JP2023157339A - 化合物の製造方法 - Google Patents
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 145
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 121
- -1 aluminum halide Chemical class 0.000 claims abstract description 106
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 31
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 25
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000012336 iodinating agent Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 16
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 claims description 10
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 10
- AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M lithium bromide Chemical compound [Li+].[Br-] AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- PUGUQINMNYINPK-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 4-(2-chloroacetyl)piperazine-1-carboxylate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)N1CCN(C(=O)CCl)CC1 PUGUQINMNYINPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- CECABOMBVQNBEC-UHFFFAOYSA-K aluminium iodide Chemical compound I[Al](I)I CECABOMBVQNBEC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- 229910003202 NH4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 claims description 3
- 229910004721 HSiCl3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 9
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 9
- 238000005967 Finkelstein reaction Methods 0.000 description 8
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 7
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 description 6
- HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M lithium iodide Inorganic materials [Li+].[I-] HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 5
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 238000005893 bromination reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- 238000006192 iodination reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- DNAPJAGHXMPFLD-UHFFFAOYSA-N triiodosilane Chemical compound I[SiH](I)I DNAPJAGHXMPFLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000008280 chlorinated hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- FXMNVBZEWMANSQ-UHFFFAOYSA-N chloro(silyl)silane Chemical compound [SiH3][SiH2]Cl FXMNVBZEWMANSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M potassium bromide Chemical compound [K+].[Br-] IOLCXVTUBQKXJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M sodium bromide Chemical compound [Na+].[Br-] JHJLBTNAGRQEKS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- KPFWGLUVXPQOHO-UHFFFAOYSA-N trichloro(silyl)silane Chemical compound [SiH3][Si](Cl)(Cl)Cl KPFWGLUVXPQOHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUPPURFSSQGQOR-UHFFFAOYSA-N C[SiH2][Si](Cl)(Cl)Cl Chemical compound C[SiH2][Si](Cl)(Cl)Cl TUPPURFSSQGQOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAFJQBZUMVVXHS-UHFFFAOYSA-N C[Si](C)(Cl)[SiH2]Cl Chemical compound C[Si](C)(Cl)[SiH2]Cl XAFJQBZUMVVXHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLHYDGLNDSLNSJ-UHFFFAOYSA-N C[Si](C)([SiH3])Cl Chemical compound C[Si](C)([SiH3])Cl HLHYDGLNDSLNSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical group [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003691 SiBr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIBUDKJODXACBL-UHFFFAOYSA-N [SiH3][SiH2]Br Chemical class [SiH3][SiH2]Br CIBUDKJODXACBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LINLMANNIWSPTA-UHFFFAOYSA-N [chloro(methyl)silyl]-trimethylsilane Chemical compound Cl[SiH]([Si](C)(C)C)C LINLMANNIWSPTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000031709 bromination Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQPFDLRNOCQMSN-UHFFFAOYSA-N bromosilane Chemical class Br[SiH3] VQPFDLRNOCQMSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 150000003841 chloride salts Chemical class 0.000 description 1
