JP2023524973A - 積層金属部品のための支持構造 - Google Patents

Abstract

物体の付加製造のための方法、および物体を製造するためのシステム。方法は、第１の箔層を堆積させることであって、第１の箔層は、第１の本体区分と、第１の本体区分に接続された第１の支持区分と、第１の本体区分に接続された第２の支持区分とを含む、ことと、第２の箔層を堆積させることであって、第２の箔層は、第２の本体区分と、第３の支持区分と、第４の支持区分とを備えている、ことと、第２の箔層と第１の箔層とを整列させることと、第１の本体区分と第２の本体区分とを備えている物体を形成するために、熱および圧力のうちの少なくとも１つを第１の箔層および第２の箔層に追加することとを含む。

Description

（関連出願の相互参照）
本願は、全体として本明細書に述べられる場合と同様、参照することによって開示全体が本明細書によって組み込まれる２０２０年５月５日に出願され、米国仮特許出願第６３／０２０，０７０号の利点および優先権を主張するものである。
（技術分野）

本明細書に説明される実施形態は、物体を製作する方法およびシステムに関し、より詳細に、排他的ではないが、物体を形成するために、構造的支持部を伴う箔層の付加製造を使用する方法およびシステムに関する。

支持構造は、付加製造される部品が、製造プロセス中、寸法的に正確かつ再現可能なままであることを確実にする。典型的に、支持部生成方略は、具体的な付加製造プロセスに対して最適化される。従来的な積層物体製造（「ＬＯＭ」）では、接着剤が、シートを一緒に接着するために使用される。これは、プラスチックおよび紙の部品が、典型的に、高い力または負荷にさらされないので、プラスチックおよび紙積層物体製造のために十分である。

具体的なプロセスに対する最適化は、個々の付加製造される部品のための計画を要求する。逆に言えば、包括的支持部方略を実装することは、より多くの複雑な部品が、より少ない設計ルールを用いて製造されることを可能にする。

金属焼結プロセスでは、支持部が作成され、加熱プロセス中、金属部品の一端を支持することによって、焼結する前の部品の歪みを防ぐ。焼結において、金属部品は、弱く、摩擦および重力を通して、容易に歪ませられ得る。焼結支持部は、さらなる歪みを防ぐために、手で除去される必要がある場合があり、部品は、依然として、焼結している間に、摩擦および重力を通して、１５～２０％収縮し得る。支持部は、重力に反作用し、部品とともに収縮し得る。土台内の摩擦も、焼結における均一な収縮を防ぎ得る。支持部はまた、圧力または熱さえも、金属本体部品を横断して印加されることを防ぎ得る。

したがって、付加製造プロセスを改良する方法およびシステムに対する必要性が存在する。

本概要は、詳細な説明の節において、下記にさらに説明される概念の一部を簡略化された形態で、紹介するために提供される。本概要は、請求される主題の重要な特徴または不可欠な特徴を特定または除外することは意図されず、請求される主題の範囲を決定する際の支援として使用されることもまた意図されない。

一側面による実施形態は、物体の付加製造のための方法に関する。いくつかの実施形態において、方法は、第１の箔層を堆積させることであって、第１の箔層は、第１の物体領域と、第１の物体領域に接続された第１の支持領域とを備えている、ことと、第２の箔層を堆積させることであって、第２の箔層は、第２の物体領域と、第２の支持領域とを備えている、ことと、第１の物体領域と第２の物体領域とを含む物体区分を形成することとを含む。

いくつかの実施形態において、第１の支持領域および第２の支持領域は、温度および圧力のうちの少なくとも１つを物体区分に均一に分配するように構成されている。

いくつかの実施形態において、方法は、第１の箔層または第２の箔層のうちの少なくとも１つの上に炭素を含む抑制材料を堆積させることをさらに含む。

いくつかの実施形態において、方法は、第１の箔層と第２の箔層との間に少なくとも２つの追加の箔層を堆積させることをさらに含む。

いくつかの実施形態において、第２の箔層は、第１の箔層の上にスポット溶接される。

いくつかの実施形態において、方法は、第２の物体領域を第１の物体領域に取り付けることであって、取り付けられた第２の物体領域および第１の物体領域は、物体区分を形成する、ことと、第２の支持領域を第１の支持領域に取り付けることであって、取り付けられた第２の支持領域および第１の支持領域は、支持区分を形成する、こととをさらに含む。

いくつかの実施形態において、第１の支持区分は、物体区分からの区分的除去を促進するために、細分化される。

いくつかの実施形態では方法は、第１の物体領域に接続された第３の支持領域と、第２の物体領域に接続された第４の支持領域とをさらに含む。いくつかの実施形態において、方法は、第２の物体領域を第１の物体領域に取り付けることであって、取り付けられた第２の物体領域および第１の物体領域は、物体区分を形成する、ことと、第２の支持領域を第１の支持領域に取り付けることであって、取り付けられた第２の支持領域および第１の支持領域は、第１の支持区分を形成する、ことと、第３の支持領域を第４の支持領域に取り付けることであって、取り付けられた第３の支持領域および第４の支持領域は、第２の支持区分を形成する、こととをさらに含む。

いくつかの実施形態において、第１の支持区分および第２の支持区分は、物体に、１の箔層および第２の箔層を通して、温度および圧力を均一に分配するように構成されている。

いくつかの実施形態において、第１の支持区分および第２の支持区分は、初期堆積後の物体区分の変形を防ぐように構成されている。

いくつかの実施形態において、第１の支持領域は、第１の箔層の構造的完全性を増加させるように構成された箔接続ブリッジを用いて第１の物体領域に接続される。

いくつかの実施形態において、方法は、第１の物体領域から、箔接続ブリッジを除去することをさらに含む。

いくつかの実施形態において、方法は、第１の箔層の上に酸化物、セラミック、窒化物、非反応性塩、非反応性金属、炭化物、黒鉛、炭化水素、または炭素のうちの少なくとも１つを含む抑制材料を堆積させることをさらに含む。

いくつかの実施形態において、第１の箔層および第２の箔層は、アルミニウムを含む。

いくつかの実施形態において、方法は、第２の箔層内の第２の位置合わせ特徴への第１の箔層内の第１の位置合わせ特徴によって、第２の箔層と第１の箔層とを列させることをさらに含む。

いくつかの実施形態において、第１の位置合わせ特徴および第２の位置合わせ特徴は、穴、スロット、またはタブパターンのうちの少なくとも１つを備えている。

いくつかの実施形態において、第１の箔層および第２の箔層は、付加製造を使用して堆積させられる。

いくつかの実施形態において、第１の支持領域は、第１の箔層の構造的完全性を増加させるように構成された接続ブリッジを用いて第１の物体領域に接続される。

いくつかの実施形態において、接続ブリッジは、ポリマーまたはワックスのうちの少なくとも１つを含む。

いくつかの実施形態において、方法は、第１の物体領域と第１の支持領域と、互いに対して移動することを可能にするために、接続ブリッジを曲げられた形状に形成することをさらに含む。

