JP2015032771A - Method of manufacturing wafer - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a wafer, capable of suppressing removal amount when cutting out the wafer from an ingot.SOLUTION: This method of manufacturing the wafer by separating the ingot includes a crystal axis detecting step for setting a separation surface direction inclined at a prescribed angle with respect to a crystal axis by detecting the crystal axis of the ingot, a flattening step for flattening the top face of the ingot parallel to the separation surface direction after implementing the crystal axis detecting step, a modified surface forming step for forming a modified surface along the separation surface direction in the inside of the ingot by positioning the condensed point of a laser beam at the inside of the ingot and irradiating the lase beam fron the top face of the flattened ingot after implementing the flattening step, and a peeling step for manufacturing the wafer by separating the top face side of the ingot with the modified surface used as a boundary after implementing the modified surface forming step.

Description

本発明は、単結晶インゴットを分離してウェーハを製造するウェーハの製造方法に関する。   The present invention relates to a wafer manufacturing method for manufacturing a wafer by separating a single crystal ingot.

シリコン、ＳｉＣ（炭化珪素）、ＧａＮ（窒化ガリウム）等の単結晶からなる半導体ウェーハは、単結晶インゴットからワイヤーソーやバンドソーを用いて切り出され、表裏面が研磨されて製造される。ところで、半導体ウェーハの製造分野では、結晶軸にオフセットをもたせた半導体ウェーハ（以下、「オフセットウェハ」と称する）がデバイス製造工程から要求される場合がある。   A semiconductor wafer made of a single crystal such as silicon, SiC (silicon carbide), or GaN (gallium nitride) is cut from a single crystal ingot using a wire saw or a band saw, and the front and back surfaces are polished. By the way, in the semiconductor wafer manufacturing field, there are cases where a semiconductor wafer having a crystal axis offset (hereinafter referred to as “offset wafer”) is required from the device manufacturing process.

このような場合には、Ｘ線回折法等を用いてインゴットの結晶軸を検出し、この結晶軸に対して所定角度傾斜した（オフセットした）分離面方向を設定し、ワイヤーソーやバンドソーでインゴットを分離面方向と平行にスライスして半導体ウェーハを切り出し、表裏面を研磨して半導体ウェーハを製造していた。   In such a case, the crystal axis of the ingot is detected using an X-ray diffraction method or the like, the separation plane direction tilted (offset) by a predetermined angle with respect to the crystal axis is set, and the wire is ingot with a wire saw or a band saw. The semiconductor wafer was cut out by slicing in parallel with the separation surface direction, and the front and back surfaces were polished to manufacture the semiconductor wafer.

特開１０−２５６２０３号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-256203

しかし、ワイヤーソーやバンドソーによる切り出しでは、少なくともワイヤーやバンドの幅分の切り屑が発生し、取り代の無駄が多いという問題がある。また、ワイヤーソーやバンドソーの切り出しでは、１ｍｍ以下と薄く切り出すことが難しいため、必要以上に厚く切り出されたウェーハは、後に研削によって所望厚みに薄化されるため、研削屑として無駄が生じている。   However, when cutting with a wire saw or a band saw, there is a problem in that chips corresponding to at least the width of the wire or band are generated, and there is a lot of waste in the machining allowance. Moreover, since it is difficult to cut a wire saw or a band saw as thin as 1 mm or less, a wafer cut out to be thicker than necessary is thinned to a desired thickness by grinding later, resulting in waste as grinding waste. .

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、インゴットから切り出し時の除去量を抑え得るウェーハの製造方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a wafer manufacturing method capable of suppressing the amount of removal at the time of cutting out from an ingot.

