JP2023123190A - 基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

Figure 2023123190000001
【課題】ガス流路の設計の自由度を向上する基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバと、前記処理チャンバ内に設けられ、基板を保持する基板支持部と、前記基板支持部に対向するシャワーヘッドと、を備え、前記シャワーヘッドは、ガスを吐出するガス流路が形成されたシャワープレートと、前記シャワープレートを保持して冷却するクーリングプレートと、を有し、前記クーリングプレートは、ガスを分配するガス分配層を有する第１プレートと、冷媒が供給される冷媒流路及び前記ガス分配層で分配されたガスが供給されるガス拡散空間を有する、第２プレートと、前記第１プレートと前記第２プレートとを締結する締結部材と、を有する、基板処理装置。
【選択図】図２

Description

本開示は、基板処理装置に関する。
特許文献１には、ガス分配プレートアセンブリであって、金属マトリックス複合体を含むベースプレートと、接着層によりベースプレートに結合されたシリコンディスクを含む有孔フェイスプレートを含むガス分配プレートアセンブリが開示されている。
また、特許文献２には、電極板と該電極板を支持するセラミックスの基体とを有し、ガスを供給するシャワーヘッドアセンブリであって、前記セラミックスの基体は、前記基体の中心側に形成される第１のガス拡散空間と、前記基体の周縁側に形成される第２のガス拡散空間と、前記第１のガス拡散空間の上方位置に設けられる第１のヒータ電極層と、前記第２のガス拡散空間の上方位置に設けられる第２のヒータ電極層と、前記第１のガス拡散空間の上方位置であって前記第１のヒータ電極層の上方又は下方の位置に形成される第１の冷媒流路と、前記第２のガス拡散空間の上方位置であって前記第２のヒータ電極層の上方又は下方の位置に形成される第２の冷媒流路と、前記第１のガス拡散空間を介してガスを供給する第１のガス供給路と、前記第２のガス拡散空間を介してガスを供給する第２のガス供給路と、を有し、前記基体の内部に接合面がないように作製されているシャワーヘッドアセンブリが開示されている。
特表２０１９－５２３９９５号公報 特開２０１５－９５５５１号公報
一の側面では、本開示は、ガス流路の設計の自由度を向上する基板処理装置を提供する。
上記課題を解決するために、一の態様によれば、処理チャンバと、前記処理チャンバ内に設けられ、基板を保持する基板支持部と、前記基板支持部に対向するシャワーヘッドと、を備え、前記シャワーヘッドは、ガスを吐出するガス流路が形成されたシャワープレートと、前記シャワープレートを保持して冷却するクーリングプレートと、を有し、前記クーリングプレートは、ガスを分配するガス分配層を有する第１プレートと、冷媒が供給される冷媒流路及び前記ガス分配層で分配されたガスが供給されるガス拡散空間を有する、第２プレートと、前記第１プレートと前記第２プレートとを締結する締結部材と、を有する、基板処理装置を提供することができる。
容量結合型の基板処理装置の構成例を説明するための図の一例。 本実施形態に係るクーリングプレートの構成を説明する断面図の一例。 本実施形態に係るクーリングプレートの分解断面図の一例。 ガス均等分配層の構成を説明する上面図の一例。 ガス均等分配層の構成を説明する底面図の一例。 流路形成層の構成を説明する上面図の一例。 流路形成層の構成を説明する底面図の一例。 ガス均等分配層の構成を説明する上面図の他の一例。 ガス均等分配層の構成を説明する底面図の他の一例。 参考例に係るクーリングプレートの構造について説明する断面図の一例。 本実施形態に係るクーリングプレートと参考例に係るクーリングプレートとを対比する図。
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
以下に、プラズマ処理システムの構成例について説明する。図１は、容量結合型の基板処理装置の構成例を説明するための図の一例である。
プラズマ処理システムは、容量結合型の基板処理装置１及び制御部２を含む。容量結合型の基板処理装置１は、プラズマ処理チャンバ（処理チャンバ）１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、基板処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。
基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。
一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電源３１及び／又はＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。
リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。
また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。
シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ（１３ａ１～１３ａ３）、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ（１３ｂ１～１３ｂ３）、及び複数のガス導入口１３ｃ（１３ｃ１～１３ｃ３）を有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。
また、図１に示すシャワーヘッド１３は、ガス導入部５１と、ガス導入部５２と、ガス導入部５３と、を有する。ガス導入部５１は、プラズマ処理チャンバ１０内の基板Ｗの中心領域（センター領域）にガスを導入する。ガス導入部５２は、ガス導入部５１よりも外側領域（中間領域）にガスを導入する。ガス導入部５３は、ガス導入部５２よりも外側領域（エッジ領域）にガスを導入する。ガス導入部５１、ガス導入部５２及びガス導入部５３は、同心状に配置されている。
ガス拡散室１３ｂは、ガス拡散室１３ｂ１と、ガス拡散室１３ｂ２と、ガス拡散室１３ｂ３と、を有する。
ガス拡散室１３ｂ１には、ガス供給口１３ａ１及び複数のガス導入口１３ｃ１が、ガスが通流可能に接続される。ガス導入部５１は、ガス供給口１３ａ１、ガス拡散室１３ｂ１、複数のガス導入口１３ｃ１を有する。また、ガス拡散室１３ｂ２には、ガス供給口１３ａ２及び複数のガス導入口１３ｃ２が、ガスが通流可能に接続される。ガス導入部５２は、ガス供給口１３ａ２、ガス拡散室１３ｂ２、複数のガス導入口１３ｃ２を有する。また、ガス拡散室１３ｂ３には、ガス供給口１３ａ３及び複数のガス導入口１３ｃ３が、ガスが通流可能に接続される。ガス導入部５３は、ガス供給口１３ａ３、ガス拡散室１３ｂ３、複数のガス導入口１３ｃ３を有する。
また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。
また、シャワーヘッド１３は、クーリングプレート１３１と、シャワープレート１３２と、を有する。クーリングプレート１３１は、例えば、アルミニウムで形成され、シャワープレート１３２を保持する。また、クーリングプレート１３１は、保持したシャワープレート１３２を冷却する機能を有する。また、クーリングプレート１３１は、ガス拡散室１３ｂが形成される。シャワープレート１３２は、例えばＳｉ、ＳｉＣ等で形成され、ガス導入口１３ｃが形成される。
ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。
電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ処理チャンバ１０において１又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。
一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。
第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。
また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のバイアスＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。
種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。
排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
制御部２は、本開示において述べられる種々の工程を基板処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するように基板処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てが基板処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介して基板処理装置１との間で通信してもよい。
次に、本実施形態に係るクーリングプレート１３１について、図２から図７を用いて更に説明する。図２は、本実施形態に係るクーリングプレート１３１の構成を説明する断面図の一例である。図３は、本実施形態に係るクーリングプレート１３１の分解断面図の一例である。図４は、ガス均等分配層（ガス分配層）２１２の構成を説明する上面図の一例である。図５は、ガス均等分配層２１２の構成を説明する底面図の一例である。なお、図４において、ガス流路３１１，３２１，３３１に対応する位置を破線で図示し、図５において、ガス流路３１９，３２９，３３９に対応する位置を破線で図示する。図６は、Ａ方向（図３参照）矢視した流路形成層２２２の構成を説明する上面図の一例である。図７は、Ｂ方向（図３参照）矢視した流路形成層２２２の構成を説明する底面図の一例である。なお、図４から図７において、直交する水平方向をそれぞれＸ方向Ｙ方向とし、高さ方向Ｚ方向として示す。
