JP2023511702A - 位置決め装置 - Google Patents
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Abstract
本発明は、第1基板を支持し位置決めするように構成される第1位置決めモジュールと、第2基板を支持し位置決めするように構成される第2位置決めモジュールと、2つの位置決めモジュールが第1処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされうる第1位置決めフィールドと、2つの位置決めモジュールが第2処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされうる第2位置決めフィールドと、を備え、2つの位置決めモジュールのうちの一方が第1処理シーケンスを実行しているとき又は終了しようとしているとき、他方の位置決めモジュールが第2処理シーケンスを終了して2つの位置決めモジュールのうち一方へと近づいて位置決めされる、位置決め装置が提供される。【選択図】図4
Description
関連出願の相互参照
本出願は、2020年1月28日に出願された欧州/米国出願20154103.4号の優先権を主張し、その全体が本明細書に参照により援用される。
本出願は、2020年1月28日に出願された欧州/米国出願20154103.4号の優先権を主張し、その全体が本明細書に参照により援用される。
本発明は、位置決め装置、および位置決め装置を使用する方法に関する。
リソグラフィ装置は、基板上に所望のパターンを適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路(IC)の製造に使用することができる。リソグラフィ装置は、例えば、パターニングデバイス(例えば、マスク)のパターン(しばしば「設計レイアウト」または「設計」とも呼ばれる)を、基板(例えばウェーハ)上に提供される放射感応性材料(レジスト)の層に投影することができる。
一般に「ムーアの法則」と呼ばれる傾向に従って、半導体製造プロセスが進歩し続けるにつれて、回路要素の寸法は継続的に縮小され、装置あたりのトランジスタなどの機能要素の量は、数十年にわたって着実に増加している。ムーアの法則に追いつくために、半導体業界はますます小さなフィーチャを作成できるテクノロジーを追いかけている。基板上にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を使用することができる。この放射の波長は、基板上にパターニングされるフィーチャの最小サイズを決定する。現在使用されている典型的な波長は、365nm(i線)、248nm、193nm、及び13.5nmである。4nmから20nmの範囲内の波長、例えば、6.7nm又は13.5nmを有する極紫外線(EUV)放射を使用するリソグラフィ装置は、例えば193nmの波長の放射を使用するリソグラフィ装置よりも基板上に小さいフィーチャを形成するのに使用できる。
リソグラフィ装置の公知の実施形態では、リソグラフィ装置は、第1基板を支持し位置決めする第1位置決めモジュールと、第2基板を支持し位置決めする第2位置決めモジュールとを備える。この種のリソグラフィ装置は、しばしばデュアルステージリソグラフィ装置と呼ばれる。
このようなデュアルステージリソグラフィ装置の利点は、同時に、第1位置決めモジュールが1つ又は複数の第1処理装置と協働するために第1位置決めフィールドに配置され、第2位置決めモジュールが1つ又は複数の第2処理装置と協働するために第2位置決めフィールドに配置されてもよいということである。例えば、第1位置決めフィールドは、第1基板がパターニングされた放射ビームに露光される露光フィールドであり、第2位置決めフィールドは、第2基板の上面がレベルセンサによって測定される測定フィールドである。
このリソグラフィ装置では、処理される各基板は、まず測定フィールドに配置され、その後露光フィールドに配置されることになる。測定フィールド及び露光フィールドにおいて、基板は、同一の位置決めモジュールによって支持されることになる。第1位置決めモジュール及び第2位置決めモジュールに支持された基板の処理が終了すると、第1位置決めモジュールと第2位置決めモジュールは、例えば、第2位置決めモジュールが第1位置決めフィールドに移動し、第1位置決めモジュールが第2位置決めフィールドに移動するなど、位置を交換されてもよい。
第1位置決めフィールドと第2位置決めフィールドに交互に配置された2つの位置決めモジュール上での2つの基板の同時処理は、リソグラフィ装置の投影システムを時間的に効率よく使用することに関して実質的な改善を提供する。
それにもかかわらず、リソグラフィ装置を可能な限り効率的に使用する一般的な必要性が存在する。
本発明の一つの目的は、位置決め装置の2つの位置決めモジュールの使用効率が改善された位置決め装置、例えばリソグラフィ装置の位置決め装置を提供することである。
本発明のある態様によると、第1基板を支持し位置決めするように構成される第1位置決めモジュールと、第2基板を支持し位置決めするように構成される第2位置決めモジュールと、前記2つの位置決めモジュールが第1処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされうる第1位置決めフィールドと、前記2つの位置決めモジュールが第2処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされうる第2位置決めフィールドと、を備え、前記2つの位置決めモジュールのうちの一方が前記第1処理シーケンスを実行しているとき又は終了しようとしているとき、他方の位置決めモジュールが前記第2処理シーケンスを終了して前記2つの位置決めモジュールのうち前記一方へと近づいて位置決めされる(あるいは、位置決めしている)、位置決め装置が提供される。これに代えて、またはこれに加えて、前記2つの位置決めモジュールのうちの一方が前記第1処理シーケンスの最終ステップを実行しているとき又は終了しようとしているとき、他方の位置決めモジュールが前記第2処理シーケンスを終了して前記2つの位置決めモジュールのうち前記一方へと近づいて位置決めされる(あるいは、位置決めしている)。
本発明のある態様によると、位置決め装置を使用する方法であって、前記位置決め装置は、第1基板を支持し位置決めするように構成される第1位置決めモジュールと、第2基板を支持し位置決めするように構成される第2位置決めモジュールと、前記2つの位置決めモジュールが第1処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされうる第1位置決めフィールドと、前記2つの位置決めモジュールが第2処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされうる第2位置決めフィールドと、を備え、前記2つの位置決めモジュールのうちの一方が前記第1処理シーケンスを実行しているとき又は終了しようとしているとき、他方の位置決めモジュールが前記第2処理シーケンスを終了して前記2つの位置決めモジュールのうち前記一方へと近づいて位置決めされる(あるいは、位置決めしている)、方法が提供される。これに代えて、またはこれに加えて、前記2つの位置決めモジュールのうちの一方が前記第1処理シーケンスの最終ステップを実行しているとき又は終了しようとしているとき、他方の位置決めモジュールが前記第2処理シーケンスを終了して前記2つの位置決めモジュールのうち前記一方へと近づいて位置決めされる(あるいは、位置決めしている)。
本書では、「放射」および「ビーム」という用語は、紫外放射(例えば、365、248、193、又は126nmの波長をもつ)及びEUV(例えば約5~100nmの範囲の波長を有する極紫外放射)を含むあらゆるタイプの電磁放射を包含するように使用される。
このテキストで使用される「レチクル」、「マスク」又は「パターニングデバイス」という用語は、入射放射ビームに、基板のターゲット部分に作成されるパターンに対応するパターニングされた断面を与えるために使用できる一般的なパターニングデバイスを指すと広く解釈されうる。「ライトバルブ」という用語は、この文脈でも使用できる。従来のマスク(透過型または反射型、バイナリ、位相シフト、ハイブリッドなど)に加えて、他のそのようなパターニングデバイスの例には、プログラマブルミラーアレイ及びプログラマブルLCDアレイが含まれる。
このテキストで使用される「レチクル」、「マスク」又は「パターニングデバイス」という用語は、入射放射ビームに、基板のターゲット部分に作成されるパターンに対応するパターニングされた断面を与えるために使用できる一般的なパターニングデバイスを指すと広く解釈されうる。「ライトバルブ」という用語は、この文脈でも使用できる。従来のマスク(透過型または反射型、バイナリ、位相シフト、ハイブリッドなど)に加えて、他のそのようなパターニングデバイスの例には、プログラマブルミラーアレイ及びプログラマブルLCDアレイが含まれる。
図1は、リソグラフィ装置LAを概略的に示している。リソグラフィ装置LAは、放射ビームB(例えば、UV放射、DUV放射またはEUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータとも呼ばれる)ILと、パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構築され、特定のパラメータにしたがってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1位置決め部PMに接続されたマスク支持体(例えば、マスクテーブル)MTと、基板(例えばレジストで覆われたウェーハ)Wを保持するように構築され、特定のパラメータにしたがって基板支持体を正確に位置決めするように構成された第2位置決め部PWに接続された基板支持体(例えば、ウェーハテーブル)WTと、パターニングデバイスMAにより放射ビームBに付与されたパターンを基板のターゲット部分(例えば、1つ又は複数のダイを含む)Cに投影するように構成された投影システム(例えば、屈折投影レンズシステム)PSとを含む。
動作中、照明システムILは、放射源SOから放射ビームを、例えばビーム搬送システムBD経由で、受け取る。照明システムILは、放射を方向付け、成形し、及び/又は制御するために、屈折、反射、磁気、電磁、静電、及び/又は他のタイプの光学コンポーネント、又はそれらの任意の組み合わせなど、様々なタイプの光学コンポーネントを含みうる。イルミネータILは、パターニングデバイスMAの平面での放射ビームBの断面に所望の空間的および角度的強度分布を持たせるように放射ビームBを調整するために使用されうる。
本明細書で使用される「投影システム」PSという用語は、屈折、反射、反射屈折、アナモルフィック、磁気的、電磁気的、及び/又は静電光学システム、またはそれらの任意の組み合わせを含み、使用される露光放射について、及び/又は液浸液の使用や真空の使用など他の要因について適切な様々なタイプの投影システムを包含すると広く解釈されるべきである。本明細書における「投影レンズ」という用語の使用は、より一般的な用語「投影システム」PSと同義であると見なせる。
