JP2023172148A - 半導体装置及び電力変換装置 - Google Patents

Abstract

【課題】導電部材と配線とが接合部で接合された半導体装置において、導電部材の発熱によって接合部が再溶融することを抑止する。【解決手段】半導体チップ４が実装された絶縁回路基板３と、絶縁回路基板３を支持する放熱器１と、半導体チップ４あるいは絶縁回路基板３とバスバーＢとを接続するリードフレーム６と、リードフレーム６とバスバーＢとを接合する半田２１とを備える電力変換装置Ａであって、リードフレーム６を当接状態で支持すると共にリードフレーム６から放熱器１に伝熱する伝熱フレーム９を備える。【選択図】図３

Description

本発明は、半導体装置及び電力変換装置に関するものである。

特許文献１には、第１バスバー及び半導体チップに接続される接続リードを有する電力変換装置が開示されている。特許文献１に開示された電力変換装置は、接続リードを通じて第１バスバーから半導体チップの電極へと電力供給を行う。

特開２０１４－１８７８１８号公報

ところで、特許文献１に開示された電力変換装置は、半導体チップを備える半導体装置であり、接続リードと第１バスバーとが半田によって接合されている。半田は、半導体装置の製造過程において溶融され、その後に再固化されることで接続リードと第１バスバーとを溶着する接合部となる。しかしながら、このような接続リード等の導電部材と第１バスバー等の配線との接続構造では、導電部材が異常発熱した場合に、再固化した接合部が再溶融し、導電部材と配線とが解離する虞がある。

本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、導電部材と配線とが接合部で接合された半導体装置及び電力変換装置において、導電部材の発熱によって接合部が再溶融することを抑止することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決するための手段として、以下の構成を採用する。

本発明の第１の態様は、半導体チップが実装された絶縁回路基板と、上記絶縁回路基板を支持する放熱部材と、上記半導体チップあるいは上記絶縁回路基板と配線とを接続する導電部材と、上記導電部材と上記配線とを接合する接合部とを備える半導体装置であって、上記導電部材を当接状態で支持すると共に上記導電部材から上記放熱部材に伝熱する伝熱支持部を備えるという構成を採用する。

本発明によれば、導電部材で発生した熱を、伝熱支持部を通じて放熱部材に伝えることができる。このため、導電部材で発生した熱が接合部に伝わることを抑制し、接合部が再溶融することを抑止できる。したがって、本発明によれば、導電部材と配線とが接合部で接合された半導体装置において、導電部材の発熱によって接合部が再溶融することを抑止することができる。

本発明の第１実施形態の電力変換装置の電気的な概略構成を示す回路図である。 本発明の第１実施形態の電力変換装置のパワーデバイスＤを含む模式的な部分拡大図である。 図２のＡ－Ａ断面図である。 本発明の第２実施形態の電力変換装置のパワーデバイスＤを含む模式的な部分拡大図である。 図４のＢ－Ｂ断面図である。

以下、図面を参照して、本発明に係る半導体装置の一実施形態について説明する。なお、以下の説明においては、本発明の半導体装置を車両に搭載される電力変換装置に適用した例について説明する。ただし、本発明は、電力変換装置に限定されるものではなく、半導体チップを備える半導体装置に適用可能である。

（第１実施形態）
図１は、本実施形態の電力変換装置Ａの電気的な概略構成を示す回路図である。本実施形態の電力変換装置Ａは、ハイブリッド自動車や電気自動車等の車両に搭載されるＰＣＵ（パワーコントロールユニット）であり、昇降圧回路Ｅ１及び２つのインバータ回路（第１インバータ回路Ｅ２と第２インバータ回路Ｅ３）を備えている。また、本実施形態の電力変換装置Ａは、昇降圧回路Ｅ１と２つのインバータ回路や、インバータ回路とモータを接続するバスバーＢ（配線）を備えている。

このような本実施形態の電力変換装置Ａは、バッテリから供給された電力を三相交流電力に変換してモータに供給する。また、電力変換装置Ａは、モータからの回生電力をバッテリに供給する。