本発明によると、インゴットを分離してウェーハを製造するウェーハの製造方法であって、インゴットの結晶軸を検出して該結晶軸に対して所定角度傾斜した分離面方向を設定する結晶軸検出ステップと、該結晶軸検出ステップを実施した後、インゴットの上面を該分離面方向と平行に平坦化する平坦化ステップと、該平坦化ステップを実施した後、レーザビームの集光点をインゴットの内部に位置付けて平坦化されたインゴットの該上面からレーザビームを照射して、該分離面方向に沿った改質面をインゴット内部に形成する改質面形成ステップと、該改質面形成ステップを実施した後、該改質面を境界にインゴットの上面側を分離してウェーハを製造する剥離ステップと、を備えたことを特徴とするウェーハの製造方法が提供される。   According to the present invention, there is provided a wafer manufacturing method for manufacturing a wafer by separating an ingot, wherein a crystal axis detection step of detecting a crystal axis of the ingot and setting a separation plane direction inclined by a predetermined angle with respect to the crystal axis And after performing the crystal axis detection step, a flattening step for flattening the upper surface of the ingot parallel to the direction of the separation surface, and after performing the flattening step, the focal point of the laser beam is set inside the ingot. A modified surface forming step for forming a modified surface along the separation surface direction inside the ingot by irradiating a laser beam from the upper surface of the ingot that is positioned and flattened, and the modified surface forming step are performed. And a peeling step of manufacturing the wafer by separating the upper surface side of the ingot with the modified surface as a boundary. A method for manufacturing a wafer is provided.

好ましくは、ウェーハの製造方法は、前記結晶軸検出ステップを実施した後、前記平坦化ステップを実施する前に、インゴットの該上面の背面である下面を研削して該分離面方向に平行な基準面を形成する基準面形成ステップを更に備え、該平坦化ステップと該改質面形成ステップは、インゴットの該基準面側を保持手段で保持した状態で実施される。   Preferably, in the method of manufacturing a wafer, after performing the crystal axis detection step and before performing the planarization step, the lower surface, which is the back surface of the upper surface of an ingot, is ground to be parallel to the separation surface direction. A reference surface forming step for forming a surface is further provided, and the flattening step and the modified surface forming step are performed in a state where the reference surface side of the ingot is held by a holding means.

好ましくは、ウェーハの製造方法は、前記剥離ステップを実施した後、該剥離ステップで分離されて製造されたウェーハの該改質面側を研削又は研磨してウェーハに残存する該改質面を除去する除去ステップを更に備えている。   Preferably, in the wafer manufacturing method, after the peeling step is performed, the modified surface side of the wafer separated and manufactured in the peeling step is ground or polished to remove the modified surface remaining on the wafer. And a removal step.

更に、本発明のウェーハの製造方法によると、前記剥離ステップを実施した後、インゴットの該改質面側を上面として前記平坦化ステップと、前記改質面形成ステップと、前記剥離ステップとを繰り返して実施する。   Furthermore, according to the method for manufacturing a wafer of the present invention, after performing the peeling step, the planarizing step, the modified surface forming step, and the peeling step are repeated with the modified surface side of the ingot as an upper surface. To implement.

本発明のウェーハの製造方法によると、インゴットにレーザビームを照射して改質面を形成し、改質面を境にインゴットの一部を剥離してウェーハを製造するため、インゴットからウェーハを製造する際の除去量を従来に比べて大幅に抑えられる。また、所望厚みのウェーハを製造できるため、ウェーハを厚く切り出した後に薄化するという無駄を抑えることが可能である。   According to the method of manufacturing a wafer of the present invention, a wafer is manufactured from an ingot because a modified surface is formed by irradiating the ingot with a laser beam, and a part of the ingot is peeled off at the modified surface as a boundary. The amount of removal during the process can be greatly reduced compared to the conventional method. In addition, since a wafer having a desired thickness can be manufactured, it is possible to suppress the waste of thinning the wafer after it is cut out thickly.

従来のウェーハの製造方法では、インゴットから切り出したウェーハにはワイヤーソーに起因した反りやうねりが発生し、これらの反りやうねりによって最終製品の反りやナノトポグラフィーを悪化させることがあった。   In the conventional wafer manufacturing method, warpage or undulation caused by a wire saw occurs in a wafer cut out from an ingot, and the warpage or nanotopography of the final product may be deteriorated by these warpage or undulation.

本発明では、ウェーハの切り出しにワイヤーソーを使用することがないため、最終製品の反りやナノトポグラフィー（ＰＶ値（Ｐｅａｋ−Ｖａｌｌｅｙ差）が例えば０．１〜０．２μｍ以下と極めて浅いうねり）を改善できる。   In the present invention, since a wire saw is not used to cut out a wafer, warping of the final product and nanotopography (PV value (Peak-Valley difference) is, for example, a very shallow wave of 0.1 to 0.2 μm or less) Can be improved.

