JP2024009658A - 冷却装置 - Google Patents
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 185
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims abstract description 347
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 89
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 78
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 30
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 15
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 15
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims description 10
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 5
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/16—Constructional details or arrangements
- G06F1/20—Cooling means
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/44—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements the complete device being wholly immersed in a fluid other than air
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【課題】冷媒の使用量を低減させることができる冷却装置を提供する。【解決手段】冷却装置は、発熱体の下方で液相の第一冷媒を貯留する貯留槽と、貯留槽内の第一冷媒を汲み上げて発熱体に第一冷媒を供給する冷媒供給部と、第一冷媒よりも低温の第二冷媒を供給することで、第一冷媒と第二冷媒とで熱交換を行い、第一冷媒を冷却する冷媒冷却部と、を備え、貯留槽は、発熱体に供給された第一冷媒を回収する。【選択図】図1
Description
本開示は、冷却装置に関する。
特許文献1には、発熱体を有する電子機器を液相の冷媒中に浸漬して直接冷却する冷却システムが開示されている。冷却システムは、冷媒が入れられた冷却槽を有する。電子機器は、冷却槽の冷媒中に浸漬される。
しかしながら、特許文献1に記載の冷却システムでは、電子機器の全体を冷却槽の冷媒中に浸漬させる必要がある。このため、この冷却システムは、多量の冷媒を必要とする。冷媒は高価であるため、冷媒の使用量を低減させることが求められている。
本開示は、上記課題を解決するためになされたものであって、冷媒の使用量を低減させることができる冷却装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本開示に係る冷却装置は、発熱体の下方で液相の第一冷媒を貯留する貯留槽と、前記貯留槽内の前記第一冷媒を汲み上げて前記発熱体に前記第一冷媒を供給する冷媒供給部と、前記第一冷媒よりも低温の第二冷媒を供給することで、前記第一冷媒と前記第二冷媒とで熱交換を行い、前記第一冷媒を冷却する冷媒冷却部と、を備え、前記貯留槽は、前記発熱体に供給された前記第一冷媒を回収する。
本開示の冷却装置によれば、冷媒の使用量を低減させることができる。
<第一実施形態>
以下、本開示の第一実施形態に係る冷却装置10について、図1、図2を参照して説明する。
冷却装置10は、高速計算を行う電子機器の冷却に用いられる。図1に示すように、本実施形態では、冷却装置10は、データセンターに設置されたサーバ1に使用されている。
以下、本開示の第一実施形態に係る冷却装置10について、図1、図2を参照して説明する。
冷却装置10は、高速計算を行う電子機器の冷却に用いられる。図1に示すように、本実施形態では、冷却装置10は、データセンターに設置されたサーバ1に使用されている。
サーバ1は、CPUやGPU等の素子が設けられたプリント基板を有する。CPUやGPUは、高速計算処理を担う部品であるため高負荷がかかる。このため、CPUやGPUは、サーバ1の他の箇所と比べて高温に発熱する。
以下では、サーバ1のプリント基板を単に「基板2」と称し、CPUやGPU等の基板2中で特に高温に発熱する素子を「発熱体3」と称する場合がある。
基板2は、矩形板状に形成されている。基板2の表面には、発熱体3が設けられている。基板2は、上下方向に延在するように配置されている。
(冷却装置の構成)
続いて、冷却装置10の構成について説明する。
図1、図2に示すように、冷却装置10は、貯留槽20と、冷媒供給部30と、冷媒冷却部40と、フィン11と、を備える。
続いて、冷却装置10の構成について説明する。
図1、図2に示すように、冷却装置10は、貯留槽20と、冷媒供給部30と、冷媒冷却部40と、フィン11と、を備える。
(貯留槽)
貯留槽20は、基板2の下方に配置されている。貯留槽20は、直方体状の箱型の容器である。貯留槽20は、上方に向けて開口している。貯留槽20は、発熱体3の下方で液相の第一冷媒R1を貯留する。第一冷媒R1は、絶縁性を有する冷媒である。第一冷媒R1の例として、例えばフルオロカーボン類を基にした液体等が挙げられる。第一冷媒R1は、後述する冷媒供給部30によって発熱体3に供給される。発熱体3は、第一冷媒R1と熱交換を行うによって冷却される。貯留槽20は、発熱体3に供給された第一冷媒R1を回収する。
