JP2023149073A - 検知装置、検知装置の製造方法及び検知システムの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】モールド樹脂のクラックを抑制することができる検知装置、検知装置の製造方法及び検知システムの製造方法を提供する。【解決手段】検知装置は、リードフレームと、前記リードフレームの上に設けられた半導体集積回路チップと、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有し、前記第２面に検知部が設けられ、前記第１面を前記第２面よりも前記リードフレームに近く位置させて前記リードフレームの上方に設けられたセンサチップと、前記リードフレーム、前記半導体集積回路チップ及び前記センサチップを封止するモールド樹脂と、を有し、前記センサチップは、前記半導体集積回路チップに電気的に接続され、前記モールド樹脂には、前記検知部が露出する開口部が形成され、前記第２面に垂直な方向からみたときに、前記開口部の形状は角丸多角形状である。【選択図】図２

Description

本開示は、検知装置、検知装置の製造方法及び検知システムの製造方法に関する。

湿度センサや温度センサのように、検知面であるセンサチップ表面を露出する必要のある検知装置においては、検知信号を処理して外部へ出力するために、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）チップと一緒にワンパッケージにされた検知装置が提案されている。近年、検知装置の更なる小型化を図るため、ＡＳＩＣチップの上にセンサチップが設けられ、ＡＳＩＣチップの側方にリード端子が設けられ、これらがモールド樹脂により封止され、センサチップ上のモールド樹脂が開口され、検知面を露出させた検知装置が提案されている。

特開２０１６－１８９７９号公報 特開２０２０－８５４９８号公報

検知装置は、主に実装基板に実装されて使用され、実装の際には、はんだのリフローが行われる。従来の検知装置では、開口部が小さくなると、リフローの際に開口部を起点とするクラックがモールド樹脂に発生するおそれがある。

本開示の目的は、モールド樹脂のクラックを抑制することができる検知装置、検知装置の製造方法及び検知システムの製造方法を提供することにある。

本開示の一形態に係る検知装置は、リードフレームと、前記リードフレームの上に設けられた半導体集積回路チップと、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有し、前記第２面に検知部が設けられ、前記第１面を前記第２面よりも前記リードフレームに近く位置させて前記リードフレームの上方に設けられたセンサチップと、前記リードフレーム、前記半導体集積回路チップ及び前記センサチップを封止するモールド樹脂と、を有し、前記センサチップは、前記半導体集積回路チップに電気的に接続され、前記モールド樹脂には、前記検知部が露出する開口部が形成され、前記第２面に垂直な方向からみたときに、前記開口部の形状は角丸多角形状である。

本開示によれば、モールド樹脂のクラックを抑制することができる。

第１実施形態に係る検知装置の構成を示す断面図である。 第１実施形態における開口部を示す平面図である。 モールド樹脂を除去した状態における検知装置を示す平面図である。 第１実施形態におけるセンサチップの製造方法を示すフローチャート（その１）である。 第１実施形態におけるセンサチップの製造方法を示すフローチャート（その２）である。 第１実施形態におけるセンサチップの製造方法を示す平面図（その１）である。 第１実施形態におけるセンサチップの製造方法を示す平面図（その２）である。 第１実施形態においてセンサチップの製造に用いられる保護層を示す平面図である。 第１実施形態におけるセンサチップの製造方法を示す断面図（その１）である。 第１実施形態におけるセンサチップの製造方法を示す断面図（その２）である。 第１実施形態におけるセンサチップの製造方法を示す断面図（その３）である。 第１実施形態におけるセンサチップの製造方法を示す断面図（その４）である。 第１実施形態に係る検知装置の製造方法を示す断面図（その１）である。 第１実施形態に係る検知装置の製造方法を示す断面図（その２）である。 第１実施形態に係る検知装置の製造方法を示す断面図（その３）である。 第１実施形態に係る検知装置の製造方法を示す断面図（その４）である。 開口部の観察結果を示す模式図である。 第２実施形態においてセンサチップの製造に用いられる保護層を示す平面図である。 第３実施形態に係る検知装置の構成を示す断面図である。 第４実施形態に係る検知装置の構成を示す断面図である。

以下、本開示の実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。

（第１実施形態）
まず、第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る検知装置の構成を示す断面図である。

第１実施形態に係る検知装置１０は、平面形状がほぼ矩形状であって、対向する２組の二辺の一方がＸ方向に平行であって、他方がＹ方向に平行である。Ｘ方向とＹ方向とは互いに直交する。また、検知装置１０は、Ｘ方向及びＹ方向に直交するＺ方向に厚みを有する。なお、検知装置１０の平面形状は、矩形状に限られず、円形、楕円、多角形等であってもよい。

検知装置１０は、第１半導体チップとしてのセンサチップ２０と、第２半導体チップとしてのＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）チップ３０と、モールド樹脂４０と、リードフレーム６０とを有する。

リードフレーム６０は、ダイパッド６１と、複数のリード端子６２とを有する。リードフレーム６０の厚さは、例えば１００μｍ～２００μｍである。複数のリード端子６２は、ダイパッド６１の周囲に配置されている。リード端子６２は「外部導出リード」の一例である。

ＡＳＩＣチップ３０は、ダイパッド６１上に第１ＤＡＦ（Die Attach Film）４５を介して積層されている。ＡＳＩＣチップ３０は、リード端子６２の内側の先端部の上にも第１ＤＡＦ４５を介して積層されている。センサチップ２０は、ＡＳＩＣチップ３０上に第２ＤＡＦ４２を介して積層されている。すなわち、センサチップ２０とＡＳＩＣチップ３０とは、ＡＳＩＣチップ３０がセンサチップ２０を積載したスタック構造となっている。センサチップ２０は、下面をＡＳＩＣチップ３０に対向させてＡＳＩＣチップ３０の上に第２ＤＡＦ４２を介して設けられている。センサチップ２０の厚さは、例えば２００μｍ～４００μｍである。ＡＳＩＣ３０の厚さは、例えば１００μｍ～１５０μｍである。第１ＤＡＦ４５及び第２ＤＡＦ４２の厚さは、例えば１０μｍ～３０μｍである。

