JP2023535448A - プラズマ処理システム及びその多段式ファラデー遮蔽装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (7)
- 導電リング(1)と、導電リング(1)の外周において放射相称に配置された複数の導電性花弁状アセンブリとを含む、プラズマ処理システムの多段式ファラデー遮蔽装置であって、前記複数の導電性花弁状アセンブリは、それぞれ、複数段の導電板(201)と、複数の接続コンデンサ(202)とを含んでおり、前記複数の導電性花弁状アセンブリにおいて、前記複数段の導電板(201)は、径方向に間隔をおいて並べられており、隣接する2段の導電板(201)の間に、接続コンデンサ(202)が設けられており、各接続コンデンサ(202)は、上部電極板(2021)と下部電極板(2022)とを含んでおり、前記上部電極板(2021)の下端面及び/又は前記下部電極板(2022)の上端面に絶縁コーディング層が設けられており、前記上部電極板(2021)及び前記下部電極板(2022)は、いずれも前記導電板201と平行であり、上部電極板(2021)の下端面と下部電極板(2022)の上端面は互いに接しており、前記上部電極板(2021)は、隣接する2段の導電板(201)のうちの1段の導電板(201)に導電接続されており、前記下部電極板(2022)は、隣接する2段の導電板(201)のうちのもう1段の導電板(201)に導電接続されており、複数の前記導電板(201)は同一平面に位置していることを特徴とするプラズマ処理システムの多段式ファラデー遮蔽装置。
- 前記上部電極板(2021)の上端面は導電板(201)の上端面よりも高くなく、前記下部電極板(2022)の下端面は導電板(201)の下端面よりも低くないことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理システムの多段式ファラデー遮蔽装置。
- 前記上部電極板(2021)と前記下部電極板(2022)は、接着固定されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理システムの多段式ファラデー遮蔽装置。
- 前記上部電極板(2021)と前記下部電極板(2022)の側壁の外縁部は、コロイドで接着固定されていることを特徴とする請求項3に記載のプラズマ処理システムの多段式ファラデー遮蔽装置。
- 請求項1~4のいずれか1項に記載のファラデー遮蔽装置を含んでいることを特徴とするプラズマ処理システム。
- 反応室(3)をさらに含んでおり、前記反応室(3)の上方に誘電体窓(301)が配置されており、前記ファラデー遮蔽装置は前記誘電体窓(301)に配置されている、ことを特徴とする請求項5に記載のプラズマ処理システム。
- 無線周波数コイル(4)をさらに含んでおり、前記無線周波数コイル(4)は、前記ファラデー遮蔽装置に配置されている、ことを特徴とする請求項6に記載のプラズマ処理システム。
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JP2008288437A (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
CN110491760A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-11-22 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种法拉第清洗装置及等离子体处理系统 |
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US6685799B2 (en) * | 2001-03-14 | 2004-02-03 | Applied Materials Inc. | Variable efficiency faraday shield |
JP2006216903A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP4840127B2 (ja) * | 2006-12-21 | 2011-12-21 | パナソニック株式会社 | プラズマエッチング装置 |
CN102543636B (zh) * | 2010-12-27 | 2015-04-15 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 法拉第屏蔽及等离子体加工设备 |
JP6002365B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2016-10-05 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US9490106B2 (en) * | 2011-04-28 | 2016-11-08 | Lam Research Corporation | Internal Faraday shield having distributed chevron patterns and correlated positioning relative to external inner and outer TCP coil |
JP5856791B2 (ja) * | 2011-10-05 | 2016-02-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008288437A (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
CN110491760A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-11-22 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种法拉第清洗装置及等离子体处理系统 |
CN111081524A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-28 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种可旋转的法拉第清洗装置及等离子体处理系统 |
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