JP2023509783A - 高出力統合半導体光増幅器アレイのシリコン支援パッケージング - Google Patents
高出力統合半導体光増幅器アレイのシリコン支援パッケージング Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023509783A JP2023509783A JP2022542348A JP2022542348A JP2023509783A JP 2023509783 A JP2023509783 A JP 2023509783A JP 2022542348 A JP2022542348 A JP 2022542348A JP 2022542348 A JP2022542348 A JP 2022542348A JP 2023509783 A JP2023509783 A JP 2023509783A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- soa
- chip
- pic
- turn
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 55
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title description 6
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 title description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 7
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4075—Beam steering
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4228—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements
- G02B6/423—Passive alignment, i.e. without a detection of the degree of coupling or the position of the elements using guiding surfaces for the alignment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B60—VEHICLES IN GENERAL
- B60R—VEHICLES, VEHICLE FITTINGS, OR VEHICLE PARTS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B60R16/00—Electric or fluid circuits specially adapted for vehicles and not otherwise provided for; Arrangement of elements of electric or fluid circuits specially adapted for vehicles and not otherwise provided for
- B60R16/02—Electric or fluid circuits specially adapted for vehicles and not otherwise provided for; Arrangement of elements of electric or fluid circuits specially adapted for vehicles and not otherwise provided for electric constitutive elements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
- G01S17/06—Systems determining position data of a target
- G01S17/08—Systems determining position data of a target for measuring distance only
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
- G01S17/06—Systems determining position data of a target
- G01S17/08—Systems determining position data of a target for measuring distance only
- G01S17/32—Systems determining position data of a target for measuring distance only using transmission of continuous waves, whether amplitude-, frequency-, or phase-modulated, or unmodulated
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
- G01S7/4814—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements of transmitters alone
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/491—Details of non-pulse systems
- G01S7/4911—Transmitters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12004—Combinations of two or more optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
Description
本出願は、2020年1月13日付に出願された米国仮特許出願第62/960、688号についての35U.S.C§119(e)下の優先権を主張し、これらすべてはその全体が参照として含まれる。
図面および前述の説明は、単に例示として好ましい実施形態に関する。前述のように、本明細書に開示された構造および方法の代替的な実施形態は、請求項の原理から逸脱することなく採用できる実行可能な代替案として容易に認識されることに留意するべきである。
Claims (20)
- 光集積回路(PIC)アセンブリとして、
入力SOA(Semiconductor Optical Amplifier)と複数のSOAを含むSOAアレイ-前記入力SOAおよび前記複数のSOAは、互いに平行に配列される-と、
前記入力SOAから第1方向に伝播する増幅された入力光を受信し、前記増幅された光を複数のビームに分割するように構成される光スプリッタと、前記複数のビームのそれぞれを前記複数のSOAの対応するSOAにガイドするように構成される導波管アセンブリ-前記導波管アセンブリは、前記ガイドされたビームのそれぞれの伝播方向を第1方向と実質的に反対になる第2方向に実質的に平行になるように調整し、前記複数のSOAのそれぞれは、複数の増幅された出力ビームを生成するためにそれぞれのビームを増幅するように構成される-を含むUターンチップと、を含む光集積回路アセンブリ。 - 前記SOAアレイは、前方ファセットと前記前方ファセットとは反対の後方ファセットを含むSOAチップ上にあり、入力光は、前記入力SOAによって増幅される前に前記前方ファセットにエッジ結合され、前記増幅された入力光は、前記後方ファセットを介して前記Uターンチップにエッジ結合され、前記ガイドされたビームは、前記Uターンチップから前記後方ファセットにエッジ結合され、前記複数の増幅された出力ビームは、前記前方ファセットから前記SOAチップの外側にエッジ結合される請求項1に記載の光集積回路アセンブリ。
- 前記SOAアレイは、PICチップの複数の台座に結合されるSOAチップ上にあり、前記PICチップは、前方ファセットを含み、前記SOAチップは、前記複数の増幅された出力ビームを前記前方ファセットに出力するように構成される請求項1に記載の光集積回路アセンブリ。
- 前記Uターンチップは、前記PICチップの前方ファセットよりも前記SOAアレイチップの反対側にある請求項3に記載の光集積回路アセンブリ。
