JP2023116893A - Chip manufacturing method - Google Patents

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Abstract

To provide a chip manufacturing method with which it is possible to prevent breakage of a device when removing a ring-shaped reinforcement part and improve the productivity of chips manufactured from a wafer.SOLUTION: Prior to a removal step in which a ring-shaped reinforcement part is removed, a singulation step for singulating a plurality of devices and manufacturing chips is carried out. So the removal step is carried out while the ring-shaped reinforcement part and the plurality of device chips are separated, making it possible to prevent the devices from being broken by the force applied to the ring-shaped reinforcement part in the removal step. Furthermore, there is no step of separating the device region of a wafer and the ring-shaped reinforcement part, and it is possible to manufacture a plurality of device chips while at the same time removing the ring-shaped reinforcement part. Thus, as compared with a chip manufacturing method that includes said step, chip productivity can be improved.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、複数のデバイスが形成されているデバイス領域を薄化し、かつ、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域をリング状補強部として残存させるように凹部が形成されている裏面に、環状フレームに外周領域が貼り付いているテープの中央領域が貼り付けられているウェーハからチップを製造するチップの製造方法に関する。 In the present invention, a device region in which a plurality of devices are formed is thinned, and a concave portion is formed on the back surface so as to leave an outer peripheral surplus region surrounding the device region as a ring-shaped reinforcing portion. The present invention relates to a chip manufacturing method for manufacturing chips from a wafer to which a central area of a tape to which a peripheral area is attached is attached.

ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等のデバイスのチップは、携帯電話及びパーソナルコンピュータ等の各種電子機器において不可欠の構成要素である。このようなチップは、例えば、表面側に複数のデバイスが形成されているデバイス領域とデバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウェーハを、複数のデバイスの境界に沿って分割すること、すなわち、複数のデバイスを個片化することによって製造される。 Device chips such as ICs (Integrated Circuits) are essential components in various electronic devices such as mobile phones and personal computers. Such chips are produced, for example, by dividing a wafer having a device region in which a plurality of devices are formed on the surface side and an outer peripheral surplus region surrounding the device region along the boundary of the plurality of devices, that is, Manufactured by singulating multiple devices.

このウェーハは、製造されるチップの小型化を目的として、その分割に先立って薄化されることがある。ウェーハを薄化する方法としては、例えば、ウェーハを保持する保持テーブルと、この保持テーブルの上方に設けられ、かつ、円環状に離散して配置されている複数の研削砥石を有する研削ホイールとを用いた研削が挙げられる。この研削は、一般的に、以下の順序で行われる。 The wafer may be thinned prior to its division in order to reduce the size of the chips produced. As a method for thinning the wafer, for example, a holding table for holding the wafer and a grinding wheel provided above the holding table and having a plurality of grinding wheels discretely arranged in an annular shape are used. grinding used. This grinding is generally performed in the following order.

まず、裏面が露出されるように保持テーブルでウェーハを保持する。次いで、研削ホイールを回転させた時の複数の研削砥石の軌跡の直下にウェーハの裏面の中心が位置付けられるように保持テーブルを移動させる。次いで、研削ホイールと保持テーブルとの双方を回転させながら、複数の研削砥石とウェーハの裏面とが接触するように研削ホイールを下降させる。これにより、ウェーハの裏面側が研削されてウェーハが薄化される。 First, the wafer is held by a holding table so that the back surface is exposed. Next, the holding table is moved so that the center of the back surface of the wafer is positioned directly below the trajectory of the plurality of grinding wheels when the grinding wheel is rotated. Then, while rotating both the grinding wheel and the holding table, the grinding wheel is lowered so that the plurality of grinding wheels and the back surface of the wafer come into contact with each other. As a result, the back side of the wafer is ground and the wafer is thinned.

ただし、ウェーハが薄くなるとウェーハの剛性が低くなり、ウェーハが割れやすくなる。そこで、ウェーハのデバイス領域を薄化し、かつ、外周余剰領域をリング状補強部として残存させるように、ウェーハの裏面に凹部を形成する方法が提案されている。この方法においては、ウェーハの半径よりも短い外径を有する研削ホイールを用いて上述のとおりウェーハの裏面側を研削することによって、ウェーハの裏面に凹部を形成する。 However, the thinner the wafer, the lower the rigidity of the wafer and the easier it is to crack. Therefore, a method has been proposed in which a concave portion is formed on the back surface of the wafer so as to thin the device region of the wafer and leave the peripheral surplus region as a ring-shaped reinforcing portion. In this method, recesses are formed in the back surface of the wafer by grinding the back surface of the wafer as described above using a grinding wheel having an outer diameter smaller than the radius of the wafer.

さらに、このウェーハからチップを製造する際にはリング状補強部が不要になるため、複数のデバイスの個片化に先立って、リング状補強部を研削によって除去することがある。ただし、リング状補強部を研削すると、この研削によって加わる力に起因して、リング状補強部とつながっているデバイス領域が欠ける、又は、このデバイス領域にクラックが伸展して、デバイス領域に含まれるデバイスが破損するおそれがある。 Furthermore, since the ring-shaped reinforcement is unnecessary when manufacturing chips from this wafer, the ring-shaped reinforcement may be removed by grinding prior to singulation of a plurality of devices. However, when the ring-shaped reinforcing portion is ground, the device region connected to the ring-shaped reinforcing portion is chipped due to the force applied by this grinding, or the crack extends in this device region and is included in the device region. Device may be damaged.

この点を踏まえて、リング状補強部を研削によって除去する前に、デバイス領域の外周に沿ってウェーハを分割することによってデバイス領域とリング状補強部とを分離することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。これにより、デバイス領域に含まれるデバイスの破損を防止することが可能になる。 Based on this point, it has been proposed to separate the device region and the ring-shaped reinforcement by dividing the wafer along the outer periphery of the device region before removing the ring-shaped reinforcement by grinding (e.g. , see Patent Document 1). This makes it possible to prevent the devices included in the device area from being damaged.

