JPH0393285A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH0393285A JPH0393285A JP1230973A JP23097389A JPH0393285A JP H0393285 A JPH0393285 A JP H0393285A JP 1230973 A JP1230973 A JP 1230973A JP 23097389 A JP23097389 A JP 23097389A JP H0393285 A JPH0393285 A JP H0393285A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 63
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 12
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 12
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 3
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000283080 Proboscidea <mammal> Species 0.000 description 1
- 208000003251 Pruritus Diseases 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000007803 itching Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
- H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光通イマ 光計測等の分野において、光源と
して用いられる半導体レーザ装置に関する。
して用いられる半導体レーザ装置に関する。
従来の技術
半導体レーザからの出射光をレンズ系を介して光ファイ
バへ導入させる従来の半導体レーザモジュールの作製の
胤 光学部品とのアライメントをとる場念 光軸に対し
て垂直及び水平方向の合計３軸の調整を行い光ファイバ
との結合効率を高くする必要があった 半導体レーザか
らの出射光と光ファイバとの結合方法として（よ 例え
ば特開昭６１−１３８２１６号公報に示されていも 第
４図はこの従来の半導体レーザと光ファイバモジュール
の構威図を示すものであり、フェルール３５ニ フエ
ルール３５の軸に対して傾けられた軸の円孔をあ仇 そ
の中に光ファイバ３６を挿入して固定すも フェルール
３５及び光ファイバ３６の端面をその法線がフェルール
３５の軸に対して傾けられるように研磨すもこのフェル
ール３５をフェルールホルダ３４に挿入し光ファイバ３
６の端面と半導体レーザ３ｌがレンズ３３の結像条件を
満たすように位置合わせをして、フェルールホルダ３４
とレンズキャップ３２およびフェルール３５を固定すも
以上のように構威された従来の半導体レーザ装置にお
いてζ上 レンズ３３を通して出射したレーザ光ｌを光
ファイバ３６へ導く際の結合効率の低下を防止すること
ができも発明が解決しようとする課題 しかしながら前記のような構或でζ友 レンズ系を必要
としており、また 光軸と光学部品とのアライメントを
とり、光ファイバ３６ヘレーザ３ｌからのレーザ光ｌを
効率よく導くための軸合わせが困難であるという問題点
を有していｔ４ また 従来では半導体レーザモジュ
ールを、ハイブリッドな構戊をしているた取 周囲の温
度や環境変化における信頼性を確保するのが困難であん
本発明はかかる点に鑑へ 半導体レーザからの出射光
を効率よく光ファイバへ導き、半導体レーザへの反射戻
り光をより低減できる構造を提供し さらにまた半導体
レーザモジュールの構或における部品点数を低減させ組
立が簡便な半導体レーザモジュールを提供することを目
的とすも さらにまた本発明（友 経時変化による結合
効率の低下を少なくし信頼性の高い半導体レーザモジュ
ールを提供することを目的とすも 課題を解決するための手段 本発明は 半導体レーザからのレーザ光を望ましくは入
射端面が斜め研磨された光ファイバへ入射させる半導体
