KR20230120994A - Method for manufacturing chip - Google Patents

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토모아키 스기야마
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

(과제) 링형 보강부를 제거할 때의 디바이스의 파손을 방지함과 함께, 웨이퍼로부터 제조되는 칩의 생산성을 향상시키는 것이 가능한 칩의 제조 방법을 제공한다.
(해결 수단) 링형 보강부를 제거하는 제거 단계에 앞서, 복수의 디바이스를 개편화하여 칩을 제조하는 개편화 단계를 실시한다. 즉, 링형 보강부와 복수의 디바이스의 칩이 분리된 상태에서 제거 단계를 실시한다. 그 때문에, 제거 단계에 있어서 링형 보강부에 가해지는 힘에서 기인하여 디바이스가 파손되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 웨이퍼의 디바이스 영역과 링형 보강부를 분리하기 위한 공정이 실시되지 않고, 링형 보강부를 제거함과 함께 복수의 디바이스의 칩을 제조한다. 그 때문에, 당해 공정을 포함하는 칩의 제조 방법과 비교하여, 칩의 생산성을 향상시키는 것이 가능하다.(Problem) To provide a chip manufacturing method capable of preventing damage to a device when removing a ring-shaped reinforcement part and improving productivity of a chip manufactured from a wafer.
(Solution Means) Prior to the removal step of removing the ring-shaped reinforcement part, a singulation step of manufacturing a chip by singulating a plurality of devices is performed. That is, the removing step is performed in a state in which the ring-shaped reinforcement part and the chips of the plurality of devices are separated. Therefore, it is possible to prevent the device from being damaged due to the force applied to the ring-shaped reinforcing portion in the removing step. Further, a process for separating the device region of the wafer and the ring-shaped reinforcement portion is not performed, and a plurality of device chips are manufactured while removing the ring-shaped reinforcement portion. Therefore, it is possible to improve the productivity of the chip compared to a chip manufacturing method including the process.

Description

칩의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING CHIP} Chip manufacturing method {METHOD FOR MANUFACTURING CHIP}

본 발명은, 복수의 디바이스가 형성되어 있는 디바이스 영역을 박화하고, 또한, 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 링형 보강부로서 잔존시키도록 오목부가 형성되어 있는 이면에, 환형 프레임에 외주 영역이 부착되어 있는 테이프의 중앙 영역이 부착되어 있는 웨이퍼로부터 칩을 제조하는 칩의 제조 방법에 관한 것이다.In the present invention, the device area in which a plurality of devices are formed is thinned, and the outer peripheral area is attached to the annular frame on the back surface where the concave portion is formed so that the outer peripheral area surrounding the device area remains as a ring-shaped reinforcing portion. It relates to a method for manufacturing a chip in which a chip is manufactured from a wafer to which a central region of a tape having been applied is adhered.

IC(Integrated Circuit) 등의 디바이스의 칩은, 휴대전화 및 퍼스널 컴퓨터 등의 각종 전자 기기에 있어서 불가결한 구성 요소이다. 이와 같은 칩은, 예를 들어, 표면 측에 복수의 디바이스가 형성되어 있는 디바이스 영역과 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 갖는 웨이퍼를, 복수의 디바이스의 경계를 따라 분할하는 것, 즉, 복수의 디바이스를 개편화하는 것에 의해 제조된다.BACKGROUND OF THE INVENTION Device chips such as ICs (Integrated Circuits) are indispensable components of various electronic devices such as mobile phones and personal computers. Such a chip divides a wafer having, for example, a device region in which a plurality of devices are formed on the surface side and an outer peripheral excess region surrounding the device region along the boundary of a plurality of devices, that is, a plurality of Manufactured by singularizing the device.

이 웨이퍼는, 제조되는 칩의 소형화를 목적으로 하여, 그 분할에 앞서 박화되는 경우가 있다. 웨이퍼를 박화하는 방법으로는, 예를 들어, 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블과, 이 유지 테이블의 상방에 설치되고, 또한, 원환형으로 이산되어 배치되어 있는 복수의 연삭 지석을 갖는 연삭 휠을 이용한 연삭을 들 수 있다. 이 연삭은, 일반적으로, 이하의 순서로 행해진다.This wafer may be thinned prior to division for the purpose of miniaturizing the chip to be manufactured. As a method of thinning the wafer, for example, grinding using a holding table for holding the wafer and a grinding wheel having a plurality of grinding wheels installed above the holding table and discretely disposed in an annular shape. can be heard This grinding is generally performed in the following procedure.

우선, 이면이 노출되도록 유지 테이블에서 웨이퍼를 유지한다. 계속해서, 연삭 휠을 회전시켰을 때의 복수의 연삭 지석의 궤적의 바로 아래에 웨이퍼의 이면의 중심이 위치되도록 유지 테이블을 이동시킨다. 계속해서, 연삭 휠과 유지 테이블의 쌍방을 회전시키면서, 복수의 연삭 지석과 웨이퍼의 이면이 접촉하도록 연삭 휠을 하강시킨다. 이에 의해, 웨이퍼의 이면 측이 연삭되어 웨이퍼가 박화된다.First, the wafer is held on the holding table so that the back side is exposed. Subsequently, the holding table is moved so that the center of the reverse side of the wafer is positioned immediately below the trajectories of the plurality of grinding stones when the grinding wheel is rotated. Subsequently, while rotating both the grinding wheel and the holding table, the grinding wheel is lowered so that the plurality of grinding wheels and the back surface of the wafer come into contact with each other. As a result, the back side of the wafer is ground and the wafer is thinned.

다만, 웨이퍼가 얇아지면 웨이퍼의 강성이 낮아져, 웨이퍼가 균열되기 쉬워진다. 따라서, 웨이퍼의 디바이스 영역을 박화하고, 또한, 외주 잉여 영역을 링형 보강부로서 잔존시키도록, 웨이퍼의 이면에 오목부를 형성하는 방법이 제안되어 있다. 이 방법에 있어서는, 웨이퍼의 반경보다 짧은 외경을 갖는 연삭 휠을 이용하여 상술한 바와 같이 웨이퍼의 이면 측을 연삭하는 것에 의해, 웨이퍼의 이면에 오목부를 형성한다.However, when the wafer becomes thin, the rigidity of the wafer is lowered, and the wafer is easily cracked. Therefore, a method of forming a concave portion on the back surface of a wafer has been proposed so as to thin the device area of the wafer and leave the outer peripheral excess area as a ring-shaped reinforcement portion. In this method, by grinding the back side of the wafer as described above using a grinding wheel having an outer diameter shorter than the radius of the wafer, a concave portion is formed on the back side of the wafer.

또한, 이 웨이퍼로부터 칩을 제조할 때에는 링형 보강부가 불필요해지기 때문에, 복수의 디바이스의 개편화에 앞서, 링형 보강부를 연삭에 의해 제거하는 경우가 있다. 다만, 링형 보강부를 연삭하면, 이 연삭에 의해 가해지는 힘에 기인하여, 링형 보강부와 연결되어 있는 디바이스 영역이 결락되거나, 또는, 이 디바이스 영역에 크랙이 신전되어, 디바이스 영역에 포함되는 디바이스가 파손될 우려가 있다.Further, since the ring-shaped reinforcement part becomes unnecessary when chips are manufactured from this wafer, there are cases where the ring-shaped reinforcement part is removed by grinding prior to uniting a plurality of devices. However, when the ring-shaped reinforcement part is ground, due to the force applied by the grinding, the device area connected to the ring-shaped reinforcement part is missing, or a crack is developed in the device area, and the device included in the device area There is a risk of damage.

