JP2024037209A - Film-forming equipment, driving method of film-forming equipment, and film-forming method - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 145
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 66
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 45
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 23
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 45
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C14/50—Substrate holders
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Abstract
【課題】吸着部材に対して、基板を安定した状態で吸着させることのできる成膜装置、成膜装置の駆動方法及び成膜方法を提供する。【解決手段】基板Sの成膜側の面とは反対側の面を吸着する静電チャック31と、少なくとも静電チャック31に基板Sが吸着される前の時点において、基板Sの周縁を支持する基板支持部材41と、基板Sの成膜側に配されるマスクMを支持するマスク台54と、を備え、マスク台54に支持されたマスクMに対して、基板支持部材41に支持された基板Sを接触させた状態で、静電チャック31による基板Sを吸着する吸着力が生ずることを特徴とする。【選択図】図5[Problem] To provide a film formation apparatus capable of attracting a substrate to an attraction member in a stable state, a method for driving the film formation apparatus, and a film formation method. [Solution] The apparatus includes an electrostatic chuck 31 for attracting the surface of the substrate S opposite to the surface on which the substrate is to be film-formed, a substrate support member 41 for supporting the periphery of the substrate S at least before the substrate S is attracted to the electrostatic chuck 31, and a mask table 54 for supporting a mask M arranged on the film-formation side of the substrate S, and is characterized in that an attraction force for attracting the substrate S by the electrostatic chuck 31 is generated when the substrate S supported by the substrate support member 41 is in contact with the mask M supported by the mask table 54. [Selected Figure] Figure 5
Description
本発明は、成膜装置、成膜装置の駆動方法及び成膜方法に関する。 The present invention relates to a film forming apparatus, a method for driving the film forming apparatus, and a film forming method.
従来、成膜装置において、基板の成膜側の面とは反対側の面を吸着する吸着部材を備える技術が知られている。 2. Description of the Related Art Conventionally, a technique is known in which a film forming apparatus is provided with an adsorption member that adsorbs a surface of a substrate opposite to a surface on the film formation side.
近年、基板の大判化が進んでおり、吸着部材に基板を吸着する前の状態において、基板が大きく撓んでいると、吸着部材に対して基板を適切に吸着するのが難しいことがある。 In recent years, substrates have become larger in size, and if the substrate is significantly bent before being adsorbed to the adsorption member, it may be difficult to properly adsorb the substrate to the adsorption member.
本発明の成膜装置は、
基板の成膜側の面とは反対側の面を吸着する吸着部材と、
少なくとも前記吸着部材に前記基板が吸着される前の時点において、前記基板周縁を支持する基板支持部材と、
前記基板の成膜側に配されるマスクを支持するマスク支持部材と、
を備え、
前記マスク支持部材に支持された前記マスクに対して、前記基板支持部材に支持された前記基板を接触させた状態で、前記吸着部材による前記基板を吸着する吸着力が生ずることを特徴とする。
The film forming apparatus of the present invention includes:
an adsorption member that adsorbs the surface of the substrate opposite to the film formation side;
a substrate support member that supports the peripheral edge of the substrate at least before the substrate is attracted to the attraction member;
a mask support member that supports a mask disposed on the film formation side of the substrate;
Equipped with
The method is characterized in that when the substrate supported by the substrate support member is brought into contact with the mask supported by the mask support member, an adsorption force is generated to adsorb the substrate by the adsorption member.
以上説明したように、本発明によれば、吸着部材に対して、基板を安定した状態で吸着させることができる。 As described above, according to the present invention, the substrate can be stably attracted to the attraction member.
以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を、実施例に基づいて例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。 EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, with reference to drawings, the form for implementing this invention is illustratively described in detail based on an Example. However, the dimensions, materials, shapes, relative arrangements, etc. of the components described in this example are not intended to limit the scope of this invention to only those, unless otherwise specified. .