例えば、第１ＤＡＦ４５及び第２ＤＡＦ４２の２５℃における複合弾性率は１０００ＭＰａ～３０００ＭＰａである。また、第１ＤＡＦ４５及び第２ＤＡＦ４２の１８０℃における複合弾性率は３０ＭＰａ～５０ＭＰａである。第１ＤＡＦ４５の複合弾性率及び第２ＤＡＦ４２の複合弾性率は、ＡＳＩＣチップ３０の弾性率及びセンサチップ２０の弾性率よりも小さい。第１ＤＡＦ４５の複合弾性率及び第２ＤＡＦ４２の複合弾性率は、ＡＳＩＣチップ３０の弾性率及びセンサチップ２０の弾性率の、好ましくは１／１０以下であり、より好ましくは１／５０以下であり、更に好ましくは１／１００以下である。第１ＤＡＦ４５及び第２ＤＡＦ４２は厚さ方向に圧縮され、弾性変形している。つまり、第１ＤＡＦ４５及び第２ＤＡＦ４２は弾性を有している。第１ＤＡＦ４５は「第１絶縁膜」の一例であり、第２ＤＡＦ４２は「第２絶縁膜」の一例である。

ＡＳＩＣチップ３０と複数のリード端子６２とは、複数の第１ボンディングワイヤ４４により電気的に接続されている。センサチップ２０とＡＳＩＣチップ３０とは、複数の第２ボンディングワイヤ４３により電気的に接続されている。例えば、第２ボンディングワイヤ４３は、第１パッド３５上でボールボンディングされ、パッド２４上でウェッジボンディングされている。つまり、第２ボンディングワイヤ４３は第１パッド３５上にワイヤバンプ４３Ａを有する。例えば、第１ボンディングワイヤ４４は、リード端子６２上でボールボンディングされ、第２パッド３６上でウェッジボンディングされている。つまり、第１ボンディングワイヤ４４はリード端子６２上にワイヤバンプ４４Ａを有する。

このように積層化されたセンサチップ２０及びＡＳＩＣチップ３０と、複数の第１ボンディングワイヤ４４と、複数の第２ボンディングワイヤ４３と、リードフレーム６０とは、封止部材としてのモールド樹脂４０により封止されてパッケージ化されている。検知装置１０の下面には、ダイパッド６１と、複数のリード端子６２とが露出している。また、モールド樹脂４０の一部はダイパッド６１とリード端子６２端子との間にあり、この部分も検知装置１０の下面に露出している。第１ＤＡＦ４５の下面は、リードフレーム６０及びモールド樹脂４０により覆われており、検知装置１０の下面に露出していない。モールド樹脂４０のセンサチップ２０の上面より上の部分の厚さは、例えば５０μｍ～５００μｍであり、好ましくは１００μｍ～２５０μｍである。センサチップ２０の上面を基準として、モールド樹脂４０の上面の高さは、第２ボンディングワイヤ４３の頂部の高さよりも高い。検知装置１０の厚さは、例えば５００μｍ～１０００μｍである。

リードフレーム６０は、ニッケルや銅により形成されている。第１ＤＡＦ４５及び第２ＤＡＦ４２は、それぞれ樹脂とシリカなどの混合物からなる絶縁材料で形成されている。モールド樹脂４０は、カーボンブラックやシリカなどの混合物を含むエポキシ樹脂等の遮光性を有する黒色系の樹脂である。

検知装置１０の上面側には、センサチップ２０の一部をモールド樹脂４０から露出させる開口部５０が形成されている。図２は、開口部５０を示す平面図である。図２に示すように、平面視で、すなわち、センサチップ２０の上面に垂直な方向からみたときに、開口部５０の形状は角丸正方形状である。開口部５０の平面形状は、Ｘ方向に平行な二辺と、Ｙ方向に平行な二辺とを有する。隅部の弧をなす部分の曲率半径Ｒは、例えば２５μｍ以上であり、好ましくは３０μｍ以上であり、より好ましくは４０μｍ以上であり、更に好ましくは５０μｍ以上である。また、互いに平行な二辺の間の距離Ｌは、例えば６００μｍ以下であり、好ましくは５００μｍ以下であり、より好ましくは４００μｍ以下であり、更に好ましくは３２０μｍ以下である。開口部５０の壁面は、センサチップ２０の上面にほぼ垂直な面であるが、必ずしも垂直である必要はなく、傾斜を有する面でも許容できる。開口部５０の平面形状は、モールド樹脂４０の上面における開口部５０の形状に相当する。

図３は、モールド樹脂４０を除去した状態における検知装置１０を示す平面図である。図３に示すように、センサチップ２０とＡＳＩＣチップ３０とは、それぞれ平面形状がほぼ矩形状であって、Ｘ方向に平行な二辺と、Ｙ方向に平行な二辺とを有する。センサチップ２０は、ＡＳＩＣチップ３０より小さく、ＡＳＩＣチップ３０の上面上に第２ＤＡＦ４２を介して積層されている。

センサチップ２０には、上面の開口部５０から露出される領域に、湿度検知部２１と、温度検知部（図示せず）と、加熱部（図示せず）とが設けられている。加熱部は、湿度検知部２１の下面側に、湿度検知部２１の形成領域を覆うように形成されている。すなわち、加熱部の面積は、湿度検知部２１より大きい。このように、封止部材としてのモールド樹脂４０は、湿度検知部２１及び温度検知部を露出させた状態でセンサチップ２０等を封止している。湿度検知部２１は「検知部」の一例である。センサチップ２０の下面は「第１面」の一例であり、センサチップ２０の上面は「第２面」の一例である。