이 점을 근거로 하여, 링형 보강부를 연삭에 의해 제거하기 전에, 디바이스 영역의 외주를 따라 웨이퍼를 분할하는 것에 의해 디바이스 영역과 링형 보강부를 분리하는 것이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이에 의해, 디바이스 영역에 포함되는 디바이스의 파손을 방지하는 것이 가능해진다.Based on this point, it is proposed to separate the device region and the ring-shaped reinforcement portion by dividing the wafer along the outer periphery of the device region before removing the ring-shaped reinforcement portion by grinding (see, for example, Patent Document 1). ). This makes it possible to prevent damage to devices included in the device area.

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2021-72353호Patent Document 1: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2021-72353

그러나, 박화되어 있는 디바이스 영역의 외주를 따라 웨이퍼를 분할하는 경우에는, 이 분할에 의해 가해지는 힘에 기인하여, 디바이스 영역에 포함되는 디바이스가 파손될 우려가 있다. 그 때문에, 이 분할은, 디바이스 영역에 대한 악영향을 피하기 위해 천천히 행해질 필요가 있다. 그 결과, 이 웨이퍼로부터 제조되는 칩의 생산성이 낮아진다.However, when the wafer is divided along the outer periphery of the thinned device region, there is a risk that the devices included in the device region may be damaged due to the force applied by the division. Therefore, this division needs to be done slowly in order to avoid an adverse effect on the device area. As a result, the productivity of chips manufactured from this wafer is lowered.

이 점을 감안하여, 본 발명의 목적은, 링형 보강부를 제거할 때의 디바이스의 파손을 방지함과 함께, 웨이퍼로부터 제조되는 칩의 생산성을 향상시키는 것이 가능한 칩의 제조 방법을 제공하는 것이다.In view of this point, an object of the present invention is to provide a chip manufacturing method capable of improving the productivity of chips manufactured from a wafer while preventing damage to the device when removing the ring-shaped reinforcement part.

본 발명에 의하면, 복수의 디바이스가 형성되어 있는 디바이스 영역을 박화하고, 또한, 상기 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 링형 보강부로서 잔존시키도록 오목부가 형성되어 있는 이면에, 환형 프레임에 외주 영역이 부착되어 있는 테이프의 중앙 영역이 부착되어 있는 웨이퍼로부터 칩을 제조하는 칩의 제조 방법으로서, 상기 웨이퍼를 상기 복수의 디바이스의 경계를 따라 가공하는 것에 의해 상기 복수의 디바이스를 개편화하여 상기 칩을 제조하는 개편화 단계와, 상기 개편화 단계 후, 회전하는 절삭 블레이드를 이용하여 상기 링형 보강부를 제거하는 제거 단계를 구비하는, 칩의 제조 방법이 제공된다.According to the present invention, the device area in which a plurality of devices are formed is thinned, and the outer circumferential area surrounding the device area is formed on the back surface where the concave portion is formed so that the outer circumference area surrounding the device area remains as a ring-shaped reinforcing portion. A chip manufacturing method in which a chip is manufactured from a wafer to which the central region of the attached tape is adhered, wherein the wafer is processed along the boundary of the plurality of devices to separate the plurality of devices to form the chip. A method for manufacturing a chip is provided, comprising a singulation step of manufacturing and, after the singulation step, a removing step of removing the ring-shaped reinforcement portion using a rotating cutting blade.

바람직하게는, 상기 개편화 단계에 있어서는, 회전하는 개편화용 절삭 블레이드 또는 상기 웨이퍼에 흡수되는 파장의 레이저 빔을 사용하여 상기 복수의 디바이스가 개편화된다.Preferably, in the singling step, the plurality of devices are singulated using a rotating singling cutting blade or a laser beam having a wavelength absorbed by the wafer.

본 발명에 있어서는, 링형 보강부를 제거하는 제거 단계에 앞서, 복수의 디바이스를 개편화하여 칩을 제조하는 개편화 단계가 실시된다. 즉, 본 발명에 있어서는, 링형 보강부와 복수의 디바이스의 칩이 분리된 상태에서 제거 단계가 실시된다. 그 때문에, 본 발명에서는, 제거 단계에서 링형 보강부에 가해지는 힘에 기인하여 디바이스가 파손되는 것을 방지할 수 있다.In the present invention, prior to the removal step of removing the ring-shaped reinforcement portion, a singulation step of manufacturing a chip by singulating a plurality of devices is performed. That is, in the present invention, the removing step is performed in a state in which the ring-shaped reinforcement part and the chips of the plurality of devices are separated. Therefore, in the present invention, it is possible to prevent the device from being broken due to the force applied to the ring-shaped reinforcement part in the removal step.

또한, 본 발명에 있어서는, 웨이퍼의 디바이스 영역과 링형 보강부를 분리하기 위한 공정이 실시되지 않고, 링형 보강부를 제거함과 함께 복수의 디바이스의 칩을 제조할 수 있다. 그 때문에, 본 발명에 있어서는, 당해 공정을 포함하는 칩의 제조 방법과 비교하여, 칩의 생산성을 향상시키는 것이 가능하다.Further, in the present invention, a process for separating the device region of the wafer and the ring-shaped reinforcement portion is not performed, and a plurality of device chips can be manufactured while removing the ring-shaped reinforcement portion. Therefore, in the present invention, it is possible to improve chip productivity compared to a chip manufacturing method including the process.

도 1(A)는, 웨이퍼를 포함하는 프레임 유닛의 일례를 모식적으로 도시하는 사시도이고, 도 1(B)는, 도 1(A)에 도시되는 프레임 유닛을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는, 프레임 유닛에 포함되는 웨이퍼로부터 칩을 제조하는 칩의 제조 방법의 일례를 모식적으로 도시하는 흐름도이다.
도 3(A)는, 개편화 단계의 일례를 모식적으로 도시하는 일부 단면 측면도이고, 도 3(B)는, 개편화 단계의 다른 예를 모식적으로 도시하는 일부 단면 측면도이다.
도 4(A), 도 4(B) 및 도 4(C)의 각각은, 제거 단계의 일례를 모식적으로 도시하는 일부 단면 측면도이다.
도 5(A) 및 도 5(B)의 각각은, 제거 단계의 다른 예를 모식적으로 도시하는 일부 단면 측면도이다.
FIG. 1(A) is a perspective view schematically showing an example of a frame unit including a wafer, and FIG. 1(B) is a cross-sectional view schematically showing the frame unit shown in FIG. 1(A).
2 is a flowchart schematically showing an example of a chip manufacturing method for manufacturing chips from wafers included in a frame unit.
Fig. 3(A) is a partial cross-sectional side view schematically showing an example of the singling out step, and Fig. 3(B) is a partial cross-sectional side view schematically showing another example of the singling out step.
Each of Fig. 4(A), Fig. 4(B) and Fig. 4(C) is a partial sectional side view schematically showing an example of the removing step.
Each of Fig. 5(A) and Fig. 5(B) is a partial sectional side view schematically showing another example of the removing step.

첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다. 도 1(A)는, 웨이퍼를 포함하는 프레임 유닛의 일례를 모식적으로 도시하는 사시도이고, 도 1(B)는, 도 1(A)에 도시되는 프레임 유닛을 모식적으로 도시하는 단면도이다. 도 1(A) 및 도 1(B)에 도시되는 프레임 유닛(11)은, 표면(13a)이 노출되어 있는 웨이퍼(13)를 갖는다.EMBODIMENT OF THE INVENTION With reference to accompanying drawing, embodiment of this invention is described. FIG. 1(A) is a perspective view schematically showing an example of a frame unit including a wafer, and FIG. 1(B) is a cross-sectional view schematically showing the frame unit shown in FIG. 1(A). The frame unit 11 shown in FIGS. 1(A) and 1(B) has a wafer 13 with an exposed surface 13a.

이 웨이퍼(13)는, 예를 들어, 실리콘(Si), 탄화실리콘(SiC) 또는 질화갈륨(GaN) 등의 단결정 반도체 재료로 이루어진다. 또한, 웨이퍼(13)는, 복수의 디바이스(15)가 형성되어 있는 디바이스 영역(13b)과, 디바이스 영역(13b)을 둘러싸는 외주 잉여 영역(13c)을 갖는다.This wafer 13 is made of, for example, a single crystal semiconductor material such as silicon (Si), silicon carbide (SiC) or gallium nitride (GaN). In addition, the wafer 13 has a device region 13b in which a plurality of devices 15 are formed, and an outer peripheral excess region 13c surrounding the device region 13b.

이 디바이스 영역(13b)에서는, 복수의 디바이스(15)의 경계가 격자형으로 설정되어 있고, 이 경계에 포함되는 복수의 직선형의 부분의 각각은 분할 예정 라인이라고도 불린다. 또한, 웨이퍼(13)의 이면(13d)에는, 디바이스 영역(13b)을 박화하여, 외주 잉여 영역(13c)을 링형 보강부(14)로서 잔존시키도록 오목부(13e)가 형성되어 있다.In this device area 13b, the boundary of a plurality of devices 15 is set in a lattice shape, and each of a plurality of linear portions included in this boundary is also called a division line. In addition, a concave portion 13e is formed on the back surface 13d of the wafer 13 so as to thin the device area 13b and leave the outer peripheral excess area 13c remaining as the ring-shaped reinforcement part 14 .

또한, 웨이퍼(13)의 이면(13d)에는, 오목부(13e)에 있어서 웨이퍼(13)에 간극 없이 밀착하도록, 웨이퍼(13)보다 직경이 큰 원판 형상의 테이프(17)의 중앙 영역이 부착되어 있다. 이 테이프(17)는, 예를 들어, 가요성을 갖는 필름형의 테이프 기재와, 이 테이프 기재의 웨이퍼(13) 측에 설치된 접착층(풀층)을 갖는다.Further, on the back surface 13d of the wafer 13, a disk-shaped tape 17 having a larger diameter than the wafer 13 is attached to the central region so as to adhere to the wafer 13 without a gap in the concave portion 13e. has been This tape 17 has, for example, a film-like tape base material having flexibility and an adhesive layer (glue layer) provided on the wafer 13 side of the tape base material.

그리고, 테이프 기재는, 폴리올레핀(PO), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리염화비닐(PVC) 또는 폴리스티렌(PS) 등으로 이루어진다. 또한, 접착층은, 자외선 경화형의 실리콘 고무, 아크릴계 재료 또는 에폭시계 재료 등으로 이루어진다.The tape substrate is made of polyolefin (PO), polyethylene terephthalate (PET), polyvinyl chloride (PVC) or polystyrene (PS). Further, the adhesive layer is made of an ultraviolet curable silicone rubber, an acrylic material, or an epoxy material.

또한, 테이프(17)의 외주 영역에는, 웨이퍼(13)의 직경보다 내경이 큰 환형 프레임(19)이 부착되어 있다. 이 환형 프레임(19)은, 예를 들어, 알루미늄 또는 스테인리스강 등의 금속 재료로 이루어진다.Further, an annular frame 19 having an inner diameter larger than the diameter of the wafer 13 is attached to the outer circumferential region of the tape 17 . This annular frame 19 is made of, for example, a metal material such as aluminum or stainless steel.

도 2는, 프레임 유닛(11)에 포함되는 웨이퍼(13)로부터 칩을 제조하는 칩의 제조 방법의 일례를 모식적으로 도시하는 흐름도이다. 이 방법에 있어서는, 우선, 웨이퍼(13)를 복수의 디바이스(15)의 경계를 따라 가공하는 것에 의해 복수의 디바이스(15)를 개편화하여 칩을 제조한다(개편화 단계: S1).FIG. 2 is a flowchart schematically showing an example of a chip manufacturing method in which chips are manufactured from the wafer 13 included in the frame unit 11 . In this method, first, the wafer 13 is processed along the boundary of the plurality of devices 15 so that a plurality of devices 15 are singulated to manufacture a chip (singleization step: S1).

도 3(A)는, 개편화 단계(S1)의 일례를 모식적으로 도시하는 일부 단면 측면도이다. 단적으로는, 도 3(A)에 있어서는, 절삭 장치에 있어서, 회전하는 절삭 블레이드(개편화용 절삭 블레이드)를 이용하여 복수의 디바이스(15)를 개편화하는 모습이 도시되어 있다.Fig. 3(A) is a partial sectional side view schematically showing an example of the singling step (S1). Simply put, in FIG. 3(A), in the cutting device, a state in which a plurality of devices 15 are singulated using a rotating cutting blade (cutting blade for singulation) is shown.

또한, 도 3(A)에 도시되는 X1축 방향 및 Y1축 방향은, 수평면 상에 있어서 서로 직교하는 방향이며, Z1축 방향은, X1축 방향 및 Y1축 방향의 각각과 직교하는 방향(연직 방향)이다.In addition, the X1-axis direction and the Y1-axis direction shown in FIG. 3(A) are directions orthogonal to each other on the horizontal plane, and the Z1-axis direction is a direction orthogonal to each of the X1-axis direction and the Y1-axis direction (vertical direction). )am.

도 3(A)에 도시되는 절삭 장치(2)는, 유지 테이블(4)을 구비한다. 이 유지 테이블(4)은, 웨이퍼(13)의 이면(13d)에 형성되어 있는 오목부(13e)의 직경보다 직경이 약간 짧은 원판 형상의 프레임(4a)을 갖는다.A cutting device 2 shown in FIG. 3(A) includes a holding table 4 . This holding table 4 has a disk-shaped frame 4a whose diameter is slightly shorter than the diameter of the concave portion 13e formed on the back surface 13d of the wafer 13 .

