JP2023504033A - レジストによるめっきのためのエッジ除去 - Google Patents

レジストによるめっきのためのエッジ除去 Download PDF

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Abstract

【解決手段】電気めっきカップアセンブリは、カップ底部、リップシール、および電気接触構造体を備える。カップ底部は、カップアセンブリ内に位置するウエハの電気めっき液への曝露を可能にするように構成されている開口部を少なくとも部分的に規定する。リップシールは、カップ底部上にあり、リップシールの内縁に沿って、ウエハのシード層と接触して、ウエハの犠牲層に隣接するように構成されているピークまで上向きに延びるシール構造を有する。電気接触構造体は、シールの一部の上にある。電気接触構造体は、ウエハのシード層と結合するように構成されている。【選択図】図２

Description

本願は、その全てが参照により本明細書に援用される、２０１９年１１月２７日出願の米国仮特許出願第６２／９４１，５１９号に基づく優先権を主張する。
電気めっきは一般に、導電性構造を形成するために集積回路製造プロセスにおいて用いられる。例えば銅ダマシンプロセスでは、電気めっきは、以前に誘電体層にエッチングされたチャネル内に銅線およびビアを形成するために用いられる。かかるプロセスでは、銅シード層はまず、チャネル内および基板表面上に物理蒸着によって堆積される。次に、チャネルが完全に充填されるように、シード層の上により厚い銅層を堆積するために電気めっきが用いられる。その後、過剰な銅は化学的機械研磨によって除去され、それにより個々の銅フィーチャが形成される。
現在の電気めっきシステムは、「開接点」および「閉接点」に分類されてよい。開接点めっきシステムは、めっき中にシード層に電流を供給するウエハ接点がめっき液に曝露されるシステムである。同様に、閉接点めっきシステムは、接点がめっき液に曝露されないシステムである。
集積回路を製造するときは、一般に、ウエハあたりのデバイス数を増やすため、デバイス製造のためにできるだけ広範囲のウエハ表面を利用することが望ましい。しかし、電気めっきシステムは通常、堆積中にウエハに接触する電気接点および他の構造を利用する。そのため、限られた量の表面積がめっきされうる。例えば、開接点めっきシステムでは、めっきプロセス中に電極がめっき液に曝露されるため、電極はプロセス中に基板表面にめっきされる。電極の除去は、電極が基板に接触する非めっき領域を露出させる。さらに、接点の除去は、電極付近の銅層への損傷を引き起こす可能性がある。例えば、２ｍｍ以上のウエハの外周は、集積回路の製造に不適切になるだろう。
既存のＲＤＬ技術は、公称厚さ（１０００Ａ～３０００Ａ）を用いる。これらの厚さは、長期間にわたる侵攻性シードエッチングプロセスの間、ＣＤ損失、ラインラフネス、およびアンダーカットの影響を受けやすい。エッチング時間を低減するために１０００Ａ未満（例えば、５０Ａ、１００Ａ、２００Ａ、４００Ａ）への薄シードめっきを可能にする試みは、主に陽極同調（大きさ、形状、数）に注目して電流分布を制御する。これらの変更はウエハ表面から遠く、大域的補正をもたらす傾向がある。そのため、これらの変更は末端効果に必要な局所的補正を達成できず、波状の不均一な電流（および、それに続くめっき厚さ）形状をもたらすことが多い。
図１は、先行技術による電気めっきカップアセンブリ１００の断面図を示す。電気めっきシステムのリップシールは、最外側緩衝フィーチャに隣接してウエハの外周に結合されている。電気めっきカップアセンブリ１００を用いる電気めっきは通常、「末端効果」により、ウエハエッジにおいてウエハ表面よりも厚いめっきをもたらす。末端効果は、シード抵抗がめっき浴等価回路よりも優位になり、ウエハエッジにおいてウエハ表面よりも大きい電着をもたらしたときに生じる。
特定の要素または動作の説明を容易に識別するために、参照番号の最上位桁は、その要素が最初に紹介された図の番号を指す。
先行技術による電気めっきカップアセンブリ１００の断面図。
一実施形態による電気めっきカップセンブリ２００の断面図。
一実施形態による電気めっきカップセンブリ３００の断面図。
一実施形態による電気めっきカップセンブリ４００の断面図。
