JP2023521154A - アンテナ・モジュール、アンテナ・モジュールの製造方法、及び電子デバイス - Google Patents

アンテナ・モジュール、アンテナ・モジュールの製造方法、及び電子デバイス Download PDF

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Abstract

本願は、アンテナ・モジュール、アンテナ・モジュールの製造方法、及び電子デバイスを提供する。アンテナ・モジュールは：無線周波数信号を生成するように構成された集積回路；第１の溝を設けた第１のセクションと第２のセクションとを含む第１の絶縁媒体基板であって、集積回路が第１の溝に配置されている、第１の絶縁媒体基板；導電性構造を含むフレキシブル基板であって、前記フレキシブル基板は第１の絶縁媒体基板上に積層されており、第１のセクションと第２のセクションとの間に位置する、フレキシブル基板のうちの部分は、曲がることが可能である、フレキシブル基板；及びアンテナ構造を含み、アンテナ構造は、第１のセクションに配置され且つ導電性構造と集積回路に接続された第１のメタル構造と、第２のセクションに配置され且つ導電性構造に接続された第２のメタル構造とを含む。本願におけるアンテナ・モジュール、アンテナ・モジュールの製造方法、及び電子デバイスによれば、プラスチック・パッケージング・プロセスを実行する必要はない。これは、プラスチック・パッケージング材料と基板の相違する熱膨張係数によって引き起こされる反り問題を回避し、製品不具合のリスクを低減する。更に、より多くの方向の信号カバレッジを実現することができ、アンテナ構造の形状に制限は課されない。従って、高いゲインのアンテナ構造を製造することができる。

Description

[0001] 本願は、2020年4月10日に中国国家知識産権局に出願された「アンテナ・モジュール、アンテナ・モジュールの製造方法、及び電子デバイス」と題する中国特許出願第202010280737.9号に対する優先権を主張しており、その全体が参照により本件に援用されている。
[0002] 技術分野
本願は、通信技術の分野に関連し、特にアンテナ・モジュール、アンテナ・モジュールの製造方法、及び電子デバイスに関連する。
[0003] 背景
アンテナ・イン・パッケージ（Antenna in Package，AiP）は、主に、アンテナ、無線周波数チップ、及び基板を含む。アンテナは、基板の第1の表面に配置される。無線周波数チップは、ハンダ・ボールを使用することにより基板の第2の表面に取り付けられ、基板内の回路を使用することによりアンテナに接続される。プラスチック・パッケージング・プロテクションの間に、プラスチック・パッケージング材料と基板の相違する熱膨張係数に起因して、ワーピング現象（warping phenomenon）が起こりやすい。その結果、パッケージングや基板への接続のような後工程の実施が困難となり、製品不良のリスクが高くなる。更に、電磁干渉を防止するために、通常、プラスチック・パッケージング層の外側に金属を電気めっきすることによって、シールド層が形成される。しかしながら、金属をスパッタリングするプロセスや金属を電気めっきするプロセスのような、シールド層の製造プロセスは複雑であり、高価である。その結果、どちらかと言えば処理が困難であり、処理に時間がかかる。これはコスト削減につながらない。更に、基板の平坦な構造は、基板上に形成されるアンテナ・パターンのカバレッジ方向を制限するので、パッケージ内の単一のアンテナは、端末デバイスの前方と側方において、優れたゲインを同時に実現することはできない。具体的には、アンテナは、無線周波数チップに平行な基板面の方向においてのみ実装されることが可能であり、別の方向におけるアンテナのゲイン効果は、相対的に貧弱である。
[0004] 従来技術における前述の問題を克服するために、本願は、アンテナ・モジュール、アンテナ・モジュールの製造方法、及び電子デバイスを提供する。プラスチック・パッケージング・プロセスを行う必要はない。これは、プラスチック・パッケージング材料と基板の相違する熱膨張係数によって引き起こされるワーピング問題を回避し、製品不良のリスクを低減する。更に、より多くの方向における信号カバレッジを実現することが可能であり、アンテナ構造の形状に制限は課されない。従って、高いゲインのアンテナ構造を製造することができる。
[0005] このことを考慮して、以下の技術的解決策が本願の実施態様で使用される。
[0006] 第１の態様によれば、本願の実施形態はアンテナ・モジュールを提供し、アンテナ・モジュールは、無線周波数信号を生成するように構成された集積回路；第１の溝を設けた第１のセクションと第１のセクションから隔てられた第２のセクションとを含む第１の絶縁媒体基板であって、集積回路は第１の溝に配置される、第１の絶縁媒体基板；第１の絶縁媒体基板上に積層されたフレキシブル基板であって、第１のセクションと第２のセクションとの間に位置する、フレキシブル基板のうちの中間部分は、曲がることが可能であり、フレキシブル基板は導電性構造を含む、フレキシブル基板；及び第１のセクションに配置された第１のメタル構造と第２のセクションに配置された第２のメタル構造とを含むアンテナ構造であって、第１のメタル構造は導電性構造と集積回路に接続され、第２のメタル構造は導電性構造に接続されている、アンテナ構造を含む。
[0007] オプションとして、アンテナ構造は、第１の絶縁媒体基板の外面と内側に銅をメッキすることによって形成され、且つ集積回路に接続されている。
[0008] オプションとして、第２の溝はフレキシブル基板に設けられ、第２の溝は第１の溝に対向して配置され、集積回路は第１の溝と第２の溝の中に配置されている。
[0009] オプションとして、フレキシブル基板は基板フィルムを更に含み、導電性構造は、基板フィルムの両側に配置された第１のメタル層と第２のメタル層を含み、接続メタル層が基板フィルムを通じて配置され、接続メタル層は第１のメタル層と第２のメタル層を接続している。
[0010] オプションとして、フレキシブル基板の導電性構造の外面であって他の構造が積層されていない外面に、第１の保護層が配置されている。
[0011] オプションとして、第１の絶縁媒体基板は第１の層基板を含み、第１の溝と第１のスルー・ホールは第１の層基板に設けられており；第１のメタル構造は、第１の層基板の第１のセクションの外面に配置された第１のメタル層と、第１の接続部分とを含み、第１の接続部分は、第１のスルー・ホールに配置され、且つ第１のメタル層とフレキシブル基板の導電性構造とを接続し；及び第２のメタル構造は、第１の層基板の第２のセクションの外面に配置された第１のメタル層と、第１の接続部分とを含み、第１の接続部分は、第１のスルー・ホールに配置され、且つ第１のメタル層とフレキシブル基板の前記導電性構造とを接続している。
[0012] オプションとして、第１の絶縁媒体基板は、第１の層基板の或る側であってフレキシブル基板から隔てられた側に積層された第２の層基板を含み、第１のメタル層は第２の層基板に配置され、第２の層基板に第２のスルー・ホールが設けられており；第１のメタル構造は、第２の層基板の第１のセクションの外面に配置された第２のメタル層と、第２の接続部分と更に含み、第２の接続部分は、第２のスルー・ホールに配置され、且つ第２のメタル層と第１のメタル層を接続し；及び第２のメタル構造は、第２の層基板の第２のセクションの外面に配置された第２のメタル層と、第２の接続部分とを更に含み、第２の接続部分は、第２のスルー・ホールに配置され、且つ第２のメタル層と第１のメタル層を接続している。