結晶軸検出ステップを説明する単結晶インゴットの斜視図である。It is a perspective view of the single crystal ingot explaining a crystal axis detection step. 基準面形成ステップを説明する側面図である。It is a side view explaining a reference plane formation step. 平坦化ステップを説明する側面図である。It is a side view explaining the planarization step. 改質面形成ステップを説明する側面図である。It is a side view explaining a modified surface formation step. 改質面形成ステップ実施後の側面図である。It is a side view after implementation of a modified surface formation step. 剥離ステップを説明する側面図である。It is a side view explaining a peeling step. 除去ステップを説明する側面図である。It is a side view explaining a removal step. 平坦化ステップ、改質面形成ステップ及び剥離ステップの繰り返しを説明する側面図である。It is a side view explaining repetition of a planarization step, a modified surface formation step, and a peeling step.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、シリコンインゴット等の単結晶インゴット１０の斜視図が示されている。本実施形態のインゴット１０は、結晶軸１４が中心軸１２に対してオフセットしたインゴットであり、中心軸１２に対して垂直な上面１０ａ及び下面１０ｂを有している。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, a perspective view of a single crystal ingot 10 such as a silicon ingot is shown. The ingot 10 of this embodiment is an ingot in which the crystal axis 14 is offset with respect to the central axis 12, and has an upper surface 10 a and a lower surface 10 b that are perpendicular to the central axis 12.

本実施形態のウェーハの製造方法では、例えば特開２００９−５８５３１号公報に開示されたようなＸ線回折を利用してインゴット１０の結晶軸１４を検出する。図１では、中心軸１２に対して傾斜した鉛直方向の結晶軸１４のみ図示してあるが、実際には鉛直方向の結晶軸方位１４と水平方向の結晶軸方位とをそれぞれ検出する。   In the wafer manufacturing method of the present embodiment, the crystal axis 14 of the ingot 10 is detected using X-ray diffraction as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-58531. In FIG. 1, only the vertical crystal axis 14 tilted with respect to the central axis 12 is shown, but actually, the vertical crystal axis direction 14 and the horizontal crystal axis direction are detected.

そして、検出された鉛直方向の結晶軸１４と水平方向の結晶軸をもとに分離面方向１６を設定する。例えば、垂直方向の結晶軸１４に対して所定角度θ傾斜した面を分離面方向１６として設定する。   Then, a separation plane direction 16 is set based on the detected vertical crystal axis 14 and horizontal crystal axis. For example, a plane inclined by a predetermined angle θ with respect to the vertical crystal axis 14 is set as the separation plane direction 16.

この所定角度θは９０°を含んでおり、この場合には、分離面方向１６は結晶軸１４に対して垂直である。代替実施形態として、図示してない水平方向の結晶軸に対して所定角度傾斜した面を分離面方向１６として設定しても良い。以下の説明では、分離面方向１６は結晶軸１４に対して垂直であるものとして説明する。   The predetermined angle θ includes 90 °. In this case, the separation plane direction 16 is perpendicular to the crystal axis 14. As an alternative embodiment, a plane inclined by a predetermined angle with respect to a horizontal crystal axis (not shown) may be set as the separation plane direction 16. In the following description, the separation plane direction 16 is described as being perpendicular to the crystal axis 14.

結晶軸検出ステップを実施した後、インゴット１０の上面１０ａの背面である下面１０ｂを研削して、分離面方向１６と平行な基準面を形成する基準面形成ステップを実施する。   After performing the crystal axis detection step, a reference surface forming step is performed in which the lower surface 10b, which is the back surface of the upper surface 10a of the ingot 10, is ground to form a reference surface parallel to the separation surface direction 16.

この基準面形成ステップでは、まず、図２（Ａ）に示すように、研削装置の保持手段（チャックテーブル）１８でインゴット１０の上面１０ａを吸引保持して下面１０ｂを露出させる。次いで、図２（Ｂ）に示すように、インゴット１０の結晶軸１４が鉛直となるように保持手段１８を傾け、研削ユニット２０でインゴット１０の下面１０ｂを研削する。   In this reference surface forming step, first, as shown in FIG. 2A, the upper surface 10a of the ingot 10 is sucked and held by the holding means (chuck table) 18 of the grinding apparatus to expose the lower surface 10b. Next, as shown in FIG. 2B, the holding means 18 is tilted so that the crystal axis 14 of the ingot 10 is vertical, and the lower surface 10 b of the ingot 10 is ground by the grinding unit 20.