- 前記SOAチップの第1面およびシムの第1面に結合されるキャリアをさらに含み、前記SOAチップの第2面は、前記PICチップの複数の台座に結合され、前記シムの第2面は、前記Uターンチップに結合され、前記キャリアは、前記SOAチップに熱および構造的支持を提供するように構成される請求項3に記載の光集積回路アセンブリ。
- 前記Uターンチップおよび前記PICチップは、前記導波管アセンブリの導波管が前記PICチップの導波管と整列するように同じウェハ上に製作される請求項3に記載の光集積回路アセンブリ。
- 前記Uターンチップおよび前記PICチップは、同じウェハ上に製作され、前記Uターンチップは、同じウェハ上に製作される1つ以上の屈曲部を介して前記PICチップに結合され、浮遊する請求項3に記載の光集積回路アセンブリ。
- 前記Uターンチップおよび前記PICチップの部分から形成された1つ以上のコームドライブが存在し、前記1つ以上のコームドライブは、前記Uターンチップを前記SOAチップに対して位置させるように構成される請求項7に記載の光集積回路アセンブリ。
- 前記1つ以上のコームドライブは、2つの直交方向に前記SOAチップに対する前記Uターンチップのトランスレーション(Translation)を制御する請求項8に記載の光集積回路アセンブリ。
- 第2入力SOAおよび第2複数のSOAを含む第2SOAアレイ-前記第2入力SOAおよび前記第2複数のSOAは、互いに平行に配列され、前記SOAアレイの前記SOAに平行に配列される-をさらに含む請求項1に記載の光集積回路アセンブリ。
- 光を放出するように構成されるレーザーソースと、
前記光を少なくとも第1ビームと第2ビームに分割するように構成される光分岐器-前記第1ビームは、前記SOAアレイに提供され、前記第2ビームは、前記第2SOAアレイに提供される-と、をさらに含む請求項10に記載の光集積回路アセンブリ。 - 第1導波管および第2導波管をさらに含み、前記第1導波管は、前記SOAアレイに前記第1ビームを提供するように構成され、前記第2導波管は、前記第2SOAアレイに前記第2ビムを提供するように構成され、前記第1導波管と前記第2導波管の入口における前記光の伝播方向は、前記第1導波管および前記第2導波管の出力における伝播方向と実質的に反対である請求項11に記載の光集積回路アセンブリ。
- 前記SOAアレイは、PICチップに結合されるSOAチップ上にあり、
前記PICは、
前記PICチップに結合された外部キャビティレーザー(ECL)ソース-前記ECLレーザーソースは、前記SOAチップに光を提供するように構成される-をさらに含み、
前記ECLソースは、
光を放出する光源と、
利得媒体チップと、
共振器と、を含み、前記共振器と前記利得媒体チップは、前記放出された光の特定の帯域を集合的に選択して増幅する請求項1に記載の光集積回路アセンブリ。 - 前記複数のSOAのそれぞれは、同じ増幅レベルを提供する請求項1に記載の光集積回路アセンブリ。
- 前記複数のSOAは、第1SOAおよび第2SOAを含み、前記第1SOAおよび前記第2SOAは、互いに異なる増幅量を提供するように構成される請求項1に記載の光集積回路アセンブリ。
- 前記PICは、周波数変調連続波(FMCW)LiDARシステムの一部である請求項1に記載の光集積回路アセンブリ。
- 半導体光増幅器(SOA)モジュールとして、
SOAチップ上のSOAアレイ-前記SOAアレイは、入力SOAおよび複数のSOAを含み、前記入力SOAおよび前記複数のSOAは、互いに平行に配列される-と、
前記SOAチップに結合されるUターンチップと、を含み、
前記Uターンチップは、
前記入力SOAから第1方向に伝播する増幅された入力光を受信し、前記増幅された光を複数のビームに分割するように構成される光スプリッタと、
前記複数のビームのそれぞれを前記複数のSOAの対応するSOAにガイドするように構成される導波管アセンブリ-前記導波管アセンブリは、前記ガイドされたビームのそれぞれの伝播方向を前記第1方向と実質的に反対になる第2方向に実質的に平行になるように調整し、前記複数のSOAのそれぞれは、複数の増幅された出力ビームを生成するためにそれぞれのビームを増幅するように構成される-と、を含む半導体光増幅器モジュール。 - キャリアおよびシム(Shim)をさらに含み、前記キャリアは、前記シムによって前記Uターンチップから分離される請求項17に記載の半導体光増幅器モジュール。
- 前記シムは、前記SOAアレイの導波管と前記Uターンチップの導波管が同じ平面に整列するようにサイズが決定される請求項18に記載の半導体光増幅器モジュール。
- 前記SOAモジュールは、光集積回路チップに結合するように構成される請求項18に記載の半導体光増幅器モジュール。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202062960688P | 2020-01-13 | 2020-01-13 | |
US62/960,688 | 2020-01-13 | ||
PCT/US2021/012759 WO2021146116A1 (en) | 2020-01-13 | 2021-01-08 | Silicon-assisted packaging of high power integrated soa array |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023509783A true JP2023509783A (ja) | 2023-03-09 |
JPWO2021146116A5 JPWO2021146116A5 (ja) | 2024-05-31 |
Family
ID=76864791
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022542348A Pending JP2023509783A (ja) | 2020-01-13 | 2021-01-08 | 高出力統合半導体光増幅器アレイのシリコン支援パッケージング |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11824327B2 (ja) |
EP (1) | EP4090992A4 (ja) |
JP (1) | JP2023509783A (ja) |
KR (1) | KR20220123037A (ja) |
CN (1) | CN115004059A (ja) |
CA (1) | CA3163589A1 (ja) |
WO (1) | WO2021146116A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116577804B (zh) * | 2022-06-30 | 2023-12-05 | 珠海映讯芯光科技有限公司 | 一种基于芯片集成的fmcw激光雷达 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001085800A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Hitachi Ltd | 半導体光増幅器モジュールおよび光通信システム |
US7116851B2 (en) * | 2001-10-09 | 2006-10-03 | Infinera Corporation | Optical signal receiver, an associated photonic integrated circuit (RxPIC), and method improving performance |
US7734189B2 (en) * | 2006-11-30 | 2010-06-08 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Parallel channel optical communication using modulator array and shared laser |
JP5290534B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2013-09-18 | 古河電気工業株式会社 | 光集積回路および光集積回路モジュール |
US20100111468A1 (en) * | 2007-03-30 | 2010-05-06 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical integrated circuit and optical integrated circuit module |
