JP2023144980A - 波長可変干渉フィルター - Google Patents

Abstract

【課題】所望の目標波長の光を高精度に出力することが可能な波長可変干渉フィルターを提供する。
【解決手段】波長可変干渉フィルターは、第一基板と、所定間隔を介して第一基板に対向する第二基板と、第一基板に設置された第一反射膜と、第二基板に設置され第一間隔を介して第一反射膜に対向する第二反射膜と、第一基板及び第二基板の間に配置された連結部と、第一間隔を変更する駆動部と、を備え、連結部は、第一基板に対向する第一対向面の一部が第一基板に接続され、連結部の第一対向面のうち第一基板に接続されていない部分は、第一基板に対して第二間隔を介して対向する変位部を構成し、変位部の第二基板に対向する第二対向面の一部が第二基板に接続され、駆動部は、変位部を撓ませることで第二間隔を変化させて、第一間隔を変更する。
【選択図】図２

Description

本発明は、波長可変干渉フィルターに関する。

従来、対向配置された一対のミラーを有し、ミラー間の寸法を変更可能な波長可変干渉フィルターが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載の波長可変干渉フィルターは、反射層が設けられた一対の光学基板をそれぞれホルダーに保持し、これらのホルダーの圧電素子により接続する。一対の反射層は、ギャップを介して対向配置され、圧電素子に電圧を印加することで、一対の反射層の間のギャップ寸法が変化する。これにより、各光学基板の撓みを抑制しつつ、一対の反射層を透過する光の波長を変化させることが可能となる。

特開２００２－２７７７５８号公報

しかしながら、特許文献１のように、ホルダー間に圧電素子を配置し、この圧電素子に電圧を印加することで反射層間のギャップ寸法を変化させる構成では、ギャップ寸法の変化量に限界がある。これに対し、ギャップ寸法の変化量を大きくするために、圧電素子の厚み寸法を大きくすることも考えられる。しかしながら、厚みの大きい圧電素子を高精度に形成することは困難であり、寸法精度が悪い圧電素子を用いると基板に歪みや傾斜が生じてしまう。このように基板に歪みや傾斜が生じると、一対のミラーの平行度が悪くなり、波長可変干渉フィルターを透過する光の波長が面内でばらついたり、目標波長の光以外の光も波長可変干渉フィルターを透過したりし、目標波長の光を精度よく透過させることができない。

本開示の第一態様に係る波長可変干渉フィルターは、第一基板と、所定の間隔を介して前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板に設置された第一反射膜と、前記第二基板に設置され、所定の第一間隔を介して前記第一反射膜に対向する第二反射膜と、前記第一基板及び前記第二基板の間に配置され、前記第一基板に対向する第一対向面、及び前記第二基板に対向する第二対向面を有する連結部と、前記第一間隔を変更する駆動部と、を備え、前記連結部は、前記第一対向面の一部が前記第一基板に接続され、前記第一基板から前記第二基板に向かう厚み方向から見て、前記連結部の前記第一対向面のうち前記第一基板に接続されていない部分は、前記第一基板に対して所定の第二間隔を介して対向する変位部を構成し、前記変位部の前記第二対向面の一部は、前記第二基板に接続され、前記駆動部は、前記変位部を撓ませることで前記第二間隔を変化させて、前記第一間隔を変更する。

第一実施形態における波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図。 図１のＡ－Ａ線で波長可変干渉フィルターを切断した際の断面図。 第一実施形態における第二基板を除いた波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図。 第一実施形態における第一基板の概略構成を示す平面図。 第一実施形態における第二基板の概略構成を示す平面図。 第一実施形態において連結部近傍を拡大した拡大断面図。 駆動部により連結部を撓ませた際の連結部の近傍の拡大断面図。 本実施形態における波長可変干渉フィルターの製造方法におけるフローチャート。 第一基板形成ステップの概略を示す図。 第二基板形成ステップの概略を示す図。 連結部形成ステップの概略を示す図。 接合ステップの概略を示す図。 第二実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す断面図。 第三実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図。 図１４の波長可変干渉フィルターをＡ－Ａ線で切断した際の断面図。 第四実施形態における波長可変干渉フィルターの連結部の近傍を示す概略断面図。 第五実施形態における波長可変干渉フィルターの連結部の近傍を示す概略断面図。 第六実施形態における波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図。 第六実施形態の波長可変干渉フィルターの連結部の近傍の拡大断面図。 第七実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図。 第八実施形態における分光カメラの概略構成を示す図。 変形例１に係る波長可変干渉フィルターの連結部の近傍を示す概略断面図。

［第一実施形態］
以下、第一実施形態の波長可変干渉フィルターについて説明する。
［1.波長可変干渉フィルターの全体構成］
図１は、第一実施形態の波長可変干渉フィルター１の概略構成を示す平面図であり、図２は、当該波長可変干渉フィルター１をＡ－Ａ線で切断した場合の断面図である。
波長可変干渉フィルター１は、図１及び図２に示すように、第一基板１０、第二基板２０、連結部３０、及び駆動部４０を備えて構成されている。
第一基板１０及び第二基板２０は、互いに対向するように平行に配置されている。連結部３０は、これらの第一基板１０及び第二基板２０の間に配置され、第一基板１０及び第二基板２０を連結する。駆動部４０は、第一基板１０と連結部３０との間に設けられ、連結部３０を変形させることで第二基板２０と第一基板１０に向かって進退させる。
以下、このような波長可変干渉フィルター１の各構成について詳細に説明する。
また、以降の説明にあたり、第一基板１０から第二基板２０に向かう方向をＺ方向とし、Ｚ方向に直交する一方向をＸ方向とし、Ｚ方向及びＸ方向に直交する方向をＹ方向として説明する。Ｚ方向は本開示の厚み方向に相当する。

［２．第一基板の構成］
図３は、図１において第二基板２０を取り除いた場合の波長可変干渉フィルター１の平面図である。また、図４は、＋Ｚ側から－Ｚ側に向かって見た場合の第一基板１０の平面図である。
第一基板１０は、波長可変干渉フィルターを透過させる光の波長域に応じた基板材料を用いることができる。例えば、本実施形態では、波長可変干渉フィルター１により近赤外域から赤外域の光から所定波長の光を透過させる。この場合、近赤外域から赤外域の光を透過可能な素材により第一基板１０を形成でき、例えば、本実施形態では、Ｓｉ基板により第一基板１０を形成する。なお、波長可変干渉フィルター１により可視光域の光を透過させる場合では、ガラスなどの素材により第一基板１０を形成すればよい。
第一基板１０の平面視における外形形状は特に限定されないが、製造工程上、素材となる基板からレーザーカット等によりチップ単位の第一基板１０を切り出す場合、矩形状に形成されていることが好ましい。
また、第一基板１０の厚みも特に限定されず、第一基板１０上に形成される第一反射膜５１等の膜応力により撓みが生じない程度の厚みを有していればよい。
ここで、第一基板１０のうち、第二基板に対向する面を第一基板面１１と称し、第一基板面１１とは反対側の面を第一背面１２と称する。第一基板面１１と第一背面１２とは平行であり、第一基板１０の後述する凹溝１３が形成されていない部分において、第一基板面１１から第一背面１２までの距離が均一となる。つまり第一基板１０は均一な厚みに形成されている。

第一基板１０は、図２から図４に示すように、第一基板面１１に、例えばエッチング等により形成された凹溝１３が設けられている。
この凹溝１３は、第一基板１０の中央部に設けられる第一溝部１３１と、第一溝部１３１から＋Ｙ側に伸びる第二溝部１３２と、第一溝部１３１の＋Ｘ側に配置される第三溝部１３３と、電装部１３４と、を含む。

第一溝部１３１は、第一基板１０の中央部を囲う矩形枠状に形成されている。第一基板面１１において第一溝部１３１に囲われる領域は、第一反射膜５１が設けられる第一反射膜領域１４を構成する。つまり、第一溝部１３１は、第一反射膜領域１４の－Ｘ側に配置されるＹ方向に長手となる－Ｘ側第一溝部１３１Ａ、第一反射膜領域１４の＋Ｘ側に配置されてＹ方向に長手となる＋Ｘ側第一溝部１３１Ｂ、第一反射膜領域１４の－Ｙ側に配置されてＸ方向に長手となる－Ｙ側第一溝部１３１Ｃ、及び第一反射膜領域１４の＋Ｙ側に配置されてＸ方向に長手となる＋Ｙ側第一溝部１３１Ｄを含む。

また、第一溝部１３１は、溝幅が均一となるように構成されている。
つまり、－Ｘ側第一溝部１３１Ａは、第一反射膜領域１４と、第一基板１０の－Ｘ側端縁に沿って設けられる第一架橋部１４１との間に設けられる。－Ｘ側第一溝部１３１Ａに沿う第一反射膜領域１４の－Ｘ側端縁、及び、第一架橋部１４１の＋Ｘ側端縁は、Ｙ方向に平行な直線であり、－Ｘ側第一溝部１３１Ａの溝幅はＷとなる。
＋Ｘ側第一溝部１３１Ｂは、第一反射膜領域１４と、後述する第二架橋部１４２との間に設けられる。＋Ｘ側第一溝部１３１Ｂに沿う第一反射膜領域１４の＋Ｘ側端縁、及び、第二架橋部１４２の－Ｘ側端縁は、Ｙ方向に平行な直線であり、＋Ｘ側第一溝部１３１Ｂの溝幅はＷとなる。
－Ｙ側第一溝部１３１Ｃは、第一反射膜領域１４と、第一基板１０の－Ｙ側端縁に沿って設けられる第三架橋部１４３との間に設けられる。－Ｙ側第一溝部１３１Ｃに沿う第一反射膜領域１４の－Ｙ側端縁、及び、第三架橋部１４３の＋Ｙ側端縁は、Ｙ方向に平行な直線であり、－Ｙ側第一溝部１３１Ｃの溝幅はＷとなる。
＋Ｙ側第一溝部１３１Ｄは、第一反射膜領域１４と、後述する第四架橋部１４４との間に設けられる。＋Ｙ側第一溝部１３１Ｄに沿う第一反射膜領域１４の＋Ｙ側端縁、及び、第四架橋部１４４の－Ｙ側端縁は、Ｙ方向に平行な直線であり、＋Ｙ側第一溝部１３１Ｄの溝幅はＷとなる。

また、第一溝部１３１の溝底面はＸＹ平面と平行な面、つまり第一基板面１１と平行な面となり、絶縁層１９を介して駆動部４０を構成する第一駆動電極４１が設置されている。第一駆動電極４１の詳細については後述する。

第二溝部１３２は、第一溝部１３１の±Ｘ側端部から＋Ｙ側に伸び、第一基板１０の＋Ｙ側端縁に沿って設けられる電装部１３４に接続される部分である。この第二溝部１３２には、第一溝部１３１の溝底面に設置された第一駆動電極４１に接続される第一引出電極４１１が配置される。

