TW202422052A - λ／４板的缺陷檢查方法 - Google Patents

Abstract

本發明課題係提供一種可以良好靈敏度檢查λ/4板之缺陷的缺陷方法。 其解決手段為本發明λ/4板的缺陷檢查方法，包含以下步驟：依序配置第1偏光件、第1λ/4板、第2λ/4板及第2偏光件；及，使光從該第1偏光件側的面入射，並觀察該第2偏光件側的面的外觀；前述檢查方法係使該第1偏光件的吸收軸與該第2偏光件的吸收軸正交，使該第1λ/4板的慢軸與該第2λ/4板的慢軸正交，使該第1偏光件的吸收軸與該第1λ/4板的慢軸構成的角為35°～55°，且使該第2偏光件的吸收軸與該第2λ/4板的慢軸構成的角為35°～55°；前述檢查方法包含下述步驟：使該第1λ/4板的波長分散特性與該第2λ/4板的波長分散特性大致相同。

Description

λ/4板的缺陷檢查方法

本發明涉及一種λ/4板的缺陷檢查方法。

在液晶顯示裝置(LCD)、有機電致發光顯示裝置(OLED)等影像顯示裝置中，為了提高顯示特性、抗反射等，大多使用了相位差薄膜。在相位差薄膜的製造步驟中，有時會因局部的外觀不良而產生缺陷，而要求可以良好靈敏度檢查該缺陷的方法。特別是相位差薄膜為由液晶材料構成的λ/4板其容易產生無法以習知方法檢測出之程度的輕微缺陷，從而尋求連所述缺陷亦可檢測出的檢查方法。 現有技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2013-15766號公報

發明欲解決之課題 本發明是為了解決上述課題而進行，其目的在於提供一種可以良好靈敏度檢查λ/4板之缺陷的缺陷檢查方法。

用於解決課題之手段 [1]本發明λ/4板的缺陷檢查方法，包含以下步驟：依序配置第1偏光件、第1λ/4板、第2λ/4板及第2偏光件；及，使光從該第1偏光件側的面入射，並觀察該第2偏光件側的面的外觀；前述檢查方法係使該第1偏光件的吸收軸與該第2偏光件的吸收軸正交，使該第1λ/4板的慢軸與該第2λ/4板的慢軸正交，使該第1偏光件的吸收軸與該第1λ/4板的慢軸構成的角為35°～55°，且使該第2偏光件的吸收軸與該第2λ/4板的慢軸構成的角為35°～55°；前述檢查方法包含下述步驟：使該第1λ/4板的波長分散特性與該第2λ/4板的波長分散特性大致相同。 [2]如上述[1]之λ/4板的缺陷檢查方法中，上述第1λ/4板的面內相位差Re ₁與上述第2λ/4板的面內相位差Re ₂之差的絕對值亦可為20nm以下。 [3]如上述[1]或[2]之λ/4板的缺陷檢查方法中，上述第1λ/4板的面內相位差Re ₁與上述第2λ/4板的面內相位差Re ₂亦可設為Re ₁＜Re ₂。 [4]本發明λ/4板的缺陷檢查方法，包含以下步驟：依序配置第1偏光件、第1λ/4板、第2λ/4板及第2偏光件；及，使光從該第1偏光件側的面入射，並觀察該第2偏光件側的面的外觀；前述檢查方法係使該第1偏光件的吸收軸與該第2偏光件的吸收軸平行，使該第1λ/4板的慢軸與該第2λ/4板的慢軸平行，使該第1偏光件的吸收軸與該第1λ/4板的慢軸構成的角為35°～55°，且使該第2偏光件的吸收軸與第2λ/4板的慢軸構成的角為35°～55°；前述檢查方法包含下述步驟：使該第1λ/4板的波長分散特性與該第2λ/4板的波長分散特性大致相同。 [5]如上述[4]之λ/4板的缺陷檢查方法中，上述第1λ/4板的面內相位差Re ₁與上述第2λ/4板的面內相位差Re ₂之差的絕對值亦可為20nm以下。

發明效果 根據本發明，可提供一種可以良好靈敏度檢查包含λ/4板之光學積層體之缺陷的缺陷方法。

A.缺陷檢查方法 本發明缺陷檢查方法，包含以下步驟：依序配置第1偏光件、第1λ/4板、第2λ/4板及第2偏光件；及，使光從第1偏光件側的面入射，並觀察第2偏光件側的面的外觀。本發明缺陷檢查方法可將第1λ/4板作為檢查對象，可將第2λ/4板作為檢查對象，亦可將包含第1λ/4板與第2λ/4板之積層體作為檢查對象。在本發明中，藉由使第1λ/4板的波長分散特性與該第2λ/4板的波長分散特性大致相同，可提高檢查靈敏度。詳細內容容於後述。

