JP2024036802A - 静電チャック装置 - Google Patents

静電チャック装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2024036802A
JP2024036802A JP2022141282A JP2022141282A JP2024036802A JP 2024036802 A JP2024036802 A JP 2024036802A JP 2022141282 A JP2022141282 A JP 2022141282A JP 2022141282 A JP2022141282 A JP 2022141282A JP 2024036802 A JP2024036802 A JP 2024036802A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flow path
central axis
electrostatic chuck
circular arc
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022141282A
Other languages
English (en)
Inventor
勇貴 金原
拓 一由
敏祥 乾
徹 菅又
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Osaka Cement Co Ltd filed Critical Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Priority to JP2022141282A priority Critical patent/JP2024036802A/ja
Priority to US18/365,514 priority patent/US20240075575A1/en
Publication of JP2024036802A publication Critical patent/JP2024036802A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23QDETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q11/00Accessories fitted to machine tools for keeping tools or parts of the machine in good working condition or for cooling work; Safety devices specially combined with or arranged in, or specially adapted for use in connection with, machine tools
    • B23Q11/12Arrangements for cooling or lubricating parts of the machine
    • B23Q11/126Arrangements for cooling or lubricating parts of the machine for cooling only
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23QDETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • B23Q3/154Stationary devices
    • B23Q3/1543Stationary devices using electromagnets
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】均熱性が高い静電チャック装置を提供する。【解決手段】板状試料を載置する載置面を有し内部に静電吸着用電極が設けられる板状の静電チャック部と、中心軸線を中心とする円盤状であり支持面において静電チャック部を載置面の反対側から支持するベース部と、を備え、ベース部の内部には、支持面に沿って延びる冷媒流路が設けられ、冷媒流路は、中心軸線の軸方向から見て板状試料の外縁と重なる外周流路部と、外周流路部よりも径方向内側に配置され少なくとも一部が中心軸線周りに渦巻状に延びる内周流路部と、を有し、内周流路部の流路断面積は、中心軸線から離れるに従い大きくなる、静電チャック装置。【選択図】図2

Description

本発明は、静電チャック装置に関するものである。
プラズマエッチング装置、プラズマCVD装置等のプラズマを用いた半導体製造装置においては、載置面に簡単にウエハを取付け、固定するとともに、ウエハを所望の温度に維持する装置として静電チャック装置が使用されている。特許文献1には、載置面を含む板状セラミック体と、内部に冷却媒体を流す冷却通路が設けられたベース部材とを有する構成が知られている。
特開2007-035878号公報
近年、半導体を用いたデバイスは高集積化される傾向にある。そのため、デバイスの製造時には、配線の微細加工技術や三次元実装技術が必要とされている。このような加工技術を実施するにあたり、半導体製造装置には、ウエハの面内の温度分布(温度差)を低減させることが求められる。従来技術では、ウエハの面内温度分布を所望の温度差にまで低減させることができないことがあり、改善が求められていた。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、均熱性が高い静電チャック装置を提供することを目的とする。
