JP2023116523A - パッドコンディショナカット速度監視 - Google Patents

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Abstract

【課題】本開示は、化学機械研磨におけるパッドコンディショナによる研磨パッドを通るカット速度の監視に関する。【解決手段】化学機械研磨のための装置は、研磨パッドを支持するための表面を有するプラテンと、前記研磨パッドの研磨面に対して基板を保持するためのキャリアヘッドと、前記研磨面に対してコンディショニングディスクを保持するためのパッドコンディショナと、インシトゥ研磨パッド厚さ監視システムと、前記監視システムから信号を受信し、前記信号からパッドカット速度の測定量を生成し、前記信号から前記パッドカット速度の変動性の測定量を決定するように構成されたコントローラと、を備える。【選択図】図1B

Description

本開示は、化学機械研磨におけるパッドコンディショナによる研磨パッドを通るカット速度の監視に関する。
集積回路は、典型的には、シリコンウェハ上に導電層、半導電層、または絶縁層を順次堆積させることによって、基板上に形成される。種々の製造プロセスが、基板上の層の平坦化を必要とする。例えば、1つの製造工程は、パター二ングされた絶縁層上に導電性充填層を堆積させて、絶縁層のトレンチまたは孔を充填することを含む。次に、充填層は、絶縁層の隆起パターンが露出するまで研磨される。平坦化後、絶縁層の隆起パターン間に残る導電性充填層の部分は、基板上の薄膜回路間に導電経路を提供するビア、プラグおよびラインを形成する。
化学機械研磨(CMP)は、平坦化の1つの受け入れられている方法である。この平坦化方法は、典型的には、基板がキャリアヘッドに載せられることを必要とする。基板の露出面が、回転する研磨パッドに対して配置される。キャリアヘッドは、基板を研磨パッドに押し付けるように、基板に制御可能な荷重を与える。研磨液、例えば研磨粒子を有するスラリーが、研磨パッドの表面に供給される。
CMPプロセスが、ある期間実行された後、研磨パッドの表面は、基板および/または研磨パッドから除去されたスラリー副生成物および/または材料の蓄積により、グレージングされることがある。グレージングは、研磨速度を低下させたり、基板上の不均一性を増加させたりする。
典型的には、研磨パッドは、パッドコンディショナでコンディショニングするプロセスによって、所望の表面粗さで維持される(そして、グレージングが回避される)。パッドコンディショナは、研磨パッド上の不要な蓄積物を除去し、研磨パッドの表面を望ましいアスペリティに再生するために使用される。典型的なパッドコンディショナは、研磨コンディショナディスクを含む。このようなコンディショナディスクには、例えば、研磨パッド表面に対してこすられてパッドに再び粗さを持たせることができるダイヤモンド研磨粒子を埋め込むことができる。しかしながら、コンディショニングプロセスもまた、研磨パッドを摩耗させる傾向がある。その結果、研磨およびコンディショニングの一定数のサイクルの後に、研磨パッドを交換する必要がある。
化学機械研磨のための装置は、研磨パッドを支持するための表面を有するプラテンと、研磨パッドの研磨面に対して基板を保持するためのキャリアヘッドと、研磨面に対してコンディショニングディスクを保持するためのパッドコンディショナと、インシトゥ(その場)研磨パッド厚さ監視システムと、コントローラとを含む。コントローラは、複数のコンディショナディスク製品の各々をそれぞれの閾値に関連付けるデータを記憶し、複数のコンディショナディスク製品からコンディショナディスク製品を選択する入力を受信し、選択されたコンディショナディスク製品に関連付けられた特定の閾値を決定し、監視システムから信号を受信し、信号からパッドカット速度の測定量を生成し、パッドカット速度が特定の閾値を下回った場合に警告を生成するように、構成される。
いくつかの実施態様は、以下の利点の1つ以上を含むことができる。研磨パッドの厚さを決定することができ、研磨パッドを通るカット速度を監視することができる。カット速度が通常の速度から逸脱する場合、これは、コンディショナディスクの効果が低下していることを示すことができる。コンディショナディスクは、その効果が低下したときに交換することができ、それによって、パッドコンディショニングの均一性が改善され、基板の研磨速度が増加し、ウェハ内不均一性(WIWNU)および欠陥が減少する。コンディショニングディスクに対する圧力は、パッド摩耗速度が実質的に一定に維持されるように調整することができる。