レーザモジュールの構戒において、レーザ光の光軸と光
ファイバガイド用溝の方向とを同一方向とせ哄 角度を
つけることを特徴とする半導体レーザと光ファイバとの
結合構造を提供するものであも また 半導体レーザと
光軸方向に対し角度をつけたレーザ光の光軸と光ファイ
バガイド用溝を同一半導体基板上に形或したことを特徴
とする半導体レーザ装置であも 作用 本発明は前記した構或により、半導体レーザからのレー
ザ光を光ファイバへ入射させる場合、半導体レーザから
のレーザ光の光軸と光ファイバ固定ガイド用溝の方向と
に角度をつけることにより、光ファイバ端面からの半導
体レーザへの反射戻り光を低減させ、かつ半導体レーザ
出射光と光ファイバとの結合を効率の向上を達成するこ
とができも また 半導体レーザと光軸方向に対し角度
をつけたレーザ光の光軸と光ファイバ固定ガイド用溝を
同一半導体基板上に形或することによって、半導体レー
ザ出射光と光ファイバとの結合を効率の低下をさせるこ
となく達或するとともに ハイブリッドな構戒に比較し
て、経時変化による結合効率の低下を少なくし 高信頼
性の半導体レーザモジュールを提供できも 実施例 第１＠ 第２図は本発明の一実施例における半導体レー
ザ装置を示すものであん ま哄 第１図は半導体レーザ
と光ファイバとの結合の構或断面を示しており、第１図
において、１１は半導体レーｆ， １２は半導体レー
ザからの光ファイバ２０への入射レーザ光Ｌ１の光１１
１Ｌ １３は光ファイバのクラッＫｌ４は光ファイバ
のコアでＬｍはコア内を伝搬する伝搬光Ｌ２であ，４
１５は光ファイバ内の光Ｉｌｌ １６は斜め研磨し
た光ファイバ端面ｌＯの法線を示ｔｏ １？は光ファ
イバガイド用Ｖ字詠ｌ８はサブマウント、ｌ９は反射の
光軸であも 第２図（ａ）及び（ｂ）はこの様な半導体
レーザと光ファイバとの結合を達威する具体的な半導体
レーザ装置の平面Ｅｕ （ｂ）は上面図であり、第ｌ
図は第２図（ｂ）のＩ−Ｉ’線断面でもあ４ｖ字溝１７
《友 光ファイバのコアｌ４へ半導体レーザ１１から
の出射光を効率よく入射させ、光ファイバの光軸ｌ５と
光軸を合わせるためのものであり、サブマウントｌ８に
形成されていも 以上のように構威されたこの実施例に
おいて、あらかじめ形或されている基板面に対してｌＯ
゜（θ１）程度勾配をつけた光ファイバガイド用Ｖ字溝
１７に沿って、最適研磨角度である８゜（θ２）程度斜
め研磨した光ファイバを設置し 樹脂等により固定する
ことにより、半導体レーザ１１からの出射光を容易に光
ファイバへ導入することができも すなわ板 溝１７に
１０゜の勾配を形成すると、ファイバの光軸１５とレー
ザの出射光すなわちレーザ１ｌの光軸ｌ２とはｌＯ゜の
角度をも板 出射光Ｌ１はファイバの入射時に屈折し
伝搬光Ｌｔはファイバの光軸ｌ５に沿ってファイバ内を
伝搬Ｌ レーザとファイバの結合効率を極めて高いもの
とすることができも そして、ファイバの入射端而もた
とえば８゜に研磨された面であると、反射光１９はレー
ザ１１から大きくはずれ レーザ１１に戻る分が極めて
少なくなム な抵 溝ｌ７にこのような勾配を形成して
おくと、ファイバとして端面が斜め研磨していない（垂
直の端面）ものを用いてＬ 反射光ｌ９がレーザ１ｌに
戻らないようにすることが可能となも また レーザｌ
１とサブマウント１８を同一基板に一体形成すると、レ
ーザ１１と溝１７の相対位置を高精度に正確に設定する
ことができ、厳密な位置合わせが必要となるレーザと光
ファイバの正確かつ容易な組立に最適であも 以上のよ
うにこの実施例によれば シリコンあるいは化合物半導
体等からなるサブマウント１８に 基板面に対して１０
”程度勾配をつけた光ファイバガイド用Ｖ字溝ｌ７を設
けることにより、半導体レーザ１１と光ファイバとを結
合効率の低下を生ずることなく結合することができも
第３図は本発明の実施例における半導体レーザ装置（モ
ジュール）の製造工程を示すものであも 第３図（ａ）
． （ｂ）． （ｃ）．（ｅ）は作製工程概略正面＠
（ｄ）．（ｆ）は（ｃ）， （ｅ）の側面図で（ｇ）
は（ｅ）の平面図であり、ここでは半導体基板ｌ８とし
てＩｎＰ基板を用いて説明すも 第２図（ａ）において
、２ｌはｐ型電楓２２はＩ ｎＧａＡｓＰキャップ凰
２３はｐ型ＩｎＰクラッド凰２４はＩ ｎＧａＡｓＰ活