一実施形態による電気めっきカップアセンブリ２００と共に用いられるウエハ５００。
一実施形態による電気めっきカップアセンブリ２００と共に用いられるウエハ６００。
一実施形態による電気めっきカップアセンブリ２００と共に用いられるウエハ７００。
一実施形態による電気めっきカップアセンブリ２００と共に用いられるウエハ８００。
一実施形態による電気めっきカップアセンブリ２００と共に用いられるウエハ９００。
以下の記載は、本主題の例示的な実施形態を表すシステム、方法、技術、命令シーケンスを説明する。以下の記載では、説明のために、本主題の様々な実施形態の理解を提供するために、いくつかの特定の詳細が記載される。しかし、当業者には、本主題がこれらの何らかの特定の詳細なしに実施されてよいことが明らかだろう。例は、単に可能な変化形を象徴するだけである。明記されない限り、構造（例えば、モジュールなどの構造的要素）は任意であり、組み合わせられて、または細分化されてよく、（例えば、手順、アルゴリズム、または他の機能における）動作は、順序が異なってよい、組み合わせられてよい、または細分化されてよい。
本明細書で用いられる「ウエハ」という用語は、半導体基板を表すために用いられる。ウエハの例は、結晶シリコンスライスを含む。
本明細書で用いられる「電気めっき液」という用語は、金属をめっきするために用いられる電解液を表すために用いられる。
本明細書で用いられる「リップシール」という用語は、ラジアルシャフトシールを表すために用いられる。
本明細書で用いられる「エッジベベル除去（ＥＢＲ）ツール」という用語は、ウエハのベベルエッジ除去に用いられるツール／システムを表すために用いられる。ウエハは通常、傾斜形状または円形弾丸形状の２種類のエッジを有する。傾斜タイプのエッジは、ベベル領域と呼ばれる。一例では、ＥＢＲは、エッジおよび裏面金属層を除去するために硫酸および過酸化水素を用いるプロセスである。
先進パッケージング法「高密度ファンアウト（ＨＤＦＯ）」の要素である細線再配線層（ＲＤＬ）は、パッケージがより小さく薄くなる取り付け面積に向かうにつれて関心が高まっている。いくつかの課題は、細線ＲＤＬに関し、特に、セミアディティブ法（ＳＡＰ）におけるシードエッチング除去工程中の細線ＲＤＬに関する。つまり、銅エッチング剤が下地シードおよびライン自体の両方を侵食するときの、限界寸法（ＣＤ）損失（すなわち、ライン収縮）、側壁ラフネス展開、およびアンダーカットである。これらの課題に対処するための１つの可能な方法は、ラインがめっきされる下地銅シードの厚さを低減することである。シードが薄いとエッチング時間が短くなり、用いる侵攻性のシードエッチング化学物質を少なくできる。
しかし、薄いシードめっきは、主に「末端効果」と呼ばれる現象の課題を有する。末端効果は、薄い金属シード（厚い金属シードよりも高抵抗）にわたる電位降下が、ウエハエッジ付近（接触端子）においてウエハ中心部よりも厚いめっきをもたらすときに起こる。
ＣＩＲＰ（チャネル化イオン抵抗板）（ＨＲＶＡまたは高抵抗仮想陽極としても知られる）は端末効果を軽減するのに役立つが、それだけでは超薄シードには不十分である。本明細書に記載の本システムは、これらの課題に対処する。本願は、電気めっきプロセス中に、最適化されたＣＩＲＰおよび陽極シールドを新しいカップおよびリップシールの構造と結合することを含む、薄シードめっきプロセスについて説明する。後めっきＥＢＲ（エッジベベル除去）プロセスは、電気めっきプロセスの後に実施されて、犠牲めっきリングを除去する。従来のカップおよびリップシールが、腐食およびめっきを防ぐために、ウエハの外周で露出した銅シードを覆うように設計されている一方で、一実施形態は、意図的にシードの一部を露出させている。この領域を露出させることで、銅はウエハのエッジで環状リング状にめっきできる。このリング付近のフィーチャから電流を奪うことで、めっき厚さを低減する。この犠牲リングは、末端効果を補償および補正できる。