1つ以上の実施態様の詳細が、添付の図面および以下の説明に記載される。他の態様、特徴、および利点は、説明および図面、ならびに特許請求の範囲から明らかになるであろう。
パッド層の厚さを検出するように構成されたセンサを含む化学機械研磨システムの概略側面図であり、部分断面図である。 パッド層の厚さを検出するためのセンサを含む化学機械研磨システムの別の実施態様の概略側面図であり、部分断面図である。 化学機械研磨システムの概略上面図である。 電磁誘導監視システムの駆動システムの概略回路図である。 プラテンの複数回転にわたってのセンサからの信号強度の例示的なグラフである。 経時的なパッドカット速度の例示的なグラフである。
種々の図面における同じ参照記号は、同じ要素を示す。
上述したように、コンディショニングプロセスもまた、研磨パッドを磨耗させる傾向がある。研磨パッドは、通常、スラリーを運ぶための溝を有し、パッドが摩耗するにつれて、これらの溝は、浅くなり、研磨効果が劣化する。その結果、研磨およびコンディショニングの一定数のサイクルの後に、研磨パッドを交換する必要がある。典型的には、これは、単に、決められた数の基板が研磨された後に、例えば500基板の後に、研磨パッドを交換することによって、行われる。
残念ながら、パッド摩耗の速度は、一貫している必要はなく、そのため、研磨パッドの寿命は、決められた数よりも多くなることも、少なくなることもあり、その結果、それぞれ、パッド寿命の浪費または不均一な研磨を生じる可能性がある。詳細には、研磨パッドの寿命にわたって、コンディショニングディスク上の研磨材、例えばダイヤモンドが、徐々に摩耗する。その結果、ディスクのコンディショニング効率は、経時的に低下する可能性がある。したがって、コンディショニングによって生成される表面テクスチャが、研磨パッドの寿命にわたって、またパッド間で変化し、劣化する可能性がある。これは、研磨挙動を変化させる。
同様に、コンディショナディスクが、経時的に効果を失う傾向がある。特に理論に限定されないが、コンディショナ上の研磨粒子もまた摩耗し、切れ味を失う。これにより、パッドコンディショナもまた、定期的に交換する必要がある。再度、これも、単に、決められた数の基板が研磨された後に、例えば1000基板の後に、コンディショニングディスクを交換することによって、行われる(パッドおよびコンディショニングディスクに対する交換速度は、消耗品および工程に依存する)。
研磨パッドの厚さは、例えば、コンディショナシステム、キャリアヘッドまたはプラテンに取り付けられたセンサを用いて、インシトゥ(その場)で測定することができる。測定されたパッドの厚さが閾値を下回った場合、研磨パッドを交換することができる。さらに、パッド厚さの測定値から、運転中のパッドのカット速度(パッド摩耗速度とも呼ばれる)を計算することができる。パッドカット速度の変動やノイズを監視できる。さらに、測定されたパッド磨耗速度が、閾値を下回る場合は、コンディショナディスクを交換することができる。
1つの難点は、厚さ測定が、かなりのノイズに曝される可能性があることである。ノイズに対するいくつかの寄与は、例えば、センサが研磨パッドの異なる部分の上を通過するので、周期的であり得る。ノイズへの別の寄与は、「ウェットアイドル」問題である。ウェットアイドル後に研磨システムが運転を開始するとき、誘導性センサは、研磨パッドの厚さを、不自然に大きいものとして測定する傾向がある。これにより、パッドカット速度の見積もりが不正確になる。
しかしながら、パッド厚さ測定値に予測フィルタ、例えばカルマンフィルタを適用することにより、このノイズを低減することができ、パッドの摩耗速度を、より正確に計算することができる。
図1Aは、化学機械研磨装置の研磨システム20の一例を示す。研磨システム20は、回転可能なディスク形状のプラテン24を含み、その上に研磨パッド30が位置している。プラテン24は、軸25の周りに回転するように動作可能である。例えば、モータ22は、駆動シャフト28を回転させて、プラテン24を回転させることができる。研磨パッド30は、外層34および柔らかいバッキング層32を有する2層研磨パッドとすることができる。