(実施例)
図1~図6を参照して、本発明の実施例に係る成膜装置について説明する。なお、これらの図においては、各部材の動作を分かり易くするために、一体的に動作する部材について同種のハッチングを付している。これらの図においては、各部材を断面的に示しているが、各部材については、紙面の手前側と奥側の異なった位置に配され得るため、ハッチングが付されているからと言って、必ずしも断面を示したものではない。
(Example)
A film forming apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6. In addition, in these figures, in order to make it easier to understand the operation of each member, members that operate integrally are given the same type of hatching. In these figures, each member is shown in cross section, but since each member can be placed at different positions on the front and back sides of the paper, the hatching does not mean that It does not necessarily show a cross section.
<成膜装置の構成>
特に、図1を参照して、成膜装置1の全体構成について説明する。図1は成膜装置全体の概略構成図である。成膜装置1は、チャンバ10と、チャンバ10内に備えられる成膜源20とを備えている。チャンバ10内は、真空雰囲気、又は、不活性ガス雰囲気に維持可能に構成される。成膜源20としては、成膜材料を蒸発又は昇華させる蒸発源の他、スパッタリングによって成膜を行うためのスパッタリングカソードなどを採用することができる。
<Configuration of film forming apparatus>
In particular, with reference to FIG. 1, the overall configuration of the
チャンバ10の上部には、成膜対象である基板Sと、基板Sに対して所望のパターンの薄膜を形成するために基板Sの成膜側に配されるマスクMとを位置合わせするための各種機構が備えられている。なお、本実施例では、成膜源20が配されたチャンバ10に、この各種機構が備えられる構成を示すが、基板SとマスクMとを位置合わせするためのチャンバと成膜源が備えられるチャンバとを別々に設ける構成を採用してもよい。この場合には、位置合わせ用のチャンバ内において、基板SとマスクMが位置合わせされた後に、成膜源を備えるチャンバに、これら基板SとマスクMが搬送されて成膜が施される。
In the upper part of the
以下、基板SとマスクMとを位置合わせするための各種機構について説明する。チャンバ10の天井部には、各種機構を支持するためのベース部材11及び支持プレート12が固定されている。
Various mechanisms for aligning the substrate S and the mask M will be described below. A
ベース部材11には、吸着部材としての静電チャック31を鉛直方向に昇降させる第1の昇降機構(吸着部材昇降部)30が取り付けられている。この第1の昇降機構30は、静電チャック31を保持する保持部材32と、保持部材32を昇降させるための軸部材33と、軸部材33を昇降させる駆動源34とを備えている。保持部材32は、鉛直方向に垂直な昇降プレート32aを備えている。昇降機構の具体的な構成については、ボールネジ機構など各種公知技術を採用し得るので、その詳細な説明は省略する。静電チャック31は、内部に電極31aを有しており、電極31aに電圧が印加されることで静電吸着力(静電気力による吸着力)を生ずるように構成されている。なお、静電吸着力を生じさせる方式としては、クーロン力タイプ、ジョンソン・ラーベック力タイプ、及びグラジエント力タイプなど、各種公知の方式を採用し得る。この静電チャック31によって、基板Sの成膜側の面とは反対側の面が吸着されて、基板Sは保持される。
A first elevating mechanism (adsorbing member elevating section) 30 that vertically raises and lowers an
第1の昇降機構30における保持部材32の昇降プレート32aには、基板Sを鉛直方向に昇降させる第2の昇降機構(基板昇降部)40が設けられている。この第2の昇降機構40は、基板Sの成膜側の面の周縁を支持する基板支持部材41と、基板支持部材41を昇降させるための軸部材42と、軸部材42を昇降させる駆動源43とを備えている。昇降機構の具体的な構成については、ボールネジ機構など各種公知技術を採用し得るので、その詳細な説明は省略する。第2の昇降機構40を動作させない状態で、第1の昇降機構30により昇降プレート32aを昇降させると、静電チャック31と基板Sは一体的に昇降する。一方、第2の昇降機構40を動作させることで、静電チャック31に対して、基板Sを相対的に昇降させることができる。以上のように、基板支持部材41は、昇降プレート32aに対して昇降可能となるように第2の昇降機構40が設けられているのに対して、静電チャック31は、昇降プレート32aに対して固定されるように第1の昇降機構30が設けられている。
