JP2024011768A - インダクタ部品 - Google Patents

Abstract

【課題】下地絶縁層とインダクタ配線が剥がれる可能性を低減したインダクタ部品を提供する。【解決手段】インダクタ部品１Ｃは、素体１０と、素体内の第１主面６ａを含む下地絶縁層６と、素体内で第１主面に沿って延在するインダクタ配線２０と、素体内に設けられ、インダクタ配線の少なくとも一部を覆う被覆絶縁層と、を備える。インダクタ配線は、シード層１０１と、シード層に接するように形成されためっき層１０２とを有し、インダクタ配線の延在方向に直交する第１断面において、第１主面側の下面の第１主面に平行な幅方向の両端部に設けられて下地絶縁層に埋め込まれた第１足部２１および第２足部２２と、第１足部と第２足部の間に設けられた股部２５と、を有する。下地絶縁層は、第１足部と第２足部の間に位置して股部に対向する凸部６０を有する。シード層の少なくとも一部は、股部に設けられて凸部の上面に接触する。【選択図】図３

Description

本開示は、インダクタ部品に関する。

従来、インダクタ部品としては、特開２０１９－１３４１４１号公報（特許文献１）に記載されたものがある。このインダクタ部品は、素体と、素体内に設けられた下地絶縁層と、素体内に設けられ下地絶縁層の第１主面上に配置されたインダクタ配線とを備える。

特開２０１９－１３４１４１号公報

ところで、前記従来のインダクタ部品では、下地絶縁層とインダクタ配線の密着力について改善する余地があることがわかった。下地絶縁層とインダクタ配線の密着力が十分でないと、下地絶縁層とインダクタ配線が剥がれる可能性があった。

そこで、本開示の目的は、下地絶縁層とインダクタ配線が剥がれる可能性を低減したインダクタ部品を提供することにある。

前記課題を解決するため、本開示の一態様であるインダクタ部品は、
素体と、
前記素体内に設けられ、第１主面を含む下地絶縁層と、
前記素体内で前記第１主面上に設けられ、前記第１主面に沿って延在するインダクタ配線と、
前記素体内に設けられ、前記インダクタ配線の少なくとも一部を覆う被覆絶縁層と
を備え、
前記インダクタ配線は、シード層と、前記シード層に接するように形成されためっき層とを有し、
前記インダクタ配線の延在方向に直交する第１断面において、
前記インダクタ配線は、前記第１主面側の下面の前記第１主面に平行な幅方向の両端部に設けられ前記下地絶縁層に埋め込まれた第１足部および第２足部と、前記第１足部と前記第２足部の間に設けられた股部とを有し、前記下地絶縁層は、前記第１足部と前記第２足部の間に位置し前記股部に対向する凸部を有し、前記シード層の少なくとも一部は、前記股部に設けられて前記凸部の上面に接触する。

ここで、インダクタ配線とは、平面上で延伸する曲線（２次元曲線）を意味し、ターン数が１周を超える曲線であってもよく、ターン数が１周未満の曲線であってもよく、または、一部に直線を有していてもよい。

幅方向とは、第１断面において第１主面に平行な方向をいう。第１断面における要素の幅とは、幅方向の要素の長さをいう。高さ方向とは、第１断面において第１主面に直交する方向をいう。第１断面における要素の高さとは、高さ方向の要素の長さをいう。

上方向とは、第１主面に直交する方向において、下地絶縁層からインダクタ配線に向かう方向（第１主面から離れる方向）をいう。要素の上面とは、要素の上方向の面をいう。下方向とは、第１主面に直交する方向において、インダクタ配線から下地絶縁層に向かう方向（第１主面に近づく方向）をいう。要素の下面とは、要素の下方向の面をいう。

前記態様によれば、インダクタ配線は、下地絶縁層に埋め込まれた第１足部および第２足部を有するので、第１足部および第２足部の下地絶縁層に対するアンカー効果により、下地絶縁層とインダクタ配線の密着力が向上し、下地絶縁層とインダクタ配線が剥がれる可能性を低減できる。

また、シード層の少なくとも一部は、股部に設けられて凸部の上面に接触するので、第１足部および第２足部をめっきにより形成する際、凸部の上面に接触するシード層から幅方向の左右両側にバランスよくめっきを成長させることができ、この結果、凸部の幅方向の左右両側に、制御された所望の形状の第１足部および第２足部を形成することができる。また、第１足部および第２足部を制御された形状とできるので、制御されていない凹凸の変動の大きい形状と比較して、インダクタ配線の高周波特性を向上できる。

本開示の一態様であるインダクタ部品によれば、下地絶縁層とインダクタ配線が剥がれる可能性を低減できる。

図１は、インダクタ部品の第１実施形態を示す透視平面図である。 図１のII－II断面図である。 図２のＡ部の拡大図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の第２実施形態を示す断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の第３実施形態を示す断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の第４実施形態を示す断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の第５実施形態を示す断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の第６実施形態を示す断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。 インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。

以下、本開示の一態様であるインダクタ部品を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。

＜第１実施形態＞
（構成）
図１は、インダクタ部品の第１実施形態を示す透視平面図である。図２は、図１のII－II断面図である。図２は、第１垂直配線（ビア配線）の中心軸と第２垂直配線（ビア配線）の中心軸とを含む断面を示す。

インダクタ部品１は、例えば、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジタルカメラ、ＴＶ、携帯電話、カーエレクトロニクスなどの電子機器に搭載され、例えば全体として直方体形状の部品である。ただし、インダクタ部品１の形状は、特に限定されず、円柱状や多角形柱状、円錐台形状、多角形錐台形状であってもよい。

図１と図２に示すように、インダクタ部品１は、素体１０と、下地絶縁層６と、インダクタ配線２０と、被覆絶縁層７と、第１垂直配線５１および第２垂直配線５２と、第１外部端子４１および第２外部端子４２とを有する。なお、図１では、便宜上、外部端子を二点鎖線で描いている。また、図１では、素体１０および被覆絶縁層７は、構造を容易に理解できるよう、透明に描かれているが、半透明や不透明であってもよい。

素体１０は、第１磁性層１１と、第１磁性層１１上に配置された第２磁性層１２とを有する。第１磁性層１１と第２磁性層１２は、下地絶縁層６、インダクタ配線２０および被覆絶縁層７を挟むように、第１方向Ｚに沿って形成されている。つまり、下地絶縁層６、インダクタ配線２０および被覆絶縁層７は、素体１０内に設けられている。素体１０は、第１磁性層１１および第２磁性層１２の２層構造であるが、第１磁性層１１と第２磁性層１２の間に基板を配置した３層構造であってもよい。以下では、図に示すように第１方向Ｚの順方向（図２の上側）を上側、逆方向（図２の下側）を下側とする。

