JP2023517769A - プラズマ処理チャンバの調整方法 - Google Patents
プラズマ処理チャンバの調整方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023517769A JP2023517769A JP2022556054A JP2022556054A JP2023517769A JP 2023517769 A JP2023517769 A JP 2023517769A JP 2022556054 A JP2022556054 A JP 2022556054A JP 2022556054 A JP2022556054 A JP 2022556054A JP 2023517769 A JP2023517769 A JP 2023517769A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- carbon
- precoat layer
- processing chamber
- depositing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 81
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 79
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 79
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 61
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 57
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 47
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 30
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims description 7
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims description 5
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 5
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 73
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 9
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000699670 Mus sp. Species 0.000 description 1
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000002085 persistent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/201—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated for mounting multiple objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
- H01L21/31122—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching of layers not containing Si, e.g. PZT, Al2O3
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
Abstract
【課題】【解決手段】プラズマ処理チャンバにおいて１つまたは複数の基板を処理する方法が、提供される。複数のサイクルが提供され、各サイクルはプリコートを提供することと、プラズマ処理チャンバ内で少なくとも１つの基板を処理することと、プラズマ処理チャンバを洗浄することとを含む。プリコート処理を提供することは、ケイ素含有プリコート層を堆積することと、炭素含有プリコート層を堆積することの１つまたは複数のサイクルを含む。【選択図】図１
Description
＜関連出願の相互参照＞
本出願は、２０２０年３月１８日に出願された、米国特許出願第６２／９９１，２３６号の優先権の利益を主張し、上記の出願は、あらゆる目的のために、参照により本明細書に組み込まれる。
本出願は、２０２０年３月１８日に出願された、米国特許出願第６２／９９１，２３６号の優先権の利益を主張し、上記の出願は、あらゆる目的のために、参照により本明細書に組み込まれる。
