JP2023522576A

JP2023522576A - めっき装置及びめっき方法

Info

Publication number: JP2023522576A
Application number: JP2022558193A
Authority: JP
Inventors: フゥイワン; ジェンワン; ホンチャオヤン; ジャオウェイジャア
Original assignee: エーシーエムリサーチ（シャンハイ）インコーポレーテッド
Priority date: 2020-03-23
Filing date: 2020-03-23
Publication date: 2023-05-31
Also published as: CN115298364A; WO2021189181A1; KR20230041647A; US20230374691A1; TW202136593A

Abstract

本発明は、パターン構造を有する基板に金属を析出させるためのめっき装置及びめっき方法を開示する。一実施形態において、めっき装置は、電解液を収容するように構成されためっき浴と、基板を保持するように構成された基板保持モジュールと、基板がめっきされる電解液に浸漬されている間、基板保持モジュールを基板と共に駆動して水平方向及び／又は鉛直方向に振動させるように構成された少なくとも1つの駆動装置と、を備えている。本発明は、基板保持モジュールを振動させることにより、めっき速度を上げ、パターン構造上に均一にめっきを行うことで、めっき中の物質移動を促進することができる。

Description

本発明は、一般に、半導体デバイスの製造に関し、より詳細には、めっき速度を上げるための電解液撹拌を伴うめっき装置及びめっき方法に関する。

半導体デバイスの製造においては、デュアルダマシン法におけるトレンチ、ホール、TSVなどの配線構造の金属膜形成や、先端パッケージングプロセスにおけるバンプ等の形成に、めっき技術が一般的に使用されている。技術の急速な発展に伴い、めっき品質だけでなく、めっき速度に対する要求も高まっている。デュアルダマシン法及びアドバンストパッケージングプロセス共に、めっき速度が高いほどスループットが向上するため、めっき速度の重要性はますます高まっている。

一般に、めっき速度は、例えば、電解液の組成、電解液の温度、電解液の攪拌等が関係する。さらに、電解液の攪拌は、例えば、電解液の流量、被めっき基板の回転速度、電解液に加える振動等が関係する。現在、めっき中の物質移動を促進してめっき速度を上げるため、電解液の攪拌を強化する方法がいくつか提案されている。１つの方法として、横方向の流れを促進するように構成された流路口があるフローダイバータと組み合わせてフローシェーピングプレートを使用することが挙げられる。この方法は、めっき中の効果的な物質移動を得るために電解液の流れのダイナミクスを制御し、均一性の高いめっきを得ることができる。しかしながら、基板の一方側から他方側への電解液の流れが強すぎると、電解液中の添加剤の分布に影響が生じる。具体的には、流路口に近い側の電解液の流速は速く、流路から遠い側の電解液の流速は遅くなる。そのため、基板の中心から端にかけての電解液の流速は均一ではない。より具体的には、基板の端にある流路口では電解液の流量が多く、当該電解液が基板の中心を通って流路口から離れた基板の別の側に電解液が流れる間に、電解液の流量がどんどん少なくなる。多くの添加剤（特にめっきレベラー）は電解液の流量に敏感である。電解液の流量が多すぎて、基板全体の電解液の流量の分布が均一でないと、電解液の流量の大きい基板表面にレベラーが付着しやすくなり、めっきの均一性が悪くなる。一方、半導体デバイスの微細構造等では、バンプの形状も影響を受ける。電解液の流速に敏感なレベラーにより、バンプの形状が傾く。基板を回転させることで非対称性を補正することは可能であるが、めっき処理中に基板の回転速度が変化してしまう。これは産業界では一般的なことであり、めっきが不均一になる。

電解液の攪拌を強化する方法として、パドルの振動を利用したパドル使用方法もある。この方法の欠点は、一般的にパドルを拡散板と被めっき基板との間に設置するため、パドルの高速移動により電解液中に気泡が発生し、気泡がめっきのない基板表面に付着し、めっき品質に問題が発生することである。また、パドルには多数の開口部があり、開口部のパターンや大きさが電界分布に影響し、基板上のめっきの均一性に問題が生じる可能性があることも、パドルに起因する課題の一つである。さらに、パドルで基板表面に隣接する流れを攪拌すると、電解液内の電界に影ができ、めっき基板上の均一性の問題が発生する。

また、より高いめっき速度を実現するために、低速めっき用電解液とは異なる処方の電解液が使用される。例えば、銅めっきでは、従来のめっき速度は2～5ASDであるところ、8ASDを超えるめっき速度、具体的には8～30ASDのめっき速度で、電解液中のCuイオン濃度が高くなり、添加剤がより複雑になる。めっき速度が高くなると、膜やバンプの形状を制御することが難しくなる。また、1つのダイの中にトレンチと大きなパッド構造との両方がある等、デバイスの構造が複雑になると、レベラーの強度も必要になってくる。また、
ウェーハレベルの均一性も、高速めっきでは制御が困難である。ウェーハレベルでもダイ内でも、めっきの効果を上げるためには、電解液中の添加剤である促進剤、レベラー、抑制剤等の相互協力が必要となる。

そのため、現在の電解液の攪拌方法には欠点がある。めっき速度やめっきの均一性を高めるため、電解液の新しい攪拌方法を提案する必要がある。

本発明の目的は、パターン構造を有する基板に金属を析出させるめっき装置を提供することである。本発明に係るめっき装置は、電解液を収容するように構成されためっき浴と、基板を保持するように構成された基板保持モジュールと、前記基板がめっきされる電解液に浸されている間、前記基板保持モジュールを前記基板と共に駆動して水平方向及び／又は鉛直方向に振動させるように構成された少なくとも1つの駆動装置と、を備えている。

本発明の別の目的は、パターン構造を有する基板に金属を析出させるめっき方法を提供することである。本発明に係るめっき方法は、パターン構造を有する基板に金属を析出させるめっき方法であって、基板保持モジュールに前記基板を搭載して保持する工程と、めっき浴に収容された電解液に前記基板を浸漬させる工程と、前記基板が前記電解液に浸漬されてめっきが行われている間に前記基板保持モジュールを前記基板と共に駆動して水平方向及び／又は鉛直方向に振動させる工程と、を備えている。

本発明の目的は、パターン構造を有する基板に金属を析出させるめっき装置を提供することである。本発明に係るめっき装置は、電解液を収容するように構成されためっき浴と、基板を保持するように構成された基板保持モジュールと、前記基板保持モジュールを前記基板と共に回転駆動するように構成された回転アクチュエータと、前記回転アクチュエータをN（N≦3.0）回転させた後にN逆回転させることを交互にサイクル数行うように構成されたコントローラと、を備えている。