The
また、成膜装置1は、マスクMの位置を調整するマスク調整機構50を備えている。このマスク調整機構50は、チャンバ10の天井部に固定された支柱部51と、支柱部51の下端に設けられたマスク台受け部52と、支柱部51に固定された磁気発生用コイルボックス53とを備えている。マスクMを支持するマスク支持部材としてのマスク台54の周縁には磁石55が設けられている。この磁石55が、マスク台受け部52と磁気発生用コイルボックス53との間の隙間に配されるようにマスク台54は配置される。そして、磁気発生用コイルボックス53による磁界が制御されることで、マスク台54は宙に浮いた状態で、水平方向の位置が調整される。すなわち、鉛直方向に対して垂直かつ互いに直交する方向をX,Y方向とし、鉛直方向を中心に回転する方向をθ方向とすると、磁気発生用コイルボックス53による磁界の制御を行うことで、マスク台54をX,Y,θ方向に位置調整することができる。
The
マスク調整機構50は、マスクMを昇降させる第3の昇降機構も有している。この第3の昇降機構は、チャンバ10の天井部に固定された支持プレート12に取り付けられており、マスクMを支持する支持部材56と、支持部材56を昇降させるための軸部材57と、軸部材57を昇降させる駆動源58とを備えている。昇降機構の具体的な構成については、ボールネジ機構など各種公知技術を採用し得るので、その詳細な説明は省略する。このマスク昇降機構は、チャンバ10内に搬送されたマスクMを受け取って、マスクMをマスク台54に載置するために用いられる。図1においては、マスク台54にマスクMが載置された状態を示している。
The
また、ベース部材11には、基板SとマスクMとの位置合わせを行った後に、基板Sと静電チャック31を介してマスクMを磁力によって吸着する磁気吸着部材61を鉛直方向に昇降させる第4の昇降機構60が取り付けられている。この第4の昇降機構60は、磁気吸着部材61を保持する保持部材62と、保持部材62を昇降させる駆動源63とを備えている。昇降機構の具体的な構成については、ボールネジ機構など各種公知技術を採用し得るので、その詳細な説明は省略する。
Further, after the substrate S and the mask M are aligned, a
また、成膜装置1は、成膜源20、及び上記の各種機構等の動作を制御するための制御装置70も備えている。各種装置を制御するための制御装置は公知技術であるので、詳細な説明は省略するが、制御装置70は、CPU等のプロセッサ、半導体メモリやハードディスクなどの記憶デバイス、入出力インタフェースを備えている。
The
<成膜装置の駆動方法及び成膜方法>
特に、図2~6を参照して、成膜装置1の駆動方法及び成膜方法について説明する。図2~6は、図1のうち、チャンバ10の天井部付近の各種機構が設けられた部分を示したものである。
<Driving method of film forming apparatus and film forming method>
In particular, with reference to FIGS. 2 to 6, a method for driving the
まず、チャンバ10内にマスクMが搬送されて、第3の昇降機構によって、マスク台54にマスクMが載置される。そして、基板Sがチャンバ10内に搬送され、第2の昇降機構40における基板支持部材41に基板Sが載置される。これにより、基板支持部材41によって、基板Sの成膜側の面の周縁が支持される(基板支持工程(図2参照))。このとき、基板Sは、自重によって、その中央が鉛直方向下向きに湾曲するように撓んだ状態となる。
First, the mask M is transported into the
次に、第2の昇降機構40によって、基板支持部材41に支持された基板Sが上昇し、基板Sの周縁は静電チャック31に接した状態となる(図3参照)。このように、静電チャック31よりも鉛直方向下方に位置する基板支持部材41に基板Sが支持された後に、静電チャック31と基板支持部材41に支持された基板Sが近づくように構成されている
。その後、第1の昇降機構30によって、静電チャック31と基板Sが一体的に下降して、基板SがマスクMに近づいた状態となる(図4参照)。そして、基板SとマスクMとの位置合わせを行うためのアライメント動作が行われる。
Next, the substrate S supported by the
基板SとマスクMを位置合わせするアライメント動作に関しては、各種公知の方法を採用し得るが、ここでは代表的な一例を説明する。一般的に、アライメントを行うために、基板SとマスクMにはそれぞれアライメント用のマーク(不図示)が設けられる。そして、チャンバ10に固定されたカメラCによって、両者のマークが撮影されて、両者の位置ずれ量が判定される。そして、これらの位置ずれがなくなる(通常は、位置ずれ量が閾値内に収まる)ように、基板S及びマスクMのうちの少なくともいずれか一方の水平方向の位置が調整される。また、短時間で高精度なアライメントを実現するために、大まかに位置合わせを行うラフアライメントと、高精度に位置合わせを行うファインアライメントがなされるのが一般的である。ラフアライメントにおいては、低解像だが広視野のカメラCが用いられ、ファインアライメントにおいては、狭視野だが高解像のカメラCが用いられる。また、上記のアライメント用のマークも、通常、ラフアライメント用とファインアライメント用に別々のマークが用いられる。
