JP2024004173A - Ｃｉｃ構造および太陽電池モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】安価な宇宙用太陽電池としての使用に適したＣＩＣ構造および太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】ＣＩＣ構造１０は、ＰＥＲＣ技術を使用して製造されたセル本体２０と、セル本体２０に取り付けられたインターコネクタ３０とを備える。セル本体２０は、ｐ型Ｓｉ基板２１の一方の面に透明接着層２８を介してカバーガラス２９が貼付されている。インターコネクタ３０の一端は、表面パッド２４に接続され、かつ、ｐ型Ｓｉ基板２１と透明接着層２８の間に挟まれた状態で、セル本体２０に対して取り付けられている。セル本体２０の裏面には、他のＣＩＣ構造１０が有するインターコネクタ３０を接続するための裏面パッド２７が設けられている。
【選択図】図５

Description

本開示は、宇宙用太陽電池としての使用に適したＣＩＣ構造および太陽電池モジュールに関する。

人口衛星などに搭載され、宇宙で使用される太陽電池は、温度変化の極めて大きい環境で使用されることになるため、温度変化に対して耐性の高いＣＩＣ（Cell with Inter connector and Cover glass）構造が採用される（例えば、特許文献１）。尚、ＣＩＣ構造とは、太陽電池セルのセル単体ごとにカバーガラスを設けてパネル化し、かつ、パネル同士を接続するためのインターコネクタを含めた構造を指す。

特開２０１５－２３１０３号公報

近年では、宇宙産業の発展に伴い、安価な宇宙用太陽電池の需要が高まっている。宇宙用太陽電池を安価に提供するには、太陽電池の種類および構造や、印刷電極のパターンなどにおいての工夫が必要になると考えられるが、特許文献１にはこれらについての開示はない。

本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、安価な宇宙用太陽電池としての使用に適したＣＩＣ構造および太陽電池モジュールを提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、本開示の第１の態様であるＣＩＣ構造は、ＰＥＲＣ技術を使用して製造された太陽電池セルと、前記太陽電池セルに取り付けられたインターコネクタとを備え、前記太陽電池セルは、Ｓｉ基板の第１主面に透明接着層を介してカバーガラスが貼付されており、前記インターコネクタの一端は、前記Ｓｉ基板の第１主面に形成された第１パッド電極に接続され、かつ、前記Ｓｉ基板と前記透明接着層との間に挟まれた状態で、前記太陽電池セルに対して取り付けられており、他のＣＩＣ構造が有するインターコネクタを接続するための第２パッド電極を、前記第１主面とは反対側の第２主面に有していることを特徴としている。

上記の構成によれば、ＣＩＣ構造を直列接続してストリングを形成する場合に、そのストリングにおいてＣＩＣ構造を取ることができ、宇宙用太陽電池としての使用に適したものとなる。また、太陽電池セルを、ＰＥＲＣ技術を使用して製造することで、高効率／安価なＣＩＣ構造とすることができる。

また、上記ＣＩＣ構造では、前記インターコネクタは、溶接により前記第１パッド電極に接続されている構成とすることができる。

また、上記ＣＩＣ構造では、前記第２パッド電極は、当該ＣＩＣ構造が有する前記インターコネクタの延長線上に局所的なＡｇ電極として形成されている構成とすることができる。

また、上記ＣＩＣ構造は、複数のＣＩＣ構造を直列接続してストリングを形成する場合に、保護素子となるバイパスダイオードを含むバイパス経路を溶接接続するための接続パッドを前記第２主面に有しており、前記接続パッドは、前記第２パッド電極とは別の局所的なＡｇ電極として形成されている構成とすることができる。

また、上記ＣＩＣ構造は、前記太陽電池セルは平面視で長手方向および短手方向を有する矩形形状とされており、前記第２パッド電極から前記短手方向に引き出された補助電極を有している構成とすることができる。

また、上記ＣＩＣ構造は、前記太陽電池セルは平面視で長手方向および短手方向を有する矩形形状とされており、前記太陽電池セルのセルサイズは、長辺１４０～２００ｍｍ、短辺２５～４５ｍｍの範囲である構成とすることができる。