第二溝部１３２及び電装部１３４が設けられることで、第一反射膜領域１４の＋Ｙ側に、第一溝部１３１を挟んで、第四架橋部１４４が形成される。第四架橋部１４４の第一基板面１１は、第一反射膜領域１４、第一架橋部１４１、第二架橋部１４２、及び第三架橋部１４３の第一基板面１１と同一平面となる。第四架橋部１４４の一部は、第一基板１０の＋Ｙ側端縁まで延設されており、この延設部１４４Ａは、後述する導電性を有する連結部３０の第二引出電極４２１が設置される部位となる。
なお、本実施形態では、図４に示すように、第一溝部１３１の±Ｘ側にそれぞれ第二溝部１３２が設けられ、かつ、電装部１３４が、基板中心を通り、Ｙ方向に平行な軸線に対して線対称となるように配置される例を示すが、これに限定されない。例えば、＋Ｘ側の電装部１３４のＸ方向に沿う長さと、－Ｘ側の電装部１３４のＸ方向に沿う長さとが異なっていてもよい。第四架橋部１４４の延設部１４４Ａは、－Ｘ側の電装部１３４と、＋Ｘ側の電装部１３４との間により形成されるため、上記のように、各電装部１３４の長さが異なる場合、これに応じて、延設部１４４Ａの位置も変化する。

第三溝部１３３は、第一溝部１３１の－Ｙ側端部から＋Ｘ側に伸び、さらに、＋Ｙ側に向かって電装部１３４まで伸びる溝である。
この第三溝部１３３は、第二溝部１３２と同様、第一引出電極４１１が設置される溝部である。つまり、本実施形態では、矩形枠状の第一溝部１３１の４辺にそれぞれ独立した第一駆動電極４１が配置されている。このうち、－Ｘ側、＋Ｘ側、＋Ｙ側に配置される第一駆動電極４１の第一引出電極４１１は、第二溝部１３２に沿って電装部１３４まで引き出される。－Ｙ側に配置される第一駆動電極４１に接続される第一引出電極４１１は、第三溝部１３３を通って電装部１３４まで引き出される。
なお、詳細は後述するが、本実施形態では、第二基板２０は、第一基板１０と同様Ｓｉ基板により形成される。この場合、第三溝部１３３に配置される第一引出電極４１１と第二基板２０との間に静電引力が作用するおそれがある。このため、本実施形態では、第三溝部１３３は、第一溝部１３１及び第二溝部１３２よりも溝深さが深く形成されている。

そして、第三溝部１３３が設けられることで、第一溝部１３１と、第三溝部１３３との間に、Ｙ方向に沿って長手となる第二架橋部１４２が形成される。この第二架橋部１４２の第一基板面１１は、第一反射膜領域１４の第一基板面１１と同一平面となる。

なお、本実施形態では、第三溝部１３３は、第一溝部１３１の＋Ｘ側に設けられる例を示すが、これに限定されない。例えば、第三溝部１３３は、第一溝部１３１の－Ｙ側端部から－Ｘ側に伸び、さらに、＋Ｙ側に向かって電装部１３４まで伸びる溝、つまり、第一溝部１３１の－Ｘ側に配置される溝としてもよい。

電装部１３４は、上述したように、各第一駆動電極４１に接続された第一引出電極４１１が引き出される部分である。
また、上述したように、第一基板１０の＋Ｙ側端部は、第二基板２０の＋Ｙ側端部よりも突出し、この突出部に電装部１３４が配置されている。このため、電装部１３４に引き出された各第一引出電極４１１は、それぞれ＋Ｚ側に露出しており、各第一引出電極４１１に対して、例えばリード線やＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）等を接続することが可能となる。
なお、本実施形態では、電装部１３４の表面に第一引出電極４１１が設けられ、第四架橋部１４４の延設部１４４Ａに第二引出電極４２１が設けられ、＋Ｚ側からリード線やＦＰＣをこれらの引出電極４１１，４２１に接続する構成を例示するが、これに限定されない。例えば、電装部１３４の第一引出電極４１１の形成位置や、延設部１４４Ａの第二引出電極４２１の形成位置に、第一基板１０を貫通する貫通電極を設け、第一基板１０の第一背面１２側に貫通電極に導通する電極パッドを設ける構成としてもよい。この場合、第一基板１０の第一背面１２側に、リード線やＦＰＣを接続すればよい。

第一基板１０の第一基板面１１には、均一な厚みの絶縁層１９が設けられている。そして、第一基板１０の第一基板面１１には、絶縁層１９を介して第一反射膜５１及び第一駆動電極４１、及び第一引出電極４１１が設けられている。なお、本実施形態では、第一基板１０としてＳｉ基板を用いるため、絶縁層１９を形成しているが、例えば、ガラス等の絶縁体により第一基板１０を形成する場合では、絶縁層の形成は不要となる。

第一反射膜５１は、上述のように、第一反射膜領域１４に、絶縁層１９を介して設置されている。第一反射膜５１は、例えばＡｇ等の金属膜や、Ａｇ合金等の合金膜、高屈折層（例えばＴｉＯ_２）及び低屈折層（例えばＳｉＯ_２）を積層した誘電体多層膜等を用いることができる。
また、本実施形態では、第一反射膜５１が、平面視矩形状に形成される例を示すが、第一反射膜５１の形状が特に限定されず、円形や楕円形であってもよく、その他多角形状等であってもよい。

第一駆動電極４１は、凹溝１３の第一溝部１３１の溝底面に、絶縁層１９を介して設置される。本実施形態では、図３に示すように、第一反射膜５１を囲うように複数の第一駆動電極４１が設けられている。具体的には、第一反射膜５１の中心点に対して、複数の第一駆動電極４１が回転対称となるように配置されている。例えば、本実施形態では、第一反射膜領域１４を囲う矩形枠状の第一溝部１３１の各辺に対して、それぞれ、辺方向に長手となる第一駆動電極４１が設けられている。これらの第一駆動電極４１は、同一形状に形成されている。
また、各第一駆動電極４１は、第一溝部１３１の溝底面の中央部に配置されている。例えば、－Ｘ側第一溝部１３１Ａに設置される－Ｘ側第一駆動電極４１Ａは、Ｙ方向の長さがａ、Ｘ方向の幅がｂとなる長方形状に形成され、－Ｘ側第一溝部１３１ＡのＸ方向の幅中心と、－Ｘ側第一駆動電極４１ＡのＸ方向の幅中心とが一致するように設置される。
同様に、＋Ｘ側第一溝部１３１Ｂに設置される＋Ｘ側第一駆動電極４１Ｂは、Ｙ方向の長さがａ、Ｘ方向の幅がｂとなる長方形状に形成され、＋Ｘ側第一溝部１３１ＢのＸ方向の幅中心と、＋Ｘ側第一駆動電極４１ＢのＸ方向の幅中心とが一致するように設置される。
－Ｙ側第一溝部１３１Ｃに設置される－Ｙ側第一駆動電極４１Ｃは、Ｘ方向の長さがａ、Ｙ方向の幅がｂとなる長方形状に形成され、－Ｙ側第一溝部１３１ＣのＹ方向の幅中心と、－Ｙ側第一駆動電極４１ＣのＹ方向の幅中心とが一致するように設置される。
＋Ｙ側第一溝部１３１Ｄに設置される＋Ｙ側第一駆動電極４１Ｄは、Ｘ方向の長さがａ、Ｙ方向の幅がｂとなる長方形状に形成され、＋Ｙ側第一溝部１３１ＤのＹ方向の幅中心と、＋Ｙ側第一駆動電極４１ＤのＹ方向の幅中心とが一致するように設置される。

各第一駆動電極４１には、上述のように、第一引出電極４１１が接続されており、それぞれ個別に電装部１３４に引き出される。すなわち、－Ｘ側第一溝部１３１Ａ、＋Ｘ側第一溝部１３１Ｂ、及び＋Ｙ側第一溝部１３１Ｄに接続される第一引出電極４１１は、第二溝部１３２を通って電装部１３４まで延設される。また、－Ｙ側第一溝部１３１Ｃに接続される第一引出電極４１１は、第三溝部１３３を通って電装部１３４まで延設される。各第一引出電極４１１は、第一基板１０の外周縁近傍の先端部において幅広に形成され、電極パッドを構成してもよい。

そして、本実施形態では、第一溝部１３１の一部を覆うように、複数の連結部３０が設けられている。つまり、連結部３０は、第一溝部１３１を挟む位置で第一接合層３１１により第一基板１０に接合される。

［３．第二基板の構成］
図５は、第二基板２０を－Ｚ側（第一基板１０側）からみた平面図である。
第二基板２０は、波長可変干渉フィルター１を透過させる光の波長域に応じた基板材料を用いることができる。例えば、本実施形態では、近赤外域から赤外域の光を透過可能な素材により形成すればよい。なお、本実施形態では、第二基板２０を介して各連結部３０を導通させるため、第二基板２０として、導電性を有するＳｉ基板で形成することが好ましい。
なお、本実施形態では、第二基板２０としてＳｉ基板を用いるが、例えば、ガラス等の絶縁体により第二基板２０を形成する場合では、第二基板２０の第一基板１０に対向する面にＩＴＯ等の導電性の透明膜を形成することで、各連結部３０と導通を取ることができる。

第二基板２０の平面視における外形形状は特に限定されないが、第一基板１０と同様、矩形状に形成されていることが好ましい。また、第二基板２０の厚みも特に限定されず、第二基板２０上に形成される第二反射膜５２等の膜応力により撓みが生じない程度の厚みを有していればよい。
ここで、第二基板２０のうち、第一基板１０に対向する面を第二基板面２１と称し、第二基板面２１とは反対側の面を第二背面２２と称する。第二基板面２１と第二背面２２とは平行な面となる。

第二基板２０の第二基板面２１は、例えば、エッチング等の表面処理により第二基板２０の中央部が、第一基板１０側に突出するように段差が形成されている。当該第二基板２０の中央部は、第二反射膜５２が設けられる第二反射膜領域２４であり、平坦な第二基板面２１を有する。
第二基板２０において、第二反射膜領域２４を囲う領域には、連結部３０が接続される連結領域２３であり、第二反射膜領域２４の第二基板面２１よりも、第一基板１０から離れた位置に設けられる。
ここで、本実施形態では、連結部３０の変形によって、第二基板２０が第一基板１０に向かって移動することで、第一反射膜５１と第二反射膜５２との間のギャップ（第一間隔Ｇ１）の寸法が変化する。この第一間隔Ｇ１の変化範囲は、波長可変干渉フィルター１を透過させる光の波長範囲よって適宜設定されるが、１μｍ以下の範囲で変化する。一方、連結領域２３では、第一基板１０と第二基板２０とが連結部３０を介して接合される部分である。したがって、第二反射膜領域２４の第二基板面２１と連結領域２３の第二基板面２１とを同一面とすると、第一間隔Ｇ１が開きすぎることで、精度よく所望の光の波長を透過させることが困難となる。このため、本実施形態では、エッチング等により連結領域２３と第二反射膜領域２４との間に段差を設け、第二反射膜領域２４が第一基板１０側に突出するように形成されている。