クーリングプレート１３１は、ガス分配流路３００が形成される第１プレート２１０と、ガス拡散流路４００及び冷媒流路５００が形成される第２プレート２２０と、を有する。第１プレート２１０と第２プレート２２０とは、ボルト２３０で接合される。
第１プレート２１０は、接続ＩＦ（インターフェース）層２１１と、ガス均等分配層２１２と、第１の中間ＩＦ（インターフェース）層２１３と、を有する。第１プレート２１０は、板状の接続ＩＦ層２１１、ガス均等分配層２１２及び第１の中間ＩＦ層２１３を拡散接合、ロウ付け等によって形成される。また、第１プレート２１０は、例えば、アルミニウム、ＳＵＳ（ステンレス）等で形成される。
接続ＩＦ層２１１は、ガス供給部２０からガスが供給される。即ち、接続ＩＦ層２１１は、ガス供給口１３ａ１（図１参照）と接続されるガス流路３１１を有する。また、接続ＩＦ層２１１は、ガス供給口１３ａ２（図１参照）と接続されるガス流路３２１を有する。また、接続ＩＦ層２１１は、ガス供給口１３ａ３（図１参照）と接続されるガス流路３３１を有する。ガス流路３１１，３２１，３３１は、接続ＩＦ層２１１を板厚方向に貫通する流路である。
ガス均等分配層２１２は、接続ＩＦ層２１１から供給されたガスを分配する。即ち、ガス均等分配層２１２は、接続ＩＦ層２１１に設けられたガス流路３１１から供給されたガスを第１の中間ＩＦ層２１３に設けられた複数のガス流路３１９に分配する分配流路３１２を有する。分配流路３１２は、貫通流路３１３と、連通流路３１４と、貫通流路３１５と、分配流路３１６と、貫通流路３１７と、を有する（図４，５参照）。貫通流路３１３は、ガス均等分配層２１２を板厚方向に貫通する流路であり、接続ＩＦ層２１１のガス流路３１１及び連通流路３１４を連通させる。連通流路３１４は、ガス均等分配層２１２の下面側に形成された凹溝と第１の中間ＩＦ層２１３の上面とによって形成される流路であり、貫通流路３１３及び貫通流路３１５を連通させる。貫通流路３１５は、ガス均等分配層２１２を板厚方向に貫通する流路であり、連通流路３１４及び分配流路３１６を連通させる。分配流路３１６は、ガス均等分配層２１２の上面側に形成された凹溝と接続ＩＦ層２１１の下面とによって形成される流路であり、貫通流路３１５及び貫通流路３１７を連通させる。また、分配流路３１６は、貫通流路３１５から複数の貫通流路３１７に向かって複数（図４，５に示す一例では４）に分岐する。また、分配流路３１６は、貫通流路３１５から各貫通流路３１７までの流路長が互いに等しく形成されている。貫通流路３１７は、ガス均等分配層２１２を板厚方向に貫通する流路であり、分配流路３１６及び第１の中間ＩＦ層２１３のガス流路３１９を連通させる。
また、ガス均等分配層２１２は、接続ＩＦ層２１１に設けられたガス流路３２１から供給されたガスを第１の中間ＩＦ層２１３に設けられた複数のガス流路３２９に分配する分配流路３２２を有する（図４，５参照）。分配流路３２２は、貫通流路３２３と、分配流路３２４と、を有する。貫通流路３２３は、ガス均等分配層２１２を板厚方向に貫通する流路であり、接続ＩＦ層２１１のガス流路３２１及び分配流路３２４を連通させる。分配流路３２４は、ガス均等分配層２１２の下面側に形成された凹溝と第１の中間ＩＦ層２１３の上面とによって形成される流路であり、貫通流路３２３及び第１の中間ＩＦ層２１３のガス流路３２９を連通させる。また、分配流路３２４は、貫通流路３２３から複数のガス流路３２９に向かって複数（図４，５に示す一例では４）に分岐する。また、分配流路３２４は、貫通流路３２３から各ガス流路３２９までの流路長が互いに等しく形成されている。
また、ガス均等分配層２１２は、接続ＩＦ層２１１に設けられたガス流路３３１から供給されたガスを第１の中間ＩＦ層２１３に設けられた複数のガス流路３３９に分配する分配流路３３２を有する（図４，５参照）。分配流路３３２は、貫通流路３３３と、分配流路３３４と、を有する。貫通流路３３３は、ガス均等分配層２１２を板厚方向に貫通する流路であり、接続ＩＦ層２１１のガス流路３３１及び分配流路３３４を連通させる。分配流路３３４は、ガス均等分配層２１２の下面側に形成された凹溝と第１の中間ＩＦ層２１３の上面とによって形成される流路であり、貫通流路３３３及び第１の中間ＩＦ層２１３のガス流路３３９を連通させる。また、分配流路３３４は、貫通流路３３３から複数のガス流路３３９に向かって複数（図４，５に示す一例では４）に分岐する。また、分配流路３３４は、貫通流路３３３から各ガス流路３３９までの流路長が互いに等しく形成されている。