特開２０２１－７２３５３号公報JP 2021-72353 A

しかしながら、薄化されているデバイス領域の外周に沿ってウェーハを分割する場合には、この分割によって加わる力に起因して、デバイス領域に含まれるデバイスが破損するおそれがある。そのため、この分割は、デバイス領域への悪影響を避けるためにゆっくり行われる必要がある。その結果、このウェーハから製造されるチップの生産性が低くなる。 However, if the wafer is split along the perimeter of the thinned device region, the forces applied by this splitting may damage the devices contained in the device region. Therefore, this division should be done slowly to avoid adversely affecting the device area. As a result, the productivity of chips manufactured from this wafer is low.

この点に鑑み、本発明の目的は、リング状補強部を除去する際のデバイスの破損を防止するとともに、ウェーハから製造されるチップの生産性を向上させることが可能なチップの製造方法を提供することである。 In view of this point, it is an object of the present invention to provide a chip manufacturing method capable of preventing damage to devices when removing a ring-shaped reinforcing portion and improving the productivity of chips manufactured from wafers. It is to be.

本発明によれば、複数のデバイスが形成されているデバイス領域を薄化し、かつ、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域をリング状補強部として残存させるように凹部が形成されている裏面に、環状フレームに外周領域が貼り付いているテープの中央領域が貼り付けられているウェーハからチップを製造するチップの製造方法であって、該ウェーハを該複数のデバイスの境界に沿って加工することによって該複数のデバイスを個片化して該チップを製造する個片化ステップと、該個片化ステップの後、回転する切削ブレードを用いて該リング状補強部を除去する除去ステップと、を備えるチップの製造方法が提供される。 According to the present invention, the device region in which a plurality of devices are formed is thinned, and the recessed portion is formed on the back surface so as to leave the peripheral surplus region surrounding the device region as a ring-shaped reinforcing portion, 1. A method of fabricating chips from a wafer having a central region of tape attached to an annular frame with a peripheral region attached thereto by processing the wafer along the boundaries of the plurality of devices. A chip comprising: a singulation step of singulating the plurality of devices to manufacture the chip; and a removing step of removing the ring-shaped reinforcing portion using a rotating cutting blade after the singulation step. is provided.

好ましくは、該個片化ステップにおいては、回転する個片化用切削ブレードまたは該ウェーハに吸収される波長のレーザービームを用いて該複数のデバイスが個片化される。 Preferably, the singulation step singulates the plurality of devices using a rotating singulating cutting blade or a laser beam of a wavelength that is absorbed by the wafer.

本発明においては、リング状補強部を除去する除去ステップに先立って、複数のデバイスを個片化してチップを製造する個片化ステップが実施される。すなわち、本発明においては、リング状補強部と複数のデバイスのチップとが分離された状態で除去ステップが実施される。そのため、本発明においては、除去ステップにおいてリング状補強部に加わる力に起因してデバイスが破損することを防止できる。 In the present invention, prior to the removal step of removing the ring-shaped reinforcing portion, a singulation step of singulating a plurality of devices to manufacture chips is performed. That is, in the present invention, the removing step is performed in a state in which the ring-shaped reinforcing portion and the chips of the plurality of devices are separated. Therefore, in the present invention, it is possible to prevent the device from being damaged due to the force applied to the ring-shaped reinforcing portion in the removing step.

さらに、本発明においては、ウェーハのデバイス領域とリング状補強部とを分離するための工程が実施されることなく、リング状補強部を除去するとともに複数のデバイスのチップを製造することができる。そのため、本発明においては、当該工程を含むチップの製造方法と比較して、チップの生産性を向上させることが可能である。 Furthermore, in the present invention, it is possible to remove the ring-shaped reinforcing portion and manufacture a plurality of device chips without performing a process for separating the device region of the wafer and the ring-shaped reinforcing portion. Therefore, in the present invention, it is possible to improve the productivity of the chip compared to the chip manufacturing method including this step.

図１（Ａ）は、ウェーハを含むフレームユニットの一例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示されるフレームユニットを模式的に示す断面図である。FIG. 1(A) is a perspective view schematically showing an example of a frame unit including a wafer, and FIG. 1(B) is a cross-sectional view schematically showing the frame unit shown in FIG. 1(A). . 図２は、フレームユニットに含まれるウェーハからチップを製造するチップの製造方法の一例を模式的に示すフローチャートである。FIG. 2 is a flow chart schematically showing an example of a chip manufacturing method for manufacturing chips from a wafer contained in a frame unit. 図３（Ａ）は、個片化ステップの一例を模式的に示す一部断面側面図であり、図３（Ｂ）は、個片化ステップの別の例を模式的に示す一部断面側面図である。FIG. 3A is a partial cross-sectional side view schematically showing an example of the singulation step, and FIG. 3B is a partial cross-sectional side view schematically showing another example of the singulation step. It is a diagram. 図４（Ａ）、図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）のそれぞれは、除去ステップの一例を模式的に示す一部断面側面図である。Each of FIGS. 4A, 4B, and 4C is a partial cross-sectional side view schematically showing an example of the removing step. 図５（Ａ）及び図５（Ｂ）のそれぞれは、除去ステップの別の例を模式的に示す一部断面側面図である。Each of FIGS. 5A and 5B is a partial cross-sectional side view schematically showing another example of the removal step.

添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１（Ａ）は、ウェーハを含むフレームユニットの一例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示されるフレームユニットを模式的に示す断面図である。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示されるフレームユニット１１は、表面１３ａが露出されているウェーハ１３を有する。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1(A) is a perspective view schematically showing an example of a frame unit including a wafer, and FIG. 1(B) is a cross-sectional view schematically showing the frame unit shown in FIG. 1(A). . A frame unit 11 shown in FIGS. 1A and 1B has a wafer 13 with an exposed surface 13a.

このウェーハ１３は、例えば、シリコン（Ｓｉ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）又は窒化ガリウム（ＧａＮ）等の単結晶半導体材料からなる。さらに、ウェーハ１３は、複数のデバイス１５が形成されているデバイス領域１３ｂと、デバイス領域１３ｂを囲繞する外周余剰領域１３ｃとを有する。 This wafer 13 is made of a single crystal semiconductor material such as silicon (Si), silicon carbide (SiC) or gallium nitride (GaN). Further, the wafer 13 has a device region 13b in which a plurality of devices 15 are formed, and an outer peripheral surplus region 13c surrounding the device region 13b.