本開示は、半導体基板の上に半導体デバイスを形成する方法に関する。より具体的には、本開示は、基板処理チャンバの調整に関する。
半導体デバイスの形成において、基板を処理するために、プラズマ処理チャンバが使用され得る。プラズマ処理チャンバ内には、残渣が堆積する。残渣は、各基板の処理の間の洗浄処理により、除去され得る。さらに、プラズマ処理により、プラズマ処理チャンバのコンポーネントが腐食する場合がある。コンポーネントを腐食から保護するために、コーティングが使用され得る。
前述の目的を達成するため、また本開示の目的に従って、プラズマ処理チャンバ内の１つまたは複数の基板を処理するための方法、その方法が提供される。複数のサイクルが提供され、各サイクルは、プリコート処理を提供すること、プラズマ処理チャンバ内で少なくとも１つの基板を処理すること、およびプラズマ処理チャンバを洗浄することを含む。プリコート処理を提供することは、１つまたは複数の、ケイ素含有プリコート層を堆積するサイクルおよび炭素含有プリコート層を堆積するサイクルを含む。
別の態様では、基板を処理するための半導体処理チャンバを調整する方法であって、調整が、基板を半導体処理チャンバに設置する前に行われる方法が、提供される。プリコート処理が提供され、プリコート処理は、ケイ素含有プリコート層を堆積することと、炭素含有プリコート層を堆積することの１つまたは複数のサイクルを含む。
本開示のこれらおよび他の特徴が、以下の本開示の詳細な説明において、および以下の図面と組み合わせて、より詳しく記載される。
添付図面の図において、本開示が、限定のためではなく例示のために示される。図中において、同様の参照番号は、同様の要素を指す。
添付の図面に示されているいくつかの実施形態を参照しながら、本開示を詳細に説明する。本開示の完全な理解を提供するために、以下の説明において、多くの具体的な詳細を記載する。しかし、当業者には、これらの具体的な詳細のいくつかまたはすべてがなくても、本開示が実施可能であることが明らかであろう。他の例では、周知の処理工程および／または構造は、本開示を不必要に曖昧にしないために、詳細には記載していない。
図１は、基板を処理するための実施形態の高レベルのフローチャートである。例示的な実施形態において、基板の処理均一性を向上するため、基板をプラズマ処理チャンバに設置する前に、プラズマ処理チャンバ内にプリコートを形成する（工程１０４）。プリコートは、ケイ素含有プリコートを堆積すること（工程１０８）および炭素含有プリコートを堆積すること（工程１１２）の１つまたは複数のサイクルのプリコート処理よって、形成される。１つまたは複数のサイクルの後、プリコート形成は完了する（工程１０４）。
ケイ素含有プリコートを堆積する（工程１０８）ための例示的レシピでは、１００ｓｃｃｍのＳｉＣｌ4、２００ｓｃｃｍのＯ2、および３００ｓｃｃｍのＡｒのケイ素堆積ガスをプラズマ処理チャンバに流す。１０００ワット、１３．６メガヘルツ（ＭＨｚ）のＴＣＰ電力を供給することにより、ケイ素堆積ガスをプラズマに変換する。１のトランス結合容量調整（ＴＣＣＴ）整合を供給する。チャンバ圧を１０ｍＴｏｒｒにする。その結果、ケイ素含有プリコートを堆積すること（工程１０８）により、酸化ケイ素系プリコート層を堆積する。
炭素含有プリコートを堆積する（工程１１２）ための例示的レシピでは、１５０ｓｃｃｍのフルオロメタン（ＣＨ3Ｆ）および１５０ｓｃｃｍのフルオロホルム（ＣＨＦ3）を含む炭素堆積ガスを、プラズマ処理チャンバに流す。１６００ワット、１３．６ＭＨｚのトランス結合プラズマ（ＴＣＰ）電力を供給することにより、炭素堆積ガスをプラズマに変換する。０．５のトランス結合容量調整（ＴＣＣＴ）整合を供給する。チャンバ圧を１０ｍＴｏｒｒにする。他の実施形態では、炭素堆積ガスは、他の炭化水素、フッ化炭素、またはヒドロフルオロカーボンを含む。
図２Ａは、実施形態における、プラズマ処理チャンバの一部を形成するコンポーネント本体２０４を含む、コンポーネント２００の断面図である。この実施形態では、コンポーネント本体２０４はアルミニウム製である。アルミニウムは、アルミニウム合金であってもよい。他の実施形態では、コンポーネント本体は他の材料、例えば他の材料、例えばステンレス鋼で作製されていてもよい。酸化イットリウムコーティング２０８が、コンポーネント本体２０４の表面上にあり、保護コーティングを提供する。ケイ素含有プリコート層２１２が、酸化イットリウムコーティング２０８上にある。炭素含有プリコート層２１６が、ケイ素含有プリコート層２１２上にある。他の実施形態では、酸化イットリウムコーティング２０８の上に、さらにケイ素含有プリコート層２１２および炭素含有プリコート層２１６の二層がある。