このように、接続ＩＦ層２１１に設けられたガス流路３１１，３２１，３３１から供給されたガスを第１の中間ＩＦ層２１３に設けられた複数のガス流路３１９，３２９，３３９に分配する分配流路３１２，３２２，３３２が形成されたガス均等分配層２１２は、多層構造に形成される。即ち、図４及び図５に示すように、ガス均等分配層２１２は、ガス均等分配層２１２の上面側に形成された上面ガス流路と、ガス均等分配層２１２の下面側に形成された下面ガス流路と、ガス均等分配層２１２の上面側（上面ガス流路）と下面側（下面ガス流路）とを貫通する貫通ガス流路と、を有する２層構造となる。図４及び図５に示す例において、分配流路３１２は、上面ガス流路としての分配流路３１６と、下面ガス流路としての連通流路３１４と、貫通ガス流路としての貫通流路３１３，３１５，３１７と、を有する。また、分配流路３２２において、下面ガス流路としての分配流路３２４と、貫通ガス流路としての貫通流路３２３と、を有する。また、分配流路３３２において、下面ガス流路としての分配流路３３４と、貫通ガス流路としての貫通流路３３３と、を有する。なお、多層構造は、２層に限られるものではなく、２層以上であればよい。
第１の中間ＩＦ層２１３は、ガス均等分配層２１２で分配されたガスを第２プレート２２０の第２の中間ＩＦ層２２１に供給する。即ち、第１の中間ＩＦ層２１３は、４つのガス流路３１９、４つのガス流路３２９、４つのガス流路３３９を有する。ガス流路３１９，３２９，３３９は、第１の中間ＩＦ層２１３を板厚方向に貫通する流路である。
また、第１プレート２１０には、第１プレート２１０と第２プレート２２０とをボルト２３０で固定する際、ボルト２３０を挿通するザグリ穴２４０が設けられている。
また、第１プレート２１０には、第２プレート２２０の第２の中間ＩＦ層２２１と接続する冷媒配管（図示せず）を挿通する貫通穴２５０が設けられている。
第２プレート２２０は、第２の中間ＩＦ（インターフェース）層２２１と、流路形成層２２２と、ガス穴層２２３と、を有する。第２プレート２２０は、板状の第２の中間ＩＦ層２２１、流路形成層２２２及びガス穴層２２３を拡散接合、ロウ付け等によって形成される。また、第２プレート２２０は、例えば、アルミニウムで形成され、拡散接合等によって接合された後に表面にアルマイト処理が施され、これにより、第２プレート２２０はプラズマ耐性を有する。第２プレート２２０は、第１プレート２１０よりもプラズマ処理空間１０ｓ側に配置されている。
第２の中間ＩＦ層２２１は、第１プレート２１０の第１の中間ＩＦ層２１３からガスが供給される。即ち、第２の中間ＩＦ層２２１は、ガス流路３１９と連通するガス流路４１１を有する。また、第２の中間ＩＦ層２２１は、ガス流路３２９と連通するガス流路４２１を有する。また、第２の中間ＩＦ層２２１は、ガス流路３３９と連通するガス流路４３１を有する。ガス流路４１１，４２１，４３１は、第２の中間ＩＦ層２２１を板厚方向に貫通する流路である。また、第１プレート２１０と第２プレート２２０の対向面には、シール部材２６０が設けられる。
シール部材２６０は、ガス流路３１９とガス流路４１１とを連通させつつ封止する。また、シール部材２６０は、ガス流路３２９とガス流路４２１とを連通させつつ封止する。また、シール部材２６０は、ガス流路３３９とガス流路４３１とを連通させつつ封止する。
また、第２の中間ＩＦ層２２１は、冷媒流路５０１，５０３を有する。冷媒流路５０１，５０３は、第２の中間ＩＦ層２２１を板厚方向に貫通する流路である。
また、第２の中間ＩＦ層２２１には、後述する流路形成層２２２の液抜き穴４１５，４２５，４３５（図６、図７参照）と連通する貫通穴（図示せず）が設けられている。
流路形成層２２２は、第２の中間ＩＦ層２２１からガスが供給されるガス拡散空間４１３を有する。即ち、流路形成層２２２は、ガス流路４１１と連通する貫通流路４１２と、ガス拡散空間４１３と、を有する。貫通流路４１２は、流路形成層２２２を板厚方向に貫通する流路であり、第２の中間ＩＦ層２２１のガス流路４１１及びガス拡散空間４１３を連通させる。ガス拡散空間４１３は、流路形成層２２２の下面側に形成された凹溝とガス穴層２２３の上面とによって形成される円形状の空間であり、図１に示すガス拡散室１３ｂ１に対応する。ガス拡散空間４１３内には、複数の支柱４１３Ｐが設けられている。また、貫通流路４１２は、ガス拡散空間４１３の中心軸と同軸の円周上に等間隔に複数（図７の例では４つ）配置される。
また、流路形成層２２２は、第２プレート２２０の内壁面（ガス流路４１１、貫通流路４１２、ガス拡散空間４１３、ガス穴４１４）をアルマイト処理する際に電極（図示せず）を挿入し、アルマイト処理後に溶液を排出することに用いられる液抜き穴（アルマイト成膜用貫通穴）４１５を有している。液抜き穴４１５は、流路形成層２２２を板厚方向に貫通する流路であり、第２の中間ＩＦ層２２１の貫通穴（図示せず）及びガス拡散空間４１３を連通させる。液抜き穴４１５は、プラグ（埋め栓）によって封止される。