- WEAGTHQEGNMQLU-UHFFFAOYSA-N chloro(diethyl)silane Chemical compound CC[SiH](Cl)CC WEAGTHQEGNMQLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QABCGOSYZHCPGN-UHFFFAOYSA-N chloro(dimethyl)silicon Chemical compound C[Si](C)Cl QABCGOSYZHCPGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNJCDDZVNHPVNM-UHFFFAOYSA-N chloro(ethyl)silane Chemical compound CC[SiH2]Cl VNJCDDZVNHPVNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBWIIOQJUKRLKW-UHFFFAOYSA-N chloro(phenyl)silane Chemical compound Cl[SiH2]C1=CC=CC=C1 NBWIIOQJUKRLKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJCAUTWJWBFMFU-UHFFFAOYSA-N chloro-dimethyl-trimethylsilylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)Cl GJCAUTWJWBFMFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVSBXEHXRBBNBR-UHFFFAOYSA-N chloro-ethyl-methylsilane Chemical compound CC[SiH](C)Cl KVSBXEHXRBBNBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTLKHCXWEZKENS-UHFFFAOYSA-N chloro-ethyl-silylsilane Chemical compound CC[SiH]([SiH3])Cl UTLKHCXWEZKENS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQHIGRPLCKIXNJ-UHFFFAOYSA-N chloro-methyl-silylsilane Chemical compound C[SiH]([SiH3])Cl KQHIGRPLCKIXNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADESPEHNTDXBDQ-UHFFFAOYSA-N chloro-phenyl-silylsilane Chemical compound C1(=CC=CC=C1)[SiH]([SiH3])Cl ADESPEHNTDXBDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRYZWHHZPQKTII-UHFFFAOYSA-N chloroethane Chemical compound CCCl HRYZWHHZPQKTII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PODDMJATAWBBPI-UHFFFAOYSA-N chlorosilyl(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)[SiH2]Cl PODDMJATAWBBPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002433 cyclopentenyl group Chemical group C1(=CCCC1)* 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- VJIYRPVGAZXYBD-UHFFFAOYSA-N dibromosilane Chemical compound Br[SiH2]Br VJIYRPVGAZXYBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKHXNBJRDQOIOQ-UHFFFAOYSA-N dichloro(ethyl)silane Chemical compound CC[SiH](Cl)Cl RKHXNBJRDQOIOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWKBSEBOBPHMKL-UHFFFAOYSA-N dichloro(methyl)silane Chemical compound C[SiH](Cl)Cl NWKBSEBOBPHMKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIRVTHOOZABTPR-UHFFFAOYSA-N dichloro(phenyl)silane Chemical compound Cl[SiH](Cl)C1=CC=CC=C1 VIRVTHOOZABTPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXOCTISBMXDWGP-UHFFFAOYSA-N dichloro(silyl)silane Chemical compound [SiH3][SiH](Cl)Cl FXOCTISBMXDWGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEYJKODKHGEDMC-UHFFFAOYSA-N dichloro(trichlorosilyl)silicon Chemical compound Cl[Si](Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl VEYJKODKHGEDMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPHXVQYHLDPTFD-UHFFFAOYSA-N dichloro-methyl-silylsilane Chemical compound C[Si]([SiH3])(Cl)Cl PPHXVQYHLDPTFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIHCVGFMFDEUMO-UHFFFAOYSA-N diiodosilane Chemical compound I[SiH2]I AIHCVGFMFDEUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical class [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M iodide Chemical compound [I-] XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000026045 