第二反射膜領域２４に設けられる第二反射膜５２は、上述した第一反射膜５１と同一の構成の反射膜を用いることができ、例えばＡｇ等の金属膜や、Ａｇ合金等の合金膜、高屈折層（例えばＴｉＯ_２）及び低屈折層（例えばＳｉＯ_２）を積層した誘電体多層膜等を用いることができる。
また、本実施形態では、第二反射膜５２が、平面視で第一反射膜５１と同一形状に形成され、Ｚ方向に沿って見た際に、第一反射膜５１と第二反射膜５２とが重なり合う。この第一反射膜５１と第二反射膜５２とが重なり合う領域が光学領域Ｃとなり、光学領域Ｃに入射した光は、第一反射膜５１及び第二反射膜５２との間で多重反射し、第一間隔Ｇ１の寸法に応じた所定波長の光が干渉により強め合って波長可変干渉フィルター１を透過する。

［４．連結部の構成］
図６は、図２における連結部３０の近傍を拡大した拡大断面図である。
連結部３０は、上述したように、第一基板１０の第一溝部１３１を覆って設けられ、第一基板１０と第二基板２０とを連結する。ここで、連結部３０の第一基板１０に対向する面を第一対向面３１、連結部３０の第二基板２０に対向する面を第二対向面３２とする。

本実施形態では、図３及び図６に示すように、連結部３０は、平面視矩形状に形成され、第一溝部１３１の４辺のそれぞれに対応して４つ設けられている。
つまり、第一反射膜領域１４と第一架橋部１４１とを架橋して－Ｘ側第一溝部１３１Ａを覆う第一連結部３０Ａ、第一反射膜領域１４と第二架橋部１４２とを架橋して＋Ｘ側第一溝部１３１Ｂを覆う第二連結部３０Ｂ、第一反射膜領域１４と第三架橋部１４３とを架橋して－Ｙ側第一溝部１３１Ｃを覆う第三連結部３０Ｃ、及び、第一反射膜領域１４と第四架橋部１４４とを架橋して＋Ｙ側第一溝部１３１Ｄを覆う第四連結部３０Ｄが設けられている。

第一連結部３０Ａは、Ｙ方向に長手となる矩形状を有し、第一対向面３１の±Ｘ側端部が、Ａｕ膜等により構成される第一接合層３１１により、第一反射膜領域１４の－Ｘ側端縁、及び第一架橋部１４１の＋Ｘ側端縁に接合されている。第一連結部３０Ａの－Ｘ側第一溝部１３１Ａの溝底面に対向する部分は、当該第一連結部３０Ａの変位部３０１を構成する。
第二連結部３０Ｂは、Ｙ方向に長手となる矩形状を有し、第一対向面３１の±Ｘ側端部が第一接合層３１１により、第一反射膜領域１４の＋Ｘ側端縁、及び第二架橋部１４２の－Ｘ側端縁に接合されている。第二連結部３０Ｂの＋Ｘ側第一溝部１３１Ｂの溝底面に対向する部分が、当該第二連結部３０Ｂの変位部３０１を構成する。
第三連結部３０Ｃは、Ｘ方向に長手となる矩形状を有し、第一対向面３１の±Ｙ側端部が第一接合層３１１により、第一反射膜領域１４の－Ｙ側端縁、及び第三架橋部１４３の＋Ｙ側端縁に接合されている。第三連結部３０Ｃの－Ｙ側第一溝部１３１Ｃの溝底面に対向する部分が、当該第三連結部３０Ｃの変位部３０１を構成する。
第四連結部３０Ｄは、Ｘ方向に長手となる矩形状を有し、第一対向面３１の±Ｙ側端部が第一接合層３１１により、第一反射膜領域１４の＋Ｙ側端縁、及び第四架橋部１４４の－Ｙ側端縁に接合されている。第四連結部３０Ｄの＋Ｙ側第一溝部１３１Ｄの溝底面に対向する部分が、当該第四連結部３０Ｄの変位部３０１を構成する。

連結部３０と第一基板１０とを接合する第一接合層３１１としては、上述のように、導電性を有するＡｕ等により構成される。そして、第四連結部３０Ｄと第四架橋部１４４とを接合する第一接合層３１１に、第四架橋部１４４の延設部１４４Ａに設けられる第二引出電極４２１が接続される。なお、第一接合層３１１及び第二引出電極４２１を例えばＡｕ膜等の同一素材により形成する場合、第一接合層３１１と第二引出電極４２１とを同時に形成してもよい。

より具体的には、各連結部３０は、図２に示すように、第一溝部１３１を覆う薄板部３３と、薄板部３３から第二基板２０側に突出する柱状部３４とを備える。なお、本実施形態では、図６に示すように、薄板部３３及び柱状部３４が別体として構成されているが、一体的に設けられている構成としてもよい。
また、本実施形態では、薄板部３３及び柱状部３４は導電性素材により構成されており、例えば薄板部３３がＳｉにより構成され、柱状部３４はＡｕ膜により構成されている。このため、第二基板２０を介して各連結部３０が導通する。これにより、４つの連結部３０を同電位とすることができる。

薄板部３３は、上述したように、Ａｕ等により構成される第一接合層３１１により第一基板１０に接合され、中央部は、第二間隔Ｇ２を介して、第一基板１０の第一溝部１３１の溝底面と対向する。
柱状部３４は、平面視において、薄板部３３の幅方向中央に設けられている。つまり、第一連結部３０Ａ及び第二連結部３０Ｂの柱状部３４は、薄板部３３の±Ｘ側端縁から所定寸法だけ内側となる位置に設けられ、第三連結部３０Ｃ及び第四連結部３０Ｄの柱状部３４は、薄板部３３の±Ｙ側端縁から所定寸法だけ内側となる位置に設けられている。
そして、柱状部３４の第二対向面３２（突出先端面）は、例えばＡｕ等の導電性の第二接合層３４１により第二基板２０に接合されている。本実施形態では、Ａｕ膜により構成された柱状部３４と、第二基板２０に設けられた第二接合層３４１とが常温活性化接合により接合されている。

このような本実施形態では、連結部３０の薄板部３３及び柱状部３４が導電性素材により構成されているので、連結部３０自体を電極として機能させることが可能となる。すなわち、本実施形態の連結部３０は、第一駆動電極４１に第二間隔Ｇ２を介して対向する第二駆動電極として機能し、駆動部４０としても機能する。
なお、本実施形態では、連結部３０を導電性のＳｉにより構成する例を示すが、絶縁体により構成してもよい。この場合、連結部３０の第一対向面３１に第一駆動電極４１に対向する第二駆動電極を別途形成すればよい。第二駆動電極を別途形成する場合、各連結部３０における第二駆動電極を、Ｓｉにより形成される第二基板２０に接続し、いずれかの第二駆動電極（例えば第四連結部３０Ｄに設けられた第二駆動電極）を第二引出電極４２１に接続する。或いは、第二基板２０が絶縁体により構成される場合では、第二基板２０の表面にＩＴＯ等の電極層を形成して、各第二駆動電極を接続すればよい。

［５．駆動部の構成］
駆動部４０は、制御回路９０により駆動され、連結部３０を第一基板１０の第一溝部１３１の溝底面側に撓ませることで、第二間隔Ｇ２の寸法を変化させる。本実施形態では、駆動部４０は、静電アクチュエーターであり、上述のように、第一基板１０に設けられる第一駆動電極４１と、連結部３０とにより構成されている。
また、本実施形態では、導電性を有する各連結部３０は、導電性を有する第二基板２０に対して、導電性を有する第二接合層３４１により接合されているので、これらの連結部３０はそれぞれ同電位となる。そして、本実施形態では、この第二引出電極４２１を介して、これらの各連結部３０が所定の基準電位に維持される。
したがって、第一駆動電極４１の電位を制御することで、第一駆動電極と連結部３０との間に駆動電圧を印加することができる。これにより、第一駆動電極４１と連結部３０との間に静電引力が作用し、連結部３０の変位部３０１が第一溝部１３１の溝底面に向かって撓み、第二間隔Ｇ２が変化する。

［６．波長可変干渉フィルターの駆動］
図７は、駆動部４０により連結部３０を撓ませた際の連結部３０の近傍の拡大断面図である。
以上のような波長可変干渉フィルター１では、第一引出電極４１１と第二引出電極４２１とを、波長可変干渉フィルター１を制御する制御回路９０（ドライバー回路）に接続する。当該制御回路９０は、静電アクチュエーターである駆動部４０を構成する第一駆動電極４１及び連結部３０の間に印加する駆動電圧を制御する駆動制御部９１を備える。例えば、本実施形態では、駆動制御部９１は、連結部３０を所定の基準電位に維持し、第一駆動電極４１の電位を、波長可変干渉フィルター１を透過させる光の波長に応じて変化させる。これにより、上述のように、連結部３０の変位部３０１が第一溝部１３１の溝底面側に撓み、第二間隔Ｇ２が変化する。
また、第二間隔Ｇ２が変化することで、連結部３０の柱状部３４に接合された第二基板２０が第一基板１０側に移動する。これによって、第一反射膜５１と第二反射膜５２との間の第一間隔Ｇ１の寸法が変化する。

また、薄板部３３の第二対向面３２から柱状部３４の突出先端（第二対向面３２）までのＺ方向の寸法は、第二基板２０が駆動部４０で移動されていない状態（初期位置）での第一間隔Ｇ１の初期寸法よりも短く形成されている。この場合、第一反射膜５１と第二反射膜５２との衝突する前に、第二基板２０が薄板部３３の第二対向面３２に当接して移動が規制される。これにより、衝突による第一反射膜５１及び第二反射膜５２の劣化や破損を抑制できる。

このような本実施形態では、波長可変干渉フィルター１では、所望波長の光を高精度に透過させることが可能となる。
つまり、第一基板１０と第二基板２０とを、例えば圧電体により連結し、圧電体に印加する電圧を制御することで第一間隔Ｇ１を変化させるような従来の構成では、第一間隔Ｇ１の変化量を確保するために、圧電体の厚みを大きくする必要がある。この場合、当該圧電体の厚みを精度よく均一にすることが困難であり、第一基板１０と第二基板２０との平行を維持することが困難となる。第一基板１０と第二基板２０との平行が維持できない場合、光学領域Ｃを透過する光の波長にもばらつきが生じる。また、第二基板２０に接合される圧電体自体が伸縮するため、圧電体に接する第二基板２０に応力が作用し、第二基板２０に撓みを生じさせることもある。このように第二基板２０に撓みが発生すると、光学領域Ｃにおいて、第一反射膜５１と第二反射膜５２との間隔にばらつきが生じる。
以上のように、圧電体を介して第一基板１０と第二基板２０とを接合する従来の構成では、光学領域Ｃにおいて、第一反射膜５１と第二反射膜５２との間隔にばらつきが生じる。よって、所望波長以外の光も波長可変干渉フィルターを透過してしまい、波長可変干渉フィルターの透過率特性において半値幅が広くなる。