同様に、流路形成層２２２は、ガス流路４２１と連通する貫通流路４２２と、ガス拡散空間４２３と、液抜き穴（アルマイト成膜用貫通穴）４２５と、を有する。ガス拡散空間４２３は、流路形成層２２２の下面側に形成された凹溝とガス穴層２２３の上面とによって形成される円環形状の空間であり、図１に示すガス拡散室１３ｂ２に対応する。ガス拡散空間４２３内には、複数の支柱４２３Ｐが設けられている。また、貫通流路４２２は、ガス拡散空間４２３の中心軸と同軸の円周上に等間隔に複数（図７の例では４つ）配置される。また、液抜き穴４２５は、プラグ（埋め栓）によって封止される。
また、流路形成層２２２は、ガス流路４３１と連通する貫通流路４３２と、ガス拡散空間４３３と、液抜き穴（アルマイト成膜用貫通穴）４３５と、を有する。ガス拡散空間４３３は、流路形成層２２２の下面側に形成された凹溝とガス穴層２２３の上面とによって形成される円環形状の空間であり、図１に示すガス拡散室１３ｂ３に対応する。ガス拡散空間４３３内には、複数の支柱４３３Ｐが設けられている。また、貫通流路４３２は、ガス拡散空間４３３の中心軸と同軸の円周上に等間隔に複数（図７の例では４つ）配置される。また、液抜き穴４３５は、プラグ（埋め栓）によって封止される。
ガス穴層２２３は、ガス拡散空間４１３からシャワープレート１３２にガスを供給する。即ち、ガス穴層２２３は、複数のガス穴４１４、４２４，４３４を有する。ガス穴４１４は、ガス穴層２２３を板厚方向に貫通する流路であり、ガス拡散空間４１３とプラズマ処理空間１０ｓ（図１参照）と、を連通させる。ガス穴４２４は、ガス穴層２２３を板厚方向に貫通する流路であり、ガス拡散空間４２３とプラズマ処理空間１０ｓと、を連通させる。ガス穴４３４は、ガス穴層２２３を板厚方向に貫通する流路であり、ガス拡散空間４３３とプラズマ処理空間１０ｓと、を連通させる。
以上のように、ガス供給口１３ａ１から供給された処理ガスは、ガス流路３１１、分配流路３１２（貫通流路３１３、連通流路３１４、貫通流路３１５、分配流路３１６、貫通流路３１７）、ガス流路３１９、ガス流路４１１、貫通流路４１２を介して、ガス拡散空間４１３に供給される。そして、ガス拡散空間４１３からガス穴４１４及びクーリングプレート１３１のガス導入口１３ｃ１（図１参照）を介して、プラズマ処理空間１０ｓ内にガスが供給される。また、ガス供給口１３ａ２から供給された処理ガスは、ガス流路３２１、分配流路３２２（貫通流路３２３、分配流路３２４）、ガス流路３２９、ガス流路４２１、貫通流路４２２を介して、ガス拡散空間４２３に供給される。そして、ガス拡散空間４２３からガス穴４２４及びクーリングプレート１３１のガス導入口１３ｃ２（図１参照）を介して、プラズマ処理空間１０ｓ内にガスが供給される。また、ガス供給口１３ａ３から供給された処理ガスは、ガス流路３３１、分配流路３３２（貫通流路３３３、分配流路３３４）、ガス流路３３９、ガス流路４３１、貫通流路４３２を介して、ガス拡散空間４３３に供給される。そして、ガス拡散空間４３３からガス穴４３４及びクーリングプレート１３１のガス導入口１３ｃ３（図１参照）を介して、プラズマ処理空間１０ｓ内にガスが供給される。
また、流路形成層２２２は、冷媒流路５０１，５０３と連通する冷媒流路５０２を有する。冷媒流路５０２は、流路形成層２２２の上面側に形成された凹溝と第２の中間ＩＦ層２２１の下面とによって形成される流路である。冷媒流路５０１から供給された冷媒は、冷媒流路５０２を流れ、冷媒流路５０３から排出される。ここで、プラズマ処理空間１０ｓに生成されたプラズマからの熱がシャワープレート１３２（図１参照）に入熱する。クーリングプレート１３１は、シャワープレート１３２と接する第２プレート２２０の冷媒流路５０２に冷媒を供給することで抜熱し、シャワープレート１３２を冷却することができる。
以上のように、本実施形態に係るクーリングプレート１３１によれば、ガス供給口１３ａから供給されたガスを均等に分配してガス拡散室１３ｂに供給するガス均等分配層２１２を別体にすることができる。これにより、クーリングプレート１３１の構造を簡素化し、製作コストを低減することができる。また、第１プレート２１０にＳＵＳ等を用いることができ、材料の選択性が向上する。また、流路設計の自由度を向上させることができる。
また、トーナメント形状に分岐する分配流路３１２，３２２，３３２を多層構造とすることができる。これにより、１つの平面状でガス流路を迂回させる場合と比較して、流路長を短くすることができる。これにより、ガスをパルスで構成する基板処理装置において、ガスのオンオフの応答性を向上させることができる。