iodination Effects 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- XUGPYSXPMMKZGO-UHFFFAOYSA-N iodo(silyl)silane Chemical class [SiH3][SiH2]I XUGPYSXPMMKZGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDIOJRGTRFRIJL-UHFFFAOYSA-N iodosilane Chemical class I[SiH3] IDIOJRGTRFRIJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 150000002641 lithium Chemical group 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000010534 nucleophilic substitution reaction Methods 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFTHARXEQHJSEH-UHFFFAOYSA-N silicon tetraiodide Chemical compound I[Si](I)(I)I CFTHARXEQHJSEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004436 sodium atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFGCKNXWLVVPOK-UHFFFAOYSA-N tribromo(silyl)silane Chemical compound [SiH3][Si](Br)(Br)Br JFGCKNXWLVVPOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBOKZQNMFSHYNQ-UHFFFAOYSA-N tribromosilane Chemical compound Br[SiH](Br)Br IBOKZQNMFSHYNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYFXMIAQVGXIIN-UHFFFAOYSA-N trichloro(chlorosilyl)silane Chemical compound Cl[SiH2][Si](Cl)(Cl)Cl VYFXMIAQVGXIIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethyl)silane Chemical compound CC[Si](Cl)(Cl)Cl ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N trichloro(phenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCZMCAHNTJRCSL-UHFFFAOYSA-N trichloro-[dichloro(methyl)silyl]silane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl YCZMCAHNTJRCSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J27/00—Catalysts comprising the elements or compounds of halogens, sulfur, selenium, tellurium, phosphorus or nitrogen; Catalysts comprising carbon compounds
- B01J27/06—Halogens; Compounds thereof
- B01J27/125—Halogens; Compounds thereof with scandium, yttrium, aluminium, gallium, indium or thallium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
【課題】特定化合物を高効率で生産できる化合物の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の化合物の製造方法は、溶媒及び触媒の存在下、第1ハロゲン化合物及び第2ハロゲン化合物をハロゲン交換反応させることで特定化合物を生成する反応工程を備える。前記触媒は、無水ハロゲン化アルミニウムを含む。前記第1ハロゲン化合物は、ハロゲン化シラン化合物及びハロゲン化ジシラン化合物のうち少なくとも1つを含む。前記第2ハロゲン化合物及び前記特定化合物は、前記第2ハロゲン化合物がヨウ素化剤を含み、かつ前記特定化合物がヨードシラン化合物及びヨードジシラン化合物のうち少なくとも1つを含む第1の組み合わせ、又は前記第2ハロゲン化合物が臭素化剤を含み、かつ前記特定化合物がブロモシラン化合物及びブロモジシラン化合物のうち少なくとも1つを含む第2の組み合わせである。【選択図】なし
Description
本発明は、化合物の製造方法に関する。
ヨードシラン化合物、ヨードジシラン化合物、ブロモシラン化合物、及びブロモジシラン化合物(以下、特定化合物と総称することがある)は、半導体製造の際、CVD法(化学気相成長法)やALD法(原子層堆積法)の原料として広く使用されている。特定化合物を用いてCVD法又はALD法を行うことにより、窒化珪素等のケイ素含有膜を形成することができる。
特定化合物の中でも、ジヨードシラン、トリヨードシラン、トリヨードジシラン、ジブロモシラン、トリブロモシラン、及びトリブロモジシランは、反応性が高く、適度な蒸気圧を有するため、近年特に需要が高まっている。
特定化合物の製造方法としては、様々な方法が知られているが、いわゆるフィンケルシュタイン反応を利用した製造方法が最も一般的である。フィンケルシュタイン反応を利用したヨードシラン化合物又はヨードジシラン化合物の製造方法では、クロロシラン化合物又はクロロジシラン化合物と、ヨウ素化剤(例えば、ヨウ化物塩)とでハロゲン交換反応を行う。これにより、クロロシラン化合物又はクロロジシラン化合物と、ヨウ素化剤との間でハロゲン原子の交換を伴うSN2反応(求核置換二分子反応)が生じ、ヨードシラン化合物又はヨードジシラン化合物が生成する。なお、ハロゲン交換反応は、基本的に平衡反応である。そのため、上述の製造方法では、ハロゲン化物塩(ヨウ化物塩又は塩化物塩)の溶解度差を利用した反応系を構築するか、又は過剰量のヨウ化物塩を使用することにより、ヨードシラン化合物又はヨードジシラン化合物の生成を促進させることができる。フィンケルシュタイン反応を利用した特定化合物の製造方法の一例として、特許文献1に記載の方法が挙げられる。
しかしながら、上述の製造方法の反応効率は、工業的に十分に満足できるレベルではない。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、特定化合物を高効率で生産できる化合物の製造方法を提供することにある。
本発明の化合物の製造方法は、溶媒及び触媒の存在下、第1ハロゲン化合物及び第2ハロゲン化合物をハロゲン交換反応させることで特定化合物を生成する反応工程を備える。前記触媒は、無水ハロゲン化アルミニウムを含む。前記第1ハロゲン化合物は、ハロゲン化シラン化合物及びハロゲン化ジシラン化合物のうち少なくとも1つを含む。前記第2ハロゲン化合物及び前記特定化合物は、前記第2ハロゲン化合物がヨウ素化剤を含み、かつ前記特定化合物がヨードシラン化合物及びヨードジシラン化合物のうち少なくとも1つを含む第1の組み合わせ、又は前記第2ハロゲン化合物が臭素化剤を含み、かつ前記特定化合物がブロモシラン化合物及びブロモジシラン化合物のうち少なくとも1つを含む第2の組み合わせである。