研磨システム20は、スラリーなどの研磨液38を研磨パッド30上に分配するために、供給ポートまたは結合された供給-リンスアーム39を含むことができる。
研磨システム20は、研磨パッド30を一貫した研磨状態に維持するために研磨パッド30を研磨する研磨パッドコンディショナ60も含むことができる。研磨パッドコンディショナ60は、基部と、研磨パッド30の上を横方向に掃引できるアーム62と、アーム64によって基部に接続されたコンディショナヘッド64とを含む。コンディショナヘッド64は、研磨面、例えばコンディショナヘッド64によって保持されたディスク66の下面を研磨パッド30に接触させて、それをコンディショニングする。研磨面は、回転可能とすることができ、研磨パッドに対する研磨面の圧力は、制御可能とすることができる。
いくつかの実施態様では、アーム62は、基部に旋回可能に取り付けられ、前後に掃引して、コンディショナヘッド64を、研磨パッド30を横切る振動掃引運動で移動させる。コンディショナヘッド64の運動は、キャリアヘッド70の運動と同期させて、衝突を防止することができる。
コンディショナヘッド64の垂直運動および研磨パッド30に対するコンディショニング面の圧力の制御は、コンディショナヘッド64の上方または中にある垂直アクチュエータ68、例えば、コンディショナヘッド64に下向きの圧力を加えるように配置された加圧可能なチャンバによって提供することができる。あるいは、垂直運動および圧力制御は、アーム62およびコンディショナヘッド64全体を持ち上げる基部内の垂直アクチュエータによって、またはアーム62の傾斜角、したがって研磨パッド30上のコンディショナヘッド64の高さを制御可能にする、アーム62と基部との間のピボット接続によって提供することができる。
コンディショナディスク66は、研磨粒子、例えばダイヤモンドグリットで被覆された金属ディスクとすることができる。詳細には、コンディショニングディスク66は、導電性本体であってもよい。
キャリアヘッド70は、基板10を研磨パッド30に対して保持するように動作可能である。キャリアヘッド70は、支持構造72、例えばカルーセルまたはトラックから吊り下げられており、キャリアヘッドが軸71の周りに回転できるように、駆動シャフト74によってキャリアヘッド回転モータ76に接続されている。任意選択で、キャリアヘッド70は、例えば、カルーセルもしくはトラック72上のスライダ上で、またはカルーセル自体の回転振動によって、横方向に振動することができる。動作中、プラテンは、その中心軸25の周りに回転し、キャリアヘッドは、その中心軸71の周りに回転し、研磨パッド30の上面を横切って横方向に平行移動する。
キャリアヘッド70は、基板10の裏面に接触する基板取り付け面を有する可撓性膜80と、基板10上の異なるゾーン、例えば、異なる半径方向ゾーンに異なる圧力を加える複数の加圧可能チャンバ82とを含むことができる。キャリアヘッドはまた、基板を保持するための保持リング84を含むことができる。
研磨システム20は、研磨パッドの厚さを表す信号を生成するインシトゥ研磨パッド厚さ監視システム100を含む。詳細には、インシトゥ研磨パッド厚さ監視システム100は、電磁誘導監視システムとすることができる。電磁誘導監視システムは、導電層内の渦電流の発生または導電ループ内の電流の発生のいずれかによって動作することができる。動作中、研磨システム20は、監視システム100を使用して、コンディショナディスクおよび/または研磨パッドを交換する必要があるか否かを決定することができる。
いくつかの実施態様では、監視システムは、プラテンの凹部26に取り付けられたセンサ102を含む。センサ102は、少なくとも部分的に凹部26内に配置された磁気コア104と、コア104の周囲に巻かれた少なくとも1つのコイル106とを含むことができる。駆動および感知回路108が、コイル106に電気的に接続される。駆動および感知回路108は、コントローラ90に送ることができる信号を生成する。
プラテン24の外側として図示されているが、駆動および感知回路48の一部または全てが、プラテン24内に取り付けられてもよい。ロータリカプラ29を使用して、回転可能なプラテン内の構成要素、例えばコイル106をプラテン外の構成要素、例えば駆動および感知回路108に電気的に接続することができる。
