JP2023515102A - 被覆切削工具 - Google Patents

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Abstract

本発明は、超硬合金、サーメット、セラミック、鋼又は高速度鋼の基体(5)と、その上に堆積された耐摩耗性被覆(6)とを有する金属機械加工用の被覆切削工具(1)に関し、前記被覆(6)は、0.40≦x≦0.95、0≦y≦0.10及び0.85≦z≦1.15を有するTi1-xAlxCyNz(8)の層と、Ti1-xAlxCyNz(8)の層上に存在するMeCaNb(9)の一部、0≦a≦1、0≦b≦1、a+b=1、とを含み、MeCaNb(9)の一部は、Ti1-xAlxCyNz(8)の層の5~28%を覆う。本発明はさらに、被覆切削工具の製造方法及びステンレス鋼の機械加工における被覆切削工具の使用に関する。【選択図】図2

Description

本発明は、0.40≦x≦0.95、0≦y≦0.10及び0.85≦z≦1.15を有するTi1-xAl層を含む基体及びその上に堆積された耐摩耗性被覆を有する金属機械加工用の被覆切削工具に関する。本発明はさらに、被覆切削工具の製造方法及びステンレス鋼の機械加工における被覆切削工具の使用に関する。
チップ形成金属機械加工のための工具は、一般に、切削特性及び/又は摩耗特性を改善するための単層又は多層の耐摩耗性被覆を備えた超硬合金の基体(基板とも呼ばれる)からなる。このような耐摩耗性被覆の1つの重要なグループは、1つ以上の金属の窒化物又は炭窒化物の1つ以上の層を含む。重要な例は、Ti及びAl、特に(Ti,Al)Nの窒化物及び炭窒化物である。
前述のタイプの被覆は、一般にCVDプロセス(化学気相堆積)又はPVDプロセス(物理気相堆積)によって堆積される。
米国特許出願公開第2018/0216224号明細書は、この問題に対処し、超硬合金基材上にCVDプロセスによって堆積された(Ti,Al)N被覆を有する被覆切削工具を開示している。アニーリング手順によって、被覆に圧縮応力を付与する(Ti,Al)Nの粒界に形成されたw-AlNの六方晶相が開示される。
ステンレス鋼接着剤摩耗を機械加工する場合、特にミリング作業において重要な摩耗機構である。接着剤の摩耗又は塗抹は、ステンレス鋼などの粘着性材料の切削プロセス中に、工作物材料が刃先上に塗抹して、接着して、いわゆる層成の刃先を形成し得る材料の層を形成することを特徴とする。被覆のフレーキングは、接着剤の摩耗に関連して一般的な問題である。
したがって、塗抹ステンレス鋼などの工作物材料をミリングする場合、(Ti,Al)N被覆工具の性能を向上させる必要がある。
本発明の目的は、被覆が高い耐フレーキング性及び長い工具寿命を示す、ステンレス鋼などの塗抹工作物材料の金属機械加工、特にミリングのための被覆切削工具を提供することである。
本発明
本発明の目的は、すくい面と、逃げ面と、その間の刃先とを有する被覆切削工具であって、超硬合金、サーメット、セラミック、鋼又は高速度鋼の基体と、2~20μmの合計厚さを有する被覆とを含み、前記被覆が、0.40≦x≦0.95、0≦y≦0.10及び0.85≦z≦1.15であり、1~18μmの厚さを有するTi1-xAlの層であって、Ti1-xAlの層が、粒界を有する柱状構造の結晶子を含み、Ti1-xAlが、≧85体積%の面心立方(fcc)結晶構造を含み、すくい面上である、Ti1-xAlの層と、MeC(0≦a≦1、0≦b≦1、a+b=1)の一部であって、Ti1-xAlの層上に存在し、Ti1-xAlの層が、MeCの一部と共に被覆の最外部を形成し、Meが、Ti及び/又はZrであり、すくい面上の、刃先から200~400μmの距離にある領域内のMeCの一部が、Ti1-xAlの層の5~28%を覆い、MeCの一部が、前記領域にわたって分布している、MeCの一部と、を含む、被覆切削工具によって解決される。
好ましい実施形態では、Ti1-xAlの層はCVD層であり、すなわち化学気相堆積(CVD)プロセスによって堆積されている。
一実施形態では、Ti1-xAlの層は、Ti1-xAl結晶子の粒界にTi1-oAlの析出物を含み、Ti1-oAlの析出物は、結晶子の内部よりも高いAl含有量を有し、0.95≦o≦1.00、0≦p≦0.10、0.85≦q≦1.15及び(o-x)≧0.05である。好ましくは、0.95≦o≦1.00、p=0、q=1及び0.05≦(o-x)≦0.25である。
一実施形態では、Ti1-xAlの層は、層の0.3μmの最上部のTi1-xAl結晶子の粒界にTi1-oAlの析出物を含む。一実施形態では、Ti1-xAlの層は、層の0.8μmの最上部のTi1-xAl結晶子の粒界にTi1-oAlの析出物を含む。一実施形態では、Ti1-xAlの層は、層全体にわたってTi1-xAl結晶子の粒界にTi1-oAlの析出物を含む。
Ti1-xAlの層は、主に面心立方(fcc)結晶構造を有する。しかしながら、例えば六方晶AlNなどのより柔らかい他の相の割合が層内に存在する可能性があるが、それらがfcc-Ti1-xAl構造と共に共堆積によって形成される場合、それらは硬度及び耐摩耗性に悪影響を及ぼすので望ましくない。
したがって、本発明の被覆中のTi1-xAlの層(存在する場合、粒界におけるTi1-oAlの析出物の体積割合を含む全層)は、≧85体積%、適切には≧90体積%、好ましくは≧95体積%、特に好ましくは≧98体積%の面心立方(fcc)結晶構造を含む。