なお、ガス均等分配層２１２の形状は、図４及び図５に示す構造に限られるものではない。図８は、ガス均等分配層２１２の構成を説明する上面図の他の一例である。図９は、ガス均等分配層２１２の構成を説明する底面図の他の一例である。なお、図８において、ガス流路３１１，３２１，３３１に対応する位置を破線で図示し、図９において、ガス流路３１９，３２９，３３９に対応する位置を破線で図示する。また、図８及び図９において、直交する水平方向をそれぞれＸ方向、Ｙ方向とし、高さ方向をＺ方向として示す。
図８及び図９に示すガス均等分配層２１２は、接続ＩＦ層２１１に設けられたガス流路３１１から供給されたガスを第１の中間ＩＦ層２１３に設けられた複数のガス流路３１９に分配する分配流路を有する。分配流路は、貫通流路３６１と、連通流路３６２と、を有する。貫通流路３６１は、ガス均等分配層２１２を板厚方向に貫通する流路であり、接続ＩＦ層２１１のガス流路３１１及び連通流路３６２を連通させる。連通流路３６２は、ガス均等分配層２１２の下面側に形成された凹溝と第１の中間ＩＦ層２１３の上面とによって形成される流路であり、貫通流路３６１及び第１の中間ＩＦ層２１３のガス流路３１９を連通させる。
また、ガス均等分配層２１２は、接続ＩＦ層２１１に設けられたガス流路３２１から供給されたガスを第１の中間ＩＦ層２１３に設けられた複数のガス流路３２９に分配する分配流路を有する。分配流路は、分配流路３７１と、貫通流路３７２と、を有する。分配流路３７１は、ガス均等分配層２１２の上面側に形成された凹溝と接続ＩＦ層２１１の下面とによって形成される流路であり、接続ＩＦ層２１１のガス流路３２１及び貫通流路３７２を連通させる。貫通流路３７２は、ガス均等分配層２１２を板厚方向に貫通する流路であり、分配流路３７１及び分配流路３７３を連通させる。分配流路３７３は、ガス均等分配層２１２の下面側に形成された凹溝と第１の中間ＩＦ層２１３の上面とによって形成される流路であり、貫通流路３７２及び第１の中間ＩＦ層２１３のガス流路３２９を連通させる。
また、ガス均等分配層２１２は、接続ＩＦ層２１１に設けられたガス流路３３１から供給されたガスを第１の中間ＩＦ層２１３に設けられた複数のガス流路３３９に分配する分配流路を有する。分配流路は、分配流路３８１と、貫通流路３８２と、を有する。分配流路３８１は、ガス均等分配層２１２の上面側に形成された凹溝と接続ＩＦ層２１１の下面とによって形成される流路であり、接続ＩＦ層２１１のガス流路３３１及び貫通流路３８２を連通させる。貫通流路３８２は、ガス均等分配層２１２を板厚方向に貫通する流路であり、分配流路３８１及び分配流路３８３を連通させる。分配流路３８３は、ガス均等分配層２１２の下面側に形成された凹溝と第１の中間ＩＦ層２１３の上面とによって形成される流路であり、貫通流路３８２及び第１の中間ＩＦ層２１３のガス流路３３９を連通させる。
即ち、図８及び図９に示すように、ガス均等分配層２１２は、ガス均等分配層２１２の上面側に形成された上面ガス流路と、ガス均等分配層２１２の下面側に形成された下面ガス流路と、ガス均等分配層２１２の上面側（上面ガス流路）と下面側（下面ガス流路）とを貫通する貫通ガス流路と、を有する２層構造となる。図８及び図９に示す例において、ガス流路３１１からガス流路３１９にガスを供給する流路は、下面ガス流路としての連通流路３６２と、貫通ガス流路としての貫通流路３６１と、を有する。また、ガス流路３２１からガス流路３２９にガスを分配する分配流路は、上面ガス流路としての分配流路３７１と、下面ガス流路としての分配流路３７３と、貫通ガス流路としての貫通流路３７２と、を有する。また、ガス流路３３１からガス流路３３９にガスを分配する分配流路は、上面ガス流路としての分配流路３８１と、下面ガス流路としての分配流路３８３と、貫通ガス流路としての貫通流路３８２と、を有する。
このように、図８及び図９に示すガス均等分配層２１２では、３系統のガスに対して、流路長を等しくすることができる。また、流路の容積を等しくすることができる。これにより、ガス供給をパルス制御する際の応答性を更に向上させることができる。
ここで、図１０を用いて参考例に係るクーリングプレート１３１Ａの構造について説明する。参考例に係るクーリングプレート１３１Ａは、接続ＩＦ（インターフェース）層６０１と、冷媒流路形成層６０２と、ガス分配拡散層６０３と、ガス穴層６０４と、を有する。
ガス流路６１１は、接続ＩＦ層６０１を貫通する流路である。ガス流路６１２は、ガス流路６１１と連通し、冷媒流路形成層６０２を貫通する流路である。分配流路６１３は、ガス分配拡散層６０３の上面に形成された凹溝と冷媒流路形成層６０２の下面とによって形成され、複数に分岐する流路である。ガス流路６１４は、分配流路６１３と連通し、ガス分配拡散層６０３を貫通する流路である。ガス拡散空間６１５は、ガス分配拡散層６０３の下面に形成された凹溝とガス穴層６０４の上面とによって形成された空間である。ガス穴６１６は、ガス拡散空間６１５と連通し、ガス穴層６０４を貫通する流路である。これにより、ガス供給口１３ａ（図１参照）から供給されたガスは、ガス流路６１１，６１２を経由して、分配流路６１３に供給され、分配流路６１３で複数のガス流路６１４に分配され、ガス拡散空間６１５に供給される。そして、ガス拡散空間６１５からガス穴６１６に供給される。