[0013] オプションとして、アンテナ・モジュールは、フレキシブル基板の或る側であって第１の絶縁媒体基板から隔てられた側に配置された第２の絶縁媒体基板を含み、第２の絶縁媒体基板は：第１のセクションに対応して配置された第３のセクションであって、フレキシブル基板の導電性構造に接続された第３のメタル構造は第３のセクションに配置されており、アンテナ構造は第３のメタル構造を更に含んでいる、第３のセクション；及び／又は第２のセクションに対応して配置された第４のセクションであって、フレキシブル基板の導電性構造に接続された第４のメタル構造は第４のセクションに配置されており、アンテナ構造は前記第４のメタル構造を更に含んでいる、第４のセクションを含む。
[0014] オプションとして、第２の絶縁媒体基板に第３のスルー・ホールが設けられており；第３のメタル構造は、第２の絶縁媒体基板の第３のセクションの外面に配置された第３のメタル層と、第３の接続部分とを含み、第３の接続部分は、第３のスルー・ホールに配置され、且つ第３のメタル層とフレキシブル基板の導電性構造とを接続しており；及び／又は第４のメタル構造は、第２の絶縁媒体基板の第４のセクションの外面に配置された第３のメタル層と、第３の接続部分とを含み、第３の接続部分は、第３のスルー・ホールに配置され、且つ第３のメタル層とフレキシブル基板の導電性構造とを接続している。
[0015] オプションとして、第３のメタル構造及び／又は第４のメタル構造、及び第２の絶縁媒体基板の外面であってフレキシブル基板から隔てられた外面に、第２の保護層が配置されている。
[0016] オプションとして、第１のメタル構造、第２のメタル構造、及び第１の絶縁媒体基板の外面であってフレキシブル基板から隔てられた外面に、第２の保護層が配置されている。
[0017] オプションとして、第１のメタル構造の一部分を露出させるスロットが第２の保護層に設けられ、その露出した第１のメタル構造に接続されるハンダがスロットに配置される。
[0018] オプションとして、フレキシブル基板の一方端は、第１のセクションから延出するように配置され、フレキシブル基板の延出した部分は曲がることが可能であり、延出した部分における導電性構造にコネクタが接続されている。
[0019] オプションとして、集積回路は、無線周波数チップ及び電力管理チップのうちの少なくとも１つを含む。
[0020] 第２の態様によれば、本願の実施形態は、第１の態様によるアンテナ・モジュールを含む電子デバイスを提供する。
[0021] 第３の態様によれば、本願の実施形態はアンテナ・モジュールの製造方法を提供する。製造方法は：第１の絶縁媒体基板を、互いに隔てられた第１のセクションと第２のセクションに切断し、第１のセクションに第１の溝を設けるステップ；第１の溝に集積回路を配置するステップ；第１のセクションと第２のセクションに、導電性構造を有するフレキシブル基板を積層するステップ；及び第１のメタル構造を第１のセクションに配置し、第２のメタル構造を第２のセクションに配置するステップであって、第１のメタル構造は導電性構造と集積回路に接続され、第２のメタル構造は導電性構造に接続され、アンテナ構造は第１のメタル構造と第２のメタル構造を含む、ステップを含む。
[0022] オプションとして、第１のセクションと第２のセクションにフレキシブル基板を積層するステップの前に、第２の溝がフレキシブル基板に設けられ、フレキシブル基板の導電性構造の外面であって他の構造が積層されていない外面に第１の保護層が設けられる。第１のセクションと第２のセクションにフレキシブル基板が積層される場合に、第２の溝は第１の溝に対向できるようにされ、集積回路が第１の溝と第２の溝に配置される。
[0023] オプションとして、アンテナ構造は、第１の絶縁媒体基板の外面と内側に銅をメッキすることによって形成され、且つ集積回路に接続される。
[0024] オプションとして、製造方法は：第２の絶縁媒体基板のうちの、第１のセクションに対応する第３のセクションを、フレキシブル基板に積層し、第３のメタル構造を第３のセクションに配置するステップであって、第３のメタル構造は、フレキシブル基板の導電性構造に接続され、アンテナ構造は第３のメタル構造を更に含む、ステップ；及び／又は第２の絶縁媒体基板のうちの、第２のセクションに対応する第４のセクションを、フレキシブル基板に積層し、第４メタル構造を第４のセクションに配置するステップであって、第４のメタル構造は、フレキシブル基板の導電性構造に接続され、アンテナ構造は第４のメタル構造を更に含む、ステップを含む。
[0025] オプションとして、第３のメタル構造及び／又は第４のメタル構造、及び第２の絶縁媒体基板の外面であってフレキシブル基板から隔てられた外面に、第２の保護層を配置するステップを含む。
[0026] オプションとして、第１の絶縁媒体基板は、第１の溝が設けられる第１の層基板を含む。第１のメタル構造を第１のセクションに配置し、第２のメタル構造を第２のセクションに配置するステップは：第１のスルー・ホールを第１の層基板に設けるステップ；第１の層基板の第１のセクションの外面に、第１のメタル層を配置し、第１のメタル層と導電性構造を接続する第１の接続部分を、第１のスルー・ホールに配置するステップであって、第１のメタル構造は第１のメタル層と第１の接続部分を含む、ステップ；及び第１の層基板の第２のセクションの外面に、第１のメタル層を配置し、第１のメタル層と導電性構造を接続する第１の接続部分を、第１のスルー・ホールに配置するステップであって、第２のメタル構造は第１のメタル層と第１の接続部分を含む、ステップを含む。
[0027] オプションとして、第１の絶縁媒体基板は、第２の層基板を更に含む。第１のメタル構造を第１のセクションに配置し、第２のメタル構造を第２のセクションに配置するステップは：第２のスルー・ホールを第２の層基板に設けるステップ；第１の層基板の或る側であって第１のメタル層が配置される側に対して、第２の層基板のプレスフィットを実行するステップ；第２の層基板の第１のセクションの外面に第２のメタル層を配置し、第１のメタル層と第２のメタル層を接続する第２の接続部分を、第２のスルー・ホールに配置するステップであって、第１のメタル構造は第２のメタル層と第２の接続部分を更に含む、ステップ；及び第２の層基板の第２のセクションの外面に第２のメタル層を配置し、第１のメタル層と第２のメタル層を接続する第２の接続部分を、第２のスルー・ホールに配置するステップであって、第２のメタル構造は第２のメタル層と第２の接続部分を更に含む、ステップを含む。
[0028] オプションとして、製造方法は、第１のメタル構造、第２のメタル構造、及び第１の絶縁媒体基板の外面であってフレキシブルから隔てられた外面に、第２の保護層を配置するステップを含む。
[0029] オプションとして、製造方法は、第１のメタル構造の一部分を露出させるスロットを、第１のセクションに配置された第２の保護層に設けるステップ；及びその露出した第１のメタル構造に接続されるハンダをスロットに配置するステップを含む。