本願は、メッキされた銅の犠牲リングが除去される、後めっき工程も含んでよい。ラム・リサーチ・コーポレーションのＳＡＢＲＥおよびＳＡＢＲＥ３Ｄなどの電気化学堆積ツールは、ウエハのベベル領域に堆積したＣｕを除去する（残っている場合は下流の処理に影響する可能性がある）ために、必要に応じてＥＢＲ（エッジベベル除去）モジュールを備えることができる。ウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）は通常、ＥＢＲを用いないが（ダマシンおよびシリコン貫通電極（ＴＳＶ）によって用いられる）、本明細書に記載の本システムは、犠牲銅リングの除去のためにこのモジュールを再び用いることができる。このプロセスのために、ＥＢＲ時間、化学物質、およびエッジ除外サイズが最適化できる。この厚い犠牲めっき銅リングの除去なしでは、下流のプロセス（例えば、ウエハダイシング）に支障を来す可能性がある。
ＲＤＬ用途のためのＣｕの薄シードめっきを目的とする第１の実施形態では、本システムは、（ａ）特にＲＤＬではない薄シード（＜１０００Ａ）レジストによるＣｕめっき塗布、および、（ｂ）大規模パターン除去を伴う公称シード厚さ（１０００～３０００Ａ）に適用可能である。大規模パターン除去は、ここではフォトレジストが塗布されたがパターニングされていない、０．５ｍｍよりも広い幅のウエハエッジの領域として定義されうる。パターニングされていないフォトレジストはめっきされないため、大規模な非パターン領域に隣接するパターン領域は、突然の厚みスパイクによってめっきされる傾向があり、それにより上向きエッジが形成される。
第２の実施形態では、犠牲めっきおよび除去のプロセスは、銅の代わりにあらゆる金属（Ｎｉ、ＳｎＡｇ、Ｓｎ、Ｃｏ）に拡大できる。ＥＢＲプロセスは、（第１の実施形態のＣｕエッチングで用いられた）ピラニアエッチングから窒素エッチング、または、エッチングされる金属に合うように調整された他の化学エッチングに変更できる。
１つの例示的な実施形態では、電気めっきカップアセンブリが説明される。電気めっきカップアセンブリは、（開口部を有する）カップ底部と、開口部の周りのカップ底部に配置されているシールとを備える。シールは、実質的にその内縁に位置するウエハ接触ピークを有する。電気めっきカップアセンブリは、シールの一部の上に配置されている電気接触構造体も備える。
１つの例示的な実施形態では、電気めっきカップアセンブリは、電気めっきカップアセンブリ内に位置するウエハが電気めっき液に曝露されるように構成されている開口部を少なくとも部分的に規定するカップ底部と、カップ底部に結合されているリップシールとを備える。リップシールは、その内縁に沿って、ウエハのシード層およびウエハの犠牲層と接触するように構成されているピークまで上向きに延びるシール構造と、リップシールを有するシールを形成し、ウエハ外周のシード層と結合するように構成されている電気接触構造体と、を備える。
別の例示的な実施形態では、ウエハを電気めっきするための方法が説明される。この方法は、ウエハの外周に犠牲層を有するウエハ表面を電気めっき液に曝露する電気めっきカップアセンブリにウエハを配置する工程と、ウエハの曝露表面を電気めっきする工程と、ウエハの曝露表面を電気めっきした後に、ウエハのめっき犠牲層を除去する工程と、を含む。
さらに別の例示的な実施形態では、ウエハを電気めっきするためのシステムが説明される。このシステムは、シード層および犠牲層を有するウエハであって、犠牲層は、シード層上にウエハの外周に沿って配置されている、ウエハと、ウエハを支持するように構成されている電気めっきカップアセンブリと、を備える。電気めっきカップアセンブリは、その中に位置するウエハが電気めっき液に曝露されるように構成されている開口部を少なくとも部分的に規定するカップ底部と、カップ底部に結合されているリップシールであって、リップシールの内縁に沿って、ウエハのシード層およびウエハの犠牲層に接触するように構成されているピークまで上向きに延びるシール構造と、リップシールを有するシールを形成し、ウエハの外周のシード層と結合するように構成されている電気接触構造体と、を備える。
図２は、一実施形態による電気めっきカップアセンブリ２００の断面図を示す。電気めっきカップアセンブリ２００は、ウエハ２０２、シード層（例えば、銅シード２０４）、フォトレジスト２０６、最外側緩衝フィーチャ２０８、犠牲層２１０（例えば、犠牲ＥＰ膜）、電気接触構造体２１２、カップ底部２１４、および、リップシール２１６を備えることができる。ウエハ外周でシード層の一部を意図的に曝露して銅の犠牲環状領域／リング（例えば、犠牲層２１０）をめっきすることにより、ウエハエッジに近接する（例えば、５ｎｍ～１０ｎｍの範囲内の）フィーチャから電流を奪って、めっき厚さを低減できる。この犠牲リングは、末端効果を補償および補正する。
