JP2023112771A - Processing device - Google Patents

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Abstract

To provide an optical system which can be used for holding tables with different diameters.SOLUTION: A processing device which is used when calculating the center position of one surface of a disc-like wafer and performs prescribed processing on the outer peripheral part of the wafer comprises: a holding unit; a processing unit; and an imaging unit which is arranged above the holding unit and images the outer peripheral part of the wafer. The imaging unit comprises: a camera part; a light-emitting unit which includes a light source; and at least three reflecting units which can radiate light from the light source upward. The processing device images at least three spots of the outer peripheral part of the wafer with the imaging unit by sequentially irradiating the outer peripheral part of the wafer that has the larger diameter than the holding table and protrudes to the outer side in the radial direction of the holding table when being suction-held by the holding table with light from the light source from each reflecting unit by adjusting the position of each reflecting unit in the imaging unit.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、円板状のウェーハの一面の中心位置を算出する際に使用され、当該ウェーハの外周部に対して所定の加工を施す加工装置に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus that is used to calculate the center position of one surface of a disk-shaped wafer and performs predetermined processing on the outer peripheral portion of the wafer.

複数のデバイスが形成されたデバイス領域と、デバイス領域を囲む外周余剰領域と、を表面側に有する円板状のウェーハにおいて、デバイス領域に対応する裏面側の領域を研削し円形の凹部を形成すると共に、外周余剰領域に対応する領域にリング状の補強部を残した後、ウェーハをデバイス単位に分割する加工方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。 In a disk-shaped wafer having a device region in which a plurality of devices are formed and an outer peripheral surplus region surrounding the device region on the front side, a region on the back side corresponding to the device region is ground to form a circular recess. In addition, a processing method is known in which a ring-shaped reinforcing portion is left in a region corresponding to the peripheral surplus region, and then the wafer is divided into device units (see, for example, Patent Document 1).

当該加工方法に従ってウェーハをデバイス単位に分割する場合には、通常、まず、リング状の補強部を除去する必要がある。そこで、ウェーハの表面の中心位置を特定した上で、この中心位置に基づいてリング状の補強部を精度良く切断して除去する加工装置が提案されている（例えば、特許文献２及び３参照）。 When dividing the wafer into device units according to the processing method, it is usually necessary to first remove the ring-shaped reinforcing portion. Therefore, there has been proposed a processing apparatus that specifies the center position of the surface of the wafer and then accurately cuts and removes the ring-shaped reinforcing portion based on this center position (see, for example, Patent Documents 2 and 3). .

特許文献３に記載の加工装置では、ウェーハの表面の中心位置を特定するために、保持面よりも底部側に円錐台が設けられ且つウェーハよりも小径の保持テーブルが用いられている。円錐台は、水平面に対して４５度傾いており且つ鏡面として機能する環状の傾斜面を側面に有する。 The processing apparatus described in Patent Document 3 uses a holding table having a smaller diameter than the wafer and having a truncated cone closer to the bottom than the holding surface in order to specify the center position of the surface of the wafer. The truncated cone is inclined at 45 degrees with respect to the horizontal and has an annular inclined surface on its side that functions as a mirror surface.

円錐台の側方には、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等の光源が設けられている。傾斜面の上方には、反射光を撮像可能なカメラが設けられており、光源から照射された光は、傾斜面により上方へ反射され当該カメラにより撮像される。 A light source such as an LED (Light Emitting Diode) is provided on the side of the truncated cone. A camera capable of capturing an image of reflected light is provided above the inclined surface, and the light emitted from the light source is reflected upward by the inclined surface and captured by the camera.

この円錐台を利用してウェーハの表面の中心位置を算出するためには、まず、研削により形成されたデバイス領域に対応する凹部を保持テーブルに嵌め込み、ウェーハを保持テーブルで吸引保持する。このとき、ウェーハの外周部は、保持テーブルの外側にはみ出す。 In order to calculate the central position of the surface of the wafer using this truncated cone, first, the concave portion corresponding to the device region formed by grinding is fitted into the holding table, and the wafer is held by suction on the holding table. At this time, the outer peripheral portion of the wafer protrudes outside the holding table.

次に、円錐台の側面に対して側方から光を照射し、ウェーハの外周部に傾斜面からの反射光を照射し、カメラを用いて外周部を撮像する。特に、チャックテーブルを回転させることで、ウェーハの外周部の異なる３箇所をカメラで撮像する。 Next, the side surface of the truncated cone is irradiated with light from the side, the outer peripheral portion of the wafer is irradiated with the reflected light from the inclined surface, and the outer peripheral portion is imaged using a camera. In particular, by rotating the chuck table, three different locations on the outer periphery of the wafer are captured by the camera.

保持テーブルの保持面における中心位置（座標）は既知であるので、外周部の３箇所を撮像することで得られたエッジの３点の位置（座標）に基づいて、ウェーハの表面の中心位置（中心座標）を算出できる。 Since the center position (coordinates) of the holding surface of the holding table is known, the center position (coordinates) of the surface of the wafer ( center coordinates) can be calculated.

しかし、ウェーハには、６インチ（約１５０ｍｍ）、８インチ（約２００ｍｍ）、１２インチ（約３００ｍｍ）等の様々な外径のものがあり、ウェーハの裏面側に形成される円形の凹部の径は、ウェーハの径に応じて異なる。 However, wafers have various outer diameters such as 6 inches (about 150 mm), 8 inches (about 200 mm), and 12 inches (about 300 mm). varies depending on the diameter of the wafer.

特開２００７－１９４６１号公報Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2007-19461 特開２０１４－６０２２４号公報JP 2014-60224 A 特開２０２０－４３１８６号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2020-43186

それゆえ、種々の径を有するウェーハの凹部を吸引保持するためには、ウェーハの径に応じた径を有する保持テーブルが必要になる。従って、円錐台を利用した光学系では、保持テーブルの外径に応じて異なるサイズの円錐台が必要になり、その分、交換の手間が発生するという問題がある。 Therefore, in order to suck and hold recesses of wafers having various diameters, a holding table having a diameter corresponding to the diameter of the wafer is required. Therefore, in an optical system using a truncated cone, different sized truncated cones are required in accordance with the outer diameter of the holding table, and there is a problem in that replacement of the truncated cone is required accordingly.

本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、保持テーブルで吸引保持されたウェーハの外周部に光を照射でき、且つ、異なる径の保持テーブルに対しても使用可能な光学系を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and provides an optical system that can irradiate the outer periphery of a wafer sucked and held by a holding table and that can be used for holding tables with different diameters. intended to

本発明の一態様によれば、円板状のウェーハの一面の中心位置を算出する際に使用され、該ウェーハの外周部に対して所定の加工を施す加工装置であって、該ウェーハを保持する保持ユニットと、該ウェーハを加工する加工ユニットと、該保持ユニットで保持された該ウェーハの外周部を撮像する撮像ユニットと、を備え、該保持ユニットは、該ウェーハを吸引保持するための円板状の保持テーブルと、該保持テーブルに対して連結され、該保持テーブルを回転させるための回転軸と、該回転軸を回転させる駆動部と、を有し、該撮像ユニットは、カメラ部と、該カメラ部よりも下方に設けられ、光源を含む発光ユニットと、それぞれ、該回転軸に対して固定され、該保持テーブルの周方向に沿って互いに離れる様に該保持テーブルの外周部に配置され、対向する一対の傾斜面を有し、該一対の傾斜面を介して該光源からの光を上方に照射可能な少なくとも３つの反射ユニットと、を有し、該撮像ユニットにおける各反射ユニットの位置を調整することにより、該保持テーブルよりも大きな径を有し該保持テーブルで吸引保持された際に該保持テーブルの径方向の外側にはみ出している該ウェーハの外周部に対して、該光源からの光を各反射ユニットから順次照射し、該ウェーハの外周部の少なくとも３箇所を該撮像ユニットで撮像する加工装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus that is used to calculate the center position of one surface of a disk-shaped wafer and performs predetermined processing on the outer peripheral portion of the wafer, the processing device holding the wafer a holding unit for processing the wafer, a processing unit for processing the wafer, and an imaging unit for imaging the outer peripheral portion of the wafer held by the holding unit, the holding unit sucking and holding the wafer. A plate-like holding table, a rotary shaft connected to the holding table for rotating the holding table, and a drive unit for rotating the rotary shaft, the imaging unit being connected to the camera unit. a light-emitting unit provided below the camera section and including a light source; and a light-emitting unit, each fixed to the rotating shaft and arranged on the outer peripheral portion of the holding table so as to be separated from each other along the circumferential direction of the holding table. and at least three reflecting units each having a pair of opposing inclined surfaces and capable of upwardly irradiating light from the light source via the pair of inclined surfaces, wherein each of the reflecting units in the imaging unit By adjusting the position of the wafer, the outer peripheral portion of the wafer, which has a diameter larger than that of the holding table and protrudes outside the holding table in the radial direction when the wafer is held by suction by the holding table, is adjusted to the light source. A processing apparatus is provided in which light from a wafer is sequentially irradiated from each reflection unit, and at least three locations on the outer periphery of the wafer are imaged by the imaging unit.