JP2012163614A (ja) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Soa−plcハイブリッド集積偏波ダイバーシティ回路およびその製造方法 |
US8964284B2 (en) * | 2012-04-18 | 2015-02-24 | Infinera Corporation | Banded semiconductor optical amplifier |
KR102181537B1 (ko) | 2013-01-08 | 2020-11-23 | 메사추세츠 인스티튜트 오브 테크놀로지 | 광학 위상 어레이들 |
US9476981B2 (en) | 2013-01-08 | 2016-10-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical phased arrays |
CN206627719U (zh) * | 2014-02-14 | 2017-11-10 | 古河电气工业株式会社 | 光模块 |
WO2017223299A1 (en) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and systems for optical beam steering |
US10338321B2 (en) | 2017-03-20 | 2019-07-02 | Analog Photonics LLC | Large scale steerable coherent optical switched arrays |
CN111316149A (zh) * | 2017-09-08 | 2020-06-19 | 芬兰国家技术研究中心股份公司 | 具有单侧耦合的光子芯片的混合集成 |
KR102496484B1 (ko) * | 2018-06-20 | 2023-02-06 | 삼성전자주식회사 | 광 조향 장치 및 이를 포함하는 시스템 |
US20210063776A1 (en) * | 2019-09-03 | 2021-03-04 | Lumentum Operations Llc | Integrated semiconductor laser with interferometric amplifier array |
-
2021
- 2021-01-08 KR KR1020227025887A patent/KR20220123037A/ko not_active Application Discontinuation
- 2021-01-08 CN CN202180008198.6A patent/CN115004059A/zh active Pending
- 2021-01-08 WO PCT/US2021/012759 patent/WO2021146116A1/en unknown
- 2021-01-08 CA CA3163589A patent/CA3163589A1/en active Pending
- 2021-01-08 JP JP2022542348A patent/JP2023509783A/ja active Pending
- 2021-01-08 EP EP21740943.2A patent/EP4090992A4/en active Pending
-
2022
- 2022-07-13 US US17/863,807 patent/US11824327B2/en active Active
-
2023
- 2023-10-13 US US18/486,208 patent/US20240055834A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220123037A (ko) | 2022-09-05 |
EP4090992A1 (en) | 2022-11-23 |
CN115004059A (zh) | 2022-09-02 |
EP4090992A4 (en) | 2024-01-31 |
CA3163589A1 (en) | 2021-07-22 |
US11824327B2 (en) | 2023-11-21 |
WO2021146116A1 (en) | 2021-07-22 |
US20220352695A1 (en) | 2022-11-03 |
US20240055834A1 (en) | 2024-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6739154B2 (ja) | 光モジュール | |
US20240055834A1 (en) | Silicon-Assisted Packaging of High Power Integrated SOA Array | |
US5195152A (en) | Multichannel optical recording apparatus employing laser diodes | |
JP2014110257A (ja) | 光学装置 | |
US10895740B2 (en) | Projective MEMS device for a picoprojector of the flying spot type and related manufacturing method | |
US11693196B2 (en) | Photonic die alignment | |
JPH10282364A (ja) | 光学デバイスの組立体 | |
JP2002131585A (ja) | 半導体レーザモジュールおよびその半導体レーザモジュールを用いたラマンアンプ | |
US10684415B1 (en) | Optical transceiver | |
JPH0393285A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
US20180106965A1 (en) | Optical interconnect structure | |
US9812842B2 (en) | Hybrid optical source with optical proximity coupling provided by an external reflector | |
EP3322049B1 (en) | Planar waveguide type laser device | |
JPWO2021146116A5 (ja) | ||
JP2002341189A (ja) | 光モジュール | |
JP6010892B2 (ja) | 平面導波路型レーザ装置 | |
JP2004361435A (ja) | 光モジュール、光送受信システム | |
JP7370506B1 (ja) | 半導体レーザモジュール、および光通信装置 | |
JP5324565B2 (ja) | 光ビームを曲げることのできる導波路配列 | |
US20230258562A1 (en) | Miniature atomic spectroscopy reference cell system | |
CN117178201A (zh) | 包括喇叭形激光源的具有相控阵天线的光电发射器 | |
CN116148816A (zh) | 激光雷达芯片 | |
JP2017098335A (ja) | 波長多重レーザダイオードモジュール | |
CN115988727A (zh) | 一种光集成一体式原子芯片及其制作方法 | |
JPH0973026A (ja) | 一体型光接続構造 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20231205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231225 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20231225 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20231225 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20240202 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20240214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240227 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20240522 |