JP2023117235A - λ／４板の欠点検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】λ／４板の欠点を感度よく検査し得る欠点検査方法を提供すること。【解決手段】本発明のλ／４板の欠点検査方法は、第１の偏光子と、第１のλ／４板と、第２のλ／４板と、第２の偏光子とをこの順に配置すること、および、第１の偏光子側の面から光を入射させ、第２の偏光子側の面の外観を観察し、第１のλ／４板の欠点を検出することを含み、該第１の偏光子の吸収軸と該第２の偏光子の吸収軸とを直交させ、該第１のλ／４板の遅相軸と該第２のλ／４板の遅相軸とを直交させ、該第１の偏光子の吸収軸と該第１のλ／４板の遅相軸とのなす角を、３５°～５５°とし、かつ、該第２の偏光子の吸収軸と該第２のλ／４板の遅相軸とのなす角を、３５°～５５°とし、該第１のλ／４板の正常部分の位相差をＲｐ、該第２のλ／４板の位相差をＲｆとしたとき、｜Ｒｐ―Ｒｆ｜を、５ｎｍ～２６ｎｍとすることを含む。【選択図】図１

Description

本発明は、λ／４板の欠点検査方法に関する。

液晶表示装置（ＬＣＤ）、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（ＯＬＥＤ）等の画像表示装置において、表示特性の向上、反射防止等を目的として位相差フィルムが多用されている。位相差フィルムの製造工程においては、局所的な外観不良による欠点が発生することがあり、当該欠点を感度よく検査し得る方法が求められている。特に、位相差フィルムが、液晶材料から構成されるλ／４板は、従来方法では検出できないほど軽微な欠点が生じやすく、このような欠点をも検出し得る検査方法が求められている。

特開２０１３－１５７６６号公報

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、λ／４板の欠点を感度よく検査し得る欠点検査方法を提供することにある。

本発明のλ／４板の欠点検査方法は、第１の偏光子と、第１のλ／４板と、第２のλ／４板と、第２の偏光子とをこの順に配置すること、および、第１の偏光子側の面から光を入射させ、第２の偏光子側の面の外観を観察し、第１のλ／４板の欠点を検出することを含み、該第１の偏光子の吸収軸と該第２の偏光子の吸収軸とを直交させ、該第１のλ／４板の遅相軸と該第２のλ／４板の遅相軸とを直交させ、該第１の偏光子の吸収軸と該第１のλ／４板の遅相軸とのなす角を、３５°～５５°とし、かつ、該第２の偏光子の吸収軸と該第２のλ／４板の遅相軸とのなす角を、３５°～５５°とし、該第１のλ／４板の正常部分の位相差をＲｐ、該第２のλ／４板の位相差をＲｆとしたとき、｜Ｒｐ―Ｒｆ｜を、５ｎｍ～２６ｎｍとすることを含む。
１つの実施形態においては、上記第１のλ／４板の正常部分の位相差をＲｐ、上記第２のλ／４板の位相差をＲｆとしたとき、Ｒｐ―Ｒｆが、５ｎｍ～２６ｎｍとされる。
１つの実施形態においては、上記第１のλ／４板の正常部分の位相差をＲｐ、上記第２のλ／４板の位相差をＲｆとしたとき、Ｒｐ―Ｒｆが、－５ｎｍ～－２６ｎｍとされる。
１つの実施形態においては、上記第１のλ／４板が、液晶材料から構成される。

本発明によれば、λ／４板を含む光学積層体の欠点を感度よく検査し得る欠点検査方法を提供することができる。

本発明の１つの実施形態による検査方法を説明する概略斜視図である。 本発明の１つの実施形態による検査方法を説明する概略斜視図である。 本発明の１つの実施形態による検査方法を説明する概略斜視図である。 本発明の１つの実施形態による検査方法を説明する概略斜視図である。 液晶材料で構成されたλ／４板に生じる欠点（輝点）の例を示す写真図である。

