JP2023554295A - 選択的に切替可能なワイドバンドrf加算器 - Google Patents

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Abstract

Figure 2023554295000001
RF加算回路(20)は、第1及び第2の抵抗(R1、R2)の各々によって接合部(22)に結合された第1及び第2のポート(P1、P2)を備える。RF加算回路は、第3の抵抗(R3)とスイッチ(S3)との直列組み合わせと、増幅器(UI)とを更に備え、直列組み合わせは、接合部(22)と第3のポート(P3)との間で増幅器を横切って結合される。さらに、スイッチ(S3)が閉位置に移動され増幅器(UI)がオフ状態に切替られたとき、パッシブ動作モードが実施され、スイッチが開位置に移動され増幅器(UI)がオン状態に切替られたとき、アクティブ動作モードが実施される。RF加算回路は、第1及び第2のポート(P1、P2)における信号の和に等しい加算信号を、第3のポート(P3)において生成する。

Description

本主題は、無線周波数(RF)装置に関し、より詳細には、選択的に切替可能なRF加算器に関する。
時には、RF回路において利得を制御する必要がある。例えば、H木(H-tree)ネットワークは、フェーズドアレイRF装置、又はRFトランスバーサルフィルタのためのアンテナ給電装置として使用され得る。H木ネットワークにおける信号は、コヒーレントに和をとることができ、出力ポートに結合された装置(例えば、入力増幅器)における非線形歪みに至る可能性のある、アンテナ出力ポートにおいて大きな信号を産生するか、又はインコヒーレントに和をとることができ、低減された利得ではあるが、別の出力ポートにおける信号対雑音比(SNR)の低減をもたらす。回路設計者は、対応する数のH木ネットワーク出力ポートで発生した1つ又は複数の信号を、下流の装置に提供することができる。このようなポートでは、ノイズと線形性の性能を選択的にバランスさせる必要があることが多いが、マッチングと帯域幅を犠牲にすることなく利得制御を得ることは困難である。
前述の問題を解決するための従来のアプローチは、スイッチ抵抗を有する抵抗結合器、又は一般的な可変利得増幅器の接続形態を備えることができる。しかしながら、これらの従来のアプローチは、H木加算器において比較的低いダイナミックレンジ改善を達成することができるだけである。
一態様によれば、インピーダンス特性Zを有する無線周波数(RF)加算回路は、第1及び第2の抵抗の各々によって接合部に結合された第1及び第2のポートを備える。回路は第3の抵抗と、開位置と閉位置との間で移動可能なスイッチとの直列組み合わせと、入力端子及び出力端子を有し、オフ状態及びオン状態で動作可能な増幅器とを更に備え、直列組み合わせは、接合部と第3のポートとの間で増幅器の入力端子及び出力端子を横切って結合される。第1の抵抗、第2の抵抗、及び第3の抵抗はすべて、Z/3に実質的に等しい。さらに、スイッチが閉位置に移動され、増幅器がオフ状態に切り換えられるとき、パッシブ動作モードが実施され、スイッチが開位置に移動され、増幅器がオン状態に切り換えられるとき、アクティブ動作モードが実施される。RF加算回路は、第1及び第2のポートにおける信号の和を第1及び第2の利得値のうちの1つによって変更したに等しい加算信号を、第3のポートにおいて生成する。
他の態様及び利点は、以下の詳細な説明及び添付の図面を考慮することによって明らかになり、本明細書全体を通して、同様の番号は同様の構造を示す。
選択的に切替可能なRF加算器の一実施形態の簡略化された回路図である。 パッシブ動作状態にある図1の選択的に切替可能なRF加算器の実施形態の簡略化された回路図である。 アクティブ動作状態にある図1の選択的に切替可能なRF加算器の実施形態の簡略回路図である。 図1の増幅器の2つの実現の概略図である。 図1の増幅器の2つの実現の概略図である。 パッシブ及びアクティブ動作モードにおける図1の実施形態の簡略化された概略図であり、増幅器の寄生インピーダンスを示す。 図6のパッシブ動作モードの周波数の関数としてSパラメータを示すグラフである。 図6のパッシブ動作モードの周波数の関数としてSパラメータを示すグラフである。 パッシブ及びアクティブ動作モードにおける図1の実施形態の簡略化された概略図であり、増幅器の寄生インピーダンスを示す。 図9のアクティブ動作モードの周波数の関数としてSパラメータを示すグラフである。 図9のアクティブ動作モードの周波数の関数としてSパラメータを示すグラフである。
