JP7415917B2 - Composition and method for producing organic electroluminescent device - Google Patents

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Description

本発明は、有機電界発光素子の製造において、機能性材料からなる有機膜である機能性膜の形成に好適に用いられる組成物と、この組成物を用いた有機電界発光素子の製造方法に関する。 The present invention relates to a composition suitably used for forming a functional film, which is an organic film made of a functional material, in the production of an organic electroluminescent device, and a method for producing an organic electroluminescent device using this composition.

有機電界発光素子の製造方法としては、有機材料を真空蒸着法により成膜し、積層する製造方法が一般的であるが、近年、より材料使用効率に優れた製造方法として、溶液化した有機材料をインクジェット法等により成膜し、積層する湿式成膜による製造方法の研究が盛んになってきている。 The common method for manufacturing organic electroluminescent devices is to form organic materials into films by vacuum evaporation and laminate them, but in recent years, organic materials in solution form have been developed as a manufacturing method that is more efficient in material usage. Research on manufacturing methods using wet film formation, in which films are formed by an inkjet method or the like and laminated, is becoming more active.

湿式成膜による有機電界発光素子、特に有機ELディスプレイの製造においては、各画素をバンクと呼ばれる隔壁で区画し、バンク内の微小な領域に、有機電界発光素子を構成する有機膜を形成するための有機電界発光素子形成用組成物であるインクをインクジェット法にて吐出させて成膜する方法が検討されている。この際、インクに種々の表面改質剤を混合することにより、バンクで囲まれた領域内において、より平坦な膜を得る技術が提案されている(特許文献1及び2)。 In manufacturing organic electroluminescent devices, especially organic EL displays, by wet film formation, each pixel is divided by partition walls called banks, and the organic film that makes up the organic electroluminescent device is formed in a minute area within the bank. A method of forming a film by discharging an ink, which is a composition for forming an organic electroluminescent element, using an inkjet method has been studied. At this time, a technique has been proposed to obtain a flatter film within the area surrounded by the bank by mixing various surface modifiers with the ink (Patent Documents 1 and 2).

しかし、従来法では、バンクで囲まれた領域内における膜の平坦性は十分ではなかった。 However, in the conventional method, the flatness of the film within the region surrounded by the bank was not sufficient.

特許文献3には、乾燥・固化後に断面形状がほぼフラットな機能層を形成することを目的として、沸点の異なる2種以上の溶媒を用いる技術の開示がある。 Patent Document 3 discloses a technique using two or more types of solvents having different boiling points for the purpose of forming a functional layer having a substantially flat cross-sectional shape after drying and solidification.

国際公開第2010/104183号International Publication No. 2010/104183 特開2002-056980号公報JP2002-056980A 特開2015-185640号公報Japanese Patent Application Publication No. 2015-185640

インクジェット装置で塗布する場合、粘度が高すぎるインクは吐出性に問題があり、粘度が低すぎるインクはヘッドに保持できないため、ある程度の適正粘度範囲がある。一方で、液膜の乾燥過程では、濃度勾配による液移動やマランゴニ対流など、様々な流動が存在するため、乾燥膜の形状が複雑化してしまう傾向がある。この複雑な膜形状をコントロールするためには、インクの粘度をある程度高くし、流動する速度を遅くすることでコントロールが容易になる。しかし、高粘度とすることで、インクジェット用のインクとして適正に吐出できる粘度範囲を超えてしまう可能性があり、適正範囲の粘度調整が難しい。特に、吐出されるインクに溶解している溶質が主に低分子材料である場合は、インクの粘度は溶媒の粘度と同程度であるため、ある程度溶媒が揮発してもインクの粘度が大きく変化せず、液の流動によって乾燥膜が平坦になりにくいという問題が起こりやすい。 When coating with an inkjet device, ink with too high a viscosity has problems with ejection properties, and ink with too low a viscosity cannot be held in the head, so there is a certain range of appropriate viscosity. On the other hand, in the process of drying a liquid film, there are various flows such as liquid movement due to concentration gradient and Marangoni convection, so the shape of the dry film tends to become complicated. In order to control this complex film shape, the viscosity of the ink can be increased to a certain extent and the flow speed can be slowed down. However, the high viscosity may exceed the viscosity range that can be properly ejected as an inkjet ink, making it difficult to adjust the viscosity to an appropriate range. In particular, if the solute dissolved in the ejected ink is mainly a low-molecular material, the viscosity of the ink is about the same as the viscosity of the solvent, so even if the solvent evaporates to a certain extent, the viscosity of the ink will change significantly. Therefore, the problem that the dried film is difficult to flatten due to the flow of the liquid tends to occur.

特許文献3のように沸点の異なる複数の溶媒を用いた場合でも、インクを塗布したパネルの端部の平坦性に依然として改善の余地がある。 Even when a plurality of solvents having different boiling points are used as in Patent Document 3, there is still room for improvement in the flatness of the edge of the panel coated with ink.

本発明は、有機電界発光素子を構成する有機膜を湿式成膜により形成する場合において、バンクに囲まれた領域内における膜厚の均一性を改善し、さらに、インクを塗布したパネルの中央部のみならず、端部においても平坦性を良好なものとすることできる組成物と、この組成物を用いた有機電界発光素子の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention improves the uniformity of the film thickness within a region surrounded by banks when forming an organic film constituting an organic electroluminescent device by wet film formation, and further improves the uniformity of the film thickness in the region surrounded by banks, and further improves the uniformity of the film thickness in the region surrounded by banks. It is an object of the present invention to provide a composition that can improve flatness not only at the edges but also at the edges, and a method for manufacturing an organic electroluminescent device using this composition.

本発明者は、バンクに囲まれた領域内に有機電界発光素子を構成する有機膜を湿式成膜により形成する場合において、沸点の異なる2種以上の溶媒を混合した混合溶媒と機能性材料を含む組成物において、沸点が高い方の溶媒として粘度の温度依存性(流動活性化エネルギー)が高いものを用いることで、バンクに囲まれた領域内に有機膜を湿式成膜する際に、膜厚の均一性を良好にすることができることを見出した。また、沸点が低い方の溶媒の沸点を245℃以上とすることで、パネルの中央部だけでなく、端部においても平坦性を改善できることを見出した。 When forming an organic film constituting an organic electroluminescent element in a region surrounded by banks by wet film formation, the present inventor uses a mixed solvent of two or more solvents with different boiling points and a functional material. By using a solvent with high temperature dependence of viscosity (flow activation energy) as the solvent with a high boiling point in a composition containing It has been found that the uniformity of thickness can be improved. It has also been found that by setting the boiling point of the solvent with a lower boiling point to 245° C. or higher, flatness can be improved not only at the center of the panel but also at the edges.

即ち、本発明は、以下の構成を有する。 That is, the present invention has the following configuration.

[1] 機能性材料と、第1溶媒および第2溶媒とを含む組成物であって、該第1溶媒は非水溶性芳香族溶媒であり、該第1溶媒の沸点が該第2溶媒の沸点より高く、該第1溶媒と該第2溶媒との沸点の差が10℃以上であり、該第1溶媒は、流動活性化エネルギーが22kJ/mol以上35kJ/mol以下であり、該第1溶媒の含有割合は、該第1溶媒と該第2溶媒の総量に対して5~50重量%であり、該第2溶媒の沸点は245℃以上である組成物。 [1] A composition comprising a functional material, a first solvent, and a second solvent, wherein the first solvent is a water-insoluble aromatic solvent, and the boiling point of the first solvent is lower than that of the second solvent. higher than the boiling point, the difference in boiling point between the first solvent and the second solvent is 10° C. or more, the first solvent has a flow activation energy of 22 kJ/mol or more and 35 kJ/mol or less, and the first solvent has a flow activation energy of 22 kJ/mol or more and 35 kJ/mol or less, A composition in which the content of the solvent is 5 to 50% by weight based on the total amount of the first solvent and the second solvent, and the second solvent has a boiling point of 245° C. or higher.

[2] 前記組成物中の前記第1溶媒と前記第2溶媒の合計の含有量が50重量%以上である[1]に記載の組成物。 [2] The composition according to [1], wherein the total content of the first solvent and the second solvent in the composition is 50% by weight or more.

[3] 前記機能性材料の分子量が50,000以下である、[1]又は[2]に記載の組成物。 [3] The composition according to [1] or [2], wherein the functional material has a molecular weight of 50,000 or less.

[4] 前記第2溶媒の23℃における粘度が5mPas以下である、[1]~[3]のいずれかに記載の組成物。 [4] The composition according to any one of [1] to [3], wherein the second solvent has a viscosity of 5 mPas or less at 23°C.

[5] 前記第1溶媒の沸点と前記第2溶媒の沸点の差が30℃以上である、[1]~[4]のいずれかに記載の組成物。 [5] The composition according to any one of [1] to [4], wherein the difference between the boiling point of the first solvent and the boiling point of the second solvent is 30° C. or more.

[6] 前記第1溶媒の流動活性化エネルギーが、前記第2溶媒の流動活性化エネルギーよりも5kJ/mol以上大きいものである、[1]~[5]のいずれかに記載の組成物。 [6] The composition according to any one of [1] to [5], wherein the flow activation energy of the first solvent is 5 kJ/mol or more greater than the flow activation energy of the second solvent.

[7] 前記第1溶媒の表面張力が30mN/m以上である、[1]~[6]のいずれかに記載の組成物。 [7] The composition according to any one of [1] to [6], wherein the first solvent has a surface tension of 30 mN/m or more.

[8] 前記第1溶媒及び前記第2溶媒が、それぞれ置換基を有していてもよい、ナフタレン、安息香酸エステル、芳香族エーテルのいずれかである、[1]~[7]のいずれかに記載の組成物。 [8] Any one of [1] to [7], wherein the first solvent and the second solvent are naphthalene, benzoic acid ester, or aromatic ether, each of which may have a substituent. The composition described in.

[9] 前記第1溶媒は、安息香酸2-エチルヘキシル、安息香酸ベンジル、アセチルナフタレン、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、エチルビフェニル、イソプロピルビフェニル、ジイソプロピルビフェニル、トリイソプロピルビフェニル、イソ酪酸2-フェノキシエチルのいずれかであり、前記第2溶媒は、メチルナフタレン、エチルナフタレン、イソプロピルナフタレン、メトキシナフタレン、安息香酸ブチル、安息香酸ペンチル、安息香酸イソペンチル、ジフェニルメタン、ベンジルトルエンのいずれかである[1]~[7]のいずれかに記載の組成物。 [9] The first solvent is 2-ethylhexyl benzoate, benzyl benzoate, acetylnaphthalene, dimethyl phthalate, diethyl phthalate, ethyl biphenyl, isopropylbiphenyl, diisopropylbiphenyl, triisopropylbiphenyl, 2-phenoxyethyl isobutyrate. The second solvent is any one of methylnaphthalene, ethylnaphthalene, isopropylnaphthalene, methoxynaphthalene, butyl benzoate, pentyl benzoate, isopentyl benzoate, diphenylmethane, and benzyltoluene [1] to [7]. ] The composition according to any one of.

[10] [1]~[9]のいずれかに記載の組成物を用いて湿式成膜する工程を含む、有機電界発光素子の製造方法。 [10] A method for producing an organic electroluminescent device, comprising a step of forming a wet film using the composition according to any one of [1] to [9].

本発明の組成物によれば、バンクに囲まれた領域内における機能性膜の膜厚の均一性を良好にすることができる。また、インクを塗布したパネルの中央部のみならず、端部においても平坦性を改善することができる。 According to the composition of the present invention, it is possible to improve the uniformity of the thickness of the functional film within the region surrounded by the bank. Moreover, the flatness can be improved not only at the center portion of the panel coated with ink but also at the edge portions.

本発明の有機電界発光素子の構造例を示す断面の模式図である。1 is a schematic cross-sectional view showing a structural example of an organic electroluminescent device of the present invention. 参考例1の発光層とブランクのプロファイルを示す図である。3 is a diagram showing profiles of a light emitting layer and a blank of Reference Example 1. FIG. 参考例2の発光層とブランクのプロファイルを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing profiles of a light-emitting layer and a blank of Reference Example 2. 比較例1の発光層とブランクのプロファイルを示す図である。3 is a diagram showing profiles of a light emitting layer and a blank of Comparative Example 1. FIG. 比較例2の発光層とブランクのプロファイルを示す図である。3 is a diagram showing profiles of a light-emitting layer and a blank of Comparative Example 2. FIG. 比較例3の発光層とブランクのプロファイルを示す図である。3 is a diagram showing profiles of a light-emitting layer and a blank of Comparative Example 3. FIG. 実施例1の測定箇所1の平坦性評価のプロファイルを示す図である。3 is a diagram showing a profile of flatness evaluation of measurement point 1 in Example 1. FIG. 実施例1の測定箇所2の平坦性評価のプロファイルを示す図である。3 is a diagram showing a profile of flatness evaluation of measurement point 2 in Example 1. FIG. 実施例2の測定箇所1の平坦性評価のプロファイルを示す図である。3 is a diagram showing a profile of flatness evaluation of measurement point 1 in Example 2. FIG. 実施例2の測定箇所2の平坦性評価のプロファイルを示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a profile of flatness evaluation of measurement point 2 in Example 2. 実施例3の測定箇所1の平坦性評価のプロファイルを示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a profile of flatness evaluation of measurement point 1 in Example 3. 比較例4の測定箇所1の平坦性評価のプロファイルを示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a profile of flatness evaluation of measurement point 1 of Comparative Example 4. 比較例4の測定箇所2の平坦性評価のプロファイルを示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a profile of flatness evaluation of measurement point 2 of Comparative Example 4. 比較例5の測定箇所1の平坦性評価のプロファイルを示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a profile of flatness evaluation of measurement point 1 of Comparative Example 5. 比較例5の測定箇所2の平坦性評価のプロファイルを示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a profile of flatness evaluation of measurement point 2 of Comparative Example 5. 比較例6の測定箇所1の平坦性評価のプロファイルを示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a profile of flatness evaluation of measurement point 1 of Comparative Example 6. 比較例6の測定箇所2の平坦性評価のプロファイルを示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a profile of flatness evaluation of measurement point 2 of Comparative Example 6.

〔組成物〕
本発明の組成物は、機能性材料と、第1溶媒および第2溶媒とを含む組成物であって、該第1溶媒は非水溶性芳香族溶媒であり、該第1溶媒の沸点が該第2溶媒の沸点より高く、該第1溶媒と該第2溶媒との沸点の差が10℃以上であり、該第1溶媒は、流動活性化エネルギーが22kJ/mol以上35kJ/mol以下であり、該第1溶媒の含有割合は、該第1溶媒と該第2溶媒の総量に対して5~50重量%であり、該第2溶媒の沸点は245℃以上であることを特徴とする。
〔Composition〕
The composition of the present invention is a composition comprising a functional material, a first solvent, and a second solvent, wherein the first solvent is a water-insoluble aromatic solvent, and the boiling point of the first solvent is higher than the boiling point of the second solvent, the difference in boiling point between the first solvent and the second solvent is 10°C or more, and the first solvent has a flow activation energy of 22 kJ/mol or more and 35 kJ/mol or less. , the content ratio of the first solvent is 5 to 50% by weight based on the total amount of the first solvent and the second solvent, and the boiling point of the second solvent is 245° C. or higher.

本発明の組成物に含まれる溶媒は、第2溶媒の沸点が245℃以上で、第1溶媒の沸点が第2溶媒の沸点より高い、即ち、両溶媒の沸点が245℃以上であることで、微小ノズルから吐出可能なインクとして使用可能である。本発明の組成物は、常温では適度な低粘度を示すが、真空乾燥される過程で気化熱により温度が下がると急激な粘度上昇を起こす。これにより、液の流動速度が遅くなり、膜形状をコントロールすることができるようになって、平坦な膜を得ることができる。この効果は、溶媒が蒸発して液の固形分濃度が高くなっても粘度上昇しにくい、溶質が低分子である組成物においてより顕著である。また、沸点が低い方の第2の溶媒の沸点も245℃以上であることにより、特に乾燥が速いパネル端部においても真空乾燥過程の前に溶媒が気化することを防ぐことができる。このため、真空乾燥過程時に十分温度を下げることができ、平坦な膜を得ることができる。 The solvent contained in the composition of the present invention is such that the boiling point of the second solvent is 245°C or higher and the boiling point of the first solvent is higher than the boiling point of the second solvent, that is, the boiling point of both solvents is 245°C or higher. , it can be used as ink that can be ejected from minute nozzles. The composition of the present invention exhibits a moderately low viscosity at room temperature, but when the temperature drops due to the heat of vaporization during vacuum drying, the viscosity rapidly increases. This slows down the flow rate of the liquid, making it possible to control the shape of the film, resulting in a flat film. This effect is more pronounced in compositions in which the solute is of a low molecular weight, and the viscosity does not easily increase even when the solid content of the liquid increases due to evaporation of the solvent. Further, since the boiling point of the second solvent having a lower boiling point is also 245° C. or higher, it is possible to prevent the solvent from vaporizing before the vacuum drying process even at the panel edges where drying is particularly fast. Therefore, the temperature can be lowered sufficiently during the vacuum drying process, and a flat film can be obtained.

本明細書においては、本発明の組成物を、インクジェットなどのノズルから吐出するインクとして用いる場合、単にインクと称する場合がある。
本発明の組成物をインクジェットなどのノズルから吐出するインクとして用い、ノズルから吐出してバンクに囲まれた領域内に塗布した場合、バンクに囲まれた領域内のインクを液、または液膜と称する場合があり、ノズルから吐出されたインクを液滴と称する場合がある。
バンクに囲まれた領域内の液膜を乾燥させ、溶媒が揮発することによって液膜の溶媒組成比が変化したものも液または液膜と称する場合がある。
本発明の組成物を塗布成膜し、有機溶媒を揮発させて乾燥させて得られた、機能性材料を含む膜を機能性膜と称する。また、有機化合物を含む膜であって、溶媒を含まないか又は実質的に溶媒を揮発させて乾燥した膜を有機膜と称する。機能性膜は有機膜の一種である。
In this specification, when the composition of the present invention is used as an ink ejected from a nozzle of an inkjet device, it may be simply referred to as an ink.
When the composition of the present invention is used as an ink ejected from a nozzle of an inkjet device and applied to an area surrounded by banks, the ink in the area surrounded by banks becomes a liquid or a liquid film. Ink ejected from a nozzle is sometimes called a droplet.
A liquid film in which the solvent composition ratio of the liquid film changes by drying the liquid film in the area surrounded by the bank and evaporating the solvent may also be referred to as a liquid or a liquid film.
A film containing a functional material obtained by coating the composition of the present invention, evaporating the organic solvent, and drying the film is referred to as a functional film. Furthermore, a film containing an organic compound that does not contain a solvent or is dried by substantially volatilizing the solvent is referred to as an organic film. A functional film is a type of organic film.

[溶媒]
<溶媒の種類>
本発明では、温度低下、急激な粘度上昇による平坦性向上、および、パネル端部での平坦性確保の観点から、第1溶媒および第2溶媒として共に沸点245℃以上のものを用いる。
沸点245℃以上の溶媒としては、特に限定されないが、好ましくは、芳香族炭化水素系溶媒、芳香族エステル系溶媒、芳香族エーテル系溶媒、芳香族ケトン系溶媒といった非水溶性の芳香族系溶媒が挙げられる。
[solvent]
<Type of solvent>
In the present invention, both the first solvent and the second solvent have a boiling point of 245° C. or higher, from the viewpoint of improving flatness due to temperature reduction and rapid increase in viscosity, and ensuring flatness at the edge of the panel.
Solvents with a boiling point of 245°C or higher are not particularly limited, but are preferably water-insoluble aromatic solvents such as aromatic hydrocarbon solvents, aromatic ester solvents, aromatic ether solvents, and aromatic ketone solvents. can be mentioned.

芳香族炭化水素系溶媒としては、ベンゼン誘導体、ナフタレン誘導体、水素化ナフタレン誘導体、ビフェニル誘導体が好ましい。 As the aromatic hydrocarbon solvent, benzene derivatives, naphthalene derivatives, hydrogenated naphthalene derivatives, and biphenyl derivatives are preferred.

ベンゼン誘導体としては、置換基の総炭素数が5以上12以下であって、直鎖、分岐、または脂環のアルキル基を置換として有するベンゼン誘導体が好ましく、n-オクチルベンゼル、n-ノニルベンゼン、n-デシルベンゼン、ドデシルベンゼンが挙げられる。 As the benzene derivative, a benzene derivative having a total carbon number of 5 or more and 12 or less and having a linear, branched, or alicyclic alkyl group as a substituent is preferable, such as n-octylbenzel, n-nonylbenzene, etc. , n-decylbenzene, and dodecylbenzene.

ナフタレン誘導体としては、特に限定はされないが、アルキル基で置換されたナフタレン誘導体が好ましく、1-メチルナフタレン、2-エチルナフタレン、2-イソプロピルナフタレン、2,6-ジメチルナフタレン、1-メトキシナフタレンが挙げられる。 The naphthalene derivative is not particularly limited, but naphthalene derivatives substituted with an alkyl group are preferred, and examples include 1-methylnaphthalene, 2-ethylnaphthalene, 2-isopropylnaphthalene, 2,6-dimethylnaphthalene, and 1-methoxynaphthalene. It will be done.

水素化ナフタレン誘導体としては、例えばテトラリン、1,2-ジヒドロナフタレン、1,4-ジヒドロナフタレン等が挙げられ、これらは炭素数1~6のアルキル基で置換されていてもよい。 Examples of hydrogenated naphthalene derivatives include tetralin, 1,2-dihydronaphthalene, 1,4-dihydronaphthalene, etc., which may be substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

ビフェニル誘導体としては、特に限定はされないが、炭素数1~6のアルキル基で置換されたビフェニル誘導体が好ましく、例えば3-エチルビフェニル、4-イソプロピルビフェニル等が挙げられる。 The biphenyl derivative is not particularly limited, but biphenyl derivatives substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms are preferred, such as 3-ethylbiphenyl, 4-isopropylbiphenyl, and the like.

他の好ましい芳香族炭化水素系溶媒としては、ジフェニルメタン、メチルジフェニルメタンが挙げられる。 Other preferred aromatic hydrocarbon solvents include diphenylmethane and methyldiphenylmethane.

芳香族エステル系溶媒としては、安息香酸エステル系溶媒、フェニル酢酸エステル系溶媒、フタル酸エステル系溶媒が挙げられる。 Examples of aromatic ester solvents include benzoic acid ester solvents, phenylacetic acid ester solvents, and phthalic acid ester solvents.

安息香酸エステル系溶媒は、安息香酸とエステル結合を有する化合物であり、置換基を有していてもよい安息香酸と、炭素数2以上12以下のアルコールとがエステル結合した化合物を用いることができる。有していてもよい置換基は、炭素数1以上6以下の、直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数1以上6以下の、直鎖又は分岐のアルコキシ基が好ましい。これら置換基は複数であってもよく、複数の場合は置換基としての総炭素数が6以下が好ましい。安息香酸エステル系溶媒としては、例えば安息香酸ブチル、安息香酸n-ペンチル、安息香酸イソアミル、安息香酸n-ヘキシル、安息香酸2-エチルヘキシル、安息香酸ベンジル、4-メトキシ安息香酸エチル等が挙げられる。 The benzoic acid ester solvent is a compound having an ester bond with benzoic acid, and a compound in which benzoic acid, which may have a substituent, and an alcohol having 2 to 12 carbon atoms are ester bonded can be used. . The optional substituent is preferably a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a straight-chain or branched alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. There may be a plurality of these substituents, and in the case of a plurality of substituents, the total number of carbon atoms as the substituents is preferably 6 or less. Examples of the benzoate ester solvent include butyl benzoate, n-pentyl benzoate, isoamyl benzoate, n-hexyl benzoate, 2-ethylhexyl benzoate, benzyl benzoate, and ethyl 4-methoxybenzoate.

フェニル酢酸エステル系溶媒としては、フェニル酢酸エチル等が挙げられる。 Examples of the phenylacetate-based solvent include ethyl phenylacetate.

フタル酸エステル系溶媒としては、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチルが挙げられる。 Examples of phthalate ester solvents include dimethyl phthalate, diethyl phthalate, and dibutyl phthalate.

他の好ましい芳香族エステル系溶媒としては、酢酸2-フェノキシエチル、イソ酪酸2-フェノキシエチル、等が挙げられる。 Other preferred aromatic ester solvents include 2-phenoxyethyl acetate, 2-phenoxyethyl isobutyrate, and the like.

芳香族エーテル系溶媒は、芳香環とエーテル結合とを有する化合物であり、以下のようなものが挙げられる。
炭素数1以上6以下の直鎖又は分岐のアルキル基が置換していてもよいジフェニルエーテル誘導体として、例えばジフェニルエーテル、2-フェノキシトルエン、3-フェノキシトルエン、4-フェノキシトルエン;
炭素数1以上6以下の直鎖又は分岐のアルキル基とのエーテル結合を2個有するベンゼン誘導体として、例えば1,4-ジエトキシベンゼン、1-エトキシ-4-ヘキシルオキシベンゼン;
炭素数4以上12以下の直鎖又は分岐のアルキル基とエーテル結合を1個有するベンゼン誘導体として、例えばフェニルヘキシルエーテル;
ベンジルエーテル系溶媒として、例えばジベンジルエーテル;
その他の芳香族エーテル系溶媒として、2-フェノキシエタノール:
Aromatic ether solvents are compounds having an aromatic ring and an ether bond, and include the following.
Examples of diphenyl ether derivatives optionally substituted with a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms include diphenyl ether, 2-phenoxytoluene, 3-phenoxytoluene, 4-phenoxytoluene;
Examples of benzene derivatives having two ether bonds with a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms include 1,4-diethoxybenzene, 1-ethoxy-4-hexyloxybenzene;
Examples of benzene derivatives having a linear or branched alkyl group having 4 to 12 carbon atoms and one ether bond include phenylhexyl ether;
As a benzyl ether solvent, for example, dibenzyl ether;
Other aromatic ether solvents include 2-phenoxyethanol:

芳香族ケトン系溶媒は、芳香環とケトン構造とを有する化合物であり、例えば1-アセチルナフタレン等が挙げられる。 The aromatic ketone solvent is a compound having an aromatic ring and a ketone structure, such as 1-acetylnaphthalene.

本発明で用いる溶媒は、沸点245℃以上の非水溶性の非芳香族系溶媒であってもよく、非水溶性の非芳香族系溶媒としては、例えばエーテル系溶媒、グリコールエステル系溶媒などが挙げられる。
ただし、第1溶媒としては、非水溶性芳香族溶媒を用いる。
The solvent used in the present invention may be a water-insoluble non-aromatic solvent with a boiling point of 245°C or higher, and examples of the water-insoluble non-aromatic solvent include ether solvents and glycol ester solvents. Can be mentioned.
However, a water-insoluble aromatic solvent is used as the first solvent.