すなわち、本発明は、下記[1]~[6]の発明を包含する。
以下の発明は必要に応じて2つ以上組み合わせることも好ましい。
[1] 板状試料を載置する載置面を有し内部に静電吸着用電極が設けられる板状の静電チャック部と、中心軸線を中心とする円盤状であり支持面において前記静電チャック部を前記載置面の反対側から支持するベース部と、を備え、前記ベース部の内部には、前記支持面に沿って延びる冷媒流路が設けられ、前記冷媒流路は、前記中心軸線の軸方向から見て前記板状試料の外縁と重なる外周流路部と、前記外周流路部よりも径方向内側に配置され少なくとも一部が前記中心軸線周りに渦巻状に延びる内周流路部と、を有し、前記内周流路部の流路断面積は、前記中心軸線から離れるに従い小さくなる、静電チャック装置。
[2] 前記内周流路部は、前記中心軸線から離れるに従い幅寸法が小さくなる、[1]に記載の静電チャック装置。
[3] 前記内周流路部は、周方向に沿って曲率半径を大きくしながら前記中心軸線から連続的に離間し、径方向外側に向かうに従い幅寸法を連続的に小さくする、[2]に記載の静電チャック装置。
[4] 前記内周流路部は、前記中心軸線を中心として円弧状に延び同心円状に配置される複数の円弧部を有し、複数の前記円弧部のうち径方向外側に位置する円弧部は、径方向内側に位置する円弧部よりも幅寸法が小さい、[2]に記載の静電チャック装置。
[5] 前記外周流路部の流路断面積は、前記内周流路部の流路断面積よりも大きい、[1]~[4]の何れか一項に記載の静電チャック装置。
[6] 板状試料を載置する載置面を有し内部に静電吸着用電極が設けられる板状の静電チャック部と、中心軸線を中心とする円盤状であり支持面において前記静電チャック部を前記載置面の反対側から支持するベース部と、を備え、前記ベース部の内部には、前記支持面に沿って延びる冷媒流路が設けられ、前記ベース部は、前記冷媒流路を径方向に区画して前記中心軸線Jを中心とする渦巻状に画定する壁部を有し、前記壁部の径方向寸法は、前記中心軸線から離れるに従い小さくなる、静電チャック装置。
[7] 前記壁部は、周方向に沿って曲率半径を大きくしながら前記中心軸線から連続的に離間し、径方向外側に向かうに従い径方向寸法を連続的に小さくなる、[6]に記載の静電チャック装置。
[8] 前記壁部は、前記中心軸線を中心として円弧状に延び同心円状に配置される複数の円弧壁を有し、複数の前記円弧壁のうち径方向外側に位置する円弧壁は、径方向内側に位置する円弧壁よりも径方向寸法が小さい、[6]に記載の静電チャック装置。
本発明によれば、均熱性が高い静電チャック装置を提供することができる。
第1実施形態の静電チャック装置を示す断面図である。 第1実施形態の冷媒流路を示す模式図である。 第2実施形態の冷媒流路を示す模式図である。
以下、図面を基に、本実施形態に係る静電チャック装置について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。
なお、本明細書においては、「静電チャック部(又は載置面)の面内温度分布(温度差)の度合い」のことを「均熱性」と称することがある。「均熱性が高い」とは、静電チャック部の載置面のうち板状試料を搭載する領域の面内温度分布が小さいことを意味する。
<第1実施形態>
図1は、第1実施形態の静電チャック装置1を示す断面図である。
静電チャック装置1は、板状の静電チャック部2と、ヒータエレメント5と、円盤状のベース部3と、を有する。静電チャック装置1は、中心軸線Jを中心とする円盤状である。静電チャック部2、ヒータエレメント5、およびベース部3は、中心軸線Jの軸方向に沿ってこの順で積層される。
以下の説明において、中心軸線Jを中心として静電チャック装置1の各部の方向を説明する。以下の説明において、中心軸線Jの軸方向を単に「軸方向」と呼び、中心軸線Jを中心とする径方向を単に「径方向」と呼び、中心軸線Jを中心とする周方向を単に「周方向」と呼ぶ場合がある。また、以下の説明において、中心軸線Jが延びる方向を上下方向と一致させた姿勢で各部の上下方向を規定する。しかしながら、静電チャック装置1の使用時の姿勢は限定されない。
(静電チャック部)
静電チャック部2は、上面を半導体ウエハ等の円形の板状試料Wを載置する載置面11aとした載置板11と、載置板11と一体化され前記載置板11の底部側を支持する支持板12と、これら載置板11と支持板12との間に設けられた静電吸着用電極13、および静電吸着用電極13の周囲を絶縁する絶縁材層14と、を有する。すなわち、静電チャック部2は、板状試料Wを載置する載置面11aを有し内部に静電吸着用電極13が設けられる。
載置板11および支持板12は、重ね合わせた面の形状を同じくする円盤状の部材である。載置板11および支持板12は、機械的な強度を有し、かつ腐食性ガスおよびそのプラズマに対する耐久性を有する、セラミックス焼結体からなる。載置板11および支持板12について、詳しくは後述する。
載置板11の載置面11aには、直径が板状試料の厚さより小さい突起部11bが複数所定の間隔で形成され、これらの突起部11bが板状試料Wを支える。
また、載置面11aの周縁には、周縁壁17が形成されている。周縁壁17は、突起部11bと同じ高さに形成されており、突起部11bとともに板状試料Wを支持する。