また、センサチップ２０の端部には、複数のボンディングパッド（以下、単に「パッド」ということがある）２４が形成されている。パッド２４は、例えばアルミニウムやアルミニウムシリコン合金（ＡｌＳｉ）により形成されている。

ＡＳＩＣチップ３０は、信号処理及び制御用の半導体チップであって、例えば、湿度計測処理部、温度計測処理部、加熱制御部及び故障判定部を含む。ＡＳＩＣチップ３０は「半導体集積回路チップ」の一例である。

また、ＡＳＩＣチップ３０の上面においてセンサチップ２０で覆われていない領域には、複数の第１パッド３５と、複数の第２パッド３６とが設けられている。第１パッド３５及び第２パッド３６は、例えばアルミニウムやアルミニウムシリコン合金（ＡｌＳｉ）により形成されている。

第１パッド３５は、第２ボンディングワイヤ４３を介して、センサチップ２０の対応するパッド２４に接続されている。第２パッド３６は、第１ボンディングワイヤ４４を介して、対応するリード端子６２に接続されている。

製造時において、ＡＳＩＣチップ３０の実装位置は、リード端子６２を基準として決定される。センサチップ２０のＡＳＩＣチップ３０上の実装位置は、ＡＳＩＣチップ３０の位置又はリード端子６２のいずれかを基準として決定される。

検知装置１０は、センサチップ２０上における湿度検知部２１及び温度検知部の形成許容領域２５を有する。形成許容領域２５は、実装時に、ＡＳＩＣチップ３０、センサチップ２０、及び金型の間に位置ずれが最も大きく発生した場合であっても、開口部５０から確実に露出するように、開口部５０の形成領域内に設定されている。湿度検知部２１及び温度検知部は、形成許容領域２５内に形成されていれば、上記位置ずれにかかわらず、開口部５０から確実に露出する。

第１実施形態に係る検知装置１０は、上記の構成を備える。

本実施形態では、ＡＳＩＣチップ３０が第１ＤＡＦ４５を介してリードフレーム６０の上に設けられ、センサチップ２０が第２ＤＡＦ４２を介してＡＳＩＣチップ３０の上に設けられている。つまり、検知装置１０の厚さ方向において、リード端子６２とＡＳＩＣチップ３０及びセンサチップ２０とが異なる位置に配置され、かつ、リードフレーム６０とＡＳＩＣチップ３０との間に第１ＤＡＦ４５が介在している。このため、リード端子６２を大きくしても、リード端子６２とＡＳＩＣチップ３０との間の短絡を防止できる。従って、リード端子６２の第１ボンディングワイヤ４４を接続できる範囲を広く確保できる。

また、ＡＳＩＣチップ３０の下面に設けられた第１ＤＡＦ４５の下面は、リードフレーム６０及びモールド樹脂４０により覆われており、検知装置１０の下面に露出していない。このため、ＡＳＩＣチップ３０及びセンサチップ２０への検知装置１０の下面から内部への水分の侵入を抑制しやすく、センサチップ２０に対しては、開口部５０以外から侵入した水分による影響がなくなるため、湿度計測時の精度を向上させることができる。

次に、第１実施形態に係る検知装置１０の製造方法について説明する。ここでは、まず、センサチップ２０を製造するプロセスについて説明する。図４～図５は、第１実施形態におけるセンサチップ２０の製造方法を示すフローチャートである。図６～図７は、第１実施形態におけるセンサチップ２０の製造方法を示す平面図である。図８は、第１実施形態においてセンサチップ２０の製造に用いられる保護層２１０を示す平面図である。図９～図１２は、第１実施形態におけるセンサチップ２０の製造方法を示す断面図である。

まず、図６（Ａ）に示すように、複数のチップ領域２０９を備えたウェハ２００を準備する（ステップＳ１０１）。ウェハ２００は、複数のチップ領域２０９が集合したデバイス領域２０１と、その周囲の周辺領域２０２とを有する１個のチップ領域２０９から１個のセンサチップ２０が得られる。各チップ領域２０９は、湿度検知部２１、温度検知部、加熱部、電極、配線等をウェハ２００の一方の面（表面２００Ａ）に含む。ウェハ２００はオリエンテーションフラット２０８が形成されている。ウェハ２００の厚さＴ０はセンサチップ２０の厚さよりも大きく、例えば５５０μｍ～６５０μｍである。ウェハ２００の直径は、例えば６インチ（１５．２４ｃｍ）である。チップ領域２０９はほぼ矩形状の平面形状を有し、Ｘ方向に平行な二辺と、Ｙ方向に平行な二辺とを有する。例えば、Ｘ方向に平行な二辺の長さは９００μｍ～１１００μｍであり、Ｙ方向に平行な二辺の長さは６００μｍ～８００μｍである。ウェハ２００の材料は、例えばシリコン（Ｓｉ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）等である。

次に、ウェハ２００に含まれる水分を除去するためのベークを行う（ステップＳ１０２）。例えば、ベークの温度は１００℃～１５０℃であり、時間は１分間～３分間である。

次に、開口部５０を形成する位置に犠牲層となる保護層を形成する工程に入る。まず、図９（Ａ）に示すように、回転塗布により、ウェハ２００の表面２００Ａに保護層を形成するための感光性レジスト膜２１１を形成する（ステップＳ１０３）。感光性レジスト膜２１１は、例えば６００ｒｐｍ～９００ｒｐｍの回転速度で形成する。感光性レジスト膜２１１の厚さは、例えば３０μｍ～８０μｍである。感光性レジスト膜２１１の形成後にウェハ２００のエッジリンスを行う。感光性レジスト膜２１１のウェハ２００裏面への周り込が大きい場合、必要に応じて、バックリンスも行う。

