JP2023123065A - ウェットプロセス装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】被処理物の両面を効率的にウェット処理することができるウェット処理装置を提供する。【解決手段】ウェット処理装置は、ステージ(19)と、各々がステージ(19)から上方に突出し、周方向に離間した位置で被処理物(W)の外縁を支持する複数の支持ピン(20a、20b)と、上下方向に延びる回転軸線回りにステージ(19)を回転させる回転駆動部と、複数の支持ピン(20a、20b)に支持された被処理物(W)に、上方から処理液を供給する供給ノズル(22)と、被処理物(W)より下方において、複数の支持ピン(20a、20b)を囲むようにステージ(19)に載置された保持リング(29)とを備える。【選択図】図6
Description
本発明は、半導体プロセスの中のウェットプロセス装置に関する。
近年、半導体デバイスの製造ラインとして、0.5インチサイズ(ハーフインチサイズ)のウェハに1個のデバイスを作成することを基本とし、そのために製造工程を複数の可搬性の単位処理装置で構成し、これら複数の単位処理装置をフローシップやジョブショップに再配置することを容易にすることで、超少量生産でかつ多品種生産に適切に対応できるようにしたミニマルファブシステムが提案されている。
そして、ミニマルファブシステムに採用されるウェットプロセス装置、具体的には洗浄装置として、特許文献1には、ウェアを載置したステージを回転させつつ、ウェハ上に洗浄液を滴下するスピン洗浄装置が開示されている。このようなスピン洗浄装置によれば、表面張力を利用してウェハの表面(上面)に洗浄液を留めることができるので、少ない洗浄液で効率的にウェハを洗浄できるという利点がある。
しかしながら、特許文献1に記載のスピン洗浄装置では、ステージに載置されたウェハの裏面(下面)側に洗浄液を長く留めることができない。そのため、ウェハの裏面を適切に洗浄できないという課題がある。
本発明は、上述した従来技術における実状からなされたもので、その目的は、被処理物の両面を効率的にウェット処理することができるウェットプロセス装置を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明は、ステージと、各々が前記ステージから上方に突出し、周方向に離間した位置で被処理物の外縁を支持する複数の支持ピンと、上下方向に延びる回転軸線回りに前記ステージを回転させる回転駆動部と、複数の前記支持ピンに支持された被処理物に、上方から処理液を供給する供給ノズルとを備えるウェットプロセス装置において、被処理物より下方において、複数の前記支持ピンを囲むように前記ステージに載置された保持リングを備えることを特徴とする。
本発明によれば、被処理物の両面を効率的にウェット処理することができるウェットプロセス装置を得ることができる。
以下、本発明の実施形態を図に基づいて説明する。図1は、本実施形態に係るスピン洗浄装置1を示す模式図である。スピン洗浄装置1(ウェットプロセス装置)は、ウェハW(被処理物)の表面及び裏面を洗浄する(例えば、レジスト除去、エッチング、付着している残渣等を取り除く)装置である。また、スピン洗浄装置1は、ウェハWを回転させながら洗浄する装置である。さらに、スピン洗浄装置1は、ウェハWを加熱しながら洗浄液(処理液)を供給する加熱ウェット処理装置である。
スピン洗浄装置1は、予め規格された大きさの筐体10内に収容されたミニマルファブ(minimal fabrication)構想に基づくミニマル洗浄装置である。ここで、ミニマルファブ構想とは、多品種少量という半導体製造市場に最適なもので、省資源・省エネルギ・省投資・高性能な多様なファブに対応でき、例えば特開2012-54414号公報に記載の生産をミニマル化させるミニマル生産システムを実現させるものである。
ウェハWは、所定の大きさ、例えば直径12.5mm(ハーフインチサイズ)の円盤形状の外形を呈する。但し、ウェハWの形状及び大きさは、前述の例に限定されない。ウェハWは、予め所定のパターンが形成され洗浄前の状態とされている。ウェハWは、フォトレジスト膜が除去されたベアシリコンウェハ等であってもよい。