<沸点>
第1溶媒は、沸点245℃以上の第2溶媒よりも沸点が10℃以上高く、流動活性化エネルギーが22kJ/mol以上35kJ/mol以下の非水溶性芳香族系溶媒である。
本発明の組成物に含まれる溶媒の中で、沸点245℃以上の非水溶性芳香族系溶媒であって、流動活性化エネルギーが22kJ/mol以上35kJ/mol以下であるものは全て第1溶媒に相当する溶媒であり、第1溶媒とは第1溶媒に相当する溶媒全てである。
<Boiling point>
The first solvent is a water-insoluble aromatic solvent whose boiling point is 10° C. or more higher than the second solvent, which has a boiling point of 245° C. or more, and whose flow activation energy is 22 kJ/mol or more and 35 kJ/mol or less.
Among the solvents contained in the composition of the present invention, all water-insoluble aromatic solvents with a boiling point of 245°C or higher and a flow activation energy of 22 kJ/mol or more and 35 kJ/mol or less are used as the first solvent. The first solvent is all solvents corresponding to the first solvent.

本発明で用いる第1溶媒及び第2溶媒の沸点は共に245℃以上であって、さらに、第1溶媒の沸点は、第2溶媒の沸点よりも10℃以上高い。そのため、塗布後の乾燥工程時、通常は沸点の低い第2溶媒が第1溶媒よりも先に揮発する。後述するように、バンク内に吐出された組成物によって液膜を形成し、該液膜を真空乾燥等で乾燥する際、沸点の低い第2溶媒が先に揮発する。このとき、気化熱が奪われることによって液膜の温度が低下する。このとき、液膜中に残存する第1溶媒の流動活性化エネルギーが上記範囲であると粘度が急激に上昇し、液の流動速度が遅くなり、膜形状をコントロールすることができるようになり、平坦な膜を得ることができる。 The boiling points of both the first solvent and the second solvent used in the present invention are 245° C. or higher, and the boiling point of the first solvent is 10° C. or higher higher than the boiling point of the second solvent. Therefore, during the drying process after coating, the second solvent, which has a lower boiling point, usually evaporates earlier than the first solvent. As will be described later, when a liquid film is formed by the composition discharged into the bank and the liquid film is dried by vacuum drying or the like, the second solvent having a lower boiling point evaporates first. At this time, the temperature of the liquid film decreases as the heat of vaporization is removed. At this time, if the flow activation energy of the first solvent remaining in the liquid film is within the above range, the viscosity will rapidly increase, the flow rate of the liquid will slow down, and the film shape will be able to be controlled. A flat film can be obtained.

本発明の組成物に含まれる溶媒の中で、(a)沸点245℃以上であり、(b)第1溶媒に相当する溶媒以外であり、かつ、(c)第1溶媒に相当する全ての溶媒の沸点より低い沸点を有する溶媒、の(a)~(c)の3つの条件を全て満たす溶媒は、全て第2溶媒に相当する溶媒であり、第2溶媒とは第2溶媒に相当する溶媒全てである。
本発明の組成物中に第1溶媒に相当する溶媒が複数含まれる場合は、該複数の第1溶媒に相当する溶媒全てが第1溶媒であり、第1溶媒の沸点とは、第1溶媒に相当する溶媒全ての加重平均沸点とする。同様に、本発明の組成物中に第2溶媒に相当する溶媒が複数含まれる場合は、該複数の第2溶媒に相当する溶媒全てが第2溶媒であり、第2溶媒の沸点とは、第2溶媒に相当する溶媒全ての加重平均沸点とする。
加重平均沸点とは、個々の溶媒の沸点に該溶媒の重量配合比率を乗じた値の総和である。本発明においては、特に断りの無い限り、第1溶媒の沸点とは第1溶媒に相当する溶媒全ての加重平均沸点であり、第2溶媒の沸点とは第2溶媒に相当する溶媒全ての加重平均沸点である。
Among the solvents contained in the composition of the present invention, (a) a boiling point of 245°C or higher, (b) a solvent other than the first solvent, and (c) all solvents corresponding to the first solvent Solvents that satisfy all three conditions (a) to (c) of a solvent having a boiling point lower than the boiling point of the solvent are all solvents that correspond to the second solvent, and the second solvent corresponds to the second solvent. All solvents.
When the composition of the present invention contains a plurality of solvents corresponding to the first solvent, all the solvents corresponding to the plurality of first solvents are the first solvent, and the boiling point of the first solvent is the first solvent. The weighted average boiling point of all solvents corresponding to Similarly, when a plurality of solvents corresponding to the second solvent are included in the composition of the present invention, all the solvents corresponding to the plurality of second solvents are the second solvent, and the boiling point of the second solvent is This is the weighted average boiling point of all solvents corresponding to the second solvent.
The weighted average boiling point is the sum of the boiling points of individual solvents multiplied by the weight blending ratio of the solvents. In the present invention, unless otherwise specified, the boiling point of the first solvent is the weighted average boiling point of all solvents corresponding to the first solvent, and the boiling point of the second solvent is the weighted average boiling point of all solvents corresponding to the second solvent. It is the average boiling point.

第1溶媒の沸点と第2溶媒の沸点の差は、10℃以上であり、好ましくは15℃以上、さらに好ましくは20℃以上であり、25℃以上であるとより顕著に第2溶媒が第1溶媒よりも早く揮発する傾向がありためさらに好ましく、より好ましくは30℃以上、特に好ましくは35℃以上である。沸点差がこの値以上であると、乾燥工程時、特に真空乾燥時に、先に第2溶媒を多く揮発させ、そのあと第1溶媒を揮発させるように乾燥条件、特に真空乾燥条件を調整しやすく好ましい。
さらに好ましくは、前記沸点差に加え、第1溶媒に相当する溶媒が複数含まれる場合は最も重量配合比率の高い溶媒の沸点と、第2溶媒に相当する溶媒が複数含まれる場合は最も重量配合比率の高い溶媒の沸点との差も10℃以上であり、好ましくは15℃以上、さらに好ましくは20℃以上であり、25℃以上であるとより顕著に第2溶媒が第1溶媒よりも早く揮発する傾向がありためさらに好ましく、より好ましくは30℃以上、特に好ましくは35℃以上である。乾燥工程は、最も重量配合比率の高い溶媒の揮発性が反映される傾向にあるため、最も重量配合比率の高い溶媒の沸点差が前記値以上であることが好ましい。
The difference between the boiling point of the first solvent and the boiling point of the second solvent is 10°C or more, preferably 15°C or more, more preferably 20°C or more. Since it tends to volatilize faster than single solvent, it is more preferable, more preferably 30°C or higher, particularly preferably 35°C or higher. When the boiling point difference is above this value, it is easy to adjust the drying conditions, especially the vacuum drying conditions, so that a large amount of the second solvent is evaporated first and then the first solvent is evaporated during the drying process, especially during vacuum drying. preferable.
More preferably, in addition to the boiling point difference, when a plurality of solvents corresponding to the first solvent are included, the boiling point of the solvent with the highest weight blending ratio, and when a plurality of solvents corresponding to the second solvent are included, the boiling point of the solvent with the highest weight blending ratio. The difference between the boiling point of the solvent with a high ratio is also 10°C or more, preferably 15°C or more, more preferably 20°C or more, and when the temperature is 25°C or more, the second solvent is more likely to react faster than the first solvent. The temperature is more preferably 30°C or higher, particularly preferably 35°C or higher because it tends to volatilize. Since the drying process tends to reflect the volatility of the solvent with the highest weight blending ratio, it is preferable that the boiling point difference of the solvent with the highest weight blending ratio is greater than or equal to the above value.

乾燥工程にて溶媒を揮発しやすい観点、特に真空乾燥にて溶媒を揮発させやすい観点から、第1溶媒の沸点は400℃以下が好ましく、第2溶媒の沸点は370℃以下が好ましい。従って、第1溶媒と第2溶媒の沸点差の上限は155℃である。 From the viewpoint of easy volatilization of the solvent in the drying process, particularly from the viewpoint of easy volatilization of the solvent in vacuum drying, the boiling point of the first solvent is preferably 400°C or lower, and the boiling point of the second solvent is preferably 370°C or lower. Therefore, the upper limit of the boiling point difference between the first solvent and the second solvent is 155°C.

第2溶媒は、沸点245℃以上の非水溶性芳香族系溶媒であってもよく、沸点245℃以上の非水溶性である非芳香族系溶媒であってもよい。第2溶媒は特に好ましくは、沸点245℃以上の非水溶性芳香族系溶媒である。沸点が245℃以上であることにより、乾燥の速いパネルの端部であっても真空乾燥過程の前に溶媒が気化することを防ぐことができる。このため、真空乾燥過程時に十分温度を下げることができ、パネルの端部でも平坦な膜を得ることができる。第2溶媒の沸点は、好ましくは250℃以上、より好ましくは255℃以上であり、最も好ましくは260℃以上である。第2溶媒は乾燥工程時に第1溶媒よりも先に揮発することが好ましいため、第2溶媒の沸点は320℃以下が好ましく、300℃以下がより好ましく、280℃以下が特に好ましい。 The second solvent may be a water-insoluble aromatic solvent with a boiling point of 245°C or higher, or may be a water-insoluble non-aromatic solvent with a boiling point of 245°C or higher. The second solvent is particularly preferably a water-insoluble aromatic solvent having a boiling point of 245° C. or higher. By having a boiling point of 245° C. or higher, it is possible to prevent the solvent from vaporizing before the vacuum drying process even at the edges of the panel where drying is quick. Therefore, the temperature can be lowered sufficiently during the vacuum drying process, and a flat film can be obtained even at the edges of the panel. The boiling point of the second solvent is preferably 250°C or higher, more preferably 255°C or higher, and most preferably 260°C or higher. Since it is preferable that the second solvent volatilizes earlier than the first solvent during the drying process, the boiling point of the second solvent is preferably 320°C or lower, more preferably 300°C or lower, and particularly preferably 280°C or lower.

第1溶媒に含まれる第1溶媒に相当する溶媒は、第1溶媒の大半すなわち第1溶媒の80重量%以上を占める溶媒の数として5以下が好ましく、さらに好ましくは3以下であり、特に好ましくは2以下である。第1溶媒の数がこの範囲であることで、組成物の管理がしやすい。また、第1溶媒の乾燥工程を制御しやすく平坦な膜を得られやすいと考えられる。
第2溶媒に含まれる第2溶媒に相当する溶媒は、第2溶媒の大半すなわち第2溶媒の80重量%以上を占める溶媒の数として5以下が好ましく、さらに好ましくは3以下であり、特に好ましくは2以下であり、最も好ましくは1である。第2溶媒の数がこの範囲であることで、組成物の管理がしやすい。また、第2溶媒の数がこの範囲であることで、乾燥工程の初期工程を制御しやすく、乾燥初期に第2溶媒の大半を揮発させやすく、気化熱による温度低下と第1溶媒の粘度上昇を制御しやすいと考えられる。
The number of solvents corresponding to the first solvent contained in the first solvent is preferably 5 or less, more preferably 3 or less, and particularly preferably occupies 80% by weight or more of the first solvent. is 2 or less. When the number of first solvents is within this range, the composition can be easily managed. Further, it is considered that the drying process of the first solvent can be easily controlled and a flat film can be easily obtained.
The number of solvents corresponding to the second solvent contained in the second solvent is preferably 5 or less, more preferably 3 or less, and particularly preferably occupies 80% by weight or more of the second solvent. is 2 or less, most preferably 1. When the number of second solvents is within this range, the composition can be easily managed. In addition, by having the number of second solvents in this range, it is easy to control the initial stage of the drying process, and it is easy to volatilize most of the second solvents in the early stage of drying, resulting in a decrease in temperature due to heat of vaporization and an increase in the viscosity of the first solvent. It is considered that it is easy to control.

なお、本発明において、溶媒の沸点は大気圧下で測定された値である。 In addition, in this invention, the boiling point of a solvent is the value measured under atmospheric pressure.

<流動活性化エネルギー>
流動活性化エネルギーとは、下記式(I)におけるEである。流動活性化エネルギーは、溶媒の粘度を温度を変えて測定し、温度の逆数に対する粘度の対数をプロットし、その傾きから求める。
η=Aexp(E/RT) (I)
η:粘度(cP)
A:定数
E:流動活性化エネルギー(kJ/mol)
R:気体定数(8.314J/K/mol)
T:温度(K)
<Flow activation energy>
Flow activation energy is E in the following formula (I). The flow activation energy is determined by measuring the viscosity of the solvent at different temperatures, plotting the logarithm of the viscosity against the reciprocal of the temperature, and determining the slope.
η=Aexp(E/RT) (I)
η: Viscosity (cP)
A: Constant E: Flow activation energy (kJ/mol)
R: gas constant (8.314J/K/mol)
T: Temperature (K)

第1溶媒の流動活性化エネルギーは、22kJ/mol以上35kJ/mol以下である。第1溶媒の流動活性化エネルギーの下限は、好ましくは23kJ/mol以上であり、更に好ましくは24kJ/mol以上である。第1溶媒の流動活性化エネルギーの上限は、好ましくは34kJ/mol以下であり、より好ましくは32kJ/mol以下であり、更に好ましくは30kJ/mol以下である。 The flow activation energy of the first solvent is 22 kJ/mol or more and 35 kJ/mol or less. The lower limit of the flow activation energy of the first solvent is preferably 23 kJ/mol or more, more preferably 24 kJ/mol or more. The upper limit of the flow activation energy of the first solvent is preferably 34 kJ/mol or less, more preferably 32 kJ/mol or less, and even more preferably 30 kJ/mol or less.

第1溶媒の流動活性化エネルギーが上記下限値以上であると、温度低下時の粘度上昇が適度に速く起こり、機能性膜の平坦性を制御しやすい。第1溶媒の流動活性化エネルギーが上記上限値以下であると、温度低下時の粘度上昇速度が速すぎず、かつ到達粘度が高すぎず、機能性膜の平坦性を制御しやすく好ましい。 When the flow activation energy of the first solvent is equal to or higher than the above lower limit, the viscosity increases appropriately and quickly when the temperature decreases, making it easy to control the flatness of the functional film. It is preferable that the flow activation energy of the first solvent is equal to or less than the above upper limit value, because the rate of increase in viscosity when the temperature decreases is not too fast, the viscosity reached is not too high, and the flatness of the functional film can be easily controlled.

第1溶媒の流動活性化エネルギーは、第2溶媒の流動活性化エネルギーよりも5kJ/mol以上大きいことが好ましい。言い換えると、第2溶媒の流動活性化エネルギーは第1溶媒の流動活性化エネルギーより5kJ/mol以上低いことが好ましい。この範囲であることで、第1溶媒の流動活性化エネルギーと第2溶媒の役割を明確化し、設計が容易になる。 The flow activation energy of the first solvent is preferably 5 kJ/mol or more greater than the flow activation energy of the second solvent. In other words, the flow activation energy of the second solvent is preferably 5 kJ/mol or more lower than the flow activation energy of the first solvent. Within this range, the flow activation energy of the first solvent and the role of the second solvent can be clarified, making design easier.

バンク内に組成物を塗布し、乾燥して成膜する場合、バンク内の液量が比較的多く、溶媒が揮発しながら液量が徐々に減少しているときは、気化熱を奪われて液温が低下しても、流動活性化エネルギーが低い第2溶媒がある程度存在しているため、増粘しにくく、液の流動性が保たれる。真空乾燥等の乾燥工程時、バンク内で溶媒が揮発しつつ液面が低下しているとき、液の流動性が保たれていると、液面の低下に伴ってバンク側面の液も濡れ下がり、バンク側面に液が残りにくい。その結果、バンク際部の膜厚を均一にしやすくなると考えられる。逆に、第1溶媒と第2溶媒の流動活性化エネルギー差が小さいと、第2溶媒がある程度残っていてもそれぞれが気化熱で冷却され増粘してしまう場合がある。本発明では、粘度の増加が適切な範囲にあることが望ましいため、一方の溶媒を増粘しにくい溶媒、もう一方の溶媒を増粘しやすい溶媒とすることで、最適な増粘状態を、膜厚や材料、乾燥プロファイルなどによって容易に選択可能になるため、第1溶媒と第2溶媒とで上記のように流動活性化エネルギーに差を設けることが好ましい。 When coating a composition in a bank and drying it to form a film, if the amount of liquid in the bank is relatively large and the amount gradually decreases as the solvent evaporates, the heat of vaporization is taken away. Even if the liquid temperature decreases, since a certain amount of the second solvent with low flow activation energy is present, thickening is difficult to occur and the fluidity of the liquid is maintained. During a drying process such as vacuum drying, when the solvent evaporates inside the bank and the liquid level is decreasing, if the fluidity of the liquid is maintained, the liquid on the side of the bank will also wet out as the liquid level decreases. , liquid does not easily remain on the side of the bank. As a result, it is thought that it becomes easier to make the film thickness uniform in the bank edge area. Conversely, if the difference in flow activation energy between the first solvent and the second solvent is small, even if some amount of the second solvent remains, each may be cooled by the heat of vaporization and thicken. In the present invention, it is desirable that the increase in viscosity be within an appropriate range, so by using one solvent as a solvent that is difficult to thicken and the other solvent as a solvent that is easy to thicken, the optimum thickening state can be achieved. Since this can be easily selected depending on the film thickness, material, drying profile, etc., it is preferable to provide a difference in flow activation energy between the first solvent and the second solvent as described above.

乾燥初期に、組成物が流動性を保ってバンク側面を濡れ下がりやすい観点から、第1溶媒と第2溶媒の流動活性化エネルギー差は特に5.2kJ/mol以上、とりわけ5.5kJ/mol以上であることが好ましく、21.0kJ/mol以下、特に20.0kJ/mol以下であることが好ましい。 In the early stage of drying, from the viewpoint that the composition maintains fluidity and easily wets down the side of the bank, the flow activation energy difference between the first solvent and the second solvent is particularly 5.2 kJ/mol or more, particularly 5.5 kJ/mol or more. It is preferably 21.0 kJ/mol or less, particularly preferably 20.0 kJ/mol or less.

第1溶媒として好適な媒流動活性化エネルギーが22kJ/mol以上35kJ/mol以下の非水溶性芳香族系溶媒としては、安息香酸2-エチルヘキシル(23.4kJ/mol)、安息香酸ベンジル(24.5kJ/mol)、フタル酸ジエチル(27.5kJ/mol)、酢酸2-フェノキシエチル(28.6kJ/mol)、イソプロピルビフェニル(24.0kJ/mol)等が挙げられる。
また、このような第1溶媒に対して、流動活性化エネルギーが5kJ/mol以上小さい第2溶媒としては、ジベンジルエーテル(18.7kJ/mol)、3-フェノキシトルエン(20.1kJ/mol)、ジフェニルエーテル(18.3kJ/mol)等が挙げられる。
Examples of water-insoluble aromatic solvents with flow activation energy of 22 kJ/mol or more and 35 kJ/mol or less suitable as the first solvent include 2-ethylhexyl benzoate (23.4 kJ/mol), benzyl benzoate (24. 5 kJ/mol), diethyl phthalate (27.5 kJ/mol), 2-phenoxyethyl acetate (28.6 kJ/mol), and isopropylbiphenyl (24.0 kJ/mol).
In addition, as a second solvent whose flow activation energy is 5 kJ/mol or more lower than such a first solvent, dibenzyl ether (18.7 kJ/mol), 3-phenoxytoluene (20.1 kJ/mol) , diphenyl ether (18.3 kJ/mol), and the like.

<粘度>
第2溶媒は、23℃における粘度が5mPas以下であることが好ましい。第2溶媒の粘度が上記上限以下であることにより、組成物を調製する際に、粘度が高めの第1溶媒や、粘度を高くしやすい機能性材料も選択できるようになり、第1溶媒や機能性材料の選択の幅、インク濃度の選択の幅が広がる。
第2溶媒の粘度は、特に4.5mPas以下であることが好ましい。一方、インクジェットヘッドに充填された際に、ヘッド内にインクを保持しやすい観点から、第2溶媒の粘度は1.0mPas以上が好ましい。
本発明において、溶媒の粘度はE型粘度計RE85L(東機産業製)を用いて、23℃環境下にて、コーンプレート回転数20rpm~100rpmにより測定することができる。
第1溶媒の粘度は、3mPas以上20mPas以下が好ましい。
<Viscosity>
The second solvent preferably has a viscosity of 5 mPas or less at 23°C. When the viscosity of the second solvent is below the above upper limit, when preparing the composition, it becomes possible to select a first solvent with a higher viscosity and a functional material that can easily increase the viscosity. The range of selection of functional materials and ink density is expanded.
The viscosity of the second solvent is particularly preferably 4.5 mPas or less. On the other hand, the viscosity of the second solvent is preferably 1.0 mPas or more from the viewpoint of easily retaining the ink within the head when filled into the inkjet head.
In the present invention, the viscosity of the solvent can be measured using an E-type viscometer RE85L (manufactured by Toki Sangyo) at a cone plate rotation speed of 20 rpm to 100 rpm in an environment of 23°C.
The viscosity of the first solvent is preferably 3 mPas or more and 20 mPas or less.

<表面張力>
第1溶媒の表面張力は、30mN/m以上が好ましく、45mN/m以下であることが好ましい。第1溶媒の表面張力がこの範囲であることで、インク全体としての表面張力を適正な範囲に保ち、インクジェット装置での安定吐出が可能になると考えられる。また、第1溶媒の表面張力がこの範囲であることで、バンク内の液面が平坦化しやすく好ましいと考えられる。第1溶媒の表面張力が上記下限値以上であることで、乾燥中に液表面に一定以上の張力が発生し、表面積が小さくなろうとするために、膜にシワなどが発生しにくい。一方で、第1溶媒の表面張力が上記上限値以下であることで、乾燥中に表面張力差が発生しにくく、無駄なマランゴニ対流などが発生しにくくなるため、平坦な膜を形成しやすく好ましい。
本発明において、溶媒の表面張力は23.0℃の環境にて、白金プレートを用いたプレート法により測定することができる。
<Surface tension>
The surface tension of the first solvent is preferably 30 mN/m or more, and preferably 45 mN/m or less. It is thought that by having the surface tension of the first solvent within this range, the surface tension of the ink as a whole can be maintained within an appropriate range, and stable ejection with an inkjet device is possible. Furthermore, it is considered preferable that the surface tension of the first solvent is within this range because it facilitates flattening of the liquid surface within the bank. When the surface tension of the first solvent is equal to or higher than the above lower limit, a certain level of tension is generated on the liquid surface during drying, and the surface area tends to be reduced, so that wrinkles are less likely to occur on the film. On the other hand, if the surface tension of the first solvent is less than or equal to the above upper limit, a difference in surface tension is less likely to occur during drying, and unnecessary Marangoni convection is less likely to occur, making it easier to form a flat film, which is preferable. .
In the present invention, the surface tension of a solvent can be measured by a plate method using a platinum plate in an environment of 23.0°C.

<溶媒の組み合わせ>
本発明の組成物に含まれる第1溶媒及び第2溶媒は、それぞれ1種であっても複数種であってもよい。
特に、第1溶媒が2種以上含まれていることで、溶媒の対流を生み出しやすい表面張力を調整できるため、平坦性をより一層高めることができ、好ましい。
本発明の組成物に含まれる第1溶媒および第2溶媒は、いずれも非水溶性溶媒であることが好ましく、第1溶媒および第2溶媒とも非水溶性芳香族系溶媒であることが更に好ましい。
<Solvent combination>
The first solvent and the second solvent contained in the composition of the present invention may each be one type or a plurality of types.
In particular, it is preferable that two or more types of first solvents are included, since the surface tension that facilitates the generation of solvent convection can be adjusted, and the flatness can be further improved.
It is preferable that both the first solvent and the second solvent contained in the composition of the present invention are water-insoluble solvents, and it is more preferable that both the first solvent and the second solvent are water-insoluble aromatic solvents. .

特に、機能性材料がよく溶解し、乾燥過程においても容易に析出してこないというの観点から、第1溶媒及び第2溶媒は、それぞれ置換基を有していてもよい、ナフタレン、安息香酸エステル、芳香族エーテルのいずれかであることが好ましい。 In particular, from the viewpoint that the functional material dissolves well and does not easily precipitate during the drying process, the first solvent and the second solvent are naphthalene, benzoic acid ester, which may have a substituent, respectively. , aromatic ether.

また、前述の溶媒のうち、好ましい第1溶媒と第2溶媒の組み合わせとしては、以下のものが挙げられる。 Further, among the above-mentioned solvents, preferred combinations of the first solvent and the second solvent include the following.

第1溶媒:好ましくは、安息香酸2-エチルヘキシル、安息香酸ベンジル、1-アセチルナフタレン、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、エチルビフェニル、イソプロピルビフェニル、ジイソプロピルビフェニル、トリイソプロピルビフェニル、イソ酪酸2-フェノキシエチルの少なくともいずれか、より好ましくは、安息香酸2-エチルヘキシル、安息香酸ベンジル、1-アセチルナフタレン、フタル酸ジメチル、イソ酪酸2-フェノキシエチルの1種又は2種以上である。 First solvent: preferably 2-ethylhexyl benzoate, benzyl benzoate, 1-acetylnaphthalene, dimethyl phthalate, diethyl phthalate, ethyl biphenyl, isopropylbiphenyl, diisopropylbiphenyl, triisopropylbiphenyl, 2-phenoxyethyl isobutyrate. At least one of them, more preferably one or more of 2-ethylhexyl benzoate, benzyl benzoate, 1-acetylnaphthalene, dimethyl phthalate, and 2-phenoxyethyl isobutyrate.

第2溶媒:好ましくは、メチルナフタレン、エチルナフタレン、イソプロピルナフタレン、メトキシナフタレン、安息香酸ブチル、安息香酸ペンチル、安息香酸イソペンチル、ジフェニルメタン、ベンジルトルエンのいずれか、より好ましくは、メチルナフタレン、エチルナフタレン、安息香酸ブチルの1種又は2種以上である。 Second solvent: Preferably methylnaphthalene, ethylnaphthalene, isopropylnaphthalene, methoxynaphthalene, butyl benzoate, pentyl benzoate, isopentyl benzoate, diphenylmethane, benzyltoluene, more preferably methylnaphthalene, ethylnaphthalene, benzoic acid. One or more types of butyl acid.

さらに、第1溶媒と第2溶媒の好ましい組み合わせとしては、主に安息香酸2-エチルヘキシルとメチルナフタレン、安息香酸2-エチルヘキシルとエチルナフタレン、安息香酸2-エチルヘキシルとイソプロピルナフタレン、安息香酸2-エチルヘキシルと安息香酸ブチル、安息香酸2-エチルヘキシルと安息香酸イソペンチル、安息香酸ベンジルとメチルナフタレン、安息香酸ベンジルとエチルナフタレン、安息香酸ベンジルとイソプロピルナフタレン、安息香酸ベンジルと安息香酸ブチル、安息香酸ベンジルと安息香酸イソペンチルの組み合わせが挙げられる。 Furthermore, preferred combinations of the first solvent and the second solvent include 2-ethylhexyl benzoate and methylnaphthalene, 2-ethylhexyl benzoate and ethylnaphthalene, 2-ethylhexyl benzoate and isopropylnaphthalene, and 2-ethylhexyl benzoate and isopropylnaphthalene. Butyl benzoate, 2-ethylhexyl benzoate and isopentyl benzoate, benzyl benzoate and methylnaphthalene, benzyl benzoate and ethylnaphthalene, benzyl benzoate and isopropylnaphthalene, benzyl benzoate and butyl benzoate, benzyl benzoate and isopentyl benzoate A combination of these can be mentioned.