これに対して、本実施形態では、第二間隔Ｇ２を変化させることで、連結部３０に接合された第二基板２０全体が第一基板１０側に引っ張られ、第二基板２０に撓みが生じない。すなわち、本実施形態の波長可変干渉フィルター１では、第一反射膜５１及び第二反射膜５２の平行を維持したまま、第一間隔Ｇ１の寸法を変化させることが可能となる。これにより、本実施形態の波長可変干渉フィルター１では、透過率特性において半値幅が狭くでき、所望の波長の光を精度よく透過させることができる。
また、連結部３０の変位部３０１は、静電アクチュエーターにより構成される駆動部４０によって変形されるものであり、圧電体のように、変位量を確保するために厚みを大きくする必要がない。すなわち、波長可変干渉フィルター１の厚み増大を抑制できる。

［７．波長可変干渉フィルターの製造方法］
次に、上述したような波長可変干渉フィルター１の製造方法について説明する。
図８は、本実施形態における波長可変干渉フィルター１の製造方法におけるフローチャートである。
波長可変干渉フィルター１の製造では、図８に示すように、第一基板形成ステップＳ１、第二基板形成ステップＳ２、連結部形成ステップＳ３、及び接合ステップＳ４により形成される。なお、第一基板形成ステップＳ１及び第二基板形成ステップＳ２の順番は、それぞれ入れ替わってもよく、別の生産ラインで同時に進行してもよい。

図９は、第一基板形成ステップＳ１の概略を示す図である。
第一基板形成ステップＳ１では、第一基板１０の母材となる第一母材の表面に対して、凹溝１３の形成位置以外にレジストを形成し、エッチングを実施することで、凹溝１３を形成する。そして、レジストを除去した後、図９の１番目に示すように、第一基板１０の第一基板面１１に絶縁層１９を形成する。

次に、レジストを除去した後、第一基板１０にＩＴＯ等の導電性膜を形成する。そして、当該導電性膜上に、第一駆動電極４１、第一引出電極４１１及び第二引出電極４２１の形成位置を覆うマスクパターンを形成し、導電性膜をエッチングする。これにより、図９の２番目に示すように、第一駆動電極４１、第一引出電極４１１及び第二引出電極４２１が第一基板１０上に形成される。なお、図９では、第一駆動電極４１のみ示している。

次に、電極形成用のマスクパターンを除去した後、第一基板１０に対して、例えばＡｕ等により構成される接合膜を成膜する。
そして、接合膜上に、第一接合層３１１の形成位置を覆うマスクを形成し、エッチング等を用いて接合膜をパターニングし、図９の３番目に示すような基板側第一接合層３１１Ａを形成する。

図１０は、第二基板形成ステップＳ２の概略を示す図である。
第二基板形成ステップＳ２では、第二基板２０の母材となる第二母材の表面に対して、第二反射膜領域２４の形成位置にレジストを形成し、エッチングを実施する。これにより、図１０の１番目に示すように、第二反射膜領域２４と連結領域２３との間に段差が形成される。

次に、レジストを除去した後、第二基板２０に対して、例えばＡｕ等により構成される接合膜を成膜する。そして、当該接合膜上に、第二接合層３４１の形成位置を覆うマスクパターンを形成し、接合膜をエッチングする。これにより、図１０の２番目に示すように、第二接合層３４１が形成される。

図１１は、連結部形成ステップＳ３の概略を示す図である。
連結部形成ステップＳ３では、平面視で第一基板１０と同サイズのＳｉにより構成された母材Ｍ１に対して、例えばＡｕ等により構成される接合膜を成膜する。そして、当該接合膜上に、第一接合層３１１の形成位置を覆うマスクパターンを形成し、接合膜をエッチングする。これにより、図１１の１番目に示すように、連結部側第一接合層３１１Ｂが形成される。

次に、第一基板形成ステップＳ１により形成された第一基板１０と母材Ｍ１とを重ね合わせて接合する。具体的には、基板側第一接合層３１１Ａと、連結部側第一接合層３１１Ｂとを当接させ、これらを常温活性化接合により接合することで、図１１の２番目に示すように第一接合層３１１を形成する。

次に、母材Ｍ１を研磨することで、図１１の３番目に示すように、母材Ｍ１の厚みを薄板部３３の厚みとする。
この後、母材Ｍ１の第一基板１０とは反対側の面に、例えばＡｕ等により構成される接合膜を成膜する。そして、当該接合膜上に、第二接合層３４１の形成位置を覆うマスクパターンを形成して接合膜をエッチングする。これにより、図１１の４番目に示すように、柱状部３４が形成される。

次に、母材Ｍ１の連結部３０の設置位置以外にレジストパターンを形成し、エッチングにより、図１１の５番目に示すような薄板部３３を形成する。

図１２は、接合ステップＳ４の概略を示す図である。
接合ステップＳ４では、まず、図１２の左上及び右上に示すように、第一反射膜５１及び第二反射膜５２を形成する。すなわち、第一反射膜５１及び第二反射膜５２は、他の工程による劣化を防ぐために、第一基板１０に第二基板２０を連結する直前に形成される。
第一反射膜５１の形成では、連結部３０が接合された第一基板１０の第一反射膜５１の形成位置以外をマスクし、例えば蒸着等により、第一反射膜５１を形成する。なお、第一反射膜５１を形成する領域から絶縁層１９を除去した後、第一反射膜５１を形成してもよい。
また、第二反射膜５２の形成では、第二基板２０の第二反射膜５２の形成位置以外をマスクし、例えば蒸着等により、第二反射膜５２を形成する。

この後、連結部３０が接合された第一基板１０に第二基板２０を重ね合わせて接合する。具体的には、連結部３０の柱状部３４と、第二基板２０の第二接合層３４１とを当接させ、これらを常温活性化接合により接合する。これにより、図１２の下図に示すように第一基板１０と第二基板２０とが連結部３０を介して接合される。

［８．第一実施形態の作用効果］
本実施形態の波長可変干渉フィルター１は、第一基板１０と、所定の間隔を介して第一基板１０に対向する第二基板２０と、第一基板１０に設置された第一反射膜５１と、第二基板２０に設置され、所定の第一間隔Ｇ１を介して第一反射膜５１に対向する第二反射膜５２と、第一基板１０及び第二基板２０の間に配置され、第一基板１０に対向する第一対向面３１、第二基板２０に対向する第二対向面３２を有する連結部３０と、第一間隔Ｇ１を変更する駆動部４０と、を備える。
連結部３０は、第一対向面３１の一部が第一基板１０に接続され、第一基板１０から第二基板２０に向かう方向をＺ方向から見て、連結部３０の第一対向面３１のうち第一基板１０に接続されていない部分は、第一基板１０に対して所定の第二間隔Ｇ２を介して対向する変位部３０１を構成し、変位部３０１の第二対向面３２側に設けられた柱状部３４が、第二基板２０に接続される。そして、駆動部４０は、変位部３０１を、第一溝部１３１側に撓ませることで第二間隔Ｇ２を変化させて、第一間隔Ｇ１を変更する。

このような構成では、第二基板２０は、連結部３０の変位部３０１の撓みに連動して第一基板１０に対して進退するが、第二基板２０自体に撓みが生じることがない。したがって、第一反射膜５１と第二反射膜５２とを平行に維持したまま、第一間隔Ｇ１を変化させることができる。よって、光学領域Ｃにおける第一間隔Ｇ１にばらつきが生じず、波長可変干渉フィルター１から、所望の目標波長の光を精度よく出射させることができる。つまり、光学領域Ｃにおいて場所によって透過波長が変化する不都合を抑制でき、光学領域Ｃの面内で均一に目標波長の光を透過させることができる。

本実施形態の波長可変干渉フィルター１では、駆動部４０は、第一基板１０に設置された第一駆動電極４１と、連結部３０とにより構成される静電アクチュエーターである。このような静電アクチュエーターでは、連結部３０を基準電位に維持し、第一駆動電極４１の電位を制御することで、第一駆動電極４１と連結部３０との間に印加される駆動電圧を高精度に制御することができ、第二間隔Ｇ２を精度よく所望の寸法に設定することができる。これにより、第一間隔Ｇ１も精度よく所望の目標波長に対応した寸法に設定することができる。

本実施形態において、連結部３０は、シリコン（Ｓｉ）により形成される。そして、連結部３０が、静電アクチュエーターにおいて第一駆動電極４１と対を成す第二駆動電極として機能する。
これにより、本実施形態では、第二駆動電極を別途形成する必要がなく、これに伴う配線構成も簡素化できる。
また、連結部３０の変位部３０１は、静電引力によって撓む部位であり、当該変位部３０１に第二駆動電極やその引出電極を形成すると、変位部３０１の変形時の応力によって、電極が破損したり断線したりするおそれもある。これに対して、本実施形態のように、連結部３０を第二駆動電極として機能させる構成では、上記のような電極の破損や断線がなく、波長可変干渉フィルター１の信頼性を高めることができる。

本実施形態の波長可変干渉フィルター１では、連結部３０は、第一対向面３１及び第二対向面３２を有する薄板部３３と、薄板部３３の第二対向面３２から第二基板２０に向かって突出して設けられ、突出先端部が第二基板２０に接続される柱状部３４と、を含む。
これにより、薄板部３３が第一基板１０に接合され、柱状部３４が第二基板２０に接合されて、薄板部３３の第一基板１０に接合されていない部分が変位部３０１として機能する。このような構成では、柱状部３４が第二基板２０に接続されるので、薄板部３３の変形による応力が第二基板２０に伝搬しにくく、第二基板２０の撓みを抑制できる。

本実施形態の波長可変干渉フィルター１では、柱状部３４のＺ方向の寸法は、駆動部４０によって変位部３０１が変形していない状態での第一間隔Ｇ１の初期寸法よりも小さい。
これにより、変位部３０１が大きく撓んだ際に、第二反射膜５２が第一反射膜５１に衝突する前に、第二基板２０が薄板部３３に当接して第二基板２０の移動を規制することができる。よって、第一反射膜５１及び第二反射膜５２が、衝突によって破損したり劣化したりすることを抑制できる。