スピン洗浄装置1は、上下方向を長手方向とする略直方体形状の筐体10を有する。筐体10は、内部への微粒子及びガス分子のそれぞれを遮断する構造とされている。筐体10の前面上部には、後方に凹み且つ左右方向に貫通する凹部11が形成されている。また、筐体10の内部には、前室12と、プロセス室13とが形成されている。
前室12は、凹部11の直下に形成された空間である。プロセス室13は、前室12の後方側に形成された空間である。さらに、前室12及びプロセス室13の間には、開閉扉14が設けられている。開閉扉14は、前室12及びプロセス室13を連通させる開位置と、前室12及びプロセス室13の間を遮断する閉位置との間を移動可能に構成されている。開閉扉14を開位置にすることによって、前室12及びプロセス室13の間でウェハWを移動させることができる。また、開閉扉14を閉位置にすることによって、プロセス室13への微粒子及びガス分子の侵入を防止できる。
前室12は、ミニマルシャトルS内に収容されているウェハWを外気に曝す等することなく、筐体10内へ出し入れ可能とするPLAD(Particle Lock Air-tight Docking)システムとされている。より詳細には、凹部11及び前室12の間(前室12の天面)には、ドッキングポート15が形成されている。ドッキングポート15は、スピン洗浄装置1に対してウェハWを搬出入するためのポートである。ドッキングポート15には、ウェハWが収容されたミニマルシャトルSが載置される。ミニマルシャトルSは、上下方向に接離可能な蓋体及び底体で構成される。ウェハWを収容した状態で蓋体と底体とが接合されることによって、内部への微粒子及びガス分子の侵入を防止できる。
また、前室12には、昇降装置16が設けられている。昇降装置16は、前室12内でウェハWを昇降させる。より詳細には、昇降装置16は、ウェハWを支持した底体を蓋体から分離して下降させ、また、昇降装置16は、ウェハWを支持した底体を上昇させて蓋体に接合させる。
さらに、前室12には、搬送装置17が設けられている。搬送装置17は、昇降装置16と後述するステージ19との間でウェハWを搬送する。搬送装置17は、前室12及びプロセス室13の間を、前後方向にスライド(伸縮)する搬送アーム17aを備える。より詳細には、搬送アーム17aは、下降した昇降装置16に支持された底体からウェハWを受け取り、前室12からプロセス室13に進入して、ウェハWをステージ19の支持ピン20a~20dに載置する。また、搬送アーム17aは、支持ピン20a~20dからウェハWを受け取り、プロセス室13から前室12に退出して、昇降装置16に支持された底体にウェハWを受け渡す。
プロセス室13は、搬送装置17によって搬送されたウェハWを洗浄する空間である。プロセス室13には、上方から下方に向かう窒素ガスの流れ(ダウンフロー)が形成されている。また、開閉扉14を閉位置にすることによって、前室12に対してプロセス室13が正圧に維持される。これにより、ウェハWの洗浄中にプロセス室13の内部への微粒子及びガス分子の侵入を防止できる。
図2は、プロセス室13の内部の概略側面図である。図3は、プロセス室13の内部の概略平面図である。図1~図3に示すように、プロセス室13には、スピンテーブル18と、ステージ19と、複数の支持ピン20a、20b、20c、20dと、チャック21と、供給ノズル22とが配置されている。
スピンテーブル18は、プロセス室13の内部において、上下方向に延びる回転軸線回りに回動可能に支持されている。また、スピンテーブル18の上面中央には、ステージ19が設けられている。ステージ19は、スピンテーブル18の上面から上方に突出する円形の部分である。そして、スピンテーブル18は、図5に示す回転モータ23(回転駆動部)の駆動力が伝達されることによって、ステージ19及び支持ピン20a~20dと共に回転する。
さらに、スピンテーブル18には、図5に示すランプヒータ24(加熱部)が内蔵されている。ランプヒータ24は、支持ピン20a~20dに支持されたウェハW(より詳細には、ウェハWと洗浄液との界面)を加熱する。ランプヒータ24には、例えば、キセノンランプなどを採用することができる。
