JP2023531481A - メモリデバイスおよびその消去動作 - Google Patents
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Abstract
Description
102 メモリシステム
104 メモリデバイス
106 メモリコントローラ
108 ホスト
202 メモリカード
204 メモリカードコネクタ
206 ソリッドステートドライブ(SSD)
208 SSDコネクタ
300 メモリデバイス
301 メモリセルアレイ
302 周辺回路
304 ブロック
304a 選択されたブロック
304b 選択されないブロック
306 メモリセル
306a 選択されたメモリセル
306b 選択されないメモリセル
308 NANDメモリストリング
308a 選択されたNANDメモリストリング
308b 選択されないNANDメモリストリング
310 ソース選択ゲート(SSG)
310a 選択されたSSG
310b 選択されないSSG
312 ドレイン選択ゲート(DSG)
312a 選択されたDSG
312b 選択されないDSG
313 DSG線
313a 選択されたDSG線
313b 選択されないDSG線
314 ソース線(SL)
314a 選択されたソース線
314b 選択されないソース線
315 SSG線
315a 選択されたSSG線
315b 選択されないSSG線
316 ビット線
318 ワード線
318a 選択されたワード線
318b 選択されないワード線
320 ページ
402 基板
404 メモリスタック
406 ゲート導電層
408 ゲートツーゲート誘電体層
412 チャネル構造
414 ウェル
416 チャネルプラグ
418 メモリフィルム
420 半導体チャネル
422 ブロッキング層
424 記憶層
426 トンネル層
504 ページバッファ/感知増幅器
506 列デコーダ/ビット線ドライバ
508 行デコーダ/ワード線ドライバ
510 電圧発生器
512 制御論理回路
514 レジスタ
516 インターフェース
518 データバス
602 ワード線ドライバ
602a 選択されたワード線ドライバ
602b 選択されないワード線ドライバ
604 デコーダ
604a 選択されたデコーダ
604b 選択されないデコーダ
606 駆動トランジスタ
606a 選択された駆動トランジスタ
606b 選択されない駆動トランジスタ
608 ローカルワード線(LWL)
608a 選択されたローカルワード線
608b 選択されないローカルワード線
Claims (34)
- メモリセルの複数の行を含むメモリセルのアレイと、
メモリセルの前記複数の行にそれぞれ結合された複数のワード線と、
前記複数のワード線に結合され、メモリセルの前記複数の行のうちのメモリセルの選択された行に対して消去動作を実行するように構成された周辺回路とを含み、メモリセルの前記選択された行は、選択されたワード線に結合され、前記消去動作を実行するために、前記周辺回路が、
メモリセルの前記複数の行のうちのメモリセルの選択されない行に結合された選択されないワード線を、第1の時間期間内に、初期電圧から放電電圧まで放電することと、
前記第1の時間期間の後の第2の時間期間内に、前記選択されないワード線をフローティングにすることとを行うように構成される、メモリデバイス。 - 前記周辺回路は、前記第2の時間期間の後の第3の時間期間内に、前記選択されないワード線を充電電圧まで充電するようにさらに構成される、請求項1に記載のメモリデバイス。
- 前記初期電圧および前記充電電圧は同じである、請求項2に記載のメモリデバイス。
- 前記初期電圧および前記充電電圧は、システム電圧(Vdd)に等しい、請求項3に記載のメモリデバイス。
- 前記初期電圧は、前記放電電圧より大きい、請求項1から4のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
- 前記周辺回路は、デコーダと、複数のローカルワード線に結合されたワード線ドライバと、複数の駆動トランジスタとを含み、