性凰 ２５はｎ型ＩｎＰクラッド凰 ２６はＩｎＰ基！
！ｉｈ２７はｎ型電極であり、レーザ１１が構或されも
まずＩｎＰ基板１８に通常の半導体プロセスを用いて
半導体レーザを作製すも（ａ）に示すごとく半導体レー
ザの片側共振器端面となるの左側の端面３０は剪開もし
くはドライエッチングにより形或しておく。次に 半導
体レーザのもう片側の共振器端面となる面４０（ヨ
たとえば反応性イオンビームエッチング（Ｒｅａｃｔｉ
ｖｅ Ｉｏｎ ＢｅａｍＥｔｃｈｉｎｇ）で半導体結晶
を（ｂ）に示すように基板ｌ８に対しほぼ垂直にエッチ
ング溝５０を形或することにより作成を行い形成すも
次紙（ｃ），（ｄ）に示すようにＩｎＰ基板１８に対し
て１０゜程度勾配をつけた光ファイバガイド用Ｖ字溝ｌ
７を形或するた△ 同じく反応性イオンビームエッチン
グ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉ−ｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈ
ｉｎｇ）を用いも このエッチング方法は指向性の強い
イオンビームを用いるためビーム方向に対しエッチング
される基板を傾けることにより任意のエッチング角度が
得られも あるエッチングマスクを形或した徴 少なく
とも２方向からイオンビームをあてエッチングを行ＬＸ
．Ｖ字溝Ｉ７を形成すればよ（１ このように レーザ
１１を形成する基板１８そのものにエッチング加工によ
りファイバ固定用の溝１７を形或するたム レーザ１１
と溝１７の位置関係をあらかじ幽 正確に設定 作戒す
ることができ、レーザｌ１とファイバとの位置合わせも
容易かつ正確となん 以上のように構戊された半導体レ
ーザ装置において、 ＩｎＰ基板１８に対して８゜程度
勾配をつけた光ファイバガイド用Ｖ字溝１７に沿って、
光ファイバ２０を設置し 樹脂等の接着材により固定す
も 半導体レーザ１１からの出射光を容易に効率よく光
ファイバｌ３へ導入することができも 以上のようにこ
の実施例によれば同一半導体基板上に半導体レーザ１ｌ
と光ファイバガイド用Ｖ字溝ｌ７を設けることにより、
従来のごとくサブマウントへの半導体レーザの固定が不
用となるとともに 経時変化による結合効率の低下を少
なくし 高信頼性の半導体レーザモジュールを提供する
ことができも な耘 実施例において光ファイバガイド
用溝の形状はＶ字型とした戟溝形状《よ ｖ字型以外と
してもよＬ〜 また 第２の実施例において（よ 半導
体基板としてＩｎＰ基板を用いたＭＧａＡｓ基板を用い
ても良いことは言うまでもなへ 発明の効果 以上説明したように 半導体レーザからのレーザ光を光
ファイバへ入射させる場合、レーザ光の光軸と光ファイ
バガイド用溝の方向とに角度をつけることにより、光フ
ァイバ端面からの半導体レーザへの反射戻り光をより低
減させ、かつ半導体レーザ出射光と光ファイバとの結合
を容易に高効率で達戒することができ、その実用的効果
は大き（〜 また 半導体レーザと光軸方向に対し角度
をつけたレーザ光の光軸と光ファイバガイド用溝を同一
半導体基板上に形成することによって、半導体レーザ出
射光と光ファイバとの結合を容易に高効率で達成すると
ともに 経時変化による結合効率の低下を少なくし 高
信頼性の半導体レーザモジュールを提供することができ
、その実用的効果は大き〜１
バへ導入させる従来の半導体レーザモジュールの作製の
胤 光学部品とのアライメントをとる場念 光軸に対し
て垂直及び水平方向の合計３軸の調整を行い光ファイバ
との結合効率を高くする必要があった 半導体レーザか
らの出射光と光ファイバとの結合方法として（よ 例え
ば特開昭６１−１３８２１６号公報に示されていも 第
４図はこの従来の半導体レーザと光ファイバモジュール
の構威図を示すものであり、フェルール３５ニ フエ
ルール３５の軸に対して傾けられた軸の円孔をあ仇 そ
の中に光ファイバ３６を挿入して固定すも フェルール
３５及び光ファイバ３６の端面をその法線がフェルール
３５の軸に対して傾けられるように研磨すもこのフェル
ール３５をフェルールホルダ３４に挿入し光ファイバ３
６の端面と半導体レーザ３ｌがレンズ３３の結像条件を
満たすように位置合わせをして、フェルールホルダ３４