一実施形態では、結晶子の内部よりも高いAl含有量を有するTi1-xAl結晶子の粒界におけるTi1-oAlの析出物は、六方晶ウルツ鉱型結晶構造(w-AlN)を有するAlNを含み、好ましくは、結晶子の内部よりも高いAl含有量を有するTi1-xAl結晶子の粒界におけるTi1-oAlの析出物は、六方晶ウルツ鉱型結晶構造(w-AlN)を有するAlNを本質的に含む。析出物は、低い割合のTi及びCを含むことができる。面心立方結晶構造を有するTi1-xAl結晶子からの析出物の生成中に、六方晶相への相変換が起こると想定される。六方晶w-AlN相は面心立方相よりも体積が大きいため、体積の膨張に伴って変換が起こることが明らかである。したがって、Ti1-xAl結晶子の粒界における体積のこの膨張は、Ti1-xAl層における残留圧縮応力の増加をもたらすとさらに仮定される。
Ti1-xAlは、適切には、0.60≦x≦0.90、y=0及び0.85≦z≦1.15、好ましくは0.70≦x≦0.90、y=0及び0.85≦z≦1.15の化学量論係数を有する。これらの実施形態では、Ti1-xAlの層は、製造を条件とする不可避の不純物及び/又は不純物を除いて、炭化物炭素を本質的に含まず、本質的に純粋な窒化物層である。Ti1-xAl層の場合、限られた量の炭素しか立方相の格子に溶解せず、過剰の炭素が非晶質形態で存在する可能性があり、その結果、層の硬度が低くなり、工具の耐用年数に悪影響を及ぼし得る不利なトライボロジー特性がもたらされ得ることを考慮しなければならない。
一実施形態では、Ti1-xAlの層は、150nm以下、好ましくは100nm以下、特に好ましくは50nm以下の厚さのラメラを有するラメラ構造を有し、ラメラは、Ti及びAlの交互に異なる化学量論的含有量を有し、同じ結晶構造(=結晶学的相)及び/又は同じ結晶学的配向を有するTi1-xAlの層の周期的に交互に繰り返される領域から形成される。
MeCの一部は、刃先から200~400μmの距離のすくい面上の領域においてTi1-xAlの層の5~28%を覆う。したがって、Ti1-xAlの層上にMeCの一部が残るはずである。MeCの一部によるTi1-xAlの層の被覆率の特定の割合は、強力なブラスト操作によって提供されるが、それにもかかわらず制御されなければならない。除去されるMeCが多すぎると、工具寿命が著しく低下する。一方、除去されるMeCが少なすぎると、工具寿命も非常に悪くなる。
適切には、刃先から200~400μmの距離にあるすくい面上の領域におけるMeCの一部は、Ti1-xAlの層の6~26%、好ましくは7~24%、最も好ましくは8~22%を覆い、MeCの一部は前記領域にわたって分布している。
MeCの一部によるTi1-xAlの層の被覆は、倍率5000Xの上面走査型電子顕微鏡(SEM)画像の少なくとも約25μm×15μmの領域の画像分析によって適切に決定される。
MeCの一部は、2.5μm×2.5μmの正方形の格子を5000Xの倍率で上面走査型電子顕微鏡(SEM)画像上に置くと、2.5μm×2.5μmの正方形の75%超、好ましくは90%超が、MeCとTi1-xAlの両方を示し、正方形の数は少なくとも60であるように、すくい面上の刃先から200~400μmの距離ですくい面上の領域にわたって適切に分布する。
MeCにおいて、Meは、Ti及び/又はZrである。MeCがTi及びZrの両方を含有する場合、それらは、任意の原子比で存在し得る。適切には、Meは、Ti又はZrである。MeCは、0≦a≦0.5、0.5≦b≦1が適切であり、0≦a≦0.1、0.9≦b≦1が好適である。好ましい実施形態では、MeCはTiNである。
被覆切削工具は、その製造中に強力なブラストを受けており、平滑化された表面を提供している。一実施形態では、すくい面上の被覆の表面粗さRaは、20~60nm、好ましくは30~50nmである。表面粗さは、刃先から200~400μmの距離の領域で測定される。
堆積後のTi1-xAl層の上部表面は、Ti1-xAl結晶子の上部の好ましいファセット形状のために適切に不均一である。MeCの一部は、Ti1-xAlの層上に堆積されたMeC層が大幅に除去される製造プロセスにおけるブラスト手順後に残っているものである。Ti1-xAl結晶子の上部のファセット形状は、Ti1-xAl結晶子の粒界上のMeCの一部の好ましい位置をもたらすであろう。したがって、本発明の一実施形態では、MeCは、Ti1-xAlの層のTi1-xAl結晶子の粒界の少なくとも一部の上に位置する。
Ti1-xAl結晶子Ti1-xAlの粒径は、本明細書では、層の中央の柱状Ti1-xAl結晶子の平均幅として定義される。一実施形態では、Ti1-xAlの粒径は0.2~0.8μm、好ましくは0.3~0.6μmである。
Ti1-xAl結晶子の粒界におけるTi1-oAl析出物は、Ti1-xAl結晶子間の体積を占める。粒界にTi1-oAl析出物を有するTi1-xAl結晶子間の平均距離は、適切には4~200nm、好ましくは10~100nm、最も好ましくは25~75nmである。Ti1-oAl析出物は、粒界相とみなすことができ、Ti1-oAl析出物を粒界に有するTi1-xAl結晶子間の前記平均距離も粒界相の厚さとみなすことができる。粒界にTi1-oAl析出物を有するTi1-xAl結晶子間の平均距離が小さすぎる場合、Ti1-xAl層内の残留圧縮応力の増加は、耐摩耗性及び耐亀裂性の改善という本明細書に記載の利点を達成するには小さすぎる可能性がある。粒界にTi1-oAl析出物を有するTi1-xAl結晶子間の平均距離が大きすぎると、析出物の総量が多くなる。析出物は、面心立方晶Ti1-xAlよりも柔らかい高い割合の六方晶w-AlNを適切に含むので、析出物の割合が高すぎると、層の硬度が望ましくないほど低下し、切削特性が損なわれる。