代表上，第1偏光件及第2偏光件係與保護薄膜一起應用作為偏光板。

第1λ/4板及/或第2λ/4板亦可與任意適當之其他層及/或薄膜一起構成積層體。關於其他層及其他薄膜，可舉例如黏著劑層、接著劑層、基材等。其他層及其他薄膜宜在光學上為各向同性。

在一實施形態中，第1λ/4板或第2λ/4板係以液晶材料構成。在一實施形態中，以液晶材料構成之λ/4板會成為檢查對象。以本發明來說，在可以良好靈敏度檢查以液晶材料構成之λ/4板的輕微缺陷方面乃有利。

在本發明中，關於透射λ/4板後的偏光，係觀察不利用λ/4板正常賦予相位差而到達第2偏光件之光，來檢查該λ/4板的缺陷。關於檢查之具體方法，於以下進行例示。

(第1實施形態) 在第1實施形態中，第1偏光件與第2偏光件係以使第1偏光件的吸收軸與第2偏光件的吸收軸正交之方式配置。又，第1λ/4板與第2λ/4板係以使第1λ/4板的慢軸與第2λ/4板的慢軸正交之方式配置。又，第1偏光件與第1λ/4板係以使第1偏光件的吸收軸與第1λ/4板的慢軸構成的角為35°～55°之方式配置。又，第2偏光件與第2λ/4板係以使第2偏光件的吸收軸與第2λ/4板的慢軸構成的角為35°～55°之方式配置。此外，只要可獲得本發明效果，若有依序配置第1偏光件、第1λ/4板、第2λ/4板及第2偏光件，便亦可在其間中介有其他薄膜。例如，亦可在第1偏光件與第1λ/4板之間中介有其他相位差薄膜(例如正C板)。

在本說明書中，「正交」亦包括實質上正交之狀態。「實質上正交」包含2個方向構成的角為90°±7°的情況，宜為90°±5°，更宜為90°±3°。又，在本說明書中提及角度時，包含相對於基準方向往順時針方向及往逆時針方向兩方向。又，「觀察第2偏光件側的面的外觀」是指觀察有無透射第2偏光件的光及其量。又，本說明書中，相位差是指面內相位差。

圖1是說明本發明一實施形態之檢查方法的概略立體圖。在圖1中，顯示了依序配置第1偏光件11、第1λ/4板21、第2λ/4板22及第2偏光件12之構成與透射各層之光的偏光方向。在本實施形態之檢查方法中，係配置第1偏光件11、第1λ/4板21、第2λ/4板22及第2偏光件12，以達成下述過程：透射第1偏光件11而生成之偏光a透射第1λ/4板21及第2λ/4板22，成為具有與偏光a相同之偏光方向的偏光b，並使該偏光b以正常光之形式到達第2偏光件12。另一方面，偏光方向與正常光不同的光會依不同的程度而被探測為異常光，而可判斷該異常光係因λ/4板的缺陷而引起。此外，為了方便起見，於圖中顯示了從上觀察第2偏光件之外觀的情況，但實際上亦可將上下顛倒來構成檢查系統。

在本發明缺陷檢查方法中，係構成成使第1λ/4板的波長分散特性與第2λ/4板的波長分散特性大致相同。波長分散特性是指相位差值的波長依存性。「第1λ/4板的波長分散特性與第2λ/4板的波長分散特性大致相同」是指第1λ/4板與第2λ/4板皆為逆波長分散特性、或皆為正波長分散特性，是指例如(第1λ/4板的波長分散特性值)/(第2λ/4板的波長分散特性值)為0.85～1.2。波長分散特性值可為Re[450]/Re[550]所示的值。此外，Re[λ]是在23℃下以波長λ的光測定之薄膜面內的相位差值，將面內的折射率達最大的方向(即，慢軸方向)的折射率設為nx，將在面內與慢軸正交的方向(即，快軸方向)的折射率設為ny，將薄膜的厚度設為d(nm)時，藉由Re=(nx-ny)×d來求出。此外，逆波長分散特性是指短波長側的相位差小、長波長側的相位差大的特性(即，Re(450)＜Re(550)＜Re(650))。正波長分散特性是指長波長側的相位差小、短波長側的相位差大的特性(即，Re(650)＜Re(550)＜Re(450))。上述波長分散值可藉由調整λ/4板中使用的樹脂的種類及/或含量、導入該樹脂中的取代基的種類及/或含量，使其增加或減少。例如，如WO00/26705號公報或日本液晶學會發行「液晶 第9卷 第4號」(2005年)p.214圖8中所記載，藉由共聚物的組成，可控制相位差薄膜的波長分散值。

吾等認為藉由第1λ/4板的波長分散特性與第2λ/4板的波長分散特性大致相同，在廣泛範圍之波長下會對偏光產生上述作用，因此缺陷與正常部的對比度變高，而可進行高靈敏度之缺陷檢測。又，觀察第2偏光件側的面的外觀時之照相機其一般相對於藍色光的靈敏度低，但吾等認為根據本發明缺陷檢查方法，可抑制透射受光靈敏度低的藍色成分，因此可進行高靈敏度之缺陷檢測。「第1λ/4板的波長分散特性與第2λ/4板的波長分散特性大致相同」之所述效果在缺陷為不均狀之缺陷的情況下很顯著。