静電吸着用電極13は、電荷を発生させて静電吸着力で板状試料Wを固定するための静電チャック用電極として用いられる。静電吸着用電極13は、その用途によって、その形状や、大きさが適宜調整される。
静電吸着用電極13は任意に選択される材料から構成できる。例えば、酸化アルミニウム-炭化タンタル(Al-Ta)導電性複合焼結体、酸化アルミニウム-タングステン(Al-W)導電性複合焼結体、酸化アルミニウム-炭化ケイ素(Al-SiC)導電性複合焼結体、窒化アルミニウム-タングステン(AlN-W)導電性複合焼結体、窒化アルミニウム-タンタル(AlN-Ta)導電性複合焼結体、酸化イットリウム-モリブデン(Y-Mo)導電性複合焼結体等の導電性セラミックス、あるいは、タングステン(W)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)等の高融点金属により形成されることが好ましい。
静電吸着用電極13は、スパッタ法や蒸着法等の成膜法、あるいはスクリーン印刷法等の塗工法により容易に形成することができる。
絶縁材層14は、静電吸着用電極13を囲繞して腐食性ガスおよびそのプラズマから静電吸着用電極13を保護する。また絶縁材層14は、載置板11と支持板12との境界部を、すなわち静電吸着用電極13以外の外周部領域を、接合一体化する。絶縁材層14は、載置板11および支持板12を構成する材料と同一組成または主成分が同一の絶縁材料により構成されている。
(ヒータエレメント)
ヒータエレメント5は、静電チャック部2を加熱する。ヒータエレメント5は、静電チャック部2の下面側に配置される。ヒータエレメント5の構造や材料は、任意に選択できる。例を挙げれば、厚さが0.2mm以下、好ましくは0.1mm程度の一定の厚さを有する非磁性金属薄板を、例えばチタン(Ti)薄板、タングステン(W)薄板、およびモリブデン(Mo)薄板等を、フォトリソグラフィー法やレーザー加工により、所望のヒータ形状、例えば帯状の導電薄板を蛇行させた形状などであって、全体輪郭が円環状の形状など、に加工することで得られる。
ヒータエレメント5は、静電チャック部2に非磁性金属薄板を接着した後に、静電チャック部2の表面で加工成型することで設けてもよい。静電チャック部2とは異なる位置でヒータエレメント5を別途加工成形したものを、静電チャック部2の表面に転写印刷することで設けてもよい。
ヒータエレメント5は、厚さの均一な耐熱性および絶縁性を有する、シート状またはフィルム状のシリコーン樹脂またはアクリル樹脂などからなる接着剤4により、支持板12の底面に接着および固定されている。
静電チャック部2とベース部3とは、静電チャック部2とベース部3の間に設けられた接着剤層8を介して接着されている。接着剤層8は、例えば、シリコーン系樹脂組成物を加熱硬化した硬化体またはアクリル樹脂で形成されている。接着剤層8は、例えば、流動性を有する樹脂組成物を静電チャック部2とベース部3の間に配置した後に、加熱硬化させることで形成することが好ましい。これにより、静電チャック部2とベース部3と間の凹凸が、接着剤層8により充填され、接着剤層8に空隙や欠陥が生じ難くなる。そのため、接着剤層8の熱伝導特性を面内に均一にすることができ、静電チャック部2の均熱性を高めることができる。
(ベース部)
ベース部3は、静電チャック部2を冷却する。ベース部3は、中心軸線Jを中心とする円盤状である。ベース部3は、静電チャック部2を支持する支持面3aと、支持面3aの反対側を向く底面3bと、を有する。静電チャック部2は、支持面3aにおいて静電チャック部2を載置面11aの反対側から支持する。
ベース部3を構成する材料としては、熱伝導性、導電性、および加工性に優れた金属、またはこれらの金属を含む複合材であれば特に制限はなく、例えば、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金、銅(Cu)、チタン(Ti)、銅合金、ステンレス鋼(SUS)等が好適に用いられる。ベース部3の少なくともプラズマに曝される面は、アルマイト処理が施されているか、あるいはアルミナ等の絶縁膜が成膜されていることが好ましい。
ベース部3の内部には、冷媒が流動する冷媒流路40が設けられる。冷媒流路40には、ベース部3の外部から冷媒流路40内に冷媒を引き込む流入口40aと、冷媒流路40内の冷媒をベース部3の外部に排出する流出口40bと、が設けられる。流入口40aおよび流出口40bは、ベース部3の底面3bに開口している。なお、図1において、流入口40aおよび流出口40bの径方向の位置は模式化されて図示されており、実際の配置を表すものではない。
冷媒流路40は、支持面3aに沿って延びる。すなわち、冷媒流路40は、中心軸線Jと直交する平面に沿って延びる。冷媒流路40は、全長に亘って流路断面が矩形状である。本実施形態の冷媒流路40は、冷媒流路40の軸方向寸法Dxは、冷媒流路40の全長に亘って一様である。冷媒流路40は、上側部材35と下側部材36とを有する。上側部材35は、軸方向を厚さ方向とする板状の部材である。また、下側部材36は、上側部材35より軸方向の厚さ寸法が大きい板状の部材である。
下側部材36の上面には、上側に開口する凹溝31gが設けられる。下側部材36において、凹溝31g同士の間の部分は、壁部50を構成する。すなわち、ベース部3は、壁部50を有する。壁部50は、凹溝31g同士を区画する。
凹溝31gの開口は、上側部材35に覆われる。冷媒は、凹溝31gの内側面および上側部材35で囲まれる領域に流れる。すなわち、冷媒流路40は、凹溝31gの内側面、および上側部材35の下面に囲まれる領域に構成される。また、壁部50は、冷媒流路40を径方向に区画する。上側部材35の下面と下側部材36の上面とは、ロウ付けなどの接合手段によって互いに接合される。