ケイ素含有プリコート層２１２および炭素含有プリコート層２１６を、プラズマ処理チャンバの一部を形成するコンポーネント本体２０４の上に形成した後、基板をプラズマ処理チャンバ内に設置する（工程１１６）。基板は、シリコンウエハであってもよい。基板をプラズマ処理チャンバ内に設置した後、基板を処理する（工程１２０）。処理はエッチング処理であってもよい。エッチング処理は、誘電層または導電層をエッチングしてもよい。このような処理では、エッチングガスを供給してもよい。エッチングガスは、プラズマに形成される。この実施形態では、ケイ素含有層がエッチングされる。炭素含有プリコート層２１６は、ケイ素含有層のエッチングにおいて耐性がある。炭素含有プリコート層２１６は、酸化イットリウムコーティング２０８を保護する。一方で、炭素含有プリコート層２１６が無い場合のケイ素含有プリコート層２１２は、基板上のケイ素含有層のエッチングにおいて、より迅速にエッチングされ、酸化イットリウムコーティング２０８を、ケイ素含有層のエッチングに曝露するであろう。
図２Ｂは、ケイ素含有層がエッチングされた後のコンポーネント２００の断面図である。炭素含有プリコート層２１６の一部が、エッチング除去されている。しかし、炭素含有プリコート層２１６は、ケイ素含有層のエッチングに対してエッチング耐性があるので、炭素含有プリコート層２１６の一部は残存している。
この実施形態では、基板上のケイ素含有層がエッチングされた後に、基板上の炭素含有層がエッチングまたは剥離される。この実施形態では、炭素含有層は、ケイ素含有層のエッチングにおいてケイ素含有層をパターニングするために使用される、非晶質炭素マスクである。ケイ素含有プリコート層２１２が無い場合、酸化イットリウムコーティング２０８は、基板上の炭素含有層のエッチングまたは剥離において、損傷を受けるであろう。
図２Ｃは、炭素含有層がエッチングまたは剥離された後のコンポーネント２００の断面図である。炭素含有プリコート層２１６は除去され、ケイ素含有プリコート層２１２の一部がエッチング除去されている。しかし、ケイ素含有プリコート層２１２は、炭素素含有層のエッチングまたは剥離において、エッチング耐性があるので、ケイ素素含有プリコート層２１２の一部は残存している。
基板を処理した（工程１２０）後、基板をプラズマ処理チャンバから除去する（工程１２４）。基板を除去した後、プラズマ処理チャンバの内部を洗浄する（工程１２８）。この実施形態では、基板は除去され（工程１２４）、新しい基板はプラズマ処理チャンバに設置されないので、洗浄処理は、ウエハレス洗浄である。
この実施形態では、炭素含有プリコート層２１６は完全にエッチング除去されているので、プラズマ処理チャンバの洗浄（工程１２８）により、残存しているケイ素含有プリコート層２１２を除去する。この実施形態では、残存しているケイ素含有プリコート層２１２を除去するために、ケイ素含有プリコート層剥離ガスを、プラズマ処理チャンバ内に流す。この実施形態では、酸化ケイ素を剥離して除去するため、ケイ素含有プリコート層剥離ガスは３０ｓｃｃｍ～５００ｓｃｃｍの三フッ化窒素（ＮＦ3）および０ｓｃｃｍ～２００ｓｃｃｍのアルゴン（Ａｒ）を含む。ケイ素含有プリコート層剥離ガスから、プラズマを生成する。この実施形態において、このプラズマ形成は、２０００ワット、周波数１３．６メガヘルツ（MHｚ）の励起高周波（ＲＦ）の供給により実現する。プラズマは、残存しているケイ素含有プリコート層２１２が除去されるまで維持する。図２Ｄは、残存しているケイ素含有プリコート層２１２が除去された後の、コンポーネント２００の断面図である。
プラズマ処理チャンバの洗浄（工程１２８）により、基板処理（工程１２０）の間に堆積した異物を除去し、残存しているすべてのプリコートを剥離する。プラズマ処理チャンバを洗浄した（工程１２８）後、プロセスはプリコートを提供する（工程１０４）工程に戻り（工程１３２）、サイクルが繰り返される。前述のサイクルを、必要または所望に応じて、複数回繰り返す。
この実施形態は、より薄いプリコートを可能にする。ケイ素含有プリコートのみ、例えば一層の酸化ケイ素プリコートを使用する場合、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）をエッチングするエッチング処理において、厚いプリコートが必要となる。これは、ＳｉＯＮのエッチング処理が、ケイ素含有プリコートを著しくエッチングするからである。ＳｉＯＮの層がより厚くエッチングされるほど、より厚い一層のケイ素含有プリコートのコーティングが必要となる。一層の酸化ケイ素プリコートが厚すぎる場合、より厚いプリコートを堆積するためにより長時間が必要となり、そのより厚いプリコートを除去するためにより長時間が必要となるため、スループットが減少する。さらに、酸化ケイ素プリコートが厚くなるほど、構造安定性が減少し、処理中に酸化ケイ素プリコートが剥がれ落ちる機会が増え、ウエハの欠陥を増加させる。さらに、一層の酸化ケイ素プリコートのコーティングが厚すぎると、基板が処理中に不要にデチャックする場合がある。不要なデチャックは、基板を汚す可能性のある粒子を生成し得る。粒子は、基板がエッジリングにぶつかることにより、生成し得る。さらに、不要なデチャックは、デチャックにより生じたずれが、搬送アーム上の基板のずれを引き起こすほどに大きい場合、処理が停止する場合もある。