次に、感光性レジスト膜２１１のプリベークを行う（ステップＳ１０４）。例えば、プリベークの温度は１００℃～１５０℃であり、時間は５分間～１０分間である。このプリベークにより、感光性レジスト膜２１１に含まれる溶媒が除去される。

なお、本実施形態では、後にセンサチップ２０となる領域の開口部５０の周囲にワイヤボンディングを行うため、ワイヤ高さを超える厚さの樹脂厚が必要であり、開口部５０の高さも同等の高さにする必要がある。しかしながら、一度の塗布ではその高さを稼ぐことが困難であるため、図９（Ｂ）に示すように、再度回転塗布により、感光性レジスト膜２１１の上に感光性レジスト膜２１２を形成する（ステップＳ１０５）。感光性レジスト膜２１２は、例えば６００ｒｐｍ～９００ｒｐｍの回転速度で形成する。感光性レジスト膜２１２の厚さは、例えば３０μｍ～８０μｍである。感光性レジスト膜２１２の形成後にウェハ２００のエッジリンスを行う。

次に、感光性レジスト膜２１２のプリベークを行う（ステップＳ１０６）。例えば、プリベークの温度は１００℃～１５０℃であり、時間は５分間～１０分間である。このプリベークにより、感光性レジスト膜２１２に含まれる溶媒が除去される。

更に、再度回転塗布により、感光性レジスト膜２１２の上に感光性レジスト膜２１２を形成する（ステップＳ１０７）。感光性レジスト膜２１３は、例えば６００ｒｐｍ～９００ｒｐｍの回転速度で形成する。感光性レジスト膜２１３の厚さは、例えば３０μｍ～８０μｍであり、感光性レジスト膜２１１及び２１２の厚さと合わせると、例えば９０μｍ～２４０μｍとなる。感光性レジスト膜２１３の形成後にウェハ２００のエッジリンスを行う。

次に、感光性レジスト膜２１３のプリベークを行う（ステップＳ１０８）。例えば、プリベークの温度は１００℃～１５０℃であり、時間は５分間～１０分間である。このプリベークにより、感光性レジスト膜２１３に含まれる溶媒が除去される。

次に、ウェハ２００のエッジリンスを行う（ステップＳ１０９）。ステップＳ１０８のプリベークの後にエッジリンスを行うことにより、中心から移動するレジストを無くした状態でエッジのレジストを除去できるためである。

次に、ウェハ２００のプリベークを行う（ステップＳ１１０）。例えば、プリベークの温度は１００℃～１５０℃であり、リンス液を飛ばす目的のためであり、時間は１分～２分程度でよい。

次に、感光性レジスト膜２１１～２１３の露光を行う（ステップＳ１１１）。露光は、センサチップ２０の上に形成される開口部５０に対応するように行う。つまり、露光は、センサチップ２０の上面に設けられている湿度検知部２１及び温度検知部を包含する領域に対応するように行う。例えば、露光にはｉ線、ｇ線又はｈ線を用いることができ、エネルギーは５００ｍＪ～５５０ｍＪとする。

次に、感光性レジスト膜２１１～２１３の現像を行う（ステップＳ１１２）。この結果、図６（Ｂ）及び図１０（Ａ）に示すように、感光性レジストの保護層２１０が各チップ領域２０９に形成される。保護層２１０は湿度検知部２１及び温度検知部を覆う。例えば、図８に示すように、平面視で、すなわち、ウェハ２００の表面２００Ａに垂直な方向からみたときに、保護層２１０の形状は角丸正方形状である。保護層２１０の平面形状は、Ｘ方向に平行な二辺と、Ｙ方向に平行な二辺とを有する。角部の弧をなす部分の曲率半径Ｒは、例えば２５μｍ以上であり、好ましくは３０μｍ以上であり、より好ましくは４０μｍ以上であり、更に好ましくは５０μｍ以上である。また、互いに平行な二辺の間の距離Ｌは、例えば６００μｍ以下であり、好ましくは５００μｍ以下であり、より好ましくは４００μｍ以下であり、更に好ましくは３２０μｍ以下である。保護層２１０の高さは、上記処理では１００μｍ～２００μｍとしているが、例えば５０μｍ～５００μｍの範囲で適宜設定可能である。

保護層２１０の材料としては、本実施形態では、ノボラック系やアクリル系、ポリイミド系等、温度を掛けていくと軟化変形する性質を持つ材料を使用する。保護層２１０の複合弾性率は２５℃で４０００ＭＰａ～６０００ＭＰａ、モールド時の１６０℃～２００℃においては１ＭＰａ～１０ＭＰａであり、ＡＳＩＣチップ３０の弾性率及びセンサチップ２０の弾性率よりも小さく、各チップのバラツキを吸収できる。保護層２１０の弾性率は、ＡＳＩＣチップ３０の弾性率及びセンサチップ２０の弾性率の、好ましくは１／１０以下であり、より好ましくは１／５０以下であり、更に好ましくは１／１００以下である。

感光性レジスト膜２１１～２１３の厚さは、リードフレーム６０、第１ＤＡＦ４５、ＡＳＩＣチップ３０、第２ＤＡＦ４２、センサチップ２０及び保護層２１０の総厚さが、後述の下型３２２の上面と上型３２１の下面との間の距離Ｌ０よりも大きくなる厚さとする。

次に、ウェハ２００の水洗及び乾燥を行う（ステップＳ１１３）。水洗には、例えば純水を用いる。乾燥には、例えばスピンドライヤーを用いる。例えば、回転速度は８００ｒｐｍ～１２００ｒｐｍとし、時間は８分間～１２分間とする。

次に、ウェハ２００のハードベークを行う（ステップＳ１１４）。例えば、ハードベークの温度は１５０℃～２００℃であり、時間は１５分間～２５分間である。このハードベークにより、ウェハ２００に残存している水分及び保護層２１０に残存している溶媒が除去される。