이 프레임(4a)은, 예를 들면 스테인리스 등의 금속 재료 또는 세라믹스로 이루어진다. 또한, 프레임(4a)은, 원판 형상의 바닥벽과, 이 바닥벽의 외주 영역으로부터 세워 설치하는 원통 형상의 측벽을 갖는다. 즉, 프레임(4a)의 상면 측에는, 바닥벽 및 측벽에 의해서 획정되는 원판 형상의 오목부가 형성되어 있다.The frame 4a is made of a metal material such as stainless steel or ceramics, for example. Further, the frame 4a has a disc-shaped bottom wall and a cylindrical side wall erected from an outer peripheral region of the bottom wall. That is, on the upper surface side of the frame 4a, a disk-shaped concave portion defined by the bottom wall and the side wall is formed.

그리고, 프레임(4a)의 상면 측에 형성되어 있는 오목부에는, 이 오목부의 직경과 대략 동일한 직경을 갖는 원판 형상의 포러스판(도시하지 않음)이 고정되어 있다. 이 포러스판은, 예를 들어 다공질 세라믹스로 이루어진다.In the concave portion formed on the upper surface side of the frame 4a, a disc-shaped porous plate (not shown) having a diameter substantially equal to the diameter of the concave portion is fixed. This porous plate is made of porous ceramics, for example.

또한, 유지 테이블(4)은, X1축 방향 이동 기구(도시하지 않음)와 연결되어 있다. 이 X1축 방향 이동 기구는, 예를 들어, 볼 나사와 모터를 포함한다. 그리고, 이 X1축 방향 이동 기구를 동작시키면, 유지 테이블(4)이 X1축 방향을 따라 이동한다.Further, the holding table 4 is coupled with an X1-axis direction moving mechanism (not shown). This X1-axis direction movement mechanism includes, for example, a ball screw and a motor. Then, when this X1-axis direction moving mechanism is operated, the holding table 4 moves along the X1-axis direction.

또한, 유지 테이블(4)은, 모터 등의 회전 구동원(도시하지 않음)과 연결되어 있다. 그리고, 이 회전 구동원을 동작시키면, 유지 테이블(4)의 상면의 중심을 통과하고, 또한, Z1축 방향을 따른 직선을 회전축으로 하여 유지 테이블(4)이 회전한다.Moreover, the holding table 4 is connected with a rotation drive source (not shown), such as a motor. Then, when this rotation drive source is operated, the holding table 4 rotates with the straight line passing through the center of the upper surface of the holding table 4 and along the Z1-axis direction as a rotational axis.

또한, 유지 테이블(4)의 포러스판은, 프레임(4a)의 바닥벽에 형성되어 있는 관통 구멍을 통해, 이젝터 등의 흡인원(도시하지 않음)과 연통한다. 그리고, 이 흡인원을 동작시키면, 포러스판의 상면 근방의 공간에 흡인력이 작용한다.Further, the porous plate of the holding table 4 communicates with a suction source (not shown) such as an ejector through a through hole formed in the bottom wall of the frame 4a. Then, when this suction source is operated, a suction force acts on the space near the upper surface of the porous plate.

또한, 유지 테이블(4)의 둘레에는, 유지 테이블(4)의 둘레 방향을 따라 대략 등간격으로 복수의 클램프(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 복수의 클램프의 각각은, 프레임 유닛(11)에 포함되는 환형 프레임(19)을 파지하여, 유지 테이블(4)의 상면보다 낮은 위치에 환형 프레임(19)을 고정하는 것이 가능하다.Further, around the holding table 4, a plurality of clamps (not shown) are provided at substantially equal intervals along the circumferential direction of the holding table 4. Each of the plurality of clamps can grip the annular frame 19 included in the frame unit 11 and fix the annular frame 19 at a position lower than the upper surface of the holding table 4 .

그리고, 프레임 유닛(11)이 절삭 장치(2)에 반입되면, 웨이퍼(13)의 이면(13d)에 형성되어 있는 오목부(13e)를 유지 테이블(4)의 상부에 감합시키도록 웨이퍼(13)가 테이프(17)를 통해 유지 테이블(4)에 재치된다.Then, when the frame unit 11 is loaded into the cutting device 2, the wafer 13 is fitted so that the concave portion 13e formed on the back surface 13d of the wafer 13 is fitted to the upper portion of the holding table 4. ) is placed on the holding table 4 via the tape 17.

이 때, 프레임 유닛(11)의 환형 프레임(19)은, 복수의 클램프에 의해 파지되어 유지 테이블(4)의 상면보다 낮은 위치에 고정된다. 또한, 이 상태로 유지 테이블(4)의 포러스판과 연통하는 흡인원을 동작시키면, 웨이퍼(13)가 테이프(17)를 통해 유지 테이블(4)에 유지된다.At this time, the annular frame 19 of the frame unit 11 is held by a plurality of clamps and fixed at a position lower than the upper surface of the holding table 4 . In this state, when the suction source communicating with the porous plate of the holding table 4 is operated, the wafer 13 is held on the holding table 4 via the tape 17.

유지 테이블(4)의 상방에는, 절삭 유닛(6)이 설치되어 있다. 이 절삭 유닛(6)은, Y1축 방향을 따라 연장되는 스핀들(6a)을 구비한다. 이 스핀들(6a)의 선단부에는, 절삭 블레이드(6b)가 장착되어 있다.A cutting unit 6 is installed above the holding table 4 . This cutting unit 6 has a spindle 6a extending along the Y1-axis direction. A cutting blade 6b is attached to the front end of the spindle 6a.

또한, 스핀들(6a)의 기단부는, 모터 등의 회전 구동원(도시하지 않음)에 연결되어 있다. 그리고, 이 회전 구동원을 동작시키면, Y축 방향을 따른 직선을 회전축으로 하여 스핀들(6a)과 함께 절삭 블레이드(6b)가 회전한다.Further, the proximal end of the spindle 6a is connected to a rotation drive source (not shown) such as a motor. Then, when this rotational drive source is operated, the cutting blade 6b rotates together with the spindle 6a using a straight line along the Y-axis direction as a rotational axis.

또한, 절삭 유닛(6)은, Y1축 방향 이동 기구(도시하지 않음) 및 Z1축 방향 이동 기구(도시하지 않음)와 연결되어 있다. Y1축 방향 이동 기구 및 Z1축 방향 이동 기구의 각각은, 예를 들어, 볼 나사와 모터를 포함한다. 그리고, Y1축 방향 이동 기구 및/또는 Z1축 방향 이동 기구를 동작시키면, 절삭 유닛(6)이 Y1축 방향 및/또는 Z1축 방향을 따라 이동한다.Further, the cutting unit 6 is coupled with a Y1-axis direction moving mechanism (not shown) and a Z1-axis direction moving mechanism (not shown). Each of the Y1-axis direction movement mechanism and the Z1-axis direction movement mechanism includes, for example, a ball screw and a motor. Then, when the Y1-axis direction movement mechanism and/or the Z1-axis direction movement mechanism are operated, the cutting unit 6 moves along the Y1-axis direction and/or the Z1-axis direction.