Ａ．欠点検査方法
本発明のλ／４板の欠点検査方法は、第１の偏光子と、第１のλ／４板と、第２のλ／４板と、第２の偏光子とをこの順に配置すること、および、第１の偏光子側の面から光を入射させ、第２の偏光子側の面の外観を観察し、第１のλ／４板の欠点を検出することを含む。上記欠点検査方法において、第１の偏光子と第２の偏光子とは、第１の偏光子の吸収軸と第２の偏光子の吸収軸とを直交させるようにして配置される。また、第１のλ／４板と第２のλ／４板とは、第１のλ／４板の遅相軸と第２のλ／４板の遅相軸とを直交させるようにして配置される。また、第１の偏光子と第１のλ／４板は、第１の偏光子の吸収軸と第１のλ／４板の遅相軸とのなす角を、３５°～５５°とするようにして配置される。また、第２の偏光子と第２のλ／４板は、第２の偏光子の吸収軸と第２のλ／４板の遅相軸とのなす角を、３５°～５５°とするようにして配置される。さらに、上記欠点検査方法において、第１のλ／４板の正常部分の位相差をＲｐ、第２のλ／４板の位相差をＲｆとしたとき、｜Ｒｐ―Ｒｆ｜は、５ｎｍ～２６ｎｍとされる。なお、本発明の効果が得られる限り、第１の偏光子と、第１のλ／４板と、第２のλ／４板と、第２の偏光子とがこの順に配置されていれば、その間に他のフィルムが介在していても良い。例えば、第１の偏光子と第１のλ／４板との間に他の位相差フィルム（例えばポジティブＣプレート）が介在していても良い。また、便宜上、上から第２の偏光子の外観を観察する様子を図示しているが、実際には、上下を逆にして検査系を構成してもよい。

本明細書において、「直交」は、実質的に直交している状態も含む。「実質的に直交」とは、２つの方向のなす角が９０°±７°である場合を包含し、好ましくは９０°±５°であり、さらに好ましくは９０°±３°である。また、本明細書において角度に言及するときは、基準方向に対して時計回りおよび反時計回りの両方を包含する。また、「第２の偏光子側の面の外観を観察する」とは、第２の偏光子を透過した光の有無および量を観察することを意味する。また、本明細書において、位相差とは面内位相差を意味する。

図１は、本発明の１つの実施形態による検査方法を説明する概略斜視図である。図１においては、第１の偏光子１１と、第１のλ／４板２１と、第２のλ／４板２２と、第２の偏光子１２とをこの順に配置した構成と、各層を透過した光の偏光方向を示している。本発明の検査方法においては、第１の偏光子１１を透過して生成された偏光ａが、第１のλ／４板２１および第２のλ／４板２２を透過して、偏光ａと同じ偏光方向を有する偏光ｂとなり、当該偏光ｂを正常な光として第２の偏光子１２に到達させるように、第１の偏光子１１と、第１のλ／４板２１と、第２のλ／４板２２と、第２の偏光子１２とが配置されている。本発明においては、第１のλ／４板２１において正常に位相差が与えられることなく第２の偏光子１２に到達した光を、第１のλ／４板の欠点を透過した異常な光とし、当該異常な光を第２の偏光子を透過させることにより、第１のλ／４板の欠点を明欠点（周辺の正常部分よりも輝度が高い点）として検出する。

上記のように、｜Ｒｐ―Ｒｆ｜を５ｎｍ～２６ｎｍとすることにより、第１のλ／４板の欠点を感度よく検出することができる。特に、正常部分より位相差が高くスジ状にムラとなって生じる欠点（以下、白スジともいう）については、従来、検出が困難であったが、本発明の方法によれば、当該欠点も検出することが可能となる。また、正常部分より位相差が低い欠点、欠点範囲が非常に狭い点欠点（以下、輝点ともいう）も感度よく検出することもできる。第１のλ／４板の正常部分の位相差をＲｐ、第２のλ／４板の位相差をＲｆとしたとき、｜Ｒｐ―Ｒｆ｜は、好ましくは８ｎｍ～２３ｎｍであり、より好ましくは１２ｎｍ～１９ｎｍである。このような範囲であれば、上記効果は顕著となる。

１つの実施形態においては、第１のλ／４板の正常部分の位相差をＲｐ、第２のλ／４板の位相差をＲｆとしたとき、Ｒｐ―Ｒｆは、好ましくは５ｎｍ～２６ｎｍであり、より好ましくは８ｎｍ～２３ｎｍであり、さらに好ましくは１２ｎｍ～１９ｎｍである。Ｒｐ―Ｒｆを上記範囲とすること、換言すれば、検査対象としての第１のλ／４板の位相差Ｒｐに対して、第２のλ／４板の位相差をＲｆを適度に小さくすることにより、白スジおよび輝点に対する感度に顕著に優れる検査方法とすることができる。

１つの実施形態においては、第１のλ／４板の正常部分の位相差をＲｐ、第２のλ／４板の位相差をＲｆとしたとき、Ｒｐ―Ｒｆは、好ましくは－５ｎｍ～－２６ｎｍであり、より好ましくは－８ｎｍ～－２３ｎｍであり、さらに好ましくは－１２ｎｍ～－１９ｎｍである。Ｒｐ―Ｒｆを上記範囲とすることにより、正常部分より位相差が低い欠点に対する感度に顕著に優れる検査方法とすることができる。