好ましくは、該少なくとも３つの反射ユニットは、第１の径を有する第１の保持テーブルが該保持テーブルとして該保持ユニットに用いられる場合に、該第１の保持テーブルで吸引保持された際に該第１の保持テーブルの径方向の外側にはみ出しており、且つ、該第１の径よりも大きな径を有する第１のウェーハの外周部に対して、該光源からの光をそれぞれ照射可能な少なくとも３つの第１反射ユニットと、該第１の保持テーブルに代えて該第１の径よりも大きな第２の径を有する第２の保持テーブルが該保持テーブルとして該保持ユニットに用いられる場合に、該第２の保持テーブルで吸引保持された際に該第２の保持テーブルの径方向の外側にはみ出しており、且つ、該第２の径よりも大きな径を有する第２のウェーハの外周部に対して、該光源からの光をそれぞれ照射可能な少なくとも３つの第２反射ユニットと、を含む。 Preferably, when a first holding table having a first diameter is used as the holding table in the holding unit, the at least three reflecting units are arranged to be held by suction on the first holding table. At least an outer peripheral portion of the first wafer protruding outside the first holding table in the radial direction and having a diameter larger than the first diameter can be irradiated with light from the light source. When three first reflecting units and a second holding table having a second diameter larger than the first diameter are used as the holding table in the holding unit instead of the first holding table, At the outer peripheral portion of the second wafer, which protrudes radially outward of the second holding table and has a larger diameter than the second diameter when held by suction on the second holding table. and at least three second reflection units each capable of irradiating light from the light source.

また、好ましくは、該保持ユニットは、該保持テーブルの外周部に設けられた円環状の補助テーブルを更に有し、該補助テーブルは、各反射ユニットで反射された光を該ウェーハの外周部に照射するための貫通孔を含む。 Preferably, the holding unit further has an annular auxiliary table provided on the outer circumference of the holding table, and the auxiliary table directs the light reflected by each reflection unit to the outer circumference of the wafer. Includes through holes for illumination.

また、好ましくは、各反射ユニットの該一対の傾斜面は、該光源からの光を上方へ照射する様に該一対の傾斜面が設けられている反射ユニットの長手方向と直交する平面に対して４５度傾いた第１鏡面及び第２鏡面を含む。 Moreover, preferably, the pair of inclined surfaces of each reflecting unit is arranged with It includes a first mirror surface and a second mirror surface inclined by 45 degrees.

本発明の一態様に係る加工装置の保持ユニットは、保持テーブルの回転軸に対してそれぞれ固定され、当該保持テーブルの周方向に沿って互いに離れる様に保持テーブルの外周部に配置された、少なくとも３つの反射ユニットを有する。各反射ユニットは、対向する一対の傾斜面を有し、この一対の傾斜面を介して光源から各反射ユニットに入射する光を上方に照射可能である。 The holding units of the processing apparatus according to one aspect of the present invention are fixed to the rotating shaft of the holding table, and arranged on the outer peripheral portion of the holding table so as to be separated from each other along the circumferential direction of the holding table. It has three reflection units. Each reflection unit has a pair of inclined surfaces facing each other, and can irradiate upward the light incident on each reflection unit from the light source via the pair of inclined surfaces.

保持ユニットで保持されたウェーハの外周部は、撮像ユニットにより撮像される。例えば、保持ユニットに第１の径を有する第１の保持テーブルを装着し、第１の保持テーブルで第１のウェーハを吸引保持する場合には、３つの反射ユニットを利用して第１のウェーハの外周部を撮像することで、第１のウェーハのエッジの３点の座標を特定する。 An imaging unit captures an image of the outer peripheral portion of the wafer held by the holding unit. For example, when a first holding table having a first diameter is attached to the holding unit and the first holding table sucks and holds the first wafer, three reflecting units are used to hold the first wafer. The coordinates of three points on the edge of the first wafer are specified by imaging the outer periphery of the wafer.

これに対して、第１の径よりも大きな径を有する保持テーブルを保持ユニットに装着し、第１のウェーハよりも大径のウェーハを当該保持テーブルで吸引保持する場合には、反射ユニットを利用することなく、大径のウェーハのエッジの３点の座標を特定する。 On the other hand, when a holding table having a diameter larger than the first diameter is attached to the holding unit and a wafer having a larger diameter than the first wafer is sucked and held by the holding table, the reflection unit is used. Identify the coordinates of three points on the edge of a large diameter wafer without

この様に、サイズの異なる保持テーブルを使用する場合に、少なくとも３つの反射ユニットの使用の有無を選択するだけで、径の異なるウェーハの外周縁の座標をそれぞれ特定できる。それゆえ、異なる径の保持テーブルに対しても使用可能な光学系を提供できる。 In this way, when holding tables of different sizes are used, the coordinates of the outer peripheral edges of wafers of different diameters can be specified simply by selecting whether or not to use at least three reflection units. Therefore, it is possible to provide an optical system that can be used for holding tables with different diameters.

更に、サイズの異なる保持テーブルごとに保持テーブルの径に対応した専用の円錐台を装着する場合に比べて、円錐台の交換に要する手間を無くすこともできる。 Furthermore, compared to the case where a dedicated truncated cone corresponding to the diameter of the holding table is mounted for each holding table of different size, it is possible to eliminate the labor required to replace the truncated cone.

レーザー加工装置の斜視図である。1 is a perspective view of a laser processing device; FIG. 図２（Ａ）はウェーハユニットの表面側の斜視図であり、図２（Ｂ）はウェーハの裏面側の斜視図である。FIG. 2A is a perspective view of the front side of the wafer unit, and FIG. 2B is a perspective view of the back side of the wafer. 保持ユニットの拡大斜視図である。It is an expansion perspective view of a holding unit. 保持ユニットの一部断面側面図である。It is a partial cross section side view of a holding unit. ウェーハの外周部を撮像する様子を示す一部断面側面図である。It is a partial cross-sectional side view which shows a mode that the outer peripheral part of a wafer is imaged. 大径のウェーハの外周部を撮像する様子を示す一部断面側面図である。It is a partial cross-sectional side view which shows a mode that the outer peripheral part of a large diameter wafer is imaged. 図７（Ａ）は第１の径を有するチャックテーブルが装着された保持ユニット等の上面図であり、図７（Ｂ）は第２の径を有するチャックテーブルが装着された保持ユニット等の上面図である。7A is a top view of a holding unit or the like to which a chuck table having a first diameter is mounted, and FIG. 7B is a top view of the holding unit or the like to which a chuck table having a second diameter is mounted. It is a diagram. 第３の実施形態に係る反射ユニットを示す一部断面側面図である。It is a partial cross-sectional side view which shows the reflection unit which concerns on 3rd Embodiment. 変形例に係る保持ユニットの拡大図である。It is an enlarged view of a holding unit according to a modification. ウェーハの外周部を撮像する様子を示す一部断面側面図である。It is a partial cross-sectional side view which shows a mode that the outer peripheral part of a wafer is imaged. 大径のウェーハの外周部を撮像する様子を示す一部断面側面図である。It is a partial cross-sectional side view which shows a mode that the outer peripheral part of a large diameter wafer is imaged.

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図１は、レーザー加工装置（加工装置）２の構成例を示す斜視図である。レーザー加工装置２は、各構造を支持する基台４を備える。 An embodiment according to one aspect of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view showing a configuration example of a laser processing device (processing device) 2. As shown in FIG. The laser processing device 2 includes a base 4 that supports each structure.

基台４は、直方体状の基部６と、基部６の後端において上方に伸びる壁部８と、を含む。基部６の上方には、円板状のチャックテーブル（第１の保持テーブル）１０が配置される。チャックテーブル１０は、加工対象となる円板状のウェーハ（第１のウェーハ）１１を吸引保持する。 The base 4 includes a rectangular parallelepiped base 6 and a wall 8 extending upward at the rear end of the base 6 . A disc-shaped chuck table (first holding table) 10 is arranged above the base 6 . The chuck table 10 sucks and holds a disk-shaped wafer (first wafer) 11 to be processed.

ここで、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）を参照し、ウェーハ１１について説明する。ウェーハ１１は、シリコン等の半導体材料で形成された単結晶基板を有する。但し、単結晶基板は、シリコンに限定されず、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）等の化合物半導体で形成されてもよく、その他の材料で形成されてもよい。 Here, the wafer 11 will be described with reference to FIGS. 2(A) and 2(B). Wafer 11 has a single crystal substrate formed of a semiconductor material such as silicon. However, the single-crystal substrate is not limited to silicon, and may be formed of compound semiconductors such as silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), or other materials.

図２（Ａ）に示す様に、ウェーハ１１の表面（一面）１１ａ側には、格子状に複数の分割予定ライン１３が設定されている。複数の分割予定ライン１３によって区画される各矩形領域には、デバイス１５が形成されている。 As shown in FIG. 2A, a plurality of dividing lines 13 are set in a lattice pattern on the front surface (one surface) 11a of the wafer 11. As shown in FIG. A device 15 is formed in each rectangular area partitioned by a plurality of planned division lines 13 .

デバイス１５は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等であるが、デバイス１５の種類、大きさ、数、配置等に特段の制限はない。 The devices 15 are, for example, ICs (Integrated Circuits), MEMS (Micro Electro Mechanical Systems), LEDs (Light Emitting Diodes), etc., but there are no particular restrictions on the type, size, number, arrangement, etc. of the devices 15 .

ウェーハ１１の径方向において、複数のデバイス１５が形成されているデバイス領域１７の外側には、環状の外周余剰領域１９が存在する。外周余剰領域１９は、デバイス１５が形成されていない略平坦な領域である。 In the radial direction of the wafer 11, there is an annular peripheral surplus region 19 outside the device region 17 in which the plurality of devices 15 are formed. The peripheral surplus region 19 is a substantially flat region where the device 15 is not formed.