図１に示すように、昇降圧回路Ｅ１は、４つのパワーデバイスＤと、コンデンサＣと、リアクトルＬとを備えている。また、第１インバータ回路Ｅ２は、６つのパワーデバイスＤを備えている。また、第２インバータ回路Ｅ３は、６つのパワーデバイスＤを備えている。

各々のパワーデバイスＤは、パワートランジスタを有している。これらのパワートランジスタは、半導体チップ４（図２参照）に形成され、絶縁回路基板３（図２参照）に実装されている。なお、本実施形態においては、１つのパワーデバイスＤが１つのパワートランジスタを備える例について説明する。しかしながら、１つのパワーデバイスＤが複数のパワートランジスタを備えてもよい。

図２は、１つのパワーデバイスＤを含む電力変換装置Ａの模式的な部分拡大図である。また、図３は、図２のＡ－Ａ断面図である。これらの図に示すように、電力変換装置Ａは、放熱器１（放熱部材）と、樹脂ケース２（保持フレーム）と、絶縁回路基板３と、半導体チップ４と、外部端子５と、リードフレーム６（導電部材）と、リードワイヤ７と、封止材８と、伝熱フレーム９（伝熱支持部）とを備えている。なお、本実施形態では、パワーデバイスＤは、絶縁回路基板３と、半導体チップ４とで構成されている。

放熱器１は、例えばウォータジャケットである。放熱器１は、半導体チップ４等を冷却する。放熱器１は、例えば冷却液を有しており、絶縁回路基板３等を介して半導体チップ４から伝達された熱を冷却液によって回収する。なお、図３においては、放熱器１の一部（天板部）のみを図示している。放熱器１の天板の表面（図３における上面）には樹脂ケース２等が配置されている。一方、天板の裏面（図３における下面）には複数のフィンが形成されている。フィンが形成された天板の裏面側には、例えば冷却液の水路が形成されている。

樹脂ケース２は、接着剤２０を介して、放熱器１に接着されている。樹脂ケース２は、パワーデバイスＤが収容される開口部２ａを有している。樹脂ケース２は、パワーデバイスＤの数と同数の開口部２ａを有している。各々の開口部２ａに対して１つのパワーデバイスＤが収容されている。この樹脂ケース２は、バスバーＢを保持している。図３に示すように、バスバーＢは、リードフレーム６との接合箇所が開口部２ａの内側に向けて露出された状態で保持されている。

絶縁回路基板３は、絶縁性セラミックス基板と、絶縁性セラミックス基板の両面に形成された金属層とを有する。絶縁性セラミックス基板の表側（図３における上面）に形成された金属層は、半導体チップ４と電気的に接続され、導電回路の一部を形成する。絶縁性セラミックス基板の裏側（図３における下面）に形成された金属層は、半導体チップ４等から伝わる熱を放熱器１に伝達する伝熱路の一部を形成する。

絶縁性セラミックス基板は、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコン系セラミックス（Ｓｉ_３Ｎｉ_４）によって形成することができる。また、金属層は、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）によって形成することができる。

半導体チップ４は、例えば、ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）等の半導体素子が形成されたチップである。半導体チップ４は、絶縁回路基板３上に実装されている。本実施形態においては、１つの絶縁回路基板３に対して、１つの半導体チップ４が実装されている。なお、１つの絶縁回路基板３に対して複数の半導体チップ４が実装されていてもよい。このような半導体チップ４は、シリコン（Ｓｉ）半導体を用いて形成することができる。また、半導体チップ４は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）半導体、窒化ガリウム（ＧａＮ）半導体等のワイドギャップ半導体を用いて形成することも可能である。

外部端子５は、樹脂ケース２に対して保持されている。外部端子５は、複数設けられており、各々がリードワイヤ７を介して半導体チップ４に接続されている。これらの外部端子５を介して外部から半導体チップ４が制御される。

リードフレーム６は、パワーデバイスＤとバスバーＢとを接続する板状の導電部材である。本実施形態においては、２つのリードフレーム６が１つのパワーデバイスＤに対して接続されている。なお、１つのパワーデバイスＤに対して接続されるリードフレーム６の数は、変更することができる。これらのリードフレーム６は、制御信号が流れるリードワイヤ７と比較して、大きな電流が流れる導電部材である。