図２（Ｂ）において、研削ユニット２０は回転駆動されるスピンドル２２と、スピンドル２２の先端に固定されたホイールマウント２４と、ホイールマウント２４に着脱可能に装着された研削ホイール２６とを含んでいる。研削ホイール２６は、環状基台２８と、環状基台２８の下面外周に固着された複数の研削砥石３０とから構成される。   2B, the grinding unit 20 includes a spindle 22 that is rotationally driven, a wheel mount 24 that is fixed to the tip of the spindle 22, and a grinding wheel 26 that is detachably attached to the wheel mount 24. . The grinding wheel 26 includes an annular base 28 and a plurality of grinding wheels 30 fixed to the outer periphery of the lower surface of the annular base 28.

基準面形成ステップでは、保持手段１８を矢印ａ方向に例えば３００ｒｐｍで回転させるとともに、研削ホイール２６を矢印ｂ方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させながら研削砥石３０をインゴット１０の下面１０ｂに接触させて所定の研削送り速度で下面１０ｂを研削して、図２（Ｃ）に示すように、基準面１０ｃを形成する。この基準面１０ｃは分離面方向１６と平行である。   In the reference surface forming step, the holding means 18 is rotated in the direction of arrow a at 300 rpm, for example, and the grinding wheel 30 is brought into contact with the lower surface 10b of the ingot 10 while rotating the grinding wheel 26 in the direction of arrow b at 6000 rpm, for example. The lower surface 10b is ground at the grinding feed rate to form the reference surface 10c as shown in FIG. This reference plane 10 c is parallel to the separation plane direction 16.

基準面形成ステップ実施後、インゴット１０の上面１０ａを分離面方向１６と平行に平坦化する平坦化ステップを実施する。この平坦化ステップでは、図３に示すように、インゴット１０の基準面１０ｃを保持手段１８で吸引保持し、インゴット１０の上面１０ａを露出させる。   After performing the reference surface forming step, a flattening step for flattening the upper surface 10a of the ingot 10 in parallel with the separation surface direction 16 is performed. In this flattening step, as shown in FIG. 3, the reference surface 10 c of the ingot 10 is sucked and held by the holding means 18 to expose the upper surface 10 a of the ingot 10.

そして、保持手段１８を矢印ａ方向に例えば３００ｒｐｍで回転させるとともに、研削ホイール２６を例えば６０００ｒｍｐで回転させながら研削砥石３０をインゴット１０の上面１０ａに接触させて所定の研削送り速度で上面１０ａを研削する。研削終了後の上面１０ａは基準面１０ｃと平行、即ち分離面方向１６と平行となる。平坦化ステップ終了後のインゴット１０の縦断面は図４に示すように平行四辺形となる。   Then, the holding means 18 is rotated in the direction of arrow a at, for example, 300 rpm, and the grinding wheel 26 is rotated at, for example, 6000 rpm, the grinding wheel 30 is brought into contact with the upper surface 10a of the ingot 10 and the upper surface 10a is ground at a predetermined grinding feed rate. To do. The upper surface 10a after grinding is parallel to the reference surface 10c, that is, parallel to the separation surface direction 16. The vertical cross section of the ingot 10 after the planarization step is a parallelogram as shown in FIG.

上述した実施形態では、平坦化ステップを研削により実施しているが、平坦化ステップは研磨で実施しても良いし、研削と研磨を組み合わせて実施しても良い。この平坦化ステップでは、平坦化された面を後述する改質面形成ステップでレーザビームが透過し易い粗さに仕上げるのが好ましい。   In the above-described embodiment, the planarization step is performed by grinding. However, the planarization step may be performed by polishing, or may be performed by combining grinding and polishing. In this flattening step, it is preferable to finish the flattened surface to a roughness that allows easy transmission of the laser beam in the modified surface forming step described later.