本実施形態の波長可変干渉フィルター１では、光学領域Ｃの中心に対して、複数の連結部３０が回転対称となる位置に設けられ、複数の連結部３０のそれぞれに対応して複数の駆動部４０が設けられている。
これにより、各連結部３０における変位部３０１の撓み量を、それぞれの連結部３０に対応して設けられた駆動部４０によって制御することができる。よって、第二基板２０の傾斜をより精度よく抑制でき、波長可変干渉フィルター１から所望の目標波長の光を高精度に出射させることができる。

［第二実施形態］
次に、第二実施形態について説明する。
上記第一実施形態では、第一溝部１３１の溝底面に第一駆動電極４１が設けられる構成を例示したが、その他の電極がさらに配置されていてもよい。第二実施形態では、第一溝部１３１に、さらに第一駆動電極４１以外の電極が設けられる例を説明する。
なお、以降の説明において、既に説明した構成については同符号を付し、その説明を省略または簡略化する。

図１３は、第二実施形態の波長可変干渉フィルター１Ａの概略構成を示す断面図である。
本実施形態では、図１３に示すように、第一溝部１３１に、第一駆動電極４１に加え、第一容量検出電極６１が設けられている。この第一容量検出電極６１は、第一駆動電極４１とは非導通となる独立した電極であり、基準電位に維持される連結部３０と対向する。第一容量検出電極６１には図示略の容量引出電極が接続され、当該容量引出電極は電装部１３４まで延設されている。この容量引出電極は、制御回路９０に設けられた容量検出部９２に接続される。この容量検出部９２は、第一容量検出電極６１と連結部３０との間の静電容量を検出することで、第二間隔Ｇ２の寸法を測定する。
なお、本実施形態では、第一実施形態と同様に、連結部３０が導電性の基板(例えばＳｉ基板)により構成される構成を例示するが、連結部３０が絶縁体により構成されていてもよい。この場合、連結部３０の第一対向面３１において、第一容量検出電極６１に対向する位置に、第二容量検出電極を別途形成し、当該第二容量検出電極を容量検出部９２に接続すればよい。

本実施形態では、４つの連結部３０（第一連結部３０Ａ，第二連結部３０Ｂ，第三連結部３０Ｃ，第四連結部３０Ｄ）に対向して、それぞれ独立した第一容量検出電極６１が設けられている。これにより、本実施形態の波長可変干渉フィルター１Ａでは、容量検出部９２により、各連結部３０における第二間隔Ｇ２の寸法をそれぞれ個別に検出することができる。すなわち、本実施形態では、各連結部３０における第二間隔Ｇ２を測定することで、第一基板１０に対する第二基板２０の傾斜を検出することが可能となる。
また、本実施形態では、第一実施形態と同様、各連結部３０に対して、それぞれ独立した第一駆動電極４１が設けられている。このため、第一基板１０に対する第二基板２０の傾斜が測定された場合に、第二基板２０が第一基板１０に対して平行となるように、各第一駆動電極４１に印加する電圧を制御することが可能となる。つまり、制御回路９０は、容量検出部９２で検出される４つの連結部３０における第二間隔Ｇ２の寸法が、波長可変干渉フィルター１Ａを透過させる所望の目標波長に対応する目標寸法となるようにフィードバック制御することができる。

また、駆動部４０として、第一実施形態では単一の第一駆動電極４１を設ける構成を例示したが、駆動部４０を構成する第一駆動電極４１は複数設けられていてもよい。
例えば、第二実施形態では、駆動部４０を構成する第一駆動電極４１として、内側第一駆動電極４１Ｅと、外側第一駆動電極４１Ｆとが設けられている。内側第一駆動電極４１Ｅは、一対設けられ、第一溝部１３１の幅方向の中心に対して、線対称に設けられている。例えば、第一連結部３０Ａ及び第二連結部３０Ｂでは、第一溝部１３１のＸ方向の中心を通りＹ方向に平行な中心線に対して線対称となるように設けられる。また、第三連結部３０Ｃ及び第四連結部３０Ｄでは、第一溝部１３１のＹ方向の中心を通りＸ方向に平行な中心線に対して線対称となるように設けられる。
外側第一駆動電極４１Ｆも同様であり、一対の外側第一駆動電極４１Ｆが、第一溝部１３１の幅方向の中心に対して、線対称となる位置に設けられている。

このような構成では、駆動制御部９１は、例えば、内側第一駆動電極４１Ｅ及び外側第一駆動電極４１Ｆのいずれか一方にバイアス電圧を印加して、第二間隔Ｇ２が目標寸法の近傍となるように連結部３０を変位させる。一方、駆動制御部９１は、内側第一駆動電極４１Ｅ及び外側第一駆動電極４１Ｆの他方に、容量検出部９２で検出された静電容量に基づいたフィードバック電圧を印加して、連結部３０の変位量を微調整する。
これにより、各連結部３０の第二間隔Ｇ２を精度よく所望の目標寸法に合わせることができる。

［本実施形態の作用効果］
本実施形態の波長可変干渉フィルター１Ａでは、第一基板１０の第一溝部１３１に設置された第一容量検出電極６１を備え、連結部３０は、第一容量検出電極６１に対向する第二容量検出電極としても機能する。
このため、本実施形態では、各連結部３０の位置で第二間隔Ｇ２の寸法をそれぞれ個別に測定することができる。これにより、第一基板１０に対する第二基板２０の傾斜を検出することが可能となる。

また、各連結部３０に対して駆動部４０を構成する第一駆動電極４１が設けられている。これにより、上述のように、容量検出部９２で測定された第二間隔Ｇ２の寸法に基づいて、各第一駆動電極４１に印加する電圧を個別にフィードバック制御することができ、第二基板２０を第一基板１０に対して変更となるように制御することが可能となる。

さらに、本実施形態では、第一駆動電極４１は、内側第一駆動電極４１Ｅと、外側第一駆動電極４１Ｆと、を含んで構成され、これらの内側第一駆動電極４１Ｅ及び外側第一駆動電極４１Ｆを独立して駆動させることが可能となる。この場合、内側第一駆動電極４１Ｅ及び外側第一駆動電極４１Ｆの一方にバイアス電圧を印加し、他方にフィードバック電圧を印加することが可能となり、第二間隔Ｇ２の寸法制御をより細かく調整することができる。よって、各連結部３０の位置での第二間隔Ｇ２を所望の寸法に微調整することができる。

［第三実施形態］
次に、第三実施形態について説明する。
上記第二実施形態では、第一溝部１３１の溝底面に、第二間隔Ｇ２の寸法を測定するための第一容量検出電極６１を設ける例を示した。これに対して、第三実施形態では、第一間隔Ｇ１の寸法を測定するための容量検出電極が設けられる。

図１４は、第三実施形態の波長可変干渉フィルター１Ｂの概略構成を示す平面図であり、図１５は、図１４の波長可変干渉フィルター１ＢをＡ－Ａ線で切断した際の断面図である。なお、図面の見やすさを考慮して、図１４において、第二基板２０及び連結部３０の図示は省略している。
本実施形態では、第一基板１０の第一反射膜領域１４において、第一反射膜５１の外周縁に沿って矩形枠状の第三容量検出電極６３が設けられている。この第三容量検出電極６３には、第二溝部１３２から電装部１３４まで延設される容量引出電極６３１が接続されており、電装部１３４において、リード線やＦＰＣを介して制御回路９０に接続される。

また、本実施形態では、第三容量検出電極６３は、第一反射膜５１と同じ厚みに形成されており、第二基板２０には、第三容量検出電極６３に対向して、第二反射膜５２と同じ厚みに形成された第四容量検出電極６４が設けられている。
すなわち、第二基板２０は、導電性を有するＳｉにより構成されているため、第二実施形態と同様、第二基板２０を本開示の第四容量検出電極として機能させることもできる。しかしながら、本実施形態では、第一反射膜５１と第二反射膜５２との間の第一間隔Ｇ１の寸法を、第三容量検出電極６３及び第四容量検出電極６４により測定する。この場合、第一間隔Ｇ１の正確な寸法を測定するために、第一反射膜５１や第二反射膜５２の厚みと同等の厚みの第三容量検出電極６３及び第四容量検出電極６４を設けることが好ましい。これにより、第一反射膜５１の表面から、第二反射膜５２の表面までの第一間隔Ｇ１の正確な寸法を高精度に測定することが可能となる。
また、光学領域Ｃと重なる領域に第三容量検出電極６３及び第四容量検出電極６４が設けられていないので、第三容量検出電極６３及び第四容量検出電極６４によって光学領域を透過する光が阻害される不都合も抑制できる。

そして、制御回路９０には、第二容量検出部９３が設けられ、第三容量検出電極６３と第四容量検出電極６４との間の静電容量を検出することで、第一間隔Ｇ１の寸法を測定する。
本実施形態では、第一間隔Ｇ１の正確な寸法を第二容量検出部９３により検出することができる。このため、第一間隔Ｇ１の寸法が所望の目標寸法となるように、各第一駆動電極４１に印加する駆動電圧をフィードバック制御することが可能となる。
なお、図１４及び図１５では、駆動部４０が単一の第一駆動電極４１を備える構成を例示しているが、第二実施形態で説明したように、内側第一駆動電極４１Ｅと外側第一駆動電極４１Ｆを備える構成としてもよい。

また、本実施形態では、第三容量検出電極６３と第四容量検出電極６４により第一間隔Ｇ１の寸法を測定する構成例を示すが、さらに、第一容量検出電極６１が設けられて第二間隔Ｇ２を測定可能な構成としてもよい。

［本実施形態の作用効果］
本実施形態の波長可変干渉フィルター１Ｂでは、第一基板１０に設けられた第三容量検出電極６３と、第二基板２０に設けられ、第三容量検出電極６３に対向する第四容量検出電極６４と、をさらに備える。第三容量検出電極６３は、Ｚ方向から見て、第一反射膜５１の周囲を囲う位置に設置され、第四容量検出電極６４は、Ｚ方向から見て、第二反射膜５２の周囲を囲う位置に設置されている。
このため、本実施形態では、第一間隔Ｇ１の寸法を精度よく測定することができる。つまり、第二実施形態では、各連結部３０における第二間隔Ｇ２を測定するものであるため、第一反射膜５１と第二反射膜５２との間の第一間隔Ｇ１の寸法を直接測定することができない。これに対して、本実施形態では、第一間隔Ｇ１の寸法を測定できるので、波長可変干渉フィルター１Ｂから透過させる光の波長を測定された第一間隔Ｇ１の寸法に基づいて調整することができる。

［第四実施形態］
次に、第四実施形態について説明する。
上記第一から第三実施形態では、駆動部４０は静電アクチュエーターであり、連結部３０を静電引力により第一溝部１３１の溝底面側に撓ませる構成を例示した。これに対して、第四実施形態では、駆動部４０の駆動方式が上記実施形態と相違する。