リソグラフィ装置LAは、基板の少なくとも一部が、投影システムPSと基板Wとの間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体、例えば、水によって覆われうるタイプのものであってもよく、これは液浸リソグラフィとも呼ばれる。液浸技術の詳細は、US6952253に記載されており、参照により本明細書に組み込まれる。
リソグラフィ装置LAはまた、2つ以上の基板支持体WTを有するタイプのものであってもよい(「デュアルステージ」とも呼ばれる)。そのような「多段」機械では、基板支持体WTを並行して使用することができ、及び/又は、基板支持体WTの一方に配置された基板W上でその後の露光のための準備工程を実行すると同時に、他方の基板支持体WT上の基板Wにパターンを露光するように使用することができる。
基板支持体WTに加えて、リソグラフィ装置LAは、測定ステージを含んでもよい。測定ステージは、センサ及び/又は洗浄装置を保持するように構成される。センサは、投影システムPSの特性または放射ビームBの特性を測定するように構成される。測定ステージは、複数のセンサを保持できる。洗浄装置は、リソグラフィ装置の一部、例えば、投影システムPSの一部または液浸液を提供するシステムの一部を洗浄するように構成される。測定ステージは、基板支持体WTが投影システムPSから離れているときに、投影システムPSの下に移動できる。
動作中、放射ビームBは、マスク支持体MT上に保持されたパターニングデバイスMA、例えばマスクに入射し、パターニングデバイスMA上に存在するパターン(デザインレイアウト)によってパターニングされる。放射ビームBは、パターニングデバイスMAを通過した後、ビームを基板Wの標的部分Cに集束させる投影システムPSを通過する。第2位置決め部PWおよび位置測定システムPMSの助けを借りて、基板支持体WTは、例えば、集束され整列された位置で放射ビームBの経路内にさまざまなターゲット部分Cを配置するように、正確に移動することができる。同様に、第1位置決め部PM及び場合によっては別の位置センサ(図1には明示的に示されていない)を使用して、放射ビームBの経路に対してパターニングデバイスMAを正確に配置することができる。パターニングデバイスMAおよび基板Wは、マスクアライメントマークM1、M2及び基板アライメントマークP1、P2を使用して位置合わせされうる。図示のように基板アライメントマークP1、P2は専用のターゲット部分を占めるが、それらはターゲット部分の間の空間に配置されてもよい。基板アライメントマークP1、P2は、これらがターゲット部分Cの間に配置されている場合、スクライブレーンアライメントマークとして知られている。
本発明を明確にするために、デカルト座標系が使用される。デカルト座標系には、X軸、Y軸、Z軸の3つの軸がある。3つの軸のそれぞれは、他の2つの軸に直交する。X軸を中心とした回転は、Rx回転と呼ばれる。Y軸を中心とした回転は、Ry回転と呼ばれる。Z軸を中心とした回転は、Rz回転と呼ばれる。X軸とY軸は水平面を定義し、Z軸は垂直方向を定義する。デカルト座標系は本発明を限定するものではなく、説明のためにのみ使用される。代わりに、円筒座標系などの別の座標系を使用して、本発明を明確にすることができる。デカルト座標系の方向は、例えば、Z軸が水平面に沿った成分を持つように、異なっていてもよい。
図2は、図1のリソグラフィ装置LAの一部のより詳細な図を示す。リソグラフィ装置LAは、ベースフレームBF、バランスマスBM、計測フレームMF、及び防振システムISを備えていてもよい。計測フレームMFは投影システムPSを支持する。さらに、計測フレームMFは、位置測定システムPMSの一部を支持してもよい。計測フレームMFは、防振システムISを介してベースフレームBFによって支持される。防振システムISは、振動がベースフレームBFから計測フレームMFに伝播するのを防止または低減するように構成されている。
第2位置決め部PWは、基板支持体WTとバランスマスBMとの間に駆動力を提供することにより、基板支持体WTを加速するように構成されている。駆動力は、基板支持体WTを所望の方向に加速させる。運動量が保存されるため、駆動力はバランスマスBMにも同じ大きさで適用されるが、上記所望の方向とは反対の方向になる。典型的には、バランスマスBMの質量は、第2位置決め部PWの可動部分および基板支持体WTの質量よりも著しく大きい。
一実施形態では、第2位置決め部PWは、バランスマスBMによって支持されている。例えば、第2位置決め部PWは、バランスマスBMの上方に基板支持体WTを浮上させるための平面モーターを含む。別の実施形態では、第2位置決め部PWは、ベースフレームBFによって支持されている。この場合、例えば、第2位置決め部PWは、リニアモーターを含み、かつ、第2位置決め部PWは、ベースフレームBF上に基板支持体WTを浮上させるガスベアリングなどのベアリングを含む。
位置測定システムPMSは、基板支持体WTの位置を決定するのに適した任意のタイプのセンサを含みうる。位置測定システムPMSは、マスク支持体MTの位置を決定するのに適した任意のタイプのセンサを含みうる。センサは、干渉計またはエンコーダなどの光学センサであってもよい。位置測定システムPMSは、干渉計とエンコーダの組み合わせシステムを備えてもよい。センサは、磁気センサ、静電容量センサ又は誘導センサなどの別のタイプのセンサであってもよい。位置測定システムPMSは、基準、例えば、計測フレームMF又は投影システムPSに対する位置を決定することができる。位置測定システムPMSは、位置を測定することによって、又は速度若しくは加速度などの位置の時間微分を測定することによって、基板テーブルWT及び/又はマスク支持体MTの位置を決定することができる。
位置測定システムPMSは、エンコーダシステムを含んでもよい。エンコーダシステムとしては、例えば、2006年9月7日に出願された米国特許出願US2007/0058173A1が知られており、参照により本明細書に組み込まれる。エンコーダシステムは、エンコーダヘッド、回折格子、及びセンサを備える。エンコーダシステムは、一次放射ビーム及び二次放射ビームを受けることができる。一次放射ビームと二次放射ビームの両方は同じ放射ビーム、すなわち元の放射ビームから発生する。一次放射ビームと二次放射ビームの少なくとも一方は、元の放射ビームを回折格子で回折することによって作成される。一次放射ビームと二次放射ビームの両方が元の放射ビームを回折格子で回折することによって作成される場合、一次放射ビームは二次放射ビームとは異なる回折次数を有する必要がある。異なる回折次数は、例えば、+1次、-1次、+2次、及び-2次である。エンコーダシステムは、一次放射ビームと二次放射ビームを光学的に結合して、結合された放射ビームにする。エンコーダヘッドのセンサは、結合された放射ビームの位相又は位相差を決定する。センサは、位相又は位相差に基づく信号を生成する。信号は、回折格子に対するエンコーダヘッドの位置を表す。エンコーダヘッド及び回折格子のうちの1つは、基板構造体WT上に配置される。エンコーダヘッドと回折格子のうちもう一方は、計測フレームMF又はベースフレームBFに配置される。例えば、複数のエンコーダヘッドが計測フレームMF上に配置され、回折格子は、基板支持WTの上面に配置される。別の例では、回折格子が基板支持体WTの底面に配置され、エンコーダヘッドが基板支持体WTの下方に配置される。
位置測定システムPMSは、干渉計システムを含んでもよい。干渉計システムとしては、例えば、1998年7月13日に出願された米国特許第6,020,964号が知られており、参照により本明細書に組み込まれる。干渉計システムは、ビームスプリッタ、ミラー、基準ミラー、及びセンサを含む。放射のビームは、ビームスプリッタによって基準ビームと測定ビームに分割される。測定ビームはミラーに伝搬し、ミラーによって反射されてビームスプリッタに戻る。基準ビームは基準ミラーに伝搬し、基準ミラーによって反射されてビームスプリッタに戻る。ビームスプリッタでは、測定ビームと基準ビームが結合されて、結合された放射ビームになる。結合された放射ビームはセンサに入射する。センサは、結合された放射ビームの位相又は周波数を決定する。センサは、位相又は周波数に基づく信号を生成する。信号はミラーの変位を表す。一実施形態では、ミラーは、基板支持体WTに接続されている。基準ミラーは、計測フレームMFに接続されてもよい。一実施形態では、測定ビームと基準ビームは、ビームスプリッタの代わりに追加の光学部品によって、結合された放射ビームに結合される。
第1位置決め部PMは、ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを含む。ショートストロークモジュールは、ロングストロークモジュールに対してマスク支持体MTを狭い移動範囲で高精度に動かすように構成されている。ロングストロークモジュールは、投影システムPSに対してショートストロークモジュールを広い移動範囲で比較的低い精度で動かすように構成されている。ロングストロークモジュールとショートストロークモジュールの組み合わせにより、第1位置決め部PMは、広い移動範囲にわたって高精度で投影システムPSに対してマスク支持体MTを移動させることができる。同様に、第2位置決め部PWは、ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを含む。ショートストロークモジュールは、ロングストロークモジュールに対して基板支持体WTを狭い移動範囲で高精度に動かすように構成されている。ロングストロークモジュールは、投影システムPSに対してショートストロークモジュールを広い移動範囲で比較的低い精度で動かすように構成されている。ロングストロークモジュールとショートストロークモジュールの組み合わせにより、第2位置決め部PWは、広い移動範囲にわたって高精度で投影システムPSに対して基板支持体WTを動かすことができる。
第1位置決め部PM及び第2位置決め部PWの各々は、それぞれマスク支持体MT及び基板支持体WTを移動させるためのアクチュエータを備えている。アクチュエータは、単一の軸、例えば、Y軸に沿って駆動力を提供するためのリニアアクチュエータであってもよい。複数のリニアアクチュエータを適用して、複数の軸に沿って駆動力を提供してもよい。アクチュエータは、多軸に沿って駆動力を提供するための平面アクチュエータであってもよい。例えば、平面アクチュエータは、基板支持体WTを6自由度で動かすように構成されてもよい。アクチュエータは、少なくとも1つのコイル及び少なくとも1つの磁石を含む電磁アクチュエータであってもよい。アクチュエータは、少なくとも1つのコイルに電流を印加することによって、少なくとも1つの磁石に対して少なくとも1つのコイルを動かすように構成されている。アクチュエータは、基板支持体WT又はマスク支持体MTのそれぞれに結合された少なくとも1つの磁石を有する移動磁石タイプのアクチュエータであってもよい。アクチュエータは、基板支持体WT又はマスク支持体MTにそれぞれ結合された少なくとも1つのコイルを有する移動コイルタイプのアクチュエータであってもよい。アクチュエータは、ボイスコイルアクチュエータ、リラクタンスアクチュエータ、ローレンツアクチュエータ、ピエゾアクチュエータ、又は他の任意の適切なアクチュエータであってもよい。