平坦化ステップを実施した後、図４に示すように、レーザビーム照射ヘッド３４から照射されるレーザビーム３５の集光点Ｐをインゴット１０の内部に位置付けるとともに、平坦化されたインゴット１０の上面１０ａに向けてレーザビームを照射して、インゴット１０の内部に分離面方向１６に沿った改質面を形成する改質面形成ステップを実施する。   After performing the flattening step, as shown in FIG. 4, the condensing point P of the laser beam 35 irradiated from the laser beam irradiation head 34 is positioned inside the ingot 10, and the upper surface 10 a of the flattened ingot 10. A modified surface forming step for forming a modified surface along the separation surface direction 16 inside the ingot 10 is performed by irradiating a laser beam toward the surface.

この改質面形成ステップでは、インゴット１０を保持したレーザ加工装置の保持手段（チャックテーブル）３２を矢印Ａ方向に回転させつつ、レーザビーム照射手段３４を保持手段３２の保持面と平行方向に、例えば矢印Ｂ方向に相対移動させて改質面を形成する。   In this modified surface forming step, the laser beam irradiation means 34 is moved in the direction parallel to the holding surface of the holding means 32 while rotating the holding means (chuck table) 32 of the laser processing apparatus holding the ingot 10 in the arrow A direction. For example, the modified surface is formed by relative movement in the direction of arrow B.

改質面はインゴット１０の横断面全面に形成する必要があるため、レーザビームは例えば特開２０１１−７９０４４号に開示されているようなマルチスポットを利用するのが好ましい。図５を参照すると、改質面３６形成後の保持手段３２に保持されたインゴット１０の側面図が示されている。   Since the modified surface needs to be formed on the entire cross section of the ingot 10, it is preferable to use a multi-spot as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-79044. Referring to FIG. 5, a side view of the ingot 10 held by the holding means 32 after the modified surface 36 is formed is shown.

改質面形成ステップで照射するレーザビーム３５は、インゴット１０に対して透過性を有する波長（例えば１０６４ｎｍ）が好ましい。波長１０６４ｎｍのレーザビームは、ＹＡＧレーザまたはＹＶＯ４レーザの基本波である。   The laser beam 35 irradiated in the modified surface forming step preferably has a wavelength that is transmissive to the ingot 10 (for example, 1064 nm). A laser beam having a wavelength of 1064 nm is a fundamental wave of a YAG laser or a YVO4 laser.

改質面形成ステップを実施した後、図６に示すように、剥離手段３８でインゴット１０の上面１０ａ側を吸着保持して、改質面３６を境界にインゴット１０の上面側を分離してウェーハ４０を製造する剥離ステップを実施する。   After performing the modified surface forming step, as shown in FIG. 6, the upper surface 10a side of the ingot 10 is sucked and held by the peeling means 38, and the upper surface side of the ingot 10 is separated with the modified surface 36 as a boundary. A stripping step to manufacture 40 is performed.

改質面３６は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。例えば、溶融再硬化領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等を含みこれらの領域が混在した領域も含むものであり、周囲に比較して強度が相当弱くなっているため、剥離手段３８で容易に剥離可能である。   The modified surface 36 is a region where the density, refractive index, mechanical strength, and other physical characteristics are different from the surroundings. For example, it includes a melt re-hardened region, a crack region, a dielectric breakdown region, a refractive index change region, etc., and also includes a region where these regions are mixed, and the strength is considerably weaker than the surroundings, so that the peeling means 38 can be easily peeled off.

剥離ステップを実施した後、剥離ステップで分離され製造されたウェーハ４０の改質面３６側を研削又は研磨してウェーハ４０に残存する改質面３６を除去する除去ステップを実施する。この除去ステップでは、図７に示すように、例えば研削装置の保持手段（チャックテーブル）１８でウェーハ４０の上面１０ａ側を吸引保持して改質面３６を露出させる。   After performing the peeling step, a removing step is performed in which the modified surface 36 side of the wafer 40 separated and manufactured in the peeling step is ground or polished to remove the modified surface 36 remaining on the wafer 40. In this removing step, as shown in FIG. 7, for example, the upper surface 10 a side of the wafer 40 is sucked and held by the holding means (chuck table) 18 of the grinding apparatus to expose the modified surface 36.