本発明の別の目的は、パターン構造を有する基板に金属を析出させるめっき方法を提供することである。本発明に係るめっき方法は、基板保持モジュールに前記基板を搭載して保持する工程と、めっき浴に収容された電解液に前記基板を浸漬させる工程と、前記基板を前記電解液に浸漬させてめっきが行われている間に前記基板保持モジュールを前記基板と共に回転アクチュエータで回転駆動する工程と、前記回転アクチュエータをN（N≦3.0）回転させた後にN逆回転させることを交互にサイクル数行うように制御する工程と、を備えている。

以上のように、本発明は、基板をめっきしながら電解液を撹拌するユニークな方法を開示する。当該方法は、基板と共に基板保持モジュールを振動させることであり、めっき速度だけでなくめっき均一性を高めるように物質移動を促進することができる。さらに、基板保持モジュールの振動は往復であり、振動周波数が高いため、添加剤をパターン構造中に均一に分布させることができる。電解液の物質移動境界層はより薄くなり、パターン構造に吸収された電解液中の添加剤は非常に速くかつ均一に交換されるため、パターン構造のメッキ金属の均一性が向上し、柱やバンプの傾きの問題を解決すると共に、めっき速度も高めることができる。

従来のめっき装置を示す概略図である。従来のめっき装置を用いて金属を析出させたときの、めっきされた金属の柱又はバンプの傾きを説明する模式図である。従来のめっき装置を用いて金属を析出させたときの、めっきされた金属の柱又はバンプの傾きを説明する模式図である。従来のめっき装置を用いて金属を析出させたときの、めっきされた金属の柱又はバンプの傾きを説明する模式図である。従来のめっき装置を用いて金属を析出させたときの、めっきされた金属の柱又はバンプの傾きを説明する模式図である。従来のめっき装置を用いて金属を析出させたときの、めっきされた金属の柱又はバンプの傾きを説明する模式図である。従来のめっき装置を用いて金属を析出させたときの、めっきされた金属の柱又はバンプの傾きを説明する模式図である。本発明の例示的な実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。電解液の撹拌を実現するために相対速度を急変させる様子を示す模式図である。電解液の撹拌を実現するために相対速度を急変させる様子を示す模式図である。本発明の別の例示的な実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。本発明の例示的な実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。本発明の例示的な実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。めっき装置の基板保持モジュールの水平方向の振動を示す模式図である。めっき装置の基板保持モジュールの水平方向の振動を示す模式図である。めっき装置の基板保持モジュールの水平方向の振動を示す模式図である。めっき装置の基板保持モジュールの水平方向の振動を示す模式図である。本発明の別の例示的な実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。本発明の別の例示的な実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。本発明の別の例示的な実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。本発明の別の例示的な実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。本発明の例示的な実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。本発明の例示的な実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。めっき装置の基板保持モジュールの鉛直方向の振動を示す模式図である。めっき装置の基板保持モジュールの鉛直方向の振動を示す模式図である。めっき装置の基板保持モジュールの鉛直方向の振動を示す模式図である。めっき装置の基板保持モジュールの鉛直方向の振動を示す模式図である。本発明の別の例示的な実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。本発明の別の例示的な実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。本発明の別の例示的な実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。本発明の別の例示的な実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。本発明のさらに別の例示的な実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。本発明のさらに別の例示的な実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。本発明の例示的な実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。本発明の例示的な実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。本発明の例示的な実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。めっき装置の基板保持モジュールの水平方向及び鉛直方向の振動を同時に説明する模式図である。めっき装置の基板保持モジュールの水平方向及び鉛直方向の振動を同時に説明する模式図である。めっき装置の基板保持モジュールの水平方向及び鉛直方向の振動を同時に説明する模式図である。めっき装置の基板保持モジュールの水平方向及び鉛直方向の振動を同時に説明する模式図である。めっき装置の基板保持モジュールの水平方向及び鉛直方向の振動を同時に説明する模式図である。めっき装置の基板保持モジュールの水平方向及び鉛直方向の振動を同時に説明する模式図である。振動のモデル図である。本発明の例示的な実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。本発明の例示的な実施形態に係るめっき装置を示す概略図である。

従来の金属を析出させるめっき装置１００を示す図１を参照されたい。めっき装置１００は、電解液を収容するめっき浴１１０と、基板１３０を保持し、基板１３０の導電面と電気的に接続する基板保持モジュール１２０と、基板保持モジュール１２０に接続し、基板保持モジュール１２０を基板保持モジュール１２０の軸に沿って回転駆動する回転アクチュエータ１４０と、めっき浴１１０内に配置され、基板１３０の導電面と対向する陽極１５０と、基板保持モジュール１２０及び陽極１５０と電気的に接続する電源１６０と、を備えている。めっき装置１００は、めっき浴１１０の周囲に設けられた、めっき浴１１０からオーバーフローした電解液を受け入れるための溝１７０をさらに備えている。めっき装置１００は、タンク１９０をさらに備えている。溝１７０及びタンク１９０に、管路１８０が接続されている。タンク１９０は、別の管路１８０を介して、めっき浴１１０に接続されている。

めっき装置１００がパターン構造１３１を有する基板１３０に金属を析出させるために使用される場合、回転アクチュエータ１４０が基板保持モジュール１２０を駆動して基板保持モジュール１２０の軸に沿って回転させる。めっき浴１１０の中心から電解液が供給され、基板１３０の中心を通って基板１３０の端部に電解液が流入する。一般に、基板１３０に金属を析出させるため、電解液にレベラー、促進剤、抑制剤等の各種添加剤を添加する。そのため、電解液の流速に敏感な添加剤もある。例えば、Ｃｕめっきの電解液では、電解液の流速が大きいほど基板表面にレベラーが付着しやすい。そのため、めっき中にレベラーが主要な役割を果たす場合、基板１３０の中心から端に流れる電解液によって誘発され、パターン構造１３１の片側にレベラーが留まることが多くなる。これにより、パターン構造１３１にレベラーが不均一に分布し、図２Ａ～図２Ｃに示すようにパターン構造１３１に金属析出ムラが発生し、金属の柱又はバンプが傾いてしまう。また例えば、Ｃｕめっき用の電解液では、促進剤が電解液の流速により敏感である。電解液の流速が大きい基板表面では、促進剤が付着しやすくなる。別の実施形態では、めっき中に促進剤が主要な役割を果たす場合、促進剤は、基板１３０’の中心から端に流れる電解液によって誘発され、基板１３０’上のパターン構造１３１’の一側に留まることが多くなる。これにより、促進剤がパターン構造１３１’に不均一に分布し、図３Ａ～図３Ｃに示すようにパターン構造１３１’に金属析出ムラが発生し、金属の柱又はバンプが傾くことになる。この傾きは、めっき速度が大きいほど大きくなる。高いめっき速度でより良いバンプ形状を実現するには、新しい技術が必要である。