カップ底部２１４は、電気めっきカップアセンブリ内に位置するウエハ２０２の表面の一部が電気めっき液に曝露されるように構成されている開口部を少なくとも部分的に規定できる。例えば、ウエハ２０２の露出部分は、犠牲層２１０、最外側緩衝フィーチャ２０８、およびフォトレジスト２０６を含むことができる。ウエハ２０２の露出部分は、電気めっき液に曝露される。
リップシール２１６は、カップ底部２１４に結合されている。リップシール２１６は、その内縁に沿って、ウエハ２０２の銅シード２０４と接触するように構成されているピークまで上向きに延びるシール構造を有する。シール構造は、犠牲層２１０に隣接している。例えば、シール構造は、ウエハ２０２の犠牲層２１０の垂直面に接触している。
電気接触構造体２１２は、ウエハ２０２の外周の銅シード２０４と接触しており、リップシール２１６を有するシールを形成する。例えば、シールによって保護された表面領域（例えば、ウエハ２０２のエッジおよびウエハ２０２の裏面）は、電気めっき液に曝露されない。
図３は、一実施形態による電気めっきカップアセンブリ３００の断面図を示す。電気接触構造体２１２は、バスリング３０２からの均一な電流分布を可能にするために、バスリング３０２の下に位置し、バスリング３０２と接触している連続的な外側リングを備える。さらに、この接触構造体は、その外側リングから、バスリング３０２に形成された溝３０４に向かって上向きに延びる複数のタブを備える。タブは、溝３０４の内縁に接触する。タブは、電気接触構造体２１２の個々の接点（以下に記載）の全てが、カップ底部２１４に位置するウエハ２０２のめっきシード層に接触することを確実にするために、リップシール２１６およびカップ底部２１４に対して正しい位置で電気接触構造体２１２を中心に置くように構成されている。さらに、このフィーチャは、ウエハが電気めっきカップアセンブリ３００に固定されているときに、接点がリップシール２１６をすり抜けることを防ぐのにも役立つ。バスリング３０２は、その周りに部分的もしくは全面的に延びる溝３０４を備えてよい、または、各々が１つ以上のタブを収容する２つ以上の別々の溝を備えてよい。
電気接触構造体２１２は、その中心に向かって外側リングから延びる複数の接点を備える。各接点は、リップシール２１６から離れた下向きに延びる部分と、カップアセンブリ内に位置するウエハ２０２に接触するように構成されている上向き隆起部分３０６と、を含む。このように、各接点は、いくらかのばね力によってカップ内のウエハ表面に押し付けられた板ばねとして機能して、接点とウエハとの間の良好な接触を確保する。これにより、接点がベベルまたはウエハ表面のいずれかにおいてウエハと良好に電気接触することを可能にする。そのため、このフィーチャは、ベベル位置における正常変動に対応する。
図４は、一実施形態による電気めっきカップアセンブリ４００の断面図を示す。電気接触構造体２１２は、バスリング３０２からの均一な電流分布を可能にするために、バスリング３０２の下に位置し、バスリング３０２と接触している連続的な外側リングを備える。さらに、この接触構造体は、その外側リングから、バスリング３０２に形成された溝３０４に向かって上向きに延びる複数のタブを備える。タブは、溝３０４の内縁に接触する。タブは、電気接触構造体２１２の個々の接点（以下に記載）の全てがカップ底部２１４に位置するウエハ２０２のめっきシード層に接触することを確実にするために、リップシール２１６およびカップ底部２１４に対して正しい位置で電気接触構造体２１２を中心に置くように構成されている。さらに、このフィーチャは、ウエハが電気めっきカップアセンブリ３００に固定されているときに、接点がリップシール２１６をすり抜けることを防ぐのにも役立つ。バスリング３０２は、その周りに部分的もしくは全面的に延びる溝３０４を備えてよい、または、各々が１つ以上のタブを収容する２つ以上の別々の溝を備えてよい。