また、上記ＣＩＣ構造は、前記太陽電池セルは平面視で長手方向および短手方向を有する矩形形状とされており、前記第１パッド電極は前記太陽電池セルにおける一方の長辺に沿って形成され、前記第２パッド電極は他方の長辺に沿って形成されている構成とすることができる。

また、上記ＣＩＣ構造は、前記太陽電池セルは平面視で長手方向および短手方向を有する矩形形状とされており、前記第１パッド電極および前記第２パッド電極のそれぞれは、前記太陽電池セルの長辺に沿って均等な間隔で配置された複数のパッドからなり、前記第１パッド電極および前記第２パッド電極のそれぞれにおけるパッド数は、３～６個の範囲内である構成とすることができる。

また、上記の課題を解決するために、本開示の第２の態様である太陽電池モジュールは、上記記載のＣＩＣ構造を直列接続してなるストリングを含むことを特徴としている。

本開示のＣＩＣ構造および太陽電池モジュールは、宇宙用太陽電池を安価に提供可能であるといった効果を奏する。

本開示の一実施形態を示すものであり、実施の形態１に係るＰＥＲＣセルの六面図である。 図１のＰＥＲＣセルの上面図である。 図１のＰＥＲＣセルの断面図（図２のＡ－Ａ断面図）である。 図１のＰＥＲＣセルの断面図（図２のＢ－Ｂ断面図）である。 図１のＰＥＲＣセルの断面図（図２のＣ－Ｃ断面図）である。 図１のＰＥＲＣセルの裏面に形成される裏面パッドのパターンを示す平面図である。 図１のＰＥＲＣセルの裏面に形成されるＡｌ裏面電極のパターンを示す平面図である。 図１のＰＥＲＣセルの表面に形成される表面パッドのパターンを示す平面図である。 図１のＰＥＲＣセルの表面に形成されるグリッド電極のパターンを示す平面図である。 図１のＰＥＲＣセルに使用されるインターコネクタの形状を示す平面図である。 図１のＰＥＲＣセルを用いたストリングの構成例を示す上面図である。 図１１のストリングの裏面図である。 バイパスダイオードを含むストリングの構成例を示す上面図である。 図１３のストリングの裏面図である。 実施の形態２に係るＰＥＲＣセルの六面図である。 実施の形態３に係るＰＥＲＣセルの六面図である。 実施の形態４に係るＰＥＲＣセルの六面図である。

〔実施の形態１〕
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。

＜ＰＥＲＣセルの構造＞
本実施の形態に係るＣＩＣ構造では、ＰＥＲＣ単結晶Ｓｉ（シリコン）セルが使用される。ＰＥＲＣ単結晶Ｓｉセルは、高効率／安価な太陽電池セルであるが、これまで宇宙用のＣＩＣ構造としては使用されていなかった。宇宙産業の発展に伴い、安価な宇宙用太陽電池の需要が高まったため、本願発明者は、太陽電池セルとしてＰＥＲＣ単結晶Ｓｉセルを使用したＣＩＣ構造を考案した。

図１は、本実施の形態１に係るＰＥＲＣ単結晶Ｓｉセル（以下、ＰＥＲＣセルと称する：尚、ＰＥＲＣセルとは、ＰＥＲＣ（Passivated Emitter and Rear Cell）技術を使用したＳｉ太陽電池セルを意味する）を使用したＣＩＣ構造１０の六面図である。図２は、ＣＩＣ構造１０の上面図である。図３ないし図５は、ＣＩＣ構造１０の断面図である。尚、図３は図２のＡ－Ａ断面に相当し、図４は図２のＢ－Ｂ断面に相当し、図５は図２のＣ－Ｃ断面に相当する。ここでは、便宜上、ＣＩＣ構造１０における太陽光の受光面側をＣＩＣ構造１０の上側（または表面（第１主面））とし、受光面と反対側をＣＩＣ構造１０の下側（または裏面（第２主面））としている。

