JP2024018123A - 半導体レーザユニット - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性が高められた半導体レーザユニットを提供する。【解決手段】半導体レーザユニット１のパッケージ５は、パッケージ本体１０と窓部材２０と光軸補正部材３０とを有する。パッケージ本体１０の表面１１には、レーザ光が通過する光通過開口１１ａが形成されており、Ｘ方向における光通過開口１１ａの長さＬＸ１はＺ方向における光通過開口の長さＬＺ１よりも長い。窓部材２０は、表面１１に固定されており、Ｘ方向における窓部材２０の長さＬＸ３はＺ方向における窓部材２０の長さＬＺ３よりも長い。光軸補正部材３０は、窓部材２０と面接触した状態で窓部材２０に固定されており、Ｘ方向における光軸補正部材３０の長さＬＸ４はＺ方向における光軸補正部材３０の長さＬＺ４よりも長い。光軸補正部材３０の表面３２は、Ｙ方向における光軸補正部材３０の厚さが少なくともＸ方向に沿って変化するように傾斜している。【選択図】図２

Description

本発明は、半導体レーザユニットに関する。

特許文献１には、半導体レーザ素子を備える電子モジュールが記載されている。この電子モジュールでは、半導体レーザ素子を収容するパッケージが半田を介して実装基板上に実装されている。

ＷＯ２０１６－１７１１０３号公報

上述したような構成において実装基板上にパッケージを実装する際には、例えば、実装基板に半田を塗布し、当該実装基板上にパッケージを配置し、その後に半田を溶融させてパッケージを実装基板に接合するリフロー工程が実施される。このリフロー工程においては、半田の溶融及び凝固（収縮）や半田の濡れ状態に起因してパッケージの角度が目標角度からずれてしまい、その結果、パッケージから出射されるレーザ光の光軸の角度が目標角度からずれてしまうおそれがある。信頼性の観点から、そのようなレーザ光の光軸のずれを抑制することが求められる。

本発明は、信頼性が高められた半導体レーザユニットを提供することを目的とする。

本発明の半導体レーザユニットは、［１］「半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子を収容するパッケージと、前記パッケージが実装される実装基板と、を備え、前記半導体レーザ素子は、第１方向に沿って並んだ複数の発光部を有し、前記第１方向に垂直な第２方向に沿ってレーザ光を出力し、前記パッケージは、パッケージ本体と、窓部材と、光軸補正部材と、を有し、前記パッケージ本体は、前記第２方向と交差するように延在する第１表面と、前記第１方向及び前記第２方向に垂直な第３方向と交差するように延在する第２表面と、を含み、前記半導体レーザ素子を収容する収容空間を内部に画定しており、前記第１表面には、前記レーザ光が通過する光通過開口が形成されており、前記第１方向における前記光通過開口の長さは、前記第３方向における前記光通過開口の長さよりも長く、前記窓部材は、第３表面と前記第３表面とは反対側の第４表面とを含み、前記光通過開口を覆うように前記第３表面において前記パッケージ本体の前記第１表面に固定されており、前記第１方向における前記窓部材の長さは、前記第３方向における前記窓部材の長さよりも長く、前記光軸補正部材は、第５表面と前記第５表面とは反対側の第６表面とを含み、前記第５表面が前記窓部材の前記第４表面と面接触した状態で前記窓部材に固定されており、前記第１方向における前記光軸補正部材の長さは、前記第３方向における前記光軸補正部材の長さよりも長く、前記第６表面は、前記第２方向における前記光軸補正部材の厚さが少なくとも前記第１方向に沿って変化するように、前記第５表面に対して傾斜しており、前記パッケージ本体の前記第２表面上には、前記第２表面に沿って延在し、前記半導体レーザ素子と電気的に接続された電極が形成されており、前記パッケージ本体は、前記第２表面において前記実装基板に実装されている、半導体レーザユニット。」である。

この半導体レーザユニットでは、パッケージ本体の第２表面上に、第２表面に沿って延在し、半導体レーザ素子と電気的に接続された電極が形成されており、パッケージ本体が第２表面において実装基板に実装（表面実装）されている。これにより、パッケージの放熱性を高めることができる。一方、パッケージ本体が第３方向と交差するように延在する第２表面において実装基板に実装される場合、第３方向にはパッケージ本体の角度はずれにくいが、第１方向及び第２方向に平行な平面（第３方向に垂直な平面）内において実装時にパッケージ本体の角度がずれることがある。この点、この半導体レーザユニットでは、パッケージが光軸補正部材を有しており、光軸補正部材の第６表面が、第２方向における光軸補正部材の厚さが少なくとも第１方向に沿って変化するように第５表面に対して傾斜している。これにより、例えば、第６表面の傾斜角度が互いに異なる複数の光軸補正部材を用意しておき、パッケージ本体の実装後に、レーザ光の光軸のずれ量に応じた傾斜角度を有する光軸補正部材を窓部材に固定することにより、パッケージから出射されるレーザ光の光軸を目標角度となるように補正することができる。また、この半導体レーザユニットでは、光軸補正部材がパッケージ本体の第１表面に直接に固定されておらず、第１表面に固定された窓部材上に固定されている。これにより、実装基板にパッケージ本体を実装する際に発生する光軸のずれ、及び、パッケージ本体に半導体レーザ素子を固定する際に発生する光軸のずれを精度良く補正することが可能となる。また、この半導体レーザユニットでは、半導体レーザ素子が、第１方向に沿って並んだ複数の発光部を有しており、光通過開口、窓部材及び光軸補正部材が、第３方向よりも第１方向に長くなるように形成されている。これにより、複数の発光部から出力されるレーザ光がパッケージによって遮られることを抑制することができ、レーザ光の光軸を確実に補正することができる。一方、光軸補正部材が第１方向に長い形状を有している場合、光軸補正部材における厚さの差（例えば最も厚い部分と最も薄い部分との間の差）が大きくなるため、環境温度の変化により光軸補正部材に撓み又は破損が生じやすくなる。また、例えば、窓部材を省略して光通過開口を覆うように光軸補正部材をパッケージ本体の第１表面に直接に固定した場合、光軸補正部材が光通過開口内の空間と隣接することになり、光軸補正部材におけるパッケージ本体に固定された部分と固定されていない部分との間の応力差により、光軸補正部材に温度変化に伴う撓み又は破損が生じるおそれがある。これに対し、この半導体レーザユニットでは、光軸補正部材の第５表面が窓部材の第４表面と面接触した状態で光軸補正部材が窓部材に固定されている。このように光軸補正部材が窓部材と面接触していることにより、上述したような光軸補正部材の撓み又は破損の発生を抑制することができる。以上より、この半導体レーザユニットによれば、信頼性を高めることができる。