代表的には、第１の偏光子および第２の偏光子は、保護フィルムとともに偏光板として適用される。

第１のλ／４板および／または第２のλ／４板（特に、第１のλ／４板）は、任意の適切なその他の層および／またはフィルムとともに積層体を構成していてもよい。その他の層およびその他のフィルムとしては、例えば、粘着剤層、接着剤層、基材等が挙げられる。その他の層およびその他のフィルムは、光学的に等方性であることが好ましい。

１つの実施形態においては、第１のλ／４板または第２のλ／４板（特に、第１のλ／４板）が、液晶材料で構成される。１つの実施形態においては、液晶材料で構成された第１のλ／４板が、検査対象となる。本発明においては、液晶材料で構成されたλ／４板の軽微な欠点をも感度よく検査し得る点で有利である。

１つの実施形態においては、第１のλ／４板２１が液晶材料で構成され、第２のλ／４板２２が高分子フィルムの延伸フィルムであり得る。この第２のλ／４板２２は、第１のλ／４板２１を形成する際の配向基材であり得る。また、図２に模式的に示すように、第１のλ／４板２１および第２のλ／４板２２は積層体を構成し得る。また、当該積層体は長尺状であってもよい。本実施形態の検査方法は、例えば、所定の製品に備えられるλ／４板（第１のλ／４板）を、当該製品に組み込む前に行われる検査に採用され得る。

１つ実施形態においては、第１のλ／４板２１が液晶材料で構成され、図３に模式的に示すように、第１のλ／４板２１と、第１のλ／４板２１の第１の偏光子１１側の面に配置された等方性基材３０とを含む積層体Ａが検査対象となる。等方性基材は、光学的に等方な性質を有する。代表的には、等方性基材３０は、第１のλ／４板２１側の面に配向層を有する。配向層は、配向膜であってもよく、ラビング処理により形成された層であってもよい。配向膜は、液晶性モノマーの種類、基板の材質等によって、任意の適切なものを選択すればよい。液晶分子を所定方向にホモジニアス配向させるための配向膜としては、ポリイミド系フィルムおよびポリビニルアルコール系フィルムの配向膜をラビング処理したものが好適に用いられる。また、光配向膜を用いてもよい。積層体Ａは長尺状であってもよい。本実施形態の検査方法は、例えば、所定の製品に備えられるλ／４板（第１のλ／４板）を、当該製品に組み込む前に行われる検査に採用され得る。

別の実施形態においては、第１のλ／４板２１が液晶材料で構成され、図４に模式的に示すように、第１の偏光子１１（好ましくは、第１の偏光子を含む偏光板）と第１のλ／４板２１とを含む光学積層体Ｂが検査対象となる。光学積層体Ｂは長尺状であってもよい。代表的には、光学積層体Ｂは、円偏光板であり得る。本実施形態の検査方法は、製品としての光学積層体Ｂ（円偏光板）の検査に採用され得る。

例えば、位相差違いで複数種ある欠点を検出する等の目的のため、１つのラインにおいて、複数回、上記検査方法が行われてもよい。具体的には、図３、図４に示す実施形態において、長尺状の光学積層体Ａ、Ｂに対して、（第２の偏光子）／（第２のλ／４板）からなる構成体を複数個配置してもよく、この際、（第２の偏光子）／（第２のλ／４板）構成体における第２のλ／４板は、構成体ごとに位相差が異なるものとされ得る。なお、図３に示す実施形態においては、（第２の偏光子）／（第２のλ／４板）構成体に対応して、第１の偏光子も複数枚配置されるか、あるいは、長尺状の第１の偏光子が配置され得る。

第１の偏光子側の面に入射させる光は、任意の適切な光源により生成される。１つの実施形態においては、光源として白色ＬＥＤが用いられる。

第２の偏光子側の面の外観観察は、任意の適切な方法により行われ得る。代表的には、任意の適切なカメラにより検査領域の画像を得、当該画像を２値化処理等の画像処理を行い、欠点検出を行う。

Ｂ．第１の偏光子、第２の偏光子
上記偏光子としては、任意の適切な偏光子が用いられる。例えば、ポリビニルアルコール系フィルム、部分ホルマール化ポリビニルアルコール系フィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体系部分ケン化フィルム等の親水性高分子フィルムに、ヨウ素や二色性染料等の二色性物質を吸着させて一軸延伸したもの、ポリビニルアルコールの脱水処理物やポリ塩化ビニルの脱塩酸処理物等ポリエン系配向フィルム等が挙げられる。これらの中でも、ポリビニルアルコール系フィルムにヨウ素などの二色性物質を吸着させて一軸延伸した偏光子が、偏光二色比が高く、特に好ましい。偏光子の厚みは、好ましくは、０．５μｍ～８０μｍである。