(第1λ/4板的波長分散特性值)/(第2λ/4板的波長分散特性值)宜為0.9～1.1，較宜為0.95～1.05。若為所述範圍，則上述效果會變顯著。

第1λ/4板的面內相位差Re ₁與第2λ/4板的面內相位差Re ₂之差的絕對值宜為20nm以下，較宜為15nm以下，更宜為10nm以下。若為所述範圍，則可以對比度優異之狀態檢測λ/4板(宜為第1λ/4板)的缺陷。

在一實施形態中，第1λ/4板的面內相位差Re ₁與第2λ/4板的面內相位差Re ₂係設為Re ₁＜Re ₂。若依上述方式操作，則可以對比度優異之狀態將λ/4板(宜為第1λ/4板)的缺陷以暗點檢測出。Re ₂-Re ₁宜為2nm以上，較宜為3nm以上，更宜為5nm以上。Re ₂-Re ₁的上限宜為20nm以下，較宜為15nm以下，更宜為10nm以下。

(第2實施形態) 在本實施形態中，第1偏光件與第2偏光件係以使第1偏光件的吸收軸與第2偏光件的吸收軸平行之方式配置。又，第1λ/4板與第2λ/4板係以使第1λ/4板的慢軸與第2λ/4板的慢軸平行之方式配置。又，第1偏光件與第1λ/4板係以使第1偏光件的吸收軸與第1λ/4板的慢軸構成的角成為35°～55°之方式配置。又，第2偏光件與第2λ/4板係以使第2偏光件的吸收軸與第2λ/4板的慢軸構成的角成為35°～55°之方式配置。此外，若依序配置第1偏光件、第1λ/4板、第2λ/4板及第2偏光件，則亦可於其間中介有其他薄膜。例如，亦可在第1偏光件與第1λ/4板之間中介有其他相位差薄膜(例如正C板)。

本說明書中，「平行」亦包含實質上平行的狀態。「實質上平行」包含2個方向構成的角度為0°±7°的情況，宜為0°±5°，更宜為0°±3°。

圖2是說明本發明一實施形態之檢查方法的概略剖面圖。在圖2中，顯示了依序配置第1偏光件11、第1λ/4板21、第2λ/4板22及第2偏光件12之構成、與透射各層之光的偏光方向。在本實施形態中，係由兩片λ/4板(第1λ/4板21、第2λ/4板22)對透射第1偏光件11而生成之偏光a給予相位差。在本實施形態中，係配置第1偏光件11、第1λ/4板21、第2λ/4板22及第2偏光件12，以達到下述過程：對偏光a給予相位差並使偏光方向旋轉大致90°，且使依此操作生成之偏光b以正常光之形式到達第2偏光件12。另一方面，偏光方向與正常光不同的光係依不同之程度而被探測為異常光，而可判斷該異常光係起因於λ/4板之缺陷。在本實施形態中，藉由設定成如上述之構成，可以良好靈敏度檢查具有多種缺陷之λ/4板。此外，為了方便起見，雖圖示了從上觀察第2偏光件之外觀的情況，但實際上亦可將上下顛倒來構成檢查系統。

又，根據本實施形態之檢查方法，即使在配置λ/4板時，λ/4板的慢軸方向有稍微偏移所期望之位置的情況下，也可穩定進行檢查。更詳細而言，在原理上最適宜的是第1λ/4板及第2λ/4板係以使其慢軸相對於第1偏光件的吸收軸具有45°角度之方式配置，但根據本實施形態之檢查方法，即使相對於最佳配置有±10°左右之偏移，仍可以充分之靈敏度進行檢查。因此，如上述，以使第1偏光件的吸收軸與第1λ/4板的慢軸構成的角成為35°～55°、且使第2偏光件的吸收軸與第2λ/4板的慢軸構成的角成為35°～55°之方式，配置偏光件與λ/4板。第1偏光件的吸收軸與第1λ/4板的慢軸構成的角宜為40°～50°，較宜為43.5°～46.5°。若為所述範圍，檢查靈敏度會顯著提高。

在本實施形態中，亦構成為使第1λ/4板的波長分散特性與第2λ/4板的波長分散特性大致相同。(第1λ/4板的波長分散特性值)/(第2λ/4板的波長分散特性值)宜為0.85～1.2，較宜為0.9～1.1，更宜為0.95～1.05。

第1λ/4板的面內相位差Re ₁與第2λ/4板的面內相位差Re ₂之差的絕對值宜為20nm以下，較宜為15nm以下，更宜為10nm以下。若為所述範圍，則可以對比度優異之狀態檢測λ/4板(宜為第1λ/4板)之缺陷。