図１６は、第四実施形態における波長可変干渉フィルター１Ｃの連結部３０の近傍を示す概略断面図である。
本実施形態では、図１６に示すように、駆動部４０Ａは、第一溝部１３１の溝底面に設けられたコイル４３と、連結部３０の第一対向面３１に設けられた永久磁石４４とにより構成される。
なお、図１６では、第一溝部１３１にコイル４３が設けられ、連結部３０に永久磁石４４が設けられる構成を例示するが、第一溝部１３１に永久磁石４４が設けられ、連結部３０にコイル４３が設けられる構成としてもよい。
上記第一実施形態では、第一駆動電極４１が、第一溝部１３１の辺方向に沿って長手に形成される構成であるが、本実施形態では、第一溝部１３１の辺方向に沿って、複数のコイル４３が設けられる構成などとしてもよい。この場合、第一溝部１３１の各辺に対して同数のコイル４３を配置する。例えば、―Ｘ側第一溝部１３１ＡにＹ方向に沿ってｎ個のコイル４３を所定の間隔で配置する場合、＋Ｘ側第一溝部１３１ＢにもＹ方向に沿ってｎ個のコイル４３を前記間隔で配置し、―Ｙ側第一溝部１３１ＣにもＸ方向に沿ってｎ個のコイル４３を前記間隔で配置し、＋Ｙ側第一溝部１３１ＤにもＸ方向に沿ってｎ個のコイル４３を前記間隔で配置する。

コイル４３は、Ｚ方向に沿った軸を中心軸として形成されている。
コイル４３の一端は、例えば第一溝部１３１の溝底面に設けられた第一コイル電極４３１に接続される。また、コイル４３の他端は、例えば第一溝部１３１の側壁から溝底面に亘って形成された第二コイル電極４３２に接続される。これらの第一コイル電極４３１及び第二コイル電極４３２は、それぞれ個別に電装部１３４まで延設され、電装部１３４から制御回路９０の電流制御部９４に接続されている。なお、第一溝部１３１の溝底面に第一基板１０をＺ方向に貫通する貫通孔を設け、当該貫通孔を介して、コイルに接続する電極線を挿通してもよい。
永久磁石４４は、例えば、第一基板１０に向かう－Ｚ側がＮ極、＋Ｚ側がＳ極となるように配置される。

電流制御部９４は、コイル４３に流す電流を制御する。これにより、コイル４３の中心軸を通る磁束が発生し、永久磁石４４に対向するコイル４３の一端側（＋Ｚ側）に、電流の流れる方向に応じた磁極が発生する。例えば、コイル４３の＋Ｚ側がＳ極となるように電流を流すことで、永久磁石４４が設けられた連結部３０が第一溝部１３１の溝底面側に撓み、第二間隔Ｇ２を変化させることができる。また、第二間隔Ｇ２が変化することで、第一実施形態等と同様、第二基板２０が第一基板１０側に移動し、第一間隔Ｇ１も変化する。
なお、本実施形態では、コイル４３の＋Ｚ側がＮ極となるように電流を流すこともでき、この場合、斥力により連結部３０が第二基板２０側に撓む。したがって、第一間隔Ｇ１を広げることもでき、より広い範囲の波長域から、波長可変干渉フィルター１Ｃを透過させる光を選択することができる。

［本実施形態の作用効果］
本実施形態の波長可変干渉フィルター１Ｃでは、駆動部４０Ａは、第一溝部１３１に設けられたコイル４３と、連結部３０の第一対向面３１に設けられた永久磁石４４（磁性体）とにより構成されている。
このような構成では、コイル４３に電流を流すことで磁界を発生させることができ、当該磁界により永久磁石４４が設けられた変位部３０１を変位させることができる。この際、磁界の強さをコイル４３に流す電流により制御することができ、第一実施形態と同様、第二間隔Ｇ２の寸法を高精度に制御することができる。したがって、第一間隔Ｇ１も、所望の目標波長に対応した寸法に高精度に制御することができ、波長可変干渉フィルター１Ｃから目標波長の光を精度よく透過させることができる。
また、本実施形態では、コイル４３に流す電流の方向を逆転させることで、斥力により変位部３０１を第二基板２０側に撓ませることもできる。すなわち、本実施形態では、第一間隔Ｇ１を初期寸法から狭める方向に変化させることも、初期寸法から広げる方向に変化させることもできる。これにより、広い波長域から所望の目標波長の光を透過させることができる。

［第五実施形態］
次に第五実施形態について説明する。
上記第四実施形態では、駆動部４０Ａが、コイル４３と永久磁石４４とを備え、コイル４３と永久磁石４４を対向配置する構成を例示した。これに対して、磁力を用いて連結部３０を変形させる構成として、ソレノイドを用いてもよい。
図１７は、第五実施形態における波長可変干渉フィルター１Ｄの連結部３０の近傍を示す概略断面図である。
本実施形態の駆動部４０Ｂは、第四実施形態と同様、第一溝部１３１にコイル４３が設けられており、当該コイル４３の－Ｚ側に固定磁性体４３３が配置される。
また、連結部３０には、コイル４３の中心を挿通される磁性体により構成された軸部材４４Ａが設けられる。

このような構成では、コイル４３に電流を流すことで、軸部材４４Ａが固定磁性体４３３に向かって移動する。これにより、軸部材４４Ａに接続された連結部３０が第一溝部１３１の溝底面側に撓み、第二間隔Ｇ２が変化する。また、軸部材４４Ａが固定磁性体４３３に当接することで、連結部３０の移動が規制され、第一反射膜５１と第二反射膜５２との衝突を抑制できる。

［本実施形態の作用効果］
本実施形態の波長可変干渉フィルター１Ｄでは、第四実施形態と同様の作用効果を奏することができる。つまり、駆動部４０Ｂは、第一溝部１３１に設けられたコイル４３と、連結部３０の第一対向面３１に設けられてコイル４３に挿通される軸部材４４Ａとを備える。
このような構成では、コイル４３に電流を流して磁界を発生させることで、軸部材４４ＡをＺ方向に移動させることができる。この場合でも、磁界の強さをコイル４３に流す電流により制御することができるので、第二間隔Ｇ２の寸法を高精度に制御することができる。

［第六実施形態］
次に第六実施形態について説明する。
上記第一から第三実施形態では、静電アクチュエーターにより構成された駆動部４０を例示し、第四実施形態及び第五実施形態では磁界を発生させることで連結部３０を変形させる駆動部４０Ａ，４０Ｂを例示した。第六実施形態では、さらに、圧電素子を用いて連結部３０を撓ませる構成について説明する。
図１８は、第六実施形態における波長可変干渉フィルター１Ｅの概略構成を示す平面図であり、図１９は、図１８のＡ－Ａ線を切断した場合の波長可変干渉フィルター１Ｅの概略断面図である。なお、図１８では、図面の見やすさを考慮し、第二基板２０及び連結部３０の図示を省略する。

本実施形態では、図１９に示すように、連結部３０の第一対向面３１には、絶縁層４５が形成され、当該絶縁層４５上に、第一電極４６１、圧電膜４６２、及び第二電極４６３がＺ方向に沿って積層されている。本実施形態では、これらの第一電極４６１、圧電膜４６２、及び第二電極４６３により駆動部４０Ｃが構成されている。
ここで、４つの連結部３０のそれぞれの第一電極４６１は、図１８に示すように、例えば第一反射膜領域１４に設けられた第一引出電極４６１Ａに接続され、当該第一引出電極４６１Ａが、第一基板１０の例えば＋Ｙ側端部まで延設される。
一方、各第二電極４６３は、図１８に示すように、それぞれ独立した第二引出電極４６３Ａに接続され、第一基板１０の例えば＋Ｙ側端部まで延設される。
なお、図１９に示すように、第一引出電極４６１Ａや第二引出電極４６３Ａは、それぞれ、第一基板１０と連結部３０とを接続する第一接合層として機能してもよい。

このような本実施形態では、互いに結線される第一電極４６１を共通電極として、所定の基準電位を印加し、第二電極４６３に第一間隔Ｇ１の寸法に応じた駆動信号を印加する。これにより、第一電極４６１及び第二電極４６３の間に駆動電圧が印加されることで、圧電膜４６２が変形し、連結部３０が第一溝部１３１の溝底面に向かって撓み、第二間隔Ｇ２が変化する。

［本実施形態の作用効果］
本実施形態では、駆動部４０Ｃは、第一対向面３１上に設置された第一電極４６１と、第一電極４６１上に設置された圧電膜４６２と、圧電膜４６２上に設置された第二電極４６３と、を備え、第一電極４６１、圧電膜４６２、及び第二電極４６３がＺ方向に沿って積層されて構成されている。
このような駆動部４０Ｃでは、第一電極４６１及び第二電極４６３の間で駆動電圧を印加すると、圧電膜４６２が伸縮する。例えば、第一電極４６１の電位が第二電極４６３の電位よりも大きくなるように駆動電圧を印加した際に圧電膜４６２が伸長する場合、圧電膜４６２の連結部３０側の面は第一電極４６１を介して連結部３０に接合されているので、圧電膜４６２の第一基板１０側の面に比べて、伸長量が小さくなる。よって、圧電膜４６２は第一溝部１３１の溝底面側に向かって撓み、これによって連結部３０の変位部３０１も第一溝部１３１の溝底面側に向かって撓む。また、その撓み量は、圧電膜４６２に印加する駆動電圧により容易に制御することが可能となる。したがって、上記第一実施形態と同様、第二間隔Ｇ２の寸法を高精度に制御することができ、これにより、第一間隔Ｇ１も所望の目標波長に対応した寸法に高精度に制御することができる。

また、本実施形態では、圧電膜４６２に印加する駆動電圧を逆転させることで、圧電膜４６２の撓み方向を逆転させることができる。例えば、第一電極４６１の電位が第二電極４６３の電位よりも大きくなるように駆動電圧を印加した際に圧電膜４６２が伸長する場合では、第一電極４６１の電位が第二電極４６３の電位よりも小さくなるように駆動電圧を印加すると、圧電膜４６２が縮小する。この場合、圧電膜４６２の連結部３０側の面は第一電極４６１を介して連結部３０に接合されているので、圧電膜４６２の第一基板１０側の面に比べて、縮小量が小さくなる。よって、圧電膜４６２は第二基板２０に向かって撓み、これによって連結部３０の変位部３０１も第二基板２０に向かって撓む。このため、第四実施形態や第五実施形態と同様、本実施形態の波長可変干渉フィルター１Ｅでは、広い波長域から所望の目標波長の光を透過させることができる。

［第七実施形態］
次に、第七実施形態について説明する。
上記第一から第六実施形態では、矩形枠状の第一溝部１３１の４辺にそれぞれ連結部３０が設けられる構成、つまり、複数の連結部３０が、光学領域Ｃの中心に対して回転対称に設けられる構成例を示した。
これに対して、第一溝部１３１が円環状に形成されて、当該第一溝部１３１を覆う連結部が設けられる構成としてもよい。