保持手段１８を矢印ａ方向に例えば３００ｒｐｍで回転させるとともに、研削ホイール２６の研削砥石３０をウェーハ４０の改質面３６に当接して、研削ホイール２６を矢印Ｂ方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させて研削ホイール２６を下方に研削送りすることにより、改質面３６を研削してウェーハ４０から除去する。   The holding means 18 is rotated in the direction of arrow a at, for example, 300 rpm, the grinding wheel 30 of the grinding wheel 26 is brought into contact with the modified surface 36 of the wafer 40, and the grinding wheel 26 is rotated in the direction of arrow B at, for example, 6000 rpm for grinding. The modified surface 36 is ground and removed from the wafer 40 by grinding and feeding the wheel 26 downward.

インゴットの状態で基準面１０ｃと平行に平坦化された面であるウェーハの上面１０ａ側を吸引保持して研削するため、ウェーハの上面及び下面はインゴットの基準面１０ｃ、即ち分離面方向１６と平行に形成される。   Since the upper surface 10a side of the wafer, which is a surface flattened in parallel with the reference surface 10c in the ingot state, is ground by suction, the upper and lower surfaces of the wafer are parallel to the reference surface 10c of the ingot, that is, the separation surface direction 16. Formed.

研削に替えて、研磨パッドを使用した研磨により改質面３６を研磨して除去するようにしても良い。あるいは、除去ステップは、研削、研磨、エッチングの何れか又はこれらの組合せにより実施するようにしても良い。   Instead of grinding, the modified surface 36 may be removed by polishing using a polishing pad. Alternatively, the removing step may be performed by any one of grinding, polishing, etching, or a combination thereof.

剥離ステップを実施した後、図８（Ａ）に示すように、インゴット１０の改質面３６を上面として改質面３６を研削して除去しインゴット１０の上面を平坦化する平坦化ステップを実施し、次いで、図８（Ｂ）に示すように、インゴット１０の上面１０ａ側からレーザビーム３５を照射してインゴット１０内部に改質面を形成する改質面形成ステップを実施し、次いで、図８（Ｃ）に示すように、改質面３６を境界にインゴット１０の上面を分離してウェーハ４０を製造する剥離ステップを実施する。   After performing the peeling step, as shown in FIG. 8A, a planarization step is performed in which the modified surface 36 is ground and removed by using the modified surface 36 of the ingot 10 as an upper surface, and the upper surface of the ingot 10 is planarized. Then, as shown in FIG. 8B, a modified surface forming step of forming a modified surface inside the ingot 10 by irradiating the laser beam 35 from the upper surface 10a side of the ingot 10 is performed. As shown in FIG. 8C, a peeling step for manufacturing the wafer 40 by separating the upper surface of the ingot 10 with the modified surface 36 as a boundary is performed.

図８（Ａ）〜図８（Ｃ）に示す平坦化ステップ、改質面形成ステップ、剥離ステップを次々と繰り返してインゴット１０から複数枚のウェーハ４０を製造する。   A plurality of wafers 40 are manufactured from the ingot 10 by repeating the flattening step, the modified surface forming step, and the peeling step shown in FIGS. 8A to 8C one after another.

１０ 単結晶インゴット
１０ａ 上面
１０ｂ 下面
１０ｃ 基準面
１２ 中心軸
１４ 結晶軸
１６ 分離面方向
２６ 研削ホイール
３４ レーザビーム照射ヘッド
３５ レーザビーム
３６ 改質面
３８ 剥離手段
４０ ウェーハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Single crystal ingot 10a Upper surface 10b Lower surface 10c Reference surface 12 Center axis 14 Crystal axis 16 Separation surface direction 26 Grinding wheel 34 Laser beam irradiation head 35 Laser beam 36 Modification surface 38 Stripping means 40 Wafer

Claims (4)