本発明の組成物が第1溶媒を2種以上含む場合、その好ましい組み合わせとしては、例えば安息香酸2-エチルヘキシルと安息香酸ベンジル、安息香酸2-エチルヘキシルとフタル酸ジメチル、安息香酸2-エチルヘキシルと1-アセチルナフタレンの組み合わせなどが挙げられる。 When the composition of the present invention contains two or more first solvents, preferred combinations include, for example, 2-ethylhexyl benzoate and benzyl benzoate, 2-ethylhexyl benzoate and dimethyl phthalate, and 2-ethylhexyl benzoate and dimethyl phthalate. - Combinations of acetylnaphthalene, etc.

[第1溶媒と第2溶媒の含有量]
本発明の組成物中の溶媒の全量に対して、第1溶媒の含有量は、5~50重量%である。第2溶媒の揮発によって第1溶媒の温度を効率的に下げるためには、揮発成分を多くしておくことが必要であるため、第1溶媒の含有量は50重量%以下であり、好ましくは40重量%以下、より好ましくは30重量%以下である。第2溶媒の揮発時に機能性材料を溶解した状態とするために、第1溶媒の含有量は5重量%以上であり、好ましくは10重量%以上、より好ましくは15重量%以上である。
[Content of first solvent and second solvent]
The content of the first solvent is 5 to 50% by weight based on the total amount of solvent in the composition of the present invention. In order to efficiently lower the temperature of the first solvent by volatilization of the second solvent, it is necessary to increase the volatile component, so the content of the first solvent is 50% by weight or less, preferably It is 40% by weight or less, more preferably 30% by weight or less. In order to maintain the functional material in a dissolved state when the second solvent evaporates, the content of the first solvent is 5% by weight or more, preferably 10% by weight or more, and more preferably 15% by weight or more.

組成物中に含まれる溶媒の全量に対する第1溶媒と第2溶媒の合計の含有量は50重量%以上が好ましく、70重量%以上がより好ましく、80重量%以上がさらに好ましく、85重量%以上が特に好ましく、90重量%以上がとりわけ好ましく、最も好ましくは95重量%以上であり、上限としては100重量%である。第1溶媒と第2溶媒の合計の含有量が上記下限以上であることで、微小ノズルから吐出可能なインクとして使用可能であり、溶媒の乾燥を制御しやすく、本発明の効果が得られやすい。 The total content of the first solvent and the second solvent with respect to the total amount of solvents contained in the composition is preferably 50% by weight or more, more preferably 70% by weight or more, even more preferably 80% by weight or more, and 85% by weight or more. is particularly preferred, particularly preferably 90% by weight or more, most preferably 95% by weight or more, and the upper limit is 100% by weight. When the total content of the first solvent and the second solvent is equal to or higher than the above lower limit, the ink can be used as an ink that can be ejected from a micro nozzle, the drying of the solvent can be easily controlled, and the effects of the present invention can be easily obtained. .

<その他の溶媒>
本発明の組成物は、第1溶媒および第2溶媒以外の溶媒を含んでいてもよい。
第1溶媒および第2溶媒以外の溶媒としては、沸点245℃未満の溶媒の1種又は2種以上、例えば高沸点成分として流動活性化エネルギーが低いジベンジルエーテルや、ベンジルトルエンを用いることができる。
これらのその他の溶媒を含むことで、温度低下に伴う増粘効果を、材料によって調整できるメリットがあるが、第1溶媒及び第2溶媒を含むことによる本発明の効果を確実に得る上で、第1溶媒及び第2溶媒以外のその他の溶媒の含有量は、本発明の組成物に含まれる溶媒全体に対して50重量%以下が好ましく、30重量%以下がより好ましく、20重量%以下がさらに好ましく、15重量%以下が特に好ましく、10重量%以下がとりわけ好ましく、5重量%以下が最も好ましい。
<Other solvents>
The composition of the present invention may contain a solvent other than the first solvent and the second solvent.
As the solvent other than the first solvent and the second solvent, one or more solvents having a boiling point of less than 245°C may be used, such as dibenzyl ether with low flow activation energy or benzyltoluene as a high boiling point component. .
Including these other solvents has the advantage of being able to adjust the thickening effect associated with a temperature drop depending on the material, but in order to reliably obtain the effects of the present invention by including the first and second solvents, The content of the other solvents other than the first solvent and the second solvent is preferably 50% by weight or less, more preferably 30% by weight or less, and 20% by weight or less based on the total solvent contained in the composition of the present invention. It is more preferably 15% by weight or less, particularly preferably 10% by weight or less, and most preferably 5% by weight or less.

[機能性材料]
本発明における機能性材料は、分子量50,000以下であることが好ましい。本発明における機能性材料は、低分子材料であっても高分子材料であってもよいが、低分子材料である場合により顕著な効果を得ることができる。ここで、低分子材料とは、分子量10,000以下であることが好ましく、更に好ましくは分子量5,000以下である。
[Functional materials]
The functional material in the present invention preferably has a molecular weight of 50,000 or less. The functional material in the present invention may be a low-molecular material or a high-molecular material, but more remarkable effects can be obtained when it is a low-molecular material. Here, the low molecular weight material preferably has a molecular weight of 10,000 or less, more preferably 5,000 or less.

本発明における機能性材料としては、後述の発光層用材料、正孔注入層用材料、正孔輸送層用材料または電子輸送層用材料を用いることができ、好ましくは発光層用材料、正孔注入層用材料、または正孔輸送層用材料であり、特に好ましくは、低分子の発光層用材料である。 As the functional material in the present invention, a material for a light emitting layer, a material for a hole injection layer, a material for a hole transport layer, or a material for an electron transport layer, which will be described later, can be used, and preferably a material for a light emitting layer, It is a material for an injection layer or a material for a hole transport layer, and particularly preferably a low-molecular material for a light emitting layer.

本発明の組成物には、機能性材料の1種のみが含まれていてもよく、2種以上が含まれていてもよい。 The composition of the present invention may contain only one type of functional material, or may contain two or more types of functional materials.

[溶媒と機能性材料の含有量]
本発明の組成物中の機能性材料の含有量には特に制限はないが、好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.5重量%以上、より好ましくは1.0重量%以上であり、好ましくは20重量%以下、さらに好ましくは15重量%以下、より好ましくは10重量%以下である。
[Content of solvent and functional materials]
The content of the functional material in the composition of the present invention is not particularly limited, but is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 0.5% by weight or more, and even more preferably 1.0% by weight or more. The content is preferably 20% by weight or less, more preferably 15% by weight or less, and even more preferably 10% by weight or less.

本発明の組成物としては、具体的には、後述の発光層形成用組成物、正孔注入層形成用組成物、正孔輸送層形成用組成物、電気輸送層形成用組成物が挙げられ、その溶媒の好ましい含有量は、各々の層形成用組成物において後述する通りである。また、機能性材料の含有量についても、各々の層形成用組成物において後述する発光層用材料、正孔注入層用材料、正孔輸送層用材料、電子輸送層用材料の含有量が該当する。 Specific examples of the composition of the present invention include a composition for forming a light emitting layer, a composition for forming a hole injection layer, a composition for forming a hole transport layer, and a composition for forming an electrical transport layer, which will be described later. The preferable content of the solvent is as described below for each layer-forming composition. In addition, regarding the content of functional materials, the contents of the luminescent layer material, hole injection layer material, hole transport layer material, and electron transport layer material described later in each layer forming composition apply. do.

[湿式成膜法による成膜]
本発明の組成物は有機電界発光素子の製造において、機能性膜の形成に好適に用いられる。有機電界発光素子の構成は後述の通りである。
本発明における有機電界発光素子は通常、電極が設けられた基板に、発光画素をバンクと呼ばれる隔壁で区画された微小領域を有する。このバンクで区画された微小領域内に本発明の組成物を吐出し、乾燥して、適宜加熱することによって機能性膜を形成する。
[Film formation by wet film formation method]
The composition of the present invention is suitably used for forming a functional film in the production of organic electroluminescent devices. The structure of the organic electroluminescent device is as described below.
The organic electroluminescent device according to the present invention usually has a substrate provided with electrodes, and a micro region in which light-emitting pixels are partitioned by partition walls called banks. A functional film is formed by discharging the composition of the present invention into a micro region defined by the bank, drying it, and heating it appropriately.

吐出方法は、微小なノズルからバンクで区画された微小領域よりも小さい液滴を吐出する方法であり、複数の液滴を吐出することによってバンクで区画された微小領域を本発明の組成物で満たすことが好ましい。吐出法としては好ましくはインクジェット法である。 The ejection method is a method of ejecting droplets smaller than a micro area defined by a bank from a micro nozzle, and by ejecting a plurality of droplets, the micro area defined by a bank is coated with the composition of the present invention. It is preferable to meet the requirements. The ejection method is preferably an inkjet method.

湿式成膜法では、バンクで区画された微小領域を本発明の組成物で満たしたのち、真空乾燥する。真空乾燥とは、減圧することにより溶媒を揮発させることである。本発明においては、第1溶媒の方が第2溶媒よりも沸点が高いことから、通常は第2溶媒の方が蒸気圧が高く、第1溶媒よりも先に第2溶媒が揮発する。第2溶媒が揮発すると気化熱が奪われ、バンク内の組成物温度が徐々に低下する。第2溶媒は温度低下による粘度上昇が大きくないことが好ましい。従って、前述の通り、第2溶媒の流動活性化エネルギーは第1溶媒の流動活性化エネルギーよりも低いことが好ましい。そうすると、第2溶媒がある程度残っている間はあまり粘度上昇しないが、第2溶媒の大半が揮発するとさらに組成物温度が低下し、組成物内に残っている流動活性化エネルギーが高い第1溶媒により、組成物の粘度が急激に上昇し、液が流動しにくくなる。そのため、バンクで区画された微小領域内の組成物内では濃度勾配による液移動やマランゴニ対流などが起こりにくくなる。これにより、溶媒が揮発している最中の組成物の流動による液面形状の乱れを抑制することが可能となり、溶媒揮発後の乾燥膜の表面を均一になるように乾燥条件を制御することが可能となる。 In the wet film forming method, a micro region defined by banks is filled with the composition of the present invention and then vacuum dried. Vacuum drying means evaporating the solvent by reducing the pressure. In the present invention, since the first solvent has a higher boiling point than the second solvent, the second solvent usually has a higher vapor pressure and evaporates before the first solvent. When the second solvent evaporates, the heat of vaporization is taken away, and the temperature of the composition in the bank gradually decreases. It is preferable that the viscosity of the second solvent does not increase significantly due to a decrease in temperature. Therefore, as described above, the flow activation energy of the second solvent is preferably lower than the flow activation energy of the first solvent. In this case, the viscosity does not increase much while a certain amount of the second solvent remains, but when most of the second solvent evaporates, the temperature of the composition further decreases, and the first solvent with high flow activation energy remains in the composition. As a result, the viscosity of the composition increases rapidly, making it difficult for the liquid to flow. Therefore, liquid movement due to a concentration gradient, Marangoni convection, etc. are less likely to occur within the composition within the microregion partitioned by the bank. This makes it possible to suppress the disturbance of the liquid surface shape due to the flow of the composition while the solvent is volatilizing, and to control the drying conditions so that the surface of the dried film becomes uniform after the solvent volatilizes. becomes possible.

第1溶媒及び第2溶媒はともに真空乾燥により大半は揮発させることが可能であるが、十分乾燥させるために、次いで加熱乾燥を行う。加熱温度は機能性膜が結晶化または凝集しない温度および時間とすることが好ましい。 Most of both the first solvent and the second solvent can be volatilized by vacuum drying, but in order to dry them sufficiently, heat drying is then performed. The heating temperature is preferably a temperature and time at which the functional film does not crystallize or aggregate.

機能性材料が低分子材料である場合、加熱温度は通常50℃以上、好ましくは80℃以上、更に好ましくは100℃以上、より好ましくは120℃以上であり、通常200℃以下、好ましくは180℃以下、更に好ましくは150℃以下である。加熱時間は通常1分以上、好ましくは3分以上、より好ましくは5分以上であり、通常120分以下、好ましくは90分以下、より好ましくは60分以下である。 When the functional material is a low molecular material, the heating temperature is usually 50°C or higher, preferably 80°C or higher, more preferably 100°C or higher, more preferably 120°C or higher, and usually 200°C or lower, preferably 180°C. The temperature below is more preferably 150°C or below. The heating time is usually 1 minute or more, preferably 3 minutes or more, more preferably 5 minutes or more, and usually 120 minutes or less, preferably 90 minutes or less, more preferably 60 minutes or less.

機能性材料が高分子材料である場合、加熱温度は通常80℃以上、好ましくは100℃以上、更に好ましくは150℃以上、より好ましくは200℃以上であり、通常300℃以下、好ましくは270℃以下、更に好ましくは240℃以下である。加熱時間は通常1分以上、好ましくは3分以上、より好ましくは5分以上であり、通常120分以下、好ましくは90分以下、より好ましくは60分以下である。 When the functional material is a polymeric material, the heating temperature is usually 80°C or higher, preferably 100°C or higher, more preferably 150°C or higher, more preferably 200°C or higher, and usually 300°C or lower, preferably 270°C. The temperature below is more preferably 240°C or below. The heating time is usually 1 minute or more, preferably 3 minutes or more, more preferably 5 minutes or more, and usually 120 minutes or less, preferably 90 minutes or less, more preferably 60 minutes or less.

加熱方法は、ホットプレート、オーブン、赤外線照射等により実施することができる。分子振動を直接与える赤外線照射の場合の加熱時間は上記下限に近い時間で十分であり、熱源に基板が直接接するかまたは熱源と基板が極めて近くに配置されるホットプレート加熱の場合は赤外線照射よりは長い時間が必要である。オーブン加熱の場合、即ち、オーブン内の気体、通常は空気または窒素若しくはアルゴンなどの不活性ガスによる加熱の場合は、温度上昇に時間を要するため、上記加熱時間の上限に近い加熱時間が好ましい。加熱方法によって加熱時間は適宜調整される。 The heating method can be carried out using a hot plate, an oven, infrared irradiation, or the like. In the case of infrared irradiation that directly gives molecular vibrations, a heating time close to the lower limit above is sufficient; in the case of hot plate heating, where the substrate is in direct contact with the heat source or the heat source and the substrate are placed extremely close, the heating time is longer than infrared irradiation. requires a long time. In the case of oven heating, that is, in the case of heating with a gas in the oven, usually air or an inert gas such as nitrogen or argon, it takes time for the temperature to rise, so a heating time close to the upper limit of the above heating time is preferred. The heating time is appropriately adjusted depending on the heating method.

〔機能性膜〕
機能性膜中に含まれる機能性材料は通常70重量%以上であり、好ましくは80重量%以上、さらに好ましくは90重量%以上、特に好ましくは95重量%以上であり、実質的に100重量%であることが最も好ましく、上限は100重量%である。実質的に100重量%であるとは、機能性膜に微量の添加剤、残留溶媒及び不純物が含まれる場合があるということである。機能性膜中の機能性材料の含有量がこの範囲であることにより、機能性材料の機能をより効果的に発現させることができる。
[Functional membrane]
The functional material contained in the functional film is usually 70% by weight or more, preferably 80% by weight or more, more preferably 90% by weight or more, particularly preferably 95% by weight or more, and substantially 100% by weight. Most preferably, the upper limit is 100% by weight. Substantially 100% by weight means that the functional membrane may contain trace amounts of additives, residual solvents, and impurities. When the content of the functional material in the functional film is within this range, the function of the functional material can be expressed more effectively.

〔有機電界発光素子の層構成と形成方法〕
本発明の組成物を用いて製造される有機電界発光素子(以下、「本発明の有機電界発光素子」と称す場合がある。)の層構成及びその形成方法の実施の形態の好ましい例を、図1を参照して説明する。
[Layer structure and formation method of organic electroluminescent device]
Preferred examples of the layer structure of an organic electroluminescent device manufactured using the composition of the present invention (hereinafter sometimes referred to as "organic electroluminescent device of the present invention") and the method for forming the same are as follows: This will be explained with reference to FIG.

図1は本発明の有機電界発光素子10の構造例を示す断面の模式図である。図1において、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は正孔輸送層、5は発光層、6は正孔阻止層、7は電子輸送層、8は電子注入層、9は陰極を各々表す。 FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a structural example of an organic electroluminescent device 10 of the present invention. In FIG. 1, 1 is a substrate, 2 is an anode, 3 is a hole injection layer, 4 is a hole transport layer, 5 is a light emitting layer, 6 is a hole blocking layer, 7 is an electron transport layer, 8 is an electron injection layer, 9 each represents a cathode.

本発明の有機電界発光素子は、陽極、発光層及び陰極を必須の構成層とするが、必要に応じて、図1に示すように陽極2と発光層5及び陰極9と発光層5との間に他の機能層を有していてもよい。 The organic electroluminescent device of the present invention has an anode, a light-emitting layer, and a cathode as essential constituent layers, but if necessary, as shown in FIG. There may be other functional layers in between.

[基板]
基板1は、有機電界発光素子の支持体となるものである。基板1としては、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板;ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合には、ガスバリア性に留意するのが好ましい。基板のガスバリア性
は、基板を通過した外気による有機電界発光素子の劣化が起こり難いので、大きいことが好ましい。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
[substrate]
The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent device. As the substrate 1, a quartz or glass plate, a metal plate or metal foil, a plastic film or sheet, etc. are used. Particularly preferred is a glass plate; a plate made of transparent synthetic resin such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, polysulfone, or the like. When using a synthetic resin substrate, it is preferable to pay attention to gas barrier properties. The gas barrier property of the substrate is preferably large because the organic electroluminescent element is unlikely to be degraded by outside air passing through the substrate. For this reason, one preferable method is to provide a dense silicon oxide film or the like on at least one side of the synthetic resin substrate to ensure gas barrier properties.

[陽極]
陽極2は、発光層5側の層への正孔注入の役割を果たす電極である。
陽極2は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び/又はスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3-メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。
[anode]
The anode 2 is an electrode that plays the role of injecting holes into the layer on the light emitting layer 5 side.
The anode 2 is usually made of metal such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, or platinum, metal oxide such as indium and/or tin oxide, metal halide such as copper iodide, carbon black, or polyamide. (3-methylthiophene), polypyrrole, polyaniline, and other conductive polymers.

陽極2の形成は、通常、スパッタリング法、真空蒸着法等の方法により行われることが多い。
銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極2を形成する場合には、これらの微粒子などを適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板1上に塗布することにより、陽極2を形成することもできる。
導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板1上に薄膜を形成することもできる。
基板1上に導電性高分子を塗布して陽極2を形成することもできる(Appl.Phys.Lett.,60巻,2711頁,1992年)。
The anode 2 is usually formed by a method such as a sputtering method or a vacuum evaporation method.
When forming the anode 2 using metal fine particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, conductive polymer fine powder, etc., these fine particles are mixed with appropriate materials. The anode 2 can also be formed by dispersing it in a binder resin solution and applying it on the substrate 1.
In the case of a conductive polymer, a thin film can also be formed directly on the substrate 1 by electrolytic polymerization.
The anode 2 can also be formed by coating a conductive polymer on the substrate 1 (Appl. Phys. Lett., vol. 60, p. 2711, 1992).

陽極2は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。 The anode 2 usually has a single layer structure, but it can also have a laminated structure made of a plurality of materials if desired.

陽極2の厚みは、必要とする透明性などに応じて適宜選択すればよい。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが好ましい。この場合、陽極2の厚みは、通常5nm以上、好ましくは10nm以上で、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下程度である。不透明でよい場合は、陽極2の厚みは任意である。陽極2の機能を兼ね備えた基板1を用いてもよい。上記の陽極2の上に異なる導電材料を積層することも可能である。 The thickness of the anode 2 may be appropriately selected depending on the required transparency and the like. When transparency is required, the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness of the anode 2 is usually about 5 nm or more, preferably about 10 nm or more, and usually about 1000 nm or less, preferably about 500 nm or less. As long as it is opaque, the thickness of the anode 2 is arbitrary. A substrate 1 having the function of the anode 2 may also be used. It is also possible to laminate different conductive materials on the anode 2 described above.

陽極2に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極2表面を紫外線(UV)/オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。 In order to remove impurities attached to the anode 2, adjust the ionization potential, and improve hole injection properties, the surface of the anode 2 is subjected to ultraviolet (UV)/ozone treatment, oxygen plasma, or argon plasma treatment. It is preferable to do so.

[正孔注入層]
正孔注入層3は、陽極2から発光層5へ正孔を輸送する層である。正孔注入層3を設ける場合は、正孔注入層3は、通常、陽極2上に形成される。
[Hole injection layer]
The hole injection layer 3 is a layer that transports holes from the anode 2 to the light emitting layer 5. When providing the hole injection layer 3, the hole injection layer 3 is usually formed on the anode 2.

正孔注入層3の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はない。正孔注入層3は、ダークスポット低減の観点から湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔注入層3の膜厚は、通常5nm以上、好ましくは10nm以上で、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下の範囲である。
The method for forming the hole injection layer 3 may be a vacuum evaporation method or a wet film formation method, and is not particularly limited. The hole injection layer 3 is preferably formed by a wet film formation method from the viewpoint of reducing dark spots.
The thickness of the hole injection layer 3 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 1000 nm or less, preferably 500 nm or less.

(正孔輸送材料)
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層3の構成材料として正孔輸送材料及び溶剤を含有する。
(hole transport material)
The composition for forming a hole injection layer usually contains a hole transport material and a solvent as constituent materials of the hole injection layer 3.

正孔輸送材料は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層3に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。 The hole transport material is usually a compound having a hole transport property used in the hole injection layer 3 of an organic electroluminescent device, even if it is a polymer compound such as a polymer, or a monomer, etc. It may be a low-molecular compound, but a high-molecular compound is preferable.

正孔輸送材料としては、陽極2から正孔注入層3への電荷注入障壁の観点から4.5eV~6.0eVのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送材料の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で3級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。 As the hole transport material, a compound having an ionization potential of 4.5 eV to 6.0 eV is preferable from the viewpoint of a charge injection barrier from the anode 2 to the hole injection layer 3. Examples of hole transport materials include aromatic amine derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oligothiophene derivatives, polythiophene derivatives, benzylphenyl derivatives, compounds in which tertiary amines are linked with fluorene groups, hydrazone derivatives, silazane derivatives, and silanamine derivatives. , phosphamine derivatives, quinacridone derivatives, polyaniline derivatives, polypyrrole derivatives, polyphenylene vinylene derivatives, polythienylene vinylene derivatives, polyquinoline derivatives, polyquinoxaline derivatives, carbon, and the like.

本発明において誘導体とは、例えば芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香族アミンそのもの及び芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。 In the present invention, the derivative includes, for example, an aromatic amine derivative, the aromatic amine itself and a compound having an aromatic amine as its main skeleton, and even if it is a polymer, it may be a monomer. There may be.

正孔注入層3の材料として用いられる正孔輸送材料は、このような化合物のうち何れか1種を単独で含有していてもよく、2種以上を含有していてもよい。2種以上の正孔輸送材料を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物1種又は2種以上と、その他の正孔輸送材料1種又は2種以上とを併用することが好ましい。 The hole transport material used as the material for the hole injection layer 3 may contain any one type of such compounds alone, or may contain two or more types of such compounds. When containing two or more hole transport materials, the combination is arbitrary, but one or more aromatic tertiary amine polymer compounds and one or two or more other hole transport materials are used. It is preferable to use them together.

正孔輸送材料としては、上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。 Among the above-mentioned examples, aromatic amine compounds are preferable as the hole transport material, and aromatic tertiary amine compounds are particularly preferable from the viewpoint of amorphous property and visible light transmittance. The aromatic tertiary amine compound is a compound having an aromatic tertiary amine structure, and also includes a compound having a group derived from an aromatic tertiary amine.

芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が1000以上、1000000以下の高分子化合物(繰り返し単位が連なる重合型化合物)がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式(1)又は下記式(11)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。 The type of aromatic tertiary amine compound is not particularly limited, but from the viewpoint of uniform light emission due to the surface smoothing effect, polymer compounds (polymerized compounds with repeating units) having a weight average molecular weight of 1,000 or more and 1,000,000 or less are preferred. preferable. Preferred examples of aromatic tertiary amine polymer compounds include polymer compounds having repeating units represented by the following formula (1) or the following formula (11).

Figure 0007415917000001
Figure 0007415917000001

(式(1)中、
Arは、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、
Arは、置換基を有していてもよい、二価の芳香族炭化水素基又は二価の芳香族複素環基、若しくは、該芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が、直接又は連結基を介して、複数個連結した二価の基を表す。)
(In formula (1),
Ar 3 represents an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group, which may have a substituent,
Ar 4 is a divalent aromatic hydrocarbon group or a divalent aromatic heterocyclic group which may have a substituent, or the aromatic hydrocarbon group and the aromatic heterocyclic group are directly or Represents a divalent group in which multiple groups are connected via a linking group. )

前記式(1)において、芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が、連結基を介して複数個連結したものである場合の連結基は、二価の連結基であり、例えば-O-基、-C(=O)-基及び(置換基を有していていてもよい)-CH-基から選ばれる基を任意の順番で1~30個、好ましくは1~5個、更に好ましくは1~3個連結してなる基が挙げられる。
連結基の中では、発光層への正孔注入に優れる点で、式(1)中のArが、下記式(2)で表される連結基を介して複数個連結された芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることが好ましい。
In the above formula (1), when a plurality of aromatic hydrocarbon groups and aromatic heterocyclic groups are connected via a connecting group, the connecting group is a divalent connecting group, for example -O- 1 to 30, preferably 1 to 5, groups selected from a group, a -C(=O)- group, and a -CH 2 - group (which may have a substituent) in any order, and further Preferably, a group formed by linking 1 to 3 groups is mentioned.
Among the linking groups, aromatic carbide in which a plurality of Ar 4 's in formula (1) are linked via a linking group represented by the following formula (2) is superior in hole injection into the light emitting layer. A hydrogen group or an aromatic heterocyclic group is preferred.

Figure 0007415917000002
Figure 0007415917000002

(式(2)中、
dは1~10の整数を表し、
及びRは、各々独立して、水素原子又は置換基を有していてもよい、アルキル基、芳香族炭化水素基、又は芳香族複素環基を表す。
、Rが複数個存在する場合、同じであっても異なっていてもよい。)
(In formula (2),
d represents an integer from 1 to 10,
R 8 and R 9 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, an aromatic hydrocarbon group, or an aromatic heterocyclic group which may have a substituent.
When a plurality of R 8 and R 9 are present, they may be the same or different. )

Figure 0007415917000003
Figure 0007415917000003

上記式(11)中、j、k、l、m、n、pは、各々独立に、0以上の整数を表す。但し、l+m≧1である。Ar11、Ar12、Ar14は、それぞれ独立に、置換基を有していても良い炭素数30以下の2価の芳香環基を表す。Ar13は、置換基を有していても良い炭素数30以下の2価の芳香環基または下記式(12)で表される2価の基を表し、Q11、Q12は、各々独立に、酸素原子、硫黄原子、置換基を有していても良い炭素数6以下の炭化水素鎖を表し、S~Sは、各々独立に、下記式(13)で表される基で表される。
なお、ここでいう芳香環基とは、芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基のことを言う。
In the above formula (11), j, k, l, m, n, and p each independently represent an integer of 0 or more. However, l+m≧1. Ar 11 , Ar 12 and Ar 14 each independently represent a divalent aromatic ring group having 30 or less carbon atoms which may have a substituent. Ar 13 represents a divalent aromatic ring group having 30 or less carbon atoms which may have a substituent or a divalent group represented by the following formula (12), and Q 11 and Q 12 are each independently represents a hydrocarbon chain having 6 or less carbon atoms which may have an oxygen atom, a sulfur atom, and a substituent, and S 1 to S 4 are each independently a group represented by the following formula (13). expressed.
In addition, the aromatic ring group here refers to an aromatic hydrocarbon ring group and an aromatic heterocyclic group.