支持ピン20a~20dは、ステージ19の上面から上方に突出している。また、支持ピン20a~20dは、周方向に所定の間隔(本実施形態では90°間隔)を隔てて配置されている。また、支持ピン20a~20dには、先端(上端)の内側が切り欠かれて、段差部25a、25b、25c、25dが形成されている。ウェハWの外縁が段差部25a~25dに載置されることによって、ウェハWが支持ピン20a~20dに支持される。但し、支持ピン20a~20dの数は4つに限定されず、3つでもよいし、5つ以上でもよい。
チャック21は、隣接する支持ピン20c、20dの間において、スピンテーブル18上に配置されている。そして、チャック21は、支持ピン20a~20dに支持されたウェハWに接離可能に構成されている。チャック21がウェハWに接触することによって、支持ピン20a~20d上でウェハWが固定される。一方、チャック21がウェハWから離間することによって、ウェハWの固定が解除されて、支持ピン20a~20dからウェハWが取り出し可能になる。
供給ノズル22は、ステージ19の上方において、上下方向に昇降可能に構成されている。供給ノズル22の先端面(下面)は、ウェハWの直径と等しいか僅かに大きい円形である。また、供給ノズル22には、下面に開口した供給路22aが形成されている。そして、供給ノズル22は、支持ピン20a~20dに支持されたウェハWに対して、供給路22aを通じて処理液の一例である洗浄液(例えば、薬液、超純水)及び窒素ガスなどを供給する。さらに、供給ノズル22には、供給ノズル22を高周波振動(例えば、1MHz)させる振動子26(図5参照)が内蔵されている。
薬液としては、例えば、フッ酸、オゾン水、硫酸と過酸化水素水との混合液、水酸化カリウム水溶液等が挙げられる。また、供給ノズル22は、薬液、超純水、及び窒素ガスを単一の供給路22aを通じて供給してもよい。他の例として、供給ノズル22は、薬液、超純水、及び窒素ガスそれぞれを供給するための複数の供給路を有していてもよい。
また、筐体10の内部には、ウェハWの洗浄に用いる洗浄液を貯留する洗浄液タンク27、ウェハWを洗浄してプロセス室13から排出された洗浄液(以下、「廃液」と表記する。)を貯留する廃液タンク28、排気された有害なガスを取り除く除外吸着塔(図示省略)、各部を駆動するモータやエアシリンダなどの駆動系(図示省略)、スピン洗浄装置1の動作を制御する制御装置30(図5参照)などが収容されている。
さらに、図2及び図3に示すように、ステージ19には、保持リング29が着脱可能に取り付けられている。保持リング29は、支持ピン20a~20dを囲むように、ステージ19上に載置される。これにより、保持リング29の下面は、ステージ19の上面に面接触する。一方、段差部25a~25dに載置されたウェハWの裏面と、保持リング29の上面との間には、搬送アーム17aを進入させるための上下方向の隙間が形成されている。例えば図6に示すように、保持リング29の厚み寸法は1mmで、ウェハWと保持リング29との上下方向の隙間は3mmに設定される。但し、具体的な寸法は、図6の例に限定されない。
図4は、保持リング29を示す図である。図4に示すように、保持リング29は、概ねリング形状の外形を呈する。保持リング29は、例えば、フッ化ビニリデン系ゴム(FKM)、合成石英、またはポリテトラフルオロエチレン(PTFE)を含む材料で構成される。但し、保持リング29を構成する材料は、前述の例に限定されない。
保持リング29には、中央部を厚み方向に貫通する開口29aが形成されている。保持リング29の内周面(すなわち、開口29aの形状)は、頂点がR形状に湾曲した四角形である。また、湾曲した頂点の間は、直線状(すなわち、平坦面)に延びている。そして、図3に示すように、保持リング29は、湾曲した頂点に支持ピン20a~20dが接するように、ステージ19上に載置される。なお、保持リング29には、支持ピン20a~20dの数に対応する形状の開口29aが形成される。すなわち、支持ピンが5本の場合、保持リングには、頂点が湾曲した五角形の開口が形成される。