この実施形態は、異なる材料の２層の薄いプリコートを提供し、１層のプリコートはケイ素を含有し、もう１層のプリコートは炭素を含有する。上で説明したように、炭素含有プリコート層２１６は、ＳｉＯＮをエッチングする際、向上したエッチング耐性を提供し、ケイ素含有プリコート層２１２は、炭素含有層をエッチングまたは剥離する際に、向上したエッチング耐性を提供する。その結果、より薄い全体のプリコートが必要とされる。この実施形態では、すべての炭素含有プリコート層２１６が除去されるので、薄い層のケイ素含有プリコート層２１２のみが洗浄除去（工程１２８）されればよく、迅速な洗浄処理が可能である。
一方で、薄いケイ素含有プリコート層２１２および炭素含有プリコート層２１６は十分な保護を提供するので、酸化イットリウムコーティング２０８は保護され、プラズマには曝露されない。酸化イットリウムコーティング２０８のプラズマへの曝露を防ぐことにより、ケイ素含有プリコート層２１２および炭素含有プリコート層２１６は、酸化イットリウムコーティング２０８とプラズマとの間の相互作用により生成される粒子によって引き起こされる欠陥を防止する。さらに、ケイ素含有プリコート層２１２および炭素含有プリコート層２１６は、チャンバ条件を、処理される各基板において確実に同じにすることにより、ウエハ間の再現性を向上する。また、ケイ素含有プリコート層２１２および炭素含有プリコート層２１６は、プラズマ処理チャンバ内の異物を覆うことにより、欠陥を減少する。
別の実施形態では、プリコートを提供する際（工程１０４）、炭素含有プリコートを最初に堆積し（工程１１２）、その後にケイ素含有プリコートを堆積する（工程１０８）。このような実施形態では、基板の処理の間（工程１２０）、基板上の有機層を最初にエッチングし、パターニングし、または剥離する。次に、基板上のケイ素含有層をエッチングする。ケイ素含有プリコートは、基板上の有機層がエッチング、パターニング、または剥離されるとき、保護を提供する。ケイ素含有プリコートは、エッチング除去され、炭素含有プリコートは、基板上のケイ素含有層がエッチングされるときに、保護を提供する。
この実施形態では、チャンバを洗浄する（工程１２８）ためには、ケイ素含有プリコートは基板上のケイ素含有層をエッチングする間に除去されているので、残存している炭素含有プリコートのみを除去すればよい。炭素含有プリコートを洗浄するため、洗浄ガスは４０～２００ｓｃｃｍの酸素（Ｏ2）を含む。１０００ワットで、周波数１３．６ＭＨｚの励起ＲＦを供給することにより、洗浄ガスからプラズマが生成される。この実施形態では、バイアスは印加されない。その後、洗浄処理を終了する。
この実施形態では、有機層が最初に処理され、その後ケイ素含有層が処理される場合の基板の処理が可能である。他の実施形態では、基板は２つまたはそれ以上の炭素含有層とケイ素含有層を交互に有してもよい。そのような実施形態では、プリコートの提供（工程１０４）は、ケイ素含有プリコートを堆積すること（工程１０８）と炭素含有プリコートを堆積すること（工程１１２）の少なくとも２つのサイクルを含む。
様々な実施形態では、ケイ素含有プリコート層２１２は酸化ケイ素を含み、炭素は含まない。様々な実施形態では、炭素含有プリコート層２１６は、ヒドロフルオロカーボン、炭化水素、またはフッ化炭素のうちの少なくとも１つを含み、さらに、ケイ素は含まない。様々な実施形態では、チャンバの洗浄（工程１２８）の前に、ブランクウエハをプラズマ処理チャンバに設置して、ブランクウエハがチャンバの洗浄（工程１２８）中にチャックを覆い保護するようにしてもよい。他の実施形態では、ブランクウエハは、プリコートの提供（工程１０４）の間、プラズマ処理チャンバ内にあってもよい。
図３は、実施形態で使用され得るプラズマ処理システム３００の一例の概略図である。プラズマ処理システム３００は、一実施形態に従って、基板３０１を処理するために使用され得る。プラズマ処理システム３００は、チャンバ壁３６２に囲まれたプラズマ処理チャンバ３０４を有するプラズマリアクタ３０２を含む。プラズマ整合ネットワーク３０８によって調整されるプラズマ電源３０６は、パワーウィンドウ３１２の近くに配置されたＴＣＰコイル３１０に給電し、誘導結合電力の供給により、プラズマ処理チャンバ３０４内でプラズマ３１４を生成する。ＴＣＰコイル（上部電源）３１０は、プラズマ処理チャンバ３０４内で均一の拡散プロファイルを生成するように構成されてもよい。例えば、ＴＣＰコイル３１０は、プラズマ３１４中でトロイダル配電を生成するように構成されてもよい。パワーウィンドウ３１２は、ＴＣＰコイル３１０をプラズマ処理チャンバ３０４から隔てるために設置され、一方でＴＣＰコイル３１０からプラズマ処理チャンバ３０４へのエネルギーの通過を可能にする。バイアス整合ネットワーク３１８により調整されるウエハバイアス電圧電源３１６は、電極３２０に給電し、基板３０１上のバイアス電圧を設定する。電極３２０は基板３０１のチャックを提供し、電極３２０は静電チャックとして機能する。基板温度コントローラ３６６は、ペルチェヒータ／クーラ３６８に制御可能に接続される。コントローラ３２４はプラズマ電源３０６、基板温度コントローラ３６６、およびウエハバイアス電圧電源３１６を制御する。