Ar11、Ar12、Ar14の芳香環基の例としては、単環、2~6縮合環又はこれらの芳香族環が2つ以上連結した基が挙げられる。単環又は2~6縮合環の芳香環基の具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環、ビフェニル基、ターフェニル基、クアテルフェニル基、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環もしくはアズレン環由来の2価の基が挙げられる。中でも負電荷を効率良く非局在化すること、安定性、耐熱性に優れることから、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、ピリジン環もしくはカルバゾール環由来の2価の基またはビフェニル基が好ましい。
Ar13の芳香環基の例としては、Ar11、Ar12、Ar14の場合と同様である。
Examples of the aromatic ring group for Ar 11 , Ar 12 and Ar 14 include a monocyclic ring, 2 to 6 condensed rings, or a group in which two or more of these aromatic rings are connected. Specific examples of monocyclic or 2-6 fused ring aromatic ring groups include benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, acenaphthene ring. , fluoranthene ring, fluorene ring, biphenyl group, terphenyl group, quaterphenyl group, furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring, thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzisoxazole ring, benzisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, Divalent groups derived from a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a triazine ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a shinoline ring, a quinoxaline ring, a phenanthridine ring, a benzimidazole ring, a perimidine ring, a quinazoline ring, a quinazolinone ring, or an azulene ring. . Among these, a divalent group derived from a benzene ring, a naphthalene ring, a fluorene ring, a pyridine ring, or a carbazole ring or a biphenyl group are preferred because they efficiently delocalize negative charges and are excellent in stability and heat resistance.
Examples of the aromatic ring group for Ar 13 are the same as those for Ar 11 , Ar 12 , and Ar 14 .

Figure 0007415917000004
Figure 0007415917000004

上記式(12)中、R11は、アルキル基、芳香環基または炭素数40以下のアルキル基と芳香環基からなる3価の基を表し、これらは置換基を有していても良い。R12は、アルキル基、芳香環基または炭素数40以下のアルキル基と芳香環基からなる2価の基を表し、これらは置換基を有していても良い。Ar31は、1価の芳香環基、又は1価の架橋基を表し、これらの基は置換基を有していても良い。qは1~4を表す。qが2以上の場合、複数のR12は同一であっても異なっていてもよく、複数のAr31は同一であっても異なっていてもよい。アスタリスク(*)は式(11)の窒素原子との結合手を示す。In the above formula (12), R 11 represents an alkyl group, an aromatic ring group, or a trivalent group consisting of an alkyl group having 40 or less carbon atoms and an aromatic ring group, and these may have a substituent. R 12 represents an alkyl group, an aromatic ring group, or a divalent group consisting of an alkyl group having 40 or less carbon atoms and an aromatic ring group, and these may have a substituent. Ar 31 represents a monovalent aromatic ring group or a monovalent crosslinking group, and these groups may have a substituent. q represents 1 to 4. When q is 2 or more, a plurality of R 12s may be the same or different, and a plurality of Ar 31s may be the same or different. The asterisk (*) indicates the bond with the nitrogen atom in formula (11).

11の芳香環基としては、炭素数3以上30以下の単環又は縮合環である芳香環基1つであるか、又はそれらが2~6連結した基が好ましく、具体例としては、ベンゼン環、フルオレン環、ナフタレン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環及びこれらが2~6連結した基由来の3価の基が挙げられる。
11のアルキル基としては、炭素数1以上12以下の直鎖、分岐、又は環を含むアルキル基が好ましく、具体例としては、メタン、エタン、プロパン、イソプロパン、ブタン、イソブタン、ペンタン、ヘキサン、オクタン由来の基等が挙げられる。
11の炭素数40以下のアルキル基と芳香環基からなる基としては、好ましくは炭素数1以上12以下の直鎖、分岐、又は環を含むアルキル基と、炭素数3以上30以下の単環又は縮合環である芳香環基1つ又は2~6連結した基とが連結した基が挙げられる。
The aromatic ring group for R 11 is preferably one monocyclic or condensed aromatic ring group having 3 or more and 30 or less carbon atoms, or a group in which 2 to 6 of these are linked. Specific examples include benzene. trivalent groups derived from rings, fluorene rings, naphthalene rings, carbazole rings, dibenzofuran rings, dibenzothiophene rings, and groups in which 2 to 6 of these are linked.
The alkyl group for R11 is preferably a linear, branched, or ring-containing alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and specific examples include methane, ethane, propane, isopropane, butane, isobutane, pentane, and hexane. , groups derived from octane, and the like.
The group consisting of an alkyl group having 40 or less carbon atoms and an aromatic ring group for R11 is preferably a straight chain, branched, or ring-containing alkyl group having 1 or more carbon atoms and 12 or less carbon atoms, and a monomer group having 3 or more carbon atoms and 30 or less carbon atoms. Examples include a group in which one ring or fused ring aromatic ring group or 2 to 6 linked groups are connected.

12の芳香環基の具体例としては、ベンゼン環、フルオレン環、ナフタレン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環及びこれらが連結した炭素数30以下の連結環由来の2価の基が挙げられる。
12のアルキル基の具体例としては、メタン、エタン、プロパン、イソプロパン、ブタン、イソブタン、ペンタン、ヘキサン、オクタン由来の2価の基等が挙げられる。
Specific examples of the aromatic ring group for R12 include a benzene ring, a fluorene ring, a naphthalene ring, a carbazole ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, and a divalent group derived from a connecting ring having 30 or less carbon atoms. It will be done.
Specific examples of the alkyl group for R 12 include divalent groups derived from methane, ethane, propane, isopropane, butane, isobutane, pentane, hexane, and octane.

Ar31の芳香環基の具体例としては、ベンゼン環、フルオレン環、ナフタレン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環及びこれらが連結した炭素数30以下の連結環由来の1価の基が挙げられる。Specific examples of the aromatic ring group of Ar 31 include monovalent groups derived from benzene rings, fluorene rings, naphthalene rings, carbazole rings, dibenzofuran rings, dibenzothiophene rings, and connecting rings having 30 or less carbon atoms. It will be done.

式(12)の好ましい構造の例としては以下の構造が挙げられ、R11の部分構造である下記構造における主鎖のベンゼン環またはフルオレン環はさらに置換基を有していてもよい。Examples of preferable structures of formula (12) include the following structures, and the main chain benzene ring or fluorene ring in the structure below, which is a partial structure of R 11 , may further have a substituent.

Figure 0007415917000005
Figure 0007415917000005

Ar31の架橋基の例としては、ベンゾシクロブテン環、ナフトシクロブテン環またはオキセタン環由来の基、ビニル基、アクリル基等が挙げられる。化合物の安定性からベンゾシクロブテン環またはナフトシクロブテン環由来の基が好ましい。Examples of the bridging group for Ar 31 include a group derived from a benzocyclobutene ring, a naphthocyclobutene ring, or an oxetane ring, a vinyl group, an acrylic group, and the like. In view of the stability of the compound, a group derived from a benzocyclobutene ring or a naphthocyclobutene ring is preferred.

Figure 0007415917000006
Figure 0007415917000006

上記式(13)中、x,yは、0以上の整数を表す。Ar21、Ar23は、それぞれ独立に、2価の芳香環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ar22は置換基を有していても良い1価の芳香環基を表し、R13は、アルキル基、芳香環基、またはアルキル基と芳香環基からなる2価の基を表し、これらは置換基を有していても良い。Ar32は1価の芳香環基又は1価の架橋基を表し、これらの基は置換基を有していても良い。アスタリスク(*)は式(11)の窒素原子との結合手を示す。In the above formula (13), x and y represent integers of 0 or more. Ar 21 and Ar 23 each independently represent a divalent aromatic ring group, and these groups may have a substituent. Ar 22 represents a monovalent aromatic ring group which may have a substituent, R 13 represents an alkyl group, an aromatic ring group, or a divalent group consisting of an alkyl group and an aromatic ring group; It may have a substituent. Ar 32 represents a monovalent aromatic ring group or a monovalent crosslinking group, and these groups may have a substituent. The asterisk (*) indicates the bond with the nitrogen atom in formula (11).

Ar21、Ar23の芳香環基の例としては、Ar11、Ar12、Ar14の場合と同様である。Examples of the aromatic ring group for Ar 21 and Ar 23 are the same as those for Ar 11 , Ar 12 and Ar 14 .

Ar22、Ar32の芳香環基の例としては、単環、2~6縮合環又はこれらの芳香族環が2つ以上連結した基が挙げられる。具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環、ビフェニル基、ターフェニル基、クアテルフェニル基、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環もしくはアズレン環由来の1価の基が挙げられる。中でも負電荷を効率良く非局在化すること、安定性、耐熱性に優れることから、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、ピリジン環もしくはカルバゾール環由来の1価の基またはビフェニル基が好ましい。Examples of the aromatic ring group for Ar 22 and Ar 32 include a monocyclic ring, 2 to 6 condensed rings, or a group in which two or more of these aromatic rings are connected. Specific examples include benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, perylene ring, tetracene ring, pyrene ring, benzpyrene ring, chrysene ring, triphenylene ring, acenaphthene ring, fluoranthene ring, fluorene ring, biphenyl group, and terphenyl group. , quaterphenyl group, furan ring, benzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, pyrrole ring, pyrazole ring, imidazole ring, oxadiazole ring, indole ring, carbazole ring, pyrroloimidazole ring, pyrrolopyrazole ring, pyrrolopyrrole ring , thienopyrrole ring, thienothiophene ring, furopyrrole ring, furofuran ring, thienofuran ring, benzisoxazole ring, benziisothiazole ring, benzimidazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline Examples include monovalent groups derived from a ring, a shinoline ring, a quinoxaline ring, a phenanthridine ring, a benzimidazole ring, a perimidine ring, a quinazoline ring, a quinazolinone ring, or an azulene ring. Among these, a monovalent group derived from a benzene ring, a naphthalene ring, a fluorene ring, a pyridine ring, or a carbazole ring or a biphenyl group are preferred because they efficiently delocalize negative charges and are excellent in stability and heat resistance.

13のアルキル基または芳香環基の例としては、R12と同様である。Examples of the alkyl group or aromatic ring group for R 13 are the same as those for R 12 .

Ar32の架橋基は特に限定しないが、好ましい例としては、ベンゾシクロブテン環、ナフトシクロブテン環もしくはオキセタン環由来の基、ビニル基、アクリル基等が挙げられる。The crosslinking group for Ar 32 is not particularly limited, but preferable examples include a group derived from a benzocyclobutene ring, a naphthocyclobutene ring, or an oxetane ring, a vinyl group, an acrylic group, and the like.

上記Ar11~Ar14、R11~R13、Ar21~Ar23、Ar31~Ar32、Q11、Q12はいずれも、本発明の趣旨に反しない限りにおいて、更に置換基を有していても良い。置換基の分子量としては、400以下が好ましく、中でも250以下がより好ましい。置換基の種類は特に制限されないが、例としては、下記の置換基群Wから選ばれる1種又は2種以上が挙げられる。Each of the above Ar 11 to Ar 14 , R 11 to R 13 , Ar 21 to Ar 23 , Ar 31 to Ar 32 , Q 11 , and Q 12 further has a substituent as long as it does not go against the spirit of the present invention. You can leave it there. The molecular weight of the substituent is preferably 400 or less, and more preferably 250 or less. The types of substituents are not particularly limited, but examples include one or more types selected from the following substituent group W.

[置換基群W]
メチル基、エチル基等の、炭素数が1以上、好ましくは10以下、さらに好ましくは8以下のアルキル基;ビニル基等の、炭素数が2以上、好ましくは11以下、さらに好ましくは5以下のアルケニル基;エチニル基等の、炭素数が2以上、好ましくは11以下、さらに好ましくは5以下のアルキニル基;メトキシ基、エトキシ基等の、炭素数が1以上、好ましくは10以下、さらに好ましくは6以下のアルコキシ基;フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基等の、炭素数が4以上、好ましくは5以上、好ましくは25以下、さらに好ましくは14以下のアリールオキシ基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、炭素数が2以上、好ましくは11以下、さらに好ましくは7以下のアルコキシカルボニル基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の、炭素数が2以上、好ましくは20以下、さらに好ましくは12以下のジアルキルアミノ基;ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、N-カルバゾリル基等の、炭素数が10以上、好ましくは12以上、好ましくは30以下、さらに好ましくは22以下のジアリールアミノ基;フェニルメチルアミノ基等の、炭素数が6以上、さらに好ましくは7以上、好ましくは25以下、さらに好ましくは17以下のアリールアルキルアミノ基;アセチル基、ベンゾイル基等の、炭素数が2以上、好ましくは10以下、さらに好ましくは7以下のアシル基;フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子;トリフルオロメチル基等の、炭素数が1以上、好ましくは8以下、さらに好ましくは4以下のハロアルキル基;メチルチオ基、エチルチオ基等の、炭素数が1以上、好ましくは10以下、さらに好ましくは6以下のアルキルチオ基;フェニルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ基等の、炭素数が4以上、好ましくは5以上、好ましくは25以下、さらに好ましくは14以下のアリールチオ基;トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等の、炭素数が2以上、好ましくは3以上、好ましくは33以下、さらに好ましくは26以下のシリル基;トリメチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基等の、炭素数が2以上、好ましくは3以上、好ましくは33以下、さらに好ましくは26以下のシロキシ基;シアノ基;フェニル基、ナフチル基等の、炭素数が6以上、好ましくは30以下、さらに好ましくは18以下の芳香族炭化水素基;チエニル基、ピリジル基等の、炭素数が3以上、好ましくは4以上、好ましくは28以下、さらに好ましくは17以下の芳香族複素環基。
[Substituent group W]
Alkyl groups having 1 or more carbon atoms, preferably 10 or less, and more preferably 8 or less, such as methyl and ethyl groups; Alkyl groups having 2 or more carbon atoms, preferably 11 or less, and more preferably 5 or less, such as vinyl groups; Alkenyl group; an alkynyl group having 2 or more carbon atoms, preferably 11 or less, more preferably 5 or less, such as an ethynyl group; a methoxy group, an ethoxy group, etc. having 1 or more carbon atoms, preferably 10 or less, more preferably Alkoxy group of 6 or less; aryloxy group having 4 or more carbon atoms, preferably 5 or more, preferably 25 or less, more preferably 14 or less, such as phenoxy group, naphthoxy group, pyridyloxy group; methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group an alkoxycarbonyl group having 2 or more carbon atoms, preferably 11 or less, more preferably 7 or less; such as a dimethylamino group, diethylamino group, etc. having 2 or more carbon atoms, preferably 20 or less, more preferably 12 or less dialkylamino group; diarylamino group having 10 or more carbon atoms, preferably 12 or more, preferably 30 or less, more preferably 22 or less carbon atoms, such as diphenylamino group, ditolylamino group, N-carbazolyl group; phenylmethylamino group, etc. An arylalkylamino group having 6 or more carbon atoms, more preferably 7 or more, preferably 25 or less, still more preferably 17 or less; an acetyl group, a benzoyl group, etc. having 2 or more carbon atoms, preferably 10 or less, and Acyl group preferably having 7 or less; halogen atom such as fluorine atom or chlorine atom; haloalkyl group having 1 or more carbon atoms, preferably 8 or less, and more preferably 4 or less carbon atoms such as trifluoromethyl group; methylthio group, ethylthio group Alkylthio groups having 1 or more carbon atoms, preferably 10 or less, more preferably 6 or less carbon atoms, such as; phenylthio groups, naphthylthio groups, pyridylthio groups, etc., having 4 or more carbon atoms, preferably 5 or more carbon atoms, preferably 25 or less; More preferably an arylthio group with 14 or less; a silyl group with 2 or more carbon atoms, preferably 3 or more, preferably 33 or less, more preferably 26 or less, such as a trimethylsilyl group or triphenylsilyl group; a trimethylsiloxy group, triphenyl A siloxy group having 2 or more carbon atoms, preferably 3 or more, preferably 33 or less, more preferably 26 or less, such as a siloxy group; a cyano group; a phenyl group, a naphthyl group, etc. having 6 or more carbon atoms, preferably 30 More preferably an aromatic hydrocarbon group having 18 or less carbon atoms; an aromatic heterocyclic group having 3 or more carbon atoms, preferably 4 or more carbon atoms, preferably 28 or less carbon atoms, and more preferably 17 or less carbon atoms, such as a thienyl group or a pyridyl group.

上記置換基群Wのうち、溶解性を向上させる観点からアルキル基又はアルコキシ基が好ましく、電荷輸送性及び安定性の観点から芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基が好ましい。 Among the substituent group W, an alkyl group or an alkoxy group is preferable from the viewpoint of improving solubility, and an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group is preferable from the viewpoint of charge transportability and stability.

特に、式(11)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物の中でも、下記式(14)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が、正孔注入・輸送性が非常に高くなるので好ましい。 In particular, among polymer compounds having repeating units represented by formula (11), those having repeating units represented by formula (14) below have extremely high hole injection and transport properties. preferable.

Figure 0007415917000007
Figure 0007415917000007

上記式(14)中、R21~R25は各々独立に、任意の置換基を表す。R21~R25の置換基の具体例は、前述の[置換基群W]に記載されている置換基と同様である。
s、tは各々独立に、0以上、5以下の整数を表す。
u、v、wは各々独立に、0以上、4以下の整数を表す。
In the above formula (14), R 21 to R 25 each independently represent an arbitrary substituent. Specific examples of the substituents R 21 to R 25 are the same as the substituents described in [Substituent Group W] above.
s and t each independently represent an integer of 0 or more and 5 or less.
u, v, and w each independently represent an integer of 0 or more and 4 or less.

芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式(15)及び/又は式(16)で表される繰り返し単位を含む高分子化合物が挙げられる。 Preferred examples of aromatic tertiary amine polymer compounds include polymer compounds containing repeating units represented by the following formula (15) and/or formula (16).

Figure 0007415917000008
Figure 0007415917000008

上記式(15)、式(16)中、Ar45、Ar47及びAr48は各々独立して、置換基を有していても良い1価の芳香族炭化水素基又は置換基を有していても良い1価の芳香族複素環基を表す。Ar44及びAr46は各々独立して、置換基を有していても良い2価の芳香族炭化水素基、又は置換基を有していても良い2価の芳香族複素環基を表す。R41~R43は各々独立して、水素原子又は任意の置換基を表す。In the above formulas (15) and (16), Ar 45 , Ar 47 and Ar 48 each independently have a monovalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or a substituent. represents a monovalent aromatic heterocyclic group. Ar 44 and Ar 46 each independently represent a divalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent or a divalent aromatic heterocyclic group which may have a substituent. R 41 to R 43 each independently represent a hydrogen atom or an arbitrary substituent.

Ar45、Ar47及びAr48の具体例、好ましい例、有していても良い置換基の例及び好ましい置換基の例は、Ar22と同様であり、Ar44及びAr46の具体例、好ましい例、有していても良い置換基の例及び好ましい置換基の例は、Ar11、Ar12及びAr14と同様である。R41~R43として好ましくは、水素原子又は前述の[置換基群W]に記載されている置換基であり、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基である。Specific examples, preferred examples, examples of optional substituents, and preferred examples of Ar 45 , Ar 47 and Ar 48 are the same as those for Ar 22 , and specific examples and preferred examples of Ar 44 and Ar 46 are as follows. Examples, examples of substituents that may be present, and examples of preferable substituents are the same as those for Ar 11 , Ar 12 and Ar 14 . R 41 to R 43 are preferably a hydrogen atom or a substituent listed in the above-mentioned [substituent group W], and more preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an amino group, an aromatic hydrocarbon group or aromatic heterocyclic group.

以下に、本発明において適用可能な、式(15)、式(16)で表される繰り返し単位の好ましい具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Preferred specific examples of repeating units represented by formula (15) and formula (16) applicable to the present invention are listed below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 0007415917000009
Figure 0007415917000009

(電子受容性化合物)
正孔注入層形成用組成物は、正孔注入層3の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。
(electron-accepting compound)
It is preferable that the composition for forming a hole injection layer contains an electron-accepting compound as a constituent material of the hole injection layer 3.

電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送材料から1電子受容する能力を有する化合物が好ましい。具体的には、電子受容性化合物としては、電子親和力が4.0eV以上である化合物が好ましく、5.0eV以上の化合物がさらに好ましい。 The electron-accepting compound is preferably a compound that has oxidizing power and has the ability to accept one electron from the above-mentioned hole-transporting material. Specifically, as the electron-accepting compound, a compound having an electron affinity of 4.0 eV or more is preferable, and a compound having an electron affinity of 5.0 eV or more is more preferable.

このような電子受容性化合物としては、例えばトリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる1種又は2種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、電子受容性化合物としては、4-イソプロピル-4’-メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩(国際公開2005/089024号、国際公開2017/164268号);塩化鉄(III)(特開平11-251067号公報)、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物;テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン(特開2003-31365号公報)等の芳香族ホウ素化合物;フラーレン誘導体;ヨウ素;ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン等が挙げられる。 Examples of such electron-accepting compounds include triarylboron compounds, metal halides, Lewis acids, organic acids, onium salts, salts of arylamines and metal halides, and salts of arylamines and Lewis acids. Examples include one or more compounds selected from the following. More specifically, as electron-accepting compounds, onium salts substituted with organic groups (International Publication 2005/089024, International Publication No. 2017/164268); high-valent inorganic compounds such as iron(III) chloride (JP 11-251067), ammonium peroxodisulfate; cyano compounds such as tetracyanoethylene, tris( Examples include aromatic boron compounds such as (pentafluorophenyl)borane (JP 2003-31365A); fullerene derivatives; iodine; sulfonate ions such as polystyrene sulfonate ion, alkylbenzene sulfonate ion, and camphor sulfonate ion.

電子受容性化合物は、正孔輸送材料を酸化することにより正孔注入層3の導電率を向上させることができる。 The electron-accepting compound can improve the electrical conductivity of the hole-injecting layer 3 by oxidizing the hole-transporting material.

(その他の構成材料)
正孔注入層3の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送材料や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。
(Other constituent materials)
In addition to the hole transport material and electron-accepting compound described above, the material for the hole injection layer 3 may contain other components as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.

(溶剤)
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶剤のうち少なくとも1種は、上述の正孔注入層3の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。
(solvent)
It is preferable that at least one of the solvents in the composition for forming a hole injection layer used in the wet film forming method is a compound that can dissolve the constituent material of the hole injection layer 3 described above.

正孔注入層形成用組成物が本発明の組成物である場合は、溶剤は本発明の前記第1溶媒と前記第2溶媒である。 When the composition for forming a hole injection layer is the composition of the present invention, the solvents are the first solvent and the second solvent of the present invention.

溶剤として例えばエーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。 Examples of the solvent include ether solvents, ester solvents, aromatic hydrocarbon solvents, and amide solvents.

エーテル系溶剤としては、例えばエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール-1-モノメチルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エーテル;1,2-ジメトキシベンゼン、1,3-ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、2-メトキシトルエン、3-メトキシトルエン、4-メトキシトルエン、2,3-ジメチルアニソール、2,4-ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等が挙げられる。 Examples of ether solvents include aliphatic ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and propylene glycol-1-monomethyl ether acetate (PGMEA); 1,2-dimethoxybenzene, 1,3-dimethoxybenzene, anisole, Aromatic ethers such as phenetol, 2-methoxytoluene, 3-methoxytoluene, 4-methoxytoluene, 2,3-dimethylanisole, 2,4-dimethylanisole, and the like can be mentioned.

エステル系溶剤としては、例えば酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n-ブチル等の芳香族エステル等が挙げられる。 Examples of the ester solvent include aromatic esters such as phenyl acetate, phenyl propionate, methyl benzoate, ethyl benzoate, propyl benzoate, and n-butyl benzoate.

芳香族炭化水素系溶剤としては、例えばトルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、3-イソプロピルビフェニル、1,2,3,4-テトラメチルベンゼン、1,4-ジイソプロピルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。 Examples of the aromatic hydrocarbon solvent include toluene, xylene, cyclohexylbenzene, 3-isopropylbiphenyl, 1,2,3,4-tetramethylbenzene, 1,4-diisopropylbenzene, and methylnaphthalene.

アミド系溶剤としては、例えばN,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド等が挙げられる。
その他、ジメチルスルホキシド等も用いることができる。
中でも好ましくは、芳香族エステル、芳香族エーテルである。
Examples of the amide solvent include N,N-dimethylformamide and N,N-dimethylacetamide.
In addition, dimethyl sulfoxide and the like can also be used.
Among them, aromatic esters and aromatic ethers are preferred.

これらの溶剤は1種類を単独で用いてもよく、また2種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。 One type of these solvents may be used alone, or two or more types may be used in any combination and ratio.

正孔注入層形成用組成物中の正孔輸送材料の濃度は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。正孔注入層形成用組成物中の正孔輸送材料の濃度は、膜厚の均一性の点から、好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.5重量%以上である。正孔注入層形成用組成物中の正孔輸送材料の濃度は、好ましくは70重量%以下、より好ましくは60重量%以下、さらに好ましくは50重量%以下である。この濃度は、膜厚ムラが生じ難い点では小さいことが好ましい。また、この濃度は、成膜された正孔注入層に欠陥が生じ難い点では大きいことが好ましい。 The concentration of the hole transport material in the composition for forming a hole injection layer is arbitrary as long as it does not significantly impair the effects of the present invention. The concentration of the hole transport material in the composition for forming a hole injection layer is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, and even more preferably 0. .5% by weight or more. The concentration of the hole transport material in the composition for forming a hole injection layer is preferably 70% by weight or less, more preferably 60% by weight or less, even more preferably 50% by weight or less. This concentration is preferably small in that film thickness unevenness is less likely to occur. Further, this concentration is preferably large in that defects are less likely to occur in the formed hole injection layer.

(湿式成膜法による正孔注入層の形成)
湿式成膜法により正孔注入層3を形成する場合、通常は、正孔注入層3を構成する材料を適切な溶剤(正孔注入層用溶剤)と混合して成膜用の組成物(正孔注入層形成用組成物)を調製し、この正孔注入層3形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層の下層に該当する層(通常は、陽極2)上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層3を形成する。
(Formation of hole injection layer by wet film formation method)
When forming the hole injection layer 3 by a wet film forming method, the material constituting the hole injection layer 3 is usually mixed with an appropriate solvent (solvent for hole injection layer) to form a film forming composition ( A composition for forming hole injection layer 3 is prepared, and this composition for forming hole injection layer 3 is applied onto a layer corresponding to the lower layer of the hole injection layer (usually anode 2) by an appropriate method. The hole injection layer 3 is formed by forming a film and drying it.