第１磁性層１１および第２磁性層１２は、樹脂と、樹脂内に含まれる磁性体としての金属磁性粉とを有する。したがって、フェライトからなる磁性層と比較して、金属磁性粉により直流重畳特性を向上でき、樹脂により金属磁性粉間が絶縁されるので、高周波でのロス（鉄損）が低減される。

樹脂は、例えば、エポキシ系、ポリイミド系、フェノール系、ビニルエーテル系の何れかの樹脂を含む。これにより、絶縁信頼性が向上する。より具体的には、樹脂は、エポキシもしくはエポキシとアクリルの混合体もしくはエポキシ、アクリルとその他の混合体である。これにより、金属磁性粉間の絶縁性を担保することで、高周波でのロス（鉄損）を小さくできる。

金属磁性粉の平均粒径は、例えば０．１μｍ以上５μｍ以下である。インダクタ部品１の製造段階においては、金属磁性粉の平均粒径を、レーザ回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％に相当する粒径として算出することができる。金属磁性粉は、例えば、ＦｅＳｉＣｒなどのＦｅＳｉ系合金、ＦｅＣｏ系合金、ＮｉＦｅなどのＦｅ系合金、または、それらのアモルファス合金である。金属磁性粉の含有率は、好ましくは、磁性層全体に対して、２０ｖｏｌ％以上７０ｖｏｌ％以下である。金属磁性粉の平均粒径が５μｍ以下である場合、直流重畳特性がより向上し、微粉によって高周波での鉄損を低減できる。金属磁性粉の平均粒径が０，１μｍ以上である場合、樹脂への均一な分散が容易となり、第１磁性層１１および第２磁性層１２の製造効率が向上する。なお、金属磁性粉に代えて又は金属磁性粉に加えて、ＮｉＺｎ系やＭｎＺｎ系などのフェライトの磁性粉を用いてもよい。

下地絶縁層６は、第１磁性層１１上に形成されている。下地絶縁層６は、第１磁性層１１と反対側の第１主面６ａを含む。下地絶縁層６は、磁性体を含まない絶縁性材料からなり、例えば、エポキシ系、ポリイミド系、フェノール系、ビニルエーテル系の何れかの樹脂を含む。これにより、絶縁信頼性が向上する。

インダクタ配線２０は、下地絶縁層６の第１主面６ａ上に設けられ、第１主面６ａに沿って延在する。インダクタ配線２０は、第１主面６ａ上において、軸ＡＸを中心としてスパイラル状に巻き回されている。軸ＡＸは、第１主面６ａに直交している。インダクタ配線２０は、ターン数が１周を超えるスパイラル形状である。インダクタ配線２０は、上側からみて、外周端から内周端に向かって時計回り方向に渦巻状に巻回されている。なお、インダクタ配線２０は、ターン数が１周未満の曲線であってもよく、または、一部に直線を有していてもよい。

インダクタ配線２０の厚みは、例えば、３０μｍ以上１２０μｍ以下であることが好ましい。インダクタ配線２０の実施例として、厚みが４５μｍ、配線幅が５０μｍ、配線間スペースが１０μｍである。配線間スペースは５μｍ以上２０μｍ以下が好ましい。

インダクタ配線２０は、スパイラル部２００と、第１パッド部２０１と、第２パッド部２０２とを有する。第１パッド部２０１は、第１垂直配線５１に接続され、第２パッド部２０２は、第２垂直配線５２に接続される。スパイラル部２００は、第１パッド部２０１を内周端、第２パッド部２０２を外周端として、第１パッド部２０１および第２パッド部２０２から第１主面６ａ上に延在し、渦巻状に巻回されている。

インダクタ配線２０は、シード層１０１と、シード層１０１に接するように形成されためっき層１０２とを有する。シード層１０１は、下地絶縁層６の第１主面６ａに接触し、例えば、スパッタなどにより形成される。めっき層１０２は、シード層１０１に接触し、例えば、無電解めっきにより形成される。インダクタ配線２０は、導電性材料からなり、例えばＣｕ、Ａｇ，Ａｕ、Ｆｅもしくはこれらを含む合金などの低電気抵抗な金属材料からなる。これにより、インダクタ部品１の直流抵抗を下げることができる。

被覆絶縁層７は、インダクタ配線２０の少なくとも一部を覆う。被覆絶縁層７は、第１絶縁層７１と第２絶縁層７２とを有する。第１絶縁層７１は、インダクタ配線２０の側面を覆い、第２絶縁層７２は、インダクタ配線２０の上面を覆う。具体的に述べると、第１絶縁層７１は、インダクタ配線２０と同一面に設けられ、インダクタ配線２０のターン間や、インダクタ配線２０の外径側および内径側に設けられている。第２絶縁層７２は、第１絶縁層７１およびインダクタ配線２０の上面を覆い、インダクタ配線２０のパッド部２０１，２０２に対応した位置に孔部を有する。なお、被覆絶縁層７は、２つの絶縁層７１，７２から構成されるが、１つまたは３つ以上の絶縁層から構成されていてもよい。

第１絶縁層７１および第２絶縁層７２は、磁性体を含まない絶縁性材料からなり、例えば、エポキシ系、ポリイミド系、フェノール系、ビニルエーテル系の何れかの樹脂を含む。これにより、絶縁信頼性が向上する。

第１垂直配線５１および第２垂直配線５２は、インダクタ配線２０から第１方向Ｚに延在し、素体１０を貫通している。第１垂直配線５１は、インダクタ配線２０の第１パッド部２０１の上面から上側に延在し、被覆絶縁層７（第２絶縁層７２）の内部を貫通するビア配線３５と、該ビア配線３５から上側に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通する第１柱状配線３１とを有する。第２垂直配線５２は、インダクタ配線２０の第２パッド部２０２の上面から上側に延在し、被覆絶縁層７（第２絶縁層７２）を貫通するビア配線３５と、該ビア配線３５から上側に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通する第２柱状配線３２とを含む。

第１垂直配線５１および第２垂直配線５２は、それぞれ、シード層１１１と、シード層１１１に接するように形成されためっき層１１２とを有する。シード層１１１は、インダクタ配線２０および被覆絶縁層７（第２絶縁層７２）に接触し、例えば、スパッタなどにより形成される。めっき層１１２は、シード層１１１に接触し、例えば、無電解めっきにより形成される。第１垂直配線５１および第２垂直配線５２は、インダクタ配線２０と同様の導電性材料からなる。

第１外部端子４１は、第２磁性層１２の上面に設けられ、該上面から露出する第１柱状配線３１の端面を覆っている。これにより、第１外部端子４１は、インダクタ配線２０の第１パッド部２０１に電気的に接続される。第２外部端子４２は、第２磁性層１２の上面に設けられ、該上面から露出する第２柱状配線３２の端面を覆っている。これにより、第２外部端子４２は、インダクタ配線２０の第２パッド部２０２に電気的に接続される。