ポリビニルアルコール系フィルムにヨウ素を吸着させて一軸延伸した偏光子は、代表的には、ポリビニルアルコールをヨウ素の水溶液に浸漬することによって染色し、元長の３～７倍に延伸することで作製される。延伸は染色した後に行ってもよいし、染色しながら延伸してもよいし、延伸してから染色してもよい。延伸、染色以外にも、例えば、膨潤、架橋、調整、水洗、乾燥等の処理が施されて作製される。

上記のとおり、１つの実施形態においては、第１の偏光子および第２の偏光子（これらを偏光子と総称することもある）は、保護フィルムとともに偏光板として適用される。

上記保護フィルムとしては、任意の適切なフィルムが用いられる。このようなフィルムの主成分となる材料の具体例としては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等のセルロース系樹脂や、（メタ）アクリル系、ポリエステル系、ポリビニルアルコール系、ポリカーボネート系、ポリアミド系、ポリイミド系、ポリエーテルスルホン系、ポリスルホン系、ポリスチレン系、ポリノルボルネン系、ポリオレフィン系、アセテート系等の透明樹脂等が挙げられる。また、アクリル系、ウレタン系、アクリルウレタン系、エポキシ系、シリコーン系等の熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂等も挙げられる。この他にも、例えば、シロキサン系ポリマー等のガラス質系ポリマーも挙げられる。また、特開２００１－３４３５２９号公報（ＷＯ０１／３７００７）に記載のポリマーフィルムも使用できる。このフィルムの材料としては、例えば、側鎖に置換または非置換のイミド基を有する熱可塑性樹脂と、側鎖に置換または非置換のフェニル基ならびにニトリル基を有する熱可塑性樹脂を含有する樹脂組成物が使用でき、例えば、イソブテンとＮ－メチルマレイミドからなる交互共重合体と、アクリロニトリル・スチレン共重合体とを有する樹脂組成物が挙げられる。上記ポリマーフィルムは、例えば、上記樹脂組成物の押出成形物であり得る。

１つの実施形態においては、第２の偏光子として、光透過率が４２％以上の偏光子が用いられる。このような第２の偏光子を用いれば、検出感度を向上させることができる。第２の偏光子の光透過率は、より好ましくは４３％以上であり、さらに好ましくは４４％以上である。また、第２の偏光子を含む偏光板が用いられる場合、当該偏光板の光透過率は、好ましくは４２％以上であり、より好ましくは４３％以上であり、さらに好ましくは４４％以上である。

Ｃ．第１のλ／４板、第２のλ／４板
第１のλ／４板および第２のλ／４板（これらをλ／４板と総称することもある）は、ある特定の波長の直線偏光を円偏光に（または、円偏光を直線偏光に）変換し得る。

上記λ／４板は、その面内位相差Ｒｅが、好ましくは９５ｎｍ～１８０ｎｍであり、より好ましくは１１０ｎｍ～１６０ｎｍである。λ／４板は、好ましくは、ｎｘ＞ｎｙ≧ｎｚの屈折率楕円体を有する。なお、本明細書において面内位相差Ｒｅは２３℃、波長５９０ｎｍにおける面内位相差値をいう。Ｒｅは、面内の屈折率が最大になる方向（すなわち、遅相軸方向）の屈折率をｎｘとし、面内で遅相軸と直交する方向（すなわち、進相軸方向）の屈折率をｎｙとし、フィルムの厚みをｄ（ｎｍ）としたとき、Ｒｅ＝（ｎｘ－ｎｙ）×ｄによって求められる。また、本明細書において、「ｎｙ＝ｎｚ」は、ｎｙとｎｚが厳密に等しい場合のみならず、ｎｙとｎｚが実質的に等しい場合も包含する。