プラズマ電源３０６およびウエハバイアス電圧電源３１６は、１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、２ＭＨｚ、１ＭＨｚ、４００ｋＨｚ、またはこれらの組み合わせなどの特定の高周波数で動作するように構成されてもよい。プラズマ電源３０６およびウエハバイアス電圧電源３１６は、所望の処理性能を実現するための範囲の電力を供給するために、適切な寸法とされてもよい。例えば、一実施形態では、プラズマ電源３０６は、５０～５０００Ｗの範囲の電力を供給してもよく、ウエハバイアス電圧電源３１６は、２０～２０００Ｖの範囲のバイアス電圧を供給してもよい。さらに、ＴＣＰコイル３１０および／または電極３２０は、２つまたはそれ以上のサブコイルまたはサブ電極を含んでもよい。２つまたはそれ以上のサブコイルまたはサブ電極には、１つの電源により給電してもよく、複数の電源により給電してもよい。
図３に示すように、プラズマ処理システム３００は、ガス源３３０をさらに含む。ガス源３３０は、ノズルの形状の供給口３３６にガスまたはリモートプラズマを供給する。プロセスガスおよび副生成物は、圧力制御弁３４２およびポンプ３４４を介して、プラズマ処理チャンバ３０４から除去される。圧力制御弁３４２およびポンプ３４４はまた、プラズマ処理チャンバ３０４内を特定の圧力に維持するためにも機能する。ガス源３３０は、コントローラ３２４によって制御される。Ｌａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ社（カリフォルニア州フリーモント）製のＫｉｙｏ（登録商標）を使用して、実施形態を実行できる。
図４は、コンピュータシステム４００を示す高レベルのブロック図である。コンピュータシステム４００は、実施形態において使用されるコントローラ３２４の実装に適している。コンピュータシステムは、集積回路、プリント回路基板、および小型携帯用デバイスから巨大なスーパーコンピュータに至るまで、多くの物理的形態を有し得る。コンピュータシステム４００は、１つまたは複数のプロセッサ４０２を含み、さらに（図形、テキスト、および他のデータを表示するための）電子表示装置４０４、メインメモリ４０６（例えば、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ））、記憶装置４０８（例えば、ハードディスクドライブ）、リムーバブル記憶装置４１０（例えば、光ディスクドライブ）、ユーザインターフェース装置４１２（例えば、キーボード、タッチスクリーン、キーパッド、マウス、または他のポンティングデバイスなど）、および通信インターフェース４１４（例えば、ワイヤレスネットワークインターフェース）を含んでもよい。通信インターフェース４１４は、コンピュータシステム４００と外部装置の間で、リンクを介してソフトウエアおよびデータの転送を可能にする。システムはまた、前述の装置／モジュールに接続された通信インフラストラクチャ４１６（例えば、通信バス、渡りバー、またはネットワーク）を含んでもよい。
通信インターフェース４１４を介して転送される情報は、電子的、電磁的、光学的な信号の形態、あるいは、信号を伝送し、ワイヤまたはケーブル、光ファイバ、電話線、携帯電話リンク、無線周波数リンク、および／または他の通信チャネルを用いて実装され得る通信リンクを介して通信インターフェース４１４が受信できる他の信号形態であってもよい。そのような通信インターフェースにより、上記の方法工程を実施する間に、１つまたは複数のプロセッサ４０２がネットワークからの情報を受信し得る、またはネットワークに情報を出力し得ることが企図される。さらに、方法の実施形態は、プロセッサのみで、またはインターネットなどのネットワーク上で、処理の一部を共有するリモートプロセッサと組み合わせて実行可能である。
「非一時的コンピュータ可読媒体」という用語は、一般に、ハードディスク、フラッシュメモリ、ディスクドライブメモリ、ＣＤ－ＲＯＭ、および他の形態の永続メモリなどのメインメモリ、補助メモリ、リムーバブル記憶装置、および記憶装置などの媒体を指すために使用され、搬送波やシグナルなどの一時的な対象物を含むと解釈されるべきではない。コンピュータコードの例としては、コンパイラによって生成されるような機械コード、およびインタープリタを用いてコンピュータによって実行される、より高レベルのコードを含むファイルが挙げられる。コンピュータ可読媒体は、搬送波に具現化され、プロセッサによって実行され得る一連の指示を表すコンピュータデータ信号によって送信されるコンピュータコードであってもよい。