図２（Ａ）では、便宜上、デバイス領域１７及び外周余剰領域１９の境界１７ａを破線で示すが、実際のウェーハ１１には境界１７ａは表示されていない。なお、ウェーハ１１の外周部には、単結晶基板の結晶方位を示すノッチ１１ｃが形成されている。 In FIG. 2A, the boundary 17a between the device region 17 and the peripheral surplus region 19 is indicated by a dashed line for convenience, but the boundary 17a is not shown on the actual wafer 11. As shown in FIG. A notch 11c indicating the crystal orientation of the single crystal substrate is formed in the outer peripheral portion of the wafer 11. As shown in FIG.

図２（Ｂ）に示す様に、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側においてデバイス領域１７に対応する円形領域を研削することで、裏面１１ｂ側には円形凹部２１が形成されている。例えば、デバイス領域１７におけるウェーハ１１は、約５０μｍの厚さまで薄化されている。 As shown in FIG. 2B, by grinding a circular region corresponding to the device region 17 on the back surface 11b side of the wafer 11, a circular concave portion 21 is formed on the back surface 11b side. For example, wafer 11 in device region 17 is thinned to a thickness of approximately 50 μm.

円形凹部２１の外側には、円形凹部２１の周囲を囲む様に環状凸部２３が形成されている。環状凸部２３は、円形凹部２１の形成時に研削されずに残存した領域であり、外周余剰領域１９に対応する環状領域である。 An annular projection 23 is formed outside the circular recess 21 so as to surround the circular recess 21 . The annular convex portion 23 is an area that remains without being ground when the circular concave portion 21 is formed, and is an annular area corresponding to the peripheral surplus area 19 .

ウェーハ１１の径は、例えば、８インチ（約２００ｍｍ）である。環状凸部２３の厚さは、研削前のウェーハ１１の厚さを有し、例えば、約７２５μｍであるが、環状凸部２３の厚さはウェーハ１１の径に応じて適宜定められる。また、ウェーハ１１の径方向における環状凸部２３の幅は、例えば、約３．０ｍｍである。 The diameter of the wafer 11 is, for example, 8 inches (approximately 200 mm). The thickness of the annular projection 23 has the thickness of the wafer 11 before grinding, for example, about 725 μm. Further, the width of the annular protrusion 23 in the radial direction of the wafer 11 is, for example, approximately 3.0 mm.

環状凸部２３は、円形凹部２１が形成されたウェーハ１１の補強部として機能する。環状凸部２３を設けることで、環状凸部２３を設けずに裏面１１ｂ側を一様に薄化する場合に比べて、ウェーハ１１の搬送時における破損等を防止できる。 The annular convex portion 23 functions as a reinforcing portion for the wafer 11 in which the circular concave portion 21 is formed. By providing the annular protrusion 23, it is possible to prevent the wafer 11 from being damaged during transportation, compared to the case where the back surface 11b side is uniformly thinned without providing the annular protrusion 23. FIG.

裏面１１ｂ側に円形凹部２１を形成した後、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側には、ウェーハ１１よりも大径の円形のテープ２５が貼り付けられる。テープ２５は、少なくとも可視光帯域の光に対して略透明な樹脂で形成されている。 After forming the circular concave portion 21 on the back surface 11 b side, a circular tape 25 having a diameter larger than that of the wafer 11 is attached to the back surface 11 b side of the wafer 11 . The tape 25 is made of a resin that is substantially transparent at least to light in the visible light band.

テープ２５は、例えば、紫外線硬化樹脂等の粘着性を有する樹脂で形成された粘着層（糊層）と、樹脂で形成された基材層との、積層構造を有する。テープ２５の中央部には、円形凹部２１の形状に倣う様にウェーハ１１の裏面１１ｂ側が貼り付けられる。 The tape 25 has a laminated structure of, for example, an adhesive layer (glue layer) made of adhesive resin such as ultraviolet curable resin and a base layer made of resin. The rear surface 11b side of the wafer 11 is attached to the central portion of the tape 25 so as to follow the shape of the circular concave portion 21 .

テープ２５の外周部には、金属で形成された環状フレーム２７の一面が貼り付けられる。この様にして、テープ２５を介して環状フレーム２７にウェーハ１１が支持されたウェーハユニット２９が形成される。 One surface of an annular frame 27 made of metal is attached to the outer peripheral portion of the tape 25 . In this manner, a wafer unit 29 is formed in which the wafer 11 is supported on the annular frame 27 via the tape 25. As shown in FIG.

図２（Ａ）は、ウェーハユニット２９の表面１１ａ側の斜視図であり、図２（Ｂ）は、テープ２５及び環状フレーム２７を省略したウェーハ１１の裏面１１ｂ側の斜視図である。ウェーハユニット２９は、テープ２５を介してチャックテーブル１０で吸引保持される。 2A is a perspective view of the front surface 11a side of the wafer unit 29, and FIG. 2B is a perspective view of the back surface 11b side of the wafer 11 with the tape 25 and the annular frame 27 omitted. The wafer unit 29 is held by suction on the chuck table 10 via the tape 25 .

図３は、チャックテーブル１０を含む第１の実施形態の保持ユニット１２の拡大斜視図であり、図４は、保持ユニット１２の一部断面側面図である。チャックテーブル１０は、図４に示す様に、非多孔質のセラミックスで形成された円板状の枠体１４ａを有する。 3 is an enlarged perspective view of the holding unit 12 of the first embodiment including the chuck table 10, and FIG. 4 is a partial cross-sectional side view of the holding unit 12. FIG. As shown in FIG. 4, the chuck table 10 has a disk-shaped frame 14a made of non-porous ceramics.

枠体１４ａの上面側には、円板状の凹部が形成されている。この凹部には、多孔質セラミックスで形成された多孔質板１４ｂが固定されている。凹部の底部には、多孔質板１４ｂに負圧を伝達するための、溝及び孔が形成されている。 A disk-shaped concave portion is formed on the upper surface side of the frame 14a. A porous plate 14b made of porous ceramics is fixed to the recess. Grooves and holes are formed in the bottom of the recess for transmitting negative pressure to the porous plate 14b.

エジェクタ等の吸引源１６から負圧を作用させれば、枠体１４ａの溝及び孔等を介して、多孔質板１４ｂの上面には負圧が発生する。枠体１４ａ及び多孔質板１４ｂの上面は、ウェーハユニット２９を吸引保持する保持面１０ａとして機能する。 When negative pressure is applied from a suction source 16 such as an ejector, negative pressure is generated on the upper surface of the porous plate 14b through the grooves and holes of the frame 14a. The upper surfaces of the frame 14a and the porous plate 14b function as a holding surface 10a for holding the wafer unit 29 by suction.

ウェーハ１１は、円形凹部２１がテープ２５を介して、保持面１０ａを含むチャックテーブル１０の上部に嵌合する様にチャックテーブル１０に配置される。チャックテーブル１０の下部は、円板状のテーブルベース１８に対して着脱可能に固定されている。 The wafer 11 is placed on the chuck table 10 so that the circular recess 21 fits over the chuck table 10 including the holding surface 10a via the tape 25 . A lower portion of the chuck table 10 is detachably fixed to a disk-shaped table base 18 .

チャックテーブル１０は、吸引保持するウェーハ１１のサイズ（より具体的には、ウェーハ１１の円形凹部２１の径）に応じて、適切なサイズのものが選択され、テーブルベース１８に装着される。テーブルベース１８の下部には、円柱状の回転軸２０の上部が連結されている。 Chuck table 10 having an appropriate size is selected according to the size of wafer 11 to be held by suction (more specifically, the diameter of circular recess 21 of wafer 11), and is mounted on table base 18. FIG. An upper portion of a cylindrical rotating shaft 20 is connected to the lower portion of the table base 18 .

回転軸２０の一部は、電気で駆動されるモータのロータに対応しており、ベアリング（不図示）を介して後述するＸ軸方向移動板４０で支持されている。回転軸２０の周囲には、回転軸２０を回転させるための円筒状の駆動部２２が設けられている。 A part of the rotating shaft 20 corresponds to the rotor of an electrically driven motor, and is supported by an X-axis direction moving plate 40 to be described later via bearings (not shown). A cylindrical driving portion 22 for rotating the rotating shaft 20 is provided around the rotating shaft 20 .

駆動部２２は、電気で駆動されるモータのステータに対応している。回転軸２０及び駆動部２２は、直流モータを構成する。しかし、回転軸２０及び駆動部２２は、交流モータ等の他の種類のモータであってもよい。 The drive part 22 corresponds to the stator of an electrically driven motor. The rotating shaft 20 and the driving section 22 constitute a DC motor. However, the rotating shaft 20 and the drive unit 22 may be other types of motors such as AC motors.

駆動部２２に電力を供給すると、テーブルベース１８を介して回転軸２０に対して連結されたチャックテーブル１０は、回転軸２０の中心２０ａの周りに回転する。駆動部２２には、チャックテーブル１０の回転角度を検出するためのロータリエンコーダ等の回転角度センサ（不図示）が設けられている。 When power is supplied to the drive unit 22 , the chuck table 10 , which is connected to the rotating shaft 20 via the table base 18 , rotates around the center 20 a of the rotating shaft 20 . The drive unit 22 is provided with a rotation angle sensor (not shown) such as a rotary encoder for detecting the rotation angle of the chuck table 10 .

チャックテーブル１０の外周部には、それぞれ環状フレーム２７を挟持する複数のクランプユニット２４が、チャックテーブル１０の周方向に沿って略等間隔に配置されている。各クランプユニット２４の基端部は、テーブルベース１８に固定されている。 A plurality of clamp units 24 each clamping an annular frame 27 are arranged along the circumferential direction of the chuck table 10 at approximately equal intervals on the outer peripheral portion of the chuck table 10 . A proximal end of each clamp unit 24 is fixed to the table base 18 .