いくつかの実施形態において、方法は、電流を印加することによって、ブリッジを選択的に加熱および融解することをさらに含む。

いくつかの実施形態において、方法は、溶剤を用いてブリッジを溶解させることをさらに含む。

別の側面では、実施形態は、物体の付加製造のためのシステムに関する。いくつかの実施形態において、システムは、第１の箔層を堆積させることであって、第１の箔層は、第１の物体領域と、第１の物体領域に接続された第１の支持領域とを備えている、ことと、第２の箔層を堆積させることであって、第２の箔層は、第２の物体領域と、第２の支持領域とを備えている、ことと、を行うように構成された付加製造デバイスと、第１の物体領域および第２の物体領域を含む物体区分を形成するように構成された取り付け機構とを含む。

いくつかの実施形態において、第１の支持領域および第２の支持領域は、温度および圧力のうちの少なくとも１つを物体区分に均一に分配するように構成されている。

いくつかの実施形態において、付加製造デバイスは、第１の箔層または第２の箔層のうちの少なくとも１つの上に炭素を含む抑制材料を堆積させるようにさらに構成されている。

いくつかの実施形態において、付加製造デバイスは、第１の箔層と第２の箔層との間に少なくとも２つの追加の箔層を堆積させるようにさらに構成されている。

いくつかの実施形態において、付加製造デバイスは、第１の箔層の上に第２の箔層をスポット溶着するように構成されている。

いくつかの実施形態において、取り付け機構は、第２の物体領域を第１の物体領域に取り付けることであって、取り付けられた第２の物体領域および第１の物体領域は、物体区分を形成する、ことと、第２の支持領域を第１の支持領域に取り付けることであって、取り付けられた第２の支持領域および第１の支持領域は、支持区分を形成する、こととを行うようにさらに構成されている。

いくつかの実施形態において、第１の支持区分は、物体区分からの区分的除去を促進するために、細分化される。

いくつかの実施形態において、システムはさらに、第１の物体領域に接続された第３の支持領域と、第２の物体領域に接続された第４の支持領域とを備えている。

いくつかの実施形態において、取り付け機構は、第２の物体領域を第１の物体領域に取り付けることであって、取り付けられた第２の物体領域および第１の物体領域は、物体区分を形成する、ことと、第２の支持領域を第１の支持領域に取り付けることであって、取り付けられた第２の支持領域および第１の支持領域は、第１の支持区分を形成する、ことと、第３の支持領域を第４の支持領域に取り付けることであって、取り付けられた第３の支持領域および第４の支持領域は、第２の支持区分を形成する、こととを行うようにさらに構成されている。

いくつかの実施形態において、第１の支持区分および第２の支持区分は、物体に、１の箔層および第２の箔層を通して、温度および圧力を均一に分配するように構成されている。

いくつかの実施形態において、第１の支持区分および第２の支持区分は、初期堆積後の物体区分の変形を防ぐように構成されている。

いくつかの実施形態において、第１の支持領域は、第１の箔層の構造的完全性を増加させるように構成された箔接続ブリッジを用いて第１の物体領域に接続される。

いくつかの実施形態において、箔接続ブリッジは、第１の物体領域から除去されるように構成されている。

いくつかの実施形態において、付加製造デバイスは、第１の箔層の上に酸化物、セラミック、窒化物、非反応性塩、非反応性金属、炭化物、黒鉛、炭化水素、または炭素のうちの少なくとも１つを含む抑制材料を堆積させるようにさらに構成されている。

いくつかの実施形態において、第１の箔層および第２の箔層は、アルミニウムを含む。

いくつかの実施形態において、システムは、整列機構をさらに含み、整列機構は、第２の箔層内の第２の位置合わせ特徴への第１の箔層内の第１の位置合わせ特徴によって、第２の箔層と第１の箔層とを整列させるように構成されている。

いくつかの実施形態において、第１の位置合わせ特徴および第２の位置合わせ特徴は、穴、スロット、またはタブパターンのうちの少なくとも１つを含む。

いくつかの実施形態において、第１の支持領域は、第１の箔層の構造的完全性を増加させるように構成された接続ブリッジを用いて第１の物体領域に接続される。

いくつかの実施形態において、接続ブリッジは、ポリマーまたはワックスのうちの少なくとも１つを含む。

いくつかの実施形態において、接続ブリッジは、第１の物体領域と第１の支持領域とが互いに対して移動することを可能にするために、曲げられた形状で存在する。

いくつかの実施形態において、システムは、ブリッジを選択的に加熱および融解するために、電流を印加するように構成されたデバイスをさらに含む。

いくつかの実施形態において、システムは、溶剤をブリッジに塗布し、溶剤を用いてブリッジ溶解するように構成された溶剤塗布器をさらに含む。

本開示の非限定的かつ非網羅的な実施形態が、以下の図を参照して説明され、別様に規定されない限り、種々の視点を通して、同様の参照数字は、同様の部品を指す。

図１は、一実施形態による製造された金属積層物体の側方断面図を描写する。

図２は、図１の金属積層物体の斜方図および物体図を描写する。

図３は、一実施形態による合金積層物体支持部を図示する。

図４は、一実施形態による製造された金属積層物体の見下げ断面図を描写する。

図５は、図４の金属積層物体の斜方図および物体図を描写する。

図６は、一実施形態による垂直抑制領域内の箔ブリッジを用いて製造された金属積層物体の見下げ断面図を描写する。

図７は、一実施形態による個々の箔層内の支持領域と物体領域との間の抑制領域の断面図を描写する。

図８は、一実施形態による積み重ねた箔シートにおいて、パターン化および上部切断された箔を描写する。

図９は、一実施形態による統計的ブリッジング方法を使用したあるパターンの切断物を描写する。

図１０は、一実施形態による熱膨張を通したブリッジの破砕を描写する。

図１１は、一実施形態によるワックスブリッジを使用して調製される箔を描写する。

図１２は、一実施形態によるブリッジを破砕するために採用されるジュール加熱を描写する。

図１３は、一実施形態によるブリッジを選択的に溶解させるために使用される溶剤を用いて処理されている箔シートを描写する。

図１４は、一実施形態による物体の付加製造のための方法を図式的に示す。

図１５は、一実施形態による物体の付加製造のためのシステムを示す。

種々の実施形態が、本明細書の一部を形成する付随の図面を参照して、下記により完全に説明され、それらは、具体的な例示的実施形態を示す。しかしながら、本開示の概念は、多くの異なる形態で実施され得、本明細書に述べられる実施形態に限定されるものとして、解釈されるべきではなく、むしろ、これらの実施形態は、当業者に、本開示の概念、技法、および実装の範囲を完全に伝達するために、徹底的かつ完全な開示の一部として提供される。実施形態は、方法、システム、またはデバイスとして実践され得る。故に、実施形態は、ハードウェア実装、完全なるソフトウェア実装、またはソフトウェアおよびハードウェアの側面を組み合わせた実装の形態をとり得る。したがって、以下の詳細な説明は、限定的な意味で捉えられるべきではない。

明細書における「一実施形態（ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」または「ある実施形態（ａｎ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」の言及は、実施形態に関連して説明される、特定の特徴、構造、または特性が、本開示による少なくとも１つの例示的な実装または技法において含まれることを意味する。明細書内の種々の場所における語句「一実施形態では（ｉｎ ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」の表出は、必ずしも、同じ実施形態を全て参照するとは限らない。

さらに、明細書内で使用される用語は、主に、読みやすさおよび指導的目的のために選択されており、開示された主題を正確に説明するために、または境界線を引くために選択されたものではないこともある。故に、本開示は、本明細書に議論される概念の範囲に関して、例示的かつ非限定的であることが意図される。