リソグラフィ装置LAは、図3に概略的に示されているような位置制御システムPCSを備える。位置制御システムPCSは、セットポイントジェネレータSP、フィードフォワードコントローラFF及びフィードバックコントローラFBを備える。位置制御システムPCSは、アクチュエータACTに駆動信号を提供する。アクチュエータACTは、第1位置決め部PM又は第2位置決め部PWのアクチュエータであってもよい。アクチュエータACTは、基板支持体WT又はマスク支持体MTを含みうるプラントPを駆動する。プラントPの出力は、位置、または速度、または加速度などの位置量である。位置量は、位置測定システムPMSで測定される。位置測定システムPMSは、プラントPの位置量を表す位置信号である信号を生成する。セットポイントジェネレータSPは、プラントPの所望の位置量を表す基準信号である信号を生成する。基準信号は、例えば基板支持体WTの所望の軌道を表す。基準信号と位置信号の差がフィードバックコントローラFBの入力になる。入力に基づいて、フィードバックコントローラFBは、アクチュエータACTに駆動信号の少なくとも一部を提供する。基準信号は、フィードフォワードコントローラFFの入力を形成する。入力に基づいて、フィードフォワードコントローラFFは、アクチュエータACTに駆動信号の少なくとも一部を提供する。フィードフォワードFFは、質量、剛性、共振モード、固有周波数など、プラントPの動的特性に関する情報を利用してもよい。
図4は、リソグラフィ装置の第1位置決めモジュールPW1および第2位置決めモジュールPW2に関する上面図である。
第1位置決めモジュールPW1及び第2位置決めモジュールPW2はそれぞれが、基板を支持するように構成されている。第1位置決めモジュールPW1及び第2位置決めモジュールPW2は、第1位置決めフィールドFI1及び第2位置決めフィールドFI2において移動可能である。第1位置決めフィールドFI1及び第2位置決めフィールドFI2は、Y方向及びX方向に延びる位置決め平面内に延在する。第1位置決めフィールドFI1において、第1位置決めモジュールPW1は、第1位置決めモジュールPW1によって支持される基板を処理すべく1つ又は複数の第1処理装置と協働し、第2位置決めモジュールPW2は、第2位置決めモジュールPW2によって支持される基板を処理すべく1つ又は複数の第1処理装置と協働しうる。この処理は、第1処理シーケンスに関連しうる。第1位置決めフィールドFI1において、2つの位置決めモジュールは、第1処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされることができる。すなわち、第1位置決めモジュールPW1が第1処理シーケンスを実行するために位置決めされることができ、次に第2位置決めモジュールPW2が第1処理シーケンスを実行するために位置決めされることができ、次に第1位置決めモジュールPW1が第1処理シーケンスを実行するために位置決めされることができる等、となる。
第2位置決めフィールドFI2において、第1位置決めモジュールPW1は、第1位置決めモジュールPW1によって支持された基板を処理すべく1つ又は複数の第2処理装置と協働し、第2位置決めモジュールPW2は、第2位置決めモジュールPW2によって支持された基板を処理すべく1つ又は複数の第2処理装置と協働しうる。この処理は、第2処理シーケンスに関連しうる。第2位置決めフィールドFI2において、2つの位置決めモジュールは、第1処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされることができる。すなわち、第2位置決めモジュールPW2が第2処理シーケンスを実行するために位置決めされることができ、次に第1位置決めモジュールPW1が第2処理シーケンスを実行するために位置決めされることができ、次に第2位置決めモジュールPW2が第2処理シーケンスを実行するように位置決めされることができる等、となる。
第1位置決めフィールドFI1と第2位置決めフィールドFI2は、Y方向に互いに隣接して配置される。第1位置決めフィールドは、例えば露光フィールドであり、そのため、1つ又は複数の処理装置は、パターニングされた放射ビームを基板に投影するように構成された投影システムを備える。1つ又は複数の処理装置は、第1位置決めモジュールPW1及び第2位置決めモジュールPW2の各々に搭載されたゼロ点位置ZS及び収差制御測定センサASと協働する処理装置をさらに備えてもよい。
第2位置決めフィールドFI2は、例えば、レベルセンサによって基板の上面が測定され、この基板の上面の高さマップを決定することができる測定フィールドである。この高さマップは、露光フィールドにおけるパターニングされた放射ビームの投影時に使用されて、入射するパターニングされた放射ビームに対する基板Wの上面の位置決めを改善することができる。さらに、第2位置決めフィールドFI2において、第1位置決めモジュールPW1又は第2位置決めモジュールPW2への基板のロード及びアンロードが行われてもよい。
第1位置測定システムPMS1は、第1位置決めフィールドFI1に位置決めされたときの第1位置決めモジュールPW1又は第2位置決めモジュールPW2の位置を測定するように構成されている。第2位置測定システムPMS2は、第2位置決めフィールドFI2に位置決めされたときの第1位置決めモジュールPW1又は第2位置決めモジュールPW2の位置を測定するように構成されている。第1位置測定システムPMS1及び第2位置測定システムPMS2は、例えば、干渉計システムである。第1位置決めモジュールPW1と第2位置決めモジュールPW2は、第1位置決めモジュールPW1と第2位置決めモジュールPW2が第1位置決めフィールドFI1と第2位置決めフィールドFI2とで交互に使用されることができるように、Y方向に位置を入れ替えることが可能である。第1位置決めモジュールPW1及び第2位置決めモジュールPW2は、リソグラフィ装置の固定部にケーブルで接続されているので、第1位置決めモジュールPW1と第2位置決めモジュールPW2は、図4において第1位置決めモジュールPW1が第2位置決めモジュールPW2より左に配置されるという一方法でしか互いに行き来できない(図6も参照のこと)。位置交換の間、第1位置決めモジュールPW1の第1側部SI-1は、第2位置決めモジュールPW2の第2側部SI-2と向かい合うことになる。第1位置決めモジュールPW1と第2位置決めモジュールPW2は、いつも同じ側で互いにすれ違うので、第1側部SI-1と第2側部SI-2は、X方向に互いに向かい合うことになる。
図4において、第1位置決めモジュールPW1は第1位置決めフィールドFI1に配置され、第2位置決めモジュールPW2は第2位置決めフィールドFI2に配置されている。
これらの位置は、典型的には、リソグラフィ装置における2つの基板の同時処理中に使用される。第1位置決めフィールドFI1において第1位置決めモジュールPW1によって支持される1つの基板は、例えば、パターニングされた放射のビームに露光され、第2位置決めモジュールPW2によって支持される基板は、第2位置決めフィールドFI2において処理されうる。例えば、第2位置決めフィールドFI2では、露光された基板が第2位置決めモジュールPW2からアンロードされ、新しい基板が第2位置決めモジュールPW2にロードされ、第2位置決めモジュールPW2の基板の上面が測定装置(例えばレベルセンサ)によって測定されてもよい。
それぞれの位置決めフィールドFI1,FI2における2つの基板の処理が終了すると、第2位置決めモジュールPW2は、第2位置決めモジュールPW2によって支持された基板をパターニングされた放射ビームで露光するために第1位置決めフィールドFI1へと移動される。第1位置決めモジュールPW1は、第1位置決めモジュールPW1によって支持された基板をアンロードし、新しい基板を第1位置決めモジュールPW1にロードし、この新しい基板の上面を測定装置で測定するために、第2位置決めフィールドFI2に移動されてもよい。
実際には、基板は通常、第2位置決めフィールドFI2において位置決めモジュールにロードされ、ここで基板の上面も測定される。次に、位置決めモジュールは、第1位置決めフィールドFI1に移動され、基板はそこで、パターニングされた放射ビームで露光される。露光後、位置決めモジュールは、基板を位置決めモジュールからアンロードするために第2位置決めフィールドに戻される。
多くの用途において、第1位置決めフィールドFI1における基板の処理、すなわちパターニングされた放射ビームによる露光及び関連する作業に要する時間は、第2位置決めフィールドFI2における基板の処理、すなわちアンローディング/ローディング/レベル測定及び関連する作業より多くの時間を必要とする。したがって、第1位置決めフィールドFI1における第1位置決めモジュールPW1上の基板の処理と第2位置決めモジュールPW2上の基板の処理との間に要するアイドル時間は、リソグラフィ装置における基板のサイクルタイムにとって時間的に重要であり、できるだけ短いことが望まれる。
本特許出願では、第1位置決めフィールドFI1における基板の後続処理の合間のアイドル時間を減少させることが提案される。第1の特徴として、第1位置決めフィールドにおいて第1位置決めモジュールPW1に支持された基板の処理が終了する前に、第2位置決めモジュールPW2を第1位置決めフィールドPW1内に移動させることが提案される。
図5は、第1の待機位置にある第2位置決めモジュールPW2を示す。第1位置決めモジュールPW1は、第1処理シーケンスを実行している(例えば、基板は、パターニングされた放射ビームで露光される)。第1の待機位置は、第2位置決めフィールドFI2において、この第2位置決めフィールドFI2の第1位置決めフィールドFI1に近い側にある。第2位置決めモジュールPW2は、第2位置決めフィールドFI2において第2位置決めモジュールPW2に支持された基板の処理が終了するとすぐに、この第1の待機位置に配置されることができるが、第2位置決めモジュールPW2はまだ第1位置決めフィールドFI1に安全に位置決めすることはできない。例えば、第1位置決めフィールドFI1における第1位置決めモジュールPW1に支持された基板の処理は、第1位置決めフィールドFI1における第1位置決めモジュールPW1の大きな移動を依然として必要とする場合があり、第2位置決めPWを第1位置決めフィールドFI1内へと移動可能とすることを妨げうる。