第１外部端子４１および第２外部端子４２は、導電性材料からなる。第１外部端子４１および第２外部端子４２は、例えば、低電気抵抗かつ耐応力性に優れたＣｕ、耐食性に優れたＮｉ、はんだ濡れ性と信頼性に優れたＡｕからなる金属層が内側から外側に向かってこの順に形成された３層構造である。

図３は、図２のＡ部の拡大図である。図３は、インダクタ配線２０の延在方向に直交する第１断面を示す。図３に示すように、インダクタ配線２０は、第１主面６ａ側の下面２０ａを有する。インダクタ配線２０は、下面２０ａに、第１足部２１と第２足部２２と股部２５とを有する。第１足部２１および第２足部２２は、下面２０ａの幅方向の左右両端部に設けられ、下地絶縁層６に埋め込まれている。股部２５は、第１足部２１と第２足部２２の間に設けられている。第１足部２１および第２足部２２のそれぞれの最上部の界面は、第１主面６ａと同一面に位置し、図３では、その界面を点線で示す。幅方向とは、第１断面において第１主面６ａに平行な方向をいう。第１足部２１および第２足部２２は、平面視、スパイラル部２００のスパイラル形状に沿ったスパイラル形状である。

下地絶縁層６は、第１足部２１と第２足部２２の間に位置し股部２５に対向する凸部６０を有する。凸部６０の最下部６０ｂの界面は、第１足部２１および第２足部２２のそれぞれの下面と同一面に位置し、図３では、その界面を点線で示す。

シード層１０１の少なくとも一部は、股部２５に設けられて凸部６０の上面６０ａに接触する。具体的に述べると、シード層１０１の全ては、股部２５に設けられ股部２５の下面を構成する。凸部６０の上面６０ａは、第１主面６ａに含まれる。

上記構成によれば、インダクタ配線２０は、下地絶縁層６に埋め込まれた第１足部２１および第２足部２２を有するので、第１足部２１および第２足部２２の下地絶縁層６に対するアンカー効果により、下地絶縁層６とインダクタ配線２０の密着力が向上し、下地絶縁層６とインダクタ配線２０が剥がれる可能性を低減できる。

また、シード層１０１の少なくとも一部は、股部２５に設けられて凸部６０の上面６０ａに接触するので、第１足部２１および第２足部２２をめっきにより形成する際、凸部６０の上面６０ａに接触するシード層１０１から幅方向の左右両側にバランスよくめっきを成長させることができ、この結果、凸部６０の幅方向の左右両側に、制御された所望の形状の第１足部２１および第２足部２２を形成することができる。また、第１足部２１および第２足部２２を制御された形状とできるので、制御されていない凹凸の変動の大きい形状と比較して、インダクタ配線２０の高周波特性を向上できる。

図３に示すように、第１断面において、第１足部２１の高さａ１は、好ましくは、１μｍ以上３μｍ以下である。第１足部２１の高さａ１とは、第１断面において第１主面６ａに直交する方向の第１足部２１の最大長さをいう。

上記構成によれば、下地絶縁層６とインダクタ配線２０の密着力を向上し、インダクタ配線２０の高周波特性を確保できる。つまり、高さａ１は１μｍ以上であるので、第１足部２１の下地絶縁層６に対するアンカー効果が向上し、下地絶縁層６とインダクタ配線２０の密着力が向上する。一方、高さａ１は３μｍ以下であるので、第１足部２１をめっきにより形成する際、第１足部２１においてめっきの成長が不十分となる可能性を低減できる。また、足部２１の高さを抑制でき、インダクタ配線２０の高周波特性を確保できる。

好ましくは、第２足部２２においても第１足部２１と同様の構成である。つまり、第１断面において、第２足部２２の高さａ２は、好ましくは、１μｍ以上３μｍ以下である。これにより、下地絶縁層６とインダクタ配線２０の密着力を向上し、インダクタ配線２０の高周波特性を確保できる。第１足部２１の高さａ１と第２足部２２の高さａ２とは、同じである。なお、第１足部２１の高さａ１と第２足部２２の高さａ２とは異なっていてもよい。

図３に示すように、第１断面において、第１足部２１および第２足部２２は、それぞれ矩形である。矩形とは、実質的な矩形であり、角や辺が僅かに湾曲していてもよい。第１足部２１の幅ｂ１と第２足部２２の幅ｂ２とは、同じである。幅ｂ１，ｂ２とは、第１断面において第１主面６ａに平行な方向の第１足部２１の最大長さをいう。なお、第１足部２１の幅ｂ１と第２足部２２の幅ｂ２とは異なっていてもよい。

図３に示すように、第１断面において、凸部６０は矩形である。矩形とは、実質的な矩形であり、角や辺が僅かに湾曲していてもよい。凸部６０の高さａ３を幅ｂ３で割ったアスペクト比は、好ましくは、０．０２以上０．３以下である。凸部６０の幅ｂ３とは、第１断面において第１主面６ａに平行な方向の凸部６０の最大長さをいう。凸部６０の高さａ３とは、第１断面において第１主面６ａに直交する方向の凸部６０の最大長さをいう。

上記構成によれば、第１足部２１および第２足部２２をめっきにより形成する際、第１足部２１および第２足部２２をより確実に形成できる。これにより、下地絶縁層６とインダクタ配線２０の密着力を向上し、インダクタ配線２０の高周波特性を確保できる。

つまり、アスペクト比は０．３以下であるので、凸部６０の上面６０ａに接触するシード層１０１の幅を大きくでき、第１足部２１および第２足部２２をめっきにより形成する際、第１足部２１および第２足部２２においてめっきの成長が不十分となる可能性を低減できる。一方、アスペクト比は０．０２以上であるので、第１足部２１および第２足部２２の高さを高くでき、第１足部２１の下地絶縁層６に対するアンカー効果が向上し、下地絶縁層６とインダクタ配線２０の密着力が向上する。このように、第１足部２１および第２足部２２をより確実に形成できる。

図３に示すように、第１断面において、凸部６０は矩形である。凸部６０の幅ｂ３は、好ましくは、インダクタ配線２０の幅Ｗの３０％以上８０％以下である。インダクタ配線２０の幅Ｗとは、第１断面において第１主面６ａに平行な方向のインダクタ配線２０の最大長さをいう。

上記構成によれば、第１足部２１および第２足部２２をめっきにより形成する際、第１足部２１および第２足部２２をより確実に形成できる。これにより、下地絶縁層６とインダクタ配線２０の密着力を向上し、インダクタ配線２０の高周波特性を確保できる。