本明細書に説明される実施形態は、金属ＬＯＭを使用した複雑な幾何学形状の製作を可能にする方法およびシステムに関する。いくつかの実施形態において、ＬＯＭは、機械加工された物体と同等の強度を伴う金属物体を形成するために、箔のパターン化されたシートを一緒に接合する。いくつかの実施形態において、適切な選択的抑制支持部方略の使用によって、より複雑な幾何学形状を伴う物体が、包括的製造方略としてのＬＯＭ技法を介して、製作されることが可能になるので、物体の処理時間および／または費用は、減少させられ得る。

いくつかの実施形態において、「選択的抑制（ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ ｉｎｈｉｂｉｔｉｏｎ）」は、製造される物体を備えている任意の数の箔シート上の特定のエリアにおける接合を防ぐために、材料が、堆積、除去、または改変される方略を説明する。いくつかの実施形態において、これらのパターン化された箔が、物体とその支持構造とを同時に形成するために、積み重ねられるように構成される。いくつかの実施形態において、システムは、隣接する箔シート間の抑制されていない場所において強力な金属結合を形成するために、接合方法を使用し得る。いくつかの実施形態において、システムは、物体を仕上げるために、物体を急冷し、同質化させ得る。いくつかの実施形態において、システムは、物体をその支持構造から分離するために、除去技法を採用し得る。いくつかの実施形態において、除去技法は、接合ステップの後、任意の点において使用され得る。

用語、「箔（ｆｏｉｌ）」および「箔層（ｆｏｉｌ ｌａｙｅｒ）」は、物体および任意の支持構造を形成するために、一緒に積み重ねられ、接合された構成金属シートを指す。いくつかの実施形態において、箔は、１０μｍ～１０ｍｍの１つの次元における厚さを有する。いくつかの実施形態において、箔は、物体およびその支持構造の設計に対応する他の２つの次元において、パターン化され得る。

いくつかの実施形態において、単一の箔層は、少なくとも１つの支持領域と、少なくとも１つの物体領域とを含み得る。「支持部（ｓｕｐｐｏｒｔ）」は、箔の非物体構成要素を指し、一緒に接合されると、ホルダまたはジグを形成し、ホルダまたはジグは、物体の外側に形状一致し、後続の後処理において使用され得る。複数の支持領域の組み合わせとして形成されるこのホルダまたはジグは、「支持区分（ｓｕｐｐｏｒｔ ｓｅｃｔｉｏｎ）」と称され得る。物体領域の組み合わせは、「物体区分（ｏｂｊｅｃｔ ｓｅｃｔｉｏｎ）」と称され得る。

「ブリッジ（ｂｒｉｄｇｅ）」は、箔または別の材料の接続部を指す。

選択的抑制方法に関しては、２つの大まかな分類があり、接合が抑制される平面によって区別される。用語「垂直抑制方法（ｖｅｒｔｉｃａｌ ｉｎｈａｂｉｔａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄｓ）」は、単一の箔内で、物体領域と支持領域との間の境界上での接合を抑制すること伴う方法の群を指す。「水平抑制方法（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ ｉｎｈａｂｉｔａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄｓ）」と呼ばれる第２の分類の抑制方法は、２つの隣接する箔の物体領域と支持領域との間の抑制境界における抑制方略を包含する。

垂直抑制方法の実施形態は、レーザ、プラズマカッタ、ドラッグナイフ、ダイカッタ、ミリング、または他の手段を使用して所与の箔層上の物体領域の輪郭を切断することのうち少なくとも１つを含み得る。いくつかの実施形態において、垂直抑制領域の切断部の幅は、物体領域が、後続の箔接合ステップにおいて、支持領域に接触することを防ぐために十分であるべきである。いくつかの実施形態において、物体領域の全周辺を切断し、それを箔から完全に分離することは、有利ではない。いくつかの実施形態において、物体領域と支持領域との間のブリッジの存在は、箔が、接合に先立って、取り扱われることを可能にし、複雑な幾何学形状が、より高い信頼性を伴って製作されることを可能にする。いくつかの実施形態において、垂直抑制領域内のブリッジは、箔を穿孔し、物体領域と支持領域との間に、箔の小さなエリアを残すような、不完全なまたは中断された切断部を含み得る。いくつかの実施形態において、切断部は、レーザを用いて作製される。箔は、物体区分と支持区分との間に、曲げられた接合部を生成する方法で、パターン化され得、それは、接合後の物体区分の除去を容易化し得る。いくつかの実施形態において、支持領域と物体領域との間の接続ブリッジは、物体領域および支持領域が、互いに対して移動することを可能にするために、曲げられた形状であり得る。

いくつかの実施形態において、支持領域と物体領域との間にブリッジを形成するために、ワックス、ポリマー、ポリマー混合物、または金属等の追加の材料が、箔の支持領域と物体領域との間の間隙に加えられ得る。いくつかの実施形態において、当業者は、ブリッジ材料を選択し得、ブリッジ材料は、室温で固形であり、接合温度より低い融解点を有し、箔と化学的に反応せず、除去の容易化のために、液相または気相に分解する。いくつかの実施形態において、方法は、最終的な箔接合プロセスに先立って、箔の現在の層を先の層に一時的に接合することを含み得、それは、レーザスポット溶着、電気スポット溶着、最終的な接合中にきれいに燃え尽きるであろう接着剤の使用、または、現在の層を機械的に変形させ、それを先の層と連結させることによる。

いくつかの実施形態において、後続の箔層の整列を支援するために、追加の位置合わせ特徴またはパターンが、各箔層に切り込まれ得る。これらの特徴またはパターンは、物体領域、支持領域、または箔縁内に位置し得る。いくつかの実施形態において、支持領域における位置合わせ特徴は、２つの垂直ピン上に位置し得る穴およびスロットであり得る。いくつかの実施形態において、後続の箔層は、層間の整列を維持するために、ピンを使用して、積み重ねられ得る。いくつかの実施形態において、箔層縁上の位置合わせ特徴は、箔縁上の切断部であり得る。次いで、いくつかの実施形態において、箔層は、２つ以上の機械加工または研削された表面に対して押し付けられ得る。いくつかの実施形態において、システムは、側面からのわずかな予圧、または上部への締め付け力のいずれかを加え、運搬中、箔層を整列させられた状態に保ち得る。

いくつかの実施形態において、小さなタブパターンが、切断され、箔層内の平面から若干外へ曲げられ得る。タブパターンを使用するいくつかの実施形態において、箔層のタブパターンが、それぞれ、次のものと連結するように構成されるとき、外部の位置合わせ特徴は、要求され得ない。

図１は、一実施形態による製造された金属積層物体１００の側方断面図を描写する。いくつかの実施形態において、物体１００は、印刷土台１０５上で製造され得る。いくつかの実施形態において、箔層１１０は、印刷土台１０５上へ堆積させられ得る。箔層１１０は、外部支持領域１１５、内部支持領域１２０、または物体領域１２５のうちの少なくとも１つを備え得る。いくつかの実施形態において、複数の箔層は、第１の箔層１１０上へ直接堆積させられるか、または第１の箔層１１０の上に後で加えられるかのいずれかであり得る。各箔層１１０は、それぞれ、外部支持領域１１５、内部支持領域１２０、または物体領域１２５のうちの少なくとも１つを備え得る。下でさらに詳細に議論されるように、箔層１１０は、水平抑制領域１３０または垂直抑制領域１３５のうちの少なくとも１つを備え得る。