このデバイス領域１３ｂにおいては、複数のデバイス１５の境界が格子状に設定されており、この境界に含まれる複数の直線状の部分のそれぞれは分割予定ラインとも呼ばれる。また、ウェーハ１３の裏面１３ｄには、デバイス領域１３ｂを薄化し、かつ、外周余剰領域１３ｃをリング状補強部１４として残存させるように凹部１３ｅが形成されている。 In this device region 13b, the boundaries of the plurality of devices 15 are set in a grid pattern, and each of the plurality of linear portions included in this boundary is also called a planned division line. A recess 13e is formed on the rear surface 13d of the wafer 13 so as to thin the device region 13b and to leave the peripheral surplus region 13c as a ring-shaped reinforcing portion 14. As shown in FIG.

さらに、ウェーハ１３の裏面１３ｄには、凹部１３ｅにおいてウェーハ１３に隙間なく密着するように、ウェーハ１３よりも直径が大きい円板状のテープ１７の中央領域が貼り付けられている。このテープ１７は、例えば、可撓性を有するフィルム状のテープ基材と、このテープ基材のウェーハ１３側に設けられた接着層（糊層）とを有する。 Further, a central region of a disc-shaped tape 17 having a diameter larger than that of the wafer 13 is attached to the rear surface 13d of the wafer 13 so as to closely adhere to the wafer 13 at the recess 13e. The tape 17 has, for example, a flexible film-like tape base and an adhesive layer (glue layer) provided on the wafer 13 side of the tape base.

そして、テープ基材は、ポリオレフィン（ＰＯ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）又はポリスチレン（ＰＳ）等からなる。また、接着層は、紫外線硬化型のシリコーンゴム、アクリル系材料又はエポキシ系材料等からなる。 The tape substrate is made of polyolefin (PO), polyethylene terephthalate (PET), polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), or the like. Further, the adhesive layer is made of an ultraviolet curable silicone rubber, an acrylic material, an epoxy material, or the like.

また、テープ１７の外周領域には、ウェーハ１３の直径よりも内径が大きい環状フレーム１９が貼り付けられている。この環状フレーム１９は、例えば、アルミニウム又はステンレス鋼等の金属材料からなる。 An annular frame 19 having an inner diameter larger than the diameter of the wafer 13 is attached to the outer peripheral region of the tape 17 . This annular frame 19 is made of, for example, a metal material such as aluminum or stainless steel.

図２は、フレームユニット１１に含まれるウェーハ１３からチップを製造するチップの製造方法の一例を模式的に示すフローチャートである。この方法においては、まず、ウェーハ１３を複数のデバイス１５の境界に沿って加工することによって複数のデバイス１５を個片化してチップを製造する（個片化ステップ：Ｓ１）。 FIG. 2 is a flow chart schematically showing an example of a chip manufacturing method for manufacturing chips from the wafer 13 included in the frame unit 11. As shown in FIG. In this method, first, a plurality of devices 15 are singulated by processing a wafer 13 along boundaries of a plurality of devices 15 to manufacture chips (singulation step: S1).

図３（Ａ）は、個片化ステップ（Ｓ１）の一例を模式的に示す一部断面側面図である。端的には、図３（Ａ）においては、切削装置において、回転する切削ブレード（個片化用切削ブレード）を用いて複数のデバイス１５を個片化する様子が示されている。 FIG. 3A is a partial cross-sectional side view schematically showing an example of the singulation step (S1). Briefly, FIG. 3A shows how a cutting device singulates a plurality of devices 15 using a rotating cutting blade (cutting blade for singulation).

なお、図３（Ａ）に示されるＸ１軸方向及びＹ１軸方向は、水平面上において互いに直交する方向であり、Ｚ１軸方向は、Ｘ１軸方向及びＹ１軸方向のそれぞれと直交する方向（鉛直方向）である。 Note that the X1-axis direction and the Y1-axis direction shown in FIG. 3A are directions orthogonal to each other on the horizontal plane, and the Z1-axis direction is a direction orthogonal to the X1-axis direction and the Y1-axis direction (vertical direction). ).

図３（Ａ）に示される切削装置２は、保持テーブル４を備える。この保持テーブル４は、ウェーハ１３の裏面１３ｄに形成されている凹部１３ｅの直径よりも直径が僅かに短い円板状の枠体４ａを有する。 A cutting device 2 shown in FIG. 3A includes a holding table 4 . The holding table 4 has a disk-shaped frame 4a whose diameter is slightly smaller than the diameter of the recess 13e formed on the back surface 13d of the wafer 13. As shown in FIG.

この枠体４ａは、例えば、ステンレス等の金属材料又はセラミックスからなる。また、枠体４ａは、円板状の底壁と、この底壁の外周領域から立設する円筒状の側壁とを有する。すなわち、枠体４ａの上面側には、底壁及び側壁によって画定される円板状の凹部が形成されている。 The frame 4a is made of, for example, a metal material such as stainless steel or ceramics. The frame 4a has a disk-shaped bottom wall and cylindrical side walls extending from the outer peripheral region of the bottom wall. That is, a disk-shaped recess defined by the bottom wall and the side walls is formed on the upper surface side of the frame 4a.

そして、枠体４ａの上面側に形成されている凹部には、この凹部の直径と概ね等しい直径を有する円板状のポーラス板（不図示）が固定されている。このポーラス板は、例えば、多孔質セラミックスからなる。 A disk-shaped porous plate (not shown) having a diameter approximately equal to the diameter of the recess is fixed to the recess formed on the upper surface of the frame 4a. This porous plate is made of, for example, porous ceramics.

また、保持テーブル４は、Ｘ１軸方向移動機構（不図示）と連結されている。このＸ１軸方向移動機構は、例えば、ボールねじとモータとを含む。そして、このＸ１軸方向移動機構を動作させると、保持テーブル４がＸ１軸方向に沿って移動する。 Further, the holding table 4 is connected to an X1-axis direction moving mechanism (not shown). This X1-axis movement mechanism includes, for example, a ball screw and a motor. When the X1-axis direction moving mechanism is operated, the holding table 4 moves along the X1-axis direction.