つまり、幅ｂ３の幅Ｗに対する割合は３０％以上であるので、凸部６０の上面６０ａに接触するシード層１０１の幅を大きくでき、第１足部２１および第２足部２２をめっきにより形成する際、第１足部２１および第２足部２２においてめっきの成長が不十分となる可能性を低減できる。一方、幅ｂ３の幅Ｗに対する割合は８０％以下であるので、第１足部２１および第２足部２２の幅を大きくでき、第１足部２１および第２足部２２をめっきにより形成する際、第１足部２１および第２足部２２においてめっきが入り込み易くなってボイドが発生する可能性を低減できる。このように、第１足部２１および第２足部２２をより確実に形成できる。

なお、図２では、４つのインダクタ配線２０の断面が表れているが、４つのうちの少なくとも１つのインダクタ配線２０の断面において、図３に示す上述した種々の構成を満たしていればよい。

（製造方法）
次に、図４Ａから図４Ｈを用いてインダクタ部品１の製造方法について説明する。図４Ａから図４Ｈは、図２のインダクタ配線２０の第１パッド部２０１および第１垂直配線５１に対応した図である。

図４Ａに示すように、第１磁性層１１上に下地絶縁層６を形成する。下地絶縁層６として、例えば、ポリイミド系樹脂を用いる。図４Ｂに示すように、下地絶縁層６の第１主面６ａ上にシード層１０１を形成する。具体的に述べると、シード層１０１の材料をスパッタにより第１主面６ａに付着させ、フォトリソグラフィによってパターニングして、シード層１０１を形成する。

図４Ｃに示すように、シード層１０１を覆うように下地絶縁層６上に第１絶縁層７１を形成する。第１絶縁層７１としては、例えば、感光性永久膜（永久フォトレジスト）を用いる。感光性永久膜とは、加工処理をした後、取り除かないフォトレジストである。具体的に述べると、第１絶縁層７１の材料を下地絶縁層６上に印刷し露光する。その後、図４Ｄに示すように、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートペグミア）などの有機溶剤とＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）などのアルカリ系現像液を使用して現像を行う。これにより、第１絶縁層７１にインダクタ配線２０に対応する位置に開口部７１ａを形成する。

さらに、現像時に下地絶縁層６の一部が削れて、下地絶縁層６に第１溝部６５ａおよび第２溝部６５ｂが形成される。下地絶縁層６にアルカリに弱いポリイミド系樹脂を用いることで、下地絶縁層６がより削れやすくなる。そして、第１溝部６５ａと第２溝部６５ｂの間に凸部６０を形成できる。これにより、シード層１０１は凸部６０の上面６０ａに配置される。

図４Ｅに示すように、シード層１０１にめっき層１０２を形成する。具体的に述べると、シード層１０１に電解めっきによりめっきを成長させてめっき層１０２を形成し、これにより、インダクタ配線２０を形成する。このとき、第１溝部６５ａに第１足部２１を形成し、第２溝部６５ｂに第２足部２２を形成する。

図４Ｆに示すように、インダクタ配線２０および第１絶縁層７１上に第２絶縁層７２を形成する。第２絶縁層７２としては、例えば、感光性永久膜を用いる。具体的に述べると、第１絶縁層７１と同様に、第２絶縁層７２の材料をインダクタ配線２０および第１絶縁層７１上に印刷し露光して、その後、現像を行う。これにより、第２絶縁層７２にインダクタ配線２０の上面の一部が露出する開口部７２ａを設ける。

図４Ｇに示すように、第２絶縁層７２の開口部７２ａの内面、インダクタ配線２０の上面の露出部、および、第２絶縁層７２の上面に、シード層１１１をスパッタにより形成する。シード層１１１上にレジスト膜８０を形成し、レジスト膜８０に第１垂直配線５１に対応する位置に開口部８０ａを設ける。シード層１１１に電解めっきによりめっきを成長させて開口部７２ａおよび開口部８０ａにめっき層１１２を形成する。これにより、開口部７２ａにビア配線３５を形成し、開口部８０ａに第１柱状配線３１を形成して、第１垂直配線５１を形成する。

図４Ｈに示すように、レジスト膜８０を剥離し、露出したシード層１１１を除去して、第１垂直配線５１の上面が露出するように第２絶縁層７２上に第２磁性層１２を形成する。その後、第１垂直配線５１の上面に第１外部端子４１を形成して、インダクタ部品１を製造する。

＜第２実施形態＞
（構成）
図５は、インダクタ部品の第２実施形態を示す断面図である。図５は、図２に対応する断面である。第２実施形態は、第１実施形態とは、素体の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

図５に示すように、第２実施形態のインダクタ部品１Ａでは、素体１０は、磁性体を含有しない非磁性絶縁層８を有する。つまり、素体１０は、第１実施形態（図２）に記載の第２磁性層１２に代えて、非磁性絶縁層８を有する。素体１０は、第１磁性層１１と第１磁性層１１上に配置された非磁性絶縁層８とを有する。

非磁性絶縁層８は、磁性体を含まない絶縁性材料からなり、例えば、エポキシ系、ポリイミド系、フェノール系、ビニルエーテル系の何れかの樹脂を含む。上記構成によれば、素体１０は非磁性絶縁層８を含むので、インダクタ配線２０の高周波特性をより向上できる。

（製造方法）
次に、インダクタ部品１Ａの製造方法について説明する。

まず、第１実施形態の図４Ａから図４Ｇに示す製造方法と同じ方法で製造する。その後、図４Ｇに示すレジスト膜８０を剥離し、露出したシード層１１１を除去して、図６に示すように、第１垂直配線５１の上面が露出するように第２絶縁層７２上に非磁性絶縁層８を形成する。その後、第１垂直配線５１の上面に第１外部端子４１を形成して、インダクタ部品１Ａを製造する。

＜第３実施形態＞
（構成）
図７は、インダクタ部品の第３実施形態を示す断面図である。図７は、図３に対応する断面である。第３実施形態は、第１実施形態とは、下地絶縁層の凸部およびインダクタ配線の足部の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

図７に示すように、第３実施形態のインダクタ部品１Ｂでは、第１断面において、凸部６０の上面６０ａの幅ｃ２は、凸部６０の最下部６０ｂの幅ｃ１よりも大きい。上記構成によれば、凸部６０はくさび形状となり、下地絶縁層６とインダクタ配線２０の密着力をより向上できる。

図７に示すように、第１断面において、第１足部２１は、下面２１１と内側面２１２と外側面２１３とを有する。内側面２１２は、下面２１１の幅方向の端部に接続され凸部６０側に位置する。外側面２１３は、下面２１１の幅方向の端部に接続され凸部６０と反対側に位置する。

下面２１１と内側面２１２とのなす第１角度θ１、および、下面２１１と外側面２１３とのなす第２角度θ２のうちの少なくとも一方は、鋭角である。鋭角とは、好ましくは、７５°以上９０°未満である。上記構成によれば、内側面２１２側の内側角部および外側面２１３側の外側角部のうちの少なくとも一方はくさび形状となり、下地絶縁層６とインダクタ配線２０の密着力をより向上できる。