いくつかの実施形態において、抑制領域１３０、１３５は、箔層１１０を切断し、垂直抑制領域１３５の少なくとも一部を形成すること、または現在の箔層１１０の箔材料の上部表面を遮断し、水平抑制領域１３０の少なくとも一部を形成することによって、物体領域１２５と支持領域１１５との交差点において形成され得る。

図２は、図１の金属積層物体の斜方図２０５および物体図２１０を描写する。物体は、下記により詳細に解説されるように、支持区分２１５、２２０に取り囲まれ、それらの支持区分２１５、２２０は、物体区分２２５が、金属積層物体を完成させるために形成された後、除去され得る。いくつかの実施形態において、物体区分２２５は、接合および抑制プロセスが、物体区分２２５全体を通して、一貫していることを確実にするために、土台２４５から上へ向かってオフセットされ得る。

例えば、図３に示されるように、一実施形態による物体領域３２５は、２つの支持領域３１５と３３０との間に堆積させられ得る。いくつかの実施形態において、支持領域３１５、３３０は、接合プロセス中、熱および圧力を均一に加えるために物体の周囲に型を作成することによって、積層金属物体本体領域３２５の強度を改良し得る。焼成において使用される水槽と同様、固形型は、熱および／または圧力が物体領域３２５に、または印刷土台（図示せず）にのみ直接印加される場合より、均一に熱を伝導し、圧力を加えることに役立ち得る。いくつかの実施形態において、支持領域３１５、３３０は、同様の物体が製作された廃材を備え得る。いくつかの実施形態において、支持領域３１５、３３０の外側表面は、平坦であり得る。いくつかの実施形態において、支持領域３１５、３３０は、物体領域３２５を完全に封入するように構成され得る。

図４は、一実施形態による製造された金属積層物体４００の見下げ断面図を描写する。いくつかの実施形態において、物体４００の箔層の各々は、外部支持領域４０５と、内部支持領域４１０と、物体領域４１５と、垂直抑制領域４２０と、水平抑制領域４３０とを備え得る。いくつかの実施形態において、支持領域４０５、４１０は、垂直に分割され、物体領域４１５から分離するように構成され得る。いくつかの実施形態において、支持領域４０５、４１０が捕捉されることを防ぐために、大きな内部チャネル分割距離が、低減させられ得る。いくつかの実施形態において、物体領域４１５は、支持を要求しない、少なくとも１つの小さな特徴４５０を備え得る。いくつかの実施形態において、小さな特徴４５０は、内部冷却チャネルであり得る。下でさらに詳細に議論されるように、いくつかの実施形態は、一対の穴４６０’、４６０’’等の位置合わせ特徴を備え得、位置合わせ特徴は、複数の物体領域４１５を備えている物体区分が組み立てられている間、整列ピンが挿入されることを可能にするように構成されている。

図５は、図４の金属積層物体の斜方図５０５および物体図５１０を描写する。いくつかの実施形態において、支持区分５３５は、レーザ、プラズマカッタ、ドラッグナイフ、ダイカッタ、ミリング、または他の手段等の箔切断ツール（図示せず）を使用して、垂直に分割５２５され得る。いくつかの実施形態において、この分割は、支持区分５３５と物体区分５４５との間のより容易な分離を可能にする。いくつかの実施形態において、支持区分５３５は、容易な支持部除去を促進するために、格子状パターンに分割され得る。いくつかの実施形態において、支持区分５３５は、物体５１０のサイズおよび形状に応じて、２ｍｍ～１００ｍｍ間隔を置かれ得る。いくつかの実施形態において、支持区分５３５は、物体区分５４５が、支持区分５３５と平行かつ平坦な形状である場合、遠くに間隔を置かれ得る。いくつかの実施形態において、支持区分５３５は、物体区分５４５が、支持区分５３５に対して、ねじれた形状または複雑な形状を有する場合、より狭い間隔を有し得る。

図６は、一実施形態による金属積層物体６００の見下げ断面図を描写し、金属積層物体６００は、垂直抑制領域内に箔ブリッジ６０５を伴って製造されている。いくつかの実施形態において、金属は、アルミニウムである。いくつかの実施形態は、ブリッジ６０５を使用して、層内で、物体領域６１０を支持領域６１５、６２０に弱く接続することによる接合に先立って、積層金属物体領域６１０を整列させられた状態に保ち、位置合わせ特徴６３０’、６３０’’（集合的に、６３０）を各層６４０に切り込むことによって、後続の層を整列させられた状態に保つための方法を使用し得る。いくつかの実施形態は、２～２，０００個の箔層が整列し得る。いくつかの実施形態は、別の箔層を追加することに先立って、除去可能な精密表面（図示せず）を用いて、穴等の位置合わせ特徴６３０を設置し得る。いくつかの実施形態において、位置合わせ特徴６３０を設置するための除去可能な精密表面は、接合後、物体領域６１０から分離されるように構成されたピンである。いくつかの実施形態において、除去可能な精密表面は、予圧がそれらを定位置に係止するために加えられる前に箔が表面に押し付けられるように構成されるように、整列させられ得る。いくつかの実施形態において、位置合わせ特徴６３０は、物体領域６１０または支持領域６１５、６２０のうちの少なくとも１つに切り込まれ得る。

いくつかの実施形態において、物体領域６１０と支持領域６１５、６２０との間の箔ブリッジ６０５は、箔層６４０の強度を増加させるように構成されている。いくつかの実施形態において、増加された強度は、物体領域６１０を支持領域６１５、６２０から取り外すことなく、箔層が運搬されることを可能にする。いくつかの実施形態において、ブリッジ６０５は、穿孔切断を実施することによって、形成される。いくつかの実施形態において、ブリッジ６０５は、物体領域６１０と異なる金属または合金から作製される。

いくつかの実施形態は、支持領域６１５、６２０と物体領域６１０との間のブリッジ６０５を取り外す、または別様に、除去するために、垂直抑制方法に関連付けられた、除去技法を使用し得る。垂直抑制方法は、物理的破断ブリッジ６０５、化学的破断ブリッジ６０５、電気的破断ブリッジ６０５、またはそれらの任意の組み合わせを備え得る。

垂直抑制方法のいくつかの実施形態において、ブリッジ６０５は、物理的に破断および除去される。いくつかの実施形態において、ブリッジを破断することは、複数の支持領域６１５、６２０を備えている支持区分が、複数の物体領域６１０を備えている物体から、取り外され、除去されることを可能にする。いくつかの実施形態において、ブリッジ６０５は、複数の箔層６４０が、一緒に接合された後、破断され得る。ブリッジ６０５は、レーザ、プラズマカッタ、ドラッグナイフ、ダイカッタ、ミリング、または他の物理的手段を含む、個々の箔層６４０を切断するために使用されたものと同じ方法を介して、切断され得る。いくつかの実施形態において、各ブリッジ６０５は、ブリッジをより小さな破片または粉末にするめに、複数回、切断され得る。これは、破片が、真空を用いて、またはアセンブリを通して、気体または流体を押し進めることによって、容易に除去されることを可能にする。いくつかの幾何学形状に関しては、千枚通しまたは拡張ピン（図示せず）を用いて、ブリッジ６０５に穴を開けることが可能であることもある。