電気接触構造体２１２は、その中心に向かって外側リングから延びる複数の接点を備える。各接点は、リップシール２１６から離れた下向きに延びる部分と、カップアセンブリ内に位置するウエハ２０２に接触するように構成されている上向き隆起部分３０６と、を含む。このように、各接点は、いくらかのばね力によってカップ内のウエハ表面に押し付けられた板ばねとして機能して、接点とウエハとの間の良好な接触を確保する。これにより、接点がベベルまたはウエハ表面のいずれかにおいてウエハと良好に電気接触することを可能にする。そのため、このフィーチャは、ベベル位置における正常変動に対応する。
図５は、一実施形態による電気めっきカップアセンブリ２００と共に用いられるウエハ５００を示す。ウエハ５００は、ＰＲエッジエクスクルージョン５０２、パターン化フォトレジスト５０４、非パターン化フォトレジスト５０６、および露出銅シード領域５０８を備える。
第１の実施形態において、本明細書に記載のシステムは、（１）特にＲＤＬではない薄シード（＜１０００Ａ）レジストによるＣｕめっき塗布、および、（２）大規模パターン除去による公称シード厚さ（１０００～３０００Ａ）の、ＲＤＬ用途のためのＣｕの薄シードめっきを目的とする（大規模パターン除去は、ここではフォトレジストが塗布されたがパターニングされていない、０．５ｍｍよりも広い幅のウエハエッジの領域として定義される。パターニングされていないフォトレジストはめっきされないため、大規模な非パターン領域に隣接するパターン領域は、突然の厚みスパイクによってめっきされる傾向があり、それにより上向きエッジが形成される。）
第２の実施形態では、本願は犠牲めっきを処理し、あらゆる金属（Ｎｉ、ＳｎＡｇ、Ｓｎ、Ｃｏ）を除去する。ＥＢＲプロセスは、（第１の実施形態でＣｕエッチングのために用いられた）ピラニアエッチングから窒素エッチング、または、エッチングされる金属に合うように調整された他の化学エッチングに変更される。
図６は、一実施形態による電気めっきカップアセンブリ２００と共に用いられるウエハ６００を示す。ウエハ６００は、パターンエッジエクスクルージョン６０２、パターン化フォトレジスト区域６０４、非パターン化フォトレジスト区域６０６、および、露出銅シード区域６０８を備える。ウエハ６００は、ＰＲエッジエクスクルージョン領域（図５に図示）を備えない。
図７は、一実施形態による電気めっきカップアセンブリ２００と共に用いられるウエハ７００を示す。ウエハ７００は、シール７０２、パターン化フォトレジスト区域７０４、非パターン化フォトレジスト区域７０６、および、犠牲層区域７０８を備える。
この例示的な実施形態では、シール７０２は、リップシール２１６に接触して形成されている。シール７０２は、犠牲層区域７０８がＰＲエッジエクスクルージョン領域（例えば、ＰＲエッジエクスクルージョン５０２）の全周にめっきされた、実質的に同心のシールを形成する。
図８は、一実施形態による電気めっきカップアセンブリ２００と共に用いられるウエハ８００を示す。ウエハ８００は、シール８０２、パターン化フォトレジスト層８０４、非パターン化フォトレジスト区域８０６、および、犠牲層区域８０８を備える。
この例示的な実施形態では、シール８０２は、リップシール２１６に接触して形成されている。シール８０２は、犠牲層区域８０８がＰＲエッジエクスクルージョン領域（例えば、ＰＲエッジエクスクルージョン５０２）の全周にめっきされた、実質的に同心のシールを形成する。
さらに、シール８０２は、望ましい方位角領域において犠牲めっき区域を増加させるように設計されている。例えば、方位角領域は、広範囲のパターン化エッジエクスクルージョン領域、すなわち「型のない」領域を有する領域を含む。
図９は、一実施形態による電気めっきカップアセンブリ２００と共に用いられるウエハ９００を示す。ウエハ９００は、シール９０２、犠牲層区域９０８、パターン化フォトレジスト層９０４、および、非パターン化フォトレジスト区域９０６を備える。
この例示的な実施形態では、シール９０２は、リップシール２１６に接触して形成されている。シール９０２は、犠牲層区域９０８がＰＲエッジエクスクルージョン領域（例えば、ＰＲエッジエクスクルージョン５０２）の全周にめっきされた、実質的に同心のシールを形成する。
さらに、シール９０２は、望ましい方位角領域において犠牲めっき区域を増加させるように設計されている。例えば、シール９０２は、「型のない」領域に隣接する領域のすぐ外側に犠牲銅のみがめっきされる所に設置される。