第1位置決めフィールドFI1において第2位置決めモジュールPW2のために利用可能なスペースがある場合、例えば第1位置決めモジュールPW1上に支持された基板の第1位置決めフィールドFI1における最終処理ステップ中に、第2位置決めモジュールPW2は、第1位置決めフィールドFI1内の第2の待機位置に配置されてもよい。
第2位置決めモジュールPW2に支持された基板の第2位置決めフィールドFI2での処理が終了した直後に第1位置決めフィールドFI1においてスペースが利用可能である場合、第2位置決めモジュールPW2は、直接第2の待機位置に配置されることも可能である。
図6は、第2位置決めモジュールPW2が第1位置決めフィールドFI1において第1位置決めモジュールPW1に近接するが第1位置決めモジュールPW1の位置測定を妨げない第2の待機位置に配置された状態を示す。第1位置測定システムPMS1による位置測定が第2位置測定モジュールPW2によって妨げられないので、第1位置測定モジュールPW1に支持された第1基板への1つ又は複数の第1処理装置による処理は、第2位置測定モジュールPW2が既に第1位置測定フィールドFI1に配置されていても継続することができる。
第1位置決めフィールドFI1における基板の処理の最終ステップは、収差制御測定センサASを用いた測定である。この収差制御測定センサASは、第1位置決めフィールドFI1における処理の最終ユニットであり、Y方向に第2位置決めフィールドFI2のほうに向く側部SI-Aと位置交換時にX方向に第2位置決めモジュールPW2のほうに向く第1側部SI-1との第1位置決めモジュールPW1の角部に配置されている。すなわち、収差制御測定センサASは、第1位置決めモジュールPW1の第1側部SI-1に近接して位置決めされている。
第1位置決めフィールドFI1における処理の最終ユニットをこの角部に配置することによって、第1位置決めフィールドFI1における第1位置決めモジュールPW1上の基板の処理がまだ終了していないうちに、第1位置決めフィールドFI1において第2位置決めモジュールPW2を配置するための追加のスペースが作り出される。これに対応して、第2位置決めモジュールPW2の最終ユニット、例えば収差制御測定センサASは、Y方向に第2位置決めフィールドFI2のほうに向く側部SI-Bと位置交換時にX方向に第1位置決めモジュールPW1のほうに向く第2側部SI-2との角部に配置される。すなわち、収差制御測定センサASは、第2位置決めモジュールPW2の第2側部SI-2に近接して配置される。これにより、第1位置決めフィールドFI1における第2位置決めモジュールPW2上の基板の処理がまだ終了していないうちに、第1位置決めフィールドFI1において第1位置決めモジュールPW1を位置決めするためのスペースが作り出される。
第1位置決めモジュールPW1が第1処理シーケンスを終了しつつあるか又は終了したとき、2つの位置決めモジュール間の距離は、20cm未満、好ましくは10cm未満、より好ましくは5cm未満である。この距離は、第1位置決めモジュールPW1の一部と第2位置決めモジュールPW2との間の最短距離として定義される。距離が短いほど、第2位置決めモジュールPW2を第1処理シーケンスを実行する位置まで移動させるのに必要な時間が短くなる。一方、距離は、第1位置測定システムPMS1による位置測定が第2位置測定モジュールPW2によって妨げられるほど小さくすることはできない。
第1位置決めフィールドFI1において第2位置決めモジュールPW2によって支持された基板の処理の第1ステップは、第2位置決めモジュールPW2上のゼロ点位置ZSをゼロ点センサを用いて測定することである。この処理の第1ユニットとなるゼロ点位置ZSは、Y方向に第2位置決めフィールドFI2から離れるほうに向く側部SI-Mと位置交換時にX方向に第1位置決めモジュールPW1のほうに向く第1側部SI-1との第2位置決めモジュールPW2の角部に配置されている。
第1位置決めフィールドFI1における処理の第1ユニットをこの角部に配置することによって、第2位置決めモジュールPW2の第2の待機位置と、ゼロ点位置ZSを使用した第1位置決めフィールドFI1における処理のための第2位置決めモジュールPW2の第1処理位置との間の距離が比較的小さくなり、第1位置決めフィールドFI1における基板の処理のアイドル時間が更に減少する。
これに対応して、第2位置決めモジュールPW2の第1位置決めフィールドにおける処理の第1ユニット、すなわちゼロ点位置ZSは、Y方向に第2位置決めフィールドFI2から離れるほうに向く側部SI-Nと位置交換時にX方向に第1位置決めモジュールPW1のほうに向く第2側部SI-2との角部に配置される。
第1位置決めモジュールPW1及び第2位置決めモジュールPW2上のセンサ構成は、第1位置決めフィールドFI1における処理のアイドル時間を短くするように配置されているので、第1位置決めモジュールPW1及び第2位置決めモジュールPW2のセンサユニットは、第1ユニットと最終ユニットが、位置決めモジュールPW1,PW2の、位置交換時にy方向にすれ違うとき他方の位置決めモジュールPW2,PW1の側部SI-2,SI-1のほうに向く側部SI-1,SI-2に配置され、y方向及びx-y平面に垂直なz方向に延びるミラー平面に関して鏡写しとなっている。
第1位置決めモジュールPW1及び第2位置決めモジュールPW2はそれぞれが、ロングストロークモジュールとショートストロークモジュールとを備え、ロングストロークモジュールはショートストロークモジュールを支持し、ショートストロークモジュールは基板を支持するように構成される。ショートストロークモジュールは、ロングストロークモジュールに対して基板を高精度で小移動範囲にわたり移動させるように構成され、ロングストロークモジュールは、ショートストロークモジュールを比較的低精度で大移動範囲にわたり移動させるように構成される。
第1位置決めモジュールPW1のショートストロークモジュールを、x方向に第2位置決めモジュールPW2に最も近いロングストロークの大移動範囲の端またはその近傍(例えば図6では正のx方向にロングストロークの端またはその近傍)に配置し、第2位置決めモジュールのショートストロークモジュールを、x方向に第1位置決めモジュールPW1に最も近いロングストロークの大移動範囲の端またはその近傍(例えば図6では負のx方向にロングストロークの端またはその近傍)に配置することによっても、第1位置決めモジュールPW1に近接する第2の待機位置に第2位置決めモジュールPW2を配置するためのより多くのスペースが作り出される。これにより、第1位置決めフィールドFI1における基板の処理におけるアイドル時間をさらに短縮しうる。第1位置決めモジュールPW1のショートストロークモジュールのうちx方向に遠い側(すなわち、PW1のショートストロークモジュールの正のx方向側)が、第1位置決めモジュールPW1のロングストロークモジュールのうちx方向に遠い側(すなわち、PW1のロングストロークモジュールの正のx方向側)にできるだけ向かうように位置決めされ、それにより、PW1のショートストロークモジュールとロングストロークモジュールが整列されまたはほぼ整列されてもよい。同様に、第2位置決めモジュールPW2のショートストロークモジュールのうち負のx方向に遠い側(すなわち、PW2のショートストロークモジュールの負のx方向側)が、第2位置決めモジュールPW2のロングストロークモジュールのうち負のx方向に遠い側(すなわち、PW2のロングストロークモジュールの負のx方向側)にできるだけ向かうように位置決めされ、それにより、PW2のショートストロークモジュールとロングストロークモジュールが整列されまたはほぼ整列されてもよい。
第1位置決めモジュールPW1上での基板の処理が終了するとすぐに、第1位置決めモジュールPW1は、第2位置決めフィールドFI2に向かって移動され、第2位置決めモジュールPW2は、ゼロ点測定を可能にするべくゼロ点配置に位置決めされてもよい。
図7は、第1位置決めモジュールPW1及び第2位置決めモジュールPW2の位置を示し、第1位置決めモジュールPW1は第2位置決めフィールドFI2に向かって移動しており、第2位置決めモジュールPW2はゼロ点測定を実行するために既にゼロ点配置にある。これらの位置において、第1位置決めモジュールPW1の位置は、第1位置測定システムPMS1を使用して第2位置決めモジュールPW2の位置を決定可能にすることを妨げる。従来のゼロ点測定では、第1位置測定システムPMS1によって測定される第2位置測定モジュールPW2の位置が必要とされるので、第1位置測定モジュールPW1が第2位置測定モジュールPW2の位置測定を妨げる限り、従来のゼロ点測定を開始することができない。
本発明のある実施形態によれば、第1位置測定システムPMS1の位置測定が利用可能でなくてもゼロ点測定を開始することが提案される。ゼロ点測定は、ゼロ点測定に基づいて決定される位置を用いて既に開始することができることが判明している。これは、ゼロ点センサが第2位置決めモジュールPW2上のゼロ点位置ZSと位置合わせされるとすぐに、ゼロ点測定が開始されうることを意味する。これらの測定は、ある精度でゼロ点センサに対する第2位置決めモジュールPW2の位置を決定することを可能にする。決定された位置に基づいて、第2位置決めモジュールPW2の位置は、ゼロ点測定のために、改善された位置に調整されうる。
図8は、第1位置決めモジュールPW1が第2位置決めフィールドFI2に向かってさらに移動したことを示す。第1位置決めモジュールPW1は、もはや、第2位置決めモジュールPW2の位置が第1位置測定システムPMS1によって測定されうることを妨げない。第2位置決めモジュールPW2の位置が測定可能となるとすぐに、測定された位置は、ゼロ点センサによってゼロ点位置ZS上で実行されるゼロ点測定において考慮されうる。
第2位置決めモジュールPW2は、第2位置決めモジュールPW2によって支持された基板を第1位置決めフィールドFI1に関連する処理装置でさらに処理するために第1位置決めフィールドFI1内に留まることになる。
同時に、第1位置決めモジュールPW1は、第2位置決めフィールドFI2に移動され、そこで処理済みの基板がアンロードされ、処理すべき基板が第1位置決めモジュールPW1上にロードされることになる。その後、第1位置決めモジュールPW1によって支持されている基板の上面がレベルセンサによって測定される。また、第2位置決めフィールドFI2に関連する他のタスクが、第1位置決めモジュールPW1上にロードされた基板に関して実行されることもある。
図4と比較すると、第1位置決めモジュールPW1と第2位置決めモジュールPW2の位置が入れ替わったことになる。基板のアンロード/ロードおよびレベルセンサによる測定は通常、第1位置決めフィールドFI1における基板の処理よりも短い時間を消費するので、第1位置決めモジュールPW1上の基板の処理は、第2位置決めモジュールPW2上の基板の処理よりも先に終了することになる。
