ｎｍ）のみを１００質量部配合した。さらに、転写工程において加熱条件を調整した。これにより、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり１２個とし、バック層の表面のクルトーシスを１．６とした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表３に示す値に設定した。さらに、転写工程において加熱条件を調整し、細孔容積を０．０１５ｃｍ3／ｇとし、脱着時最大細孔容積の細孔直径を５ｎｍとし、ＢＥＴ比表面積を２．０ｍ2／ｇとした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして比較例５としての磁気記録媒体を得た。
バック層形成用塗料を形成するにあたり、カーボンブラックの粉末として、小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）の代わりに小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）５０ｎｍ）のみを１００質量部配合した。さらに、転写工程において加熱条件を調整した。これにより、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり１２個とし、バック層の表面のクルトーシスを１．６とした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表３に示す値に設定した。さらに、転写工程において加熱条件を調整し、細孔容積を０．０１５ｃｍ3／ｇとし、脱着時最大細孔容積の細孔直径を５ｎｍとし、ＢＥＴ比表面積を２．０ｍ2／ｇとした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして比較例５としての磁気記録媒体を得た。
［比較例６］
転写工程において加熱条件を調整し、バック層の表面のクルトーシスを１．８とした。それを除き、他は上記実施例１と同様にして比較例６としての磁気記録媒体を得た。
転写工程において加熱条件を調整し、バック層の表面のクルトーシスを１．８とした。それを除き、他は上記実施例１と同様にして比較例６としての磁気記録媒体を得た。
［比較例７］
転写工程において加熱条件を調整し、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり９個とし、バック層の表面のクルトーシスを２．４とした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして比較例７としての磁気記録媒体を得た。
転写工程において加熱条件を調整し、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり９個とし、バック層の表面のクルトーシスを２．４とした。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして比較例７としての磁気記録媒体を得た。
［比較例８］
バック層形成用塗料における小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）の配合量を７０質量部とすると共に大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２７０ｎｍ）の配合量を３０質量部とした。さらに、転写工程において加熱条件を調整した。これにより、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり２１０個とし、バック層の表面のクルトーシスを４．５とした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして比較例８としての磁気記録媒体を得た。
バック層形成用塗料における小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）の配合量を７０質量部とすると共に大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２７０ｎｍ）の配合量を３０質量部とした。さらに、転写工程において加熱条件を調整した。これにより、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みを１６００μｍ2あたり２１０個とし、バック層の表面のクルトーシスを４．５とした。また、塗布工程において、乾燥条件を調整し、磁気記録媒体の厚み方向（垂直方向）における角形比Ｓ１および長手方向における角形比Ｓ２を表２に示す値に設定した。それらを除き、他は上記実施例１と同様にして比較例８としての磁気記録媒体を得た。
［評価］
上述のようにして得られた実施例１～２２および比較例１～８の磁気記録媒体について、上述の摩擦係数比（μB／μA）および摩擦係数比（μC(1000)／μC(5)）に加えて、以下の評価を行った。
上述のようにして得られた実施例１～２２および比較例１～８の磁気記録媒体について、上述の摩擦係数比（μB／μA）および摩擦係数比（μC(1000)／μC(5)）に加えて、以下の評価を行った。
（ＳＮＲ）
記録／再生ヘッドおよび記録／再生アンプを取り付けた１／２インチテープ走行装置（Mountain Engineering II社製、MTS Transport）を用いて、２５℃環境における磁気記録媒体のＳＮＲ（電磁変換特性）を測定した。記録ヘッドにはギャップ長０．２μｍのリングヘッドを用い、再生ヘッドにはシールド間距離０．１μｍのＧＭＲヘッドを用いた。相対速度は６ｍ／ｓ、記録クロック周波数は１６０ＭＨｚ、記録トラック幅は２．０μｍとした。また、ＳＮＲは、下記の文献に記載の方法に基づき算出した。その結果を、実施例１のＳＮＲを１ｄＢとする相対値で表２に示した。
Y.Okazaki: ”An Error Rate Emulation System.”,IEEE Trans. Man., 31,pp.3093-3095(1995)
記録／再生ヘッドおよび記録／再生アンプを取り付けた１／２インチテープ走行装置（Mountain Engineering II社製、MTS Transport）を用いて、２５℃環境における磁気記録媒体のＳＮＲ（電磁変換特性）を測定した。記録ヘッドにはギャップ長０．２μｍのリングヘッドを用い、再生ヘッドにはシールド間距離０．１μｍのＧＭＲヘッドを用いた。相対速度は６ｍ／ｓ、記録クロック周波数は１６０ＭＨｚ、記録トラック幅は２．０μｍとした。また、ＳＮＲは、下記の文献に記載の方法に基づき算出した。その結果を、実施例１のＳＮＲを１ｄＢとする相対値で表２に示した。