チャックテーブル１０、テーブルベース１８、回転軸２０、駆動部２２、４つのクランプユニット２４等は、保持ユニット１２を構成する。なお、チャックテーブル１０は、吸引保持するウェーハ１１の径に応じて適宜交換される。 The chuck table 10 , the table base 18 , the rotating shaft 20 , the drive section 22 , the four clamp units 24 and the like constitute the holding unit 12 . The chuck table 10 is appropriately exchanged according to the diameter of the wafer 11 to be held by suction.

テーブルベース１８の外周部には、チャックテーブル１０の周方向に沿って互いに離れる様に略等間隔に、４つの反射ユニット（第１反射ユニット）２６が配置されている。各反射ユニット２６の基端部は、クランプユニット２４と異なる位置において、テーブルベース１８を介して回転軸２０に対して固定されている。 Four reflection units (first reflection units) 26 are arranged on the outer periphery of the table base 18 at substantially equal intervals along the circumferential direction of the chuck table 10 . The base end of each reflection unit 26 is fixed to the rotating shaft 20 via the table base 18 at a position different from that of the clamp unit 24 .

ここで、図５を参照して、反射ユニット２６について詳しく説明する。反射ユニット２６は、長手方向２８ａがテーブルベース１８の径方向に沿って突出する金属製の腕部２８を有する。各腕部２８は、チャックテーブル１０の外周よりも外側に突出する態様で、チャックテーブル１０の外周部に配置されている。 Here, with reference to FIG. 5, the reflection unit 26 will be described in detail. The reflecting unit 26 has a metal arm portion 28 whose longitudinal direction 28 a protrudes along the radial direction of the table base 18 . Each arm portion 28 is arranged on the outer peripheral portion of the chuck table 10 so as to protrude outward from the outer peripheral portion of the chuck table 10 .

腕部２８の長手方向２８ａの先端部には、Ｚ軸方向の厚さが腕部２８に比べて大きい金属製の第１反射ブロック３０が設けられている。長手方向２８ａにおける第１反射ブロック３０の外側側面は、長手方向２８ａと直交する垂直平面（長手方向２８ａと直交する平面）３０ａである。 A metal first reflection block 30 having a greater thickness in the Z-axis direction than the arm portion 28 is provided at the tip portion of the arm portion 28 in the longitudinal direction 28a. The outer side surface of the first reflecting block 30 in the longitudinal direction 28a is a vertical plane (a plane perpendicular to the longitudinal direction 28a) 30a perpendicular to the longitudinal direction 28a.

これに対して、長手方向２８ａにおける第１反射ブロック３０の内側側面は、垂直平面３０ａに対して所定の角度だけ傾いている平面（傾斜面３０ｂ）である。本実施形態の傾斜面３０ｂは、長手方向２８ａにおいて下端部が上端部よりも外側に位置する様に、垂直平面３０ａに対して４５度傾いている。 On the other hand, the inner side surface of the first reflecting block 30 in the longitudinal direction 28a is a plane (inclined surface 30b) that is inclined by a predetermined angle with respect to the vertical plane 30a. The inclined surface 30b of this embodiment is inclined at 45 degrees with respect to the vertical plane 30a so that the lower end is located outside the upper end in the longitudinal direction 28a.

傾斜面３０ｂは、鏡面仕上げ加工を施すことにより形成された第１鏡面３０ｃを含む。なお、鏡面仕上げ加工を施すことに代えて傾斜面３０ｂに鏡を固定することで、第１鏡面３０ｃを設けてもよい。 The inclined surface 30b includes a first mirror surface 30c formed by mirror finishing. Note that the first mirror surface 30c may be provided by fixing a mirror to the inclined surface 30b instead of mirror finishing.

腕部２８の基端部には、逆四角錘台状の貫通孔２８ｂが形成されている。貫通孔２８ｂの少なくとも一部は、長手方向２８ａにおいて保持面１０ａの外周よりも外側に位置し、且つ、保持面１０ａで吸引保持されるウェーハ１１の外周部１１ｄの直下に位置する。 A base end portion of the arm portion 28 is formed with a through-hole 28b in the shape of an inverted square pyramid. At least part of the through-hole 28b is positioned outside the outer periphery of the holding surface 10a in the longitudinal direction 28a and directly below the outer peripheral portion 11d of the wafer 11 sucked and held by the holding surface 10a.

腕部２８の基端部の下面側には、Ｚ軸方向の厚さが腕部２８に比べて大きい金属製の第２反射ブロック３４が設けられている。第２反射ブロック３４の長手方向２８ａの先端部には、開口３４ａが形成されている。 A second reflecting block 34 made of metal having a greater thickness in the Z-axis direction than the arm portion 28 is provided on the lower surface side of the proximal end portion of the arm portion 28 . An opening 34a is formed at the tip of the second reflection block 34 in the longitudinal direction 28a.

第２反射ブロック３４の開口３４ａよりもテーブルベース１８側には、貫通孔２８ｂの直下に位置し、且つ、長手方向２８ａにおいて傾斜面３０ｂに対向する様に配置された平面（傾斜面３４ｂ）が設けられている。 On the table base 18 side of the opening 34a of the second reflection block 34, there is a flat surface (inclined surface 34b) that is positioned directly below the through hole 28b and that is arranged to face the inclined surface 30b in the longitudinal direction 28a. is provided.

傾斜面３４ｂは、傾斜面３０ｂと同じ向きに、垂直平面３０ａに対して所定の角度だけ傾いている。本実施形態の傾斜面３４ｂは、垂直平面３０ａに対して傾斜面３０ｂと同じ向きに４５度傾いている。 The inclined surface 34b is inclined in the same direction as the inclined surface 30b by a predetermined angle with respect to the vertical plane 30a. The inclined surface 34b of this embodiment is inclined 45 degrees in the same direction as the inclined surface 30b with respect to the vertical plane 30a.

また、傾斜面３４ｂは、鏡面仕上げ加工を施すことにより形成された第２鏡面３４ｃを含む。なお、鏡面仕上げ加工に代えて傾斜面３４ｂに鏡を固定することで、第２鏡面３４ｃを設けてもよい。 In addition, the inclined surface 34b includes a second mirror surface 34c formed by mirror finishing. Note that the second mirror surface 34c may be provided by fixing a mirror to the inclined surface 34b instead of mirror finishing.

回転軸２０を回転させれば、チャックテーブル１０、テーブルベース１８、腕部２８等は一体となって回転する。第１反射ブロック３０の傾斜面３０ｂの軌跡によって形成される円環領域の１箇所に対応する領域の直下には、ＬＥＤ等の光源３２ａを含む発光ユニット３２が設けられている。 When the rotary shaft 20 is rotated, the chuck table 10, table base 18, arm portion 28, etc. are rotated together. A light-emitting unit 32 including a light source 32a such as an LED is provided directly below an area corresponding to one portion of an annular area formed by the trajectory of the inclined surface 30b of the first reflection block 30. As shown in FIG.

発光ユニット３２から照射された光３２ｂは、第１鏡面３０ｃ及び第２鏡面３４ｃ（即ち、一対の傾斜面３０ｂ、３４ｂ）と、貫通孔２８ｂと、を順次経て、貫通孔２８ｂから上方に照射される。この光３２ｂは、保持面１０ａで吸引保持されたウェーハ１１の外周部１１ｄ（特に、外周縁１１ｅ）を、後述するカメラ部６４で撮像する際に利用される。 The light 32b emitted from the light emitting unit 32 sequentially passes through the first mirror surface 30c and the second mirror surface 34c (that is, the pair of inclined surfaces 30b and 34b) and the through hole 28b, and is emitted upward from the through hole 28b. be. This light 32b is used when the camera section 64, which will be described later, takes an image of the outer peripheral portion 11d (particularly, the outer peripheral edge 11e) of the wafer 11 sucked and held by the holding surface 10a.

なお、本実施形態では、保持ユニット１２に４つの反射ユニット２６が設けられる場合を説明した。しかし、ウェーハ１１の外周部１１ｄの少なくとも３箇所を撮像するためには、少なくとも３つの反射ユニット２６を保持ユニット１２に設ければよい。 In addition, in this embodiment, the case where the holding unit 12 is provided with the four reflection units 26 has been described. However, in order to image at least three locations on the outer peripheral portion 11 d of the wafer 11 , at least three reflection units 26 should be provided in the holding unit 12 .

４つ（少なくとも３つ）の反射ユニット２６、発光ユニット３２、カメラ部６４等は、撮像ユニット３６（即ち、光学系）を構成する。ここで、図１に戻り、レーザー加工装置２の他の構成要素について説明する。 The four (at least three) reflection units 26, the light emission unit 32, the camera section 64, etc. constitute an imaging unit 36 (that is, an optical system). Here, referring back to FIG. 1, other components of the laser processing apparatus 2 will be described.

上述の駆動部２２は、矩形状のＸ軸方向移動板４０で支持されている。Ｘ軸方向移動板４０の四隅の１箇所には、上述の発光ユニット３２が固定されている。Ｘ軸方向移動板４０は、Ｘ軸方向と略平行に配置された一対のＸ軸ガイドレール４２にスライド可能に支持されている。 The drive unit 22 described above is supported by a rectangular X-axis moving plate 40 . The light emitting unit 32 described above is fixed to one of the four corners of the X-axis moving plate 40 . The X-axis direction moving plate 40 is slidably supported by a pair of X-axis guide rails 42 arranged substantially parallel to the X-axis direction.