図１ないし図５に示すように、ＣＩＣ構造１０は、セル本体（太陽電池セル）２０にインターコネクタ３０を取り付けた構成となっている。セル本体２０はＰＥＲＣ技術を使用して製造されており、ＰＥＲＣ技術自体は公知であるが、以下にセル本体２０の構成を簡単に説明する。

セル本体２０では、ｐ型Ｓｉ基板２１の表面にｎ型Ｓｉ層２１１が形成されており、さらにその上側に反射防止膜２２が形成されている。反射防止膜２２の上側には、グリッド電極２３および表面パッド２４が形成されている。尚、グリッド電極２３はファイヤースルー（焼成貫通）によって反射防止膜２２を貫通してｎ型Ｓｉ層２１１と接続されているが、表面パッド２４は反射防止膜２２を貫通していない。

また、セル本体２０は、ｐ型Ｓｉ基板２１の下側に、コンタクトホール２５１を有する絶縁膜２５を有しており、さらにその下層にＡｌ（アルミ）裏面電極２６および裏面パッド２７を有している。Ａｌ裏面電極２６は、コンタクトホール２５１を介してｐ型Ｓｉ基板２１と接続されているが、ｐ型Ｓｉ基板２１におけるコンタクトホール２５１の上方にはＢＳＦ（Back Surface Field）層２１２が形成されている。また、裏面パッド２７は、Ａｌ裏面電極２６と一部が重畳するように形成されることにより、Ａｌ裏面電極２６と電気的に接続されている。

インターコネクタ３０は、その一端が表面パッド２４に対して溶接などによって接続されている。また、セル本体２０では、その表面において透明接着層２８を介してカバーガラス２９が貼付されている。これにより、インターコネクタ３０の一端は、ｐ型Ｓｉ基板２１と透明接着層２８との間に挟まれた状態で、セル本体２０に対して取り付けられる。また、インターコネクタ３０には、上方に凸となるようにＵ字形状に曲げられた曲率部３１が形成されている。

＜ＰＥＲＣセルの製造手順＞
続いて、ＣＩＣ構造１０の製造手順について説明する。最初に、電極形成前のＣＩＣ構造１０となる単結晶Ｓｉウエハを準備する。ここで、電極形成前のＣＩＣ構造１０とは、ｐ型Ｓｉ基板２１（ｎ型Ｓｉ層２１１を含む）に対して反射防止膜２２および絶縁膜２５が形成されており、電極類（グリッド電極２３、表面パッド２４、Ａｌ裏面電極２６および裏面パッド２７）が形成されていない状態を指す。準備される単結晶Ｓｉウエハは、複数枚のＣＩＣ構造１０に対応するサイズとすることができる。ここでは、１枚のウエハが５枚のＣＩＣ構造１０に対応するサイズである場合を例示する。

（手順１）準備した単結晶Ｓｉウエハの裏面に、裏面パッド２７となるＡｇ（銀）電極をスクリーン印刷し、このＡｇ電極を仮乾燥させる。図６は、このときのＡｇ電極のパターンを示す平面図である。また、このときのＡｇ電極は、後述する太陽電池モジュールにおいて、バイパスダイオード４０（図１３，１４参照）を接続するための接続パッド４１を含むものであってもよい。尚、図６に示す裏面パッド２７は、ＣＩＣ構造１０同士の接続を行う場合に、他のＣＩＣ構造１０のインターコネクタ３０が接続されるパッド電極（第２パッド電極）２７１と、パッド電極２７１からＣＩＣ構造１０の短手方向に引き出されたものであり、Ａｌ裏面電極２６からの集電を補助するための補助電極２７２とを含んでいる。

パッド電極２７１は、セル本体２０に対してインターコネクタ３０の溶接を可能とするために設けられている。すなわち、インターコネクタ３０は、アルミに対しては溶接できないため、Ａｌ裏面電極２６に導通するＡｇ電極として裏面パッド２７を設け、インターコネクタ３０は裏面パッド２７のパッド電極２７１に対して溶接される。このため、パッド電極２７１は、同一設計のＣＩＣ構造１０同士が接続できるように、インターコネクタ３０の長手方向の延長線上に局所的なＡｇ電極として形成される。また、裏面パッド２７の補助電極２７２は、Ａｌ裏面電極２６から裏面パッド２７への通電において、ＣＩＣ構造１０の短手方向の抵抗値を小さくし、ジュール損失を少なくするために設けられている。