Y.Okazaki: ”An Error Rate Emulation System.”,IEEE Trans. Man., 31,pp.3093-3095(1995)
（巻きずれ）
上述の裁断工程ののちにスピンドルに巻き取られた磁気記録媒体において、磁気記録媒体の幅方向における巻きずれの程度について評価した。
上述の裁断工程ののちにスピンドルに巻き取られた磁気記録媒体において、磁気記録媒体の幅方向における巻きずれの程度について評価した。
テープカートリッジをドライブで一往復全長走行させたのち、再度全長にわたって、ＪＩＳ Ｚ０２００包装貨物性能試験方法一般通則に従い、落下試験を実施した。その落下試験ののち、再度全長にわたって記録動作および再生動作が実施できたものを巻きずれ良好と判断し、記録動作および再生動作の少なくとも一方において途中でエラーが生じたものを巻きずれ不良と判断した。巻きずれが発生しているサンプルは、落下時の衝撃でテープ端面がリールフランジに押し付けられ、ずれが発生している部分で、エッジ折れが生じるために、走行不良となる。
表２に、各実施例および各比較例における磁気記録媒体の構成および評価結果をまとめて示す。
表２に示したように、実施例１～２２では、潤滑剤を除去および乾燥した状態における磁気記録媒体１０の全体のＢＥＴ比表面積が３．５ｍ2／ｇ以上であるので、繰り返し記録または再生を行ったあとであっても、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの界面に潤滑剤が安定供給され、摩擦係数比の増加を抑制することができた。一方、比較例１～５では、潤滑剤を除去した状態における磁気記録媒体の全体のＢＥＴ比表面積が３．５ｍ2／ｇ未満であるので、繰り返し記録または再生を行ったあとの摩擦係数比の増加が見られた。
また、実施例１～２２では、バック層１４の表面１４Ｓのクルトーシスが２．０以上４．０以下であるので、潤滑剤が現れやすい表面１３Ｓと表面１４Ｓとの界面においても適度な摩擦力が生じ、磁気記録媒体の巻きずれを防止することができた。一方、比較例６では、バック層１４の表面１４Ｓのクルトーシスが１．８であるので、磁気記録媒体の巻きずれを生じた。
また、実施例１～２２では、磁気記録媒体の垂直方向（厚み方向）における角形比Ｓ１が６５％以上であると共に、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みが１６００μｍ2あたり１０個以上２００個以下の割合で形成されているので、良好なＳＮＲが得られている。磁気記録媒体の走行中に巻き込まれる空気を磁性層の表面とヘッドとの界面から逃がすことができ、磁性層の表面とヘッドとの接触を良好に保つことができるためと考えられる。これに対し、比較例７では、磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みが１６００μｍ2あたり９個の割合で形成されているので、ＳＮＲの悪化が認められる。磁気記録媒体の走行中に巻き込まれる空気を磁性層の表面とヘッドとの界面から十分に逃がすことができず、磁性層の表面とヘッドとの間に空気層が生じ、磁性層の表面がヘッドに対し十分に接触していないためと考えられる。また、比較例８では、磁性層１３の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹み１３Ａが１６００μｍ2あたり２１０個の割合で形成されているので、やはりＳＮＲの悪化が認められる。凹みの面密度が高すぎることにより、磁性層の表面とヘッドとの接触面積が減少したためと考えられる。
以上、実施の形態およびその変形例を挙げて本開示を具体的に説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
例えば、上述の実施形態およびその変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。具体的には、本開示の磁気記録媒体は、基体、下地層、磁性層、バック層およびバリア層以外の構成要素を含んでいてもよい。また、化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。
また、上述の実施形態およびその変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
また、本明細書において段階的に記載された数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。本明細書に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独で用いることができるし、２種以上を組み合わせて用いることもできる。
以上説明したように、本開示の一実施形態としての磁気記録媒体によれば、使用時における良好な走行性能を発揮することができる。
なお、本開示の効果はこれに限定されるものではなく、本明細書に記載のいずれの効果であってもよい。また、本技術は以下のような構成を取り得るものである。
（１）
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
前記基体上に設けられた下地層と、
前記下地層上に設けられた磁性層と、
前記基体の、前記下地層と反対側に設けられたバック層と
を有し、
前記基体は、ポリエステルを主たる成分として含み、
前記バック層の、前記基体と反対側の表面のクルトーシスが２．０以上であり、
前記磁性層の表面には、前記磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みが１６００μｍ2あたり１０個以上２００個以下の割合で形成されており、
前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、
前記下地層および前記磁性層は、潤滑剤を含み、
前記潤滑剤を除去および乾燥した状態における前記磁気記録媒体の全体のＢＥＴ比表面積は、３．５ｍ2／ｇ以上であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比は、６５％以上であり、
前記磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下であり、