本発明の半導体レーザユニットは、［２］「前記第３方向における前記パッケージ本体の長さは、前記第１方向及び前記第２方向の各々における前記パッケージ本体の長さよりも短い、［１］に記載の半導体レーザユニット」であってもよい。この場合、パッケージの重心を実装基板に近づけることができ、実装の安定性を高めることができる。また、実装の際にパッケージ本体の角度が第３方向にずれた場合における発光部の移動量を少なくすることができる。

本発明の半導体レーザユニットは、［３］「前記窓部材は、接合材により前記パッケージ本体の前記第１表面に固定されており、前記窓部材の側面と前記第１表面との間の境界部には、前記接合材によりフィレットが形成されている、［１］又は［２］に記載の半導体レーザユニット」であってもよい。この場合、窓部材をパッケージ本体に強固に固定することができる。

本発明の半導体レーザユニットは、［４］「前記フィレットは、前記窓部材の前記第４表面に至らないように形成されている、［３］に記載の半導体レーザユニット」であってもよい。この場合、窓部材の第４表面の平坦性を確保することができる。

本発明の半導体レーザユニットは、［５］「前記半導体レーザ素子は、半導体基板と、前記第１方向に沿って並ぶように前記半導体基板上に形成された複数のメサ部と、を有し、前記複数のメサ部の各々は、活性層を含んでいる、［１］～［４］のいずれかに記載の半導体レーザユニット」であってもよい。この場合、メサ構造により活性層が空間的に分離されるため、メサ部間及び発光部間の光学的及び電気的なクロストークの発生を抑制することができる。

本発明の半導体レーザユニットは、［６］「前記複数のメサ部の各々は、前記第３方向に沿って並んだ複数の活性層を含んでいる、［５］に記載の半導体レーザユニット」であってもよい。この場合、半導体レーザ素子の出力を高めることができる。

本発明の半導体レーザユニットは、［７］「前記パッケージ本体の前記第２表面上には、前記電極として、前記半導体レーザ素子のカソードに電気的に接続されたカソード電極と、前記半導体レーザ素子のアノードに電気的に接続されたアノード電極と、が形成されている、［１］～［６］のいずれかに記載の半導体レーザユニット」であってもよい。この場合、パッケージ本体を第２表面において実装基板に実装しさえすれば半導体レーザ素子の電気的な接続を実現することができるため、例えばワイヤによる接続工程を省略することができ、実装工程を簡易化することができる。

本発明の半導体レーザユニットは、［８］「前記カソード電極及び前記アノード電極の一方は、前記複数の発光部に電気的に接続された１つの電極部分を含み、前記カソード電極及び前記アノード電極の他方は、前記複数の発光部にそれぞれ電気的に接続された複数の電極部分を含む、［７］に記載の半導体レーザユニット」であってもよい。この場合、アノード電極及びアノード電極の他方の複数の電極部分に入力される信号を調整することで複数の発光部を独立して駆動することができ、配線を簡易化することができる。

本発明の半導体レーザユニットは、［９］「前記第２表面の面積は、前記第１表面の面積よりも大きい、請求項１又は２に記載の半導体レーザユニット」であってもよい。この場合、電極の形成領域の面積を大きくすることができると共に、パッケージの放熱性を高めることができる。また、パッケージ本体を実装した後の安定性を確保することができる。

本発明の半導体レーザユニットは、［１０］「前記パッケージ本体は、複数のセラミック層が積層されることにより形成されており、前記半導体レーザ素子は、前記複数のセラミック層に含まれる一のセラミック層上に配置されている、［１］～［９］のいずれかに記載の半導体レーザユニット」であってもよい。この場合、半導体レーザ素子において発生する熱をパッケージを介して実装基板に効率的に逃がす（伝達する）ことができる。

本発明の半導体レーザユニットは、［１１］「前記パッケージ本体内の前記収容空間は、前記窓部材が接合材により前記パッケージ本体の前記第１表面に固定されることによって気密に封止されている、［１］～［１０］のいずれかに記載の半導体レーザユニット」であってもよい。この場合、半導体レーザ素子の外部環境に対する安定性を確保することができる。また、この半導体レーザユニットは上述したとおり光軸補正部材を備えているため、接合材による固定時に窓部材の角度が目標角度からずれ、それに起因してレーザ光の光軸にずれが発生した場合でも、光軸補正部材によりレーザ光の光軸を目標角度となるように補正することができる。

本発明の半導体レーザユニットは、［１２］「前記第６表面は、前記第２方向における前記光軸補正部材の厚さが前記第１方向及び前記第３方向の各々に沿って変化するように、前記第５表面に対して傾斜している、［１］～［１１］のいずれかに記載の半導体レーザユニット」であってもよい。この場合、第１方向及び第２方向に平行な平面内のパッケージ本体の角度ずれに加えて、第３方向におけるパッケージ本体の角度ずれが発生した場合にも、光軸補正部材によりレーザ光の光軸を目標角度となるように補正することができる。

本発明によれば、信頼性が高められた半導体レーザユニットを提供することが可能となる。

実施形態に係る半導体レーザユニットの側面図である。 半導体レーザユニットの正面図である。 半導体レーザ装置の平面図である。 半導体レーザ装置の断面図である。 半導体レーザ素子の正面図である。 半導体レーザ装置の底面図である。 光軸補正方法を説明するための図である。 光軸補正方法を説明するための図である。 光軸補正方法を説明するための図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の説明において、同一又は相当要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。
［半導体レーザユニット］

図１～図４に示されるように、半導体レーザユニット１は、半導体レーザ装置２と、半導体レーザ装置２が実装された実装基板３と、を備えている。半導体レーザ装置２は、半導体レーザ素子４と、半導体レーザ素子４を収容するパッケージ５と、を有している。以下、各図に示されるようにＸ方向（第１方向）、Ｙ方向（第２方向）及びＺ方向（第３方向）を設定して説明する。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は互いに垂直である。