また、保持リング29の外周面は、円形である。但し、図4(A)に示すように、保持リング29をステージ19上に載置したときに、チャック21に対面する位置(すなわち、周方向の一部)には、チャック21との干渉を避けるための切り欠き29bが形成されている。そして、図2に示すように、保持リング29の最も大きい部分の外形寸法(すなわち、切り欠き29bの位置を避けた外形寸法)は、ステージ19の直径より大きい。
さらに、図4(A)に示すように、保持リング29の径方向の厚みは、周方向の各位置で異なる。より詳細には、保持リング29は、切り欠き29bが形成された部分を除けば、支持ピン20a~20dに接する位置(すなわち、湾曲した頂点の位置)から離れるほど、径方向の厚みが大きくなるように構成されている。すなわち、保持リング29の周方向において、支持ピン20a~20dから離れる位置ほど、ステージ19との接触面積が大きくなる。
図5は、スピン洗浄装置1の制御ブロック図である。図5に示すように、スピン洗浄装置1は、CPU31(Central Processing Unit)と、メモリ32とを有する制御装置30を備える。メモリ32は、例えば、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、HDD(Hard Disk Drive)、またはこれらの組み合わせで構成される。制御装置30は、メモリ32に格納されたプログラムコードをCPU31が読み出して実行することによって、後述する処理を実現する。
但し、制御装置30の具体的な構成はこれに限定されず、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)、FPGA(Field-Programmable Gate Array)などのハードウェアによって実現されてもよい。
制御装置30は、スピン洗浄装置1全体の動作を制御する。より詳細には、制御装置30は、開閉扉14を開閉し、昇降装置16にウェハWを昇降させ、搬送装置17にウェハWを搬送させ、チャック21を進退させ、供給ノズル22を昇降させ、供給ノズル22に洗浄液及び窒素ガスを供給させ、回転モータ23にスピンテーブル18を回転させ、ランプヒータ24にウェハWを加熱させ、振動子26に供給ノズル22を振動させる。
次に、図2、図3、及び図6を参照して、スピン洗浄装置1がウェハWを洗浄する工程を説明する。図6は、ウェハWに供給された洗浄液の様子を示す図である。なお、ウェハWを洗浄するのに先立って、保持リング29はステージ19に取り付けられているものとする。
まず、図2(A)及び図3(A)に示すように、制御装置30は、昇降装置16からウェハWを受け取った搬送アーム17aを、支持ピン20a~20bに向けて移動させる。このとき、開閉扉14は開位置に位置し、スピンテーブル18は停止し、チャック21は後退し、供給ノズル22は上昇している。
次に、図2(B)及び図3(B)に示すように、制御装置30は、ウェハWが段差部25a~25dに対面する位置で、搬送アーム17aを下降させる。これにより、ウェハWの外縁部が段差部25a~25dに載置されて、搬送アーム17aから離間する。なお、前述したように、ウェハWの裏面と保持リング29の上面との間の上下方向の隙間は、下降した搬送アーム17aと保持リング29とが干渉しない程度(例えば、3mm)に設定される。
次に、図2(C)及び図3(C)に示すように、制御装置30は、プロセス室13から搬送アーム17aを退出させ、開閉扉14を閉位置に移動させ、チャック21をウェハWの外縁に当接させ、供給ノズル22を下降させ、スピンテーブル18を回転させ、ランプヒータ24でウェハWを加熱する。また、制御装置30は、プロセス室13内に窒素ガスのダウンフローを発生させると共に、プロセス室13内を正圧にする。さらに、制御装置30は、振動子26によって振動させた状態の供給ノズル22からウェハWに洗浄液を供給する。