[0030] 前述の技術的解決策では、第1の溝が第1の絶縁媒体基板上に設けられ、無線周波数信号を生成する集積回路（例えば、無線周波数チップ及び/又は電力管理チップ）が第1の溝に配置される。こうして、第1の絶縁媒体基板は、集積回路を保護するように集積回路の周囲に配置されることが可能になり、プラスチック・パッケージング・プロセスを行う必要はない。これは、プラスチック・パッケージ材料と基板の相違する熱膨張係数によって引き起こされる反り問題を回避し、製品不具合のリスクを低減する。また、処理は利便性がよく、コストと時間の削減にも役立り、重量や体積を減らすことも可能である。更に、本願で提供されるアンテナ・モジュールであってフレキシブル基板と剛性の高い基板（絶縁媒体基板）とを結合するものによれば、フレキシブル基板の層の数量は比較的少なく、曲げる際にアライメント効果は比較的良好であり、より多くの方向における信号カバレッジを実現することができる。更に、アンテナ構造は、第1の絶縁媒体上に配置され、必要なアンテナ構造に基づいて、第1の絶縁媒体の厚さ及び/又は層の数量を設定することが可能である。従って、アンテナ構造の形状は制限されず、アンテナ構造のゲイン及び帯域幅は制限されない。
[0031] 本発明の他の特徴及び利点は、以下の具体的な実施形態において詳細に説明される。
[0032] 以下、実施形態又は従来技術を説明するために必要な添付図面を簡単に説明する。
[0033] 図1は、本発明の実施形態1によるアンテナ・モジュールの簡略化された構造の概略図である。 [0034] 図2は、本発明の実施形態1によるアンテナ・モジュールの詳細な構造の概略図である。 [0035] 図3は、本発明の実施形態2によるアンテナ・モジュールの詳細な構造の概略図である。 [0036] 図4は、本発明の実施形態3によるアンテナ・モジュールの詳細な構造の概略図である。 [0037] 図5は、本発明の実施形態4によるアンテナ・モジュールの製造方法のフローチャートである。 [0038] 図6ないし図14は、本発明の実施形態4によるアンテナ・モジュールの製造方法のプロセス図である。 [0038] 図6ないし図14は、本発明の実施形態4によるアンテナ・モジュールの製造方法のプロセス図である。 [0038] 図6ないし図14は、本発明の実施形態4によるアンテナ・モジュールの製造方法のプロセス図である。 [0038] 図6ないし図14は、本発明の実施形態4によるアンテナ・モジュールの製造方法のプロセス図である。 [0038] 図6ないし図14は、本発明の実施形態4によるアンテナ・モジュールの製造方法のプロセス図である。 [0038] 図6ないし図14は、本発明の実施形態4によるアンテナ・モジュールの製造方法のプロセス図である。 [0038] 図6ないし図14は、本発明の実施形態4によるアンテナ・モジュールの製造方法のプロセス図である。 [0038] 図6ないし図14は、本発明の実施形態4によるアンテナ・モジュールの製造方法のプロセス図である。 [0038] 図6ないし図14は、本発明の実施形態4によるアンテナ・モジュールの製造方法のプロセス図である。
[0039] 以下、本願の実施態様における添付図面を参照しながら本願の実施態様における技術的解決策を説明する。
[0040] 本願の説明において、「中心」、「上方」、「下方」、「前方」、「後方」、「左方」、「右方」、「垂直」、「水平」、「トップ」、「ボトム」、「内方」、「外方」等の用語によって示される方向又は位置関係は、添付図面に基づいて示される方向又は位置関係であり、本願を説明し且つ説明をシンプルにするのを支援するように意図されているにすぎず、言及される装置又は要素が、特定の配向を有する必要があること、或いは特定の方向で構築されたり作動させられたりする必要があること、を示す又は意味するようには意図されていない。従って、これらの用語を本願に関する限定として理解することはできない。
[0041] 本願の説明において、別段の指定や明示的な限定がない限り、「搭載」、「接続」及び「コネクション」という用語は、広い意味で理解されるべきであり、例えば、固定された接続であってもよいし、分離可能な接続であってもよいし、或いは、隣接した接続又は統合された接続であってもよいことに留意すべきである。当業者は、特定の状況に基づいて、本願における前述の用語の特定の意味を理解することが可能である。
[0042] 本明細書の説明において、説明される特定の素性、構造、材料、又は特徴は、実施形態又は事例のうちの任意の1つ以上において、適切な方法で組み合わせられてもよい。
[0043] 図1は、本発明の実施形態1によるアンテナ・モジュールの簡略化された構造の概略図である。図1に示されるように、アンテナ・モジュールは、無線周波数信号を生成するように構成された集積回路1と、第1の絶縁媒体基板2と、フレキシブル基板4と、アンテナ構造3とを含む。第1の絶縁媒体基板2は、第1の溝を備えた第1のセクションZ1と、第1のセクションZ1から離間された第2のセクションZ2とを含む。集積回路1は、第1の溝に配置される。フレキシブル基板4は、第1の絶縁媒体基板2上に積層される。フレキシブル基板4のうちの中間部Tであって、第1のセクションZ1と第2のセクションZ2との間に位置する中間部Tは、曲げることが可能である。フレキシブル基板4は、導電性構造41を含む。アンテナ構造3は、第1のセクションZ1に配置された第1のメタル構造J1と、第2のセクションZ2に配置された第2のメタル構造J2とを含む。第1のメタル構造J1は導電性構造41と集積回路1に接続され、第2のメタル構造J2は導電性構造41に接続される。換言すれば、第1のメタル構造J1は集積回路1に直接的に接続されてもよく、第2のメタル構造J2は、導電性構造41及び第1のメタル構造J1に接続することによって、集積回路1に間接的に接続され、集積回路1によって生成される無線周波数信号を放射する。集積回路1は、無線周波数チップ及び電力管理チップのうちの少なくとも1つを含む可能性がある。例えば、集積回路1は無線周波数チップを含んでもよい。あるいは、集積回路1は、無線周波数チップと電力管理チップを含んでもよい。更に、第1の絶縁媒体基板2は、剛性の高い基板の絶縁媒体層であってもよい。第1の絶縁媒体基板2の材料は、プリプレグであってもよい。
[0044] 前述の技術的解決策では、第1の溝が、第1の絶縁媒体基板2上に設けられ、無線周波数信号を生成する集積回路1が第1の溝に配置される。このようにして、第1の絶縁媒体基板2は、集積回路を保護するために、集積回路1の周囲に配置されることが可能であり、プラスチック・パッケージング・プロセスを実行する必要はない。これは、プラスチック・パッケージング材料と基板の相違する熱膨張係数によって引き起こされるワーピング問題を回避し、製品不良のリスクを低減する。更に、処理は利便性がよく、コストと時間の削減にも役立つ。具体的には、アンテナ・モジュールは、基板工場で処理されることを必要とするだけであり、パッケージング作業のためにパッケージング工場に移すことを必要としない。これは、工場間の移動を回避し、重量や容積を減らすことができる。
[0045] 更に、無線周波数チップがフレキシブル基板に実装され、アンテナ・パターンがフレキシブル基板上に印刷される解決策において、フレキシブル基板が曲げられると、より多くの方向の信号カバレッジを実現することができる。しかしながら、剛性の高い基板と比較して、フレキシブル基板は、層の厚さと分量の両方に強い制約を有する。具体的には、曲げる際に、フレキシブル基板の比較的大きな厚さ及び/又は比較的多い分量の層は、アライメントの不具合を招く。けれども、アンテナのゲイン及び帯域幅を実現することは、層の厚さと分量に関して特定の要件を有する。その結果、アンテナの利得と帯域幅の両方が制限される。本願で提供されるアンテナ・モジュールであってフレキシブル基板と剛性の高い基板（絶縁媒体基板）とを組み合わせたアンテナモジュールによれば、フレキシブル基板の層の分量は比較的少なく、曲げる際に、アライメントの影響は比較的良好であり、より多くの方向における信号カバレッジを実現することができる。更に、アンテナ構造は、第1の絶縁媒体に配置され、第1の絶縁媒体の層の厚さ及び/又は分量は、必要とされるアンテナ構造に基づいて設定されることが可能である。従って、アンテナ構造の形状は制限されず、アンテナ構造のゲイン及び帯域幅は制限されず、高いゲインを有するアンテナ構造を製造することができる。
