JP2023130237A - Manufacturing method of organic electroluminescent element and organic electroluminescent element - Google Patents

Manufacturing method of organic electroluminescent element and organic electroluminescent element Download PDF

Info

Publication number
JP2023130237A
JP2023130237A JP2022034802A JP2022034802A JP2023130237A JP 2023130237 A JP2023130237 A JP 2023130237A JP 2022034802 A JP2022034802 A JP 2022034802A JP 2022034802 A JP2022034802 A JP 2022034802A JP 2023130237 A JP2023130237 A JP 2023130237A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ring
group
less
functional
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022034802A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
優記 大嶋
Yuki Oshima
祥匡 坂東
Akimasa Bando
学 櫻井
Manabu Sakurai
恵子 斎藤
Keiko Saito
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Chemical Corp filed Critical Mitsubishi Chemical Corp
Priority to JP2022034802A priority Critical patent/JP2023130237A/en
Publication of JP2023130237A publication Critical patent/JP2023130237A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

To improve uniformity of a film thickness in a region surrounded by a bank in the case where a functional membrane constructing an organic electroluminescent element is formed by a wet type film formation.SOLUTION: A manufacturing method of an organic electroluminescent element, comprises the steps of, in order: providing a plurality of open parts in a fine region by a photo-lithography method by applying a liquid-repellent resist onto a glass substrate having a conductive electrode pattern; applying functional inc containing at least one kind of functional material and at least one kind of organic solvent to the open part by a printing method; vaporizing the organic solvent contained in the functional inc by a depression drying; and sintering a film obtained by the depression drying at a temperature of 150°C or higher to obtain a functional membrane. The organic solvent contains an organic solvent having a contact angle of 26° or more and 50° or less with respect to a predetermined film.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、有機電界発光素子の製造方法と、その製造方法を用いて製造された有機電界発光素子に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an organic electroluminescent device and an organic electroluminescent device manufactured using the manufacturing method.

有機電界発光素子の製造方法としては、有機材料を真空蒸着法により成膜し、積層する製造方法が一般的であるが、近年、より材料使用効率に優れた製造方法として、溶液化した有機材料をインクジェット法等により成膜し、積層する湿式成膜による製造方法の研究が盛んになってきている。 The common method for manufacturing organic electroluminescent devices is to form organic materials into films by vacuum evaporation and laminate them, but in recent years, organic materials in solution form have been developed as a manufacturing method that is more efficient in material usage. Research on manufacturing methods using wet film formation, in which films are formed by an inkjet method or the like and laminated, is becoming more active.

湿式成膜による有機電界発光素子、特に有機ELディスプレイの製造においては、各画素をバンクと呼ばれる隔壁で区画し、バンク内の微小な領域に、有機電界発光素子を構成する機能性膜を形成するための有機電界発光素子形成用組成物であるインクをインクジェット法にて吐出させて成膜する方法が検討されている。この際、インクに種々の表面改質剤を混合することにより、バンクで囲まれた領域内において、より平坦な膜を得る技術が提案されている(特許文献1及び2)。 In manufacturing organic electroluminescent devices, especially organic EL displays, by wet film formation, each pixel is divided by partition walls called banks, and a functional film that constitutes the organic electroluminescent device is formed in a minute area within the bank. A method of forming a film by discharging an ink, which is a composition for forming an organic electroluminescent element, using an inkjet method is being considered. At this time, a technique has been proposed to obtain a flatter film within the area surrounded by the bank by mixing various surface modifiers with the ink (Patent Documents 1 and 2).

しかし、従来法では、バンクで囲まれた領域内における膜の平坦性は十分ではなかった。 However, in the conventional method, the flatness of the film within the region surrounded by the bank was not sufficient.

特許文献3には、乾燥・固化後に断面形状がほぼフラットな機能層を形成することを目的として、沸点の異なる2種以上の溶媒を用いる技術の開示がある。 Patent Document 3 discloses a technique using two or more types of solvents having different boiling points for the purpose of forming a functional layer having a substantially flat cross-sectional shape after drying and solidification.

特にインクジェット装置等を用いて、バンク(隔壁)で区画された領域にインクを塗布して成膜する場合、隔壁そのものに撥液性を持たせてインクが隔壁の外側に溢れないようにしたうえで、区画領域全域が濡れわたるように十分な量のインクを塗布してから、減圧乾燥などの各種乾燥手段を用いて溶媒成分を揮発させて機能性膜を得る。区画領域内でインクが乾燥する際、インクの端部は徐々にバンク側面を後退していき、徐々に濃度が高まっていき、最終的に機能性膜になる。しかしながら、バンク側面の濡れ性の違いや、バンク側面の形状変化によってバンク側面の途中で止まってしまうというセルフピニング現象により、インク端部は十分にバンク側面を後退できないことがある。このようにバンク側面の途中でセルフピニングしてしまうと、出来上がった機能性膜がバンク側面に沿って濡れあがるような形状をとってしまうため、膜厚が均一になりにくい。 In particular, when using an inkjet device or the like to apply ink to an area divided by banks (partition walls) to form a film, it is necessary to make the partition walls themselves liquid repellent to prevent the ink from overflowing to the outside of the partition walls. Then, a sufficient amount of ink is applied so that the entire divided area is wetted, and then the solvent component is evaporated using various drying means such as vacuum drying to obtain a functional film. When the ink dries in the partitioned area, the edge of the ink gradually retreats from the side of the bank, gradually increasing its concentration, and finally forming a functional film. However, due to the self-pinning phenomenon in which the ink stops halfway along the bank side surface due to differences in wettability of the bank side surface or changes in the shape of the bank side surface, the ink end may not be able to sufficiently retreat along the bank side surface. If self-pinning is performed in the middle of the bank side surface in this way, the resulting functional film will take a shape that wets along the bank side surface, making it difficult to achieve a uniform film thickness.

セルフピニング現象は、バンク側面に対するインクの後退接触角を測定することで確認できる。しかしながら、複雑な構造と表面物性を有するバンク側面で後退接触角を測定することは困難であり、制御が難しいことが課題であった。また、乾燥中のインクは、乾燥過程の濃度上昇に伴って粘度も上昇してしまうため、インクとしての流動性が失われてセルフピニングしてしまうという課題も有している。 The self-pinning phenomenon can be confirmed by measuring the receding contact angle of the ink on the side surface of the bank. However, it is difficult to measure the receding contact angle on the side surface of a bank, which has a complex structure and surface properties, and the problem is that it is difficult to control. Furthermore, the viscosity of the ink during drying increases as the concentration increases during the drying process, resulting in a loss of fluidity as an ink, resulting in self-pinning.

国際公開第2010/104183号International Publication No. 2010/104183 特開2002-056980号公報JP2002-056980A 特開2015-185640号公報Japanese Patent Application Publication No. 2015-185640

本発明は、有機電界発光素子を構成する機能性膜を湿式成膜により形成する場合において、バンクに囲まれた領域内における膜厚の均一性を改善することを課題とする。 An object of the present invention is to improve the uniformity of film thickness within a region surrounded by banks when a functional film constituting an organic electroluminescent device is formed by wet film formation.

本発明者は、バンク最表面を外部エネルギーによって処理し、最表面の撥液成分を剥離した表面の接触角と、機能層の膜形状が関連していることを見出した。つまり、該接触角が一定の範囲内となるような溶媒を含むインクと、バンクの組み合わせを用いて機能性膜を形成することで、適切にセルフピニングを抑制し、均一な膜が得られることを見出した。 The present inventors have discovered that the contact angle of the surface obtained by treating the outermost surface of the bank with external energy and removing the liquid-repellent component from the outermost surface is related to the film shape of the functional layer. In other words, by forming a functional film using a combination of a bank and an ink containing a solvent whose contact angle is within a certain range, self-pinning can be appropriately suppressed and a uniform film can be obtained. I found out.

即ち、本発明は、以下の構成を有する。 That is, the present invention has the following configuration.

[1]
導電性の電極パターンを有するガラス基板上に撥液レジストを塗布して、フォトリソグラフィー法によって微小領域の開口部を複数設ける工程と、
少なくとも1種の機能性材料と少なくとも1種の有機溶媒とを含む機能性インクを、印刷法によって前記開口部に塗布する工程と、
前記機能性インクに含まれる前記有機溶媒を減圧乾燥によって揮発させる工程と、
前記減圧乾燥によって得られた膜を150℃以上の温度で焼結し、機能性膜を得る工程と、をこの順で含む有機電界発光素子の製造方法であって、
前記撥液レジストを硬化して得られる撥液レジスト膜の表面が外部エネルギーによって剥離された接触角測定のための膜に対して、26°以上50°未満の接触角を有する有機溶媒を前記有機溶媒が含む、有機電界発光素子の製造方法。
[2]
前記外部エネルギーによる撥液レジスト膜の表面の剥離が、UV/オゾン処理、もしくはプラズマ処理により行われる、[1]に記載の有機電界発光素子の製造方法。
[3]
前記26°以上50°未満の接触角を有する有機溶媒が、前記機能性インクに含まれる全ての有機溶媒のうち最も高い沸点を有する、[1]又は[2]に記載の有機電界発光素子の製造方法。
[4]
前記26°以上50°未満の接触角を有する有機溶媒の含有量が、前記機能性インクに含まれる全ての有機溶媒に対して15重量%以上である、[1]~[3]のいずれか一つに記載の有機電界発光素子の製造方法。
[5]
前記26°以上50°未満の接触角を有する有機溶媒の含有量が、前記機能性インクに含まれる全ての有機溶媒に対して50重量%未満である、[1]~[4]のいずれか一つに記載の有機電界発光素子の製造方法。
[6]
前記26°以上50°未満の接触角を有する有機溶媒の沸点と、前記機能性インクに含まれる全ての有機溶媒のうち最も沸点の低い有機溶媒の沸点との差が20℃以上である、[1]~[5]のいずれか一つに記載の有機電界発光素子の製造方法。
[7]
前記機能性材料が、少なくとも1種の正孔輸送性化合物と少なくとも1種の電子受容性化合物とを含む、[1]~[6]のいずれか一つに記載の有機電界発光素子の製造方法。
[8]
前記機能性インクに含まれる前記有機溶媒を減圧乾燥する時間が1分以上15分未満である、[1]~[7]のいずれか一つに記載の有機電界発光素子の製造方法。
[9]
前記撥液レジストがフッ素原子含有樹脂を含有する、[1]~[8]のいずれか一つに記載の有機電界発光素子の製造方法。
[10]
前記撥液レジスト膜を前記外部エネルギーによって処理する時間が30秒以上300秒以下である、[1]~[9]のいずれか一つに記載の有機電界発光素子の製造方法。
[11]
[1]~[10]のいずれか一つに記載の製造方法を用いて製造された、有機電界発光素子。
[1]
a step of applying a liquid-repellent resist on a glass substrate having a conductive electrode pattern and forming a plurality of openings in minute regions by photolithography;
applying a functional ink containing at least one functional material and at least one organic solvent to the opening by a printing method;
Volatizing the organic solvent contained in the functional ink by drying under reduced pressure;
A method for producing an organic electroluminescent device comprising, in this order, the step of sintering the film obtained by the vacuum drying at a temperature of 150° C. or higher to obtain a functional film,
The organic solvent having a contact angle of 26° or more and less than 50° is applied to a film for contact angle measurement from which the surface of the lyophobic resist film obtained by curing the lyophobic resist is peeled off by external energy. A method for producing an organic electroluminescent device, the method including a solvent.
[2]
The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to [1], wherein the surface of the liquid-repellent resist film is peeled off by external energy by UV/ozone treatment or plasma treatment.
[3]
The organic electroluminescent device according to [1] or [2], wherein the organic solvent having a contact angle of 26° or more and less than 50° has the highest boiling point among all the organic solvents contained in the functional ink. Production method.
[4]
Any one of [1] to [3], wherein the content of the organic solvent having a contact angle of 26° or more and less than 50° is 15% by weight or more based on all organic solvents contained in the functional ink. 1. A method for manufacturing an organic electroluminescent device according to item 1.
[5]
Any one of [1] to [4], wherein the content of the organic solvent having a contact angle of 26° or more and less than 50° is less than 50% by weight based on all organic solvents contained in the functional ink. 1. A method for manufacturing an organic electroluminescent device according to item 1.
[6]
The difference between the boiling point of the organic solvent having a contact angle of 26° or more and less than 50° and the boiling point of the organic solvent having the lowest boiling point among all the organic solvents contained in the functional ink is 20° C. or more, [ The method for producing an organic electroluminescent device according to any one of [1] to [5].
[7]
The method for producing an organic electroluminescent device according to any one of [1] to [6], wherein the functional material contains at least one hole-transporting compound and at least one electron-accepting compound. .
[8]
The method for producing an organic electroluminescent device according to any one of [1] to [7], wherein the organic solvent contained in the functional ink is dried under reduced pressure for 1 minute or more and less than 15 minutes.
[9]
The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to any one of [1] to [8], wherein the liquid-repellent resist contains a fluorine atom-containing resin.
[10]
The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to any one of [1] to [9], wherein the time for treating the liquid-repellent resist film with the external energy is 30 seconds or more and 300 seconds or less.
[11]
An organic electroluminescent device manufactured using the manufacturing method described in any one of [1] to [10].

本発明の製造方法によれば、バンクに囲まれた領域内における機能性膜の膜厚の均一性を良好にすることができる。 According to the manufacturing method of the present invention, it is possible to improve the uniformity of the thickness of the functional film within the region surrounded by the bank.

本発明の有機電界発光素子の構造例を示す断面の模式図である。1 is a schematic cross-sectional view showing a structural example of an organic electroluminescent device of the present invention.

以下、本発明を実施するための形態を、図などを参照して説明する。以下に説明する実施形態は、本発明を説明するための一実施形態であり、本発明を限定して解釈されることを意図するものではなく、また、各実施形態で説明されているすべての構成が、本発明の課題を解決するために必須の構成であるとは限らない。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to figures and the like. The embodiments described below are one embodiment for explaining the present invention, and are not intended to be interpreted as limiting the present invention, and all the embodiments described in each embodiment The configuration is not necessarily an essential configuration to solve the problems of the present invention.

また、本明細書においては、本発明の組成物を、インクジェットなどのノズルから吐出するインクとして用いる場合、機能性インク又は単にインクと称する場合がある。本発明の組成物をインクジェットなどのノズルから吐出するインクとして用い、ノズルから吐出して隔壁層に囲まれた領域内に塗布した場合、隔壁層に囲まれた領域内のインクを液、または液膜と称する場合があり、ノズルから吐出されたインクを液滴と称する場合がある。 Furthermore, in this specification, when the composition of the present invention is used as an ink ejected from a nozzle of an inkjet device, it may be referred to as a functional ink or simply an ink. When the composition of the present invention is used as an ink ejected from a nozzle of an inkjet device and applied to an area surrounded by a partition layer, the ink in the area surrounded by a partition layer is converted into a liquid or liquid. It is sometimes called a film, and the ink ejected from a nozzle is sometimes called a droplet.

隔壁層(バンク)に囲まれた領域内の液膜を乾燥させ、溶媒が揮発することによって液膜の溶媒組成比が変化したものも液または液膜と称する場合がある。本発明の組成物を塗布成膜し、有機溶媒を揮発させて乾燥させて得られた、機能性材料を含む膜を機能性膜又は機能性層と称する。また、有機化合物を含む膜であって、溶媒を含まないか又は実質的に溶媒を揮発させて乾燥した膜を有機膜と称する。機能性膜は有機膜の一種である。 A liquid film in which the solvent composition ratio of the liquid film changes by drying the liquid film in the region surrounded by the partition layer (bank) and volatilizing the solvent may also be referred to as a liquid or a liquid film. A film containing a functional material obtained by coating the composition of the present invention, evaporating the organic solvent, and drying the film is referred to as a functional film or a functional layer. Furthermore, a film containing an organic compound that does not contain a solvent or is dried by substantially volatilizing the solvent is referred to as an organic film. A functional film is a type of organic film.

本明細書において、バンクとは、感光性の組成物を用いて製膜した膜を、一般的なフォトリソグラフィー法によってパターニングし、区画された微小領域(画素とも言う)を有する膜に成型した構造体を指す。本構造体の区画された微小領域内は、一定の高さを有するバンクの壁面に囲まれており、この壁面全域をバンク側面と呼称する。また、上記のような目的で製造された感光性組成物を、単にレジストと称する場合がある。 In this specification, a bank is a structure in which a film formed using a photosensitive composition is patterned by a general photolithography method and formed into a film having divided micro regions (also called pixels). Point to the body. The divided minute region of this structure is surrounded by a bank wall having a constant height, and the entire wall surface is referred to as a bank side surface. Further, a photosensitive composition manufactured for the above purpose may be simply referred to as a resist.

湿式法で有機ELディスプレイを製造する多くの場合、このバンクは撥液性を有しており、塗布された機能性インクが溢れることを防ぐ機能を有している。このような撥液性を有するバンクを製造するために用いるレジストを、撥液レジストと称することがある。また、本撥液レジストを用いて製膜し、特にパターニング用のマスクを用いずに露光や現像を行って製造した膜を、撥液レジスト膜と称する。 In many cases where organic EL displays are manufactured using a wet method, this bank has liquid repellency and has the function of preventing the applied functional ink from overflowing. A resist used to manufacture a bank having such liquid repellency is sometimes referred to as a liquid repellent resist. In addition, a film formed using the present liquid-repellent resist and exposed and developed without particularly using a patterning mask is referred to as a liquid-repellent resist film.

<有機電界発光素子の製造方法>
本発明は、導電性の電極パターンを有するガラス基板上に撥液レジストを塗布して、フォトリソグラフィー法によって微小領域の開口部を複数設ける工程と、外部エネルギーによってバンクの表面を剥離する工程と、少なくとも1種の機能性材料と少なくとも1種の有機溶媒とを含む機能性インクを、印刷法によって前記開口部に塗布する工程と、前記機能性インクに含まれる前記有機溶媒を減圧乾燥によって揮発させる工程と、前記減圧乾燥によって得られた膜を150℃以上の温度で焼結し、機能性膜を得る工程と、をこの順で含む有機電界発光素子の製造方法であって、前記撥液レジストを硬化して得られる撥液レジスト膜の表面が前記外部エネルギーによって剥離された接触角測定のための膜に対して、26°以上50°未満の接触角を有する有機溶媒を前記有機溶媒が含む、有機電界発光素子の製造方法に関する。本発明はまた、前記製造方法を用いて製造された、有機電界発光素子にも関する。
<Method for manufacturing organic electroluminescent device>
The present invention includes a step of applying a liquid-repellent resist on a glass substrate having a conductive electrode pattern and forming a plurality of micro-region openings using a photolithography method, and a step of peeling off the surface of the bank using external energy. Applying a functional ink containing at least one functional material and at least one organic solvent to the opening by a printing method, and volatilizing the organic solvent contained in the functional ink by drying under reduced pressure. and a step of sintering the film obtained by the vacuum drying at a temperature of 150° C. or higher to obtain a functional film. The organic solvent contains an organic solvent having a contact angle of 26° or more and less than 50° with respect to the film for contact angle measurement from which the surface of the liquid-repellent resist film obtained by curing is peeled off by the external energy. , relates to a method for manufacturing an organic electroluminescent device. The present invention also relates to an organic electroluminescent device manufactured using the manufacturing method.

本発明は、バンク側面でのセルフピニングを抑えるために、撥液レジスト膜の最表面の撥液成分を剥離して得られる接触角測定のための膜を用いて、疑似的なバンク側面と機能性インクに用いる溶媒の関係について検討した。そして、接触角測定のための膜の表面上における接触角が26°以上50°未満となるような有機溶媒(以下、「26°以上50°未満の接触角を有する有機溶媒」ともいう。)を含むインクと、該接触角測定のための膜を与える撥液レジストにより形成されるバンクとの組み合わせを用いることで、効果的にセルフピニングを抑制し、膜の均一性を向上できることを見出した。 In order to suppress self-pinning on the bank side surface, the present invention uses a film for contact angle measurement obtained by peeling off the liquid-repellent component on the outermost surface of the liquid-repellent resist film to create a pseudo bank side surface and function. We investigated the relationship between solvents used in ink. An organic solvent that has a contact angle of 26° or more and less than 50° on the surface of the film for contact angle measurement (hereinafter also referred to as "organic solvent having a contact angle of 26° or more and less than 50°"). It has been discovered that by using a combination of an ink containing 100% and a bank formed by a liquid-repellent resist that provides a film for measuring the contact angle, self-pinning can be effectively suppressed and the uniformity of the film can be improved. .

<撥液レジスト>
本発明における撥液レジストは、ポジ型あるいはネガ型のいずれを用いてもよいが、撥液性の観点からネガ型が好ましい。ネガ型撥液レジストにおいては、(A)光重合開始剤、(B)アルカリ可溶性樹脂、(C)光重合性化合物、及び(D)撥液剤を含有する感光性組成物が好ましい。
<Liquid repellent resist>
The liquid-repellent resist in the present invention may be either a positive type or a negative type, but a negative type is preferable from the viewpoint of liquid repellency. In a negative liquid-repellent resist, a photosensitive composition containing (A) a photopolymerization initiator, (B) an alkali-soluble resin, (C) a photopolymerizable compound, and (D) a liquid repellent is preferred.

(A)光重合開始剤
(A)光重合開始剤は、紫外線を吸収して(C)光重合性化合物の重合反応を促進させるために含有される。本願で使用される光重合開始剤は特に限定されるわけではないが、露光機の光源の波長350~400nmの紫外線(i線)を適度に吸収し、重合反応を促進させ、撥液性を向上させるという理由から、オキシムエステル系光重合開始剤が好ましい。
例えば、日本国特許第4454067号公報、国際公開2002/100903号、国際公開2012/45736号、国際公開2015/36910号、国際公開2006/18973号、国際公開2008/78678号、日本国特許第4818458号公報、国際公開2005/80338号、国際公開2008/75564号、国際公開2009/131189号、国際公開2009/131189号、国際公開2010/133077号、国際公開2010/102502号、国際公開2012/68879号に記載されている光重合開始剤が使用できる。
(A) Photopolymerization initiator (A) The photopolymerization initiator is contained in order to absorb ultraviolet rays and promote the polymerization reaction of the (C) photopolymerizable compound. The photopolymerization initiator used in this application is not particularly limited, but it absorbs moderate ultraviolet rays (i-line) with a wavelength of 350 to 400 nm from the light source of the exposure machine, accelerates the polymerization reaction, and has liquid repellency. An oxime ester photopolymerization initiator is preferred because it improves the polymerization.
For example, Japanese Patent No. 4454067, International Publication No. 2002/100903, International Publication No. 2012/45736, International Publication No. 2015/36910, International Publication No. 2006/18973, International Publication No. 2008/78678, Japanese Patent No. 4818458 International Publication No. 2005/80338, International Publication No. 2008/75564, International Publication No. 2009/131189, International Publication No. 2009/131189, International Publication No. 2010/133077, International Publication No. 2010/102502, International Publication No. 2012/68879 The photopolymerization initiators described in this issue can be used.

また、該光重合開始剤の含有割合は特に限定されないが、撥液レジストの全固形分中に、通常0.1質量%以上、好ましくは1質量%以上、より好ましくは2質量%以上、さらに好ましくは3質量%以上であり、通常15質量%以下、好ましくは10質量%以下、より好ましくは8質量%以下、さらに好ましくは5質量%以下である。前記下限値以上とすることで、十分な撥液性が生じる傾向があり、また、前記上限値以下とすることで現像性が良好となる傾向がある。 The content ratio of the photopolymerization initiator is not particularly limited, but is usually 0.1% by mass or more, preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, and It is preferably 3% by mass or more, usually 15% by mass or less, preferably 10% by mass or less, more preferably 8% by mass or less, and even more preferably 5% by mass or less. When the content is equal to or more than the lower limit, sufficient liquid repellency tends to occur, and when the content is equal to or less than the upper limit, developability tends to be improved.

(B)アルカリ可溶性樹脂
(B)アルカリ可溶性樹脂としては、アルカリ現像液で現像可能なものであれば特に限定されない。アルカリ可溶性樹脂としては、カルボキシル基又は水酸基を有する各種樹脂が挙げられるが、現像性に優れるとの観点からはカルボキシル基を有するものが好ましい。また、バンク側面の垂直性が良好となり、バンクの熱溶融による撥液剤の流出が抑えられて撥液性を保持しやすい等の理由から、エチレン性不飽和基を有するアルカリ可溶性樹脂が好ましい。
(B)アルカリ可溶性樹脂の具体的構造は特に限定されないが、エポキシ(メタ)アクリレート樹脂(B1)及び/又はアクリル共重合樹脂(B2)が好ましい。
ここで、エポキシ(メタ)アクリレート樹脂(B1)は、主鎖に芳香環を有するエポキシ樹脂にエチレン性不飽和結合(エチレン性二重結合)を有する酸又はエステル化合物を付加し、さらに多塩基酸又はその無水物を付加させた樹脂である。またさらに、上記反応で得られた樹脂のカルボキシ基に、さらに反応し得る官能基を有する化合物を反応させて得られる樹脂も、エポキシ(メタ)アクリレート樹脂(B1)に含まれる。
例えば、国際公開2004/81621号、国際公開2008/129986号、国際公開2008/153000号、国際公開2018/43746号、国際公開2018/101314号、国際公開2021/90836号に記載されているアルカリ可溶性樹脂を用いることができる。
(B) Alkali-soluble resin (B) The alkali-soluble resin is not particularly limited as long as it can be developed with an alkaline developer. Examples of the alkali-soluble resin include various resins having a carboxyl group or a hydroxyl group, and those having a carboxyl group are preferred from the viewpoint of excellent developability. Further, an alkali-soluble resin having an ethylenically unsaturated group is preferable because the verticality of the side surface of the bank is good, and the outflow of the liquid repellent agent due to thermal melting of the bank is suppressed, so that liquid repellency is easily maintained.
(B) Although the specific structure of the alkali-soluble resin is not particularly limited, epoxy (meth)acrylate resin (B1) and/or acrylic copolymer resin (B2) are preferred.
Here, the epoxy (meth)acrylate resin (B1) is produced by adding an acid or ester compound having an ethylenically unsaturated bond (ethylenic double bond) to an epoxy resin having an aromatic ring in the main chain, and further adding a polybasic acid Or it is a resin to which its anhydride is added. Furthermore, the epoxy (meth)acrylate resin (B1) also includes a resin obtained by reacting a compound having a functional group that can further react with the carboxy group of the resin obtained by the above reaction.
For example, alkali-soluble as described in International Publication No. 2004/81621, International Publication No. 2008/129986, International Publication No. 2008/153000, International Publication No. 2018/43746, International Publication No. 2018/101314, and International Publication No. 2021/90836. Resin can be used.

本発明で用いることができる撥液レジストにおける(B)アルカリ可溶性樹脂の含有割合は特に限定されないが、全固形分に対して、通常5質量%以上、好ましくは10質量%以上、より好ましくは20質量%以上、さらに好ましくは30質量%以上、よりさらに好ましくは40質量%以上、特に好ましくは50質量%以上、また、通常90質量%以下、好ましくは80質量%以下、より好ましくは70質量%以下である。前記下限値以上とすることで隔壁の形状が良好となる傾向があり、また、前記上限値以下とすることで撥液性が向上する傾向がある。 The content ratio of the alkali-soluble resin (B) in the liquid-repellent resist that can be used in the present invention is not particularly limited, but is usually 5% by mass or more, preferably 10% by mass or more, and more preferably 20% by mass or more based on the total solid content. Mass % or more, more preferably 30 mass % or more, even more preferably 40 mass % or more, particularly preferably 50 mass % or more, and usually 90 mass % or less, preferably 80 mass % or less, more preferably 70 mass % It is as follows. When the content is equal to or more than the lower limit, the shape of the partition wall tends to be improved, and when the content is equal to or less than the upper limit, the liquid repellency tends to be improved.

(C)光重合性化合物
(C)光重合性化合物は、レジスト膜の硬化性を上げ、撥液性を向上させると考えられる。ここで使用される光重合性化合物としては、特に以下に限定されるものではないが、エチレン性不飽和結合を分子内に1個以上有する化合物を意味するが、重合性、架橋性、およびそれに伴う露光部と非露光部の現像液溶解性の差異を拡大できる等の点から、エチレン性不飽和結合を分子内に2個以上有する化合物であることが好ましく、また、その不飽和結合は(メタ)アクリロイルオキシ基に由来するもの、つまり、(メタ)アクリレート化合物であることがさらに好ましい。
光重合性化合物としては、例えば、脂肪族ポリヒドロキシ化合物と不飽和カルボン酸とのエステル;芳香族ポリヒドロキシ化合物と不飽和カルボン酸とのエステル;脂肪族ポリヒドロキシ化合物、芳香族ポリヒドロキシ化合物等の多価ヒドロキシ化合物と、不飽和カルボン酸及び多塩基性カルボン酸とのエステル化反応により得られるエステル;が挙げられるが、撥液性の観点から、脂肪族ポリヒドロキシ化合物と不飽和カルボン酸とのエステルが好ましい。例えば、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、2-トリス(メタ)アクリロイロキシメチルエチルフタル酸、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート等がより好ましい。
(C) Photopolymerizable compound (C) The photopolymerizable compound is thought to increase the curability of the resist film and improve the liquid repellency. The photopolymerizable compound used here refers to a compound having one or more ethylenically unsaturated bonds in the molecule, although it is not particularly limited to the following. It is preferable to use a compound having two or more ethylenically unsaturated bonds in the molecule, from the viewpoint of enlarging the difference in developer solubility between the exposed area and the unexposed area, and the unsaturated bond is ( More preferably, it is derived from a meth)acryloyloxy group, that is, a (meth)acrylate compound.
Examples of photopolymerizable compounds include esters of aliphatic polyhydroxy compounds and unsaturated carboxylic acids; esters of aromatic polyhydroxy compounds and unsaturated carboxylic acids; aliphatic polyhydroxy compounds, aromatic polyhydroxy compounds, etc. Examples include esters obtained by esterification reactions between polyhydric hydroxy compounds, unsaturated carboxylic acids, and polybasic carboxylic acids; Esters are preferred. For example, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, 2-tris(meth)acryloyloxymethylethylphthalate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, More preferred are dipentaerythritol penta(meth)acrylate and the like.