前記磁気記録媒体の平均厚みは、５．６μｍ以下である
磁気記録媒体。
（２）
前記バック層の前記表面のクルトーシスが３．０以上である
上記（１）記載の磁気記録媒体。
（３）
前記バック層の前記表面のクルトーシスが３．５以上である
上記（１）記載の磁気記録媒体。
（４）
前記磁性層の表面には、前記凹みが１６００μｍ2あたり１５個以上２００個以下形成
されている
上記（１）から（３）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（５）
前記磁性層の表面には、前記凹みが１６００μｍ2あたり２０個以上２００個以下形成
されている
上記（１）から（３）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（６）
ＢＪＨ法により求められる前記磁気記録媒体の全体の平均細孔直径は、６ｎｍ以上１２ｎｍ以下である
上記（１）から（５）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（７）
前記磁気記録媒体に加わる張力が０．４Ｎであるときの前記表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μＡと、前記磁気記録媒体に加わる張力が１．２Ｎであるときの前記表面と前記磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μＢとの摩擦係数比μＢ／μＡが、１．２以上２．１以下である
上記（１）から（６）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（８）
前記磁気記録媒体に加わる張力が０．６Ｎであるときの、前記磁気記録媒体の走行開始から５回目の前記表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μＣ（５）と、前記磁気記録媒体に加わる張力が０．６Ｎであるときの、前記磁気記録媒体の走行開始から１０００回目の前記表面と前記磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μＣ（１０００）との摩擦係数比μＣ（１０００）／μＣ（５）が、１．２以上１．９以下である
上記（１）から（７）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（９）
前記磁性層は磁性粉を含み、
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１．１以上３．０以下である
上記（１）から（８）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１０）
前記磁性層は磁性粉を含み、
前記磁性粉は、Ｂａ（バリウム）およびＳｒ（ストロンチウム）のうちの少なくとも１種を含有する六方晶フェライト、ε酸化鉄またはＣｏ（コバルト）含有スピネル型フェライトを含む
上記（１）から（９）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１１）
前記磁性層は磁性粉を含み、
前記磁性粉の平均粒子サイズは、２５ｎｍ以下である
上記（１）から（１０）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１２）
前記潤滑剤は、下記の一般式＜１＞で示される化合物および下記の一般式＜２＞で示される化合物のうちの少なくとも一方、ならびに、下記の一般式＜３＞で示される化合物および下記の一般式＜４＞で示される化合物のうちの少なくとも一方を含む
上記（１）から（１０）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
ＣＨ3（ＣＨ2）kＣＯＯＨ ・・・＜１＞
（但し、一般式＜１＞において、ｋは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）mＣＯＯＨ ・・・＜２＞
（但し、一般式＜２＞において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）pＣＯＯ（ＣＨ2）qＣＨ3 ・・・＜３＞
（但し、一般式＜３＞において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）pＣＯＯ－（ＣＨ2）qＣＨ（ＣＨ3）2 …＜４＞
（但し、前記一般式＜４＞において、ｐは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｑは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）
（１３）
前記下地層が、多数の孔部を有し、
前記磁性層の凹みと前記下地層の孔部とがつながっている
上記（１）から（１２）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１４）
テープ状の磁気記録媒体を順次送り出すことのできる送り出し部と、
前記送り出し部から送り出された前記磁気記録媒体を巻き取ることのできる巻き取り部と、
前記送り出し部から前記巻き取り部へ向けて走行する前記磁気記録媒体と接触しつつ、前記磁気記録媒体への情報書き込み、および前記磁気記録媒体からの情報読み出しを行うことのできる磁気ヘッドと
を備え、
前記磁気記録媒体は、
基体と、
前記基体上に設けられた下地層と、
前記下地層上に設けられた磁性層と、
前記基体の、前記下地層と反対側に設けられたバック層と
を有し、
前記基体は、ポリエステルを主たる成分として含み、
前記バック層の、前記基体と反対側の表面のクルトーシスが２．０以上であり、
前記磁性層の表面には、前記磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みが１６００μｍ2あたり１０個以上２００個以下の割合で形成されており、
前記磁性層の第２表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、
前記下地層および前記磁性層は、潤滑剤を含み、
前記潤滑剤を除去および乾燥した状態における前記磁気記録媒体の全体のＢＥＴ比表面積は、３．５ｍ2／ｇ以上であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比は、６５％以上であり、
前記磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下であり、