インゴットを分離してウェーハを製造するウェーハの製造方法であって、
インゴットの結晶軸を検出して該結晶軸に対して所定角度傾斜した分離面方向を設定する結晶軸検出ステップと、
該結晶軸検出ステップを実施した後、インゴットの上面を該分離面方向と平行に平坦化する平坦化ステップと、
該平坦化ステップを実施した後、レーザビームの集光点をインゴットの内部に位置付けて平坦化されたインゴットの該上面からレーザビームを照射して、該分離面方向に沿った改質面をインゴット内部に形成する改質面形成ステップと、
該改質面形成ステップを実施した後、該改質面を境界にインゴットの上面側を分離してウェーハを製造する剥離ステップと、
を備えたことを特徴とするウェーハの製造方法。 A wafer manufacturing method for manufacturing a wafer by separating an ingot,
A crystal axis detection step of detecting a crystal axis of the ingot and setting a separation plane direction inclined by a predetermined angle with respect to the crystal axis;
After performing the crystal axis detection step, flattening step of flattening the upper surface of the ingot parallel to the direction of the separation surface;
After performing the flattening step, the laser beam is irradiated from the top surface of the flattened ingot with the focal point of the laser beam positioned inside the ingot, and the modified surface along the separation surface direction is ingot. A modified surface forming step formed inside;
After performing the modified surface forming step, a separation step of manufacturing a wafer by separating the upper surface side of the ingot with the modified surface as a boundary;
A method for producing a wafer, comprising: 前記結晶軸検出ステップを実施した後、前記平坦化ステップを実施する前に、インゴットの該上面の背面である下面を研削して該分離面方向に平行な基準面を形成する基準面形成ステップを更に備え、
該平坦化ステップと該改質面形成ステップは、インゴットの該基準面側を保持手段で保持した状態で実施される、請求項１記載のウェーハの製造方法。 After performing the crystal axis detecting step and before performing the flattening step, a reference surface forming step of grinding a lower surface which is the back surface of the upper surface of the ingot to form a reference surface parallel to the separation surface direction. In addition,
The method for manufacturing a wafer according to claim 1, wherein the planarizing step and the modified surface forming step are performed in a state where the reference surface side of the ingot is held by a holding unit. 前記剥離ステップを実施した後、該剥離ステップで分離されて製造されたウェーハの該改質面側を研削又は研磨してウェーハに残存する該改質面を除去する除去ステップを更に備えた請求項１又は２記載のウェーハの製造方法。   The method further comprises a removing step of removing the modified surface remaining on the wafer by grinding or polishing the modified surface side of the wafer separated and manufactured in the separating step after performing the stripping step. 3. A method for producing a wafer according to 1 or 2. 前記剥離ステップを実施した後、インゴットの該改質面側を上面として前記平坦化ステップと、前記改質面形成ステップと、前記剥離ステップと、を繰り返して実施する請求項１〜３の何れかに記載のウェーハの製造方法。   4. The method according to claim 1, wherein after performing the peeling step, the planarization step, the modified surface forming step, and the peeling step are repeatedly performed with the modified surface side of the ingot as an upper surface. A method for producing the wafer according to 1.
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160119718A (en) * 2015-04-06 2016-10-14 가부시기가이샤 디스코 Wafer producing method
KR20160119716A (en) * 2015-04-06 2016-10-14 가부시기가이샤 디스코 Wafer producing method
KR20160123224A (en) * 2015-04-15 2016-10-25 가부시기가이샤 디스코 Method of separating thin plate
CN106041294A (en) * 2015-04-06 2016-10-26 株式会社迪思科 Wafer producing method
JP2016207703A (en) * 2015-04-15 2016-12-08 株式会社ディスコ Wafer production method
JP2017005008A (en) * 2015-06-05 2017-01-05 株式会社ディスコ Wafer production method
KR20170009748A (en) * 2015-07-16 2017-01-25 가부시기가이샤 디스코 Wafer producing method
JP2017022283A (en) * 2015-07-13 2017-01-26 株式会社ディスコ POLYCRYSTALLINE SiC WAFER GENERATING METHOD
JP2017189870A (en) * 2016-04-11 2017-10-19 株式会社ディスコ Method of wafer production and method of detecting actual second orientation flat
CN109382921A (en) * 2017-08-04 2019-02-26 株式会社迪思科 The generation method of silicon wafer
KR20190059206A (en) * 2017-11-22 2019-05-30 가부시기가이샤 디스코 METHOD OF SHAPING SiC INGOT
DE102022214183A1 (en) 2021-12-28 2023-06-29 Disco Corporation HOLDING TABLE ASSEMBLY AND MACHINING PROCESS

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109080012A (en) * 2018-08-23 2018-12-25 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 Crystal orientation angle correction method