本実施形態では、リードフレーム６として、第１リードフレーム６ａと第２リードフレーム６ｂとが設けられている。第１リードフレーム６ａは、半導体チップ４とバスバーＢとに接続されている。また、第２リードフレーム６ｂは、絶縁回路基板３とバスバーＢとに接続されている。

各々のリードフレーム６は、半導体チップ４側を向く表面であるチップ側表面を有する板状に形成されている。図３に示すように、本実施形態のリードフレーム６のチップ側表面の一部が伝熱フレーム９に対して面接触されている。より具体的には、リードフレーム６は、バスバーＢとの接続端部である配線接続端部６１と、配線接続端部６１から半導体チップ４の表面と平行に延出する中間部６２とを有している。配線接続端部６１は、図３に示すように、中間部６２に対して傾斜されている。これらの配線接続端部６１のチップ側表面と、中間部６２のチップ側表面とが伝熱フレーム９と面接触されている。

リードワイヤ７は、半導体チップ４と外部端子５とを接続する導電部材である。つまり、半導体チップ４と外部端子５とは、いわゆるワイヤボンディングによって電気的に接続されている。

封止材８は、樹脂ケース２の開口部２ａの内部に充填されている。封止材８は、絶縁回路基板３及び半導体チップ４等を覆い、絶縁回路基板３及び半導体チップ４等が空気等に触れることを抑止する。この封止材８は、例えば、シリコーンゲルによって形成することができる。

図３に示すように、封止材８は、リードフレーム６とバスバーＢとの接合部である半田２１を露出させた状態で半導体チップ４を封止している。つまり、リードフレーム６とバスバーＢとの接合部を形成する半田２１は、封止材８の外部に配置されている。

伝熱フレーム９は、放熱器１上に立設されており、リードフレーム６を支持する。図３に示すように、伝熱フレーム９は、リードフレーム６に下方から当接されており、リードフレーム６を下方から支持する。このような伝熱フレーム９は、リードフレーム６が発熱した場合に、リードフレーム６から放熱器１に伝熱する。この結果、伝熱フレーム９は、リードフレーム６の熱が半田２１に伝達されることを抑止する。

図２に示すように、本実施形態において伝熱フレーム９は、絶縁回路基板３及び半導体チップ４を囲う枠状に形成されている。このような枠状の伝熱フレーム９は、外壁面が樹脂ケース２の開口部２ａの内壁に当接される大きさに形成されている。このような枠状の伝熱フレーム９は、樹脂ケース２の開口部２ａに収容されることで樹脂ケース２に対して位置決めされている。

また、図３に示すように、本実施形態の伝熱フレーム９は、リードフレーム６に当接されるリードフレーム当接部位９ａ（導電部材当接部位）と、リードフレーム当接部位９ａよりも放熱器１からの高さ寸法が小さい低部位９ｂとを有している。低部位９ｂは、平面視において、リードワイヤ７と重なる位置に設けられている。伝熱フレーム９が低部位９ｂを備えることによって、リードワイヤ７が伝熱フレーム９を容易に跨ぐことが可能となる。

リードフレーム当接部位９ａは、リードフレーム６の配線接続端部６１と面接触される傾斜面９ａ１を有している。また、リードフレーム当接部位９ａは、リードフレーム６の中間部６２と面接触される延出部９ａ２とを有している。

このような伝熱フレーム９は、樹脂ケース２よりも熱伝導率が高い材料によって形成されていることが好ましい。伝熱フレーム９の熱伝導率が樹脂ケース２よりも高いことで、伝熱フレーム９を伝わる熱が樹脂ケース２に伝わることを抑制することができる。例えば、樹脂ケース２は、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルファイド）、ＬＣＰ（液晶ポリマー）で形成できる。また、伝熱フレーム９は、樹脂ケース２よりも熱伝導率を高めた高熱伝導性ＰＰＳによって形成することができる。

また、本実施形態の電力変換装置Ａには、ロウ材である半田２１（接合部）が各所に設けられている。具体的には、図３に示すように、第１リードフレーム６ａとバスバーＢとの接合箇所に半田２１が設けられている。つまり、第１リードフレーム６ａとバスバーＢとは、半田２１を用いて接合されている。また、第１リードフレーム６ａと半導体チップ４との接合箇所に半田２１が設けられている。つまり、第１リードフレーム６ａと半導体チップ４とは、半田２１を用いて接合されている。