最初に図1を参照すると、選択的に切替可能な広帯域RF加算回路20は、第1、第2、及び第3のポートP1、P2、及びP3をそれぞれ備えるマルチポートデバイスを備える。第1及び第2のポートP1及びP2は、それぞれ抵抗器R1及びR2によって接合部22に結合される。バッファ増幅器U1は、接合部22に結合された入力端子と、第3のポートP3に結合された出力端子とを含む。増幅器U1は、第1及び第2のスイッチS1及びS2によって各々供給電圧V+、及び接地に結合された電力端子を含む。第3のスイッチS3と第3の抵抗R3との直列組み合せは、ジャンクション22と第3のポートP3との間の増幅器U1を横切る。
第1、第2、及び第3のスイッチS1、S2、及びS3の各々は、開位置と閉位置との間で選択的に動作可能であり、手動及び/又は機械的に動作可能なデバイス、電子的に動作可能なデバイス(例えば、トランジスタ)、又は任意の他の適切なデバイスを備え得る。また、第1、第2、第3の抵抗は、加算回路20の特性インピーダンスZに応じた抵抗値を有する。具体的には、好ましい実施形態では、抵抗R1、R2、及びR3の抵抗は同じであり、それぞれZ/3に等しい。したがって、Zが50オームに等しい具体的な実施形態では、R1、R2、及びR3の抵抗は、すべて50/3(すなわち、約16.67)オームに等しい。
図2は、パッシブ動作モードで動作可能な加算回路20を示す。そのような動作モードは、第1及び第2のスイッチS1及びS2の一方又は両方を開き、第3のスイッチS3を閉じることによって実施される。第1及び第2のポートP1及びP2にそれぞれ供給される第1及び第2の入力信号は、接合部22において加算され、加算された信号は、第3のスイッチS3及び抵抗器R3によって第3のポートP3に供給される。このとき、増幅器U1がOFFであるので、増幅器U1は、入力及び出力端子において非常に高いインピーダンス(例えば、インピーダンスZに対して3倍以上)を示す。回路20は、3つのポートP1、P2、及びP3全てにおいてインピーダンス整合され、3つのポートP1、P2、及びP3すべての間でおよそ-6dbの信号送信利得を示す。さらに、伝送経路内の構成要素が実質的に純粋に抵抗性であるので、特に、パッシブモードにおけるスイッチS3が手動又は機械的に動作可能である(よって、トランジスタの寄生インピーダンスを除去する)とき、非常に広い周波数範囲(たとえば、0~40Ghz)にわたって実質的に線形である。パッシブモードで動作する回路20のSパラメータを、図7及び図8に示す。図6は、コンデンサC1及び抵抗器R4によって表されるバッファ増幅器U1の寄生インピーダンスを有する図2の回路20を示す。図7及び図8のSパラメータは、インピーダンス特性Zが50オームであり、寄生キャパシタC1の容量が20フェムトファラッドであり、寄生抵抗が500オームである場合の例が示されている。もちろん、当業者には明らかであるように、寄生インピーダンスの性質及び値は部品、特にバッファ増幅器U1の選択によって変化し、本明細書に添付される特許請求の範囲の範囲は、寄生インピーダンスの性質及び値、又は本明細書に開示される部品値に限定されない。
図7に見られるように、入力ポート電圧反射係数S11及びS22ならびに出力ポート電圧反射係数S33は、寄生インピーダンスのために、0~40Ghzの間の周波数で上昇する。図8に見られるように、順方向電圧利得S31、及びパラメータS21及びS12は、前述のように約-6dbで一定のままである。
次に図3を参照すると、動作のアクティブモードは、スイッチS1及びS2を閉じ、スイッチS3を開くことによって開始される。これにより、増幅器U1が通電(オン)され、抵抗R3が回路から除去される。パッシブ動作モードと同様に、第1及び第2のポートP1及びP2の各々供給される第1及び第2の入力信号は、接合部22において加算される。アクティブ動作モードでは、加算された信号が増幅器U1によって増幅され、第3のポートP3に供給され、出力インピーダンス整合は増幅器U1によって行われる。図9には、コンデンサC1及び抵抗器R4を備える増幅器U1の例示的な寄生インピーダンスが示されており、これらは、図6に示される寄生インピーダンスと同じ又は異なる値を有し得る。ポートP1、P2は、ポートP1、P2のそれぞれの入力信号が対向するポートのインピーダンスを見るため、部分的にZに整合されたままである。