この実施形態では、プリコートは、プラズマリアクタ３０２内のチャンバ壁３６２、パワーウィンドウ３１２、供給口３３６、静電チャック、およびライナに形成してもよい。
いくつかの実施形態に関して本開示を説明してきたが、本開示の範囲内に含まれる変更、修正、置換え、およびさまざまな代替の同等物が存在する。本開示の方法および装置を実施するための多くの代替の方法があることにも、留意されたい。そのため、以下の添付の特許請求の範囲は、本開示の真の精神および範囲に含まれるすべてのそのような変更、修正、置換え、およびさまざまな代替の同等物を含むように解釈されるべきであることが、意図されている。
Claims (31)
- プラズマ処理チャンバにおいて１つまたは複数の基板を処理する方法であって、前記方法は複数のサイクルを含み、各サイクルが、
（ａ）ケイ素含有プリコート層を堆積することと、
炭素含有プリコート層を堆積すること
の１つまたは複数のサイクルを含む、プリコート処理を提供することと、
（ｂ）前記プラズマ処理チャンバ内で少なくとも１つの基板を処理することと、
（ｃ）前記プラズマ処理チャンバを洗浄することと
を含む、方法。 - 請求項１に記載の方法であって、前記ケイ素含有プリコート層が、酸化ケイ素系プリコート層である、方法。
- 請求項１に記載の方法であって、前記ケイ素含有プリコート層が炭素を含まない、方法。
- 請求項１に記載の方法であって、前記炭素含有プリコート層がケイ素を含まない、方法。
- 請求項１に記載の方法であって、前記炭素含有プリコート層が、ヒドロフルオロカーボン、炭化水素、またはフッ化炭素のうちの少なくとも１つを含む、方法。
- 請求項１に記載の方法であって、前記炭素含有プリコート層を堆積することが、
ヒドロフルオロカーボン、炭化水素、またはフッ化炭素のうちの少なくとも１つを含む炭素含有堆積ガスを流すことと、
前記炭素含有堆積ガスをプラズマに形成することと、
前記炭素含有堆積ガスの前記流れを停止することと
を含む、方法。 - 請求項１に記載の方法であって、前記ケイ素含有プリコート層を堆積することが、
ケイ素含有堆積ガスを流すことと、
前記ケイ素含有堆積ガスをプラズマに形成することと、
前記ケイ素含有堆積ガスの前記流れを停止することと
を含む、方法。 - 請求項７に記載の方法であって、前記ケイ素含有堆積ガスが、ケイ素含有成分および酸素含有成分を含む、方法。
- 請求項１に記載の方法であって、前記炭素含有プリコート層を堆積することが、前記ケイ素含有プリコート層を堆積する前である、方法。
- 請求項１に記載の方法であって、前記炭素含有プリコート層を堆積することが、前記ケイ素含有プリコート層を堆積する後である、方法。
- 請求項１に記載の方法であって、前記炭素含有プリコート層を堆積することおよび前記ケイ素含有プリコート層を堆積することが、同時ではない、方法。
- 請求項１に記載の方法であって、前記プリコート処理が、
ケイ素含有プリコート層を堆積することと、
炭素含有プリコート層を堆積することと
の少なくとも２つのサイクルを含む、方法。 - 請求項１に記載の方法であって、少なくとも１つの基板の前記プラズマ処理チャンバ内での前記処理が、前記プラズマ処理チャンバ内で少なくとも２つの基板を処理する、方法。
- 請求項１に記載の方法であって、前記プラズマ処理チャンバが、金属体を含む、方法。
- 請求項１４に記載の方法であって、前記プラズマ処理チャンバが、前記金属体上の保護コーティングを含む、方法。
- 請求項１に記載の方法であって、前記プラズマ処理チャンバが、ステンレス鋼またはアルミニウム体を含む、方法。
- 請求項１に記載の方法であって、前記プラズマ処理チャンバが、アルミニウム体を含む、方法。
- 請求項１７に記載の方法であって、前記プラズマ処理チャンバが、前記アルミニウム体上の保護コーティングをさらに含む、方法。
- 請求項１８に記載の方法であって、前記保護コーティングが酸化イットリウムを含む、方法。
- 基板を処理するための半導体処理チャンバを調整する方法であって、前記調整が、前記基板を前記半導体処理チャンバに設置する前に行われ、前記方法が、
プリコート処理を提供することを含み、前記プリコート処理が、
ケイ素含有プリコート層を堆積することと、
炭素含有プリコート層を堆積すること
の１つまたは複数のサイクルを含む、方法。 - 請求項２０に記載の方法であって、前記ケイ素含有プリコート層が、酸化ケイ素系プリコート層である、方法。
- 請求項２０に記載の方法であって、前記ケイ素含有プリコート層が、炭素を含まない、方法。
- 請求項２０に記載の方法であって、前記炭素含有プリコート層が、ケイ素を含まない、方法。
- 請求項２０に記載の方法であって、前記炭素含有プリコート層を堆積することが、