本発明で用いることができる撥液レジストにおける(C)光重合性化合物の含有割合は、特に限定されないが、全固形分中に通常1質量%以上、好ましくは5質量%以上、より好ましくは10質量%以上、さらに好ましくは15質量%以上、通常80質量%以下、好ましくは60質量%以下、より好ましくは40質量%以下、さらに好ましくは30質量%以下である。前記下限値以上とすることで露光時の隔壁側面の垂直性が良好となる傾向があり、前記上限値以下とすることで現像性が良好となる傾向がある。 The content of the photopolymerizable compound (C) in the liquid-repellent resist that can be used in the present invention is not particularly limited, but is usually 1% by mass or more, preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more in the total solid content. The content is at least 15% by mass, more preferably at least 15% by mass, usually at most 80% by mass, preferably at most 60% by mass, more preferably at most 40% by mass, even more preferably at most 30% by mass. When the amount is at least the lower limit, the perpendicularity of the side surfaces of the partition walls during exposure tends to be good, and when it is at most the upper limit, the developability tends to be good.

(D)撥液剤
(D)撥液剤は、フッ素原子含有樹脂を含有することが好ましく、架橋基を有するフッ素原子含有樹脂を含有することがより好ましい。このような撥液剤を用いることにより、撥液レジストがフッ素原子含有樹脂又は架橋基を有するフッ素原子含有樹脂を含有することとなり、その結果、バンクの表面に撥液性を付与できることから、機能性インクを塗布した際に隣り合う微小領域のインク同士が混ざり合ってしまうのを防ぐことができる。
(D) Liquid repellent (D) The liquid repellent preferably contains a fluorine atom-containing resin, and more preferably contains a fluorine atom-containing resin having a crosslinking group. By using such a liquid repellent, the liquid repellent resist contains a fluorine atom-containing resin or a fluorine atom-containing resin having a crosslinking group, and as a result, it is possible to impart liquid repellency to the surface of the bank, which improves functionality. When ink is applied, it is possible to prevent inks in adjacent minute areas from mixing with each other.

架橋基としては、エポキシ基又はエチレン性不飽和基が挙げられ、現像液の撥液成分の流出抑制の観点から、エチレン性不飽和基が好ましい。架橋基を有する撥液剤を用いることで、形成したレジスト膜を露光する際にその表面での架橋反応を加速することができ、撥液剤が現像処理で流出しにくくなり、その結果、得られるバンクも高い撥液性を示すものとすることができる。また、フッ素原子含有樹脂であることで、該フッ素原子含有樹脂が隔壁の表面に配向して、機能性インクのにじみや混ざり合いを防止する働きをする傾向がある。
フッ素原子は、例えばフルオロアルキル基、フルオロアルケニル基、フルオロアルキレン基等で含有させることができる。このうち、撥液性、機能性インクのにじみや混ざり合いを防止する観点から、フルオロアルキル基、フルオロアルキレン基が好ましく、フルオロアルキル基がより好ましい。
Examples of the crosslinking group include an epoxy group or an ethylenically unsaturated group, and an ethylenically unsaturated group is preferable from the viewpoint of suppressing outflow of the liquid-repellent component of the developer. By using a liquid repellent having a crosslinking group, it is possible to accelerate the crosslinking reaction on the surface of the formed resist film when it is exposed to light, making it difficult for the liquid repellent to flow out during the development process, and as a result, the resulting bank It can also be made to exhibit high liquid repellency. Moreover, since the resin is a fluorine atom-containing resin, the fluorine atom-containing resin tends to be oriented on the surface of the partition wall, thereby preventing the functional ink from bleeding or mixing.
The fluorine atom can be contained, for example, in the form of a fluoroalkyl group, a fluoroalkenyl group, a fluoroalkylene group, or the like. Among these, from the viewpoint of liquid repellency and prevention of bleeding and mixing of functional inks, fluoroalkyl groups and fluoroalkylene groups are preferred, and fluoroalkyl groups are more preferred.

また、撥液剤はアクリル共重合体であることが望ましい。アクリル共重合体であることで、機能性インクのにじみや混ざり合いを防止する働きをする傾向がある。 Moreover, it is desirable that the liquid repellent is an acrylic copolymer. Being an acrylic copolymer, it tends to work to prevent functional inks from bleeding or mixing.

(D)撥液剤の含有割合は特に限定されないが、全固形分に対して通常0.01質量%以上、好ましくは0.1質量%以上、より好ましくは0.5質量%以上であり、また、通常5質量%以下、好ましくは3質量%以下、より好ましくは2質量%以下である。前記下限値以上とすることで高い撥液性を示す傾向があり、また、前記上限値以下とすることで微小領域への流出を抑制できる傾向がある。 (D) The content ratio of the liquid repellent is not particularly limited, but is usually 0.01% by mass or more, preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more based on the total solid content, and , usually 5% by mass or less, preferably 3% by mass or less, more preferably 2% by mass or less. Setting the amount above the lower limit value tends to exhibit high liquid repellency, and setting the amount below the upper limit value tends to suppress outflow to minute regions.

(その他の添加剤)
前記(A)成分のエチレン性不飽和化合物、(B)成分の光重合開始剤、(C)成分のアルカリ可溶性バインダー、(D)成分の撥液剤の外に、界面活性剤、着色剤、紫外線吸収剤、重合禁止剤、酸化防止剤、現像改良剤、シランカップリング剤、エポキシ化合物、その他の樹脂などを適宜配合することができる。
(Other additives)
In addition to the ethylenically unsaturated compound as component (A), the photopolymerization initiator as component (B), the alkali-soluble binder as component (C), and the liquid repellent as component (D), surfactants, colorants, and ultraviolet rays. Absorbers, polymerization inhibitors, antioxidants, development improvers, silane coupling agents, epoxy compounds, other resins, and the like can be blended as appropriate.

また撥液レジストは、適宜、各成分を溶剤に溶解または分散させた状態で使用される。その溶剤としては、特に制限は無いが、例えば、以下に記載する有機溶剤が挙げられる。
プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、のようなグリコールモノアルキルエーテル類;
ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテルのようなグリコールジアルキルエーテル類;
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、3-メトキシブチルアセテートのようなグリコールアルキルエーテルアセテート類;
1,3-ブチレングリコールジアセテート、1,4-ブタンジオールジアセテート、1,6-ヘキサノールジアセテート等のグリコールジアセテート類;
酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、3-エトキシプロピオン酸メチル、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-メトキシプロピオン酸メチル、3-メトキシプロピオン酸エチル等のアルコキシカルボン酸類。
これらのうち、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3-メトキシ-1-ブチルアセテートが好ましい。
Further, the liquid-repellent resist is used in a state in which each component is dissolved or dispersed in a solvent as appropriate. The solvent is not particularly limited, but includes, for example, the organic solvents described below.
Glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether;
Glycol dialkyl ethers such as diethylene glycol ethyl methyl ether and diethylene glycol diethyl ether;
Glycol alkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, 3-methoxybutyl acetate;
Glycol diacetates such as 1,3-butylene glycol diacetate, 1,4-butanediol diacetate, 1,6-hexanol diacetate;
Alkoxycarboxylic acids such as ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, and ethyl 3-methoxypropionate.
Among these, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, and 3-methoxy-1-butyl acetate are preferred.

<撥液レジスト膜の製膜>
通常、撥液レジスト膜を製膜すると、(D)撥液剤は膜の最表面に分布し、バルク領域にはあまり撥液成分は分布しない。そのため、フォトリソグラフィー法などで微小な開口部をパターニングした場合のバンク側面には、撥液成分が存在していない。一方で、通常の撥液バンク表面とは異なる性質を有しているバンク側面は、非常に狭い領域で、バンク側面上で接触角などの各種の物性を評価することは困難である。
<Fabrication of liquid-repellent resist film>
Normally, when a liquid-repellent resist film is formed, the liquid-repellent agent (D) is distributed on the outermost surface of the film, and the liquid-repellent component is not distributed much in the bulk region. Therefore, no liquid-repellent component exists on the side surface of the bank when minute openings are patterned using photolithography or the like. On the other hand, the bank side surface, which has properties different from normal liquid-repellent bank surfaces, is a very narrow area, and it is difficult to evaluate various physical properties such as contact angle on the bank side surface.

本発明では、このように撥液成分があまり分布していないバンク側面での接触角を評価するために、撥液レジスト膜の最表面の撥液成分の剥離を行ってバンク側面の状態をレジスト膜の最表面で再現し、該表面上で接触角を測定することで、測定が困難なバンク側面上の物性評価を疑似的に行うことを可能とした。本明細書において、このような接触角測定のための膜を「疑似バンク側面膜」ということもある。 In the present invention, in order to evaluate the contact angle on the bank side surface where the liquid-repellent component is not well distributed, the liquid-repellent component on the outermost surface of the liquid-repellent resist film is peeled off, and the state of the bank side surface is evaluated from the resist. By reproducing the contact angle on the outermost surface of the film and measuring the contact angle on that surface, it became possible to simulate the physical property evaluation on the side surface of the bank, which is difficult to measure. In this specification, such a film for contact angle measurement is sometimes referred to as a "pseudo bank side film."

<撥液レジスト膜の表面剥離>
撥液レジスト膜の製膜については、スピンコート法やダイコート法、バーコート法、スプレーコート法、インクジェット法などを用いることができ、好ましくはスピンコート法やダイコート法、インクジェット法を用いることができ、さらに好ましくはスピンコート法やダイコート法を用いることができる。また、撥液レジスト膜の表面は外部エネルギーを用いて剥離することが好ましい。外部エネルギーを与える手段としては、UV/オゾン洗浄法等のUV/オゾン処理、もしくは、プラズマエッチング法等のプラズマ処理、エキシマUV法等のエキシマUV処理などが挙げられる。外部エネルギーによる撥液レジスト膜の表面の剥離は、UV/オゾン処理、もしくはプラズマ処理により行われることが好ましく、プラズマエッチング法により行われることがより好ましい。
外部エネルギーによって、撥液レジスト膜の最表面が剥離されることが好ましい。本明細書において、撥液レジスト膜の「表面」とは、膜表面の撥液剤が分布する領域と撥液剤が分布していない領域の両方を含んだ領域を意味し、「最表面」とは撥液剤が分布する領域のみを意味する。
<Surface peeling of liquid-repellent resist film>
For forming the liquid-repellent resist film, a spin coating method, a die coating method, a bar coating method, a spray coating method, an inkjet method, etc. can be used, and preferably a spin coating method, a die coating method, an inkjet method can be used. More preferably, a spin coating method or a die coating method can be used. Further, it is preferable that the surface of the liquid-repellent resist film be peeled off using external energy. Examples of means for applying external energy include UV/ozone treatment such as a UV/ozone cleaning method, plasma treatment such as a plasma etching method, and excimer UV treatment such as an excimer UV method. Peeling of the surface of the liquid-repellent resist film using external energy is preferably performed by UV/ozone treatment or plasma treatment, and more preferably by plasma etching.
Preferably, the outermost surface of the liquid-repellent resist film is peeled off by external energy. In this specification, the "surface" of a liquid-repellent resist film refers to an area that includes both a region on the surface of the film where a liquid-repellent agent is distributed and an area where a liquid-repellent agent is not distributed, and the "outermost surface" It means only the area where the liquid repellent is distributed.

表面の撥液剤を除去して側面の状態に近づけるために、撥液レジスト膜を外部エネルギーによって処理する時間は30秒以上が好ましく、45秒以上がさらに好ましく、60秒以上が最も好ましい。一方で、長時間の表面処理を実施すると、表面のラフネスが増えてバンク側面の状態と異なる状態になってしまうため、撥液レジスト膜を外部エネルギーによって処理する時間は300秒以下が好ましく、250秒以下がさらに好ましく、200秒以下が最も好ましい。
撥液レジスト膜を外部エネルギーによって処理する時間を30秒以上300秒以下とした場合、接触角測定の結果が非常に安定するため、好ましい。
In order to remove the liquid repellent on the surface and bring it closer to the side surface condition, the time for treating the liquid repellent resist film with external energy is preferably 30 seconds or more, more preferably 45 seconds or more, and most preferably 60 seconds or more. On the other hand, if surface treatment is carried out for a long time, the roughness of the surface will increase and the condition will be different from that of the side surface of the bank. Therefore, the time for treating the liquid-repellent resist film with external energy is preferably 300 seconds or less; The time is more preferably 2 seconds or less, and most preferably 200 seconds or less.
It is preferable that the time for treating the liquid-repellent resist film with external energy is 30 seconds or more and 300 seconds or less, since the result of contact angle measurement is very stable.

<接触角>
本発明における接触角とは、ある基板の上に液滴を滴下させた像を真横から見た際に、液滴の最表面と基板が接する点における、液滴最表面の接線と、基板面との角度である。特に断りがない限り、接触角の値は23℃に設定された環境下で測定された値であり、滴下後0.1秒後の接触角を3回測定した平均値である。
<Contact angle>
In the present invention, the contact angle is defined as the tangent of the droplet's outermost surface at the point where the droplet's outermost surface contacts the substrate and the substrate surface when the image of a droplet dropped on a substrate is viewed from the side. This is the angle between Unless otherwise specified, contact angle values are values measured in an environment set at 23° C., and are the average value of three contact angle measurements 0.1 seconds after dropping.

[機能性インク]
本発明によれば、本発明に使用される機能性インクは、少なくとも1種類の機能性材料と、少なくとも1種の有機溶媒を含む。
[Functional ink]
According to the invention, the functional ink used in the invention contains at least one functional material and at least one organic solvent.

<有機溶媒>
以下、本発明に使用できる有機溶媒について、例を示しながら説明する。
<Organic solvent>
Hereinafter, organic solvents that can be used in the present invention will be explained while giving examples.

(有機溶媒の種類)
本発明で使用することができる有機溶媒には特に制限がないが、機能性材料を効果的に溶解させるために、芳香族有機溶媒、鎖状脂肪族有機溶媒、環状脂肪族有機溶媒が好ましく、芳香族有機溶媒、環状脂肪族有機溶媒がより好ましく、芳香族有機溶媒がさらに好ましい。
(Type of organic solvent)
The organic solvent that can be used in the present invention is not particularly limited, but in order to effectively dissolve the functional material, aromatic organic solvents, chain aliphatic organic solvents, and cycloaliphatic organic solvents are preferable. Aromatic organic solvents and cycloaliphatic organic solvents are more preferred, and aromatic organic solvents are even more preferred.

本発明で使用することができる芳香族有機溶媒としては、特に限定されないが、好ましくは、芳香族炭化水素系溶媒、芳香族エステル系溶媒、芳香族エーテル系溶媒、芳香族ケトン系溶媒といった非水溶性の芳香族系溶媒が挙げられる。
また、本発明の範囲である場合、前述した接触角測定のための膜の表面上において、機能性インクに含まれる少なくとも1種の有機溶媒の接触角が、26°以上、均一性向上のためより好ましくは27°以上、塗布性の観点から50°未満、より好ましくは45°未満になることが条件となっている。
Aromatic organic solvents that can be used in the present invention are not particularly limited, but preferably include non-aqueous solvents such as aromatic hydrocarbon solvents, aromatic ester solvents, aromatic ether solvents, and aromatic ketone solvents. and aromatic solvents.
In addition, within the scope of the present invention, if the contact angle of at least one organic solvent contained in the functional ink is 26° or more on the surface of the film for contact angle measurement described above, in order to improve uniformity, The condition is that the angle is more preferably 27° or more, less than 50° from the viewpoint of coatability, and more preferably less than 45°.

芳香族炭化水素系溶媒としては、ベンゼン誘導体、ナフタレン誘導体、水素化ナフタレン誘導体、ビフェニル誘導体、ジフェニルメタン誘導体が好ましい。 As the aromatic hydrocarbon solvent, benzene derivatives, naphthalene derivatives, hydrogenated naphthalene derivatives, biphenyl derivatives, and diphenylmethane derivatives are preferred.

ベンゼン誘導体としては、特に限定はされないが、置換基の総炭素数が2以上12以下であって、直鎖または分岐または環状のアルキル基を置換として有するベンゼン誘導体が好ましく、n-エチルベンゼン、1,3,5-トリメチルベンゼン、n-プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、1,3-ジイソプロピルベンゼン、1,3,5-トリイソプロピルベンゼン、n-ブチルベンゼン、sec-ブチルベンゼン、tert-ブチルベンゼン、n-ペンチルベンゼン、n-ヘキシルベンゼン、n-ヘプチルベンゼン、n-オクチルベンゼル、n-ノニルベンゼン、n-デシルベンゼン、ドデシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等が挙げられる。 The benzene derivative is not particularly limited, but preferably is a benzene derivative having a substituent having a total carbon number of 2 or more and 12 or less and having a linear, branched, or cyclic alkyl group as a substituent, such as n-ethylbenzene, 1, 3,5-trimethylbenzene, n-propylbenzene, isopropylbenzene, 1,3-diisopropylbenzene, 1,3,5-triisopropylbenzene, n-butylbenzene, sec-butylbenzene, tert-butylbenzene, n-pentyl Examples include benzene, n-hexylbenzene, n-heptylbenzene, n-octylbenzene, n-nonylbenzene, n-decylbenzene, dodecylbenzene, and cyclohexylbenzene.

ナフタレン誘導体としては、特に限定はされないが、置換基の総炭素数が2以上6以下であって、直鎖または分岐または環状のアルキル基を置換として有するナフタレン誘導体が好ましく、1-メチルナフタレン、2-メチルナフタレン、1-エチルナフタレン、2-エチルナフタレン、2-イソプロピルナフタレン、2,6-ジメチルナフタレン、2,7-ジイソプロピルナフタレン、1-ブチルナフタレン、2-シクロヘキシルナフタレン、1-フェニルナフタレン等が挙げられる。 The naphthalene derivative is not particularly limited, but preferably is a naphthalene derivative having a total number of carbon atoms of 2 or more and 6 or less and having a linear, branched, or cyclic alkyl group as a substituent, such as 1-methylnaphthalene, 2-methylnaphthalene, - Methylnaphthalene, 1-ethylnaphthalene, 2-ethylnaphthalene, 2-isopropylnaphthalene, 2,6-dimethylnaphthalene, 2,7-diisopropylnaphthalene, 1-butylnaphthalene, 2-cyclohexylnaphthalene, 1-phenylnaphthalene, etc. It will be done.

水素化ナフタレン誘導体としては、特に限定はされないが、例えばテトラリン、1,2-ジヒドロナフタレン、1,4-ジヒドロナフタレン等が挙げられ、これらは炭素数1~6のアルキル基で置換されていてもよい。 Hydrogenated naphthalene derivatives include, but are not particularly limited to, tetralin, 1,2-dihydronaphthalene, 1,4-dihydronaphthalene, etc., and these may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. good.

ビフェニル誘導体としては、特に限定はされないが、炭素数1~6のアルキル基で置換されたビフェニル誘導体が好ましく、例えば3-エチルビフェニル、4-イソプロピルビフェニル、4-ブチルビフェニルなどが挙げられる。 The biphenyl derivative is not particularly limited, but biphenyl derivatives substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms are preferred, such as 3-ethylbiphenyl, 4-isopropylbiphenyl, 4-butylbiphenyl, and the like.

ジフェニルメタン誘導体としては、特に限定はされないが、炭素数1~6のアルキル基で置換されたジフェニルメタン誘導体が好ましく、例えば1,1-ジフェニルエタン、1,1-ジフェニルペンタン、1,1-ジフェニルヘキサン、1,1-ビス(3,4-ジメチルフェニル)エタン、ベンジルトルエン等が挙げられる。 The diphenylmethane derivative is not particularly limited, but preferably is a diphenylmethane derivative substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, such as 1,1-diphenylethane, 1,1-diphenylpentane, 1,1-diphenylhexane, Examples include 1,1-bis(3,4-dimethylphenyl)ethane and benzyltoluene.

芳香族エステル系溶媒としては、安息香酸エステル系溶媒、フェニル酢酸エステル系溶媒、フタル酸エステル系溶媒が挙げられる。 Examples of aromatic ester solvents include benzoic acid ester solvents, phenylacetic acid ester solvents, and phthalic acid ester solvents.

安息香酸エステル系溶媒は、安息香酸とエステル結合を有する化合物であり、置換基を有していてもよい安息香酸と、炭素数1以上12以下のアルコールとがエステル結合した化合物を用いることができる。特に限定はされないが、有していてもよい置換基は、炭素数1以上12以下の、直鎖又は分岐又は環状のアルキル基、炭素数1以上12以下の、直鎖又は分岐又は環状のアルコキシ基、炭素数6以上12以下の芳香族系置換基が好ましい。これら置換基は複数であってもよく、複数の場合は置換基としての総炭素数2以上12以下が好ましい。安息香酸エステル系溶媒としては、例えば安息香酸エチル、安息香酸n-ブチル、安息香酸n-ペンチル、安息香酸イソアミル、安息香酸n-ヘキシル、安息香酸2-エチルヘキシル、安息香酸ベンジル、4-メチル安息香酸メチル、3-メチル安息香酸メチル、2-メチル安息香酸メチル、4-メチル安息香酸エチル、3-メチル安息香酸エチル、2-メチル安息香酸エチル、4-メトキシ安息香酸エチル等が挙げられる。 The benzoic acid ester solvent is a compound having an ester bond with benzoic acid, and a compound in which benzoic acid, which may have a substituent, and an alcohol having 1 to 12 carbon atoms are ester bonded can be used. . Although not particularly limited, substituents that may be present include a straight chain, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and a straight chain, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. An aromatic substituent having 6 or more and 12 or less carbon atoms is preferable. There may be a plurality of these substituents, and in the case of a plurality of substituents, the total carbon number of the substituents is preferably 2 or more and 12 or less. Examples of benzoic acid ester solvents include ethyl benzoate, n-butyl benzoate, n-pentyl benzoate, isoamyl benzoate, n-hexyl benzoate, 2-ethylhexyl benzoate, benzyl benzoate, and 4-methylbenzoic acid. Examples include methyl, methyl 3-methylbenzoate, methyl 2-methylbenzoate, ethyl 4-methylbenzoate, ethyl 3-methylbenzoate, ethyl 2-methylbenzoate, and ethyl 4-methoxybenzoate.

フェニル酢酸エステル系溶媒としては、特に限定されないが、フェニル酢酸エチル等が挙げられる。 Examples of the phenylacetate-based solvent include, but are not particularly limited to, ethyl phenylacetate and the like.

フタル酸エステル系溶媒としては、特に限定されないが、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチルが挙げられる。 Phthalate ester solvents include, but are not particularly limited to, dimethyl phthalate, diethyl phthalate, and dibutyl phthalate.

他の好ましい芳香族エステル系溶媒としては、酢酸2-フェノキシエチル、イソ酪酸2-フェノキシエチル、等が挙げられる。 Other preferred aromatic ester solvents include 2-phenoxyethyl acetate, 2-phenoxyethyl isobutyrate, and the like.

芳香族エーテル系溶媒は、芳香環とエーテル結合とを有する化合物であり、特に限定されないが、以下のようなものが挙げられる。
炭素数1以上12以下の直鎖又は分岐又は環状のアルキル基とエーテル結合を1個有するベンゼン誘導体として、例えばアニソール、4-メチルアニソール、ブチルフェニルエーテル、ヘキシルフェニルエーテル、ジフェニルエーテル、ベンジルフェニルエーテル、ジベンジルエーテル;
炭素数1以上6以下の直鎖又は分岐のアルキル基が置換しているジフェニルエーテル誘導体として、例えば、2-フェノキシトルエン、3-フェノキシトルエン、4-フェノキシトルエン;
炭素数1以上6以下の直鎖又は分岐のアルキル基とのエーテル結合を2個有するベンゼン誘導体として、例えば1,4-ジエトキシベンゼン、1-エトキシ-4-ヘキシルオキシベンゼン;
その他の芳香族エーテル系溶媒として、2-フェノキシエタノール、フェノキシエトキシエタノール:
The aromatic ether solvent is a compound having an aromatic ring and an ether bond, and examples thereof include, but are not limited to, the following.
Examples of benzene derivatives having a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 12 carbon atoms and one ether bond include anisole, 4-methylanisole, butylphenyl ether, hexylphenyl ether, diphenyl ether, benzylphenyl ether, diphenyl ether, Benzyl ether;
Examples of diphenyl ether derivatives substituted with a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms include 2-phenoxytoluene, 3-phenoxytoluene, and 4-phenoxytoluene;
Examples of benzene derivatives having two ether bonds with a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms include 1,4-diethoxybenzene, 1-ethoxy-4-hexyloxybenzene;
Other aromatic ether solvents include 2-phenoxyethanol and phenoxyethoxyethanol:

芳香族ケトン系溶媒は、芳香環とケトン構造とを有する化合物であり、例えば1-アセチルナフタレン、プロピオフェノン、4’-エチルプロピオフェノン等が挙げられる。 The aromatic ketone solvent is a compound having an aromatic ring and a ketone structure, and examples thereof include 1-acetylnaphthalene, propiophenone, and 4'-ethylpropiophenone.

なお、溶剤には表面張力の制御のために表面改質剤が含まれていてもよい。表面改質剤は、液体に少量添加することによって、該液体を塗布した後に液体表面、若しくは塗布して得られる固体表面に対して機能性を付与することができる。ここで付与される機能としては、撥液性、非粘着性、濡れ性、平滑性、分散性、消泡性等が挙げられる。 Note that the solvent may contain a surface modifier for controlling surface tension. By adding a small amount of the surface modifier to a liquid, it is possible to impart functionality to the liquid surface after applying the liquid or to the solid surface obtained by applying the liquid. Functions imparted here include liquid repellency, non-adhesiveness, wettability, smoothness, dispersibility, antifoaming properties, and the like.

表面改質剤として用いることのできる材料としては、液体表面に偏析しやすい材料が好ましく、具体的には、シリコンやフッ素を含有する材料(ポリマー、オリゴマー、低分子)、パラフィン又は界面活性剤等が挙げられる。
ここでいう界面活性剤とは、親水性を有する部分(基)と疎水性を有する部分(基)を有する両親媒性の化学構造をもつ物質であり、分散剤や起泡剤、消泡剤、乳化剤、食品添加物、保湿剤、帯電防止剤、濡れ性向上剤、滑剤、防錆剤等の幅広い用途に用いられている。このような界面活性剤は、親水性部分がカチオン性、アニオン性、両性のものと、ノニオン性のものに大別されるが、本発明においては、有機電界発光素子内での通電の妨げにならないように、ノニオン性の界面活性剤が好ましい。
Materials that can be used as surface modifiers are preferably materials that are easily segregated on the liquid surface, such as materials containing silicon or fluorine (polymers, oligomers, low molecules), paraffin, surfactants, etc. can be mentioned.
The surfactant here is a substance with an amphipathic chemical structure that has a hydrophilic part (group) and a hydrophobic part (group), and is a dispersant, foaming agent, and antifoaming agent. It is used in a wide range of applications, including emulsifiers, food additives, humectants, antistatic agents, wettability improvers, lubricants, and rust preventives. Such surfactants are broadly classified into those with hydrophilic parts that are cationic, anionic, amphoteric, and nonionic. Nonionic surfactants are preferred to prevent this from occurring.

(沸点)
本発明で使用される有機溶媒は、特に限定されるわけではないが、沸点200℃以上の有機溶媒が好ましく、沸点230℃以上の有機溶媒がより好ましく、沸点250℃以上の有機溶媒がさらに好ましく、沸点270℃以上の有機溶媒が最も好ましい。また、沸点350℃以下が好ましく、沸点340℃以下がより好ましく、沸点330℃以下がさらに好ましい。
(boiling point)
The organic solvent used in the present invention is not particularly limited, but preferably has a boiling point of 200°C or higher, more preferably has a boiling point of 230°C or higher, and even more preferably has a boiling point of 250°C or higher. , an organic solvent having a boiling point of 270° C. or higher is most preferred. Further, the boiling point is preferably 350°C or lower, more preferably 340°C or lower, and even more preferably 330°C or lower.

例えばインクジェットヘッドに充填されたインクは、ノズルの先端から乾燥が始まるため、ノズル先端で固形分濃度が高くなりやすい。この状態を維持してしまうと、ノズル先端で固形分が析出してきてしまい、最終的にはノズルが詰まってしまうなど、インクジェット装置に対する致命的なダメージを与えてしまう可能性がある。ノズル詰まりによるトラブルを避けるために、沸点200℃以上の有機溶媒が好ましく、沸点230℃以上の有機溶媒がより好ましく、沸点250℃以上の有機溶媒がさらに好ましく、沸点270℃以上の有機溶媒が最も好ましい。 For example, ink filled in an inkjet head begins to dry from the tip of the nozzle, so the solid content concentration tends to increase at the tip of the nozzle. If this state is maintained, solid matter will begin to precipitate at the tip of the nozzle, which may eventually cause fatal damage to the inkjet device, such as clogging of the nozzle. In order to avoid troubles due to nozzle clogging, organic solvents with a boiling point of 200°C or higher are preferred, organic solvents with a boiling point of 230°C or higher are more preferred, organic solvents with a boiling point of 250°C or higher are even more preferred, and organic solvents with a boiling point of 270°C or higher are most preferred. preferable.

一方で、有機電界発光素子を製造するという観点では、有機溶媒を揮発させて機能性膜を得ないと素子を作製できないため、減圧乾燥設備で乾燥可能な沸点範囲でないといけない。このような観点から、第1溶媒の沸点は350℃以下が好ましく、340℃以下がさらに好ましく、330℃以下がさらに好ましい。 On the other hand, from the perspective of producing an organic electroluminescent device, since the device cannot be produced unless the organic solvent is evaporated to obtain a functional film, the boiling point must be within a range that can be dried in a vacuum drying facility. From such a viewpoint, the boiling point of the first solvent is preferably 350°C or lower, more preferably 340°C or lower, and even more preferably 330°C or lower.

(蒸気圧)
蒸気圧とは、溶媒の液相と気相が層平衡状態になる気相の圧力のことであり、溶媒の沸点は、溶媒の蒸気圧の分圧が蒸気圧に等しくなる温度のことである。蒸気圧は、静止法、沸点法、アイソテニスコープ、気体流通法など実験的な手法で求めることが可能であるが、本発明における蒸気圧は25℃における Advanced Chemistry Development(ACD/Labs) Software V11.02(Copyright1994-2021 ACD/Labs)により計算された蒸気圧のことを言う。
(vapor pressure)
Vapor pressure is the pressure in the gas phase at which the liquid and gas phases of a solvent reach a phase equilibrium state, and the boiling point of a solvent is the temperature at which the partial pressure of the vapor pressure of the solvent is equal to the vapor pressure. . Vapor pressure can be determined by experimental methods such as the static method, boiling point method, isoteniscope, and gas flow method, but the vapor pressure in the present invention is determined using Advanced Chemistry Development (ACD/Labs) Software V11 at 25°C. It refers to the vapor pressure calculated by .02 (Copyright1994-2021 ACD/Labs).