절삭 장치(2)에 있어서 개편화 단계(S1)를 실시할 때에는, 우선, 웨이퍼(13)에 형성되어 있는 복수의 디바이스(15)의 경계에 포함되는 직선형의 부분(분할 예정 라인)이 X1축 방향과 평행해지도록 유지 테이블(4)에 연결되어 있는 회전 구동원이 유지 테이블(4)을 회전시킨다.When performing the singling step (S1) in the cutting device 2, first, the linear portion (segmentation line) included in the boundary of the plurality of devices 15 formed on the wafer 13 is X1-axis. A rotation drive source connected to the holding table 4 rotates the holding table 4 so as to be parallel to the direction.

계속해서, X1축 방향과 평행한 분할 예정 라인이, 평면에서 보아, 절삭 블레이드(6b)로부터 보아 X1축 방향에 위치되도록, X1축 방향 이동 기구가 유지 테이블(4)의 위치를 조정하고, 또한/또는, Y1축 방향 이동 기구가 절삭 유닛(6)의 위치를 조정한다.Subsequently, the X1-axis direction movement mechanism adjusts the position of the holding table 4 so that the line to be divided parallel to the X1-axis direction is located in the X1-axis direction as viewed from the cutting blade 6b in plan view, and Or, the Y1-axis direction movement mechanism adjusts the position of the cutting unit 6.

계속해서, 웨이퍼(13)의 이면(13d)에 형성되어 있는 오목부(13e)의 바닥면보다 낮고, 또한, 유지 테이블(4)의 상면보다 높은 위치에 절삭 블레이드(6b)의 하단이 위치되도록, Z1축 방향 이동 기구가 절삭 유닛(6)을 승강시킨다.Subsequently, the lower end of the cutting blade 6b is positioned at a position lower than the bottom surface of the concave portion 13e formed on the back surface 13d of the wafer 13 and higher than the upper surface of the holding table 4, A movement mechanism in the Z1-axis direction moves the cutting unit 6 up and down.

계속해서, 절삭 블레이드(6b)를 회전시키도록, 스핀들(6a)의 기단부에 연결되어 있는 회전 구동원이 스핀들(6a)을 회전시킨다. 계속해서, 절삭 블레이드(6b)의 하단이 웨이퍼(13)의 X1축 방향에 있어서의 일단으로부터 타단까지를 통과하도록, X1축 방향 이동 기구가 유지 테이블(4)을 X1축 방향의 반대 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 분할 예정 라인에 있어서 웨이퍼(13)가 절삭되어 분할된다.Subsequently, the rotation drive source connected to the proximal end of the spindle 6a rotates the spindle 6a so as to rotate the cutting blade 6b. Subsequently, the X1-axis direction movement mechanism moves the holding table 4 in the opposite direction to the X1-axis direction so that the lower end of the cutting blade 6b passes from one end to the other end of the wafer 13 in the X1-axis direction. let it As a result, the wafer 13 is cut and divided along the division line.

바꾸어 말하면, 웨이퍼(13)를 관통하여, 바닥면에 있어서 테이프(17)가 노출되는 홈(11a)이 프레임 유닛(11)에 형성된다. 또한, 복수의 디바이스(15)의 경계 전체에 있어서 웨이퍼(13)가 분할될 때까지 상술한 공정을 반복한다. 이상에 의해, 개편화 단계(S1)가 완료된다.In other words, a groove 11a penetrating the wafer 13 and exposing the tape 17 on the bottom surface is formed in the frame unit 11 . Further, the above-described process is repeated until the wafer 13 is divided along the entire boundary of the plurality of devices 15 . With the above, the individualization step (S1) is completed.

또한, 개편화 단계(S1)의 구체예는 상술한 내용에 한정되지 않는다. 도 3(B)는, 개편화 단계(S1)의 다른 예를 모식적으로 도시하는 일부 단면 측면도이다. 단적으로는, 도 3(B)에 있어서는, 레이저 가공 장치에 있어서, 웨이퍼(13)에 흡수되는 파장의 레이저 빔을 사용하여 복수의 디바이스(15)를 개편화하는 모습이 도시되어 있다.In addition, specific examples of the individualization step (S1) are not limited to those described above. Fig. 3(B) is a partial sectional side view schematically showing another example of the singling step (S1). Simply put, in FIG. 3(B) , a state in which a plurality of devices 15 are separated into pieces using a laser beam having a wavelength absorbed by the wafer 13 in the laser processing apparatus is shown.

또한, 도 3(B)에 도시되는 X2축 방향 및 Y2축 방향은, 수평면 상에 있어서 서로 직교하는 방향이며, Z2축 방향은, X2축 방향 및 Y2축 방향의 각각과 직교하는 방향(연직 방향)이다.Note that the X2-axis direction and the Y2-axis direction shown in FIG. 3(B) are directions orthogonal to each other on a horizontal plane, and the Z2-axis direction is a direction orthogonal to each of the X2-axis direction and the Y2-axis direction (vertical direction). )am.

도 3(B)에 도시되는 레이저 가공 장치(8)는, 유지 테이블(10)을 구비한다. 이 유지 테이블(10)은, 도 3(A)에 도시되는 유지 테이블(4)과 동일한 구조를 갖는다. 즉, 유지 테이블(10)은, 원판 형상의 프레임(10a)과, 프레임(10a)의 상면 측에 형성되어 있는 오목부에 고정되어 있는 원판 형상의 포러스판을 포함한다.A laser processing device 8 shown in FIG. 3(B) includes a holding table 10 . This holding table 10 has the same structure as the holding table 4 shown in FIG. 3(A). That is, the holding table 10 includes a disk-shaped frame 10a and a disk-shaped porous plate fixed to a concave portion formed on the upper surface side of the frame 10a.

또한, 유지 테이블(10)은, X2축 방향 이동 기구(도시하지 않음) 및 Y2축 방향 이동 기구(도시하지 않음)와 연결되어 있다. X2축 방향 이동 기구 및 Y2축 방향 이동 기구의 각각은, 예를 들어, 볼 나사와 모터를 포함한다. 그리고, X2축 방향 이동 기구 및/또는 Y2축 방향 이동 기구를 동작시키면, 유지 테이블(10)이 X2축 방향 및/또는 Y2축 방향을 따라 이동한다.Further, the holding table 10 is coupled with an X2-axis direction moving mechanism (not shown) and a Y2-axis direction moving mechanism (not shown). Each of the X2-axis direction movement mechanism and the Y2-axis direction movement mechanism includes, for example, a ball screw and a motor. Then, when the X2-axis direction movement mechanism and/or the Y2-axis direction movement mechanism are operated, the holding table 10 moves along the X2-axis direction and/or the Y2-axis direction.

또한, 유지 테이블(10)은, 모터 등의 회전 구동원(도시하지 않음)과 연결되어 있다. 그리고, 이 회전 구동원을 동작시키면, 유지 테이블(10)의 상면의 중심을 통과하고, 또한, Z2축 방향을 따른 직선을 회전축으로 하여 유지 테이블(10)이 회전한다.In addition, the holding table 10 is coupled with a rotation drive source (not shown) such as a motor. Then, when this rotation drive source is operated, the holding table 10 rotates with the straight line passing through the center of the upper surface of the holding table 10 and along the Z2-axis direction as a rotational axis.