半導体レーザ素子４は、例えばパルスレーザダイオードであり、パルス光を出力する。半導体レーザ素子４は、光出射面がＹ方向を向くように配置されており、Ｙ方向に沿ってレーザ光Ａを出力する。この例では、半導体レーザ素子４は、扁平な直方体状に形成されており、Ｚ方向における半導体レーザ素子４の長さは、Ｘ方向及びＹ方向の各々における半導体レーザ素子４の長さよりも短くなっている。

図２及び図５に示されるように、半導体レーザ素子４は、Ｘ方向に沿って並んだ複数（この例では４つ）の発光部（発光点）４１を有しており、各発光部４１からレーザ光Ａが出力される。すなわち、この例の半導体レーザ素子４は、４つの発光部４１を有するレーザダイオードアレイとして構成されている。半導体レーザ素子４は、４つの発光部４１にそれぞれ対応付けられた４つのチャンネルを有するマルチチャンネルの半導体レーザ素子であり、４つの発光部４１の各々を独立して（個別に）駆動して発光させることが可能となっている。チャンネルは、互いに電気的に接続された、独立駆動が可能な１つの駆動単位（系統）である。

図５に示されるように、半導体レーザ素子４は、半導体基板４２と、複数（この例では４つ）のメサ部４３と、を有している。複数のメサ部４３は、所定の間隔を空けてＸ方向に沿って並ぶように半導体基板４２上に形成されている。すなわち、隣り合うメサ部４３は、互いに空間的に分離されている。各メサ部４３は、半導体基板４２の表面からＺ方向に沿って突出しており、Ｙ方向から見た場合に例えば台形状に形成されている。

各メサ部４３は、Ｚ方向に沿って並んだ複数（この例では３つ）の活性層４４を有している。各活性層４４は、誘導放出によりレーザ光Ａを発生させる。各活性層４４は、例えば、Ｚ方向に沿って複数の量子井戸層と複数の障壁層が交互に積層された多重量子井戸構造を有している。各メサ部４３は、発光部４１を構成している。この例では、３つの活性層４４を有するメサ部４３によって１つの発光部４１が構成されている。各メサ部４３は、Ｚ方向に沿って並んだ複数の発光領域を有している。Ｚ方向における各メサ部４３の厚さは、Ｚ方向における半導体基板４２の厚さよりも薄い。メサ部４３の配列ピッチ（Ｘ方向における隣り合うメサ部４３の中心間の距離）は、例えば約２５０μｍ程度である。Ｘ方向における隣り合うメサ部４３間の隙間は、例えば３０μｍ程度である。Ｚ方向におけるメサ部４３の厚さは、例えば１０μｍ程度である。各活性層４４は、Ｚ方向と垂直な平面に沿って延在している。図示は省略されているが、例えば、半導体基板４２におけるメサ部４３とは反対側の表面にはカソード電極が形成されており、各メサ部４３の頂面（半導体基板４２とは反対側の表面）にはアノード電極が形成されている。

図１～図４に示されるように、パッケージ５は、パッケージ本体１０と、窓部材２０と、光軸補正部材３０と、を有している。パッケージ本体１０は、直方体状の外形を有する箱状に形成されており、半導体レーザ素子４を収容する収容空間Ｓを内部に画定している。Ｚ方向におけるパッケージ本体１０の長さＬ３は、Ｘ方向におけるパッケージ本体１０の長さＬ１及びＹ方向におけるパッケージ本体１０の長さＬ２の各々よりも短い。なお、本明細書において、「或る方向における或る部材の長さ」とは、当該方向における当該部材の最大長さを意味する。長さＬ１は例えば５ｍｍ程度であり、長さＬ２は例えば３ｍｍ程度であり、長さＬ３は例えば２ｍｍ程度である。

パッケージ本体１０は、表面１１（第１表面）、表面１２（第２表面）及び表面１３を有している。表面１１は、Ｙ方向と垂直に延在する平坦面である。表面１２は、Ｚ方向と垂直に延在する平坦面である。表面１３は、Ｚ方向と垂直に延在する平坦面であり、Ｚ方向における表面１２とは反対側の表面である。表面１２の面積は、表面１１の面積よりも大きい。表面１１の面積とは、表面１１の外縁により画定される領域の面積を意味し、光通過開口１１ａが形成された領域の面積を含む。

表面１１には、レーザ光Ａが通過する光通過開口１１ａが形成されている。光通過開口１１ａは、表面１１においてパッケージ本体１０を貫通しており、パッケージ本体１０内の収容空間Ｓとパッケージ本体１０の外部とに接続されている。この例では、光通過開口１１ａは、Ｘ方向と平行な長辺を有する長方形状に形成されている。すなわち、Ｘ方向における光通過開口１１ａの長さＬＸ１は、Ｚ方向における光通過開口１１ａの長さＬＺ１よりも長い。長さＬＸ１は、Ｘ方向における半導体レーザ素子４の長さＬＸ２よりも長く、長さＬＺ１は、Ｚ方向における半導体レーザ素子４の長さＬＺ２よりも長い。

図１、図２及び図６に示されるように、表面１２上には電極５０が形成されている。電極５０は、表面１２に沿って延在するように層状に形成されており、半導体レーザ素子４と電気的に接続されている。この例では、電極５０は、図６に示されるように、カソード電極５１と、アノード電極５２と、を含んでいる。

カソード電極５１は、例えばパッケージ本体１０内を通る配線等を介して半導体レーザ素子４のカソード電極に電気的に接続されている。この例では、カソード電極５１は、半導体レーザ素子４の複数の発光部４１に電気的に接続された１つの電極部分５１ａにより構成されている。すなわち、カソード電極５１は、複数の発光部４１に共通のコモン電極として構成されている。電極部分５１ａは、例えばＸ方向と平行な長辺を有する長方形状に形成されている。

アノード電極５２は、例えばワイヤＷ、及びパッケージ本体１０内を通る配線等を介して半導体レーザ素子４のアノード電極に電気的に接続されている。ワイヤＷは、例えば半導体レーザ素子４のアノード電極とパッケージ本体１０に設けられた配線とに接続されている（図４）。この例では、アノード電極５２は、複数の発光部４１にそれぞれ電気的に接続された複数の電極部分５２ａにより構成されている。すなわち、アノード電極５２は、互いに独立した複数の電極部分５２ａからなる独立電極として構成されている。各電極部分５２ａは例えば矩形状に形成されている。複数の電極部分５２ａは、Ｘ方向に沿って並んで配置されており、Ｙ方向においてカソード電極５１（電極部分５１ａ）と向かい合っている。