いくつかの実施形態において、ブリッジ６０５は、箔層を積み重ね、取り付けた後の支持区分の容易な除去を可能にすることによって、穴開きを防ぐ。

図７は、一実施形態による個々の箔層内の物体領域７０５と支持領域７１０との間の抑制領域の断面図を描写する。いくつかの実施形態において、物体領域７０５および支持領域７１０は、覆いかぶさる箔が、先に堆積させられた層７２５と接触することを防ぐために十分な幅７１５の幅を有する。いくつかの実施形態において、幅７１５が、十分に幅が広いとき、水平抑制領域は、必要とされない。

いくつかの実施形態において、切断幅が狭いとき、抑制領域７３５は、先の層上に形成され得、覆いかぶさる箔は、先の層と接触しない。抑制領域７３５は、先の層の支持領域７５５との後続の層の物体領域７５０の永続的な接合を防ぐように構成されている。

水平抑制領域７３５を作成する方法は、抑制材料の堆積、および箔表面の切除のうちの少なくとも１つを含む。水平抑制は、抑制材料が接合温度において安定的であり、箔間の接合の形成を防ぐとき、または、代替として、いくつかの実施形態において、箔が接合を形成するように表面接触しないとき、成功する。

いくつかの実施形態において、抑制材料は、水平抑制領域７３５を作成するために、箔層上に選択的に堆積させられる。いくつかの実施形態において、抑制材料は、酸化物、セラミック、窒化物、非反応性塩、非反応性金属、炭化物、黒鉛、炭化水素、または炭素の他の形態であり得る。いくつかの実施形態において、抑制材料は、酸化層を形成するために、箔と反応する酸化剤であり得る。いくつかの実施形態において、抑制材料は、インクジェット、マーカ、または糊押し出し機、または当業者によって認識可能な均等物であろう他の堆積技法を含む種々の方法を介して堆積させられ得る。いくつかの実施形態において、金属酸化物およびセラミックが、堆積を支援するために、溶液中に懸濁され得る。いくつかの実施形態において、堆積支援物は、チタン酸化物、アルミニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、炭化物、窒化ホウ素、チタン窒化物、または炭素のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの実施形態において、熱またはレーザが、箔の表面上の酸化層の形成を助長するために使用され得る。

いくつかの実施形態において、水平抑制は、物体領域７５０と支持領域７５５との間の境界に適用され得る。いくつかの実施形態において、水平抑制は、毎層後、支持領域７５５に適用され得る。いくつかの実施形態において、層は、箔層７６０の厚さに応じて、３～５００層毎に、水平に分割され得る。いくつかの実施形態において、箔層７６０は、１００μｍ～５００μｍの厚さを有し得る。いくつかの実施形態において、物体領域７０５が、支持領域７１０と機械的に連結されることを防ぐために、支持の間隔および水平抑制の隔たりが、調節され得る。

水平抑制方法のいくつかの実施形態において、箔の表面は、レーザを用いて、アブレートされ、後続の箔層間に空所を残す。空所の高さは、２つの箔の間の接触を防ぐために、金属が、接合ステップ中に拡張する距離より大きくあり得る。いくつかの実施形態において、レーザアブレーションによって引き起こされる、表面の酸化は、金属酸化物または他のセラミック粉末が、表面上に堆積させられる場合と同様、接合を抑制する役割を果たすであろう。

いくつかの実施形態において、水平抑制領域７６５は、たとえ切断幅が狭くても、覆いかぶさっている箔が先の層と接触しないほど角度が急勾配であるとき、存在しないこともある。

図８は、一実施形態による箔シート８０５の積み重ねにおいて、パターン化および上部切断された箔を描写する。いくつかの実施形態において、箔シート８０５は、パターン化および切断され、それによって、物体領域８１０は、ブリッジ８２０を介して、支持領域８１５を備えている残りの部分に接続される。いくつかの実施形態において、箔シート８０５は、除去されるべき垂直抑制領域８４０を備え得る。いくつかの実施形態において、この領域８４０は、除去を容易化するために、追加の一連のグリッド線８４５を介して、切断されることができる。

いくつかの実施形態において、グリッド線８４５は、物体領域８１０の周囲で、一貫した間隔を伴って切断され得る。いくつかの実施形態において、各支持領域８１５は、支持区分が連結されることを防ぐために、物体の幾何学形状のサイズおよび形状に応じて、分割され得る。いくつかの実施形態において、垂直切断および水平抑制方法の両方が、支持領域８１５の分割および除去を促進するために使用され得る。いくつかの実施形態において、水平抑制の追加の層が、ｚ方向に積み重ねられた物体の除去を容易化するために適用され得る。

図９は、一実施形態による統計的ブリッジング方法を使用しであるパターンを切断することを描写する。いくつかの実施形態において、箔９１０上の物体パターン９０５は、レーザ、またはいくつかの実施形態に従って、箔の一部をアブレートする別のツールを介して切断される。アブレーションは、所与の周波数において、物体のパターン９０５に沿って、周期的に生じ得る。アブレーションのうちの少なくとも２つ間の重複は、箔の全層を切断する。いくつかの実施形態において、切断深度は、深度プロファイル９２０に示されるように、切断線９１５に沿った、異なる位置において変動し得る。

図１０は、一実施形態による熱膨張を通した、ブリッジの破砕を描写する。いくつかの実施形態において、箔シート１００５は、パターン１０２０を切断することを介して、物体領域１０１０と残りの支持領域１０１５とにパターン化される。いくつかの実施形態において、ブリッジ１０２５は、物体領域１０１０を箔シート１００５に接続する。

いくつかの実施形態において、パターンの材料を除去し、箔より大きい熱膨張係数を伴う第２の材料で、切断ゾーン１０３０を充填することによって、空所が、形成される。いくつかの実施形態において、第２の材料は、支持領域より大きい熱膨張係数を有し得る。いくつかの実施形態において、第２の材料は、物体領域または支持領域と反応し得ない。

熱は、次いで、物体および／または箔へ、またはそれらから伝導され、熱膨張１０３５を引き起こし得る。いくつかの実施形態において、膨張させられた第２の材料１０５０は、ブリッジ１０４５が破砕されるまで、または別様に容易に分離可能となるまで、ブリッジ１０４５を歪ませる。

いくつかの実施形態において、材料１０５０は、水、または凍結されたときに膨張するように構成された別の材料であり得る。いくつかの実施形態において、冷気が、物体および／または箔に、またはそれから適用され得、第２の材料および物体が、容易に分離可能となるまで、ブリッジの膨張および破砕を引き起こし得る。いくつかの実施形態において、膨張は、タブを破砕し、支持領域１０１５を物体領域１０１０から取り外し得る。

いくつかの実施形態において、ブリッジ１０４５は、熱衝撃を通して、破断され得る。いくつかの実施形態において、ブリッジ１０４５は、物体が接合プロセスに続いて急冷されると、破断され得る。方法は、ブリッジ１０４５が、物体領域１０１０と異なる金属または異なる金属合金を用いて形成される場合等、ブリッジ１０４５が、物体領域１０１０と異なる率の熱膨張を有する場合、採用され得る。