前記磁気記録媒体の平均厚みは、５．６μｍ以下である
磁気記録再生装置。
（１５）
前記磁気記録媒体の長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有する
上記（１４）に記載の磁気記録再生装置。
（１６）
上記（１）～（１３）のいずれか１つに記載のテープ状の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を収容する筐体と
を備えた磁気記録媒体カートリッジ。
なお、本開示の効果はこれに限定されるものではなく、本明細書に記載のいずれの効果であってもよい。また、本技術は以下のような構成を取り得るものである。
（１）
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
前記基体上に設けられた下地層と、
前記下地層上に設けられた磁性層と、
前記基体の、前記下地層と反対側に設けられたバック層と
を有し、
前記基体は、ポリエステルを主たる成分として含み、
前記バック層の、前記基体と反対側の表面のクルトーシスが２．０以上であり、
前記磁性層の表面には、前記磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みが１６００μｍ2あたり１０個以上２００個以下の割合で形成されており、
前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、
前記下地層および前記磁性層は、潤滑剤を含み、
前記潤滑剤を除去および乾燥した状態における前記磁気記録媒体の全体のＢＥＴ比表面積は、３．５ｍ2／ｇ以上であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比は、６５％以上であり、
前記磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下であり、
前記磁気記録媒体の平均厚みは、５．６μｍ以下である
磁気記録媒体。
（２）
前記バック層の前記表面のクルトーシスが３．０以上である
上記（１）記載の磁気記録媒体。
（３）
前記バック層の前記表面のクルトーシスが３．５以上である
上記（１）記載の磁気記録媒体。
（４）
前記磁性層の表面には、前記凹みが１６００μｍ2あたり１５個以上２００個以下形成
されている
上記（１）から（３）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（５）
前記磁性層の表面には、前記凹みが１６００μｍ2あたり２０個以上２００個以下形成
されている
上記（１）から（３）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（６）
ＢＪＨ法により求められる前記磁気記録媒体の全体の平均細孔直径は、６ｎｍ以上１２ｎｍ以下である
上記（１）から（５）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（７）
前記磁気記録媒体に加わる張力が０．４Ｎであるときの前記表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μＡと、前記磁気記録媒体に加わる張力が１．２Ｎであるときの前記表面と前記磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μＢとの摩擦係数比μＢ／μＡが、１．２以上２．１以下である
上記（１）から（６）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（８）
前記磁気記録媒体に加わる張力が０．６Ｎであるときの、前記磁気記録媒体の走行開始から５回目の前記表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μＣ（５）と、前記磁気記録媒体に加わる張力が０．６Ｎであるときの、前記磁気記録媒体の走行開始から１０００回目の前記表面と前記磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μＣ（１０００）との摩擦係数比μＣ（１０００）／μＣ（５）が、１．２以上１．９以下である
上記（１）から（７）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（９）
前記磁性層は磁性粉を含み、
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１．１以上３．０以下である
上記（１）から（８）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１０）
前記磁性層は磁性粉を含み、
前記磁性粉は、Ｂａ（バリウム）およびＳｒ（ストロンチウム）のうちの少なくとも１種を含有する六方晶フェライト、ε酸化鉄またはＣｏ（コバルト）含有スピネル型フェライトを含む
上記（１）から（９）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１１）
前記磁性層は磁性粉を含み、
前記磁性粉の平均粒子サイズは、２５ｎｍ以下である
上記（１）から（１０）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１２）
前記潤滑剤は、下記の一般式＜１＞で示される化合物および下記の一般式＜２＞で示される化合物のうちの少なくとも一方、ならびに、下記の一般式＜３＞で示される化合物および下記の一般式＜４＞で示される化合物のうちの少なくとも一方を含む
上記（１）から（１０）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
ＣＨ3（ＣＨ2）kＣＯＯＨ ・・・＜１＞
（但し、一般式＜１＞において、ｋは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）mＣＯＯＨ ・・・＜２＞
（但し、一般式＜２＞において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）pＣＯＯ（ＣＨ2）qＣＨ3 ・・・＜３＞
（但し、一般式＜３＞において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）pＣＯＯ－（ＣＨ2）qＣＨ（ＣＨ3）2 …＜４＞