ヒドロフルオロカーボン、炭化水素、またはフッ化炭素のうちの少なくとも１つを含む炭素含有堆積ガスを流すことと、
前記炭素含有堆積ガスをプラズマに形成することと、
前記炭素含有堆積ガスの前記流れを停止することと
を含む、方法。 - 請求項２０に記載の方法であって、前記ケイ素含有プリコート層を堆積することが、
ケイ素含有堆積ガスを流すことと、
前記ケイ素含有堆積ガスをプラズマに形成することと、
前記ケイ素含有堆積ガスの前記流れを停止することと
を含む、方法。 - 請求項２０に記載の方法であって、前記半導体処理チャンバが、金属体を含む、方法。
- 請求項２６に記載の方法であって、前記半導体処理チャンバが、前記金属体上の保護コーティングを含む、方法。
- 請求項２０に記載の方法であって、前記半導体処理チャンバが、ステンレス鋼またはアルミニウム体を含む、方法。
- 請求項２０に記載の方法であって、前記半導体処理チャンバが、アルミニウム体を含む、方法。
- 請求項２９に記載の方法であって、前記半導体処理チャンバが、前記アルミニウム体上の保護コーティングをさらに含む、方法。
- 請求項３０に記載の方法であって、前記保護コーティングが酸化イットリウムを含む、方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US202062991236P | 2020-03-18 | 2020-03-18 | |
| US62/991,236 | 2020-03-18 | ||
| PCT/US2021/021743 WO2021188340A1 (en) | 2020-03-18 | 2021-03-10 | Method for conditioning a plasma processing chamber |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023517769A true JP2023517769A (ja) | 2023-04-26 |
Family
ID=77771494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022556054A Pending JP2023517769A (ja) | 2020-03-18 | 2021-03-10 | プラズマ処理チャンバの調整方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230122167A1 (ja) |
| JP (1) | JP2023517769A (ja) |
| KR (1) | KR20220156048A (ja) |
| CN (1) | CN115298798A (ja) |
| WO (1) | WO2021188340A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11702738B2 (en) * | 2021-05-17 | 2023-07-18 | Applied Materials, Inc. | Chamber processes for reducing backside particles |
| WO2024043077A1 (ja) * | 2022-08-26 | 2024-02-29 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、プリコート方法及びエッチング装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7204913B1 (en) * | 2002-06-28 | 2007-04-17 | Lam Research Corporation | In-situ pre-coating of plasma etch chamber for improved productivity and chamber condition control |
| US7659184B2 (en) * | 2008-02-25 | 2010-02-09 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process with chamber seasoning and seasoning layer plasma discharging for wafer dechucking |
| KR20140110080A (ko) * | 2012-01-09 | 2014-09-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 열화를 방지하기 위해 ｕｖ 챔버 광학 컴포넌트들을 시즈닝하기 위한 방법 |