また、半導体チップ４と絶縁回路基板３との間に半田２１が設けられている。つまり、半導体チップ４と絶縁回路基板３とは、半田２１を用いて接合されている。また、絶縁回路基板３と放熱器１との間に半田２１が設けられている。つまり、絶縁回路基板３と放熱器１とは、半田２１を用いて接合されている。

また、図３においては省略されているが、リードワイヤ７と外部端子５も半田を用いて接合されている。また、リードワイヤ７と半導体チップ４も半田を用いて接合されている。また、同様に、図３においては省略されているが、第２リードフレーム６ｂとバスバーＢも、半田を用いて接合されている。また、第２リードフレーム６ｂと絶縁回路基板３も半田を用いて接合されている。

このような電力変換装置Ａは、例えばリフロー処理を行うことで半田２１を形成する。例えば、封止材８が設けられていない状態で、接合を要する箇所に半田シートあるいは半田片を配置する。具体的には、例えば、第１リードフレーム６ａとバスバーＢとの接合箇所に半田片を配置する。また、第１リードフレーム６ａと半導体チップ４との接合箇所に半田シートを配置する。また、半導体チップ４と絶縁回路基板３との間に半田シートを配置する。また、絶縁回路基板３と放熱器１との間に半田シートを配置する。

また、リードワイヤ７と外部端子５との接合箇所と、リードワイヤ７と半導体チップ４との接合箇所にも半田シートあるいは半田片を配置する。また、同様に、第２リードフレーム６ｂとバスバーＢとの接合箇所と、第２リードフレーム６ｂと絶縁回路基板３との接合箇所にも、半田シートあるいは半田片を配置する。

続いて、ギ酸ガス等の還元ガスの雰囲気中において、ロウ材である半田シート及び半田片を溶融させる。このとき、還元ガスの作用により、半田シート及び半田片の表面の酸化層が除去される。溶融された半田シート及び半田片は、接合箇所において濡れ広がる。その後、溶融した半田を冷却して再固化させることで、接合を要する箇所に半田２１が形成される。その後、樹脂ケース２の開口部２ａに封止材８を設ける。

以上のような本実施形態の電力変換装置Ａは、絶縁回路基板３と、放熱器１と、リードフレーム６と、半田２１とを備えている。絶縁回路基板３は、半導体チップ４が実装されている。放熱器１は、絶縁回路基板３を支持する。リードフレーム６は、半導体チップ４あるいは絶縁回路基板３とバスバーＢとを接続する。半田２１は、リードフレーム６とバスバーＢとを接合する。また、電力変換装置Ａは、伝熱フレーム９を備える。伝熱フレーム９は、リードフレーム６を当接状態で支持すると共にリードフレーム６から放熱器１に伝熱する。

このような本実施形態の電力変換装置Ａによれば、リードフレーム６で発生した熱を、伝熱フレーム９を通じて放熱器１に伝えることができる。このため、リードフレーム６で発生した熱が半田２１に伝わることを抑制し、半田２１が再溶融することを抑止できる。

また、本実施形態の電力変換装置Ａは、リードフレーム６とバスバーＢとを接合する半田２１を露出させた状態で半導体チップ４を封止する封止材８を備える。このような本実施形態の電力変換装置Ａによれば、リードフレーム６とバスバーＢとを接合する半田２１が封止材８の外部に位置する。このため、半田２１に熱が籠ることを抑止することができる。したがって、本実施形態の電力変換装置Ａによれば、より確実に半田２１が再溶融することを抑止できる。

また、本実施形態の電力変換装置Ａは、リードフレーム６が、半導体チップ４側を向くチップ側表面を有する板状に形成されている。また、伝熱フレーム９が、リードフレーム６のチップ側表面の少なくとも一部に面接触されている。このように、リードフレーム６と伝熱フレーム９とが面接触することで、リードフレーム６と伝熱フレーム９との接触面積を拡大することができる。