(檢查對象之例示) 在一實施形態中，第2λ/4板22係以液晶材料構成，第1λ/4板21可為高分子薄膜之延伸薄膜。該第1λ/4板21可為形成第2λ/4板22時之定向基材。在本實施形態中，第1偏光件11(宜為包含第1偏光件之偏光板)及第2偏光件12(宜為包含第2偏光件之偏光板)可作為檢查工具來使用。又，如圖3中示意所示，第2λ/4板22及第1λ/4板21可構成積層體。又，該積層體亦可為長條狀。本實施形態之檢查方法例如可採用於在將可配置於預定製品中之λ/4板(第2λ/4板)組入該製品之前所進行之檢查。

此外，本說明書中，所謂「檢查工具」是指用於檢查用途之構件且不會成為檢查對象之要素。檢查工具中亦包含光源、照相機。例如，作為檢查對象之λ/4板、及包含其之積層體可為長條狀，亦可連續供於上述檢查方法所進行之檢查，惟檢查工具亦可在利用檢查方法實施檢查之預定場所使用。此外，本發明缺陷檢查方法除了固定檢查工具並一邊搬送長條狀檢查對象一邊連續進行檢查之方法外，只要可獲得本發明效果便可以藉由任意適當之方法來實施以下方法：固定檢查對象並使檢查工具移動來進行檢查之方法、固定檢查工具並檢查單片檢查對象之方法(即，檢查工具、檢查對象都固定)等。

在另一實施形態中，第1λ/4板21係以液晶材料構成，如圖4中示意所示，積層體A係成為檢查對象，該積層體A包含第1λ/4板21與配置於第1λ/4板21之第1偏光件11側的面之各向同性基材30。各向同性基材在光學上具有各向同性的性質。代表上，各向同性基材30在第1λ/4板21側的面具有定向層。定向層可為定向膜，亦可為藉由摩擦處理而形成的層。定向膜只要根據液晶性單體的種類、基板的材質等來選擇任意適當之定向膜即可。作為用以使液晶分子沿預定方向進行沿面定向的定向膜，可適宜使用將聚醯亞胺系薄膜及聚乙烯醇系薄膜的定向膜進行摩擦處理而得之定向膜。又，亦可使用光定向膜。在本實施形態中，第2λ/4板22、第1偏光件11(宜為包含第1偏光件之偏光板)及第2偏光件12(宜為包含第2偏光件之偏光板)係作為檢查工具來使用。又，積層體A亦可為長條狀。本實施形態之檢查方法例如可採用於在將可配置於預定製品中之λ/4板(第1λ/4板)組入該製品之前所進行之檢查。

在又另一實施形態中，第1λ/4板21係以液晶材料構成，如圖5中示意所示，包含第1偏光件11(宜為包含第1偏光件之偏光板)與第1λ/4板21的光學積層體B係成為檢查對象。在本實施形態中，第2λ/4板22及第2偏光件12(宜為包含第2偏光件之偏光板)係作為檢查工具來使用。此外，光學積層體B亦可為長條狀。代表上，光學積層體B可為圓偏光板。本實施形態之檢查方法可採用於檢查作為製品之光學積層體B(圓偏光板)。

入射第1偏光件側的面之光係由任意適當之光源生成。在一實施形態中，係使用白色LED作為光源。

第2偏光件側的面之外觀觀察可藉由任意適當之方法來進行。代表上，係利用任意適當之照相機來獲得檢查區域的影像，對該影像進行2值化處理等影像處理，進行正常部位/不良部位之判斷。

B.第1偏光件、第2偏光件 可使用任意適當之偏光件作為上述偏光件。例如，可列舉：使聚乙烯醇系薄膜、部分縮甲醛化聚乙烯醇系薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化薄膜等親水性高分子薄膜吸附碘或二色性染料等二色性物質並進行單軸延伸而得者；聚乙烯醇的脫水處理物或聚氯乙烯的脫鹽酸處理物等多烯系定向膜等。該等中，使聚乙烯醇系薄膜吸附碘等二色性物質並進行單軸延伸而得之偏光件其偏光二色比高，而特別理想。偏光件之厚度宜為0.5μm～80μm。

使聚乙烯醇系薄膜吸附碘並進行單軸延伸而得之偏光件，代表上係藉由將聚乙烯醇浸漬於碘的水溶液中進行染色、並延伸成原長的3～7倍來製作。延伸可在染色後進行，可邊染色邊延伸，亦可在延伸後進行染色。除了延伸、染色外，例如還可實施膨潤、交聯、調整、水洗、乾燥等處理來製作。