本発明は、このような問題を解決するめっき装置及びめっき方法を開示し、基板のパターン構造に均一な金属析出を得るため、基板を電解液に浸漬してめっきする際に、基板保持モジュールを基板と共に振動させる。これにより、レベラー、促進剤、抑制剤等の添加剤を、パターン構造中に均一に分布させ、一箇所に集まらないようにして、めっき金属の柱又はバンプの傾きを抑え、パターン構造に均一な金属析出物が得られる。高周波振動は、電解液境界層の厚みを減少させることができる。境界層の厚さを薄くすることで、より高い物質移動率を実現し、金属の析出率を高めることができる。

図４に、本発明の例示的な実施形態に係る、パターン構造を有する基板に金属を析出させるためのめっき装置が例示されている。めっき装置４００は、電解液を収容するように構成されためっき浴４０１と、基板４０３を保持し、基板４０３の導電面と電気的に接続するように構成された基板保持モジュール４０２と、基板保持モジュール４０２を基板保持モジュール４０２の軸に沿って回転させるように構成された回転アクチュエータ４０４と、基板保持モジュール４０２を水平方向及び／又は鉛直方向に振動させるように構成された少なくとも一つの駆動装置４０５と、を備えている。駆動装置４０５は、モータ、シリンダ又はバイブレータであってよい。めっき装置４００は、めっき浴４０１内に配置され、基板４０３の導電面に対向する少なくとも1つの陽極４０６と、基板保持モジュール４０２及び陽極４０６と電気的に接続する電源４０７と、をさらに備えている。めっき浴４０１の周囲には、めっき浴４０１からオーバーフローした電解液を受け入れるための溝４０８が設けられている。めっき装置４００は、タンク４１０をさらに備えている。溝４０８及びタンク４１０に、管路４０９が接続されている。タンク４１０は、別の管路４０９を介して、めっき浴４０１に接続されている。

図５Ａ及び図５Ｂを組み合わせると、基板４０３は、パターン構造４０３１を有する。めっき装置４００がパターン構造４０３１に金属を析出させるために使用される場合、基板４０３を基板保持モジュール４０２によって水平に保持し、基板４０３をめっき用電解液に浸漬すると同時に、駆動装置４０５により基板保持モジュール４０２及び基板４０３を駆動して電解液を撹拌させるように、水平方向及び／又は鉛直方向の振動を含む往復運動をさせる。これにより、基板４０３がめっきのために電解液に浸漬されている間に、金属イオン、レベラー、促進剤及び抑制剤等の添加剤が一箇所に集まらず、パターン構造４０３１に均一に分布するように物質移動が促進される。めっき金属の柱又はバンプの傾きが低減され、パターン構造４０３１に均一な金属析出が得られる。具体的には、回転アクチュエータ４０４は、基板４０３を被めっき電解液に浸漬した状態で、基板保持モジュール４０２をその軸方向に回転させるように駆動する。電解液は、めっき浴４０１の中心から供給され、基板４０３の中心を通って基板４０３の端へと流量V₂で流れる。駆動装置４０５は、基板保持モジュール４０２及び基板４０３を振動速度V₁で水平方向に振動させる。V₁は、0.2V₂以上、好ましくはV₂より大きく、より好ましくはV₂の2倍である。図５Ａに示すように、振動方向が電解液の流れ方向と逆の場合、相対速度VはV₁＋V₂に等しい。図５Ｂに示すように、振動方向が電解液の流れ方向と同じ場合、相対速度VはV₁-V₂に等しい。基板保持モジュール４０２の水平振動により相対速度Vを急速に変化させ、電解液の撹拌を実現することにより、物質移動を促進し、パターン構造４０３１における添加剤の分布均一性を改善し、さらにめっき速度とめっき均一性を向上させることができる。

図６に、本発明の別の例示的な実施形態に係る、パターン構造を有する基板に金属を析出させるためのめっき装置が示されている。めっき装置６００は、電解液を収容するように構成されためっき浴６０１と、基板６０３を保持するように構成された基板保持モジュール６０２と、基板保持モジュール６０２を水平方向及び／又は鉛直方向に振動させるように構成された少なくとも一つの駆動装置６０５と、を備えている。駆動装置６０５は、モータ、シリンダ又はバイブレータであってよい。めっき装置６００は、めっき浴６０１内に配置され、基板６０３の導電面に対向する少なくとも1つの陽極６０６と、基板６０３の導電面及び陽極６０６と電気的に接続する電源６０７と、をさらに備えている。めっき浴６０１の周囲には、めっき浴６０１からオーバーフローした電解液を受け入れるための溝６０８が設けられている。めっき装置６００は、タンク６１０をさらに備えている。溝６０８及びタンク６１０に、管路６０９が接続されている。タンク６１０は、別の管路６０９を介して、めっき浴６０１に接続されている。

本実施形態では、パターン構造を有する基板６０３は、基板保持モジュール６０２によって鉛直に保持される。基板保持モジュール６０２及び基板６０３は、パターン構造に金
属を析出させるために電解液に鉛直に浸漬される。めっき中、駆動装置６０５は、基板保持モジュール６０２を駆動すると共に、基板６０３を駆動して、水平及び／又は鉛直の振動を含む電解液を撹拌する往復運動を行い、レベラー、促進剤、抑制剤等の添加剤がパターン構造中に均一に分布できるように物質移動を促進する。基板６０３がめっきされるべき電解液中に浸漬されている間に、レベラー、促進剤、抑制剤等の添加剤が一箇所に集まらないようにして、めっき金属の柱又はバンプの傾斜を抑え、パターン構造に均一な金属析出物が得られる。