前記複数の駆動トランジスタのうちの選択されない駆動トランジスタが、前記デコーダに結合されたゲートと、前記複数のローカルワード線のうちの選択されないローカルワード線に結合されたソースおよびドレインのうちの1つと、前記選択されないワード線に結合された前記ソースおよび前記ドレインのうちの別の1つとを含む、請求項1から5のいずれか一項に記載のメモリデバイス。 - 前記選択されないワード線を放電するために、前記デコーダが、前記選択されない駆動トランジスタをオンにするように構成され、前記ワード線ドライバが、前記放電電圧を前記選択されないローカルワード線に印加し、それにより、前記選択されない駆動トランジスタが、前記放電電圧を前記選択されないワード線に印加するように構成される、請求項6に記載のメモリデバイス。
- 前記選択されないワード線をフローティングにするために、前記デコーダが、前記選択されない駆動トランジスタをオフにし、それにより、前記選択されない駆動トランジスタが、前記選択されないワード線をフローティングにするように構成される、請求項6または7に記載のメモリデバイス。
- メモリセルの前記アレイは、複数のメモリストリングを含み、前記複数のメモリストリングの各メモリストリングは、ソースを含み、
前記メモリデバイスは、前記複数のメモリストリングにそれぞれ結合された複数のビット線をさらに含み、
前記消去動作を実行するために、前記周辺回路が、前記第2の時間期間内に、消去電圧を前記複数のメモリストリングの前記ソースに印加するようにさらに構成される、請求項1から8のいずれか一項に記載のメモリデバイス。 - 前記複数のメモリストリングは、メモリセルの前記選択された行に対応する選択されたブロック内の第1のメモリストリングと、メモリセルの前記選択されない行に対応する選択されないブロック内の第2のメモリストリングとを含む、請求項9に記載のメモリデバイス。
- 前記消去動作を実行するために、前記周辺回路が、前記第2の時間期間内に、0-V電圧を前記選択されたワード線に印加するようにさらに構成される、請求項1から10のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
- 3次元(3D)NANDフラッシュメモリデバイスを含む、請求項1から11のいずれか一項に記載のメモリデバイス。
- システムであって、
データを記憶するように構成されたメモリデバイスと、
前記メモリデバイスに結合され、前記メモリデバイスを制御するように構成されたメモリコントローラとを含み、
前記メモリデバイスが、
メモリセルの複数の行を含むメモリセルのアレイと、
メモリセルの前記複数の行にそれぞれ結合された複数のワード線と、
前記複数のワード線に結合され、メモリセルの前記複数の行のうちのメモリセルの選択された行に対して消去動作を実行するように構成された周辺回路とを含み、メモリセルの前記選択された行は、選択されたワード線に結合され、前記消去動作を実行するために、前記周辺回路が、
メモリセルの前記複数の行のうちのメモリセルの選択されない行に結合された選択されないワード線を、第1の時間期間内に、初期電圧から放電電圧まで放電することと、
前記第1の時間期間の後の第2の時間期間内に、前記選択されないワード線をフローティングにすることとを行うように構成される、システム。 - 前記周辺回路は、前記第2の時間期間の後の第3の時間期間内に、前記選択されないワード線を充電電圧まで充電するようにさらに構成される、請求項13に記載のシステム。
- 前記初期電圧および前記充電電圧は同じである、請求項14に記載のシステム。
- 前記初期電圧および前記充電電圧は、システム電圧(Vdd)に等しい、請求項15に記載のシステム。
- 前記初期電圧は、前記放電電圧より大きい、請求項13から16のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記周辺回路は、デコーダと、複数のローカルワード線に結合されたワード線ドライバと、複数の駆動トランジスタとを含み、
前記複数の駆動トランジスタのうちの選択されない駆動トランジスタが、前記デコーダに結合されたゲートと、前記複数のローカルワード線のうちの選択されないローカルワード線に結合されたソースおよびドレインのうちの1つと、前記選択されないワード線に結合された前記ソースおよび前記ドレインのうちの別の1つとを含む、請求項13から17のいずれか一項に記載のシステム。 - 前記選択されないワード線を放電するために、前記デコーダが、前記選択されない駆動トランジスタをオンにするように構成され、前記ワード線ドライバが、前記放電電圧を前記選択されないローカルワード線に印加し、それにより、前記選択されない駆動トランジスタが、前記放電電圧を前記選択されないワード線に印加するように構成される、請求項18に記載のシステム。