とレンズキャップ３２およびフェルール３５を固定すも
以上のように構威された従来の半導体レーザ装置にお
いてζ上 レンズ３３を通して出射したレーザ光ｌを光
ファイバ３６へ導く際の結合効率の低下を防止すること
ができも発明が解決しようとする課題 しかしながら前記のような構或でζ友 レンズ系を必要
としており、また 光軸と光学部品とのアライメントを
とり、光ファイバ３６ヘレーザ３ｌからのレーザ光ｌを
効率よく導くための軸合わせが困難であるという問題点
を有していｔ４ また 従来では半導体レーザモジュ
ールを、ハイブリッドな構戊をしているた取 周囲の温
度や環境変化における信頼性を確保するのが困難であん
本発明はかかる点に鑑へ 半導体レーザからの出射光
を効率よく光ファイバへ導き、半導体レーザへの反射戻
り光をより低減できる構造を提供し さらにまた半導体
レーザモジュールの構或における部品点数を低減させ組
立が簡便な半導体レーザモジュールを提供することを目
的とすも さらにまた本発明（友 経時変化による結合
効率の低下を少なくし信頼性の高い半導体レーザモジュ
ールを提供することを目的とすも 課題を解決するための手段 本発明は 半導体レーザからのレーザ光を望ましくは入
射端面が斜め研磨された光ファイバへ入射させる半導体
レーザモジュールの構戒において、レーザ光の光軸と光
ファイバガイド用溝の方向とを同一方向とせ哄 角度を
つけることを特徴とする半導体レーザと光ファイバとの
結合構造を提供するものであも また 半導体レーザと
光軸方向に対し角度をつけたレーザ光の光軸と光ファイ
バガイド用溝を同一半導体基板上に形或したことを特徴
とする半導体レーザ装置であも 作用 本発明は前記した構或により、半導体レーザからのレー
ザ光を光ファイバへ入射させる場合、半導体レーザから
のレーザ光の光軸と光ファイバ固定ガイド用溝の方向と
に角度をつけることにより、光ファイバ端面からの半導
体レーザへの反射戻り光を低減させ、かつ半導体レーザ
出射光と光ファイバとの結合を効率の向上を達成するこ
とができも また 半導体レーザと光軸方向に対し角度
をつけたレーザ光の光軸と光ファイバ固定ガイド用溝を
同一半導体基板上に形或することによって、半導体レー
ザ出射光と光ファイバとの結合を効率の低下をさせるこ
となく達或するとともに ハイブリッドな構戒に比較し
て、経時変化による結合効率の低下を少なくし 高信頼
性の半導体レーザモジュールを提供できも 実施例 第１＠ 第２図は本発明の一実施例における半導体レー
ザ装置を示すものであん ま哄 第１図は半導体レーザ
と光ファイバとの結合の構或断面を示しており、第１図
において、１１は半導体レーｆ， １２は半導体レー
ザからの光ファイバ２０への入射レーザ光Ｌ１の光１１
１Ｌ １３は光ファイバのクラッＫｌ４は光ファイバ
のコアでＬｍはコア内を伝搬する伝搬光Ｌ２であ，４
１５は光ファイバ内の光Ｉｌｌ １６は斜め研磨し
た光ファイバ端面ｌＯの法線を示ｔｏ １？は光ファ
イバガイド用Ｖ字詠ｌ８はサブマウント、ｌ９は反射の
光軸であも 第２図（ａ）及び（ｂ）はこの様な半導体
レーザと光ファイバとの結合を達威する具体的な半導体
レーザ装置の平面Ｅｕ （ｂ）は上面図であり、第ｌ
図は第２図（ｂ）のＩ−Ｉ’線断面でもあ４ｖ字溝１７
《友 光ファイバのコアｌ４へ半導体レーザ１１から
の出射光を効率よく入射させ、光ファイバの光軸ｌ５と
光軸を合わせるためのものであり、サブマウントｌ８に
形成されていも 以上のように構威されたこの実施例に
おいて、あらかじめ形或されている基板面に対してｌＯ
゜（θ１）程度勾配をつけた光ファイバガイド用Ｖ字溝
１７に沿って、最適研磨角度である８゜（θ２）程度斜
め研磨した光ファイバを設置し 樹脂等により固定する
ことにより、半導体レーザ１１からの出射光を容易に光
ファイバへ導入することができも すなわ板 溝１７に
１０゜の勾配を形成すると、ファイバの光軸１５とレー
ザの出射光すなわちレーザ１ｌの光軸ｌ２とはｌＯ゜の
角度をも板 出射光Ｌ１はファイバの入射時に屈折し
伝搬光Ｌｔはファイバの光軸ｌ５に沿ってファイバ内を
伝搬Ｌ レーザとファイバの結合効率を極めて高いもの
とすることができも そして、ファイバの入射端而もた
とえば８゜に研磨された面であると、反射光１９はレー