プラテン内にセンサ102を備えた誘導監視システムの場合、導電性本体130は、研磨パッド130の上面、すなわち研磨面に接触して配置される。したがって、導電性本体130は、センサ102から研磨パッド130の遠い側に位置する。いくつかの実施態様では、導電性本体は、コンディショナディスク66である(図1A参照)。いくつかの実施態様では、導電性本体130は、それを通る1つ以上の開口を有することができ、例えば、本体は、ループとすることができる。いくつかの実施態様では、導電性本体は、開口のない中実シートである。これらのいずれも、コンディショナディスク66の一部とすることができる。
プラテン24が回転すると、センサ102は、導電性本体130の下を掃引する。特定の頻度で回路108からの信号をサンプリングすることによって、監視システム100は、導電性本体130を横切る、例えばコンディショナディスク66を横切る複数の位置で測定値を生成する。各掃引について、1つ以上の位置での測定値を選択または組み合わせることができる。
図3を参照すると、コイル106は、磁場120を生成する。磁場120が導電性本体130に到達すると、磁場120は、通過して電流を生成することができ(例えば、本体130がループである場合)、および/または磁場は、渦電流を生成することができる(例えば、本体130がシートである場合)。これは、回路108によって測定することができる実効インピーダンスを生成し、したがって、研磨パッド30の厚さを表す信号を生成する。
駆動および感知回路108に対しては、種々の構成が可能である。例えば、駆動および感知回路108は、マージナル発振器を含むことができ、マージナル発振器が一定の振幅を維持するための駆動電流を、信号のために使用することができる。あるいは、駆動コイル106を一定の頻度で駆動し、感知コイルからの電流の振幅または位相(駆動発振器に対する)を信号のために使用することができる。
プラテン内のセンサの代わりに、またはプラテン内のセンサに加えて、図1Bに示すように、監視システム100は、研磨パッド30の上方に位置するセンサ102’を含むことができる。例えば、パッド厚さセンサ102’を、コンディショニングヘッド64内、コンディショナアーム62上、またはキャリアヘッド70上に配置することができる。センサ102’は、例えば、バネ103によって、研磨パッド30の研磨面34と接触するように偏位させることができる。また、研磨面34に接触するのではなく、センサ102’を研磨パッド30の上方に吊り下げることができる。例えば、センサ120’が、コンディショナアーム62から吊り下げられ、コンディショナヘッド64が、研磨パッド30上に載置される場合、センサ120’とプラテン24との間の距離は、研磨パッド30の厚さに依存するであろう。これらのいずれの場合も、生成される信号は、センサとプラテン24の導電性本体との距離に依存し、したがって、研磨パッド30の厚さに依存する。
パッド厚さセンサ102’はまた、電磁誘導監視システムであってもよい。この場合、センサ102’は、センサ102と同様であり得、磁気コア104と、コア104の周囲に巻かれた少なくとも1つのコイル106と、コイル106に電気的に接続された駆動および感知回路108とを含むことができる。コア104からの磁場120が、研磨パッドを通過し、下にある導電性本体、例えばプラテン24内に渦電流を発生させることができる。実効インピーダンスは、センサ102とプラテン24との間の距離に依存し、これが、回路108によって感知され、こうして、研磨パッド30の厚さの測定値を提供することができる。
あるいは、センサ102’は、接触プロフィロメータであってもよい。
センサ102が、研磨パッド30の上方に位置し、プラテン24までの距離を測定する場合、センサ102は、大幅な処理を必要としない実質的に連続した信号を生成するであろう。
けれども、センサ102が、プラテン24内に取り付けられ、プラテン24と共に回転して、導電性本体130までの距離を測定する場合、センサ102は、導電性本体130の下にない場合であっても、データを生成することができる。図4は、プラテン24の2回転の間の、センサ102からの「生」信号150を示す。プラテンの1回転は、期間Rで示される。
センサ102は、導電性本体130が近いほど(したがって、研磨パッド30が薄いほど)、信号強度が強くなるように構成することができる。図4に示すように、最初、センサ102は、キャリアヘッド70および基板10の下にあってよい。基板上の金属層は薄いので、領域152によって示される弱い信号のみを生成する。対照的に、センサ102が導電性本体130の下にある場合、センサ102は、領域154によって示される強い信号を生成する。それらの時間の間、センサ102は、領域156によって示される、さらに低い信号を生成する。