Regarding the alignment operation for aligning the substrate S and the mask M, various known methods can be employed, but a typical example will be described here. Generally, in order to perform alignment, alignment marks (not shown) are provided on the substrate S and the mask M, respectively. Then, both marks are photographed by a camera C fixed to the
具体的には、図4に示すように、基板SとマスクMが僅かに離れた状態で、カメラCから得られた撮影情報によって、制御装置70は基板SとマスクMの位置ずれ量を判定し、ラフアライメントを行う。すなわち、位置ずれ量に基づいて、本実施例の場合には、マスク調整機構50により、マスク台54の水平方向(X,Y,θ方向)の調整がなされることで、基板SとマスクMのラフアライメントが行われる。
Specifically, as shown in FIG. 4, when the substrate S and the mask M are slightly apart, the
ラフアライメントが行われた後に、同様の順序でファインアライメントが行われる。一般的には、基板SとマスクMとの位置ずれ量が閾値の範囲内になるまでファインアライメントが繰り返される。 After rough alignment is performed, fine alignment is performed in the same order. Generally, fine alignment is repeated until the amount of positional deviation between the substrate S and the mask M falls within a threshold value.
以上のアライメントが終了した後に、第1の昇降機構30によって、静電チャック31と基板Sが一体的に下降して、基板Sの成膜側の面がマスクMに接触した状態となる。これにより、基板Sの撓みがなくなった状態となる(接触工程(図5参照))。この状態で、静電チャック31に設けられた電極31aに電圧が印加されることで、基板Sは静電吸着力によって、静電チャック31に吸着される。つまり、静電チャック31が基板Sの成膜側の面とは反対側の面を吸着する(吸着工程)。以上のように、基板支持部材41は、少なくとも静電チャック31に基板Sが吸着される前の時点において、基板周縁を支持する。また、マスク支持部材としてのマスク台54に支持されたマスクMに対して、基板支持部材41に支持された基板Sを接触させた状態で、静電チャック31による基板Sを吸着する吸着力が生ずる。
After the above alignment is completed, the
基板Sが静電チャック31に吸着された後に、第4の昇降機構60によって磁気吸着部材61が下降する。これにより、マスクMが基板S及び静電チャック31を介して磁気吸着部材61に吸着される。これにより、基板SとマスクMとが接した状態で固定された状態となる(図6参照)。その後、成膜源20によって、基板Sの表面(成膜面)上に、マスクMに形成された所望のパターン(開口部)の薄膜が形成される(成膜工程)。
After the substrate S is attracted to the
以上の駆動方法においては、第1の昇降機構30によって、静電チャック31と基板Sを一体的に下降させ、基板SとマスクMが近づいた状態でアライメントを行わせた後に、基板SとマスクMを接触させて、静電チャック31に基板Sを吸着させる場合を示した。しかしながら、第1の昇降機構30によって、静電チャック31と基板Sを一体的に下降させ、基板SをマスクMに接触させた状態で静電チャック31に基板Sを吸着させて、基板SとマスクMの位置関係を測定した後にアライメントを行ってもよい。この場合、アラ
イメントにおいて、基板SとマスクMとの相対位置を変更する際には、基板SをマスクMから離間させた状態で行うのが望ましい。
In the above driving method, the
<電子デバイスの製造方法>
次に、本実施例の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成を示し、有機EL表示装置の製造方法を例示する。
<Method for manufacturing electronic devices>
Next, an example of a method for manufacturing an electronic device using the film forming apparatus of this embodiment will be described. Hereinafter, the configuration of an organic EL display device will be shown as an example of an electronic device, and a method for manufacturing the organic EL display device will be illustrated.