上記の説明は、開示の主題を具現化する具体的な例、装置、システム、および方法を含む。文中では、説明のために、開示の主題の様々な実施形態についての理解を提供するために、いくつかの特定の詳細が記載された。しかし、当業者には、主題の様々な実施形態がこれらの特定の詳細なしで実施されてよいことが明らかだろう。さらに、様々な例示の実施形態を分かりにくくしないように、周知の構造、材料、および技術は詳細には示されていない。
本明細書で用いられる「または」という用語は、包括的または排他的な意味に解釈されてよい。さらに、他の実施形態は、記載の開示を読み理解した当業者に理解されるだろう。さらに、本明細書に記載の開示を読み理解すると、当業者は、本明細書に記載の技術および例の様々な組み合わせが全て、様々な組み合わせに当てはまってよいことを容易に理解するだろう。
様々な実施形態が別々に説明されているが、これらの別々の実施形態は、独立した技術または構造とみなされることを意図していない。上記のように、様々な部分の各々は相互に関係し、本明細書に記載の他の微粒子物質センサ較正システムの実施形態と別々に、または組み合わせて用いられてよい。
その結果、本明細書に記載の開示を読み理解した当業者には明らかなように、多くの変更および変化が生じてよい。本明細書に挙げられた方法および装置に加えて、本開示の範囲内の機能的に同等な方法および装置は、前記の説明から当業者には明らかだろう。いくつかの実施形態の一部および特徴は、他の実施形態の一部および特徴に含まれてよい、または置き換えられてよい。かかる変更および変化は、添付の特許請求の範囲内に該当することを意図する。そのため、本開示は、添付の特許請求の範囲、および、その権利化された同等物の全範囲の用語によってのみ限定される。本明細書で用いられる用語は、特定の実施形態を説明する目的のみで用いられ、限定する意図はないことも理解されたい。
本開示の要約は、読者が技術的開示の本質を迅速に確認できるように提供されている。本要約は、特許請求の範囲を解釈または限定するために用いられないという理解に基づいて提出される。加えて、前記の発明を実施するための形態では、本開示を合理化するために、様々な特徴が１つの実施形態においてグループ分けされてよいことが分かるだろう。この開示方法は、特許請求の範囲を限定していると解釈されるべきでない。そのため、以下の特許請求の範囲は、このようにして発明を実施するための形態に組み込まれ、各請求項は、別々の実施形態として独立している。
例
例１は、電気めっきカップアセンブリであって、電気めっきカップアセンブリ内に位置するウエハが電気めっき液に曝露されるように構成されている開口部を有するカップ底部と、カップ底部に結合されているリップシールであって、リップシールの内縁に沿って、ウエハのシード層およびウエハの犠牲層と接触するように構成されているピークまで上向きに延びるシール構造を有するリップシールと、リップシールを有するシールを形成する電気接触構造体であって、ウエハの外周のシード層と結合するように構成されている電気接触構造体と、を備える電気めっきカップアセンブリを含む。
例２は例１を含み、ピークは、ウエハの環状領域に沿って配置されている犠牲層の壁に結合されている。
例３は例１を含み、シード層および犠牲層は、銅シード層を含む。
例４は例３を含み、犠牲層の銅シード層は、１０００オングストローム未満の厚さを有する。
例５は例３を含み、犠牲層の銅シード層は、少なくとも０．５ｍｍのパターン除去を伴い１０００オングストロームから３０００オングストロームの厚さを有する。
例６は例１を含み、カップ底部は輪郭を有し、シールは、その輪郭と一致するように構成されている底面を有する取り付け構造を備える。
例７は例１を含み、カップ底部は内縁を備え、カップ底部の内側カップ縁部およびシールの内縁は軸方向に位置合わせされる。
例８は、方法であって、外周に犠牲層を有するウエハの表面を電気めっき液に曝露する電気めっきカップアセンブリ上にウエハを配置し、ウエハの曝露された表面を電気めっきし、ウエハの曝露された表面（曝露面）を電気めっきした後に、ウエハのめっきされた犠牲層（めっき犠牲層）を除去すること、を含む方法である。
例９は例８を含み、さらに、犠牲層はシード層の環状リングを備えることを含む。
例１０は例８を含み、めっきされた犠牲層を除去することは、めっきされた犠牲層にエッジベベル除去ツールを適用することを含む。