図２０は、第七実施形態の波長可変干渉フィルター１Ｆの概略構成を示す平面図である。なお、図２０において、第二基板２０の図示は省略している。
本実施形態では、第一反射膜５１の中心点（光学領域Ｃの中心点）を中心とした円環状の第一溝部１３５を備える。
また、連結部３０Ｅは、平面視において、第一溝部１３５を覆う円環状に形成されている。つまり、連結部３０Ｅは、図２０に示すように、当該第一溝部１３５の内径側と外形側とを架橋するように設けられている。

駆動部４０Ｄは、第一実施形態と同様、静電引力により連結部３０Ｅを撓ませるが、本実施形態では、駆動部４０Ｄを構成する第一駆動電極４１Ｇが、光学領域Ｃを囲う円環状に形成されている。

［本実施形態の作用効果］
本実施形態の波長可変干渉フィルター１Ｆでは、連結部３０Ｅは、光学領域Ｃの周囲を囲う円環状に形成され、駆動部４０Ｄは、連結部３０Ｅと重なる位置で、光学領域Ｃの周囲に円環状に形成されている。
上記第一実施形態のような第一溝部１３１は矩形枠状であるため、角部に連結部３０を設けると撓み量に差が生じる。このため、第一溝部１３１の各辺のそれぞれに対応して独立した連結部３０を設ける構成とする必要がある。これに対して、本実施形態のように、第一溝部１３５を円環状とし、当該第一溝部１３５を円環状の連結部３０Ｅで覆う場合では、連結部３０Ｅを円環の周方向に亘って均一に撓ませることができる。
したがって、駆動部４０Ｄを構成する第一駆動電極４１Ｇを円環状とすることで、連結部３０Ｅの周方向に亘って均一な静電引力を作用させることができ、第二基板２０の傾斜を抑制しつつ、第二間隔Ｇ２の寸法を変化させることができる。
また、本実施形態では、複数の第一引出電極４１１を設ける必要がなく、構成の簡素化を図ることができる。

［第八実施形態］
次に、第八実施形態として、上記第一実施形態から第六実施形態で説明したような波長可変干渉フィルター１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅを備えた電子機器について説明する。

図２１は、第八実施形態における分光カメラ７００の概略構成を示す図である。
図２１に示すように、分光カメラ７００は、カメラ本体部７０１と、鏡筒部７０２とを備え、カメラ本体部７０１には、波長可変干渉フィルター１、受光部７０３、制御回路９０、及び制御部７０４等が収納されている。
図２１では、波長可変干渉フィルター１が用いられているが、第二実施形態から第六実施形態で説明した波長可変干渉フィルター１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆのいずれかを用いてもよい。また、波長可変干渉フィルター１は、別途パッケージ筐体等に格納された状態で、カメラ本体部７０１に組み込まれてもよい。
この分光カメラ７００では、鏡筒部７０２に、複数のレンズにより構成された入射光学系を収納されており、所定の画角の光を、波長可変干渉フィルター１を介して受光部７０３に導く。

受光部７０３は、波長可変干渉フィルター１を透過した光を受光するイメージセンサーであり、波長可変干渉フィルター１の光学領域Ｃを透過した光を受光する。

制御回路９０は、波長可変干渉フィルター１を駆動するための回路であり、上述したように駆動制御部９１等を備える。また、波長可変干渉フィルター１Ａを用いる場合では、制御回路９０にさらに容量検出部９２が設けられ、波長可変干渉フィルター１Ｂを用いる場合では、第二容量検出部９３が設けられる。また、波長可変干渉フィルター１Ｃ、１Ｄを用いる場合では、駆動制御部９１に代えて、電流制御部９４を設ければよい。

制御部７０４は、分光カメラ７００の動作を制御し、例えばユーザーの操作に基づいて、所定の目標波長の分光画像を取得する旨の操作信号が入力された際に、制御回路９０に、目標波長に応じた指令信号を出力する。これにより、制御回路９０は、目標波長に応じた駆動電圧を波長可変干渉フィルター１の駆動部４０に印加する。
また、制御部７０４は、受光部７０３を制御して、受光処理を実施させ、受光部７０３から出力される画素毎の出力信号に基づいて、画像データ（分光画像）を生成する。

［変形例］
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。

［変形例１］
図２２は、変形例１に係る波長可変干渉フィルター１Ｇの連結部３０の近傍を示す断面図である。
上記第一実施形態において、第一基板１０に第一溝部１３１が設けられ、第一溝部１３１を覆うように、連結部３０が配置される構成を例示した。これに対して、第一基板１０の厚み寸法が均一な板部材であり、例えば図２２に示すように、第一基板面１１に連結部３０を保持する一対の保持台８０が設けられる構成としてもよい。

［変形例２］
第一実施形態において、第二基板２０は、第二反射膜領域２４と、第二反射膜領域２４を囲い、第二反射膜領域２４よりも厚みが小さい連結領域２３とを備える構成を例示した。これに対して、連結領域２３と、第二反射膜領域２４とが同一厚みに形成されてもよい。つまり、連結領域２３の第二基板面２１と、第二反射膜領域２４の第二基板面２１とが同一平面であってもよい。
また、第一基板１０の第一反射膜領域１４を第二基板２０側に突出するように形成してもよく、エッチング等により第一反射膜領域１４を凹状に形成してもよい。
つまり、Ｚ方向における第一基板１０における第一反射膜領域１４の位置、第二基板２０における第二反射膜領域２４の位置は、波長可変干渉フィルター１を透過させる光の波長域に応じて適宜変更してもよい。

［変形例３］
上記各実施形態では、連結部３０が第一基板１０や第二基板２０とは別体として構成される例を示したが、連結部３０の一部または全部が、第一基板１０又は第二基板２０と一体的に構成されていてもよい。
例えば、連結部３０の柱状部３４が、第二基板２０と一体的に構成されていてもよい。
或いは、連結部３０の薄板部３３及び柱状部３４が、第二基板２０と一体的に構成されていてもよい。

［変形例４］
第七実施形態において、連結部３０Ｅや駆動部４０Ｄが円環状に形成される構成を例示したが、第一実施形態等と同様、光学領域Ｃの中心点に対して複数の連結部や駆動部が回転対称に設けられる構成としてもよい。
例えば、複数の円弧状の連結部が、光学領域Ｃの中心点に対して回転対称に設けられる構成としてもよい。この場合、各円弧状の連結部のそれぞれに対して、駆動部を設ける構成としてもよい。例えば、第一溝部１３５に、円弧状の第一駆動電極４１を、光学領域Ｃの中心点に対して回転対称に設けてもよい。

また、第一実施形態から第六実施形態では、矩形枠状の第一溝部１３１の各辺に対して連結部３０が設けられ、各連結部３０に対応して駆動部４０、４０Ａ，４０Ｂが設けられる例を示したが、第一溝部１３１の形状としては、矩形状に限定されず、例えば三角枠状であってもよく、五角以上の多角形枠状に形成されていてもよい。
さらには、枠状に形成されている必要もなく、平面視において、光学領域Ｃの中心に対して複数の溝部が回転対称に設けられており、各溝に対して連結部が設置される構成としてもよい。

［変形例５］
第八実施形態において、波長可変干渉フィルターを備える電子機器の一例として分光カメラ７００を例示したが、これに限られない。波長可変干渉フィルター１を備えた電子機器としては、例えば、所望の波長の光を出力する光源装置（例えばレーザー光源装置）や、被測定物の含有成分を分析する分光分析装置、プリンター等に搭載されて対象物の色を測定する測色装置等に用いてもよく、ウェアラブル装置等にこれらの光源装置や分析装置を搭載させてもよい。

その他、本発明の実施の際の具体的な構造は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等に適宜変更できる。

［本開示のまとめ］
本開示の第一態様に係る波長可変干渉フィルターは、第一基板と、所定の間隔を介して前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板に設置された第一反射膜と、前記第一基板に設置され、所定の第一間隔を介して前記第一反射膜に対向する第二反射膜と、前記第一基板及び前記第二基板の間に配置され、前記第一基板に対向する第一対向面、及び前記第二基板に対向する第二対向面を有する連結部と、前記第一間隔を変更する駆動部と、を備え、前記連結部は、前記第一対向面の一部が前記第一基板に接続され、前記第一基板から前記第二基板に向かう厚み方向から見て、前記連結部の前記第一対向面のうち前記第一基板に接続されていない部分は、前記第一基板に対して所定の第二間隔を介して対向する変位部を構成し、前記変位部の前記第二対向面の一部は、前記第二基板に接続され、前記駆動部は、前記変位部を撓ませることで前記第二間隔を変化させて、前記第一間隔を変更する。

これにより、第二基板は、連結部の変位部の撓みに連動して第一基板に対して進退し、第二基板自体に撓みが生じることがない。したがって、第一反射膜と第二反射膜とを平行に維持したまま、第一間隔を変化させることができるので、第一間隔にばらつきが生じず、波長可変干渉フィルターから所望の目標波長の光を精度よく出射させることができる。

本態様の波長可変干渉フィルターにおいて、前記駆動部は、前記第一基板に設置された第一駆動電極と、前記変位部に設置されて前記第一駆動電極に対して前記第二間隔を介して対向する第二駆動電極と、を備える。

本態様では、第一駆動電極と第二駆動電極との間に電圧を印加することで静電引力により変位部を変形させて第二間隔を変化させることができる。この際、第二駆動電極を所定の基準電位に設定すれば、第一駆動電極の電位を制御することで、容易に、かつ高精度に電極間に印加する駆動電圧を制御することができ、第二間隔の寸法を精度よく制御することができる。これにより、第一間隔の寸法も、所望の目標波長に対応した寸法に適正に設定することができる。

本態様の波長可変干渉フィルターにおいて、前記連結部は、シリコンにより形成されるとともに、当該連結部が前記第二駆動電極として機能する。
このような構成では、変位部に別途第二駆動電極を形成する必要がなく、これに伴う配線構成も必要がないので、構成の簡素化を図れる。また、変位部のように駆動力によって変形する部位に電極を形成する場合では、変位部の変形時の応力で電極が破損したり断線したりするおそれがある。これに対して、本態様では、連結部自体を第二駆動電極として機能させるため、電極の破損や断線がなく、波長可変干渉フィルターの信頼性を高めることができる。

本態様の波長可変干渉フィルターにおいて、前記駆動部は、前記第一基板の前記変位部に対向する面、及び、前記第一対向面のいずれか一方に設けられるコイルと、前記第一基板の前記変位部に対向する面、及び、前記第一対向面の他方に設けられる磁性体と、を備える構成としてもよい。