図10及び図11は、アクティブモードにおける回路20の動作中のSパラメータを示す。入力ポート電圧反射係数S11及びS22は、0~40GHz帯域幅にわたってほぼ等しいレベルのままであり、入力ポート電圧反射係数S11及びS22と比較して低減されたレベルではあるが、出力ポート電圧反射係数も同様である。SパラメータS31は(図11には示されていないが、パラメータS32はパラメータS31と同一である)帯域幅にわたって8dbの近似値で実質的に一定のままである。SパラメータS21及びS12は、帯域幅にわたって約-3dbで一定のままである。
図4及び図5は、増幅器U1ならびに関連するスイッチS1及びS2の特定の実現例を示し、他の実現例が代わりに使用されてもよいことが理解される。図4の例示的な実施形態は、スイッチS1とスイッチS2との間に直列に接続されたソース端子及びドレイン端子と、相互接続されたゲート端子とを有するPチャネル及びNチャネルMOSFETのQ1及びQ2を備える。抵抗R5は、相互接続されたゲート端子における増幅器入力端子と、トランジスタQ1及びQ2のドレイン間の接合部における出力端子との間に接続され、適切な動作のためのバイアスを提供する。
図5の例示的な実施形態は、NチャネルMOSFETQ3と、増幅器出力端子においてトランジスタQ3のドレイン端子に結合された抵抗器R7とを含む。トランジスタQ3と抵抗R7との直列組合せは、スイッチS1に結合される。トランジスタQ3のソース端子は、スイッチS2によってグランドに任意に結合される。スイッチS2は、増幅器U1をオフにする冗長方法として機能する。スイッチS2が閉じたときに示す小さな寄生直列抵抗は、増幅器の利得及び線形性を制御するのに望ましいことがある。スイッチS2が省略される場合、トランジスタQ3のソース端子は、接地に直接結合され、それによって、小さな寄生インピーダンスを除去する。トランジスタQ3のゲート端子は、コンデンサC2と抵抗R6との直列接続された組合せ間の接合部に結合される。コンデンサC2と抵抗R6との直列組合せは、増幅器入力とボルテージVbiasとの間に結合される。コンデンサC2及び抵抗器R6は、トランジスタQ3をバイアスするために適切な固定DCゲート電圧を提供する。
本明細書に開示される実施形態は、H木RF信号加算ネットワークにおける広帯域利得制御機能として使用することができる。特定の用途は、フェーズドアレイ及びRFトランスバーサルフィルタのためのアンテナ給電装置を含む。H木ネットワークにおける信号は、コヒーレントに加算され、加算された出力ポートにおいて大きな信号を生成し、これは、加算された出力において増幅器の非線形歪みを生じ得るか、又は加算されずに、出力における信号対雑音比(SNR)の低減を引き起こす。各H木又は他のアンテナ給電出力における、本明細書に開示される切替可能なアクティブ-パッシブ2方向RF信号加算器の使用は、回路設計者が、ポートにおいて信号がコヒーレントに加算されるパッシブ動作モード、又はポートにおいて信号がインコヒーレントに加算されるアクティブ動作モードを選択することを可能にする。したがって、各信号レベルは、ノイズと線形性能とのバランスをとるために、異なる加算階層で個別に制御することができる。
本明細書中で引用する刊行物、特許出願及び特許を含むすべての文献を、各文献を個々に具体的に示し、参照して組み込むのと、また、その内容のすべてをここで述べるのと同じ限度で、ここで参照して組み込む。
「a」及び「an」及び「The」という用語、ならびに本発明を説明する文脈における(特に、以下の特許請求の範囲の文脈における)同様の参照番号の使用は、本明細書で別段の指示がない限り、又は文脈によって明らかに矛盾しない限り、単数及び複数の両方を包含すると解釈されるべきである。本明細書中の数値範囲の記載は、本明細書中で特に指摘しない限り、単にその範囲内に該当する各値を個々に言及するための略記法としての役割を果たすことだけを意図しており、各値は本明細書中で個々に列挙されるかのように、明細書に組み込まれる。本明細書で記載した全ての方法は、本明細書に別段の指示がない限り、或いは明らかに文脈に矛盾しない限り、任意の好適な順序で実行され得る。本明細書で提供される任意の及びすべての例、又は例示的な言葉(例えば、「など」)の使用は、単に本開示をより明瞭にすることを意図しており、特に請求されない限り、本開示の範囲を限定するものではない。本明細書中のいかなる言語も、請求されていない要素を本開示の実施に不可欠なものとして示すものと解釈されるべきではない。
前述の説明を考慮すると、本開示に対する多数の変更が当業者には明らかであろう。図示された実施形態は、例示的なものにすぎず、本開示の範囲を限定するものとして解釈されるべきではないことを理解されたい。