図6に示すように、ウェハWの表面と供給ノズル22の下面との間の距離は、例えば、0.8mm~3.0mmに設定される。そして、制御装置30は、スピンテーブル18を低速(例えば、50rpm以下)で回転させながら、供給ノズル22からウェハWに薬液を供給する。制御装置30は、例えば、10秒に1回の間隔で、1回当たり0.6ml~0.8mlの薬液を、1秒かけて供給ノズル22から供給する。
これにより、図6にドットハッチングで示すように、ウェハWの表面(上面)と供給ノズル22の下面との間には、表面張力によって薬液が保持される。また、ウェハWの裏面(下面)とステージ19の上面との空間は、保持リング29によって堰き止められた薬液で満たされる。これにより、ウェハWの両面が同時に洗浄される。
さらに、スピンテーブル18を低速で回転させることによって、ウェハWの両側の薬液が攪拌されながら径方向外側にゆっくりと漏れ出す。より詳細には、ウェハWの裏面と保持リング29との間に保持された薬液は、ステージ19の上面と保持リング29の下面との間の隙間を通じて、ゆっくりと排出される。
制御装置30は、例えば、この状態を20秒~45秒程度継続する。次に、制御装置30は、スピンテーブル18を高速(例えば、1000rpm以上)で回転させることによって、ウェハWの上下両面の薬液を遠心力によって吹き飛ばす。次に、制御装置30は、薬液を超純水に代えて、前述の処理を実行する。これにより、ウェハWの両面に残留した薬液が洗い流される。
次に、制御装置30は、スピンテーブル18を高速で回転させながら、供給ノズル22からウェハWに窒素ガスを吹き付ける。これにより、ウェハWが乾燥する。さらに、制御装置30は、支持ピン20a~20dに支持されたウェハWを、搬送装置17及び昇降装置16を用いてスピン洗浄装置1の外部に取り出す。
次に、図7及び図8を参照して、洗浄液の供給量及びスピンテーブル18の回転速度と、洗浄液の保持時間との関係を説明する。図7は、供給ノズル22による洗浄液の1回当たりの供給量と、ウェハWの両面における洗浄液の保持時間との関係を示す図である。図8は、スピンテーブル18の回転速度と、ウェハWの両面における洗浄液の保持時間との関係を示す図である。なお、保持時間は、ウェハWの両面に洗浄液が保持されている時間を、目視によって計測した。
なお、図7及び図8において、プロット“●”は、親水性のウェハWと、PTFEで形成した保持リング29との組み合わせによる実験結果である。プロット“■”は、疎水性のウェハWと、PTFEで形成した保持リング29との組み合わせによる実験結果である。プロット“×”は、親水性のウェハWと、FKMで形成した保持リング29との組み合わせによる実験結果である。プロット“◆”は、疎水性のウェハWと、FKMで形成した保持リング29との組み合わせによる実験結果である。
図7を参照すれば明らかなように、供給ノズル22による洗浄液の1回当たりの供給量を0.6ml~0.8mlに設定することにより、ウェハWの両面に洗浄液が13秒以上保持される。特にPTFEで形成された保持リング29では、洗浄液が28秒以上保持され、供給量が少ないほど保持時間が長くなる。なお、図7の実験では、スピンテーブル18の回転速度を、10rpmに設定している。
洗浄液の供給量が少な過ぎると、ウェハWの表面と供給ノズル22の下面との間の空間と、ウェハWの裏面と保持リング29とで囲まれた空間とを、同時に洗浄液で満たすことができない。一方、洗浄液の供給量が多過ぎると、表面張力の限界を超えて、洗浄液が急激に溢れ出てしまう。すなわち、ハーフインチサイズのウェハWにおいて、ウェハWの表面に表面張力で洗浄液が保持されると共に、ウェハWの裏面及び保持リング29で囲まれた空間を洗浄液で満たす所定量とは、0.6ml~0.8mlである。但し、洗浄液の供給量の適正値は、ウェハWの材質および直径、洗浄液の物性、保持リング29の材質等によって変化する。
また、図8を参照すれば明らかなように、スピンテーブル18の回転速度を50rpm以下に設定することにより、ウェハWの両面に洗浄液が13秒以上保持される。特にPTFEで形成された保持リング29では、洗浄液が20秒以上保持され、回転速度が遅いほど保持時間が長くなる。なお、図8の実験では、親水性のウェハWに対する洗浄液の供給量を0.7mlに設定し、疎水性のウェハWに対する洗浄液の供給量を0.9mlに設定している。