- 前記選択されないワード線をフローティングにするために、前記デコーダが、前記選択されない駆動トランジスタをオフにし、それにより、前記選択されない駆動トランジスタが、前記選択されないワード線をフローティングにするように構成される、請求項18または19に記載のシステム。
- メモリセルの前記アレイは、複数のメモリストリングを含み、前記複数のメモリストリングの各メモリストリングは、ソースを含み、
前記メモリデバイスは、前記複数のメモリストリングにそれぞれ結合された複数のビット線をさらに含み、
前記消去動作を実行するために、前記周辺回路が、前記第2の時間期間内に、消去電圧を前記複数のメモリストリングの前記ソースに印加するようにさらに構成される、請求項13から20のいずれか一項に記載のシステム。 - 前記複数のメモリストリングは、メモリセルの前記選択された行に対応する選択されたブロック内の第1のメモリストリングと、メモリセルの前記選択されない行に対応する選択されないブロック内の第2のメモリストリングとを含む、請求項21に記載のシステム。
- 前記消去動作を実行するために、前記周辺回路が、前記第2の時間期間内に、0-V電圧を前記選択されたワード線に印加するようにさらに構成される、請求項13から22のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記メモリデバイスは、3次元(3D)NANDフラッシュメモリデバイスを含む、請求項13から23のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記メモリコントローラに結合され、前記データを送るかまたは受信するように構成されたホストをさらに含む、請求項13から24のいずれか一項に記載のシステム。
- メモリデバイスを動作させるための方法であって、前記メモリデバイスは、メモリセルの複数の行と、メモリセルの前記複数の行にそれぞれ結合された複数のワード線とを含むメモリセルのアレイを含み、前記方法は、
メモリセルの前記複数の行のうちのメモリセルの選択された行に対して消去動作を実行するステップを含み、メモリセルの前記選択された行は、選択されたワード線に結合され、前記消去動作を実行するステップが、
メモリセルの前記複数の行のうちのメモリセルの選択されない行に結合された選択されないワード線を、第1の時間期間内に、初期電圧から放電電圧まで放電するステップと、
前記第1の時間期間の後の第2の時間期間内に、前記選択されないワード線をフローティングにするステップとを含む、方法。 - 前記消去動作を実行するステップが、前記第2の時間期間の後の第3の時間期間内に、前記選択されないワード線を充電電圧まで充電するステップをさらに含む、請求項26に記載の方法。
- 前記初期電圧および前記充電電圧は同じである、請求項27に記載の方法。
- 前記初期電圧および前記充電電圧は、システム電圧(Vdd)に等しい、請求項28に記載の方法。
- 前記初期電圧は、前記放電電圧より大きい、請求項26から29のいずれか一項に記載の方法。
- 前記メモリデバイスは、選択されないローカルワード線および前記選択されないワード線に結合された選択されない駆動トランジスタをさらに含み、
前記選択されないワード線を放電するステップが、前記選択されない駆動トランジスタをオンにするステップと、前記放電電圧を前記選択されないローカルワード線に印加するステップとを含む、請求項26から30のいずれか一項に記載の方法。 - 前記選択されないワード線をフローティングにするステップが、前記選択されない駆動トランジスタをオフにするステップを含む、請求項31に記載の方法。
- メモリセルの前記アレイは、複数のメモリストリングを含み、前記複数のメモリストリングの各メモリストリングは、ソースを含み、
前記メモリデバイスは、前記複数のメモリストリングにそれぞれ結合された複数のビット線をさらに含み、
前記消去動作を実行するステップが、前記第2の時間期間内に、消去電圧を前記複数のメモリストリングの前記ソースに印加するステップをさらに含む、請求項26から32のいずれか一項に記載の方法。 - 前記消去動作を実行するステップが、前記第2の時間期間内に、0-V電圧を前記選択されたワード線に印加するステップをさらに含む、請求項26から33のいずれか一項に記載の方法。
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