[0046] 無線周波数チップがハンダ・ボールを使用することによって基板に接続される場合、特に無線周波数チップが高い周波数で適用される場合、比較的大きな損失が生じることを考慮すると、アンテナの利得に重大な影響を及ぼす可能性がある大きな損失が存在する。従って、本願において、アンテナ構造3は、第1の絶縁媒体基板2の外面及び内側に銅をメッキすることによって形成され、集積回路1に接続される。このようにして、アンテナ構造3は、集積回路1と第1の絶縁媒体基板2に良好に接続され、それによって、相互接続損失を低減し、導電性パフォーマンスを改善し、より良い信号伝送パフォーマンスを実現し、製品の信頼性を向上させる。更に、追加的なケーブルや接続部材は必要とされず、それにより、構成要素の数量を減らし、組立を容易にし、コスト削減を支援する。あるいは、アンテナ構造3は、銅の層をエッチングすることによって形成されてもよい。
[0047] 引き続き図1を参照すると、フレキシブル基板4の一端は、第1のセクションZ1の外に延びるように配置されてもよく、フレキシブル基板4のうちの延出した部分Sは、曲がることが可能である。コネクタ6は、延出した部分Sにおいて、導電性構造41に接続される。コネクタ6は、PCB基板のような構造に接続されてもよい。このように、フレキシブル基板4の中間部Tと延出した部分Sは曲げられると、アンテナ構造3として使用される第1のメタル構造J1と第2のメタル構造J2とが、異なる方向に向いて、異なる方向をカバーすることができる。
[0048] 図2は、本発明の実施形態1によるアンテナ・モジュールの詳細な構造の概略図である。図2に示されるように、フレキシブル基板4は、基板フィルム42を更に含むことが可能である。導電性構造41は、基板フィルム42の両側に配置された第1のメタル層411及び第2のメタル層412と、基板フィルム42を貫通して配置された接続メタル層413とを含むことが可能である。接続メタル層413は、第1のメタル層411と第2のメタル層412とを接続する。また、第1の保護層P1は、フレキシブル基板4の導電性構造41の外面であって他の構造が積層されていない外面、に配置される。具体的には、第1の保護層P1は、物理的な保護膜、電磁シールド膜などであってもよく、接着剤Nを用いて導電性構造41に結合されてもよい。第1の保護層P1が電磁シールド膜である場合、電磁シールド機能が集積回路上で実現されることが可能である。なお、本件における「他の構造」は、第1の絶縁媒体基板2の第1のセクションZ1及び第2のセクションZ2、並びに、（図4に示される）後述する第2の絶縁媒体基板5の第3のセクションZ3及び第4のセクションZ4を指す可能性がある。更に、フレキシブル基板4の導電性構造41をより良好に保護するために、フレキシブル基板4の屈曲可能な中間部Tの外面に配置された第1の保護層P1は、第1のセクションZ1、第2のセクションZ2、後述される第2の絶縁媒体基板5の第3のセクションZ3及び第4のセクションと個々にオーバーラップしている。同様に、上述したフレキシブル基板4の延出した部分Sの外面に配置された第1の保護層P1は、（図4に示される）後述される第2の絶縁媒体基板5の第3のセクションZ3及び第1のセクションと個々にオーバーラップしている。
[0049] 引き続き図2を参照すると、第1の絶縁媒体基板2は、第1の層基板21を含んでもよい。第1の溝と第1のスルー・ホールは、第1の層基板21に設けられている。第1の溝は、厚さ方向に第1の層基板21を貫通していてもよい。第1のメタル構造J1は、第1の層基板21のうちの第1のセクションZ1の外面に配置された第1のメタル層M1と第1の接続部分L1とを含むことが可能であり、第1の接続部分L1は、第1のスルー・ホールに配置されており、第1のメタル層M1とフレキシブル基板4の導電性構造41とを接続する。更に、第2のメタル構造J2は、第1の層基板21のうちの第2のセクションZ2の外面に配置された第1のメタル層M1’と第1の接続部分L1’とを含むことが可能であり、第1の接続部分L1’は、第1のスルー・ホールに配置されており、第1のメタル層M1’とフレキシブル基板4の導電性構造41とを接続する。この場合、第1のメタル構造J1の第1のメタル層M1のパターン形状は、第2のメタル構造J2の第1のメタル層M1’のパターン形状とは相違する可能性がある。相応に、第1のメタル構造J1の第1の接続部分L1の数量は、第2のメタル構造J2の第1の接続部分L1’の数量と相違する可能性がある。
[0050] オプションとして、第1の絶縁媒体基板2は、第1の層基板21の或る側に積層され且つフレキシブル基板4から離間された第2の層基板22を更に含むことが可能である。第1のメタル層M1は、第2の層基板22に配置され、第2のスルー・ホールは、第2の層基板22に配置される。第1のメタル構造J1は、更に、第2の層基板22の外面に配置された第2のメタル層M2と第2の接続部分L2とを含み、第2の接続部分L2は、第2のスルー・ホールに配置され且つ第2のメタル層M2と第1のメタル層M1とを接続する。また、第2のメタル構造J2は、更に、第2の層基板22の第2のセクションZ2の外面に配置された第2のメタル層M2’と、第2の接続部分L2’とを含み、第2の接続部分L2’は、第2のスルー・ホールに配置されており、第2のメタル層M2’と第1のメタル層M1’とを接続する。この場合、第1のメタル構造J1の第2のメタル層M2のパターン形状は、第2のメタル構造J2の第2のメタル層M2’のパターン形状とは相違する可能性がある。相応に、第1のメタル構造J1の第2の接続部分L2の数量は、第2のメタル構造J2の第2の接続部分L2’の数量と相違する可能性がある。
[0051] 上述の解決策において、第1のメタル構造J1は、2つのメタル層M1及びM2と、2つの接続部分LI及びL2とを含む。第2のメタル構造J2は、2つのメタル層M1’及びM2’と、2つの接続部分LI’及びL2’とを含む。必要に応じて、第1のメタル構造J1と第2のメタル構造J2は、隣接するメタル層を接続する、より多くのメタル層及び接続部分を更に含んでもよいことが理解されるであろう。
[0052] 更に、アンテナ・モジュールをより良好に保護するために、図2に示されるように、第1のメタル構造J1、第2のメタル構造J2、及び第1の絶縁媒体基板2の外面であって、フレキシブル基板4から離間された外面に、第2の保護層P2が配置されている。第2の保護層P2は、グリーン・ペイントであってもよい。
[0053] 図3は、本発明の実施形態2によるアンテナ・モジュールの詳細な構造の概略図である。図3に示されるように、第1のメタル構造J1の一部を露出するためのスロットが、第2の保護層P2に設けられている。露出された第1のメタル構造J1に接続されるハンダ7は、スロットに配置され、その結果、ハンダ7は、PCB基板のような構造に接合される。ハンダ7はスズ又はニッケルであってもよい。この場合、フレキシブル基板4の一端は、第1のセクションZ1の外に延びることなく配置される（両者は互いに面一になる）。
[0054] 図4は、本発明の実施形態3によるアンテナ・モジュールの詳細な構造の概略図である。図4に示されるように、集積回路1の厚さが比較的大きい場合、例えば、集積回路1が、互いに積み重ねられた無線周波数チップと電力管理チップを含む場合、オプションとして、第2の溝がフレキシブル基板4に設けられ、第2の溝は第1の溝と反対側に配置され、集積回路1は第1の溝と第2の溝に配置される。第2の溝は、フレキシブル基板4を貫通してもよい。