如上述，在一實施形態中，第1偏光件及第2偏光件(有時亦將該等總稱為偏光件)亦可與保護薄膜一同應用作為偏光板。

可使用任意適當之薄膜作為上述保護薄膜。關於作為所述薄膜之主要成分的材料之具體例，可列舉三醋酸纖維素(TAC)等纖維素系樹脂、或(甲基)丙烯酸系、聚酯系、聚乙烯醇系、聚碳酸酯系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚碸系、聚苯乙烯系、聚降𦯉烯系、聚烯烴系、乙酸酯系等透明樹脂等。此外，還可列舉丙烯酸系、胺甲酸酯系、丙烯酸胺甲酸酯系、環氧系、聚矽氧系等熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂等。除此之外，還可舉例如矽氧烷系聚合物等玻璃質系聚合物。又，亦可使用日本專利特開2001-343529號公報(WO01/37007)中記載的聚合物薄膜。作為該薄膜的材料，例如可使用含有在側鏈具有取代或非取代的醯亞胺基之熱塑性樹脂與在側鏈具有取代或非取代的苯基以及腈基之熱塑性樹脂的樹脂組成物，可舉例如具有由異丁烯與N-甲基馬來醯亞胺構成之交替共聚物與丙烯腈-苯乙烯共聚物的樹脂組成物。上述聚合物薄膜可為例如上述樹脂組成物的擠製成形物。

在一實施形態中，可使用光透射率為42%以上之偏光件作為第2偏光件。若使用所述第2偏光件，便可提高檢測靈敏度。第2偏光件之光透射率較宜為43%以上，更宜為44%以上。又，在使用包含第2偏光件之偏光板時，該偏光板之光透射率宜為42%以上，較宜為43%以上，更宜為44%以上。

C.第1λ/4板、第2λ/4板 第1λ/4板及第2λ/4板(有時亦將該等總稱為λ/4板)可將某特定波長之直線偏光轉換成圓偏光(或將圓偏光轉換成直線偏光)。

上述λ/4板的面內相位差Re[590]宜為95nm～180nm，較宜為110nm～160nm。λ/4板宜具有nx＞ny≥nz之折射率橢圓體。本說明書中，「ny=nz」不僅包含ny與nz嚴格相等的情況，也包含ny與nz實質上相等的情況。

在一實施形態中，λ/4板的Re[450]/Re[550]宜為0.80～0.99，較宜為0.82～0.93。又，λ/4板的Re[550]/Re[650]宜為0.8以上且小於1.0，較宜為0.8～0.97。

在另一實施形態中，λ/4板的Re[450]/Re[550]宜為1.02～1.25，較宜為1.05～1.2。又，λ/4板的Re[550]/Re[650]宜大於1且在1.25以下，較宜為1.03～1.25。

(以液晶材料構成之λ/4板) 如上述，在一實施形態中，第1λ/4板或第2λ/4板係以液晶材料構成。可採用任意適當之液晶單體作為液晶材料。例如，可使用日本專利特表2002-533742(WO00/37585)、EP358208(US5211877)、EP66137(US4388453)、WO93/22397、EP0261712、DE19504224、DE4408171及GB2280445等中記載的聚合性液晶原化合物等。關於所述聚合性液晶原化合物之具體例，可舉例如BASF公司的商品名LC242、Merck公司的商品名E7、Wacker-Chem公司的商品名LC-Sillicon-CC3767。在一實施形態中，以液晶材料構成之λ/4板具有逆波長分散特性。

以液晶材料構成之λ/4板例如可藉由使液晶材料定向、並在將該定向狀態固定之狀態下使其固化或硬化而得。具體而言，可藉由在長條狀定向基材上塗佈含液晶材料之液晶性組成物並使液晶材料定向、及對定向後之液晶材料實施聚合處理及/或交聯處理而形成液晶硬化層來形成。在此，液晶材料可因應基板之定向處理方向進行定向，因此可在與基板之定向處理方向實質上相同之方向上展現相位差層的慢軸。關於相位差層之形成方法的具體例，可舉日本專利特開2006-178389號公報中記載的形成方法。由液晶材料的硬化層或固化層構成的透明薄膜之厚度宜為0.5μm～1.8μm，較宜為1μm～1.6μm。

在一實施形態中，可使用藉由加熱展現液晶性之熱致型液晶作為液晶材料。熱致型液晶係藉由溫度變化而產生結晶相、液晶相、各向同性相之相變。

(以延伸薄膜構成之λ/4板) 以延伸薄膜構成之λ/4板例如可將高分子薄膜沿預定方向延伸而得。

可使用任意適當之樹脂作為形成上述高分子薄膜之樹脂。關於具體例，可列舉聚降𦯉烯等環烯烴系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、纖維素系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚碸系樹脂等構成正的雙折射薄膜的樹脂。其中，宜為降𦯉烯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂。又，在一實施形態中，在使用具有逆波長分散特性之λ/4板時，可使用聚碳酸酯系樹脂。