ザ１１から大きくはずれ レーザ１１に戻る分が極めて
少なくなム な抵 溝ｌ７にこのような勾配を形成して
おくと、ファイバとして端面が斜め研磨していない（垂
直の端面）ものを用いてＬ 反射光ｌ９がレーザ１ｌに
戻らないようにすることが可能となも また レーザｌ
１とサブマウント１８を同一基板に一体形成すると、レ
ーザ１１と溝１７の相対位置を高精度に正確に設定する
ことができ、厳密な位置合わせが必要となるレーザと光
ファイバの正確かつ容易な組立に最適であも 以上のよ
うにこの実施例によれば シリコンあるいは化合物半導
体等からなるサブマウント１８に 基板面に対して１０
”程度勾配をつけた光ファイバガイド用Ｖ字溝ｌ７を設
けることにより、半導体レーザ１１と光ファイバとを結
合効率の低下を生ずることなく結合することができも
第３図は本発明の実施例における半導体レーザ装置（モ
ジュール）の製造工程を示すものであも 第３図（ａ）
． （ｂ）． （ｃ）．（ｅ）は作製工程概略正面＠
（ｄ）．（ｆ）は（ｃ）， （ｅ）の側面図で（ｇ）
は（ｅ）の平面図であり、ここでは半導体基板ｌ８とし
てＩｎＰ基板を用いて説明すも 第２図（ａ）において
、２ｌはｐ型電楓２２はＩ ｎＧａＡｓＰキャップ凰
２３はｐ型ＩｎＰクラッド凰２４はＩ ｎＧａＡｓＰ活
性凰 ２５はｎ型ＩｎＰクラッド凰 ２６はＩｎＰ基！
！ｉｈ２７はｎ型電極であり、レーザ１１が構或されも
まずＩｎＰ基板１８に通常の半導体プロセスを用いて
半導体レーザを作製すも（ａ）に示すごとく半導体レー
ザの片側共振器端面となるの左側の端面３０は剪開もし
くはドライエッチングにより形或しておく。次に 半導
体レーザのもう片側の共振器端面となる面４０（ヨ
たとえば反応性イオンビームエッチング（Ｒｅａｃｔｉ
ｖｅ Ｉｏｎ ＢｅａｍＥｔｃｈｉｎｇ）で半導体結晶
を（ｂ）に示すように基板ｌ８に対しほぼ垂直にエッチ
ング溝５０を形或することにより作成を行い形成すも
次紙（ｃ），（ｄ）に示すようにＩｎＰ基板１８に対し
て１０゜程度勾配をつけた光ファイバガイド用Ｖ字溝ｌ
７を形或するた△ 同じく反応性イオンビームエッチン
グ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉ−ｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈ
ｉｎｇ）を用いも このエッチング方法は指向性の強い
イオンビームを用いるためビーム方向に対しエッチング
される基板を傾けることにより任意のエッチング角度が
得られも あるエッチングマスクを形或した徴 少なく
とも２方向からイオンビームをあてエッチングを行ＬＸ
．Ｖ字溝Ｉ７を形成すればよ（１ このように レーザ
１１を形成する基板１８そのものにエッチング加工によ
りファイバ固定用の溝１７を形或するたム レーザ１１
と溝１７の位置関係をあらかじ幽 正確に設定 作戒す
ることができ、レーザｌ１とファイバとの位置合わせも
容易かつ正確となん 以上のように構戊された半導体レ
ーザ装置において、 ＩｎＰ基板１８に対して８゜程度
勾配をつけた光ファイバガイド用Ｖ字溝１７に沿って、
光ファイバ２０を設置し 樹脂等の接着材により固定す
も 半導体レーザ１１からの出射光を容易に効率よく光
ファイバｌ３へ導入することができも 以上のようにこ
の実施例によれば同一半導体基板上に半導体レーザ１ｌ
と光ファイバガイド用Ｖ字溝ｌ７を設けることにより、
従来のごとくサブマウントへの半導体レーザの固定が不
用となるとともに 経時変化による結合効率の低下を少
なくし 高信頼性の半導体レーザモジュールを提供する
ことができも な耘 実施例において光ファイバガイド
用溝の形状はＶ字型とした戟溝形状《よ ｖ字型以外と
してもよＬ〜 また 第２の実施例において（よ 半導
体基板としてＩｎＰ基板を用いたＭＧａＡｓ基板を用い
ても良いことは言うまでもなへ 発明の効果 以上説明したように 半導体レーザからのレーザ光を光
ファイバへ入射させる場合、レーザ光の光軸と光ファイ
バガイド用溝の方向とに角度をつけることにより、光フ
ァイバ端面からの半導体レーザへの反射戻り光をより低
減させ、かつ半導体レーザ出射光と光ファイバとの結合
を容易に高効率で達戒することができ、その実用的効果