[0055] 更に、できるだけ多くのアンテナ構造を配置するために、アンテナ・モジュールは、フレキシブル基板4の或る側に配置され且つ第1の絶縁媒体基板2から離間された側に配置された第2の絶縁媒体基板5を更に含むことが可能である。第2の絶縁媒体基板5は、第2のセクションZ2に対応して配置された第4のセクションZ4を含むことが可能である。フレキシブル基板4の導電性構造41に接続された第4のメタル構造J4は、第4のセクションZ4に配置されている。アンテナ構造3は、図4に示されるように、第4のメタル構造J4を更に含む。オプションとして、第2の絶縁媒体基板5は、第1のセクションZ1に対応して配置された第3のセクションZ3を更に含んでもよい。フレキシブル基板4の導電性構造41に接続された第3のメタル構造J3は、第3のセクションZ3に配置されている。アンテナ構造3は、図4に示されるように、第3のメタル構造J3を更に含む。確かに、第2の絶縁媒体基板5は、代替的に、第3の領域Z3のみを含んでもよく、第3のメタル構造J3は、第3の領域Z3に配置される。
[0056] 引き続き図4を参照すると、第3のスルー・ホールが、第2の絶縁媒体基板5に設けられている。第3のメタル構造J3は、第2の絶縁媒体基板5の第3のセクションZ3の外面に配置された第3のメタル層M3と、第3の接続部分L3とを含み、第3の接続部分L3は、第3のスルー・ホールに配置されており、第3のメタル層M3とフレキシブル基板4の導電性構造41とを接続する。また、第4のメタル構造J4は、第2の絶縁媒体基板5の第4のセクションZ4の外面に配置された第3のメタル層M3’と、第3の接続部分L3’とを含み、第3の接続部分L3’は、第3のスルー・ホールに配置されており、第3のメタル層M3’とフレキシブル基板4の導電性構造41とを接続する。
[0057] 更に、アンテナ・モジュールをより良好に保護するために、第3のメタル構造J3及び/又は第4のメタル構造J4、並びに第2の絶縁媒体基板5の外面であって、フレキシブル基板4から離間された外面に、第2の保護層P2が配置される。
[0058] 図5は、本発明の実施形態4によるアンテナ・モジュールの製造方法のフローチャートである。図6ないし図14は、本発明の実施形態4によるアンテナ・モジュールの製造方法のプロセス図である。一連のステップは作業要件に基づいて調整されることが可能である。また、本発明の実施形態1、実施形態2、及び実施形態3におけるアンテナ・モジュールの製造方法の手順は、図5に示されるものに類似しており、詳細はここでは説明されない。図5に示されるように、実施形態4におけるアンテナ・モジュールの製造方法は、具体的には以下のステップを含むことが可能である。
[0059] ステップS1401：図6に示されるように、第1の絶縁媒体基板2の第1の層基板21を、互いに隔てられた第1のセクションZ1と第2のセクションZ2に切断し、第1のセクションZ1に第1の溝C1を設ける。
[0060] ステップS1402：図7に示されるように、フレキシブル基板4に第2の溝C2を設け、フレキシブル基板4の導電性構造41の外面であって、他の構造が積層されていない外面、に第1の保護層P1を配置する。例えば、保護層P1は、屈曲可能な中間部Tに配置される。また、第2の溝C2は厚み方向にフレキシブル基板4を貫通してもよい。更に、フレキシブル基板4は、基板フィルム42を含んでもよい。導電性構造41は、基板フィルム42の両側に配置された第1のメタル層411及び第2のメタル層412と、基板フィルム42を貫通して配置された接続メタル層413とを含んでもよい。接続メタル層413は、第1のメタル層411と第2のメタル層412とを接続する。更に、第1のメタル層411と第2のメタル層412は、作業要件に基づいて、異なるパターン形状として配置されてもよい。
[0061] ステップS1403：図8に示されるように、第1の絶縁媒体基板2の第1の基板21の第1のセクションZ1と第2のセクションZ2を、接着層でコーティングされたキャリア基板B上に配置し、次いで、第1のセクションZ1と第2のセクションZ2上にフレキシブル基板4を積層し、第2の溝C2が第1の溝C1と対向することを可能にし、第1の溝C1と第2の溝C2の中に集積回路1を配置する。このようにして、集積回路を保護するために、第1の絶縁媒体基板2とフレキシブル基板4を集積回路1の周辺に配置することが可能になり、プラスチック・パッケージング・プロセスを行う必要はない。これは、プラスチック・パッケージ材料と基板の相違する熱膨張係数によって引き起こされる反り問題を回避し、製品不具合のリスクを低減する。また、処理は利便性がよく、コストと時間の削減にも役立つ。更に、キャリア基板B上にコーティングされた接着層は、集積回路1を固定することができる。
[0062] 更に、フレキシブル基板4が第1の絶縁媒体基板2に積層される場合に、フレキシブル基板4の屈曲可能な中間部Tの対向する外面に配置された第1の保護層P1は、第1のセクションZ1及び第2のセクションZ2とオーバーラップしてもよく、その結果、両者の接続の信頼性は比較的高くなり、フレキシブル基板4の導電性構造を良好に保護することができる。
[0063] ステップS1404：図9に示されるように、第2の絶縁媒体基板5のうちの、第1のセクションZ1に対応する第3のセクションを、フレキシブル基板4上に積層し、第2の絶縁媒体基板5のうちの、第2のセクションZ2に対応する第4のセクションZ4を、フレキシブル基板4上に積層する。第3のセクションZ3と第4のセクションZ4は、フレキシブル基板4の中間部Tの対向する外面に設けられた第1の保護層P1とオーバーラップしている。
[0064] ステップS1405：図10に示されるように、キャリア基板Bを除去し、第1のメタル構造J1を第1のセクションZ1に配置し、第2のメタル構造J2を第2のセクションZ2に配置し、ここで、第1のメタル構造J1は導電性構造41と集積回路1に接続され、第2のメタル構造J2は導電性構造41に接続される；そして、第3のメタル構造J3を第3のセクションZ3に配置し、第4のメタル構造J4を第4のセクションZ4に配置し、ここで、第3のメタル構造J3と第4のメタル構造J4の双方はフレキシブル基板4の導電性構造41に接続され、アンテナ構造3は、第1のメタル構造J1、第2のメタル構造J2、第3のメタル構造J3、及び第4のメタル構造J4を含む。アンテナ構造3の一部分は、レーザー穿孔、シード層のスパッタリング、フォトレジスト・コーティング、露光、現像、電気メッキ、エッチング等のステップを使用することにより形成されてもよい。
[0065] フレキシブル基板4の中間部Tであって、第1のセクションZ1と第2のセクションZ2との間に位置する中間部Tが曲げられると、アンテナ構造3として使用される第2のメタル構造J2と第4のメタル構造J4とが、異なる方向をカバーすることができる。
[0066] オプションとして、第1のメタル構造J1と第2のメタル構造J2は、第1の絶縁媒体基板2の外面及び内部に銅をメッキすることによって形成される。第1のメタル構造J1は、第1のメタル構造J1が銅メッキによって形成されると、集積回路1に接続される。このようにして、集積回路1は、アンテナ構造3に良好に接続され、それによって、導電性パフォーマンスを改善し、相互接続損失を低減するのに役立つ。代替的に、第3のメタル構造J3と第4のメタル構造J4は、第2の絶縁媒体基板5の外面及び内部に銅をメッキすることによって形成されてもよい。