例１１は例８を含み、めっきされた犠牲層を除去することは、めっきされた犠牲層をウエハからエッチングすることを含む。
例１２は例８を含み、電気めっきカップアセンブリは、電気めっきカップアセンブリ内に位置するウエハの表面が電気めっき液に曝露されるように構成されている開口部を少なくとも部分的に有するカップ底部と、カップ底部に結合されているリップシールであって、リップシールの内縁に沿って、ウエハのシード層およびウエハの犠牲層と接触するように構成されているピークまで上向きに延びるシール構造を有するリップシールと、リップシールを有するシールを形成する電気接触構造体であって、ウエハの外周のシード層と結合するように構成されている電気接触構造体と、を備える。
例１３は例１２を含み、シード層はＣｕ、Ｎｉ、ＳｎＡｇ、Ｓｎ、またはＣｏ金属のうちの１つを含む。
例１４は、システムであって、シード層および犠牲層を有するウエハであって、犠牲層は、シード層の上にウエハの外周に沿って配置され、ウエハを支持するように構成されている電気めっきカップアセンブリであって、電気めっきカップアセンブリ内に位置するウエハが電気めっき液に曝露されるように構成されている開口部を少なくとも部分的に規定するカップ底部と、カップ底部に結合されているリップシールであって、リップシールの内縁に沿って、ウエハのシード層およびウエハの犠牲層と接触するように構成されているピークまで上向きに延びるシール構造を有するリップシールと、リップシールを有するシールを形成する電気接触構造体であって、ウエハの外周のシード層と結合するように構成されている電気接触構造体と、を備える電気めっきカップアセンブリと、を備えるシステムである。
例１５は例１４を含み、ピークは、ウエハの環状領域に沿って配置されている犠牲層の壁に結合されている。
例１６は例１４を含み、シード層および犠牲層は、銅シード層を含む。
例１７は例１６を含み、犠牲層の銅シード層は、１０００オングストローム未満の厚さを有する。
例１８は例１６を含み、犠牲層の銅シード層は、少なくとも０．５ｍｍのパターン除去を伴い１０００オングストロームから３０００オングストロームの厚さを有する。
例１９は例１４を含み、カップ底部は輪郭を有し、シールは、その輪郭と一致するように構成されている底面を有する取り付け構造を備える。
例２０は例１４を含み、カップ底部は内縁を備え、カップ底部の内縁およびシールの内縁は、実質的に軸方向に位置合わせされている。

Claims (20)

  1. 電気めっきカップアセンブリであって、
    前記電気めっきカップアセンブリ内に位置するウエハの電気めっき液への曝露を可能にするように構成されている開口部を有するカップ底部と、
    前記カップ底部に結合されているリップシールであって、前記リップシールの内縁に沿って、前記ウエハのシード層および前記ウエハの犠牲層と接触するように構成されているピークまで上向きに延びるシール構造を有するリップシールと、
    前記リップシールを有するシールを形成する電気接触構造体であって、前記ウエハの外周の前記シード層と結合するように構成されている電気接触構造体と、
    を備える、電気めっきカップアセンブリ。
  2. 請求項１に記載の電気めっきカップアセンブリであって、
    前記ピークは、前記ウエハの環状領域に沿って配置されている前記犠牲層の壁に結合されている、電気めっきカップアセンブリ。
  3. 請求項１に記載の電気めっきカップアセンブリであって、
    前記シード層および前記犠牲層は、銅シード層を含む、電気めっきカップアセンブリ。
  4. 請求項３に記載の電気めっきカップアセンブリであって、
    前記犠牲層の前記銅シード層は、１０００オングストローム未満の厚さを有する、電気めっきカップアセンブリ。
  5. 請求項３に記載の電気めっきカップアセンブリであって、
    前記犠牲層の前記銅シード層は、少なくとも０．５ｍｍのパターン除去を伴って１０００オングストロームから３０００オングストロームの厚さを有する、電気めっきカップアセンブリ。
  6. 請求項１に記載の電気めっきカップアセンブリであって、
    前記カップ底部は輪郭を有し、前記シールは前記輪郭と一致するように構成されている底面を有する取り付け構造を備える、電気めっきカップアセンブリ。
  7. 請求項１に記載の電気めっきカップアセンブリであって、