(含有する有機溶媒の種類と数)
本発明で使用する有機溶媒は、1種類の単一溶媒でもよく、2種類以上の混合溶媒でもよい。
(Type and number of organic solvents contained)
The organic solvent used in the present invention may be one type of single solvent or a mixed solvent of two or more types.

2種類以上の混合溶媒を用いる場合、上述したようにインクジェットヘッドのノズル先端での乾燥抑制と、成膜する際の乾燥しやすさを両立させるために、沸点の異なる2種類の有機溶媒を用いてもよい。インクジェットヘッドノズルの先端で乾燥し、ノズル詰まりが発生しないように、沸点270℃以上の有機溶媒を含むことが好ましい。また、沸点270℃以上の有機溶媒は、1種類であっても、2種類以上であってもよい。ノズル先端でインクが乾燥してノズル詰まりを発生させないために、沸点270℃以上の有機溶媒は、組成物全体に対して10重量%以上含まれることが好ましく、15重量%以上含まれることがさらに好ましく、25重量%以上含まれることがさらに好ましい。 When using a mixed solvent of two or more types, two types of organic solvents with different boiling points are used to suppress drying at the nozzle tip of the inkjet head and to facilitate drying during film formation, as described above. It's okay. It is preferable to contain an organic solvent having a boiling point of 270° C. or higher so as to prevent drying at the tip of the inkjet head nozzle and clogging of the nozzle. Further, the number of organic solvents having a boiling point of 270° C. or higher may be one type, or two or more types may be used. In order to prevent the ink from drying at the nozzle tip and causing nozzle clogging, the organic solvent with a boiling point of 270°C or higher is preferably contained in an amount of 10% by weight or more based on the entire composition, and more preferably 15% by weight or more. Preferably, it is more preferably contained in an amount of 25% by weight or more.

一方で、ノズル先端での乾燥を沸点の高い溶媒で抑制できるため、インクの乾燥性を確保するためには、残りの溶媒中に沸点の低い有機溶媒を含んでもよい。沸点の低い有機溶媒については、沸点265℃以下が好ましく、250℃以下がさらに好ましい。沸点の低い有機溶媒については、1種類であっても2種類以上であってもよく、組成物の乾燥性をアシストするという目的で、組成物全体に対して30重量%以上含まれることが好ましく、40重量%以上含まれることがより好ましく、50重量%以上含まれることがさらに好ましい。
また、機能性インクが本発明の範囲内である場合、少なくとも1種の有機溶媒は、前述した接触角測定のための膜の表面上において、26°以上50°未満の接触角を示すことが条件となっている。
本発明では、減圧乾燥などの方法で有機溶媒を揮発させて機能性膜を得るため、有機溶媒はおおよそ沸点の低い順番で揮発していく。機能性膜の平坦性は、最後に残っている有機溶媒の影響が最も大きいため、26°以上50°未満の接触角を有する有機溶媒は、前記機能性インクに含まれる全ての有機溶媒のうち最も高い沸点を有することが好ましい。
一方で、前述した最も沸点の高い有機溶媒の沸点と、それ以外の有機溶媒の沸点とが比較的近い場合、乾燥過程でそれぞれの有機溶媒が共沸してしまい、前述した最も沸点の高い有機溶媒の機能を充分に発揮できない可能性がある。このようなことを防ぐためには、26°以上50°未満の接触角を有する有機溶媒の沸点と、前記機能性インクに含まれる全ての有機溶媒のうち最も沸点の低い有機溶媒の沸点との差が20℃以上であることが好ましい。
26°以上50°未満の接触角を有する有機溶媒の含有量は、機能性インクに含まれる全ての有機溶媒に対して5重量%以上であることが好ましく、10重量%以上であることがより好ましく、15重量%以上であることがさらに好ましく、20重量%以上であることが最も好ましい。また、26°以上50°未満の接触角を有する有機溶媒の含有量は、機能性インクに含まれる全ての溶媒に対して90重量%未満であることが好ましく、80重量%未満であることがより好ましく、70重量%未満であることがさらに好ましく、50重量%未満であることが最も好ましい。さらに、26°以上50°未満の接触角を有する有機溶媒の含有量は、5重量%以上90重量%未満であることが好ましく、10重量%以上80重量%未満であることがより好ましく、15重量%以上70重量%未満であることがさらに好ましく、20重量%以上50重量%未満であることが最も好ましい。上記範囲内にあることで、十分に膜の平坦性を決定するだけの機能を有し、また溶解性などを考慮して適度にその他の溶媒を含めることができる。
On the other hand, since drying at the tip of the nozzle can be suppressed by a solvent with a high boiling point, the remaining solvent may include an organic solvent with a low boiling point in order to ensure the drying properties of the ink. Regarding organic solvents with a low boiling point, the boiling point is preferably 265°C or lower, more preferably 250°C or lower. The organic solvent with a low boiling point may be one type or two or more types, and is preferably contained in an amount of 30% by weight or more based on the entire composition for the purpose of assisting the drying properties of the composition. , more preferably 40% by weight or more, and even more preferably 50% by weight or more.
Furthermore, when the functional ink is within the scope of the present invention, the at least one organic solvent may exhibit a contact angle of 26° or more and less than 50° on the surface of the film for contact angle measurement described above. It is a condition.
In the present invention, since a functional film is obtained by volatilizing the organic solvent using a method such as vacuum drying, the organic solvent volatilizes roughly in the order of decreasing boiling point. Since the flatness of the functional film is most influenced by the organic solvent remaining at the end, the organic solvent having a contact angle of 26° or more and less than 50° is the most important among all the organic solvents contained in the functional ink. Preferably it has the highest boiling point.
On the other hand, if the boiling point of the organic solvent with the highest boiling point mentioned above is relatively close to the boiling point of the other organic solvents, the respective organic solvents will azeotrope during the drying process, and the organic solvent with the highest boiling point mentioned above will There is a possibility that the function of the solvent cannot be fully demonstrated. In order to prevent this, the difference between the boiling point of the organic solvent having a contact angle of 26° or more and less than 50° and the boiling point of the organic solvent having the lowest boiling point among all the organic solvents contained in the functional ink is required. It is preferable that the temperature is 20°C or higher.
The content of the organic solvent having a contact angle of 26° or more and less than 50° is preferably 5% by weight or more, more preferably 10% by weight or more based on all organic solvents contained in the functional ink. The content is preferably 15% by weight or more, more preferably 15% by weight or more, and most preferably 20% by weight or more. Further, the content of the organic solvent having a contact angle of 26° or more and less than 50° is preferably less than 90% by weight, and preferably less than 80% by weight based on all the solvents contained in the functional ink. More preferably, it is less than 70% by weight, and most preferably less than 50% by weight. Further, the content of the organic solvent having a contact angle of 26° or more and less than 50° is preferably 5% by weight or more and less than 90% by weight, more preferably 10% by weight or more and less than 80% by weight, and 15% by weight or more and less than 80% by weight. It is more preferably at least 20% by weight and less than 50% by weight, and most preferably at least 20% by weight and less than 50% by weight. By being within the above range, the solvent has a sufficient function of determining the flatness of the film, and other solvents can be appropriately included in consideration of solubility and the like.

なお、本発明において、溶媒の沸点は大気圧下で測定された値である。 In addition, in this invention, the boiling point of a solvent is the value measured under atmospheric pressure.

(有機溶媒の組み合わせ)
特に限定されるものではないが、沸点の高い有機溶媒と沸点の低い有機溶媒の組み合わせとしては、それぞれ置換基を有してもよいベンゼン、置換基を有していてもよいナフタレン、置換基を有してもよいジフェニルメタン、置換基を有してもよいビフェニル、安息香酸エステル、芳香族エーテル、芳香族ケトンのいずれかであることが好ましい。
(combination of organic solvents)
Although not particularly limited, examples of combinations of organic solvents with a high boiling point and organic solvents with a low boiling point include benzene which may have a substituent, naphthalene which may have a substituent, and organic solvents with a substituent. Preferably, it is diphenylmethane which may have a substituent, biphenyl which may have a substituent, benzoic acid ester, aromatic ether, or aromatic ketone.

好ましくは、沸点の高い有機溶媒としてオクチルベンゼン、ノニルベンゼン、デシルベンゼン、ドデシルベンゼン、安息香酸ヘキシル、安息香酸2-エチルヘキシル、安息香酸ベンジル、アセチルナフタレン、ナフタレン酢酸メチル、ナフタレン酢酸エチル、イソプロピルナフタレン、ジイソプロピルナフタレン、ブチルナフタレン、ペンチルナフタレン、メトキシナフタレン、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、エチルビフェニル、イソプロピルビフェニル、ジイソプロピルビフェニル、トリイソプロピルビフェニル、ブチルビフェニル、1,1-ジフェニルエタン、1,1-ジフェニルプロパン、1,1-ジフェニルブタン、1,1-ジフェニルペンタン、1,1-ジフェニルヘキサン、イソ酪酸2-フェノキシエチルの1種又は2種以上が挙げられる。 Preferably, the organic solvent with a high boiling point is octylbenzene, nonylbenzene, decylbenzene, dodecylbenzene, hexyl benzoate, 2-ethylhexyl benzoate, benzyl benzoate, acetylnaphthalene, methyl naphthalene acetate, ethyl naphthalene acetate, isopropylnaphthalene, diisopropyl Naphthalene, butylnaphthalene, pentylnaphthalene, methoxynaphthalene, dimethyl phthalate, diethyl phthalate, ethyl biphenyl, isopropylbiphenyl, diisopropylbiphenyl, triisopropylbiphenyl, butylbiphenyl, 1,1-diphenylethane, 1,1-diphenylpropane, 1 , 1-diphenylbutane, 1,1-diphenylpentane, 1,1-diphenylhexane, and 2-phenoxyethyl isobutyrate.

また、好ましくは、沸点の低い有機溶媒としてメチルナフタレン、エチルナフタレン、イソプロピルナフタレン、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソブチル、安息香酸ペンチル、安息香酸イソペンチル、トルイル酸メチル、トルイル酸エチルの1種又は2種以上が挙げられる。 Preferably, the organic solvent with a low boiling point is methylnaphthalene, ethylnaphthalene, isopropylnaphthalene, ethyl benzoate, propyl benzoate, butyl benzoate, isobutyl benzoate, pentyl benzoate, isopentyl benzoate, methyl toluate, toluic acid. One or more types of ethyl may be mentioned.

<粘度>
本発明の機能性インクは、例えばインクジェットヘッドに充填されて吐出されるような塗布方式を考慮した場合、23℃における粘度が1mPas以上、20mPas以下であることが好ましい。
一般的にピエゾ圧電素子を利用したインクジェットヘッドは、ヘッド内のインク室に充填された組成物を、圧電素子の変形圧力で押し出すため、粘度が20mPasを超える組成物になると、圧電素子の圧力が足りなくなり、吐出できなくなってしまう。一方で、ノズルから液だれしないようにヘッド内にインクを保持しやすい組成物にするという観点から、組成物の粘度は1mPas以上が好ましい。
本発明において、有機溶媒の粘度はE型粘度計RE85L(東機産業製)を用いて、23℃環境下にて、コーンプレート回転数20rpm~100rpmにより測定することができる。
<Viscosity>
The functional ink of the present invention preferably has a viscosity at 23° C. of 1 mPas or more and 20 mPas or less, considering a coating method in which it is filled into an inkjet head and ejected.
In general, inkjet heads that use piezoelectric elements push out the composition filled in the ink chamber in the head using the deformation pressure of the piezoelectric element, so if the composition has a viscosity exceeding 20 mPas, the pressure of the piezoelectric element will increase. It runs out and cannot be discharged. On the other hand, the viscosity of the composition is preferably 1 mPas or more from the viewpoint of making the composition easy to retain ink within the head so as not to drip from the nozzle.
In the present invention, the viscosity of the organic solvent can be measured using an E-type viscometer RE85L (manufactured by Toki Sangyo) at a cone plate rotation speed of 20 rpm to 100 rpm in an environment of 23°C.

<表面張力>
本発明の機能性インクの表面張力は、25mN/m以上が好ましく、45mN/m以下であることが好ましい。機能性インクの表面張力がこの範囲であることで、インクジェット装置での安定吐出や、安定成膜が可能になると考えられる。表面張力が低い機能性インクの場合、インクジェットヘッドのノズルプレートに対して非常によく濡れ広がってしまい、吐出不安定や飛行曲がりの原因となってしまう。また、表面張力が低い場合は吐出された組成物が適正なところで液切れせずに長く伸びてしまいやすく、サテライトなどの要因にもなりやすい。一方で表面張力が高すぎると、基板のピクセル部に塗布した後の乾燥中にラプラス圧による対流が発生しやすくなってしまい、膜形状が不安定になりやすい。
<Surface tension>
The surface tension of the functional ink of the present invention is preferably 25 mN/m or more, and preferably 45 mN/m or less. It is thought that when the surface tension of the functional ink is within this range, stable ejection with an inkjet device and stable film formation are possible. In the case of functional ink with low surface tension, it wets and spreads very well on the nozzle plate of an inkjet head, causing unstable ejection and flight deflection. Furthermore, if the surface tension is low, the discharged composition tends to stretch for a long time without running out at an appropriate point, which can easily cause satellite formation. On the other hand, if the surface tension is too high, convection due to Laplace pressure tends to occur during drying after coating on the pixel portion of the substrate, and the film shape tends to become unstable.

本発明における有機溶媒や機能性インクの表面張力は、23.0℃の環境にて、白金プレートを用いたプレート引き上げ法、もしくは接触角計DMо-501(協和界面科学製)を用いたペンダントドロップ法により測定することができる。 The surface tension of the organic solvent and functional ink in the present invention can be determined by the plate pulling method using a platinum plate or the pendant drop test using a contact angle meter DMо-501 (manufactured by Kyowa Kaimen Kagaku) in an environment of 23.0°C. It can be measured by the method.

[その他の成分]
本発明においては、機能性インクは機能性材料と有機溶媒以外の成分を含んでもよく、例えば酸化防止剤や、機能性インクの物性を変化させる添加剤などを含んでもよい。これらの成分は、機能性インクに対して保存安定性や、インクジェットヘッドからの吐出安定性などを決める重要な要素であることもあるが、機能性インク本来の性能に大きな影響を与えることは好ましくないため、機能性インク全体に対して1重量%以下であることが好ましく、0.1重量%以下であることがより好ましく、0.05重量%以下であることがさらに好ましい。
[Other ingredients]
In the present invention, the functional ink may contain components other than the functional material and the organic solvent, such as an antioxidant and an additive that changes the physical properties of the functional ink. These components may be important factors that determine the storage stability and ejection stability from an inkjet head of functional inks, but it is preferable that they have a major impact on the original performance of the functional ink. Therefore, it is preferably 1% by weight or less, more preferably 0.1% by weight or less, and even more preferably 0.05% by weight or less based on the entire functional ink.

[機能性材料]
機能性材料とは、電荷輸送、電荷注入等の機能を有するか、またはこれらの機能を向上させる材料である。電荷輸送としては正孔輸送性であることが好ましく、電荷注入としては正孔注入性であることが好ましい。電荷輸送性を向上させる機能を有する材料とは、電荷輸送性を有する別の材料の電荷輸送性を向上させる機能を有する材料である。電荷注入性を向上させる機能を有する材料とは、電荷注入性を有する別の材料の電荷注入性を向上させる機能を有する材料である。例えば、正孔輸送性材料に電子受容性材料をドープすることにより、電子受容性材料が正孔輸送性材料を酸化してカチオンラジカルを生成させ、正孔輸送材料の正孔輸送性及び、又は正孔注入性が向上する。この場合、電子受容性材料は、正孔輸送性材料の正孔輸送性及び、又は正孔注入性を向上させる材料である。
[Functional materials]
A functional material is a material that has functions such as charge transport and charge injection, or improves these functions. For charge transport, hole transport properties are preferred, and for charge injection, hole injection properties are preferred. A material having a function of improving charge transporting property is a material having a function of improving charge transporting property of another material having charge transporting property. A material having a function of improving charge injection property is a material having a function of improving charge injection property of another material having charge injection property. For example, by doping an electron-accepting material into a hole-transporting material, the electron-accepting material oxidizes the hole-transporting material to generate cation radicals, which improves the hole-transporting property of the hole-transporting material and/or Hole injection properties are improved. In this case, the electron-accepting material is a material that improves the hole-transporting and/or hole-injecting properties of the hole-transporting material.

また、本発明における機能性材料としては、好ましくは後述の正孔注入層用材料、または正孔輸送層用材料を用いることができ、特に好ましくは、正孔注入層用材料である。
以下、本発明で使用できる機能性材料の詳細について、具体例を示しながら説明するが、本発明の範囲が以下に説明する機能性材料に限定されるものではない。
Further, as the functional material in the present invention, preferably a material for a hole injection layer or a material for a hole transport layer, which will be described later, can be used, and a material for a hole injection layer is particularly preferred.
Hereinafter, details of the functional materials that can be used in the present invention will be explained while showing specific examples, but the scope of the present invention is not limited to the functional materials described below.

<電荷輸送性化合物の分子量>
本発明における電荷輸送性化合物は、高分子化合物でも低分子化合物でもよいが、好ましくは高分子化合物である。
<Molecular weight of charge transporting compound>
The charge-transporting compound in the present invention may be a high-molecular compound or a low-molecular compound, but preferably a high-molecular compound.

電荷輸送性高分子化合物については、一般に高分子化合物の主鎖方向に大きな電荷輸送能を有するため、平均分子量を大きくするほど安定的な電荷輸送が実現できる。電荷を輸送する機能を担保するために、重量平均分子量は10,000以上であり、12,000以上が好ましく、15,000以上がより好ましい。一方で、重量平均分子量の大きい高分子化合物は、インクにした際の粘度が高くなる特徴があり、前述したような好ましい粘度範囲にするためには、重量平均分子量がある程度小さくなることが好ましい。具体的には、高分子化合物の重量平均分子量は通常1,000,000以下で、500,000以下が好ましく、100,000以下がより好ましく、70,000以下がさらに好ましく、50,000以下が特に好ましい。 Charge-transporting polymer compounds generally have a large charge-transporting ability in the direction of the main chain of the polymer compound, so the larger the average molecular weight, the more stable charge transport can be realized. In order to ensure the function of transporting charges, the weight average molecular weight is 10,000 or more, preferably 12,000 or more, and more preferably 15,000 or more. On the other hand, a polymer compound with a large weight average molecular weight has a characteristic that it has a high viscosity when made into an ink, and in order to obtain the above-mentioned preferred viscosity range, it is preferable that the weight average molecular weight is reduced to a certain extent. Specifically, the weight average molecular weight of the polymer compound is usually 1,000,000 or less, preferably 500,000 or less, more preferably 100,000 or less, even more preferably 70,000 or less, and 50,000 or less. Particularly preferred.

電荷輸送性低分子化合物については、一般的には分子量は5,000以下であり、4,000以下であることが好ましく、3,000以下であることがより好ましく、2,500以下であることがさらに好ましく、2,000以下であることが特に好ましい。一方で、一般的な機能性膜として成膜する際には、一定の温度でベークして残留している溶媒を揮発させ、不純物のない機能性膜にすることで、有機電界発光素子として十分に機能する。この際に、耐熱性が低い材料になってしまうと、膜のシュリンクや膜抜けなどの現象が発生して、平坦な膜が得られなくなってしまう。膜の耐熱性を確保するという観点から、電荷輸送性低分子化合物の分子量は500以上が好ましく、650以上がより好ましく、800以上がさらに好ましい。 Regarding charge transporting low molecular weight compounds, the molecular weight is generally 5,000 or less, preferably 4,000 or less, more preferably 3,000 or less, and 2,500 or less. is more preferable, and particularly preferably 2,000 or less. On the other hand, when forming a general functional film, it is baked at a certain temperature to volatilize the remaining solvent and form a functional film free of impurities, which is sufficient for use as an organic electroluminescent device. functions. At this time, if a material with low heat resistance is used, phenomena such as film shrinkage and film dropout will occur, making it impossible to obtain a flat film. From the viewpoint of ensuring the heat resistance of the film, the molecular weight of the charge transporting low molecular weight compound is preferably 500 or more, more preferably 650 or more, and even more preferably 800 or more.

また、本発明の機能性インクは、電荷輸送性能を向上させるために電子受容性化合物を含むことが好ましい。さらに、本発明の機能性インクは、機能性材料として、少なくとも1種の正孔輸送性化合物と少なくとも1種の電子受容性化合物とを含むことが好ましい。 Further, the functional ink of the present invention preferably contains an electron-accepting compound in order to improve charge transport performance. Further, the functional ink of the present invention preferably contains at least one hole-transporting compound and at least one electron-accepting compound as the functional material.

なお、本発明における電荷輸送性高分子化合物の重量平均分子量及び数平均分子量はSEC(サイズ排除クロマトグラフィー)測定により決定される。SEC測定では高分子量成分ほど溶出時間が短く、低分子量成分ほど溶出時間が長くなるが、分子量既知のポリスチレン(標準試料)の溶出時間から算出した校正曲線を用いて、サンプルの溶出時間を分子量に換算することによって、重量平均分子量及び数平均分子量が算出される。 Note that the weight average molecular weight and number average molecular weight of the charge transporting polymer compound in the present invention are determined by SEC (size exclusion chromatography) measurement. In SEC measurement, the elution time is shorter for higher molecular weight components, and the elution time is longer for lower molecular weight components. However, using a calibration curve calculated from the elution time of polystyrene (standard sample) of known molecular weight, the elution time of the sample can be adjusted to the molecular weight. By converting, the weight average molecular weight and number average molecular weight are calculated.

<架橋基>
本発明では、電荷輸送性低分子化合物を、機能性膜の上層にさらに塗布される組成物の溶媒に溶け出さないようにするために、該電荷輸送性低分子化合物は架橋基を有することが好ましい。この場合、電荷輸送性材料のみでも連鎖的に架橋して溶けださないようにするため、電荷輸送性低分子化合物の1分子に含まれる架橋基の数は、2つ以上が好ましい。また、電荷輸送性高分子化合物についても同様に、1つの繰り返しユニットに含まれる架橋基の数は、2つ以上が好ましい。さらに、電荷輸送性高分子化合物の溶出をより確実に抑制するために、分子量10,000当たり架橋基が2つ以上あることが好ましい。
<Bridging group>
In the present invention, the charge transporting low molecular weight compound may have a crosslinking group in order to prevent the charge transporting low molecular weight compound from dissolving into the solvent of the composition that is further applied to the upper layer of the functional film. preferable. In this case, the number of crosslinking groups contained in one molecule of the charge-transporting low-molecular compound is preferably two or more in order to prevent the charge-transporting material alone from being chain-linked and dissolving. Similarly, in the charge transporting polymer compound, the number of crosslinking groups contained in one repeating unit is preferably two or more. Furthermore, in order to more reliably suppress the elution of the charge transporting polymer compound, it is preferable that there are two or more crosslinking groups per molecular weight of 10,000.

架橋基は光や熱などの外力により化学反応する置換基が好ましく、架橋基の好ましい例は、以下に限定されるものではないが、熱により架橋反応する熱架橋基が好ましい。例えばベンゾシクロブテン環、ナフトシクロブテン環もしくはオキセタン環由来の基、ビニル基、アクリル基、スチリル基等が挙げられる。なお、どの架橋基においても置換基を有していてもよく、メチル基、メトキシ基等が好ましい。
以上のように、本発明の機能性インクは架橋基を有する機能性材料を含むことが好ましい。本発明の機能性インクに含まれる機能性材料全てが架橋基を有することがより好ましい。
The crosslinking group is preferably a substituent that chemically reacts with external force such as light or heat, and preferred examples of the crosslinking group include, but are not limited to, thermally crosslinking groups that undergo a crosslinking reaction with heat. Examples include groups derived from a benzocyclobutene ring, a naphthocyclobutene ring, or an oxetane ring, a vinyl group, an acrylic group, and a styryl group. Note that any crosslinking group may have a substituent, and methyl group, methoxy group, etc. are preferable.
As described above, the functional ink of the present invention preferably contains a functional material having a crosslinking group. It is more preferable that all the functional materials contained in the functional ink of the present invention have a crosslinking group.

[有機溶媒と機能性材料の含有量]
本発明の機能性インク中の機能性材料の含有量には特に制限はないが、有機電界発光素子に好ましい機能性膜の膜厚にするために、好ましくは0.1重量%以上、より好ましくは0.5重量%以上、さらに好ましくは1.0重量%以上である。また、機能性インク中での析出を抑制する観点から好ましくは20重量%以下、より好ましくは15重量%以下、さらに好ましくは10重量%以下である。
従って、本発明の機能性インク中の有機溶媒の含有量は、好ましくは99.9重量%以下、より好ましくは99.5重量%以下、さらに好ましくは99.0重量%以下で、好ましくは80重量%以上、より好ましくは85重量%以上、さらに好ましくは90重量%以上である。
[Content of organic solvent and functional materials]
The content of the functional material in the functional ink of the present invention is not particularly limited, but is preferably 0.1% by weight or more, more preferably is 0.5% by weight or more, more preferably 1.0% by weight or more. Further, from the viewpoint of suppressing precipitation in the functional ink, the content is preferably 20% by weight or less, more preferably 15% by weight or less, and still more preferably 10% by weight or less.
Therefore, the content of the organic solvent in the functional ink of the present invention is preferably 99.9% by weight or less, more preferably 99.5% by weight or less, even more preferably 99.0% by weight or less, and preferably 80% by weight or less. It is at least 85% by weight, more preferably at least 90% by weight.

本発明において、電荷輸送性低分子化合物は、バンクで区画された領域内での機能性膜の膜厚均一性をよくするために用いる材料であり、全機能性材料に対して10重量%以上であることが好ましく、15重量%以上であることがより好ましく、20重量%以上であることがさらに好ましい。一方で、電荷輸送性低分子化合物の含有率が増えると、前述したように耐熱性の観点で課題があり、全機能性材料に対して75重量%以下であることが好ましく、60重量%以下であることがより好ましく、50重量%以下であることがさらに好ましい。
また、本発明において、電荷輸送性高分子化合物は、主に電荷輸送のために用いる材料であり、全機能性材料に対して20重量%以上であることが好ましく、25重量%以上であることがより好ましく、30重量%以上であることがさらに好ましい。一方で、電荷輸送性高分子化合物の含有率が増えると、乾燥過程の増粘の影響で平坦な膜を製膜しにくくなるため、全機能性材料に対して90重量%以下であることが好ましく、85重量%以下であることがより好ましく、80重量%以下であることがさらに好ましい。
また、低分子化合物と高分子化合物の含有比は、重量比で低分子化合物:高分子化合物=1:0.3~3、特に1:1~2であることが上記を総合的に考慮して好ましい。
In the present invention, the charge-transporting low-molecular compound is a material used to improve the uniformity of the thickness of the functional film within the region partitioned by banks, and is 10% by weight or more based on the total functional material. The content is preferably 15% by weight or more, and even more preferably 20% by weight or more. On the other hand, if the content of the charge-transporting low-molecular-weight compound increases, there is a problem in terms of heat resistance as described above, so the content is preferably 75% by weight or less, and 60% by weight or less based on the total functional material. More preferably, it is 50% by weight or less.
Further, in the present invention, the charge transporting polymer compound is a material mainly used for charge transport, and preferably accounts for 20% by weight or more, and preferably 25% by weight or more based on the total functional material. is more preferable, and even more preferably 30% by weight or more. On the other hand, if the content of the charge-transporting polymer compound increases, it becomes difficult to form a flat film due to the increase in viscosity during the drying process, so the content should be 90% by weight or less based on the total functional material. It is preferably 85% by weight or less, more preferably 80% by weight or less.
In addition, considering the above, the content ratio of the low molecular weight compound and the high molecular weight compound should be 1:0.3 to 3, especially 1:1 to 2 in terms of weight ratio. It is preferable.

本発明の機能性インクが電子受容性化合物を含有する場合、電荷輸送性化合物に対してキャリアを発生させ、導電性を向上させる観点から、電子受容性化合物は全機能性材料に対して1重量%以上であることが好ましく、3重量%以上であることがより好ましく、5重量%以上であることがさらに好ましい。一方、フッ素を含有する電子受容性化合物が多量に含まれ過ぎると、機能性膜の表面エネルギーが下がって積層塗布することが難しくなるため、電子受容性化合物は、全機能性材料に対して50重量%以下であることが好ましく、30重量%以下であることがより好ましく、20重量%以下であることがさらに好ましい。 When the functional ink of the present invention contains an electron-accepting compound, from the viewpoint of generating carriers for the charge-transporting compound and improving conductivity, the electron-accepting compound should be added at 1% by weight based on all functional materials. % or more, more preferably 3% by weight or more, even more preferably 5% by weight or more. On the other hand, if an excessive amount of an electron-accepting compound containing fluorine is included, the surface energy of the functional film decreases and it becomes difficult to apply a layered coating. It is preferably at most 30% by weight, more preferably at most 30% by weight, even more preferably at most 20% by weight.

また、電荷輸送性化合物(好ましくは電荷輸送性高分子化合物と電荷輸送性低分子化合物との合計)と電子受容性化合物との含有量比は、重量比で電荷輸送性化合物:電子受容性化合物=1:0.01~1、特に1:0.05~0.2であることが上記の観点から好ましい。 In addition, the content ratio of the charge transporting compound (preferably the total of the charge transporting polymer compound and the charge transporting low molecular weight compound) and the electron accepting compound is determined by the weight ratio of charge transporting compound:electron accepting compound. From the above point of view, it is preferable that the ratio is 1:0.01 to 1, particularly 1:0.05 to 0.2.

[機能性インクの調製]
本発明における機能性インクは、機能性材料と有機溶媒を混合させ、一定時間加温して溶解または分散させることで調製することができる。機能性材料を溶媒内に均一に溶解または分散させるためには、加温する温度は80℃以上が好ましく、90℃以上がより好ましく、100℃以上、例えば100~115℃がさらに好ましい。また、加温時間は30分以上が好ましく45分以上がより好ましく、60分以上、例えば60~180分がさらに好ましい。
[Preparation of functional ink]
The functional ink in the present invention can be prepared by mixing a functional material and an organic solvent, and dissolving or dispersing the mixture by heating for a certain period of time. In order to uniformly dissolve or disperse the functional material in the solvent, the heating temperature is preferably 80°C or higher, more preferably 90°C or higher, and even more preferably 100°C or higher, for example 100 to 115°C. Further, the heating time is preferably 30 minutes or more, more preferably 45 minutes or more, and even more preferably 60 minutes or more, for example 60 to 180 minutes.