いくつかの技術を使用して、導電性本体130に対応しないセンサ102からの信号の部分を、フィルタ除去することができる。研磨システム20は、いつセンサ102が導電性本体120の下にあるかを感知する位置センサを含むことができる。例えば、光遮断器を固定位置に取り付けることができ、フラグをプラテン24の周囲に取り付けることができる。フラグの取り付け点および長さは、センサ102が基板導電性本体130の下を掃引していることを知らせるように選択される。別の例として、研磨システム20は、プラテン24の角度位置を決定するためのエンコーダを含むことができ、この情報を用いて、センサ102が導電性本体130の下をいつ掃引しているかを決定することができる。いずれの場合も、コントローラ90は、センサ102が導電性本体130の下にない期間からの信号の部分を除外することができる。センサ102’が研磨パッド30の上方にある場合には、同様の技術を使用して、センサ102’がプラテン24内の窓または他の凹部の上に位置していることに対応する信号の部分をフィルタ除去することができる。
あるいは、または加えて、コントローラは、単に、信号150を閾値T(図4参照)と比較し、閾値Tを満たさない、例えば、閾値Tを下回る信号の部分を除外することができる。
研磨パッド30を横切るコンディショナヘッド64の掃引のために、センサ102は、導電性本体130の中心の下をきれいに通過しないことがある。例えば、センサ102は、導電性本体の縁部に沿ってのみ通過してもよい。この場合、より少ない導電性材料が存在するので、信号強度は、例えば、信号150の領域158によって示されるように、より低くなり、研磨パッド30の厚さの信頼できる指標とはならない。閾値Tを満たさない信号の部分を除外することの利点は、コントローラ90もまた、導電性本体130の縁部に沿って通過するセンサ102によって引き起こされるこれらの信頼できない測定値を除外できることである。
いくつかの実施態様では、各掃引に対して、除外されない信号150の部分を平均化して、掃引における平均信号強度を生成することができる。
コントローラ90、例えば、汎用プログラマブルデジタルコンピュータが、インシトゥ研磨パッド厚さ監視システム100から信号を受け取り、この信号から研磨パッド30の厚さの測定量を生成するように構成することができる。上述のように、コンディショニングプロセスのために、研磨パッドの厚さは、経時的に、例えば、数十または数百の基板を研磨する間に変化する。したがって、複数の基板にわたって、インシトゥ研磨パッド厚さ監視システム100からの選択されたまたは組み合わされた測定値は、研磨パッド30の厚さの変化を示す値の時間的に変化するシーケンスを提供する。
センサ102の出力は、デジタル電子信号とすることができる(センサの出力がアナログ信号である場合、センサまたはコントローラ内のADCによってデジタル信号に変換することができる)。デジタル信号は、信号値のシーケンスで構成され、信号値間の期間は、センサのサンプリング周波数に依存する。信号値のこのシーケンスは、信号対時間曲線と呼ぶことができる。信号値のシーケンスは、一組の値Sとして表すことができる。
研磨パッドの厚さに対する信号強度の関係を確立するために、既知の厚さの研磨パッド(例えば、プロフィロメータ、ピンゲージ等によって測定されたもの)をプラテン上に配置し、信号強度を測定することができる。
いくつかの実施態様では、センサ102からの信号強度は、研磨層の厚さと線形関係である。この場合、値Th=SまたはTh=A*Sであり、ここで、Aは、既知の研磨パッド厚さのデータに関数をフィッティングさせる定数である。
しかし、センサ102からの信号強度は、研磨層の厚さと線形関係である必要はない。例えば、信号強度は、研磨層の厚さの指数関数であってもよい。
次に、厚さの指数関数をデータにフィッティングさせることができる。例えば、関数は、以下の形とすることができる。
Figure 2023116523000002
ここで、Sは信号強度であり、Thは研磨パッドの厚さであり、AおよびBは、既知の研磨パッドの厚さのデータに関数をフィッティングさせるように調整された定数である。