Ｘ軸方向移動板４０の下面側には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、長手部がＸ軸方向に沿って配置されたねじ軸４４がボール（不図示）を介して回転可能に連結されている。ねじ軸４４の一端部には、ステッピングモータ等の駆動源４６が連結されている。 A nut portion (not shown) is provided on the lower surface side of the X-axis direction moving plate 40, and this nut portion has a screw shaft 44 having a longitudinal portion arranged along the X-axis direction and a ball (not shown). ) are rotatably connected. A drive source 46 such as a stepping motor is connected to one end of the screw shaft 44 .

駆動源４６でねじ軸４４を回転させれば、Ｘ軸方向移動板４０は、Ｘ軸方向に沿って移動する。Ｘ軸方向移動板４０、一対のＸ軸ガイドレール４２、ナット部、ねじ軸４４、駆動源４６等は、ボールねじ式のＸ軸方向移動ユニット４８を構成する。 When the screw shaft 44 is rotated by the drive source 46, the X-axis direction moving plate 40 moves along the X-axis direction. The X-axis direction moving plate 40, the pair of X-axis guide rails 42, the nut portion, the screw shaft 44, the driving source 46, and the like constitute a ball screw type X-axis direction moving unit 48. As shown in FIG.

一対のＸ軸ガイドレール４２は、Ｙ軸方向移動板５０の上面に固定されている。Ｙ軸方向移動板５０は、Ｙ軸方向と略平行に基部６の上面に固定された一対のＹ軸ガイドレール５２によってスライド可能に支持されている。 A pair of X-axis guide rails 42 are fixed to the upper surface of the Y-axis movement plate 50 . The Y-axis movement plate 50 is slidably supported by a pair of Y-axis guide rails 52 fixed to the upper surface of the base 6 substantially parallel to the Y-axis direction.

Ｙ軸方向移動板５０の下面側には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、長手部がＹ軸方向に沿って配置されたねじ軸５４がボール（不図示）を介して回転可能に連結されている。ねじ軸５４の一端部には、ステッピングモータ等の駆動源５６が連結されている。 A nut portion (not shown) is provided on the lower surface side of the Y-axis direction moving plate 50, and this nut portion has a screw shaft 54 having a longitudinal portion arranged along the Y-axis direction and a ball (not shown). ) are rotatably connected. A drive source 56 such as a stepping motor is connected to one end of the screw shaft 54 .

駆動源５６でねじ軸５４を回転させれば、Ｙ軸方向移動板５０は、Ｙ軸方向に沿って移動する。Ｙ軸方向移動板５０、一対のＹ軸ガイドレール５２、ナット部、ねじ軸５４、駆動源５６等は、ボールねじ式のＹ軸方向移動ユニット５８を構成する。 When the screw shaft 54 is rotated by the drive source 56, the Y-axis direction moving plate 50 moves along the Y-axis direction. The Y-axis movement plate 50 , the pair of Y-axis guide rails 52 , the nut portion, the screw shaft 54 , the drive source 56 and the like constitute a ball screw type Y-axis movement unit 58 .

壁部８の前側面には、保持ユニット１２の上方に突出する態様で、片持ち梁状のアーム６０の基端部が固定されている。アーム６０にはウェーハ１１等を加工するレーザー加工ユニット（加工ユニット）６２の一部が設けられている。 A base end portion of a cantilever-like arm 60 is fixed to the front side surface of the wall portion 8 so as to protrude upward from the holding unit 12 . A part of a laser processing unit (processing unit) 62 for processing the wafer 11 or the like is provided on the arm 60 .

レーザー加工ユニット６２は、Ｎｄ：ＹＡＧ、Ｎｄ：ＹＶＯ４等で形成されたロッド状のレーザー媒質を含むレーザー発振器（不図示）を含む。レーザー発振器から出射されたパルス状のレーザービームは、アーム６０の先端部、且つ、保持ユニット１２の上方に配置された略円筒状の集光器６２ａを介して保持面１０ａに向けて照射される。 The laser processing unit 62 includes a laser oscillator (not shown) containing a rod-shaped laser medium made of Nd:YAG, Nd: YVO4 , or the like. A pulsed laser beam emitted from a laser oscillator is irradiated toward the holding surface 10a through a substantially cylindrical condenser 62a arranged at the tip of the arm 60 and above the holding unit 12. .

集光器６２ａから照射されるレーザービームは、ウェーハ１１に吸収される波長（例えば、３５５ｎｍ）を有する。集光器６２ａで集光されたレーザービームの集光点を境界１７ａに位置付けた状態でチャックテーブル１０を回転させれば、アブレーション加工によりウェーハ１１から環状凸部２３を分離できる。 The laser beam emitted from the condenser 62a has a wavelength (for example, 355 nm) that is absorbed by the wafer 11 . Rotating the chuck table 10 with the focal point of the laser beam condensed by the concentrator 62a positioned at the boundary 17a allows the annular protrusion 23 to be separated from the wafer 11 by ablation.

この様に、レーザー加工ユニット６２は、ウェーハ１１の外周部１１ｄに対してレーザー加工（所定の加工）を施す際に利用される。アーム６０には、レーザー加工ユニット６２に加えて、カメラ部６４が設けられている。 In this manner, the laser processing unit 62 is used when laser processing (predetermined processing) is performed on the outer peripheral portion 11 d of the wafer 11 . The arm 60 is provided with a camera section 64 in addition to the laser processing unit 62 .

カメラ部６４は、アーム６０の先端部、且つ、保持ユニット１２の上方に配置された略円筒状のヘッド部６４ａを含む。ヘッド部６４ａには、集光レンズ（不図示）等が設けられている。ヘッド部６４ａの下方には、上述の発光ユニット３２が設けられている。 The camera section 64 includes a substantially cylindrical head section 64 a arranged at the distal end of the arm 60 and above the holding unit 12 . A condensing lens (not shown) and the like are provided in the head portion 64a. The light emitting unit 32 described above is provided below the head portion 64a.

ヘッド部６４ａは、発光ユニット３２から照射された後に反射ユニット２６で反射された光３２ｂを取り込むこともできるし、反射ユニット２６を経ずに発光ユニット３２から照射された光３２ｂを直接取り込むこともできる。 The head part 64a can take in the light 32b reflected by the reflecting unit 26 after being emitted from the light emitting unit 32, or directly take in the light 32b emitted from the light emitting unit 32 without passing through the reflecting unit 26. can.

カメラ部６４は、ＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）イメージセンサ、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）イメージセンサ等の撮像素子（不図示）を含む。ヘッド部６４ａから取り込まれた光３２ｂは、撮像素子で光電変換され、画像情報としてレーザー加工装置２の記憶装置（不図示）に記憶される。 The camera unit 64 includes an imaging device (not shown) such as a CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) image sensor, a CCD (Charge-Coupled Device) image sensor, or the like. The light 32b taken in from the head portion 64a is photoelectrically converted by the imaging element and stored as image information in a storage device (not shown) of the laser processing apparatus 2. FIG.

画像情報は、例えば、レーザー加工装置２の筐体６６の前面に設けられたタッチパネル６８に画像として表示される。タッチパネル６８は、オペレータに対して画像を表示する表示装置として機能すると共に、オペレータが所定の操作、入力を行うための入力装置としても機能する。 The image information is displayed as an image on a touch panel 68 provided on the front surface of the housing 66 of the laser processing apparatus 2, for example. The touch panel 68 functions as a display device for displaying images to the operator, and also functions as an input device for the operator to perform predetermined operations and inputs.

保持ユニット１２、吸引源１６、撮像ユニット３６、Ｘ軸方向移動ユニット４８、Ｙ軸方向移動ユニット５８、レーザー加工ユニット６２、タッチパネル６８等の動作は、制御ユニット７０により制御される。 Operations of the holding unit 12 , the suction source 16 , the imaging unit 36 , the X-axis direction moving unit 48 , the Y-axis direction moving unit 58 , the laser processing unit 62 , the touch panel 68 and the like are controlled by the control unit 70 .

制御ユニット７０は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）に代表されるプロセッサ（処理装置）と、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）等の主記憶装置と、フラッシュメモリ、ハードディスクドライブ、ソリッドステートドライブ等の補助記憶装置と、を含むコンピュータによって構成されている。 The control unit 70 includes, for example, a processor (processing device) represented by a CPU (Central Processing Unit), a main memory such as a DRAM (Dynamic Random Access Memory), an SRAM (Static Random Access Memory), and a ROM (Read Only Memory). It consists of a computer that includes devices and secondary storage devices such as flash memory, hard disk drives, solid state drives, and the like.

補助記憶装置には、所定のプログラムを含むソフトウェアが記憶されている。このソフトウェアに従い処理装置等を動作させることによって、制御ユニット７０の機能が実現される。 Software including a predetermined program is stored in the auxiliary storage device. The functions of the control unit 70 are realized by operating the processor and the like according to this software.

次に、図５を参照し、ウェーハ１１の表面１１ａの中心位置１１ａ１（図２（Ａ）参照）を算出する手順について説明する。図５は、ウェーハ１１の外周部１１ｄを撮像する様子を示す一部断面側面図である。 Next, referring to FIG. 5, a procedure for calculating the center position 11a 1 (see FIG. 2A) of the front surface 11a of the wafer 11 will be described. FIG. 5 is a partial cross-sectional side view showing how the outer peripheral portion 11d of the wafer 11 is imaged.

ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を吸引保持するためには、ウェーハ１１の径よりも小さく且つウェーハ１１の円形凹部２１の径に応じた第１の径１０ｂを有するチャックテーブル１０が使用される。 A chuck table 10 having a first diameter 10b smaller than the diameter of the wafer 11 and corresponding to the diameter of the circular recess 21 of the wafer 11 is used to hold the wafer 11 on the back surface 11b side by suction.

まず、テープ２５を介してウェーハ１１の円形凹部２１を、チャックテーブル１０の上部に嵌合させる。次いで、クランプユニット２４で環状フレーム２７（図５では不図示）を挟持すると共に、負圧により円形凹部２１の裏面１１ｂ側を保持面１０ａで吸引保持する。 First, the circular concave portion 21 of the wafer 11 is fitted onto the upper portion of the chuck table 10 via the tape 25 . Next, the annular frame 27 (not shown in FIG. 5) is clamped by the clamp unit 24, and the back surface 11b side of the circular concave portion 21 is sucked and held by the holding surface 10a by negative pressure.

ウェーハ１１は第１の径１０ｂよりも大きな径を有するので、保持面１０ａで吸引保持されたウェーハ１１の外周部１１ｄは、チャックテーブル１０の径方向の外側にはみ出す。この様にして、保持ユニット１２でウェーハ１１を保持する。 Since the wafer 11 has a diameter larger than the first diameter 10b, the outer peripheral portion 11d of the wafer 11 held by suction on the holding surface 10a protrudes outside the chuck table 10 in the radial direction. In this manner, the holding unit 12 holds the wafer 11 .

その後、Ｘ軸方向移動ユニット４８、Ｙ軸方向移動ユニット５８及び駆動部２２を動作させて、ヘッド部６４ａ及び発光ユニット３２に対して１つの反射ユニット２６の位置を調整する。 After that, the X-axis direction moving unit 48 , the Y-axis direction moving unit 58 and the driving section 22 are operated to adjust the position of one reflecting unit 26 with respect to the head section 64 a and the light emitting unit 32 .

具体的には、ヘッド部６４ａが、１つの反射ユニット２６の貫通孔２８ｂの直上に位置し、且つ、発光ユニット３２が、当該１つの反射ユニット２６の傾斜面３０ｂの直下に位置する様に、１つの反射ユニット２６の回転角度、Ｘ軸方向移動板４０及びＹ軸方向移動板５０の位置を調整する。 Specifically, the head portion 64a is positioned directly above the through hole 28b of one reflecting unit 26, and the light emitting unit 32 is positioned directly below the inclined surface 30b of the one reflecting unit 26. The rotation angle of one reflection unit 26 and the positions of the X-axis moving plate 40 and the Y-axis moving plate 50 are adjusted.

そして、１つ目の反射ユニット２６からウェーハ１１の外周部１１ｄに光３２ｂを照射すると共に、カメラ部６４で外周部１１ｄを撮像すれば、ウェーハ１１で遮られた領域と、ウェーハ１１で遮られなかった領域と、を含む第１の画像が得られる。 Then, when the outer peripheral portion 11d of the wafer 11 is irradiated with the light 32b from the first reflecting unit 26 and the outer peripheral portion 11d is imaged by the camera section 64, the area blocked by the wafer 11 and the area blocked by the wafer 11 are captured. A first image is obtained that includes the areas that were absent.

次に、回転軸２０を略９０度回転させて、２つ目の反射ユニット２６からウェーハ１１の外周部１１ｄに光３２ｂを照射すると共に、カメラ部６４で外周部１１ｄを撮像することで、第２の画像を得る。 Next, the rotating shaft 20 is rotated by approximately 90 degrees, and the second reflection unit 26 irradiates the outer peripheral portion 11d of the wafer 11 with the light 32b, and the camera portion 64 takes an image of the outer peripheral portion 11d. 2 images are obtained.

次に、回転軸２０を更に略９０度回転させて、３つ目の反射ユニット２６からウェーハ１１の外周部１１ｄに光３２ｂを照射すると共に、カメラ部６４で外周部１１ｄを撮像することで、第３の画像を得る。 Next, the rotating shaft 20 is further rotated by approximately 90 degrees, and the outer peripheral portion 11d of the wafer 11 is irradiated with the light 32b from the third reflecting unit 26, and the outer peripheral portion 11d is imaged by the camera section 64. A third image is obtained.

この様に、本実施形態では、各反射ユニット２６から光３２ｂを順次照射してウェーハ１１の外周部１１ｄの異なる３箇所を撮像した後、制御ユニット７０に記憶されている第１のプログラムによりエッジ検出等の所定の画像処理を行う。 As described above, in this embodiment, after sequentially irradiating the light 32b from each reflection unit 26 and imaging three different locations on the outer peripheral portion 11d of the wafer 11, the first program stored in the control unit 70 is used to detect the edge of the wafer 11. Predetermined image processing such as detection is performed.

第１のプログラムは、例えば、第１から第３の画像に対して二値化処理を施した後、エッジ検出を行うことで、第１から第３の画像の各々において外周縁１１ｅに対応する座標を１点ずつ、即ち、合計３点得る。 For example, the first program performs edge detection after performing binarization processing on the first to third images, thereby corresponding to the outer peripheral edge 11e in each of the first to third images. Coordinates are obtained one by one, that is, three points in total.

３点の座標は、保持面１０ａの中心位置（座標）１０ｃ（図４参照）を原点としてそれぞれ規定される。なお、保持面１０ａの中心位置１０ｃと、ウェーハ１１の表面１１ａの中心位置１１ａ１とは、通常、完全には一致しておらず、ずれている。 The coordinates of the three points are respectively defined with the center position (coordinates) 10c (see FIG. 4) of the holding surface 10a as the origin. Note that the center position 10c of the holding surface 10a and the center position 11a1 of the front surface 11a of the wafer 11 usually do not completely match and are deviated.

特許文献３等に記載の既知の手法を利用することにより、保持面１０ａの中心位置１０ｃと、外周縁１１ｅに対応する３点の座標とに基づいて、表面１１ａの中心位置１１ａ１を算出できる。 By using a known method described in Patent Document 3, etc., the center position 11a1 of the surface 11a can be calculated based on the center position 10c of the holding surface 10a and the coordinates of the three points corresponding to the outer peripheral edge 11e. .

表面１１ａの中心位置１１ａ１を算出する第２のプログラムは、制御ユニット７０に記憶されている。なお、上述の説明では、外周部１１ｄの３箇所を撮像する例を説明したが、外周部１１ｄの少なくとも３箇所を撮像すればよい。 A second program is stored in the control unit 70 for calculating the center position 11a1 of the surface 11a. In the above description, an example of imaging three locations on the outer peripheral portion 11d has been described, but at least three locations on the outer peripheral portion 11d may be imaged.

例えば、４箇所以上を撮像し、何らかの理由により上手く撮像できなかった画像を除いた適切な画像を選択的に使用することで、外周縁１１ｅに対応する３点の座標の取得及び中心位置１１ａ１の算出を行うこともできる。 For example, by capturing images at four or more locations and selectively using appropriate images excluding images that could not be captured for some reason, the coordinates of three points corresponding to the outer peripheral edge 11e and the center position 11a 1 can be obtained. can also be calculated.

４つの反射ユニット２６を除く撮像ユニット３６は、ウェーハ１１よりも大径のウェーハ（第２のウェーハ）３１の外周部３１ｄを撮像する際にも利用される。図６は、ウェーハ１１に比べて大径のウェーハ３１の外周部３１ｄを撮像する様子を示す一部断面側面図である。 The imaging units 36 other than the four reflecting units 26 are also used when imaging the outer peripheral portion 31 d of the wafer (second wafer) 31 having a diameter larger than that of the wafer 11 . FIG. 6 is a partial cross-sectional side view showing how the outer peripheral portion 31d of the wafer 31 having a diameter larger than that of the wafer 11 is imaged.

ウェーハ３１の径は、例えば、１２インチ（約３００ｍｍ）であり、ウェーハ１１の径（８インチ）よりも大きい。ウェーハ３１も、ウェーハ１１と同様に、裏面３１ｂ側に円形凹部４１が形成されている。 The diameter of the wafer 31 is, for example, 12 inches (about 300 mm), which is larger than the diameter of the wafer 11 (8 inches). As with the wafer 11, the wafer 31 also has a circular recess 41 formed on the rear surface 31b side.

ウェーハ３１の裏面３１ｂ側を吸引保持する際には、チャックテーブル１０に代えて、ウェーハ３１の円形凹部４１の径に応じた第２の径８０ｂを有するチャックテーブル（第２の保持テーブル）８０を、テーブルベース１８に装着する。なお、第２の径８０ｂは、チャックテーブル１０の第１の径１０ｂよりも大きい。 When sucking and holding the back surface 31b side of the wafer 31, instead of the chuck table 10, a chuck table (second holding table) 80 having a second diameter 80b corresponding to the diameter of the circular concave portion 41 of the wafer 31 is used. , is mounted on the table base 18 . The second diameter 80b is larger than the first diameter 10b of the chuck table 10. As shown in FIG.

チャックテーブル８０、テーブルベース１８、回転軸２０、駆動部２２、４つのクランプユニット２４等も、保持ユニット１２を構成する。チャックテーブル８０の構造は、チャックテーブル１０と略同じであるので、詳細な説明を省略する。 The chuck table 80 , the table base 18 , the rotating shaft 20 , the drive section 22 , the four clamp units 24 and the like also constitute the holding unit 12 . Since the structure of the chuck table 80 is substantially the same as that of the chuck table 10, detailed description thereof will be omitted.