図2は、本実施形態の冷媒流路40の模式図である。
本実施形態の冷媒流路40は、中心軸線Jに対し径方向外側に広がる渦巻状である。本実施形態の冷媒流路40は、全長に亘って一つながりである。本実施形態において、冷媒流路40は、周方向に沿って曲率半径を大きくしながら中心軸線Jから連続的に離間する。冷媒流路40の径方向に重なる部分同士の間には、壁部50が位置する。壁部50は、冷媒流路40を、中心軸線Jを中心とする渦巻状に画定する。
冷媒流路40は、外周流路部41と、内周流路部42とを有する。外周流路部41は、冷媒流路40の全長のうち、最外周の領域に位置しており、中心軸線Jを中心として周方向に1周以下だけ延びる領域である。一方で、内周流路部42は、冷媒流路40の全長のうち、外周流路部41よりも径方向内側に配置される。外周流路部41と内周流路部42とは、互いに連結している。本実施形態において、流入口40aは、外周流路部41に設けられ、流出口40bは、内周流路部42に設けられる。したがって、本実施形態の冷媒は、外周流路部41、内周流路部42の順で冷媒流路40内を流れる。
外周流路部41は、冷媒流路40において最外周に配置される。外周流路部41は、中心軸線Jに対して約3/4周だけ円弧状に延びる。外周流路部41の一端には、流入口40aが設けられる。また、外周流路部41の他端は、内周流路部42が接続される。外周流路部41は、軸方向から見て板状試料Wの外縁Waと重なる。
外周流路部41は、全長に亘って幅寸法が一様である。本実施形態の冷媒流路40は、全長に亘って流路断面が矩形状であり、軸方向寸法が一様である。したがって、外周流路部41は、全長に亘って流路断面積が一様である。
内周流路部42は、中心軸線Jを中心として略一周半だけ旋回して延びる渦巻状である。内周流路部42の一端は、外周流路部41に接続される。また、内周流路部42の他端には、流出口40bが設けられる。
内周流路部42は、径方向外側に向かうに従い幅寸法を連続的に小さくする。このため、内周流路部42は、径方向外側に向かうに従い流路断面積が連続的に小さくなる。
壁部50は、中心軸線Jを中心として1周と約3/4周だけ旋回して延びる渦巻状である。本実施形態において、壁部50は、周方向に沿って曲率半径を大きくしながら中心軸線Jから連続的に離間する。壁部50は、内周側の領域50Aで内周流路部42同士の間に位置しこれらを画定する。また、壁部50は、外周側の領域50Bで外周流路部41と内周流路部42との間に位置しこれらを画定する。
壁部50の径方向寸法は、中心軸線Jから離れるに従い連続的に小さくなる。したがって、冷媒流路40は、径方向に重なって配置される部分同士の径方向の距離が、中心軸線Jから離れるに従い連続的に小さくなる。
(その他の構成)
静電チャック装置1は、静電チャック部2を軸方向に貫通する不図示のガス供給孔、およびリフトピン挿通孔を有していてもよい。ガス供給孔およびリフトピン挿通孔は、載置面11aに開口する。ガス供給孔には、He等の冷却ガスが供給される。ガス導入孔から導入された冷却ガスは、載置面11aと板状試料Wの下面と間の隙間や、複数の突起部11bの間を流れ板状試料Wを冷却する。リフトピン挿通孔には、板状試料Wを支持し、板状試料Wを上下動させる不図示のリフトピンが挿通される。
(第1実施形態の作用効果)
本実施形態の外周流路部41は、中心軸線Jの軸方向から見て板状試料Wの外縁Waと重なる。また、本実施形態の内周流路部42は、外周流路部41よりも径方向内側に配置される。ベース部3は、静電チャック部2のうち軸方向から見て板状試料Wと重なる領域を積極的に冷却することで板状試料Wの温度を一定に保つ。本実施形態によれば、内周流路部42は、軸方向から見て板状試料の外縁Waの内側に配置され、軸方向から見て静電チャック部2の板状試料Wと重なる領域を冷却する。一方で、外周流路部41は、軸方向から見て板状試料Wの外縁Waの内側の領域と外側の領域との境界部の静電チャック部2を冷却する。本実施形態によれば、内周流路部42と外周流路部41とを設け、それぞれの流路構成を最適化することで、板状試料Wの外縁Waの近傍まで、静電チャック部2の均熱性を高めることができる。
本実施形態において、内周流路部42は、少なくとも一部が中心軸線J周りに渦巻状に延びる。また、内周流路部42の流路断面積は、中心軸線Jから離れるに従い小さくなる。流路の冷媒の流速は、流路の流路断面積が小さくなるほど高まり、それに伴い冷媒分子と流路内側面との衝突頻度が高まり、熱伝達が活発になる。一方で、渦巻状の内周流路部42では、中心軸線Jに近ければ近いほど曲率半径が小さいため圧力損失が大きくなり、それに伴い冷媒と流路の内側面との間の熱伝達が活発になる。本実施形態によれば、中心軸線Jから離間して内周流路部42の曲率半径が大きくなることに伴う冷却能力の低下を、流路断面積を小さくすることに伴う冷却能力の上昇によって相殺することができる。これにより、中心軸線Jに近接する領域と離間する領域との間の冷却能力の差を小さくすることができる。すなわち、本実施形態によれば、内周流路部42の流路断面積を径方向外側で小さくすることで中心軸線Jから離れた領域でベース部3の冷却能力を高め、これにより静電チャック部2の載置面11aの均熱性を高めることができる。