冷媒流路５０１，５０３は、接続ＩＦ層６０１を貫通する流路である。冷媒流路５０２は、冷媒流路形成層６０２の上面に形成された凹溝と接続ＩＦ層６０１の下面とによって形成された流路である。これにより、冷媒流路５０１から供給された冷媒は、冷媒流路５０２を流れ、冷媒流路５０３から排出される。
図１１は、本実施形態に係るクーリングプレート１３１と参考例に係るクーリングプレート１３１Ａとを対比するグラフである。
図１１（ｂ）に示すように、参考例に係るクーリングプレート１３１Ａにおいて、ガスを供給する貫通穴は、接続ＩＦ層６０１、冷媒流路形成層６０２、ガス分配拡散層６０３にわたって形成される。また、参考例に係るクーリングプレート１３１Ａにおいて、冷媒を供給する貫通穴は、接続ＩＦ層６０１にわたって形成される。また、参考例に係るクーリングプレート１３１Ａにおいて、ガス拡散空間６１５等の内表面をアルマイト処理する際に電極棒を挿入し、処理後に溶液を排出するために用いられるアルマイト成膜用貫通穴は、接続ＩＦ層６０１、冷媒流路形成層６０２、ガス分配拡散層６０３にわたって形成される。
ここで、ガス流路６１１とガス流路６１２とは、同軸に形成される。一方、分配流路６１３を介して接続されるガス流路６１４は、ガス流路６１１及びガス流路６１２とは軸が異なる位置に設けられる。このため、クーリングプレート１３１Ａの上面側には、ガス流路６１１とは異なる位置に、クーリングプレート１３１Ａの上面側からガス拡散空間６１５に向かって貫通するアルマイト成膜用貫通穴を設けられる。このため、多数のアルマイト成膜用貫通穴が冷媒流路５０２となる凹溝を形成する冷媒流路形成層６０２の上面及び分配流路６１３となる凹溝を形成するガス分配拡散層６０３の上面を通り、冷媒流路５０２及び分配流路６１３及び設計の自由度が低下する。
これに対し、図１１（ａ）に示すように、ガスを均等分配するガス均等分配層２１２は、冷媒流路５０２及びガス拡散空間４１３，４２３，４３３が形成される流路形成層２２２と別体に形成される。このため、ガス拡散空間４１３，４２３，４３３等の内表面をアルマイト処理する際に電極棒を挿入し、処理後に溶液を排出するために用いられるアルマイト成膜用貫通穴は、第２の中間ＩＦ層２２１、流路形成層２２２にわたって形成される。
よって、アルマイト成膜用貫通穴の位置に影響されずガス分配流路３００をレイアウトすることができ、ガス分配流路３００の設計の自由度を向上することができる。また、ガス流路の構造をシンプルに形成でき、ガスの流路長を短くすることができる。これにより、ガスをパルスで構成する基板処理装置において、ガスのオンオフの応答性を向上させることができる。
また、ガス流路４１１と貫通流路４１２とは、同軸に形成され、ガス拡散空間４１３まで連通する。同様に、ガス流路４２１と貫通流路４２２とは、同軸に形成され、ガス拡散空間４２３まで連通する。また、ガス流路４３１と貫通流路４３２とは、同軸に形成され、ガス拡散空間４３３まで連通する。このため、ガス供給に用いる貫通穴（ガス流路４１１，４２１，４３１及び貫通流路４１２，４２２，４３２）をアルマイト処理する際に電極棒を挿入し、処理後に溶液を排出するための穴として兼用することができる。例えば、図７に示す例において、貫通流路４１２，４２２，４３２を電極棒を挿入する貫通孔として用い、液抜き穴４１５，４２５，４３５をガス拡散空間４１３，４２３，４３３から溶液を排出するための貫通孔として用いることができる。これにより、アルマイト成膜用貫通穴の数を削減することができる。この結果、冷媒流路５００の設計の自由度を向上することができる。
更に、ガス均等分配層２１２（第１プレート２１０）をステンレス、流路形成層２２２（第２プレート２２０）をアルミニウムで形成する等、異なる材料を用いることができる。ただし、ガス均等分配層２１２（第１プレート２１０）及び流路形成層２２２（第２プレート２２０）のいずれもアルミニウムで形成してもよい。
また、本実施形態に係るクーリングプレート１３１では、冷媒流路５０２は、ガス均等分配層２１２よりも下に配置される。よって、参考例に係るクーリングプレート１３１Ａと比較して、冷媒流路５０２をシャワープレート１３２に近づけることができる。これにより、冷却性を向上させることができる。また、アルマイト成膜用貫通穴の数を削減することにより、冷媒流路５０２を形成する面積を広くすることができ、冷却性を向上することができる。この結果、プラズマからの入熱に対する抜熱性を高めることができるため、ＲＦ電源３１から更に高パワーなＲＦ信号を出力するプロセスにも対応できる。