ウェーハ３１の外周部３１ｄを撮像するためには、まず、テープ２５を介してウェーハ３１の円形凹部４１をチャックテーブル８０の上部に嵌合させる。次いで、クランプユニット２４で環状フレーム２７（図６では不図示）を挟持すると共に、負圧により円形凹部４１の裏面３１ｂ側を保持面８０ａで吸引保持する。 In order to image the outer peripheral portion 31 d of the wafer 31 , first, the circular concave portion 41 of the wafer 31 is fitted to the upper portion of the chuck table 80 with the tape 25 interposed therebetween. Next, the annular frame 27 (not shown in FIG. 6) is clamped by the clamp unit 24, and the back surface 31b side of the circular concave portion 41 is sucked and held by the holding surface 80a by negative pressure.

ウェーハ３１は、第２の径８０ｂよりも大きな径を有するので、保持面８０ａで吸引保持された際に、ウェーハ３１の外周部３１ｄは、チャックテーブル８０の径方向の外側にはみ出す。 Since the wafer 31 has a diameter larger than the second diameter 80b, the outer peripheral portion 31d of the wafer 31 protrudes radially outward of the chuck table 80 when it is held by suction on the holding surface 80a.

保持ユニット１２でウェーハ３１を保持した後、Ｘ軸方向移動ユニット４８及びＹ軸方向移動ユニット５８を動作させて、発光ユニット３２をヘッド部６４ａの直下に配置する。そして、カメラ部６４で外周部３１ｄを撮像すれば、ウェーハ３１で遮られた領域と、ウェーハ３１で遮られなかった領域と、を含む第４の画像が得られる。 After holding the wafer 31 by the holding unit 12, the X-axis direction moving unit 48 and the Y-axis direction moving unit 58 are operated to dispose the light emitting unit 32 directly below the head portion 64a. Then, by imaging the outer peripheral portion 31 d with the camera section 64 , a fourth image including the area blocked by the wafer 31 and the area not blocked by the wafer 31 is obtained.

図６に示す様に、ウェーハ３１の外周部３１ｄを撮像する際には、反射ユニット２６を利用することなく、光３２ｂをウェーハ３１の外周部３１ｄに直接照射する。次に、回転軸２０を略９０度回転させて、光３２ｂを外周部３１ｄに直接照射すると共に、カメラ部６４で外周部３１ｄを撮像することで、第５の画像を得る。 As shown in FIG. 6 , when imaging the outer peripheral portion 31 d of the wafer 31 , the outer peripheral portion 31 d of the wafer 31 is directly irradiated with the light 32 b without using the reflection unit 26 . Next, the rotary shaft 20 is rotated by approximately 90 degrees to directly irradiate the outer peripheral portion 31d with the light 32b, and the camera section 64 captures an image of the outer peripheral portion 31d to obtain a fifth image.

次に、回転軸２０を更に略９０度回転させて、ウェーハ３１の外周部３１ｄに光３２ｂを直接照射すると共に、カメラ部６４で外周部３１ｄを撮像することで、第６の画像を得る。勿論、外周部３１ｄの４箇所以上を撮像してもよい。 Next, the rotating shaft 20 is further rotated by approximately 90 degrees to directly irradiate the outer peripheral portion 31d of the wafer 31 with the light 32b, and the camera section 64 captures an image of the outer peripheral portion 31d to obtain a sixth image. Of course, four or more locations on the outer peripheral portion 31d may be imaged.

この様に、各反射ユニット２６を経ることなくウェーハ３１の外周部３１ｄに光３２ｂを順次照射して外周部３１ｄの異なる３箇所を撮像した後、画像処理等を経て、表面３１ａの中心位置（不図示）を算出する。 In this way, the outer peripheral portion 31d of the wafer 31 is sequentially irradiated with the light 32b without passing through each reflection unit 26, and three different locations on the outer peripheral portion 31d are imaged. (not shown) is calculated.

この様に、本実施形態では、サイズの異なるチャックテーブル１０、８０を使用する場合に、少なくとも３つの反射ユニット２６の使用の有無を選択するだけで、径の異なるウェーハ１１、３１の外周縁１１ｅ、３１ｅの座標をそれぞれ特定できる。 As described above, in this embodiment, when chuck tables 10 and 80 having different sizes are used, the outer peripheral edges 11e of wafers 11 and 31 having different diameters can be detected simply by selecting whether or not to use at least three reflection units 26 . , 31e can be identified respectively.

それゆえ、異なる径のチャックテーブル１０、８０に対しても使用可能な光学系を提供できる。更に、サイズの異なるチャックテーブル１０、８０ごとにチャックテーブル１０、８０の径に対応した専用の円錐台を装着する場合に比べて、円錐台の交換に要する手間を低減できる。 Therefore, it is possible to provide an optical system that can be used for chuck tables 10 and 80 having different diameters. Furthermore, compared to the case where a dedicated truncated cone corresponding to the diameter of the chuck tables 10, 80 is attached to each of the chuck tables 10, 80 of different sizes, it is possible to reduce the labor required to replace the truncated cone.

なお、第１の実施形態では、チャックテーブル１０を上面視した場合に、貫通孔２８ｂがテーブルベース１８の径方向で発光ユニット３２よりも内側に位置する例を示した。 In the first embodiment, when the chuck table 10 is viewed from above, the through hole 28b is located inside the light emitting unit 32 in the radial direction of the table base 18. As shown in FIG.

しかし、傾斜面３０ｂ、３４ｂを図５の例とは反対向きに４５度傾ける場合には、傾斜面３４ｂの直上に貫通孔２８ｂを形成し、テーブルベース１８の径方向で貫通孔２８ｂよりも内側に発光ユニット３２を配置する。 However, when the inclined surfaces 30b and 34b are inclined 45 degrees in the opposite direction to the example of FIG. , the light emitting unit 32 is arranged.

（第２の実施形態）次に、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）を参照して、第２の実施形態について説明する。図７（Ａ）は、第１の径１０ｂを有するチャックテーブル１０が装着された保持ユニット１２等の上面図である。 (Second Embodiment) Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS. 7(A) and 7(B). FIG. 7A is a top view of the holding unit 12 and the like on which the chuck table 10 having the first diameter 10b is mounted.

図７（Ａ）では、保持面１０ａで裏面１１ｂ側が吸引保持されたウェーハ１１の外周縁１１ｅを一点鎖線で示す。図７（Ａ）に示す様に、外周縁１１ｅは、４つの反射ユニット２６の貫通孔２８ｂの直上に位置する。 In FIG. 7A, the outer peripheral edge 11e of the wafer 11 whose rear surface 11b side is suction-held by the holding surface 10a is indicated by a dashed line. As shown in FIG. 7A, the outer peripheral edge 11e is located directly above the through holes 28b of the four reflecting units 26. As shown in FIG.

図７（Ａ）に示す例では、テーブルベース１８の周方向に沿って、４つのクランプユニット２４が略等間隔に配置され、４つの反射ユニット２６が略等間隔に配置され、更に、４つの反射ユニット（第２反射ユニット）８６が略等間隔に配置されている。 In the example shown in FIG. 7A, along the circumferential direction of the table base 18, four clamp units 24 are arranged at substantially equal intervals, four reflection units 26 are arranged at substantially equal intervals, and four clamp units 26 are arranged at substantially equal intervals. Reflection units (second reflection units) 86 are arranged at substantially equal intervals.

反射ユニット８６の基端部は、反射ユニット２６と同様に、テーブルベース１８を介して回転軸２０に対して固定されている。反射ユニット８６も、反射ユニット２６と同様に、腕部２８、第１反射ブロック３０及び第２反射ブロック３４を含む。 The base end of the reflection unit 86 is fixed to the rotating shaft 20 via the table base 18, like the reflection unit 26. As shown in FIG. Reflection unit 86 also includes arm 28 , first reflection block 30 and second reflection block 34 , similar to reflection unit 26 .

つまり、反射ユニット８６も、第１鏡面３０ｃを含む傾斜面３０ｂと、第２鏡面３４ｃを含む傾斜面３４ｂと、を有し、第１鏡面３０ｃ及び第２鏡面３４ｃにより、光３２ｂを発光ユニット３２からヘッド部６４ａへ照射可能である。 That is, the reflection unit 86 also has an inclined surface 30b including the first mirror surface 30c and an inclined surface 34b including the second mirror surface 34c. can irradiate to the head portion 64a.

但し、長手方向２８ａにおいて保持面１０ａの中心位置１０ｃ（即ち、回転軸２０の中心２０ａ（図４参照））から反射ユニット８６の貫通孔８８までの距離Ａ２は、長手方向２８ａにおいて中心位置１０ｃから反射ユニット２６の貫通孔２８ｂまでの距離Ａ１よりも長い。 However, the distance A2 from the center position 10c of the holding surface 10a (that is, the center 20a of the rotating shaft 20 (see FIG. 4)) to the through hole 88 of the reflecting unit 86 in the longitudinal direction 28a is It is longer than the distance A1 to the through hole 28b of the reflection unit 26.

図７（Ｂ）は、チャックテーブル１０に代えて、第２の径８０ｂを有するチャックテーブル８０が装着された保持ユニット１２等の上面図である。図７（Ｂ）では、保持面８０ａで裏面３１ｂ側が吸引保持されたウェーハ３１の外周縁３１ｅを一点鎖線で示す。 FIG. 7B is a top view of the holding unit 12 and the like on which a chuck table 80 having a second diameter 80b is mounted instead of the chuck table 10. FIG. In FIG. 7B, the outer peripheral edge 31e of the wafer 31 whose back surface 31b side is suction-held by the holding surface 80a is indicated by a dashed line.