(真空蒸着法による正孔注入層3の形成)
真空蒸着法により正孔注入層3を形成する場合には、例えば以下のようにして正孔輸送層3を形成することができる。正孔注入層3の構成材料(前述の正孔輸送材料、電子受容性化合物等)の1種又は2種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ(2種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ)、真空容器内を適当な真空ポンプで10-4Pa程度まで排気する。この後、るつぼを加熱して(2種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して)、蒸発量を制御して蒸発させ(2種以上の材料を用いる場合は各々独立に蒸発量を制御して蒸発させ)、るつぼと向き合って置かれた基板1の陽極2上に正孔注入層3を形成させる。2種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層3を形成することもできる。
(Formation of hole injection layer 3 by vacuum evaporation method)
When forming the hole injection layer 3 by vacuum evaporation, the hole transport layer 3 can be formed, for example, as follows. One or more of the constituent materials of the hole injection layer 3 (the aforementioned hole transport material, electron-accepting compound, etc.) are placed in a crucible placed in a vacuum container (if two or more materials are used, (into each crucible) and evacuate the inside of the vacuum container to about 10 -4 Pa using an appropriate vacuum pump. After this, the crucible is heated (if two or more materials are used, each crucible is heated) to control the amount of evaporation (if two or more materials are used, the amount of evaporation is controlled independently of each other). (controlled evaporation) to form a hole injection layer 3 on the anode 2 of the substrate 1 placed facing the crucible. When using two or more types of materials, the hole injection layer 3 can also be formed by placing a mixture of them in a crucible, heating and evaporating them.

蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されない。蒸着時の真空度は、通常0.1×10-6Torr(0.13×10-4Pa)以上、9.0×10-6Torr(12.0×-4Pa)以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されない。蒸着速度は、通常0.1Å/秒以上、5.0Å/秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されない。蒸着時の成膜温度は、好ましくは10℃以上、50℃以下で行われる。The degree of vacuum during vapor deposition is not limited as long as it does not significantly impair the effects of the present invention. The degree of vacuum during vapor deposition is usually 0.1×10 −6 Torr (0.13×10 −4 Pa) or more and 9.0×10 −6 Torr (12.0× −4 Pa) or less. The deposition rate is not limited as long as it does not significantly impair the effects of the present invention. The deposition rate is usually 0.1 Å/sec or more and 5.0 Å/sec or less. The film forming temperature during vapor deposition is not limited as long as it does not significantly impair the effects of the present invention. The film forming temperature during vapor deposition is preferably 10°C or higher and 50°C or lower.

[正孔輸送層]
正孔輸送層4は、陽極2から発光層5へ輸送する層である。正孔輸送層4は、本発明の有機電界発光素子に必須の層ではないが、正孔輸送層4を設ける場合は、通常、正孔輸送層4は、正孔注入層3がある場合には正孔注入層3の上に、正孔注入層3が無い場合には陽極2の上に形成する。
[Hole transport layer]
The hole transport layer 4 is a layer that transports from the anode 2 to the light emitting layer 5. The hole transport layer 4 is not an essential layer for the organic electroluminescent device of the present invention, but when the hole transport layer 4 is provided, the hole transport layer 4 is usually formed when the hole injection layer 3 is provided. is formed on the hole injection layer 3, or on the anode 2 if there is no hole injection layer 3.

正孔輸送層4の形成方法は、真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はない。正孔輸送層4は、ダークスポット低減の観点から湿式成膜法により形成することが好ましい。 The method for forming the hole transport layer 4 may be a vacuum evaporation method or a wet film formation method, and is not particularly limited. The hole transport layer 4 is preferably formed by a wet film forming method from the viewpoint of reducing dark spots.

正孔輸送層4を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、正孔輸送層4を形成する材料は、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。多くの場合、正孔輸送層4は、発光層5に接するため、発光層5からの発光を消光したり、発光層5との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。 The material forming the hole transport layer 4 is preferably a material that has high hole transport properties and can efficiently transport injected holes. For this reason, the material forming the hole transport layer 4 has a low ionization potential, high transparency to visible light, high hole mobility, and excellent stability, so that impurities that can become traps are eliminated during manufacturing. It is preferable that it is unlikely to occur during use. In many cases, the hole transport layer 4 is in contact with the light-emitting layer 5, so it does not quench the light emitted from the light-emitting layer 5 or form an exciplex with the light-emitting layer 5, thereby reducing efficiency. preferable.

正孔輸送層4の材料としては、従来、正孔輸送層4の構成材料として用いられている材料であればよい。正孔輸送層4の材料としては、例えばアリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。 The material for the hole transport layer 4 may be any material that has been conventionally used as a constituent material for the hole transport layer 4. Examples of materials for the hole transport layer 4 include arylamine derivatives, fluorene derivatives, spiro derivatives, carbazole derivatives, pyridine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, triazine derivatives, quinoline derivatives, phenanthroline derivatives, phthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, and silole derivatives. , oligothiophene derivatives, fused polycyclic aromatic derivatives, metal complexes, and the like.

正孔輸送層4の材料としては、例えばポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ(p-フェニレンビニレン)誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が3つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。 Examples of materials for the hole transport layer 4 include polyvinylcarbazole derivatives, polyarylamine derivatives, polyvinyltriphenylamine derivatives, polyfluorene derivatives, polyarylene derivatives, polyarylene ether sulfone derivatives containing tetraphenylbenzidine, and polyarylene vinylene. derivatives, polysiloxane derivatives, polythiophene derivatives, poly(p-phenylenevinylene) derivatives and the like. These may be alternating copolymers, random polymers, block polymers or graft copolymers. It may also be a polymer whose main chain is branched and has three or more terminal parts, or a so-called dendrimer.

中でも、正孔輸送層4の材料としては、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
ポリアリールアミン誘導体及びポリアリーレン誘導体の具体例等は、特開2008-98619号公報に記載のものなどが挙げられる。
ポリアリールアミン誘導体としては、前記芳香族三級アミン高分子化合物を用いることが好ましい。
Among these, as the material for the hole transport layer 4, polyarylamine derivatives and polyarylene derivatives are preferable.
Specific examples of polyarylamine derivatives and polyarylene derivatives include those described in JP-A No. 2008-98619.
As the polyarylamine derivative, it is preferable to use the aromatic tertiary amine polymer compound described above.

湿式成膜法で正孔輸送層4を形成する場合は、上記正孔注入層3の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、乾燥させる。
正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送材料の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は、上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、乾燥条件等も正孔注入層3の形成の場合と同様である。
正孔輸送層形成用組成物が本発明の組成物である場合は、溶剤は本発明の前記第1溶媒と前記第2溶媒である。
真空蒸着法により正孔輸送層4を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層3の形成の場合と同様である。
When forming the hole transport layer 4 by a wet film forming method, a composition for forming a hole transport layer is prepared in the same manner as in the formation of the hole injection layer 3 described above, and then dried after wet film formation.
The composition for forming a hole transport layer contains a solvent in addition to the hole transport material described above. The solvent used is the same as that used for the hole injection layer forming composition. Further, the film forming conditions, drying conditions, etc. are the same as those for forming the hole injection layer 3.
When the composition for forming a hole transport layer is the composition of the present invention, the solvents are the first solvent and the second solvent of the present invention.
When the hole transport layer 4 is formed by vacuum evaporation, the conditions for forming the film are the same as those for forming the hole injection layer 3 described above.

正孔輸送層4の膜厚は、発光層中の低分子材料の浸み込みや正孔輸送材料の膨潤など要素を考慮し、通常5nm以上、好ましくは10nm以上で、通常300nm以下、好ましくは200nm以下である。 The thickness of the hole transport layer 4 is usually 5 nm or more, preferably 10 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 300 nm or more, taking into consideration factors such as penetration of the low-molecular material in the light-emitting layer and swelling of the hole transport material. It is 200 nm or less.

[発光層]
発光層5は、電界を与えられた電極間において、陽極2から注入された正孔と、陰極9から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。発光層5は、通常、正孔輸送層4がある場合には正孔輸送層4の上に、正孔輸送層4が無く、正孔注入層3がある場合には正孔注入層3の上に、正孔輸送層4も正孔注入層3も無い場合は、陽極2の上に形成する。
[Light-emitting layer]
The light emitting layer 5 is a layer that is excited by recombination of holes injected from the anode 2 and electrons injected from the cathode 9 between the electrodes to which an electric field is applied, and becomes a main light emission source. Generally, the light-emitting layer 5 is on the hole-transporting layer 4 when there is the hole-transporting layer 4, and on the hole-injecting layer 3 when there is no hole-transporting layer 4 and when there is the hole-injecting layer 3. If neither the hole transport layer 4 nor the hole injection layer 3 is present on the anode 2, it is formed on the anode 2.

<発光層用材料>
発光層用材料は、通常、発光材料とホストとなる電荷輸送材料を含む。
<Material for light emitting layer>
The material for the light emitting layer usually includes a light emitting material and a charge transport material serving as a host.

<発光材料>
発光材料としては、通常、有機電界発光素子の発光材料として使用されている任意の公知の材料を適用することができ、特に制限はなく、所望の発光波長で発光し、発光効率が良好である物質を用いればよい。発光材料は、蛍光発光材料であってもよく、燐光発光材料であってもよいが、内部量子効率の観点から、好ましくは燐光発光材料である。さらに好ましくは、赤発光材料と緑発光材料は燐光発光材料であり、青発光材料は蛍光発光材料である。
<Light-emitting material>
As the light-emitting material, any known material that is usually used as a light-emitting material for organic electroluminescent devices can be used, and there are no particular limitations, as long as it emits light at a desired emission wavelength and has good luminous efficiency. Just use substances. The luminescent material may be a fluorescent material or a phosphorescent material, but from the viewpoint of internal quantum efficiency, it is preferably a phosphorescent material. More preferably, the red-emitting material and the green-emitting material are phosphorescent materials, and the blue-emitting material is a fluorescent material.

本発明の組成物が発光層形成用組成物である場合、以下の燐光発光材料、蛍光発光材料及び電荷輸送材料を用いることが好ましい。 When the composition of the present invention is a composition for forming a light-emitting layer, it is preferable to use the following phosphorescent materials, fluorescent materials, and charge transport materials.

<燐光発光材料>
燐光発光材料とは、励起三重項状態から発光を示す材料をいう。例えば、Ir、Pt、Euなどを有する金属錯体化合物がその代表例であり、材料の構造として、金属錯体を含むものが好ましい。
<Phosphorescent material>
A phosphorescent material refers to a material that emits light from an excited triplet state. For example, a typical example is a metal complex compound containing Ir, Pt, Eu, etc., and the structure of the material preferably includes a metal complex.

金属錯体の中でも、三重項状態を経由して発光する燐光発光性有機金属錯体として、長周期型周期表(以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。)第7~11族から選ばれる金属を中心金属として含むウェルナー型錯体又は有機金属錯体化合物が挙げられる。このような燐光発光材料としては、例えば、国際公開第2014/024889号、国際公開第2015-087961号、国際公開第2016/194784、特開2014-074000号に記載の燐光発光材料が挙げられる。好ましくは、下記式(201)で表される化合物、又は下記式(205)で表される化合物が好ましく、より好ましくは下記式(201)で表される化合物である。 Among metal complexes, phosphorescent organometallic complexes that emit light via the triplet state are known from the long period periodic table (hereinafter, unless otherwise specified, when we refer to the periodic table, we refer to the long period periodic table). ) Examples include Werner type complexes or organometallic complexes containing a metal selected from Groups 7 to 11 as a central metal. Examples of such phosphorescent materials include the phosphorescent materials described in International Publication No. 2014/024889, International Publication No. 2015-087961, International Publication No. 2016/194784, and JP2014-074000. Preferably, a compound represented by the following formula (201) or a compound represented by the following formula (205) is preferable, and a compound represented by the following formula (201) is more preferable.

Figure 0007415917000010
Figure 0007415917000010

式(201)において、環A1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造又は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
環A2は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
201、R202は各々独立に式(202)で表される構造であり、“*”は環A1又は環A2との結合位置を表す。R201、R202は同じであっても異なっていてもよく、R201、R202がそれぞれ複数存在する場合、それらは同じであっても異なっていてもよい。
In formula (201), ring A1 represents an aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent or an aromatic heterocyclic structure which may have a substituent.
Ring A2 represents an aromatic heterocyclic structure which may have a substituent.
R 201 and R 202 are each independently a structure represented by formula (202), and "*" represents the bonding position with ring A1 or ring A2. R 201 and R 202 may be the same or different, and when a plurality of R 201 and R 202 exist, they may be the same or different.

Ar201、Ar203は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
Ar202は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造、置換基を有していてもよい芳香族複素環構造、又は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素構造を表す。
環A1に結合する置換基同士、環A2に結合する置換基同士、又は環A1に結合する置換基と環A2に結合する置換基同士は、互いに結合して環を形成してもよい。
Ar 201 and Ar 203 each independently represent an aromatic hydrocarbon ring structure that may have a substituent or an aromatic heterocyclic structure that may have a substituent.
Ar 202 is an aromatic hydrocarbon ring structure that may have a substituent, an aromatic heterocyclic structure that may have a substituent, or an aliphatic hydrocarbon structure that may have a substituent. represents.
Substituents bonded to ring A1, substituents bonded to ring A2, or substituents bonded to ring A1 and substituents bonded to ring A2 may bond to each other to form a ring.

201-L200-B202は、アニオン性の2座配位子を表す。B201及びB202は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。L200は、単結合、又は、B201及びB202とともに2座配位子を構成する原子団を表す。B201-L200-B202が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。B 201 -L 200 -B 202 represents an anionic bidentate ligand. B 201 and B 202 each independently represent a carbon atom, an oxygen atom, or a nitrogen atom, and these atoms may be atoms constituting a ring. L 200 represents a single bond or an atomic group that constitutes a bidentate ligand together with B 201 and B 202 . When a plurality of B 201 -L 200 -B 202 exist, they may be the same or different.

なお、式(201)、(202)において、
i1、i2はそれぞれ独立に、0以上12以下の整数を表し、
i3は、Ar202に置換可能な数を上限とする0以上の整数を表し、
i4は、Ar201に置換可能な数を上限とする0以上の整数を表し、
k1及びk2はそれぞれ独立に、環A1、環A2に置換可能な数を上限とする0以上の整数を表し、
zは1~3の整数を表す。
Note that in equations (201) and (202),
i1 and i2 each independently represent an integer between 0 and 12,
i3 represents an integer of 0 or more with an upper limit of the number that can be replaced with Ar 202 ,
i4 represents an integer of 0 or more with an upper limit of the number that can be replaced with Ar 201 ,
k1 and k2 each independently represent an integer of 0 or more with an upper limit of the number that can be substituted in ring A1 and ring A2,
z represents an integer from 1 to 3.

(置換基)
特に断りのない場合、置換基としては、次の置換基群Sから選ばれる基が好ましい。
(substituent)
Unless otherwise specified, the substituent is preferably a group selected from the following substituent group S.

<置換基群S>
・アルキル基、好ましくは炭素数1~20のアルキル基、より好ましくは炭素数1~12のアルキル基、さらに好ましくは炭素数1~8のアルキル基、特に好ましくは炭素数1~6のアルキル基。
・アルコキシ基、好ましくは炭素数1~20のアルコキシ基、より好ましくは炭素数1~12のアルコキシ基、さらに好ましくは炭素数1~6のアルコキシ基。
・アリールオキシ基、好ましくは炭素数6~20のアリールオキシ基、より好ましくは炭素数6~14のアリールオキシ基、さらに好ましくは炭素数6~12のアリールオキシ基、特に好ましくは炭素数6のアリールオキシ基。
・ヘテロアリールオキシ基、好ましくは炭素数3~20のヘテロアリールオキシ基、より好ましくは炭素数3~12のヘテロアリールオキシ基。
・アルキルアミノ基、好ましくは炭素数1~20のアルキルアミノ基、より好ましくは炭素数1~12のアルキルアミノ基。
・アリールアミノ基、好ましくは炭素数6~36のアリールアミノ基、より好ましくは炭素数6~24のアリールアミノ基。
・アラルキル基、好ましくは炭素数7~40のアラルキル基、より好ましくは炭素数7~18のアラルキル基、さらに好ましくは炭素数7~12のアラルキル基。
・ヘテロアラルキル基、好ましくは炭素数7~40のヘテロアラルキル基、より好ましくは炭素数7~18のヘテロアラルキル基、
・アルケニル基、好ましくは炭素数2~20のアルケニル基、より好ましくは炭素数2~12のアルケニル基、さらに好ましくは炭素数2~8のアルケニル基、特に好ましくは炭素数2~6のアルケニル基。
・アルキニル基、好ましくは炭素数2~20のアルキニル基、より好ましくは炭素数2~12のアルキニル基。
・アリール基、好ましくは炭素数6~30のアリール基、より好ましくは炭素数6~24のアリール基、さらに好ましくは炭素数6~18のアリール基、特に好ましくは炭素数6~14のアリール基。
・ヘテロアリール基、好ましくは炭素数3~30のヘテロアリール基、より好ましくは炭素数3~24のヘテロアリール基、さらに好ましくは炭素数3~18のヘテロアリール基、特に好ましくは炭素数3~14のヘテロアリール基。
・アルキルシリル基、好ましくはアルキル基の炭素数が1~20であるアルキルシリル基、より好ましくはアルキル基の炭素数が1~12であるアルキルシリル基。
・アリールシリル基、好ましくはアリール基の炭素数が6~20であるアリールシリル基、より好ましくはアリール基の炭素数が6~14であるアリールシリル基。
・アルキルカルボニル基、好ましくは炭素数2~20のアルキルカルボニル基。
・アリールカルボニル基、好ましくは炭素数7~20のアリールカルボニル基。
<Substituent group S>
・Alkyl group, preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, still more preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, particularly preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms .
-Alkoxy group, preferably an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, still more preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms.
-Aryloxy group, preferably an aryloxy group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably an aryloxy group having 6 to 14 carbon atoms, even more preferably an aryloxy group having 6 to 12 carbon atoms, particularly preferably an aryloxy group having 6 to 12 carbon atoms Aryloxy group.
- Heteroaryloxy group, preferably a heteroaryloxy group having 3 to 20 carbon atoms, more preferably a heteroaryloxy group having 3 to 12 carbon atoms.
- An alkylamino group, preferably an alkylamino group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkylamino group having 1 to 12 carbon atoms.
- An arylamino group, preferably an arylamino group having 6 to 36 carbon atoms, more preferably an arylamino group having 6 to 24 carbon atoms.
-Aralkyl group, preferably an aralkyl group having 7 to 40 carbon atoms, more preferably an aralkyl group having 7 to 18 carbon atoms, even more preferably an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms.
・Heteroaralkyl group, preferably a heteroaralkyl group having 7 to 40 carbon atoms, more preferably a heteroaralkyl group having 7 to 18 carbon atoms,
・Alkenyl group, preferably an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, more preferably an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms, still more preferably an alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, particularly preferably an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms .
- An alkynyl group, preferably an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, more preferably an alkynyl group having 2 to 12 carbon atoms.
-Aryl group, preferably an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, more preferably an aryl group having 6 to 24 carbon atoms, still more preferably an aryl group having 6 to 18 carbon atoms, particularly preferably an aryl group having 6 to 14 carbon atoms .
・Heteroaryl group, preferably a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms, more preferably a heteroaryl group having 3 to 24 carbon atoms, still more preferably a heteroaryl group having 3 to 18 carbon atoms, particularly preferably a heteroaryl group having 3 to 30 carbon atoms 14 heteroaryl groups.
- An alkylsilyl group, preferably an alkylsilyl group in which the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkylsilyl group in which the alkyl group has 1 to 12 carbon atoms.
- An arylsilyl group, preferably an arylsilyl group in which the aryl group has 6 to 20 carbon atoms, more preferably an arylsilyl group in which the aryl group has 6 to 14 carbon atoms.
- An alkylcarbonyl group, preferably an alkylcarbonyl group having 2 to 20 carbon atoms.
-Arylcarbonyl group, preferably an arylcarbonyl group having 7 to 20 carbon atoms.

以上の基は一つ以上の水素原子がフッ素原子で置き換えられているか、若しくは1つ以上の水素原子が重水素原子で置き換えらえられていてもよい。
特に断りのない限り、アリールは芳香族炭化水素環であり、ヘテロアリールは芳香族複素環である。
・水素原子、重水素原子、フッ素原子、シアノ基、又は、-SF5。
In the above groups, one or more hydrogen atoms may be replaced with a fluorine atom, or one or more hydrogen atoms may be replaced with a deuterium atom.
Unless otherwise specified, aryl is an aromatic hydrocarbon ring and heteroaryl is an aromatic heterocycle.
-Hydrogen atom, deuterium atom, fluorine atom, cyano group, or -SF5 .

上記置換基群Sのうち、好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキルシリル基、アリールシリル基、及びこれらの基の一つ以上の水素原子がフッ素原子で置き換えられている基、フッ素原子、シアノ基、又は-SFであり、
より好ましくはアルキル基、アリールアミノ基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基であり、及びこれらの基の一つ以上の水素原子がフッ素原子で置き換えられている基、フッ素原子、シアノ基、又は-SFであり、
さらに好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキルシリル基、アリールシリル基であり、
特に好ましくはアルキル基、アリールアミノ基、アラルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基であり、
最も好ましくはアルキル基、アリールアミノ基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基である。
Among the substituent group S, preferred are alkyl groups, alkoxy groups, aryloxy groups, arylamino groups, aralkyl groups, alkenyl groups, aryl groups, heteroaryl groups, alkylsilyl groups, arylsilyl groups, and groups thereof. is a group in which one or more hydrogen atoms of is replaced with a fluorine atom, a fluorine atom, a cyano group, or -SF5 ,
More preferred are alkyl groups, arylamino groups, aralkyl groups, alkenyl groups, aryl groups, and heteroaryl groups, and groups in which one or more hydrogen atoms of these groups are replaced with fluorine atoms, fluorine atoms, cyano group, or -SF5 ,
More preferred are alkyl groups, alkoxy groups, aryloxy groups, arylamino groups, aralkyl groups, alkenyl groups, aryl groups, heteroaryl groups, alkylsilyl groups, and arylsilyl groups,
Particularly preferred are alkyl groups, arylamino groups, aralkyl groups, alkenyl groups, aryl groups, and heteroaryl groups,
Most preferred are alkyl groups, arylamino groups, aralkyl groups, aryl groups, and heteroaryl groups.

これら置換基群Sにはさらに置換基群Sから選ばれる置換基を置換基として有していてもよい。有していてもよい置換基の好ましい基、より好ましい基、さらに好ましい基、特に好ましい基、最も好ましい基は置換基群Sの中の好ましい基と同様である。 These substituent groups S may further have substituents selected from the substituent groups S as substituents. Preferable groups, more preferable groups, still more preferable groups, particularly preferable groups, and most preferable groups of the substituents that may be present are the same as the preferable groups in substituent group S.

(環A1)
環A1は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造又は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
(Ring A1)
Ring A1 represents an aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent or an aromatic heterocyclic structure which may have a substituent.

芳香族炭化水素環としては、好ましくは炭素数6~30の芳香族炭化水素環である。具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、トリフェニリル環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環が好ましい。 The aromatic hydrocarbon ring is preferably an aromatic hydrocarbon ring having 6 to 30 carbon atoms. Specifically, a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a triphenyl ring, an acenaphthene ring, a fluoranthene ring, and a fluorene ring are preferred.

芳香族複素環としては、ヘテロ原子として窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子のいずれかを含む、炭素数3~30の芳香族複素環が好ましい。さらに好ましくは、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環である。
環A1としてより好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環であり、特に好ましくはベンゼン環又はフルオレン環であり、最も好ましくはベンゼン環である。
The aromatic heterocycle is preferably an aromatic heterocycle having 3 to 30 carbon atoms and containing any one of a nitrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom as a heteroatom. More preferred are a furan ring, a benzofuran ring, a thiophene ring, and a benzothiophene ring.
Ring A1 is more preferably a benzene ring, a naphthalene ring, or a fluorene ring, particularly preferably a benzene ring or a fluorene ring, and most preferably a benzene ring.

(環A2)
環A2は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
芳香族複素環としては、好ましくはヘテロ原子として窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子のいずれかを含む、炭素数3~30の芳香族複素環である。具体的には、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾイミダゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環、ナフチリジン環、フェナントリジン環が挙げられ、好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環であり、より好ましくは、ピリジン環、イミダゾール環、ベンゾチアゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環であり、最も好ましくは、ピリジン環、イミダゾール環、ベンゾチアゾール環、キノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環である。
(Ring A2)
Ring A2 represents an aromatic heterocyclic structure which may have a substituent.
The aromatic heterocycle is preferably an aromatic heterocycle having 3 to 30 carbon atoms and containing any one of a nitrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom as a heteroatom. Specifically, pyridine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, imidazole ring, oxazole ring, thiazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, benzimidazole ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, Examples include naphthyridine ring and phenanthridine ring, preferably pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, imidazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinoxaline ring, and quinazoline ring, and more preferably is a pyridine ring, an imidazole ring, a benzothiazole ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a quinoxaline ring, or a quinazoline ring, most preferably a pyridine ring, an imidazole ring, a benzothiazole ring, a quinoline ring, a quinoxaline ring, or a quinazoline ring. .

(環A1と環A2との組み合わせ)
環A1と環A2の好ましい組み合せとしては、(環A1-環A2)と表記すると、(ベンゼン環-ピリジン環)、(ベンゼン環-キノリン環)、(ベンゼン環-キノキサリン環)、(ベンゼン環-キナゾリン環)、(ベンゼン環-ベンゾチアゾール環)、(ベンゼン環-イミダゾール環)、(ベンゼン環-ピロール環)、(ベンゼン環-ジアゾール環)、及び(ベンゼン環-チオフェン環)である。
(Combination of ring A1 and ring A2)
Preferred combinations of ring A1 and ring A2, expressed as (ring A1-ring A2), are (benzene ring-pyridine ring), (benzene ring-quinoline ring), (benzene ring-quinoxaline ring), (benzene ring- (quinazoline ring), (benzene ring-benzothiazole ring), (benzene ring-imidazole ring), (benzene ring-pyrrole ring), (benzene ring-diazole ring), and (benzene ring-thiophene ring).

(環A1、環A2の置換基)
環A1、環A2が有していてもよい置換基は任意に選択できるが、好ましくは前記置換基群Sから選ばれる1種又は複数種の置換基である。
(Substituents on ring A1 and ring A2)
The substituents that ring A1 and ring A2 may have can be arbitrarily selected, but are preferably one or more substituents selected from the above substituent group S.

(Ar201、Ar202、Ar203
Ar201、Ar203は、各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造、又は置換基を有していてもよい芳香族複素環構造を表す。
Ar202は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造、置換基を有していてもよい芳香族複素環構造、又は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素構造を表す。
(Ar 201 , Ar 202 , Ar 203 )
Ar 201 and Ar 203 each independently represent an aromatic hydrocarbon ring structure that may have a substituent or an aromatic heterocyclic structure that may have a substituent.
Ar 202 is an aromatic hydrocarbon ring structure that may have a substituent, an aromatic heterocyclic structure that may have a substituent, or an aliphatic hydrocarbon structure that may have a substituent. represents.