従って、第1位置決めモジュールPW1上の基板の処理後、第1位置決めモジュールPW1は、第1位置決めフィールドに場所がないのであれば、第2位置決めフィールドFI2内の第1の待機位置に持っていくことができる。第1位置決めフィールドFIに場所がある場合、例えば、第2位置決めモジュールPW2に支持された基板が第1位置決めフィールドFI1の最終処理ステップにある場合、第1位置決めモジュールPW1は、第2位置決めモジュールPW2に近いが第1位置測定システムPMSによる第2位置決めモジュールPW2の位置測定を妨げない第1位置決めフィールドFI1の第2の待機位置に位置決めされてもよい。この第1位置決めモジュールPW1の第2の待機位置は、図8に示す第1位置決めモジュールの位置とほぼ同じである。第2位置決めモジュールに支持された基板の処理が終了すると、上述した第1位置決めモジュールPW1と第2位置決めモジュールPW2の位置交換と実質的に同じであるが、y-z平面において鏡写しとされた位置交換を行うことができる。
この位置交換には、第1位置決めフィールドFI1における基板Wの処理のアイドル時間を減少させるあらゆる特徴が適用可能である。
図4から図8に関して説明した実施形態では、第1位置決めフィールドFI1における基板の処理が時間的に重要であるとみなされていた。したがって、第1位置決めモジュールPW1と第2位置決めモジュールPW2との位置交換が、第1位置決めフィールドFI1における基板の処理におけるアイドル時間を最小にするために、第1位置決めフィールドFI1において行われた。これに対応して、第2位置決めフィールドFI2での処理が時間的に重要である場合には、第1位置決めモジュールPW1と第2位置決めモジュールPW2の位置交換は、第2位置決めフィールドFI2での基板の処理におけるアイドル時間を最小にするために、第2位置決めフィールドFI2において実行されてもよい。
本書では、ICの製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本明細書に記載のリソグラフィ装置は他の用途を有しうることを理解すべきである。考えられる他の用途には、統合光学システム、磁区メモリのガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ(LCD)、薄膜磁気ヘッドなどの製造が含まれる。
本書では、リソグラフィ装置の文脈で本発明の実施形態を具体的に説明しているが、本発明の実施形態は、他の装置で使用することができる。本発明の実施形態は、マスク検査装置、計測装置、または、ウェーハ(または他の基板)又はマスク(または他のパターニングデバイス)などの物体を測定または処理する任意の装置の一部を形成してもよい。これらの装置は、一般にリソグラフィツールと呼ばれうる。そのようなリソグラフィツールは、真空条件または周囲(非真空)条件を使用することができる。
光学リソグラフィの文脈における本発明の実施形態の使用について上記で特定の言及がなされたが、文脈が許す場合、本発明は光学リソグラフィに限定されず、たとえばインプリントリソグラフィなど他の用途で使用されうることが理解されよう。
文脈が許す場合、本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらの任意の組み合わせで実装されてもよい。本発明の実施形態は、1つ以上のプロセッサによって読み取られ実行されうる、機械可読媒体に格納された命令として実装されることもできる。機械可読媒体は、機械(例えば、コンピューティングデバイス)によって読み取り可能な形態で情報を格納または送信するための任意の機構を含んでもよい。例えば、機械可読媒体は、読み取り専用メモリ(ROM);ランダムアクセスメモリ(RAM);磁気記憶媒体;光学記憶媒体;フラッシュメモリ装置;電気、光学、音響または他の形態の伝播信号(例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号など)、その他を含んでもよい。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令は、特定の動作を実行するものとして本明細書に記載される場合がある。しかしながら、そのような記述は単に便宜上のものであり、そのような動作は、実際には、コンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、または他のデバイスがファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行することから生じ、それを行うことによって、アクチュエータまたは他のデバイスに物理世界との相互作用を引き起こしうることを理解されたい。
本発明の特定の実施形態を上で説明したが、本発明は、説明された以外の方法で実施されてもよいことを理解すべきである。上記の説明は、限定ではなく、例示を目的としている。したがって、以下に記載される特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されるように本発明に変更を加えることができることは当業者には明らかであろう。
1.第1基板を支持し位置決めするように構成される第1位置決めモジュール(PW1)と、
第2基板を支持し位置決めするように構成される第2位置決めモジュール(PW2)と、
前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールが1つ又は複数の第1処理装置と協働するように位置決めされうる第1位置決めフィールド(FI1)と、
前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールが1つ又は複数の第2処理装置と協働するように位置決めされうる第2位置決めフィールド(FI2)と、を備え、
前記第1位置決めフィールド及び前記第2位置決めフィールドは、第1方向及び前記第1方向に垂直な第2方向に延びる位置決め平面内に延在し、
前記第1位置決めフィールド及び前記第2位置決めフィールドは、前記第1方向に互いに隣接して配置され、前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールは、前記第1方向に位置を交換可能であり、位置交換の間、前記第1位置決めモジュールの第1側部が前記第2位置決めモジュールの第2側部と前記第2方向に向かい合い、
前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールはそれぞれが、前記第1位置決めフィールドで第1処理ステップを実行する第1ユニットと、前記第1位置決めフィールドで最終処理ステップを実行する最終ユニットとを備え、
前記第1ユニット及び前記最終ユニットは、前記第1位置決めモジュールの前記第1側部及び前記第2位置決めモジュールの前記第2側部にそれぞれ配置される、位置決め装置。
2.前記第1位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第1側部と前記第1位置決めフィールドに位置決めされるとき前記第2位置決めフィールドのほうに向く前記第1位置決めモジュールの側部との第1角部の近傍に配置され、前記第2位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第2側部と前記第1位置決めフィールドに位置決めされるとき前記第2位置決めフィールドのほうに向く前記第2位置決めモジュールの側部との第2角部の近傍に配置される、項1に記載の位置決め装置。
3.前記第1位置決めモジュールの前記第1ユニットは、前記第1側部と前記第1位置決めフィールドに位置決めされるとき前記第2位置決めフィールドから離れるほうに向く前記第1位置決めモジュールの側部との第2角部の近傍に配置され、前記第2位置決めモジュールの前記第1ユニットは、前記第2側部と前記第1位置決めフィールドに位置決めされるとき前記第2位置決めフィールドから離れるほうに向く前記第2位置決めモジュールの側部との第2角部の近傍に配置される、項1または2に記載の位置決め装置。
4.前記第1ユニットは、ゼロ点センサと協働するように配置されるゼロ点位置である、先行するいずれかの項に記載の位置決め装置。
5.前記ゼロ点センサは、対応する第1位置決めモジュールまたは第2位置決めモジュールの位置が位置測定システムによって決定される前に、ゼロ点測定を実行するように構成される、項4に記載の位置決め装置。
6.前記最終ユニットは、収差制御測定センサであり、または/および、前記第1位置決めフィールドが前記位置決め装置の露光フィールドであり、前記第2位置決めフィールドが前記位置決め装置の測定フィールドである、先行するいずれかの項に記載の位置決め装置。
7.前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールはそれぞれが、センサのセットを備え、前記第1位置決めモジュールの前記センサのセットの第1構成及び前記第2位置決めモジュールの前記センサのセットの第2構成は、前記第1方向及び前記位置決め平面に垂直な方向に延びるミラー面に関して鏡写しとなっている、先行するいずれかの項に記載の位置決め装置。
8.前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールはそれぞれが、ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを備え、前記ロングストロークモジュールが前記ショートストロークモジュールを支持し、前記ショートストロークモジュールは、基板を支持するように構成され、前記ショートストロークモジュールは、前記ロングストロークモジュールに対して前記基板を高精度で小移動範囲にわたり移動させるように構成され、前記ロングストロークモジュールは、前記ショートストロークモジュールを相対的に低精度で大移動範囲にわたり前記第2方向に移動させるように構成され、
前記位置決め装置の制御装置は、前記第1位置決めモジュールの前記ショートストロークモジュールを、前記第2方向における前記第2位置決めモジュールに最も近い前記ロングストロークモジュールの前記大移動範囲の端又はその近傍に位置決めし、前記第2位置決めモジュールの前記ショートストロークモジュールを、前記第2方向における前記第1位置決めモジュールに最も近い前記ロングストロークモジュールの前記大移動範囲の端の近傍に位置決めするように構成される、先行するいずれかの項に記載の位置決め装置。
9.前記位置決め装置の制御装置は、前記第1位置決めモジュールに支持された前記第1基板を前記1つ又は複数の第1処理装置で処理している最中に、前記第1位置決めモジュールの位置測定を妨げることなく前記第2位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第1位置決めフィールドに配置し、及び/又は、前記第2位置決めモジュールに支持された前記第2基板を前記1つ又は複数の第1処理装置で処理している最中に、前記第2位置決めモジュールの位置測定を妨げることなく前記第1位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第1位置決めフィールドに配置するように構成される、先行するいずれかの項に記載の位置決め装置。