析出物は、例えば、被覆の十分に薄い電子透過型電子顕微鏡(STEM)で、好ましくは集束イオンビーム(FIB)によって調製されたサンプルを通して、十分に薄い電子透過型研磨断面で示すことができ、Ti1-xAl結晶子間の平均距離は、STEM画像を使用して決定することができる。好ましくは、HAADF検出器(High Angle Annular Dark Field detectors:高角度環状暗視野検出器)が使用され、BF画像(bright field:明視野)及びHAADF画像の逆コントラストで析出物が可視化される。これにより、結晶子内部よりもAl含有量が高いTi1-oAl析出物は、BF画像ではTi1-xAl結晶子よりも明るく見え、HAADF画像ではTi1-oAl析出物はTi1-xAl結晶子よりも暗く見える。
電子ビームに対するTi1-xAl結晶子の適切なサンプル厚さ及び配向で、高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM)によって、Ti1-xAl結晶子からの回折像、並びに粒界におけるTi1-oAl排出物の領域からの回折像をフーリエ変換によって導出することができる画像を得ることができる。回折像のインデックス付けにより、面心立方(fcc)相がTi1-xAl結晶子に存在することを示すことができる。また、Ti1-oAl析出物がw-AlN構造を含む場合、回折像のインデックス付けによって、Ti1-oAl粒界析出物の結晶ドメインが実際にw-AlN構造を有し、fcc Ti1-xAl結晶子とw-AlN析出物との間にエピタキシャル関係が存在することを示すことができる。
別の方法では、埋め込み金属研磨断面又は表面に平行に研磨されたサンプルの走査型電子顕微鏡(SEM)で析出物を可視化することができる。これにより、後述する調製プロセスの最終研磨工程において、w-AlNが立方相の領域よりも強くエッチングされるという効果を利用する。本発明の析出物は、高い割合の六方晶w-AlNを含有するため、調製された研磨断面において明確に視認可能である。
一例として、記載された分析のための研磨断面のサンプル調製のために、製造された工具は分離され、例えばベークライトに埋め込まれ、次いで以下の方法:砥石車Struers Piano220及び水を使用した6分間の研削;Struers 9μm MD-Largoダイヤモンド懸濁液を用いた3分間の研磨;Struers 3μm MD-Dacダイヤモンド懸濁液を用いた3:40分間の研磨;Struers 1μm MD-Napダイヤモンド懸濁液を用いた2分間の研磨;Struers OP-S(平均粒子径0,04μmのコロイド状二酸化シリコーンの懸濁液)を用いた少なくとも12分間の化学研磨、で処理される。その後のSEM検査の前に、サンプルを超音波浴で洗浄し、消磁する。このようにして製造された研磨断面において、Ti1-xAl層を、加速電圧2.5kV及び典型的な作動距離3~10mmで二次電子検出器を使用してFE-SEMで画像化する。これにより、サンプルの研磨断面において、非アニール状態で約100%の面心立方(fcc)構造を有するTi1-xAl層の柱状構造が観察される。上述の調製における化学研磨の最終工程で結晶子よりも強くエッチングされた粒界での析出物は、トポグラフィ及び原子番号コントラストに起因してより暗い領域として識別することができる。結晶子は本質的に100%の面心立方相を含有するが、アニーリングによって形成されたw-AlN相の割合はTi1-oAl粒界析出物に含有され、それにより、Ti1-oAl粒界析出物は主にw-AlNからなると考えられる。Ti1-oAl粒界析出物の広がりの決定及びTi1-xAl層中のfcc相の最小含有量の決定は、一般に、画像を測定することによって、又は確立された画像分析手順を適用することによって、そのように生成された画像上で可能である。
一実施形態では、Ti1-xAl層は、sinψ法によってfcc-Ti1-xAl相の約81.5-82度2シータでの(222)反射で測定して、適切には<0MPa~-5000MPaの範囲内、好ましくは-300MPa~-3500MPaの範囲内の残留圧縮応力を有する。
Ti1-xAl層内の残留圧縮応力によって、亀裂形成、特にコーム亀裂形成に対する耐性、したがって工具の耐摩耗性が改善される。しかしながら、Ti1-xAl層の残留圧縮応力が高すぎると、接着の問題及び層のチッピングが生じる可能性がある。
一実施形態では、0.05μm~2μm、好ましくは0.1μm~1μmの厚さを有する基体上に直接設けられたさらなる層があり、さらなる層は金属窒化物又は金属炭窒化物層であり、Meは元素の周期表の第4族に属する元素、好ましくはTiN層又はTi(C,N)層である。このさらなる層は、基体と上層との密着性を向上させる機能を適切に有する。
Ti1-xAlの層は、適切には1~15μm、好ましくは3~12μm、最も好ましくは5~10μmの厚さを有する。
被覆の合計厚さは、適切には2~16μm、好ましくは5~12μmである。
基体は、超硬合金の基体であることが好ましい。
超硬合金は、適切には、5~15重量%のCo、必要に応じて最大10重量%の元素の周期表の第4族、第5族及び第6族からの1つ以上の金属の炭化物又は炭窒化物、及び75~95重量%のWCを含む。一実施形態では、超硬合金は、5~15重量%のCo、必要に応じて最大10重量%の元素の周期表の第4族、第5族及び第6族からの1つ以上の金属の炭化物又は炭窒化物、並びに残部WCの組成を有する。炭化物又は炭窒化物であってもよい元素の周期表における第4族、第5族及び第6族の金属は、Ti、Ta、Nb、V、Zr、Cr及びMoのグループに適切に属し、Wは、必要に応じて炭化物又は炭窒化物中にさらに存在してもよい。
