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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7831760B2 (ja) * 2022-02-03 2026-03-17 国立大学法人京都大学 フォトニック結晶面発光レーザ素子
JP2023182186A (ja) * 2022-06-14 2023-12-26 国立大学法人京都大学 面発光レーザ素子
CN118073962B (zh) * 2024-02-27 2025-03-14 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种二维光子晶体面发射激光器
WO2025254090A1 (ja) * 2024-06-07 2025-12-11 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 半導体レーザ素子、及び、半導体レーザ素子の製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101258652B (zh) 2005-09-02 2010-11-17 国立大学法人京都大学 二维光子晶体面发光激光光源
JP5015641B2 (ja) * 2007-03-26 2012-08-29 国立大学法人京都大学 ２次元フォトニック結晶面発光レーザ
JP4902682B2 (ja) * 2009-03-27 2012-03-21 キヤノン株式会社 窒化物半導体レーザ
JP6213915B2 (ja) 2013-03-04 2017-10-18 国立大学法人京都大学 半導体レーザ素子
JP6202572B2 (ja) 2014-02-06 2017-09-27 国立大学法人京都大学 半導体レーザモジュール
EP3279640B1 (en) 2015-03-29 2020-04-01 Sumitomo Chemical Company, Ltd. Multi-layer substrate measurement method and measurement apparatus
JP2017011138A (ja) 2015-06-24 2017-01-12 キヤノン株式会社 面発光レーザ、および面発光レーザ製造方法
JP7219552B2 (ja) * 2018-05-15 2023-02-08 浜松ホトニクス株式会社 発光デバイス
CN112272906B (zh) * 2018-06-08 2024-03-15 浜松光子学株式会社 发光元件
US10340659B1 (en) 2018-06-14 2019-07-02 Conary Enterprise Co., Ltd. Electronically pumped surface-emitting photonic crystal laser
CN112640234B (zh) 2018-08-27 2024-05-07 浜松光子学株式会社 发光装置
JP7125327B2 (ja) 2018-10-25 2022-08-24 浜松ホトニクス株式会社 発光素子及び発光装置
CN115298916B (zh) 2020-03-16 2025-07-11 国立大学法人京都大学 面发射激光元件及面发射激光元件的制造方法
US20250226639A1 (en) * 2022-03-24 2025-07-10 Sony Group Corporation Surface emitting laser, surface emitting laser array, and electronic device

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