| US9869013B2 (en) * | 2014-04-25 | 2018-01-16 | Applied Materials, Inc. | Ion assisted deposition top coat of rare-earth oxide |
| TWM563652U (zh) * | 2016-10-13 | 2018-07-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於電漿處理裝置的腔室部件及包含其之裝置 |
-
2021
- 2021-03-10 CN CN202180021753.9A patent/CN115298798A/zh active Pending
- 2021-03-10 WO PCT/US2021/021743 patent/WO2021188340A1/en active Application Filing
- 2021-03-10 KR KR1020227036096A patent/KR20220156048A/ko active Search and Examination
- 2021-03-10 JP JP2022556054A patent/JP2023517769A/ja active Pending
- 2021-03-10 US US17/911,596 patent/US20230122167A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2021188340A1 (en) | 2021-09-23 |
| KR20220156048A (ko) | 2022-11-24 |
| CN115298798A (zh) | 2022-11-04 |
| US20230122167A1 (en) | 2023-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI774742B (zh) | 矽氮化物之原子層蝕刻 | |
| US20210333715A1 (en) | Protective coating for electrostatic chucks | |
| TWI735522B (zh) | 混合式階梯蝕刻 | |
| US20210340668A1 (en) | Method for conditioning a plasma processing chamber | |
| US10658194B2 (en) | Silicon-based deposition for semiconductor processing | |
| KR20150056553A (ko) | 플라즈마 에칭 방법 및 플라즈마 에칭 장치 | |
| JP2023517769A (ja) | プラズマ処理チャンバの調整方法 | |
| KR20190107159A (ko) | 유전체 컨택트 에칭 | |
| CN107919264B (zh) | 有关有机掩模的用于选择性地蚀刻氧化硅的方法 | |
| JP2016136617A (ja) | シリコンのエッチングおよびクリーニング | |
| US20140179106A1 (en) | In-situ metal residue clean | |
| TWI806871B (zh) | 多孔低介電常數介電蝕刻 | |
| TW201707087A (zh) | 梯階結構之形成方法 | |
| KR20200104805A (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
| TWI786101B (zh) | 蝕刻後處理以預防圖案崩塌 | |
| CN111223775A (zh) | 蚀刻方法和基板处理装置 | |
| US20210265136A1 (en) | Method and apparatus for processing wafers | |
| TWI839386B (zh) | 電漿處理腔室的調節方法 | |
| TWI768026B (zh) | 用於半導體處理之矽基沉積 | |
| US20190378725A1 (en) | Method for transferring a pattern from an organic mask | |
| KR102626483B1 (ko) | 반도체 프로세싱을 위한 실리콘-기반 증착 | |
| CN107785253B (zh) | 利用侧边溅射的线边缘粗糙表面改进 | |
| US20230298869A1 (en) | Subtractive copper etch | |
| US20210159052A1 (en) | Processing Chamber With Multiple Plasma Units | |
| JP2023529454A (ja) | チャンバ洗浄方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20240301 |