JP2023539241A - 気相粒子低減のための装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- チャンバリッドであって、
上部壁と、
底部壁と、
複数の垂直側壁と、
前記上部壁、前記底部壁、及び前記複数の垂直側壁によって画定された前記チャンバリッド内の内部領域と、
空気を前記内部領域内に、及び前記内部領域外に流体連結させるように構成された複数の空気流開孔と、
前記複数の空気流開孔のうちの少なくとも1つの空気流開孔の面に配置されたメッシュと
を備える、チャンバリッド。 - 1又は複数の空気流開孔は、前記チャンバリッドの前記上部壁にある、請求項1に記載のチャンバリッド。
- 前記複数の空気流開孔のうちの1又は複数の空気流開孔は、前記チャンバリッドの第1の垂直側壁にある、
前記複数の空気流開孔のうちの1又は複数の空気流開孔は、前記チャンバリッドの第2の垂直側壁にある、又は
それらの組み合わせである、
請求項2に記載のチャンバリッド。 - 前記複数の空気流開孔は、複数の垂直側壁の外面から内部領域へ内向きに移動し且つ前記内部領域から前記チャンバリッドの上部壁の前記1又は複数の空気流開孔を通って外向きに移動する空気を流体連結させるように構成される、請求項3に記載のチャンバリッド。
- 前記第1の垂直側壁及び前記第2の垂直側壁にある前記複数の空気流開孔のうちの前記1又は複数の空気流開孔は、空気入口であり、
上部壁にある前記複数の空気流開孔のうちの前記1又は複数の空気流開孔は、空気出口である、
請求項3に記載のチャンバリッド。 - 前記複数の空気流開孔のうちの1又は複数の空気流開孔は、前記チャンバリッドの第3の垂直側壁にある、
前記複数の空気流開孔のうちの1又は複数の空気流開孔は、前記チャンバリッドの第4の垂直側壁にある、又は
それらの組み合わせである、
請求項2に記載のチャンバリッド。 - 前記複数の空気流開孔は、チャンバリッド温度を約150℃以下に制御するように構成される、請求項1に記載のチャンバリッド。
- 前記複数の空気流開孔は、チャンバリッド温度を約100℃から約150℃に制御するように構成される、請求項1に記載のチャンバリッド。
- 前記複数の空気流開孔は、チャンバリッド温度を、前記チャンバリッドの下に位置するチャンバ本体の約50℃以下に制御するように構成される、請求項1に記載のチャンバリッド。
- 前記複数の空気流開孔は、チャンバリッド温度を、前記チャンバリッドの下に位置するチャンバ本体の約25℃以下に制御するように構成される、請求項1に記載のチャンバリッド。
- チャンバリッドであって、
上部壁と、
底部壁と、
複数の垂直側壁と、
前記上部壁、前記底部壁、及び前記複数の垂直側壁によって画定された前記チャンバリッド内の内部領域と、
複数の空気流開孔であって、
前記複数の空気流開孔のうちの1又は複数の空気流開孔は、前記チャンバリッドの第1の垂直側壁にあり、
前記複数の空気流開孔のうちの1又は複数の空気流開孔は、前記チャンバリッドの第2の垂直側壁にあり、
1又は複数の空気流開孔は、前記チャンバリッドの上部壁にあり、
前記複数の空気流開孔は、前記複数の垂直側壁の外面から前記内部領域へ内向きに移動し且つ前記内部領域から前記チャンバリッドの前記上部壁にある前記1又は複数の空気流開孔を通って外向きに移動する空気を流体連結させるように構成される、
複数の空気流開孔と、
前記複数の空気流開孔のうちの少なくとも1つの空気流開孔の面に配置されたメッシュと
を備えるチャンバリッド。 - 前記第1の垂直側壁及び前記第2の垂直側壁にある前記複数の空気流開孔のうちの前記1又は複数の空気流開孔は、空気入口であり、
前記上部壁にある前記複数の空気流開孔のうちの前記1又は複数の空気流開孔は、空気出口である、
請求項11に記載のチャンバリッド。 - 前記複数の空気流開孔のうちの1又は複数の空気流開孔は、前記チャンバリッドの第3の垂直側壁にある、
前記複数の空気流開孔のうちの1又は複数の空気流開孔は、前記チャンバリッドの第4の垂直側壁にある、又は
それらの組み合わせである。
請求項12に記載のチャンバリッド。 - 前記複数の空気流開孔は、チャンバリッド温度を約150℃以下に制御するように構成される、請求項11に記載のチャンバリッド。
- 前記複数の空気流開孔は、チャンバリッド温度を約100℃から約150℃に制御するように構成される、請求項11に記載のチャンバリッド。
- 前記複数の空気流開孔は、チャンバリッド温度を、前記チャンバリッドの下に位置するチャンバ本体の約50℃以下に制御するように構成される、請求項11に記載のチャンバリッド。
- 前記複数の空気流開孔は、チャンバリッド温度を、前記チャンバリッドの下に位置するチャンバ本体の約25℃以下に制御するように構成される、請求項11に記載のチャンバリッド。
- 基板を処理する方法であって、
基板処理チャンバの処理領域内に前記基板を導入することであって、前記基板処理チャンバはチャンバリッドを備え、前記チャンバリッドは、
上部壁と、
底部壁と、
複数の垂直側壁と、
前記上部壁、前記底部壁、及び前記複数の垂直側壁によって画定された前記チャンバリッド内の内部領域と、
空気を前記内部領域内に、及び前記内部領域外に流体連結させるように構成された複数の空気流開孔と、
前記複数の空気流開孔のうちの少なくとも1つの空気流開孔の面に配置されたメッシュと
を備える、基板処理チャンバの処理領域内に前記基板を導入することと、
前記基板に1又は複数の工程を実行することと
を含む方法。 - 1又は複数の空気流開孔は、前記チャンバリッドの上部壁にあり、
前記複数の空気流開孔のうちの1又は複数の空気流開孔は、前記チャンバリッドの第1の垂直側壁にある、前記複数の空気流開孔のうちの1又は複数の空気流開孔は、前記チャンバリッドの第2の垂直側壁にある、又はそれらの組合せである、
請求項18に記載の方法。 - 前記複数の空気流開孔は、複数の垂直側壁の外面から内部領域へ内向きに移動し且つ前記内部領域から前記チャンバリッドの前記上部壁の前記1又は複数の空気流開孔を通って外向きに移動する空気を流体連結させるように構成される、請求項19に記載の方法。
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