尚、絶縁膜２５におけるコンタクトホール２５１は、ＣＩＣ構造１０の平面視において、パッド電極２７１と重ならないような設計とされる。この構成により、パッド電極２７１へのインターコネクタ３０の溶接時に、印加される応力の集中を抑制し、クラックによる不良や特性低下を抑制することができる。

（手順２）単結晶Ｓｉウエハの裏面に、さらにＡｌ裏面電極２６となるＡｌ電極をスクリーン印刷し、このＡｌ電極を仮乾燥させる。図７は、このときのＡｌ電極のパターンを示す平面図である。Ａｌ裏面電極２６は、ＣＩＣ構造１０の裏面のほぼ全面に形成されるものであるが、裏面パッド２７や接続パッド４１に対応する箇所は開口部（図７中の白抜き部）とされている。但し、Ａｌ裏面電極２６における開口部は、裏面パッド２７や接続パッド４１と同サイズではなく、僅かに小さく形成されている。これにより、Ａｌ裏面電極２６は裏面パッド２７や接続パッド４１に対して一部を重畳させることができる（図４，５参照）。あるいは、裏面パッド２７や接続パッド４１の周縁を三角波などの波状に形成し、波の突起部分の先端をＡｌ裏面電極２６に接触させて導通を得るようにしてもよい。

尚、Ａｌ裏面電極２６は、膜厚を厚くすると単結晶Ｓｉウエハの反りが大となり、薄いとＡｌ裏面電極２６の抵抗による損失が大となる。このため、Ａｌ裏面電極２６は、単結晶Ｓｉウエハの反りが許容される範囲内で、膜厚を大きくすることが好ましい。また、絶縁膜２５におけるコンタクトホール２５１は、ＣＩＣ構造１０の平面視において、接続パッド４１とも重ならないような設計とされる。

（手順３）単結晶Ｓｉウエハを表裏反転し、単結晶Ｓｉウエハの表面に、表面パッド２４となるＡｇ電極をスクリーン印刷し、このＡｇ電極を仮乾燥させる。図８は、このときのＡｇ電極のパターンを示す平面図である。尚、図８に示す表面パッド２４は、インターコネクタ３０が接続されるパッド電極（第１パッド電極）２４１と、グリッド電極２３から電流を集電するためのバスバー電極２４２とを含んでいる。

表面パッド２４は、ＣＩＣ構造１０における電力損失が少なくなるように、以下のように設計されている。
・バスバー電極２４２は、パッド電極２４１との接続側で太く、パッド電極２４１から離れるほど細くなるようなテーパ形状とする。すなわち、電流量の大きくなるパッド電極２４１との接続側では、バスバー電極２４２を太くすることで抵抗を下げ、電流量の小さくなる先端側では、バスバー電極２４２を細くすることで電極の陰（かげ）による発電量の低下を抑制する。
・バスバー電極２４２は、グリッド電極２３に対して直交させず、やや傾斜させて配置することで、グリッド電極２３からの集電特性を幾分向上させることができる。
・ＣＩＣ構造１０の長手方向（グリッド電極２３の配列方向）に沿って表面パッド２４を複数配置する場合、各表面パッド２４の配置領域がＣＩＣ構造１０の長手方向に対して均等となるようにする。また、各表面パッド２４におけるパッド電極２４１は、その配置領域において、ＣＩＣ構造１０の長手方向における中央に配置する。これにより、各表面パッド２４から電力が均等に取り出せる。
・印刷不良などでバスバー電極２４２に断線があった場合の影響を緩和するため、隣接するバスバー電極２４２の先端同士を接続する。

（手順４）単結晶Ｓｉウエハの表面に、さらにグリッド電極２３となるＡｇ電極をスクリーン印刷し、このＡｇ電極を仮乾燥させる。図９は、このときのＡｇ電極のパターンを示す平面図である。

