JP2023535394A - Norメモリストリングの3次元メモリ構造を製造する方法 - Google Patents
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- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 100
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 36
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 31
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 21
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 11
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 7
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 5
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CEPICIBPGDWCRU-UHFFFAOYSA-N [Si].[Hf] Chemical compound [Si].[Hf] CEPICIBPGDWCRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ILCYGSITMBHYNK-UHFFFAOYSA-N [Si]=O.[Hf] Chemical compound [Si]=O.[Hf] ILCYGSITMBHYNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KQHQLIAOAVMAOW-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+) oxygen(2-) zirconium(4+) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Zr+4].[Hf+4] KQHQLIAOAVMAOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 2
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 15
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 26
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 26
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 22
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 18
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 238000003491 array Methods 0.000 description 5
- 210000000352 storage cell Anatomy 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003134 ZrOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/20—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
- H10B43/23—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
- H10B43/27—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/401—Multistep manufacturing processes
- H01L29/4011—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes
- H01L29/40117—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes the electrodes comprising a charge-trapping insulator
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/511—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures
- H01L29/513—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures the variation being perpendicular to the channel plane
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/517—Insulating materials associated therewith the insulating material comprising a metallic compound, e.g. metal oxide, metal silicate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/518—Insulating materials associated therewith the insulating material containing nitrogen, e.g. nitride, oxynitride, nitrogen-doped material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/792—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistors
- H01L29/7926—Vertical transistors, i.e. transistors having source and drain not in the same horizontal plane
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- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0466—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells with charge storage in an insulating layer, e.g. metal-nitride-oxide-silicon [MNOS], silicon-oxide-nitride-oxide-silicon [SONOS]
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- Power Engineering (AREA)
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- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
高密度メモリアレイ、例えば、NORメモリストリングの3次元アレイ(「3D NORメモリアレイ」)は、例えば、「Capacitive-Coupled Non-Volatile Thin-film Transistor Strings in Three-Dimensional Arrays」と題された米国特許出願公開第2017/0092371A1号(「構造に関する文献I」)、及び、「3-Dimensional NOR Memory Array Architecture and Methods for Fabrication There of」と題された米国特許出願公開第2018/0366489A1(「構造に関する文献II」)、に開示されている。構造に関する文献I及びII(これらを合わせて、以下、「構造に関する文献」と称する)の開示は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。これらの3次元NORメモリアレイは、高いメモリ密度と容量を提供するだけでなく、例えば、ダイナミックランダムアクセスメモリ(「DRAM」)のように、回路密度がはるかに低く、電力損失が大幅に大きい従来のメモリ回路に匹敵する非常に望ましい速度のメモリ回路を設けるために動作することができる。
Claims (27)
- 半導体基板の平坦な表面上に、前記平坦な前記表面と実質的に平行な第1の方向に所定の幅を有するトレンチによって互いに間隔を置いて配置された第1及び第2の半導体構造を設け、
前記第1及び第2の半導体構造が、それぞれ前記第1の方向に実質的に直交する第2の方向に沿う長手方向に延在し、かつ前記表面に実質的に垂直な第3の方向に沿って互いに積層される活性多層ストリップを含み、前記活性多層ストリップの隣接するもの同士が、絶縁材料層によって互いに電気的に絶縁され、各活性多層ストリップは、誘電体材料によって互いに隔離された第1の導電型の第1及び第2の半導体層を含むものとするステップと、
前記第1の方向に沿って前記活性多層ストリップにおける前記トレンチの側壁を窪ませることにより、絶縁材料の隣接層間に溝を形成するステップと、
前記溝に所定の材料を配置するステップと、
前記トレンチを第1の充填材料で充填するステップと、
各シャフトにおいて、前記第1及び前記第2の半導体構造の各々から各多層ストリップの一部を除去し、前記トレンチから第2の絶縁材料の一部を除去することによって、前記第2の方向に沿って所定の間隔を空けて第1及び第2のシャフトを形成するステップと、
前記第1及び前記第2のシャフトに第2の充填材料を充填するステップと、
前記第1のシャフト及び前記第2のシャフトの間の前記トレンチから前記第1の充填材料を除去するステップと、