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010021398A (en) * 2008-07-11 2010-01-28 Disco Abrasive Syst Ltd Method of treating wafer
JP2010529945A (en) * 2007-06-25 2010-09-02 サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド Method for reorienting the crystal orientation of a single crystal
WO2012108055A1 (en) * 2011-02-10 2012-08-16 信越ポリマー株式会社 Monocrystalline substrate production method and monocrystalline member with modified layer formed therein

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010529945A (en) * 2007-06-25 2010-09-02 サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド Method for reorienting the crystal orientation of a single crystal
JP2010021398A (en) * 2008-07-11 2010-01-28 Disco Abrasive Syst Ltd Method of treating wafer
WO2012108055A1 (en) * 2011-02-10 2012-08-16 信越ポリマー株式会社 Monocrystalline substrate production method and monocrystalline member with modified layer formed therein

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016197698A (en) * 2015-04-06 2016-11-24 株式会社ディスコ Wafer generation method
JP2016197699A (en) * 2015-04-06 2016-11-24 株式会社ディスコ Wafer producing method
CN106041328B (en) * 2015-04-06 2019-08-16 株式会社迪思科 The generation method of chip
CN106041328A (en) * 2015-04-06 2016-10-26 株式会社迪思科 Wafer producing method
CN106041329B (en) * 2015-04-06 2019-08-16 株式会社迪思科 The generation method of chip
CN106041329A (en) * 2015-04-06 2016-10-26 株式会社迪思科 Wafer producing method
KR20160119716A (en) * 2015-04-06 2016-10-14 가부시기가이샤 디스코 Wafer producing method
JP2016197700A (en) * 2015-04-06 2016-11-24 株式会社ディスコ Wafer producing method
CN106041294A (en) * 2015-04-06 2016-10-26 株式会社迪思科 Wafer producing method
CN106041294B (en) * 2015-04-06 2019-08-16 株式会社迪思科 The generation method of chip
KR102354665B1 (en) 2015-04-06 2022-01-25 가부시기가이샤 디스코 Wafer producing method
KR102354661B1 (en) 2015-04-06 2022-01-24 가부시기가이샤 디스코 Wafer producing method
KR20160119718A (en) * 2015-04-06 2016-10-14 가부시기가이샤 디스코 Wafer producing method
KR102309388B1 (en) 2015-04-15 2021-10-05 가부시기가이샤 디스코 Method of separating thin plate
JP2016207703A (en) * 2015-04-15 2016-12-08 株式会社ディスコ Wafer production method
KR20160123224A (en) * 2015-04-15 2016-10-25 가부시기가이샤 디스코 Method of separating thin plate
TWI683737B (en) * 2015-06-05 2020-02-01 日商迪思科股份有限公司 Wafer generation method
JP2017005008A (en) * 2015-06-05 2017-01-05 株式会社ディスコ Wafer production method
JP2017022283A (en) * 2015-07-13 2017-01-26 株式会社ディスコ POLYCRYSTALLINE SiC WAFER GENERATING METHOD
KR20170009748A (en) * 2015-07-16 2017-01-25 가부시기가이샤 디스코 Wafer producing method
KR102432507B1 (en) 2015-07-16 2022-08-12 가부시기가이샤 디스코 Wafer producing method
JP2017189870A (en) * 2016-04-11 2017-10-19 株式会社ディスコ Method of wafer production and method of detecting actual second orientation flat
JP2019033134A (en) * 2017-08-04 2019-02-28 株式会社ディスコ Wafer generation method
CN109382921A (en) * 2017-08-04 2019-02-26 株式会社迪思科 The generation method of silicon wafer
JP2019096723A (en) * 2017-11-22 2019-06-20 株式会社ディスコ Molding method of sic ingot
KR20190059206A (en) * 2017-11-22 2019-05-30 가부시기가이샤 디스코 METHOD OF SHAPING SiC INGOT
TWI788466B (en) * 2017-11-22 2023-01-01 日商迪思科股份有限公司 Forming method of SiC ingot
KR102544303B1 (en) * 2017-11-22 2023-06-15 가부시기가이샤 디스코 METHOD OF SHAPING SiC INGOT
DE102022214183A1 (en) 2021-12-28 2023-06-29 Disco Corporation HOLDING TABLE ASSEMBLY AND MACHINING PROCESS

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