（手順５）電極類の形成された単結晶Ｓｉウエハを焼成する。この焼成処理により、グリッド電極２３におけるファイヤースルーが生じ、グリッド電極２３が反射防止膜２２を貫通してｎ型Ｓｉ層２１１と接続される。また、Ａｌ裏面電極２６からコンタクトホール２５１を介してアルミがｐ型Ｓｉ基板２１に拡散し、ＢＳＦ層２１２が形成される。

（手順６）単結晶Ｓｉウエハをカットし、個々のＣＩＣ構造１０に対応するサイズに分割する。この例では、単結晶Ｓｉウエハは５分割される。

（手順７）分割された単結晶Ｓｉウエハに対し、インターコネクタ３０を接続する。インターコネクタ３０は、その一端が表面パッド２４のパッド電極２４１に対して、パラレルギャップ抵抗溶接により接続される。図１０は、溶接前のプリカットされたインターコネクタ３０の形状を示す平面図である。図１０に示すように、溶接されるインターコネクタ３０の端部にはスリット３２が形成されていてもよい。インターコネクタ３０の端部にスリット３２を形成することで、溶接の信頼性を向上させることができる。

（手順８）カバーガラス２９の一面に透明接着層２８となる透明樹脂シート（シリコーン樹脂製）を真空圧着にて貼り合わせる。さらに、透明樹脂シート付のカバーガラス２９を、（手順７）までが終了した単結晶Ｓｉウエハに真空圧着にて貼り合わせる。

（手順９）インターコネクタ３０を曲げ、曲率部３１を形成する。以上により、図１に示すＣＩＣ構造１０が完成する。

ＣＩＣ構造１０におけるセル本体２０は、平面視で長手方向および短手方向を有する矩形形状とされている。このとき、セル本体２０の短辺が長くなると、グリッド電極２３が長くなり、太陽電池としての特性が低下する。また、セル本体２０の短辺を短くすると、単結晶Ｓｉウエハからセル本体を切り出すときに破棄される部分が多くなりコスト増につながる。このため、セル本体２０のセルサイズは、長辺については単結晶Ｓｉウエハのサイズとほぼ同等とすることが好ましい。また、短辺については３０ｍｍ程度にとすることが好ましい。具体例として、セル本体２０のセルサイズは、長辺１４０～２００ｍｍ、短辺２５～４５ｍｍの範囲とすることが好ましい。本例のセル本体２０は、長辺が１５０ｍｍ、短辺が３０ｍｍのセルサイズとされている。

また、表面パッド２４におけるパッド電極２４１と裏面パッド２７におけるパッド電極２７１とは、セル本体２０の短手方向における互いに逆の端部付近に形成されることが好ましい。すなわち、表面パッド２４はセル本体２０における一方の長辺に沿って形成され、裏面パッド２７は他方の長辺に沿って形成されることが好ましい。これにより、２つのＣＩＣ構造１０をインターコネクタ３０を介して接続する場合に、インターコネクタ３０を短く形成することができ、インターコネクタ３０のコストを低減することができる。

さらに、表面パッド２４や裏面パッド２７は、セル本体２０の長手方向に沿って複数のパッドを均等な間隔で配置することが好ましく、表面パッド２４および裏面パッド２７のそれぞれにおいて、パッド数を３～６個程度とすることが好ましい。セル本体２０の長辺が１５０ｍｍの場合、表面パッド２４および裏面パッド２７のそれぞれにおいて、パッド数は４個（隣り合うパッド間のピッチは３７．５ｍｍ）とすることが好ましい。

＜太陽電池モジュールの構造＞
上述したＣＩＣ構造１０は、通常、複数のセルを直列に接続したストリングの形態として使用される。この点は、本実施の形態に係る太陽電池モジュール（以下、本モジュール）においても同様である。本モジュールは、少なくとも１つのストリングを含むものであり、複数のストリングを含むものであってもよい。また、本モジュールに複数のストリングが含まれる場合、ストリング同士の接続は直列接続であってもよく、並列接続であってもよい。