図１～図４に示されるように、表面１３には開口１３ａが形成されている。開口１３ａは、表面１３においてパッケージ本体１０を貫通しており、パッケージ本体１０内の収容空間Ｓとパッケージ本体１０の外部とに接続されている。この例では、開口１３ａは、Ｘ方向と平行な長辺を有する長方形状に形成されている。開口１３ａは、表面１３上に固定された平板状の蓋部材６１により覆われて塞がれている。蓋部材６１は、半田材、接着剤などの接合材、又はシーム溶接等により表面１３に固定されており、これにより蓋部材６１と表面１３との間は気密に封止されている。

図４に示されるように、パッケージ本体１０は、複数（この例では６つ）のセラミック層１５がＺ方向に沿って積層されることにより形成されている。セラミック層１５は、例えば窒化アルミニウムの焼結体からなる。複数のセラミック層１５は部分的に除去されており、これによりパッケージ本体１０の内部に半導体レーザ素子４を収容する収容空間Ｓが画定されている。半導体レーザ素子４は、複数のセラミック層１５に含まれる一のセラミック層１５Ａ上に配置及び固定されている。

窓部材２０は、例えば、レーザ光Ａに対して透過性を有する材料により矩形板状に形成れている。窓部材２０の材料としては、例えばホウケイ酸ガラス、石英ガラス等が挙げられる。窓部材２０は、表面２１（第３表面）と、表面２１とは反対側の表面２２（第４表面）（第１基準面）を有している。この例では、表面２１，２２はＹ方向と垂直に延在する平坦面である。窓部材２０は、光通過開口１１ａを覆って塞ぐように表面２１においてパッケージ本体１０の表面１１に固定されている。この例では、窓部材２０は、Ｘ方向と平行な長辺を有する長方形状に形成されており、光通過開口１１ａの全体を覆っている。Ｘ方向における窓部材２０の長さＬＸ３は、Ｚ方向における窓部材２０の長さＬＺ３よりも長い。長さＬＸ３は、Ｘ方向における光通過開口１１ａの長さＬＸ１よりも長く、長さＬＺ３は、Ｚ方向における光通過開口１１ａの長さＬＺ１よりも長い。すなわち、長さＬＸ３は、Ｘ方向における半導体レーザ素子４の長さＬＸ２よりも長く、長さＬＺ３は、Ｚ方向における半導体レーザ素子４の長さＬＺ２よりも長い。長さＬＸ３は例えば４ｍｍ程度であり、長さＬＺ３は例えば１．５ｍｍ程度である。

窓部材２０は、接合材６３によりパッケージ本体１０の表面１１に固定されている。接合材６３は、例えば低融点ガラスである。接合材６３は、窓部材２０の表面２１とパッケージ本体１０の表面１１との間に介在している。また、窓部材２０の側面２３と表面１１との間の境界部には、接合材６３によりフィレット６４が形成されている。フィレット６４は、表面２１と表面１１との間に配置された接合材６３が表面２１と表面１１との間から外側にはみ出すことにより形成されている。フィレット６４は、側面２３における表面１１側の一部のみに接触するように形成されており、表面２２には至っていない。フィレット６４は、例えば窓部材２０におけるＹ方向と平行な一対の短辺に沿って形成されている。フィレット６４は、例えば窓部材２０におけるＸ方向と平行な一対の長辺に沿って形成されていてもよい。或いは、フィレット６４は、窓部材２０の各辺に沿って非連続に形成されていてもよい。なお、図３等において、窓部材２０の表面２１とパッケージ本体１０の表面１１との間に介在している接合材６３の図示は省略されている。

窓部材２０が接合材６３によりパッケージ本体１０の表面１１に固定されていることで、窓部材２０と表面１１との間は気密に封止されている。すなわち、パッケージ本体１０内の収容空間Ｓは、窓部材２０が接合材６３により表面１１に固定されていることによって気密に封止されている。

光軸補正部材３０は、レーザ光Ａの光軸を補正するための部材であり、この例ではウェッジプリズムである。光軸補正部材３０は、例えば、レーザ光Ａに対して透過性を有する材料により略板状に形成されている。光軸補正部材３０の材料としては、例えばホウケイ酸ガラス、石英ガラス等が挙げられる。光軸補正部材３０は、表面３１（第５表面）（第２基準面）と、表面３１とは反対側の表面３２（第６表面）と、を有している。この例では、表面３１はＹ方向と垂直に延在する平坦面である。

表面３２は、表面３１（Ｙ方向と垂直な平面）に対して傾斜した傾斜面である。表面３２は、Ｙ方向における光軸補正部材３０の厚さがＸ方向に沿って変化するように、表面３１に対して傾斜している。この例では、Ｙ方向における光軸補正部材３０の厚さが、Ｘ方向における光軸補正部材３０の一端３０ａにおいて略ゼロとなっており、Ｘ方向における光軸補正部材３０の他端３０ｂに近づくにつれて直線的に増加している。これにより、光軸補正部材３０は、Ｚ方向から見た場合に三角形状（くさび状）に形成されている（図３）。Ｙ方向における光軸補正部材３０の厚さはＺ方向に沿っては変化しておらず、光軸補正部材３０はＺ方向に関して一様な断面形状を有している。

光軸補正部材３０は、表面３１が窓部材２０の表面２２と面接触した状態で、窓部材２０に固定されている。光軸補正部材３０は、接合材（図示省略）により窓部材２０に固定されている。この接合材は、例えばエポキシ系の接着剤である。例えば、接合材は、光軸補正部材３０の側面３３と窓部材２０の側面２３とにわたって塗布される。これにより接合材が表面３１と表面２２との間に入り込むことが抑制され、表面３１と表面２２とを隙間無く面接触させることが可能となる。接合材は、光軸補正部材３０の全周にわたって塗布されてもよいし、或いは断続的に塗布されてもよい。なお、実際には、光軸補正部材３０の表面３１と窓部材２０の表面２２との間には、僅かな隙間が存在し得る。当該隙間は、例えば１μｍ以上１００μｍ以下である。後述するとおり当該隙間は光学的には無視できないが、当該隙間が存在する場合も、表面３１が表面２２と面接触している状態に含まれる。