１つの実施形態においては、上記第１のλ／４板の欠点個所における面内位相差Ｒｅは、好ましくは１４１．５ｎｍ～１５１ｎｍであり、より好ましくは１４２ｎｍ～１４６ｎｍである。このような面内位相差Ｒｅを有する欠点は、正常個所の面内位相差Ｒｅよりも位相差が高い欠点であり得る。別の実施形態においては、上記第１のλ／４板の欠点個所における面内位相差Ｒｅは、好ましくは１４０．５ｎｍ～１３１ｎｍであり、より好ましくは１３９．５ｎｍ～１３６ｎｍである。このような面内位相差Ｒｅを有する欠点は、正常個所の面内位相差Ｒｅよりも位相差が低い欠点であり得る。また、第１のλ／４板の正常個所における面内位相差Ｒｅと欠点個所における面内位相差Ｒｅとの差（第１のλ／４板の正常個所における面内位相差Ｒｅ―欠点個所における面内位相差Ｒｅ）は、例えば、―１０ｎｍ～１０ｎｍである。本発明によれば、正常個所における面内位相差Ｒｅと欠点個所における面内位相差Ｒｅとの差が小さくとも、欠点検出を好ましく行うことができる。

（液晶材料で構成されたλ／４板）
上記のとおり、１つの実施形態においては、第１のλ／４板が、液晶材料で構成される。液晶材料としては、任意の適切な液晶モノマーが採用され得る。例えば、特表２００２－５３３７４２（ＷＯ００／３７５８５）、ＥＰ３５８２０８（ＵＳ５２１１８７７）、ＥＰ６６１３７（ＵＳ４３８８４５３）、ＷＯ９３／２２３９７、ＥＰ０２６１７１２、ＤＥ１９５０４２２４、ＤＥ４４０８１７１、およびＧＢ２２８０４４５等に記載の重合性メソゲン化合物等が使用できる。このような重合性メソゲン化合物の具体例としては、例えば、ＢＡＳＦ社の商品名ＬＣ２４２、Ｍｅｒｃｋ社の商品名Ｅ７、Ｗａｃｋｅｒ－Ｃｈｅｍ社の商品名ＬＣ－Ｓｉｌｌｉｃｏｎ－ＣＣ３７６７が挙げられる。

液晶材料から構成されるλ／４板は、例えば、液晶材料を配向させ、当該配向状態を固定したまま固化または硬化させることにより得られ得る。具体的には、長尺状の配向基材上に、液晶材料を含む液晶性組成物を塗布して、液晶材料を配向させること、および、配向した液晶材料に重合処理および／または架橋処理を施して、液晶硬化層を形成することにより形成され得る。ここで、液晶材料は、基板の配向処理方向に応じて配向し得るので、基板の配向処理方向と実質的に同一な方向に位相差層の遅相軸を発現させ得る。位相差層の形成方法の具体例としては、特開２００６－１７８３８９号公報に記載の形成方法が挙げられる。液晶材料から構成されるλ／４板の厚みは、好ましくは０．５μｍ～１．８μｍであり、より好ましくは１μｍ～１．６μｍである。

１つの実施形態においては、液晶材料として、加熱により液晶性を発現するサーモトロピック液晶が用いられ得る。サーモトロピック液晶は、温度変化により、結晶相、液晶相、等方相の相転移を生じる。

（延伸フィルムで構成されたλ／４板）
延伸フィルムで構成されたλ／４板は、例えば、高分子フィルムを所定の方向に延伸して得られる。

上記高分子フィルムを形成する樹脂としては、任意の適切な樹脂が用いられる。具体例としては、ポリノルボルネン等のシクロオレフィン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、セルロース系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリスルホン系樹脂等の正の複屈折フィルムを構成する樹脂が挙げられる。中でも、ノルボルネン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂が好ましい。

上記ポリノルボルネンとは、出発原料（モノマー）の一部または全部に、ノルボルネン環を有するノルボルネン系モノマーを用いて得られる（共）重合体をいう。当該ノルボルネン系モノマーとしては、例えば、ノルボルネン、およびそのアルキルおよび／またはアルキリデン置換体、例えば、５－メチル－２－ノルボルネン、５－ジメチル－２－ノルボルネン、５－エチル－２－ノルボルネン、５－ブチル－２－ノルボルネン、５－エチリデン－２－ノルボルネン等、これらのハロゲン等の極性基置換体；ジシクロペンタジエン、２，３－ジヒドロジシクロペンタジエン等；ジメタノオクタヒドロナフタレン、そのアルキルおよび／またはアルキリデン置換体、およびハロゲン等の極性基置換体、例えば、６－メチル－１，４：５，８－ジメタノ－１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ－オクタヒドロナフタレン、６－エチル－１，４：５，８－ジメタノ－１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ－オクタヒドロナフタレン、６－エチリデン－１，４：５，８－ジメタノ－１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ－オクタヒドロナフタレン、６－クロロ－１，４：５，８－ジメタノ－１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ－オクタヒドロナフタレン、６－シアノ－１，４：５，８－ジメタノ－１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ－オクタヒドロナフタレン、６－ピリジル－１，４：５，８－ジメタノ－１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ－オクタヒドロナフタレン、６－メトキシカルボニル－１，４：５，８－ジメタノ－１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ－オクタヒドロナフタレン等；シクロペンタジエンの３～４量体、例えば、４，９：５，８－ジメタノ－３ａ，４，４ａ，５，８，８ａ，９，９ａ－オクタヒドロ－１Ｈ－ベンゾインデン、４，１１：５，１０：６，９－トリメタノ－３ａ，４，４ａ，５，５ａ，６，９，９ａ，１０，１０ａ，１１，１１ａ－ドデカヒドロ－１Ｈ－シクロペンタアントラセン等が挙げられる。