貯留槽20は、基板2の下方に配置されている。貯留槽20は、直方体状の箱型の容器である。貯留槽20は、上方に向けて開口している。貯留槽20は、発熱体3の下方で液相の第一冷媒R1を貯留する。第一冷媒R1は、絶縁性を有する冷媒である。第一冷媒R1の例として、例えばフルオロカーボン類を基にした液体等が挙げられる。第一冷媒R1は、後述する冷媒供給部30によって発熱体3に供給される。発熱体3は、第一冷媒R1と熱交換を行うによって冷却される。貯留槽20は、発熱体3に供給された第一冷媒R1を回収する。
(冷媒供給部)
冷媒供給部30は、貯留槽20内の第一冷媒R1を汲み上げて発熱体3に第一冷媒R1を供給する。本実施形態の冷媒供給部30は、基板2上に第一冷媒R1を下方に流し、基板2上の発熱体3を含む領域に第一冷媒R1の液膜Mを形成する。冷媒供給部30は、循環配管31と、ポンプ32と、ヘッダ管33と、を有する。
冷媒供給部30は、貯留槽20内の第一冷媒R1を汲み上げて発熱体3に第一冷媒R1を供給する。本実施形態の冷媒供給部30は、基板2上に第一冷媒R1を下方に流し、基板2上の発熱体3を含む領域に第一冷媒R1の液膜Mを形成する。冷媒供給部30は、循環配管31と、ポンプ32と、ヘッダ管33と、を有する。
(循環配管)
循環配管31は、貯留槽20の外部に設けられている。循環配管31の一端31aは、貯留槽20の底部21に接続されている。循環配管31は、貯留槽20の内部と連通している。循環配管31は、貯留槽20の底部21から上方に延びている。循環配管31の他端31bは、基板2よりも上方に位置している。循環配管31には、第一冷媒R1が流通する。
循環配管31は、貯留槽20の外部に設けられている。循環配管31の一端31aは、貯留槽20の底部21に接続されている。循環配管31は、貯留槽20の内部と連通している。循環配管31は、貯留槽20の底部21から上方に延びている。循環配管31の他端31bは、基板2よりも上方に位置している。循環配管31には、第一冷媒R1が流通する。
(ポンプ)
ポンプ32は、循環配管31に設けられている。本実施形態では、ポンプ32は、貯留槽20の底部21よりも下方に設けられている。ポンプ32は、第一冷媒R1を圧送し、循環配管31の一端31aから他端31bに向けて第一冷媒R1を流通させる。
ポンプ32は、循環配管31に設けられている。本実施形態では、ポンプ32は、貯留槽20の底部21よりも下方に設けられている。ポンプ32は、第一冷媒R1を圧送し、循環配管31の一端31aから他端31bに向けて第一冷媒R1を流通させる。
(ヘッダ管)
ヘッダ管33は、循環配管31の他端31bに設けられている。ヘッダ管33は、循環配管31と連通している。ヘッダ管33は、基板2の真上に配置されている。ヘッダ管33は、基板2の上縁に沿っている。ヘッダ管33には、複数の供給孔34が設けられている。複数の供給孔34は、等間隔で一列に並んで配置されている。各供給孔34は、下方に向けて開口している。ヘッダ管33には、循環配管31から供給された第一冷媒R1が流通する。
ヘッダ管33は、循環配管31の他端31bに設けられている。ヘッダ管33は、循環配管31と連通している。ヘッダ管33は、基板2の真上に配置されている。ヘッダ管33は、基板2の上縁に沿っている。ヘッダ管33には、複数の供給孔34が設けられている。複数の供給孔34は、等間隔で一列に並んで配置されている。各供給孔34は、下方に向けて開口している。ヘッダ管33には、循環配管31から供給された第一冷媒R1が流通する。
(冷媒冷却部)
冷媒冷却部40は、第一冷媒R1よりも低温の第二冷媒R2を供給することで、第一冷媒R1と第二冷媒R2とで熱交換を行い、第一冷媒R1を冷却する。本実施形態では、冷媒冷却部40は、基板2上に形成された第一冷媒R1の液膜Mに、第二冷媒R2を供給する。
冷媒冷却部40は、第一冷媒R1よりも低温の第二冷媒R2を供給することで、第一冷媒R1と第二冷媒R2とで熱交換を行い、第一冷媒R1を冷却する。本実施形態では、冷媒冷却部40は、基板2上に形成された第一冷媒R1の液膜Mに、第二冷媒R2を供給する。
本実施形態では、冷媒冷却部40は、基板2上の発熱体3と対向する位置に設置されている。基板2上の発熱体3が設けられている箇所は、基板2上の他の箇所よりも発熱密度が高くなる。すなわち、冷媒冷却部40は、基板2上の発熱密度が高い領域に第二冷媒R2を供給する。
本実施形態の冷媒冷却部40は、冷却ファン41であり、第二冷媒R2は、空気R21である。冷却ファン41は、基板2に形成された第一冷媒R1の液膜Mに空気R21を直接供給することによって、第一冷媒R1を冷却している。また、冷却ファン41は、発熱体3に向けて空気R21を直接スポットで供給する。
(フィン)
フィン11は、基板2上の第一冷媒R1の液膜Mが形成される領域に設けられている。本実施形態のフィン11は、発熱体3上に複数設けられている。フィン11は、発熱体3から基板2の表面に対して垂直に延びるピン状に形成されている。複数のフィン11は、上下方向及び水平方向に規則的に配置されている。複数のフィン11は、基板2表面の法線方向から見て、上下方向及び水方向の各列でジクザグに、互い違いとなるように配置されている。
フィン11は、基板2上の第一冷媒R1の液膜Mが形成される領域に設けられている。本実施形態のフィン11は、発熱体3上に複数設けられている。フィン11は、発熱体3から基板2の表面に対して垂直に延びるピン状に形成されている。複数のフィン11は、上下方向及び水平方向に規則的に配置されている。複数のフィン11は、基板2表面の法線方向から見て、上下方向及び水方向の各列でジクザグに、互い違いとなるように配置されている。
(第一冷媒の循環)
続いて、冷却装置10内の第一冷媒R1の循環について説明する。
まず、貯留槽20の底部21に貯留された第一冷媒R1が循環配管31に流入する。循環配管31に流入した第一冷媒R1は、ポンプ32によって循環配管31の一端31aから他端31bに圧送される。その後、第一冷媒R1は、ヘッダ管33に供給される。第一冷媒R1は、ヘッダ管33の供給孔34から下方に向けて流出する。