このようにして、表面２００Ａに複数の保護層２１０を備えたウェハ２００が得られる。複数の保護層２１０はデバイス領域２０１内に形成されている。

次に、ウェハ２００の他方の面（裏面２００Ｂ）にダイシングテープを貼り付け、加工装置に取り付ける（ステップＳ１１５）。加工装置としては、例えば株式会社ディスコのＤＦＤ６３６１を用いることができる。

次に、図７（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すように、周辺領域２０２内でウェハ２００を環状に切断する（ステップＳ１１６）。この結果、周辺領域２０２がウェハ２００の半径方向で二分される。切断後の外側の部分は除去される。この切断では、切断後のウェハ２００の縁の接線が、オリエンテーションフラット２０８と一致するようにしてもよい。つまり、切断後のウェハ２００の縁が、オリエンテーションフラット２０８上に位置するようにしてもよい。また、切断後のウェハ２００の縁が、オリエンテーションフラット２０８よりもウェハ２００の中心側に位置するようにしてもよい。

次に、ダイシングテープに紫外線を照射することで接着力を低下させ、ウェハ２００を加工装置から取り出す（ステップＳ１１７）。この結果、図７（Ｂ）及び図１１に示すように、周辺領域２０２の一部が除去されたウェハ２００が得られる。

次に、ウェハ２００の表面２００Ａに複数の保護層２１０の上から、複数の保護層２１０を覆うようにＢＧテープ２２０を貼り付ける（ステップＳ１１８）。この時、ＢＧテープ２２０は、ウェハ２００の全周にわたって周辺領域２０２に接触させる。ＢＧテープ２２０と周辺領域２０２との間に隙間があると、裏面研削（Ｂａｃｋ Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）時に切削水がウェハ２００の表面２００Ａに侵入するおそれがある。

次に、図１２に示すように、ＢＧテープ２２０をステージ２３０側に向けて、ウェハ２００をステージ２３０に固定し、研削装置２４０を用いてウェハ２００の裏面２００Ｂを研削する（ステップＳ１１９）。この裏面研削は、研削装置２４０をウェハ２００に押し付けながら行う。ウェハ２００の研削後の厚さＴ１は、センサチップ２０の厚さと同等であり、例えば２００μｍ～４００μｍである。

ステップＳ１１６において周辺領域２０２の一部が除去されているため、ステップＳ１１９の裏面研削では、ウェハ２００の撓みが抑制される。このため、研削装置２４０からウェハ２００に作用する圧力が面内で略均一になる。従って、裏面２００Ｂの研削後のウェハ２００の厚さは優れた面内均一性を有する。

次に、ＢＧテープ２２０に紫外線を照射することで接着力を低下させ、ウェハ２００からＢＧテープ２２０を剥がす（ステップＳ１２０）。

次に、ウェハ２００を複数のチップ領域２０９に個片化する（ステップＳ１２１）。

このようにして、複数の保護層２１０を備えたセンサチップ２０が製造される。

なお、保護層２１０を感光性レジスト膜２１１～２１３から形成しているが、１つ又は２つの感光性レジスト膜から保護層２１０を形成してもよく、４つ以上の感光性レジスト膜から保護層２１０を形成してもよい。

次に、保護層２１０を備えたセンサチップ２０と、ＡＳＩＣチップ３０とを用いて検知装置１０を製造するプロセスについて説明する。図１３～図１６は、第１実施形態に係る検知装置１０の製造方法を示す断面図である。

まず、図１３（Ａ）に示すように、ダイパッド６１及び複数のリード端子６２を備えたリードフレーム６０を準備する。リードフレーム６０は複数のチップ搭載領域６３を備えており、チップ搭載領域６３毎にダイパッド６１及び複数のリード端子６２が設けられている。次に、チップ搭載領域６３毎に、ダイパッド６１と、リード端子６２の内側の先端部との上に、第１ＤＡＦ４５を介してＡＳＩＣチップ３０を固着する。なお、実際には多数のチップ搭載領域６３がリードフレーム６０に設けられ、多数のＡＳＩＣチップ３０がダイパッド６１上に固着されるが、図１３（Ａ）では、簡略化のため、２つのチップ搭載領域６３及びセンサチップ２０のみを示している。ＡＳＩＣチップ３０は、センサチップ２０とは別に製造しておく。例えば、ＡＳＩＣチップ３０の下面に第１ＤＡＦ４５を貼り付けておき、第１ＤＡＦ４５をダイパッド６１と、リード端子６２の内側の先端部とに接着する。

次に、図１３（Ｂ）に示すように、各ＡＳＩＣチップ３０の上面上に、湿度検知部２１及び温度検知部を覆う保護層２１０を備えたセンサチップ２０を、第２ＤＡＦ４２を介して固着する。つまり、チップ搭載領域６３毎に、保護層２１０が設けられたセンサチップ２０を、下面をＡＳＩＣチップ３０に対向させてＡＳＩＣチップ３０の上に第２ＤＡＦ４２を介して設ける。例えば、センサチップ２０の下面に第２ＤＡＦ４２を貼り付けておき、第２ＤＡＦ４２をＡＳＩＣチップ３０に接着する。そして、オーブン等を用いて第１ＤＡＦ４５及び第２ＤＡＦ４２を加熱して硬化させる。