本態様では、コイルに電流を流すことで磁界を発生させることができ、当該磁界により磁性体が設けられた変位部を変位させることができる。この際、磁界の強さをコイルに流す電流により制御することができ、第二間隔の寸法を高精度に制御することができる。したがって、第一間隔も、所望の目標波長に対応した寸法に高精度に制御することができ、波長可変干渉フィルターから目標波長の光を精度よく透過させることができる。
また、本態様では、コイルに流す電流の方向を逆転させることで、斥力により変位部を第二基板側に撓ませることもでき、波長可変干渉フィルターは、より広い波長域から所望の目標波長の光を透過させることができる。

本態様の波長可変干渉フィルターにおいて、前記駆動部は、前記第一対向面上に設置された第一電極と、前記第一電極上に設置された圧電膜と、前記圧電膜上に設置された第二電極と、を備え、前記第一電極、前記圧電膜、及び前記第二電極が前記厚み方向に沿って積層されていてもよい。

本態様では、第一電極及び第二電極の間で駆動電圧を印加すると、圧電膜が伸縮することで、連結部の変位部を撓ませることができる。この際、圧電膜に印加する駆動電圧により容易に撓み量を制御することが可能となり、上記態様と同様、第二間隔Ｇ２の寸法を高精度に制御することができる。これにより、第一間隔Ｇ１も所望の目標波長に対応した寸法に高精度に制御することができる。

本態様の波長可変干渉フィルターにおいて、前記連結部は、前記第一対向面及び前記第二対向面を有する薄板部と、前記薄板部の前記第二対向面から前記第二基板に向かって突出して設けられ、突出先端部が前記第二基板に接続される柱状部と、を含む。

本態様では、薄板部が第一基板に接合され、柱状部が第二基板に接合されて、薄板部の第一基板に接合されていない部分が変位部として機能する。このような構成では、薄板部に形成された柱状部が第二基板に接続されるので、薄板部の変形による応力が第二基板に伝搬しにくく、第二基板の撓みを抑制できる。

本態様の波長可変干渉フィルターにおいて、前記柱状部の前記厚み方向の寸法は、前記駆動部によって前記変位部が変形していない状態での前記第一間隔の初期寸法よりも小さい。
本態様では、変位部が大きく撓んだ際に、第二反射膜が第一反射膜に衝突する前に、第二基板が薄板部に当接して第二基板の移動を規制することができる。これにより、第一反射膜や第二反射膜の衝突による破損や劣化を抑制することができる。

本態様の波長可変干渉フィルターにおいて、前記第一基板に設置された第一容量検出電極と、前記第一対向面に設けられ、前記第一容量検出電極に対向する第二容量検出電極と、をさらに有してもよい。

本態様では、第一容量検出電極と第二容量検出電極との間の静電容量を検出することで、第二間隔の寸法を測定することができる。また、連結部が第一基板の第一反射膜を囲うように複数設けられている場合では、各連結部の位置における第二間隔の寸法をそれぞれ個別に測定することができ、これにより、第二基板の第一基板に対する傾斜を検出することができる。

本態様の波長可変干渉フィルターでは、前記第一基板に設けられた第三容量検出電極と、前記第二基板に設けられ、前記第三容量検出電極に対向する第四容量検出電極と、をさらに備え、前記第三容量検出電極は、前記厚み方向から見て、前記第一反射膜の周囲を囲う位置に設置され、前記第四容量検出電極は、前記厚み方向から見て、前記第二反射膜の周囲を囲う位置に設置されていてもよい。

本態様では、第三容量検出電極と第四容量検出電極との間の静電容量を検出することで、第二間隔の寸法を測定することができる。また、上述したように、本態様では、第一基板に対して第二基板を平行に維持したまま、第二基板を第一基板に対して進退させることができる。このため、第三容量検出電極を第一反射膜上に設け、第四容量検出電極を際に反射膜上に設ける構成としなくてもよい。つまり、第三容量検出電極が第一電極の周囲に設けられ、第四容量検出電極が第二反射膜の周囲に設けられている場合でも、第一間隔を精度よく測定することができる。また、厚み方向において第一反射膜及び第二反射膜が重なり合う光学領域に第三容量検出電極及び第四容量検出電極が設けられていないので、第三容量検出電極及び第四容量検出電極によって光学領域を透過する光が阻害される不都合も抑制できる。

本態様の波長可変干渉フィルターでは、前記厚み方向から見て前記第一反射膜及び前記第二反射膜が重なり合う領域を光学領域として、前記連結部は、前記光学領域の周囲を囲う円環状に形成され、前記駆動部は、前記連結部と重なる位置で、前記光学領域の周囲に円環状に形成されていてもよい。
このような構成では、駆動部は、光学領域を囲う円環状の連結部に対し、周方向に沿って均一な応力を作用させて連結部の変位部を撓ませることができる。これにより、第一反射膜と第二反射膜との平行を維持したまま、第一間隔を高精度に変化させることが可能となる。

本態様の波長可変干渉フィルターにおいて、前記厚み方向から見て前記第一反射膜及び前記第二反射膜が重なり合う領域を光学領域として、前記光学領域の中心に対して、複数の前記連結部が回転対称となる位置に設けられ、複数の前記連結部のそれぞれに対応して複数の前記駆動部が設けられている構成としてもよい。

本態様では、光学領域の中心に対して回転対称となる位置に連結部が設けられ、各連結部に対応して駆動部が設けられている。このような構成では、各連結部における変位部の撓み量を、それぞれの連結部に対応して設けられた駆動部によって制御することができる。これにより、第二基板の傾斜を抑制することが可能となり、波長可変干渉フィルターから所望の目標波長の光を高精度に出射させることができる。

１、１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ…波長可変干渉フィルター、１０…第一基板、１１…第一基板面、１２…第一背面、１３…凹溝、１４…第一反射膜領域、１９…絶縁層、２０…第二基板、２１…第二基板面、２２…第二背面、２３…連結領域、２４…第二反射膜領域、３０，３０Ｅ…連結部、３１…第一対向面、３２…第二対向面、３３…薄板部、３４…柱状部、４０，４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ…駆動部、４１，４１Ｇ…第一駆動電極、４３…コイル、４４…永久磁石（磁性体）、４４Ａ…軸部材（磁性体）、４５…絶縁層、５１…第一反射膜、５２…第二反射膜、６１…第一容量検出電極、６３…第三容量検出電極、６４…第四容量検出電極、９０…制御回路、９１…駆動制御部、９２…容量検出部、９３…第二容量検出部、９４…電流制御部、１３１…第一溝部、１３２…第二溝部、１３３…第三溝部、１３４…電装部、１３５…第一溝部、１４１…第一架橋部、１４２…第二架橋部、１４３…第三架橋部、１４４…第四架橋部、３０１…変位部、３１１…第一接合層、３４１…第二接合層、４１１…第一引出電極、４２１…第二引出電極、４３１…第一コイル電極、４３２…第二コイル電極、４３３…固定磁性体、４６１…第一電極、４６２…圧電膜、４６３…第二電極、７００…分光カメラ（電子機器）、Ｃ…光学領域、Ｇ１…第一間隔、Ｇ２…第二間隔。

Claims (11)

1. 第一基板と、
   所定の間隔を介して前記第一基板に対向する第二基板と、
   前記第一基板に設置された第一反射膜と、
   前記第二基板に設置され、所定の第一間隔を介して前記第一反射膜に対向する第二反射膜と、
   前記第一基板及び前記第二基板の間に配置され、前記第一基板に対向する第一対向面、及び前記第二基板に対向する第二対向面を有する連結部と、
   前記第一間隔を変更する駆動部と、を備え、
   前記連結部は、前記第一対向面の一部が前記第一基板に接続され、
   前記第一基板から前記第二基板に向かう厚み方向から見て、前記連結部の前記第一対向面のうち前記第一基板に接続されていない部分は、前記第一基板に対して所定の第二間隔を介して対向する変位部を構成し、
   前記変位部の前記第二対向面の一部は、前記第二基板に接続され、
   前記駆動部は、前記変位部を撓ませることで前記第二間隔を変化させて、前記第一間隔を変更する、波長可変干渉フィルター。
2. 前記駆動部は、前記第一基板に設置された第一駆動電極と、前記変位部に設置されて前記第一駆動電極に対して前記第二間隔を介して対向する第二駆動電極と、を備える、
   請求項１に記載の波長可変干渉フィルター。
3. 前記連結部は、シリコンにより形成されるとともに、当該連結部が前記第二駆動電極として機能する、
   請求項２に記載の波長可変干渉フィルター。
4. 前記駆動部は、前記第一基板の前記変位部に対向する面、及び、前記第一対向面のいずれか一方に設けられるコイルと、前記第一基板の前記変位部に対向する面、及び、前記第一対向面の他方に設けられる磁性体と、を備える、
   請求項１に記載の波長可変干渉フィルター。
5. 前記駆動部は、前記第一対向面上に設置された第一電極と、前記第一電極上に設置された圧電膜と、前記圧電膜上に設置された第二電極と、を備え、前記第一電極、前記圧電膜、及び前記第二電極が前記厚み方向に沿って積層されている、
   請求項１に記載の波長可変干渉フィルター。
6. 前記連結部は、前記第一対向面及び前記第二対向面を有する薄板部と、前記薄板部の前記第二対向面から前記第二基板に向かって突出して設けられ、突出先端部が前記第二基板に接続される柱状部と、を含む、
   請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の波長可変干渉フィルター。
7. 前記柱状部の前記厚み方向の寸法は、前記駆動部によって前記変位部が変形していない状態での前記第一間隔の初期寸法よりも小さい、
   請求項６に記載の波長可変干渉フィルター。
8. 前記第一基板に設置された第一容量検出電極と、前記第一対向面に設けられ、前記第一容量検出電極に対向する第二容量検出電極と、をさらに有する、
   請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の波長可変干渉フィルター。
9. 前記第一基板に設けられた第三容量検出電極と、前記第二基板に設けられ、前記第三容量検出電極に対向する第四容量検出電極と、をさらに備え、
   前記第三容量検出電極は、前記厚み方向から見て、前記第一反射膜の周囲を囲う位置に設置され、
   前記第四容量検出電極は、前記厚み方向から見て、前記第二反射膜の周囲を囲う位置に設置されている、
   請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の波長可変干渉フィルター。
10. 前記厚み方向から見て前記第一反射膜及び前記第二反射膜が重なり合う領域を光学領域として、前記連結部は、前記光学領域の周囲を囲う円環状に形成され、
    前記駆動部は、前記連結部と重なる位置で、前記光学領域の周囲に円環状に形成されている、
    請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の波長可変干渉フィルター。
11. 前記厚み方向から見て前記第一反射膜及び前記第二反射膜が重なり合う領域を光学領域として、前記光学領域の中心に対して、複数の前記連結部が回転対称となる位置に設けられ、複数の前記連結部のそれぞれに対応して複数の前記駆動部が設けられている、
    請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の波長可変干渉フィルター。

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