[0067] 具体的には、第1のメタル構造J1が第1のセクションZ1に配置され、第2のメタル構造J2が第2のセクションZ2に配置される場合に、第1のスルー・ホールが、第1の絶縁媒体基板2の第1の層基板21上に最初に配置されてもよい。次いで、第1のメタル層M1が第1の層基板21の第1のセクションZ1の外面に配置され、第1のメタル層M1と導電性構造41とを接続する第1の接続部分L1が、第1のスルー・ホールに配置される。第1のメタル構造J1は、第1のメタル層M1と、第1の接続部分L1とを含む。また、第1のメタル層M1’は、第1の層基板21の第2のセクションZ2の外面に配置され、第1のメタル層M1’と導電性構造41を接続する第1の接続部分L1’は、第1のスルー・ホールに配置される。第2のメタル構造J2は、第1のメタル層M1’と第1の接続部分L1’を含む。
[0068] 同様に、第3のメタル構造J3が第3のセクションZ3上に配置され、第4のメタル構造J4が第4のセクションZ4に配置される場合に、第3のスルー・ホールが、第2の絶縁媒体基板5上に最初に設けられてもよい。次いで、第3のメタル層M3が、第2の絶縁媒体基板5の第3のセクションZ3の外面に配置され、第3のメタル層M3とフレキシブル基板4の導電性構造41とを接続する第3の接続部分L3が、第3のスルー・ホールに配置される。第3のメタル構造J3は、第3のメタル層M3と第3の接続部分L3を含む。また、第3のメタル層M3’が、第2の絶縁媒体基板5の第4のセクションZ4の外面に配置されており、第3のメタル層M3’とフレキシブル基板4の導電性構造41とを接続する第3の接続部L3’が、第3のスルー・ホールに配置されている。第4のメタル構造J4は、第3のメタル層M3’と第3の接続部分L3’を含む。
[0069] ステップS1406：図11及び図12に示されるように、第1の層基板21の或る側であってフレキシブル基板4から離れた側に対して、第1の絶縁媒体基板2の第2の層基板22のプレスフィットを実行し、第1のメタル構造J1と第2のメタル構造J2を第2の層基板22上に配置する。具体的には、第1の絶縁媒体基板2の第2の層基板22に、第2のスルー・ホールが最初に設けられてもよい。次に、第2のメタル層M2が、第2の基板22の第1のセクションZ1の外面に配置され、第1のメタル層M1と第2のメタル層M2を接続する第2の接続部分L2が、第2のスルー・ホールに配置される。第1のメタル構造J1は、更に、第2のメタル層M2と第2の接続部分L2を含む。また、第2のメタル層M2’が、第2の基板22の第2のセクションZ2の外面に配置され、第1のメタル層M1’と第2のメタル層M2’を接続する第2の接続部分L2’が、第2のスルー・ホールに配置される。第2のメタル構造J2は、更に、第2のメタル層M2’と第2の接続部分L2’を含む。
[0070] 上記は、第1の絶縁媒体基板2が1つの基板層と2つの基板層を含み、第2の絶縁媒体基板5が1つの基板層を含むケースを説明しているだけであることに留意すべきである。第1の絶縁媒体基板2と第2の絶縁媒体基板5が、更に、より多い基板層を含む可能性がある、ということは理解されるであろう。具体的には、第1の絶縁媒体基板2と第2の絶縁媒体基板5の層の数量は、配置されることを必要とするアンテナ構造3の形状に基づいて選択されることが可能である。
[0071] ステップS1407：図13に示されるように、第1のメタル構造J1、第2のメタル構造J2、第3のメタル構造J3、第4のメタル構造J4、第1の絶縁媒体基板2、及び第2の絶縁媒体基板5の外面であって、フレキシブル基板4から離れている外面上に、第2の保護層P2を配置し、アンテナ・モジュールをより良好に保護する。第2の保護層P2は、グリーン・ペイントであってもよい。
[0072] ステップS1408：図14に示されるように、第1のセクションZ1に配置された第2の保護層P2において第1のメタル構造J1の一部分を露出させるためのスロットを設け、露出された第1のメタル構造J1に接続されるハンダ7を、スロットに配置する。図14は、本発明の実施形態4によるアンテナ・モジュールの詳細な構造の概略図である。第1のメタル構造J1に接続されるハンダ7は、例えば、錫又はニッケルであってもよく、PCB基板のような構造に接続するために使用されることが可能である。このケースでは、フレキシブル基板4の一方端は、第1のセクションZ1から延出することなく配置され、両者は互いに面一になる。第1のメタル構造J1は、信号を伝導するだけで、放射しないように構成されてもよい。しかしながら、図4では、フレキシブル基板4の一方端は、第1のセクションZ1から延出するように配置されている。コネクタ6は、延出した部分Sにおける導電性構造41に配置され、PCB基板のような構造に接続される。第1のメタル構造J1は、ハンダ7に接続されていない。このケースでは、第1のメタル構造J1は、信号を放射するように構成されてもよい。
[0073] 更に、本発明の実施形態は、電子デバイスを更に提供し、電子デバイスは、前述の実施形態におけるアンテナ・モジュールを含む。電子デバイスはアンテナ・モジュールを含むので、電子デバイスは、前述のアンテナ・モジュールの利点の全部又は少なくとも一部を有する。
[0074] 最後に、前述の実施形態は本願の技術的解決策を単に説明するように意図されているにすぎず、本願を限定するためのものではないことに留意すべきである。本願は、前述の実施形態を参照しながら詳細に説明されているが、当業者は、本願の実施形態の技術的解決策の範囲から逸脱することなく、前述の実施形態で説明された技術的解決策に対して更なる変更を加えたり、そのうちの幾つかの技術的特徴に対して同等な置換を行ってもよい、ということを理解するはずである。

Claims (24)

  1. アンテナ・モジュールであって、当該アンテナ・モジュールは：
    無線周波数信号を生成するように構成された集積回路；
    第１の溝を設けた第１のセクションと前記第１のセクションから隔てられた第２のセクションとを含む第１の絶縁媒体基板であって、前記集積回路は前記第１の溝に配置される、第１の絶縁媒体基板；
    前記第１の絶縁媒体基板上に積層されたフレキシブル基板であって、前記第１のセクションと前記第２のセクションとの間に位置する、前記フレキシブル基板のうちの中間部分は、曲がることが可能であり、前記フレキシブル基板は導電性構造を含む、フレキシブル基板；及び
    前記第１のセクションに配置された第１のメタル構造と前記第２のセクションに配置された第２のメタル構造とを含むアンテナ構造であって、前記第１のメタル構造は前記導電性構造と前記集積回路に接続され、前記第２のメタル構造は前記導電性構造に接続されている、アンテナ構造；
    を含むアンテナ・モジュール。
  2. 請求項１に記載のアンテナ・モジュールにおいて、前記アンテナ構造は、前記第１の絶縁媒体基板の外面と内側に銅をメッキすることによって形成されており、且つ前記集積回路に接続されている、アンテナ・モジュール。
  3. 請求項１に記載のアンテナ・モジュールにおいて、第２の溝が前記フレキシブル基板に設けられ、前記第２の溝は前記第１の溝に対向して配置され、前記集積回路は前記第１の溝と前記第２の溝の中に配置されている、アンテナ・モジュール。
  4. 請求項１に記載のアンテナ・モジュールにおいて、前記フレキシブル基板は基板フィルムを更に含み、前記導電性構造は、前記基板フィルムの両側に配置された第１のメタル層と第２のメタル層を含み、接続メタル層が前記基板フィルムを通じて配置され、前記接続メタル層は前記第１のメタル層と前記第２のメタル層を接続している、アンテナ・モジュール。