本実施形態の内周流路部42は、中心軸線Jから離れるに従い幅寸法が小さくなる。すなわち、本実施形態によれば、幅方向寸法の変化によって内周流路部42の流路断面積を変化させている。このため、本実施形態の内周流路部42は、横断面形状を矩形状として内周流路部42の軸方向に沿う寸法が一様とすることができる。本実施形態によれば、エンドミルなどの工具を用いて均一な深さの凹溝31g(図1参照)を加工して冷媒流路40を製造することができ、ベース部3の製造工程を簡素化することできる。
本実施形態の内周流路部42は、周方向に沿って曲率半径を大きくしながら中心軸線Jから連続的に離間し、径方向外側に向かうに従い幅寸法を連続的に小さくする。本実施形態によれば、内周流路部42を、周方向に沿って連続的に曲率半径を大きくする渦巻状とすることで、内周流路部42を緻密かつ均一に配置することができる。これにより、ベース部3により静電チャック部2を均一に冷却することができ、静電チャック部2の載置面11aの均熱性を高めることができる。加えて、本実施形態の内周流路部42は、曲率半径の連続的な増大にしたがい、幅寸法を連続的に小さくする。これにより、内周流路部42の冷却能力を連続的に変化させることができ、冷却能力の特異点が発生することを抑制して静電チャック部2の載置面11aの均熱性を高めることができる。
本実施形態の外周流路部41の流路断面積は、内周流路部42の流路断面積よりも大きい。したがって、外周流路部41の幅寸法は、内周流路部42の幅寸法よりも大きい。外周流路部41は、軸方向から見て板状試料Wの外縁Waに重なるため、外縁Waより径方向外側の部分では直上に板状試料Wが配置されない。したがって、外周流路部41は、外縁Waよりも径方向外側の部分において流路断面積を大きくしても、直上の静電チャック部2を十分に冷却することができる。
本実施形態のベース部3において、壁部50の径方向寸法は、中心軸線Jから離れるに従い小さくなる。壁部50の径方向寸法が小さくなることで、当該壁部50を介して径方向に並ぶ冷媒流路40同士の距離が近づく。すなわち、壁部50の径方向寸法が小さくなることで、冷媒流路40の密集度が高まって当該領域の冷却能力が高まる。本実施形態によれば、壁部50の径方向寸法を径方向外側で小さくすることで、中心軸線Jから離れた領域の冷却能力を高めることができ、静電チャック部2の載置面11aの均熱性を高めることができる。
特に本実施形態では、壁部50は、周方向に沿って曲率半径を大きくしながら中心軸線Jから連続的に離間し、径方向外側に向かうに従い径方向寸法を連続的に小さくする。これにより、内周流路部42の冷却能力を径方向外側に向かって連続的に変化させることができ、静電チャック部2の載置面11aの均熱性を高めることができる。
本実施形態において、流入口40aは、冷媒流路40の径方向の外側の端部に設けられ、流出口40bは、冷媒流路40の径方向の内側の端部に設けられる。したがって、冷媒流路40中の冷媒は、径方向外端から径方向内端に向かって渦巻状に流れる。上述したように、冷媒流路40は、中心軸線Jから離間し曲率半径が大きい領域では冷却能力を高める必要がある。本実施形態によれば、冷却の必要性が高い径方向外側の領域に、温度の低い冷媒を通過させることで、静電チャック部2の均熱性を高めることができる。
<第2実施形態>
図3は、第2実施形態の冷媒流路140の模式図である。以下に図3を基に第2実施形態の冷媒流路140について説明する。なお、上述の実施形態と同様の構成態様については、同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
本実施形態の冷媒流路140は、中心軸線Jの近傍で折り返す二重の渦巻状である。冷媒流路140の二重の渦巻きは、中心軸線Jに対し径方向外側に広がる。本実施形態の冷媒流路140は、全長に亘って一つながりである。本実施形態の冷媒流路140は、全長に亘って流路断面が矩形状であり、軸方向寸法が一様である。壁部150は、冷媒流路140の径方向に重なる部分同士の間に位置する。壁部150は、冷媒流路140を、中心軸線Jを中心とする渦巻状に画定する。
冷媒流路140は、外周流路部141と、外周流路部141よりも径方向内側に配置される内周流路部142とを有する。外周流路部141と内周流路部142とは、互いに連結している。本実施形態において、流入口140aは、内周流路部142に設けられ、流出口140bは、外周流路部141に設けられる。したがって、本実施形態の冷媒は、内周流路部142、外周流路部141の順で冷媒流路40内を流れる。
外周流路部141は、冷媒流路140において最外周に配置される。外周流路部141は、中心軸線Jに対して約3/4周だけ円弧状に延びる。外周流路部141の一端には、内周流路部142が接続される。外周流路部141の他端には、流出口140bが設けられる。また、外周流路部141は、軸方向から見て板状試料Wの外縁Waと重なる。外周流路部141は、全長に亘って幅寸法が一様である。したがって、外周流路部141は、全長に亘って流路断面積が一様である。
内周流路部142は、第1円弧部142Aと第2円弧部142Bと第3円弧部142Cと第1連結部143Aと第2連結部143Bと第3連結部143Cとを有する。第1円弧部142A、第2円弧部142B、および第3円弧部142Cは、中心軸線Jを中心として円弧状に延びる。第1円弧部142A、第2円弧部142B、および第3円弧部142Cは、中心軸線Jを中心として同心円状に配置される。