（但し、前記一般式＜４＞において、ｐは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｑは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）
（１３）
前記下地層が、多数の孔部を有し、
前記磁性層の凹みと前記下地層の孔部とがつながっている
上記（１）から（１２）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体。
（１４）
テープ状の磁気記録媒体を順次送り出すことのできる送り出し部と、
前記送り出し部から送り出された前記磁気記録媒体を巻き取ることのできる巻き取り部と、
前記送り出し部から前記巻き取り部へ向けて走行する前記磁気記録媒体と接触しつつ、前記磁気記録媒体への情報書き込み、および前記磁気記録媒体からの情報読み出しを行うことのできる磁気ヘッドと
を備え、
前記磁気記録媒体は、
基体と、
前記基体上に設けられた下地層と、
前記下地層上に設けられた磁性層と、
前記基体の、前記下地層と反対側に設けられたバック層と
を有し、
前記基体は、ポリエステルを主たる成分として含み、
前記バック層の、前記基体と反対側の表面のクルトーシスが２．０以上であり、
前記磁性層の表面には、前記磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みが１６００μｍ2あたり１０個以上２００個以下の割合で形成されており、
前記磁性層の第２表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、
前記下地層および前記磁性層は、潤滑剤を含み、
前記潤滑剤を除去および乾燥した状態における前記磁気記録媒体の全体のＢＥＴ比表面積は、３．５ｍ2／ｇ以上であり、
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比は、６５％以上であり、
前記磁性層の平均厚みは、９０ｎｍ以下であり、
前記磁気記録媒体の平均厚みは、５．６μｍ以下である
磁気記録再生装置。
（１５）
前記磁気記録媒体の長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有する
上記（１４）に記載の磁気記録再生装置。
（１６）
上記（１）～（１３）のいずれか１つに記載のテープ状の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を収容する筐体と
を備えた磁気記録媒体カートリッジ。
１０…磁気記録媒体、１１…基体、１１Ａ，１１Ｂ…主面、１２…下地層、１３…磁性層、１４…バック層、２０，２０Ａ…ε酸化鉄粒子、２１…コア部、２２…シェル部、２２ａ…第１シェル部、２２ｂ…第２シェル部、３０…記録再生装置、３１…スピンドル、３２…リール、３３，３４…駆動装置、３５…ガイドローラ、３６…ヘッドユニット、３７…通信インターフェース、３８…制御装置、４１…サーバ、４２…パーソナルコンピュータ、４３…ネットワーク。
Claims (21)
- テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
前記基体上に設けられた下地層と、
前記下地層上に設けられた磁性層と、
前記基体の、前記下地層と反対側に設けられたバック層と
を有し、
前記基体は、ポリエステルを主たる成分として含み、
前記バック層の、前記基体と反対側の表面のクルトーシスが２．０以上であり、
前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、
前記下地層および前記磁性層は、潤滑剤を含み、
前記潤滑剤を除去および乾燥した状態における前記磁気記録媒体の全体のＢＥＴ比表面積は、３．５ｍ2／ｇ以上であり、
前記磁気記録媒体の長手方向における角形比は、３５％以下であり、
前記磁気記録媒体に加わる張力が０．４Ｎであるときの前記表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μＡと、前記磁気記録媒体に加わる張力が１．２Ｎであるときの前記表面と前記磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μＢとの摩擦係数比μＢ／μＡが、１．２以上２．１以下であり、
前記磁気記録媒体の平均厚みは、５．６μm以下である
磁気記録媒体。 - 前記磁性層は磁性粉を含み、
前記磁性粉は、Ｂａ（バリウム）およびＳｒ（ストロンチウム）のうちの少なくとも１種を含有する六方晶フェライト、ε酸化鉄またはＣｏ（コバルト）含有スピネル型フェライトを含む
請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 前記磁性層は磁性粉を含み、
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１．１以上３．０以下である
請求項１または請求項２に記載の磁気記録媒体。 - 前記磁性層は磁性粉を含み、
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１以上２．８以下である
請求項１または請求項２に記載の磁気記録媒体。 - 前記磁性層は磁性粉を含み、
前記磁性粉の平均アスペクト比は、１以上１．８以下である
請求項１または請求項２に記載の磁気記録媒体。 - 前記磁性層は磁性粉を含み、
前記磁性粉の平均粒子体積は、２７０ｎｍ3以上５５００ｎｍ3以下である
請求項１または請求項２記載の磁気記録媒体。 - 前記バック層の前記表面のクルトーシスが３．０以上である
請求項１または請求項２記載の磁気記録媒体。 - 前記バック層の前記表面のクルトーシスが３．５以上である
請求項１または請求項２記載の磁気記録媒体。 - 前記基体の平均厚みは、４．２μｍ以下である
請求項１または請求項２記載の磁気記録媒体。 - 前記基体の平均厚みは、４．０μｍ以下である
請求項１または請求項２記載の磁気記録媒体。 - 前記磁性層の平均厚みは、５０ｎｍ以下である
請求項１または請求項２記載の磁気記録媒体。 - 前記下地層の平均厚みは、０．５μｍ以上０．９μｍ以下である
請求項１または請求項２記載の磁気記録媒体。 - 前記下地層の平均厚みは、０．６μｍ以上０．７μｍ以下である
請求項１または請求項２記載の磁気記録媒体。 - 前記バック層の平均厚みは、０．２μｍ以上０．６μｍ以下である
請求項１または請求項２記載の磁気記録媒体。 - 前記バック層の平均厚みは、０．２μｍ以上０．５μｍ以下である