  5. 請求項１に記載のアンテナ・モジュールにおいて、前記フレキシブル基板の前記導電性構造の外面であって他の構造が積層されていない外面に、第１の保護層が配置されている、アンテナ・モジュール。
  6. 請求項１に記載のアンテナ・モジュールにおいて、前記第１の絶縁媒体基板は第１の層基板を含み、前記第１の溝と第１のスルー・ホールは前記第１の層基板に設けられており；
    前記第１のメタル構造は、前記第１の層基板の前記第１のセクションの外面に配置された第１のメタル層と、第１の接続部分とを含み、前記第１の接続部分は、前記第１のスルー・ホールに配置され、且つ前記第１のメタル層と前記フレキシブル基板の前記導電性構造とを接続し；及び
    前記第２のメタル構造は、前記第１の層基板の前記第２のセクションの外面に配置された第１のメタル層と、第１の接続部分とを含み、前記第１の接続部分は、前記第１のスルー・ホールに配置され、且つ前記第１のメタル層と前記フレキシブル基板の前記導電性構造とを接続している、アンテナ・モジュール。
  7. 請求項６に記載のアンテナ・モジュールにおいて、前記第１の絶縁媒体基板は、第１の層基板の或る側であって前記フレキシブル基板から隔てられた側に積層された第２の層基板を含み、前記第１のメタル層は前記第２の層基板に配置され、前記第２の層基板に第２のスルー・ホールが設けられており；
    前記第１のメタル構造は、前記第２の層基板の前記第１のセクションの外面に配置された第２のメタル層と、第２の接続部分と更に含み、前記第２の接続部分は、前記第２のスルー・ホールに配置され、且つ前記第２のメタル層と前記第１のメタル層を接続し；及び
    前記第２のメタル構造は、前記第２の層基板の前記第２のセクションの外面に配置された第２のメタル層と、第２の接続部分とを更に含み、前記第２の接続部分は、前記第２のスルー・ホールに配置され、且つ前記第２のメタル層と前記第１のメタル層を接続している、アンテナ・モジュール。
  8. 請求項１に記載のアンテナ・モジュールにおいて、前記アンテナ・モジュールは、前記フレキシブル基板の或る側であって前記第１の絶縁媒体基板から隔てられた側に配置された第２の絶縁媒体基板を含み、前記第２の絶縁媒体基板は：
    前記第１のセクションに対応して配置された第３のセクションであって、前記フレキシブル基板の前記導電性構造に接続された第３のメタル構造は前記第３のセクションに配置されており、前記アンテナ構造は前記第３のメタル構造を更に含んでいる、第３のセクション；及び／又は
    前記第２のセクションに対応して配置された第４のセクションであって、前記フレキシブル基板の前記導電性構造に接続された第４のメタル構造は前記第４のセクションに配置されており、前記アンテナ構造は前記第４のメタル構造を更に含んでいる、第４のセクション；
    を含む、アンテナ・モジュール。
  9. 請求項８に記載のアンテナ・モジュールにおいて、前記第２の絶縁媒体基板に第３のスルー・ホールが設けられており；
    前記第３のメタル構造は、前記第２の絶縁媒体基板の前記第３のセクションの外面に配置された第３のメタル層と、第３の接続部分とを含み、前記第３の接続部分は、前記第３のスルー・ホールに配置され、且つ前記第３のメタル層と前記フレキシブル基板の前記導電性構造とを接続しており；及び／又は
    前記第４のメタル構造は、前記第２の絶縁媒体基板の前記第４のセクションの外面に配置された第３のメタル層と、第３の接続部分とを含み、前記第３の接続部分は、前記第３のスルー・ホールに配置され、且つ前記第３のメタル層と前記フレキシブル基板の前記導電性構造とを接続している、アンテナ・モジュール。
  10. 請求項８に記載のアンテナ・モジュールにおいて、前記第３のメタル構造及び／又は前記第４のメタル構造、及び前記第２の絶縁媒体基板の外面であって前記フレキシブル基板から隔てられた外面に、第２の保護層が配置されている、アンテナ・モジュール。
  11. 請求項１に記載のアンテナ・モジュールにおいて、前記第１のメタル構造、前記第２のメタル構造、及び前記第１の絶縁媒体基板の外面であって前記フレキシブル基板から隔てられた外面に、第２の保護層が配置されている、アンテナ・モジュール。
  12. 請求項１１に記載のアンテナ・モジュールにおいて、前記第１のメタル構造の一部分を露出させるスロットが前記第２の保護層に設けられ、その露出した第１のメタル構造に接続されるハンダが前記スロットに配置されている、アンテナ・モジュール。
  13. 請求項１に記載のアンテナ・モジュールにおいて、前記フレキシブル基板の一方端は、前記第１のセクションから延出するように配置され、前記フレキシブル基板の延出した部分は曲がることが可能であり、前記延出した部分における前記導電性構造にコネクタが接続されている、アンテナ・モジュール。
  14. 請求項１ないし１３のうちの何れか１項に記載のアンテナ・モジュールにおいて、前記集積回路は、無線周波数チップ及び電力管理チップのうちの少なくとも１つを含む、アンテナ・モジュール。
  15. 請求項１ないし１４のうちの何れか１項に記載のアンテナ・モジュールを含む電子デバイス。
  16. アンテナ・モジュールの製造方法であって、当該製造方法は：
    第１の絶縁媒体基板を、互いに隔てられた第１のセクションと第２のセクションに切断し、前記第１のセクションに第１の溝を設けるステップ；
    前記第１の溝に集積回路を配置するステップ；
    前記第１のセクションと前記第２のセクションに、導電性構造を有するフレキシブル基板を積層するステップ；及び
    第１のメタル構造を前記第１のセクションに配置し、第２のメタル構造を前記第２のセクションに配置するステップであって、前記第１のメタル構造は前記導電性構造と前記集積回路に接続され、前記第２のメタル構造は前記導電性構造に接続され、アンテナ構造は前記第１のメタル構造と前記第２のメタル構造を含む、ステップ；
    を含むアンテナ・モジュールの製造方法。
  17. 請求項１６に記載のアンテナ・モジュールの製造方法において、当該製造方法は：
    前記第１のセクションと前記第２のセクションにフレキシブル基板を積層するステップの前に、第２の溝を前記フレキシブル基板に設け、前記フレキシブル基板の前記導電性構造の外面であって他の構造が積層されていない外面に第１の保護層を設けるステップ；及び
    前記第１のセクションと前記第２のセクションにフレキシブル基板を積層するステップの間に、前記第２の溝が前記第１の溝に対向できるようにし、前記集積回路を、前記第１の溝と前記第２の溝に配置するステップ；
    を含むアンテナ・モジュールの製造方法。
  18. 請求項１６に記載のアンテナ・モジュールの製造方法において、前記アンテナ構造は、前記第１の絶縁媒体基板の外面と内側に銅をメッキすることによって形成され、且つ前記集積回路に接続される、アンテナ・モジュールの製造方法。
  19. 請求項１６に記載のアンテナ・モジュールの製造方法において、当該製造方法は：
    第２の絶縁媒体基板のうちの、前記第１のセクションに対応する第３のセクションを、前記フレキシブル基板に積層し、第３のメタル構造を前記第３のセクションに配置するステップであって、前記第３のメタル構造は、前記フレキシブル基板の前記導電性構造に接続され、前記アンテナ構造は前記第３のメタル構造を更に含む、ステップ；及び／又は
    前記第２の絶縁媒体基板のうちの、前記第２のセクションに対応する第４のセクションを、前記フレキシブル基板に積層し、第４のメタル構造を前記第４のセクションに配置するステップであって、前記第４のメタル構造は、前記フレキシブル基板の前記導電性構造に接続され、前記アンテナ構造は前記第４のメタル構造を更に含む、ステップ；