続いて、冷却装置10内の第一冷媒R1の循環について説明する。
まず、貯留槽20の底部21に貯留された第一冷媒R1が循環配管31に流入する。循環配管31に流入した第一冷媒R1は、ポンプ32によって循環配管31の一端31aから他端31bに圧送される。その後、第一冷媒R1は、ヘッダ管33に供給される。第一冷媒R1は、ヘッダ管33の供給孔34から下方に向けて流出する。
供給孔34から流出した第一冷媒R1は、基板2の上縁に供給される。第一冷媒R1は、自重で、基板2の上縁から下縁に向けて流れる。この際、基板2には、第一冷媒R1の液膜Mが形成される。第一冷媒R1は、液膜Mの状態で流れる。このため、基板2上では、循環配管31内及びヘッダ管33内と比較して、第一冷媒R1が緩やかに流れる。また、基板2上では、第一冷媒R1の流速が一定となる。
基板2上を流れる第一冷媒R1は、発熱体3及び基板2と熱交換を行う。これにより、発熱体3及び基板2は冷却され、第一冷媒R1は加熱される。
基板2上に形成された第一冷媒R1の液膜Mには、冷媒冷却部40から第二冷媒R2が供給される。第一冷媒R1は、第二冷媒R2と熱交換を行う。これにより、第一冷媒R1は冷却される。本実施形態では、冷媒冷却部40は冷却ファン41であり、この冷却ファン41は、第一冷媒R1の液膜Mに空気R21を直接供給する。
また、冷却ファン41から供給される空気R21は、発熱体3及び基板2とも熱交換を行う。これにより、発熱体3及び基板2は、さらに冷却される。
第一冷媒R1は、基板2の下縁に到達すると、基板2から貯留槽20に向かって流れ落ちる。第一冷媒R1は、液相の状態で貯留槽20に貯留される。その後、第一冷媒R1は、再び循環配管31に流入する。このようにして、第一冷媒R1は、冷却装置10内を循環する。
(作用効果)
本実施形態の冷却装置10によれば、以下の作用効果が発揮される。
本実施形態では、冷却装置10は、貯留槽20と、冷媒供給部30と、冷媒冷却部40と、を備える。貯留槽20は、発熱体3の下方で液相の第一冷媒R1を貯留する。冷媒供給部30は、貯留槽20内の第一冷媒R1を汲み上げて発熱体3に第一冷媒R1を供給する。冷媒冷却部40は、第一冷媒R1よりも低温の第二冷媒R2を供給することで、第一冷媒R1と第二冷媒R2とで熱交換を行い、第一冷媒R1を冷却する。さらに、貯留槽20は、発熱体3に供給された第一冷媒R1を回収する。
本実施形態の冷却装置10によれば、以下の作用効果が発揮される。
本実施形態では、冷却装置10は、貯留槽20と、冷媒供給部30と、冷媒冷却部40と、を備える。貯留槽20は、発熱体3の下方で液相の第一冷媒R1を貯留する。冷媒供給部30は、貯留槽20内の第一冷媒R1を汲み上げて発熱体3に第一冷媒R1を供給する。冷媒冷却部40は、第一冷媒R1よりも低温の第二冷媒R2を供給することで、第一冷媒R1と第二冷媒R2とで熱交換を行い、第一冷媒R1を冷却する。さらに、貯留槽20は、発熱体3に供給された第一冷媒R1を回収する。
これにより、発熱体3に供給された第一冷媒R1は、自重で下方に移動し、貯留槽20に戻る。貯留槽20に戻った第一冷媒R1は、冷媒供給部30によって発熱体3に再び供給される。このため、貯留槽20は、第一冷媒R1が発熱体3に供給される前に、第一冷媒R1を一時的に貯留できればよい。よって、冷却装置10は、発熱体3を貯留槽20内に浸漬可能な程度に、貯留槽20内に第一冷媒R1を充填させる必要がなくなる。したがって、本実施形態の冷却装置10よれば、第一冷媒R1の使用量を低減させることができる。
また、本実施形態では、発熱体3は、貯留槽20の上方で上下方向に延在する基板2上に設けられている。冷媒供給部30は、基板2上に第一冷媒R1を下方に流し、基板2上の発熱体3を含む領域に第一冷媒R1の液膜Mを形成する。
これにより、冷却装置10は、第一冷媒R1を一定の速度で流すことができる。このため、冷却装置10は、基板2上に第一冷媒R1のよどみ域が発生することを抑制することができる。したがって、第一冷媒R1は、基板2上を均一に流れることができるようになる。これにより、冷却装置10は、基板2、及び基板2上に設置される発熱体3の全体を均一に冷却することができる。
また、本実施形態では、冷媒冷却部40は、基板2上に形成された第一冷媒R1の液膜Mに、第二冷媒R2を供給する。
これにより、冷媒冷却部40は、第一冷媒R1の液膜Mを直接冷却することができる。したがって、冷却装置10は、第一冷媒R1を効率良く冷却することができる。よって、冷却装置10が必要とする第一冷媒R1の使用量が、より一層低減される。
本実施形態では、冷媒冷却部40は、発熱体3等の基板2上の発熱密度が高い領域に第二冷媒R2を供給する。
これにより、冷却装置10は、発熱体3を含む基板2上の発熱密度の高い領域を、第一冷媒R1及び第二冷媒R2の両方の冷媒によって冷却することができる。したがって、冷却装置10の冷却効率を向上することができる。
また、本実施形態では、冷却装置10は、基板2上の第一冷媒R1の液膜Mが形成される領域にフィン11を備える。
これにより、冷却装置10は、第一冷媒R1の液膜Mにフィン11を通過させることにより、第一冷媒R1の液膜Mの厚さをコントロールすることができる。例えば、発熱体3の設置個所等、基板2のうち発熱密度が高い領域付近にフィン11を設置して、基板2のうち発熱密度が高い領域では第一冷媒R1の液膜Mの厚さを増大させることができる。したがって、冷却装置10は、基板2のうち発熱密度が高い領域を集中的に冷却することができる。また、フィン11によって、基板2と第一冷媒R1との接触面積とが増大される。すなわち、基板2と第一冷媒R1との伝熱面積が増大される。よって、冷却装置10は、基板2を効率良く冷却することができる。
なお、上記第一実施形態では、第一冷媒R1が液相の状態で発熱体3及び基板2を冷却する場合について説明したが、これに限られない。例えば、第一冷媒R1が基板2上で一部が蒸発するようにしてもよい。この場合、冷却装置10は、第一冷媒R1が蒸発する際の蒸発潜熱を利用して、発熱体3を含む基板2上の領域を冷却することできる。