請求項１または請求項２記載の磁気記録媒体。 - 前記磁性層の表面には、前記磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みが１６００μｍ2あたり１５個以上２００個以下形成されている
請求項１または請求項２記載の磁気記録媒体。 - 前記磁性層の表面には、前記磁性層の平均厚みの２０％以上の深さを有する凹みが１６００μｍ2あたり２０個以上２００個以下形成されている
請求項１または請求項２記載の磁気記録媒体。 - ＢＪＨ法により求められる前記磁気記録媒体の全体の平均細孔直径は、６ｎｍ以上１２ｎｍ以下である
請求項１または請求項２記載の磁気記録媒体。 - テープ状の磁気記録媒体を順次送り出すことのできる送り出し部と、
前記送り出し部から送り出された前記磁気記録媒体を巻き取ることのできる巻き取り部と、
前記送り出し部から前記巻き取り部へ向けて走行する前記磁気記録媒体と接触しつつ、前記磁気記録媒体への情報書き込み、および前記磁気記録媒体からの情報読み出を行うことのできる磁気ヘッドと
を備え、
前記磁気記録媒体は、
基体と、
前記基体上に設けられた下地層と、
前記下地層上に設けられた磁性層と、
前記基体の、前記下地層と反対側に設けられたバック層と
を有し、
前記基体は、ポリエステルを主たる成分として含み、
前記バック層の、前記基体と反対側の表面のクルトーシスが２．０以上であり、
前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、
前記下地層および前記磁性層は、潤滑剤を含み、前記潤滑剤を除去および乾燥した状態における前記磁気記録媒体の全体のＢＥＴ比表面積は、３．５ｍ2／ｇ以上であり、
前記磁気記録媒体の長手方向における角形比は、３５％以下であり、
前記磁気記録媒体に加わる張力が０．４Ｎであるときの前記表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μＡと、前記磁気記録媒体に加わる張力が１．２Ｎであるときの前記表面と前記磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μＢとの摩擦係数比μＢ／μＡが、１．２以上２．１以 下であり、
前記磁気記録媒体の平均厚みは、５．６μｍ以下である
磁気記録再生装置。 - 前記磁気記録媒体の長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有する
請求項１９に記載の磁気記録再生装置。 - テープ状の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を収容する筐体とを備え、
前記磁気記録媒体は、
基体と、
前記基体上に設けられた下地層と、
前記下地層上に設けられた磁性層と、
前記基体の、前記下地層と反対側に設けられたバック層と
を有し、
前記基体は、ポリエステルを主たる成分として含み、
前記バック層の、前記基体と反対側の表面のクルトーシスが２．０以上であり、
前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、２．５ｎｍ以下であり、
前記下地層および前記磁性層は、潤滑剤を含み、前記潤滑剤を除去および乾燥した状態における前記磁気記録媒体の全体のＢＥＴ比表面積は、３．５ｍ2／ｇ以上であり、
前記磁気記録媒体の長手方向における角形比は、３５％以下であり、
前記磁気記録媒体に加わる張力が０．４Ｎであるときの前記表面と磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μＡと、前記磁気記録媒体に加わる張力が１．２Ｎであるときの前記表面と前 記磁気ヘッドとの間の動摩擦係数μＢとの摩擦係数比μＢ／μＡが、１．２以上２．１以下であり、
前記磁気記録媒体の平均厚みは、５．６μｍ以下である
磁気記録媒体カートリッジ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2024021392A JP2024040484A (ja) | 2019-08-20 | 2024-02-15 | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019150674A JP6635217B1 (ja) | 2019-08-20 | 2019-08-20 | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ |
| JP2019227423A JP7440257B2 (ja) | 2019-08-20 | 2019-12-17 | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ |
| JP2024021392A JP2024040484A (ja) | 2019-08-20 | 2024-02-15 | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019227423A Division JP7440257B2 (ja) | 2019-08-20 | 2019-12-17 | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2024040484A true JP2024040484A (ja) | 2024-03-25 |
Family
ID=90011265
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019227423A Active JP7440257B2 (ja) | 2019-08-20 | 2019-12-17 | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ |
| JP2024021392A Pending JP2024040484A (ja) | 2019-08-20 | 2024-02-15 | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019227423A Active JP7440257B2 (ja) | 2019-08-20 | 2019-12-17 | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP7440257B2 (ja) |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000215433A (ja) * | 1999-01-19 | 2000-08-04 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| JP2004005891A (ja) * | 2002-03-20 | 2004-01-08 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気テープおよび磁気テープカートリッジ |