この例では、光軸補正部材３０は、Ｙ方向から見た場合に、Ｘ方向と平行な長辺を有する長方形状に形成されている（図２）。Ｙ方向から見た場合に、光軸補正部材３０の外縁は窓部材２０の外縁と一致している。Ｘ方向における光軸補正部材３０の長さＬＸ４は、Ｚ方向における光軸補正部材３０の長さＬＺ４よりも長い。長さＬＸ４は、Ｘ方向における光通過開口１１ａの長さＬＸ１よりも長く、長さＬＺ４は、Ｚ方向における光通過開口１１ａの長さＬＺ１よりも長い。すなわち、長さＬＸ４は、Ｘ方向における半導体レーザ素子４の長さＬＸ２よりも長く、長さＬＺ４は、Ｚ方向における半導体レーザ素子４の長さＬＺ２よりも長い。なお、Ｙ方向から見た場合に光軸補正部材３０の外縁は窓部材２０の外縁よりも内側に位置していてもよい。Ｙ方向から見た場合に光軸補正部材３０の外縁は光通過開口１１ａの外縁よりも内側に位置していてもよい。Ｙ方向から見た場合に光軸補正部材３０の外縁は半導体レーザ素子４の外縁よりも外側に位置していればよい。

実装基板３は、例えば矩形板状に形成されている。実装基板３の表面３ａには、パッケージ本体１０の表面１２に形成された電極５０のカソード電極５１及びアノード電極５２に対応した位置に、複数の基板電極（図示省略）が設けられている。パッケージ本体１０は、表面１２において実装基板３に実装（表面実装）されている。具体的には、半田６７により電極５０が実装基板３の基板電極に接続され、これにより半導体レーザ装置２が実装基板３に電気的に接続されると共に固定されている。パッケージ本体１０の実装基板３への実装は、例えばリフロー工程により行われる。リフロー工程では、まず、実装基板３の基板電極上に半田６７を塗布する。続いて、電極５０が対応する基板電極上に位置するように、実装基板３上にパッケージ本体１０を配置する。その後、例えば加熱炉内で加熱することにより半田６７を溶融させ、パッケージ本体１０を実装基板３に接合する。なお、実装基板３の基板電極上に半田６７を塗布することに代えて、パッケージ本体１０の表面１２上に形成された電極５０のカソード電極５１及びアノード電極５２上に予め半田６７を塗布しておき、その後に実装基板３上にパッケージ本体１０を配置して加熱炉内で加熱してもよい。
［光軸補正方法］

上述したリフロー工程においては、半田６７の溶融及び凝固（収縮）や半田の濡れ状態に起因してパッケージ本体１０の角度が目標角度からずれてしまい、その結果、出射されるレーザ光Ａの光軸の角度が目標角度からずれてしまうおそれがある。また、実装基板３の基板電極上に塗布される半田６７の量のばらつきによっても、パッケージ本体１０の角度がずれてしまうおそれがある。特に、実施形態のパッケージ本体１０のように各辺が数ｍｍ程度となる程度に小型化されている場合、実装時に半田６７の量をコントロールすることが難しくなり、リフロー時の光軸ずれを完全に制御することが困難となる。また、実装基板３上において半導体レーザ素子４の周辺に配置される電子部品の種類及び配置等によってリフロー時の半田６７への熱の加わり方が変化し、そのことに起因してパッケージ本体１０の角度がずれてしまうおそれもある。さらに、リフロー工程により実装基板３に半導体レーザ素子４を実装する際だけでなく、パッケージ本体１０に半導体レーザ素子４を固定する際にも、レーザ光Ａの光軸のずれが発生するおそれがある。そこで、半導体レーザユニット１では、光軸補正部材３０を用いてレーザ光Ａの光軸のずれを補正する。以下、図７～図９を参照しつつ、半導体レーザユニット１における光軸補正方法について説明する。

図７には、光軸補正部材３０による補正前のレーザ光Ａの出射方向Ｄ１、光軸補正部材３０の固定面（貼付面）である表面３１の垂線Ｎ１（窓部材２０の表面２２の垂線）、光軸補正部材３０による補正後のレーザ光Ａの出射方向Ｄ２が示されている。光軸補正部材３０における表面３１，３２との間の角度をウェッジ角α（傾斜角度）とし、出射方向Ｄ１と垂線Ｎ１との間の角度をβとし、出射方向Ｄ２と垂線Ｎ１との間の角度をγとする。角度βは、パッケージ本体１０に半導体レーザ素子４を固定する際の光軸のずれに相当する。角度γは、実装基板３にパッケージ本体１０を実装する際に発生する光軸のずれに相当する。

図８に示されるように、光軸補正部材３０内を進行するレーザ光Ａの垂線Ｎ１に対する角度をＸとすると、表面３１（光入射面）でのスネルの法則は、下記式（１）で表される。
ｎｓｉｎ（Ｘ）＝ｓｉｎ（β） …（１）
ｎは光軸補正部材３０の屈折率である。上述したとおり、光軸補正部材３０の表面３１と窓部材２０の表面２２との間には、光学的に無視できない僅かな隙間（空間）が存在し得る。そのため、図８に示されるように、光軸補正部材３０の光入射側の屈折率は１とされている。

光軸補正部材３０の表面３２でのスネルの法則は、下記式（２）で表される。
ｎｓｉｎ（α－Ｘ）＝ｓｉｎ（α＋γ） …（２）
したがって、光軸のずれを補正するための光軸補正部材３０のウェッジ角αを算出するためには、角度γ及び角度βの２つの角度を測定する必要がある。角度（β＋γ）は、光軸補正部材３０を取り付ける前の状態において半導体レーザ素子４からレーザ光Ａを出射させて出射方向Ｄ１と出射方向Ｄ２との間の角度を測定することにより測定することができる。図８には、光軸補正部材３０の表面３２の垂線Ｎ２が示されている。垂線Ｎ１，Ｎ２の間の角度はウェッジ角αに等しい。

角度γを測定する方法として、光軸補正部材３０を取り付ける前の状態において窓部材２０に対してパッケージ本体１０とは反対側から光を入射させてその戻り光（反射光）を測定する方法が考えられる。この場合、パッケージ本体１０を反射体とすると、例えばパッケージ本体１０が窒化アルミニウムの焼結体からなる場合には光が散乱されてしまう。あるいは、パッケージ本体１０が樹脂製である場合には、光が反射されにくい。また、パッケージ本体１０からの反射光を検出することができる場合でも、レーザダイオードアレイ用のパッケージ本体１０では光通過開口１１ａの幅が広いため、光通過開口１１ａの周辺部における反射光が光軸補正部材３０の貼付面の位置を示すとは限らない。