スピンテーブル18の回転速度が速すぎると、遠心力によって洗浄液がすぐに排出されてしまう。すなわち、ウェハWの表面と供給ノズル22の下面との間の空間と、ウェハWの裏面と保持リング29とで囲まれた空間とに、洗浄液が留まる所定回転数とは、50rpm以下である。一方、スピンテーブル18を停止させた状態では、ウェハW全体に洗浄液が均一に供給されないので、スピンテーブル18を低速で回転させながら、洗浄液を供給するのが望ましい。
上記の実施形態によれば、支持ピン20a~20dを囲むようにステージ19上に保持リング29を載置することによって、ウェハWの表面側だけでなく、ウェハWの裏面側にも洗浄液を保持することができる。その結果、ウェハWの両面を同時に洗浄することができる。
なお、ウェハWの両面を洗浄する他の方法としては、洗浄液を貯留した貯留容器にウェハWを浸漬する方法がある。しかしながら、この方法では、貯留容器を設置する広いスペースと、大量の洗浄液が必要になる。また、ウェハWの両面を洗浄するさらに他の方法としては、ウェハWの表面を洗浄した後に、ウェハWを反転させて裏面を洗浄する方法がある。しかしながら、この方法では、ウェハWを反転させる機構が必要になるうえに、ウェハWの両面を洗浄するのに時間がかかる。
すなわち、上記の実施形態によれば、ウェハWの両面を洗浄するスピン洗浄装置1を、シンプルな構成で実現できると共に、洗浄液を節約できる。また、ウェハWの両面を同時に洗浄できるので、スピン洗浄装置1のスループットが向上する。
また、上記の実施形態によれば、保持リング29を図4(A)のような形状とすることによって、支持ピン20a~20dに接する位置から離れるほど、ステージ19と保持リング29との接触面積が増加する。これにより、ステージ19と保持リング29との間の隙間から洗浄液が漏れ出す速度を遅くすることができる。
また、上記の実施形態によれば、供給ノズル22による洗浄液の1回当たりの供給量、及びスピンテーブル18の回転速度を適切な値に設定することによって、ウェハWの両面側に洗浄液が留まる時間を長くすることができる。その結果、少ない回数でウェハWを適切に洗浄できるので、洗浄液を節約できると共に、スピン洗浄装置1のスループットが向上する。
また、上記の実施形態によれば、ウェハWと洗浄液との界面をランプヒータ24によって加熱することによって、洗浄液を洗浄効果の高い温度帯に維持できる。また、振動子26によって洗浄液を振動させることによって、ウェハWの全域に洗浄液を均一に行き渡らせることができると共に、洗浄液が均一に加熱される。さらに、PTFEで形成された保持リング29は、温度上昇によって撓むので、ステージ19との間の隙間が小さくなって、洗浄液の保持時間がさらに長くなる。
[変形例]
図9を参照して、上記の実施形態の変形例を説明する。図9は、変形例に係るプロセス室13の内部の概略側面図及び概略平面図である。なお、上記の実施形態と共通する構成要素には同一の参照番号を付して詳細な説明を省略し、相違点を中心に説明する。図9に示す変形例は、Oリング40がさらに取り付けられている点で上記の実施形態と相違し、その他の点で上記の実施形態と共通する。
図9を参照して、上記の実施形態の変形例を説明する。図9は、変形例に係るプロセス室13の内部の概略側面図及び概略平面図である。なお、上記の実施形態と共通する構成要素には同一の参照番号を付して詳細な説明を省略し、相違点を中心に説明する。図9に示す変形例は、Oリング40がさらに取り付けられている点で上記の実施形態と相違し、その他の点で上記の実施形態と共通する。
Oリング40は、ステージ19を囲むように、ステージ19の外周面に沿って配置される。また、Oリング40の厚み寸法は、ステージ19の突出高さと同等か、僅かに高く設定されている。さらに、Oリング40の外形寸法は、保持リング29より大きく設定されている。
すなわち、Oリング40は、保持リング29の全周に亘って、保持リング29の下面に接する。これにより、ステージ19の上面と保持リング29の下面との間から漏れ出す洗浄液を留めることができる。その結果、ウェハWの裏面側における洗浄液の保持時間をさらに延長することができる。