図１１は、本モジュールに含まれるストリング５０の構成例を示す上面図である。図１２は、ストリング５０の裏面図である。図１１，１２に示すように、ストリング５０では、ＣＩＣ構造１０におけるインターコネクタ３０の一端（表面パッド２４のパッド電極２４１と接続されていない側の端部）が、隣り合うＣＩＣ構造１０の裏面パッド２７のパッド電極２７１に溶接され、ＣＩＣ構造１０同士が直列接続される。また、ストリング５０の両端におけるＣＩＣ構造１０は、ストリング５０から電力を取り出すためのバスバー５１に接続される。このとき、ＣＩＣ構造１０とバスバー５１との接続もインターコネクタ３０を介して行われる。尚、図１１，１２では、ストリング５０に含まれるＣＩＣ構造１０の数を６個としているが、この数は特に限定されるものではない。

ストリング５０では、ＣＩＣ構造が採用されている。すなわち、カバーガラス２９がＣＩＣ構造１０ごとに分割され、隣り合うＣＩＣ構造１０同士はインターコネクタ３０を介して接続される。また、インターコネクタ３０には、ストレスリリーフとなる曲率部３１が設けられている。

本モジュールにおいて、ストリング５０は、図示しない支持基板に対して裏面側が接着層を介して接着された状態で搭載される。このとき、温度変化によって支持基板の寸法が変化し、隣り合うＣＩＣ構造１０間の距離が変化しても、その距離変化はインターコネクタ３０の曲率部３１において吸収できる。これにより、ストリング５０に採用されるＣＩＣ構造は、温度変化に対して耐性の高いものとなる。

図１１，１２に示すストリング５０はバイパスダイオードを含むものではないが、ストリング５０にバイパスダイオードを含めることも可能である。図１３は、バイパスダイオード４０を含むストリング５０の構成例を示す上面図である。図１４は、バイパスダイオード４０を含むストリング５０の構成例を示す裏面図である。

図１３，１４に示すように、バイパスダイオード４０を含むストリング５０では、バスバー５１と直交する方向に延設されたサブバスバー５２が設けられる。サブバスバー５２は、ＣＩＣ構造１０の接続パッド４１に接続されると共に、２本のバスバー５１の内の一方（図１３，１４では図中上側のバスバー５１）とも接続される。バイパスダイオード４０は、サブバスバー５２の途中に適宜配置される。

このように、図１３，１４のストリング５０は、直列接続されたＣＩＣ構造１０による電流経路に対して、サブバスバー５２およびバイパスダイオード４０による電流経路（バイパス経路）を並列に有する。太陽電池セルは一般に逆方向の耐圧が低く、ＣＩＣ構造１０においても逆方向に電圧がかかった際にセルが故障する恐れがある。ＣＩＣ構造１０に対してバイパスダイオード４０を並列に接続することにより、ＣＩＣ構造１０に逆方向の電圧がかかることを防止でき、ＣＩＣ構造１０の故障を防止することができる。

尚、サブバスバー５２は、ストリング５０中の全てのＣＩＣ構造１０と接続してもよいが、所定数おきにＣＩＣ構造１０と接続されてもよい（図１４の例では３個おきにＣＩＣ構造１０と接続されている）。また、バイパスダイオード４０は、サブバスバー５２とバスバー５１またはＣＩＣ構造１０との接続箇所に対して、隣り合う２つの接続箇所の間に１つのバイパスダイオード４０が設けられていればよい。さらに、各ＣＩＣ構造１０は、セルの長手方向の両端に接続パッド４１を有しているが、これはバイパスダイオード４０の接続をＣＩＣ構造１０に対して長手方向の両側で可能とするためである。すなわち、図１４の例では、バイパスダイオード４０およびサブバスバー５２は、ＣＩＣ構造１０の左側に接続されているが、バイパスダイオード４０およびサブバスバー５２をＣＩＣ構造１０の右側に接続することも可能である。

〔実施の形態２〕
図１５は、本実施の形態２に係るＣＩＣ構造１０Ａの六面図である。ＣＩＣ構造１０Ａは、実施の形態１に係るＣＩＣ構造１０に対し、インターコネクタ３０における曲率部３１を設けていない点で異なる。但し、ＣＩＣ構造１０Ａにおいても、複数のセルを直列接続してストリング５０を構成する段階では、インターコネクタ３０において曲率部３１が形成される。