なお、上記第一実施形態では、フィン11は、ピン状に形成されているとしたが、これに限られない。フィン11は、板状に形成されてもよく、櫛状に形成されてもよく、ブロック状に形成されていてもよい。また、フィン11は、多孔質状に形成されていてもよい。また、フィン11は、発熱体3に設けられていなくてもよい。例えば、フィン11は、基板2上の発熱体3以外の箇所に設けられていてもよい。また、基板2上には、形状の異なる複数種類のフィン11が設けられていてもよい。
なお、上記第一実施形態では、冷媒冷却部40が第一冷媒R1に、第二冷媒R2として空気R21を供給するとしたが、これに限られない。例えば、冷媒供給部30は、第一冷媒R1の劣化防止のために、空気R21以外の第二冷媒R2を供給してもよい。
なお、上記第一実施形態では、冷媒冷却部40は冷却ファン41であり、この冷却ファン41は、第一冷媒R1に空気R21を直接供給するとしたが、これに限られない。冷媒冷却部40は、第一冷媒R1の循環経路内に配置され、気体以外の冷媒で第一冷媒R1を冷却するものであってもよい。
なお、上記第一実施形態では、冷媒供給部30は、基板2の上縁から第一冷媒R1を流し、基板2の全体に第一冷媒R1を供給するとしたが、これに限られない。冷媒供給部30は、基板2上の冷却したい一部の箇所に第一冷媒R1をスポットで供給してもよい。また、冷媒供給部30は、第一冷媒R1をインピンジメント式に供給してもよく、第一冷媒R1をスプレー状に供給してもよい。
<第二実施形態>
以下、本開示の第二実施形態に係る冷却装置210について、図3、図4を参照して説明する。前述した第一実施形態と同様の構成については、同一の名称及び同一の符号を付す等して説明を適宜省略する。
以下、本開示の第二実施形態に係る冷却装置210について、図3、図4を参照して説明する。前述した第一実施形態と同様の構成については、同一の名称及び同一の符号を付す等して説明を適宜省略する。
(冷却装置)
図3に示すように、冷却装置210は、貯留槽220と、リリーフ弁211と、冷媒供給部230と、冷媒冷却部240と、ファン212と、を有する。
図3に示すように、冷却装置210は、貯留槽220と、リリーフ弁211と、冷媒供給部230と、冷媒冷却部240と、ファン212と、を有する。
(貯留槽)
貯留槽220は、直方体状の箱型の容器である。第一実施形態と異なり、貯留槽220の上部222は、閉塞されている。貯留槽220は、内部に基板2及び発熱体3の全体を収容している。本実施形態では、第一実施形態と同様に基板2が上下方向に延在するように縦置きで配置されている。また、貯留槽220は、内部に液相及び気相の第一冷媒R1を貯留する。液相の第一冷媒R1は、貯留槽220の底部221に貯留される。貯留槽220に貯留された液相の第一冷媒R1の液面は、発熱体3よりも下方に位置する。気相の第一冷媒R1は、貯留槽220の上部222に貯留される。
貯留槽220は、直方体状の箱型の容器である。第一実施形態と異なり、貯留槽220の上部222は、閉塞されている。貯留槽220は、内部に基板2及び発熱体3の全体を収容している。本実施形態では、第一実施形態と同様に基板2が上下方向に延在するように縦置きで配置されている。また、貯留槽220は、内部に液相及び気相の第一冷媒R1を貯留する。液相の第一冷媒R1は、貯留槽220の底部221に貯留される。貯留槽220に貯留された液相の第一冷媒R1の液面は、発熱体3よりも下方に位置する。気相の第一冷媒R1は、貯留槽220の上部222に貯留される。
(リリーフ弁)
リリーフ弁211は、貯留槽220の上部222に取り付けられている。リリーフ弁211は、貯留槽220の内部と連通している。リリーフ弁211は、貯留槽220の内圧が上昇した際に開放される。リリーフ弁211が開放されると、貯留槽220の内圧が減少する。
リリーフ弁211は、貯留槽220の上部222に取り付けられている。リリーフ弁211は、貯留槽220の内部と連通している。リリーフ弁211は、貯留槽220の内圧が上昇した際に開放される。リリーフ弁211が開放されると、貯留槽220の内圧が減少する。
(冷媒供給部)
冷媒供給部230は、貯留槽220の内部に収容されている。冷媒供給部230は、貯留槽220の底部221に貯留された第一冷媒R1を汲み上げ、発熱体3に向けて第一冷媒R1を噴射する。冷媒供給部230は、循環配管231と、ポンプ232と、フィルタ233と、噴射部234と、を有する。
冷媒供給部230は、貯留槽220の内部に収容されている。冷媒供給部230は、貯留槽220の底部221に貯留された第一冷媒R1を汲み上げ、発熱体3に向けて第一冷媒R1を噴射する。冷媒供給部230は、循環配管231と、ポンプ232と、フィルタ233と、噴射部234と、を有する。
(循環配管)
循環配管231は、貯留槽220内の底部221から上部222に向けて延びている。循環配管231の一端231aは、貯留槽220内に貯留される液相の第一冷媒R1に浸漬される。循環配管231の他端231bは、発熱体3と同じ上下方向位置に設けられている。
循環配管231は、貯留槽220内の底部221から上部222に向けて延びている。循環配管231の一端231aは、貯留槽220内に貯留される液相の第一冷媒R1に浸漬される。循環配管231の他端231bは、発熱体3と同じ上下方向位置に設けられている。
(ポンプ)
ポンプ232は、循環配管231に設けられている。本実施形態では、ポンプ232は、貯留槽220内に貯留される液相の第一冷媒R1に浸漬されている。ポンプ232は、貯留槽220内の第一冷媒R1を圧送し、循環配管231の一端231aから他端231bに向けて第一冷媒R1を流通させる。
ポンプ232は、循環配管231に設けられている。本実施形態では、ポンプ232は、貯留槽220内に貯留される液相の第一冷媒R1に浸漬されている。ポンプ232は、貯留槽220内の第一冷媒R1を圧送し、循環配管231の一端231aから他端231bに向けて第一冷媒R1を流通させる。
(フィルタ)