図１１は、一実施形態によるワックスブリッジを使用して調製される箔を描写する。いくつかの実施形態において、箔シート１１０５は、パターン化され、物体領域１１１０と垂直抑制領域１１１５とは、その周辺の周囲で完全に切断される。いくつかの実施形態において、切断後、ワックスは、物体領域１１１０と支持領域１１２５との間に仮ブリッジ１１２０を形成するために堆積させられる。いくつかの実施形態において、物体領域１１１０の全外部表面は、仮ブリッジ１１２０を物体領域１１１０と支持領域１１２５との間に形成するために堆積させられるワックスまたはポリマーを用いて、支持領域１１２５から完全に分離され得る。いくつかの実施形態において、このワックスは、物体領域１１１０より低い温度で、融解および熱分解し、熱が印加されたとき、それが除去されることを可能にする。いくつかの実施形態において、熱は、接合ステップ中、印加され得る。

いくつかの実施形態において、支持領域１１２５と物体領域１１１０との間のブリッジ１１２０は、接合ステップ中、より容易に除去され得る改質材料を含み得る。例えば、ブリッジ１１２０上の銅、亜鉛、ケイ素、または別の合金金属の堆積は、ブリッジ１１２０が支持領域１１２５および物体領域１１１０と異なる材料特性を有するようにするであろう。ブリッジ１１２０の組成物は、堆積後、支持領域１１２５および物体領域１１１０より低い温度で融解する、共融系を形成し得、したがって、接合ステップ中、融解させられ、なくなり得る。

図１２は、一実施形態によるブリッジを破砕するために採用されるジュール加熱を描写する。いくつかの実施形態において、電力システム１２０５が、物体１２１０と直列に置かれる。いくつかの実施形態において、電流が、点１２１５および１２２０において接触する電極を用いて、ブリッジを横断して印加される。垂直抑制方法のいくつかの実施形態において、電流が、物体区分と支持区分との間に、ブリッジを横断して印加され得る。印加される電流は、支持ブリッジを融解または変形させ、物体を支持本体から分離する抵抗加熱を引き起こすために十分に大きくあり得る。いくつかの実施形態において、それは、ブリッジまたは非可視タブを破砕するために使用され得る。

図１３は、一実施形態によるブリッジを選択的に溶解させるために使用される溶剤を用いて処理される箔シートを描写する。いくつかの実施形態において、箔シート１３０５は、物体領域１３１０でパターン化され得、箔シート１３０５は、垂直抑制領域１３２０および損傷を受けていないブリッジ１３２５によって確立された残りの支持領域１３１５を有し得る。

いくつかの実施形態において、パターンの内側に形成される間隙領域は、部分的にまたは全体的に、腐食性溶液１３３０で充填され得る。いくつかの実施形態において、溶剤が、箔シート１３０５に塗布されるとき、ブリッジ１３２５は、溶解し始め得る１３４５。いくつかの実施形態において、十分な量の溶剤が、箔シート１３０５に塗布される場合、物体領域１３６０は、支持領域１３６５から完全に切断され得１３５５、ブリッジは、完全に溶解させられ得る。

垂直抑制方法のいくつかの実施形態において、ブリッジ１３２５は、表面にアルカリ性溶液を塗布することによって、選択的に反応させられ、腐食させられ、または別様に溶解させられ得る。いくつかの実施形態において、ブリッジ１３２５が、概して、物体領域１３１０および支持領域１３１５より高い単位体積あたりの表面積を有するので、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムを含有する溶液は、アルミニウムブリッジ１３２５を優先的に溶解させ、したがって、ブリッジ１３２５は、物体領域および支持領域を顕著に損傷させることなく、より速い率で溶解するであろう。いくつかの実施形態において、システムが、ブリッジ１３２５を溶解させるための反応率を増加させるために、熱を印加し得る。

いくつかの実施形態において、垂直軸に対応しない角度付けられたまたは湾曲された表面を要求するそれら等のより複雑な３Ｄ幾何学形状に特に関して、垂直および水平抑制方法の両方が、１つの設計において、同時に採用され得る。上記垂直および水平抑制方法の任意の組み合わせの適用は、隣接する箔上のブリッジに重複する水平抑制区分とのブリッジの設置の干渉回避をシステムに要求する。ブリッジの数およびそれらの設置を決定するために採用される方法は、抑制方法、除去技法、物体設計の特徴、および箔の材料特性に依存する。いくつかの実施形態において、方法は、パターン特徴または周辺毎のブリッジの最小の数を決定するための閾値を備え得る。いくつかの実施形態において、方法は、物体が覆いかぶさる角度および／または切断幅に基づいて水平抑制領域を生成すべきときを決定するための閾値、および／または、隣接する箔が支持区分と接触した状態になるであろうときに水平抑制領域を設置するための閾値を備え得る。いくつかの実施形態において、ある面積下では、水平抑制領域が、正確に形成され得ないと仮定すると、方法は、水平抑制領域を生成するためのより低い面積限界を有し得る。いくつかの実施形態において、方法は、物体を土台から上へ向かってオフセットし、その下に支持区分を生成することを伴い得る。いくつかの実施形態において、オフセットは、最終的な箔の接合に先立って、物体を取り扱うための精密なプラットフォームを提供し得、接合および抑制プロセスが、物体全体を通して一貫していることを確実にし得、および／または、より低い耐性の印刷土台が、土台の平坦性およびその絶対的な開始位置の両方の観点において、使用されることを可能にし得る。

図１４は、一実施形態による物体の付加製造のための方法１４００を図式的に示す。いくつかの実施形態において、方法は、第１の箔層を堆積させること（ステップ１４０５）を含む。いくつかの実施形態において、第１の箔層は、印刷土台の上へ堆積させられ得る。いくつかの実施形態において、第１の箔層は、箔層の上へ堆積させられ得る。第１の箔層は、物体領域と、物体領域に接続される少なくとも１つの支持領域とを備え得る。第１の箔層は、物体領域と、物体領域に接続される複数の支持領域とを備え得る。いくつかの実施形態において、方法は、第２の箔層を堆積させること（ステップ１４１５）をさらに含む。いくつかの実施形態において、箔層は、付加製造を使用して、堆積させられ得る。いくつかの実施形態において、抑制層は、第２の箔層に堆積する前に堆積させられ得る（ステップ１４１０）。いくつかの実施形態において、抑制層は、箔層を堆積させることと同時に堆積させられ得る。いくつかの実施形態において、抑制層は、酸化物、セラミック、窒化物、非反応性塩、非反応性金属、炭化物、黒鉛、炭化水素、または炭素のうちの少なくとも１つを含み得る。

いくつかの実施形態において、方法は、箔層を整列させること（ステップ１４２０）を含む。いくつかの実施形態において、層は、支持領域または物体領域内に位置合わせ特徴を有し得る。いくつかの実施形態において、方法は、位置合わせ特徴を整列させ、位置合わせ特徴を整列させることによって、箔層が、整列させられ得る。例えば、いくつかの実施形態において、位置合わせ特徴は、穴、タブ、またはスリットのうちの少なくとも１つであってもよく、整列させることは、箔層を整列させるために、位置合わせ特徴にピンを仮に通すことを含み得る。

いくつかの実施形態において、方法は、箔層内に物体を形成すること（ステップ１４２５）を含む。いくつかの実施形態において、物体は、箔層内に物体領域を備えている。いくつかの実施形態において、物体を形成することは、箔層を一緒にスポット溶着することを含む。いくつかの実施形態において、物体を形成することは、熱および圧力のうちの少なくとも１つを箔層に追加することを含む。いくつかの実施形態において、箔層が整列させられた後、各箔層内の物体領域は、他の箔層内の物体領域に取り付けられ、物体区分を形成する。さらに、各箔層内の支持領域の少なくともいくつかは、他の箔層内の支持領域の少なくともいくつかに取り付けられ、支持区分を形成する。いくつかの実施形態において、支持区分は、第１の箔層および第２の箔層を通して、温度および圧力を物体区分に均一に分配するように構成されている。いくつかの実施形態において、支持区分は、初期堆積後の物体区分の変形を防ぐように構成されている。