また、保持テーブル４は、モータ等の回転駆動源（不図示）と連結されている。そして、この回転駆動源を動作させると、保持テーブル４の上面の中心を通り、かつ、Ｚ１軸方向に沿った直線を回転軸として保持テーブル４が回転する。 The holding table 4 is also connected to a rotary drive source (not shown) such as a motor. When the rotary drive source is operated, the holding table 4 rotates about a straight line passing through the center of the upper surface of the holding table 4 and along the Z1-axis direction as a rotation axis.

また、保持テーブル４のポーラス板は、枠体４ａの底壁に形成されている貫通孔を介して、エジェクタ等の吸引源（不図示）と連通する。そして、この吸引源を動作させると、ポーラス板の上面近傍の空間に吸引力が作用する。 Also, the porous plate of the holding table 4 communicates with a suction source (not shown) such as an ejector through a through hole formed in the bottom wall of the frame 4a. When this suction source is operated, a suction force acts on the space near the upper surface of the porous plate.

さらに、保持テーブル４の周りには、保持テーブル４の周方向に沿って概ね等間隔に複数のクランプ（不図示）が設けられている。複数のクランプのそれぞれは、フレームユニット１１に含まれる環状フレーム１９を把持して、保持テーブル４の上面よりも低い位置に環状フレーム１９を留めることが可能である。 Furthermore, a plurality of clamps (not shown) are provided around the holding table 4 at approximately equal intervals along the circumferential direction of the holding table 4 . Each of the plurality of clamps can grip the annular frame 19 included in the frame unit 11 and hold the annular frame 19 at a position lower than the upper surface of the holding table 4 .

そして、フレームユニット１１が切削装置２に搬入されると、ウェーハ１３の裏面１３ｄに形成されている凹部１３ｅを保持テーブル４の上部に嵌合させるようにウェーハ１３がテープ１７を介して保持テーブル４に置かれる。 Then, when the frame unit 11 is carried into the cutting device 2, the wafer 13 is placed on the holding table 4 via the tape 17 so that the concave portion 13e formed in the back surface 13d of the wafer 13 is fitted to the upper part of the holding table 4. placed in

この時、フレームユニット１１の環状フレーム１９は、複数のクランプによって把持されて保持テーブル４の上面よりも低い位置に留められる。さらに、この状態で保持テーブル４のポーラス板と連通する吸引源を動作させると、ウェーハ１３がテープ１７を介して保持テーブル４に保持される。 At this time, the annular frame 19 of the frame unit 11 is gripped by a plurality of clamps and held at a position lower than the upper surface of the holding table 4 . Furthermore, when the suction source communicating with the porous plate of the holding table 4 is operated in this state, the wafer 13 is held on the holding table 4 via the tape 17 .

保持テーブル４の上方には、切削ユニット６が設けられている。この切削ユニット６は、Ｙ１軸方向に沿って延在するスピンドル６ａを備える。このスピンドル６ａの先端部には、切削ブレード６ｂが装着されている。 A cutting unit 6 is provided above the holding table 4 . This cutting unit 6 comprises a spindle 6a extending along the Y1 axis direction. A cutting blade 6b is attached to the tip of the spindle 6a.

また、スピンドル６ａの基端部は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されている。そして、この回転駆動源を動作させると、Ｙ軸方向に沿った直線を回転軸としてスピンドル６ａとともに切削ブレード６ｂが回転する。 A base end of the spindle 6a is connected to a rotational drive source (not shown) such as a motor. When this rotary drive source is operated, the cutting blade 6b rotates together with the spindle 6a about a straight line along the Y-axis direction as a rotation axis.

また、切削ユニット６は、Ｙ１軸方向移動機構（不図示）及びＺ１軸方向移動機構（不図示）と連結されている。Ｙ１軸方向移動機構及びＺ１軸方向移動機構のそれぞれは、例えば、ボールねじとモータとを含む。そして、Ｙ１軸方向移動機構及び／又はＺ１軸方向移動機構を動作させると、切削ユニット６がＹ１軸方向及び／又はＺ１軸方向に沿って移動する。 In addition, the cutting unit 6 is connected to a Y1-axis movement mechanism (not shown) and a Z1-axis movement mechanism (not shown). Each of the Y1-axis direction movement mechanism and the Z1-axis direction movement mechanism includes, for example, a ball screw and a motor. Then, when the Y1-axis direction moving mechanism and/or the Z1-axis direction moving mechanism are operated, the cutting unit 6 moves along the Y1-axis direction and/or the Z1-axis direction.

切削装置２において個片化ステップ（Ｓ１）を実施する際には、まず、ウェーハ１３に形成されている複数のデバイス１５の境界に含まれる直線状の部分（分割予定ライン）がＸ１軸方向と平行になるように保持テーブル４に連結されている回転駆動源が保持テーブル４を回転させる。 When the cutting device 2 performs the singulation step (S1), first, a linear portion (divided line) included in the boundary of the plurality of devices 15 formed on the wafer 13 is aligned with the X1 axis direction. A rotary drive source connected to the holding table 4 in parallel rotates the holding table 4 .

次いで、Ｘ１軸方向と平行な分割予定ラインが、平面視において、切削ブレード６ｂからみてＸ１軸方向に位置付けられるように、Ｘ１軸方向移動機構が保持テーブル４の位置を調整し、かつ／又は、Ｙ１軸方向移動機構が切削ユニット６の位置を調整する。 Next, the X1-axis direction moving mechanism adjusts the position of the holding table 4 so that the planned division line parallel to the X1-axis direction is positioned in the X1-axis direction when viewed from the cutting blade 6b in plan view, and/or A Y1-axis movement mechanism adjusts the position of the cutting unit 6 .

次いで、ウェーハ１３の裏面１３ｄに形成されている凹部１３ｅの底面よりも低く、かつ、保持テーブル４の上面よりも高い位置に切削ブレード６ｂの下端が位置付けられるように、Ｚ１軸方向移動機構が切削ユニット６を昇降させる。 Next, the Z1-axis direction moving mechanism is operated so that the lower end of the cutting blade 6b is positioned at a position lower than the bottom surface of the recess 13e formed in the back surface 13d of the wafer 13 and higher than the upper surface of the holding table 4. The unit 6 is raised and lowered.