上記ポリノルボルネンとしては、種々の製品が市販されている。具体例としては、日本ゼオン社製の商品名「ゼオネックス」、「ゼオノア」、ＪＳＲ社製の商品名「アートン（Ａｒｔｏｎ）」、ＴＩＣＯＮＡ社製の商品名「トーパス」、三井化学社製の商品名「ＡＰＥＬ」が挙げられる。

上記ポリカーボネート系樹脂としては、好ましくは、芳香族ポリカーボネートが用いられる。芳香族ポリカーボネートは、代表的には、カーボネート前駆物質と芳香族２価フェノール化合物との反応によって得ることができる。カーボネート前駆物質の具体例としては、ホスゲン、２価フェノール類のビスクロロホーメート、ジフェニルカーボネート、ジ－ｐ－トリルカーボネート、フェニル－ｐ－トリルカーボネート、ジ－ｐ－クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネート等が挙げられる。これらの中でも、ホスゲン、ジフェニルカーボネートが好ましい。芳香族２価フェノール化合物の具体例としては、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－ヒドロキシ－３，５－ジメチルフェニル）プロパン、ビス（４－ヒドロキシフェニル）メタン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）エタン、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２－ビス（４－ヒドロキシ－３，５－ジメチルフェニル）ブタン、２，２－ビス（４－ヒドロキシ－３，５－ジプロピルフェニル）プロパン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサン等が挙げられる。これらは単独で、または２種以上組み合わせて用いてもよい。好ましくは、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサンが用いられる。特に、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロパンと１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）－３，３，５－トリメチルシクロヘキサンとを共に使用することが好ましい。

延伸方法としては、例えば、横一軸延伸、固定端二軸延伸、逐次二軸延伸が挙げられる。固定端二軸延伸の具体例としては、高分子フィルムを長手方向に走行させながら、短手方向（横方向）に延伸させる方法が挙げられる。この方法は、見かけ上は横一軸延伸であり得る。また、斜め延伸も採用することができる。斜め延伸を採用することにより、幅方向に対して所定の角度の配向軸（遅相軸）を有する長尺状の延伸フィルムを得ることができる。斜め延伸によりλ／４板を製造する方法は、例えば、特開２０１３－５４３３８号公報、特開２０１４－１９４４８２号公報、特開２０１４－２３８５２４号公報、特開２０１４－１９４４８４号公報等に記載されている。当該公報の記載は、本明細書に参考として援用される。

上記延伸フィルムの厚みは、代表的には５μｍ～８０μｍ、好ましくは１５μｍ～６０μｍ、さらに好ましくは２５μｍ～４５μｍである。

１つの実施形態においては、延伸フィルムで構成されたλ／４板（好ましくは、斜め延伸により得られたλ／４板）は、上記液晶材料から構成されるλ／４板を作成する際の配向基板として用いられ得る。

以下、実施例によって本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例によって限定されるものではない。なお、実施例における測定および評価方法は下記のとおりである。