そのため、本実施形態に係る光軸補正方法では、図９に示されるように、パッケージ本体１０の表面１１に固定された窓部材２０の表面２２（基準面）で反射した戻り光を測定する。例えば、参照光Ｒ（例えば６３３ｎｍの波長を有するＨｅＮｅレーザ光）を表面２２に入射させてその戻り光を測定することにより角度γを算出することができる。表面２２に反射防止コーティングが施されている場合、参照光Ｒの波長として反射防止コーティングを透過する光の波長が選択される。その後、角度γ及び測定された角度（β＋γ）から角度βを算出し、角度β，γ及び上記式（１），（２）からウェッジ角αを算出する。そして、算出されたウェッジ角αに対応するウェッジ角αを有する光軸補正部材３０を窓部材２０に固定する。これにより、パッケージ５から出射されるレーザ光Ａの光軸を目標角度となるように補正することができる。本実施形態に係る光軸補正方法では、実際にレーザ光Ａが透過する窓部材２０からの戻り光に基づいて角度γが算出されることから、光軸補正部材３０を用いて光軸のずれを精度良く補正することができる。光軸補正部材３０のウェッジ角α（傾斜角度）は、例えば０．５°～１０°程度である。例えばウェッジ角αが０．５°刻みで異なる複数の光軸補正部材３０を用意しておき、算出されたウェッジ角αに最も近い傾斜角度を有する光軸補正部材３０を複数の光軸補正部材３０の中から選択することで、光軸ずれを精度良く補正することができる。

なお、半導体レーザ素子４のパッケージ本体１０への固定精度が十分に確保されている場合には角度β及び角度Ｘはゼロであるとみなすことができ、ウェッジ角αと角度γの関係は下記式（３）のとおり簡略化され得る。
ｎｓｉｎ（α）＝ｓｉｎ（α＋γ）・・・（３）
この場合は上述したような戻り光の測定は不要であり、出射方向Ｄ１と出射方向Ｄ２との間の角度を測定することで角度γが算出され、上記式（３）からウェッジ角αを算出することができる。

また、上記実施形態とは異なり、窓部材２０がパッケージ本体１０内に配置されている場合、すなわち窓部材２０が光通過開口１１ａを覆うようにパッケージ本体１０の内面（表面１１の裏面）に固定されている場合でも戻り光を測定することは可能ではあるが、窓部材２０は気密封止のために低融点ガラス等の接合材によりパッケージ本体１０に固定されることから、パッケージ本体１０の外部において固定される光軸補正部材３０に対する平行性が確保されるとは限らない。そのため、上記実施形態のように窓部材２０をパッケージ本体１０の外側において表面１１に固定し、当該窓部材２０上に光軸補正部材３０を固定することが好ましい。
［作用及び効果］

半導体レーザユニット１では、パッケージ本体１０の表面１２（第２表面）上に、表面１２に沿って延在し、半導体レーザ素子４と電気的に接続された電極５０が形成されており、パッケージ本体１０が表面１２において実装基板３に実装（表面実装）されている。これにより、パッケージ５の放熱性を高めることができる。一方、パッケージ本体１０がＺ方向（第３方向）と交差するように延在する表面１２において実装基板３に実装される場合、Ｚ方向にはパッケージ本体１０の角度はずれにくいが、Ｘ方向（第１方向）及びＹ方向（第２方向）に平行な平面（Ｚ方向に垂直な平面）内において実装時にパッケージ本体１０の角度がずれることがある。この点、半導体レーザユニット１では、パッケージ５が光軸補正部材３０を有しており、光軸補正部材３０の表面３２（第６表面）が、Ｙ方向における光軸補正部材３０の厚さがＸ方向に沿って変化するように表面３１（第５表面）に対して傾斜している。これにより、例えば、表面３２の傾斜角度（ウェッジ角α）が互いに異なる複数の光軸補正部材３０を用意しておき、パッケージ本体１０の実装後に、レーザ光Ａの光軸のずれ量に応じた傾斜角度を有する光軸補正部材３０を窓部材２０に固定することにより、パッケージ５から出射されるレーザ光Ａの光軸を目標角度となるように補正することができる。また、半導体レーザユニット１では、光軸補正部材３０がパッケージ本体１０の表面１１（第１表面）に直接に固定されておらず、表面１１に固定された窓部材２０上に固定されている。これにより、実装基板３にパッケージ本体１０を実装する際に発生する光軸のずれ（角度γ）、及び、パッケージ本体１０に半導体レーザ素子４を固定する際に発生する光軸のずれ（角度β）を精度良く補正することが可能となる。また、パッケージ本体１０の表面１１に窓部材２０を固定する際に発生する光軸のずれ（窓部材２０の角度のずれ）を補正することも可能となる。また、半導体レーザユニット１では、半導体レーザ素子４が、Ｘ方向に沿って並んだ複数の発光部４１を有しており、光通過開口１１ａ、窓部材２０及び光軸補正部材３０が、Ｚ方向よりもＸ方向に長くなるように（Ｘ方向に長尺に）形成されている。これにより、複数の発光部４１から出力されるレーザ光Ａがパッケージ５によって遮られることを抑制することができ、レーザ光Ａの光軸を確実に補正することができる。一方、光軸補正部材３０がＸ方向に長い形状を有している（光軸補正部材３０のアスペクト比が高い）場合、光軸補正部材３０における厚さの差（例えば最も厚い部分と最も薄い部分との間の差）が大きくなるため、環境温度の変化により光軸補正部材３０に撓み又は破損が生じやすくなる。また、例えば、窓部材２０を省略して光通過開口１１ａを覆うように光軸補正部材３０をパッケージ本体１０の表面１１に直接に固定した場合、光軸補正部材３０が光通過開口１１ａ内の空間と隣接することになり、光軸補正部材３０におけるパッケージ本体１０に固定された部分と固定されていない部分との間の応力差により、光軸補正部材３０に温度変化に伴う撓み又は破損が生じるおそれがある。これに対し、半導体レーザユニット１では、光軸補正部材３０の表面３１が窓部材２０の表面２２（第４表面）と面接触した状態で光軸補正部材３０が窓部材２０に固定されている。このように光軸補正部材３０が窓部材２０と面接触していることにより、上述したような光軸補正部材３０の撓み又は破損の発生を抑制することができる。以上より、半導体レーザユニット１によれば、信頼性を高めることができる。なお、半導体レーザユニットは例えばＬｉＤＡＲ（Light Detection And Ranging）に用いられ得るが、ＬｉＤＡＲではレーザ光の光軸のずれに対する要求が厳しくなる。ＬｉＤＡＲの光学系では発散角を抑えるために焦点距離が長いレンズが用いられるためである。この点、本実施形態の半導体レーザユニット１ではレーザ光Ａの光軸のずれを精度良く補正することができるため、ＬｉＤＡＲに好適に用いることができる。