は大き（〜 また 半導体レーザと光軸方向に対し角度
をつけたレーザ光の光軸と光ファイバガイド用溝を同一
半導体基板上に形成することによって、半導体レーザ出
射光と光ファイバとの結合を容易に高効率で達成すると
ともに 経時変化による結合効率の低下を少なくし 高
信頼性の半導体レーザモジュールを提供することができ
、その実用的効果は大き〜１
第ｌ図は本発明の一実施例における半導体レーザ装置を
示す構威断面＆ 第２図（ａ）， （ｂ）は本発明の実
施例における半導体レーザ装置の正面図，平面は 第３
図は本発明の一実施例の半導体レーザ装置の製造工程図
であり、同（ａ）， （ｂ）． （ｃ）， （ｅ）は概
略正面は 同（ｄ），（ｆ）は側面は 同（ｇ）は平面
医 第４図は従来の半導体レーザ装置の要部断面図であ
も ｌ１・・・・半導体レーｆ， １２・・・・入射光の
光ＩＪＬ １３・・・・光ファイバのクラッ｝’，
１４・・・・光ファイバのコア、ｌ５・・・・光ファ
イバの光＄ＩＬｌ６・・・・光ファイバ端面の法颯ｌ７
・・・・光ファイバガイド用Ｖ字深１８・・・・サブマ
ウント（基板）、１９・・・・反射光の光ｌＩＬ２０・
・・・光ファイベ １１＝一手瀉イ本レープ ｌ２−−一人前光の光駒 ｌ３゛一光ファイバのクラッド ｌ４・一光ファイバのコア ｌ５・一光ファイハ゛の尤軸 ｌ６−・一光フ７イＪ＜ｌ１１％面の痒４象ｌ７゜−Ｖ
キ｝鼻 ｔＢ ゛−゜サフマウント ７９−一・反射光の９ｆ．轄 ２０ 第 ３ 図
示す構威断面＆ 第２図（ａ）， （ｂ）は本発明の実
施例における半導体レーザ装置の正面図，平面は 第３
図は本発明の一実施例の半導体レーザ装置の製造工程図
であり、同（ａ）， （ｂ）． （ｃ）， （ｅ）は概
略正面は 同（ｄ），（ｆ）は側面は 同（ｇ）は平面
医 第４図は従来の半導体レーザ装置の要部断面図であ
も ｌ１・・・・半導体レーｆ， １２・・・・入射光の
光ＩＪＬ １３・・・・光ファイバのクラッ｝’，
１４・・・・光ファイバのコア、ｌ５・・・・光ファ
イバの光＄ＩＬｌ６・・・・光ファイバ端面の法颯ｌ７
・・・・光ファイバガイド用Ｖ字深１８・・・・サブマ
ウント（基板）、１９・・・・反射光の光ｌＩＬ２０・
・・・光ファイベ １１＝一手瀉イ本レープ ｌ２−−一人前光の光駒 ｌ３゛一光ファイバのクラッド ｌ４・一光ファイバのコア ｌ５・一光ファイハ゛の尤軸 ｌ６−・一光フ７イＪ＜ｌ１１％面の痒４象ｌ７゜−Ｖ
キ｝鼻 ｔＢ ゛−゜サフマウント ７９−一・反射光の９ｆ．轄 ２０ 第 ３ 図
Claims (3)
- （１）基板上に半導体レーザを形成し、前記基板に光フ
ァイバのガイド用溝を前記半導体レーザの光軸方向に対
し角度をつけて形成し、前記半導体レーザからのレーザ
光を光ファイバへ入射させ前記半導体レーザからのレー
ザ光を光ファイバへ入射させることを特徴とする半導体
レーザ装置。 - （２）半導体レーザと光軸方向に対し角度をつけた光フ
ァイバのガイド用溝を同一基板上に一体形成したことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装
置。 - （３）光ファイバの入射端面が、前記ファイバの光軸に
対し斜め方向であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1230973A JPH0393285A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1230973A JPH0393285A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0393285A true JPH0393285A (ja) | 1991-04-18 |
Family
ID=16916226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1230973A Pending JPH0393285A (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-06 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0393285A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994015233A1 (en) * | 1992-12-29 | 1994-07-07 | Bt&D Technologies Limited | Fibre termination |