図７Ａ～図９Ｂに、本発明の例示的な実施形態に係る、パターン構造を有する基板に金属を析出させるためのめっき装置が示されている。めっき装置7００は、めっき浴7０１と、基板保持モジュールと、振動板７１５と、取付板７１６と、支持台座７１７と、駆動装置７０５と、を含む。基板保持モジュールは、さらに、基板ホルダ７０２と、支柱７１２と、固定装置７１３と、ブラケット７１４と、回転アクチュエータ７０４と、を含む。

めっき浴７０１は、電解液を収容するように構成されている。めっき浴７０１は、電気めっきのための陽極室及び陰極室を含んでよい。陽極室及び陰極室は、膜フレーム上に配置された膜によって隔てられている。陽極室は複数の陽極ゾーンに分割することができ、各陽極ゾーンには独立に制御された電源に接続された陽極が収容されている。陽極は、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、チタン板（Ｐｔコーティング）等からなってよい。複数の小開口を有する少なくとも１枚の拡散板７１１が、電界の均一制御及び電解液の流れの均一制御のために、陰極室に配置される。陰極室の周囲には、陰極室からオーバーフローした電解液を受け入れるための溝７０８が設けられている。

基板ホルダ７０２は、基板を保持するように構成されている。支柱７１２は、基板ホルダ７０２及び固定装置７１３に接続されている。ブラケット７１４は、固定装置７１３の側部に固定されている。振動板７１５は、基板保持モジュールを支持するように構成されている。振動板７１５の一端はブラケット７１４に接続され、振動板７１５の他端は取付板７１６に接続されている。取付板７１６は、支持台座７１７上に配置されている。取付板７１６は、鉛直アクチュエータによる駆動の下、振動板７１５を上下動させるように、支持台座７１７に沿って上下動可能である。振動板７１５は、固有振動数を有する。回転アクチュエータ７０４は、固定装置７１３に配置され、基板ホルダ７０２を回転駆動するように構成されている。駆動装置７０５は、ブラケット７１４上に配置され、基板保持モジュールを駆動して水平方向に振動又は振動板７１５の固有振動数で共振させるように構成されている。駆動装置７０５は、慣性バイブレータ等のバイブレータであってよい。

図８Ａ～図８Ｂ及び図９Ａ～図９Ｂに示すように、駆動装置７０５は、基板を被めっき物の電解液に浸漬した状態で、基板ホルダ７０２を水平方向に振動させるように駆動することが可能である。基板ホルダ７０２は、駆動装置７０５の駆動により、往復運動を行うことができる。一対のリミットストップ部材７１８は、ブラケット７１４が取付板７１６に衝突するのを防ぐように、基板保持モジュールの振幅を制限するように構成されている。一対のリミットストップ部材７１８は、軟質ゴムからなってよい。一実施形態において、一対のリミットストップ部材７１８は、ブラケット７１４に配置され、振動板７１５の両側にそれぞれ配置されている。別の実施形態において、一対のリミットストップ部材７１８は、取付板７１６に配置され、振動板７１５の両側にそれぞれ配置される。

基板保持モジュールの振幅は、パターン構造の大きさに関係する。パターン構造における金属析出への振動効果を向上させるため、基板保持モジュールの振幅は、パターン構造のサイズよりも大きいことが好ましい。基板保持モジュールの振幅は、25um～2000um、好ましくは100um～500umに設定することが可能である。

基板保持モジュールの振動周波数は、基板保持モジュールの振幅と基板保持モジュールの振動速度に関係する。さらに、基板保持モジュールの振動速度は、電解液の流量に関係する。基板保持モジュールの振動速度は、電解液の中心から端までの流速よりも大きいことが好ましい。通常、電解液の流速は、0.01m/sから0.2m/sに設定され、これは電解液供給の初期流量に依存する。基板保持モジュールの振動数は、下記式で算出することができる。

ここで、fは基板保持モジュールの振動周波数、V1は基板保持モジュールの振動速度、Aは基板保持モジュールの振幅を示す。例えば、V1 = 0.02m/s 、A= 0.5mm のとき、f= 10Hz となる。この周波数は、より具体的には、片持ち梁構造である基板保持モジュール及び振動板７１５の共振周波数であり、振動板７１５の固有振動数でもあり、駆動装置７０５の駆動周波数でもある。慣性振動子の動作周波数は、0.1Hz～500Hzの範囲で設定可能である。好ましくは、駆動に最もエネルギーを必要としない振動板７１５の共振周波数と等しく設定される。

図２１に、振動のモデル図が示されている。当該モデル図と以下の計算式とを組み合わせることで、振動板７１５の大きさを求めることができる。

計算式（1）～（4）において、fは基板保持モジュールの振動周波数、mは基板保持モジュールの重量、kは振動板の剛性係数、Eは振動板の材料の弾性係数、Hは振動板の断面幅、Bは振動板の断面高さ、Lは振動板の長さを示す。

計算式（1）～（4）に基づき、振動板７１５の大きさを求めることができる。いくつかの例を下表に示す。

図１０Ａ～図１１Ｂに、本発明の別の例示的な実施形態に係る、パターン構造を有する基板上に金属を析出させるためのめっき装置が示されている。図７Ａ～図９Ｂに示すめっき装置と比較して、本実施形態では、駆動装置７０５’は、振動板７１５と共振して基板保持モジュールを水平方向に振動させるための一対のモータ又はシリンダであってよい。一対のモータ又はシリンダは、ブラケット７１４に配置され、振動板７１５の両側にそれぞれ配置されてよい。或いは、一対のモータ又はシリンダは、取付板７１６に配置され、振動板７１５の両側にそれぞれ配置されてよい。

図１２Ａ～図１４Ｂに、本発明の別の実施形態に係る、パターン構造を有する基板に金属を析出させるためのめっき装置が図示されている。めっき装置１２００は、めっき浴１２０１と、基板保持モジュールと、一対の振動板１２１５と、取付板１２１６と、支持台座１２１７と、駆動装置１２０５と、を含む。基板保持モジュールは、基板ホルダ１２０２と、支柱１２１２と、固定装置１２１３と、ブラケット１２１４と、回転アクチュエータ１２０４と、鉛直連結部材１２１９と、水平連結部材１２２０と、弾性連結部材１２２１と、フレーム１２２２と、をさらに含む。