또한, 유지 테이블(10)의 포러스판은, 프레임(10a)의 바닥벽에 형성되어 있는 관통 구멍을 통해, 이젝터 등의 흡인원(도시하지 않음)과 연통한다. 그리고, 이 흡인원을 동작시키면, 포러스판의 상면 근방의 공간에 흡인력이 작용한다.Further, the porous plate of the holding table 10 communicates with a suction source (not shown) such as an ejector through a through hole formed in the bottom wall of the frame 10a. Then, when this suction source is operated, a suction force acts on the space near the upper surface of the porous plate.

또한, 유지 테이블(10)의 둘레에는, 유지 테이블(10)의 둘레 방향을 따라 대략 등간격으로 복수의 클램프(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 복수의 클램프의 각각은, 프레임 유닛(11)에 포함되는 환형 프레임(19)을 파지하여, 유지 테이블(10)의 상면보다 낮은 위치에 환형 프레임(19)을 고정하는 것이 가능하다.Further, around the holding table 10, a plurality of clamps (not shown) are provided at substantially equal intervals along the circumferential direction of the holding table 10. Each of the plurality of clamps can grip the annular frame 19 included in the frame unit 11 and fix the annular frame 19 at a position lower than the upper surface of the holding table 10 .

그리고, 프레임 유닛(11)이 레이저 가공 장치(8)에 반입되면, 웨이퍼(13)의 이면(13d)에 형성되어 있는 오목부(13e)를 유지 테이블(10)의 상부에 감합시키도록 웨이퍼(13)가 테이프(17)를 통해 유지 테이블(10)에 재치된다.Then, when the frame unit 11 is loaded into the laser processing apparatus 8, the wafer ( 13) is placed on the holding table 10 via the tape 17.

이 때, 프레임 유닛(11)의 환형 프레임(19)은, 복수의 클램프에 의해 파지되어 유지 테이블(10)의 상면보다 낮은 위치에 고정된다. 또한, 이 상태로 유지 테이블(10)의 포러스판과 연통하는 흡인원을 동작시키면, 웨이퍼(13)가 테이프(17)를 통해 유지 테이블(10)에 유지된다.At this time, the annular frame 19 of the frame unit 11 is held by a plurality of clamps and fixed at a position lower than the upper surface of the holding table 10 . In this state, when the suction source communicating with the porous plate of the holding table 10 is operated, the wafer 13 is held on the holding table 10 via the tape 17.

유지 테이블(10)의 상방에는, 레이저 빔 조사 유닛의 헤드(12)가 설치되어 있다. 이 헤드(12)는, 집광 렌즈 및 미러 등의 광학계를 수용한다. 또한, 헤드(12)는, Z2축 방향 이동 기구(도시하지 않음)에 연결되어 있다. 이 Z2축 방향 이동 기구는, 예를 들어, 볼 나사 및 모터 등을 갖는다. 그리고, Z2축 방향 이동 기구를 동작시키면, 헤드(12)가 Z2축 방향을 따라 이동한다.Above the holding table 10, the head 12 of a laser beam irradiation unit is installed. This head 12 accommodates an optical system such as a condensing lens and a mirror. In addition, the head 12 is connected to a Z2-axis direction movement mechanism (not shown). This Z2-axis direction movement mechanism has, for example, a ball screw and a motor. Then, when the Z2-axis direction movement mechanism is operated, the head 12 moves along the Z2-axis direction.

또한, 레이저 빔 조사 유닛은, 웨이퍼(13)에 흡수되는 파장(예를 들어, 355nm)의 레이저 빔을 생성하는 레이저 발진기(도시하지 않음)를 갖는다. 이 레이저 발진기는, 예를 들어 레이저 매질로서 Nd:YAG 등을 갖는다. 그리고, 레이저 발진기에 의해 레이저 빔(LB)이 생성되면, 헤드(12)에 수용된 광학계를 통하여, 레이저 빔(LB)이 헤드(12)로부터 유지 테이블(10) 측으로 조사된다.In addition, the laser beam irradiation unit has a laser oscillator (not shown) that generates a laser beam having a wavelength (eg, 355 nm) that is absorbed by the wafer 13 . This laser oscillator has, for example, Nd:YAG or the like as a laser medium. Then, when the laser beam LB is generated by the laser oscillator, the laser beam LB is irradiated from the head 12 toward the holding table 10 through an optical system accommodated in the head 12 .

레이저 가공 장치(8)에 있어서 개편화 단계(S1)를 실시할 때에는, 먼저, 웨이퍼(13)에 형성되어 있는 복수의 디바이스(15)의 경계에 포함되는 직선형의 부분(분할 예정 라인)이 X2축 방향과 평행해지도록 유지 테이블(10)에 연결되어 있는 회전 구동원이 유지 테이블(10)을 회전시킨다.When the singling step (S1) is performed in the laser processing apparatus 8, first, a linear portion included in the boundary of the plurality of devices 15 formed on the wafer 13 (segmentation line) is X2 A rotation drive source connected to the holding table 10 to be parallel to the axial direction rotates the holding table 10 .

계속해서, X2축 방향과 평행한 분할 예정 라인이, 평면에서 보아, 헤드(12)의 중심에서 보아 X2축 방향에 위치되도록, X2축 방향 이동 기구 및/또는 Y2축 방향 이동 기구가 유지 테이블(10)의 위치를 조정한다. 계속해서, 헤드(12)로부터 조사되는 레이저 빔(LB)의 집광점이 웨이퍼(13)의 표면(13a)과 대략 같은 높이에 위치되도록, Z2축 방향 이동 기구가 헤드(12)를 승강시킨다.Subsequently, the X2-axis direction moving mechanism and/or the Y2-axis direction moving mechanism are provided on the holding table ( 10) Adjust the position. Subsequently, the Z2-axis direction movement mechanism moves the head 12 up and down so that the converging point of the laser beam LB irradiated from the head 12 is positioned at substantially the same height as the surface 13a of the wafer 13 .

계속해서, 헤드(12)로부터 웨이퍼(13)를 향하여 레이저 빔(LB)을 조사하면서, 레이저 빔(LB)이 웨이퍼(13)의 X2축 방향에 있어서의 일단으로부터 타단까지를 통과하도록, X2축 방향 이동 기구가 유지 테이블(10)을 X2축 방향의 반대 방향으로 이동시킨다. 이것에 의해, 분할 예정 라인에 있어서 레이저 어블레이션이 생겨 웨이퍼(13)가 분할된다.Subsequently, while irradiating the laser beam LB from the head 12 toward the wafer 13, the laser beam LB passes through the wafer 13 from one end to the other end in the X2 axis direction, so that the laser beam LB passes through the wafer 13 in the X2 axis direction. The directional movement mechanism moves the holding table 10 in the opposite direction to the X2 axis direction. As a result, laser ablation occurs in the line to be divided, and the wafer 13 is divided.

바꾸어 말하면, 웨이퍼(13)를 관통하여, 바닥면에 있어서 테이프(17)가 노출되는 홈(11a)이 프레임 유닛(11)에 형성된다. 또한, 복수의 디바이스(15)의 경계 전체에 있어서 웨이퍼(13)가 분할될 때까지 상술한 공정을 반복한다. 이상에 의해, 개편화 단계(S1)가 완료된다.In other words, a groove 11a penetrating the wafer 13 and exposing the tape 17 on the bottom surface is formed in the frame unit 11 . Further, the above-described process is repeated until the wafer 13 is divided along the entire boundary of the plurality of devices 15 . With the above, the individualization step (S1) is completed.