第1円弧部142Aは、内周流路部142の最内周に位置する。第1円弧部142Aは、中心軸線Jに対して約3/4周だけ円弧状に延びる。第1円弧部142Aの一端には、第1連結部143Aが接続される。また、第1円弧部142Aの他端には、第2連結部143Bが接続される。第1円弧部142Aは、全長に亘って幅寸法が一様である。したがって、第1円弧部142Aは、全長に亘って流路断面積が一様である。
第2円弧部142Bは、第1円弧部142Aの径方向外側に位置する。第2円弧部142Bは、径方向において、第1円弧部142Aと第3円弧部142Cとの間に位置する。第2円弧部142Bは、中心軸線Jに対して約3/4周だけ円弧状に延びる。第2円弧部142Bの一端には、第1連結部143Aが接続される。また、第2円弧部142Bの他端には、第3連結部143Cが接続される。第2円弧部142Bは、全長に亘って幅寸法が一様である。したがって、第2円弧部142Bは、全長に亘って流路断面積が一様である。
第3円弧部142Cは、第2円弧部142Bの径方向外側に位置する。第3円弧部142Cは、径方向において、第2円弧部142Bと外周流路部141との間に位置する。第3円弧部142Cは、中心軸線Jに対して約3/4周だけ円弧状に延びる。第3円弧部142Cの一端には、第2連結部143Bが接続される。また、第3円弧部142Cの他端には、流入口140aが設けられる。第3円弧部142Cは、全長に亘って幅寸法が一様である。したがって、第3円弧部142Cは、全長に亘って流路断面積が一様である。
第2円弧部142Bの幅寸法D2は、第1円弧部142Aの幅寸法D1よりも小さい(D2<D1)。また、第3円弧部142Cの幅寸法D3は、第2円弧部142Bの幅寸法D2よりも小さい(D3<D2)。すなわち、複数の円弧部142A、142B、142Cのうち、他の円弧部よりも径方向外側に位置する円弧部は、他の円弧部よりも径方向寸法が小さい(D3<D2<D1)。さらに、外周流路部141の幅寸法D4は、内周流路部142の何れの位置の幅寸法よりも大きい(D4>D1、D4>D2、D4>D3)。すなわち、外周流路部141の幅寸法D4は、内周流路部142の幅寸法D1、D2、D3よりも大きい。
第1連結部143Aは、第1円弧部142Aの一端と第2円弧部142Bの一端とを繋ぐ。本実施形態において、第1円弧部142Aの一端と第2円弧部142Bの一端とは、径方向に並んで配置される。第1連結部143Aは、ヘアピン状に折り返すように第1円弧部142Aと第2円弧部142Bとを繋ぐ。第1連結部143Aは、第1円弧部142A側の端部から第2円弧部142B側の端部に向かって徐々に幅寸法を小さくする。
第1連結部143Aは、互いに対向する内コーナ面144と外コーナ面145とを有する。内コーナ面144は、中心点C1を中心とする半円状の円弧面である。また、外コーナ面145は、中心点C2を中心とする半円状の円弧面である。内コーナ面144の曲率半径は、外コーナ面145の曲率半径よりも小さい。また、内コーナ面144の中心点C1と、外コーナ面145の中心点C2とは、互いに異なる位置に配置される。すなわち、内コーナ面144と外コーナ面145とは、それぞれ異なる中心を有する円弧面である。これにより、第1連結部143Aは、幅寸法が互いに異なる第1円弧部142Aと第2円弧部142Bとを滑らかに繋ぐ。
第2連結部143Bは、第1円弧部142Aの他端と第3円弧部142Cの一端とを繋ぐ。第2連結部143Bは、ヘアピン状に折り返すように第1円弧部142Aと第3円弧部142Cとを繋ぐ。第2連結部143Bは、第1連結部143Aよりも大きな曲率半径で第1連結部143Aに沿って延びる。第2連結部143Bは、第1円弧部142A側の端部から第3円弧部142C側の端部に向かって徐々に幅寸法を小さくする。第2連結部143Bは、第1連結部143Aと同様の内コーナ面と外コーナ面とを有することで、第1円弧部142Aと第3円弧部142Cとを滑らかに繋ぐ。
第3連結部143Cは、第2円弧部142Bの他端と外周流路部141の一端とを繋ぐ。第3連結部143Cは、ヘアピン状に折り返すように第2円弧部142Bと外周流路部141とを繋ぐ。第3連結部143Cは、第2連結部143Bよりも大きな曲率半径で第2連結部143Bに沿って延びる。第3連結部143Cは、第2円弧部142B側の端部から外周流路部141側の端部に向かって徐々に幅寸法を大きくする。第3連結部143Cは、第1連結部143Aと同様の内コーナ面と外コーナ面とを有することで、第2円弧部142Bと外周流路部141とを滑らかに繋ぐ。
壁部150は、第1円弧壁150Aと第2円弧壁150Bと第3円弧壁150Cとを有する。第1円弧壁150A、第2円弧壁150B、および第3円弧壁150Cは、中心軸線Jを中心として円弧状に延びる。また、第1円弧壁150A、第2円弧壁150B、および第3円弧壁150Cは、中心軸線Jを中心として同心円状に配置される。
第1円弧壁150Aは、中心軸線Jに対して約3/4周だけ円弧状に延びる。第1円弧壁150Aは、径方向において第1円弧部142Aと第2円弧部142Bとの間に位置しこれらを画定する。第1円弧壁150Aは、全長に亘って径方向寸法が一様である。
第2円弧壁150Bは、中心軸線Jに対して約3/4周だけ円弧状に延びる。第2円弧壁150Bは、径方向において第2円弧部142Bと第3円弧部142Cとの間に位置しこれらを画定する。第2円弧壁150Bは、全長に亘って径方向寸法が一様である。
第3円弧壁150Cは、中心軸線Jに対して約3/4周だけ円弧状に延びる。第3円弧壁150Cは、径方向において第3円弧部142Cと外周流路部141との間に位置しこれらを画定する。第3円弧壁150Cは、全長に亘って径方向寸法が一様である。