フィルタ233は、循環配管231に設けられている。フィルタ233は、ポンプ232よりも循環配管231の他端231b側に設けられている。フィルタ233は、例えば活性炭フィルタである。
フィルタ233は、循環配管231に設けられている。フィルタ233は、ポンプ232よりも循環配管231の他端231b側に設けられている。フィルタ233は、例えば活性炭フィルタである。
(噴射部)
噴射部234は、循環配管231の他端231bに設けられている。噴射部234には、循環配管231から第一冷媒R1が供給される。噴射部234は、発熱体3と対向している。噴射部234は、第一冷媒R1を発熱体3に向けて噴射する。第一冷媒R1は、発熱体3に接近するにしたがって放射状に広がるように、いわゆるスプレー状に噴射される。
噴射部234は、循環配管231の他端231bに設けられている。噴射部234には、循環配管231から第一冷媒R1が供給される。噴射部234は、発熱体3と対向している。噴射部234は、第一冷媒R1を発熱体3に向けて噴射する。第一冷媒R1は、発熱体3に接近するにしたがって放射状に広がるように、いわゆるスプレー状に噴射される。
(冷媒冷却部)
冷媒冷却部240は、貯留槽220の底部221に設けられている。本実施形態の冷媒冷却部240は、貯留槽220の底部221を貫通する冷却チューブ241である。冷却チューブ241は、上下方向及び水平方向に間隔を空けて複数本設けられている。複数の冷却チューブ241は、貯留槽220内で、互いに平行に延びている。また、冷却チューブ241は、水平面に沿う一方向に延び、貯留槽220の対向する一対の側壁を貫通している。冷却チューブ241には、第二冷媒R2が流通する。冷却チューブ241は、第二冷媒R2と、貯留槽220に貯留された液相の第一冷媒R1とで熱交換を行い、液相の第一冷媒R1を冷却する。
冷媒冷却部240は、貯留槽220の底部221に設けられている。本実施形態の冷媒冷却部240は、貯留槽220の底部221を貫通する冷却チューブ241である。冷却チューブ241は、上下方向及び水平方向に間隔を空けて複数本設けられている。複数の冷却チューブ241は、貯留槽220内で、互いに平行に延びている。また、冷却チューブ241は、水平面に沿う一方向に延び、貯留槽220の対向する一対の側壁を貫通している。冷却チューブ241には、第二冷媒R2が流通する。冷却チューブ241は、第二冷媒R2と、貯留槽220に貯留された液相の第一冷媒R1とで熱交換を行い、液相の第一冷媒R1を冷却する。
また、図4に示すように、冷却チューブ241は、四角形筒状に形成されている。冷却チューブ241の内周面には、チューブフィン242が複数設けられている。チューブフィン242は、冷却チューブ241の延在方向に垂直な断面視で、冷却チューブ241の内周面の角部に設けられている。各チューブフィン242は、冷却チューブ241の中心に向けて直線状に延びるように形成されている。
(ファン)
ファン212は、貯留槽220内に設けられている。ファン212は、貯留槽220内の上部222に配置されている。ファン212は、貯留槽220の底部221に貯留される液相の第一冷媒R1の液面よりも上方に位置している。ファン212は、貯留槽220内で気相の第一冷媒R1を循環させる。
ファン212は、貯留槽220内に設けられている。ファン212は、貯留槽220内の上部222に配置されている。ファン212は、貯留槽220の底部221に貯留される液相の第一冷媒R1の液面よりも上方に位置している。ファン212は、貯留槽220内で気相の第一冷媒R1を循環させる。
(第一冷媒の循環)
続いて、冷却装置210内の第一冷媒R1の循環について説明する。
まず、貯留槽220の底部221に貯留された第一冷媒R1が循環配管231に流入する。循環配管231に流入した第一冷媒R1は、ポンプ232によって循環配管231の一端231aから他端231bに圧送される。その後、第一冷媒R1は、噴射部234に供給される。噴射部234は、発熱体3に向けて第一冷媒R1を放射状に噴射する。
続いて、冷却装置210内の第一冷媒R1の循環について説明する。
まず、貯留槽220の底部221に貯留された第一冷媒R1が循環配管231に流入する。循環配管231に流入した第一冷媒R1は、ポンプ232によって循環配管231の一端231aから他端231bに圧送される。その後、第一冷媒R1は、噴射部234に供給される。噴射部234は、発熱体3に向けて第一冷媒R1を放射状に噴射する。
第一冷媒R1は、発熱体3と熱交換を行う。これにより、発熱体3は冷却され、第一冷媒R1は加熱される。
第一冷媒R1は、発熱体3から貯留槽220に向かって流れ落ちる。第一冷媒R1は、液相の状態で貯留槽220に回収される。冷却チューブ241は、貯留槽220の底部221に回収された第一冷媒R1と第二冷媒R2とで熱交換を行い、第一冷媒R1を冷却する。冷却された第一冷媒R1は、再び循環配管231に流入する。このようにして、第一冷媒R1は、冷却装置210内を循環する。
また、第一冷媒R1は、冷却装置210内を循環する中で、一部が蒸発する。このため、貯留槽220の上部222には、気相の第一冷媒R1が貯留される。貯留槽220に貯留される気相の第一冷媒R1は、上方に位置するほど熱量が大きくなる。
ファン212は、貯留槽220の内部で第一冷媒R1を気相循環させる。これにより、貯留槽220上部222の気相の第一冷媒R1が液相の第一冷媒R1と接触し、気相の第一冷媒R1と液相の第一冷媒R1とで熱交換が行われる。これにより、気相の第一冷媒R1の一部が凝縮し、液相の第一冷媒R1として貯留槽220の底部221に回収される。貯留槽220の底部221に回収された第一冷媒R1は、再び循環配管231に流入する。
(作用効果)
本実施形態の冷却装置210によれば、以下の作用効果が発揮される。
本実施形態では、冷媒供給部230は、発熱体3に向けて第一冷媒R1を噴射する。
本実施形態の冷却装置210によれば、以下の作用効果が発揮される。
本実施形態では、冷媒供給部230は、発熱体3に向けて第一冷媒R1を噴射する。