次いで、切削ブレード６ｂを回転させるように、スピンドル６ａの基端部に連結されている回転駆動源がスピンドル６ａを回転させる。次いで、切削ブレード６ｂの下端がウェーハ１３のＸ１軸方向における一端から他端までを通り過ぎるように、Ｘ１軸方向移動機構が保持テーブル４をＸ１軸方向の反対方向に移動させる。これにより、分割予定ラインにおいてウェーハ１３が切削されて分割される。 A rotary drive source connected to the proximal end of the spindle 6a then rotates the spindle 6a so as to rotate the cutting blade 6b. Next, the X1-axis direction moving mechanism moves the holding table 4 in the opposite direction of the X1-axis direction so that the lower end of the cutting blade 6b passes over the wafer 13 from one end to the other end in the X1-axis direction. As a result, the wafer 13 is cut and divided along the dividing line.

換言すると、ウェーハ１３を貫通し、底面においてテープ１７が露出する溝１１ａがフレームユニット１１に形成される。さらに、複数のデバイス１５の境界の全てにおいてウェーハ１３が分割されるまで上述した工程を繰り返す。以上によって、個片化ステップ（Ｓ１）が完了する。 In other words, the frame unit 11 is formed with a groove 11a that penetrates the wafer 13 and exposes the tape 17 at the bottom surface. Further, the above-described steps are repeated until the wafer 13 is split at all of the boundaries of the plurality of devices 15 . Thus, the singulation step (S1) is completed.

なお、個片化ステップ（Ｓ１）の具体例は上述した内容に限定されない。図３（Ｂ）は、個片化ステップ（Ｓ１）の別の例を模式的に示す一部断面側面図である。端的には、図３（Ｂ）においては、レーザー加工装置において、ウェーハ１３に吸収される波長のレーザービームを用いて複数のデバイス１５を個片化する様子が示されている。 In addition, the specific example of the singulation step (S1) is not limited to the content described above. FIG. 3B is a partial cross-sectional side view schematically showing another example of the singulation step (S1). Briefly, FIG. 3(B) shows how a laser processing apparatus singulates a plurality of devices 15 by using a laser beam having a wavelength that is absorbed by the wafer 13 .

なお、図３（Ｂ）に示されるＸ２軸方向及びＹ２軸方向は、水平面上において互いに直交する方向であり、Ｚ２軸方向は、Ｘ２軸方向及びＹ２軸方向のそれぞれと直交する方向（鉛直方向）である。 Note that the X2-axis direction and the Y2-axis direction shown in FIG. 3B are directions orthogonal to each other on the horizontal plane, and the Z2-axis direction is a direction orthogonal to the X2-axis direction and the Y2-axis direction (vertical direction). ).

図３（Ｂ）に示されるレーザー加工装置８は、保持テーブル１０を備える。この保持テーブル１０は、図３（Ａ）に示される保持テーブル４と同様の構造を有する。すなわち、保持テーブル１０は、円板状の枠体１０ａと、枠体４ａの上面側に形成されている凹部に固定されている円板状のポーラス板とを含む。 A laser processing apparatus 8 shown in FIG. 3B includes a holding table 10 . This holding table 10 has the same structure as the holding table 4 shown in FIG. 3(A). That is, the holding table 10 includes a disk-shaped frame 10a and a disk-shaped porous plate fixed to a recess formed on the upper surface of the frame 4a.

また、保持テーブル１０は、Ｘ２軸方向移動機構（不図示）及びＹ２軸方向移動機構（不図示）と連結されている。Ｘ２軸方向移動機構及びＹ２軸方向移動機構のそれぞれは、例えば、ボールねじとモータとを含む。そして、Ｘ２軸方向移動機構及び／又はＹ２軸方向移動機構を動作させると、保持テーブル４がＸ２軸方向及び／又はＹ２軸方向に沿って移動する。 In addition, the holding table 10 is connected to an X2-axis movement mechanism (not shown) and a Y2-axis movement mechanism (not shown). Each of the X2-axis movement mechanism and the Y2-axis movement mechanism includes, for example, a ball screw and a motor. Then, when the X2-axis direction moving mechanism and/or the Y2-axis direction moving mechanism are operated, the holding table 4 moves along the X2-axis direction and/or the Y2-axis direction.

また、保持テーブル１０は、モータ等の回転駆動源（不図示）と連結されている。そして、この回転駆動源を動作させると、保持テーブル１０の上面の中心を通り、かつ、Ｚ２軸方向に沿った直線を回転軸として保持テーブル１０が回転する。 The holding table 10 is also connected to a rotary drive source (not shown) such as a motor. When this rotary drive source is operated, the holding table 10 rotates about a straight line passing through the center of the upper surface of the holding table 10 and along the Z2 axis direction as a rotation axis.

また、保持テーブル１０のポーラス板は、枠体１０ａの底壁に形成されている貫通孔を介して、エジェクタ等の吸引源（不図示）と連通する。そして、この吸引源を動作させると、ポーラス板の上面近傍の空間に吸引力が作用する。 Also, the porous plate of the holding table 10 communicates with a suction source (not shown) such as an ejector through a through hole formed in the bottom wall of the frame 10a. When this suction source is operated, a suction force acts on the space near the upper surface of the porous plate.

さらに、保持テーブル１０の周りには、保持テーブル１０の周方向に沿って概ね等間隔に複数のクランプ（不図示）が設けられている。複数のクランプのそれぞれは、フレームユニット１１に含まれる環状フレーム１９を把持して、保持テーブル１０の上面よりも低い位置に環状フレーム１９を留めることが可能である。 Furthermore, a plurality of clamps (not shown) are provided around the holding table 10 at approximately equal intervals along the circumferential direction of the holding table 10 . Each of the plurality of clamps can grip the annular frame 19 included in the frame unit 11 and hold the annular frame 19 at a position lower than the upper surface of the holding table 10 .