被覆切削工具は、適切には、ミリングインサート又はターニングインサート、ドリル又はエンドミルである。好ましくは、被覆切削工具はミリングインサートである。
本発明はまた、すくい面と、逃げ面と、その間の刃先とを有する本明細書に記載の被覆切削工具であって、超硬合金、サーメット、セラミック、鋼又は高速度鋼の基体と、0.40≦x≦0.95、0≦y≦0.10及び0.85≦z≦1.15を有する1~18μmの厚さのTi1-xAl層を含む2~20μmの合計厚さを有する被覆とを含み、Ti1-xAl層は粒界を有する柱状構造の結晶子を含み、Ti1-xAlは≧85体積%の面心立方(fcc)結晶構造を含む、被覆切削工具の製造のためのプロセスであって、プロセスは以下の順序で、以下の工程:
・CVDプロセスによってTi1-xAlの層を提供する工程と、
・Ti1-xAlの層の真上のCVDプロセスによって、MeC(0≦a≦1、0≦b≦1、a+b=1)の層を提供する工程であって、MeはTi及び/又はZrである、提供する工程と、
・Ti1-xAlの層の5~28%を覆う刃先から200~400μmの距離のすくい面上の領域にMeCの一部が残存するまで被覆の表面をブラストする工程であって、MeCの一部が前記領域にわたって分布するブラストする工程と、
を含む、プロセスに関する。
Ti1-xAlの層の堆積は、625~800℃の範囲内のプロセス温度で適切に行われる。
一実施形態では、プロセスは、ブラストする工程の前に、Ti1-xAlの堆積層を、空気又は酸素の排除下、それぞれ700~950℃の範囲内の温度で0.5~12時間の持続時間にわたってアニーリングに供することを含み、条件が、Ti1-xAl結晶子の粒界でTi1-oAlの析出物が生成され、Ti1-oAlの析出物がTi1-xAl結晶子の内部よりも高いAl含有量を有するように選択され、0.95≦o≦1.00、0≦p≦0.10、0.85≦q≦1.15及び(o-x)≧0.05である。適切には、Ti1-oAlの析出物は、Ti1-xAlの層の少なくとも0.3μmの最上部、好ましくはTi1-xAlの層の少なくとも0.8μmの最上部、最も好ましくはTi1-xAlの層全体にわたって、Ti1-xAl結晶子の粒界に生成される。
一実施形態では、Ti1-xAlの層を堆積させるために、CVDプロセスは、反応ゾーンで反応するTiCl、AlCl、H、及びNHを前駆体として使用することを含む。好ましい実施形態では、TiCl、AlCl及びHを含む第1の前駆体ガス混合物、並びにH及びNHを含む第2の前駆体ガス混合物がある。第1及び第2の前駆体ガス混合物は、反応ゾーンへの入口で混合される。
好ましくは、Ti1-xAl層を堆積させるためのCVDプロセスは、LP-CVDプロセス(低圧CVDプロセス)であり、これは、0.05~8kPa、好ましくは0.1~7kPa、特に好ましくは0.3~2kPaのCVD反応器内のプロセス圧力で行われる。より高いプロセス圧力では、一般に、面心立方及び柱状構造を有するTi1-xAl層は達成されず、むしろかなりの割合のw-AlNを有する層が達成される。より低いプロセス圧力は、真空を生成するために非常に高い技術的努力を必要とし、さらに、より低い圧力での被覆プロセスは、複雑な成形部品にわたって被覆厚さを均一に分布させるためのより低い投入力を有する。
一実施形態では、MeCの層を堆積させるために、CVDプロセスは、前駆体としてMeCl、H、並びに窒素源及び炭素源の一方又は両方を使用することを含む。窒素源は、好ましくはN、又はNHと共にNである。炭素源としては、CHCNが好ましい。Meは、Ti及び/又はZrである。
堆積したTi1-xAl層のアニーリングは、750~900℃、好ましくは800~850℃の温度で適切に行われる。
アニーリングの持続時間は、適切には1~6時間である。
アニーリングは、好ましくは、同じ反応器内のTi1-xAlの層の堆積直後に行われる。これは、Ti1-xAlの堆積層がMeCの堆積前に冷却される場合に起こり得る冷却亀裂を回避するためである。
一実施形態では、Ti1-xAlの堆積層のアニーリングは、MeCの層の堆積前、堆積中、及び堆積後の両方で行われる。
本プロセスの好ましい実施形態では、アニーリング中の温度及び持続時間の条件は、アニーリング後のTi1-xAl層中のTi1-oAlの析出物の発生後の、Ti1-xAl層中の面心立方(fcc)結晶構造の残存含有量が≧85体積%、好ましくは≧90体積%、より好ましくは≧95体積%、特に好ましくは≧98体積%であるように選択される。
必須のプロセス条件はまた、アニーリング中の空気又は酸素の排除であり、そうしなければTi1-xAlの層が酸化する可能性があるためである。このプロセスは、例えば、アルゴン、水素又は窒素などの真空又は保護ガス雰囲気下で行うことができる。
好ましくは、被覆の表面は、Ti1-xAlの層の6~26%、好ましくは7~24%、最も好ましくは8~22%を覆う刃先から200~400μmの距離のすくい面上の領域に残存するMeCの一部が存在するまでブラストされ、MeCの一部は前記領域にわたって分布する。
MeCにおいて、Meは、Ti及び/又はZrである。MeCがTi及びZrの両方を含有する場合、それらは、任意の原子比で存在し得る。適切には、Meは、Ti又はZrである。MeCは、0≦a≦0.5、0.5≦b≦1が適切であり、0≦a≦0.1、0.9≦b≦1が好適である。好ましい実施形態では、MeCはTiNである。
一実施形態では、Ti1-xAl結晶子の粒界におけるTi1-oAlの析出物は、六方晶ウルツ鉱型結晶構造(w-AlN)を有するAlNを含む。