10.前記位置決め装置は、前記第1位置決めフィールドにおける前記第1位置決めモジュール又は前記第2位置決めモジュールの位置を決定する第1位置測定システムと、前記第2位置決めフィールドにおける前記第1位置決めモジュール又は前記第2位置決めモジュールの位置を決定する第2位置測定システムと、を備える、先行するいずれかの項に記載の位置決め装置。
11.位置決め装置を使用する方法であって、前記位置決め装置は、
第1基板を支持し位置決めするように構成される第1位置決めモジュールと、
第2基板を支持し位置決めするように構成される第2位置決めモジュールと、
前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールが1つ又は複数の第1処理装置と協働するように位置決めされうる第1位置決めフィールドと、
前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールが1つ又は複数の第2処理装置と協働するように位置決めされうる第2位置決めフィールドと、を備え、
前記第1位置決めフィールド及び前記第2位置決めフィールドは、第1方向及び前記第1方向に垂直な第2方向に延びる位置決め平面内に延在し、
前記第1位置決めフィールド及び前記第2位置決めフィールドは、前記第1方向に互いに隣接して配置され、前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールは、前記第1方向に位置を交換可能であり、位置交換の間、前記第1位置決めモジュールの第1側部が前記第2位置決めモジュールの第2側部と前記第2方向に向かい合い、
前記方法は、前記第1位置決めモジュールと前記第2位置決めモジュールの位置交換を行うステップを備え、前記位置交換は、前記第1位置決めモジュールが前記第1位置決めフィールドから前記第2位置決めフィールドに移動され、前記第2位置決めモジュールが前記第2位置決めフィールドから前記第1位置決めフィールドに移動されるものであり、
前記第1位置決めモジュールに支持された前記第1基板を前記1つ又は複数の第1処理装置で処理している最中に、前記第1位置決めモジュールの位置測定を妨げることなく前記第2位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第1位置決めフィールドに配置するステップと、
前記第1位置決めモジュールに支持された前記第1基板の前記1つ又は複数の第1処理装置による処理が終了するとき、前記第1位置決めモジュールを前記第2位置決めフィールドに向けて移動させるとともに、前記第2位置決めモジュールを前記1つ又は複数の第1処理装置と協働する位置に移動させ、前記第2位置決めモジュール上の前記第2基板を前記1つ又は複数の第1処理装置で処理するステップと、を備える方法。
12.前記第2基板の処理の第1ステップは、前記第2位置決めモジュールの位置が位置測定システムによって決定される前に、ゼロ点測定を実行することを備える、項11に記載の方法。
13.前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールはそれぞれが、前記第1位置決めフィールドで第1処理ステップを実行する第1ユニットと、前記第1位置決めフィールドで最終処理ステップを実行する最終ユニットとを備え、
前記第1ユニット及び前記最終ユニットは、前記第1位置決めモジュールの前記第1側部及び前記第2位置決めモジュールの前記第2側部に配置される、項11または12に記載の方法。
14.前記方法は、前記第2位置決めモジュールと前記第1位置決めモジュールの位置交換を行うステップを備え、前記位置交換は、前記第2位置決めモジュールが前記第1位置決めフィールドから前記第2位置決めフィールドに移動され、前記第1位置決めモジュールが前記第2位置決めフィールドから前記第1位置決めフィールドに移動されるものであり、
前記第2位置決めモジュールに支持された前記第2基板を前記1つ又は複数の第1処理装置で処理している最中に、前記第2位置決めモジュールの位置測定を妨げることなく前記第1位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第1位置決めフィールドに配置するステップと、
前記第2位置決めモジュールに支持された前記第2基板の前記1つ又は複数の第1処理装置による処理が終了するとき、前記第2位置決めモジュールを前記第2位置決めフィールドに向けて移動させるとともに、前記第1位置決めモジュールを前記1つ又は複数の第1処理装置と協働する位置に移動させ、前記第1位置決めモジュール上の新たな第1基板を前記1つ又は複数の第1処理装置で処理するステップと、を備える、項11から13のいずれかに記載の方法。
15.項1から10のいずれかに記載の位置決め装置を備えるリソグラフィ装置。
16.位置決め装置を使用する方法であって、前記位置決め装置は、
第1基板を支持し位置決めするように構成される第1位置決めモジュールと、
第2基板を支持し位置決めするように構成される第2位置決めモジュールと、
前記2つの位置決めモジュールが第1処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされうる第1位置決めフィールド(FI1)と、
前記2つの位置決めモジュールが第2処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされうる第2位置決めフィールド(FI2)と、を備えており、
前記2つの位置決めモジュールのうちの一方が前記第1処理シーケンスを実行しているとき又は終了しようとしているとき、他方の位置決めモジュールが前記第2処理シーケンスを終了して前記2つの位置決めモジュールのうち前記一方へと近づいて位置決めされる、方法。
17.前記第1位置決めモジュールと前記第2位置決めモジュールの位置交換を行うステップを備え、前記位置交換は、前記第1位置決めモジュールが前記第1位置決めフィールドから前記第2位置決めフィールドに移動され、前記第2位置決めモジュールが前記第2位置決めフィールドから前記第1位置決めフィールドに移動されるものであり、
前記第1位置決めモジュールが前記第1処理シーケンスを実行し又は終了している最中に、前記第1位置決めモジュールの位置測定を妨げることなく前記第2位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第1位置決めフィールドに配置するステップと、
前記第1処理シーケンスが終了するとき、前記第1位置決めモジュールを前記第2位置決めフィールドに向けて移動させるとともに、前記第2位置決めモジュールを前記第1処理シーケンスを実行する位置に移動させるステップと、を備える、項16に記載の方法。
18.第2位置決めモジュールのための前記第1処理シーケンスの第1ステップは、前記第2位置決めモジュールの位置が位置測定システムによって決定される前に、ゼロ点測定を実施することを備える、項17に記載の方法。
19.前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールはそれぞれが、前記第1位置決めフィールドで最終処理ステップを実行する最終ユニットを備え、
前記第1位置決めフィールド及び前記第2位置決めフィールドは、第1方向(y軸)に互いに隣接して配置され、
前記第1位置決めモジュールは、前記第1位置決めモジュールの第1側部が前記第2位置決めフィールドの第2側部と第2方向(x軸)に向かい合いながら、前記第2位置決めモジュールと前記第1方向に位置を交換するように構成され、
前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールはそれぞれが、前記第1処理シーケンス及び前記第2処理シーケンスのうち一方の最終ステップを実行するように構成される最終ユニットを備え、
前記第1位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第1側部に近接して配置され、前記第2位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第2側部に近接して配置される、項17または18に記載の方法。
20.前記第2位置決めモジュールと前記第1位置決めモジュールの位置交換を行うステップをさらに備え、前記位置交換は、前記第2位置決めモジュールが前記第1位置決めフィールドから前記第2位置決めフィールドに移動され、前記第1位置決めモジュールが前記第2位置決めフィールドから前記第1位置決めフィールドに移動されるものであり、
前記第2位置決めモジュールが前記第1処理シーケンスを実行し又は終了している最中に、前記第2位置決めモジュールの位置測定を妨げることなく前記第1位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第1位置決めフィールドに配置するステップと、
前記第1処理シーケンスが終了するとき、前記第2位置決めモジュールを前記第1位置決めフィールドに向けて移動させるとともに、前記第1位置決めモジュールを前記第1処理シーケンスを実行する位置に移動させるステップと、を備える、項17から19のいずれかに記載の方法。
第2基板を支持し位置決めするように構成される第2位置決めモジュール(PW2)と、
前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールが1つ又は複数の第1処理装置と協働するように位置決めされうる第1位置決めフィールド(FI1)と、
前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールが1つ又は複数の第2処理装置と協働するように位置決めされうる第2位置決めフィールド(FI2)と、を備え、
前記第1位置決めフィールド及び前記第2位置決めフィールドは、第1方向及び前記第1方向に垂直な第2方向に延びる位置決め平面内に延在し、
前記第1位置決めフィールド及び前記第2位置決めフィールドは、前記第1方向に互いに隣接して配置され、前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールは、前記第1方向に位置を交換可能であり、位置交換の間、前記第1位置決めモジュールの第1側部が前記第2位置決めモジュールの第2側部と前記第2方向に向かい合い、
前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールはそれぞれが、前記第1位置決めフィールドで第1処理ステップを実行する第1ユニットと、前記第1位置決めフィールドで最終処理ステップを実行する最終ユニットとを備え、
前記第1ユニット及び前記最終ユニットは、前記第1位置決めモジュールの前記第1側部及び前記第2位置決めモジュールの前記第2側部にそれぞれ配置される、位置決め装置。