Ｚ方向におけるパッケージ本体１０の長さＬ３が、Ｘ方向及びＹ方向におけるパッケージ本体１０の長さＬ１，Ｌ２よりも短い。これにより、パッケージ５の重心を実装基板３に近づけることができ、実装の安定性を高めることができる。また、実装の際にパッケージ本体１０の角度がＺ方向にずれた場合における発光部４１の移動量を少なくすることができる。

窓部材２０が接合材６３によりパッケージ本体１０の表面１１に固定されており、窓部材２０の側面２３と表面１１との間の境界部に、接合材６３によりフィレット６４が形成されている。これにより、窓部材２０をパッケージ本体１０に強固に固定することができる。

フィレット６４が、窓部材２０の表面２２に至らないように形成されている。これにより、窓部材２０の表面２２の平坦性を確保することができる。

半導体レーザ素子４が、半導体基板４２と、Ｘ方向に沿って並ぶように半導体基板４２上に形成された複数のメサ部４３と、を有し、各メサ部４３が活性層４４を含んでいる。これにより、メサ構造により活性層４４が空間的に分離されるため、メサ部４３間及び発光部４１間の光学的及び電気的なクロストークの発生を抑制することができる。

各メサ部４３が、Ｚ方向に沿って並んだ複数の活性層４４を含んでいる。これにより、半導体レーザ素子４の出力を高めることができる。

パッケージ本体１０の表面１２上に、電極５０として、半導体レーザ素子４のカソードに電気的に接続されたカソード電極５１と、半導体レーザ素子４のアノードに電気的に接続されたアノード電極５２と、が形成されている。これにより、パッケージ本体１０を表面１２において実装基板３に実装しさえすれば半導体レーザ素子４の電気的な接続を実現することができるため、例えばワイヤによる接続工程を省略することができ、実装工程を簡易化することができる。

カソード電極５１が、複数の発光部４１に電気的に接続された１つの電極部分５１ａを含み、アノード電極５２が、複数の発光部４１にそれぞれ電気的に接続された複数の電極部分５２ａを含んでいる。これにより、アノード電極５２の複数の電極部分５２ａに入力される信号を調整することで複数の発光部４１を独立して駆動することができ、配線を簡易化することができる。

パッケージ本体１０において表面１２の面積が表面１１の面積よりも大きい。これにより、電極５０の形成領域の面積を大きくすることができると共に、パッケージ５の放熱性を高めることができる。また、パッケージ本体を実装した後の安定性を確保することができる。

パッケージ本体１０が、複数のセラミック層１５が積層されることにより形成されており、半導体レーザ素子４が、複数のセラミック層１５に含まれる一のセラミック層１５Ａ上に配置されている。これにより、半導体レーザ素子４において発生する熱をパッケージ５を介して実装基板３に効率的に逃がす（伝達する）ことができる。

パッケージ本体１０内の収容空間Ｓが、窓部材２０が接合材６３によりパッケージ本体１０の表面１１に固定されることによって気密に封止されている。これにより、半導体レーザ素子４の外部環境に対する安定性を確保することができる。また、半導体レーザユニット１は上述したように光軸補正部材３０を備えているため、接合材６３による固定時に窓部材２０の角度が目標角度からずれ、それに起因してレーザ光Ａの光軸にずれが発生した場合でも、光軸補正部材３０によりレーザ光Ａの光軸を目標角度となるように補正することができる。
［変形例］

本発明は上記実施形態に限られない。例えば、各構成の材料及び形状には、上述した材料及び形状に限らず、様々な材料及び形状を採用することができる。接合材６３は低融点ガラスに限られず、接着剤等であってもよい。

上記実施形態では光軸補正部材３０の表面３２が、Ｙ方向における光軸補正部材３０の厚さがＸ方向に沿って変化するように表面３１に対して傾斜していたが、表面３２は、Ｙ方向における光軸補正部材３０の厚さがＸ方向及びＺ方向の各々に沿って変化するように、表面３１に対して傾斜していてもよい。例えば、上記実施形態において、Ｙ方向から見た場合における一の角部から、当該角部と対角に位置する角部に近づくにつれて、Ｙ方向における光軸補正部材３０の厚さが増加していてもよい。光軸補正部材３０の厚さがＸ方向及びＺ方向の各々に沿って変化している場合、Ｘ方向及びＹ方向に平行な平面内のパッケージ本体１０の角度ずれに加えて、Ｚ方向におけるパッケージ本体１０の角度ずれが発生した場合にも、光軸補正部材３０によりレーザ光Ａの光軸を目標角度となるように補正することができる。

パッケージ本体１０の表面１１は、Ｙ方向と交差するように延在していればよく、直角以外の角度でＹ方向と交差していてもよい。パッケージ本体１０の表面１２は、Ｚ方向と交差するように延在していればよく、直角以外の角度でＺ方向と交差していてもよい。パッケージ本体１０は直方体状でなくてもよい。光通過開口１１ａ、窓部材２０及び光軸補正部材３０の形状は長方形状に限られず、他の形状であってもよい。光通過開口１１ａ、窓部材２０及び光軸補正部材３０の形状は互いに相似でなくてもよい。

Ｚ方向におけるパッケージ本体１０の長さＬ３は、Ｘ方向及びＹ方向におけるパッケージ本体１０の長さＬ１，Ｌ２よりも長くてもよく、長さＬ１，Ｌ２と等しくてもよい。パッケージ本体１０は立方体状でもよい。パッケージ本体１０の表面１２の面積は表面１１の面積よりも小さくてもよく、表面１１の面積と等しくてもよい。窓部材２０の側面２３とパッケージ本体１０の表面１１との間の境界部にフィレット６４が形成されていなくてもよい。上記実施形態において、フィレット６４は窓部材２０の表面２２に至るように形成されていてもよい。半導体レーザ素子４の各メサ部４３は、１つの活性層４４のみを有していてもよい。パッケージ本体１０の表面１２上にカソード電極５１及びアノード電極５２の一方のみが形成されていてもよい。パッケージ本体１０は樹脂製であってもよい。パッケージ本体１０内の収容空間Ｓは気密に封止されていなくてもよい。