상술한 바와 같이 개편화 단계(S1)가 실시되면, 웨이퍼(13)의 링형 보강부(14)가 복수의 디바이스(15)의 칩으로부터 분리된다. 그리고, 도 2에 도시하는 방법에 있어서는, 개편화 단계(S1) 후, 회전하는 절삭 블레이드를 이용하여 링형 보강부(14)를 제거한다(제거 단계: S2).As described above, when the singulation step (S1) is performed, the ring-shaped reinforcement portion 14 of the wafer 13 is separated from the chips of the plurality of devices 15. Then, in the method shown in Fig. 2, after the singling step (S1), the ring-shaped reinforcement part 14 is removed using a rotating cutting blade (removing step: S2).

도 4(A), 도 4(B) 및 도 4(C)의 각각은, 제거 단계(S2)의 일례를 모식적으로 도시하는 일부 단면 측면도이다. 단적으로는, 도 4(A), 도 4(B) 및 도 4(C)에 있어서는, 회전하는 절삭 블레이드(제거용 절삭 블레이드)의 외주면을 링형 보강부(14)의 상면에 접촉시키는 것에 의해 링형 보강부(14)를 제거하는 모습이 도시되어 있다.Each of Fig. 4(A), Fig. 4(B) and Fig. 4(C) is a partial sectional side view schematically showing an example of the removal step (S2). Simply put, in FIGS. 4(A), 4(B) and 4(C), the outer peripheral surface of the rotating cutting blade (removing cutting blade) is brought into contact with the upper surface of the ring-shaped reinforcement part 14 to form a ring shape. The appearance of removing the reinforcement part 14 is shown.

이 제거 단계(S2)는, 예를 들어, 도 3(A)에 도시되는 절삭 장치(2)에 있어서 실시된다. 또한, 절삭 장치(2)에 있어서는, 제거 단계(S2)의 실시에 앞서, 스핀들(6a)의 선단부에 절삭 블레이드(개편화용 절삭 블레이드)(6b) 대신에 절삭 블레이드(제거용 절삭 블레이드)(6c)가 장착되어 있다.This removal step (S2) is performed in the cutting device 2 shown in FIG. 3(A), for example. In addition, in the cutting device 2, prior to the removal step S2, a cutting blade (cutting blade for removal) 6c instead of a cutting blade (cutting blade for singling) 6b is placed at the front end of the spindle 6a. ) is installed.

이 절삭 블레이드(6c)는, 절삭 블레이드(6b)보다 날 두께(Y1축 방향을 따른 폭)가 크다. 예를 들어, 절삭 블레이드(6c)의 날 두께는, 웨이퍼(13)의 직경 방향을 따른 링형 보강부(14)의 폭보다 약간 크다.This cutting blade 6c has a larger blade thickness (width along the Y1-axis direction) than the cutting blade 6b. For example, the blade thickness of the cutting blade 6c is slightly larger than the width of the ring-shaped reinforcement portion 14 along the radial direction of the wafer 13 .

절삭 장치(2)에 있어서 제거 단계(S2)를 실시할 때에는, 우선, 링형 보강부(14)의 Y1축 방향에 있어서의 일단의 상방에 절삭 블레이드(6c)를 위치시키도록, X1축 방향 이동 기구가 유지 테이블(4)의 위치를 조정하고, 또한/또는, Y1축 방향 이동 기구가 절삭 유닛(6)의 위치를 조정한다(도 4(A) 참조).When performing the removing step S2 in the cutting device 2, first, move the X1-axis direction so as to position the cutting blade 6c above one end in the Y1-axis direction of the ring-shaped reinforcement part 14. The mechanism adjusts the position of the holding table 4, and/or the Y1-axis direction movement mechanism adjusts the position of the cutting unit 6 (see FIG. 4(A)).

계속해서, 절삭 블레이드(6c)를 회전시키도록, 스핀들(6a)의 기단부에 연결되어 있는 회전 구동원이 스핀들(6a)을 회전시킨다. 계속해서, 절삭 블레이드(6c)를 회전시킨 채로, 절삭 블레이드(6c)의 외주면이 테이프(17)에 접촉할 때까지, Z1축 방향 이동 기구가 절삭 유닛(6)을 하강시킨다(도 4(B) 참조).Subsequently, a rotation driving source connected to the proximal end of the spindle 6a rotates the spindle 6a so as to rotate the cutting blade 6c. Subsequently, with the cutting blade 6c being rotated, the Z1-axis direction moving mechanism lowers the cutting unit 6 until the outer peripheral surface of the cutting blade 6c contacts the tape 17 (FIG. 4(B) ) reference).

이에 의해, 절삭 블레이드(6c)가 링형 보강부(14)에 절입되어, 링형 보강부(14)의 Y1축 방향에 있어서의 일단이 제거된다. 계속해서, 절삭 블레이드(6c)를 회전시킨 채로, 프레임 유닛(11)을 적어도 1회전시키도록, 유지 테이블(4)에 연결되어 있는 회전 구동원이 유지 테이블(4)을 회전시킨다(도 4(C) 참조).As a result, the cutting blade 6c is cut into the ring-shaped reinforcement portion 14, and one end of the ring-shaped reinforcement portion 14 in the Y1-axis direction is removed. Subsequently, the rotation drive source connected to the holding table 4 rotates the holding table 4 so as to rotate the frame unit 11 at least once while rotating the cutting blade 6c (Fig. 4(C) ) reference).

이에 의해, 링형 보강부(14)의 전부가 제거된다. 또한, 제거 단계(S2)의 구체예는 상술한 내용에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제거 단계(S2)에 있어서는, 유지 테이블(4)을 회전시키면서, 절삭 블레이드(6c)를 링형 보강부(14)에 절입시켜도 좋다.Thereby, all of the ring-shaped reinforcement part 14 is removed. In addition, the specific example of the removal step (S2) is not limited to the above-described content. For example, in the removal step S2, the cutting blade 6c may be cut into the ring-shaped reinforcement part 14 while the holding table 4 is rotated.

또한, 제거 단계(S2)에 있어서는, 회전하는 절삭 블레이드(6c)를 이용한 연삭에 의해 링형 보강부(14)를 제거하여도 좋다. 도 5(A) 및 도 5(B)의 각각은, 이러한 제거 단계(S2)의 일례를 모식적으로 도시하는 일부 단면 측면도이다.In the removal step S2, the ring-shaped reinforcement portion 14 may be removed by grinding using the rotating cutting blade 6c. Each of Fig. 5(A) and Fig. 5(B) is a partial sectional side view schematically showing an example of such a removal step (S2).

이와 같이 제거 단계(S2)를 실시할 때에는, 우선, 절삭 블레이드(6c)가, 평면에서 보아, 링형 보강부(14)의 Y1축 방향에서의 일단에서 보아 Y1축 방향에 위치되도록, X1축 방향 이동 기구가 유지 테이블(4)의 위치를 조정하고, 또한/또는, Y1축 방향 이동 기구가 절삭 유닛(6)의 위치를 조정한다.When performing the removal step S2 in this way, first, the cutting blade 6c is positioned in the Y1-axis direction as viewed from one end in the Y1-axis direction of the ring-shaped reinforcing portion 14 as viewed from a plane, in the X1-axis direction. The movement mechanism adjusts the position of the holding table 4, and/or the Y1-axis direction movement mechanism adjusts the position of the cutting unit 6.