2.前記第1位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第1側部と前記第1位置決めフィールドに位置決めされるとき前記第2位置決めフィールドのほうに向く前記第1位置決めモジュールの側部との第1角部の近傍に配置され、前記第2位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第2側部と前記第1位置決めフィールドに位置決めされるとき前記第2位置決めフィールドのほうに向く前記第2位置決めモジュールの側部との第2角部の近傍に配置される、項1に記載の位置決め装置。
3.前記第1位置決めモジュールの前記第1ユニットは、前記第1側部と前記第1位置決めフィールドに位置決めされるとき前記第2位置決めフィールドから離れるほうに向く前記第1位置決めモジュールの側部との第2角部の近傍に配置され、前記第2位置決めモジュールの前記第1ユニットは、前記第2側部と前記第1位置決めフィールドに位置決めされるとき前記第2位置決めフィールドから離れるほうに向く前記第2位置決めモジュールの側部との第2角部の近傍に配置される、項1または2に記載の位置決め装置。
4.前記第1ユニットは、ゼロ点センサと協働するように配置されるゼロ点位置である、先行するいずれかの項に記載の位置決め装置。
5.前記ゼロ点センサは、対応する第1位置決めモジュールまたは第2位置決めモジュールの位置が位置測定システムによって決定される前に、ゼロ点測定を実行するように構成される、項4に記載の位置決め装置。
6.前記最終ユニットは、収差制御測定センサであり、または/および、前記第1位置決めフィールドが前記位置決め装置の露光フィールドであり、前記第2位置決めフィールドが前記位置決め装置の測定フィールドである、先行するいずれかの項に記載の位置決め装置。
7.前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールはそれぞれが、センサのセットを備え、前記第1位置決めモジュールの前記センサのセットの第1構成及び前記第2位置決めモジュールの前記センサのセットの第2構成は、前記第1方向及び前記位置決め平面に垂直な方向に延びるミラー面に関して鏡写しとなっている、先行するいずれかの項に記載の位置決め装置。
8.前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールはそれぞれが、ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを備え、前記ロングストロークモジュールが前記ショートストロークモジュールを支持し、前記ショートストロークモジュールは、基板を支持するように構成され、前記ショートストロークモジュールは、前記ロングストロークモジュールに対して前記基板を高精度で小移動範囲にわたり移動させるように構成され、前記ロングストロークモジュールは、前記ショートストロークモジュールを相対的に低精度で大移動範囲にわたり前記第2方向に移動させるように構成され、
前記位置決め装置の制御装置は、前記第1位置決めモジュールの前記ショートストロークモジュールを、前記第2方向における前記第2位置決めモジュールに最も近い前記ロングストロークモジュールの前記大移動範囲の端又はその近傍に位置決めし、前記第2位置決めモジュールの前記ショートストロークモジュールを、前記第2方向における前記第1位置決めモジュールに最も近い前記ロングストロークモジュールの前記大移動範囲の端の近傍に位置決めするように構成される、先行するいずれかの項に記載の位置決め装置。
9.前記位置決め装置の制御装置は、前記第1位置決めモジュールに支持された前記第1基板を前記1つ又は複数の第1処理装置で処理している最中に、前記第1位置決めモジュールの位置測定を妨げることなく前記第2位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第1位置決めフィールドに配置し、及び/又は、前記第2位置決めモジュールに支持された前記第2基板を前記1つ又は複数の第1処理装置で処理している最中に、前記第2位置決めモジュールの位置測定を妨げることなく前記第1位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第1位置決めフィールドに配置するように構成される、先行するいずれかの項に記載の位置決め装置。
10.前記位置決め装置は、前記第1位置決めフィールドにおける前記第1位置決めモジュール又は前記第2位置決めモジュールの位置を決定する第1位置測定システムと、前記第2位置決めフィールドにおける前記第1位置決めモジュール又は前記第2位置決めモジュールの位置を決定する第2位置測定システムと、を備える、先行するいずれかの項に記載の位置決め装置。
11.位置決め装置を使用する方法であって、前記位置決め装置は、
第1基板を支持し位置決めするように構成される第1位置決めモジュールと、
第2基板を支持し位置決めするように構成される第2位置決めモジュールと、
前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールが1つ又は複数の第1処理装置と協働するように位置決めされうる第1位置決めフィールドと、
前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールが1つ又は複数の第2処理装置と協働するように位置決めされうる第2位置決めフィールドと、を備え、
前記第1位置決めフィールド及び前記第2位置決めフィールドは、第1方向及び前記第1方向に垂直な第2方向に延びる位置決め平面内に延在し、
前記第1位置決めフィールド及び前記第2位置決めフィールドは、前記第1方向に互いに隣接して配置され、前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールは、前記第1方向に位置を交換可能であり、位置交換の間、前記第1位置決めモジュールの第1側部が前記第2位置決めモジュールの第2側部と前記第2方向に向かい合い、
前記方法は、前記第1位置決めモジュールと前記第2位置決めモジュールの位置交換を行うステップを備え、前記位置交換は、前記第1位置決めモジュールが前記第1位置決めフィールドから前記第2位置決めフィールドに移動され、前記第2位置決めモジュールが前記第2位置決めフィールドから前記第1位置決めフィールドに移動されるものであり、
前記第1位置決めモジュールに支持された前記第1基板を前記1つ又は複数の第1処理装置で処理している最中に、前記第1位置決めモジュールの位置測定を妨げることなく前記第2位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第1位置決めフィールドに配置するステップと、
前記第1位置決めモジュールに支持された前記第1基板の前記1つ又は複数の第1処理装置による処理が終了するとき、前記第1位置決めモジュールを前記第2位置決めフィールドに向けて移動させるとともに、前記第2位置決めモジュールを前記1つ又は複数の第1処理装置と協働する位置に移動させ、前記第2位置決めモジュール上の前記第2基板を前記1つ又は複数の第1処理装置で処理するステップと、を備える方法。
12.前記第2基板の処理の第1ステップは、前記第2位置決めモジュールの位置が位置測定システムによって決定される前に、ゼロ点測定を実行することを備える、項11に記載の方法。
13.前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールはそれぞれが、前記第1位置決めフィールドで第1処理ステップを実行する第1ユニットと、前記第1位置決めフィールドで最終処理ステップを実行する最終ユニットとを備え、
前記第1ユニット及び前記最終ユニットは、前記第1位置決めモジュールの前記第1側部及び前記第2位置決めモジュールの前記第2側部に配置される、項11または12に記載の方法。
14.前記方法は、前記第2位置決めモジュールと前記第1位置決めモジュールの位置交換を行うステップを備え、前記位置交換は、前記第2位置決めモジュールが前記第1位置決めフィールドから前記第2位置決めフィールドに移動され、前記第1位置決めモジュールが前記第2位置決めフィールドから前記第1位置決めフィールドに移動されるものであり、
前記第2位置決めモジュールに支持された前記第2基板を前記1つ又は複数の第1処理装置で処理している最中に、前記第2位置決めモジュールの位置測定を妨げることなく前記第1位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第1位置決めフィールドに配置するステップと、
前記第2位置決めモジュールに支持された前記第2基板の前記1つ又は複数の第1処理装置による処理が終了するとき、前記第2位置決めモジュールを前記第2位置決めフィールドに向けて移動させるとともに、前記第1位置決めモジュールを前記1つ又は複数の第1処理装置と協働する位置に移動させ、前記第1位置決めモジュール上の新たな第1基板を前記1つ又は複数の第1処理装置で処理するステップと、を備える、項11から13のいずれかに記載の方法。
15.項1から10のいずれかに記載の位置決め装置を備えるリソグラフィ装置。
16.位置決め装置を使用する方法であって、前記位置決め装置は、
第1基板を支持し位置決めするように構成される第1位置決めモジュールと、
第2基板を支持し位置決めするように構成される第2位置決めモジュールと、
前記2つの位置決めモジュールが第1処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされうる第1位置決めフィールド(FI1)と、
前記2つの位置決めモジュールが第2処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされうる第2位置決めフィールド(FI2)と、を備えており、
前記2つの位置決めモジュールのうちの一方が前記第1処理シーケンスを実行しているとき又は終了しようとしているとき、他方の位置決めモジュールが前記第2処理シーケンスを終了して前記2つの位置決めモジュールのうち前記一方へと近づいて位置決めされる、方法。
17.前記第1位置決めモジュールと前記第2位置決めモジュールの位置交換を行うステップを備え、前記位置交換は、前記第1位置決めモジュールが前記第1位置決めフィールドから前記第2位置決めフィールドに移動され、前記第2位置決めモジュールが前記第2位置決めフィールドから前記第1位置決めフィールドに移動されるものであり、
前記第1位置決めモジュールが前記第1処理シーケンスを実行し又は終了している最中に、前記第1位置決めモジュールの位置測定を妨げることなく前記第2位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第1位置決めフィールドに配置するステップと、
前記第1処理シーケンスが終了するとき、前記第1位置決めモジュールを前記第2位置決めフィールドに向けて移動させるとともに、前記第2位置決めモジュールを前記第1処理シーケンスを実行する位置に移動させるステップと、を備える、項16に記載の方法。