後に研磨に使用される研磨パッドについて、コントローラ90は、この関数を使用して、信号強度から研磨パッドの厚さを計算することができる。より詳細には、コントローラは、例えば、以下のような、信号強度の等価対数関数から研磨パッドの厚さThの測定量を生成するように構成することができる。
Figure 2023116523000003
しかしながら、他の関数、例えば、2次以上の多項式関数、またはポリラインが、使用されてもよい。こうして、信号値Sのシーケンスは、厚さ値Thのシーケンスに変換することができる。
上述のように、パッド厚さの測定値は、ノイズの影響を受ける。詳細には、新しい基板が研磨を開始するたびに、および研磨システムがウェットアイドルモードに入るたびに、ノイズが導入され得る。しかしながら、一連の厚さ測定値は、線形予測を組み込んだフィルタを使用して平滑化することができる。この同じフィルタを使用して、現在のパッドカット速度を計算できる。線形予測は、現在および過去のデータを使用して将来のデータを予測する統計的技法である。
コントローラ90はまた、信号からパッドカット速度の測定量を生成するように構成される。このパッドカット速度は、測定されたパッド厚さ値Sに線形関数を経時的にフィッティングすることによって計算することができる。例えば、関数は、ランニングウィンドウ、例えば最後のN個のウェハからの厚さ値にフィッティングさせることができ、ここで、Nは、オペレータが、瞬間的なカット速度により近いパッドカット速度を計算することを望むか、または平均的なパッドカット速度により近いパッドカット速度を計算することを望むかに応じて選択される。Nの値が小さいほど、ノイズに対して反応性が高い。Nの値が大きいほど、反応性は低いが、瞬間的ではない。いくつかの実施態様では、ランニングウィンドウは、最後の3~30回の測定である。例えば、ランニングウィンドウは、5~10回の測定とすることができる。
経時的なパッドカット速度の可能な例(グラフ線160)を図5に示す。このグラフは、(単一の基板の研磨内ではなく)複数の基板の研磨にわたるものであろう。図示するように、パッドカット速度160は、例えば新しいコンディショナディスクが取り付けられた後、最初はかなり平坦なままであり得る(領域162)。しかし、しばらくすると、コンディショナディスクが摩耗して切れ味を失うにつれて、パッドカット速度は、下がり始め得る(領域164)。
パッドカット速度160の測定量が、閾値T’を下回ると、コントローラ90は、コンディショニングディスク66を交換する必要があることを研磨システム20のオペレータに警告することができる。
いくつかの実施態様では、T’の値は、消耗品のセット(例えば、種々のコンディショニングディスク)に依存する。例えば、コントローラは、異なる値のT’を異なる消耗部品(例えば、異なるコンディショニングディスク)に関連付けるデータベースを記憶することができる。部品は、製造業者、ブランドおよび型式、または部品番号(例えば、SKU)によって指定することができる。オペレータが、新しいコンディショニングディスクを取り付けるときに、部品識別情報が、コントローラ190に入力されることができる。次に、コントローラ190は、入力された部品識別情報に基づいて閾値T’を自動的に設定することができる。
あるいは、または加えて、コントローラ90は、コンディショニングディスク66に対するコンディショナヘッド62からの下向きの力を調整して、一定の研磨パッド摩耗速度を維持することができる。摩耗速度は、コンディショニングディスク66に対する下向きの力に比例すると仮定することができる。
しかしながら、いくつかの状況では、パッドカット速度が閾値Tを下回る前であっても、パッドカット速度は、(例えば、領域166において)増加した変動性の期間を経験し得る。この変動性は、コンディショナディスクに関する問題または研磨プロセスにおける他の何らかの問題のいずれかを示すことができる。パッドカット速度における変動性(または経時的な不均一性)は、例えば、ランニングウィンドウにおけるパッドカット速度測定値、例えば最後のM個のパッドカット速度測定値の標準偏差を計算することによって決定することができる。ある実施態様では、変動性が閾値を超える場合、コントローラ90は、警告を生成することができる。これにより、オペレータは、コンディショニングディスクを交換したり、研磨システムの問題をチェックしたりすることができる。