    を含むアンテナ・モジュールの製造方法。
  20. 請求項１９に記載のアンテナ・モジュールの製造方法において、前記第３のメタル構造及び／又は前記第４のメタル構造、及び前記第２の絶縁媒体基板の外面であって前記フレキシブル基板から隔てられた外面に、第２の保護層を配置するステップを含む、アンテナ・モジュールの製造方法。
  21. 請求項１６に記載のアンテナ・モジュールの製造方法において、前記第１の絶縁媒体基板は、前記第１の溝が設けられる第１の層基板を含み；及び第１のメタル構造を前記第１のセクションに配置し、第２のメタル構造を前記第２のセクションに配置するステップは：
    第１のスルー・ホールを前記第１の層基板に設けるステップ；
    前記第１の層基板の前記第１のセクションの外面に、第１のメタル層を配置し、前記第１のメタル層と前記導電性構造を接続する第１の接続部分を、前記第１のスルー・ホールに配置するステップであって、前記第１のメタル構造は前記第１のメタル層と前記第１の接続部分を含む、ステップ；及び
    前記第１の層基板の前記第２のセクションの外面に、第１のメタル層を配置し、前記第１のメタル層と前記導電性構造を接続する第１の接続部分を、前記第１のスルー・ホールに配置するステップであって、前記第２のメタル構造は前記第１のメタル層と前記第１の接続部分を含む、ステップ；
    を含むアンテナ・モジュールの製造方法。
  22. 請求項２１に記載のアンテナ・モジュールの製造方法において、前記第１の絶縁媒体基板は、第２の層基板を更に含み；及び第１のメタル構造を前記第１のセクションに配置し、第２のメタル構造を前記第２のセクションに配置するステップは：
    第２のスルー・ホールを前記第２の層基板に設けるステップ；
    前記第１の層基板の或る側であって前記第１のメタル層が配置される側に対して、前記第２の層基板のプレスフィットを実行するステップ；
    前記第２の層基板の前記第１のセクションの外面に第２のメタル層を配置し、前記第１のメタル層と前記第２のメタル層を接続する第２の接続部分を、前記第２のスルー・ホールに配置するステップであって、前記第１のメタル構造は前記第２のメタル層と前記第２の接続部分を更に含む、ステップ；及び
    前記第２の層基板の前記第２のセクションの外面に第２のメタル層を配置し、前記第１のメタル層と前記第２のメタル層を接続する第２の接続部分を、前記第２のスルー・ホールに配置するステップであって、前記第２のメタル構造は前記第２のメタル層と前記第２の接続部分を更に含む、ステップ；
    を含むアンテナ・モジュールの製造方法。
  23. 請求項１６に記載のアンテナ・モジュールの製造方法において、前記第１のメタル構造、前記第２のメタル構造、及び前記第１の絶縁媒体基板の外面であって前記フレキシブル基板から隔てられた外面に、第２の保護層を配置するステップを含むアンテナ・モジュールの製造方法。
  24. 請求項２３に記載のアンテナ・モジュールの製造方法において、当該製造方法は：
    前記第１のメタル構造の一部分を露出させるスロットを、前記第１のセクションに配置された前記第２の保護層に設けるステップ；及び
    その露出した第１のメタル構造に接続されるハンダを、前記スロットに配置するステップ；
    を含むアンテナ・モジュールの製造方法。

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011519517A (ja) * 2008-04-14 2011-07-07 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション リング・キャビティ及び／又はオフセット・キャビティにおける集積開口部結合型パッチ・アンテナを有する無線周波数（ｒｆ）集積回路（ｉｃ）パッケージ
US20130189935A1 (en) * 2012-01-24 2013-07-25 E I Du Pont De Nemours And Company LOW TEMPERATURE CO-FIRED CERAMIC (LTCC) SYSTEM IN A PACKAGE (SiP) CONFIGURATIONS FOR MICROWAVE/MILLIMETER WAVE PACKAGING APPLICATIONS
WO2018230475A1 (ja) * 2017-06-14 2018-12-20 株式会社村田製作所 アンテナモジュールおよび通信装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6509217B1 (en) * 1999-10-22 2003-01-21 Damoder Reddy Inexpensive, reliable, planar RFID tag structure and method for making same
KR100817075B1 (ko) * 2006-11-09 2008-03-26 삼성전자주식회사 멀티스택 패키지 및 그 제조 방법
US10566515B2 (en) * 2013-12-06 2020-02-18 Sridhar Kasichainula Extended area of sputter deposited N-type and P-type thermoelectric legs in a flexible thin-film based thermoelectric device
DE112016007571T5 (de) * 2016-12-30 2019-10-24 Intel Corporation Mikroelektronische bauelemente entworfen mit flexiblengehäusesubstraten mit verteilten gestapelten antennen fürhochfrequenz-kommunikationssysteme
KR102514474B1 (ko) 2018-07-13 2023-03-28 삼성전자주식회사 안테나 구조체 및 안테나를 포함하는 전자 장치
CN110565123B (zh) * 2019-08-28 2021-06-08 清华大学 可转移的透明柔性透气天线的制作方法及装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011519517A (ja) * 2008-04-14 2011-07-07 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション リング・キャビティ及び／又はオフセット・キャビティにおける集積開口部結合型パッチ・アンテナを有する無線周波数（ｒｆ）集積回路（ｉｃ）パッケージ
US20130189935A1 (en) * 2012-01-24 2013-07-25 E I Du Pont De Nemours And Company LOW TEMPERATURE CO-FIRED CERAMIC (LTCC) SYSTEM IN A PACKAGE (SiP) CONFIGURATIONS FOR MICROWAVE/MILLIMETER WAVE PACKAGING APPLICATIONS
WO2018230475A1 (ja) * 2017-06-14 2018-12-20 株式会社村田製作所 アンテナモジュールおよび通信装置

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