| JPH06224521A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-08-12 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 集積化短キャビティ・レーザ |
| JPH06337333A (ja) * | 1993-05-27 | 1994-12-06 | Nec Corp | 光結合回路 |
| JPH08160257A (ja) * | 1994-10-07 | 1996-06-21 | Ricoh Co Ltd | 光伝送モジュールの実装構造 |
| EP0739067A1 (en) * | 1995-04-17 | 1996-10-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Laser light source and manufacturing method therefor |
| EP0743724A2 (de) * | 1995-05-16 | 1996-11-20 | ADLAS GMBH & CO. KG | Longitudinal gepumpter Laser |
| US6310997B1 (en) | 1995-04-17 | 2001-10-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Ferrule assembly and optical module having the same |
| JP2007244309A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Yanmar Co Ltd | コンバイン |
| JP2007319070A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Iseki & Co Ltd | コンバイン |
| JP2008000023A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Yanmar Co Ltd | コンバイン |
| JP2008048706A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Yanmar Co Ltd | コンバイン |
-
1989
- 1989-09-06 JP JP1230973A patent/JPH0393285A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0743724A3 (de) * | 1995-05-16 | 1997-02-26 | Adlas Gmbh & Co Kg | Longitudinal gepumpter Laser |
| US5883915A (en) * | 1995-05-16 | 1999-03-16 | Adlas Gmbh & Co. Kg | Longitudinally pumped laser |
| JP2007244309A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Yanmar Co Ltd | コンバイン |
| JP2007319070A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Iseki & Co Ltd | コンバイン |
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| JP2008048706A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Yanmar Co Ltd | コンバイン |
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