上述聚降𦯉烯是指在起始原料(單體)之一部分或全部中使用具有降𦯉烯環之降𦯉烯系單體而得的(共)聚合物。關於該降𦯉烯系單體，可舉例如降𦯉烯、及其烷基及/或伸烷基取代物，例如5-甲基-2-降𦯉烯、5-二甲基-2-降𦯉烯、5-乙基-2-降𦯉烯、5-丁基-2-降𦯉烯、5-伸乙基-2-降𦯉烯等該等之鹵素等極性基取代物；二環戊二烯、2,3-二氫二環戊二烯等；二甲橋八氫萘、其烷基及/或伸烷基取代物、及鹵素等極性基取代物，例如6-甲基-1,4;5,8-二甲橋-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氫萘、6-乙基-1,4:5,8-二甲橋-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氫萘、6-亞乙基-1,4:5,8-二甲橋-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氫萘、6-氯-1,4:5,8-二甲橋-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氫萘、6-氰基-1,4:5,8-二甲橋-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氫萘、6-吡啶基-1,4:5,8-二甲橋-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氫萘、6-甲氧基羰基-1,4:5,8-二甲橋-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氫萘等；環戊二烯的三～四聚物，例如4,9:5,8-二甲橋-3a,4,4a,5,8,8a,9,9a-八氫-1H-苯並茚、4,11:5,10:6,9-三甲橋-3a,4,4a,5,5a,6,9,9a,10,10a,11,11a-十二氫-1H-環戊蒽等。

關於上述聚降𦯉烯，市售有各種製品。作為具體例，可列舉日本ZEON公司製的商品名「ZEONEX」、「ZEONOR」、JSR公司製的商品名「Arton」、TICONA公司製的商品名「TOPAS」、三井化學公司製的商品名「APEL」。

上述聚碳酸酯系樹脂宜使用芳香族聚碳酸酯。芳香族聚碳酸酯代表上可藉由碳酸酯前驅物質與芳香族二元酚化合物之反應而得。關於碳酸酯前驅物質的具體例，可列舉光氣、二元酚類的雙氯甲酸酯、碳酸二苯酯、碳酸二對甲苯酯、碳酸苯基對甲苯酯、碳酸二對氯苯酯、碳酸二萘酯等。該等中，宜為光氣、碳酸二苯酯。關於芳香族二元酚化合物的具體例，可列舉2,2-雙(4-羥苯基)丙烷、2,2-雙(4-羥-3,5-二甲基苯基)丙烷、雙(4-羥苯基)甲烷、1,1-雙(4-羥苯基)乙烷、2,2-雙(4-羥苯基)丁烷、2,2-雙(4-羥-3,5-二甲基苯基)丁烷、2,2-雙(4-羥-3,5-二丙基苯基)丙烷、1,1-雙(4-羥苯基)環己烷、1,1-雙(4-羥苯基)-3,3,5-三甲基環己烷等。該等可單獨使用、或組合2種以上來使用。宜使用2,2-雙(4-羥苯基)丙烷、1,1-雙(4-羥苯基)環己烷、1,1-雙(4-羥苯基)-3,3,5-三甲基環己烷。特別宜將2,2-雙(4-羥苯基)丙烷與1,1-雙(4-羥苯基)-3,3,5-三甲基環己烷一起使用。

作為延伸方法，可列舉例如橫單軸延伸、固定端雙軸延伸、逐步雙軸延伸。關於固定端雙軸延伸之具體例，可舉一邊使高分子薄膜沿長度方向行進一邊沿短邊方向(橫向)進行延伸的方法。該方法表觀上可為橫單軸延伸。又，亦可採用斜向延伸。藉由採用斜向延伸，可獲得相對於寬度方向具有預定角度之定向軸(慢軸)的長條狀延伸薄膜。藉由斜向延伸來製造λ/4板的方法例如記載於日本專利特開2013-54338號公報、日本專利特開2014-194482號公報、日本專利特開2014-238524號公報、日本專利特開2014-194484號公報等中。本說明書中係援用該公報之記載作為參考。

上述延伸薄膜之厚度代表上為5μm～80μm，宜為15μm～60μm，更宜為25μm～45μm。

在一實施形態中，以延伸薄膜構成之λ/4板(宜為藉由斜向延伸而得之λ/4板)可作為製作由上述液晶材料構成之λ/4板時的定向基板使用。在本實施形態中，以延伸薄膜構成之λ/4板可成為第1λ/4板，以液晶材料構成之λ/4板可成為第2λ/4板。