本発明の化合物の製造方法は、特定化合物を高効率で生産できる。
本明細書において、Me、Et及びPhは、それぞれ、メチル基、エチル基及びフェニル基を表す。H、Al、Si、Cl、Br、I、Li、Na及びKは、それぞれ、水素原子、アルミニウム原子、ケイ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、リチウム原子、ナトリウム原子及びカリウム原子を表す。
本明細書において、ハロゲン化シラン化合物とは、化学式「Si-Q4」で表される化合物である。Qは、水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子以外の1価の基(例えば、ヒドロカルビル基)である。4つのQは、互いに同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも1つのQは、ハロゲン原子を表す。クロロシラン化合物とは、上述の化学式「Si-Q4」で表される化合物であって、少なくとも1つのQが塩素原子を表す化合物である。ヨードシラン化合物とは、上述の化学式「Si-Q4」で表される化合物であって、少なくとも1つのQがヨウ素原子を表す化合物である(但し、クロロシラン化合物に該当する化合物を除く)。ブロモシラン化合物とは、上述の化学式「Si-Q4」で表される化合物であって、少なくとも1つのQが臭素原子を表す化合物である(但し、クロロシラン化合物又はヨードシラン化合物に該当する化合物を除く)。
ハロゲン化ジシラン化合物とは、化学式「Si2-Q6」で表される化合物である。Qは、水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子以外の1価の基(例えば、ヒドロカルビル基)である。6つのQは、互いに同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも1つのQは、ハロゲン原子を表す。クロロジシラン化合物とは、上述の化学式「Si2-Q6」で表される化合物であって、少なくとも1つのQが塩素原子を表す化合物である。ヨードジシラン化合物とは、上述の化学式「Si2-Q6」で表される化合物であって、少なくとも1つのQがヨウ素原子を表す化合物である(但し、クロロジシラン化合物に該当する化合物を除く)。ブロモジシラン化合物とは、上述の化学式「Si2-Q6」で表される化合物であって、少なくとも1つのQが臭素原子を表す化合物である(但し、クロロジシラン化合物又はヨードジシラン化合物に該当する化合物を除く)。
以下、本発明の実施形態について、説明する。但し、本発明は、実施形態に何ら限定されず、本発明の目的の範囲内で適宜変更を加えて実施できる。本発明の実施形態において説明する各材料は、特に断りのない限り、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。但し、反応を正確にコントロールする観点、及び副生成物の発生を抑制する観点から、第1ハロゲン化合物及び第2ハロゲン化合物は、1種単独で用いることが好ましい。
<化合物の製造方法>
本発明の実施形態に係る化合物の製造方法を説明する。本発明の化合物の製造方法は、溶媒及び触媒の存在下、第1ハロゲン化合物及び第2ハロゲン化合物をハロゲン交換反応させることで特定化合物を生成する反応工程を備える。触媒は、無水ハロゲン化アルミニウムを含む。第1ハロゲン化合物は、ハロゲン化シラン化合物及びハロゲン化ジシラン化合物のうち少なくとも1つを含む。第2ハロゲン化合物及び特定化合物は、第2ハロゲン化合物がヨウ素化剤を含み、かつ特定化合物がヨードシラン化合物及びヨードジシラン化合物のうち少なくとも1つを含む第1の組み合わせ、又は第2ハロゲン化合物が臭素化剤を含み、かつ特定化合物がブロモシラン化合物及びブロモジシラン化合物のうち少なくとも1つを含む第2の組み合わせである。なお、第1の組み合わせは、ヨウ素化反応を行う組み合わせである。第2の組み合わせは、臭素化反応を行う組み合わせである。
本発明の実施形態に係る化合物の製造方法を説明する。本発明の化合物の製造方法は、溶媒及び触媒の存在下、第1ハロゲン化合物及び第2ハロゲン化合物をハロゲン交換反応させることで特定化合物を生成する反応工程を備える。触媒は、無水ハロゲン化アルミニウムを含む。第1ハロゲン化合物は、ハロゲン化シラン化合物及びハロゲン化ジシラン化合物のうち少なくとも1つを含む。第2ハロゲン化合物及び特定化合物は、第2ハロゲン化合物がヨウ素化剤を含み、かつ特定化合物がヨードシラン化合物及びヨードジシラン化合物のうち少なくとも1つを含む第1の組み合わせ、又は第2ハロゲン化合物が臭素化剤を含み、かつ特定化合物がブロモシラン化合物及びブロモジシラン化合物のうち少なくとも1つを含む第2の組み合わせである。なお、第1の組み合わせは、ヨウ素化反応を行う組み合わせである。第2の組み合わせは、臭素化反応を行う組み合わせである。
本発明の発明者は、フィンケルシュタイン反応を利用した特定化合物の製造方法の改良について鋭意検討を行った。その結果、発明者は、公知の反応系において、触媒として無水ハロゲン化アルミニウムを添加したところ、温和な条件においても反応速度が顕著に増大し、工業的に実用的な生産効率で特定化合物を製造できることを発見した。無水ハロゲン化アルミニウムは、安価かつ安定的に入手できる化合物である。本発明は、このような無水ハロゲン化アルミニウムによって特定化合物の生産効率を向上できるため、工業的な有用性が高い。また、発明者は、無水ハロゲン化アルミニウムを用いたフィンケルシュタイン反応は、Si-H結合及びSi-Si結合には影響をほとんど与えないため、好ましくない副生成物の発生を抑制できることを発見した。更に、発明者は、無水ハロゲン化アルミニウムを用いたフィンケルシュタイン反応は、広範なシラン化合物の合成に適用できることを発見した。本発明は、上述の知見に基づくものである。
[反応工程]
本工程では、第1ハロゲン化合物の有するハロゲン原子(例えば、Cl)と、第2ハロゲン化合物の有するハロゲン原子(I又はBr)とが置換される。その結果、特定化合物が生成される。本工程で第2ハロゲン化合物としてヨウ素化剤を用いた場合、特定化合物としてヨードシラン化合物又はヨードジシラン化合物が得られる(ヨウ素化反応)。第2ハロゲン化合物として臭素化剤を用いた場合、特定化合物としてブロモシラン化合物又はブロモジシラン化合物が得られる(臭素化反応)。
本工程では、第1ハロゲン化合物の有するハロゲン原子(例えば、Cl)と、第2ハロゲン化合物の有するハロゲン原子(I又はBr)とが置換される。その結果、特定化合物が生成される。本工程で第2ハロゲン化合物としてヨウ素化剤を用いた場合、特定化合物としてヨードシラン化合物又はヨードジシラン化合物が得られる(ヨウ素化反応)。第2ハロゲン化合物として臭素化剤を用いた場合、特定化合物としてブロモシラン化合物又はブロモジシラン化合物が得られる(臭素化反応)。
本工程の具体的方法としては、例えば、第1ハロゲン化合物及び第2ハロゲン化合物を溶媒に溶解させる第1工程と、第1工程で得られた反応液に触媒を添加する第2工程と、触媒添加後の反応液を攪拌することで反応させる第3工程とを備える。第1工程及び第2工程は、第1ハロゲン化合物の加水分解を抑制するため、乾燥大気下で行うことが好ましい。同様の理由から、溶媒は脱水処理を予め行っておくことが好ましい。第3工程は、特定化合物の揮発及び加水分解を抑制するため、密閉容器内で行うことが好ましい。なお、第3工程後、反応液の溶媒を除去してもよい。また、得られた特定化合物に対して、精製を行ってもよい。溶媒の除去及び精製の具体的方法については、公知の方法を採用できる。
本工程において、反応温度としては、30℃以上65℃以下が好ましく、40℃以上60℃以下がより好ましい。反応温度を30℃以上とすることで、反応を促進することができる。反応温度を65℃以下とすることで、特定化合物の分解を抑制できる。