次に、図１４（Ａ）に示すように、チップ搭載領域６３毎に、各ＡＳＩＣチップ３０上の第２パッド３６とリード端子６２との間を第１ボンディングワイヤ４４で接続し、各センサチップ２０上のパッド２４とＡＳＩＣチップ３０上の第１パッド３５との間を、第２ボンディングワイヤ４３で接続する。例えば、第１ボンディングワイヤ４４は、リード端子６２上でボールボンディングした後、第２パッド３６上でウェッジボンディングする。リード端子６２の上に第１ボンディングワイヤ４４のワイヤバンプ４４Ａが形成される。また、例えば、第２ボンディングワイヤ４３は、第１パッド３５上でボールボンディングした後、パッド２４上でウェッジボンディングする。第１パッド３５の上に第２ボンディングワイヤ４３のワイヤバンプ４３Ａが形成される。このような順序でワイヤボンディングを行うことで、ＡＳＩＣチップ３０の上面を基準とした第１ボンディングワイヤ４４の頂部の高さを低く抑えることができ、センサチップ２０の上面を基準とした第２ボンディングワイヤ４３の頂部の高さを低く抑えることができる。以下、図１４（Ａ）に示す構成を、被成形品３１０ということがある。

次に、図１４（Ｂ）に示すように、上型３２１と下型３２２とからなる金型３２０を用意し、下型３２２の上に被成形品３１０を載置する。金型３２０は、トランスファモールド法による樹脂封止用の金型である。上型３２１の内面に離型フィルム３３０が設けられている。離型フィルム３３０は、上型３２１の内面全体を覆う面積を有する。また、離型フィルム３３０は、樹脂成型時の加熱温度に耐え得る耐熱性と、モールド樹脂４０及び金型３２０から容易に剥離することが可能な剥離性を有する。離型フィルム３３０は、例えば、ＥＴＦＥ（エチレン－テトラフロロエチレン）によって形成されている。離型フィルム３３０の２５℃における貯蔵弾性率は７００ＭＰａ～９００ＭＰａであり、損失弾性率は１０ＭＰａ～３０ＭＰａである。離型フィルム３３０の１８０℃における貯蔵弾性率は１０ＭＰａ～３０ＭＰａであり、損失弾性率は１．０ＭＰａ～３．０ＭＰａである。

次に、図１５（Ａ）に示すように、上型３２１を、離型フィルム３３０を介して下型３２２に当接させる。このとき、下型３２２の上面と上型３２１の下面との間の距離Ｌ０は、検知装置１０の厚さに予め設定されている。このとき、離型フィルム３３０が保護層２１０に接触し、上型３２１と下型３２２とにより被成形品３１０が厚さ方向に押圧される。この結果、リードフレーム６０、ＡＳＩＣチップ３０及びセンサチップ２０よりも弾性率が低い第１ＤＡＦ４５、第２ＤＡＦ４２及び保護層２１０が圧縮方向に弾性変形する。

このように上型３２１と下型３２２とを離型フィルム３３０を介して閉じた状態として、金型３２０を加熱し、金型３２０の内部空間へ、矢印３３１で示すように供給路を介してモールド樹脂４０を流し込む。これにより、センサチップ２０、ＡＳＩＣチップ３０、第２ボンディングワイヤ４３、第１ボンディングワイヤ４４及びリードフレーム６０がモールド樹脂４０で封止される。つまり、被成形品３１０を厚さ方向で押圧しながら金型３２０内の空間に樹脂を注入し、複数のチップ搭載領域６３に対して一括してモールド樹脂４０を形成する。金型３２０の加熱温度は、例えば１６０℃～２００℃とする。

モールド樹脂４０が固化した後、図１５（Ｂ）に示すように、上型３２１を下型３２２から分離する。上型３２１が下型３２２から分離されると、保護層２１０の圧縮が解かれる。一方、モールド樹脂４０が固化しているため、上型３２１が下型３２２から分離されても、第１ＤＡＦ４５及び第２ＤＡＦ４２は圧縮されたままである。つまり、第１ＤＡＦ４５及び第２ＤＡＦ４２は弾性変形したままである。そして、金型３２０から、モールド樹脂４０により封止された、保護層２１０を備えたセンサチップ２０、ＡＳＩＣチップ３０、第２ボンディングワイヤ４３、第１ボンディングワイヤ４４及びリードフレーム６０を取り出す。更に、離型フィルム３３０をモールド樹脂４０及び保護層２１０から剥離する。

次に、図１６（Ａ）に示すように、保護層２１０を除去する。保護層２１０は、例えばアッシングにより除去できる。保護層２１０が配置されていた部分に、湿度検知部２１及び温度検知部が露出する開口部５０がチップ搭載領域６３毎に形成される。アッシング以外にも、保護層２１０の材料により液剤を用いての除去も可能である。

そして、図１６（Ｂ）に示すように、モールド樹脂４０及びリードフレーム６０を切断する。つまり、モールド樹脂４０及びリードフレーム６０をチップ搭載領域６３毎に個片化する。

このようにして、複数の検知装置１０が製造される。

本実施形態では、金型３２０により第１ＤＡＦ４５、第２ＤＡＦ４２及び保護層２１０が厚さ方向で圧縮される。そして、この状態で金型３２０の内部空間に樹脂を注入して、モールド樹脂４０を形成する。このため、リードフレーム６０、ＡＳＩＣチップ３０及びセンサチップ２０の厚さが設計値からずれていたとしても、第１ＤＡＦ４５、第２ＤＡＦ４２及び保護層２１０が緩衝材として機能し、ばらつき（厚さのずれ）を吸収し、検知装置の厚さを設計値通りとしつつ、ＡＳＩＣチップ３０及びセンサチップ２０に作用する圧縮応力を抑制することができる。従って、リードフレーム６０、ＡＳＩＣチップ３０及びセンサチップ２０の厚さの設計値からずれが重畳したとしても、トランスファモールド法による封止時のＡＳＩＣチップ３０及びセンサチップ２０の割れを抑制することができる。

また、本実施形態では、保護層２１０の平面形状は角丸正方形状である。このため、保護層２１０の平面形状が正方形状である場合と比較して、モールド時に保護層２１０の側面に作用する応力を分散させやすい。従って、モールド時の保護層２１０の変形を抑制し、所望の形状の開口部５０を形成しやすい。