加温後の機能性インクは、メンブレンフィルタやデプスフィルタ等を用いて濾過し、粗大な粒子を取り除いてから使用する。インクジェットヘッドのノズルから吐出して機能性インクを塗布することを考慮すると、フィルタの孔径は0.5μm以下が好ましく、0.2μm以下がより好ましく、0.1μm以下がさらに好ましい。 The heated functional ink is filtered using a membrane filter, depth filter, etc. to remove coarse particles before use. Considering that the functional ink is applied by ejection from a nozzle of an inkjet head, the pore diameter of the filter is preferably 0.5 μm or less, more preferably 0.2 μm or less, and even more preferably 0.1 μm or less.

[湿式成膜法による成膜]
本発明の組成物は有機電界発光素子の製造において、機能性膜の形成に好適に用いられる。有機電界発光素子の構成は後述の通りである。
[Film formation by wet film formation method]
The composition of the present invention is suitably used for forming a functional film in the production of organic electroluminescent devices. The structure of the organic electroluminescent device is as described below.

本発明における有機電界発光素子は通常、電極が設けられた基板に、発光画素を、撥液性を有する隔壁層(バンク)と呼ばれる隔壁で区画された微小領域に有する。この隔壁層で区画された微小領域内に本発明の機能性インクを吐出し、乾燥して、適宜加熱することによって機能性膜を形成する。 The organic electroluminescent device according to the present invention usually has a substrate provided with electrodes, and light emitting pixels in minute regions partitioned by partition walls called a liquid-repellent partition layer (bank). A functional film is formed by discharging the functional ink of the present invention into a micro region defined by the partition layer, drying it, and heating it appropriately.

吐出方法は、微小なノズルから隔壁層で区画された微小領域よりも小さい液滴を吐出する方法であり、複数の液滴を吐出することによって隔壁層で区画された微小領域を本発明の機能性インクで満たすことが好ましい。吐出法としては好ましくはインクジェット法である。 The ejection method is a method of ejecting droplets smaller than a micro area partitioned by a partition layer from a micro nozzle, and the function of the present invention is to eject a plurality of droplets to form a micro area partitioned by a partition layer. It is preferable to fill it with a synthetic ink. The ejection method is preferably an inkjet method.

湿式成膜法では、バンクで区画された微小領域を機能性インクで満たしたのち、適切な手段で溶媒を揮発・乾燥させ、機能性膜を得る。揮発・乾燥させる手段は、以下に限定されるものではないが、加熱乾燥や減圧乾燥がある。例えば減圧乾燥とは、開閉可能な金属製やガラス製の真空チャンバー内に組成物を塗布した基板を配置し、チャンバー内の雰囲気を真空ポンプ等で減圧することにより溶媒を揮発させることである。真空ポンプは通常ロータリーオイルポンプやメカニカルブースターポンプ、ドライスクロールポンプ、ドライルーツポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプなどが用いられる。
機能性インクに含まれる有機溶媒を減圧乾燥する時間は、適度に長時間をかけて機能性インクのピン位置を下げ、且つあまり長時間バンクに有機溶媒が触れ続けないようにするために、1分以上15分未満であることが好ましく、2分以上12分未満であることがより好ましく、3分以上10分未満であることがさらに好ましい。
In the wet film-forming method, a functional ink is filled in a microscopic area defined by a bank, and then the solvent is evaporated and dried using an appropriate means to obtain a functional film. Means for volatilization and drying include, but are not limited to, heating drying and reduced pressure drying. For example, vacuum drying refers to placing a substrate coated with a composition in a vacuum chamber made of metal or glass that can be opened and closed, and evaporating the solvent by reducing the pressure of the atmosphere inside the chamber with a vacuum pump or the like. Vacuum pumps typically include rotary oil pumps, mechanical booster pumps, dry scroll pumps, dry roots pumps, turbomolecular pumps, and cryopumps.
The time for drying the organic solvent contained in the functional ink under reduced pressure is set to 1. In order to lower the pin position of the functional ink over a moderately long period of time and to prevent the organic solvent from continuing to touch the bank for too long, It is preferably at least 2 minutes and less than 15 minutes, more preferably at least 2 minutes and less than 12 minutes, and even more preferably at least 3 minutes and less than 10 minutes.

本発明における有機溶媒の好ましい沸点範囲であれば、上記ポンプを用いて充分揮発させることが可能であるが、さらに微量な残留溶媒を充分に乾燥させるために、次いで加熱乾燥を行う場合がある。さらに、本発明に係る電荷輸送性高分子化合物、低分子化合物、及び存在する場合は電子受容性化合物等の機能性材料が有する架橋基同士を架橋させるために加熱を行う。加熱工程は、乾燥とともに、架橋のための加熱を兼ね得る。加熱乾燥が架橋のための加熱を兼ねること、すなわち、加熱によって乾燥及び架橋を行うことが、工程数を省く観点からも好ましい。加熱温度は機能性膜が結晶化または凝集しない温度および時間とすることが好ましい。 If the organic solvent in the present invention has a preferable boiling point range, it can be sufficiently volatilized using the pump, but in order to sufficiently dry even a small amount of residual solvent, heating drying may be performed subsequently. Furthermore, heating is performed to crosslink the crosslinking groups possessed by the charge transporting polymer compound, low molecular weight compound, and, if present, the functional material such as the electron accepting compound according to the present invention. The heating step can serve as heating for crosslinking as well as drying. It is preferable that the heating drying also serves as heating for crosslinking, that is, that drying and crosslinking are performed by heating, also from the viewpoint of reducing the number of steps. The heating temperature is preferably a temperature and time at which the functional film does not crystallize or aggregate.

機能性材料の加熱温度は通常80℃以上、好ましくは100℃以上、更に好ましくは150℃以上、より好ましくは200℃以上であり、通常300℃以下、好ましくは270℃以下、更に好ましくは240℃以下である。加熱時間は通常1分以上、好ましくは3分以上、より好ましくは5分以上であり、通常120分以下、好ましくは90分以下、より好ましくは60分以下である。 The heating temperature of the functional material is usually 80°C or higher, preferably 100°C or higher, more preferably 150°C or higher, more preferably 200°C or higher, and usually 300°C or lower, preferably 270°C or lower, and even more preferably 240°C. It is as follows. The heating time is usually 1 minute or more, preferably 3 minutes or more, more preferably 5 minutes or more, and usually 120 minutes or less, preferably 90 minutes or less, more preferably 60 minutes or less.

加熱は、ホットプレート、オーブン、赤外線照射等により実施することができる。分子振動を直接与える赤外線照射の場合の加熱時間は上記下限に近い時間で十分であり、熱源に基板が直接接するかまたは熱源と基板が極めて近くに配置されるホットプレート加熱の場合は赤外線照射よりは長い時間が必要である。オーブン加熱の場合、即ち、オーブン内の気体、通常は空気または窒素若しくはアルゴンなどの不活性ガスによる加熱の場合は、温度上昇に時間を要するため、上記加熱時間の上限に近い加熱時間が好ましい。加熱方法によって加熱時間は適宜調整される。 Heating can be performed using a hot plate, oven, infrared irradiation, or the like. In the case of infrared irradiation that directly gives molecular vibrations, a heating time close to the lower limit above is sufficient; in the case of hot plate heating, where the substrate is in direct contact with the heat source or the heat source and the substrate are placed extremely close, the heating time is longer than infrared irradiation. requires a long time. In the case of oven heating, that is, in the case of heating with a gas in the oven, usually air or an inert gas such as nitrogen or argon, it takes time for the temperature to rise, so a heating time close to the upper limit of the above heating time is preferred. The heating time is appropriately adjusted depending on the heating method.

この加熱工程は、本発明に係る電荷輸送性高分子化合物及び低分子化合物等の機能性材料が有する架橋基同士を架橋反応させるような条件であることが重要であり、そのために加熱温度は、本発明に係る電荷輸送性高分子化合物、低分子化合物、及び存在する場合は電子受容性化合物等が有する架橋基の架橋開始温度以上であることが好ましい。 It is important that this heating step is performed under conditions that cause the crosslinking groups of the functional materials such as charge transporting polymer compounds and low molecular weight compounds according to the present invention to undergo a crosslinking reaction, and for this purpose, the heating temperature is The temperature is preferably at least the crosslinking initiation temperature of the crosslinking group possessed by the charge-transporting polymer compound, low-molecular compound, and, if present, the electron-accepting compound, etc. according to the present invention.

本発明の機能性インクは、機能性インク中の溶媒を揮発させて乾燥する過程で、バンク側面における機能性インクのピン位置が下がる。しかしながら乾燥が早すぎるとピン位置を下げるために十分な時間が取れず、効果を発揮しない。そのため、減圧乾燥を行う真空チャンバー内雰囲気の圧力が、本発明の機能性インクに含まれる有機溶媒の中で最も蒸気圧の低い有機溶媒の蒸気圧と比べて低くなるまでの時間が、60秒以上となることが好ましい。一方で、機能性インクがバンク側面と触れ続けると、バンクから該機能性インクの有機溶媒へバンクを形成している材料が徐々に溶出する問題が生じる。そのため、減圧乾燥を行う真空チャンバー内雰囲気の圧力が、本発明の機能性インクに含まれる有機溶媒の中で最も蒸気圧の低い有機溶媒の蒸気圧と比べて、低い圧力に到達するまでの時間が、900秒以下となることが好ましい。 In the process of drying the functional ink of the present invention by volatilizing the solvent in the functional ink, the pin position of the functional ink on the side surface of the bank is lowered. However, if it dries too quickly, there will not be enough time to lower the pin position and it will not be as effective. Therefore, it takes 60 seconds for the pressure of the atmosphere in the vacuum chamber in which vacuum drying is performed to become lower than the vapor pressure of the organic solvent, which has the lowest vapor pressure among the organic solvents contained in the functional ink of the present invention. It is preferable that the above is the case. On the other hand, if the functional ink continues to touch the side surface of the bank, a problem arises in that the material forming the bank gradually dissolves from the bank into the organic solvent of the functional ink. Therefore, the time it takes for the pressure of the atmosphere in the vacuum chamber in which vacuum drying is performed to reach a pressure lower than that of the organic solvent that has the lowest vapor pressure among the organic solvents contained in the functional ink of the present invention. is preferably 900 seconds or less.

[機能性膜]
本発明の機能性インクにより形成される機能性膜は、機能性材料である電荷輸送性高分子化合物及び低分子化合物が有する架橋基同士が架橋した膜であることが好ましい。
機能性膜中に含まれる機能性材料は通常70重量%以上であり、好ましくは80重量%以上、さらに好ましくは90重量%以上、特に好ましくは95重量%以上であり、実質的に100重量%であることが最も好ましく、上限は100重量%である。実質的に100重量%であるとは、機能性膜に微量の添加剤、残留溶媒及び不純物が含まれる場合があるということである。機能性膜中の機能性材料の含有量がこの範囲であることにより、機能性材料の機能をより効果的に発現させることができる。
[Functional membrane]
The functional film formed by the functional ink of the present invention is preferably a film in which the crosslinking groups of the charge-transporting polymer compound and the low-molecular compound that are the functional materials are crosslinked.
The functional material contained in the functional film is usually 70% by weight or more, preferably 80% by weight or more, more preferably 90% by weight or more, particularly preferably 95% by weight or more, and substantially 100% by weight. Most preferably, the upper limit is 100% by weight. Substantially 100% by weight means that the functional membrane may contain trace amounts of additives, residual solvents, and impurities. When the content of the functional material in the functional film is within this range, the function of the functional material can be expressed more effectively.

[有機電界発光素子の層構成と形成方法]
本発明の機能性インクを用いて製造される有機電界発光素子(以下、「本発明の有機電界発光素子」と称す場合がある。)の層構成及びその形成方法の実施の形態の好ましい例を、図1を参照して説明する。
[Layer structure and formation method of organic electroluminescent device]
Preferred examples of embodiments of the layer structure and the method for forming the organic electroluminescent device manufactured using the functional ink of the present invention (hereinafter sometimes referred to as "organic electroluminescent device of the present invention") are as follows. , will be explained with reference to FIG.

図1は本発明の有機電界発光素子10の構造例を示す断面の模式図である。図1において、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は正孔輸送層、5は発光層、6は正孔阻止層、7は電子輸送層、8は電子注入層、9は陰極を各々表す。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a structural example of an organic electroluminescent device 10 of the present invention. In FIG. 1, 1 is a substrate, 2 is an anode, 3 is a hole injection layer, 4 is a hole transport layer, 5 is a light emitting layer, 6 is a hole blocking layer, 7 is an electron transport layer, 8 is an electron injection layer, 9 each represents a cathode.

本発明の有機電界発光素子は、陽極、発光層及び陰極を必須の構成層とするが、必要に応じて、図1に示すように陽極2と発光層5及び陰極9と発光層5との間に他の機能層を有していてもよい。 The organic electroluminescent device of the present invention has an anode, a light-emitting layer, and a cathode as essential constituent layers, but if necessary, as shown in FIG. There may be other functional layers in between.

[基板]
基板1は、有機電界発光素子の支持体となるものである。基板1としては、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板;ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合には、ガスバリア性に留意するのが好ましい。基板のガスバリア性は、基板を通過した外気による有機電界発光素子の劣化が起こり難いので、大きいことが好ましい。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の1つである。
[substrate]
The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent device. As the substrate 1, a quartz or glass plate, a metal plate or metal foil, a plastic film or sheet, etc. are used. Particularly preferred is a glass plate; a plate made of transparent synthetic resin such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, polysulfone, or the like. When using a synthetic resin substrate, it is preferable to pay attention to gas barrier properties. The gas barrier property of the substrate is preferably large because the organic electroluminescent element is unlikely to be degraded by outside air passing through the substrate. Therefore, one preferable method is to provide a dense silicon oxide film or the like on at least one side of the synthetic resin substrate to ensure gas barrier properties.

[陽極]
陽極2は、発光層5側の層への正孔注入の役割を果たす電極である。
陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、またはこれらの金属とインジウムや、銅、テルル、パラジウム、アルミとを組み合わせた合金、インジウム及び/又はスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3-メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。
[anode]
The anode 2 is an electrode that plays the role of injecting holes into the layer on the light emitting layer 5 side.
The anode 2 is usually made of a metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, or platinum, or an alloy of these metals with indium, copper, tellurium, palladium, or aluminum, or an oxide of indium and/or tin. It is composed of metal oxides such as, metal halides such as copper iodide, carbon black, or conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), polypyrrole, polyaniline, etc.

陽極2の形成は、通常、スパッタリング法、真空蒸着法等の方法により行われることが多い。
銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極2を形成する場合には、これらの微粒子などを適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板1上に塗布することにより、陽極2を形成することもできる。
導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板1上に薄膜を形成することもできる。
基板1上に導電性高分子を塗布して陽極2を形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。
The anode 2 is usually formed by a method such as a sputtering method or a vacuum evaporation method.
When forming the anode 2 using metal fine particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, conductive polymer fine powder, etc., these fine particles are mixed with appropriate materials. The anode 2 can also be formed by dispersing it in a binder resin solution and applying it on the substrate 1.
In the case of a conductive polymer, a thin film can also be formed directly on the substrate 1 by electrolytic polymerization.
The anode 2 can also be formed by coating a conductive polymer on the substrate 1 (Appl. Phys. Lett., vol. 60, p. 2711, 1992).

陽極2は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。 The anode 2 usually has a single layer structure, but it can also have a laminated structure made of a plurality of materials if desired.

陽極2の厚みは、必要とする透明性などに応じて適宜選択すればよい。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが好ましい。この場合、陽極2の厚みは、通常5nm以上、好ましくは10nm以上で、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下程度である。不透明でよい場合は、陽極2の厚みは任意である。陽極2の機能を兼ね備えた基板1を用いてもよい。上記の陽極2の上に異なる導電材料を積層することも可能である。 The thickness of the anode 2 may be appropriately selected depending on the required transparency and the like. When transparency is required, the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness of the anode 2 is usually about 5 nm or more, preferably about 10 nm or more, and usually about 1000 nm or less, preferably about 500 nm or less. As long as it is opaque, the thickness of the anode 2 is arbitrary. A substrate 1 having the function of the anode 2 may also be used. It is also possible to laminate different conductive materials on the anode 2 described above.

陽極2に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極2表面を紫外線(UV)/オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。 In order to remove impurities attached to the anode 2, adjust the ionization potential, and improve hole injection properties, the surface of the anode 2 is subjected to ultraviolet (UV)/ozone treatment, oxygen plasma, or argon plasma treatment. It is preferable to do so.

[画素区分け層]
本発明において、導電性の電極パターンを有するガラス基板上に、撥液レジストを塗布してフォトリソグラフィー法によって微小領域の開口部を複数設ける工程を有する。
撥液レジストを塗布する方法としては、該基板上に、ロールコーター、リバースコーター、バーコーター、スピナー(回転式塗布装置)、ダイコーター、インクジェット等の塗布装置を用いる方法が挙げられる。必要に応じて、乾燥により溶媒を除去して、撥液性を有するレジスト層を形成する。
[Pixel division layer]
The present invention includes a step of applying a liquid-repellent resist onto a glass substrate having a conductive electrode pattern and forming a plurality of micro-area openings by photolithography.
Examples of the method for applying the liquid-repellent resist include a method using a coating device such as a roll coater, reverse coater, bar coater, spinner (rotary coating device), die coater, or inkjet on the substrate. If necessary, the solvent is removed by drying to form a liquid-repellent resist layer.

次いで、露光工程では、マスクを利用して、撥液レジストに紫外線、エキシマレーザー光等の活性エネルギー線を照射し、撥液レジストを画素区分け層のパターンに応じて部分的に露光する。紫外線照射による露光としては、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ、カーボンアーク灯等の紫外線を発する光源を用いることができる。露光量は感光性樹脂組成物の組成によっても異なるが、例えば10~400mJ/cm2程度が好ましい。
ネガ型撥液性レジストの場合、該マスクは、10~500μmの遮光部をライン状、または長方形状に配置されたマスクを使用することで、10~500μmの微小領域の開口を複数有するパターンを設けることができる。
次いで、現像工程では、画素区分け層のパターンに応じて露光された撥液レジストを、現像することによりパターンを形成する。現像方法は特に限定されず、浸漬法、スプレー法等を用いることができる。現像液の具体例としては、ジメチルベンジルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等の有機系のものや、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、アンモニア、4級アンモニウム塩等の水溶液が挙げられる。又、現像液には、消泡剤や界面活性剤を添加することもできる。
Next, in the exposure step, the liquid-repellent resist is irradiated with active energy rays such as ultraviolet rays and excimer laser light using a mask, and the liquid-repellent resist is partially exposed according to the pattern of the pixel dividing layer. For exposure by ultraviolet ray irradiation, a light source that emits ultraviolet rays such as a high pressure mercury lamp, an ultra-high pressure mercury lamp, a xenon lamp, a carbon arc lamp, etc. can be used. Although the exposure amount varies depending on the composition of the photosensitive resin composition, it is preferably about 10 to 400 mJ/cm 2 , for example.
In the case of a negative liquid-repellent resist, a pattern having multiple openings in minute areas of 10 to 500 μm can be created by using a mask in which light-shielding parts of 10 to 500 μm are arranged in a line or rectangular shape. can be provided.
Next, in a developing step, a pattern is formed by developing the liquid-repellent resist that has been exposed to light in accordance with the pattern of the pixel dividing layer. The developing method is not particularly limited, and a dipping method, a spray method, etc. can be used. Specific examples of developing solutions include organic ones such as dimethylbenzylamine, monoethanolamine, diethanolamine, and triethanolamine, and aqueous solutions such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, ammonia, and quaternary ammonium salts. Can be mentioned. Moreover, an antifoaming agent and a surfactant can also be added to the developer.

その後、現像後の撥液レジストにポストベークを施して加熱硬化することで画素区分け層が得られる。ポストベークは、150~250℃で15~60分間が好ましい。
本発明における画素区分け層を製造するために用いられる撥液レジストは、前述したように該撥液レジストを用いて製膜した撥液レジスト膜の最表面の撥液剤を剥離した膜上で、機能性インクに含まれる少なくとも1種の有機溶媒の接触角が、26°以上50°未満になることが条件となっている。
Thereafter, the developed liquid-repellent resist is post-baked and cured by heating to obtain a pixel segmentation layer. Post-baking is preferably performed at 150-250°C for 15-60 minutes.
The liquid-repellent resist used for manufacturing the pixel dividing layer in the present invention is functional on the film from which the liquid-repellent agent on the outermost surface of the liquid-repellent resist film formed using the liquid-repellent resist is removed as described above. The condition is that the contact angle of at least one organic solvent contained in the sexual ink is 26° or more and less than 50°.

パターン形成後の基板表面は、レジストの塗布やフォトリソグラフィーによる残渣等を除去するために、外部エネルギーを用いて処理を行う。外部エネルギーとしては、紫外線(UV)/オゾン、酸素プラズマ、プラズマなどが好ましい。 After pattern formation, the surface of the substrate is treated using external energy in order to remove residues from resist coating and photolithography. As the external energy, ultraviolet (UV)/ozone, oxygen plasma, plasma, etc. are preferable.

[正孔注入層]
正孔注入層3は、陽極2から発光層5へ正孔を輸送する層である。正孔注入層3を設ける場合は、正孔注入層3は、通常、陽極2上に形成される。
[Hole injection layer]
The hole injection layer 3 is a layer that transports holes from the anode 2 to the light emitting layer 5. When providing the hole injection layer 3, the hole injection layer 3 is usually formed on the anode 2.

正孔注入層3の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はない。正孔注入層3は、ダークスポット低減の観点から湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔注入層3の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上で、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。
The method for forming the hole injection layer 3 may be a vacuum evaporation method or a wet film formation method, and is not particularly limited. The hole injection layer 3 is preferably formed by a wet film formation method from the viewpoint of reducing dark spots.
The thickness of the hole injection layer 3 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.

<正孔輸送材料>
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層3の構成材料として正孔輸送材料及び溶剤を含有する。
<Hole transport material>
The composition for forming a hole injection layer usually contains a hole transport material and a solvent as constituent materials of the hole injection layer 3.

正孔輸送材料は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層3に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。なお、本発明の適用範囲を正孔注入層3に適用する場合は、少なくとも1種類の重量平均分子量10,000以上の架橋基を有する正孔輸送性高分子材料と、少なくとも1種類の分子量5,000以下の架橋基を有する正孔輸送性低分子材料と、少なくとも1種類の芳香族有機溶媒を含むことを特徴とする組成物である。 The hole transport material is usually a compound having a hole transport property used in the hole injection layer 3 of an organic electroluminescent device, even if it is a polymer compound such as a polymer, or a monomer, etc. It may be a low-molecular compound, but a high-molecular compound is preferable. In addition, when applying the scope of the present invention to the hole injection layer 3, at least one hole transporting polymer material having a crosslinking group having a weight average molecular weight of 10,000 or more and at least one type of hole transporting polymer material having a weight average molecular weight of 5. ,000 or less of a crosslinking group, and at least one type of aromatic organic solvent.

正孔輸送材料としては、陽極2から正孔注入層3への電荷注入障壁の観点から4.5eV~6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送材料の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で3級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。 As the hole transport material, a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV is preferable from the viewpoint of a charge injection barrier from the anode 2 to the hole injection layer 3. Examples of hole transport materials include aromatic amine derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oligothiophene derivatives, polythiophene derivatives, benzylphenyl derivatives, compounds in which tertiary amines are linked with fluorene groups, hydrazone derivatives, silazane derivatives, and silanamine derivatives. , phosphamine derivatives, quinacridone derivatives, polyaniline derivatives, polypyrrole derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polythienylene vinylene derivatives, polyquinoline derivatives, polyquinoxaline derivatives, carbon, and the like.

本発明において誘導体とは、例えば芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香族アミンそのもの及び芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。 In the present invention, the derivative includes, for example, an aromatic amine derivative, the aromatic amine itself and a compound having an aromatic amine as its main skeleton, and even if it is a polymer, it may be a monomer. There may be.

正孔注入層3の材料として用いられる正孔輸送材料は、このような化合物のうち何れか1種を単独で含有していてもよく、2種以上を含有していてもよい。2種以上の正孔輸送材料を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物1種又は2種以上と、その他の正孔輸送材料1種又は2種以上とを併用することが好ましい。 The hole transport material used as the material for the hole injection layer 3 may contain any one type of such compounds alone, or may contain two or more types of such compounds. When containing two or more hole transport materials, the combination is arbitrary, but one or more aromatic tertiary amine polymer compounds and one or two or more other hole transport materials are used. It is preferable to use them together.

正孔輸送材料としては、上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。 Among the above-mentioned examples, aromatic amine compounds are preferable as the hole transport material, and aromatic tertiary amine compounds are particularly preferable from the viewpoint of amorphous property and visible light transmittance. The aromatic tertiary amine compound is a compound having an aromatic tertiary amine structure, and also includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine.

芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が1000以上、1000000以下の高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合型化合物)がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式(1)又は下記式(11)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。 The type of aromatic tertiary amine compound is not particularly limited, but from the viewpoint of uniform light emission due to the surface smoothing effect, polymer compounds (polymerized compounds with repeating units) having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less are preferred. preferable. Preferred examples of aromatic tertiary amine polymer compounds include polymer compounds having repeating units represented by the following formula (1) or the following formula (11).

Figure 2023130237000002
Figure 2023130237000002

(式(1)中、
Arは、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、
Arは、置換基を有していてもよい、2価の芳香族炭化水素基又は2価の芳香族複素環基、若しくは、該芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が、直接又は連結基を介して、複数個連結した2価の基を表す。)
(In formula (1),
Ar 3 represents an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group, which may have a substituent,
Ar 4 is a divalent aromatic hydrocarbon group or a divalent aromatic heterocyclic group which may have a substituent, or the aromatic hydrocarbon group and the aromatic heterocyclic group are directly or Represents a divalent group in which multiple groups are connected via a linking group. )

前記式(1)において、芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が、連結基を介して複数個連結したものである場合の連結基は、2価の連結基であり、例えば-O-基、-C(=O)-基及び(置換基を有していていてもよい)-CH-基から選ばれる基を任意の順番で1~30個、好ましくは1~5個、更に好ましくは1~3個連結してなる基が挙げられる。
連結基の中では、発光層への正孔注入に優れる点で、式(1)中のArが、下記式(2)で表される連結基を介して複数個連結された芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることが好ましい。
In the above formula (1), when a plurality of aromatic hydrocarbon groups and aromatic heterocyclic groups are connected via a connecting group, the connecting group is a divalent connecting group, for example -O- 1 to 30, preferably 1 to 5, groups selected from a group, a -C(=O)- group, and a -CH 2 - group (which may have a substituent) in any order, and further Preferably, a group formed by linking 1 to 3 groups is mentioned.
Among the linking groups, aromatic carbide in which a plurality of Ar 4 's in formula (1) are linked via a linking group represented by the following formula (2) is superior in hole injection into the light emitting layer. A hydrogen group or an aromatic heterocyclic group is preferred.

Figure 2023130237000003
Figure 2023130237000003

(式(2)中、
y1は1~10の整数を表し、
及びRは、各々独立して、水素原子又は置換基を有していてもよい、アルキル基、芳香族炭化水素基、又は芳香族複素環基を表す。
、Rが複数個存在する場合、同じであっても異なっていてもよい。)
(In formula (2),
y1 represents an integer from 1 to 10,
R 8 and R 9 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, an aromatic hydrocarbon group, or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.
When a plurality of R 8 and R 9 are present, they may be the same or different. )

Figure 2023130237000004
Figure 2023130237000004

上記式(11)中、x1、x2、x3、x4、x5、x6は、各々独立に、0以上の整数を表す。但し、x3+x4≧1である。Ar11、Ar12、Ar14は、それぞれ独立に、置換基を有していても良い炭素数30以下の2価の芳香環基を表す。Ar13は、置換基を有していても良い炭素数30以下の2価の芳香環基または下記式(12)で表される2価の基を表し、Q11、Q12は、各々独立に、酸素原子、硫黄原子、置換基を有していても良い炭素数6以下の炭化水素鎖を表し、S~Sは、各々独立に、下記式(13)で表される基で表される。
なお、ここでいう芳香環基とは、芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基のことを言う。
In the above formula (11), x1, x2, x3, x4, x5, and x6 each independently represent an integer of 0 or more. However, x3+x4≧1. Ar 11 , Ar 12 and Ar 14 each independently represent a divalent aromatic ring group having 30 or less carbon atoms which may have a substituent. Ar 13 represents a divalent aromatic ring group having 30 or less carbon atoms which may have a substituent or a divalent group represented by the following formula (12), and Q 11 and Q 12 are each independently represents a hydrocarbon chain having 6 or less carbon atoms which may have an oxygen atom, a sulfur atom, and a substituent, and S 1 to S 4 are each independently a group represented by the following formula (13). expressed.
In addition, the aromatic ring group here refers to an aromatic hydrocarbon group and an aromatic heterocyclic group.

Ar11、Ar12、Ar14の芳香環基の例としては、単環、2~6縮合環又はこれらの芳香族環が2つ以上連結した基が挙げられる。単環又は2~6縮合環の芳香環基の具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環、ビフェニル基、ターフェニル基、クアテルフェニル基、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環もしくはアズレン環由来の2価の基が挙げられる。中でも負電荷を効率良く非局在化すること、安定性、耐熱性に優れることから、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、ピリジン環もしくはカルバゾール環由来の2価の基またはビフェニル基が好ましい。
Ar13の芳香環基の例としては、Ar11、Ar12、Ar14の場合と同様である。
Examples of the aromatic ring group for Ar 11 , Ar 12 and Ar 14 include a monocyclic ring, 2 to 6 condensed rings, or a group in which two or more of these aromatic rings are connected. Specific examples of monocyclic or 2-6 fused ring aromatic ring groups include benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, acenaphthene ring. , fluoranthene ring, fluorene ring, biphenyl group, terphenyl group, quaterphenyl group, furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzisoxazole ring, benzisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, Divalent groups derived from a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a triazine ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a shinoline ring, a quinoxaline ring, a phenanthridine ring, a benzimidazole ring, a perimidine ring, a quinazoline ring, a quinazolinone ring, or an azulene ring. . Among these, a divalent group derived from a benzene ring, a naphthalene ring, a fluorene ring, a pyridine ring, or a carbazole ring or a biphenyl group are preferred because they efficiently delocalize negative charges and are excellent in stability and heat resistance.
Examples of the aromatic ring group for Ar 13 are the same as those for Ar 11 , Ar 12 , and Ar 14 .