Ar201、Ar202、Ar203のいずれかが置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環構造である場合、該芳香族炭化水素環構造としては、好ましくは炭素数6~30の芳香族炭化水素環である。具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、トリフェニリル環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環が好ましく、より好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環が好ましく、最も好ましくはベンゼン環である。When any of Ar 201 , Ar 202 , and Ar 203 is an aromatic hydrocarbon ring structure which may have a substituent, the aromatic hydrocarbon ring structure is preferably an aromatic hydrocarbon ring structure having 6 to 30 carbon atoms. It is a group hydrocarbon ring. Specifically, a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a triphenyl ring, an acenaphthene ring, a fluoranthene ring, and a fluorene ring are preferred, a benzene ring, a naphthalene ring, and a fluorene ring are more preferred, and a benzene ring is most preferred.

Ar201、Ar202のいずれかが置換基を有していてもよいベンゼン環である場合、少なくとも一つのベンゼン環がオルト位又はメタ位で隣接する構造と結合していることが好ましく、少なくとも一つのベンゼン環がメタ位で隣接する構造と結合していることがより好ましい。When either Ar 201 or Ar 202 is a benzene ring which may have a substituent, it is preferable that at least one benzene ring is bonded to an adjacent structure at the ortho or meta position, and at least one More preferably, two benzene rings are bonded to adjacent structures at meta positions.

Ar201、Ar202、Ar203のいずれかが置換基を有していてもよいフルオレン環である場合、フルオレン環の9位及び9’位は、置換基を有するか又は隣接する構造と結合していることが好ましい。When any of Ar 201 , Ar 202 , and Ar 203 is a fluorene ring that may have a substituent, the 9- and 9'-positions of the fluorene ring have a substituent or are bonded to an adjacent structure. It is preferable that

Ar201、Ar202、Ar203のいずれかが置換基を有していてもよい芳香族複素環構造である場合、芳香族複素環構造としては、好ましくはヘテロ原子として窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子のいずれかを含む、炭素数3~30の芳香族複素環であり、具体的には、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾイミダゾール環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環、ナフチリジン環、フェナントリジン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環が挙げられ、好ましくは、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環である。When any of Ar 201 , Ar 202 , and Ar 203 is an aromatic heterocyclic structure which may have a substituent, the aromatic heterocyclic structure preferably contains a nitrogen atom, an oxygen atom, or An aromatic heterocycle having 3 to 30 carbon atoms and containing any sulfur atom, specifically a pyridine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, imidazole ring, oxazole ring, thiazole ring, benzothiazole ring , a benzoxazole ring, a benzimidazole ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a quinoxaline ring, a quinazoline ring, a naphthyridine ring, a phenanthridine ring, a carbazole ring, a dibenzofuran ring, and a dibenzothiophene ring, preferably a pyridine ring or a pyrimidine ring. , triazine ring, carbazole ring, dibenzofuran ring, and dibenzothiophene ring.

Ar201、Ar202、Ar203のいずれかが置換基を有していてもよいカルバゾール環である場合、カルバゾール環のN位は、置換基を有するか又は隣接する構造と結合していることが好ましい。When any of Ar 201 , Ar 202 , and Ar 203 is a carbazole ring which may have a substituent, the N-position of the carbazole ring may have a substituent or be bonded to an adjacent structure. preferable.

Ar202が置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素構造である場合、直鎖、分岐鎖、又は環状構造を有する脂肪族炭化水素構造であり、好ましくは炭素数が1以上24以下であり、さらに好ましくは炭素数が1以上12以下であり、より好ましくは炭素数が1以上8以下である。When Ar 202 is an aliphatic hydrocarbon structure that may have a substituent, it is an aliphatic hydrocarbon structure having a linear, branched, or cyclic structure, and preferably has 1 to 24 carbon atoms. More preferably, the number of carbon atoms is 1 or more and 12 or less, and more preferably 1 or more and 8 or less.

(i1、i2、i3、i4、k1、k2)
i1、i2はそれぞれ独立に、0~12の整数を表し、好ましくは1~12、さらに好ましくは1~8、より好ましくは1~6である。この範囲であることにより、溶解性向上や電荷輸送性向上が見込まれる。
i3は好ましくは0~5の整数を表し、さらに好ましくは0~2、より好ましくは0又は1である。
i4は好ましくは0~2の整数を表し、さらに好ましくは0又は1である。
k1、k2はそれぞれ独立に、好ましくは0~3の整数を表し、さらに好ましくは1~3であり、より好ましくは1又は2であり、特に好ましくは1である。
(i1, i2, i3, i4, k1, k2)
i1 and i2 each independently represent an integer of 0 to 12, preferably 1 to 12, more preferably 1 to 8, and even more preferably 1 to 6. By being within this range, it is expected that solubility and charge transport properties will be improved.
i3 preferably represents an integer of 0 to 5, more preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.
i4 preferably represents an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1.
k1 and k2 each independently preferably represent an integer of 0 to 3, more preferably 1 to 3, more preferably 1 or 2, particularly preferably 1.

(Ar201、Ar202、Ar203の好ましい置換基)
Ar201、Ar202、Ar203が有していてもよい置換基は任意に選択できるが、好ましくは前記置換基群Sから選ばれる1種又は複数種の置換基であり、好ましい基も前記置換基群Sの通りであるが、より好ましくは無置換(水素原子)、アルキル基、アリール基であり、特に好ましくは無置換(水素原子)、アルキル基であり、最も好ましくは無置換(水素原子)またはターシャリーブチル基であり、ターシャリーブチル基はAr203が存在する場合はAr203に、Ar203が存在しない場合はAr202に、Ar202とAr203が存在しない場合はAr201に置換していることが好ましい。
(Preferred substituents for Ar 201 , Ar 202 , Ar 203 )
The substituents that Ar 201 , Ar 202 , and Ar 203 may have can be arbitrarily selected, but are preferably one or more substituents selected from the above substituent group S, and preferred groups are also the above substituents. As shown in group S, more preferred are unsubstituted (hydrogen atoms), alkyl groups, and aryl groups, particularly preferred are unsubstituted (hydrogen atoms), alkyl groups, and most preferred are unsubstituted (hydrogen atoms). ) or a tert-butyl group, where the tert-butyl group is substituted by Ar 203 when Ar 203 is present, Ar 202 when Ar 203 is absent, and Ar 201 when Ar 202 and Ar 203 are absent. It is preferable that you do so.

(式(201)で表される化合物の好ましい態様)
前記式(201)で表される化合物は、下記(I)~(IV)のうちのいずれか1以上を満たす化合物であることが好ましい。
(I)フェニレン連結式
式(202)で表される構造はベンゼン環が連結した基を有する構造、すなわち、ベンゼン環構造、i1が1~6で、少なくとも一つの前記ベンゼン環がオルト位又はメタ位で隣接する構造と結合していることが好ましい。
このような構造であることによって、溶解性が向上し、かつ電荷輸送性が向上することが期待される。
(Preferred embodiment of the compound represented by formula (201))
The compound represented by the formula (201) is preferably a compound that satisfies any one or more of the following (I) to (IV).
(I) Phenylene linked formula The structure represented by formula (202) is a structure having a group in which benzene rings are linked, that is, a benzene ring structure, i1 is 1 to 6, and at least one benzene ring is in the ortho or meta position. It is preferable that the structure is bonded to an adjacent structure at the position.
Such a structure is expected to improve solubility and charge transport properties.

(II)(フェニレン)-アラルキル(アルキル)
環A1又は環A2に、アルキル基若しくはアラルキル基が結合した芳香族炭化水素基若しくは芳香族複素環基を有する構造、すなわち、Ar201が芳香族炭化水素構造又は芳香族複素環構造、i1が1~6、Ar202が脂肪族炭化水素構造、i2が1~12、好ましくは3~8、Ar203がベンゼン環構造、i3が0又は1である構造、好ましくは、Ar201は前記芳香族炭化水素構造であり、さらに好ましくはベンゼン環が1~5連結した構造であり、より好ましくはベンゼン環1つである。
このような構造であることによって、溶解性が向上し、かつ電荷輸送性が向上することが期待される。
(II) (phenylene)-aralkyl (alkyl)
A structure having an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group to which an alkyl group or an aralkyl group is bonded to ring A1 or ring A2, that is, Ar 201 is an aromatic hydrocarbon structure or an aromatic heterocyclic structure, and i1 is 1 ~6, Ar 202 is an aliphatic hydrocarbon structure, i2 is 1 to 12, preferably 3 to 8, Ar 203 is a benzene ring structure, and i3 is 0 or 1, preferably Ar 201 is the aromatic hydrocarbon structure It has a hydrogen structure, more preferably a structure in which 1 to 5 benzene rings are connected, and more preferably one benzene ring.
Such a structure is expected to improve solubility and charge transport properties.

(III)デンドロン
環A1又は環A2に、デンドロンが結合した構造、例えば、Ar201、Ar202がベンゼン環構造、Ar203がビフェニル又はターフェニル構造、i1、i2が1~6、i3が2、jが2である。
このような構造であることによって、溶解性が向上し、かつ電荷輸送性が向上することが期待される。
(III) Dendron A structure in which a dendron is bonded to ring A1 or ring A2, for example, Ar 201 and Ar 202 are benzene ring structures, Ar 203 is a biphenyl or terphenyl structure, i1 and i2 are 1 to 6, i3 is 2, j is 2.
Such a structure is expected to improve solubility and charge transport properties.

(IV)B201-L200-B202
201-L200-B202で表される構造は下記式(203)又は下記式(204)で表される構造であることが好ましい。
(IV) B 201 -L 200 -B 202
The structure represented by B 201 -L 200 -B 202 is preferably a structure represented by the following formula (203) or the following formula (204).

Figure 0007415917000011
Figure 0007415917000011

式(203)中、R211、R212、R213はそれぞれ独立に置換基を表す。
式(204)中、環B3は、置換基を有していてもよい、窒素原子を含む芳香族複素環構造を表す。環B3は好ましくはピリジン環である。
In formula (203), R 211 , R 212 , and R 213 each independently represent a substituent.
In formula (204), ring B3 represents an aromatic heterocyclic structure containing a nitrogen atom, which may have a substituent. Ring B3 is preferably a pyridine ring.

(好ましい燐光発光材料)
前記式(201)で表される燐光発光材料としては特に限定はされないが、好ましいものとして以下のものが挙げられる。
(Preferred phosphorescent material)
The phosphorescent material represented by the above formula (201) is not particularly limited, but the following are preferred.

Figure 0007415917000012
Figure 0007415917000012

Figure 0007415917000013
Figure 0007415917000013

また、下記式(205)で表される燐光発光材料も好ましい。 Further, a phosphorescent material represented by the following formula (205) is also preferable.

Figure 0007415917000014
Figure 0007415917000014

[式(205)中、Mは金属を表し、Tは炭素原子又は窒素原子を表す。R92~R95は、それぞれ独立に置換基を表す。但し、Tが窒素原子の場合は、R94及びR95は無い。][In formula (205), M 2 represents a metal, and T represents a carbon atom or a nitrogen atom. R 92 to R 95 each independently represent a substituent. However, when T is a nitrogen atom, R 94 and R 95 are absent. ]

式(205)中、Mの具体例としては、周期表第7~11族から選ばれる金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の2価の金属が挙げられる。In formula (205), specific examples of M 2 include metals selected from Groups 7 to 11 of the periodic table. Among these, ruthenium, rhodium, palladium, silver, rhenium, osmium, iridium, platinum, or gold is preferred, and divalent metals such as platinum and palladium are particularly preferred.

また、式(205)において、R92及びR93は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。In addition, in formula (205), R 92 and R 93 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an alkenyl group, a cyano group, an amino group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group, a carboxyl group, It represents an alkoxy group, an alkylamino group, an aralkylamino group, a haloalkyl group, a hydroxyl group, an aryloxy group, an aromatic hydrocarbon group, or an aromatic heterocyclic group.

更に、Tが炭素原子の場合、R94及びR95は、それぞれ独立に、R92及びR93と同様の例示物で表される置換基を表す。また、Tが窒素原子の場合は該Tに直接結合するR94又はR95は存在しない。また、R92~R95は、更に置換基を有していてもよい。置換基としては、前記の置換基とすることができる。更に、R92~R95のうち任意の2つ以上の基が互いに連結して環を形成してもよい。Further, when T is a carbon atom, R 94 and R 95 each independently represent a substituent represented by the same examples as R 92 and R 93 . Further, when T is a nitrogen atom, R 94 or R 95 directly bonded to T does not exist. Furthermore, R 92 to R 95 may further have a substituent. As the substituent, the above-mentioned substituents can be used. Furthermore, any two or more groups among R 92 to R 95 may be linked to each other to form a ring.

(分子量)
燐光発光材料の分子量は、好ましくは5000以下、更に好ましくは4000以下、特に好ましくは3000以下である。また、燐光発光材料の分子量は、好ましくは800以上、より好ましくは1000以上、更に好ましくは1200以上である。この分子量範囲であることによって、燐光発光材料同士が凝集せず電荷輸送材料と均一に混合し、発光効率の高い発光層を得ることができると考えられる。
(molecular weight)
The molecular weight of the phosphorescent material is preferably 5,000 or less, more preferably 4,000 or less, particularly preferably 3,000 or less. Further, the molecular weight of the phosphorescent material is preferably 800 or more, more preferably 1000 or more, and still more preferably 1200 or more. It is thought that by having a molecular weight in this range, the phosphorescent materials do not aggregate with each other and are uniformly mixed with the charge transporting material, thereby making it possible to obtain a luminescent layer with high luminous efficiency.

燐光発光材料の分子量は、Tgや融点、分解温度等が高く、燐光発光材料及び形成された発光層の耐熱性に優れる点、及び、ガス発生、再結晶化及び分子のマイグレーション等に起因する膜質の低下や材料の熱分解に伴う不純物濃度の上昇等が起こり難い点では大きいことが好ましい。一方、燐光発光材料の分子量は、有機化合物の精製が容易である点では小さいことが好ましい。 The molecular weight of the phosphorescent material is high in Tg, melting point, decomposition temperature, etc., the phosphorescent material and the formed light emitting layer have excellent heat resistance, and the film quality due to gas generation, recrystallization, molecular migration, etc. A larger value is preferable in that it is less likely to cause a decrease in the concentration of impurities or an increase in impurity concentration due to thermal decomposition of the material. On the other hand, the molecular weight of the phosphorescent material is preferably small in terms of ease of purification of the organic compound.

<電荷輸送材料>
発光層に用いる電荷輸送材料は、電荷輸送性に優れる骨格を有する材料であり、電子輸送性材料、正孔輸送性材料及び電子と正孔の両方を輸送可能な両極性材料から選ばれることが好ましい。
<Charge transport material>
The charge transport material used in the light emitting layer is a material having a skeleton with excellent charge transport properties, and may be selected from electron transport materials, hole transport materials, and bipolar materials capable of transporting both electrons and holes. preferable.

電荷輸送性に優れる骨格としては、具体的には、芳香族構造、芳香族アミン構造、トリアリールアミン構造、ジベンゾフラン構造、ナフタレン構造、フェナントレン構造、フタロシアニン構造、ポルフィリン構造、チオフェン構造、ベンジルフェニル構造、フルオレン構造、キナクリドン構造、トリフェニレン構造、カルバゾール構造、ピレン構造、アントラセン構造、フェナントロリン構造、キノリン構造、ピリジン構造、ピリミジン構造、トリアジン構造、オキサジアゾール構造又はイミダゾール構造等が挙げられる。 Specific examples of skeletons with excellent charge transport properties include aromatic structures, aromatic amine structures, triarylamine structures, dibenzofuran structures, naphthalene structures, phenanthrene structures, phthalocyanine structures, porphyrin structures, thiophene structures, benzylphenyl structures, Examples include a fluorene structure, a quinacridone structure, a triphenylene structure, a carbazole structure, a pyrene structure, an anthracene structure, a phenanthroline structure, a quinoline structure, a pyridine structure, a pyrimidine structure, a triazine structure, an oxadiazole structure, and an imidazole structure.

電子輸送性材料としては、電子輸送性に優れ構造が比較的安定な材料である観点から、ピリジン構造、ピリミジン構造、トリアジン構造を有する化合物がより好ましく、ピリミジン構造、トリアジン構造を有する化合物であることがさらに好ましい。 As the electron-transporting material, compounds having a pyridine structure, a pyrimidine structure, or a triazine structure are more preferable from the viewpoint of being a material with excellent electron-transporting properties and a relatively stable structure. is even more preferable.

正孔輸送性材料は、正孔輸送性に優れた構造を有する化合物であり、前記電荷輸送性に優れた中心骨格の中でも、カルバゾール構造、ジベンゾフラン構造、トリアリールアミン構造、ナフタレン構造、フェナントレン構造又はピレン構造が正孔輸送性に優れた構造として好ましく、カルバゾール構造、ジベンゾフラン構造又はトリアリールアミン構造がさらに好ましい。 The hole-transporting material is a compound having a structure with excellent hole-transporting properties, and among the central skeletons with excellent charge-transporting properties, a carbazole structure, a dibenzofuran structure, a triarylamine structure, a naphthalene structure, a phenanthrene structure, or A pyrene structure is preferred as a structure with excellent hole transport properties, and a carbazole structure, dibenzofuran structure, or triarylamine structure is more preferred.

発光層に用いる電荷輸送材料は、3環以上の縮合環構造を有することが好ましく、3環以上の縮合環構造を2以上有する化合物又は5環以上の縮合環を少なくとも1つ有する化合物であることがさらに好ましい。これらの化合物であることで、分子の剛直性が増し、熱に応答する分子運動の程度を抑制する効果が得られ易くなる。さらに、3環以上の縮合環及び5環以上の縮合環は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を有することが電荷輸送性及び材料の耐久性の点で好ましい。 The charge transport material used in the light emitting layer preferably has a fused ring structure of 3 or more rings, and is a compound having two or more fused ring structures of 3 or more rings or a compound having at least one fused ring of 5 or more rings. is even more preferable. These compounds increase the rigidity of molecules, making it easier to obtain the effect of suppressing the degree of molecular motion in response to heat. Further, the fused rings of 3 or more rings and the fused rings of 5 or more rings preferably have an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocycle from the viewpoint of charge transportability and material durability.

3環以上の縮合環構造としては、具体的には、アントラセン構造、フェナントレン構造、ピレン構造、クリセン構造、ナフタセン構造、トリフェニレン構造、フルオレン構造、ベンゾフルオレン構造、インデノフルオレン構造、インドロフルオレン構造、カルバゾール構造、インデノカルバゾール構造、インドロカルバゾール構造、ジベンゾフラン構造、ジベンゾチオフェン構造等が挙げられる。電荷輸送性ならびに溶解性の観点から、フェナントレン構造、フルオレン構造、インデノフルオレン構造、カルバゾール構造、インデノカルバゾール構造、インドロカルバゾール構造、ジベンゾフラン構造及びジベンゾチオフェン構造からなる群より選択される少なくとも1つが好ましく、電荷に対する耐久性の観点からカルバゾール構造又はインドロカルバゾール構造がさらに好ましい。 Specifically, the fused ring structure of three or more rings includes an anthracene structure, a phenanthrene structure, a pyrene structure, a chrysene structure, a naphthacene structure, a triphenylene structure, a fluorene structure, a benzofluorene structure, an indenofluorene structure, an indrofluorene structure, Examples include a carbazole structure, an indenocarbazole structure, an indolocarbazole structure, a dibenzofuran structure, and a dibenzothiophene structure. From the viewpoint of charge transport properties and solubility, at least one selected from the group consisting of a phenanthrene structure, a fluorene structure, an indenofluorene structure, a carbazole structure, an indenocarbazole structure, an indolocarbazole structure, a dibenzofuran structure, and a dibenzothiophene structure. Preferably, a carbazole structure or an indolocarbazole structure is more preferable from the viewpoint of durability against charges.

本発明においては、有機電界発光素子の電荷に対する耐久性の観点から、発光層の電荷輸送材料の内、少なくとも一つはピリミジン骨格又はトリアジン骨格を有する材料であることが好ましい。 In the present invention, from the viewpoint of durability against charges of the organic electroluminescent device, it is preferable that at least one of the charge transport materials in the light emitting layer is a material having a pyrimidine skeleton or a triazine skeleton.

発光層の電荷輸送材料は、可撓性に優れる観点では高分子材料であることが好ましい。可撓性に優れる材料を用いて形成された発光層は、フレキシブル基板上に形成された有機電界発光素子の発光層として好ましい。発光層に含まれる電荷輸送材料が高分子材料である場合、分子量は、好ましくは5,000以上1,000,000以下、より好ましくは10,000以上、500,000以下、さらに好ましくは10,000以上100,000以下である。 The charge transport material of the light emitting layer is preferably a polymer material from the viewpoint of excellent flexibility. A light-emitting layer formed using a material with excellent flexibility is preferable as a light-emitting layer of an organic electroluminescent device formed on a flexible substrate. When the charge transporting material contained in the light-emitting layer is a polymeric material, the molecular weight is preferably 5,000 or more and 1,000,000 or less, more preferably 10,000 or more and 500,000 or less, and even more preferably 10,000 or more and 500,000 or less. 000 or more and 100,000 or less.

また、発光層の電荷輸送材料は、合成及び精製のしやすさ、電子輸送性能及び正孔輸送性能の設計のしやすさ、溶媒に溶解した時の粘度調整のしやすさの観点からは、低分子であることが好ましい。発光層に含まれる電荷輸送材料が低分子材料である場合、分子量は、5,000以下が好ましく、さらに好ましくは4,000以下であり、特に好ましくは3,000以下であり、最も好ましくは2,000以下であり、好ましくは300以上、より好ましくは350以上、さらに好ましくは400以上である。 In addition, the charge transport material for the light emitting layer should be selected from the viewpoints of ease of synthesis and purification, ease of designing electron transport performance and hole transport performance, and ease of adjusting viscosity when dissolved in a solvent. Preferably, it is a low molecule. When the charge transport material contained in the light emitting layer is a low molecular weight material, the molecular weight is preferably 5,000 or less, more preferably 4,000 or less, particularly preferably 3,000 or less, and most preferably 2,000 or less. ,000 or less, preferably 300 or more, more preferably 350 or more, still more preferably 400 or more.

<蛍光発光材料>
蛍光発光材料としては特に限定されないが、下記式(211)で表される化合物が好ましい。
<Fluorescent material>
The fluorescent material is not particularly limited, but a compound represented by the following formula (211) is preferred.

Figure 0007415917000015
Figure 0007415917000015

上記式(211)において、Ar241は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素縮合環構造を表し、Ar242、Ar243は各々独立に置換基を有していてもよいアルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素基又はこれらが結合した基を表す。n41は1~4の整数である。In the above formula (211), Ar 241 represents an aromatic hydrocarbon condensed ring structure which may have a substituent, Ar 242 and Ar 243 each independently an alkyl group which may have a substituent, Represents an aromatic hydrocarbon group, an aromatic heterogroup, or a group in which these are bonded. n41 is an integer from 1 to 4.

Ar241は好ましくは炭素数10~30の芳香族炭化水素縮合環構造を表し、具体的な環構造としては、ナフタレン、アセナフテン、フルオレン、アントラセン、フェナトレン、フルオランテン、ピレン、テトラセン、クリセン、ペリレン等が挙げられる。
Ar241はより好ましくは炭素数12~20の芳香族炭化水素縮合環構造であり、具体的な環構造としては、アセナフテン、フルオレン、アントラセン、フェナトレン、フルオランテン、ピレン、テトラセン、クリセン、ペリレンが挙げられる。
Ar241はさらに好ましくは炭素数16~18の芳香族炭化水素縮合環構造であり、具体的な環構造としては、フルオランテン、ピレン、クリセンが挙げられる。
Ar 241 preferably represents an aromatic hydrocarbon condensed ring structure having 10 to 30 carbon atoms, and specific ring structures include naphthalene, acenaphthene, fluorene, anthracene, phenathrene, fluoranthene, pyrene, tetracene, chrysene, perylene, etc. Can be mentioned.
Ar 241 is more preferably an aromatic hydrocarbon condensed ring structure having 12 to 20 carbon atoms, and specific ring structures include acenaphthene, fluorene, anthracene, phenathrene, fluoranthene, pyrene, tetracene, chrysene, and perylene. .
Ar 241 is more preferably an aromatic hydrocarbon condensed ring structure having 16 to 18 carbon atoms, and specific examples of the ring structure include fluoranthene, pyrene, and chrysene.

n41は1~4であり、好ましくは1~3、さらに好ましくは1~2、最も好ましくは2である。 n41 is 1 to 4, preferably 1 to 3, more preferably 1 to 2, and most preferably 2.

Ar242、Ar243のアルキル基としては、炭素数1~12のアルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数1~6のアルキル基である。
Ar242、Ar243の芳香族炭化水素基としては、炭素数6~30の芳香族炭化水素基が好ましく、より好ましくは炭素数6~24の芳香族炭化水素基であり、最も好ましくはフェニル基、ナフチル基である。
Ar242、Ar243の芳香族複素基としては、炭素数3~30の芳香族複素基が好ましく、より好ましくは炭素数5~24の芳香族炭化水素基であり、具体的にはカルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基が好ましく、ジベンゾフラニル基がより好ましい。
The alkyl group for Ar 242 and Ar 243 is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
The aromatic hydrocarbon group for Ar 242 and Ar 243 is preferably an aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms, more preferably an aromatic hydrocarbon group having 6 to 24 carbon atoms, and most preferably a phenyl group. , is a naphthyl group.
The aromatic heterogroup of Ar 242 and Ar 243 is preferably an aromatic heterogroup having 3 to 30 carbon atoms, more preferably an aromatic hydrocarbon group having 5 to 24 carbon atoms, specifically a carbazolyl group, A dibenzofuranyl group and a dibenzothiophenyl group are preferred, and a dibenzofuranyl group is more preferred.

Ar241、Ar242、Ar243が有していてもよい置換基は、前記置換基群Sから選ばれる基が好ましく、より好ましくは置換基群Sに含まれる、炭化水素基であり、さらに好ましくは置換基群Sとして好ましい基の中の炭化水素基である。The substituent that Ar 241 , Ar 242 , and Ar 243 may have is preferably a group selected from the substituent group S, more preferably a hydrocarbon group included in the substituent group S, and even more preferably is a hydrocarbon group among the groups preferable as the substituent group S.

上記蛍光発光材料と共に用いる電荷輸送材料としては特に限定されないが、下記式(212)で表されるものが好ましい。 The charge transport material used together with the fluorescent material is not particularly limited, but is preferably one represented by the following formula (212).

Figure 0007415917000016
Figure 0007415917000016

上記式(212)において、R251、R252はそれぞれ独立に式(213)で表される構造であり、R253は置換基を表し、R253が複数ある場合、同一であっても異なっていてもよく、n43は0~8の整数である。In the above formula (212), R 251 and R 252 are each independently a structure represented by formula (213), and R 253 represents a substituent, and when there is a plurality of R 253 , they may be the same or different. and n43 is an integer from 0 to 8.

Figure 0007415917000017
Figure 0007415917000017

上記式(213)において、*は式(212)のアントラセン環との結合手を表し、Ar254、Ar255はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素構造、又は置換基を有していてもよい複素芳香環構造を表し、Ar254、Ar255はそれぞれ複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよく、n44は1~5の整数、n45は0~5の整数である。In the above formula (213), * represents a bond with the anthracene ring of formula (212), and Ar 254 and Ar 255 each independently represent an aromatic hydrocarbon structure that may have a substituent, or a substituted Represents a heteroaromatic ring structure which may have a group, Ar 254 and Ar 255 each may be the same or different when there is a plurality of them, n44 is an integer of 1 to 5, and n45 is 0 to 5. It is an integer of 5.