實施例 以下，藉由實施例來具體說明本發明，惟本發明不受該等實施例所限。

[實施例1] 將式(I)所示化合物55重量份、式(II)所示化合物25重量份及式(III)所示化合物20重量份加入環戊酮(CPN)400重量份後，加溫至60℃並攪拌使其溶解。之後，將上述化合物之溶液恢復至室溫，在上述化合物之溶液中加入Irgacure 907(BASF JAPAN公司製)3重量份、MEGAFAC F-554(DIC公司製)0.2重量份及對甲氧苯酚(MEHQ)0.1重量份，進一步進行攪拌。攪拌後的溶液透明且均勻。將所得溶液用0.20μm的膜濾器過濾，而獲得聚合性組成物。 準備斜向延伸降𦯉烯系薄膜(日本ZEON製「ZEONOR FILM(ZD12)」，厚度：23μm，面內相位差：140nm)。 利用棒塗機將上述液晶性組成物塗佈於上述斜向延伸降𦯉烯系薄膜上，在100℃下加熱3分鐘使液晶定向。冷卻至室溫後，在氮氣環境下照射累積光量400mJ/cm ²的紫外線，進行光硬化，而於斜向延伸降𦯉烯系薄膜上形成第1λ/4板(面內相位差：144nm)。 又，除了變更棒塗機的號數外，以與上述相同方法，而於斜向延伸降𦯉烯系薄膜上獲得第2λ/4板(面內相位差：130nm)。 [化學式1] 積層包含第1偏光件(單體透射率：45%)之第1偏光板、上述第1λ/4板、上述第2λ/4板及包含第2偏光件(單體透射率：45%)之第2偏光板。第1λ/4板及第2λ/4板各自係藉由將λ/4板從斜向延伸降𦯉烯系薄膜轉印至偏光板來形成。 積層包含第1偏光件(單體透射率：45%)之第1偏光板、上述第1λ/4板(逆波長分散特性，Re[450]/Re[550]=0.85，Re[590]：144nm)、上述第2λ/4板(逆波長分散特性，Re[450]/Re[550]=0.85，Re[590]：130nm)及包含第2偏光件(單體透射率：45%)之第2偏光板。 此時，關於各層的軸方向，係使第1偏光件的吸收軸與第2偏光件的吸收軸正交，使第1λ/4板的慢軸與第2λ/4板的慢軸正交，使第1偏光件的吸收軸與第1λ/4板的慢軸構成的角為45°，且使第2偏光件的吸收軸與第2λ/4板的慢軸構成的角為45°。 在上述構成之兩側配置光源與攝像裝置，將厚度較正常部分更厚而相位差大的缺陷(缺陷的相位差Rd：約145nm)作為檢測對象，利用透射檢查進行缺陷檢查。 結果，該缺陷以亮缺陷被明確檢測出。

[實施例2] 除了變更在第2λ/4板製作時使用之棒塗佈的號數外，以與實施例1相同方式操作，依序配置第1λ/4板(逆波長分散特性，Re[450]/Re[550]=0.85，Re[590]：144nm)、上述第2λ/4板(逆波長分散特性，Re[450]/Re[550]=0.85，Re[590]：140nm)及包含第2偏光件之第2偏光板，進行與實施例1相同之缺陷檢查。 結果，該缺陷以亮缺陷被檢測出。

[實施例3] 除了變更在第2λ/4板製作時使用之棒塗佈的號數外，以與實施例1相同方式操作，依序配置第1λ/4板(逆波長分散特性；Re[450]/Re[550]=0.85，Re[590]：144nm)、上述第2λ/4板(逆波長分散特性，Re[450]/Re[550]=0.85：Re[590]：150nm)及包含第2偏光件之第2偏光板，進行與實施例1相同之缺陷檢查。 結果，該缺陷以暗缺陷被檢測出。

[比較例1] 以與實施例1相同方式操作，於斜向延伸降𦯉烯系薄膜上形成第1λ/4板(面內相位差：144nm)。 作為第2λ/4板，準備斜向延伸降𦯉烯系薄膜(日本ZEON製「ZEONOR FILM(ZD12)」，厚度：23μm，面內相位差：141nm)。 積層包含第1偏光件(單體透射率：45%)之第1偏光板、上述第1λ/4板、上述第2λ/4板及包含第2偏光件(單體透射率：45%)之第2偏光板。 積層包含第1偏光件(單體透射率：45%)之第1偏光板、上述第1λ/4板(逆波長分散特性，Re[450]/Re[550]=0.85，Re[590]：144nm)、上述第2λ/4板(平坦波長分散特性，Re[450]/Re[550]=1.01，Re[590]：141nm)及包含第2偏光件(單體透射率：45%)之第2偏光板。 此時，關於各層的軸方向，係使第1偏光件的吸收軸與第2偏光件的吸收軸正交，使第1λ/4板的慢軸與第2λ/4板的慢軸正交，使第1偏光件的吸收軸與第1λ/4板的慢軸構成的角為45°，使第2偏光件的吸收軸與第2λ/4板的慢軸構成的角為45°。 在上述構成之兩側配置光源及攝像裝置，將厚度較正常部分更厚而相位差大的缺陷(缺陷的相位差Rd：約145nm)作為檢測對象，利用透射檢查進行缺陷檢查。 結果，無法檢測該缺陷。