계속해서, 절삭 블레이드(6c)의 하단이 링형 보강부(14)의 하면과 대략 같은 높이에 위치되도록, Z1축 방향 이동 기구가 절삭 유닛(6)을 승강시킨다(도 5(A) 참조). 계속해서, 절삭 블레이드(6c) 및 프레임 유닛(11)의 쌍방을 회전시키도록, 스핀들(6a)의 기단부에 연결되어 있는 회전 구동원이 스핀들(6a)을 회전시키고, 또한, 유지 테이블(4)에 연결되어 있는 회전 구동원이 유지 테이블(4)을 회전시킨다.Subsequently, the Z1-axis moving mechanism moves the cutting unit 6 up and down so that the lower end of the cutting blade 6c is positioned at substantially the same height as the lower surface of the ring-shaped reinforcement part 14 (see FIG. 5(A)). Subsequently, the rotational driving source connected to the proximal end of the spindle 6a rotates the spindle 6a so as to rotate both the cutting blade 6c and the frame unit 11, and further rotates the holding table 4. A connected rotation drive source rotates the holding table 4.

계속해서, 절삭 블레이드(6c) 및 프레임 유닛(11)의 쌍방을 회전시킨 채로, 절삭 블레이드(6c)의 측면이 테이프(17)에 접촉할 때까지, Y1축 방향 이동 기구가 절삭 유닛(6)을 유지 테이블(4)에 접근시킨다(도 5(B) 참조). 이에 의해, 링형 보강부(14)의 전부가 절삭 블레이드(6c)에 의해 연삭되어 제거된다.Subsequently, with both the cutting blade 6c and the frame unit 11 being rotated, the Y1-axis direction movement mechanism moves the cutting unit 6 until the side surface of the cutting blade 6c contacts the tape 17. approach the holding table 4 (see Fig. 5(B)). Thereby, all of the ring-shaped reinforcement part 14 is ground and removed by the cutting blade 6c.

도 2에 도시하는 칩의 제조 방법에 있어서는, 링형 보강부(14)를 제거하는 제거 단계(S2)에 앞서, 복수의 디바이스(15)를 개편화하여 칩을 제조하는 개편화 단계(S1)가 실시된다. 즉, 이 방법에서는, 링형 보강부(14)와 복수의 디바이스(15)의 칩이 분리된 상태로 제거 단계(S2)가 실시된다. 그 때문에, 이 방법에서는, 제거 단계(S2)에서 링형 보강부(14)에 가해지는 힘에 기인하여 디바이스(15)가 파손되는 것을 방지할 수 있다.In the chip manufacturing method shown in FIG. 2, prior to the removal step (S2) of removing the ring-shaped reinforcement portion 14, a singularization step (S1) of manufacturing a chip by singularizing a plurality of devices 15 is performed. It is carried out. That is, in this method, the removing step S2 is performed in a state where the ring-shaped reinforcement part 14 and the chips of the plurality of devices 15 are separated. Therefore, in this method, it is possible to prevent the device 15 from being broken due to the force applied to the ring-shaped reinforcement part 14 in the removal step S2.

또한, 이 방법에서는, 웨이퍼(13)의 디바이스 영역(13b)과 링형 보강부(14)를 분리하기 위한 공정이 실시되지 않고, 링형 보강부(14)를 제거함과 함께 복수의 디바이스(15)의 칩을 제조할 수 있다. 그 때문에, 이 방법에 있어서는, 당해 공정을 포함하는 칩의 제조 방법과 비교하여, 칩의 생산성을 향상시키는 것이 가능하다.In addition, in this method, a process for separating the device region 13b of the wafer 13 and the ring-shaped reinforcement portion 14 is not performed, and the ring-shaped reinforcement portion 14 is removed and a plurality of devices 15 are removed. chips can be made. Therefore, in this method, it is possible to improve chip productivity compared to a chip manufacturing method including the step.

그 밖에, 상술한 실시 형태에 관련된 구조 및 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 적절히 변경하여 실시할 수 있다.In addition, the structures and methods related to the above-described embodiments can be appropriately changed and implemented without departing from the scope of the object of the present invention.

2: 절삭 장치
4: 유지 테이블(4a: 프레임)
6: 절삭 유닛 6(6a: 스핀들 6b, 6c: 절삭 블레이드)
8: 레이저 가공 장치
10: 유지 테이블(10a: 프레임)
11: 프레임 유닛(11a: 홈)
12: 헤드
13: 웨이퍼(13a : 표면, 13b : 디바이스 영역, 13c : 외주 잉여 영역)
(13d: 이면, 13e: 오목부)
14: 링형 보강부
15: 디바이스
17: 테이프
19: 환형 프레임
2: cutting device
4: holding table (4a: frame)
6: cutting unit 6 (6a: spindle 6b, 6c: cutting blade)
8: laser processing device
10: holding table (10a: frame)
11: frame unit (11a: home)
12: head
13: wafer (13a: surface, 13b: device area, 13c: outer peripheral excess area)
(13d: back side, 13e: concave portion)
14: ring-shaped reinforcement
15: device
17: tape
19: annular frame

Claims (2)

복수의 디바이스가 형성되어 있는 디바이스 영역을 박화하고, 또한, 상기 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 링형 보강부로서 잔존시키도록 오목부가 형성되어 있는 이면에, 환형 프레임에 외주 영역이 부착되어 있는 테이프의 중앙 영역이 부착되어 있는 웨이퍼로부터 칩을 제조하는 칩의 제조 방법으로서,
상기 웨이퍼를 상기 복수의 디바이스의 경계를 따라 가공하는 것에 의해 상기 복수의 디바이스를 개편화하여 상기 칩을 제조하는 개편화 단계와,
상기 개편화 단계 후, 회전하는 절삭 블레이드를 이용하여 상기 링형 보강부를 제거하는 제거 단계
를 구비하는, 칩의 제조 방법.A tape having an outer peripheral region attached to an annular frame on the back surface on which a concave portion is formed so as to thin a device region in which a plurality of devices are formed, and to leave an excess peripheral region surrounding the device region as a ring-shaped reinforcing portion. A chip manufacturing method for manufacturing a chip from a wafer to which a central region of is attached, comprising:
a singulation step of manufacturing the chip by singulating the plurality of devices by processing the wafer along the boundary of the plurality of devices;
After the singling step, a removing step of removing the ring-shaped reinforcement part using a rotating cutting blade.
A method for manufacturing a chip comprising a. 제1항에 있어서,
상기 개편화 단계에 있어서는, 회전하는 개편화용 절삭 블레이드 또는 상기 웨이퍼에 흡수되는 파장의 레이저 빔을 사용하여 상기 복수의 디바이스가 개편화되는 것인, 칩의 제조 방법.
According to claim 1,
In the singling step, the plurality of devices are singulated using a rotating singling cutting blade or a laser beam having a wavelength absorbed by the wafer.
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