まず、製造する有機EL表示装置について説明する。図9(a)は有機EL表示装置150の全体図、図9(b)は1画素の断面構造を表している。
First, the organic EL display device to be manufactured will be explained. FIG. 9(a) shows an overall view of the organic
図9(a)に示すように、有機EL表示装置150の表示領域151には、発光素子を複数備える画素152がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域151において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例に係る有機EL表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第1発光素子152R、第2発光素子152G、第3発光素子152Bの組み合わせにより画素152が構成されている。画素152は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組み合わせで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも1色以上であれば特に制限されるものではない。
As shown in FIG. 9A, in the
図9(b)は、図9(a)のA-B線における部分断面模式図である。画素152は、複数の発光素子からなり、各発光素子は、基板153上に、第1電極(陽極)154と、正孔輸送層155と、発光層156R、156G、156Bのいずれかと、電子輸送層157と、第2電極(陰極)158と、を有している。これらのうち、正孔輸送層155、発光層156R、156G、156B、電子輸送層157が有機層に当たる。また、本実施例では、発光層156Rは赤色を発する有機EL層、発光層156Gは緑色を発する有機EL層、発光層156Bは青色を発する有機EL層である。発光層156R、156G、156Bは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子(有機EL素子と記述する場合もある)に対応するパターンに形成されている。また、第1電極154は、発光素子毎に分離して形成されている。正孔輸送層155と電子輸送層157と第2電極158は、複数の発光素子152R、152G、152Bで共通に形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第1電極154と第2電極158とが異物によってショートするのを防ぐために、第1電極154間に絶縁層159が設けられている。さらに、有機EL層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機EL素子を保護するための保護層140が設けられている。
FIG. 9(b) is a schematic partial cross-sectional view taken along line AB in FIG. 9(a). The
図9(b)では正孔輸送層155や電子輸送層157は一つの層で示されているが、有機EL表示素子の構造によっては、正孔ブロック層や電子ブロック層を備える複数の層で形成されてもよい。また、第1電極154と正孔輸送層155との間には第1電極154から正孔輸送層155への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成することもできる。同様に、第2電極158と電子輸送層157の間にも電子注入層が形成することもできる。
In FIG. 9B, the
次に、有機EL表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。 Next, an example of a method for manufacturing an organic EL display device will be specifically described.
まず、有機EL表示装置を駆動するための回路(不図示)及び第1電極154が形成された基板153を準備する。
First, a
第1電極154が形成された基板153の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、
アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第1電極154が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層159を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
An acrylic resin is formed by spin coating on the
An insulating
絶縁層159がパターニングされた基板153を第1の有機材料成膜装置に搬入し、基板支持台及び静電チャックにて基板を保持し、正孔輸送層155を、表示領域の第1電極154の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層155は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層155は表示領域151よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。
The
次に、正孔輸送層155までが形成された基板153を第2の有機材料成膜装置に搬入し、基板支持台及び静電チャックで保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、基板153の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層156Rを成膜する。
Next, the
発光層156Rの成膜と同様に、第3の有機材料成膜装置により緑色を発する発光層156Gを成膜し、さらに第4の有機材料成膜装置により青色を発する発光層156Bを成膜する。発光層156R、156G、156Bの成膜が完了した後、第5の成膜装置により表示領域151の全体に電子輸送層157を成膜する。電子輸送層157は、3色の発光層156R、156G、156Bに共通の層として形成される。
Similarly to the formation of the light-emitting
電子輸送層157まで形成された基板を金属性蒸着材料成膜装置で移動させて第2電極158を成膜する。
A
その後プラズマCVD装置に移動して保護層140を成膜して、有機EL表示装置150が完成する。
Thereafter, the film is moved to a plasma CVD apparatus and a
絶縁層159がパターニングされた基板153を成膜装置に搬入してから保護層140の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機EL材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本実施例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気の下で行われる。
If the
<本実施例に係る成膜装置の優れた点>
本実施例に係る成膜装置1によれば、マスクMに基板Sを接触させることで、静電チャック31に基板Sが吸着される前の状態で、基板Sの撓みを抑制することができる。これにより、静電チャック31に対して、基板Sを安定した状態で吸着させることができる。すなわち、基板Sが、波打ったり一部が変形したりした状態で静電チャック31に吸着してしまうことを抑制することができる。
<Excellent points of the film forming apparatus according to this example>