また、検知装置１０が、はんだ等のリフローを経て実装基板に実装される場合、リフロー時に高温環境下に晒されるが、開口部５０の平面形状が角丸正方形状であることで、隅部における熱応力の集中を緩和することができる。このため、熱応力の集中に伴う、開口部５０を起点とするモールド樹脂４０のクラックの発生を抑制することができる。

なお、開口部５０及び保護層２１０の平面形状が角丸正方形状である必要はなく、Ｘ方向に平行な二辺の間の距離と、Ｙ方向に平行な二辺の間の距離とが相違していてもよい。この場合、両距離の間で短い方の距離が、例えば６００μｍ以下であり、好ましくは５００μｍ以下であり、より好ましくは４００μｍ以下であり、更に好ましくは３２０μｍ以下である。この場合も、隅部の弧をなす部分の曲率半径Ｒは、例えば２５μｍ以上であり、好ましくは３０μｍ以上であり、より好ましくは４０μｍ以上であり、更に好ましくは５０μｍ以上である。曲率半径Ｒが大きいほど、保護層２１０の側面に作用する応力を分散させやすく、開口部５０の隅部での応力集中を緩和させやすい。

その一方で、隅部の弧をなす部分の曲率半径Ｒが大きいほど、開口部５０の開口面積が小さくなる。このため、弧をなす部分の曲率半径Ｒは、互いに平行な二辺の間の距離のうちで最も短い距離の５０％未満であり、好ましくは３０％以下であり、より好ましくは２０％以下であり、更に好ましくは１０％以下である。

ここで、本願発明者らが作製した種々の試料における開口部の観察結果について説明する。本願発明者らは、平面形状が相違する保護層を用いて６種類の試料を作製し、開口部の観察を行った。各保護層の平面形状は正方形状又は角丸正方形状とし、互いに平行な二辺の間の距離は３１８μｍとした。この結果を図１７に示す。図１７は、モールド樹脂に形成した開口部の観察結果を示す模式図である。

図１７（ａ）は、保護層の平面形状を正方形状とした場合、つまり４隅の曲率半径Ｒを０μｍとした場合の開口部を示す。開口部の平面形状は正方形状から大きく変形していた。

図１７（ｂ）は、保護層の平面形状を、４隅の曲率半径Ｒが１５μｍの角丸正方形状とした場合の開口部を示す。図１７（ａ）と比較すると、開口部の平面形状は保護層の平面形状に近くなっていた。

図１７（ｃ）は、保護層の平面形状を、４隅の曲率半径Ｒが２３μｍの角丸正方形状とした場合の開口部を示す。図１７（ｂ）と比較すると、開口部の平面形状は保護層の平面形状に近くなっていた。

図１７（ｄ）は、保護層の平面形状を、４隅の曲率半径Ｒが３０μｍの角丸正方形状とした場合の開口部を示す。開口部の平面形状と保護層の平面形状との間に高い一致度が得られた。

図１７（ｅ）は、保護層の平面形状を、４隅の曲率半径Ｒが４０μｍの角丸正方形状とした場合の開口部を示す。開口部の平面形状と保護層の平面形状との間に高い一致度が得られた。

図１７（ｆ）は、保護層の平面形状を、４隅の曲率半径Ｒが５０μｍの角丸正方形状とした場合の開口部を示す。開口部の平面形状と保護層の平面形状との間に高い一致度が得られた。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、主として保護層の平面形状及び開口部の平面形状の点で第１実施形態と相違する。図１８は、第２実施形態においてセンサチップ２０の製造に用いられる保護層２１０を示す平面図である。

第２実施形態では、図１８に示すように、平面視で、すなわち、ウェハ２００の表面２００Ａに垂直な方向からみたときに、センサチップ２０の製造に用いられる保護層２１０の形状が角丸正六角形状である。

そして、このような保護層２１０を用いて形成される開口部５０の平面形状も角丸六角形状となる。

その他の構成は第１実施形態と同様である。

第２実施形態によっても第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第３実施形態）
次に、第３実施形態について説明する。第３実施形態は、主としてセンサチップ２０とＡＳＩＣチップ３０との間の位置関係の点で第１実施形態と相違する。図１９は、第３実施形態に係る検知装置の構成を示す断面図である。

第３実施形態に係る検知装置３００では、図１９に示すように、センサチップ２０がＡＳＩＣチップ３０上ではなく、ダイパッド６１上に第２ＤＡＦ４２を介して積層されている。センサチップ２０はＡＳＩＣチップ３０に並んでダイパッド６１上に配置されている。そして、センサチップ２０、ＡＳＩＣチップ３０と、複数の第１ボンディングワイヤ４４と、複数の第２ボンディングワイヤ４３と、リードフレーム６０とが、モールド樹脂４０により封止されてパッケージ化されている。モールド樹脂４０には、第１実施形態と同様に、開口部５０が形成されている。

他の構成は第１実施形態と同様である。

第３実施形態によっても、第１実施形態と同様に、モールド時の保護層２１０の変形を抑制し、所望の形状の開口部５０を形成しやすい。検知装置３００が、はんだ等のリフローを経て実装基板に実装される場合、熱応力の集中に伴う、開口部５０を起点とするモールド樹脂４０のクラックの発生を抑制することができる。

（第４実施形態）
次に、第４実施形態について説明する。第４実施形態は、主としてセンサチップ２０とＡＳＩＣチップ３０との間の位置関係の点で第１実施形態と相違する。図２０は、第４実施形態に係る検知装置の構成を示す断面図である。

第４実施形態に係る検知装置４００では、図２０に示すように、センサチップ２０がＡＳＩＣチップ３０に一体化されている。いわば、センサチップ２０はＡＳＩＣチップ３０に内蔵されている。一体化したセンサチップ２０及びＡＳＩＣチップ３０を１つのセンサチップとみなし、ＡＳＩＣチップ３０の部分に、センサチップ２０の周辺回路が設けられているとみなすこともできる。そして、センサチップ２０、ＡＳＩＣチップ３０と、複数の第１ボンディングワイヤ４４と、複数の第２ボンディングワイヤ４３と、リードフレーム６０とが、モールド樹脂４０により封止されてパッケージ化されている。モールド樹脂４０には、第１実施形態と同様に、開口部５０が形成されている。