[比較例2] 以與實施例1相同方式操作，而於斜向延伸降𦯉烯系薄膜上形成第1λ/4板(面內相位差：144nm)。 將顯示向列液晶相的光聚合性液晶化合物(BASF製「Paliocolor LC242」)溶解於環戊酮中，而調製出固體成分濃度30重量%的溶液。於該溶液中添加表面活性劑(BYK-Chemie製「BYK-360」)及光聚合引發劑(IGM Resins製「Omnirad907」)，而調製出液晶性組成物溶液。調平劑及聚合引發劑的添加量相對於光聚合性液晶化合物100重量份係分別設為0.01重量份及3重量份。 準備斜向延伸降𦯉烯系薄膜(日本ZEON製「ZEONOR FILM(ZD12)」，厚度：23μm，面內相位差：140nm)。利用棒塗機將上述液晶性組成物塗佈於上述斜向延伸降𦯉烯系薄膜上，在100℃下進行3分鐘加熱使液晶定向。冷卻至室溫後，在氮氣環境下照射累積光量400mJ/cm ²的紫外線，進行光硬化，而於斜向延伸降𦯉烯系薄膜上獲得第2λ/4板(面內相位差：140nm)。 積層包含第1偏光件(單體透射率：45%)之第1偏光板、上述第1λ/4板、上述第2λ/4板及包含第2偏光件(單體透射率：45%)之第2偏光板。 積層包含第1偏光件(單體透射率：45%)之第1偏光板、上述第1λ/4板(逆波長分散特性，Re[450]/Re[550]=0.85，Re[590]：144nm)、上述第2λ/4板(正波長分散特性，Re[450]/Re[550]=1.08，Re[590]：140nm)及包含第2偏光件(單體透射率：45%)之第2偏光板。 此時，關於各層的軸方向，係使第1偏光件的吸收軸與第2偏光件的吸收軸正交，使第1λ/4板的慢軸與第2λ/4板的慢軸正交，使第1偏光件的吸收軸與第1λ/4板的慢軸構成的角為45°，且使第2偏光件的吸收軸與第2λ/4板的慢軸構成的角為45°。 在上述構成之兩側配置光源與攝像裝置，將厚度較正常部分更厚而相位差大的缺陷(缺陷的相位差Rd：約145nm)作為檢測對象，利用透射檢查進行缺陷檢查。 結果，無法檢測該缺陷。

於圖6顯示上述各檢查中利用攝像裝置拍攝的照片。

11:第1偏光件 12:第2偏光件 21:第1λ/4板 22:第2λ/4板 30:各向同性基材 a,b:偏光 A:積層體 B:光學積層體

圖1是說明本發明一實施形態之檢查方法的概略立體圖。 圖2是說明本發明一實施形態之檢查方法的概略立體圖。 圖3是說明本發明一實施形態之檢查方法的概略立體圖。 圖4是說明本發明一實施形態之檢查方法的概略立體圖。 圖5是說明本發明一實施形態之檢查方法的概略立體圖。 圖6是顯示實施例及比較例中觀察到之缺陷之例的照片圖。

11:第1偏光件

12:第2偏光件

21:第1λ/4板

22:第2λ/4板

a,b:偏光

Claims (5)

1. 一種λ/4板的缺陷檢查方法，包含以下步驟： 依序配置第1偏光件、第1λ/4板、第2λ/4板及第2偏光件；及， 使光從該第1偏光件側的面入射，並觀察該第2偏光件側的面的外觀； 前述檢查方法係使該第1偏光件的吸收軸與該第2偏光件的吸收軸正交，使該第1λ/4板的慢軸與該第2λ/4板的慢軸正交，使該第1偏光件的吸收軸與該第1λ/4板的慢軸構成的角為35°～55°，且使該第2偏光件的吸收軸與該第2λ/4板的慢軸構成的角為35°～55°； 前述檢查方法包含下述步驟：使該第1λ/4板的波長分散特性與該第2λ/4板的波長分散特性大致相同。
2. 如請求項1之λ/4板的缺陷檢查方法，其中前述第1λ/4板的面內相位差Re ₁與前述第2λ/4板的面內相位差Re ₂之差的絕對值為20nm以下。
3. 如請求項1或2之λ/4板的缺陷檢查方法，其中前述第1λ/4板的面內相位差Re ₁與前述第2λ/4板的面內相位差Re ₂係設為Re ₁＜Re ₂。
4. 一種λ/4板的缺陷檢查方法，包含以下步驟： 依序配置第1偏光件、第1λ/4板、第2λ/4板及第2偏光件；及， 使光從該第1偏光件側的面入射，並觀察該第2偏光件側的面的外觀； 前述檢查方法係使該第1偏光件的吸收軸與該第2偏光件的吸收軸平行，使該第1λ/4板的慢軸與該第2λ/4板的慢軸平行，使該第1偏光件的吸收軸與該第1λ/4板的慢軸構成的角為35°～55°，且使該第2偏光件的吸收軸與第2λ/4板的慢軸構成的角為35°～55°； 前述檢查方法包含下述步驟：使該第1λ/4板的波長分散特性與該第2λ/4板的波長分散特性大致相同。
5. 如請求項4之λ/4板的缺陷檢查方法，其中前述第1λ/4板的面內相位差Re ₁與前述第2λ/4板的面內相位差Re ₂之差的絕對值為20nm以下。