Figure 2023130237000005
Figure 2023130237000005

上記式(12)中、R11は、アルキル基、芳香環基または炭素数40以下のアルキル基と芳香環基からなる3価の基を表し、これらは置換基を有していても良い。R12は、アルキル基、芳香環基または炭素数40以下のアルキル基と芳香環基からなる2価の基を表し、これらは置換基を有していても良い。Ar31は、1価の芳香環基、又は1価の架橋基を表し、これらの基は置換基を有していても良い。x7は1~4を表す。x7が2以上の場合、複数のR12は同一であっても異なっていてもよく、複数のAr31は同一であっても異なっていてもよい。アスタリスク(*)は式(11)の窒素原子との結合手を示す。 In the above formula (12), R 11 represents an alkyl group, an aromatic ring group, or a trivalent group consisting of an alkyl group having 40 or less carbon atoms and an aromatic ring group, and these may have a substituent. R 12 represents an alkyl group, an aromatic ring group, or a divalent group consisting of an alkyl group having 40 or less carbon atoms and an aromatic ring group, and these may have a substituent. Ar 31 represents a monovalent aromatic ring group or a monovalent crosslinking group, and these groups may have a substituent. x7 represents 1 to 4. When x7 is 2 or more, a plurality of R 12s may be the same or different, and a plurality of Ar 31s may be the same or different. The asterisk (*) indicates the bond with the nitrogen atom in formula (11).

11の芳香環基としては、炭素数3以上30以下の単環又は縮合環である芳香環基1つであるか、又はそれらが2~6連結した基が好ましく、具体例としては、ベンゼン環、フルオレン環、ナフタレン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環及びこれらが2~6連結した基由来の3価の基が挙げられる。
11のアルキル基としては、炭素数1以上12以下の直鎖、分岐、又は環を含むアルキル基が好ましく、具体例としては、メタン、エタン、プロパン、イソプロパン、ブタン、イソブタン、ペンタン、ヘキサン、オクタン由来の基等が挙げられる。
11の炭素数40以下のアルキル基と芳香環基からなる基としては、好ましくは炭素数1以上12以下の直鎖、分岐、又は環を含むアルキル基と、炭素数3以上30以下の単環又は縮合環である芳香環基1つ又は2~6連結した基とが連結した基が挙げられる。
The aromatic ring group for R 11 is preferably one monocyclic or condensed aromatic ring group having 3 or more and 30 or less carbon atoms, or a group in which 2 to 6 of these are linked. Specific examples include benzene. trivalent groups derived from rings, fluorene rings, naphthalene rings, carbazole rings, dibenzofuran rings, dibenzothiophene rings, and groups in which 2 to 6 of these are linked.
The alkyl group for R11 is preferably a linear, branched, or ring-containing alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and specific examples include methane, ethane, propane, isopropane, butane, isobutane, pentane, and hexane. , groups derived from octane, and the like.
The group consisting of an alkyl group having 40 or less carbon atoms and an aromatic ring group for R11 is preferably a straight chain, branched, or ring-containing alkyl group having 1 or more carbon atoms and 12 or less carbon atoms, and a monomer group having 3 or more carbon atoms and 30 or less carbon atoms. Examples include a group in which one ring or fused ring aromatic ring group or 2 to 6 linked groups are connected.

12の芳香環基の具体例としては、ベンゼン環、フルオレン環、ナフタレン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環及びこれらが連結した炭素数30以下の連結環由来の2価の基が挙げられる。
12のアルキル基の具体例としては、メタン、エタン、プロパン、イソプロパン、ブタン、イソブタン、ペンタン、ヘキサン、オクタン由来の2価の基等が挙げられる。
Specific examples of the aromatic ring group for R12 include a benzene ring, a fluorene ring, a naphthalene ring, a carbazole ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, and a divalent group derived from a connecting ring having 30 or less carbon atoms. It will be done.
Specific examples of the alkyl group for R 12 include divalent groups derived from methane, ethane, propane, isopropane, butane, isobutane, pentane, hexane, and octane.

Ar31の芳香環基の具体例としては、ベンゼン環、フルオレン環、ナフタレン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環及びこれらが連結した炭素数30以下の連結環由来の1価の基が挙げられる。 Specific examples of the aromatic ring group of Ar 31 include monovalent groups derived from benzene rings, fluorene rings, naphthalene rings, carbazole rings, dibenzofuran rings, dibenzothiophene rings, and connecting rings having 30 or less carbon atoms. It will be done.

式(12)の好ましい構造の例としては以下の構造が挙げられ、R11の部分構造である下記構造における主鎖のベンゼン環またはフルオレン環はさらに置換基を有していてもよい。 Examples of preferable structures of formula (12) include the following structures, and the main chain benzene ring or fluorene ring in the structure below, which is a partial structure of R 11 , may further have a substituent.

Figure 2023130237000006
Figure 2023130237000006

Ar31の架橋基の例としては、ベンゾシクロブテン環、ナフトシクロブテン環またはオキセタン環由来の基、ビニル基、アクリル基等が挙げられる。化合物の安定性からベンゾシクロブテン環またはナフトシクロブテン環由来の基が好ましい。 Examples of the bridging group for Ar 31 include a group derived from a benzocyclobutene ring, a naphthocyclobutene ring, or an oxetane ring, a vinyl group, an acrylic group, and the like. In view of the stability of the compound, a group derived from a benzocyclobutene ring or a naphthocyclobutene ring is preferred.

Figure 2023130237000007
Figure 2023130237000007

上記式(13)中、x,yは、0以上の整数を表す。Ar21、Ar23は、それぞれ独立に、2価の芳香環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ar22は置換基を有していても良い1価の芳香環基を表し、R13は、アルキル基、芳香環基、またはアルキル基と芳香環基からなる2価の基を表し、これらは置換基を有していても良い。Ar32は1価の芳香環基又は1価の架橋基を表し、これらの基は置換基を有していても良い。アスタリスク(*)は式(11)の窒素原子との結合手を示す。 In the above formula (13), x and y represent integers of 0 or more. Ar 21 and Ar 23 each independently represent a divalent aromatic ring group, and these groups may have a substituent. Ar 22 represents a monovalent aromatic ring group which may have a substituent, R 13 represents an alkyl group, an aromatic ring group, or a divalent group consisting of an alkyl group and an aromatic ring group; It may have a substituent. Ar 32 represents a monovalent aromatic ring group or a monovalent crosslinking group, and these groups may have a substituent. The asterisk (*) indicates the bond with the nitrogen atom in formula (11).

Ar21、Ar23の芳香環基の例としては、Ar11、Ar12、Ar14の場合と同様である。 Examples of the aromatic ring group for Ar 21 and Ar 23 are the same as those for Ar 11 , Ar 12 and Ar 14 .

Ar22、Ar32の芳香環基の例としては、単環、2~6縮合環又はこれらの芳香族環が2つ以上連結した基が挙げられる。具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環、ビフェニル基、ターフェニル基、クアテルフェニル基、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環もしくはアズレン環由来の1価の基が挙げられる。中でも負電荷を効率良く非局在化すること、安定性、耐熱性に優れることから、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、ピリジン環もしくはカルバゾール環由来の1価の基またはビフェニル基が好ましい。 Examples of the aromatic ring group for Ar 22 and Ar 32 include a monocyclic ring, 2 to 6 condensed rings, or a group in which two or more of these aromatic rings are connected. Specific examples include benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, acenaphthene ring, fluoranthene ring, fluorene ring, biphenyl group, and terphenyl group. , quaterphenyl group, furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring , thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzisoxazole ring, benziisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline Examples include monovalent groups derived from a ring, a shinoline ring, a quinoxaline ring, a phenanthridine ring, a benzimidazole ring, a perimidine ring, a quinazoline ring, a quinazolinone ring, or an azulene ring. Among these, a monovalent group derived from a benzene ring, a naphthalene ring, a fluorene ring, a pyridine ring, or a carbazole ring or a biphenyl group are preferred because they efficiently delocalize negative charges and are excellent in stability and heat resistance.

13のアルキル基または芳香環基の例としては、R12と同様である。 Examples of the alkyl group or aromatic ring group for R 13 are the same as those for R 12 .

Ar32の架橋基は特に限定しないが、好ましい例としては、ベンゾシクロブテン環、ナフトシクロブテン環もしくはオキセタン環由来の基、ビニル基、アクリル基等が挙げられる。 The crosslinking group for Ar 32 is not particularly limited, but preferable examples include a group derived from a benzocyclobutene ring, a naphthocyclobutene ring, or an oxetane ring, a vinyl group, an acrylic group, and the like.

上記Ar11~Ar14、R11~R13、Ar21~Ar23、Ar31~Ar32、Q11、Q12はいずれも、本発明の趣旨に反しない限りにおいて、更に置換基を有していても良い。置換基の分子量としては、400以下が好ましく、中でも250以下がより好ましい。置換基の種類は特に制限されないが、例としては、下記の置換基群Wから選ばれる1種又は2種以上が挙げられる。 Each of the above Ar 11 to Ar 14 , R 11 to R 13 , Ar 21 to Ar 23 , Ar 31 to Ar 32 , Q 11 , and Q 12 further has a substituent as long as it does not go against the spirit of the present invention. You can leave it there. The molecular weight of the substituent is preferably 400 or less, and more preferably 250 or less. The types of substituents are not particularly limited, but examples include one or more types selected from the following substituent group W.

[置換基群W]
メチル基、エチル基等の、炭素数が1以上、好ましくは10以下、さらに好ましくは8以下のアルキル基;ビニル基等の、炭素数が2以上、好ましくは11以下、さらに好ましくは5以下のアルケニル基;エチニル基等の、炭素数が2以上、好ましくは11以下、さらに好ましくは5以下のアルキニル基;メトキシ基、エトキシ基等の、炭素数が1以上、好ましくは10以下、さらに好ましくは6以下のアルコキシ基;フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基等の、炭素数が4以上、好ましくは5以上、好ましくは25以下、さらに好ましくは14以下のアリールオキシ基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、炭素数が2以上、好ましくは11以下、さらに好ましくは7以下のアルコキシカルボニル基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の、炭素数が2以上、好ましくは20以下、さらに好ましくは12以下のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、N-カルバゾリル基等の、炭素数が10以上、好ましくは12以上、好ましくは30以下、さらに好ましくは22以下のジアリールアミノ基;フェニルメチルアミノ基等の、炭素数が6以上、さらに好ましくは7以上、好ましくは25以下、さらに好ましくは17以下のアリールアルキルアミノ基;アセチル基、ベンゾイル基等の、炭素数が2以上、好ましくは10以下、さらに好ましくは7以下のアシル基;フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子;トリフルオロメチル基等の、炭素数が1以上、好ましくは8以下、さらに好ましくは4以下のハロアルキル基;メチルチオ基、エチルチオ基等の、炭素数が1以上、好ましくは10以下、さらに好ましくは6以下のアルキルチオ基;フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等の、炭素数が4以上、好ましくは5以上、好ましくは25以下、さらに好ましくは14以下のアリールチオ基;トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等の、炭素数が2以上、好ましくは3以上、好ましくは33以下、さらに好ましくは26以下のシリル基;トリメチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基等の、炭素数が2以上、好ましくは3以上、好ましくは33以下、さらに好ましくは26以下のシロキシ基;シアノ基;フェニル基、ナフチル基等の、炭素数が6以上、好ましくは30以下、さらに好ましくは18以下の芳香族炭化水素基;チエニル基、ピリジル基等の、炭素数が3以上、好ましくは4以上、好ましくは28以下、さらに好ましくは17以下の芳香族複素環基。
[Substituent group W]
Alkyl groups having 1 or more carbon atoms, preferably 10 or less, and more preferably 8 or less, such as methyl and ethyl groups; Alkyl groups having 2 or more carbon atoms, preferably 11 or less, and more preferably 5 or less, such as vinyl groups; Alkenyl group; an alkynyl group having 2 or more carbon atoms, preferably 11 or less, more preferably 5 or less, such as an ethynyl group; a methoxy group, an ethoxy group, etc. having 1 or more carbon atoms, preferably 10 or less, more preferably Alkoxy group of 6 or less; aryloxy group having 4 or more carbon atoms, preferably 5 or more, preferably 25 or less, more preferably 14 or less, such as phenoxy group, naphthoxy group, pyridyloxy group; methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group an alkoxycarbonyl group having 2 or more carbon atoms, preferably 11 or less, more preferably 7 or less; such as a dimethylamino group, diethylamino group, etc. having 2 or more carbon atoms, preferably 20 or less, more preferably 12 or less dialkylamino group; diarylamino group having 10 or more carbon atoms, preferably 12 or more, preferably 30 or less, more preferably 22 or less carbon atoms, such as diphenylamino group, ditolylamino group, N-carbazolyl group; phenylmethylamino group, etc. An arylalkylamino group having 6 or more carbon atoms, more preferably 7 or more, preferably 25 or less, still more preferably 17 or less; an acetyl group, a benzoyl group, etc. having 2 or more carbon atoms, preferably 10 or less, and Acyl group preferably having 7 or less; halogen atom such as fluorine atom or chlorine atom; haloalkyl group having 1 or more carbon atoms, preferably 8 or less, and more preferably 4 or less carbon atoms such as trifluoromethyl group; methylthio group, ethylthio group Alkylthio groups having 1 or more carbon atoms, preferably 10 or less, more preferably 6 or less carbon atoms, such as; phenylthio groups, naphthylthio groups, pyridylthio groups, etc., having 4 or more carbon atoms, preferably 5 or more carbon atoms, preferably 25 or less; More preferably an arylthio group with 14 or less; a silyl group with 2 or more carbon atoms, preferably 3 or more, preferably 33 or less, more preferably 26 or less, such as a trimethylsilyl group or triphenylsilyl group; a trimethylsiloxy group, triphenyl A siloxy group having 2 or more carbon atoms, preferably 3 or more, preferably 33 or less, more preferably 26 or less, such as a siloxy group; a cyano group; a phenyl group, a naphthyl group, etc. having 6 or more carbon atoms, preferably 30 More preferably an aromatic hydrocarbon group having 18 or less carbon atoms; an aromatic heterocyclic group having 3 or more carbon atoms, preferably 4 or more carbon atoms, preferably 28 or less carbon atoms, and more preferably 17 or less carbon atoms, such as a thienyl group or a pyridyl group.

上記置換基群Wのうち、溶解性を向上させる観点からアルキル基又はアルコキシ基が好ましく、電荷輸送性及び安定性の観点から芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基が好ましい。 Among the substituent group W, an alkyl group or an alkoxy group is preferable from the viewpoint of improving solubility, and an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group is preferable from the viewpoint of charge transportability and stability.

特に、式(11)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物の中でも、下記式(14)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が、正孔注入・輸送性が非常に高くなるので好ましい。 In particular, among polymer compounds having repeating units represented by formula (11), those having repeating units represented by formula (14) below have extremely high hole injection and transport properties. preferable.

Figure 2023130237000008
Figure 2023130237000008

上記式(14)中、R21~R25は各々独立に、任意の置換基を表す。R21~R25の置換基の具体例は、前述の[置換基群W]に記載されている置換基と同様である。
s、tは各々独立に、0以上、5以下の整数を表す。
u、v、wは各々独立に、0以上、4以下の整数を表す。
In the above formula (14), R 21 to R 25 each independently represent an arbitrary substituent. Specific examples of the substituents R 21 to R 25 are the same as the substituents described in [Substituent Group W] above.
s and t each independently represent an integer of 0 or more and 5 or less.
u, v, and w each independently represent an integer of 0 or more and 4 or less.

芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式(15)及び/又は式(16)で表される繰り返し単位を含む高分子化合物が挙げられる。 Preferred examples of aromatic tertiary amine polymer compounds include polymer compounds containing repeating units represented by the following formula (15) and/or formula (16).

Figure 2023130237000009
Figure 2023130237000009

上記式(15)、式(16)中、Ar45、Ar47及びAr48は各々独立して、置換基を有していても良い1価の芳香族炭化水素基又は置換基を有していても良い1価の芳香族複素環基を表す。Ar44及びAr46は各々独立して、置換基を有していても良い2価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有していても良い2価の芳香族複素環基を表す。R41~R43は各々独立して、水素原子又は任意の置換基を表す。 In the above formulas (15) and (16), Ar 45 , Ar 47 and Ar 48 each independently have a monovalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or a substituent. represents a monovalent aromatic heterocyclic group. Ar 44 and Ar 46 each independently represent a divalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or a divalent aromatic heterocyclic group which may have a substituent. R 41 to R 43 each independently represent a hydrogen atom or an arbitrary substituent.

Ar45、Ar47及びAr48の具体例、好ましい例、有していても良い置換基の例及び好ましい置換基の例は、Ar22と同様であり、Ar44及びAr46の具体例、好ましい例、有していても良い置換基の例及び好ましい置換基の例は、Ar11、Ar12及びAr14と同様である。R41~R43として好ましくは、水素原子又は前述の[置換基群W]に記載されている置換基であり、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基である。 Specific examples, preferred examples, examples of optional substituents, and preferred examples of Ar 45 , Ar 47 and Ar 48 are the same as those for Ar 22 , and specific examples and preferred examples of Ar 44 and Ar 46 are as follows. Examples, examples of substituents that may be present, and examples of preferable substituents are the same as those for Ar 11 , Ar 12 and Ar 14 . R 41 to R 43 are preferably a hydrogen atom or a substituent listed in the above-mentioned [substituent group W], and more preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an amino group, an aromatic hydrocarbon group or aromatic heterocyclic group.

以下に、本発明において適用可能な、式(15)、式(16)で表される繰り返し単位の好ましい具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Preferred specific examples of repeating units represented by formula (15) and formula (16) applicable to the present invention are listed below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 2023130237000010
Figure 2023130237000010

<電子受容性化合物>
正孔注入層形成用組成物は、正孔注入層3の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。
<Electron accepting compound>
It is preferable that the composition for forming a hole injection layer contains an electron-accepting compound as a constituent material of the hole injection layer 3.

電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送材料から1電子受容する能力を有する化合物が好ましい。具体的には、電子受容性化合物としては、電子親和力が4.0eV以上である化合物が好ましく、5.0eV以上の化合物がさらに好ましい。 The electron-accepting compound is preferably a compound that has oxidizing power and has the ability to accept one electron from the above-mentioned hole-transporting material. Specifically, as the electron-accepting compound, a compound having an electron affinity of 4.0 eV or more is preferable, and a compound having an electron affinity of 5.0 eV or more is more preferable.

このような電子受容性化合物としては、例えばトリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる1種又は2種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、電子受容性化合物としては、4-イソプロピル-4’-メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩(国際公開2005/089024号、国際公開2017/164268号);塩化鉄(III)(特開平11-251067号公報)、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物;テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン(特開2003-31365号公報)等の芳香族ホウ素化合物;フラーレン誘導体;ヨウ素;ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン等が挙げられる。 Examples of such electron-accepting compounds include triarylboron compounds, metal halides, Lewis acids, organic acids, onium salts, salts of arylamines and metal halides, and salts of arylamines and Lewis acids. Examples include one or more compounds selected from the following. More specifically, as electron-accepting compounds, onium salts substituted with organic groups (International Publication 2005/089024, International Publication No. 2017/164268); high-valent inorganic compounds such as iron(III) chloride (JP 11-251067), ammonium peroxodisulfate; cyano compounds such as tetracyanoethylene, tris( Examples include aromatic boron compounds such as (pentafluorophenyl)borane (JP 2003-31365A); fullerene derivatives; iodine; sulfonate ions such as polystyrene sulfonate ion, alkylbenzene sulfonate ion, and camphor sulfonate ion.

電子受容性化合物は、正孔輸送材料を酸化することにより正孔注入層3の導電率を向上させることができる。 The electron-accepting compound can improve the electrical conductivity of the hole-injecting layer 3 by oxidizing the hole-transporting material.

<その他の構成材料>
正孔注入層3の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送材料や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。
<Other constituent materials>
In addition to the hole transport material and electron-accepting compound described above, the material for the hole injection layer 3 may contain other components as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.

<溶剤>
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶剤のうち少なくとも1種は、上述の正孔注入層3の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。
<Solvent>
It is preferable that at least one of the solvents in the composition for forming a hole injection layer used in the wet film forming method is a compound that can dissolve the constituent material of the hole injection layer 3 described above.

溶剤として例えばエーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。 Examples of the solvent include ether solvents, ester solvents, aromatic hydrocarbon solvents, and amide solvents.

エーテル系溶剤としては、例えばエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール-1-モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;1,2-ジメトキシベンゼン、1,3-ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2-メトキシトルエン、3-メトキシトルエン、4-メトキシトルエン、2,3-ジメチルアニソール、2,4-ジメチルアニソール、3-フェノキシトルエン、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル等の芳香族エーテル等が挙げられる。 Examples of ether solvents include aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, Aromatic ethers such as phenetol, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole, 3-phenoxytoluene, diphenyl ether, dibenzyl ether, etc. .

エステル系溶剤としては、例えば酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n-ブチル、安息香酸イソブチル、安息香酸ペンチル、安息香酸イソペンチル、トルイル酸メチル、トルイル酸エチル、アニス酸メチル、アニス酸エチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、酢酸フェノキシエチル、酪酸フェノキシエチル等の芳香族エステル等が挙げられる。 Examples of ester solvents include phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, n-butyl benzoate, isobutyl benzoate, pentyl benzoate, isopentyl benzoate, methyl toluate, and toluic acid. Examples include aromatic esters such as ethyl, methyl anisate, ethyl anisate, dimethyl phthalate, diethyl phthalate, phenoxyethyl acetate, and phenoxyethyl butyrate.

芳香族炭化水素系溶剤としては、例えばトルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、ジイソプロピルベンゼン、トリイソプロピルベンゼン、メチルナフタレン、エチルナフタレン、イソプロピルナフタレン、ジイソプロピルナフタレン、エチルビフェニル、イソプロピルビフェニル、ブチルビフェニル、ジイソプロピルビフェニル、トリイソプロピルビフェニル、テトラリン、1,1-ジフェニルエタン、1,1-ジフェニルプロパン、1,1-ジフェニルブタン、1,1ジフェニルペンタン、1,1-ジフェニルヘキサン等が挙げられる。 Examples of aromatic hydrocarbon solvents include toluene, xylene, cyclohexylbenzene, trimethylbenzene, tetramethylbenzene, diisopropylbenzene, triisopropylbenzene, methylnaphthalene, ethylnaphthalene, isopropylnaphthalene, diisopropylnaphthalene, ethylbiphenyl, isopropylbiphenyl, and butyl. Examples include biphenyl, diisopropylbiphenyl, triisopropylbiphenyl, tetralin, 1,1-diphenylethane, 1,1-diphenylpropane, 1,1-diphenylbutane, 1,1 diphenylpentane, and 1,1-diphenylhexane.

アミド系溶剤としては、例えばN,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド等が挙げられる。
その他、ジメチルスルホキシド等も用いることができる。
中でも好ましくは、芳香族エステル、芳香族エーテルである。
Examples of the amide solvent include N,N-dimethylformamide and N,N-dimethylacetamide.
In addition, dimethyl sulfoxide and the like can also be used.
Among them, aromatic esters and aromatic ethers are preferred.

これらの溶剤は1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 One type of these solvents may be used alone, or two or more types may be used in any combination and ratio.

正孔注入層形成用組成物中の正孔輸送材料の濃度は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。正孔注入層形成用組成物中の正孔輸送材料の濃度は、膜厚の均一性の点から、好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.5重量%以上である。正孔注入層形成用組成物中の正孔輸送材料の濃度は、好ましくは70重量%以下、より好ましくは60重量%以下、さらに好ましくは50重量%以下である。この濃度は、膜厚ムラが生じ難い点では小さいことが好ましい。また、この濃度は、成膜された正孔注入層に欠陥が生じ難い点では大きいことが好ましい。 The concentration of the hole transport material in the composition for forming a hole injection layer is arbitrary as long as it does not significantly impair the effects of the present invention. The concentration of the hole transport material in the composition for forming a hole injection layer is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, and even more preferably 0. .5% by weight or more. The concentration of the hole transport material in the composition for forming a hole injection layer is preferably 70% by weight or less, more preferably 60% by weight or less, even more preferably 50% by weight or less. This concentration is preferably small in that film thickness unevenness is less likely to occur. Further, this concentration is preferably large in that defects are less likely to occur in the formed hole injection layer.

<湿式成膜法による正孔注入層の形成>
湿式成膜法により正孔注入層3を形成する場合、通常は、正孔注入層3を構成する材料を適切な溶剤(正孔注入層用溶剤)と混合して成膜用の組成物(正孔注入層形成用組成物)を調製し、この正孔注入層3形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層の下層に該当する層(通常は、陽極2)上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層3を形成する。
<Formation of hole injection layer by wet film formation method>
When forming the hole injection layer 3 by a wet film forming method, the material constituting the hole injection layer 3 is usually mixed with an appropriate solvent (solvent for hole injection layer) to form a film forming composition ( A composition for forming hole injection layer 3 is prepared, and this composition for forming hole injection layer 3 is applied onto a layer corresponding to the lower layer of the hole injection layer (usually anode 2) by an appropriate method. The hole injection layer 3 is formed by forming a film and drying it.

[正孔輸送層]
正孔輸送層4は、陽極2から発光層5へ輸送する層である。正孔輸送層4は、本発明の有機電界発光素子に必須の層ではないが、正孔輸送層4を設ける場合は、通常、正孔輸送層4は、正孔注入層3がある場合には正孔注入層3の上に、正孔注入層3が無い場合には陽極2の上に形成する。
[Hole transport layer]
The hole transport layer 4 is a layer that transports from the anode 2 to the light emitting layer 5. The hole transport layer 4 is not an essential layer for the organic electroluminescent device of the present invention, but when the hole transport layer 4 is provided, the hole transport layer 4 is usually formed when the hole injection layer 3 is provided. is formed on the hole injection layer 3, or on the anode 2 if there is no hole injection layer 3.

正孔輸送層4の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はない。正孔輸送層4は、ダークスポット低減の観点から湿式成膜法により形成することが好ましい。 The method for forming the hole transport layer 4 may be a vacuum evaporation method or a wet film formation method, and is not particularly limited. The hole transport layer 4 is preferably formed by a wet film forming method from the viewpoint of reducing dark spots.

正孔輸送層4を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、正孔輸送層4を形成する材料は、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。多くの場合、正孔輸送層4は、発光層5に接するため、発光層5からの発光を消光したり、発光層5との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。 The material forming the hole transport layer 4 is preferably a material that has high hole transport properties and can efficiently transport injected holes. For this reason, the material forming the hole transport layer 4 has a low ionization potential, high transparency to visible light, high hole mobility, and excellent stability, so that impurities that can become traps are eliminated during manufacturing. It is preferable that it is unlikely to occur during use. In many cases, the hole transport layer 4 is in contact with the light-emitting layer 5, so it does not quench the light emitted from the light-emitting layer 5 or form an exciplex with the light-emitting layer 5, thereby reducing efficiency. preferable.

正孔輸送層4の材料としては、従来、正孔輸送層4の構成材料として用いられている材料であればよい。正孔輸送層4の材料としては、例えばアリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。 The material for the hole transport layer 4 may be any material that has been conventionally used as a constituent material for the hole transport layer 4. Examples of materials for the hole transport layer 4 include arylamine derivatives, fluorene derivatives, spiro derivatives, carbazole derivatives, pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, and silole derivatives. , oligothiophene derivatives, fused polycyclic aromatic derivatives, metal complexes, and the like.

正孔輸送層4の材料としては、例えばポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ(p-フェニレンビニレン)誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が3つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。 Examples of materials for the hole transport layer 4 include polyvinylcarbazole derivatives, polyarylamine derivatives, polyvinyltriphenylamine derivatives, polyfluorene derivatives, polyarylene derivatives, polyarylene ether sulfone derivatives containing tetraphenylbenzidine, and polyarylene vinylene. derivatives, polysiloxane derivatives, polythiophene derivatives, poly(p-phenylenevinylene) derivatives and the like. These may be alternating copolymers, random polymers, block polymers or graft copolymers. It may also be a polymer whose main chain is branched and has three or more terminal parts, or a so-called dendrimer.

中でも、正孔輸送層4の材料としては、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
ポリアリールアミン誘導体及びポリアリーレン誘導体の具体例等は、特開2008-98619号公報に記載のものなどが挙げられる。
ポリアリールアミン誘導体としては、前記芳香族三級アミン高分子化合物を用いることが好ましい。
Among these, as the material for the hole transport layer 4, polyarylamine derivatives and polyarylene derivatives are preferable.
Specific examples of polyarylamine derivatives and polyarylene derivatives include those described in JP-A No. 2008-98619.
As the polyarylamine derivative, it is preferable to use the aromatic tertiary amine polymer compound described above.

湿式成膜法で正孔輸送層4を形成する場合は、上記正孔注入層3の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、乾燥させる。
正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送材料の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は、上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、乾燥条件等も正孔注入層3の形成の場合と同様である。
正孔輸送層形成用組成物が本発明の組成物である場合は、溶剤は本発明の前記第1溶媒と前記第2溶媒である。
真空蒸着法により正孔輸送層4を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層3の形成の場合と同様である。
When forming the hole transport layer 4 by a wet film forming method, a composition for forming a hole transport layer is prepared in the same manner as in the formation of the hole injection layer 3 described above, and then dried after wet film formation.
The composition for forming a hole transport layer contains a solvent in addition to the hole transport material described above. The solvent used is the same as that used for the hole injection layer forming composition. Further, the film forming conditions, drying conditions, etc. are the same as those for forming the hole injection layer 3.
When the composition for forming a hole transport layer is the composition of the present invention, the solvents are the first solvent and the second solvent of the present invention.
When the hole transport layer 4 is formed by vacuum evaporation, the conditions for forming the film are the same as those for forming the hole injection layer 3 described above.

正孔輸送層4の膜厚は、発光層中の低分子材料の浸み込みや正孔輸送材料の膨潤など要素を考慮し、通常5nm以上、好ましくは10nm以上で、通常300nm以下、好ましくは200nm以下である。 The thickness of the hole transport layer 4 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 300 nm or more, taking into consideration factors such as penetration of the low-molecular material in the light-emitting layer and swelling of the hole transport material. It is 200 nm or less.

[発光層]
発光層5は、電界を与えられた電極間において、陽極2から注入された正孔と、陰極9から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。発光層5は、通常、正孔輸送層4がある場合には正孔輸送層4の上に、正孔輸送層4が無く、正孔注入層3がある場合には正孔注入層3の上に、正孔輸送層4も正孔注入層3も無い場合は、陽極2の上に形成する。
[Light-emitting layer]
The light emitting layer 5 is a layer that is excited by recombination of holes injected from the anode 2 and electrons injected from the cathode 9 between the electrodes to which an electric field is applied, and becomes a main light emission source. Generally, the light-emitting layer 5 is on the hole-transporting layer 4 when there is the hole-transporting layer 4, and on the hole-injecting layer 3 when there is no hole-transporting layer 4 and when there is the hole-injecting layer 3. If neither the hole transport layer 4 nor the hole injection layer 3 is present on the anode 2, it is formed on the anode 2.