めっき浴１２０１は、電解液を収容するように構成されている。めっき浴１２０１は、電気めっきのための陽極室及び陰極室を含んでよい。陽極室及び陰極室は、膜フレーム上に配置された膜によって隔てられている。陽極室は複数の陽極ゾーンに分割することができ、各陽極ゾーンには独立に制御された電源に接続された陽極が収容されている。陽極は、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、チタン板（Ｐｔコーティング）等からなってよい。複数の小開口を有する少なくとも１枚の拡散板１２１１が、電界の均一制御及び電解液の流れの均一制御のために、陰極室に配置される。陰極室の周囲には、陰極室からオーバーフローした電解液を受け入れるための溝１２０８が設けられている。

基板ホルダ１２０２は、基板を保持するように構成されている。支柱１２１２は、基板ホルダ１２０２及び固定装置１２１３に接続されている。ブラケット１２１４は、実質的にＵ字形状であり、一対のアーム部とベース部とを有する。ブラケット１２１４の一対のアーム部は、固定装置１２１３の両側に配置され、一対の振動板１２１５にそれぞれ接続されている。一対の振動板１２１５は、固定装置１２１３の両側に接続されている。ブラケット１２１４のベース部は、取付板１２１６に接続されている。取付板１２１６は、支持台座１２１７に配置されている。取付板１２１６は、鉛直アクチュエータによる駆動の下、基板保持モジュールを上下動させるように、支持台座１２１７に沿って上下動可能である。基板保持モジュールのたるみを防止するため、鉛直連結部材１２１９をブラケット１２１４のベース部と水平連結部材１２２０とに連結し、水平連結部材１２２０を弾性連結部材１２２１に連結し、弾性連結部材１２２１を固定装置１２１３に固定されたフレー
ム１２２２に連結している。回転アクチュエータ１２０４は、固定装置１２１３に配置され、基板ホルダ１２０２を回転駆動するように構成されている。

駆動装置１２０５は、固定装置１２１３に配置され、基板がめっきされている間、基板保持モジュールを駆動し、鉛直方向に振動又は振動板１２１５の固有周波数で共振させるように構成されている。図１３Ａ～図１３Ｂ及び図１４Ａ～図１４Ｂ参照）。駆動装置１２０５は、バイブレータであってよい。

基板ホルダ１２０２が高周波で上下動することで、基板と拡散板１２１１との間の空間に強い撹拌効果を発生させることができる。基板ホルダ１２０２が高速で下降すると、当該空間内の液圧が急激に上昇し、その圧力によって電解液がパターン構造に流入する。すると、パターン構造でのマイクロワイズド液流速が非常に速くなり、添加剤がパターン構造に均一に浸透し、バンプの傾きの問題解決に寄与する。また、別の面では、基板ホルダ１２０２が上に移動すると、上記空間が大きくなり、上記空間内の液圧が急激に減少する。すると、微細パターン構造内の液体が流出する。高速の上下運動により、液圧が急激に変化する。パターン構造における物質移動速度が向上する。

図１５Ａ～図１６Ｂに、本発明の別の例示的な実施形態に係る、パターン構造を有する基板上に金属を析出させるためのめっき装置が示されている。図１２Ａ～図１４Ｂに示すめっき装置と比較して、本実施形態では、駆動装置１２０５’は、振動板１２１５と共振して基板保持モジュールを鉛直方向に振動させるためのモータ又はシリンダであってよい。モータ又はシリンダは、水平連結部材１２２０に配置されてよい。

図１７Ａ～図１７Ｂに、本発明の別の例示的な実施形態に係る、パターン構造を有する基板上に金属を析出させるためのめっき装置が示されている。めっき装置１７００は、めっき浴１７０１、基板保持モジュール、振動板１７１５、取付板１７１６、支持台座１７１７及び鉛直アクチュエータを含む。基板保持モジュールは、さらに、基板ホルダ１７０２と、支柱１７１２と、固定装置１７１３と、回転アクチュエータ１７０４と、を含む。

めっき浴１７０１は、電解液を収容するように構成されている。めっき浴１７０１は、電気めっきのための陽極室及び陰極室を含んでよい。陽極室及び陰極室は、膜フレーム上に配置された膜によって隔てられている。陽極室は複数の陽極ゾーンに分割することができ、各陽極ゾーンには独立に制御された電源に接続された陽極が収容されている。陽極は、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、チタン板（Ｐｔコーティング）等からなってよい。複数の小開口を有する少なくとも１枚の拡散板１７１１が、電界の均一制御及び電解液の流れの均一制御のために、陰極室に配置される。陰極室の周囲には、陰極室からオーバーフローした電解液を受け入れるための溝１７０８が設けられている。

基板ホルダ１７０２は、基板を保持するように構成されている。支柱１７１２は、基板ホルダ１７０２及び固定装置１７１３に接続されている。振動板１７１５は、固定装置１７１３及び取付板１７１６の側面に接続されている。取付板１７１６は、支持台座１７１７に配置されている。取付板1716は、鉛直アクチュエータによる駆動の下、基板保持モジュールを上下動させるように、支持台座１７１７に沿って上下動可能である。回転アクチュエータ１７０４は、固定装置１７１３に配置され、基板ホルダ１７０２を回転駆動するように構成されている。

本実施形態では、鉛直アクチュエータは駆動装置として機能し、基板がめっきされている間、基板保持モジュールを駆動して、鉛直方向に振動又は振動板1715の固有周波数に共振させるように構成されている。

図１８Ａ～図２０Ｃに、本発明の別の例示的な実施形態に係る、パターン構造を有する基板に金属を析出させるためのめっき装置が示されている。めっき装置１８００は、めっき浴１８０１と、基板保持モジュールと、第１振動板１８１５１と、一対の第２振動板１８１５２と、取付板１８１６と、支持台座１８１７と、第１駆動装置１８０５と、を含む。基板保持モジュールは、基板ホルダ１８０２と、支柱１８１２と、固定装置１８１３と、ブラケット１８１４と、回転アクチュエータ１８０４と、を含む。

めっき浴１８０１は、電解液を収容するように構成されている。めっき浴１８０１は、電気めっきのための陽極室及び陰極室を含んでよい。陽極室及び陰極室は、膜フレーム上に配置された膜によって隔てられている。陽極室は複数の陽極ゾーンに分割することができ、各陽極ゾーンには独立に制御された電源に接続された陽極が収容されている。陽極は、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、チタン板（Ｐｔコーティング）等からなってよい。複数の小開口を有する少なくとも１枚の拡散板１８１１が、電界の均一制御及び電解液の流れの均一制御のために、陰極室に配置される。陰極室の周囲には、陰極室からオーバーフローした電解液を受け入れるための溝１８０８が設けられている。