［実施例１］
ネマチック液晶相を示す光重合性液晶化合物（ＢＡＳＦ製「Ｐａｌｉｏｃｏｌｏｒ ＬＣ２４２」）をシクロペンタノンに溶解して、固形分濃度３０重量％の溶液を調製した。この溶液に、界面活性剤（ビック・ケミー製「ＢＹＫ－３６０」）および光重合開始剤（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ製「Ｏｍｎｉｒａｄ９０７」）を添加して、液晶性組成物溶液を調製した。レベリング剤および重合開始剤の添加量は、光重合性液晶化合物１００重量部に対して、それぞれ、０．０１重量部および３重量部とした。
斜め延伸ノルボルネン系フィルム（日本ゼオン製「ゼオノアフィルム（ＺＤ１２）」、厚み：２３μｍ、面内位相差：１４０ｎｍ）を準備した。
上記斜め延伸ノルボルネン系フィルム上に、上記の液晶性組成物を乾燥後の厚みが１．６９μｍとなるようにバーコーターにより塗布し、１００℃で３分間加熱して液晶を配向させた。室温に冷却した後、窒素雰囲気下で、積算光量４００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して光硬化を行い、斜め延伸ノルボルネン系フィルム上にホモジニアス配向液晶層（第１のλ／４板、面内位相差Ｒｐ：１４１ｎｍ）を得た。
また、上記斜め延伸ノルボルネン系フィルム上に、上記の液晶性組成物を乾燥後の厚みが２μｍとなるようにバーコーターにより塗布し、１００℃で３分間加熱して液晶を配向させた。室温に冷却した後、窒素雰囲気下で、積算光量４００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して光硬化を行い、斜め延伸ノルボルネン系フィルム上にホモジニアス配向液晶層（第２のλ／４板、面内位相差Ｒｆ：１６７ｎｍ、厚み：２μｍ）得た。
第１の偏光子（単体透過率：４５％）を含む第１の偏光板と、上記第１のλ／４板と、上記第２のλ／４板と、第２の偏光子（単体透過率：４５％）を含む第２の偏光板とを積層した。
このとき、各層の軸方向は、第１の偏光子の吸収軸と第２の偏光子の吸収軸とを直行させ、第１のλ／４板の遅相軸と第２のλ／４板の遅相軸とが平行となるようにし、第１の偏光子の吸収軸と第１のλ／４板の遅相軸とのなす角を４５°とし、第２の偏光子の吸収軸と第２のλ／４板の遅相軸とのなす角を４５°とした。
上記構成の両側に光源と撮像装置を配置し、第１のλ／４板において、正常部分より厚みが薄く位相差が小さいスジ状欠点（正常部分の位相差よりも約１．５ｎｍ小さい位相差を有する欠点）を検出対象として、透過検査による欠点検査を行った。その結果、当該欠点を検出することができた。

［実施例２］
第２のλ／４板の厚みを１．９２μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、第１の偏光子を含む第１の偏光板と、上記第１のλ／４板（位相差Ｒｐ：１４１ｎｍ）と、上記第２のλ／４板（位相差Ｒｆ：１６０ｎｍ）と、第２の偏光子を含む第２の偏光板とをこの順に配置し、実施例１と同様の欠点検査を行った。その結果、正常部分より厚みが薄く位相差が小さいスジ状欠点（正常部分の位相差よりも約１．５ｎｍ小さい位相差を有する欠点）が、実施例１よりも鮮明に検出された。

［実施例３］
第２のλ／４板の厚みを１．８４μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、第１の偏光子を含む第１の偏光板と、上記第１のλ／４板（位相差Ｒｐ：１４１ｎｍ）と、上記第２のλ／４板（位相差Ｒｆ：１５３ｎｍ）と、第２の偏光子を含む第２の偏光板とをこの順に配置し、実施例１と同様の欠点検査を行った。その結果、正常部分より厚みが薄く位相差が小さいスジ状欠点（正常部分の位相差よりも約１．５ｎｍ小さい位相差を有する欠点）が、実施例１よりも鮮明に検出された。

［実施例４］
第２のλ／４板の厚みを１．７５μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、第１の偏光子を含む第１の偏光板と、上記第１のλ／４板（位相差Ｒｐ：１４１ｎｍ）と、上記第２のλ／４板（位相差Ｒｆ：１４６ｎｍ）と、第２の偏光子を含む第２の偏光板とをこの順に配置し、実施例１と同様の欠点検査を行った。その結果、正常部分より厚みが薄く位相差が小さいスジ状欠点（正常部分の位相差よりも約１．５ｎｍ小さい位相差を有する欠点）を検出することができた。

［実施例５］
第２のλ／４板の厚みを１．６３μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、第１の偏光子を含む第１の偏光板と、上記第１のλ／４板（位相差Ｒｐ：１４１ｎｍ）と、上記第２のλ／４板（位相差Ｒｆ：１３６ｎｍ）と、第２の偏光子を含む第２の偏光板とをこの順に積層した。
上記構成の両側に光源と撮像装置を配置し、第１のλ／４板において、正常部分より厚みが厚く位相差が大きいスジ状欠点（正常部分の位相差よりも約１．５ｎｍ大きい位相差を有する欠点）を検出対象として、透過検査による欠点検査を行った。その結果、当該欠点を検出することができた。

［実施例６］
第２のλ／４板の厚みを１．５５μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、第１の偏光子を含む第１の偏光板と、上記第１のλ／４板（位相差Ｒｐ：１４１ｎｍ）と、上記第２のλ／４板（位相差Ｒｆ：１２９ｎｍ）と、第２の偏光子を含む第２の偏光板とをこの順に配置し、実施例５と同様の欠点検査を行った。その結果、正常部分より厚みが厚く位相差が大きいスジ状欠点（正常部分の位相差よりも約１．５ｎｍ大きい位相差を有する欠点）が、実施例５よりも鮮明に検出された。