また、本実施形態の電力変換装置Ａにおいては、リードフレーム６は、バスバーＢとの接続端部である配線接続端部６１を有している。また、伝熱フレーム９は、少なくとも配線接続端部６１に面接触されている。リードフレーム６の配線接続端部６１は、半田２１が溶着される部位である。このような配線接続端部６１に伝熱フレーム９が直接的に面接触することで、より半田２１に熱が伝わることを抑止できる。

また、本実施形態の電力変換装置Ａにおいては、バスバーＢを保持する樹脂ケース２を有している。また、伝熱フレーム９が、樹脂ケース２よりも熱伝導率が高い。このため、伝熱フレーム９を通じてリードフレーム６から熱が放熱器１に伝わりやすくなり、バスバーＢを保持する樹脂ケース２に熱が伝わりにくくなる。したがって、熱をリードフレーム６から放熱器１により確実に伝達することが可能となる。

また、本実施形態の電力変換装置Ａにおいては、伝熱フレーム９が、半導体チップ４を囲う枠状に形成されている。このような伝熱フレーム９は、半導体チップ４を囲うように配置することで、容易に位置決めすることが可能となる。したがって、製造過程において伝熱フレーム９の配置を容易に行うことが可能となる。

また、本実施形態の電力変換装置Ａにおいて、伝熱フレーム９は、リードフレーム６に当接するリードフレーム当接部位９ａと、リードフレーム当接部位９ａよりも放熱器１からの高さ寸法が小さい低部位９ｂとを有する。このような本実施形態の電力変換装置Ａによれば、低部位９ｂが設けられた位置で伝熱フレーム９を跨ぐように他部材を配置することで、他部材を容易に配置することが可能となる。例えば、本実施形態の電力変換装置Ａにおいては、リードワイヤ７が伝熱フレーム９を容易に跨ぐことが可能となる。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について、図４及び図５を参照して説明する。なお、本実施形態の説明において、上記第１実施形態と同様の部分については、その説明を省略あるいは簡略化する。

図４は、１つのパワーデバイスＤを含む電力変換装置Ａの模式的な部分拡大図である。また、図５は、図４のＢ－Ｂ断面図である。これらの図に示すように、本実施形態の電力変換装置Ａにおいては、伝熱フレーム９は、リードフレーム６が収容可能な溝部９ｃを有する。溝部９ｃは、伝熱フレーム９のリードフレーム当接部位９ａの上面に設けられている。

このような溝部９ｃには、例えば、リードフレーム６の中間部６２に配置される。溝部９ｃの底面にリードフレーム６の中間部６２のチップ側表面が当接されている。このように、溝部９ｃにリードフレーム６が収容されることで、リードフレーム６が伝熱フレーム９に対して位置決めされる。

このような本実施形態の電力変換装置Ａは、伝熱フレーム９が、リードフレーム６が収容可能な溝部９ｃを有する。このため、例えば伝熱フレーム９を樹脂ケース２の開口部２ａに先に設置し、その後にリードフレーム６を溝部９ｃに収容する配置することで、リードフレーム６を伝熱フレーム９に対して容易に位置決めすることができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されないことは言うまでもない。上述した実施形態において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の趣旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。

例えば、上記実施形態においては、導電部材が板状のリードフレーム６である構成について説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。導電部材が線材であってもよい。

また、上記実施形態においては、導電部材が接合される配線がバスバーＢである構成について説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。バスバーＢと異なる配線に対して導電部材を接合する構成に本発明を適用することも可能である。

また、上記実施形態においては、樹脂ケース２と伝熱フレーム９とが別体である構成について説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、樹脂ケース２と伝熱フレーム９とを一体化して形成することも可能である。また、樹脂ケース２を省略し、伝熱フレーム９をケースとして用いることも可能である。

また、上記実施形態においては、伝熱支持部として枠状の伝熱フレーム９を用いる構成について説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。伝熱支持部の形状は、枠状に限定されるものではなく、板状やＬ字形状等の他の形状を採用することも可能である。