さらに、本発明は、ウェハWを洗浄するスピン洗浄装置に限定されず、半導体プロセスの中で処理液を用いて被処理物をウェット処理するあらゆるウェットプロセス装置に適用することができる。ウェットプロセス装置の他の例としては、エッチング装置、現像装置などが挙げられる。また、処理液の他の例としては、エッチング液、現像液などが挙げられる。
以上、本発明の実施形態について説明した。なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、本実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、また、本実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。またさらに、本実施形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
1…スピン洗浄装置(ウェットプロセス装置)、10…筐体、11…凹部、12…前室、13…プロセス室、14…開閉扉、15…ドッキングポート、16…昇降装置、17…搬送装置、17a…搬送アーム、18…スピンテーブル、19…ステージ、20a,20b,20c,20d…支持ピン、21…チャック、22…供給ノズル、22a…供給路、23…回転モータ、24…ランプヒータ、25a,25b,25c,25d…段差部、26…振動子、27…洗浄液タンク、28…廃液タンク、29…保持リング、29a…開口、29b…切り欠き、30…制御装置、31…CPU、32…メモリ、40…Oリング
Claims (7)
- ステージと、
各々が前記ステージから上方に突出し、周方向に離間した位置で被処理物の外縁を支持する複数の支持ピンと、
上下方向に延びる回転軸線回りに前記ステージを回転させる回転駆動部と、
複数の前記支持ピンに支持された被処理物に、上方から処理液を供給する供給ノズルとを備えるウェットプロセス装置において、
被処理物より下方において、複数の前記支持ピンを囲むように前記ステージに載置された保持リングを備えることを特徴とするウェットプロセス装置。 - 請求項1に記載のウェットプロセス装置において、
前記保持リングは、前記支持ピンに接する位置から離れるほど、径方向の厚みが大きいことを特徴とするウェットプロセス装置。 - 請求項1または2に記載のウェットプロセス装置において、
前記保持リングは、フッ化ビニリデン系ゴム、合成石英、またはポリテトラフルオロエチレンを含むことを特徴とするウェットプロセス装置。 - 請求項1~3のいずれか1項に記載のウェットプロセス装置において、
前記保持リングの下面に接する位置に配置され、且つ前記保持リングより外形寸法の大きいOリングを備えることを特徴とするウェットプロセス装置。 - 請求項1~4のいずれか1項に記載のウェットプロセス装置において、
前記供給ノズルは、被処理物の表面に表面張力で保持されると共に、被処理物の裏面及び前記保持リングで囲まれた空間を満たす所定量の処理液を供給することを特徴とするウェットプロセス装置。 - 請求項1~5のいずれか1項に記載のウェットプロセス装置において、
前記回転駆動部は、被処理物及び前記供給ノズルの間の空間と、被処理物の裏面及び前記保持リングで囲まれた空間とに、処理液が留まる所定回転数で前記ステージを回転させることを特徴とするウェットプロセス装置。 - 請求項1~6のいずれか1項に記載のウェットプロセス装置において、
前記支持ピンに支持された被処理物を加熱する加熱部を備えることを特徴とするウェットプロセス装置。
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-
2022
- 2022-02-24 JP JP2022026920A patent/JP2023123065A/ja active Pending
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