<発光層用材料>
発光層用材料は、通常、発光材料とホストとなる電荷輸送材料を含む。
<Material for light emitting layer>
The material for the light emitting layer usually includes a light emitting material and a charge transport material serving as a host.

<発光材料>
発光材料としては、通常、有機電界発光素子の発光材料として使用されている任意の公知の材料を適用することができ、特に制限はなく、所望の発光波長で発光し、発光効率が良好である物質を用いればよい。発光材料は、蛍光発光材料であってもよく、燐光発光材料であってもよいが、内部量子効率の観点から、好ましくは燐光発光材料である。さらに好ましくは、赤発光材料と緑発光材料は燐光発光材料であり、青発光材料は蛍光発光材料である。
<Light-emitting material>
As the light-emitting material, any known material that is usually used as a light-emitting material for organic electroluminescent devices can be used, and there are no particular limitations, as long as it emits light at a desired emission wavelength and has good luminous efficiency. Just use substances. The luminescent material may be a fluorescent material or a phosphorescent material, but from the viewpoint of internal quantum efficiency, it is preferably a phosphorescent material. More preferably, the red-emitting material and the green-emitting material are phosphorescent materials, and the blue-emitting material is a fluorescent material.

本発明の組成物が発光層形成用組成物である場合、以下の燐光発光材料、蛍光発光材料及び電荷輸送材料を用いることが好ましい。 When the composition of the present invention is a composition for forming a light-emitting layer, it is preferable to use the following phosphorescent materials, fluorescent materials, and charge transport materials.

<燐光発光材料>
燐光発光材料とは、励起三重項状態から発光を示す材料をいう。例えば、Ir、Pt、Euなどを有する金属錯体化合物がその代表例であり、材料の構造として、金属錯体を含むものが好ましい。
<Phosphorescent material>
A phosphorescent material refers to a material that emits light from an excited triplet state. For example, a typical example is a metal complex compound containing Ir, Pt, Eu, etc., and the structure of the material preferably includes a metal complex.

金属錯体の中でも、三重項状態を経由して発光する燐光発光性有機金属錯体として、長周期型周期表(以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。)第7~11族から選ばれる金属を中心金属として含むウェルナー型錯体又は有機金属錯体化合物が挙げられる。このような燐光発光材料としては、例えば、国際公開第2014/024889号、国際公開第2015-087961号、国際公開第2016/194784、特開2014-074000号に記載の燐光発光材料が挙げられる。好ましくは、下記式(201)で表される化合物、又は下記式(205)で表される化合物が好ましく、より好ましくは下記式(201)で表される化合物である。 Among metal complexes, phosphorescent organometallic complexes that emit light via the triplet state are known from the long period periodic table (hereinafter, unless otherwise specified, when we refer to the periodic table, we refer to the long period periodic table). ) Examples include Werner type complexes or organometallic complexes containing a metal selected from Groups 7 to 11 as a central metal. Examples of such phosphorescent materials include the phosphorescent materials described in International Publication No. 2014/024889, International Publication No. 2015-087961, International Publication No. 2016/194784, and JP2014-074000. Preferably, a compound represented by the following formula (201) or a compound represented by the following formula (205) is preferable, and a compound represented by the following formula (201) is more preferable.

Figure 2023130237000011
Figure 2023130237000011

式(201)において、環A1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造又は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
環A2は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
101、R102は各々独立に式(202)で表される構造であり、“*”は環A1又は環A2との結合位置を表す。R101、R102は同じであっても異なっていてもよく、R101、R102がそれぞれ複数存在する場合、それらは同じであっても異なっていてもよい。
In formula (201), ring A1 represents an aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent or an aromatic heterocyclic structure which may have a substituent.
Ring A2 represents an aromatic heterocyclic structure which may have a substituent.
R 101 and R 102 are each independently a structure represented by formula (202), and "*" represents the bonding position with ring A1 or ring A2. R 101 and R 102 may be the same or different, and when a plurality of R 101 and R 102 exist, they may be the same or different.

Ar201、Ar203は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
Ar202は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造、置換基を有していてもよい芳香族複素環構造、又は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素構造を表す。
環A1に結合する置換基同士、環A2に結合する置換基同士、又は環A1に結合する置換基と環A2に結合する置換基同士は、互いに結合して環を形成してもよい。
Ar 201 and Ar 203 each independently represent an aromatic hydrocarbon ring structure that may have a substituent or an aromatic heterocyclic structure that may have a substituent.
Ar 202 is an aromatic hydrocarbon ring structure that may have a substituent, an aromatic heterocyclic structure that may have a substituent, or an aliphatic hydrocarbon structure that may have a substituent. represents.
Substituents bonded to ring A1, substituents bonded to ring A2, or substituents bonded to ring A1 and substituents bonded to ring A2 may bond to each other to form a ring.

201-L200-B202は、アニオン性の2座配位子を表す。B201及びB202は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。L200は、単結合、又は、B201及びB202とともに2座配位子を構成する原子団を表す。B201-L200-B202が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 B 201 -L 200 -B 202 represents an anionic bidentate ligand. B 201 and B 202 each independently represent a carbon atom, an oxygen atom, or a nitrogen atom, and these atoms may be atoms constituting a ring. L 200 represents a single bond or an atomic group that constitutes a bidentate ligand together with B 201 and B 202 . When a plurality of B 201 -L 200 -B 202 exist, they may be the same or different.

なお、式(201)、(202)において、
i1、i2はそれぞれ独立に、0以上12以下の整数を表し、
i3は、Ar202に置換可能な数を上限とする0以上の整数を表し、
i4は、Ar201に置換可能な数を上限とする0以上の整数を表し、
k1及びk2はそれぞれ独立に、環A1、環A2に置換可能な数を上限とする0以上の整数を表し、
zは1~3の整数を表す。
Note that in equations (201) and (202),
i1 and i2 each independently represent an integer between 0 and 12,
i3 represents an integer of 0 or more with an upper limit of the number that can be replaced with Ar 202 ,
i4 represents an integer of 0 or more with an upper limit of the number that can be replaced with Ar 201 ,
k1 and k2 each independently represent an integer of 0 or more with an upper limit of the number that can be substituted in ring A1 and ring A2,
z represents an integer from 1 to 3.

(置換基)
特に断りのない場合、置換基としては、次の置換基群Sから選ばれる基が好ましい。
(substituent)
Unless otherwise specified, the substituent is preferably a group selected from the following substituent group S.

<置換基群S>
・アルキル基、好ましくは炭素数1~20のアルキル基、より好ましくは炭素数1~12のアルキル基、さらに好ましくは炭素数1~8のアルキル基、特に好ましくは炭素数1~6のアルキル基。
・アルコキシ基、好ましくは炭素数1~20のアルコキシ基、より好ましくは炭素数1~12のアルコキシ基、さらに好ましくは炭素数1~6のアルコキシ基。
・アリールオキシ基、好ましくは炭素数6~20のアリールオキシ基、より好ましくは炭素数6~14のアリールオキシ基、さらに好ましくは炭素数6~12のアリールオキシ基、特に好ましくは炭素数6のアリールオキシ基。
・ヘテロアリールオキシ基、好ましくは炭素数3~20のヘテロアリールオキシ基、より好ましくは炭素数3~12のヘテロアリールオキシ基。
・アルキルアミノ基、好ましくは炭素数1~20のアルキルアミノ基、より好ましくは炭素数1~12のアルキルアミノ基。
・アリールアミノ基、好ましくは炭素数6~36のアリールアミノ基、より好ましくは炭素数6~24のアリールアミノ基。
・アラルキル基、好ましくは炭素数7~40のアラルキル基、より好ましくは炭素数7~18のアラルキル基、さらに好ましくは炭素数7~12のアラルキル基。
・ヘテロアラルキル基、好ましくは炭素数7~40のヘテロアラルキル基、より好ましくは炭素数7~18のヘテロアラルキル基、
・アルケニル基、好ましくは炭素数2~20のアルケニル基、より好ましくは炭素数2~12のアルケニル基、さらに好ましくは炭素数2~8のアルケニル基、特に好ましくは炭素数2~6のアルケニル基。
・アルキニル基、好ましくは炭素数2~20のアルキニル基、より好ましくは炭素数2~12のアルキニル基。
・アリール基、好ましくは炭素数6~30のアリール基、より好ましくは炭素数6~24のアリール基、さらに好ましくは炭素数6~18のアリール基、特に好ましくは炭素数6~14のアリール基。
・ヘテロアリール基、好ましくは炭素数3~30のヘテロアリール基、より好ましくは炭素数3~24のヘテロアリール基、さらに好ましくは炭素数3~18のヘテロアリール基、特に好ましくは炭素数3~14のヘテロアリール基。
・アルキルシリル基、好ましくはアルキル基の炭素数が1~20であるアルキルシリル基、より好ましくはアルキル基の炭素数が1~12であるアルキルシリル基。
・アリールシリル基、好ましくはアリール基の炭素数が6~20であるアリールシリル基、より好ましくはアリール基の炭素数が6~14であるアリールシリル基。
・アルキルカルボニル基、好ましくは炭素数2~20のアルキルカルボニル基。
・アリールカルボニル基、好ましくは炭素数7~20のアリールカルボニル基。
<Substituent group S>
・Alkyl group, preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, still more preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, particularly preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms .
-Alkoxy group, preferably an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, still more preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms.
-Aryloxy group, preferably an aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably an aryloxy group having 6 to 14 carbon atoms, even more preferably an aryloxy group having 6 to 12 carbon atoms, particularly preferably an aryloxy group having 6 to 12 carbon atoms Aryloxy group.
- Heteroaryloxy group, preferably a heteroaryloxy group having 3 to 20 carbon atoms, more preferably a heteroaryloxy group having 3 to 12 carbon atoms.
- An alkylamino group, preferably an alkylamino group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkylamino group having 1 to 12 carbon atoms.
- An arylamino group, preferably an arylamino group having 6 to 36 carbon atoms, more preferably an arylamino group having 6 to 24 carbon atoms.
-Aralkyl group, preferably an aralkyl group having 7 to 40 carbon atoms, more preferably an aralkyl group having 7 to 18 carbon atoms, even more preferably an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms.
・Heteroaralkyl group, preferably a heteroaralkyl group having 7 to 40 carbon atoms, more preferably a heteroaralkyl group having 7 to 18 carbon atoms,
・Alkenyl group, preferably an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, more preferably an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms, still more preferably an alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, particularly preferably an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms .
- An alkynyl group, preferably an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, more preferably an alkynyl group having 2 to 12 carbon atoms.
-Aryl group, preferably an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, more preferably an aryl group having 6 to 24 carbon atoms, still more preferably an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, particularly preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms .
・Heteroaryl group, preferably a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, more preferably a heteroaryl group having 3 to 24 carbon atoms, still more preferably a heteroaryl group having 3 to 18 carbon atoms, particularly preferably a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms 14 heteroaryl groups.
- An alkylsilyl group, preferably an alkylsilyl group in which the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkylsilyl group in which the alkyl group has 1 to 12 carbon atoms.
- An arylsilyl group, preferably an arylsilyl group in which the aryl group has 6 to 20 carbon atoms, more preferably an arylsilyl group in which the aryl group has 6 to 14 carbon atoms.
- An alkylcarbonyl group, preferably an alkylcarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms.
-Arylcarbonyl group, preferably an arylcarbonyl group having 7 to 20 carbon atoms.

以上の基は1つ以上の水素原子がフッ素原子で置き換えられているか、若しくは1つ以上の水素原子が重水素原子で置き換えらえられていてもよい。
特に断りのない限り、アリールは芳香族炭化水素環であり、ヘテロアリールは芳香族複素環である。
・水素原子、重水素原子、フッ素原子、シアノ基、又は、-SF
In the above groups, one or more hydrogen atoms may be replaced with a fluorine atom, or one or more hydrogen atoms may be replaced with a deuterium atom.
Unless otherwise specified, aryl is an aromatic hydrocarbon ring and heteroaryl is an aromatic heterocycle.
- Hydrogen atom, deuterium atom, fluorine atom, cyano group, or -SF 5 .

上記置換基群Sのうち、好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキルシリル基、アリールシリル基、及びこれらの基の1つ以上の水素原子がフッ素原子で置き換えられている基、フッ素原子、シアノ基、又は-SFであり、
より好ましくはアルキル基、アリールアミノ基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基であり、及びこれらの基の1つ以上の水素原子がフッ素原子で置き換えられている基、フッ素原子、シアノ基、又は-SFであり、
さらに好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキルシリル基、アリールシリル基であり、
特に好ましくはアルキル基、アリールアミノ基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基であり、
最も好ましくはアルキル基、アリールアミノ基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基である。
Among the substituent group S, preferred are alkyl groups, alkoxy groups, aryloxy groups, arylamino groups, aralkyl groups, alkenyl groups, aryl groups, heteroaryl groups, alkylsilyl groups, arylsilyl groups, and groups thereof. is a group in which one or more hydrogen atoms of is replaced with a fluorine atom, a fluorine atom, a cyano group, or -SF5 ,
More preferred are alkyl groups, arylamino groups, aralkyl groups, alkenyl groups, aryl groups, and heteroaryl groups, and groups in which one or more hydrogen atoms of these groups are replaced with fluorine atoms, fluorine atoms, cyano group, or -SF5 ,
More preferred are alkyl groups, alkoxy groups, aryloxy groups, arylamino groups, aralkyl groups, alkenyl groups, aryl groups, heteroaryl groups, alkylsilyl groups, and arylsilyl groups,
Particularly preferred are alkyl groups, arylamino groups, aralkyl groups, alkenyl groups, aryl groups, and heteroaryl groups,
Most preferred are alkyl groups, arylamino groups, aralkyl groups, aryl groups, and heteroaryl groups.

これら置換基群Sにはさらに置換基群Sから選ばれる置換基を置換基として有していてもよい。有していてもよい置換基の好ましい基、より好ましい基、さらに好ましい基、特に好ましい基、最も好ましい基は置換基群Sの中の好ましい基と同様である。 These substituent groups S may further have substituents selected from the substituent groups S as substituents. Preferable groups, more preferable groups, still more preferable groups, particularly preferable groups, and most preferable groups of the substituents that may be present are the same as the preferable groups in substituent group S.

(環A1)
環A1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造又は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
(Ring A1)
Ring A1 represents an aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent or an aromatic heterocyclic structure which may have a substituent.

芳香族炭化水素環としては、好ましくは炭素数6~30の芳香族炭化水素環である。具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、トリフェニリル環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環が好ましい。 The aromatic hydrocarbon ring is preferably an aromatic hydrocarbon ring having 6 to 30 carbon atoms. Specifically, a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a triphenyl ring, an acenaphthene ring, a fluoranthene ring, and a fluorene ring are preferred.

芳香族複素環としては、ヘテロ原子として窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子のいずれかを含む、炭素数3~30の芳香族複素環が好ましい。さらに好ましくは、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環である。
環A1としてより好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環であり、特に好ましくはベンゼン環又はフルオレン環であり、最も好ましくはベンゼン環である。
The aromatic heterocycle is preferably an aromatic heterocycle having 3 to 30 carbon atoms and containing any one of a nitrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom as a hetero atom. More preferred are a furan ring, a benzofuran ring, a thiophene ring, and a benzothiophene ring.
Ring A1 is more preferably a benzene ring, a naphthalene ring, or a fluorene ring, particularly preferably a benzene ring or a fluorene ring, and most preferably a benzene ring.

(環A2)
環A2は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
芳香族複素環としては、好ましくはヘテロ原子として窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子のいずれかを含む、炭素数3~30の芳香族複素環である。具体的には、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾイミダゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環、ナフチリジン環、フェナントリジン環が挙げられ、好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環であり、より好ましくは、ピリジン環、イミダゾール環、ベンゾチアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環であり、最も好ましくは、ピリジン環、イミダゾール環、ベンゾチアゾール環、キノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環である。
(Ring A2)
Ring A2 represents an aromatic heterocyclic structure which may have a substituent.
The aromatic heterocycle is preferably an aromatic heterocycle having 3 to 30 carbon atoms and containing any one of a nitrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom as a hetero atom. Specifically, pyridine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, imidazole ring, oxazole ring, thiazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, benzimidazole ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, Examples include naphthyridine ring and phenanthridine ring, preferably pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, imidazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinoxaline ring, and quinazoline ring, and more preferably is a pyridine ring, an imidazole ring, a benzothiazole ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a quinoxaline ring, or a quinazoline ring, most preferably a pyridine ring, an imidazole ring, a benzothiazole ring, a quinoline ring, a quinoxaline ring, or a quinazoline ring. .

(環A1と環A2との組み合わせ)
環A1と環A2の好ましい組み合せとしては、(環A1-環A2)と表記すると、(ベンゼン環-ピリジン環)、(ベンゼン環-キノリン環)、(ベンゼン環-キノキサリン環)、(ベンゼン環-キナゾリン環)、(ベンゼン環-ベンゾチアゾール環)、(ベンゼン環-イミダゾール環)、(ベンゼン環-ピロール環)、(ベンゼン環-ジアゾール環)、及び(ベンゼン環-チオフェン環)である。
(Combination of ring A1 and ring A2)
Preferred combinations of ring A1 and ring A2, expressed as (ring A1-ring A2), are (benzene ring-pyridine ring), (benzene ring-quinoline ring), (benzene ring-quinoxaline ring), (benzene ring- (quinazoline ring), (benzene ring-benzothiazole ring), (benzene ring-imidazole ring), (benzene ring-pyrrole ring), (benzene ring-diazole ring), and (benzene ring-thiophene ring).

(環A1、環A2の置換基)
環A1、環A2が有していてもよい置換基は任意に選択できるが、好ましくは前記置換基群Sから選ばれる1種又は複数種の置換基である。
(Substituents on ring A1 and ring A2)
The substituents that ring A1 and ring A2 may have can be arbitrarily selected, but are preferably one or more substituents selected from the above substituent group S.

(Ar201、Ar202、Ar203
Ar201、Ar203は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
Ar202は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造、置換基を有していてもよい芳香族複素環構造、又は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素構造を表す。
(Ar 201 , Ar 202 , Ar 203 )
Ar 201 and Ar 203 each independently represent an aromatic hydrocarbon ring structure that may have a substituent or an aromatic heterocyclic structure that may have a substituent.
Ar 202 is an aromatic hydrocarbon ring structure that may have a substituent, an aromatic heterocyclic structure that may have a substituent, or an aliphatic hydrocarbon structure that may have a substituent. represents.

Ar201、Ar202、Ar203のいずれかが置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造である場合、該芳香族炭化水素環構造としては、好ましくは炭素数6~30の芳香族炭化水素環である。具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、トリフェニリル環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環が好ましく、より好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環が好ましく、最も好ましくはベンゼン環である。 When any of Ar 201 , Ar 202 , and Ar 203 is an aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent, the aromatic hydrocarbon ring structure is preferably an aromatic hydrocarbon ring structure having 6 to 30 carbon atoms. It is a group hydrocarbon ring. Specifically, a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a triphenyl ring, an acenaphthene ring, a fluoranthene ring, and a fluorene ring are preferred, a benzene ring, a naphthalene ring, and a fluorene ring are more preferred, and a benzene ring is most preferred.

Ar201、Ar202のいずれかが置換基を有していてもよいベンゼン環である場合、少なくとも1つのベンゼン環がオルト位又はメタ位で隣接する構造と結合していることが好ましく、少なくとも1つのベンゼン環がメタ位で隣接する構造と結合していることがより好ましい。 When either Ar 201 or Ar 202 is a benzene ring which may have a substituent, it is preferable that at least one benzene ring is bonded to an adjacent structure at the ortho or meta position, and at least one More preferably, two benzene rings are bonded to adjacent structures at meta positions.

Ar201、Ar202、Ar203のいずれかが置換基を有していてもよいフルオレン環である場合、フルオレン環の9位及び9’位は、置換基を有するか又は隣接する構造と結合していることが好ましい。 When any of Ar 201 , Ar 202 , and Ar 203 is a fluorene ring that may have a substituent, the 9- and 9'-positions of the fluorene ring have a substituent or are bonded to adjacent structures. It is preferable that

Ar201、Ar202、Ar203のいずれかが置換基を有していてもよい芳香族複素環構造である場合、芳香族複素環構造としては、好ましくはヘテロ原子として窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子のいずれかを含む、炭素数3~30の芳香族複素環であり、具体的には、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾイミダゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環、ナフチリジン環、フェナントリジン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環が挙げられ、好ましくは、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環である。 When any of Ar 201 , Ar 202 , and Ar 203 is an aromatic heterocyclic structure which may have a substituent, the aromatic heterocyclic structure preferably contains a nitrogen atom, an oxygen atom, or An aromatic heterocycle having 3 to 30 carbon atoms and containing any sulfur atom, specifically a pyridine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, imidazole ring, oxazole ring, thiazole ring, benzothiazole ring , a benzoxazole ring, a benzimidazole ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a quinoxaline ring, a quinazoline ring, a naphthyridine ring, a phenanthridine ring, a carbazole ring, a dibenzofuran ring, and a dibenzothiophene ring, preferably a pyridine ring or a pyrimidine ring. , triazine ring, carbazole ring, dibenzofuran ring, and dibenzothiophene ring.

Ar201、Ar202、Ar203のいずれかが置換基を有していてもよいカルバゾール環である場合、カルバゾール環のN位は、置換基を有するか又は隣接する構造と結合していることが好ましい。 When any of Ar 201 , Ar 202 , and Ar 203 is a carbazole ring which may have a substituent, the N-position of the carbazole ring may have a substituent or be bonded to an adjacent structure. preferable.

Ar202が置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素構造である場合、直鎖、分岐鎖、又は環状構造を有する脂肪族炭化水素構造であり、好ましくは炭素数が1以上24以下であり、さらに好ましくは炭素数が1以上12以下であり、より好ましくは炭素数が1以上8以下である。 When Ar 202 is an aliphatic hydrocarbon structure that may have a substituent, it is an aliphatic hydrocarbon structure having a linear, branched, or cyclic structure, and preferably has 1 to 24 carbon atoms. More preferably, the number of carbon atoms is 1 or more and 12 or less, and more preferably 1 or more and 8 or less.

(i1、i2、i3、i4、k1、k2)
i1、i2はそれぞれ独立に、0~12の整数を表し、好ましくは1~12、さらに好ましくは1~8、より好ましくは1~6である。この範囲であることにより、溶解性向上や電荷輸送性向上が見込まれる。
i3は好ましくは0~5の整数を表し、さらに好ましくは0~2、より好ましくは0又は1である。
i4は好ましくは0~2の整数を表し、さらに好ましくは0又は1である。
k1、k2はそれぞれ独立に、好ましくは0~3の整数を表し、さらに好ましくは1~3であり、より好ましくは1又は2であり、特に好ましくは1である。
(i1, i2, i3, i4, k1, k2)
i1 and i2 each independently represent an integer of 0 to 12, preferably 1 to 12, more preferably 1 to 8, and even more preferably 1 to 6. By being within this range, it is expected that solubility and charge transport properties will be improved.
i3 preferably represents an integer of 0 to 5, more preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.
i4 preferably represents an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1.
k1 and k2 each independently preferably represent an integer of 0 to 3, more preferably 1 to 3, more preferably 1 or 2, particularly preferably 1.

(Ar201、Ar202、Ar203の好ましい置換基)
Ar201、Ar202、Ar203が有していてもよい置換基は任意に選択できるが、好ましくは前記置換基群Sから選ばれる1種又は複数種の置換基であり、好ましい基も前記置換基群Sの通りであるが、より好ましくは無置換(水素原子)、アルキル基、アリール基であり、特に好ましくは無置換(水素原子)、アルキル基であり、最も好ましくは無置換(水素原子)またはターシャリーブチル基であり、ターシャリーブチル基はAr203が存在する場合はAr203に、Ar203が存在しない場合はAr202に、Ar202とAr203が存在しない場合はAr201に置換していることが好ましい。
(Preferred substituents for Ar 201 , Ar 202 , Ar 203 )
The substituents that Ar 201 , Ar 202 , and Ar 203 may have can be arbitrarily selected, but are preferably one or more substituents selected from the above substituent group S, and preferred groups are also the above substituents. As shown in group S, more preferred are unsubstituted (hydrogen atoms), alkyl groups, and aryl groups, particularly preferred are unsubstituted (hydrogen atoms), alkyl groups, and most preferred are unsubstituted (hydrogen atoms). ) or a tert-butyl group, where the tert-butyl group is substituted by Ar 203 when Ar 203 is present, Ar 202 when Ar 203 is absent, and Ar 201 when Ar 202 and Ar 203 are absent. It is preferable that you do so.

(式(201)で表される化合物の好ましい態様)
前記式(201)で表される化合物は、下記(I)~(IV)のうちのいずれか1以上を満たす化合物であることが好ましい。
(Preferred embodiment of the compound represented by formula (201))
The compound represented by formula (201) is preferably a compound that satisfies any one or more of the following (I) to (IV).

(I)フェニレン連結式
式(202)で表される構造はベンゼン環が連結した基を有する構造、すなわち、ベンゼン環構造、i1が1~6で、少なくとも1つの前記ベンゼン環がオルト位又はメタ位で隣接する構造と結合していることが好ましい。
このような構造であることによって、溶解性が向上し、かつ電荷輸送性が向上することが期待される。
(I) Phenylene linked formula The structure represented by formula (202) is a structure having a group in which benzene rings are linked, that is, a benzene ring structure, i1 is 1 to 6, and at least one benzene ring is in the ortho or meta position. It is preferable that the structure is bonded to an adjacent structure at the position.
Such a structure is expected to improve solubility and charge transport properties.

(II)(フェニレン)-アラルキル(アルキル)
環A1又は環A2に、アルキル基若しくはアラルキル基が結合した芳香族炭化水素基若しくは芳香族複素環基を有する構造、すなわち、Ar201が芳香族炭化水素構造又は芳香族複素環構造、i1が1~6、Ar202が脂肪族炭化水素構造、i2が1~12、好ましくは3~8、Ar203がベンゼン環構造、i3が0又は1である構造、好ましくは、Ar201は前記芳香族炭化水素構造であり、さらに好ましくはベンゼン環が1~5連結した構造であり、より好ましくはベンゼン環1つである。
このような構造であることによって、溶解性が向上し、かつ電荷輸送性が向上することが期待される。
(II) (phenylene)-aralkyl (alkyl)
A structure having an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group to which an alkyl group or an aralkyl group is bonded to ring A1 or ring A2, that is, Ar 201 is an aromatic hydrocarbon structure or an aromatic heterocyclic structure, and i1 is 1 ~6, Ar 202 is an aliphatic hydrocarbon structure, i2 is 1 to 12, preferably 3 to 8, Ar 203 is a benzene ring structure, and i3 is 0 or 1, preferably Ar 201 is the aromatic hydrocarbon structure It has a hydrogen structure, more preferably a structure in which 1 to 5 benzene rings are connected, and more preferably one benzene ring.
Such a structure is expected to improve solubility and charge transport properties.

(III)デンドロン
環A1又は環A2に、デンドロンが結合した構造、例えば、Ar201、Ar202がベンゼン環構造、Ar203がビフェニル又はターフェニル構造、i1、i2が1~6、i3が2、jが2である。
このような構造であることによって、溶解性が向上し、かつ電荷輸送性が向上することが期待される。
(III) Dendron A structure in which a dendron is bonded to ring A1 or ring A2, for example, Ar 201 and Ar 202 are benzene ring structures, Ar 203 is a biphenyl or terphenyl structure, i1 and i2 are 1 to 6, i3 is 2, j is 2.
Such a structure is expected to improve solubility and charge transport properties.

(IV)B201-L200-B202
201-L200-B202で表される構造は下記式(203)又は下記式(204)で表される構造であることが好ましい。
(IV) B 201 -L 200 -B 202
The structure represented by B 201 -L 200 -B 202 is preferably a structure represented by the following formula (203) or the following formula (204).

Figure 2023130237000012
Figure 2023130237000012

式(203)中、R211、R212、R213はそれぞれ独立に置換基を表す。
式(204)中、環B3は、置換基を有していてもよい、窒素原子を含む芳香族複素環構造を表す。環B3は好ましくはピリジン環である。
In formula (203), R 211 , R 212 , and R 213 each independently represent a substituent.
In formula (204), ring B3 represents an aromatic heterocyclic structure containing a nitrogen atom, which may have a substituent. Ring B3 is preferably a pyridine ring.

(好ましい燐光発光材料)
前記式(201)で表される燐光発光材料としては特に限定はされないが、好ましいものとして以下のものが挙げられる。
(Preferred phosphorescent material)
The phosphorescent material represented by the above formula (201) is not particularly limited, but the following are preferred.

Figure 2023130237000013
Figure 2023130237000013

Figure 2023130237000014
Figure 2023130237000014

また、下記式(205)で表される燐光発光材料も好ましい。 Further, a phosphorescent material represented by the following formula (205) is also preferable.

Figure 2023130237000015
Figure 2023130237000015

[式(205)中、Mは金属を表し、Tは炭素原子又は窒素原子を表す。R92~R95は、それぞれ独立に置換基を表す。但し、Tが窒素原子の場合は、R94及びR95は無い。] [In formula (205), M 2 represents a metal, and T represents a carbon atom or a nitrogen atom. R 92 to R 95 each independently represent a substituent. However, when T is a nitrogen atom, R 94 and R 95 are absent. ]

式(205)中、Mの具体例としては、周期表第7~11族から選ばれる金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の2価の金属が挙げられる。 In formula (205), specific examples of M 2 include metals selected from Groups 7 to 11 of the periodic table. Among these, ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, or gold is preferred, and divalent metals such as platinum and palladium are particularly preferred.

また、式(205)において、R92及びR93は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。 In addition, in formula (205), R 92 and R 93 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, It represents an alkoxy group, an alkylamino group, an aralkylamino group, a haloalkyl group, a hydroxyl group, an aryloxy group, an aromatic hydrocarbon group, or an aromatic heterocyclic group.

更に、Tが炭素原子の場合、R94及びR95は、それぞれ独立に、R92及びR93と同様の例示物で表される置換基を表す。また、Tが窒素原子の場合は該Tに直接結合するR94又はR95は存在しない。また、R92~R95は、更に置換基を有していてもよい。置換基としては、前記の置換基とすることができる。更に、R92~R95のうち任意の2つ以上の基が互いに連結して環を形成してもよい。 Further, when T is a carbon atom, R 94 and R 95 each independently represent a substituent represented by the same examples as R 92 and R 93 . Further, when T is a nitrogen atom, R 94 or R 95 directly bonded to T does not exist. Furthermore, R 92 to R 95 may further have a substituent. As the substituent, the above-mentioned substituents can be used. Furthermore, any two or more groups among R 92 to R 95 may be linked to each other to form a ring.