一実施形態では、CVDプロセスによって、0.05μm~2μm、好ましくは0.1μm~1μmの厚さを有する基体上に直接設けられたさらなる層があり、さらなる層は金属窒化物又は金属炭窒化物層であり、Meは元素の周期表の第4族に属する元素、好ましくはTiN層又はTi(C,N)層である。このさらなる層を堆積させるために、CVDプロセスは、前駆体としてMeCl、H、並びに窒素源及び炭素源の一方又は両方を使用することを含む。窒素源は、好ましくはNである。炭素源は、好ましくはCH又はCHCNである。Meは、好ましくはTi及び/又はZr、最も好ましくはTiである。
好ましくは、被覆の表面のブラストは、湿式ブラストによって行われる。
本明細書では、「湿式ブラスト」とは、スラリーを形成する液体中で研磨粒子、例えば酸化アルミニウム粒子を含む媒体を使用するブラスト処理を意味し、材料は典型的にはある程度除去されて被覆のより滑らかな表面をもたらす。また、いくつかの残留圧縮応力が被覆に導入される。
湿式ブラストは、スラリーがノズルから出るブラストガンを使用する。一実施形態では、湿式ブラストは、1.8~3.5バール、好ましくは2.0~3バールのノズルの出口でのブラスト圧力を使用して行われる。
一実施形態では、スラリー中の酸化アルミニウム粒子の濃度は、10~25体積%、好ましくは15~20体積%である。
例えばブラストに使用される砥粒については、粒径を定義する確立された規格-FEPA(Federation of European Producers of Abrasives)がある。湿式ブラストに使用される酸化アルミニウム粒子は、適切には、FEPA名称F120~F240、すなわち、約44~約109μm、好ましくはF150~F230の平均グリットサイズ、すなわち、約36~約82μmの平均グリットサイズのうちの1つ以上に属する。MeC被覆率に関して所望の結果を得るために、適切なグリットサイズが選択される。
一実施形態では、湿式ブラストは、被覆切削工具の表面に対する角度が40~90°、好ましくは50~90°、最も好ましくは80~90°であるブラスト方向に行われる。
一実施形態では、ブラストガンノズルと被覆切削工具の表面との間の距離は、75~200mm、好ましくは100~150mmである。
所望のブラスト時間は、他の全てのブラストパラメータ、すなわちブラスト圧力、酸化アルミニウム粒子の濃度、ブラストガンノズルと被覆切削工具の表面との間の距離、及びブラスト角に依存する。
ブラスト時間は、適切には1~80分、好ましくは1.5~60分である。これらの時間範囲は、一般に約200~400個のインサートがブラスト前に支持ネット上にまとめられているブラスト処理に有効である。したがって、個々のインサートのブラスト時間は、約0.5~30秒、好ましくは約1~20秒である。
一実施形態では、高いブラスト角、すなわち80~90°の間が使用される場合、湿式ブラストにおけるブラスト時間は、適切には10~80分、好ましくは20~60分である。これらの時間範囲は、一般に約200~400個のインサートがブラスト前に支持ネット上にまとめられているブラスト処理に有効である。したがって、個々のインサートのブラスト時間は、約2~10秒である。
一実施形態では、より低いブラスト角、すなわち45~70°の間が使用される場合、湿式ブラストにおけるブラスト時間は、適切には1~10分、好ましくは2~5分である。これらの時間範囲は、一般に約200~400個のインサートがブラスト前に支持ネット上にまとめられているブラスト処理に有効である。したがって、個々のインサートのブラスト時間は、約0.2~2秒である。
ブラストの目的は、被覆の表面を平滑化することと、MeCの一部がTi1-xAlの層のごく一部を被覆したままになるまでMeCを除去することの両方である。ブラスト後に過剰のMeCが残存する場合、工具寿命はその最適レベルに達しない。一方、ブラスト後に残留するMeCが少なすぎると、工具寿命に悪影響を及ぼす。
最後に、本発明はまた、ステンレス鋼の機械加工における本明細書に記載の被覆切削工具の使用に関する。
方法
走査型電子顕微鏡法(SEM):
走査型電子顕微鏡画像のために、Carl Zeiss製の電界放出カソードを備えたSupra 40電子顕微鏡を使用した。粒界析出物を見つけて特徴付けるための画像化条件は、上記で説明されている。MeCの一部によるTi1-xAlの層の被覆は、倍率5000Xの上面走査型電子顕微鏡(SEM)画像の少なくとも25μm×15μmの領域の画像分析によって適切に決定される。
本明細書の実施例では、倍率5000Xの上面走査型電子顕微鏡(SEM)画像の約25μm×18μmの領域を使用した。
画像分析に用いたソフトウェアは「画像J」であった。画像分析では、MeCの領域とTi1-xAlの領域との間に十分なコントラストが提供され、例えば、白黒である。次いで、それぞれの領域の量を決定することができる。
刃先から200~400μmの距離におけるすくい面上の領域にわたるMeCの一部の分布は、3μm×3μmの正方形の格子を、倍率5000Xの上面走査型電子顕微鏡(SEM)画像上に、電子的に又は印刷画像として置くことによって行われる。MeCの領域とTi1-xAlの領域の両方を含む正方形の数を求める。少なくとも70個の正方形が調査される。MeCの非常に小さい領域、すなわち0.1μm未満の画像における最大幅を有するMeCは、重要ではないと考えられ、したがって無視される。全ての正方形のうち、MeCの領域とTi1-xAlの領域の両方を含む正方形の割合を求める。
残留応力測定:
残留応力の分析のために、面心立方晶Ti1-xAl層の{222}干渉は、この目的のために適切な回折計を使用して-60°~+60°までの25ψ角度(5°ずつ増加)を適用するsinψ法に従って測定することができる。バックグラウンド減算、ローレンツ偏波補正、及びKα減算(Rachinger分離)の後、干渉の線の位置は、プロファイル関数を測定データに当てはめることによって決定される。適用される弾性定数は、1/2s=1.93TPa-1及びs=-0.18TPa-1である。
Ti1-xAl層中のラメラ構造の特性評価:
Ti1-xAl層中のラメラ構造の存在の確認及び特性評価は、例えば、J.Keckesら、「Self-organized periodic soft-hard nano-lamellae in polycrystalline TiAlN thin films」、Thin Solid Films 545(2013)、29-32ページに記載されているように、X線回折(XRD)によって、及び実行される従来及び高分解能透過型電子顕微鏡法(TEM及びHR-TEM)によって行うことができる。
表面粗さ:
表面粗さは、ISO4287:1997による算術平均偏差Raである。
ミリングインサートである被覆切削工具の一実施形態を示す。 本発明の被覆切削工具の一実施形態の断面の概略図である。 TiNの上層を有するTiAlNの被覆の断面であるSEM画像を示す。 本発明の一実施形態の被覆の断面であるSEM画像を示す。 表面上のTiNの一部を示す、本発明の一実施形態の被覆切削工具の上面SEM画像を示す。 表面上のTiNの一部を示す、本発明の一実施形態の被覆切削工具の、画像処理を施した上面SEM画像を示す。 表面上のTiNの一部の分布を決定するために、約2.5μm×2.5μmの正方形の格子を画像上に置いた、図6と同じ画像処理SEM画像を示す。
図1は、すくい面(2)及び逃げ面(3)並びに刃先(4)を有する切削工具(1)の一実施形態の概略図を示す。切削工具(1)は、この実施形態ではミリングインサートである。
図2は、基体(5)及び被覆(6)を有する本発明の実施形態の被覆切削工具(1)の断面を概略的に示す。被覆(6)は、基体(5)に最も近いTiN(7)の層と、それに続くTiAlN(8)の層とからなる。TiN(9)の一部は、後処理後にTiAlN(8)の層上に残る。
図3は、TiN(9)の上層が堆積されたTiAlN(8)の被覆の断面であるSEM画像を示す。被覆の後処理は行われていない。
図4は、本発明の一実施形態の被覆の断面であるSEM画像を示す。超硬合金基体(5)上にTiN(7)の層が存在し、続いてTiAlN(8)の層が存在する。被覆の表面は後処理されているため、実質的に平滑化されており、特にTiAlN結晶子の上面が摩耗している。TiN(9)の一部は、ある程度まで、特にTiAlN結晶子の粒界にわたって存在する。
図5は、約18μm×25μmの領域を示す、本発明の実施形態の5000倍の倍率のSEM画像を示す。TiN(9)の一部は、TiAlN(8)の層上に見られる。TiN(9)の一部は、露出したTiAlN(8)よりも画像上で明るい。
図6は、約18μm×25μmの領域を示す、本発明の実施形態の5000倍の倍率のSEM画像を示す。SEM画像は、画像分析においてTiNの領域とTiAlNの領域とを分離できるようにするために画像処理に供されている。TiN(8)の一部は、黒色のTiAlN(8)の層上に白色で見られる。TiAlN上のTiNの被覆率は約9%である。
図7は、TiN(9)の一部の分布を決定するために、約2.5μm×2.5μmの正方形の格子を画像上に置いた、図6と同じ画像処理SEM画像を示す。正方形の総数は60である。
実施例1:
これらの例における基体として、90.5重量%のWC、8重量%のCo及び1.5重量%の(NbC+TaC)の組成を有する幾何形状R390-11 M-MMの超硬合金切削インサート(ミリングインサート)を使用した。
図1は、ミリングインサートである被覆切削工具(1)の実施形態を示す。切削工具(1)は、すくい面(2)と、逃げ面(3)と、その間の刃先(4)とを有する。
超硬合金割出可能切削インサートの被覆のために、1250mmの反応器高さ、325mmの反応器直径及び40リットルの充填装置の容積を有するBernex BPX325S型のCVD被覆反応器を使用した。ガス流は、反応器の長手方向軸に対して半径方向であった。
Ti1-xAl層を接着するために、超硬合金基体のすぐ上に、表1に示す堆積条件下でCVDによって厚さ約0.3μmのTiN層を最初に堆積させた。
Figure 2023515102000002
Ti1-xAl層の調製のために、出発化合物TiCl及びAlClを含有する第1の前駆体ガス混合物(VG1)と、反応性窒素成分として出発成分NHを含有する第2の前駆体ガス混合物(VG2)とを別々に反応器に導入して、2つのガス流の混合が反応ゾーンへの入口よりも早く行われないようにした。前駆体ガス混合物(VG1)及び(VG2)の体積ガス流は、反応器内の反応ガスの平均保持時間及び通常条件下での総体積流が達成されるように設定した。Ti1-xAl層の調製のためのパラメータを表2に示す。Ti1-xAl層の厚さは約8μmであった。
Figure 2023515102000003
この後、準備した切削インサートを、表3に示す条件下で一定期間熱処理に供した。
Figure 2023515102000004
熱処理期間中、TiNの0.3μmの最上層を堆積させた。このTiN層の調製のためのプロセスパラメータを表4に示す。したがって、3時間15分間の熱処理のうち、45分間のTiN堆積時間があった。
Figure 2023515102000005
Ti1-xAl層の特性評価には、X線回折(XRD)、電子回折、特にEBSD、走査型電子顕微鏡法(SEM)、走査透過型電子顕微鏡法(STEM)及び透過型電子顕微鏡法(TEM)を適用した。