そして、フレームユニット１１が切削装置２に搬入されると、ウェーハ１３の裏面１３ｄに形成されている凹部１３ｅを保持テーブル１０の上部に嵌合させるようにウェーハ１３がテープ１７を介して保持テーブル１０に置かれる。 Then, when the frame unit 11 is carried into the cutting device 2, the wafer 13 is mounted on the holding table 10 via the tape 17 so that the concave portion 13e formed in the back surface 13d of the wafer 13 is fitted to the upper part of the holding table 10. placed in

この時、フレームユニット１１の環状フレーム１９は、複数のクランプによって把持されて保持テーブル１０の上面よりも低い位置に留められる。さらに、この状態で保持テーブル４のポーラス板と連通する吸引源を動作させると、ウェーハ１３がテープ１７を介して保持テーブル１０に保持される。 At this time, the annular frame 19 of the frame unit 11 is gripped by a plurality of clamps and held at a position lower than the upper surface of the holding table 10 . Furthermore, when the suction source communicating with the porous plate of the holding table 4 is operated in this state, the wafer 13 is held on the holding table 10 via the tape 17 .

保持テーブル１０の上方には、レーザービーム照射ユニットのヘッド１２が設けられている。このヘッド１２は、集光レンズ及びミラー等の光学系を収容する。また、ヘッド１２は、Ｚ２軸方向移動機構（不図示）に連結されている。このＺ２軸方向移動機構は、例えば、ボールねじ及びモータ等を有する。そして、Ｚ２軸方向移動機構を動作させると、ヘッド１２がＺ２軸方向に沿って移動する。 A head 12 of a laser beam irradiation unit is provided above the holding table 10 . This head 12 accommodates an optical system such as a condenser lens and mirrors. Also, the head 12 is connected to a Z2-axis movement mechanism (not shown). This Z2-axis movement mechanism has, for example, a ball screw and a motor. Then, when the Z2-axis direction moving mechanism is operated, the head 12 moves along the Z2-axis direction.

また、レーザービーム照射ユニットは、ウェーハ１３に吸収される波長（例えば、３６５ｎｍ）のレーザービームを生成するレーザー発振器（不図示）を有する。このレーザー発振器は、例えば、レーザー媒質としてＮｄ：ＹＡＧ等を有する。そして、レーザー発振器でレーザービームＬＢが生成されると、ヘッド１２に収容された光学系を介して、レーザービームＬＢがヘッド１２から保持テーブル１０側に照射される。 The laser beam irradiation unit also has a laser oscillator (not shown) that generates a laser beam with a wavelength (for example, 365 nm) that is absorbed by the wafer 13 . This laser oscillator has, for example, Nd:YAG or the like as a laser medium. Then, when the laser beam LB is generated by the laser oscillator, the laser beam LB is irradiated from the head 12 to the holding table 10 side through the optical system accommodated in the head 12 .

レーザー加工装置８において個片化ステップ（Ｓ１）を実施する際には、まず、ウェーハ１３に形成されている複数のデバイス１５の境界に含まれる直線状の部分（分割予定ライン）がＸ２軸方向と平行になるように保持テーブル１０に連結されている回転駆動源が保持テーブル１０を回転させる。 When performing the singulation step (S1) in the laser processing apparatus 8, first, a linear portion (divided line) included in the boundary of the plurality of devices 15 formed on the wafer 13 is aligned in the X2-axis direction. A rotary drive source connected to the holding table 10 so as to be parallel to , rotates the holding table 10 .

次いで、Ｘ２軸方向と平行な分割予定ラインが、平面視において、ヘッド１２の中心からみてＸ２軸方向に位置付けられるように、Ｙ２軸方向移動機構がヘッド１２の位置を調整する。次いで、ヘッド１２から照射されるレーザービームＬＢの集光点がウェーハ１３の表面１３ａと概ね等しい高さに位置付けられるように、Ｚ２軸方向移動機構がヘッド１２を昇降させる。 Next, the Y2-axis direction moving mechanism adjusts the position of the head 12 so that the dividing line parallel to the X2-axis direction is positioned in the X2-axis direction when viewed from the center of the head 12 in plan view. Next, the Z2-axis movement mechanism moves the head 12 up and down so that the focal point of the laser beam LB emitted from the head 12 is positioned at approximately the same height as the surface 13 a of the wafer 13 .

次いで、ヘッド１２からウェーハ１３に向けてレーザービームＬＢを照射しながら、レーザービームＬＢがウェーハ１３のＸ２軸方向における一端から他端までを通り過ぎるように、Ｘ２軸方向移動機構が保持テーブル１０をＸ２軸方向の反対方向に移動させる。これにより、分割予定ラインにおいてレーザーアブレーションが生じてウェーハ１３が分割される。 Next, while irradiating the laser beam LB from the head 12 toward the wafer 13, the X2-axis direction moving mechanism moves the holding table 10 to X2 so that the laser beam LB passes through the wafer 13 from one end to the other end in the X2-axis direction. Move in the opposite axial direction. As a result, the wafer 13 is divided by laser ablation along the dividing line.

換言すると、ウェーハ１３を貫通し、底面においてテープ１７が露出する溝１１ａがフレームユニット１１に形成される。さらに、複数のデバイス１５の境界の全てにおいてウェーハ１３が分割されるまで上述した工程を繰り返す。以上によって、個片化ステップ（Ｓ１）が完了する。 In other words, the frame unit 11 is formed with a groove 11a that penetrates the wafer 13 and exposes the tape 17 at the bottom surface. Further, the above-described steps are repeated until the wafer 13 is split at all of the boundaries of the plurality of devices 15 . Thus, the singulation step (S1) is completed.

上述したように個片化ステップ（Ｓ１）が実施されると、ウェーハ１３のリング状補強部１４が複数のデバイス１５のチップから分離される。そして、図２に示される方法においては、個片化ステップ（Ｓ１）の後、回転する切削ブレードを用いてリング状補強部１４を除去する（除去ステップ：Ｓ２）。 When the singulation step ( S<b>1 ) is performed as described above, the ring-shaped reinforcing portion 14 of the wafer 13 is separated from the chips of the plurality of devices 15 . Then, in the method shown in FIG. 2, after the singulation step (S1), the ring-shaped reinforcing portion 14 is removed using a rotating cutting blade (removal step: S2).