    前記カップ底部は、内側カップ縁部を備え、前記カップ底部の前記内縁および前記シールの前記内縁は、軸方向に位置合わせされる、電気めっきカップアセンブリ。
  8. 方法であって、
    ウエハの表面を電気めっき液に曝露する電気めっきカップアセンブリの上に前記ウエハを配置し、前記表面は、前記ウエハの外周に犠牲層を有し
    前記ウエハの曝露された前記表面を電気めっきし、
    前記ウエハの前記曝露された前記表面を電気めっきした後に、前記ウエハのめっきされた前記犠牲層を除去すること、
    を備える方法。
  9. 請求項８に記載の方法であって、さらに、
    前記犠牲層は、シード層の環状リングを備える、方法。
  10. 請求項８に記載の方法であって、
    前記めっきされた前記犠牲層を除去することは、前記めっきされた前記犠牲層にエッジベベル除去ツールを適用することを備える、方法。
  11. 請求項８に記載の方法であって、
    前記めっきされた前記犠牲層を除去することは、前記めっきされた前記犠牲層を前記ウエハからエッチングすることを備える、方法。
  12. 請求項８に記載の方法であって、
    前記電気めっきカップアセンブリは、
    前記電気めっきカップアセンブリ内に位置する前記ウエハの前記電気めっき液への曝露を可能にするように構成されている開口部を少なくとも部分的に有するカップ底部と、
    前記カップ底部に結合されているリップシールであって、前記リップシールの内縁に沿って、前記ウエハのシード層および前記ウエハの前記犠牲層と接触するように構成されているピークまで上向きに延びるシール構造を有するリップシールと、
    前記リップシールを有するシールを形成する電気接触構造体であって、前記ウエハの前記外周の前記シード層と結合するように構成されている電気接触構造体と、
    を備える、方法。
  13. 請求項１２に記載の方法であって、
    前記シード層は、Ｃｕ、Ｎｉ、ＳｎＡｇ、Ｓｎ、またはＣｏ金属のうちの１つを含む、方法。
  14. システムであって、
    シード層および犠牲層を有するウエハであって、前記犠牲層は、前記シード層の上に前記ウエハの外周に沿って配置され、
    前記ウエハを支持するように構成されている電気めっきカップアセンブリであって、
    電気めっきカップアセンブリ内に位置する前記ウエハの電気めっき液への曝露を可能にするように構成されている開口部を少なくとも部分的に規定するカップ底部と、
    前記カップ底部に結合されているリップシールであって、前記リップシールの内縁に沿って、前記ウエハの前記シード層および前記ウエハの前記犠牲層と接触するように構成されているピークまで上向きに延びるシール構造を有するリップシールと、
    前記リップシールを有するシールを形成する電気接触構造体であって、前記ウエハの前記外周の前記シード層と結合するように構成されている電気接触構造体と、を備える電気めっきカップアセンブリと、
    を備える、システム。
  15. 請求項１４に記載のシステムであって、
    前記ピークは、前記ウエハの環状領域に沿って配置されている前記犠牲層の壁に結合されている、システム。
  16. 請求項１４に記載のシステムであって、
    前記シード層および前記犠牲層は、銅シード層を含む、システム。
  17. 請求項１６に記載のシステムであって、
    前記犠牲層の前記銅シード層は、１０００オングストローム未満の厚さを有する、システム。
  18. 請求項１６に記載のシステムであって、
    前記犠牲層の前記銅シード層は、少なくとも０．５ｍｍのパターン除去を伴って１０００オングストロームから３０００オングストロームの厚さを有する、システム。
  19. 請求項１４に記載のシステムであって、
    前記カップ底部は輪郭を有し、前記シールは、前記輪郭と一致するように構成されている底面を有する取り付け構造を備える、システム。
  20. 請求項１４に記載のシステムであって、
    前記カップ底部は内縁を備え、前記カップ底部の前記内縁および前記シールの前記内縁は、実質的に軸方向に位置合わせされている、システム。
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