他の構成は第１実施形態と同様である。

第４実施形態によっても、第１実施形態と同様に、モールド時の保護層２１０の変形を抑制し、所望の形状の開口部５０を形成しやすい。検知装置３００が、はんだ等のリフローを経て実装基板に実装される場合、熱応力の集中に伴う、開口部５０を起点とするモールド樹脂４０のクラックの発生を抑制することができる。

上述のように、本開示の検知装置は、例えば実装基板に実装されて使用される。この場合、例えば、検知装置を準備し、その後に、はんだ等の接合材のリフローにより検知装置を実装基板の上に実装することで、検知システムを得ることができる。リフローの際に、検知装置が高温環境下に晒されるが、開口部の平面形状が角丸多角形状であることで、隅部における熱応力の集中を緩和することができる。このため、熱応力の集中に伴う、開口部を起点とするモールド樹脂のクラックの発生を抑制することができる。

以上、好ましい実施の形態について説明したが、上述した実施の形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

１０：検知装置
２０：センサチップ
２１：湿度検知部
３０：ＡＳＩＣチップ
４０：モールド樹脂
４２、４５：ＤＡＦ
５０：開口部
６０：リードフレーム
２１０：保護層
２１１、２１２、２１３：感光性レジスト膜

Claims (18)

1. リードフレームと、
   前記リードフレームの上に設けられた半導体集積回路チップと、
   第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有し、前記第２面に検知部が設けられ、前記第１面を前記第２面よりも前記リードフレームに近く位置させて前記リードフレームの上方に設けられたセンサチップと、
   前記リードフレーム、前記半導体集積回路チップ及び前記センサチップを封止するモールド樹脂と、
   を有し、
   前記センサチップは、前記半導体集積回路チップに電気的に接続され、
   前記モールド樹脂には、前記検知部が露出する開口部が形成され、
   前記第２面に垂直な方向からみたときに、前記開口部の形状は角丸多角形状である検知装置。
2. 前記第２面に垂直な方向からみたときに、
   前記開口部の形状は角丸長方形状であり、
   弧をなす部分の曲率半径は、互いに平行な二辺の間の距離のうちで最も短い距離の５０％未満である請求項１に記載の検知装置。
3. 前記曲率半径は２５μｍ以上である請求項２に記載の検知装置。
4. 前記互いに平行な二辺の間の距離のうちで最も長い距離は６００μｍ以下である請求項２又は３に記載の検知装置。
5. 前記センサチップは、前記第１面を前記半導体集積回路チップに対向させて前記半導体集積回路チップの上に設けられている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の検知装置。
6. 前記リードフレームと前記半導体集積回路チップとの間に設けられ、弾性を有する第１絶縁膜と、
   前記半導体集積回路チップと前記センサチップとの間に設けられた第２絶縁膜と、
   を有する請求項５に記載の検知装置。
7. 前記センサチップは、前記半導体集積回路チップと並んで前記リードフレームの上に設けられている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の検知装置。
8. 前記センサチップは、前記半導体集積回路チップと一体化されている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の検知装置。
9. リードフレームの上に半導体集積回路チップを設け、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有し、前記第２面に検知部が設けられ、前記検知部を覆う保護層が形成されたセンサチップを、前記第１面を前記第２面よりも前記リードフレームに近く位置させて前記リードフレームの上方に設ける工程と、
   金型により前記保護層を押圧しながら前記金型内の空間に樹脂を注入して、前記リードフレーム、前記半導体集積回路チップ及び前記センサチップを封止するモールド樹脂を形成する工程と、
   前記モールド樹脂を形成した後に、前記保護層を除去して、前記モールド樹脂に前記検知部が露出する開口部を形成する工程と、
   を有し、
   前記第２面に垂直な方向からみたときに、前記保護層の形状は角丸多角形状である検知装置の製造方法。
10. 前記第２面に垂直な方向からみたときに、
    前記開口部の形状は角丸長方形状であり、
    弧をなす部分の曲率半径は、互いに平行な二辺の間の距離のうちで最も短い距離の５０％未満である請求項９に記載の検知装置の製造方法。
11. 前記曲率半径は２５μｍ以上である請求項１０に記載の検知装置の製造方法。
12. 前記互いに平行な二辺の間の距離のうちで最も長い距離は６００μｍ以下である請求項１０又は１１に記載の検知装置の製造方法。
13. 前記保護層の弾性率は、前記半導体集積回路チップの弾性率及び前記センサチップの弾性率よりも小さい請求項９乃至１２のいずれか１項に記載の検知装置の製造方法。
14. 前記センサチップは、前記第１面を前記半導体集積回路チップに対向させて前記半導体集積回路チップの上に設けられる請求項９乃至１３のいずれか１項に記載の検知装置の製造方法。
15. 前記半導体集積回路チップは第１絶縁膜を介して前記リードフレームの上に設けられ、
    前記センサチップは第２絶縁膜を介して前記半導体集積回路チップの上に設けられる請求項１４に記載の検知装置の製造方法。
16. 前記センサチップは、前記半導体集積回路チップと並んで前記リードフレームの上に設けられる請求項９乃至１３のいずれか１項に記載の検知装置の製造方法。
17. 前記センサチップは、前記半導体集積回路チップと一体化されている請求項９乃至１３のいずれか１項に記載の検知装置の製造方法。
18. 請求項１乃至８のいずれか１項に記載の検知装置を準備する工程と、
    接合材のリフローにより前記検知装置を実装基板の上に実装する工程と、
    を有する検知システムの製造方法。

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