基板ホルダ１８０２は、基板を保持するように構成されている。支柱１８１２は、基板ホルダ１８０２及び固定装置１８１３に接続されている。ブラケット１８１４は、実質的にＵ字形状であり、一対のアーム部とベース部とを有する。ブラケット１８１４の一対のアーム部は、固定装置１８１３の両側に配置され、一対の第２振動板１８１５２にそれぞれ接続されている。一対の第２振動板１８１５２は、固定装置１８１３の両側に接続されている。ブラケット１８１４のベース部は、第１振動板１８１５１の一端に接続されている。第１振動板１８１５１の他端は、取付板１８１６に接続されている。取付板１８１６は、支持台座１８１７に配置されている。取付板１８１６は、鉛直アクチュエータによる駆動の下、基板保持モジュールを上下動させるように、支持台座１８１７に沿って上下動可能である。回転アクチュエータ１８０４は、固定装置１８１３に配置され、基板ホルダ１８０２を回転駆動するように構成されている。

第１駆動装置１８０５は、ブラケット１８１４のベース部に配置されており、基板保持モジュールを駆動して水平方向に振動又は第１振動板１８１５１の固有周波数で共振させるように構成されている。鉛直アクチュエータは、第２駆動装置として機能し、基板保持モジュールを駆動して、鉛直方向に振動又は一対の第２振動板１８１５２の固有振動数で共振させるように構成されている。本実施形態では、基板がめっきされている間、基板保持モジュールは、第１駆動装置１８０５及び鉛直アクチュエータによって、水平振動及び鉛直振動を同時に行うように駆動されてよい。

図２２に、本発明の別の例示的な実施形態に係る、パターン構造を有する基板上に金属を析出させるためのめっき装置が示されている。めっき装置２２００は、めっき浴２２０１と、基板保持モジュールと、取付板２２１６と、支持台座２２１７と、駆動装置２２０５と、を含む。基板保持モジュールは、さらに、基板ホルダ２２０２と、支柱２２１２と、連結板２２２５と、固定装置２２１３と、ブラケット２２１４と、回転アクチュエータ２２０４と、シャフト２２２３と、ベアリング２２２４と、一対の弾性部材２２２６と、を含む。

めっき浴２２０１は、電解液を収容するように構成されている。めっき浴２２０１は、電気めっきのための陽極室及び陰極室を含んでよい。陽極室及び陰極室は、膜フレーム上に配置された膜によって隔てられている。陽極室は複数の陽極ゾーンに分割することができ、各陽極ゾーンには独立に制御された電源に接続された陽極が収容されている。陽極は、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、チタン板（Ｐｔコーティング）等からなってよい。複数の小開口を有する少なくとも１枚の拡散板２２１１が、電界の均一制御及び電解液の流れ
の均一制御のために、陰極室に配置される。陰極室の周囲には、陰極室からオーバーフローした電解液を受け入れるための溝２２０８が設けられている。

基板ホルダ２２０２は、基板を保持するように構成されている。支柱２２１２は、基板ホルダ２２０２及び連結板２２２５に接続されている。回転アクチュエータ２２０４は、固定装置２２１３に配置されている。シャフト２２２３は、固定装置２２１３を貫通している。シャフト２２２３の一端は回転アクチュエータ２２０４に接続し、シャフト２２２３の他端はベアリング２２２４を介して連結板２２２５に接続している。一対の弾性部材２２２６は、シャフト２２２３及び連結板２２２５に接続されている。ブラケット２２１４は、固定装置２２１３の側面に固定され、取付板２２１６に接続されている。取付板２２１６は、支持台座２２１７に配置されている。取付板２２１６は、鉛直アクチュエータによる駆動の下、基板保持モジュールを上下動させるように、支持台座２２１７に沿って上下動可能である。駆動装置２２０５は、連結板２２２５に配置されている。

めっき中、回転アクチュエータ２２０４の駆動により、シャフト２２２３が回転速度w1で回転する。一対の弾性部材２２２６がシャフト２２２３及び連結板２２２５に連結されているため、基板ホルダ２２０２だけでなく、支柱２２１２及び連結板２２２５もシャフト２２２３と共に回転速度w1で回転する。基板ホルダ２２０２がめっきのために回転する間、駆動装置２２０５は、基板ホルダ２２０２だけでなく、支柱２２１２及び連結板２２２５を、回転速度w2で時計回りに回転させると共に反時計回りに回転させるように駆動する。好ましくは、回転速度w2は回転速度w1よりも大きい。これにより、基板ホルダ２２０２の回転速度を急速に変化させて、電解液の撹拌を実現する。これにより、めっきの均一性及びめっき速度を向上させることができる。

以上のように、本発明によると、基板がめっきされる電解液に浸漬されている間に基板を振動させる駆動装置を少なくとも1つ用いることにより、微細構造中の添加剤を均一に分布させるので、微細構造中のめっき金属の均一性を向上させることができる。さらに、先行技術のようにパドルを使って電解液を攪拌するのに比べ、本発明では、基板と拡散板との間に設けられるパドル等の棚がないため、電界分布がより均一になり、「影」の問題が生じない。

本発明は、さらに、パターン構造を有する基板に金属を析出させるめっき方法を提供する。当該めっき方法は、
基板保持モジュールに基板を搭載して保持する工程と、
めっき浴に収容された電解液に基板を浸漬させる工程と、
基板が電解液に浸漬されてめっきが行われている間に、基板保持モジュールを基板と共に駆動して水平方向及び／又は鉛直方向に振動させる工程と、を備えている。