好ましくは、第１断面において、第１角度θ１および第２角度θ２は、それぞれ、鋭角である。上記構成によれば、内側面２１２側の内側角部および外側面２１３側の外側角部の両方はくさび形状となり、下地絶縁層６とインダクタ配線２０の密着力をより向上できる。第１角度θ１および第２角度θ２は、同じ角度であってもよく、または、異なる角度であってもよい。

図７に示すように、第１断面において、第２足部２２は、下面２２１と内側面２２２と外側面２２３とを有する。内側面２２２は、下面２２１の幅方向の端部に接続され凸部６０側に位置する。外側面２２３は、下面２２１の幅方向の端部に接続され凸部６０と反対側に位置する。

下面２２１と内側面２２２とのなす第１角度θ１、および、下面２２１と外側面２２３とのなす第２角度θ２のうちの少なくとも一方は、鋭角である。鋭角とは、好ましくは、７５°以上９０°未満である。上記構成によれば、内側面２２２側の内側角部および外側面２２３側の外側角部のうちの少なくとも一方はくさび形状となり、下地絶縁層６とインダクタ配線２０の密着力をより向上できる。

好ましくは、第１断面において、第１角度θ１および第２角度θ２は、それぞれ、鋭角である。上記構成によれば、内側面２２２側の内側角部および外側面２２３側の外側角部の両方はくさび形状となり、下地絶縁層６とインダクタ配線２０の密着力をより向上できる。第１角度θ１および第２角度θ２は、同じ角度であってもよく、または、異なる角度であってもよい。

なお、第１足部２１および第２足部２２の少なくとも一方において、第１角度θ１および第２角度θ２のうちの少なくとも一方が、鋭角であればよい。

（製造方法）
次に、インダクタ部品１Ｂの製造方法について説明する。

まず、第１実施形態の図４Ａから図４Ｃに示す製造方法と同じ方法で製造する。その後、図８Ａに示すように、ＰＧＭＥＡなどの有機溶剤とＴＭＡＨなどのアルカリ系現像液を使用して現像を行う。これにより、第１絶縁層７１にインダクタ配線２０に対応する位置に開口部７１ａを形成する。また、現像時に下地絶縁層６の一部が削れて、下地絶縁層６に第１溝部６５ａおよび第２溝部６５ｂが形成される。そして、第１溝部６５ａと第２溝部６５ｂの間に凸部６０を形成できる。シード層１０１は凸部６０の上面６０ａに配置される。

このとき、第１実施形態の図４Ｄに示すように下地絶縁層６を垂直方向にのみエッチングする場合の現像時間に比べて、１００％から１５０％の時間現像する。これにより、第１溝部６５ａおよび第２溝部６５ｂの形状を下方の幅が広くなるような形状とでき、凸部６０の形状を下方の幅が狭くなるような形状とできる。

図８Ｂに示すように、シード層１０１にめっき層１０２を形成する。具体的に述べると、シード層１０１に電解めっきによりめっきを成長させてめっき層１０２を形成し、これにより、インダクタ配線２０を形成する。このとき、第１溝部６５ａに第１足部２１を形成し、第２溝部６５ｂに第２足部２２を形成する。

その後、第１実施形態の図４Ｆから図４Ｈに示す製造方法と同じ方法で製造して、インダクタ部品１Ｂを製造する。

＜第４実施形態＞
（構成）
図９は、インダクタ部品の第４実施形態を示す断面図である。図９は、図３に対応する断面である。第４実施形態は、第１実施形態とは、下地絶縁層の凸部およびインダクタ配線の足部の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

図９に示すように、第４実施形態のインダクタ部品１Ｃでは、第１断面において、凸部６０の上面６０ａの幅ｃ２は、凸部６０の最下部６０ｂの幅ｃ１よりも小さい。上記構成によれば、凸部６０に隣接する第１足部２１および股部２５において、第１足部２１と股部２５の接続部分は緩やかな形状となり、インダクタ配線２０の高周波特性をより向上できる。また、凸部６０に隣接する第２足部２２および股部２５において、第２足部２２と股部２５の接続部分は緩やかな形状となり、インダクタ配線２０の高周波特性をより向上できる。

図９に示すように、第１断面において、第１足部２１は、下面２１１と内側面２１２と外側面２１３とを有する。内側面２１２は、下面２１１の幅方向の端部に接続され凸部６０側に位置する。外側面２１３は、下面２１１の幅方向の端部に接続され凸部６０と反対側に位置する。

下面２１１と内側面２１２とのなす第１角度θ１、および、下面２１１と外側面２１３とのなす第２角度θ２のうちの少なくとも一方は、鈍角である。鈍角とは、好ましくは、９０°を超え１０５°以下である。上記構成によれば、内側面２１２側の内側角部および外側面２１３側の外側角部のうちの少なくとも一方は緩やかな形状となり、インダクタ配線２０の高周波特性をより向上できる。

好ましくは、第１断面において、第１角度θ１および第２角度θ２は、それぞれ、鈍角である。上記構成によれば、内側面２１２側の内側角部および外側面２１３側の外側角部の両方は緩やかな形状となり、インダクタ配線２０の高周波特性をより向上できる。第１角度θ１および第２角度θ２は、同じ角度であってもよく、または、異なる角度であってもよい。

図９に示すように、第１断面において、第２足部２２は、下面２２１と内側面２２２と外側面２２３とを有する。内側面２２２は、下面２２１の幅方向の端部に接続され凸部６０側に位置する。外側面２２３は、下面２２１の幅方向の端部に接続され凸部６０と反対側に位置する。

下面２２１と内側面２２２とのなす第１角度θ１、および、下面２２１と外側面２２３とのなす第２角度θ２のうちの少なくとも一方は、鈍角である。鈍角とは、好ましくは、９０°を超え１０５°以下である。上記構成によれば、内側面２２２側の内側角部および外側面２２３側の外側角部のうちの少なくとも一方は緩やかな形状となり、インダクタ配線２０の高周波特性をより向上できる。

好ましくは、第１断面において、第１角度θ１および第２角度θ２は、それぞれ、鈍角である。上記構成によれば、内側面２２２側の内側角部および外側面２２３側の外側角部の両方は緩やかな形状となり、インダクタ配線２０の高周波特性をより向上できる。第１角度θ１および第２角度θ２は、同じ角度であってもよく、または、異なる角度であってもよい。