本工程では、反応時間を長くするほど収率を向上できる一方で、過度に反応時間を長くすると生産効率が低下する。そのため、反応時間としては、2時間以上120時間以下が好ましく、24時間以上48時間以下がより好ましい。
第1ハロゲン化合物、第2ハロゲン化合物及び特定化合物は、第1ハロゲン化合物が下記一般式(1)で表され、第2ハロゲン化合物が下記一般式(3)で表され、特定化合物が下記一般式(4)で表される第3の組み合わせ、又は第1ハロゲン化合物が下記一般式(2)で表され、第2ハロゲン化合物が下記一般式(3)で表され、特定化合物が下記一般式(5)で表される第4の組み合わせが好ましい。
HnSiR(4-n-m)Clm・・・(1)
HpSi2R(6-p-q)Clq・・・(2)
MX・・・(3)
HnSiR(4-n-m)Xm・・・(4)
HpSi2R(6-p-q)Xq・・・(5)
HnSiR(4-n-m)Clm・・・(1)
HpSi2R(6-p-q)Clq・・・(2)
MX・・・(3)
HnSiR(4-n-m)Xm・・・(4)
HpSi2R(6-p-q)Xq・・・(5)
一般式(1)~(5)において、Rは、炭素原子数1以上6以下のヒドロカルビル基を表す。nは、0以上3以下の整数を表す。mは、1以上4以下の整数を表す。n+mは、1以上4以下の整数である。pは、0以上5以下の整数を表す。qは、1以上6以下の整数を表す。p+qは、1以上6以下の整数である。Mは、アルカリ金属原子又はNH4を表す。Xは、I又はBrを表す。
なお、一般式(1)において、「4-n-m」が2以上の整数を表す場合、複数のRは、それぞれ同一でもよく、異なっていてもよい。同様に、一般式(2)において、「6-p-q」が2以上の整数を表す場合、複数のRは、それぞれ同一でもよく、異なっていてもよい。一般式(4)において、「4-n-m」が2以上の整数を表す場合、複数のRは、それぞれ同一でもよく、異なっていてもよい。一般式(5)において、「6-p-q」が2以上の整数を表す場合、複数のRは、それぞれ同一でもよく、異なっていてもよい。一般式(4)において、mが2以上の整数を表す場合、複数のXは、それぞれ同一でもよく、異なっていてもよい。一般式(5)において、qが2以上の整数を表す場合、複数のXは、それぞれ同一でもよく、異なっていてもよい。
ヒドロカルビル基とは、炭化水素基から1個の水素原子を除いた基をいう。ヒドロカルビル基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、フェニル基、アルケニル基、シクロアルケニル基及びアルキニル基が挙げられる。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基及びヘキシル基が挙げられる。シクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。アルケニル基としては、例えば、ビニル基及びプロぺニル基が挙げられる。シクロアルケニル基としては、例えば、シクロペンテニル基及びシクロヘキセニル基が挙げられる。アルキニル基としては、例えば、エチニル基が挙げられる。ヒドロカルビル基としては、メチル基又はエチル基が好ましい。
Mで表されるアルカリ金属原子としては、Li、Na又はKが好ましい。Mは、Li、Na又はNH4を表すことが好ましい。
[第1ハロゲン化合物]
第1ハロゲン化合物は、ハロゲン化シラン化合物及びハロゲン化ジシラン化合物のうち少なくとも1つを含む。第1ハロゲン化合物の分子量は、例えば、300以下である。第1ハロゲン化合物は、本工程における原料化合物のうちの1つである。
第1ハロゲン化合物は、ハロゲン化シラン化合物及びハロゲン化ジシラン化合物のうち少なくとも1つを含む。第1ハロゲン化合物の分子量は、例えば、300以下である。第1ハロゲン化合物は、本工程における原料化合物のうちの1つである。
本工程において、反応液中の第1ハロゲン化合物の使用量としては、100.0mM以上20000.0mM以下が好ましく、300.0mM以上1200.0mM以下がより好ましい。
第1ハロゲン化合物としては、クロロシラン化合物又はクロロジシラン化合物が好ましく、一般式(1)又は(2)で表される化合物がより好ましい。一般式(1)で表される化合物は、クロロシラン化合物である。一般式(2)で表される化合物は、クロロジシラン化合物である。
一般式(1)で表されるクロロシラン化合物としては、例えば、クロロシラン(H3SiCl)、ジクロロシラン(H2SiCl2)、トリクロロシラン(HSiCl3)、テトラクロロシラン(SiCl4)、クロロ(メチル)シラン(H2SiMeCl)、クロロ(エチル)シラン(H2SiEtCl)、クロロ(フェニル)シラン(H2SiPhCl)、ジクロロ(メチル)シラン(HSiMeCl2)、ジクロロ(エチル)シラン(HSiEtCl2)、ジクロロ(フェニル)シラン(HSiPhCl2)、トリクロロ(メチル)シラン(SiMeCl3)、トリクロロ(エチル)シラン(SiEtCl3)、トリクロロ(フェニル)シラン(SiPhCl3)、クロロ(ジメチル)シラン(HSiMe2Cl)、クロロ(ジエチル)シラン(HSiEt2Cl)、クロロ(メチル)(エチル)シラン(HSiMeEtCl)、及びクロロ(トリメチル)シラン(SiMe3Cl)が挙げられる。
一般式(2)で表されるクロロジシラン化合物としては、例えば、クロロジシラン(H5Si2Cl)、ジクロロジシラン(H4Si2Cl2)、トリクロロジシラン(H3Si2Cl3)、テトラクロロジシラン(H2Si2Cl4)、ペンタクロロジシラン(HSi2Cl5)、ヘキサクロロジシラン(Si2Cl6)、クロロ(メチル)ジシラン(H4Si2MeCl)、クロロ(エチル)ジシラン(H4Si2EtCl)、クロロ(フェニル)ジシラン(H4Si2PhCl)、ジクロロ(メチル)ジシラン(H3Si2MeCl2)、トリクロロ(メチル)ジシラン(H2Si2MeCl3)、テトラクロロ(メチル)ジシラン(HSi2MeCl4)、ペンタクロロ(メチル)ジシラン(Si2MeCl5)、クロロ(ジメチル)ジシラン(H3Si2Me2Cl)、クロロ(メチル)(エチル)ジシラン(H3Si2MeEtCl)、ジクロロ(ジメチル)ジシラン(H2Si2Me2Cl2)、クロロ(トリメチル)ジシラン(H2Si2Me3Cl)、クロロ(テトラメチル)ジシラン(HSi2Me4Cl)、及びクロロ(ペンタメチル)ジシラン(Si2Me5Cl)が挙げられる。
ここで、公知の特定化合物の製造において、H-Si結合を有する第1ハロゲン化合物を用いると、反応中にH-Si結合が開裂して好ましくない副生成物が生じる場合がある。これに対して、本発明の化合物の製造方法では、H-Si結合を有する第1ハロゲン化合物を用いた場合でも、H-Si結合の開裂を抑制できる。そのため、本発明の化合物の製造方法は、H-Si結合を有する特定化合物の製造方法として好適である。以上から、第1ハロゲン化合物を表す一般式(1)において、nは、1以上3以下の整数を表すことが好ましい。第1ハロゲン化合物を表す一般式(2)において、pは、1以上5以下の整数を表すことが好ましい。
同様に、公知の特定化合物の製造において、Si-Si結合を有する第1ハロゲン化合物(ハロゲン化ジシラン化合物)を用いると、反応中にSi-Si結合が開裂して好ましくない副生成物が生じる場合がある。副生成物の発生は、H-Si結合及びSi-Si結合の両方を有する第1ハロゲン化合物を用いた場合において顕著である。これに対して、本発明の化合物の製造方法では、H-Si結合及びSi-Si結合を有する第1ハロゲン化合物を用いた場合でも、H-Si結合及びSi-Si結合の開裂を何れも抑制できる。そのため、本発明の化合物の製造方法は、Si-Si結合を有する特定化合物の製造方法として好適であり、H-Si結合及びSi-Si結合の両方を有する特定化合物の製造方法として更に好適である。
第1ハロゲン化合物としては、H2SiCl2、HSiCl3、又はH3Si2Cl3(特に、H3Si-SiCl3)が好ましい。
[第2ハロゲン化合物]