堆積されたTi1-xAlにおいて、x=0.80、y=0、z=1である。
Ti1-xAlの平均粒径は0.4μmであった。粒径は、層の途中に線を引き、各Ti1-xAl柱状結晶子の幅を測定し、平均値を算出した。5000倍の断面SEM像を撮影し、約20個の結晶子の個々の幅の平均値を算出した。
サンプル1は全く後処理されなかったが、サンプル2~8は異なる厳格性の異なるブラスト手順によって後処理された。
湿式ブラストを、表に記載の「メッシュ」のサイズの酸化アルミニウムグリット(砂)を用いて行った。ブラストガンノズルと被覆表面との間の距離は、トップブラストでは120mm、そうでなければ135mmであった。サンプル2にショットピーニングを使用する場合、ZrO系ビーズを乾燥形態で使用し、ビーズは70~120μmのサイズであった。ブラスト角は、被覆表面とブラスト方向との間の角度である。ブラスト圧力は、スラリーがブラストガンノズルを出るときの圧力である。
異なる処理は以下の通りであった。
1.処理なし
2.ショットピーニング(90°、5.3バール)+微湿式ブラスト(11-15°、2.6バール、FEPA 240メッシュグリットサイズ、3分)
3.TB3(上部湿式ブラスト90°、2.1バール、FEPA 230メッシュグリットサイズ、27分)
4.ERB(角度付き湿式ブラスト55°、2.8バール、FEPA 280メッシュグリットサイズ、3分)
5.TB1(上部湿式ブラスト90°、2.0バール、FEPA 230メッシュグリットサイズ、54分)
6.ERB(角度付き湿式ブラスト55°、2.8バール、150メッシュグリットサイズ、1.8分)
7.ERB(角度付き湿式ブラスト55°、2.1バール、150メッシュグリットサイズ、3分)
8.ERB(角度付き湿式ブラスト55°、3.2バール、150メッシュグリットサイズ、4.5分)
各サンプルについて、SEM像を5000倍の倍率で画像分析して、外表面に残存するTiN量を求めた。すくい面の刃先から約250μmの約18μm×25μmの領域を分析した。画像分析に用いたソフトウェアは「画像J」であった。
いくつかのサンプルについて、後処理後の被覆の表面粗さRaを測定した。刃先から約250μmの距離のすくい面で測定した。
結果を表5に示す。
Figure 2023515102000006
TiNの一部を、刃先から250μmの距離ですくい面上の領域にわたって分布させ、2.5μm×2.5μmの正方形の格子を5000倍の倍率で上面走査型電子顕微鏡(SEM)画像の上に置いたときに、以下の結果が得られた。
Figure 2023515102000007
図6は、約18μm×25μmの領域を示す、サンプル6の5000倍の倍率のSEM画像を示す。画像は画像処理に供されている。TiNの一部は白色に見え、TiAlNは黒色に見える。
図7は、表面上のTiNの一部の分布を決定するために、約2.5μm×2.5μmの正方形の格子を画像上に置いた、図6と同じ画像処理SEM画像を示す。
透過型電子顕微鏡法(TEM)を用いた分析により、Ti1-xAl層がTi1-xAl結晶子の粒界にTi1-oAl析出物を含むことが確認された。さらに、Ti1-xAl結晶子中に≧95体積%の面心立方(fcc)相の存在、隣接する粒界でのTi1-oAl析出物中の結晶ドメインとのエピタキシャル関係、及びTi1-oAl析出物中のw-AlN相の存在がある。w-AlN構造を有するTi1-oAl析出物を有するTi1-xAl結晶子の粒界における平均距離は約25nmである。
さらに、Ti1-xlx層のラメラ構造が存在する。より高いTi割合(より低いAl割合)及びより低いTi割合(より高いAl割合)の交互のラメラが存在する。より高いTi割合の領域は、一般に、ラメラ構造のAlリッチ領域よりも著しく薄い。
さらに、全体構造は面心立方(fcc)相からなる。ラメラ構造全体は面心立方(fcc)相からなり、それによって1つの結晶子内に同じ配向が存在する。
実施例2:切削試験
サンプル1~8は、以下の切削条件下でミリング操作(湿式コーム亀裂及びフレーキング試験)で試験した。
工作物材料:ステンレス鋼:SS2343-28PR
手順:アップミリング、湿式冷却剤
歯当たりの供給量:f=0.2mm
切削深さ:a=3mm
切削速度:v=150m/分
ミリング幅:a=15mm
通過長:200mm
カットオフ基準、VBmaxはチッピング>0.3mmである
結果を表7に示す。
Figure 2023515102000008

Claims (16)

  1. すくい面(2)と、逃げ面(3)と、その間の刃先(4)とを有する被覆切削工具(1)であって、超硬合金、サーメット、セラミック、鋼又は高速度鋼の基体(5)と、2~20μmの合計厚さを有する被覆(6)とを含み、前記被覆(6)が、
    ・0.40≦x≦0.95、0≦y≦0.10及び0.85≦z≦1.15であり、1~18μmの厚さを有するTi1-xAl(8)の層であって、Ti1-xAl(8)の層が、粒界を有する柱状構造の結晶子を含み、Ti1-xAlが、≧85体積%の面心立方(fcc)結晶構造を含み、すくい面(2)上の、Ti1-xAl(8)の層と、
    ・MeC(9)の一部であって(0≦a≦1、0≦b≦1、a+b=1)、Ti1-xAl(8)の層上に存在し、Ti1-xAl(8)の層が、MeC(9)の一部と共に被覆(6)の最外部を形成し、Meが、Ti及び/又はZrであり、すくい面(2)上の、刃先(4)から200~400μmの距離にある領域内のMeC(9)の一部が、Ti1-xAl(8)の層の5~28%を覆い、MeC(9)の一部が、前記領域にわたって分布している、MeC(9)の一部と、