いくつかの実施形態において、方法は、支持区分を除去すること（ステップ１４３０）をさらに含む。いくつかの実施形態において、支持区分は、物体からの区分的除去を促進するために細分化され得る。いくつかの実施形態において、支持区分は、物体からの接続ブリッジを破砕することによって、除去され得る。

図１５は、一実施形態による物体の付加製造のためのシステム１５００を示す。いくつかの実施形態において、システムは、物体領域および支持領域を備えている箔層を堆積させるように構成された付加製造デバイス１５０５を備え得る。いくつかの実施形態において、デバイス１５０５は、印刷土台１５２５の上へ箔層を堆積し得る。いくつかの実施形態において、付加製造デバイス１５０５は、箔層の上へ、酸化物、セラミック、窒化物、非反応性塩、非反応性金属、炭化物、黒鉛、炭化水素、または炭素のうちの少なくとも１つを備えている抑制材料を堆積させるように構成されている。いくつかの実施形態において、付加製造デバイス１５０５は、箔層を一緒にスポット溶着するように構成されている。

システム１５００は、箔層の物体領域から物体を形成するように構成された取り付け機構１５１０を備え得る。取り付け機構１５１０は、箔層の支持領域を取り付けるように構成され得る。いくつかの実施形態において、取り付け機構１５１０は、物体を形成するために、熱および圧力のうちの少なくとも１つを箔層に追加するように構成され得る。

いくつかの実施形態において、システム１５００は、物体からの支持区分の除去を促進するように構成されたセパレータ１５１５を備え得る。いくつかの実施形態において、セパレータ１５１５は、物体から区分的に支持区分を除去するように構成されている。

いくつかの実施形態において、システム１５００は、箔層内の位置合わせ特徴を整列させるように構成された整列機構１５２０を備え得る。いくつかの実施形態において、システム１５００は、ブリッジを選択的に加熱および融解するために、電流を印加するように構成されたデバイス１５３０を備え得る。いくつかの実施形態において、システム１５００は、溶剤をブリッジに塗布し、溶剤を用いてブリッジを溶解させるように構成された溶剤塗布器１５３５を備え得る。

上で議論される、方法、システム、およびデバイスは、例である。種々の構成は、必要に応じて、種々の手順または構成要素を省略、代用、または追加し得る。例えば、代替構成では、方法は、説明されたものと異なる順序で実施され得、種々のステップが、追加、省略、または組み合わせられ得る。さらに、ある構成に対して説明される特徴は、種々の他の構成において組み合わせられ得る。構成の異なる側面および要素は、類似する様式において組み合わせられ得る。さらに、技術は進化し、したがって、要素の多くは、実施例であり、本開示または請求項の範囲を限定しない。

例えば、本開示の実施形態は、本開示の実施形態による方法、システム、およびコンピュータプログラム製品のブロック図および／または動作的例証を参照して、上で説明される。ブロックに言及される機能／行為は、任意のフローチャートに示される順序外で、生じ得る。例えば、連続して示される２つのブロックは、実際、実質的に並行して実行され得、ブロックは、時として、伴われる機能性／行為に応じて、逆の順序で、実行され得る。加えて、または代替として、任意のフローチャートに示されるブロックの全てが、実施および／または実行される必要があるとは限らない。例えば、所与のフローチャートが、機能／行為を含有する５つのブロックを有する場合、それは、５つのブロックのうちの３つのみが、実施および／または実行される場合であり得る。この例では、５つのブロックのうちの３つのいずれかが、実施および／または実行され得る。

ある値が、第１の閾値を超過する（またはそれを上回る）という記述は、その値が、第１の閾値より若干大きい、第２の閾値を満たす、または超過するという記述と同等であり、例えば、第２の閾値は、関連システムの分解能内の第１の閾値より高い、１つの値である。ある値が、第１の閾値未満である（またはそれ以内である）という記述は、その値が、第１の閾値より若干低い、第２の閾値未満である、またはそれと等しいという記述と同等であり、例えば、第２の閾値は、関連システムの分解能内の第１の閾値より低い、１つの値である。

具体的な詳細が、例示的構成（実装を含む）の完全な理解を提供するために、説明において与えられる。しかしながら、構成は、これらの具体的な詳細を伴わずに実践され得る。例えば、周知の回路、プロセス、アルゴリズム、構造、および技法は、構成を曖昧にすることを回避するために、不必要な詳細を伴わずに示された。本説明は、例示的構成のみを提供し、請求項の範囲、適用性、または構成を限定しない。むしろ、構成に関する前述の記述は、当業者に、説明される技法を実装するための許可説明を提供するであろう。種々の変更が、本開示の精神または範囲から逸脱することなく、要素の機能および配置において行われ得る。

Claims (45)