(分子量)
燐光発光材料の分子量は、好ましくは5000以下、更に好ましくは4000以下、特に好ましくは3000以下である。また、燐光発光材料の分子量は、好ましくは800以上、より好ましくは1000以上、更に好ましくは1200以上である。この分子量範囲であることによって、燐光発光材料同士が凝集せず電荷輸送材料と均一に混合し、発光効率の高い発光層を得ることができると考えられる。
(molecular weight)
The molecular weight of the phosphorescent material is preferably 5,000 or less, more preferably 4,000 or less, particularly preferably 3,000 or less. Further, the molecular weight of the phosphorescent material is preferably 800 or more, more preferably 1000 or more, still more preferably 1200 or more. It is considered that by having a molecular weight in this range, the phosphorescent materials do not aggregate with each other and are uniformly mixed with the charge transporting material, thereby making it possible to obtain a luminescent layer with high luminous efficiency.

燐光発光材料の分子量は、Tgや融点、分解温度等が高く、燐光発光材料及び形成された発光層の耐熱性に優れる点、及び、ガス発生、再結晶化及び分子のマイグレーション等に起因する膜質の低下や材料の熱分解に伴う不純物濃度の上昇等が起こり難い点では大きいことが好ましい。一方、燐光発光材料の分子量は、有機化合物の精製が容易である点では小さいことが好ましい。 The molecular weight of the phosphorescent material is high in Tg, melting point, decomposition temperature, etc., the phosphorescent material and the formed light emitting layer have excellent heat resistance, and the film quality due to gas generation, recrystallization, molecular migration, etc. A larger value is preferable in that it is less likely to cause a decrease in the concentration of impurities or an increase in impurity concentration due to thermal decomposition of the material. On the other hand, the molecular weight of the phosphorescent material is preferably small in terms of ease of purification of the organic compound.

<電荷輸送材料>
発光層に用いる電荷輸送材料は、電荷輸送性に優れる骨格を有する材料であり、電子輸送性材料、正孔輸送性材料及び電子と正孔の両方を輸送可能な両極性材料から選ばれることが好ましい。
<Charge transport material>
The charge transport material used in the light emitting layer is a material having a skeleton with excellent charge transport properties, and may be selected from electron transport materials, hole transport materials, and bipolar materials capable of transporting both electrons and holes. preferable.

電荷輸送性に優れる骨格としては、具体的には、芳香族構造、芳香族アミン構造、トリアリールアミン構造、ジベンゾフラン構造、ナフタレン構造、フェナントレン構造、フタロシアニン構造、ポルフィリン構造、チオフェン構造、ベンジルフェニル構造、フルオレン構造、キナクリドン構造、トリフェニレン構造、カルバゾール構造、ピレン構造、アントラセン構造、フェナントロリン構造、キノリン構造、ピリジン構造、ピリミジン構造、トリアジン構造、オキサジアゾール構造又はイミダゾール構造等が挙げられる。 Specific examples of skeletons with excellent charge transport properties include aromatic structures, aromatic amine structures, triarylamine structures, dibenzofuran structures, naphthalene structures, phenanthrene structures, phthalocyanine structures, porphyrin structures, thiophene structures, benzylphenyl structures, Examples include a fluorene structure, a quinacridone structure, a triphenylene structure, a carbazole structure, a pyrene structure, an anthracene structure, a phenanthroline structure, a quinoline structure, a pyridine structure, a pyrimidine structure, a triazine structure, an oxadiazole structure, and an imidazole structure.

電子輸送性材料としては、電子輸送性に優れ構造が比較的安定な材料である観点から、ピリジン構造、ピリミジン構造、トリアジン構造を有する化合物がより好ましく、ピリミジン構造、トリアジン構造を有する化合物であることがさらに好ましい。 As the electron-transporting material, compounds having a pyridine structure, a pyrimidine structure, or a triazine structure are more preferable from the viewpoint of being a material with excellent electron-transporting properties and a relatively stable structure. is even more preferable.

正孔輸送性材料は、正孔輸送性に優れた構造を有する化合物であり、前記電荷輸送性に優れた中心骨格の中でも、カルバゾール構造、ジベンゾフラン構造、トリアリールアミン構造、ナフタレン構造、フェナントレン構造又はピレン構造が正孔輸送性に優れた構造として好ましく、カルバゾール構造、ジベンゾフラン構造又はトリアリールアミン構造がさらに好ましい。 The hole-transporting material is a compound having a structure with excellent hole-transporting properties, and among the central skeletons with excellent charge-transporting properties, a carbazole structure, a dibenzofuran structure, a triarylamine structure, a naphthalene structure, a phenanthrene structure, or A pyrene structure is preferred as a structure with excellent hole transport properties, and a carbazole structure, dibenzofuran structure, or triarylamine structure is more preferred.

発光層に用いる電荷輸送材料は、3環以上の縮合環構造を有することが好ましく、3環以上の縮合環構造を2以上有する化合物又は5環以上の縮合環を少なくとも1つ有する化合物であることがさらに好ましい。これらの化合物であることで、分子の剛直性が増し、熱に応答する分子運動の程度を抑制する効果が得られ易くなる。さらに、3環以上の縮合環及び5環以上の縮合環は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を有することが電荷輸送性及び材料の耐久性の点で好ましい。 The charge transport material used in the light emitting layer preferably has a fused ring structure of 3 or more rings, and is a compound having two or more fused ring structures of 3 or more rings or a compound having at least one fused ring of 5 or more rings. is even more preferable. These compounds increase the rigidity of molecules, making it easier to obtain the effect of suppressing the degree of molecular motion in response to heat. Further, the fused rings of 3 or more rings and the fused rings of 5 or more rings preferably have an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocycle from the viewpoint of charge transportability and material durability.

3環以上の縮合環構造としては、具体的には、アントラセン構造、フェナントレン構造、ピレン構造、クリセン構造、ナフタセン構造、トリフェニレン構造、フルオレン構造、ベンゾフルオレン構造、インデノフルオレン構造、インドロフルオレン構造、カルバゾール構造、インデノカルバゾール構造、インドロカルバゾール構造、ジベンゾフラン構造、ジベンゾチオフェン構造等が挙げられる。電荷輸送性ならびに溶解性の観点から、フェナントレン構造、フルオレン構造、インデノフルオレン構造、カルバゾール構造、インデノカルバゾール構造、インドロカルバゾール構造、ジベンゾフラン構造及びジベンゾチオフェン構造からなる群より選択される少なくとも1つが好ましく、電荷に対する耐久性の観点からカルバゾール構造又はインドロカルバゾール構造がさらに好ましい。 Specifically, the fused ring structure of three or more rings includes an anthracene structure, a phenanthrene structure, a pyrene structure, a chrysene structure, a naphthacene structure, a triphenylene structure, a fluorene structure, a benzofluorene structure, an indenofluorene structure, an indrofluorene structure, Examples include a carbazole structure, an indenocarbazole structure, an indolocarbazole structure, a dibenzofuran structure, and a dibenzothiophene structure. From the viewpoint of charge transport properties and solubility, at least one selected from the group consisting of a phenanthrene structure, a fluorene structure, an indenofluorene structure, a carbazole structure, an indenocarbazole structure, an indolocarbazole structure, a dibenzofuran structure, and a dibenzothiophene structure. Preferably, a carbazole structure or an indolocarbazole structure is more preferable from the viewpoint of durability against charges.

本発明においては、有機電界発光素子の電荷に対する耐久性の観点から、発光層の電荷輸送材料の内、少なくとも1つはピリミジン骨格又はトリアジン骨格を有する材料であることが好ましい。 In the present invention, from the viewpoint of durability against charges of the organic electroluminescent device, it is preferable that at least one of the charge transport materials in the light emitting layer is a material having a pyrimidine skeleton or a triazine skeleton.

発光層の電荷輸送材料は、可撓性に優れる観点では高分子材料であることが好ましい。可撓性に優れる材料を用いて形成された発光層は、フレキシブル基板上に形成された有機電界発光素子の発光層として好ましい。発光層に含まれる電荷輸送材料が高分子材料である場合、分子量は、好ましくは5,000以上1,000,000以下、より好ましくは10,000以上、500,000以下、さらに好ましくは10,000以上100,000以下である。 The charge transport material of the light emitting layer is preferably a polymer material from the viewpoint of excellent flexibility. A light-emitting layer formed using a material with excellent flexibility is preferable as a light-emitting layer of an organic electroluminescent device formed on a flexible substrate. When the charge transporting material contained in the light-emitting layer is a polymeric material, the molecular weight is preferably 5,000 or more and 1,000,000 or less, more preferably 10,000 or more and 500,000 or less, and even more preferably 10,000 or more and 500,000 or less. 000 or more and 100,000 or less.

また、発光層の電荷輸送材料は、合成及び精製のしやすさ、電子輸送性能及び正孔輸送性能の設計のしやすさ、溶媒に溶解した時の粘度調整のしやすさの観点からは、低分子であることが好ましい。発光層に含まれる電荷輸送材料が低分子材料である場合、分子量は、5,000以下が好ましく、さらに好ましくは4,000以下であり、特に好ましくは3,000以下であり、最も好ましくは2,000以下であり、好ましくは300以上、より好ましくは350以上、さらに好ましくは400以上である。 In addition, the charge transport material for the light emitting layer should be selected from the viewpoints of ease of synthesis and purification, ease of designing electron transport performance and hole transport performance, and ease of adjusting viscosity when dissolved in a solvent. Preferably, it is a low molecule. When the charge transport material contained in the light emitting layer is a low molecular weight material, the molecular weight is preferably 5,000 or less, more preferably 4,000 or less, particularly preferably 3,000 or less, and most preferably 2,000 or less. ,000 or less, preferably 300 or more, more preferably 350 or more, still more preferably 400 or more.

<蛍光発光材料>
蛍光発光材料としては特に限定されないが、下記式(211)で表される化合物が好ましい。
<Fluorescent material>
The fluorescent material is not particularly limited, but a compound represented by the following formula (211) is preferred.

Figure 2023130237000016
Figure 2023130237000016

上記式(211)において、Ar241は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素縮合環構造を表し、Ar242、Ar243は各々独立に置換基を有していてもよいアルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素基又はこれらが結合した基を表す。n41は1~4の整数である。 In the above formula (211), Ar 241 represents an aromatic hydrocarbon condensed ring structure which may have a substituent, Ar 242 and Ar 243 each independently an alkyl group which may have a substituent, Represents an aromatic hydrocarbon group, an aromatic heterogroup, or a group in which these are bonded. n41 is an integer from 1 to 4.

Ar241は好ましくは炭素数10~30の芳香族炭化水素縮合環構造を表し、具体的な環構造としては、ナフタレン、アセナフテン、フルオレン、アントラセン、フェナトレン、フルオランテン、ピレン、テトラセン、クリセン、ペリレン等が挙げられる。
Ar241はより好ましくは炭素数12~20の芳香族炭化水素縮合環構造であり、具体的な環構造としては、アセナフテン、フルオレン、アントラセン、フェナトレン、フルオランテン、ピレン、テトラセン、クリセン、ペリレンが挙げられる。
Ar241はさらに好ましくは炭素数16~18の芳香族炭化水素縮合環構造であり、具体的な環構造としては、フルオランテン、ピレン、クリセンが挙げられる。
Ar 241 preferably represents an aromatic hydrocarbon condensed ring structure having 10 to 30 carbon atoms, and specific ring structures include naphthalene, acenaphthene, fluorene, anthracene, phenathrene, fluoranthene, pyrene, tetracene, chrysene, perylene, etc. Can be mentioned.
Ar 241 is more preferably an aromatic hydrocarbon condensed ring structure having 12 to 20 carbon atoms, and specific ring structures include acenaphthene, fluorene, anthracene, phenathrene, fluoranthene, pyrene, tetracene, chrysene, and perylene. .
Ar 241 is more preferably an aromatic hydrocarbon condensed ring structure having 16 to 18 carbon atoms, and specific examples of the ring structure include fluoranthene, pyrene, and chrysene.

n41は1~4であり、好ましくは1~3、さらに好ましくは1~2、最も好ましくは2である。 n41 is 1 to 4, preferably 1 to 3, more preferably 1 to 2, and most preferably 2.

Ar242、Ar243のアルキル基としては、炭素数1~12のアルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数1~6のアルキル基である。
Ar242、Ar243の芳香族炭化水素基としては、炭素数6~30の芳香族炭化水素基が好ましく、より好ましくは炭素数6~24の芳香族炭化水素基であり、最も好ましくはフェニル基、ナフチル基である。
Ar242、Ar243の芳香族複素基としては、炭素数3~30の芳香族複素基が好ましく、より好ましくは炭素数5~24の芳香族炭化水素基であり、具体的にはカルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基が好ましく、ジベンゾフラニル基がより好ましい。
The alkyl group for Ar 242 and Ar 243 is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
The aromatic hydrocarbon group for Ar 242 and Ar 243 is preferably an aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms, more preferably an aromatic hydrocarbon group having 6 to 24 carbon atoms, and most preferably a phenyl group. , is a naphthyl group.
The aromatic heterogroup of Ar 242 and Ar 243 is preferably an aromatic heterogroup having 3 to 30 carbon atoms, more preferably an aromatic hydrocarbon group having 5 to 24 carbon atoms, specifically a carbazolyl group, A dibenzofuranyl group and a dibenzothiophenyl group are preferred, and a dibenzofuranyl group is more preferred.

Ar241、Ar242、Ar243が有していてもよい置換基は、前記置換基群Sから選ばれる基が好ましく、より好ましくは置換基群Sに含まれる、炭化水素基であり、さらに好ましくは置換基群Sとして好ましい基の中の炭化水素基である。 The substituent that Ar 241 , Ar 242 , and Ar 243 may have is preferably a group selected from the substituent group S, more preferably a hydrocarbon group included in the substituent group S, and even more preferably is a hydrocarbon group among the groups preferable as the substituent group S.

上記蛍光発光材料と共に用いる電荷輸送材料としては特に限定されないが、下記式(212)で表されるものが好ましい。 The charge transport material used together with the fluorescent material is not particularly limited, but is preferably one represented by the following formula (212).

Figure 2023130237000017
Figure 2023130237000017

上記式(212)において、R251、R252はそれぞれ独立に式(213)で表される構造であり、R253は置換基を表し、R253が複数ある場合、同一であっても異なっていてもよく、n43は0~8の整数である。 In the above formula (212), R 251 and R 252 are each independently a structure represented by formula (213), and R 253 represents a substituent, and when there is a plurality of R 253 , they may be the same or different. and n43 is an integer from 0 to 8.

Figure 2023130237000018
Figure 2023130237000018

上記式(213)において、*は式(212)のアントラセン環との結合手を表し、Ar254、Ar255はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素構造、又は置換基を有していてもよい複素芳香環構造を表し、Ar254、Ar255はそれぞれ複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよく、n44は1~5の整数、n45は0~5の整数である。 In the above formula (213), * represents a bond with the anthracene ring of formula (212), and Ar 254 and Ar 255 each independently represent an aromatic hydrocarbon structure that may have a substituent, or a substituted Represents a heteroaromatic ring structure which may have a group, Ar 254 and Ar 255 each may be the same or different when there is a plurality of them, n44 is an integer of 1 to 5, and n45 is 0 to 5. It is an integer of 5.

Ar254は好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数6~30の単環又は縮合環である芳香族炭化水素構造であり、より好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数6~12の単環又は縮合環である芳香族炭化水素構造である。 Ar 254 is preferably a monocyclic or fused ring aromatic hydrocarbon structure having 6 to 30 carbon atoms, which may have a substituent, and more preferably has a substituent. , a monocyclic or fused ring aromatic hydrocarbon structure having 6 to 12 carbon atoms.

Ar255は好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数6~30の単環もしくは縮合環である芳香族炭化水素構造、又は置換基を有していてもよい炭素数6~30の縮合環である芳香族複素環構造である。Ar255はより好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数6~12の単環もしくは縮合環である芳香族炭化水素構造、又は置換基を有していてもよい炭素数12の縮合環である芳香族複素環構造である。 Ar 255 is preferably a monocyclic or fused ring aromatic hydrocarbon structure having 6 to 30 carbon atoms, which may have a substituent, or an aromatic hydrocarbon structure having 6 to 30 carbon atoms, which may have a substituent. It is an aromatic heterocyclic structure that is a condensed ring of. Ar 255 is more preferably a monocyclic or fused ring aromatic hydrocarbon structure having 6 to 12 carbon atoms, which may have a substituent, or an aromatic hydrocarbon structure having 12 carbon atoms, which may have a substituent. It is an aromatic heterocyclic structure that is a fused ring.

n44は好ましくは1~3の整数であり、より好ましくは1又は2である。
n45は好ましくは0~3の整数であり、より好ましくは0~2である。
n44 is preferably an integer of 1 to 3, more preferably 1 or 2.
n45 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 to 2.

置換基であるR253、Ar254及びAr255が有していてもよい置換基は、前記置換基群Sから選ばれる基が好ましい。より好ましくは置換基群Sに含まれる炭化水素基であり、さらに好ましくは置換基群Sとして好ましい基の中の炭化水素基である。 The substituent that R 253 , Ar 254 and Ar 255 may have is preferably a group selected from the above-mentioned substituent group S. More preferably, it is a hydrocarbon group included in the substituent group S, and still more preferably a hydrocarbon group among the groups preferable as the substituent group S.

蛍光発光材料及び電荷輸送材料の分子量は5,000以下が好ましく、さらに好ましくは4,000以下であり、特に好ましくは3,000以下であり、最も好ましくは2,000以下である。また、好ましくは300以上であり、より好ましくは350以上、さらに好ましくは400以上である。 The molecular weight of the fluorescent material and the charge transport material is preferably 5,000 or less, more preferably 4,000 or less, particularly preferably 3,000 or less, and most preferably 2,000 or less. Moreover, it is preferably 300 or more, more preferably 350 or more, and still more preferably 400 or more.

[正孔阻止層]
発光層5と後述の電子注入層8との間に、正孔阻止層6を設けてもよい。正孔阻止層6は、電子輸送層のうち、更に陽極2から移動してくる正孔を陰極9に到達するのを阻止する役割をも担う層である。正孔阻止層6は、発光層5の上に、発光層5の陰極9側の界面に接するように積層される層である。
[Hole blocking layer]
A hole blocking layer 6 may be provided between the light emitting layer 5 and an electron injection layer 8, which will be described later. The hole blocking layer 6 is a layer of the electron transport layer that also plays the role of blocking holes moving from the anode 2 from reaching the cathode 9. The hole blocking layer 6 is a layer laminated on the light emitting layer 5 so as to be in contact with the interface of the light emitting layer 5 on the cathode 9 side.

正孔阻止層6は、陽極2から移動してくる正孔を陰極9に到達するのを阻止する役割と、陰極9から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送する役割とを有する。 The hole blocking layer 6 has the roles of blocking holes moving from the anode 2 from reaching the cathode 9 and efficiently transporting electrons injected from the cathode 9 toward the light emitting layer 5. have

正孔阻止層6を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項エネルギー準位(T1)が高いことなどが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層6の材料としては、例えばビス(2-メチル-8-キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム、ビス(2-メチル-8-キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2-メチル-8-キノラト)アルミニウム-μ-オキソ-ビス-(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特開平11-242996号公報)、3-(4-ビフェニルイル)-4-フェニル-5(4-tert-ブチルフェニル)-1,2,4-トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7-41759号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10-79297号公報)などが挙げられる。更に、国際公開第2005/022962号公報に記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物も、正孔阻止層6の材料として好ましい。 The physical properties required of the material constituting the hole blocking layer 6 include high electron mobility and low hole mobility, large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and excited triplet energy level (T1 ) is high. Examples of materials for the hole blocking layer 6 that meet these conditions include bis(2-methyl-8-quinolinolato)(phenolato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinolato)(triphenylsilanolate)aluminum, etc. mixed ligand complexes, metal complexes such as bis(2-methyl-8-quinolato)aluminum-μ-oxo-bis-(2-methyl-8-quinolinolato)aluminum dinuclear metal complexes, distyrylbiphenyl derivatives, etc. Styryl compounds (JP-A-11-242996), triazole derivatives such as 3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5(4-tert-butylphenyl)-1,2,4-triazole (JP-A-7 -41759) and phenanthroline derivatives such as bathocuproine (Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-79297). Furthermore, a compound having at least one pyridine ring substituted at the 2, 4, and 6 positions described in International Publication No. 2005/022962 is also preferable as a material for the hole blocking layer 6.

正孔阻止層6の形成方法に制限はない。正孔阻止層6は、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。
正孔阻止層6の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。正孔阻止層6の膜厚は、通常0.3nm以上、好ましくは0.5nm以上で、通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。
There are no restrictions on the method of forming the hole blocking layer 6. The hole blocking layer 6 can be formed by a wet film formation method, a vapor deposition method, or other methods.
The thickness of the hole blocking layer 6 is arbitrary as long as it does not significantly impair the effects of the present invention. The thickness of the hole blocking layer 6 is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less.

[電子輸送層]
電子輸送層7は、発光層5と陰極9の間に設けられた電子を輸送するための層である。
[Electron transport layer]
The electron transport layer 7 is a layer provided between the light emitting layer 5 and the cathode 9 for transporting electrons.

電子輸送層7の電子輸送材料としては、通常、陰極9又は陰極9側の隣接層からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば8-ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体やリチウム錯体などの金属錯体(特開昭59-194393号公報)、10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3-ヒドロキシフラボン金属錯体、5-ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5645948号明細書)、キノキサリン化合物(特開平6-207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5-331459号公報)、2-t-ブチル-9,10-N,N’-ジシアノアントラキノンジイミン、トリアジン化合物誘導体、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。 The electron transport material for the electron transport layer 7 is usually one that has high electron injection efficiency from the cathode 9 or an adjacent layer on the cathode 9 side, has high electron mobility, and can efficiently transport the injected electrons. Use compounds that can be used. Compounds that satisfy these conditions include, for example, metal complexes such as aluminum complexes and lithium complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Application Laid-open No. 194393/1983), metal complexes of 10-hydroxybenzo[h]quinoline, and oxadioxide. Azole derivatives, distyrylbiphenyl derivatives, silole derivatives, 3-hydroxyflavone metal complexes, 5-hydroxyflavone metal complexes, benzoxazole metal complexes, benzothiazole metal complexes, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compound (JP-A-6-207169), phenanthroline derivative (JP-A-5-331459), 2-t-butyl-9,10-N,N'-dicyanoanthraquinone diimine, triazine compound derivative, n-type hydrogen Examples include amorphous silicon carbide, n-type zinc sulfide, and n-type zinc selenide.

電子輸送層7に用いられる電子輸送材料としては、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や8-ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される電子輸送性有機化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープさせることにより(特開平10-270171号公報、特開2002-100478号公報、特開2002-100482号公報などに記載)、電子注入輸送性と優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。また、上述の電子輸送性有機化合物にフッ化リチウムや炭酸セシウムなどのような無機塩をドープすることも有効である。 The electron transport material used in the electron transport layer 7 includes electron transport organic compounds such as nitrogen-containing heterocyclic compounds such as bathophenanthroline and metal complexes such as an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline, as well as sodium, potassium, and cesium. By doping with alkali metals such as lithium, rubidium, etc. (described in JP-A-10-270171, JP-A-2002-100478, JP-A-2002-100482, etc.), excellent film quality and electron injection transport properties can be achieved. This is preferable because it makes it possible to achieve both. It is also effective to dope the above-mentioned electron-transporting organic compound with an inorganic salt such as lithium fluoride or cesium carbonate.

電子輸送層7の形成方法に制限はない。電子輸送層7は、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。 There are no restrictions on the method for forming the electron transport layer 7. The electron transport layer 7 can be formed by a wet film formation method, a vapor deposition method, or other methods.

電子輸送層7の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。電子輸送層7の膜厚は常1nm以上、好ましくは5nm以上で、通常300nm以下、好ましくは100nm以下である。 The thickness of the electron transport layer 7 is arbitrary as long as it does not significantly impair the effects of the present invention. The thickness of the electron transport layer 7 is usually 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.

[電子注入層]
陰極9から注入された電子を効率良く発光層5に注入するために、電子輸送層7と後述の陰極9との間に電子注入層8を設けてもよい。電子注入層8は、無機塩などからなる。
[Electron injection layer]
In order to efficiently inject electrons injected from the cathode 9 into the light emitting layer 5, an electron injection layer 8 may be provided between the electron transport layer 7 and the cathode 9, which will be described later. The electron injection layer 8 is made of inorganic salt or the like.

電子注入層8の材料としては、例えばフッ化リチウム(LiF)、フッ化マグネシウム(MgF)、酸化リチウム(LiO)、炭酸セシウム(II)(CsCO)等が挙げられる(Applied Physics Letters, 1997年, Vol.70、pp.152;特開平10-74586号公報;IEEE Transactions on Electron Devices, 1997年,Vol.44, pp.1245;SID 04 Digest, pp.154等参照)。 Examples of materials for the electron injection layer 8 include lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), lithium oxide (Li 2 O), cesium (II) carbonate (CsCO 3 ), etc. (Applied Physics Letters , 1997, Vol. 70, pp. 152; JP-A-10-74586; IEEE Transactions on Electron Devices, 1997, Vol. 44, pp. 1245; SID 04 Digest, pp. 154, etc. ).

電子注入層8は、電荷輸送性を伴わない場合が多いため、電子注入を効率よく行なうには、極薄膜として用いることが好ましく、その膜厚は、通常0.1nm以上、好ましくは5nm以下である。 Since the electron injection layer 8 often does not have charge transport properties, in order to efficiently inject electrons, it is preferable to use it as an extremely thin film, and the film thickness is usually 0.1 nm or more, preferably 5 nm or less. be.

[陰極]
陰極9は、発光層5側の層に電子を注入する役割を果たす電極である。
[cathode]
The cathode 9 is an electrode that serves to inject electrons into the layer on the light emitting layer 5 side.

陰極9の材料としては、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び/又はスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3-メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等が挙げられる。これらのうち、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えばスズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金などが用いられる。具体例としては、マグネシウム-銀合金、マグネシウム-インジウム合金、アルミニウム-リチウム合金等の低仕事関数の合金電極などが挙げられる。 The materials for the cathode 9 are usually metals such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, and platinum, metal oxides such as indium and/or tin oxides, metal halides such as copper iodide, carbon black, Alternatively, conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), polypyrrole, and polyaniline may be used. Among these, metals with a low work function are preferred in order to efficiently inject electrons, and suitable metals such as tin, magnesium, indium, calcium, aluminum, silver, or alloys thereof are used. Specific examples include alloy electrodes with low work functions such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, aluminum-lithium alloy, and the like.

陰極9の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 Only one type of material may be used for the cathode 9, or two or more types may be used in combination in any combination and ratio.

陰極9の膜厚は、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが好ましい。この場合、陰極9の厚みは通常5nm以上、好ましくは10nm以上で、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下程度である。不透明でよい場合は陰極9の厚みは任意であり、陰極は基板と同一でもよい。 The film thickness of the cathode 9 varies depending on the required transparency. When transparency is required, the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness of the cathode 9 is usually about 5 nm or more, preferably about 10 nm or more, and usually about 1000 nm or less, preferably about 500 nm or less. The thickness of the cathode 9 may be arbitrary as long as it is opaque, and the cathode may be the same as the substrate.

陰極9の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
例えばナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウム等のアルカリ土類金属等からなる低仕事関数の金属からなる陰極を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えばアルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。これらの材料は、1種のみで用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
It is also possible to layer different conductive materials on the cathode 9.
For the purpose of protecting the cathode, which is made of low work function metals such as alkali metals such as sodium and cesium, and alkaline earth metals such as barium and calcium, the It is preferable to stack metal layers because this increases the stability of the device. Metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, platinum are used for this purpose. These materials may be used alone or in any combination and ratio of two or more.

[その他の層]
本発明の有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えばその性能を損なわない限り、陽極2と陰極9との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、上記説明にある層のうち必須でない層が省略されていてもよい。
[Other layers]
The organic electroluminescent device of the present invention may have another configuration without departing from the spirit thereof. For example, as long as the performance is not impaired, an arbitrary layer may be provided between the anode 2 and the cathode 9 in addition to the layers described above, and layers that are not essential among the layers described above may be included. May be omitted.

また、陰極9の上層に、陰極の保護層として別の有機層を1層、もしくは2層以上の多層で有してもよい。 Furthermore, the cathode 9 may have one or more organic layers on top of the cathode 9 as a protective layer for the cathode.

以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば図1の層構成であれば、基板1上に他の構成要素を陰極9、電子注入層8、電子輸送層7、正孔阻止層6、発光層5、正孔輸送層4、正孔注入層3、陽極2の順に設けてもよい。 In the layered structure described above, it is also possible to laminate components other than the substrate in the reverse order. For example, with the layer configuration shown in FIG. The injection layer 3 and the anode 2 may be provided in this order.

本発明の有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がX-Yマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。 The organic electroluminescent device of the present invention may be configured as a single organic electroluminescent device, or may be applied to a configuration in which a plurality of organic electroluminescent devices are arranged in an array, and the anode and cathode are It may also be applied to a configuration arranged in a Y matrix.

上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。 Each layer described above may contain components other than those described as materials, as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.

〔有機電界発光デバイス〕
互いに異なる色に発光する有機電界発光素子を2つ以上設けて有機EL表示装置や有機EL照明などの有機電界発光デバイスとすることができる。この有機電界発光デバイスにおいて、少なくとも1つ、好ましくはすべての有機電界発光素子を本発明の有機電界発光素子とすることで、高品質の有機電界発光デバイスを提供できる。
[Organic electroluminescent device]
Two or more organic electroluminescent elements that emit light in different colors can be provided to provide an organic electroluminescent device such as an organic EL display device or an organic EL lighting device. In this organic electroluminescent device, by using at least one, preferably all the organic electroluminescent elements as the organic electroluminescent element of the present invention, a high quality organic electroluminescent device can be provided.

[有機EL表示装置]
本発明の有機電界発光素子を用いた有機EL表示装置の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
例えば「有機ELディスプレイ」(オーム社、平成16年8月20日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著)に記載されているような方法で、有機EL表示装置を形成することができる。
[Organic EL display device]
There are no particular limitations on the type or structure of an organic EL display device using the organic electroluminescent device of the present invention, and it can be assembled using the organic electroluminescent device of the present invention according to a conventional method.
For example, an organic EL display device can be formed by the method described in "Organic EL Display" (Ohmsha, published August 20, 2004, written by Shizushi Tokito, Chinaya Adachi, and Hideyuki Murata). can.