第2円弧壁150Bの径方向寸法E2は、第1円弧壁150Aの径方向寸法E1よりも小さい(E2<E1)。また、第3円弧壁150Cの径方向寸法E3は、第2円弧壁150Bの径方向寸法E2よりも小さい(E3<E2)。すなわち、複数の円弧壁150A、150B、150Cのうち、他の円弧壁よりも径方向外側に位置する円弧壁は、他の円弧壁よりも径方向寸法が小さい(E3<E2<E1)。
(第2実施形態の作用効果)
本実施形態のベース部103によれば、上述の実施形態と同様に、内周流路部142の流路断面積が中心軸線Jから離れるに従い小さくなることで、中心軸線Jから離れた領域での冷却能力を高め、静電チャック部2の載置面11aの均熱性を高めることができる。また、本実施形態のベース部103によれば、上述の実施形態と同様に、外周流路部141の流路断面積が、内周流路部142の流路断面積よりも小さい。これにより、静電チャック部2を十分に冷却することができる。
本実施形態の内周流路部142は、中心軸線Jを中心として円弧状に延び同心円状に配置される複数の円弧部142A、142B、142Cを有する。また、複数の円弧部142A、142B、142Cのうち径方向外側に位置する円弧部は、径方向内側に位置する円弧部よりも幅寸法が小さい。本実施形態によれば、複数の円弧部142A、142B、142Cが同心円状に並ぶために、複数の円弧部142A、142B、142Cを緻密に配置しやすく、ベース部103によって静電チャック部2を均一に冷却しやすくできる。さらに、円弧部142A、142B、142Cの幅寸法D1、D2、D3を上述の関係(D1>D2>D3)とすることで、中心軸線Jから離れた領域の冷却能力を高めて、静電チャック部2の均熱性を高めることができる。加えて、複数の円弧部142A、142B、142Cの幅方向を、それぞれ周方向に沿って一様なとする場合には、円弧部142A、142B、142Cの製造工程を簡素化することができる。
本実施形態のベース部103において、壁部150は、中心軸線Jを中心として円弧状に延び同心円状に配置される複数の円弧壁150A、150B、150Cを有し、複数の円弧壁150A、150B、150Cのうち、他の円弧壁よりも径方向外側に位置する円弧壁は、他の円弧壁よりも径方向寸法が小さい。本実施形態によれば、複数の円弧壁150A、150B、150Cが同心円状に並ぶために、円弧壁150A、150B、150Cを緻密に配置しやすく、ベース部103によって静電チャック部2を均一に冷却しやすくできる。さらに、円弧部142A、142B、142Cの径方向寸法E1、E2、E3を上述の関係(E1>E2>E3)とすることで、中心軸線Jから離れた領域の冷却能力を高めて、静電チャック部2の均熱性を高めることができる。
本実施形態において、流入口140a、および流出口140bのうち、一方は内周流路部142の最外周に位置し、他方は外周流路部141に位置する。すなわち、流入口140a、および流出口140bは、ともに冷媒流路140の外周側に偏って配置される。これにより、ベース部103の中心軸線Jの近傍に流入口140a、および流出口140bが配置されることがなく、中心軸線Jの近傍に貫通孔などの他の構成を配置しやすくなる。また、冷媒流路140内の冷媒は、流入口140aから流出口140bに流れるに従い徐々に温度が上昇する。本実施形態によれば、流入口140a、および流出口140bをともに、径方向の一方側に偏って配置することで、冷媒の温度上昇の影響で静電チャック部2の径方向内外に温度勾配が生じることを抑制することができ、静電チャック部2の均熱性を高める事ができる。
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
例えば、上述の各実施形態では、冷媒流路の流路断面が矩形状であり軸方向寸法が全長に亘って一様である場合について説明したが、冷媒流路の断面形状は上述の実施形態に限定されない。例えば、冷媒流路は、軸方向寸法を異ならせることで冷媒流路の流路断面積を変化させてもよい。
1…静電チャック装置、2…静電チャック部、3,103…ベース部、3a…支持面、11a…載置面、13…静電吸着用電極、40,140…冷媒流路、41,141…外周流路部、42,142…内周流路部、50,150…壁部、142A,142B,142C…円弧部、150A,150B,150C…円弧壁、D1,D2,D3,D4…幅寸法、E1,E2,E3…径方向寸法、J…中心軸線、W…板状試料、Wa…外縁

Claims (8)

  1. 板状試料を載置する載置面を有し内部に静電吸着用電極が設けられる板状の静電チャック部と、
    中心軸線を中心とする円盤状であり支持面において前記静電チャック部を前記載置面の反対側から支持するベース部と、を備え、
    前記ベース部の内部には、前記支持面に沿って延びる冷媒流路が設けられ、
    前記冷媒流路は、
    前記中心軸線の軸方向から見て前記板状試料の外縁と重なる外周流路部と、
    前記外周流路部よりも径方向内側に配置され少なくとも一部が前記中心軸線周りに渦巻状に延びる内周流路部と、を有し、
    前記内周流路部の流路断面積は、前記中心軸線から離れるに従い小さくなる、
    静電チャック装置。
  2. 前記内周流路部は、前記中心軸線から離れるに従い幅寸法が小さくなる、
    請求項1に記載の静電チャック装置。
  3. 前記内周流路部は、周方向に沿って曲率半径を大きくしながら前記中心軸線から連続的に離間し、径方向外側に向かうに従い幅寸法を連続的に小さくする、