| JP2004273070A (ja) * | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP2006065953A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Sony Corp | 磁気記録媒体 |
| JP4278001B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2009-06-10 | 日立マクセル株式会社 | 磁気テープの記録再生方法および記録再生装置 |
| JP2007273036A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Fujifilm Corp | 磁気記録媒体 |
| US7910234B2 (en) * | 2006-04-28 | 2011-03-22 | Imation Corp. | Magnetic recording medium having improved durability for high density applications |
| JP2009087468A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 磁気記録媒体、磁気信号再生方法および磁気信号再生システム |
| JP6291511B2 (ja) * | 2015-01-22 | 2018-03-14 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 磁気記録媒体用磁性粉 |
| JP6739402B2 (ja) * | 2017-06-09 | 2020-08-12 | 富士フイルム株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JP6927405B2 (ja) * | 2018-02-16 | 2021-08-25 | ソニーグループ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JP6635217B1 (ja) * | 2019-08-20 | 2020-01-22 | ソニー株式会社 | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ |
-
2019
- 2019-12-17 JP JP2019227423A patent/JP7440257B2/ja active Active
-
2024
- 2024-02-15 JP JP2024021392A patent/JP2024040484A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7440257B2 (ja) | 2024-02-28 |
| JP2021034102A (ja) | 2021-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11741991B2 (en) | Magnetic recording medium | |
| WO2019159465A1 (ja) | 磁気記録テープとその製造方法、磁気記録テープカートリッジ | |
| JP6635217B1 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ | |
| JP6635216B1 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ | |
| JP6635215B1 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ | |
| JP7388470B2 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ | |
| JP6635218B1 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ | |
| JP6725050B1 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ | |
| JP6838633B1 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ | |
| JP7440257B2 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ | |
| JP7388171B2 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ | |
| JP7359168B2 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ | |
| JP6725051B1 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ | |
| JP7342823B2 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ | |
| JP6725052B1 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ | |
| JP6725053B1 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP6777218B1 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ | |
| JP6777217B1 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20240228 |