第2ハロゲン化合物は、ヨウ素化剤及び臭素化剤のうち少なくとも1つを含む。第2ハロゲン化合物の分子量は、例えば、300以下である。第2ハロゲン化合物は、本工程における原料化合物のうちの1つである。
第2ハロゲン化合物は、ヨウ素化剤及び臭素化剤のうち少なくとも1つを含む。第2ハロゲン化合物の分子量は、例えば、300以下である。第2ハロゲン化合物は、本工程における原料化合物のうちの1つである。
第2ハロゲン化合物としてヨウ素化剤を用いると、特定化合物として、ヨードシラン化合物又はヨードジシラン化合物が得られる。第2ハロゲン化合物として臭素化剤を用いると、特定化合物として、ブロモシラン化合物又はブロモジシラン化合物が得られる。
第2ハロゲン化合物としては、上述の通り、一般式(3)で表される化合物が好ましい。一般式(3)で表される化合物のうち、XがIを表す化合物は、ヨウ素化剤である。一般式(3)で表される化合物のうち、XがBrを表す化合物は、臭素化剤である。
第2ハロゲン化合物としては、例えば、NH4I、NH4Br、LiI、NaI、KI、LiBr、NaBr及びKBrが挙げられる。第2ハロゲン化合物及び特定化合物が上述の第1の組み合わせである場合(第2ハロゲン化合物がヨウ素化剤を含み、かつ特定化合物がヨードシラン化合物及びヨードジシラン化合物のうち少なくとも1つを含む場合)、ヨウ素化剤としては、NaIが好ましい。NaIは安価な化合物であるが、反応性が低いため、公知の特定化合物の製造方法では使用されていなかった。本発明は、NaIのように安価な化合物を用いてヨードシラン化合物又はヨードジシラン化合物を製造できるため、工業的な有用性が高い。
第2ハロゲン化合物及び特定化合物が上述の第2の組み合わせである場合(第2ハロゲン化合物が臭素化剤を含み、かつ特定化合物がブロモシラン化合物及びブロモジシラン化合物のうち少なくとも1つを含む場合)、臭素化剤としては、LiBrが好ましい。
本工程において、第2ハロゲン化合物の使用量としては、第1ハロゲン化合物においてケイ素原子に結合するハロゲン原子の総数を100モル%としたときに、100.0モル%以上1000.0モル%以下が好ましく、200.0モル%以上700.0モル%以下がより好ましく、300.0モル%以上500.0モル%以下が更に好ましい。理論上、第2ハロゲン化合物の使用量は、100.0モル%あれば十分である。しかし、第2ハロゲン化合物を過剰量使用することにより、反応速度を向上させることができる。
ここで、「第1ハロゲン化合物においてケイ素原子に結合するハロゲン原子の総数」の具体例について説明する。一例として、第1ハロゲン化合物としてクロロシラン(H3SiCl)を1モル使用する場合、第1ハロゲン化合物においてケイ素原子に結合するハロゲン原子(塩素原子)の総数は1モルである。そのため、この一例においては、1モル=100モル%となる。別の一例として、第1ハロゲン化合物としてトリクロロシラン(HSiCl3)を2モル使用する場合、第1ハロゲン化合物においてケイ素原子に結合するハロゲン原子(塩素原子)の総数は6モルである。そのため、この一例においては、6モル=100モル%となる。
本工程で、第2ハロゲン化合物は、自身の有するハロゲン原子を第1ハロゲン化合物に渡すと共に、第1ハロゲン化合物の有するハロゲン原子を自身で受け取る。反応後の第2ハロゲン化合物(第1ハロゲン化合物の有するハロゲン原子を受け取った後の第2ハロゲン化合物)は、溶媒に対して不溶化することが好ましい。このような第2ハロゲン化合物を用いることにより、反応系から反応後の第2ハロゲン化合物を除去することができ、その結果、化学平衡に到達して反応が停止することを抑制すると共に、副生成物の発生を抑制できる。
[特定化合物]
特定化合物は、本工程における反応生成物である。本工程では、第1ハロゲン化合物が有するハロゲン原子が第2ハロゲン化合物の有するヨウ素原子又は臭素原子で置換され、特定化合物が得られる。
特定化合物は、本工程における反応生成物である。本工程では、第1ハロゲン化合物が有するハロゲン原子が第2ハロゲン化合物の有するヨウ素原子又は臭素原子で置換され、特定化合物が得られる。
なお、本工程において、2以上のハロゲン原子を有する第1ハロゲン化合物を用いた場合、特定化合物だけでなく、中間体が生じる場合がある。中間体は、第1ハロゲン化合物の有する2以上のハロゲン原子のうち、一部のハロゲン原子のみがヨウ素化又はフッ素化された化合物である。本工程では、特定化合物を得ることを主目的とするが、中間体についても一定の工業的価値がある。具体例を挙げて説明すると、第1ハロゲン化合物としてHSiCl3を用い、第2ハロゲン化合物としてヨウ素化剤を用いた場合、特定化合物であるHSiI3に加え、中間体であるHSiCl2I及びHSiClI2が得られる場合がある。本工程の反応時間を十分に確保することにより、中間体から特定化合物が生成されるため、中間体の生成量を減らすことができる。
[触媒]
触媒は、無水ハロゲン化アルミニウムを含む。上述の通り、フィンケルシュタイン反応を用いた特定化合物の製造方法において、無水ハロゲン化アルミニウムを触媒として用いることにより、高効率で特定化合物を製造できる。特に、触媒として無水物を用いることにより、第1ハロゲン化合物の加水分解反応を抑制できる。無水ハロゲン化アルミニウムとしては、無水塩化アルミニウム(AlCl3)、無水臭化アルミニウム(AlBr3)又は無水ヨウ化アルミニウム(AlI3)が好ましい。
触媒は、無水ハロゲン化アルミニウムを含む。上述の通り、フィンケルシュタイン反応を用いた特定化合物の製造方法において、無水ハロゲン化アルミニウムを触媒として用いることにより、高効率で特定化合物を製造できる。特に、触媒として無水物を用いることにより、第1ハロゲン化合物の加水分解反応を抑制できる。無水ハロゲン化アルミニウムとしては、無水塩化アルミニウム(AlCl3)、無水臭化アルミニウム(AlBr3)又は無水ヨウ化アルミニウム(AlI3)が好ましい。
特に、第2ハロゲン化合物及び特定化合物が第1の組み合わせである場合(即ち、本工程でヨウ素化反応を行う場合)、触媒としては、安価な化合物である無水塩化アルミニウムが好ましい。一方、第2ハロゲン化合物及び特定化合物が第2の組み合わせである場合(即ち、本工程で臭素化反応を行う場合)、触媒としては、反応性の観点から無水臭化アルミニウムが好ましい。
触媒の使用量としては、第1ハロゲン化合物においてケイ素原子に結合するハロゲン原子の総数を100モル%としたときに、0.1モル%以上50.0モル%以下が好ましく、1.0モル%以上10.0モル%以下がより好ましい。
[溶媒]
溶媒としては、副生成物の発生を抑制する観点から、非プロトン性溶媒が好ましい。非プロトン性溶媒としては、例えば、炭化水素化合物、芳香族炭化水素化合物、エーテル化合物、ケトン化合物、エステル化合物、塩素化炭化水素化合物、塩素化芳香族炭化水素化合物、アセトニトリル、N,N-ジメチルホルムアミド、及びジメチルスルホキシドが挙げられる。炭化水素化合物としては、例えば、ヘキサン、オクタン及びデカンが挙げられる。芳香族炭化水素化合物としては、例えば、トルエン、ベンゼン及びキシレンが挙げられる。エーテル化合物としては、例えば、ジエチルエーテル及びテトラヒドロフランが挙げられる。ケトン化合物としては、例えば、アセトンが挙げられる。エステル化合物としては、例えば、酢酸エチルが挙げられる。塩素化炭化水素化合物としては、例えば、ジクロロメタン及びクロロホルムが挙げられる。塩素化芳香族炭化水素化合物としては、例えば、クロロベンゼン及びジクロロベンゼンが挙げられる。溶媒としては、ヘキサンが好ましい。
溶媒としては、副生成物の発生を抑制する観点から、非プロトン性溶媒が好ましい。非プロトン性溶媒としては、例えば、炭化水素化合物、芳香族炭化水素化合物、エーテル化合物、ケトン化合物、エステル化合物、塩素化炭化水素化合物、塩素化芳香族炭化水素化合物、アセトニトリル、N,N-ジメチルホルムアミド、及びジメチルスルホキシドが挙げられる。炭化水素化合物としては、例えば、ヘキサン、オクタン及びデカンが挙げられる。芳香族炭化水素化合物としては、例えば、トルエン、ベンゼン及びキシレンが挙げられる。エーテル化合物としては、例えば、ジエチルエーテル及びテトラヒドロフランが挙げられる。ケトン化合物としては、例えば、アセトンが挙げられる。エステル化合物としては、例えば、酢酸エチルが挙げられる。塩素化炭化水素化合物としては、例えば、ジクロロメタン及びクロロホルムが挙げられる。塩素化芳香族炭化水素化合物としては、例えば、クロロベンゼン及びジクロロベンゼンが挙げられる。溶媒としては、ヘキサンが好ましい。