なお、第１足部２１および第２足部２２の少なくとも一方において、第１角度θ１および第２角度θ２のうちの少なくとも一方が、鈍角であればよい。

（製造方法）
次に、インダクタ部品１Ｃの製造方法について説明する。

まず、第１実施形態の図４Ａから図４Ｃに示す製造方法と同じ方法で製造する。その後、図１０Ａに示すように、ＰＧＭＥＡなどの有機溶剤とＴＭＡＨなどのアルカリ系現像液を使用して現像を行う。これにより、第１絶縁層７１にインダクタ配線２０に対応する位置に開口部７１ａを形成する。また、現像時に下地絶縁層６の一部が削れて、下地絶縁層６に第１溝部６５ａおよび第２溝部６５ｂが形成される。そして、第１溝部６５ａと第２溝部６５ｂの間に凸部６０を形成できる。シード層１０１は凸部６０の上面６０ａに配置される。

このとき、第１実施形態の図４Ｄに示すように下地絶縁層６を垂直方向にのみエッチングする場合の現像時間に比べて、６０％から１００％の時間現像する。これにより、第１溝部６５ａおよび第２溝部６５ｂの形状を下方の幅が狭くなるような形状とでき、凸部６０の形状を下方の幅が広くなるような形状とできる。

図１０Ｂに示すように、シード層１０１にめっき層１０２を形成する。具体的に述べると、シード層１０１に電解めっきによりめっきを成長させてめっき層１０２を形成し、これにより、インダクタ配線２０を形成する。このとき、第１溝部６５ａに第１足部２１を形成し、第２溝部６５ｂに第２足部２２を形成する。

その後、第１実施形態の図４Ｆから図４Ｈに示す製造方法と同じ方法で製造して、インダクタ部品１Ｃを製造する。

（変形例）
インダクタ部品の変形例を説明する。

第１断面において、第１足部２１において、第１角度θ１および第２角度θ２の一方が、鈍角であり、第１角度θ１および第２角度θ２の他方が、第３実施形態に記載の鋭角である。上記構成によれば、内側面側の内側角部および外側面側の外側角部のうちの一方は鋭角によるくさび形状となり、下地絶縁層６とインダクタ配線２０の密着力をより向上でき、また、内側面側の内側角部および外側面側の外側角部のうちの他方は鈍角による緩やかな形状となり、インダクタ配線２０の高周波特性をより向上できる。

第１断面において、第２足部２２において、第１角度θ１および第２角度θ２の一方が、鈍角であり、第１角度θ１および第２角度θ２の他方が、第３実施形態に記載の鋭角である。上記構成によれば、内側面側の内側角部および外側面側の外側角部のうちの一方は鋭角によるくさび形状となり、下地絶縁層６とインダクタ配線２０の密着力をより向上でき、また、内側面側の内側角部および外側面側の外側角部のうちの他方は鈍角による緩やかな形状となり、インダクタ配線２０の高周波特性をより向上できる。

なお、第１足部２１および第２足部２２の少なくとも一方において、第１角度θ１および第２角度θ２の一方が鈍角であり、第１角度θ１および第２角度θ２の他方が鋭角であればよい。

＜第５実施形態＞
（構成）
図１１は、インダクタ部品の第５実施形態を示す断面図である。図１１は、図２に対応する断面である。第５実施形態は、第１実施形態とは、シード層の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

図１１に示すように、第５実施形態のインダクタ部品１Ｄでは、第１断面において、シード層１０１は、インダクタ配線２０の下面の全面に設けられている。具体的に述べると、第１断面において、シード層１０１は、股部２５の下面と、第１足部２１の下面および内側面と、第２足部２２の下面および内側面とに連続して配置される。上記構成によれば、下地絶縁層６とインダクタ配線２０の密着力をより向上できる。

なお、図１１では、４つのインダクタ配線２０の断面が表れているが、４つのうちの少なくとも１つのインダクタ配線２０の断面において、上記構成を満たしていればよい。

（製造方法）
次に、インダクタ部品１Ｄの製造方法について説明する。

図１２Ａに示すように、第１磁性層１１上に下地絶縁層６を形成する。下地絶縁層６として、例えば、ポリイミド系樹脂を用いる。フォトリソグラフィにより下地絶縁層６の第１主面６ａに第１溝部６５ａおよび第２溝部６５ｂを形成する。これにより、第１溝部６５ａと第２溝部６５ｂの間に凸部６０を形成できる。

図１２Ｂに示すように、凸部６０の上面６０ａを含む下地絶縁層６の第１主面６ａ上と、第１溝部６５ａおよび第２溝部６５ｂの内面とに、スパッタによりシード層１０１を形成する。

図１２Ｃに示すように、シード層１０１を覆うように下地絶縁層６上に第１絶縁層７１を形成する。第１絶縁層７１としては、例えば、感光性永久膜を用いる。そして、露光および現像を行って、第１絶縁層７１にインダクタ配線２０に対応する位置に開口部７１ａを形成する。

図１２Ｄに示すように、シード層１０１にめっき層１０２を形成する。具体的に述べると、シード層１０１に電解めっきによりめっきを成長させてめっき層１０２を形成し、これにより、インダクタ配線２０を形成する。このとき、第１溝部６５ａに第１足部２１を形成し、第２溝部６５ｂに第２足部２２を形成する。

その後、第１実施形態の図４Ｆから図４Ｈに示す製造方法と同じ方法で製造して、インダクタ部品１Ｄを製造する。

＜第６実施形態＞
（構成）
図１３は、インダクタ部品の第６実施形態を示す断面図である。図１３は、図３に対応する断面である。第６実施形態は、第１実施形態とは、足部および凸部の数量が相違する。この相違する構成を以下に説明する。その他の構成は、第１実施形態と同じ構成であり、第１実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。

図１３に示すように、第６実施形態のインダクタ部品１Ｅでは、第１断面において、インダクタ配線２０は、さらに、第１足部２１と第２足部２２との間に設けられた第３足部２３を有する。インダクタ配線２０は、第１足部２１と第３足部２３の間に設けられた第１股部２６と、第２足部２２と第３足部２３の間に設けられた第２股部２７とを有する。

下地絶縁層６は、第１足部２１と第３足部２３の間に位置し第１股部２６に対向する第１凸部６１と、第２足部２２と第３足部２３の間に位置し第２股部２７に対向する第２凸部６２とを有する。シード層１０１の少なくとも一部は、第１股部２６に設けられて第１凸部６１の上面６１ａに接触し、第２股部２７に設けられて第２凸部６２の上面６２ａに接触する。上記構成によれば、第１足部２１、第２足部２２および第３足部２３の下地絶縁層６に対するアンカー効果により、下地絶縁層６とインダクタ配線２０の密着力がより向上する。

好ましくは、第３足部２３は、第１足部２１と第２足部２２の間の中央部に位置する。これにより、第１足部２１、第２足部２２および第３足部２３の下地絶縁層６に対するアンカー効果をバランスよく付与することができる。なお、第３足部２３は、第１足部２１と第２足部２２の間の中央部に対して、第１足部２１または第２足部２２の一方に偏在していてもよい。