上記実施形態ではカソード電極５１（カソード電極５１及びアノード電極５２の一方）が１つの電極部分５１ａを含み、アノード電極５２（カソード電極５１及びアノード電極５２の他方）が複数の電極部分５２ａを含んでいたが、カソード電極５１が複数の電極部分を含み、アノード電極５２が１つの電極部分を含んでいてもよい。この場合、カソード電極５１の複数の電極部分に入力される信号を調整することで複数の発光部４１を独立して駆動することができ、配線を簡易化することができる。上記実施形態では半導体レーザ素子４が、複数（４つ）の発光部４１にそれぞれ対応付けられた複数（４つ）のチャンネルを有するマルチチャンネルの半導体レーザ素子であったが、半導体レーザ素子４は、複数の発光部４１に対応付けられた１つのチャンネルを有するシングルチャンネルの半導体レーザ素子であってもよい。この場合、カソード電極５１及びアノード電極５２の両方が１つの電極部分のみからなり、４つの発光部４１が一括して（共通に）駆動される。

１…半導体レーザユニット、３…実装基板、４…半導体レーザ素子、５…パッケージ、１１…表面（第１表面）、１１ａ…光通過開口、１２…表面（第２表面）、１５，１５Ａ…セラミック層、２０…窓部材、２１…表面（第３表面）、２２…表面（第４表面）、２３…側面、３０…光軸補正部材、３１…表面（第５表面）、３２…表面（第６表面）、４１…発光部（発光点）、４２…半導体基板、４３…メサ部、４４…活性層、５０…電極、５１…カソード電極、５１ａ…電極部分、５２…アノード電極、５２ａ…電極部分、６３…接合材、６４…フィレット、Ａ…レーザ光、Ｓ…収容空間。

Claims (12)

1. 半導体レーザ素子と、
   前記半導体レーザ素子を収容するパッケージと、
   前記パッケージが実装される実装基板と、を備え、
   前記半導体レーザ素子は、第１方向に沿って並んだ複数の発光部を有し、前記第１方向に垂直な第２方向に沿ってレーザ光を出力し、
   前記パッケージは、パッケージ本体と、窓部材と、光軸補正部材と、を有し、
   前記パッケージ本体は、前記第２方向と交差するように延在する第１表面と、前記第１方向及び前記第２方向に垂直な第３方向と交差するように延在する第２表面と、を含み、前記半導体レーザ素子を収容する収容空間を内部に画定しており、
   前記第１表面には、前記レーザ光が通過する光通過開口が形成されており、前記第１方向における前記光通過開口の長さは、前記第３方向における前記光通過開口の長さよりも長く、
   前記窓部材は、第３表面と前記第３表面とは反対側の第４表面とを含み、前記光通過開口を覆うように前記第３表面において前記パッケージ本体の前記第１表面に固定されており、前記第１方向における前記窓部材の長さは、前記第３方向における前記窓部材の長さよりも長く、
   前記光軸補正部材は、第５表面と前記第５表面とは反対側の第６表面とを含み、前記第５表面が前記窓部材の前記第４表面と面接触した状態で前記窓部材に固定されており、前記第１方向における前記光軸補正部材の長さは、前記第３方向における前記光軸補正部材の長さよりも長く、
   前記第６表面は、前記第２方向における前記光軸補正部材の厚さが少なくとも前記第１方向に沿って変化するように、前記第５表面に対して傾斜しており、
   前記パッケージ本体の前記第２表面上には、前記第２表面に沿って延在し、前記半導体レーザ素子と電気的に接続された電極が形成されており、
   前記パッケージ本体は、前記第２表面において前記実装基板に実装されている、半導体レーザユニット。
2. 前記第３方向における前記パッケージ本体の長さは、前記第１方向及び前記第２方向の各々における前記パッケージ本体の長さよりも短い、請求項１に記載の半導体レーザユニット。
3. 前記窓部材は、接合材により前記パッケージ本体の前記第１表面に固定されており、
   前記窓部材の側面と前記第１表面との間の境界部には、前記接合材によりフィレットが形成されている、請求項１又は２に記載の半導体レーザユニット。
4. 前記フィレットは、前記窓部材の前記第４表面に至らないように形成されている、請求項３に記載の半導体レーザユニット。
5. 前記半導体レーザ素子は、半導体基板と、前記第１方向に沿って並ぶように前記半導体基板上に形成された複数のメサ部と、を有し、
   前記複数のメサ部の各々は、活性層を含んでいる、請求項１又は２に記載の半導体レーザユニット。
6. 前記複数のメサ部の各々は、前記第３方向に沿って並んだ複数の活性層を含んでいる、請求項５に記載の半導体レーザユニット。
7. 前記パッケージ本体の前記第２表面上には、前記電極として、前記半導体レーザ素子のカソードに電気的に接続されたカソード電極と、前記半導体レーザ素子のアノードに電気的に接続されたアノード電極と、が形成されている、請求項１又は２に記載の半導体レーザユニット。
8. 前記カソード電極及び前記アノード電極の一方は、前記複数の発光部に電気的に接続された１つの電極部分を含み、前記カソード電極及び前記アノード電極の他方は、前記複数の発光部にそれぞれ電気的に接続された複数の電極部分を含む、請求項７に記載の半導体レーザユニット。
9. 前記第２表面の面積は、前記第１表面の面積よりも大きい、請求項１又は２に記載の半導体レーザユニット。
10. 前記パッケージ本体は、複数のセラミック層が積層されることにより形成されており、
    前記半導体レーザ素子は、前記複数のセラミック層に含まれる一のセラミック層上に配置されている、請求項１又は２に記載の半導体レーザユニット。
11. 前記パッケージ本体内の前記収容空間は、前記窓部材が接合材により前記パッケージ本体の前記第１表面に固定されることによって気密に封止されている、請求項１又は２に記載の半導体レーザユニット。
12. 前記第６表面は、前記第２方向における前記光軸補正部材の厚さが前記第１方向及び前記第３方向の各々に沿って変化するように、前記第５表面に対して傾斜している、請求項１又２に記載の半導体レーザユニット。

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