〔実施の形態３〕
図１６は、本実施の形態３に係るＣＩＣ構造１０Ｂの六面図である。ＣＩＣ構造１０Ｂは、実施の形態１に係るＣＩＣ構造１０に対し、バスバー電極２４２、グリッド電極２３、補助電極２７２およびＡｌ裏面電極２６を省略した構成となっている。すなわち、本開示のＰＥＲＣセルにおいて、バスバー電極２４２、グリッド電極２３、補助電極２７２およびＡｌ裏面電極２６は必須ではない。

〔実施の形態４〕
図１７は、本実施の形態４に係るＣＩＣ構造１０Ｃの六面図である。ＣＩＣ構造１０Ｃは、実施の形態３に係るＣＩＣ構造１０Ｂに対し、インターコネクタ３０における裏面溶接側のスリット３２を省略した構成となっている。すなわち、本開示のＰＥＲＣセルにおいて、インターコネクタ３０におけるスリット３２は必須ではない。

〔付記〕
（１）本発明の態様１に係るＣＩＣ構造は、ＰＥＲＣ技術を使用して製造された太陽電池セルと、太陽電池セルに取り付けられたインターコネクタとを備え、太陽電池セルは、Ｓｉ基板の第１主面に透明接着層を介してカバーガラスが貼付されており、インターコネクタの一端は、Ｓｉ基板の第１主面に形成された第１パッド電極に接続され、かつ、Ｓｉ基板と透明接着層との間に挟まれた状態で、太陽電池セルに対して取り付けられており、他のＣＩＣ構造が有するインターコネクタを接続するための第２パッド電極を、第１主面とは反対側の第２主面に有している。

（２）本発明の態様２に関わるＣＩＣ構造は、上記態様１のＣＩＣ構造において、インターコネクタは、溶接により第１パッド電極に接続されている。

（３）本発明の態様３に関わるＣＩＣ構造は、上記態様１または２のＣＩＣ構造において、第２パッド電極は、当該ＣＩＣ構造が有するインターコネクタの延長線上に局所的なＡｇ電極として形成されている。

（４）本発明の態様４に関わるＣＩＣ構造は、上記態様１から３の何れかのＣＩＣ構造において、複数のＣＩＣ構造を直列接続してストリングを形成する場合に、保護素子となるバイパスダイオードを含むバイパス経路を溶接接続するための接続パッドを第２主面に有しており、接続パッドは、第２パッド電極とは別の局所的なＡｇ電極として形成されている。

（５）本発明の態様５に関わるＣＩＣ構造は、上記態様１から４の何れかのＣＩＣ構造において、太陽電池セルは平面視で長手方向および短手方向を有する矩形形状とされており、第２パッド電極から短手方向に引き出された補助電極を有している。

（６）本発明の態様６に関わるＣＩＣ構造は、上記態様１から５の何れかのＣＩＣ構造において、太陽電池セルは平面視で長手方向および短手方向を有する矩形形状とされており、太陽電池セルのセルサイズは、長辺１４０～２００ｍｍ、短辺２５～４５ｍｍの範囲である。

（７）本発明の態様７に関わるＣＩＣ構造は、上記態様１から６の何れかのＣＩＣ構造において、太陽電池セルは平面視で長手方向および短手方向を有する矩形形状とされており、第１パッド電極は太陽電池セルにおける一方の長辺に沿って形成され、第２パッド電極は他方の長辺に沿って形成されている。

（８）本発明の態様８に関わるＣＩＣ構造は、上記態様１から７の何れかのＣＩＣ構造において、太陽電池セルは平面視で長手方向および短手方向を有する矩形形状とされており、第１パッド電極および第２パッド電極のそれぞれは、太陽電池セルの長辺に沿って均等な間隔で配置された複数のパッドからなり、第１パッド電極および第２パッド電極のそれぞれにおけるパッド数は、３～６個の範囲内である。