第１足部２１の幅と第２足部２２の幅と第３足部２３の幅は同じであってもよく、または、少なくとも１つの足部の幅が他の足部の幅と異なっていてもよい。なお、インダクタ配線２０は、足部を４つ以上有していてもよい。

（製造方法）
次に、インダクタ部品１Ｅの製造方法について説明する。

図１４Ａに示すように、第１磁性層１１上に下地絶縁層６を形成する。下地絶縁層６として、例えば、ポリイミド系樹脂を用いる。図１４Ｂに示すように、下地絶縁層６の第１主面６ａ上に２つのシード層１０１を形成する。具体的に述べると、シード層１０１の材料をスパッタにより第１主面６ａに付着させ、フォトリソグラフィによってパターニングして、２つのシード層１０１（第１のシード層１０１および第２のシード層１０１）を形成する。

図１４Ｃに示すように、シード層１０１を覆うように下地絶縁層６上に第１絶縁層７１を形成する。第１絶縁層７１としては、例えば、感光性永久膜を用いる。そして、図１４Ｄに示すように、第１絶縁層７１を露光して現像を行う。これにより、第１絶縁層７１にインダクタ配線２０に対応する位置に開口部７１ａを形成し、下地絶縁層６に第１溝部６５ａと、第２溝部６５ｂと、第１溝部６５ａと第２溝部６５ｂの間の第３溝部６５ｃとを形成する。そして、第１溝部６５ａと第３溝部６５ｃの間に第１凸部６１を形成し、第２溝部６５ｂと第３溝部６５ｃの間に第２凸部６２を形成する。これにより、第１のシード層１０１は第１凸部６１の上面６１ａに配置され、第２のシード層１０１は第２凸部６２の上面６２ａに配置される。

図１４Ｅに示すように、シード層１０１にめっき層１０２を形成する。具体的に述べると、シード層１０１に電解めっきによりめっきを成長させてめっき層１０２を形成し、これにより、インダクタ配線２０を形成する。このとき、第１溝部６５ａに第１足部２１を形成し、第２溝部６５ｂに第２足部２２を形成し、第３溝部６５ｃに第３足部２３を形成する。

その後、第１実施形態の図４Ｆから図４Ｈに示す製造方法と同じ方法で製造して、インダクタ部品１Ｅを製造する。

なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１から第６実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。

前記実施形態では、インダクタ配線は１層であるが、複数のインダクタ配線を第１方向に沿って形成してもよい。また、複数のインダクタ配線を第１方向と直交する方向に配置してもよい。

前記第１実施形態では、図２に示すように、４つのインダクタ配線の断面の全てが２つの足部を有しているが、少なくとも１つのインダクタ配線の断面の足部の数量が他のインダクタ配線の断面の足部の数量と異なっていてもよい。例えば、隣り合うターンのインダクタ配線の断面において、一方のインダクタ配線の断面の足部の数量が２つであり、他方のインダクタ配線の断面の足部の数量が３つ以上であってもよい。

＜１＞
素体と、
前記素体内に設けられ、第１主面を含む下地絶縁層と、
前記素体内で前記第１主面上に設けられ、前記第１主面に沿って延在するインダクタ配線と、
前記素体内に設けられ、前記インダクタ配線の少なくとも一部を覆う被覆絶縁層と
を備え、
前記インダクタ配線は、シード層と、前記シード層に接するように形成されためっき層とを有し、
前記インダクタ配線の延在方向に直交する第１断面において、
前記インダクタ配線は、前記第１主面側の下面の前記第１主面に平行な幅方向の両端部に設けられ前記下地絶縁層に埋め込まれた第１足部および第２足部と、前記第１足部と前記第２足部の間に設けられた股部とを有し、前記下地絶縁層は、前記第１足部と前記第２足部の間に位置し前記股部に対向する凸部を有し、前記シード層の少なくとも一部は、前記股部に設けられて前記凸部の上面に接触する、インダクタ部品。
＜２＞
前記第１断面において、前記第１足部の前記第１主面に直交する方向の高さは、１μｍ以上３μｍ以下である、＜１＞に記載のインダクタ部品。
＜３＞
前記第１断面において、前記凸部は矩形であり、前記凸部の前記第１主面に直交する方向の高さを前記第１主面に平行な方向の幅で割ったアスペクト比は、０．０２以上０．３以下である、＜１＞または＜２＞に記載のインダクタ部品。
＜４＞
前記第１断面において、前記凸部は矩形であり、前記凸部の前記第１主面に平行な方向の幅は、前記インダクタ配線の前記第１主面に平行な方向の幅の３０％以上８０％以下である、＜１＞から＜３＞の何れか一つに記載のインダクタ部品。
＜５＞
前記素体は、磁性体を含有しない非磁性絶縁層を有する、＜１＞から＜４＞の何れか一つに記載のインダクタ部品。
＜６＞
前記第１断面において、前記凸部の上面の前記第１主面に平行な方向の幅は、前記凸部の最下部の前記第１主面に平行な方向の幅よりも大きい、＜１＞または＜２＞に記載のインダクタ部品。
＜７＞
前記第１断面において、前記第１足部は、下面と、前記下面の前記第１主面に平行な幅方向の端部に接続され前記凸部側に位置する内側面と、前記下面の幅方向の端部に接続され前記凸部と反対側に位置する外側面とを有し、前記下面と前記内側面とのなす第１角度、および、前記下面と前記外側面とのなす第２角度のうちの少なくとも一方は、鋭角である、＜１＞、＜２＞および＜６＞の何れか一つに記載のインダクタ部品。
＜８＞
前記第１断面において、前記第１角度および前記第２角度は、それぞれ、鋭角である、＜７＞に記載のインダクタ部品。
＜９＞
前記第１断面において、前記凸部の上面の前記第１主面に平行な方向の幅は、前記凸部の最下部の前記第１主面に平行な方向の幅よりも小さい、＜１＞または＜２＞に記載のインダクタ部品。
＜１０＞
前記第１断面において、前記第１足部は、下面と、前記下面の前記第１主面に平行な幅方向の端部に接続され前記凸部側に位置する内側面と、前記下面の幅方向の端部に接続され前記凸部と反対側に位置する外側面とを有し、前記下面と前記内側面とのなす第１角度、および、前記下面と前記外側面とのなす第２角度のうちの少なくとも一方は、鈍角である、＜１＞、＜２＞および＜９＞の何れか一つに記載のインダクタ部品。
＜１１＞
前記第１断面において、前記第１角度および前記第２角度は、それぞれ、鈍角である、＜１０＞に記載のインダクタ部品。
＜１２＞
前記第１断面において、前記第１足部は、下面と、前記下面の前記第１主面に平行な幅方向の端部に接続され前記凸部側に位置する内側面と、前記下面の幅方向の端部に接続され前記凸部と反対側に位置する外側面とを有し、前記下面と前記内側面とのなす第１角度、および、前記下面と前記外側面とのなす第２角度のうちの一方は、鋭角であり、前記第１角度および前記第２角度のうちの他方は、鈍角である、＜１＞または＜２＞に記載のインダクタ部品。
＜１３＞
前記第１断面において、前記シード層は、前記インダクタ配線の前記下地絶縁層に接する面の全面に設けられている、＜１＞から＜１２＞の何れか一つに記載のインダクタ部品。
＜１４＞
前記第１断面において、
前記インダクタ配線は、さらに、前記第１足部と前記第２足部との間に設けられた第３足部を有し、前記股部は、前記第１足部と前記第３足部の間に設けられた第１股部と、前記第２足部と前記第３足部の間に設けられた第２股部とを有し、前記凸部は、前記第１足部と前記第３足部の間に位置し前記第１股部に対向する第１凸部と、前記第２足部と前記第３足部の間に位置し前記第２股部に対向する第２凸部とを有し、
前記シード層の少なくとも一部は、前記第１股部に設けられて前記第１凸部の上面に接触し、前記第２股部に設けられて前記第２凸部の上面に接触する、＜１＞から＜１３＞の何れか一つに記載のインダクタ部品。