［実施例７］
第２のλ／４板の厚みを１．４８μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、第１の偏光子を含む第１の偏光板と、上記第１のλ／４板（位相差Ｒｐ：１４１ｎｍ）と、上記第２のλ／４板（位相差Ｒｆ：１２３ｎｍ）と、第２の偏光子を含む第２の偏光板とをこの順に配置し、実施例５と同様の欠点検査を行った。その結果、正常部分より厚みが厚く位相差が大きいスジ状欠点（正常部分の位相差よりも約１．５ｎｍ大きい位相差を有する欠点）が、実施例５よりも鮮明に検出された。
さらに、輝点について、範囲１．３ｍ×１ｍ内の検出数を確認したところ、４．７個の欠点が検出された。輝点の外観の代表例を図５に示す。

［実施例８］
第２のλ／４板の厚みを１．３８μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、第１の偏光子を含む第１の偏光板と、上記第１のλ／４板（位相差Ｒｐ：１４１ｎｍ）と、上記第２のλ／４板（位相差Ｒｆ：１１５ｎｍ）と、第２の偏光子を含む第２の偏光板とをこの順に配置し、実施例５と同様の欠点検査を行った。その結果、正常部分より厚みが厚く位相差が大きいスジ状欠点（正常部分の位相差よりも約１．５ｎｍ大きい位相差を有する欠点）を検出することができた。

［比較例１］
第２のλ／４板の厚みを１．６９μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、第１の偏光子を含む第１の偏光板と、上記第１のλ／４板（位相差Ｒｐ：１４１ｎｍ）と、上記第２のλ／４板（位相差Ｒｆ：１４１ｎｍ）と、第２の偏光子を含む第２の偏光板とをこの順に積層した。
上記構成について、実施例１と同様の欠点検査を行った。その結果、実施例１で検出可能であった欠点を検出することができなかった。また、実施例５と同様の欠点検査を行った。その結果、実施例５で検出可能であった欠点を検出することができなかった。
さらに、実施例７と同様の第１のλ／４板（すなわち、実施例７で４．７個の輝点が検出されたものと同様のλ／４板）を検査対象として、実施例７と同様に、輝点について、範囲１．３ｍ×１ｍ内の検出数を確認したところ、２．６個の欠点が検出された。

実施例および比較例の結果を下記表にまとめる。本発明によれば、表１～３からも明らかなように、Ｒｐ―Ｒｆを適切に設定することにより、種々の欠点を感度よく検出することができる。

１１ 第１の偏光子
１２ 第２の偏光子
２１ 第１のλ／４板
２２ 第２のλ／４板
３０ 等方性基材

Claims (4)

1. 第１の偏光子と、第１のλ／４板と、第２のλ／４板と、第２の偏光子とをこの順に配置すること、および、第１の偏光子側の面から光を入射させ、第２の偏光子側の面の外観を観察し、第１のλ／４板の欠点を検出することを含み、
   該第１の偏光子の吸収軸と該第２の偏光子の吸収軸とを直交させ、該第１のλ／４板の遅相軸と該第２のλ／４板の遅相軸とを直交させ、該第１の偏光子の吸収軸と該第１のλ／４板の遅相軸とのなす角を、３５°～５５°とし、かつ、該第２の偏光子の吸収軸と該第２のλ／４板の遅相軸とのなす角を、３５°～５５°とし、
   該第１のλ／４板の正常部分の位相差をＲｐ、該第２のλ／４板の位相差をＲｆとしたとき、｜Ｒｐ―Ｒｆ｜を、５ｎｍ～２６ｎｍとすることを含む、
   λ／４板の欠点検査方法。
2. 前記第１のλ／４板の正常部分の位相差をＲｐ、前記第２のλ／４板の位相差をＲｆとしたとき、Ｒｐ―Ｒｆが、５ｎｍ～２６ｎｍとされる、請求項１に記載のλ／４板の欠点検査方法。
3. 前記第１のλ／４板の正常部分の位相差をＲｐ、前記第２のλ／４板の位相差をＲｆとしたとき、Ｒｐ―Ｒｆが、－５ｎｍ～－２６ｎｍとされる、請求項１に記載のλ／４板の欠点検査方法。
4. 前記第１のλ／４板が、液晶材料から構成される、請求項１から３のいずれかに記載のλ／４板の欠点検査方法。