18.第2位置決めモジュールのための前記第1処理シーケンスの第1ステップは、前記第2位置決めモジュールの位置が位置測定システムによって決定される前に、ゼロ点測定を実施することを備える、項17に記載の方法。
19.前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールはそれぞれが、前記第1位置決めフィールドで最終処理ステップを実行する最終ユニットを備え、
前記第1位置決めフィールド及び前記第2位置決めフィールドは、第1方向(y軸)に互いに隣接して配置され、
前記第1位置決めモジュールは、前記第1位置決めモジュールの第1側部が前記第2位置決めフィールドの第2側部と第2方向(x軸)に向かい合いながら、前記第2位置決めモジュールと前記第1方向に位置を交換するように構成され、
前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールはそれぞれが、前記第1処理シーケンス及び前記第2処理シーケンスのうち一方の最終ステップを実行するように構成される最終ユニットを備え、
前記第1位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第1側部に近接して配置され、前記第2位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第2側部に近接して配置される、項17または18に記載の方法。
20.前記第2位置決めモジュールと前記第1位置決めモジュールの位置交換を行うステップをさらに備え、前記位置交換は、前記第2位置決めモジュールが前記第1位置決めフィールドから前記第2位置決めフィールドに移動され、前記第1位置決めモジュールが前記第2位置決めフィールドから前記第1位置決めフィールドに移動されるものであり、
前記第2位置決めモジュールが前記第1処理シーケンスを実行し又は終了している最中に、前記第2位置決めモジュールの位置測定を妨げることなく前記第1位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第1位置決めフィールドに配置するステップと、
前記第1処理シーケンスが終了するとき、前記第2位置決めモジュールを前記第1位置決めフィールドに向けて移動させるとともに、前記第1位置決めモジュールを前記第1処理シーケンスを実行する位置に移動させるステップと、を備える、項17から19のいずれかに記載の方法。
Claims (15)
- 第1基板を支持し位置決めするように構成される第1位置決めモジュール(PW1)と、
第2基板を支持し位置決めするように構成される第2位置決めモジュール(PW2)と、
前記2つの位置決めモジュールが第1処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされうる第1位置決めフィールド(FI1)と、
前記2つの位置決めモジュールが第2処理シーケンスを実行するために交互に位置決めされうる第2位置決めフィールド(FI2)と、を備え、
前記2つの位置決めモジュールのうちの一方が前記第1処理シーケンスを実行しているとき又は終了しようとしているとき、他方の位置決めモジュールが前記第2処理シーケンスを終了して前記2つの位置決めモジュールのうち前記一方へと近づいて位置決めされる、位置決め装置。 - 前記2つの位置決めモジュールは、前記2つの処理シーケンスを交互に実行するように構成され、又は/及び、
前記2つの位置決めモジュールのうちの一方が前記第1処理シーケンスを実行しているとき又は終了しようとしているとき、前記2つの位置決めモジュールのうち前記一方の位置測定を妨げることなく前記他方の位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第1位置決めフィールドに配置する、請求項1に記載の位置決め装置。 - 前記2つの位置決めモジュールのうちの一方が前記第1処理シーケンスを終了しようとしているとき又は終了しているとき、前記2つの位置決めモジュール間の距離は、20cm未満、好ましくは10cm未満、より好ましくは5cm未満である、請求項1または2に記載の位置決め装置。
- 前記第1位置決めフィールド及び前記第2位置決めフィールドは、第1方向(y軸)に互いに隣接して配置され、
前記第1位置決めモジュールは、前記第1位置決めモジュールの第1側部が前記第2位置決めフィールドの第2側部と第2方向(x軸)に向かい合いながら、前記第2位置決めモジュールと前記第1方向に位置を交換するように構成され、
前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールはそれぞれが、前記第1処理シーケンス及び前記第2処理シーケンスのうち一方の最終ステップを実行するように構成される最終ユニットを備え、
前記第1位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第1側部に近接して配置され、前記第2位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第2側部に近接して配置される、請求項1から3のいずれかに記載の位置決め装置。 - 前記第2方向は、前記第1方向に垂直であり、又は/及び、前記最終ステップは、前記第1処理シーケンスのものである、請求項4に記載の位置決め装置。
- 前記第1位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第1側部と前記第1位置決めフィールドに位置決めされるとき前記第2位置決めのほうに向く前記第1位置決めモジュールの側部との第1角部の近傍に配置され、
前記第2位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第2側部と前記第1位置決めフィールドに位置決めされるとき前記第2位置決めフィールドのほうに向く前記第2位置決めモジュールの側部との第1角部の近傍に配置される、請求項4または5に記載の位置決め装置。 - 前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールはそれぞれが、前記第1処理シーケンスの第1処理ステップを実行する第1ユニットを備え、前記第1ユニットは、ゼロ点センサと協働するように配置されるゼロ点位置である、請求項1から6のいずれかに記載の位置決め装置。
- 前記ゼロ点センサは、対応する第1位置決めモジュールまたは第2位置決めモジュールの位置が位置測定システムによって決定される前に、ゼロ点測定を実行するように構成される、請求項7に記載の位置決め装置。
- 前記最終ユニットは、収差制御測定センサであり、又は/及び、前記第1位置決めフィールドが前記位置決め装置の露光フィールドであり、前記第2位置決めフィールドが前記位置決め装置の測定フィールドである、請求項4から8のいずれかに記載の位置決め装置。
- 前記第1位置決めフィールド及び前記第2位置決めフィールドは、前記第1方向及び前記第2方向に延びる位置決め平面内に延在し、
前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールはそれぞれが、センサのセットを備え、前記第1位置決めモジュールの前記センサのセットの第1構成及び前記第2位置決めモジュールの前記センサのセットの第2構成は、前記第1方向及び前記位置決め平面に垂直な方向に延びるミラー面に関して鏡写しとなっている、請求項1から9のいずれかに記載の位置決め装置。 - 前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールはそれぞれが、ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを備え、前記ロングストロークモジュールが前記ショートストロークモジュールを支持し、前記ショートストロークモジュールは、基板を支持するように構成され、前記ショートストロークモジュールは、前記ロングストロークモジュールに対して前記基板を高精度で小移動範囲にわたり移動させるように構成され、前記ロングストロークモジュールは、前記ショートストロークモジュールを相対的に低精度で大移動範囲にわたり前記第2方向に移動させるように構成され、
前記位置決め装置の制御装置は、前記第1位置決めモジュールの前記ショートストロークモジュールを、前記第2方向における前記第2位置決めモジュールに最も近い前記ロングストロークモジュールの前記大移動範囲の端又はその近傍に位置決めし、前記第2位置決めモジュールの前記ショートストロークモジュールを、前記第2方向における前記第1位置決めモジュールに最も近い前記ロングストロークモジュールの前記大移動範囲の端の近傍に位置決めするように構成される、請求項1から10のいずれかに記載の位置決め装置。 - 前記位置決め装置の制御装置は、前記第1位置決めモジュールに支持された前記第1基板を前記1つ又は複数の第1処理装置で処理している最中に、前記第1位置決めモジュールの位置測定を妨げることなく前記第2位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第1位置決めフィールドに配置し、及び/又は、前記第2位置決めモジュールに支持された前記第2基板を前記1つ又は複数の第1処理装置で処理している最中に、前記第2位置決めモジュールの位置測定を妨げることなく前記第1位置決めモジュールを少なくとも部分的に前記第1位置決めフィールドに配置するように構成される、請求項1から11のいずれかに記載の位置決め装置。
- 前記位置決め装置は、前記第1位置決めフィールドにおける前記第1位置決めモジュール又は前記第2位置決めモジュールの位置を決定する第1位置測定システムと、前記第2位置決めフィールドにおける前記第1位置決めモジュール又は前記第2位置決めモジュールの位置を決定する第2位置測定システムと、を備える、請求項1から12のいずれかに記載の位置決め装置。
- 第1基板を支持し位置決めするように構成される第1位置決めモジュール(PW1)と、
第2基板を支持し位置決めするように構成される第2位置決めモジュール(PW2)と、を備え、
前記第1位置決めモジュールは、前記第1位置決めモジュールの第1側部が前記第2位置決めフィールドの第2側部と第2方向に向かい合いながら、前記第2位置決めモジュールと第1方向に位置を交換するように構成され、
前記第1位置決めモジュール及び前記第2位置決めモジュールはそれぞれが、最終処理ステップを実行する最終ユニットを備え、
前記第1位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第1側部に近接して配置され、前記第2位置決めモジュールの前記最終ユニットは、前記第2側部に近接して配置される、位置決め装置。 - 請求項1から14のいずれかに記載の位置決め装置を備えるリソグラフィ装置。
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