Ar254は好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数6~30の単環又は縮合環である芳香族炭化水素構造であり、より好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数6~12の単環又は縮合環である芳香族炭化水素構造である。Ar 254 is preferably a monocyclic or fused ring aromatic hydrocarbon structure having 6 to 30 carbon atoms, which may have a substituent, and more preferably has a substituent. , a monocyclic or fused ring aromatic hydrocarbon structure having 6 to 12 carbon atoms.

Ar255は好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数6~30の単環もしくは縮合環である芳香族炭化水素構造、又は置換基を有していてもよい炭素数6~30の縮合環である芳香族複素環構造である。Ar255はより好ましくは、置換基を有していてもよい、炭素数6~12の単環もしくは縮合環である芳香族炭化水素構造、又は置換基を有していてもよい炭素数12の縮合環である芳香族複素環構造である。Ar 255 is preferably a monocyclic or fused ring aromatic hydrocarbon structure having 6 to 30 carbon atoms, which may have a substituent, or an aromatic hydrocarbon structure having 6 to 30 carbon atoms, which may have a substituent. It is an aromatic heterocyclic structure that is a condensed ring of. Ar 255 is more preferably a monocyclic or fused ring aromatic hydrocarbon structure having 6 to 12 carbon atoms, which may have a substituent, or an aromatic hydrocarbon structure having 12 carbon atoms, which may have a substituent. It is an aromatic heterocyclic structure that is a fused ring.

n44は好ましくは1~3の整数であり、より好ましくは1又は2である。
n45は好ましくは0~3の整数であり、より好ましくは0~2である。
n44 is preferably an integer of 1 to 3, more preferably 1 or 2.
n45 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 to 2.

置換基であるR253、Ar254及びAr255が有していてもよい置換基は、前記置換基群Sから選ばれる基が好ましい。より好ましくは置換基群Sに含まれる炭化水素基であり、さらに好ましくは置換基群Sとして好ましい基の中の炭化水素基である。The substituent that R 253 , Ar 254 and Ar 255 may have is preferably a group selected from the above-mentioned substituent group S. More preferably, it is a hydrocarbon group included in the substituent group S, and still more preferably a hydrocarbon group among the groups preferable as the substituent group S.

蛍光発光材料及び電荷輸送材料の分子量は5,000以下が好ましく、さらに好ましくは4,000以下であり、特に好ましくは3,000以下であり、最も好ましくは2,000以下である。また、好ましくは300以上であり、より好ましくは350以上、さらに好ましくは400以上である。 The molecular weight of the fluorescent material and the charge transport material is preferably 5,000 or less, more preferably 4,000 or less, particularly preferably 3,000 or less, and most preferably 2,000 or less. Moreover, it is preferably 300 or more, more preferably 350 or more, and still more preferably 400 or more.

[正孔阻止層]
発光層5と後述の電子注入層8との間に、正孔阻止層6を設けてもよい。正孔阻止層6は、電子輸送層のうち、更に陽極2から移動してくる正孔を陰極9に到達するのを阻止する役割をも担う層である。正孔阻止層6は、発光層5の上に、発光層5の陰極9側の界面に接するように積層される層である。
[Hole blocking layer]
A hole blocking layer 6 may be provided between the light emitting layer 5 and an electron injection layer 8, which will be described later. The hole blocking layer 6 is a layer of the electron transport layer that also plays the role of blocking holes moving from the anode 2 from reaching the cathode 9. The hole blocking layer 6 is a layer laminated on the light emitting layer 5 so as to be in contact with the interface of the light emitting layer 5 on the cathode 9 side.

正孔阻止層6は、陽極2から移動してくる正孔を陰極9に到達するのを阻止する役割と、陰極9から注入された電子を効率よく発光層5の方向に輸送する役割とを有する。 The hole blocking layer 6 has the roles of blocking holes moving from the anode 2 from reaching the cathode 9 and efficiently transporting electrons injected from the cathode 9 toward the light emitting layer 5. have

正孔阻止層6を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項エネルギー準位(T1)が高いことなどが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層6の材料としては、例えばビス(2-メチル-8-キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム、ビス(2-メチル-8-キノリノラト)(トリフェニルシラノラト)アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2-メチル-8-キノラト)アルミニウム-μ-オキソ-ビス-(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物(特開平11-242996号公報)、3-(4-ビフェニルイル)-4-フェニル-5(4-tert-ブチルフェニル)-1,2,4-トリアゾール等のトリアゾール誘導体(特開平7-41759号公報)、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体(特開平10-79297号公報)などが挙げられる。更に、国際公開第2005/022962号公報に記載の2,4,6位が置換されたピリジン環を少なくとも1個有する化合物も、正孔阻止層6の材料として好ましい。 The physical properties required of the material constituting the hole blocking layer 6 include high electron mobility and low hole mobility, large energy gap (difference between HOMO and LUMO), and excited triplet energy level (T1 ) is high. Examples of materials for the hole blocking layer 6 that meet these conditions include bis(2-methyl-8-quinolinolato)(phenolato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinolato)(triphenylsilanolate)aluminum, etc. mixed ligand complexes, metal complexes such as bis(2-methyl-8-quinolato)aluminum-μ-oxo-bis-(2-methyl-8-quinolinolato)aluminum dinuclear metal complexes, distyrylbiphenyl derivatives, etc. Styryl compounds (JP-A-11-242996), triazole derivatives such as 3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5(4-tert-butylphenyl)-1,2,4-triazole (JP-A-7 -41759) and phenanthroline derivatives such as bathocuproine (Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-79297). Furthermore, a compound having at least one pyridine ring substituted at the 2, 4, and 6 positions described in International Publication No. 2005/022962 is also preferable as a material for the hole blocking layer 6.

正孔阻止層6の形成方法に制限はない。正孔阻止層6は、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。
正孔阻止層6の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。正孔阻止層6の膜厚は、通常0.3nm以上、好ましくは0.5nm以上で、通常100nm以下、好ましくは50nm以下である。
There are no restrictions on the method of forming the hole blocking layer 6. The hole blocking layer 6 can be formed by a wet film formation method, a vapor deposition method, or other methods.
The thickness of the hole blocking layer 6 is arbitrary as long as it does not significantly impair the effects of the present invention. The thickness of the hole blocking layer 6 is usually 0.3 nm or more, preferably 0.5 nm or more, and usually 100 nm or less, preferably 50 nm or less.

[電子輸送層]
電子輸送層7は、発光層5と陰極9の間に設けられた電子を輸送するための層である。
[Electron transport layer]
The electron transport layer 7 is a layer provided between the light emitting layer 5 and the cathode 9 for transporting electrons.

電子輸送層7の電子輸送材料としては、通常、陰極9又は陰極9側の隣接層からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば8-ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体やリチウム錯体などの金属錯体(特開昭59-194393号公報)、10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3-ヒドロキシフラボン金属錯体、5-ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン(米国特許第5645948号明細書)、キノキサリン化合物(特開平6-207169号公報)、フェナントロリン誘導体(特開平5-331459号公報)、2-t-ブチル-9,10-N,N’-ジシアノアントラキノンジイミン、トリアジン化合物誘導体、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。 The electron transport material for the electron transport layer 7 is usually one that has high electron injection efficiency from the cathode 9 or an adjacent layer on the cathode 9 side, has high electron mobility, and can efficiently transport the injected electrons. Use compounds that can be used. Compounds that satisfy these conditions include, for example, metal complexes such as aluminum complexes and lithium complexes of 8-hydroxyquinoline (Japanese Patent Application Laid-open No. 194393/1983), metal complexes of 10-hydroxybenzo[h]quinoline, and oxadioxide. Azole derivatives, distyrylbiphenyl derivatives, silole derivatives, 3-hydroxyflavone metal complexes, 5-hydroxyflavone metal complexes, benzoxazole metal complexes, benzothiazole metal complexes, trisbenzimidazolylbenzene (US Pat. No. 5,645,948), quinoxaline compound (JP-A-6-207169), phenanthroline derivative (JP-A-5-331459), 2-t-butyl-9,10-N,N'-dicyanoanthraquinone diimine, triazine compound derivative, n-type hydrogen Examples include amorphous silicon carbide, n-type zinc sulfide, and n-type zinc selenide.

電子輸送層7に用いられる電子輸送材料としては、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や8-ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される電子輸送性有機化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープさせることにより(特開平10-270171号公報、特開2002-100478号公報、特開2002-100482号公報などに記載)、電子注入輸送性と優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。また、上述の電子輸送性有機化合物にフッ化リチウムや炭酸セシウムなどのような無機塩をドープすることも有効である。 The electron transport material used in the electron transport layer 7 includes electron transport organic compounds such as nitrogen-containing heterocyclic compounds such as bathophenanthroline and metal complexes such as an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline, as well as sodium, potassium, and cesium. By doping with alkali metals such as lithium, rubidium, etc. (described in JP-A-10-270171, JP-A-2002-100478, JP-A-2002-100482, etc.), excellent film quality and electron injection transport properties can be achieved. This is preferable because it makes it possible to achieve both. It is also effective to dope the above-mentioned electron-transporting organic compound with an inorganic salt such as lithium fluoride or cesium carbonate.

電子輸送層7の形成方法に制限はない。電子輸送層7は、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。 There are no restrictions on the method for forming the electron transport layer 7. The electron transport layer 7 can be formed by a wet film formation method, a vapor deposition method, or other methods.

電子輸送層7の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意である。電子輸送層7の膜厚は常1nm以上、好ましくは5nm以上で、通常300nm以下、好ましくは100nm以下である。 The thickness of the electron transport layer 7 is arbitrary as long as it does not significantly impair the effects of the present invention. The thickness of the electron transport layer 7 is usually 1 nm or more, preferably 5 nm or more, and usually 300 nm or less, preferably 100 nm or less.

[電子注入層]
陰極9から注入された電子を効率良く発光層5に注入するために、電子輸送層7と後述の陰極9との間に電子注入層8を設けてもよい。電子注入層8は、無機塩などからなる。
[Electron injection layer]
In order to efficiently inject electrons injected from the cathode 9 into the light emitting layer 5, an electron injection layer 8 may be provided between the electron transport layer 7 and the cathode 9, which will be described later. The electron injection layer 8 is made of inorganic salt or the like.

電子注入層8の材料としては、例えばフッ化リチウム(LiF)、フッ化マグネシウム(MgF)、酸化リチウム(LiO)、炭酸セシウム(II)(CsCO)等が挙げられる(Applied Physics Letters, 1997年, Vol.70、pp.152;特開平10-74586号公報;IEEE Transactions on Electron Devices, 1997年,Vol.44, pp.1245;SID 04 Digest, pp.154等参照)。Examples of materials for the electron injection layer 8 include lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), lithium oxide (Li 2 O), cesium (II) carbonate (CsCO 3 ), etc. (Applied Physics Letters , 1997, Vol. 70, pp. 152; JP-A-10-74586; IEEE Transactions on Electron Devices, 1997, Vol. 44, pp. 1245; SID 04 Digest, pp. 154, etc.) .

電子注入層8は、電荷輸送性を伴わない場合が多いため、電子注入を効率よく行なうには、極薄膜として用いることが好ましく、その膜厚は、通常0.1nm以上、好ましくは5nm以下である。 Since the electron injection layer 8 often does not have charge transport properties, in order to efficiently inject electrons, it is preferable to use it as an extremely thin film, and the film thickness is usually 0.1 nm or more, preferably 5 nm or less. be.

[陰極]
陰極9は、発光層5側の層に電子を注入する役割を果たす電極である。
[cathode]
The cathode 9 is an electrode that serves to inject electrons into the layer on the light emitting layer 5 side.

陰極9の材料としては、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び/又はスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ(3-メチルチオフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等が挙げられる。これらのうち、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えばスズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金などが用いられる。具体例としては、マグネシウム-銀合金、マグネシウム-インジウム合金、アルミニウム-リチウム合金等の低仕事関数の合金電極などが挙げられる。 The materials for the cathode 9 are usually metals such as aluminum, gold, silver, nickel, palladium, and platinum, metal oxides such as indium and/or tin oxides, metal halides such as copper iodide, carbon black, Alternatively, conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), polypyrrole, and polyaniline may be used. Among these, metals with a low work function are preferred in order to efficiently inject electrons, and suitable metals such as tin, magnesium, indium, calcium, aluminum, silver, or alloys thereof are used. Specific examples include alloy electrodes with low work functions such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, aluminum-lithium alloy, and the like.

陰極9の材料は、1種のみを用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。 Only one type of material may be used for the cathode 9, or two or more types may be used in combination in any combination and ratio.

陰極9の膜厚は、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常60%以上、好ましくは80%以上とすることが好ましい。この場合、陰極9の厚みは通常5nm以上、好ましくは10nm以上で、通常1000nm以下、好ましくは500nm以下程度である。不透明でよい場合は陰極9の厚みは任意であり、陰極は基板と同一でもよい。 The film thickness of the cathode 9 varies depending on the required transparency. When transparency is required, the visible light transmittance is usually 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness of the cathode 9 is usually about 5 nm or more, preferably about 10 nm or more, and usually about 1000 nm or less, preferably about 500 nm or less. The thickness of the cathode 9 may be arbitrary as long as it is opaque, and the cathode may be the same as the substrate.

陰極9の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
例えばナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウム等のアルカリ土類金属等からなる低仕事関数の金属からなる陰極を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えばアルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。これらの材料は、1種のみで用いてもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
It is also possible to layer different conductive materials on the cathode 9.
For the purpose of protecting the cathode, which is made of low work function metals such as alkali metals such as sodium and cesium, and alkaline earth metals such as barium and calcium, the It is preferable to stack metal layers because this increases the stability of the device. Metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, platinum are used for this purpose. These materials may be used alone or in any combination and ratio of two or more.

[その他の層]
本発明の有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えばその性能を損なわない限り、陽極2と陰極9との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、上記説明にある層のうち必須でない層が省略されていてもよい。
[Other layers]
The organic electroluminescent device of the present invention may have another configuration without departing from the spirit thereof. For example, as long as the performance is not impaired, an arbitrary layer may be provided between the anode 2 and the cathode 9 in addition to the layers described above, and layers that are not essential among the layers described above may be included. May be omitted.

以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば図1の層構成であれば、基板1上に他の構成要素を陰極9、電子注入層8、電子輸送層7、正孔阻止層6、発光層5、正孔輸送層4、正孔注入層3、陽極2の順に設けてもよい。 In the layered structure described above, it is also possible to laminate components other than the substrate in the reverse order. For example, with the layer configuration shown in FIG. The injection layer 3 and the anode 2 may be provided in this order.

本発明の有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がX-Yマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。 The organic electroluminescent device of the present invention may be configured as a single organic electroluminescent device, or may be applied to a configuration in which a plurality of organic electroluminescent devices are arranged in an array, and the anode and cathode are It may also be applied to a configuration arranged in a Y matrix.

上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。 Each layer described above may contain components other than those described as materials, as long as the effects of the present invention are not significantly impaired.

<有機電界発光デバイス>
互いに異なる色に発光する有機電界発光素子を2つ以上設けて有機EL表示装置や有機EL照明などの有機電界発光デバイスとすることができる。この有機電界発光デバイスにおいて、少なくとも一つ、好ましくはすべての有機電界発光素子を本発明の有機電界発光素子とすることで、高品質の有機電界発光デバイスを提供できる。
<Organic electroluminescent device>
Two or more organic electroluminescent elements that emit light in different colors can be provided to provide an organic electroluminescent device such as an organic EL display device or an organic EL lighting device. In this organic electroluminescent device, by using at least one, preferably all the organic electroluminescent elements as the organic electroluminescent element of the present invention, a high quality organic electroluminescent device can be provided.

<有機EL表示装置>
本発明の有機電界発光素子を用いた有機EL表示装置の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
例えば「有機ELディスプレイ」(オーム社、平成16年8月20日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著)に記載されているような方法で、有機EL表示装置を形成することができる。
<Organic EL display device>
There are no particular limitations on the type or structure of an organic EL display device using the organic electroluminescent device of the present invention, and it can be assembled using the organic electroluminescent device of the present invention according to a conventional method.
For example, an organic EL display device can be formed by the method described in "Organic EL Display" (Ohmsha, published August 20, 2004, written by Shizuka Tokito, Chinaya Adachi, and Hideyuki Murata). can.

<有機EL照明>
本発明の有機電界発光素子を用いた有機EL照明の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
<Organic EL lighting>
There are no particular restrictions on the type or structure of organic EL lighting using the organic electroluminescent device of the present invention, and it can be assembled using the organic electroluminescent device of the present invention according to a conventional method.

以下、実施例を示して本発明について更に具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、本発明はその要旨を逸脱しない限り任意に変更して実施できる。 Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples. However, the present invention is not limited to the following examples, and the present invention can be implemented with arbitrary changes without departing from the gist thereof.

[用いた溶媒]
以下の実施例及び比較例で用いた溶媒の物性は下記表1に示す通りである。
[Solvent used]
The physical properties of the solvents used in the following Examples and Comparative Examples are as shown in Table 1 below.

Figure 0007415917000018
Figure 0007415917000018

[評価I:パネル中央部の平坦性の評価]
<基板Iの準備>
膜厚0.7mmのガラス基板に、スパッタ法によってインジウム・スズ酸化物(ITO)膜を製膜した基板上に、撥液性を有するアクリル系樹脂を、厚さ1.7μmでスピンコート法により塗布し、一般的なフォトリソグラフィー法によって開口部を作製した。開口部のサイズは、長軸約170μm、短軸約50μmである。
[Evaluation I: Evaluation of flatness of panel center]
<Preparation of substrate I>
On a glass substrate with a thickness of 0.7 mm, an indium tin oxide (ITO) film was formed using a sputtering method, and then a liquid-repellent acrylic resin was applied to a thickness of 1.7 μm using a spin coating method. The film was coated, and openings were created using a general photolithography method. The size of the opening is about 170 μm on the long axis and about 50 μm on the short axis.

<下地層1の塗布>
アリールアミンポリマーを主成分とする下地層を溶媒に溶解させた下地層1用組成物を調製し、インクジェットプリンター(富士フイルム社製DMP-2831)を用いて、基板Iの上記開口部に対して、下地層1用組成物を塗布し、真空乾燥および焼成し、膜厚が約30nmとなるように成膜した。
<Coating base layer 1>
A composition for base layer 1 is prepared by dissolving a base layer containing an arylamine polymer as a main component in a solvent, and is applied to the above opening of substrate I using an inkjet printer (DMP-2831 manufactured by Fujifilm). The composition for base layer 1 was applied, vacuum dried and baked to form a film having a thickness of about 30 nm.

<下地層2の塗布>
アリールアミンポリマーを主成分とする下地層を溶媒に溶解させた下地層2用組成物を調製し、インクジェットプリンター(富士フイルム社製DMP-2831)を用いて、上記開口部の下地層1上に、下地層2用組成物を塗布し、真空乾燥および焼成し、膜厚が約20nmとなるように成膜した。
<Coating base layer 2>
A composition for base layer 2 is prepared by dissolving a base layer containing an arylamine polymer as a main component in a solvent, and is applied onto base layer 1 in the opening using an inkjet printer (DMP-2831 manufactured by Fujifilm). The composition for base layer 2 was applied, vacuum dried and fired to form a film having a thickness of about 20 nm.

<発光層形成用固形分の準備>
下記に示す電荷注入輸送材料である化合物(H-1)および(H-2)と発光材料である(D-1)を重量比で30:70:20となるように混合し、発光層形成用固形分I-1とした。
<Preparation of solid content for forming light emitting layer>
Compounds (H-1) and (H-2), which are charge injection and transport materials shown below, and (D-1), which is a luminescent material, are mixed in a weight ratio of 30:70:20 to form a luminescent layer. The solid content was set as I-1.

Figure 0007415917000019
Figure 0007415917000019

<平坦度の定義>
開口部内に形成された有機膜に対して、該有機膜の面に垂直な面で該有機膜を分割した際の断面図を、該有機膜の断面プロファイルとする。有機膜断面プロファイル中で、開口長さの25%~75%の長さにおける該有機膜の平均膜厚Daを算出し、ある位置xでの該有機膜の膜厚Do(x)が下記式を満たす領域をX1とする。
Da-Da×5%<Do(x)<Da+Da×5% (式1)
開口部の長さをX2としたとき、平坦度の定義をX1/X2×100(%)とした。
<Definition of flatness>
A cross-sectional view of the organic film formed in the opening when the organic film is divided along a plane perpendicular to the plane of the organic film is defined as a cross-sectional profile of the organic film. In the organic film cross-sectional profile, the average film thickness Da of the organic film at a length of 25% to 75% of the opening length is calculated, and the film thickness Do(x) of the organic film at a certain position x is calculated using the following formula. Let X1 be an area that satisfies the following.
Da-Da×5%<Do(x)<Da+Da×5% (Formula 1)
When the length of the opening is X2, the definition of flatness is X1/X2×100 (%).

<参考例1>
フタル酸ジエチルとシクロヘキシルベンゼンを、重量比で15:85になるように混合し、有機溶媒I-1とした。発光層形成用固形分I-1を1.7重量%になるように有機溶媒I-1に溶解させ、発光層形成用組成物I-1とした。
上記開口部の下地層2上に、インクジェットプリンター(富士フイルム社製DMP-2831)を用いて、発光層形成用組成物I-1を、滴下ドロップ数を5ドロップとして塗布した。その後、真空乾燥により有機溶媒を除去して発光層形成用組成物I-1を乾燥し、120℃で3分間焼成し、機能性膜である発光層I-1を形成した。
<Reference example 1>
Diethyl phthalate and cyclohexylbenzene were mixed at a weight ratio of 15:85 to obtain organic solvent I-1. Solid content I-1 for forming a light-emitting layer was dissolved in organic solvent I-1 to a concentration of 1.7% by weight to obtain a composition I-1 for forming a light-emitting layer.
On the base layer 2 of the opening, using an inkjet printer (DMP-2831 manufactured by Fuji Film Corporation), the composition I-1 for forming a light-emitting layer was applied in an amount of 5 drops. Thereafter, the organic solvent was removed by vacuum drying to dry the luminescent layer forming composition I-1, and the composition was baked at 120° C. for 3 minutes to form a functional film, the luminescent layer I-1.

発光層I-1の平坦性を評価するために、有機膜が形成されたITO基板を触針式の表面段差計(小坂研究所社製ET200)を用いて測定した。表面段差の測定は、開口部の長軸方向に対して走査し、基板中央付近の発光層I-1の段差プロファイルを2つ分取得して平均化し、発光層I-1の段差プロファイルとした。同様にして、何も塗布を行っていない開口部分のプロファイルも2つ分取得し、平均化してブランクプロファイルとした。次いで、発光層I-1とブランクの2つのプロファイルを重ねて表示し、開口部分に対してどのように有機膜が形成されているかの断面図とした。上記定義に従って平坦度を計算すると、93.8%であった。発光層I-1とブランクのプロファイルを図1に示す。 In order to evaluate the flatness of the light-emitting layer I-1, the ITO substrate on which the organic film was formed was measured using a stylus type surface step meter (ET200, manufactured by Kosaka Institute). To measure the surface level difference, scanning was performed in the long axis direction of the opening, and two level difference profiles of the light emitting layer I-1 near the center of the substrate were obtained and averaged to obtain the level difference profile of the light emitting layer I-1. . In the same way, two profiles of the opening portion where no coating was applied were also obtained and averaged to obtain a blank profile. Next, the two profiles of the light-emitting layer I-1 and the blank were displayed superimposed to provide a cross-sectional view of how the organic film was formed in the opening. When the flatness was calculated according to the above definition, it was 93.8%. The profiles of the light-emitting layer I-1 and the blank are shown in FIG.

<参考例2>
酢酸2-フェノキシエチルと安息香酸エチルを、重量比で30:70になるように混合し、有機溶媒I-2とした。発光層形成用固形分I-1を1.7重量%になるように有機溶媒I-2に溶解させ、発光層形成用組成物I-2とした。
<Reference example 2>
2-phenoxyethyl acetate and ethyl benzoate were mixed at a weight ratio of 30:70 to obtain organic solvent I-2. Solid content I-1 for forming a light-emitting layer was dissolved in an organic solvent I-2 to a concentration of 1.7% by weight to obtain a composition I-2 for forming a light-emitting layer.

発光層形成用組成物I-1の代りに発光層形成用組成物I-2を用いたこと以外は参考例1と同様にして発光層I-2を形成し、同様にその平坦性を評価したところ、上記定義で計算すると96.2%であった。発光層I-2とブランクのプロファイルを図2に示す。 A light-emitting layer I-2 was formed in the same manner as in Reference Example 1, except that the composition I-2 for forming a light-emitting layer was used instead of the composition I-1 for forming a light-emitting layer, and its flatness was similarly evaluated. When calculated using the above definition, it was 96.2%. FIG. 2 shows the profiles of the light-emitting layer I-2 and the blank.

<比較例1>
ジベンジルエーテルとシクロヘキシルベンゼンを、重量比で20:80になるように混合し、有機溶媒I-3とした。発光層形成用固形分I-1を1.7重量%になるように有機溶媒I-3に溶解させ、発光層形成用組成物I-3とした。
<Comparative example 1>
Dibenzyl ether and cyclohexylbenzene were mixed at a weight ratio of 20:80 to obtain organic solvent I-3. Solid content I-1 for forming a light emitting layer was dissolved in organic solvent I-3 to a concentration of 1.7% by weight to obtain a composition I-3 for forming a light emitting layer.

発光層形成用組成物I-1の代りに発光層形成用組成物I-3を用いたこと以外は参考例1と同様にして発光層I-3を形成し、同様にその平坦性を評価したところ、上記定義で計算すると50.1%であった。発光層I-3とブランクのプロファイルを図3に示す。 A light-emitting layer I-3 was formed in the same manner as in Reference Example 1 except that the composition I-3 for forming a light-emitting layer was used instead of the composition I-1 for forming a light-emitting layer, and its flatness was similarly evaluated. When calculated using the above definition, it was 50.1%. FIG. 3 shows the profiles of the light-emitting layer I-3 and the blank.

<比較例2>
3-フェノキシトルエンとシクロヘキシルベンゼンを、重量比で20:80になるように混合し、有機溶媒I-4とした。発光層形成用固形分I-1を1.7重量%になるように有機溶媒I-4に溶解させ、発光層形成用組成物I-4とした。
<Comparative example 2>
3-phenoxytoluene and cyclohexylbenzene were mixed at a weight ratio of 20:80 to obtain organic solvent I-4. Solid content I-1 for forming a light emitting layer was dissolved in organic solvent I-4 to a concentration of 1.7% by weight to obtain a composition I-4 for forming a light emitting layer.

発光層形成用組成物I-1の代りに発光層形成用組成物I-4を用いたこと以外は参考例1と同様にして発光層I-4を形成し、同様にその平坦性を評価したところ、上記定義で計算すると67.7%であった。発光層I-4とブランクのプロファイルを図4に示す。 A light-emitting layer I-4 was formed in the same manner as in Reference Example 1 except that the composition I-4 for forming a light-emitting layer was used instead of the composition I-1 for forming a light-emitting layer, and its flatness was similarly evaluated. When calculated using the above definition, it was 67.7%. FIG. 4 shows the profiles of the light-emitting layer I-4 and the blank.