1. 物体の付加製造のための方法であって、前記方法は、
   第１の箔層を堆積させることであって、前記第１の箔層は、第１の物体領域と、前記第１の物体領域に接続された第１の支持領域とを備えている、ことと、
   第２の箔層を堆積させることであって、前記第２の箔層は、第２の物体領域と、第２の支持領域とを備えている、ことと、
   前記第１の物体領域と前記第２の物体領域とを備えている物体区分を形成することと
   を含む、方法。
2. 前記第１の支持領域および前記第２の支持領域は、温度および圧力のうちの少なくとも１つを前記物体区分に均一に分配するように構成されている、請求項１に記載の方法。
3. 前記第１の箔層または前記第２の箔層のうちの少なくとも１つの上に炭素を含む抑制材料を堆積させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
4. 前記第１の箔層と前記第２の箔層との間に少なくとも２つの追加の箔層を堆積させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
5. 前記第２の箔層は、前記第１の箔層の上にスポット溶接される、請求項１に記載の方法。
6. 前記第２の物体領域を前記第１の物体領域に取り付けることであって、前記取り付けられた第２の物体領域および前記第１の物体領域は、前記物体区分を備えている、ことと、
   前記第２の支持領域を前記第１の支持領域に取り付けることであって、前記取り付けられた第２の支持領域および前記第１の支持領域は、支持区分を備えている、ことと
   をさらに含む、請求項１に記載の方法。
7. 前記第１の支持区分は、前記物体区分からの区分的除去を促進するために、細分化される、請求項６に記載の方法。
8. 前記第１の物体領域に接続された第３の支持領域と、前記第２の物体領域に接続された第４の支持領域とをさらに備えている、請求項１に記載の方法。
9. 前記第２の物体領域を前記第１の物体領域に取り付けることであって、前記取り付けられた第２の物体領域および前記第１の物体領域は、前記物体区分を備えている、ことと、
   前記第２の支持領域を前記第１の支持領域に取り付けることであって、前記取り付けられた第２の支持領域および前記第１の支持領域は、第1の支持区分を備えている、ことと、
   前記第３の支持領域を前記第４の支持領域に取り付けることであって、前記取り付けられた第３の支持領域および前記第４の支持領域は、第２の支持区分を備えている、ことと
   をさらに含む、請求項８に記載の方法。
10. 前記第１の支持区分および前記第２の支持区分は、前記物体に、前記第１の箔層および前記第２の箔層を通して、温度および圧力を均一に分配するように構成されている、請求項９に記載の方法。
11. 前記第１の支持区分および前記第２の支持区分は、初期堆積後の前記物体区分の変形を防ぐように構成されている、請求項９に記載の方法。
12. 前記第１の支持領域は、前記第１の箔層の構造的完全性を増加させるように構成された箔接続ブリッジを用いて前記第１の物体領域に接続される、請求項１に記載の方法。
13. 前記第１の物体領域から、前記箔接続ブリッジを除去することをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
14. 前記第１の箔層の上に酸化物、セラミック、窒化物、非反応性塩、非反応性金属、炭化物、黒鉛、炭化水素、または炭素のうちの少なくとも１つを備えている抑制材料を堆積させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
15. 前記第１の箔層および前記第２の箔層は、アルミニウムを備えている、請求項１に記載の方法。
16. 前記第２の箔層内の第２の位置合わせ特徴への前記第１の箔層内の第１の位置合わせ特徴によって、前記第２の箔層と前記第１の箔層とを整列させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
17. 前記第１の位置合わせ特徴および前記第２の位置合わせ特徴は、穴、スロット、またはタブパターンのうちの少なくとも１つを備えている、請求項１６に記載の方法。
18. 前記第１の箔層および前記第２の箔層は、付加製造を使用して堆積させられる、請求項１に記載の方法。
19. 前記第１の支持領域は、前記第１の箔層の構造的完全性を増加させるように構成された接続ブリッジを用いて前記第１の物体領域に接続される、請求項１に記載の方法。
20. 前記接続ブリッジは、ポリマーまたはワックスのうちの少なくとも１つを備えている、請求項１９に記載の方法。
21. 前記第１の物体領域および前記第１の支持領域が、互いに対して移動することを可能にするために、前記接続ブリッジを曲げられた形状に形成することをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
22. 電流を印加することによって、前記ブリッジを選択的に加熱および融解することをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
23. 溶剤を用いて、前記ブリッジを溶解させることをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
24. 物体の付加製造のためのシステムであって、前記システムは、
    付加製造デバイスであって、前記付加製造デバイスは、
    第１の箔層を堆積させることであって、前記第１の箔層は、第１の物体領域と、前記第１の物体領域に接続された第１の支持領域とを備えている、ことと、
    第２の箔層を堆積させることであって、前記第２の箔層は、第２の物体領域と、第２の支持領域とを備えている、ことと
    を行うように構成されている、付加製造デバイスと、
    前記第１の物体領域および前記第２の物体領域を備えている物体区分を形成するように構成された取り付け機構と
    を備えている、システム。
25. 前記第１の支持領域および前記第２の支持領域は、温度および圧力のうちの少なくとも１つを前記物体区分に均一に分配するように構成されている、請求項２４に記載のシステム。
26. 前記付加製造デバイスは、前記第１の箔層または前記第２の箔層のうちの少なくとも１つの上に炭素を含む抑制材料を堆積させるようにさらに構成されている、請求項２４に記載のシステム。
27. 前記付加製造デバイスは、前記第１の箔層と前記第２の箔層との間に少なくとも２つの追加の箔層を堆積させるようにさらに構成されている、請求項２４に記載のシステム。
28. 前記付加製造デバイスは、前記第１の箔層の上に前記第２の箔層をスポット溶着するように構成されている、請求項２４に記載のシステム。
29. 前記取り付け機構は、
    前記第２の物体領域を前記第１の物体領域に取り付けることであって、前記取り付けられた第２の物体領域および前記第１の物体領域は、前記物体区分を備えている、ことと、
    前記第２の支持領域を前記第１の支持領域に取り付けることであって、前記取り付けられた第２の支持領域および前記第１の支持領域は、支持区分を備えている、ことと
    を行うようにさらに構成されている、請求項２４に記載のシステム。
30. 前記第１の支持区分は、前記物体区分からの区分的除去を促進するために、細分化されている、請求項２９に記載のシステム。
31. 前記第１の物体領域に接続された第３の支持領域と、前記第２の物体領域に接続された第４の支持領域とをさらに備えている、請求項２４に記載のシステム。
32. 前記取り付け機構は、
    前記第２の物体領域を前記第１の物体領域に取り付けることであって、前記取り付けられた第２の物体領域および前記第１の物体領域は、前記物体区分を備えている、ことと、
    前記第２の支持領域を前記第１の支持領域に取り付けることであって、前記取り付けられた第２の支持領域および前記第１の支持領域は、第１の支持区分を備えている、ことと、
    前記第３の支持領域を前記第４の支持領域に取り付けることであって、前記取り付けられた第３の支持領域および前記第４の支持領域は、第２の支持区分を備えている、ことと
    を行うようにさらに構成されている、請求項３１に記載のシステム。
33. 前記第１の支持区分および前記第２の支持区分は、前記物体に、前記第１の箔層および前記第２の箔層を通して、温度および圧力を均一に分配するように構成されている、請求項３２に記載のシステム。
34. 前記第１の支持区分および前記第２の支持区分は、初期堆積後の前記物体区分の変形を防ぐように構成されている、請求項３２に記載のシステム。
35. 前記第１の支持領域は、前記第１の箔層の構造的完全性を増加させるように構成された箔接続ブリッジを用いて前記第１の物体領域に接続されている、請求項２４に記載のシステム。
36. 前記箔接続ブリッジは、前記第１の物体領域から除去されるように構成されている、請求項３５に記載のシステム。
37. 前記付加製造デバイスは、前記第１の箔層の上に酸化物、セラミック、窒化物、非反応性塩、非反応性金属、炭化物、黒鉛、炭化水素、または炭素のうちの少なくとも１つを備えている抑制材料を堆積させるようにさらに構成されている、請求項２４に記載のシステム。
38. 前記第１の箔層および前記第２の箔層は、アルミニウムを備えている、請求項２４に記載のシステム。
39. 整列機構をさらに備え、前記整列機構は、前記第２の箔層内の第２の位置合わせ特徴への前記第１の箔層内の第１の位置合わせ特徴によって、前記第２の箔層と前記第１の箔層とを整列させるように構成されている、請求項２４に記載のシステム。
40. 前記第１の位置合わせ特徴および前記第２の位置合わせ特徴は、穴、スロット、またはタブパターンのうちの少なくとも１つを備えている、請求項３９に記載のシステム。
41. 前記第１の支持領域は、前記第１の箔層の構造的完全性を増加させるように構成された接続ブリッジを用いて前記第１の物体領域に接続される、請求項２４に記載のシステム。
42. 前記接続ブリッジは、ポリマーまたはワックスのうちの少なくとも１つを備えている、請求項４１に記載のシステム。
43. 前記接続ブリッジは、前記第１の物体領域と前記第１の支持領域とが互いに対して移動することを可能にするために、曲げられた形状に形成されている、請求項４１に記載のシステム。
44. 前記ブリッジを選択的に加熱および融解するために、電流を印加するように構成されたデバイスをさらに備えている、請求項４１に記載のシステム。
45. 溶剤を前記ブリッジに塗布し、前記溶剤を用いて前記ブリッジを溶解させるように構成された溶剤塗布器をさらに備えている、請求項４１に記載のシステム。

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