    を含む、被覆切削工具(1)。
  2. Ti1-xAlの層(8)が、Ti1-xAl結晶子の粒界にTi1-oAlの析出物を含み、Ti1-oAlの析出物が、Ti1-xAl結晶子の内部よりも高いAl含有量を有し、0.95≦o≦1.00、0≦p≦0.10、0.85≦q≦1.15及び(o-x)≧0.05である、請求項1に記載の被覆切削工具(1)。
  3. Ti1-xAlの層(8)が、層の0.3μmの最上部のTi1-xAl結晶子の粒界にTi1-oAlの析出物を含む、請求項2に記載の被覆切削工具(1)。
  4. Ti1-xAlの層(8)が、層全体にわたるTi1-xAl結晶子の粒界におけるTi1-oAlの析出物を含む、請求項2又は3のいずれか一項に記載の被覆切削工具(1)。
  5. Ti1-xAl結晶子の粒界におけるTi1-oAlの析出物が、六方晶ウルツ鉱型結晶構造(w-AlN)を有するAlNを含むことを特徴とする、請求項2から4のいずれか一項に記載の被覆切削工具(1)。
  6. Ti1-xAl(8)が、≧90体積%の面心立方(fcc)結晶構造を含むことを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載の被覆切削工具(1)。
  7. Ti1-xAlが、0.60≦x≦0.90、y=0及び0.85≦z≦1.15の化学量論係数を有することを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項に記載の被覆切削工具(1)。
  8. 刃先(4)から200~400μmの距離にあるすくい面(2)上の領域におけるMeC(9)の一部が、Ti1-xAl(8)の層の7~24%を覆い、MeC(9)の一部が前記領域にわたって分布している、請求項1から7のいずれか一項に記載の被覆切削工具(1)。
  9. MeC(9)が、TiN又はTi(C,N)であることを特徴とする、請求項1から8のいずれか一項に記載の被覆切削工具(1)。
  10. すくい面(2)上の被覆の表面粗さRaが、刃先(4)から200~400μmの距離で20~60nm、好ましくは30~50nmであることを特徴とする、請求項1から9のいずれか一項に記載の被覆切削工具(1)。
  11. すくい面(2)と、逃げ面(3)と、その間の刃先(4)とを有し、超硬合金、サーメット、セラミック、鋼又は高速度鋼の基体(5)と、0.40≦x≦0.95、0≦y≦0.10、及び0.85≦z≦1.15であり、1~18μmの厚さのTi1-xAl(8)の層を含む2~20μmの厚さの被覆(6)と、を含み、Ti1-xAl(8)の層が、粒界を有する柱状構造の結晶子を含み、Ti1-xAl(8)が、≧85体積%の面心立方晶(fcc)結晶構造を含む、被覆切削工具(1)の製造方法であって、方法が、
    ・CVDプロセスによってTi1-xAl(8)の層を提供する工程と、
    ・Ti1-xAl(8)の層の真上のCVDプロセスによって、MeC(9)の層(0≦a≦1、0≦b≦1、a+b=1)を提供する工程であって、MeはTi及び/又はZrである、提供する工程と、
    ・Ti1-xAl(8)の層の5~28%を覆う刃先(4)から200~400μmの距離ですくい面(2)上の領域に残存するMeC(9)の一部が存在するまで被覆(6)の表面をブラストする工程であって、MeC(9)の一部が前記領域にわたって分布する、ブラストする工程と、
    を含む、方法。
  12. 被覆(6)の表面をブラストする工程の前に、Ti1-xAl(8)の堆積層が、空気又は酸素の排除下、700~950℃の範囲内の温度で0.5~12時間の持続時間にわたってアニーリングを受け、条件が、Ti1-xAl結晶子の粒界でTi1-oAlの析出物が生成され、Ti1-oAlの析出物がTi1-xAl結晶子の内部よりも高いAl含有量を有するように選択され、0.95≦o≦1.00、0≦p≦0.10、0.85≦q≦1.15及び(o-x)≧0.05であることを特徴とする、請求項11に記載の方法。
  13. Ti1-xAl(8)の堆積層のアニーリングが、MeC(9)の層の堆積前、堆積中、及び堆積後の両方で行われることを特徴とする、請求項12に記載の方法。
  14. Ti1-xAl(8)の層の堆積のためのCVDプロセスが、LP-CVDプロセスであり、CVDプロセスが、0.05~8kPaのCVD反応器内のプロセス圧力で実行されることを特徴とする、請求項11から13のいずれか一項に記載の方法。
  15. 被覆(6)の表面のブラストが、スラリーが、ブラストガンノズルを出る酸化アルミニウム粒子のスラリーを使用する湿式ブラストによって行われ、湿式ブラストが、1.8~3.5バール、好ましくは2.0~3.0バールのノズルの出口でのブラスト圧力を使用して行われ、スラリー中の酸化アルミニウム粒子の濃度が、10~25体積%、好ましくは15~20体積%であり、酸化アルミニウム粒子が、FEPA名称F120~F240、好ましくはF150~F230のうちの1つ以上に属し、ブラストガンノズルと被覆切削工具(1)の表面との間の距離が、75~200mm、好ましくは100~150mmであり、湿式ブラストは、被覆切削工具(1)の表面に対して40~90°、好ましくは50~90°の角度を有するブラスト方向で行われ、ブラスト時間が、1~75分、好ましくは1.5分~60分であることを特徴とする、請求項11~14のいずれか一項に記載の方法。
  16. ステンレス鋼の機械加工における、請求項1から10のいずれか一項に記載の被覆切削工具(1)の使用。
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