一実施形態において、基板は、基板保持モジュールによって水平に保持される。

一実施形態において、基板は基板保持モジュールにより鉛直に保持され、基板保持モジュール及び基板は電解液中に鉛直に浸漬される。

一実施形態において、電解液は流量V₂を有し、基板保持モジュールと基板とは振動速度V₁（V₁≧0.2V₂）で振動するように駆動される。

一実施形態において、基板保持モジュールの振動周波数は0.1Hz～500Hzに設定される。

一実施形態において、基板保持モジュールの振幅はパターン構造のサイズよりも大きい。

一実施形態において、基板保持モジュールの振幅は25um～2000umに設定される。

一実施形態において、当該めっき方法は、基板がめっきされる電解液に浸漬されている間、基板を回転させるように駆動することをさらに含む。

図２３に、本発明の例示的な実施形態に係る、パターン構造を有する基板に金属を析出させるためのめっき装置が例示されている。めっき装置２３００は、電解液を収容するように構成されためっき浴２３０１と、基板２３０３を保持し、基板２３０３の導電面と電気的に接続するように構成された基板保持モジュール２３０２と、基板保持モジュール２３０２を基板保持モジュール２３０２の軸に沿って回転させるように構成された回転アクチュエータ２３０４と、を備えている。めっき装置２３００は、回転アクチュエータ２３０４に接続したコントローラ２３３０であって、回転アクチュエータ２３０４をN回転させた後にN逆回転させることを交互にサイクル数行うように構成されたコントローラ２３３０をさらに含む。Nは3.0以下である。好ましくは、Nは0.5, 1.0, 1.5, 2.0, 2.5及び3.0である。コントローラ２３３０は、回転アクチュエータ２３０４の回転速度を120rpm未満に制御する。めっき装置２３００は、めっき浴２３０１内に配置され、基板２３０３の導電面に対向する少なくとも1つの陽極２３０６と、基板保持モジュール２３０２及び陽極２３０６と電気的に接続する電源２３０７と、をさらに備えている。めっき浴２３０１の周囲には、めっき浴２３０１からオーバーフローした電解液を受け入れるための溝２３０８が設けられている。めっき装置２３００は、タンク２３１０をさらに備えている。溝２３０８及びタンク２３１０に、管路２３０９が接続されている。タンク２３１０は、別の管路２３０９を介して、めっき浴２３０１に接続されている。

本実施形態では、めっき中、コントローラ２３３０を用い、回転アクチュエータ２３０４をN（N≦3.0）回転させ、その後N逆回転させることを交互にサイクル数だけ実行する。これにより、パターン構造におけるめっき金属の均一性を向上させる。基板の振動運動の周波数が高いため、基板表面の電解液が回転方向に変化する間に、劇的に変化する。回転アクチュエータを時計回りから反時計回りに劇的に変化させることで、液体の乱流状態を発生させ、基板表面に強い筋状の攪拌を行うことができる。回転アクチュエータは、ポイント・トゥ・ポイントの位置制御モードで制御される。

本発明は、さらに、パターン構造を有する基板に金属を析出させるめっき方法を提供する。当該めっき方法は、
基板保持モジュールに基板を搭載して保持する工程と、
めっき浴に収容された電解液に基板を浸漬させる工程と、
基板が電解液に浸漬されてめっきが行われている間に、基板保持モジュールを基板と共に回転アクチュエータで駆動する工程と、
回転アクチュエータをN（N≦3.0）回転させた後にN逆回転させることを交互にサイクル数行うように制御する工程と、を備えている。

一実施形態において、Nは0.5, 1.0, 1.5, 2.0, 2.5及び3.0である。Nが0.5の場合、基板保持モジュールは0度から180度まで回転し、その後逆方向に回転する。回転速度が同一で、周波数が非常に高くなる。基板保持モジュールが180度未満までしか回転しない場合、基板表面のめっき速度が非対称になる。そのため、回転周期は0.5、1.0、1.5、2.0、2.5及び3.0とする必要がある。Nが3.0より大きい場合、例えば回転数60rpmであると、時計回りの回転に3秒、反時計回りの回転に3秒かかる。1周期に6秒かかる。Nが大きくなるほど、周期が長くなるため、上述した劇的な変化による撹拌作用が弱くなる。

一実施形態において、回転アクチュエータの回転数を120rpm未満に制御する。

上述した本発明の実施形態はいずれも、基板上のパターン構造において均一な金属析出を得るための無電解めっきに好適である。

また、上述した本発明の実施形態はいずれも、均一な形状を得るために基板上の金属を電気的に除去するのに好適である。

本発明に関する上述の説明は、例示及びの説明の目的で提示されたものである。網羅的であること、又は、上記の正確な形態に本発明を限定することは、意図されていない。上述した教示の観点から、多くの修正及び変更が可能であることは、明らかである。当業者にとって明らかな修正及び変更は、特許請求の範囲において定義される本発明の範囲に含まれる。