図４（Ａ）、図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）のそれぞれは、除去ステップ（Ｓ２）の一例を模式的に示す一部断面側面図である。端的には、図４（Ａ）、図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）においては、回転する切削ブレード（除去用切削ブレード）の外周面をリング状補強部１４の上面に接触させることによってリング状補強部１４を除去する様子が示されている。 Each of FIGS. 4A, 4B, and 4C is a partial cross-sectional side view schematically showing an example of the removing step (S2). Briefly, in FIGS. 4A, 4B and 4C, by bringing the outer peripheral surface of the rotating cutting blade (removing cutting blade) into contact with the upper surface of the ring-shaped reinforcing portion 14, The manner in which the ring-shaped reinforcing portion 14 is removed is shown.

この除去ステップ（Ｓ２）は、例えば、図３（Ａ）に示される切削装置２において実施される。なお、切削装置２においては、除去ステップ（Ｓ２）の実施に先立って、スピンドル６ａの先端部に切削ブレード（個片化用切削ブレード）６ｂに換えて切削ブレード（除去用切削ブレード）６ｃが装着されている。 This removing step (S2) is performed, for example, in the cutting device 2 shown in FIG. 3(A). In the cutting device 2, prior to the removal step (S2), a cutting blade (cutting blade for removal) 6c is attached to the tip of the spindle 6a in place of the cutting blade (cutting blade for singulation) 6b. It is

この切削ブレード６ｃは、切削ブレード６ｂよりも刃厚（Ｙ１軸方向に沿った幅）が大きい。例えば、切削ブレード６ｃの刃厚は、ウェーハ１３の径方向に沿ったリング状補強部１４の幅よりも僅かに大きい。 The cutting blade 6c has a larger blade thickness (width along the Y1-axis direction) than the cutting blade 6b. For example, the blade thickness of the cutting blade 6c is slightly larger than the width of the ring-shaped reinforcing portion 14 along the radial direction of the wafer 13 .

切削装置２において除去ステップ（Ｓ２）を実施する際には、まず、リング状補強部１４のＹ１軸方向における一端の上方に切削ブレード６ｃを位置付けるように、Ｘ１軸方向移動機構が保持テーブル４の位置を調整し、かつ／又は、Ｙ１軸方向移動機構が切削ユニット６の位置を調整する（図４（Ａ）参照）。 When performing the removing step (S2) in the cutting device 2, first, the X1-axis direction moving mechanism moves the holding table 4 so that the cutting blade 6c is positioned above one end of the ring-shaped reinforcing portion 14 in the Y1-axis direction. The position is adjusted and/or the Y1 axis movement mechanism adjusts the position of the cutting unit 6 (see FIG. 4(A)).

次いで、切削ブレード６ｃを回転させるように、スピンドル６ａの基端部に連結されている回転駆動源がスピンドル６ａを回転させる。次いで、切削ブレード６ｃを回転させたまま、切削ブレード６ｃの外周面がテープ１７に接触するまで、Ｚ１軸方向移動機構が切削ユニット６を下降させる（図４（Ｂ）参照）。 A rotary drive source connected to the proximal end of the spindle 6a then rotates the spindle 6a so as to rotate the cutting blade 6c. Next, while rotating the cutting blade 6c, the Z1-axis movement mechanism lowers the cutting unit 6 until the outer peripheral surface of the cutting blade 6c contacts the tape 17 (see FIG. 4B).

これにより、切削ブレード６ｃがリング状補強部１４に切り込んで、リング状補強部１４のＹ１軸方向における一端が除去される。次いで、切削ブレード６ｃを回転させたまま、フレームユニット１１を少なくとも一回転させるように、保持テーブル４に連結されている回転駆動源が保持テーブル４を回転させる（図４（Ｃ）参照）。 As a result, the cutting blade 6c cuts into the ring-shaped reinforcing portion 14 to remove one end of the ring-shaped reinforcing portion 14 in the Y1-axis direction. Next, while rotating the cutting blade 6c, the rotary drive source connected to the holding table 4 rotates the holding table 4 so as to rotate the frame unit 11 at least once (see FIG. 4(C)).

これにより、リング状補強部１４の全部が除去される。なお、除去ステップ（Ｓ２）の具体例は上述した内容に限定されない。例えば、除去ステップ（Ｓ２）においては、保持テーブル４を回転させながら、切削ブレード６ｃをリング状補強部１４に切り込ませてもよい。 As a result, the entire ring-shaped reinforcing portion 14 is removed. In addition, the specific example of the removal step (S2) is not limited to the contents described above. For example, in the removing step (S2), the cutting blade 6c may be cut into the ring-shaped reinforcing portion 14 while the holding table 4 is being rotated.

また、除去ステップ（Ｓ２）においては、回転する切削ブレード６ｃを用いた研削によってリング状補強部１４を除去してもよい。図５（Ａ）及び図５（Ｂ）のそれぞれは、このような除去ステップ（Ｓ２）の一例を模式的に示す一部断面側面図である。 Further, in the removing step (S2), the ring-shaped reinforcing portion 14 may be removed by grinding using a rotating cutting blade 6c. Each of FIGS. 5A and 5B is a partial cross-sectional side view schematically showing an example of such a removing step (S2).

このように除去ステップ（Ｓ２）を実施する際には、まず、切削ブレード６ｃが、平面視において、リング状補強部１４のＹ１軸方向における一端からみてＹ１軸方向に位置付けられるように、Ｘ１軸方向移動機構が保持テーブル４の位置を調整し、かつ／又は、Ｙ１軸方向移動機構が切削ユニット６の位置を調整する。 When performing the removing step (S2) in this manner, first, the cutting blade 6c is positioned in the Y1-axis direction as seen from one end of the ring-shaped reinforcing portion 14 in the Y1-axis direction in plan view. A directional movement mechanism adjusts the position of the holding table 4 and/or a Y1 axis movement mechanism adjusts the position of the cutting unit 6 .