前記トレンチの前記側壁に電荷トラップ層をコンフォーマルに設け、前記トレンチの残りの部分を導電材料で充填するステップとを含む、方法。 - 前記絶縁材料がシリコンオキシカーバイド(SiOC)を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記電荷トラップ層は、トンネリング層、電荷蓄積層、及びブロッキング層を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記トンネリング層が、任意のシリコン酸化物(SiOx)、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON)、任意の酸化アルミニウム(AlOx)、任意の酸化ハフニウム(HfOx)、酸化ジルコニウム(ZrOx)、任意の酸化ハフニウムシリコン(HfSixOy)及び任意の酸化ハフニウムジルコニウム(HfZrO)の1以上を含む、請求項3に記載の方法。
- 前記ブロッキング層が、遮断層が、任意の酸化ケイ素(SiOx)及び任意の酸化アルミニウム(AlOx)のうちの1以上を含む、請求項3に記載の方法。
- 前記電荷蓄積層が、窒化シリコン(SiN)、酸化ハフニウム(HfO2)、及び酸窒化ハフニウムシリコン(HfSiON)のうちの1以上を含む、請求項3に記載の方法。
- 前記導電材料が金属ライナー及び耐熱金属を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記金属ライナーが、チタン(Ti)、窒化チタン(TiN)、タンタル(Ta)及び窒化タンタル(TaN)のうちの1以上を含む、請求項7に記載の方法。
- 前記耐熱金属が、タングステン(W)、窒化タングステン(WN)及びモリブデン(Mo)のうちの1以上を含む、請求項7に記載の方法。
- 前記第1の充填材料が酸化ケイ素を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記トレンチ内の前記電荷トラップ層及び前記導電材料の両方の上にキャップを形成するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記所定の材料は、前記第1の導電型と異なる前記第2の導電型の第3半導体層を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記シャフトに前記第2の充填材料を充填する前に、前記第1及び前記第2のシャフトの前記側壁に誘電体ライナーを設けるステップを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記誘電体ライナーが窒化シリコンを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記第2の充填材料が酸化ケイ素を含む、請求項13に記載の方法。
- 前記トレンチを前記導電材料で充填した後、前記第2の充填材を除去し、前記絶縁材料によって置き換えるステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。
- 前記キャップを形成した後、前記シャフト及び前記所定の材料から前記第2の充填材料を除去し、前記所定の材料を前記第1の導電型と異なる第2の導電型の第3の半導体層で置き換えるステップをさらに含む、請求項11に記載の方法。
- 前記所定の材料を置き換えた後、前記シャフトにおける前記第3の半導体層を原子層堆積法(ALD)シリコン酸化物ライナーで封止するステップをさらに含む、請求項17に記載の方法。
- ALDシリコン酸化物ライナーを設けた後、シャフトに前記絶縁材料を充填するステップをさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 各活性多層ストリップの第1及び第2の半導体層、前記電荷トラップ層、並びに前記導電材料は、NORメモリストリングの薄膜ストレージトランジスタの共通ビット線、共通ソース線、電荷蓄積層及びゲート電極をそれぞれ提供する、請求項1に記載の方法。
- 前記トレンチは、半導体構造に形成された複数の前記トレンチのうちの1つであり、前記トレンチは、複数の高アスペクト比エッチングによって形成される、請求項1に記載の方法。
- 各前記高アスペクト比エッチングが50未満のアスペクト比を有する、請求項21に記載の方法。
- 各前記活性多層ストリップが、前記第1及び前記第2の半導体層のうちの1つ以上に隣接し、かつ接触する導体層をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記活性多層ストリップの前記導体層が、前記トレンチを形成する前に配置されていた犠牲材料を置き換えるステップを含む、請求項23に記載の方法。
- 前記第1及び前記第2の半導体構造と前記半導体基板の前記平坦な前記表面との間にエッチング停止層を設けるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記エッチング停止層は、タングステン(W)、窒化タングステン(WN)、酸化アルミニウム(AlO)または窒化アルミニウム(AlN)のうちの1以上を含む、請求項25に記載の方法。
- 前記エッチング停止層と前記半導体基板の前記平坦な前記表面との間にパッド酸化層をさらに備える、請求項25に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202063054750P | 2020-07-21 | 2020-07-21 | |
US63/054,750 | 2020-07-21 | ||
PCT/US2021/042620 WO2022020502A1 (en) | 2020-07-21 | 2021-07-21 | Methods for fabricating a 3-dimensional memory structure of nor memory strings |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023535394A true JP2023535394A (ja) | 2023-08-17 |
Family
ID=79688657
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023504166A Pending JP2023535394A (ja) | 2020-07-21 | 2021-07-21 | Norメモリストリングの3次元メモリ構造を製造する方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023535394A (ja) |
TW (1) | TW202205635A (ja) |
WO (1) | WO2022020502A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI805315B (zh) * | 2022-04-11 | 2023-06-11 | 旺宏電子股份有限公司 | 半導體結構及其製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6350704B1 (en) * | 1997-10-14 | 2002-02-26 | Micron Technology Inc. | Porous silicon oxycarbide integrated circuit insulator |
KR100834396B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2008-06-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
US8877586B2 (en) * | 2013-01-31 | 2014-11-04 | Sandisk 3D Llc | Process for forming resistive switching memory cells using nano-particles |
US10121553B2 (en) * | 2015-09-30 | 2018-11-06 | Sunrise Memory Corporation | Capacitive-coupled non-volatile thin-film transistor NOR strings in three-dimensional arrays |
US10319635B2 (en) * | 2017-05-25 | 2019-06-11 | Sandisk Technologies Llc | Interconnect structure containing a metal slilicide hydrogen diffusion barrier and method of making thereof |
CN115910160A (zh) * | 2017-12-28 | 2023-04-04 | 日升存储公司 | 具有很细节距的三维nor存储器阵列:装置和方法 |
WO2020014655A1 (en) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | Sunrise Memory Corporation | Fabrication method for a 3-dimensional nor memory array |
-
2021
- 2021-07-20 TW TW110126682A patent/TW202205635A/zh unknown
- 2021-07-21 WO PCT/US2021/042620 patent/WO2022020502A1/en active Application Filing
- 2021-07-21 JP JP2023504166A patent/JP2023535394A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022020502A1 (en) | 2022-01-27 |
TW202205635A (zh) | 2022-02-01 |
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