（９）本発明の態様９に関わる太陽電池モジュールは、上記態様１から８の何れかのＣＩＣ構造を直列接続してなるストリングを含む。

今回開示した実施形態は全ての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本開示の技術的範囲は、上記した実施形態のみによって解釈されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれる。

１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ ＣＩＣ構造
２０ セル本体（太陽電池セル）
２１ ｐ型Ｓｉ基板（Ｓｉ基板）
２１１ ｎ型Ｓｉ層
２１２ ＢＳＦ層
２２ 反射防止膜
２３ グリッド電極
２４ 表面パッド
２４１ パッド電極（第１パッド電極）
２４２ バスバー電極
２５ 絶縁膜
２５１ コンタクトホール
２６ Ａｌ裏面電極
２７ 裏面パッド
２７１ パッド電極（第２パッド電極）
２７２ 補助電極
２８ 透明接着層
２９ カバーガラス
３０ インターコネクタ
３１ 曲率部
３２ スリット
４０ バイパスダイオード
４１ 接続パッド
５０ ストリング
５１ バスバー
５２ サブバスバー

Claims (9)

1. ＰＥＲＣ技術を使用して製造された太陽電池セルと、
   前記太陽電池セルに取り付けられたインターコネクタとを備え、
   前記太陽電池セルは、Ｓｉ基板の第１主面に透明接着層を介してカバーガラスが貼付されており、
   前記インターコネクタの一端は、前記Ｓｉ基板の第１主面に形成された第１パッド電極に接続され、かつ、前記Ｓｉ基板と前記透明接着層との間に挟まれた状態で、前記太陽電池セルに対して取り付けられており、
   他のＣＩＣ構造が有するインターコネクタを接続するための第２パッド電極を、前記第１主面とは反対側の第２主面に有していることを特徴とするＣＩＣ構造。
2. 請求項１に記載のＣＩＣ構造であって、
   前記インターコネクタは、溶接により前記第１パッド電極に接続されていることを特徴とするＣＩＣ構造。
3. 請求項１に記載のＣＩＣ構造であって、
   前記第２パッド電極は、当該ＣＩＣ構造が有する前記インターコネクタの延長線上に局所的なＡｇ電極として形成されていることを特徴とするＣＩＣ構造。
4. 請求項１に記載のＣＩＣ構造であって、
   複数のＣＩＣ構造を直列接続してストリングを形成する場合に、保護素子となるバイパスダイオードを含むバイパス経路を溶接接続するための接続パッドを前記第２主面に有しており、
   前記接続パッドは、前記第２パッド電極とは別の局所的なＡｇ電極として形成されていることを特徴とするＣＩＣ構造。
5. 請求項１に記載のＣＩＣ構造であって、
   前記太陽電池セルは平面視で長手方向および短手方向を有する矩形形状とされており、
   前記第２パッド電極から前記短手方向に引き出された補助電極を有していることを特徴とするＣＩＣ構造。
6. 請求項１に記載のＣＩＣ構造であって、
   前記太陽電池セルは平面視で長手方向および短手方向を有する矩形形状とされており、
   前記太陽電池セルのセルサイズは、長辺１４０～２００ｍｍ、短辺２５～４５ｍｍの範囲であることを特徴とするＣＩＣ構造。
7. 請求項１に記載のＣＩＣ構造であって、
   前記太陽電池セルは平面視で長手方向および短手方向を有する矩形形状とされており、
   前記第１パッド電極は前記太陽電池セルにおける一方の長辺に沿って形成され、前記第２パッド電極は他方の長辺に沿って形成されていることを特徴とするＣＩＣ構造。
8. 請求項１に記載のＣＩＣ構造であって、
   前記太陽電池セルは平面視で長手方向および短手方向を有する矩形形状とされており、
   前記第１パッド電極および前記第２パッド電極のそれぞれは、前記太陽電池セルの長辺に沿って均等な間隔で配置された複数のパッドからなり、
   前記第１パッド電極および前記第２パッド電極のそれぞれにおけるパッド数は、３～６個の範囲内であることを特徴とするＣＩＣ構造。
9. 請求項１から８の何れか１項に記載のＣＩＣ構造を直列接続してなるストリングを含むことを特徴とする太陽電池モジュール。

Images