１，１Ａ－１Ｅ インダクタ部品
６ 下地絶縁層
６ａ 第１主面
６０ 凸部
６０ａ 上面
６０ｂ 最下部
６１，６２ 第１、第２凸部
６１ａ，６２ａ 上面
６５ａ，６５ｂ，６５ｃ 第１、第２、第３溝部
７ 被覆絶縁層
７１，７２ 第１、第２絶縁層
８ 非磁性絶縁層
１０ 素体
１１ 第１磁性層
１２ 第２磁性層
２０ インダクタ配線
２０ａ 下面
２１，２２，２３ 第１、第２、第３足部
２５ 股部
２６，２７ 第１、第２股部
３１ 第１柱状配線
３２ 第２柱状配線
３５ ビア配線
４１ 第１外部端子
４２ 第２外部端子
５１ 第１垂直配線
５２ 第２垂直配線
１０１ シード層
１０２ めっき層
ＡＸ 軸
Ｚ 第１方向

Claims (14)

1. 素体と、
   前記素体内に設けられ、第１主面を含む下地絶縁層と、
   前記素体内で前記第１主面上に設けられ、前記第１主面に沿って延在するインダクタ配線と、
   前記素体内に設けられ、前記インダクタ配線の少なくとも一部を覆う被覆絶縁層と
   を備え、
   前記インダクタ配線は、シード層と、前記シード層に接するように形成されためっき層とを有し、
   前記インダクタ配線の延在方向に直交する第１断面において、
   前記インダクタ配線は、前記第１主面側の下面の前記第１主面に平行な幅方向の両端部に設けられ前記下地絶縁層に埋め込まれた第１足部および第２足部と、前記第１足部と前記第２足部の間に設けられた股部とを有し、前記下地絶縁層は、前記第１足部と前記第２足部の間に位置し前記股部に対向する凸部を有し、前記シード層の少なくとも一部は、前記股部に設けられて前記凸部の上面に接触する、インダクタ部品。
2. 前記第１断面において、前記第１足部の前記第１主面に直交する方向の高さは、１μｍ以上３μｍ以下である、請求項１に記載のインダクタ部品。
3. 前記第１断面において、前記凸部は矩形であり、前記凸部の前記第１主面に直交する方向の高さを前記第１主面に平行な方向の幅で割ったアスペクト比は、０．０２以上０．３以下である、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
4. 前記第１断面において、前記凸部は矩形であり、前記凸部の前記第１主面に平行な方向の幅は、前記インダクタ配線の前記第１主面に平行な方向の幅の３０％以上８０％以下である、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
5. 前記素体は、磁性体を含有しない非磁性絶縁層を有する、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
6. 前記第１断面において、前記凸部の上面の前記第１主面に平行な方向の幅は、前記凸部の最下部の前記第１主面に平行な方向の幅よりも大きい、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
7. 前記第１断面において、前記第１足部は、下面と、前記下面の前記第１主面に平行な幅方向の端部に接続され前記凸部側に位置する内側面と、前記下面の幅方向の端部に接続され前記凸部と反対側に位置する外側面とを有し、前記下面と前記内側面とのなす第１角度、および、前記下面と前記外側面とのなす第２角度のうちの少なくとも一方は、鋭角である、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
8. 前記第１断面において、前記第１角度および前記第２角度は、それぞれ、鋭角である、請求項７に記載のインダクタ部品。
9. 前記第１断面において、前記凸部の上面の前記第１主面に平行な方向の幅は、前記凸部の最下部の前記第１主面に平行な方向の幅よりも小さい、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
10. 前記第１断面において、前記第１足部は、下面と、前記下面の前記第１主面に平行な幅方向の端部に接続され前記凸部側に位置する内側面と、前記下面の幅方向の端部に接続され前記凸部と反対側に位置する外側面とを有し、前記下面と前記内側面とのなす第１角度、および、前記下面と前記外側面とのなす第２角度のうちの少なくとも一方は、鈍角である、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
11. 前記第１断面において、前記第１角度および前記第２角度は、それぞれ、鈍角である、請求項１０に記載のインダクタ部品。
12. 前記第１断面において、前記第１足部は、下面と、前記下面の前記第１主面に平行な幅方向の端部に接続され前記凸部側に位置する内側面と、前記下面の幅方向の端部に接続され前記凸部と反対側に位置する外側面とを有し、前記下面と前記内側面とのなす第１角度、および、前記下面と前記外側面とのなす第２角度のうちの一方は、鋭角であり、前記第１角度および前記第２角度のうちの他方は、鈍角である、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
13. 前記第１断面において、前記シード層は、前記インダクタ配線の前記下地絶縁層に接する面の全面に設けられている、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
14. 前記第１断面において、
    前記インダクタ配線は、さらに、前記第１足部と前記第２足部との間に設けられた第３足部を有し、前記股部は、前記第１足部と前記第３足部の間に設けられた第１股部と、前記第２足部と前記第３足部の間に設けられた第２股部とを有し、前記凸部は、前記第１足部と前記第３足部の間に位置し前記第１股部に対向する第１凸部と、前記第２足部と前記第３足部の間に位置し前記第２股部に対向する第２凸部とを有し、
    前記シード層の少なくとも一部は、前記第１股部に設けられて前記第１凸部の上面に接触し、前記第２股部に設けられて前記第２凸部の上面に接触する、請求項１または２に記載のインダクタ部品。

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