以下、実施例を示して本発明を更に説明する。ただし、本発明は、実施例に限定されるものではない。なお、本実施例において、「モル%」とは、第1ハロゲン化合物においてケイ素原子に結合するハロゲン原子の総数を100モル%としたときのモル%を示す。
[GC-MS]
本実施例では、ガスクロマトグラフ質量分析計(株式会社島津製作所製「GCMS-QP2010Plus」及び株式会社島津製作所製「GCMS-QP2010Ultra」を組み合わせた装置)により、各化合物(第1ハロゲン化合物、特定化合物及び中間体)の量を測定した。詳細な条件を以下に示す。
本実施例では、ガスクロマトグラフ質量分析計(株式会社島津製作所製「GCMS-QP2010Plus」及び株式会社島津製作所製「GCMS-QP2010Ultra」を組み合わせた装置)により、各化合物(第1ハロゲン化合物、特定化合物及び中間体)の量を測定した。詳細な条件を以下に示す。
・キャピラリーカラム:株式会社島津製作所製「SH-Rtx-1」(30m×0.32mmI.D.×1.00μm)
・キャリアガス:ヘリウム
・カラム内流量:1.94mL/分
・スプリット比:200
・サンプル注入量:5μL
・気化室温度:300℃
・検出方法:トータルイオンクロマトグラム(TIC)
・キャリアガス:ヘリウム
・カラム内流量:1.94mL/分
・スプリット比:200
・サンプル注入量:5μL
・気化室温度:300℃
・検出方法:トータルイオンクロマトグラム(TIC)
<特定化合物の製造方法>
[実施例1]
450mL容量の円柱形のステンレス製密閉容器(以下、単に容器と記載する)に、マグネチックスターラー用スターラーバーを投入し、開封状態で75℃乾燥装置内に一晩投入した。これにより、容器及びスターラーバーを乾燥させた。
[実施例1]
450mL容量の円柱形のステンレス製密閉容器(以下、単に容器と記載する)に、マグネチックスターラー用スターラーバーを投入し、開封状態で75℃乾燥装置内に一晩投入した。これにより、容器及びスターラーバーを乾燥させた。
乾燥大気下において、容器に、脱水ヘキサン100.0mLと、第1ハロゲン化合物としてのトリクロロシラン5.0g(37.0mmol)と、第2ハロゲン化合物(ヨウ素化剤)としてのヨウ化リチウム49.4g(369.0mmol、332.4モル%)とを仕込んだ。次に、大気下において、容器に、触媒としての無水塩化アルミニウム1.0g(7.5mmol、6.8モル%)を更に加えた後、容器を密閉した。次に、容器を60℃に設定したオイルバス内に設置した。次に、マグネチックスターラーを用いてスターラーバーを回転させ、容器の内容物を攪拌させた。これにより、容器の内容物を反応させた(反応温度:60℃)。
1日後、オイルバスから容器を取り出し、内容物の温度が室温になるまで放冷させた(反応時間:1day)。次に、容器の内容物を加圧ろ過器(ADVANTEC社製)でろ過(圧力0.1MPa、PTFE製ろ紙使用、ろ過孔径0.2μm)した。得られたろ液をガラス瓶に移し、-18℃で保管した。
次に、上述のろ液に含まれる成分をGC-MSにて同定を行った。その結果、トリヨードシラン(特定化合物、HSiI3)がろ液に含まれることが確認された。上述の反応におけるトリヨードシランの収率は、62モル%であった。なお、上述のろ液には、反応せずに残留した第1ハロゲン化合物(HSiCl3)、第1の中間体であるHSiICl2、及び第2の中間体であるHSiI2Clも含まれていた。各化合物の収率は、HSiCl3が15モル%、HSiICl2が7モル%、HSiI2Clが17モル%であった。なお、上述のろ液には、副生成物(例えば、HSiCl3のSi-H結合が開裂することで生成した副生成物)は痕跡量レベルでしか確認されなかった。
本実施例において、「収率」とは、上述のろ液に含まれるシラン化合物又はジシラン化合物の全量を100モル%としたときの各化合物の比率を示す。なお、測定精度の都合上、ろ液に含まれる各化合物の収率の合計値は100モル%ではない場合がある。
[実施例2~6及び比較例1~4]
以下の点を変更した以外は、実施例1の特定化合物の製造方法と同様の操作により、実施例2~6及び比較例1~4の特定化合物の製造方法を行った。実施例2~6及び比較例1~4の特定化合物の製造方法では、使用する第1ハロゲン化合物、第2ハロゲン化合物及び触媒の種類及び量と、反応時間とを下記表1に示す通りに変更した。
以下の点を変更した以外は、実施例1の特定化合物の製造方法と同様の操作により、実施例2~6及び比較例1~4の特定化合物の製造方法を行った。実施例2~6及び比較例1~4の特定化合物の製造方法では、使用する第1ハロゲン化合物、第2ハロゲン化合物及び触媒の種類及び量と、反応時間とを下記表1に示す通りに変更した。
下記表1に示す化合物の詳細は以下の通りである。
HSiCl3:トリクロロシラン(東京化成製)
H3Si-SiCl3:1,1,1-トリクロロジシラン(自社合成品)
AlCl3:無水塩化アルミニウム(東京化成製)
AlI3:無水ヨウ化アルミニウム(東京化成製)
AlBr3:無水臭化アルミニウム(東京化成製)
LiI:ヨウ化リチウム(東京化成製)
LiBr:臭化リチウム(東京化成製)
HSiCl3:トリクロロシラン(東京化成製)
H3Si-SiCl3:1,1,1-トリクロロジシラン(自社合成品)
AlCl3:無水塩化アルミニウム(東京化成製)
AlI3:無水ヨウ化アルミニウム(東京化成製)
AlBr3:無水臭化アルミニウム(東京化成製)
LiI:ヨウ化リチウム(東京化成製)
LiBr:臭化リチウム(東京化成製)
実施例1、2及び比較例1において、各化合物の収率を下記表2に示す。触媒として無水塩化アルミニウムを用いた実施例2では、2.5時間の反応時間により、第1ハロゲン化合物のうち41モル%が消費され、少量(3モル%)ではあるが特定化合物(HSiI3)が生成された。実施例1に示すように、実施例2において反応時間を十分に伸ばすと、高い収率(62モル%)で特定化合物が生成された。これに対して、触媒を用いなかった比較例1では、2.5時間の反応時間では、第1ハロゲン化合物のうち17モル%しか消費されず、特定化合物は全く生成されなかった。このことから、第1ハロゲン化合物のヨウ素化において、触媒として無水塩化アルミニウムを用いることで反応効率が大幅に向上することが確認された。
実施例3、4及び比較例2において、各化合物の収率を下記表3に示す。実施例3及び4に示すように、触媒として無水塩化アルミニウム又は無水ヨウ化アルミニウムを用いることで、高い収率(89モル%又は86モル%)で特定化合物(H3Si-SiI3)が生成された。一方、触媒を用いなかった比較例2では、第1ハロゲン化合物のうち1モル%しか消費されず、特定化合物は1モル%しか生成されなかった。このことから、無水ハロゲン化アルミニウムは、様々な第1ハロゲン化合物のヨウ素化において有効であることが確認された。なお、表3では省略しているが、実施例3及び4では、テトラヨードシランと思われる化合物が少量生成された。
実施例5及び比較例3において、各化合物の収率を下記表4に示す。実施例5に示すように、触媒として無水臭化アルミニウムを用いることで、第1ハロゲン化合物のうち95モル%が消費され、一定の収率(19モル%)で特定化合物(H3Si-SiBr3)が生成された。一方、触媒を用いなかった比較例3では、第1ハロゲン化合物のうち72モル%しか消費されず、特定化合物はごく少量(2モル%)しか生成されなかった。実施例5の合成反応は、反応時間の延長等の更なる最適化が必要であるが、少なくとも比較例3の合成反応よりは反応効率が顕著に高いことが確認できた。このことから、無水ハロゲン化アルミニウムは、臭素化の触媒としても有効であることが確認された。