研磨システム20が、インシトゥ基板監視システム40を含む場合、インシトゥ研磨パッド監視システム100は、第1の電磁誘導監視システム、例えば第1の渦電流監視システムとすることができ、基板監視システム40は、第2の電磁誘導監視システム、例えば第2の渦電流監視システムとすることができる。しかしながら、第1および第2の電磁誘導監視システムは、監視されている異なる要素のために、異なる共振周波数で構築されるであろう。
インシトゥ研磨パッド厚さ監視システムは、様々な研磨システムで使用することができる。研磨パッドもしくはキャリアヘッドのいずれか、または両方が移動して、研磨面と基板との間の相対運動を提供することができる。研磨パッドは、プラテンに固定された円形(または他の何らかの形状)のパッド、供給ローラーと巻き取りローラーの間に延びるテープ、または連続的なベルトとすることができる。研磨パッドは、プラテン上に固定することも、研磨作業と研磨作業の間にプラテン上で徐々に前進させることも、研磨中にプラテン上で連続的に駆動させることもできる。研磨中、パッドは、プラテンに固定されていてもよいし、研磨中、プラテンと研磨パッドとの間に流体ベアリングがあってもよい。研磨パッドは、標準的な(例えば、充填剤を含むまたは含まないポリウレタン)粗いパッド、柔らかいパッド、または固定砥粒パッドとすることができる。
さらに、前述の説明は、研磨中の監視に焦点を当てているが、研磨パッドの測定値は、基板が研磨される前または研磨された後、例えば、基板が研磨システムに移送されている間に得ることができる。
本発明の実施形態および本明細書で説明される機能動作の全てが、デジタル電子回路、またはコンピュータソフトウェア、ファームウェア、もしくはハードウェア(本明細書で開示される構造的手段およびその構造的等価物を含む)、またはそれらの組合せで実施することができる。本発明の実施形態は、1つ以上のコンピュータプログラム製品として、すなわち、プログラマブルプロセッサ、コンピュータ、または複数のプロセッサもしくはコンピュータなどのデータ処理装置による実行のために、またはその動作を制御するために、情報担体に、例えば、非一時的な機械可読記憶媒体中に、または伝搬信号中に有形に具現化された1つ以上のコンピュータプログラムとして実施することができる。コンピュータプログラム(プログラム、ソフトウェア、ソフトウェアアプリケーション、またはコードとも呼ばれる)は、コンパイル型言語またはインタプリタ型言語を含む任意の形式のプログラミング言語で記述することができ、スタンドアロンプログラムとして、またはコンピューティング環境での使用に適したモジュール、コンポーネント、サブルーチン、もしくはその他のユニットとしてなど、任意の形式で展開することができる。コンピュータプログラムは、必ずしもファイルに対応するわけではない。プログラムは、他のプログラムもしくはデータを保持するファイルの一部に、問題のプログラム専用の単一ファイルに、または複数の調和したファイル(例えば、1つ以上のモジュール、サブプログラム、もしくはコードの一部を格納するファイル)に格納することができる。コンピュータプログラムは、1つのコンピュータ上、または1つの場所の複数のコンピュータ上で実行されるように配備することも、複数の場所に分散させて通信ネットワークによって相互接続することもできる。
本明細書で説明されるプロセスおよび論理フローは、入力データ上で動作し、出力を生成することによって機能を実行するために1つ以上のコンピュータプログラムを実行する1つ以上のプログラマブルプロセッサによって実行することができる。プロセスおよび論理フローはまた、FPGA(フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ)またはASIC(特定用途向け集積回路)などの専用論理回路によって実行することができ、専用論理回路として装置を実装することもできる。
本発明の多くの実施形態を記載してきた。それにもかかわらず、様々な修正が本発明の精神および範囲から逸脱することなく行われることが理解されるだろう。したがって、他の実施形態が、以下の特許請求の範囲の範囲内にある。

Claims (15)

  1. 研磨パッドを支持するための表面を有するプラテンと、
    前記研磨パッドの研磨面に対して基板を保持するためのキャリアヘッドと、
    前記研磨面に対してコンディショニングディスクを保持するためのパッドコンディショナと、