次いで、切削ブレード６ｃの下端がリング状補強部１４の下面と概ね等しい高さに位置付けられるように、Ｚ１軸方向移動機構が切削ユニット６を昇降させる（図５（Ａ）参照）。次いで、切削ブレード６ｃ及びフレームユニット１１の双方を回転させるように、スピンドル６ａの基端部に連結されている回転駆動源がスピンドル６ａを回転させ、かつ、保持テーブル４に連結されている回転駆動源が保持テーブル４を回転させる。 Next, the Z1-axis movement mechanism lifts and lowers the cutting unit 6 so that the lower end of the cutting blade 6c is positioned at substantially the same height as the lower surface of the ring-shaped reinforcing portion 14 (see FIG. 5A). Next, a rotary drive source connected to the proximal end of the spindle 6a rotates the spindle 6a so as to rotate both the cutting blade 6c and the frame unit 11, and the rotary drive connected to the holding table 4. A source rotates the holding table 4 .

次いで、切削ブレード６ｃ及びフレームユニット１１の双方を回転させたまま、切削ブレード６ｃの側面がテープ１７に接触するまで、Ｙ１軸方向移動機構が切削ユニット６を保持テーブル４に接近させる（図５（Ｂ）参照）。これにより、リング状補強部１４の全部が切削ブレード６ｃによって研削されて除去される。 Next, while rotating both the cutting blade 6c and the frame unit 11, the Y1-axis movement mechanism moves the cutting unit 6 closer to the holding table 4 until the side surface of the cutting blade 6c contacts the tape 17 (Fig. 5 ( B)). As a result, the entire ring-shaped reinforcing portion 14 is ground and removed by the cutting blade 6c.

図２に示されるチップの製造方法においては、リング状補強部１４を除去する除去ステップ（Ｓ２）に先立って、複数のデバイス１５を個片化してチップを製造する個片化ステップ（Ｓ１）が実施される。すなわち、この方法においては、リング状補強部１４と複数のデバイス１５のチップとが分離された状態で除去ステップ（Ｓ２）が実施される。そのため、この方法においては、除去ステップ（Ｓ２）においてリング状補強部１４に加わる力に起因してデバイス１５が破損することを防止できる。 In the chip manufacturing method shown in FIG. 2, prior to the removal step (S2) of removing the ring-shaped reinforcing portion 14, a singulation step (S1) of singulating a plurality of devices 15 to manufacture chips is performed. be implemented. That is, in this method, the removal step (S2) is performed in a state in which the ring-shaped reinforcing portion 14 and the chips of the plurality of devices 15 are separated. Therefore, in this method, it is possible to prevent the device 15 from being damaged due to the force applied to the ring-shaped reinforcing portion 14 in the removing step (S2).

さらに、この方法においては、ウェーハ１３のデバイス領域１３ｂとリング状補強部１４とを分離するための工程が実施されることなく、リング状補強部１４を除去するとともに複数のデバイス１５のチップを製造することができる。そのため、この方法においては、当該工程を含むチップの製造方法と比較して、チップの生産性を向上させることが可能である。 Furthermore, in this method, the ring-shaped reinforcing portion 14 is removed and chips of a plurality of devices 15 are manufactured without performing a step for separating the device region 13b of the wafer 13 and the ring-shaped reinforcing portion 14. can do. Therefore, in this method, it is possible to improve the productivity of the chip as compared with the chip manufacturing method including this step.

その他、上述した実施形態にかかる構造及び方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。 In addition, the structure, method, and the like according to the above-described embodiments can be modified as appropriate without departing from the scope of the present invention.

２ ：切削装置
４ ：保持テーブル（４ａ：枠体）
６ ：切削ユニット６（６ａ：スピンドル、６ｂ，６ｃ：切削ブレード）
８ ：レーザー加工装置
１０：保持テーブル（１０ａ：枠体）
１１：フレームユニット（１１ａ：溝）
１２：ヘッド
１３：ウェーハ（１３ａ：表面、１３ｂ：デバイス領域、１３ｃ：外周余剰領域）
（１３ｄ：裏面、１３ｅ：凹部）
１４：リング状補強部
１５：デバイス
１７：テープ
１９：環状フレーム 2: cutting device 4: holding table (4a: frame)
6: Cutting unit 6 (6a: spindle, 6b, 6c: cutting blade)
8: laser processing device 10: holding table (10a: frame)
11: frame unit (11a: groove)
12: Head 13: Wafer (13a: front surface, 13b: device region, 13c: peripheral surplus region)
(13d: back surface, 13e: concave portion)
14: Ring-shaped reinforcing part 15: Device 17: Tape 19: Annular frame

Claims (2)

複数のデバイスが形成されているデバイス領域を薄化し、かつ、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域をリング状補強部として残存させるように凹部が形成されている裏面に、環状フレームに外周領域が貼り付いているテープの中央領域が貼り付けられているウェーハからチップを製造するチップの製造方法であって、
該ウェーハを該複数のデバイスの境界に沿って加工することによって該複数のデバイスを個片化して該チップを製造する個片化ステップと、
該個片化ステップの後、回転する切削ブレードを用いて該リング状補強部を除去する除去ステップと、
を備えるチップの製造方法。 A device region in which a plurality of devices are formed is thinned, and an outer peripheral region is formed on the annular frame on the back surface in which a concave portion is formed so as to leave an outer peripheral surplus region surrounding the device region as a ring-shaped reinforcing portion. A chip manufacturing method for manufacturing a chip from a wafer to which a central region of an attached tape is attached, comprising:
a singulation step of singulating the plurality of devices to fabricate the chips by processing the wafer along boundaries of the plurality of devices;
After the singulation step, a removal step of removing the ring-shaped reinforcement using a rotating cutting blade;
A method of manufacturing a chip comprising 該個片化ステップにおいては、回転する個片化用切削ブレードまたは該ウェーハに吸収される波長のレーザービームを用いて該複数のデバイスが個片化される請求項１に記載のチップの製造方法。
2. The method of manufacturing a chip according to claim 1, wherein in the singulation step, the plurality of devices are singulated using a rotating cutting blade for singulation or a laser beam having a wavelength that is absorbed by the wafer. .
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