これにより、冷却装置210は、発熱体3に対して第一冷媒R1を衝突させることができる。したがって、冷却装置210は、発熱体3に対して、いわゆるインピンインジ冷却を行うことができる。よって、冷却装置210の冷却効率を向上させることができる。
また、本実施形態では、冷却装置210は、貯留槽220内にファン212を備える。ファン212は、貯留槽220内で気相の第一冷媒R1を循環させる。
これにより、ファン212が、貯留槽220の内部で気相の第一冷媒R1を循環させることができる。よって、冷却装置210は、貯留槽220の上方に溜まった高温の熱を貯留槽220の底部221に貯留された液相の第一冷媒R1に伝達することができる。これにより、気相の第一冷媒R1の一部が凝縮し、液相の第一冷媒R1として貯留槽220の底部221に回収される。すなわち、冷却装置210は、一度蒸発した第一冷媒R1を液相に戻すことができる。よって、冷却装置210の冷却効率をより一層向上させることができる。
また、本実施形態では、冷却チューブ241は、四角形筒状に形成されている。
これにより、貯留槽220内に、冷却チューブ241を密度高く設置することができる。したがって、冷却装置210の冷却効率をより一層向上させることができる。
また、本実施形態では、冷却チューブ241の内周面にはチューブフィン242が複数設けられている。
これにより、冷却チューブ241と第二冷媒R2との接触面積が増大する。これにより、第一冷媒R1と第二冷媒R2との熱交換がより一層効率良く行われることとなる。したがって、冷却装置210の冷却効率をより一層向上させることができる。このため、例えば冷却チューブ241内を流通する第二冷媒R2が、気体のように熱伝達効率が低い場合であっても、冷却装置210は、第一冷媒R1を十分に冷却することができる。
なお、上記第二実施形態では、冷却チューブ241内部のチューブフィン242が冷却チューブ241の中心部に向けて直線状に延びるとしたが、これに限られない。チューブフィン242の太さや長さ等、チューブフィン242の形状は適宜変更可能である。チューブフィン242は、冷却チューブ241の延在方向に垂直な断面視で、冷却チューブ241の中心部に向けて湾曲しながら延び、隣り合う4つのチューブフィン242が全体として螺旋状に形成されていてもよい。
なお、上記第二実施形態では、基板2が上下方向に延在するように縦置きで配置されているとしたが、これに限られない。基板2が水平方向に延在するように横置きで配置されていてもよい。
なお、上記第二実施形態では、貯留槽220内の第一冷媒R1が気液二相の状態で、冷却装置210が運転されるとしたが、これに限られない。貯留槽220内の第一冷媒R1が液相単相の状態で、冷却装置210が運転されてもよい。
(第二実施形態の第一変形例)
続いて、第二実施形態の第一変形例について、図5を参照して説明する。
図5に示すように、本変形例では、発熱体3の噴射部234と対向する表面には、フィン213が設けられている。フィン213と発熱体3との間には、伝熱板214が設けられている。伝熱板214は、発熱体3と熱的に接続されている。なお、伝熱板214の内部全域にアンモニアやアルコール系の液体を封入して機能性を向上させてもよい。フィン213は、伝熱板214から噴射部234に向けて延びるピン状に形成されている。フィン213は、伝熱板214を介して発熱体3と熱的に接続されている。
続いて、第二実施形態の第一変形例について、図5を参照して説明する。
図5に示すように、本変形例では、発熱体3の噴射部234と対向する表面には、フィン213が設けられている。フィン213と発熱体3との間には、伝熱板214が設けられている。伝熱板214は、発熱体3と熱的に接続されている。なお、伝熱板214の内部全域にアンモニアやアルコール系の液体を封入して機能性を向上させてもよい。フィン213は、伝熱板214から噴射部234に向けて延びるピン状に形成されている。フィン213は、伝熱板214を介して発熱体3と熱的に接続されている。
冷媒供給部230は、このフィン213に第一冷媒R1を衝突させる。冷媒供給部230は、発熱体3に接近するにしたがって放射状に広がるように、いわゆるスプレー状に第一冷媒R1を発熱体3に向けて噴射する。フィン213は、第一冷媒R1の噴射方向に沿って延びている。
本変形例では、冷却装置210は、発熱体3と熱的に接続されるフィン213を備える。冷媒供給部230は、フィン213に第一冷媒R1を衝突させる。
これにより、発熱体3と第一冷媒R1との接触面積とが増大される。すなわち、発熱体3と第一冷媒R1との伝熱面積が増大される。したがって、第一冷媒R1は、発熱体3とより良好に熱交換を行うことができる。よって、冷却装置210の冷却効率をより一層向上させることができる。
また、本変形例では、冷媒供給部230は、発熱体3に接近するにしたがって放射状に広がるように第一冷媒R1を噴射し、フィン213は、第一冷媒R1の噴射方向に沿って延びている。
これにより、冷却装置210は、フィン213に吹き付けられた第一冷媒R1が飛散することを抑制することができる。よって、冷却装置210の冷却効率をより一層向上させることができる。
(第二実施形態の第二変形例)
続いて、第二実施形態の第二変形例について、図6を参照して説明する。
図6に示すように、本変形例では、冷媒供給部230の循環配管231の一端231aから他端231bの間の一部が、貯留槽220の外部に引き出されている。この外部に引き出された循環配管231に冷媒供給部230が設けられている。
続いて、第二実施形態の第二変形例について、図6を参照して説明する。
図6に示すように、本変形例では、冷媒供給部230の循環配管231の一端231aから他端231bの間の一部が、貯留槽220の外部に引き出されている。この外部に引き出された循環配管231に冷媒供給部230が設けられている。