    請求項2に記載の静電チャック装置。
  4. 前記内周流路部は、
    前記中心軸線を中心として円弧状に延び同心円状に配置される複数の円弧部を有し、
    複数の前記円弧部のうち径方向外側に位置する円弧部は、径方向内側に位置する円弧部よりも幅寸法が小さい、
    請求項2に記載の静電チャック装置。
  5. 前記外周流路部の流路断面積は、前記内周流路部の流路断面積よりも大きい、
    請求項1~4の何れか一項に記載の静電チャック装置。
  6. 板状試料を載置する載置面を有し内部に静電吸着用電極が設けられる板状の静電チャック部と、
    中心軸線を中心とする円盤状であり支持面において前記静電チャック部を前記載置面の反対側から支持するベース部と、を備え、
    前記ベース部の内部には、前記支持面に沿って延びる冷媒流路が設けられ、
    前記ベース部は、前記冷媒流路を径方向に区画して前記中心軸線Jを中心とする渦巻状に画定する壁部を有し、
    前記壁部の径方向寸法は、前記中心軸線から離れるに従い小さくなる、
    静電チャック装置。
  7. 前記壁部は、周方向に沿って曲率半径を大きくしながら前記中心軸線から連続的に離間し、径方向外側に向かうに従い径方向寸法を連続的に小さくなる、
    請求項6に記載の静電チャック装置。
  8. 前記壁部は、
    前記中心軸線を中心として円弧状に延び同心円状に配置される複数の円弧壁を有し、
    複数の前記円弧壁のうち径方向外側に位置する円弧壁は、径方向内側に位置する円弧壁よりも径方向寸法が小さい、
    請求項6に記載の静電チャック装置。
JP2022141282A 2022-09-06 2022-09-06 静電チャック装置 Pending JP2024036802A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022141282A JP2024036802A (ja) 2022-09-06 2022-09-06 静電チャック装置
US18/365,514 US20240075575A1 (en) 2022-09-06 2023-08-04 Electrostatic chuck device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022141282A JP2024036802A (ja) 2022-09-06 2022-09-06 静電チャック装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2024036802A true JP2024036802A (ja) 2024-03-18

Family

ID=90061226

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022141282A Pending JP2024036802A (ja) 2022-09-06 2022-09-06 静電チャック装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20240075575A1 (ja)
JP (1) JP2024036802A (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
US20240075575A1 (en) 2024-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4881319B2 (ja) 基板を空間的かつ時間的に温度制御するための装置
TWI605539B (zh) Electrostatic chuck
JP5635001B2 (ja) 結合リングをクロック回転させることによって調整可能な静電チャックとホットエッジリングとの間の熱的接触
US10553473B2 (en) Edge ring for a substrate processing chamber
JP5478065B2 (ja) ロウ付けプレートおよび抵抗ヒーターを有する基板サポート
JP6226092B2 (ja) 静電チャック
TWI657522B (zh) 靜電吸盤
JP7216746B2 (ja) セラミックヒータ
JP7259765B2 (ja) 静電チャック装置
JP7290687B2 (ja) 静電チャック及びその製造方法と基板処理装置
US20230139249A1 (en) Thermal diffuser for a semiconductor wafer holder
JP6520160B2 (ja) 静電チャック装置
JP4540407B2 (ja) 静電チャック
JP7047694B2 (ja) 静電チャック装置
JP2024036802A (ja) 静電チャック装置
JP2022003667A (ja) 保持装置
JP6296770B2 (ja) 基板載置装置
TW201812985A (zh) 靜電吸盤
JP2023183566A (ja) 保持装置
JP2023069614A (ja) ウエハ載置台
WO2024079880A1 (ja) ウエハ載置台
JP2022124273A (ja) 保持部材
JP2023013587A (ja) 保持装置
JP2023170942A (ja) 保持装置及び静電チャック
TW202211988A (zh) 高溫製程用軸向冷卻金屬噴淋頭