<比較例3>
2-フェノキシエタノールとシクロヘキシルベンゼンを、重量比で20:80になるように混合し、有機溶媒I-5とした。発光層形成用固形分I-1を1.7重量%になるように有機溶媒I-5に溶解させ、発光層形成用組成物I-5とした。
<Comparative example 3>
2-phenoxyethanol and cyclohexylbenzene were mixed at a weight ratio of 20:80 to obtain organic solvent I-5. Solid content I-1 for forming a light emitting layer was dissolved in organic solvent I-5 to a concentration of 1.7% by weight to obtain a composition I-5 for forming a light emitting layer.

発光層形成用組成物I-1の代りに発光層形成用組成物I-5を用いたこと以外は参考例1と同様にして発光層I-5を形成し、同様にその平坦性を評価したところ、上記定義で計算すると42.4%であった。発光層I-5とブランクのプロファイルを図5に示す。 A light emitting layer I-5 was formed in the same manner as in Reference Example 1 except that the light emitting layer forming composition I-5 was used instead of the light emitting layer forming composition I-1, and its flatness was evaluated in the same manner. When calculated using the above definition, it was 42.4%. FIG. 5 shows the profiles of the light-emitting layer I-5 and the blank.

<参考例1,2と比較例1~3の結果>
参考例1,2と比較例1~3の溶媒の組合せと平坦度を表2に示す。
<Results of Reference Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3>
Table 2 shows the solvent combinations and flatness of Reference Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3.

Figure 0007415917000020
Figure 0007415917000020

<考察>
参考例1および2では、プロファイルから明らかなように、平坦領域の改善に加え、開口部の隔壁部分への濡れ上がり(以降メニスカスと呼称する。)が非常に少なく、発光素子として有効な領域が広くなっていることが分かる。流動活性化エネルギーを適切な範囲で選択することで、液の無駄な流動を抑え、平坦な有機膜を得ることができる。
比較例1および2では、流動活性化エネルギーが非常に低い溶媒どうしで設計されているため、乾燥過程で液が流動してしまい、隔壁部分の方へ液が移動してしまっているため、メニスカスが太ってしまっている。また、液が中央から隔壁の方へ動いてしまっているため、同じ液滴を入れているにもかかわらず、参考例1や2に比較して、膜厚が薄くなってしまっている。
<Consideration>
As is clear from the profiles, in Reference Examples 1 and 2, in addition to improving the flat area, wetting up to the partition wall portion of the opening (hereinafter referred to as meniscus) is extremely small, and the area that is effective as a light emitting element is You can see that it is getting wider. By selecting the flow activation energy within an appropriate range, wasteful flow of the liquid can be suppressed and a flat organic film can be obtained.
In Comparative Examples 1 and 2, since the solvents were designed to have very low flow activation energy, the liquid flowed during the drying process and moved toward the partition wall, resulting in a meniscus. has gained weight. In addition, because the liquid moved from the center toward the partition wall, the film thickness was thinner than in Reference Examples 1 and 2, even though the same droplets were placed.

比較例3においては、流動活性化エネルギーを非常に高い値に設定した有機溶媒を設計している。この場合は、流動を抑えることは可能だが、乾燥過程で液膜が濡れ下がらないことに起因して、メニスカスが太っていると推測される。すなわち、平坦な有機膜を得るためには、乾燥初期段階では液が濡れ下がってくるだけの流動性が必要であり、一方で乾燥終盤では、流動性をなくして無駄な液の動きをなくす必要がある。 In Comparative Example 3, an organic solvent is designed in which the flow activation energy is set to a very high value. In this case, although it is possible to suppress the flow, it is presumed that the meniscus is thickened because the liquid film does not wet down during the drying process. In other words, in order to obtain a flat organic film, it is necessary to have enough fluidity in the early stage of drying to allow the liquid to become wet, while in the final stage of drying, it is necessary to eliminate fluidity to eliminate unnecessary movement of the liquid. There is.

上記の参考例1,2と比較例1~3の対比から、参考例1,2は開口部の平坦性において優れているが、これら参考例1,2は、第2溶媒として沸点が245℃未満のものを用いているため、後掲の比較例4のように、パネル端部の平坦性が著しく劣るものとなる。 From the comparison between Reference Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3 above, Reference Examples 1 and 2 are excellent in the flatness of the opening, but these Reference Examples 1 and 2 have a boiling point of 245°C as the second solvent. As a result, as in Comparative Example 4, which will be described later, the flatness of the panel edges is significantly inferior.

[評価II:パネル中央部の平坦性の評価]
<基板IIの準備>
評価Iにおける基板Iの準備と同様に、長軸約170μm、短軸約50μmの開口部を、少なくとも長軸方向で21個分、短軸方向で65個分を有する基板IIを作製した。
[Evaluation II: Evaluation of flatness in the center of the panel]
<Preparation of board II>
Similar to the preparation of substrate I in evaluation I, substrate II was prepared having at least 21 openings in the major axis direction and 65 openings in the minor axis direction, each having a major axis of approximately 170 μm and a minor axis of approximately 50 μm.

<固形分の準備>
下記に示す正孔輸送材料P-1と、電子吸引性ドーパントD-2を、重量比で100:10となるように混合して固形分II-1を調製した。
<Preparation of solid content>
Solid content II-1 was prepared by mixing hole transport material P-1 shown below and electron-withdrawing dopant D-2 at a weight ratio of 100:10.

Figure 0007415917000021
Figure 0007415917000021

<平坦度の定義>
前記開口の長さをLaとしたとき、開口端部からの距離xが0.25<x/La<0.75の領域の平均膜厚Daを算出し、ある位置xでの該有機膜の膜厚Do(x)が下記式2を満たす領域をLbとする。
Da-Da×5%<Do(x)<Da+Da×5% (式2)
開口部の長さLaに対して、平坦度の定義をLb/La×100(%)とした。
<Definition of flatness>
When the length of the opening is La, calculate the average film thickness Da in a region where the distance x from the opening end is 0.25<x/La<0.75, and calculate the average film thickness Da of the organic film at a certain position x. Let Lb be a region where the film thickness Do(x) satisfies the following formula 2.
Da-Da×5%<Do(x)<Da+Da×5% (Formula 2)
The flatness was defined as Lb/La×100 (%) with respect to the length La of the opening.

<実施例1>
2-イソプロピルナフタレンに対して、固形分II-1の割合が5重量%になるように調整し、撹拌子を用いて420rpmで撹拌しながら、110℃で3時間加熱し、標準組成物II-1を作製した。
標準組成物II-1、2-イソプロピルナフタレン、安息香酸2-エチルヘキシルを、それぞれ重量比で50:20.75:29.25の割合で混ぜ合せ、一定時間撹拌したのちに孔径0.2μmのメンブレンフィルタで濾過し、組成物II-1を調製した。組成物II-1は固形分II-1の濃度が2.5重量%で、2-イソプロピルナフタレンと安息香酸2-エチルヘキシルの重量比が70:30の組成物である。
<Example 1>
The ratio of solid content II-1 was adjusted to 5% by weight based on 2-isopropylnaphthalene, and heated at 110°C for 3 hours while stirring at 420 rpm using a stirrer to form standard composition II-1. 1 was produced.
Standard composition II-1, 2-isopropylnaphthalene and 2-ethylhexyl benzoate were mixed in a weight ratio of 50:20.75:29.25, and after stirring for a certain period of time, a membrane with a pore size of 0.2 μm was prepared. The mixture was filtered to prepare Composition II-1. Composition II-1 has a solid content II-1 concentration of 2.5% by weight and a weight ratio of 2-isopropylnaphthalene and 2-ethylhexyl benzoate of 70:30.

インクジェットプリンター(富士フイルム社製DMP-2831)を用いて、基板IIの開口部に対して組成物II-1を塗布し、真空乾燥して有機膜を得た。当該有機膜は、130℃のホットプレートで3分間焼成されたのち、230℃のホットプレートで30分間焼成して有機膜II-1とした。塗布量は、乾燥膜厚がほぼ100nm程度になるように調整した。長軸方向に開口部の21個分、短軸方向に開口部の65個分塗布し、短軸方向は5個分塗布するごとに1個分塗布しないようなパターンで塗布し、画素群1とした。これにより、画素群1は短軸方向で開口部6個分を周期として、塗布された開口部と塗布されない開口部を繰り返した周期構造をとっている。 Composition II-1 was applied to the opening of substrate II using an inkjet printer (DMP-2831 manufactured by Fuji Film Corporation) and dried under vacuum to obtain an organic film. The organic film was fired on a hot plate at 130° C. for 3 minutes and then on a hot plate at 230° C. for 30 minutes to obtain organic film II-1. The coating amount was adjusted so that the dry film thickness was approximately 100 nm. Pixel group 1 is applied in a pattern such that 21 apertures are applied in the long axis direction and 65 apertures are applied in the short axis direction. And so. As a result, the pixel group 1 has a periodic structure in which coated openings and uncoated openings are repeated at a period of six openings in the short axis direction.

平坦性を評価するために、有機膜II-1の短軸方向の膜厚プロファイルを、触針式の表面段差計(小坂研究所社製ET200)を用いて測定した。測定する開口部は、21×65の画素群1の面内で、以下の2か所とした。
測定箇所1:長軸及び短軸両側の端から数えて長軸の開口部11個目、短軸の開口部33個目の場所(画素群1のセンター領域)
測定箇所2:長軸及び短軸両側の端から数えて長軸の開口部3個目、短軸の開口部9個目の場所(画素群1のエッジ領域)
In order to evaluate the flatness, the film thickness profile of the organic film II-1 in the short axis direction was measured using a stylus-type surface step meter (ET200, manufactured by Kosaka Institute). The openings to be measured were at the following two locations within the plane of the 21×65 pixel group 1.
Measurement point 1: The 11th aperture on the long axis and the 33rd aperture on the short axis counting from both ends of the long axis and short axis (center area of pixel group 1)
Measurement point 2: Location of the third opening on the long axis and the ninth opening on the short axis counting from both ends of the long axis and short axis (edge area of pixel group 1)

測定箇所1の平坦性評価結果を図7に、測定箇所2の平坦性評価結果を図8に示す。式2の平坦度の定義から、上記2箇所の有機膜1の平坦度を算出すると、測定箇所1で81.0%、測定箇所2で84.3%と、良好な平坦性が得られた。また、測定箇所1及び測定箇所2での膜の形状は、ほぼ同等の形状をとっていた。 The flatness evaluation results for measurement point 1 are shown in FIG. 7, and the flatness evaluation results for measurement point 2 are shown in FIG. From the definition of flatness in Equation 2, the flatness of the organic film 1 at the above two locations was calculated to be 81.0% at measurement location 1 and 84.3% at measurement location 2, which resulted in good flatness. . Furthermore, the shapes of the membranes at measurement location 1 and measurement location 2 were approximately the same.

<実施例2>
安息香酸ブチルに対して、固形分II-1の割合が5重量%になるように調整し、撹拌子を用いて420rpmで撹拌しながら、110℃で3時間加熱し、標準組成物II-2を作製した。
標準組成物II-2、安息香酸ブチル、安息香酸2-エチルヘキシルを、それぞれ重量比で50:20.75:29.25の割合で混ぜ合せ、組成物II-2を調製した。組成物II-2は固形分II-1の濃度が2.5重量%で、安息香酸ブチルと安息香酸2-エチルヘキシルの重量比が70:30の組成物である。
<Example 2>
The ratio of solid content II-1 to butyl benzoate was adjusted to 5% by weight, and heated at 110°C for 3 hours while stirring at 420 rpm using a stirrer to form standard composition II-2. was created.
Composition II-2 was prepared by mixing standard composition II-2, butyl benzoate, and 2-ethylhexyl benzoate in a weight ratio of 50:20.75:29.25, respectively. Composition II-2 has a solid content II-1 concentration of 2.5% by weight and a weight ratio of butyl benzoate to 2-ethylhexyl benzoate of 70:30.

組成物II-2を用いて、実施例1と同様の手順で有機膜II-2を形成し、平坦性を評価した。
測定箇所1の平坦性評価結果を図9に、測定箇所2の平坦性評価結果を図10に示す。式2の平坦度の定義から、上記2箇所の有機膜II-2の平坦度を算出すると、測定箇所1で55.8%、測定箇所2で58.7%と、比較的良好な平坦性が得られた。また、測定箇所1及び測定箇所2での膜の形状は、ほぼ同等の形状をとっていた。
Organic film II-2 was formed using composition II-2 in the same manner as in Example 1, and its flatness was evaluated.
The flatness evaluation results for measurement point 1 are shown in FIG. 9, and the flatness evaluation results for measurement point 2 are shown in FIG. From the definition of flatness in Equation 2, the flatness of organic film II-2 at the two locations above is calculated to be 55.8% at measurement location 1 and 58.7% at measurement location 2, which is relatively good flatness. was gotten. Furthermore, the shapes of the membranes at measurement location 1 and measurement location 2 were approximately the same.

<実施例3>
標準組成物II-1、2-イソプロピルナフタレン、安息香酸2-エチルヘキシル、安息香酸ベンジルを、それぞれ重量比で50:20.75:29.25の割合で混ぜ合せ、一定時間撹拌したのちに孔径0.2μmのメンブレンフィルタで濾過し、組成物II-3を調製した。組成物II-3は固形分II-1の濃度が2.5重量%で、2-イソプロピルナフタレンと安息香酸2-エチルヘキシルと安息香酸ベンジルの重量比が70:20:10の組成物である。
<Example 3>
Standard composition II-1, 2-isopropylnaphthalene, 2-ethylhexyl benzoate, and benzyl benzoate were mixed in a weight ratio of 50:20.75:29.25, and after stirring for a certain period of time, the pore size was 0. The mixture was filtered through a 2 μm membrane filter to prepare Composition II-3. Composition II-3 has a solid content II-1 concentration of 2.5% by weight, and a weight ratio of 2-isopropylnaphthalene, 2-ethylhexyl benzoate, and benzyl benzoate of 70:20:10.

組成物II-3を用いて、実施例1と同様の手順で有機膜II-3を形成し、平坦性を評価した。
測定箇所1の平坦性評価結果を図11に示す。式2の平坦度の定義から、有機膜II-3の平坦度を算出すると、測定箇所1で90.2%と、良好な平坦性が得られた。
Organic film II-3 was formed using composition II-3 in the same manner as in Example 1, and its flatness was evaluated.
The flatness evaluation results of measurement point 1 are shown in FIG. When the flatness of the organic film II-3 was calculated from the definition of flatness in Equation 2, good flatness of 90.2% was obtained at measurement point 1.

<比較例4>
標準組成物II-1、2-イソプロピルナフタレン、ジベンジルエーテルを、それぞれ重量比で50:20.75:29.25の割合で混ぜ合せ、一定時間撹拌したのちに孔径0.2μmのメンブレンフィルタで濾過し、組成物II-4を調製した。組成物II-4は固形分II-1の濃度が2.5重量%で、2-イソプロピルナフタレンとジベンジルエーテルの重量比が70:30の組成物である。
<Comparative example 4>
Standard composition II-1, 2-isopropylnaphthalene and dibenzyl ether were mixed in a weight ratio of 50:20.75:29.25, stirred for a certain period of time, and filtered through a membrane filter with a pore size of 0.2 μm. It was filtered to prepare composition II-4. Composition II-4 has a solid content II-1 concentration of 2.5% by weight and a weight ratio of 2-isopropylnaphthalene and dibenzyl ether of 70:30.

組成物II-4を用いて、実施例1と同様の手順で有機膜II-4を形成し、平坦性を評価した。
測定箇所1の平坦性評価結果を図12に、測定箇所2の平坦性評価結果を図13に示す。式2の平坦度の定義から、上記2箇所の有機膜II-4の平坦度を算出すると、測定箇所1で16.2%、測定箇所2で31.5%と、平坦な膜は得られなかった。測定箇所1及び測定箇所2での膜の形状は、中央部が窪んだ形状をとっており、同様の形状となっていた。
Organic film II-4 was formed using composition II-4 in the same manner as in Example 1, and its flatness was evaluated.
The flatness evaluation results for measurement location 1 are shown in FIG. 12, and the flatness evaluation results for measurement location 2 are shown in FIG. 13. From the definition of flatness in Equation 2, the flatness of the organic film II-4 at the two locations above is calculated to be 16.2% at measurement location 1 and 31.5% at measurement location 2, indicating that a flat film was obtained. There wasn't. The shapes of the membranes at measurement point 1 and measurement point 2 were similar in shape, with the center being depressed.

<比較例5>
シクロヘキシルベンゼンに対して、固形分II-1の割合が5重量%になるように調整し、撹拌子を用いて420rpmで撹拌しながら、110℃で3時間加熱し、標準組成物II-3を作製した。
標準組成物II-3、シクロヘキシルベンゼン、安息香酸2-エチルヘキシルを、それぞれ重量比で50:20.75:29.25の割合で混ぜ合せ、組成物II-5を調製した。組成物II-5は固形分II-1の濃度が2.5重量%で、シクロヘキシルベンゼンと安息香酸2-エチルヘキシルの重量比が70:30の組成物である。
<Comparative example 5>
The ratio of solid content II-1 to cyclohexylbenzene was adjusted to 5% by weight, and heated at 110°C for 3 hours while stirring at 420 rpm using a stirrer to prepare standard composition II-3. Created.
Composition II-5 was prepared by mixing standard composition II-3, cyclohexylbenzene, and 2-ethylhexyl benzoate in a weight ratio of 50:20.75:29.25, respectively. Composition II-5 has a solid content II-1 concentration of 2.5% by weight and a weight ratio of cyclohexylbenzene and 2-ethylhexyl benzoate of 70:30.

組成物II-5を用いて、前記実施例1と同様の手順で有機膜II-5を形成し、平坦性を評価した。
測定箇所1の平坦性評価結果を図14に、測定箇所2の平坦性評価結果を図15に示す。式2の平坦度の定義から、上記2箇所の有機膜II-5の平坦度を算出すると、測定箇所1では68.9%と良好な平坦性が得られたが、測定箇所2では4.1%と平坦な膜は得られなかった。
Organic film II-5 was formed using Composition II-5 in the same manner as in Example 1, and its flatness was evaluated.
The flatness evaluation results of measurement point 1 are shown in FIG. 14, and the flatness evaluation results of measurement point 2 are shown in FIG. From the definition of flatness in Equation 2, we calculated the flatness of the organic film II-5 at the two locations.At measurement location 1, a good flatness of 68.9% was obtained, but at measurement location 2, it was 4.9%. 1%, a flat film could not be obtained.

<比較例6>
安息香酸2-エチルヘキシルに対して、固形分II-1の割合が2.5重量%になるように調整し、撹拌子を用いて420rpmで撹拌しながら、110℃で3時間加熱し、組成物II-6を調製した。
<Comparative example 6>
The proportion of solid content II-1 was adjusted to 2.5% by weight based on 2-ethylhexyl benzoate, and heated at 110°C for 3 hours while stirring at 420 rpm using a stirrer to form a composition. II-6 was prepared.

組成物II-6を用いて、前記実施例1と同様の手順で有機膜II-6を形成し、平坦性を評価した。
測定箇所1の平坦性評価結果を図16に、測定箇所2の平坦性評価結果を図17に示す。式2の平坦度の定義から、上記2箇所の有機膜II-6の平坦度を算出すると、測定箇所1では43.3%、測定箇所2では53.4%と、平坦な膜は得られなかった。測定箇所1及び測定箇所2での膜の形状は、ほぼ同等の形状をとっていた。
Organic film II-6 was formed using Composition II-6 in the same manner as in Example 1, and its flatness was evaluated.
The flatness evaluation results for measurement point 1 are shown in FIG. 16, and the flatness evaluation results for measurement point 2 are shown in FIG. 17. From the definition of flatness in Equation 2, the flatness of the organic film II-6 at the two locations above is calculated to be 43.3% at measurement location 1 and 53.4% at measurement location 2, indicating that a flat film was obtained. There wasn't. The shapes of the membranes at measurement location 1 and measurement location 2 were approximately the same.

実施例1~3及び比較例4~6の結果を表3にまとめる。これらの結果から、第2溶媒の沸点が245℃以上である場合、パネルの中央部と端部で同等の平坦性が得られることが分かった。特に第2溶媒の沸点が260℃以上の場合、パネルの中央部と端部両方で80%を超える平坦性が得られることが分かった。 The results of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 4 to 6 are summarized in Table 3. From these results, it was found that when the boiling point of the second solvent was 245° C. or higher, equivalent flatness could be obtained at the center and edges of the panel. In particular, it has been found that when the boiling point of the second solvent is 260° C. or higher, flatness of more than 80% can be obtained at both the center and edges of the panel.

Figure 0007415917000022
Figure 0007415917000022

本発明を特定の態様を用いて詳細に説明したが、本発明の意図と範囲を離れることなく様々な変更が可能であることは当業者に明らかである。
本出願は、2018年5月1日付で出願された日本特許出願2018-088327に基づいており、その全体が引用により援用される。
Although the invention has been described in detail using specific embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various changes can be made without departing from the spirit and scope of the invention.
This application is based on Japanese Patent Application No. 2018-088327 filed on May 1, 2018, which is incorporated by reference in its entirety.

1 基板
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 正孔阻止層
7 電子輸送層
8 電子注入層
9 陰極
10 有機電界発光素子
1 Substrate 2 Anode 3 Hole injection layer 4 Hole transport layer 5 Light emitting layer 6 Hole blocking layer 7 Electron transport layer 8 Electron injection layer 9 Cathode 10 Organic electroluminescent element

Claims (7)

機能性材料と、第1溶媒および第2溶媒とを含む組成物であって、
該第1溶媒は非水溶性芳香族溶媒であり、
該第1溶媒の沸点が該第2溶媒の沸点より高く、該第1溶媒と該第2溶媒との沸点の差が10℃以上であり、
該第1溶媒は、流動活性化エネルギーが22kJ/mol以上35kJ/mol以下であり、
該第1溶媒の流動活性化エネルギーが、該第2溶媒の流動活性化エネルギーよりも5kJ/mol以上大きく、
該第1溶媒の含有割合は、該第1溶媒と該第2溶媒の総量に対して5~50重量%であり、
該組成物に含まれる溶媒の全量に対する該第1溶媒と該第2溶媒の合計の含有量が95重量%以上であり、
該第2溶媒の沸点は245℃以上であり、
前記第1溶媒及び前記第2溶媒が、それぞれ置換基を有していてもよい、ナフタレン、安息香酸エステル、芳香族エーテルのいずれかである組成物。
A composition comprising a functional material, a first solvent and a second solvent,
The first solvent is a water-insoluble aromatic solvent,
The boiling point of the first solvent is higher than the boiling point of the second solvent, and the difference in boiling point between the first solvent and the second solvent is 10° C. or more,
The first solvent has a flow activation energy of 22 kJ/mol or more and 35 kJ/mol or less,
The flow activation energy of the first solvent is 5 kJ/mol or more greater than the flow activation energy of the second solvent,
The content ratio of the first solvent is 5 to 50% by weight based on the total amount of the first solvent and the second solvent,
The total content of the first solvent and the second solvent with respect to the total amount of solvents contained in the composition is 95 % by weight or more,
The boiling point of the second solvent is 245°C or higher,
A composition in which the first solvent and the second solvent are naphthalene, benzoic acid ester, or aromatic ether, each of which may have a substituent .
機能性材料と、第1溶媒および第2溶媒とを含む組成物であって、
該第1溶媒は非水溶性芳香族溶媒であり、
該第1溶媒の沸点が該第2溶媒の沸点より高く、該第1溶媒と該第2溶媒との沸点の差が10℃以上であり、
該第1溶媒は、流動活性化エネルギーが22kJ/mol以上35kJ/mol以下であり、
該第1溶媒の流動活性化エネルギーが、該第2溶媒の流動活性化エネルギーよりも5kJ/mol以上大きく、
該第1溶媒の含有割合は、該第1溶媒と該第2溶媒の総量に対して5~50重量%であり、
該組成物に含まれる溶媒の全量に対する該第1溶媒と該第2溶媒の合計の含有量が95重量%以上であり、
該第2溶媒の沸点は245℃以上であり、
前記第1溶媒は、安息香酸2-エチルヘキシル、安息香酸ベンジル、アセチルナフタレン、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、エチルビフェニル、イソプロピルビフェニル、ジイソプロピルビフェニル、トリイソプロピルビフェニル、イソ酪酸2-フェノキシエチルのいずれかであり、
前記第2溶媒は、メチルナフタレン、エチルナフタレン、イソプロピルナフタレン、メトキシナフタレン、安息香酸ブチル、安息香酸ペンチル、安息香酸イソペンチル、ジフェニルメタン、ベンジルトルエンのいずれかである組成物。
A composition comprising a functional material, a first solvent and a second solvent,
The first solvent is a water-insoluble aromatic solvent,
The boiling point of the first solvent is higher than the boiling point of the second solvent, and the difference in boiling point between the first solvent and the second solvent is 10° C. or more,
The first solvent has a flow activation energy of 22 kJ/mol or more and 35 kJ/mol or less,
The flow activation energy of the first solvent is 5 kJ/mol or more greater than the flow activation energy of the second solvent,
The content ratio of the first solvent is 5 to 50% by weight based on the total amount of the first solvent and the second solvent,
The total content of the first solvent and the second solvent with respect to the total amount of solvents contained in the composition is 95 % by weight or more,
The boiling point of the second solvent is 245°C or higher,
The first solvent is any one of 2-ethylhexyl benzoate, benzyl benzoate, acetylnaphthalene, dimethyl phthalate, diethyl phthalate, ethyl biphenyl, isopropylbiphenyl, diisopropylbiphenyl, triisopropylbiphenyl, and 2-phenoxyethyl isobutyrate. can be,
The second solvent is any one of methylnaphthalene, ethylnaphthalene, isopropylnaphthalene, methoxynaphthalene, butyl benzoate, pentyl benzoate, isopentyl benzoate, diphenylmethane, and benzyltoluene .
前記機能性材料の分子量が50,000以下である、請求項1又は2に記載の組成物。 The composition according to claim 1 or 2 , wherein the functional material has a molecular weight of 50,000 or less. 前記第2溶媒の23℃における粘度が5mPas以下である、請求項1~3のいずれか1項に記載の組成物。 The composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the second solvent has a viscosity of 5 mPas or less at 23°C. 前記第1溶媒の沸点と前記第2溶媒の沸点の差が30℃以上である、請求項1~のいずれか1項に記載の組成物。 The composition according to any one of claims 1 to 4 , wherein the difference between the boiling point of the first solvent and the boiling point of the second solvent is 30°C or more. 前記第1溶媒の表面張力が30mN/m以上である、請求項1~のいずれか1項に記載の組成物。 The composition according to any one of claims 1 to 5 , wherein the first solvent has a surface tension of 30 mN/m or more. 請求項1~のいずれか1項に記載の組成物を用いて湿式成膜する工程を含む、有機電界発光素子の製造方法。 A method for producing an organic electroluminescent device, comprising a step of wet film formation using the composition according to any one of claims 1 to 6 .
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