また、上記実施形態においては、ロウ材として半田を用いる構成について説明した。つまり、ロウ材は半田を含む概念である。ただし、ロウ材は半田に限定されるものではない。

なお、上記実施形態については、例えば以下の付記のようにも記載できる。

（付記１）
半導体チップが実装された絶縁回路基板と、上記絶縁回路基板を支持する放熱部材と、上記半導体チップあるいは上記絶縁回路基板と配線とを接続する導電部材と、上記導電部材と上記配線とを接合する接合部とを備える半導体装置であって、
上記導電部材を当接状態で支持すると共に上記導電部材から上記放熱部材に伝熱する伝熱支持部を備えることを特徴とする半導体装置。

（付記２）
上記接合部を露出させた状態で上記半導体チップを封止する封止材を備えることを特徴とする付記１記載の半導体装置。

（付記３）
上記半導体チップ側を向くチップ側表面を有する板状に上記導電部材が形成され、
上記伝熱支持部は、上記チップ側表面の少なくとも一部に面接触されている
ことを特徴とする付記１または２記載の半導体装置。

（付記４）
上記導電部材は、上記配線との接続端部である配線接続端部を有し、
上記伝熱支持部は、少なくとも上記配線接続端部に面接触されている
ことを特徴する付記３記載の半導体装置。

（付記５）
上記配線を保持する保持フレームを有し、
上記伝熱支持部は、上記保持フレームよりも熱伝導率が高い
ことを特徴とする付記１～４のいずれか一つに記載の半導体装置。

（付記６）
上記伝熱支持部は、上記導電部材が収容可能な溝部を有することを特徴とする付記１～５のいずれか一つに記載の半導体装置。

（付記７）
上記伝熱支持部は、上記半導体チップを囲う枠状に形成されていることを特徴とする付記１～６のいずれか一つに記載の半導体装置。

（付記８）
上記伝熱支持部は、
上記導電部材に当接する導電部材当接部位と、
上記導電部材当接部位よりも上記放熱部材からの高さ寸法が小さい低部位と
を有することを特徴とする請求項１～７のいずれか一つに記載の半導体装置。

（付記９）
付記１～８のいずれか一つに記載の半導体装置からなることを特徴とする電力変換装置。

１……放熱器（放熱部材）、２……樹脂ケース（保持フレーム）、２ａ……開口部、３……絶縁回路基板、４……半導体チップ、５……外部端子、６……リードフレーム（導電部材）、６ａ……第１リードフレーム、６ｂ……第２リードフレーム、７……リードワイヤ、８……封止材、９……伝熱フレーム（伝熱支持部）、９ａ……リードフレーム当接部位、９ｂ……低部位、９ｃ……溝部、２０……接着剤、２１……半田（ロウ材）、２１ａ……半田シート（ロウ材）、２１ｂ……半田片（ロウ材）、Ａ……電力変換装置（半導体装置）

Claims (9)

1. 半導体チップが実装された絶縁回路基板と、前記絶縁回路基板を支持する放熱部材と、前記半導体チップあるいは前記絶縁回路基板と配線とを接続する導電部材と、前記導電部材と前記配線とを接合する接合部とを備える半導体装置であって、
   前記導電部材を当接状態で支持すると共に前記導電部材から前記放熱部材に伝熱する伝熱支持部を備えることを特徴とする半導体装置。
2. 前記接合部を露出させた状態で前記半導体チップを封止する封止材を備えることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 前記半導体チップ側を向くチップ側表面を有する板状に前記導電部材が形成され、
   前記伝熱支持部は、前記チップ側表面の少なくとも一部に面接触されている
   ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
4. 前記導電部材は、前記配線との接続端部である配線接続端部を有し、
   前記伝熱支持部は、少なくとも前記配線接続端部に面接触されている
   ことを特徴する請求項３記載の半導体装置。
5. 前記配線を保持する保持フレームを有し、
   前記伝熱支持部は、前記保持フレームよりも熱伝導率が高い
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
6. 前記伝熱支持部は、前記導電部材が収容可能な溝部を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
7. 前記伝熱支持部は、前記半導体チップを囲う枠状に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
8. 前記伝熱支持部は、
   前記導電部材に当接する導電部材当接部位と、
   前記導電部材当接部位よりも前記放熱部材からの高さ寸法が小さい低部位と
   を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
9. 請求項１または２記載の半導体装置からなることを特徴とする電力変換装置。

Images