なお、本実施形態に係るクーリングプレート１３１を備える基板処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０内にプラズマを生成するプラズマ処理装置であるものとして説明したが、これに限られるものではない。クーリングプレート１３１を例えば、熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置等の基板処理装置に適用してもよい。
以上、プラズマ処理システムの実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。
Ｗ 基板
１ 基板処理装置
２ 制御部
１０ プラズマ処理チャンバ（処理チャンバ）
１０ｓ プラズマ処理空間
１１ 基板支持部
１３ シャワーヘッド
１３ａ ガス供給口
１３ｂ ガス拡散室
１３ｃ ガス導入口
２０ ガス供給部
３０ 電源
４０ 排気システム
５１～５３ ガス導入部
１３１ クーリングプレート
１３２ シャワープレート
２１０ 第１プレート
２１１ 接続ＩＦ層
２１２ ガス均等分配層（ガス分配層）
２１３ 第１の中間ＩＦ層
２２０ 第２プレート
２２１ 第２の中間ＩＦ層
２２２ 流路形成層
２２３ ガス穴層
２３０ ボルト（締結部材）
２４０ ザグリ穴
２５０ 貫通穴
２６０ シール部材
３００ ガス分配流路
３１１，３２１，３３１ ガス流路
３１２，３２２，３３２ 分配流路
３１９，３２９，３３９ ガス流路
４００ ガス拡散流路
４１１，４２１，４３１ ガス流路
４１２，４２２，４３２ 貫通流路
４１３，４２３，４３３ ガス拡散空間
４１４，４２４，４３４ ガス穴
４１５，４２５，４３５ 液抜き穴
４１３Ｐ，４２３Ｐ，４３３Ｐ 支柱
５０２ 冷媒流路

Claims (9)

  1. 処理チャンバと、
    前記処理チャンバ内に設けられ、基板を保持する基板支持部と、
    前記基板支持部に対向するシャワーヘッドと、を備え、
    前記シャワーヘッドは、
    ガスを吐出するガス流路が形成されたシャワープレートと、
    前記シャワープレートを保持して冷却するクーリングプレートと、を有し、
    前記クーリングプレートは、
    ガスを分配するガス分配層を有する第１プレートと、
    冷媒が供給される冷媒流路及び前記ガス分配層で分配されたガスが供給されるガス拡散空間を有する、第２プレートと、
    前記第１プレートと前記第２プレートとを締結する締結部材と、を有する、
    基板処理装置。
  2. 前記第１プレートは、
    ガス供給部からガスが供給される接続インターフェース層と、
    前記接続インターフェース層から供給されたガスを分配する前記ガス分配層と、
    前記ガス分配層で分配されたガスを前記第２プレートに供給する第１の中間インターフェース層と、を有する、
    請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第２プレートは、
    前記第１プレートからガスが供給される第２の中間インターフェース層と、
    前記冷媒流路及び第２の中間インターフェース層からガスが供給されるガス拡散空間を有する流路形成層と、
    前記ガス拡散空間から前記シャワープレートにガスを供給するガス穴層と、を有する、
    請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記冷媒流路は、前記ガス分配層よりも下に配置される、
    請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  5. 前記ガス分配層は、上面側に形成された上面ガス流路、下面側に形成された下面ガス流路及び前記上面側と前記下面側とを貫通する貫通流路が形成された多層構造を有する、
    請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  6. 前記第１プレートと前記第２プレートとの対向面にシール部材が設けられる、
    請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  7. 前記第１プレート及び前記第２プレートは、アルミニウムで形成される、
    請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  8. 前記第１プレートは、ステンレスで形成され、
    前記第２プレートは、アルミニウムで形成される、
    請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  9. 前記第２プレートは、前記第１プレートよりもプラズマ処理空間側に配置される、
    請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
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