[有機EL照明]
本発明の有機電界発光素子を用いた有機EL照明の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
[Organic EL lighting]
There are no particular restrictions on the type or structure of organic EL lighting using the organic electroluminescent device of the present invention, and it can be assembled using the organic electroluminescent device of the present invention according to a conventional method.

以下、実施例を示して本発明について更に具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、本発明はその要旨を逸脱しない限り任意に変更して実施できる。 Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples. However, the present invention is not limited to the following examples, and the present invention can be implemented with arbitrary changes without departing from the gist thereof.

[接触角の測定]
<撥液性レジストの調製>
以下、本発明の感光性樹脂組成物について、具体的な実施例を挙げて説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
[Measurement of contact angle]
<Preparation of liquid repellent resist>
Hereinafter, the photosensitive resin composition of the present invention will be described with reference to specific examples, but the present invention is not limited to the following examples unless it exceeds the gist thereof.

各成分を表1に記載の配合割合で用い、かつ、全固形分の含有割合が19質量%となるようにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとプロピレングリコールモノメチルエーテルを用いて、各成分を均一になるまで撹拌して実施例および比較例用の感光性の撥液レジストを調製した。なお、表1中の各成分の配合割合(重量%)は、全固形分中における各成分の固形分の値を意味する。

Figure 2023130237000019
Using each component in the proportions listed in Table 1, and using propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monomethyl ether so that the total solid content is 19% by mass, each component is mixed until uniform. By stirring, photosensitive liquid-repellent resists for Examples and Comparative Examples were prepared. In addition, the blending ratio (weight %) of each component in Table 1 means the value of the solid content of each component in the total solid content.
Figure 2023130237000019

光重合開始剤a-1:以下の化学構造を有する化合物。 Photoinitiator a-1: A compound having the following chemical structure.

Figure 2023130237000020
Figure 2023130237000020

アルカリ可溶性樹脂b1:ZCR-8029(日本化薬社製。重量平均分子量Mw=6640、酸価=62mgKOH/g)。なお当樹脂b1は、エポキシ(メタ)アクリレート樹脂(B1)に該当する。
樹脂b-1は下記式で表される部分構造を有する。
Alkali-soluble resin b1: ZCR-8029 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., weight average molecular weight Mw = 6640, acid value = 62 mgKOH/g). Note that this resin b1 corresponds to epoxy (meth)acrylate resin (B1).
Resin b-1 has a partial structure represented by the following formula.

Figure 2023130237000021
Figure 2023130237000021

アルカリ可溶性樹脂b-2:ZAR―1872(日本化薬社製。重量平均分子量Mw=8000、酸価=80mgKOH/g)。なお当樹脂b-2は、エポキシ(メタ)アクリレート樹脂(B1)に該当する。
樹脂b-2は下記式で表される部分構造を有する。
Alkali-soluble resin b-2: ZAR-1872 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., weight average molecular weight Mw = 8000, acid value = 80 mgKOH/g). Note that this resin b-2 corresponds to epoxy (meth)acrylate resin (B1).
Resin b-2 has a partial structure represented by the following formula.

Figure 2023130237000022
Figure 2023130237000022

上記式中の*は、下記式で表される1価の基又は水素原子との結合手を表す。 * in the above formula represents a monovalent group represented by the following formula or a bond with a hydrogen atom.

Figure 2023130237000023
Figure 2023130237000023

光重合性化合物c-1:共栄社化学社製 ペンタエリスリトールテトラアクリレート。
撥液剤d-1:パーフルオロアルキル基を有する構成単位、エチレン性二重結合を有する構成単位、およびカルボキシ基を有する構成単位を有するアクリル共重合樹脂。Mw90000、フッ素原子の含有割合20質量%。
添加剤e-1:日本化薬社製 KAYAMER PM-21。
添加剤f-1:下記構造式を有するメチルヒドロキノン。
Photopolymerizable compound c-1: Pentaerythritol tetraacrylate manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.
Liquid repellent d-1: an acrylic copolymer resin having a constitutional unit having a perfluoroalkyl group, a constitutional unit having an ethylenic double bond, and a constitutional unit having a carboxyl group. Mw 90000, fluorine atom content 20% by mass.
Additive e-1: KAYAMER PM-21 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.
Additive f-1: Methylhydroquinone having the following structural formula.

Figure 2023130237000024
Figure 2023130237000024

<撥液レジスト膜の製膜>
0.7mm厚のガラス板上に、スパッタ法を用いてインジウムスズ酸化物(ITO)を10nm、銀パラジウム銅(APC)合金を100nm、さらにITOを10nm積層させ、反射膜付きガラス基板を製造した。当該基板を100mm×100mmのサイズに切り出し、反射膜側に前記撥液レジストを、スピンコートスピナーを用いて硬化後の膜厚が1.5μmになるように塗布した。その後真空乾燥機で60秒間乾燥処理を施した。続けて、115℃に昇温したホットプレート上で120秒間加熱乾燥した。得られた膜に対して、フォトマスクを用いずに露光を行った。キヤノン社製ミラープロジェクション型の露光機(MPA-600FA)を使用し、露光量が140mJ/cmとなるよう、35秒の露光を行った。照度は500mW/cmであった。
続いて、24℃の2.38質量%TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)水溶液で60秒間スプレー現像した後、純水で1分間洗浄した。その後、230℃に加熱したオーブンで30分間焼成し、撥液レジスト膜を製膜した。
<Fabrication of liquid-repellent resist film>
A glass substrate with a reflective film was manufactured by laminating 10 nm of indium tin oxide (ITO), 100 nm of silver palladium copper (APC) alloy, and 10 nm of ITO on a 0.7 mm thick glass plate using a sputtering method. . The substrate was cut into a size of 100 mm x 100 mm, and the liquid-repellent resist was coated on the reflective film side using a spin coat spinner so that the film thickness after curing would be 1.5 μm. Thereafter, a drying process was performed for 60 seconds using a vacuum dryer. Subsequently, it was heated and dried for 120 seconds on a hot plate heated to 115°C. The obtained film was exposed to light without using a photomask. Using a mirror projection type exposure machine (MPA-600FA) manufactured by Canon Inc., exposure was performed for 35 seconds so that the exposure amount was 140 mJ/cm 2 . The illuminance was 500 mW/ cm2 .
Subsequently, spray development was performed for 60 seconds with a 2.38 mass % TMAH (tetramethylammonium hydroxide) aqueous solution at 24° C., and then washed with pure water for 1 minute. Thereafter, it was baked in an oven heated to 230° C. for 30 minutes to form a liquid-repellent resist film.

<表面撥液成分の剥離>
該撥液レジスト膜の最表面を、プラズマ表面処理装置を用いて表面処理し、最表面に存在する撥液剤を除去し、疑似的なバンク側面を基板上に作製した。プラズマ処理は小型プラズマクリーナ PDC-32G(Harrick Plasma社)を用いて行った。前記プラズマ処理の真空度は140~160Paであり、大気導入は約40sccmであり、RFパワーは18Wであり、処理時間は30秒であった。ここでは、撥液レジスト膜の表面から撥液剤を除去した膜を、疑似バンク側面膜と呼称する。
<Removal of surface liquid repellent component>
The outermost surface of the liquid-repellent resist film was surface-treated using a plasma surface treatment device to remove the liquid-repellent agent present on the outermost surface, and a pseudo bank side surface was created on the substrate. The plasma treatment was performed using a small plasma cleaner PDC-32G (Harrick Plasma). The degree of vacuum in the plasma treatment was 140 to 160 Pa, the atmospheric pressure was approximately 40 sccm, the RF power was 18 W, and the treatment time was 30 seconds. Here, a film obtained by removing the liquid repellent from the surface of the liquid repellent resist film is referred to as a pseudo bank side film.

<接触角の測定>
該疑似バンク側面膜の上で、各種溶媒の接触角を測定した。接触角の測定には、協和界面科学製 DMо-501を用いて測定し、液量の設定は1.0μLとした。各種溶媒の接触角については、表2にまとめた通りとなっている。
<Measurement of contact angle>
The contact angles of various solvents were measured on the pseudo bank side film. The contact angle was measured using DMо-501 manufactured by Kyowa Interface Science, and the liquid volume was set at 1.0 μL. The contact angles of various solvents are summarized in Table 2.

Figure 2023130237000025
Figure 2023130237000025

〔機能性膜の平坦度の評価〕
続いて、バンクで区画された領域にインクを塗布し、乾燥させた場合の平坦度について、実施例を示しながら説明する。
[Evaluation of flatness of functional film]
Next, the flatness when ink is applied to a region divided by banks and dried will be described with reference to examples.

[実施例1]
<機能性インクの調製>
下記の構造式で示す高分子化合物(P-1)(重量平均分子量:約15,000)、及び下記の構造式で示す電子受容性化合物(HI-1)を重量比で(P-1):(HI-1)=87:13になるように、電子天秤を用いて秤量し、正孔注入材料1とした。次いで、エチル-4-メチルベンゾエート(沸点:約232℃、蒸気圧:約6.6Pa)と2,7-ジイソプロピルナフタレン(沸点:約306℃、蒸気圧:約0.19Pa)を重量比で75:25の割合になるように混合し、混合溶媒1とした。正孔注入材料1を、2.0重量%になるように混合溶媒1とスクリューバイアル中で混ぜ合わせ、その後スクリューバイアルごと真空チャンバー内に設置し、真空引きと窒素パージを3回繰り返してスクリューバイアル中の気体部分を窒素に置換した。その後、マグネチックスターラーを用いて420rpmで撹拌しながら、ホットプレート温度110℃で3時間加熱した。得られた該組成物を室温程度まで冷却したのちに、孔径0.2μmのメンブレンフィルタを用いて濾過し、機能性インク1を得た。
[Example 1]
<Preparation of functional ink>
A polymer compound (P-1) shown by the following structural formula (weight average molecular weight: about 15,000) and an electron-accepting compound (HI-1) shown by the following structural formula in weight ratio (P-1) :(HI-1)=87:13 using an electronic balance, which was designated as hole injection material 1. Next, ethyl-4-methylbenzoate (boiling point: about 232°C, vapor pressure: about 6.6 Pa) and 2,7-diisopropylnaphthalene (boiling point: about 306°C, vapor pressure: about 0.19 Pa) were mixed in a weight ratio of 75 :25 ratio to obtain a mixed solvent 1. Mix hole injection material 1 with mixed solvent 1 to a concentration of 2.0% by weight in a screw vial, then place the screw vial together in a vacuum chamber, repeat evacuation and nitrogen purge three times, and remove the screw vial. The gas inside was replaced with nitrogen. Thereafter, the mixture was heated at a hot plate temperature of 110° C. for 3 hours while stirring at 420 rpm using a magnetic stirrer. After the obtained composition was cooled to about room temperature, it was filtered using a membrane filter with a pore size of 0.2 μm to obtain Functional Ink 1.

Figure 2023130237000026
Figure 2023130237000026

Figure 2023130237000027
Figure 2023130237000027

<基板の準備>
膜厚0.5mmのガラス基板に、スパッタ法によってインジウム・スズ酸化物(ITO)膜、銀・インジウム化合物膜、インジウム・スズ酸化物膜を順番に成膜し、一般的なフォトリソグラフィー法によって電極のパターンを形成した。該基板上に、疑似バンク側面膜を作製したときに使用した撥液レジストを、硬化後の膜厚が1.5μmになるように塗布した。その後真空乾燥機で60秒間乾燥処理を施した。続けて、115℃に昇温したホットプレート上で120秒間加熱乾燥した。得られた塗膜にフォトマスクを用いて露光を行った。キヤノン社製ミラープロジェクション型の露光機(MPA-600FA)を使用し、露光量が140mJ/cm2となるよう、35秒の露光を行った。照度は500mW/cm2であった。フォトマスクの開口部のサイズは、長軸210μm、短軸90μmで角部Rが45μmであり、短軸方向に67個、長軸方向に21個、全部で1407個の開口部が配列されている。次いで、24℃の2.38重量%TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)水溶液で60秒間スプレー現像した後、純水で1分間洗浄した。これらの操作により、不要な部分が除去されてパターンが形成された基板をオーブン中230℃で30分間加熱硬化させ、パターンを有する撥液レジスト膜を得た 。
<Preparation of the board>
An indium-tin oxide (ITO) film, a silver-indium compound film, and an indium-tin oxide film were sequentially formed by sputtering on a glass substrate with a film thickness of 0.5 mm, and electrodes were formed by general photolithography. formed a pattern. The liquid-repellent resist used when producing the pseudo-bank side film was applied onto the substrate so that the film thickness after curing would be 1.5 μm. Thereafter, a drying process was performed for 60 seconds using a vacuum dryer. Subsequently, it was heated and dried for 120 seconds on a hot plate heated to 115°C. The obtained coating film was exposed to light using a photomask. Using a mirror projection type exposure machine (MPA-600FA) manufactured by Canon Inc., exposure was performed for 35 seconds so that the exposure amount was 140 mJ/cm2. The illuminance was 500 mW/cm2. The size of the openings of the photomask is 210 μm in the long axis, 90 μm in the short axis, and 45 μm in the corner R. There are 67 openings in the short axis direction and 21 in the long axis direction, for a total of 1407 openings. There is. Next, spray development was performed for 60 seconds with a 2.38% by weight TMAH (tetramethylammonium hydroxide) aqueous solution at 24° C., followed by washing with pure water for 1 minute. Through these operations, unnecessary portions were removed and the patterned substrate was cured by heating at 230° C. for 30 minutes in an oven to obtain a patterned liquid-repellent resist film.

得られた基板は、超純水内に入れて超音波洗浄を15分間実施したのちに、130℃にあらかじめ加熱したクリーンオーブン内で10分間乾燥させた。また、組成物を塗布する直前に、230℃に加熱したホットプレート上で10分間ベークし、表面に付着してしまった水分を除去する工程を行っている。 The obtained substrate was placed in ultrapure water and subjected to ultrasonic cleaning for 15 minutes, and then dried for 10 minutes in a clean oven preheated to 130°C. Immediately before applying the composition, a step of baking on a hot plate heated to 230° C. for 10 minutes is performed to remove moisture adhering to the surface.

<機能性インクの塗布>
機能性インク1を、インクジェットプリンター用カートリッジ(富士フイルム社製 DMCLCP-11610)に、マイクロピペットを用いて充填し、インクジェットプリンター(富士フイルム社製 DMP-2831)を用いて該基板の開口部に塗布した。インクジェットヘッドのノズルから吐出される機能性インクの一滴の量を10pLになるように、インクジェットプリンターの吐出電圧を調整し、1つの開口部に対して7滴入るように塗布している。塗布する面積は、短軸方向に55個分、長軸方向に20個分の合計1,100個分の開口部に対して塗布し、その後以下の乾燥、焼成工程を行っている。
<Application of functional ink>
Functional ink 1 is filled into an inkjet printer cartridge (DMCLCP-11610, manufactured by Fujifilm) using a micropipette, and applied to the opening of the substrate using an inkjet printer (DMP-2831, manufactured by Fujifilm). did. The ejection voltage of the inkjet printer was adjusted so that the amount of each droplet of functional ink ejected from the nozzle of the inkjet head was 10 pL, and 7 drops were applied to each opening. The coating area is 55 in the minor axis direction and 20 in the major axis direction, for a total of 1,100 openings, and then the following drying and firing steps are performed.

<乾燥、焼成>
得られた塗布膜を、開閉式の蓋を有する密閉されたチャンバー内に設置され、メカニカルブースターポンプとロータリーポンプオイルを組み合わせた多段式ポンプ(アルバック社製 VMR-050)を用いて0.1Pa以下の圧力になるまで減圧乾燥し、機能性膜とした。
<Drying, firing>
The obtained coating film is placed in a sealed chamber with an openable lid and heated to 0.1 Pa or less using a multi-stage pump (VMR-050 manufactured by ULVAC) that combines a mechanical booster pump and rotary pump oil. The membrane was dried under reduced pressure until it reached a pressure of .

減圧乾燥は、一度大気圧から240秒かけて1~10Paまで減圧し、その後180秒以上かけて0.1Pa以下とすることで機能性インク中の溶媒成分を揮発させ、機能性膜を形成した。 In the vacuum drying, the pressure was first reduced from atmospheric pressure to 1 to 10 Pa over 240 seconds, and then reduced to 0.1 Pa or less over 180 seconds to volatilize the solvent component in the functional ink and form a functional film. .

該機能性膜を、230℃に加熱されたホットプレート上に配置し、30分焼成して機能性膜1とした。 The functional film was placed on a hot plate heated to 230° C. and baked for 30 minutes to obtain a functional film 1.

<機能性膜の評価>
得られた機能性膜は、触診式の段差計(小坂研究所 ET-100)を用いて、開口部の短軸方向に対して膜厚のプロファイルを測定した。測定した膜厚のプロファイルに対して、以下の式(1)を用いて平坦度Uを計算し、機能性膜1の平坦度を評価した。
U=LF/LB×100(%) (1)
ただし、LBはバンクの開口部の長さ、LFは測定した膜厚プロファイルの平均膜厚より15nm以上大きくならない膜厚を有する、機能性膜の長さ(領域)を表している。機能性膜1の平坦度Uは、96.6%だった。
<Evaluation of functional membrane>
The film thickness profile of the obtained functional film was measured in the short axis direction of the opening using a palpable step gauge (Kosaka Institute ET-100). The flatness U of the measured film thickness profile was calculated using the following equation (1), and the flatness of the functional film 1 was evaluated.
U=LF/LB×100(%) (1)
However, LB represents the length of the opening of the bank, and LF represents the length (region) of the functional film having a film thickness that is not larger than the average film thickness of the measured film thickness profile by 15 nm or more. The flatness U of the functional film 1 was 96.6%.

[実施例2]
実施例1で用いた混合溶媒1を、エチル-4-メチルベンゾエート(沸点:約232℃、蒸気圧:約6.6Pa)と4-ブチルビフェニル(沸点:約318℃、蒸気圧:約0.08Pa)を重量比で75:25の割合になるように混合した混合溶媒2に変更し、それ以外は実施例1と同様に実施して平坦度Uを計算したところ、平坦度Uは99.3%だった。
[Example 2]
The mixed solvent 1 used in Example 1 was mixed with ethyl-4-methylbenzoate (boiling point: about 232°C, vapor pressure: about 6.6 Pa) and 4-butylbiphenyl (boiling point: about 318°C, vapor pressure: about 0.6 Pa). 08Pa) was changed to mixed solvent 2 in a weight ratio of 75:25, and the flatness U was calculated in the same manner as in Example 1, and the flatness U was 99. It was 3%.

[実施例3]
実施例1で用いた混合溶媒1を、エチル-4-メチルベンゾエート(沸点:約232℃、蒸気圧:約6.6Pa)と1,1-ジフェニルペンタン(沸点:約307℃、蒸気圧:約0.17Pa)を重量比で75:25の割合になるように混合した混合溶媒3に変更し、それ以外は実施例1と同様に実施して平坦度Uを計算したところ、平坦度Uは94.6%だった。
[Example 3]
Mixed solvent 1 used in Example 1 was mixed with ethyl-4-methylbenzoate (boiling point: approximately 232°C, vapor pressure: approximately 6.6 Pa) and 1,1-diphenylpentane (boiling point: approximately 307°C, vapor pressure: approximately 0.17 Pa) was changed to mixed solvent 3 in a weight ratio of 75:25, and the flatness U was calculated in the same manner as in Example 1, and the flatness U was It was 94.6%.

[比較例1]
実施例1で用いた混合溶媒1を、エチル-4-メチルベンゾエート(沸点:約232℃、蒸気圧:約6.6Pa)とベンジルトルエン(沸点:約286℃、蒸気圧:約0.62Pa)を重量比で75:25の割合になるように混合した混合溶媒5に変更し、それ以外は実施例1と同様に実施して平坦度Uを計算したところ、平坦度Uは65.8%だった。
[Comparative example 1]
Mixed solvent 1 used in Example 1 was mixed with ethyl-4-methylbenzoate (boiling point: about 232°C, vapor pressure: about 6.6 Pa) and benzyltoluene (boiling point: about 286°C, vapor pressure: about 0.62 Pa). When the flatness U was calculated by changing to mixed solvent 5 in a weight ratio of 75:25 and performing the same procedure as in Example 1, the flatness U was 65.8%. was.

[比較例2]
実施例1で用いた混合溶媒1を、エチル-4-メチルベンゾエート(沸点:約232℃、蒸気圧:約6.6Pa)単一溶媒に変更し、それ以外は実施例1と同様に実施して平坦度Uを計算したところ、平坦度Uは75.9%だった。
[Comparative example 2]
The mixed solvent 1 used in Example 1 was changed to a single solvent of ethyl-4-methylbenzoate (boiling point: about 232°C, vapor pressure: about 6.6 Pa), and the process was carried out in the same manner as in Example 1. When the flatness U was calculated, the flatness U was 75.9%.

表3は、上記の実施例と比較例の、膜の平坦度Uと短軸方向の膜のプロファイルをまとめたものとなる。 Table 3 summarizes the flatness U of the film and the profile of the film in the short axis direction of the above examples and comparative examples.

Figure 2023130237000028
Figure 2023130237000028

結果から明らかなように、疑似バンク側面基板との接触角が26°以上50°以下の角度を示す有機溶媒を含む機能性インクでは、平坦度Uが90%以上となることが分かる。これは、バンク側面に対して適度な接触角を有しているため、適度にセルフピニングされずに濡れ下がることができ、平坦度が高くなったと考えられる。 As is clear from the results, the flatness U is 90% or more in the functional ink containing an organic solvent that exhibits a contact angle with the pseudo bank side substrate of 26° or more and 50° or less. It is thought that this is because it has an appropriate contact angle with the side surface of the bank, so that it can properly wet down without self-pinning, resulting in a high degree of flatness.

本発明を特定の態様を用いて詳細に説明したが、本発明の意図と範囲を離れることなく様々な変更が可能であることは当業者に明らかである。 Although the invention has been described in detail using specific embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various changes can be made without departing from the spirit and scope of the invention.

1 基板
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 正孔阻止層
7 電子輸送層
8 電子注入層
9 陰極
10 有機電界発光素子
1 Substrate 2 Anode 3 Hole injection layer 4 Hole transport layer 5 Light emitting layer 6 Hole blocking layer 7 Electron transport layer 8 Electron injection layer 9 Cathode 10 Organic electroluminescent element

Claims (11)

導電性の電極パターンを有するガラス基板上に撥液レジストを塗布して、フォトリソグラフィー法によって微小領域の開口部を複数設ける工程と、
少なくとも1種の機能性材料と少なくとも1種の有機溶媒とを含む機能性インクを、印刷法によって前記開口部に塗布する工程と、
前記機能性インクに含まれる前記有機溶媒を減圧乾燥によって揮発させる工程と、
前記減圧乾燥によって得られた膜を150℃以上の温度で焼結し、機能性膜を得る工程と、をこの順で含む有機電界発光素子の製造方法であって、
前記撥液レジストを硬化して得られる撥液レジスト膜の表面が外部エネルギーによって剥離された接触角測定のための膜に対して、26°以上50°未満の接触角を有する有機溶媒を前記有機溶媒が含む、有機電界発光素子の製造方法。
a step of applying a liquid-repellent resist on a glass substrate having a conductive electrode pattern and forming a plurality of openings in minute regions by photolithography;
applying a functional ink containing at least one functional material and at least one organic solvent to the opening by a printing method;
Volatizing the organic solvent contained in the functional ink by drying under reduced pressure;
A method for producing an organic electroluminescent device comprising, in this order, the step of sintering the film obtained by the vacuum drying at a temperature of 150° C. or higher to obtain a functional film,
The organic solvent having a contact angle of 26° or more and less than 50° is applied to a film for contact angle measurement from which the surface of the lyophobic resist film obtained by curing the lyophobic resist is peeled off by external energy. A method for producing an organic electroluminescent device, the method including a solvent.
前記外部エネルギーによる撥液レジスト膜の表面の剥離が、UV/オゾン処理、もしくはプラズマ処理により行われる、請求項1に記載の有機電界発光素子の製造方法。 2. The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the surface of the liquid-repellent resist film is peeled off by external energy by UV/ozone treatment or plasma treatment. 前記26°以上50°未満の接触角を有する有機溶媒が、前記機能性インクに含まれる全ての有機溶媒のうち最も高い沸点を有する、請求項1又は2に記載の有機電界発光素子の製造方法。 The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 1 or 2, wherein the organic solvent having a contact angle of 26° or more and less than 50° has the highest boiling point of all organic solvents contained in the functional ink. . 前記26°以上50°未満の接触角を有する有機溶媒の含有量が、前記機能性インクに含まれる全ての有機溶媒に対して15重量%以上である、請求項1~3のいずれか一項に記載の有機電界発光素子の製造方法。 Any one of claims 1 to 3, wherein the content of the organic solvent having a contact angle of 26° or more and less than 50° is 15% by weight or more based on all organic solvents contained in the functional ink. A method for manufacturing an organic electroluminescent device according to . 前記26°以上50°未満の接触角を有する有機溶媒の含有量が、前記機能性インクに含まれる全ての有機溶媒に対して50重量%未満である、請求項1~4のいずれか一項に記載の有機電界発光素子の製造方法。 Any one of claims 1 to 4, wherein the content of the organic solvent having a contact angle of 26° or more and less than 50° is less than 50% by weight based on all organic solvents contained in the functional ink. A method for manufacturing an organic electroluminescent device according to . 前記26°以上50°未満の接触角を有する有機溶媒の沸点と、前記機能性インクに含まれる全ての有機溶媒のうち最も沸点の低い有機溶媒の沸点との差が20℃以上である、請求項1~5のいずれか一項に記載の有機電界発光素子の製造方法。 The difference between the boiling point of the organic solvent having a contact angle of 26° or more and less than 50° and the boiling point of the organic solvent having the lowest boiling point among all the organic solvents contained in the functional ink is 20°C or more. A method for producing an organic electroluminescent device according to any one of Items 1 to 5. 前記機能性材料が、少なくとも1種の正孔輸送性化合物と少なくとも1種の電子受容性化合物とを含む、請求項1~6のいずれか一項に記載の有機電界発光素子の製造方法。 The method for producing an organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 6, wherein the functional material contains at least one hole-transporting compound and at least one electron-accepting compound. 前記機能性インクに含まれる前記有機溶媒を減圧乾燥する時間が1分以上15分未満である、請求項1~7のいずれか一項に記載の有機電界発光素子の製造方法。 The method for producing an organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 7, wherein the organic solvent contained in the functional ink is dried under reduced pressure for 1 minute or more and less than 15 minutes. 前記撥液レジストがフッ素原子含有樹脂を含有する、請求項1~8のいずれか一項に記載の有機電界発光素子の製造方法。 The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 8, wherein the liquid-repellent resist contains a fluorine atom-containing resin. 前記撥液レジスト膜を前記外部エネルギーによって処理する時間が30秒以上300秒以下である、請求項1~9のいずれか一項に記載の有機電界発光素子の製造方法。 The method for manufacturing an organic electroluminescent device according to any one of claims 1 to 9, wherein the time for treating the liquid-repellent resist film with the external energy is 30 seconds or more and 300 seconds or less. 請求項1~10のいずれか一項に記載の製造方法を用いて製造された、有機電界発光素子。 An organic electroluminescent device manufactured using the manufacturing method according to any one of claims 1 to 10.
JP2022034802A 2022-03-07 2022-03-07 Manufacturing method of organic electroluminescent element and organic electroluminescent element Pending JP2023130237A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022034802A JP2023130237A (en) 2022-03-07 2022-03-07 Manufacturing method of organic electroluminescent element and organic electroluminescent element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022034802A JP2023130237A (en) 2022-03-07 2022-03-07 Manufacturing method of organic electroluminescent element and organic electroluminescent element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023130237A true JP2023130237A (en) 2023-09-20

Family

ID=88024978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022034802A Pending JP2023130237A (en) 2022-03-07 2022-03-07 Manufacturing method of organic electroluminescent element and organic electroluminescent element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2023130237A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5757244B2 (en) Organic electroluminescent device manufacturing method, organic electroluminescent device, display device, and illumination device
JP5577685B2 (en) Organic electroluminescent device manufacturing method, organic electroluminescent device, organic EL display device, and organic EL illumination
JP7415917B2 (en) Composition and method for producing organic electroluminescent device
WO2010104183A1 (en) Composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic el display, and organic el lighting
JP6035706B2 (en) Manufacturing method of composition for organic electric field element, composition for organic electric field element, manufacturing method of organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic EL display device and organic EL lighting
JP5259139B2 (en) Composition for organic electroluminescent device, organic electroluminescent device, and method for producing organic electroluminescent device
JP2009123696A (en) Organic electroluminescent element, image display device, and manufacturing method for organic electroluminescent element
JP2011108792A (en) Production method for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic el display, and organic el illumination
CN110654127B (en) Method for producing film, method for producing organic EL element, and ink composition set for producing film
JP2010209320A (en) Composition for organic electroluminescent element, method for producing organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic el display and organic el lighting
JP2010192475A (en) Organic electric-field light-emitting device, organic el display apparatus, and organic el illumination
KR20190135567A (en) Composition for organic electroluminescent elements, organic electroluminescent element, display device and lighting device
JP2023130237A (en) Manufacturing method of organic electroluminescent element and organic electroluminescent element
JP5402703B2 (en) Organic electroluminescence device, organic EL display, organic EL lighting, and organic EL signal device
WO2024096035A1 (en) Organic electroluminescent element, method for manufacturing organic electroluminescent element, organic el display panel, method for manufacturing organic el display panel, method for designing film thickness configuration of organic electroluminescent element, and method for designing film thickness configuration of organic el display panel
JP2010192121A (en) Composition for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic el display, and organic el lighting
JP2023130238A (en) Manufacturing method of organic electroluminescent element and organic electroluminescent element
JP5304301B2 (en) Organic electroluminescence device, organic EL display and organic EL lighting
JP2009146691A (en) Method of manufacturing organic electroluminescent element, and organic electroluminescent display
WO2023085170A1 (en) Composition, and method for manufacturing organic electroluminescent element
WO2022230821A1 (en) Method for manufacturing organic semiconductor element
JP2023067190A (en) Composition and manufacturing method of organic electroluminescence element
JP6984674B2 (en) Compositions for organic electroluminescent devices, organic electroluminescent devices, display devices and lighting devices
JP2010192474A (en) Organic electroluminescent element, organic el display, and organic el lighting
JP2022062075A (en) Non-aqueous ink composition