冷媒冷却部240Aは、貯留槽220の外部に配置されている。冷媒冷却部240Aは、ケーシング243と、不図示の熱交換器と、プロペラファン244と、を備える。ケーシング243は、矩形板状に形成されている。ケーシング243は、貯留槽220の側壁に取り付けられている。冷媒冷却部240Aの熱交換器は、ケーシング243内に配置されている。この熱交換器には、貯留槽220から組み出された第一冷媒R1が供給される。プロペラファン244は、ケーシング243内の熱交換器に送風する。これにより、プロペラファン244によって供給された空気と第一冷媒R1とで熱交換が行われ、第一冷媒R1が冷却される。
また、冷却装置210は、貯留槽220の下方に、パン245を備えている。パン245は、水平方向に延在する、直方体状の箱型の容器である。パン245は、上方に開口している。パン245は、第一冷媒R1の漏洩を防止する。
なお、本変形例のように冷媒冷却部240Aを貯留槽220の外部に設ける構成を、第一実施形態に適用してもよい。
以上、本開示の各実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこれら実施形態に限られるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
<付記>
各実施形態に記載の冷却装置10、210は、例えば以下のように把握される。
各実施形態に記載の冷却装置10、210は、例えば以下のように把握される。
(1)第1の態様に係る冷却装置10、210は、発熱体3の下方で液相の第一冷媒R1を貯留する貯留槽20、220と、前記貯留槽20、220内の前記第一冷媒R1を汲み上げて前記発熱体3に前記第一冷媒R1を供給する冷媒供給部30、230と、前記第一冷媒R1よりも低温の第二冷媒R2を供給することで、前記第一冷媒R1と前記第二冷媒R2とで熱交換を行い、前記第一冷媒R1を冷却する冷媒冷却部40、240、240Aと、を備え、前記貯留槽20、220は、前記発熱体3に供給された前記第一冷媒R1を回収する。
これにより、発熱体3に供給された第一冷媒R1は、自重で下方に移動し、貯留槽20、220に戻る。貯留槽20、220に戻った第一冷媒R1は、冷媒供給部30、230によって発熱体3に再び供給される。このため、貯留槽20、220は、第一冷媒R1が発熱体3に供給される前に、第一冷媒R1を一時的に貯留できればよい。よって、冷却装置10、210は、発熱体3を貯留槽20、220内に浸漬可能な程度に、貯留槽20、220内に第一冷媒R1を充填させる必要がなくなる。
(2)第2の態様に係る冷却装置10は、(1)の冷却装置10であって、 前記発熱体3は、前記貯留槽20の上方で上下方向に延在する基板2上に設けられ、前記冷媒供給部30は、前記基板2上に前記第一冷媒R1を下方に流し、前記基板2上の前記発熱体3を含む領域に前記第一冷媒R1の液膜Mを形成してもよい。
これにより、冷却装置10は、第一冷媒R1を一定の速度で流すことができる。
(3)第3の態様の冷却装置10は、(2)の冷却装置10であって、前記冷媒冷却部40は、前記基板2上に形成された前記第一冷媒R1の液膜Mに、前記第二冷媒R2を供給してもよい。
これにより、冷媒冷却部40は、第一冷媒R1の液膜Mを直接冷却することができる。
(4)第4の態様の冷却装置10は、(3)の冷却装置10であって、前記冷媒冷却部40は、前記基板2上の発熱密度が高い領域に前記第二冷媒R2を供給してもよい。
これにより、冷却装置10は、発熱体3を含む基板2上の発熱密度の高い領域を、第一冷媒R1及び第二冷媒R2の両方の冷媒によって冷却することができる。
(5)第5の態様の冷却装置10は、(2)から(4)のいずれかの冷却装置10であって、前記第一冷媒R1は、前記基板2上で一部が蒸発してもよい。
これにより、冷却装置10は、第一冷媒R1が蒸発する際の蒸発潜熱を利用して、発熱体3を含む基板2上の領域を冷却することが可能となる。
(6)第6の態様の冷却装置10は、(2)から(5)のいずれかの冷却装置10であって、前記基板2上の前記第一冷媒R1の液膜Mが形成される領域にフィン11を備えてもよい。
これにより、冷却装置10は、第一冷媒R1の液膜Mにフィン11を通過させることにより、第一冷媒R1の液膜Mの厚さをコントロールすることができる。また、フィン11によって、基板2と第一冷媒R1との接触面積とが増大される。すなわち、基板2と第一冷媒R1との伝熱面積が増大される。
(7)第7の態様の冷却装置210は、(1)の冷却装置210であって、前記冷媒供給部30、230は、前記発熱体3に向けて前記第一冷媒R1を噴射してもよい。
これにより、冷却装置210は、発熱体3に対して第一冷媒R1を衝突させることができる。
(8)第8の態様の冷却装置210は、(7)の冷却装置210であって、前記発熱体3と熱的に接続されるフィン213を備え、前記冷媒供給部230は、前記フィン213に前記第一冷媒R1を衝突させてもよい。
これにより、発熱体3と第一冷媒R1との接触面積とが増大される。すなわち、発熱体3と第一冷媒R1との伝熱面積が増大される。
(9)第9の態様の冷却装置210は、(8)の冷却装置210であって、前記冷媒供給部230は、前記発熱体3に接近するにしたがって放射状に広がるように前記第一冷媒R1を噴射し、前記フィン213は、前記第一冷媒R1の噴射方向に沿って延びていてもよい。
これにより、冷却装置210は、フィン213に吹き付けられた第一冷媒R1が飛散することを抑制することができる。
(10)第10の態様の冷却装置210は、(1)から(9)のいずれかの冷却装置210であって、前記貯留槽220内にファン212を備え、前記貯留槽220は、内部に前記発熱体3を収容するとともに、内部に気相の前記第一冷媒R1を貯留し、前記ファン212は、前記貯留槽220内で気相の前記第一冷媒R1を循環させてもよい。
これにより、ファン212が、貯留槽220の内部で気相の第一冷媒R1を循環させることができる。よって、冷却装置210は、貯留槽20、220の上方に溜まった高温の熱を貯留槽220の底部221に貯留された液相の第一冷媒R1に伝達することができる。