実施例6及び比較例4において、各化合物の収率を下記表5に示す。実施例6に示すように、触媒として無水臭化アルミニウムを用いることで、第1ハロゲン化合物のうち36モル%が消費され、一定の収率(14モル%)で特定化合物(HSiBr3)が生成された。一方、触媒を用いなかった比較例4では、第1ハロゲン化合物のうち6モル%しか消費されず、特定化合物は全く生成されなかった。実施例6は、反応時間の延長等の更なる最適化が必要であるが、少なくとも比較例4よりは反応効率が顕著に高いことが確認できた。このことから、無水ハロゲン化アルミニウムは、様々な第1ハロゲン化合物の臭素化において有効であることが確認された。
以上の実施例1~6及び比較例1~4に示す通り、フィンケルシュタイン反応を利用した特定化合物の製造方法において、触媒として無水ハロゲン化アルミニウムを用いることにより、特定化合物の生成効率を大幅に向上できた。
本発明の化合物の製造方法は、半導体製造において有用な材料であるヨードシラン化合物、ヨードジシラン化合物、ブロモシラン化合物、及びブロモジシラン化合物を提供できる。
Claims (11)
- 溶媒及び触媒の存在下、第1ハロゲン化合物及び第2ハロゲン化合物をハロゲン交換反応させることで特定化合物を生成する反応工程を備え、
前記触媒は、無水ハロゲン化アルミニウムを含み、
前記第1ハロゲン化合物は、ハロゲン化シラン化合物及びハロゲン化ジシラン化合物のうち少なくとも1つを含み、
前記第2ハロゲン化合物及び前記特定化合物は、
前記第2ハロゲン化合物がヨウ素化剤を含み、かつ前記特定化合物がヨードシラン化合物及びヨードジシラン化合物のうち少なくとも1つを含む第1の組み合わせ、又は
前記第2ハロゲン化合物が臭素化剤を含み、かつ前記特定化合物がブロモシラン化合物及びブロモジシラン化合物のうち少なくとも1つを含む第2の組み合わせである、化合物の製造方法。 - 前記無水ハロゲン化アルミニウムは、無水塩化アルミニウム、無水臭化アルミニウム、及び無水ヨウ化アルミニウムのうち少なくとも1つを含む、請求項1に記載の化合物の製造方法。
- 前記溶媒は、非プロトン性溶媒を含む、請求項1又は2に記載の化合物の製造方法。
- 前記第1ハロゲン化合物は、クロロシラン化合物及びクロロジシラン化合物のうち少なくとも1つを含む、請求項1又は2に記載の化合物の製造方法。
- 前記第1ハロゲン化合物、前記第2ハロゲン化合物及び前記特定化合物は、
前記第1ハロゲン化合物が下記一般式(1)で表され、
前記第2ハロゲン化合物が下記一般式(3)で表され、
前記特定化合物が下記一般式(4)で表される第3の組み合わせ、又は
前記第1ハロゲン化合物が下記一般式(2)で表され、
前記第2ハロゲン化合物が下記一般式(3)で表され、
前記特定化合物が下記一般式(5)で表される第4の組み合わせである、請求項1又は2に記載の化合物の製造方法。
HnSiR(4-n-m)Clm・・・(1)
HpSi2R(6-p-q)Clq・・・(2)
MX・・・(3)
HnSiR(4-n-m)Xm・・・(4)
HpSi2R(6-p-q)Xq・・・(5)
(前記一般式(1)~(5)において、
Rは、炭素原子数1以上6以下のヒドロカルビル基を表し、
nは、0以上3以下の整数を表し、
mは、1以上4以下の整数を表し、
n+mは、1以上4以下の整数であり、
pは、0以上5以下の整数を表し、
qは、1以上6以下の整数を表し、
p+qは、1以上6以下の整数であり、
Mは、アルカリ金属原子又はNH4を表し、
Xは、I又はBrを表す。) - 前記一般式(3)において、Mは、Li、Na又はNH4を表す、請求項5に記載の化合物の製造方法。
- 前記一般式(1)において、nは、1以上3以下の整数を表し、
前記一般式(2)において、pは、1以上5以下の整数を表す、請求項5に記載の化合物の製造方法。 - 前記第1ハロゲン化合物は、H2SiCl2、HSiCl3、及びH3Si2Cl3のうち少なくとも1つを含む、請求項7に記載の化合物の製造方法。
- 前記第2ハロゲン化合物及び前記特定化合物は、前記第2の組み合わせであり、
前記無水ハロゲン化アルミニウムは、前記無水臭化アルミニウムを含む、請求項2に記載の化合物の製造方法。 - 前記第2ハロゲン化合物及び前記特定化合物は、前記第2の組み合わせであり、
前記臭素化剤は、LiBrを含む、請求項1又は2に記載の化合物の製造方法。 - 前記第1ハロゲン化合物においてケイ素原子に結合するハロゲン原子の総数を100モル%としたときに、前記触媒の使用量は、0.1モル%以上50.0モル%以下である、請求項1又は2に記載の化合物の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022067188A JP2023157339A (ja) | 2022-04-14 | 2022-04-14 | 化合物の製造方法 |
TW112113934A TW202340087A (zh) | 2022-04-14 | 2023-04-13 | 化合物的製造方法 |
PCT/JP2023/015149 WO2023200001A1 (ja) | 2022-04-14 | 2023-04-14 | 化合物の製造方法 |
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Publications (1)
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---|---|
JP2023157339A true JP2023157339A (ja) | 2023-10-26 |
Family
ID=88329589
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2022067188A Pending JP2023157339A (ja) | 2022-04-14 | 2022-04-14 | 化合物の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023157339A (ja) |
TW (1) | TW202340087A (ja) |
WO (1) | WO2023200001A1 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7030260B2 (en) * | 2002-02-27 | 2006-04-18 | Honeywell International Inc. | Preparation of mixed-halogen halo-silanes |
CN107864649B (zh) * | 2016-05-19 | 2021-07-20 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 经由卤化物交换反应制备含Si-H碘代硅烷 |
EP3788051A1 (en) * | 2018-05-01 | 2021-03-10 | Milliken & Company | Method for producing halosilane compounds |
CN115605432A (zh) * | 2020-04-24 | 2023-01-13 | 恩特格里斯公司(Us) | 制备碘硅烷的方法及由其所得的组合物 |
-
2022
- 2022-04-14 JP JP2022067188A patent/JP2023157339A/ja active Pending
-
2023
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202340087A (zh) | 2023-10-16 |
WO2023200001A1 (ja) | 2023-10-19 |
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