Claims (9)

  1. インピーダンス特性Zを有する無線周波数(RF)加算回路であって、
    第1の抵抗及び第2の抵抗の各々によって接合部に結合された第1のポート及び第2のポートと、
    第3の抵抗と、開位置と閉位置との間を移動可能なスイッチとの直列組み合わせと、
    入力端子及び出力端子を有し、オフ状態及びオン状態で動作可能である増幅器であって、前記直列組み合わせは、前記接合部と第3のポートとの間で前記増幅器の前記入力端子及び前記出力端子を横切って結合される、増幅器と、
    を備え、
    前記第1の抵抗、前記第2の抵抗、及び前記第3の抵抗は全て、実質的にZ/3に等しく、
    前記スイッチが閉位置に移動され前記増幅器がオフ状態に切替られたとき、パッシブ動作モードが実施され、
    前記スイッチが開位置に移動され前記増幅器がオン状態に切替られたとき、アクティブ動作モードが実施され、
    前記RF加算回路は、前記第1のポート及び前記第2のポートにおける信号の和を第1の利得値及び第2の利得値の内の1つによって変更したに等しい加算信号を、第3のポートにおいて生成する、
    RF加算回路。
  2. 前記加算回路は、全てのポートでインピーダンス整合され、前記パッシブ動作モードが実施されるとき、全てのポート間で実質的に等しい利得を有する、請求項1に記載のRF加算回路。
  3. 前記パッシブ動作モードが実施されているとき、前記信号の和の大きさは、前記第1の利得値によって変更される、請求項1に記載のRF加算回路。
  4. 前記アクティブ動作モードが実施されているとき、前記信号の和の大きさは、前記第2の利得値によって変更される、請求項1に記載のRF加算回路。
  5. 前記第1の利得値は、負の値を含み、
    前記パッシブ動作モードが実施されているとき、前記信号の和の大きさは、前記第1の利得値によって変更され、
    前記第2の利得値は、正の値を含み、
    前記アクティブ動作モードが実施されているとき、前記信号の和の大きさは、前記第2の利得値によって変更される、
    請求項1に記載のRF加算回路。
  6. 前記増幅器は、少なくとも1つの追加スイッチによって、前記オフ状態と前記オン状態との間で切替られる、請求項1に記載のRF加算回路。
  7. 前記少なくとも1つの追加スイッチは、2つの追加スイッチを含み、
    前記増幅器は、前記2つの追加スイッチの間に結合されたソース端子及びドレイン端子と、前記増幅器の前記入力端子に相互接続されたゲート端子とを有する、第1のMOSFET及び第2のMOSFETと、を備え、
    前記第1のMOSFET及び前記第2のMOSFETの間の接合部は、前記増幅器の前記出力端子と、前記入力端子と前記出力端子との間に結合された抵抗器と、を備える、
    請求項6に記載のRF加算回路。
  8. 前記増幅器は、
    前記増幅器の前記出力端子に結合されたドレイン端子を有するMOSFETと、
    前記少なくとも1つの追加スイッチと前記増幅器の前記出力端子との間に結合された第1の抵抗器と、
    を備え、
    前記増幅器の前記入力端子と電圧との間には、コンデンサと第2の抵抗器との組合せが結合され、前記コンデンサと前記第2の抵抗器との間の接合点は、前記MOSFETのゲート端子に結合される、
    請求項6に記載のRF加算回路。
  9. 前記MOSFETのソース端子と接地電位との間には、更に別のスイッチが結合される、請求項8に記載のRF加算回路。
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Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4242730A (en) * 1979-03-09 1980-12-30 Helena Laboratories Corporation Single scan microprocessor-controlled densitometer
USRE40132E1 (en) * 1988-06-17 2008-03-04 Elpida Memory, Inc. Large scale integrated circuit with sense amplifier circuits for low voltage operation
US5973368A (en) * 1996-06-05 1999-10-26 Pearce; Lawrence G. Monolithic class D amplifier
JPH10173453A (ja) 1996-12-09 1998-06-26 Sony Corp 高周波可変利得増幅装置および無線通信装置
US9523730B2 (en) * 2009-04-08 2016-12-20 Analog Devices, Inc. Architecture and method to determine leakage impedance and leakage voltage node
US8212619B2 (en) 2009-07-23 2012-07-03 Qualcomm, Incorporated Split-biased current scalable buffer
EP2288041A3 (en) * 2009-08-18 2013-04-24 Gerald Youngblood Direct conversion receiver
KR20140089052A (ko) * 2013-01-02 2014-07-14 한국전자통신연구원 귀환 증폭기
US9853616B2 (en) * 2013-04-25 2017-12-26 Intergrated Device Technology, Inc. Low noise variable gain amplifier utilizing variable feedback techniques with constant input/output impedance
US9602064B2 (en) * 2014-06-28 2017-03-21 Skyworks Solutions, Inc. Switchable feedback circuit for radio-frequency power amplifiers
WO2018106877A1 (en) * 2016-12-07 2018-06-14 The Regent Of The University Of California A high input impedance, high dynamic range, common-mode-interferer tolerant sensing front-end for neuromodulation systems
WO2019031553A1 (ja) * 2017-08-10 2019-02-14 株式会社村田製作所 カスコード増幅回路
JP7071860B2 (ja) * 2018-03-30 2022-05-19 株式会社村田製作所 増幅回路
US11757419B2 (en) * 2020-02-25 2023-09-12 Smarter Microelectronics (Guang Zhou) Co., Ltd. Radio frequency power amplifier circuit and gain control method

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