1…サーバ 2…基板 3…発熱体 10…冷却装置 11…フィン 20…貯留槽 21…底部 30…冷媒供給部 31…循環配管 31a…一端 31b…他端 32…ポンプ 33…ヘッダ管 34…供給孔 40…冷媒冷却部 41…冷却ファン 210…冷却装置 220…貯留槽 221…底部 222…上部 211…リリーフ弁 212…ファン 213…フィン 214…伝熱板 230…冷媒供給部 231…循環配管 231a…一端 231b…他端 232…ポンプ 233…フィルタ 234…噴射部 240…冷媒冷却部 240A…冷媒冷却部 241…冷却チューブ 242…チューブフィン 243…ケーシング 244…プロペラファン 245…パン M…液膜 R1…第一冷媒 R2…第二冷媒 R21…空気
Claims (10)
- 発熱体の下方で液相の第一冷媒を貯留する貯留槽と、
前記貯留槽内の前記第一冷媒を汲み上げて前記発熱体に前記第一冷媒を供給する冷媒供給部と、
前記第一冷媒よりも低温の第二冷媒を供給することで、前記第一冷媒と前記第二冷媒とで熱交換を行い、前記第一冷媒を冷却する冷媒冷却部と、
を備え、
前記貯留槽は、前記発熱体に供給された前記第一冷媒を回収する、冷却装置。 - 前記発熱体は、前記貯留槽の上方で上下方向に延在する基板上に設けられ、
前記冷媒供給部は、前記基板上に前記第一冷媒を下方に流し、前記基板上の前記発熱体を含む領域に前記第一冷媒の液膜を形成する、請求項1に記載の冷却装置。 - 前記冷媒冷却部は、前記基板上に形成された前記第一冷媒の液膜に、前記第二冷媒を供給する請求項2に記載の冷却装置。
- 前記冷媒冷却部は、前記基板上の発熱密度が高い領域に前記第二冷媒を供給する、請求項3に記載の冷却装置。
- 前記第一冷媒は、前記基板上で一部が蒸発する、請求項2から4のいずれか一項に記載の冷却装置。
- 前記基板上の前記第一冷媒の液膜が形成される領域にフィンを備える、請求項2から4のいずれか一項に記載の冷却装置。
- 前記冷媒供給部は、前記発熱体に向けて前記第一冷媒を噴射する、請求項1に記載の冷却装置。
- 前記発熱体と熱的に接続されるフィンを備え、
前記冷媒供給部は、前記フィンに前記第一冷媒を衝突させる、請求項7に記載の冷却装置。 - 前記冷媒供給部は、前記発熱体に接近するにしたがって放射状に広がるように前記第一冷媒を噴射し、
前記フィンは、前記第一冷媒の噴射方向に沿って延びている、請求項8に記載の冷却装置。 - 前記貯留槽内にファンを備え、
前記貯留槽は、内部に前記発熱体を収容するとともに、内部に気相の前記第一冷媒を貯留し、
前記ファンは、前記貯留槽内で気相の前記第一冷媒を循環させる、請求項1から4のいずれか一項に記載の冷却装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022111345A JP2024009658A (ja) | 2022-07-11 | 2022-07-11 | 冷却装置 |
PCT/JP2023/005696 WO2024014024A1 (ja) | 2022-07-11 | 2023-02-17 | 冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022111345A JP2024009658A (ja) | 2022-07-11 | 2022-07-11 | 冷却装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2024009658A true JP2024009658A (ja) | 2024-01-23 |
Family
ID=89536388
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022111345A Pending JP2024009658A (ja) | 2022-07-11 | 2022-07-11 | 冷却装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2024009658A (ja) |
WO (1) | WO2024014024A1 (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5892797U (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-23 | 日本電信電話株式会社 | 電子装置の冷却装置 |
JPS63120449A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-24 | Fujitsu Ltd | 集積回路素子の蒸発冷却装置 |
JPH03229446A (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-11 | Fujitsu Ltd | 冷却装置 |
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US5907473A (en) * | 1997-04-04 | 1999-05-25 | Raytheon Company | Environmentally isolated enclosure for electronic components |
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-
2022
- 2022-07-11 JP JP2022111345A patent/JP2024009658A/ja active Pending
-
2023
- 2023-02-17 WO PCT/JP2023/005696 patent/WO2024014024A1/ja unknown
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2024014024A1 (ja) | 2024-01-18 |
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