Claims

パターン構造を有する基板に金属を析出させるためのめっき装置であって、
電解液を収容するように構成されためっき浴と、基板を保持するように構成された基板保持モジュールと、前記基板がめっきされる前記電解液に浸されている間、前記基板保持モジュールを前記基板と共に駆動して水平方向及び／又は鉛直方向に振動させるように構成された少なくとも1つの駆動装置と、を備えためっき装置。
前記少なくとも1つの駆動装置は、モータ、シリンダ及びバイブレータのいずれかである、請求項１に記載のめっき装置。
前記基板保持モジュールは前記基板を水平に保持する、請求項１に記載のめっき装置。
前記基板保持モジュールは前記基板を鉛直に保持し、前記基板保持モジュール及び前記基板は前記電解液に鉛直に浸漬される、請求項１に記載のめっき装置。
前記電解液は流量V2を有し、前記少なくとも1つの駆動装置は、前記基板保持モジュールを駆動すると共に、前記基板を振動速度V1（V1≧0.2V2）で振動させる、請求項１に記載のめっき装置。
少なくとも1つの振動板をさらに備え、前記少なくとも1つの駆動装置は、前記基板保持モジュールを駆動して、振動又は前記少なくとも1つの振動板の固有周波数で共振させるように構成された、請求項１に記載のめっき装置。
取付板及び支持台座をさらに備え、前記基板保持モジュールはブラケットをさらに有し、前記振動板の一端は前記ブラケットに接続され、前記振動板の他端は前記取付板に接続され、前記取付板は前記支持台座に配置されている、請求項6に記載のめっき装置。
前記取付板は前記支持台座に沿って上下動可能である、請求項７に記載のめっき装置。
前記駆動装置は前記ブラケットに配置され、前記駆動装置はバイブレータである、請求項７に記載のめっき装置。
前記基板保持モジュールが振動するように駆動されている間、前記基板保持モジュールの振幅を制限するように構成された一対のリミットストップ部材をさらに備えた、請求項７に記載のめっき装置。
前記一対のリミットストップ部材は、前記ブラケットに配置され、前記振動板の両側にそれぞれ位置するか、或いは、前記取付板に配置され、前記振動板の両側にそれぞれ位置する、請求項１０に記載のめっき装置。
前記駆動装置は、一対のモータ又はシリンダであり、前記一対のモータ又はシリンダは、前記ブラケットに配置され、前記振動板の両側にそれぞれ配置されているか、或いは、前記取付板に配置され、前記振動板の両側にそれぞれ配置されている、請求項７に記載のめっき装置。
取付板及び支持台座をさらに備え、前記基板保持モジュールは固定装置及びブラケットをさらに有し、前記少なくとも1つの振動板は一対の振動板を含み、前記ブラケットは一対のアーム及びベース部を有し、前記ブラケットの前記一対のアームは、前記固定装置の両側に配置され、前記一対の振動板にそれぞれ接続され、前記一対の振動板は前記固定装
置の両側に接続され、前記ブラケットの前記ベース部は前記取付板に接続され、前記取付板は前記支持台座に配置されている、請求項６に記載のめっき装置。
前記取付板は、前記支持台座に沿って上下動可能である、請求項１３に記載のめっき装置。
前記基板保持モジュールは、鉛直連結部材、水平連結部材、弾性連結部材及びフレームをさらに有し、前記鉛直連結部材は、前記ブラケットの前記ベース部及び前記水平連結部材に連結され、前記水平連結部材は前記弾性連結部材に連結され、前記弾性連結部材は前記フレームに連結され、前記フレームは前記固定装置に固定されている、請求項１３に記載のめっき装置。
前記駆動装置は、前記固定装置に配置されたバイブレータである、請求項１３に記載のめっき装置。
前記駆動装置は、前記水平連結部材に配置されたモータ又はシリンダである、請求項１５に記載のめっき装置。
取付板及び支持台座をさらに備え、前記基板保持モジュールは固定装置をさらに有し、前記振動板は前記固定装置及び前記取付板の側面に接続され、前記取付板は前記支持台座に配置され、前記駆動装置は、前記取付板を支持台座に沿って上下動させて前記基板保持モジュールを鉛直方向に振動させる鉛直アクチュエータである、請求項６に記載のめっき装置。
前記少なくとも1つの振動板は、第１振動板と一対の第２振動板とを含み、前記少なくとも1つの駆動装置は第１駆動装置と第２駆動装置とを含み、前記第１駆動装置は、前記基板保持モジュールを駆動して水平方向に振動又は前記第１振動板の固有周波数で共振させるように構成され、前記第２駆動装置は、前記基板保持モジュールを駆動して鉛直方向に振動又は前記一対の第２振動板の固有周波数で共振させるように構成された、請求項６に記載のめっき装置。
前記第２駆動装置は鉛直アクチュエータである、請求項１９に記載のめっき装置。
前記基板を回転駆動するように構成された回転アクチュエータをさらに備えた、請求項６に記載のめっき装置。
前記基板保持モジュールは、連結板に固定された基板ホルダと、回転アクチュエータと、シャフトと、ベアリングと、一対の弾性部材とをさらに有し、前記基板ホルダは前記基板を保持するように構成され、前記シャフトの一端は前記回転アクチュエータに接続し、前記シャフトの他端は前記ベアリングを介して前記連結板に接続されており、前記一対の弾性部材は前記シャフト及び前記連結板に接続され、前記回転アクチュエータは前記シャフトを回転駆動して前記基板ホルダを回転速度w1で回転させ、前記基板ホルダがめっきのために回転する間、前記駆動装置は、前記基板ホルダを回転速度w2で時計回りに回転させると共に反時計回りに回転させる、請求項１に記載のめっき装置。
回転速度w2は回転速度w1よりも大きい、請求項２２に記載のめっき装置。
前記基板保持モジュールの振動周波数は0.1Hz～500Hzに設定されている、請求項１に記載のめっき装置。
前記基板保持モジュールの振幅は、前記基板の前記パターン構造のサイズよりも大きい、請求項１に記載のめっき装置。
前記基板保持モジュールの振幅は、25um～2000umに設定されている、請求項１に記載のめっき装置。
パターン構造を有する基板に金属を析出させるめっき方法であって、基板保持モジュールに前記基板を搭載して保持する工程と、めっき浴に収容された電解液に前記基板を浸漬させる工程と、前記基板が前記電解液に浸漬されてめっきが行われている間に前記基板保持モジュールを前記基板と共に駆動して水平方向及び／又は鉛直方向に振動させる工程と、を備えためっき方法。
前記基板保持モジュールにより前記基板を水平に保持する、請求項２７に記載のめっき方法。
前記基板保持モジュールにより前記基板を鉛直に保持し、前記基板保持モジュール及び前記基板を鉛直に前記電解液に浸漬する、請求項２７に記載のめっき方法。
前記電解液は流量V2を有し、前記基板保持モジュールと前記基板とを振動速度V1（V1≧0.2V2）で振動させるように駆動する、請求項２７に記載のめっき方法。
前記基板保持モジュールの振動周波数を0.1Hz～500Hzに設定する、請求項２７に記載のめっき方法。
前記基板保持モジュールの振幅は前記基板の前記パターン構造のサイズよりも大きい、請求項２７に記載のめっき方法。
前記基板保持モジュールの振幅を25um～2000umに設定する、請求項２７に記載のめっき方法。
前記基板がめっきされる前記電解液に浸漬されている間、前記基板を回転させるように駆動することをさらに含む、請求項２７に記載のめっき方法。
パターン構造を有する基板に金属を析出させるためのめっき装置であって、電解液を収容するように構成されためっき浴と、基板を保持するように構成された基板保持モジュールと、前記基板保持モジュールを前記基板と共に回転駆動するように構成された回転アクチュエータと、前記回転アクチュエータをN（N≦3.0）回転させた後にN逆回転させることを交互にサイクル数行うように構成されたコントローラと、を備えためっき装置。
Nが0.5, 1.0, 1.5, 2.0, 2.5及び3.0である、請求項３５に記載のめっき装置。
前記回転アクチュエータの回転速度が120rpm未満である、請求項３５に記載のめっき装置。
パターン構造を有する基板に金属を析出させるめっき方法であって、基板保持モジュールに前記基板を搭載して保持する工程と、めっき浴に収容された電解液に前記基板を浸漬させる工程と、前記基板を前記電解液に浸漬させてめっきが行われている間に前記基板保持モジュールを前記基板と共に回転アクチュエータで回転駆動する工程と、前記回転アクチュエータをN（N≦3.0）回転させた後にN逆回転させることを交互にサイクル数行うように制御する工程と、を備えためっき方法。
Nが0.5, 1.0, 1.5, 2.0, 2.5及び3.0である、請求項３８に記載のめっき方法。
前記回転アクチュエータの回転速度を120rpm未満とする、請求項３８に記載のめっき方法。