According to the
1:成膜装置 10:チャンバ 11:ベース部材 12:支持プレート 20:成膜源 30:第1の昇降機構 31:静電チャック 31a:電極 32:保持部材 32a:昇降プレート 33:軸部材 34:駆動源 40:第2の昇降機構 41:基板支持部材 42:軸部材 43:駆動源 50:マスク調整機構 51:支柱部 52:マスク台受け部 53:磁気発生用コイルボックス 54:マスク台 55:磁石 56:支持部材 57:軸部材 58:駆動源 60:第4の昇降機構 61:磁気吸着部材 62:保持部材 63:駆動源 70:制御装置 C:カメラ M:マスク S:基板
1: Film forming apparatus 10: Chamber 11: Base member 12: Support plate 20: Film forming source 30: First elevating mechanism 31:
Claims (11)
少なくとも前記吸着部材に前記基板が吸着される前の時点において、前記基板周縁を支持する基板支持部材と、
前記基板の成膜側に配されるマスクを支持するマスク支持部材と、
を備え、
前記マスク支持部材に支持された前記マスクに対して、前記基板支持部材に支持された前記基板を接触させた状態で、前記吸着部材による前記基板を吸着する吸着力が生ずることを特徴とする成膜装置。 an adsorption member that adsorbs the surface of the substrate opposite to the film formation side;
a substrate support member that supports the peripheral edge of the substrate at least before the substrate is attracted to the attraction member;
a mask support member that supports a mask disposed on the film formation side of the substrate;
Equipped with
The structure is characterized in that when the substrate supported by the substrate support member is in contact with the mask supported by the mask support member, an adsorption force for adsorbing the substrate by the adsorption member is generated. Membrane device.
前記基板支持部材を昇降させる基板昇降部と、
を備え、
前記吸着部材昇降部と前記基板昇降部は、共通の昇降プレートに設けられることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 an adsorption member elevating section that raises and lowers the adsorption member;
a substrate lifting section that lifts and lowers the substrate support member;
Equipped with
2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the adsorption member elevating section and the substrate elevating section are provided on a common elevating plate.
前記基板支持部材に支持された前記基板の成膜側の面をマスクに接触させる接触工程と、
前記接触工程の後に、前記マスクに前記基板を接触させた状態で、吸着部材によって前記基板を吸着する吸着力を生じさせることで、前記吸着部材が前記基板の成膜側の面とは反対側の面を吸着する吸着工程と、を有する
ことを特徴とする成膜装置の駆動方法。 a substrate supporting step of supporting the periphery of the substrate with a substrate supporting member;
a contacting step of bringing a film-forming side surface of the substrate supported by the substrate support member into contact with a mask;
After the contact step, with the substrate in contact with the mask, an adsorption member generates an adsorption force that adsorbs the substrate, so that the adsorption member is attached to the surface of the substrate opposite to the film-forming side. A method for driving a film forming apparatus, comprising: an adsorption step of adsorbing a surface of the film.
ことを特徴とする成膜方法。 A film forming method, comprising a film forming step of forming a film through the mask on the substrate that has been adsorbed by the adsorbing member by the driving method according to claim 10.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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ID=90192283
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Country Status (2)
Country | Link |
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JP (1) | JP2024037209A (en) |
WO (1) | WO2024053192A1 (en) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4609757B2 (en) * | 2005-02-23 | 2011-01-12 | 三井造船株式会社 | Substrate mounting method in film forming apparatus |
JP7177128B2 (en) * | 2020-09-30 | 2022-11-22 | キヤノントッキ株式会社 | Film deposition apparatus, detection apparatus, detection method, and electronic device manufacturing method |
-
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2024053192A1 (en) | 2024-03-14 |
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