    インシトゥ研磨パッド厚さ監視システムと、
    複数のコンディショナディスク製品の各々をそれぞれの閾値に関連付けるデータを記憶し、前記複数のコンディショナディスク製品からコンディショナディスク製品を選択する入力を受信し、選択された前記コンディショナディスク製品に関連付けられた特定の閾値を決定し、前記監視システムから信号を受信し、前記信号からパッドカット速度の測定量を生成し、前記パッドカット速度が前記特定の閾値を下回った場合に警告を生成するように構成されたコントローラと、
    を備える、化学機械研磨のための装置。
  2. 前記インシトゥ研磨パッド厚さ監視システムが、電磁誘導監視システムを備える、請求項1に記載の装置。
  3. 前記電磁誘導監視システムが、前記プラテン内に電流を誘導するための磁場を生成するように前記パッドコンディショナ上に保持された磁気コアを有するセンサを備える、請求項2に記載の装置。
  4. 前記パッドコンディショナが、前記プラテンの上方で延在するアームを備え、前記磁気コアが、前記パッドコンディショナの前記アーム上に支持される、請求項3に記載の装置。
  5. 前記コントローラが、前記信号に予測フィルタを適用して、フィルタリングされた信号を生成するように構成されており、前記フィルタリングされた信号は、調整された値のシーケンスを含み、前記コントローラが、前記調整された値のシーケンス内の各調整された値について、
    測定された値のシーケンスから少なくとも1つの予測された値を生成すること、ならびに
    前記測定された値のシーケンスおよび前記予測された値から前記調整された値を計算すること
    によって、前記フィルタリングされた信号を生成するように構成されている、請求項1に記載の装置。
  6. 研磨パッドを支持するための表面を有するプラテンと、
    前記研磨パッドの研磨面に対して基板を保持するためのキャリアヘッドと、
    前記研磨面に対してコンディショニングディスクを保持するためのパッドコンディショナと、
    インシトゥ研磨パッド厚さ監視システムと、
    前記監視システムから信号を受信し、前記信号からパッドカット速度の測定量を生成し、前記信号から前記パッドカット速度の変動性の測定量を決定するように構成されたコントローラと、
    を備える、化学機械研磨のための装置。
  7. 前記コントローラが、前記変動性の測定量が閾値を超える場合に警告を生成するように構成されている、請求項6に記載の装置。
  8. 前記コントローラが、前記パッドカット速度の標準偏差を計算することによって変動性の測定量を決定するように構成されている、請求項6に記載の装置。
  9. 前記コントローラが、測定のランニングウィンドウにおいて前記標準偏差を計算するように構成されている、請求項8に記載の装置。
  10. 前記インシトゥ研磨パッド厚さ監視システムが、電磁誘導監視システムを備える、請求項6に記載の装置。
  11. 前記電磁誘導監視システムが、前記プラテン内に電流を誘導するための磁場を生成するように前記パッドコンディショナ上に保持された磁気コアを有するセンサを備える、請求項10に記載の装置。
  12. 前記パッドコンディショナが、前記プラテンの上方で延在するアームを備え、前記磁気コアが、前記パッドコンディショナの前記アーム上に支持される、請求項11に記載の装置。
  13. 化学機械研磨を制御する方法であって、
    プラテン上の研磨パッドに基板を接触させることと、
    前記研磨パッドと前記基板との間の相対運動を発生させることと、
    前記研磨パッドをコンディショニングすることと、
    インシトゥパッド厚さ監視システムで前記研磨パッドを監視し、前記研磨パッドの厚さに依存する信号を生成することと、
    前記信号からパッドカット速度の測定量を生成することと、
    前記信号から前記パッドカット速度の変動性の測定量を決定することと、
    を含む方法。
  14. 前記パッドカット速度の標準偏差を計算することによって前記変動性の測定量を決定することを含む、請求項13に記載の方法。
  15. 測定のランニングウィンドウにおいて前記標準偏差を計算することを含む、請求項14に記載の方法。
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