図７（Ｂ）に示す様に、ウェーハ３１の外周縁３１ｅは、４つの反射ユニット８６の貫通孔８８の直上に位置する。それゆえ、発光ユニット３２から照射された光３２ｂは、各反射ユニット８６における一対の傾斜面（傾斜面３０ｂ、３４ｂ）を経て、ウェーハ３１の外周部３１ｄに照射される。 As shown in FIG. 7B, the outer peripheral edge 31e of the wafer 31 is located directly above the through holes 88 of the four reflection units 86. As shown in FIG. Therefore, the light 32b emitted from the light emitting unit 32 passes through the pair of inclined surfaces (the inclined surfaces 30b and 34b) of each reflection unit 86 and is irradiated onto the outer peripheral portion 31d of the wafer 31. As shown in FIG.

ウェーハ３１の外周縁３１ｅにおける３点の座標は、保持面８０ａの中心位置（座標）８０ｃを原点としてそれぞれ規定されている。ウェーハ３１の表面１１ａの中心位置（不図示）は、中心位置８０ｃと、外周縁１１ｅに対応する３点の座標とに基づいて算出される。 The coordinates of the three points on the outer peripheral edge 31e of the wafer 31 are defined with the center position (coordinates) 80c of the holding surface 80a as the origin. The center position (not shown) of the surface 11a of the wafer 31 is calculated based on the center position 80c and coordinates of three points corresponding to the outer peripheral edge 11e.

なお、表面１１ａ、３１ａの各中心位置を算出するためには、撮像ユニット３６は、少なくとも３つの反射ユニット２６と、少なくとも３つの反射ユニット８６と、を有すればよい。 Note that the imaging unit 36 should have at least three reflection units 26 and at least three reflection units 86 in order to calculate the respective center positions of the surfaces 11a and 31a.

第２の実施形態では、サイズの異なるチャックテーブル１０、８０を使用する場合に、少なくとも３つの反射ユニット２６と、少なくとも３つの反射ユニット８６と、のいずれかを使用することで、径の異なるウェーハ１１、３１の外周縁１１ｅ、３１ｅの座標をそれぞれ特定できる。 In the second embodiment, when chuck tables 10 and 80 having different sizes are used, wafers having different diameters are used by using either at least three reflection units 26 or at least three reflection units 86 . The coordinates of the outer peripheral edges 11e and 31e of 11 and 31 can be specified respectively.

ところで、第２の実施形態では、反射ユニット２６を利用して径が８インチのウェーハ１１を撮像し、反射ユニット８６を利用して径が１２インチのウェーハ３１を撮像する場合について述べた。しかし、ウェーハ１１、３１の径はこの例に限定されるものではない。 By the way, in the second embodiment, the case where the reflection unit 26 is used to image the wafer 11 with a diameter of 8 inches and the reflection unit 86 is used to image the wafer 31 with a diameter of 12 inches has been described. However, the diameters of the wafers 11 and 31 are not limited to this example.

また、反射ユニット２６を利用して最も小径のウェーハの外周部を撮像し、反射ユニット８６を利用して中間の径のウェーハの外周部を撮像し、反射ユニット２６、８６を利用せずに最も大径のウェーハの外周部を撮像することもできる。 In addition, the reflection unit 26 is used to image the outer peripheral portion of the wafer with the smallest diameter, the reflection unit 86 is used to image the outer peripheral portion of the intermediate diameter wafer, and the reflection units 26 and 86 are not used to image the outer peripheral portion of the wafer. It is also possible to image the outer periphery of a large-diameter wafer.

例えば、反射ユニット２６を利用して径が６インチのウェーハ１１を撮像し、反射ユニット８６を利用して径が８インチのウェーハ３１を撮像し、反射ユニット２６、８６を利用せずに径が１２インチのウェーハの外周部を撮像する様に、撮像ユニット３６を構成してもよい。 For example, the reflection unit 26 is used to image the wafer 11 with a diameter of 6 inches, the reflection unit 86 is used to image the wafer 31 with a diameter of 8 inches, and the diameter is imaged without using the reflection units 26 and 86. The imaging unit 36 may be configured to image the periphery of a 12-inch wafer.

（第３の実施形態）次に、図８を参照して、第３の実施形態について説明する。図８は、第３の実施形態に係る反射ユニット９０を示す一部断面側面図である。１つの反射ユニット９０は、貫通孔２８ｂ、８８の両方を有する。 (Third Embodiment) Next, a third embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a partial cross-sectional side view showing a reflecting unit 90 according to the third embodiment. One reflecting unit 90 has both through holes 28b and 88. FIG.

第２反射ブロック３４は、長手方向２８ａに沿ってスライド可能に腕部２８に連結されている。第２反射ブロック３４は、第２鏡面３４ｃが貫通孔２８ｂ又は貫通孔８８の直下に位置する様に位置決めされる。 The second reflecting block 34 is slidably connected to the arm portion 28 along the longitudinal direction 28a. The second reflection block 34 is positioned so that the second mirror surface 34c is positioned directly below the through hole 28b or the through hole 88. As shown in FIG.

第２反射ブロック３４の移動方式は、作業者が手作業で移動させるマニュアル移動式でもよく、制御ユニット７０がボールねじ式の移動機構を制御することで所定の位置に移動させる自動移動式でもよい。 The movement method of the second reflection block 34 may be a manual movement type in which an operator manually moves it, or an automatic movement type in which the control unit 70 controls a ball screw type movement mechanism to move it to a predetermined position. .

テーブルベース１８の周方向に沿って異なる位置に少なくとも３つの反射ユニット９０を設けることにより、反射ユニット２６、８６の両方の機能を１つの反射ユニット９０に実装できる。 By providing at least three reflection units 90 at different positions along the circumferential direction of the table base 18 , both functions of the reflection units 26 and 86 can be implemented in one reflection unit 90 .

（変形例）次に、図９から図１１を用いて変形例について説明する。なお、図９から図１１では、第１の実施形態に対する変形例を示すが、当該変形例は、第２及び第３の実施形態に対しても同様に適用可能である。 (Modification) Next, a modification will be described with reference to FIGS. 9 to 11. FIG. Although FIGS. 9 to 11 show modifications of the first embodiment, the modifications are similarly applicable to the second and third embodiments.

図９は、変形例に係る保持ユニット１２の拡大図である。図１０は、ウェーハ１１の外周部１１ｄを撮像する様子を示す一部断面側面図である。図１１は、ウェーハ１１よりも大径のウェーハ３１の外周部３１ｄを撮像する様子を示す一部断面側面図である。 FIG. 9 is an enlarged view of a holding unit 12 according to a modification. FIG. 10 is a partial cross-sectional side view showing how the outer peripheral portion 11d of the wafer 11 is imaged. FIG. 11 is a partial cross-sectional side view showing how an outer peripheral portion 31d of a wafer 31 having a diameter larger than that of the wafer 11 is imaged.

変形例に係るチャックテーブル１０の枠体１４ａの外周部には、外径がチャックテーブル１０よりも大径の円環状の補助テーブル１４ｃが、枠体１４ａと一体的に設けられている。 An annular auxiliary table 14c having an outer diameter larger than that of the chuck table 10 is provided integrally with the frame 14a on the outer periphery of the frame 14a of the chuck table 10 according to the modification.

補助テーブル１４ｃの上面は、Ｘ‐Ｙ平面と略平行であり略平坦な円環状の外側上面１４ｃ１を含む。外側上面１４ｃ１は、保持面１０ａよりも低い位置にある。本実施形態の外側上面１４ｃ１は、ウェーハ１１の円形凹部２１の深さに対応する長さだけ、保持面１０ａよりも低い位置にある。 The upper surface of the auxiliary table 14c includes an annular outer upper surface 14c1 that is substantially parallel to the XY plane and substantially flat. The outer upper surface 14c1 is positioned lower than the holding surface 10a. The outer upper surface 14 c 1 in this embodiment is lower than the holding surface 10 a by a length corresponding to the depth of the circular recess 21 of the wafer 11 .

それゆえ、図１１に示す様に、ウェーハ１１よりも大径のウェーハ３１をチャックテーブル１０に配置した場合であっても、外側上面１４ｃ１でウェーハ３１の外周部３１ｄを支持することで、ウェーハ３１の撓みを防ぎつつ、ウェーハ３１を吸引保持できる。 Therefore, even when a wafer 31 having a diameter larger than that of the wafer 11 is placed on the chuck table 10 as shown in FIG. The wafer 31 can be held by suction while preventing the bending of the wafer 31 .

外側上面１４ｃ１よりも内側に位置する円環状の内側上面１４ｃ２は、枠体１４ａの径方向の外側から内側に進むにつれて低くなる様に傾斜している。外側上面１４ｃ１と、内側上面１４ｃ２との境界１４ｃ３を含む領域には、円筒状の貫通孔１４ｄが形成されている。 An annular inner upper surface 14c- 2 located inside the outer upper surface 14c- 1 is inclined so as to become lower as it progresses from the outer side to the inner side in the radial direction of the frame 14a. A cylindrical through-hole 14d is formed in a region including a boundary 14c- 3 between the outer upper surface 14c- 1 and the inner upper surface 14c- 2 .

図１０に示す様に、貫通孔１４ｄは、反射ユニット２６の貫通孔２８ｂの上方に位置しており、反射ユニット２６で反射された光３２ｂは、貫通孔１４ｄを通過し、保持面１０ａで吸引保持されたウェーハ１１の外周部１１ｄに照射される。 As shown in FIG. 10, the through hole 14d is positioned above the through hole 28b of the reflecting unit 26, and the light 32b reflected by the reflecting unit 26 passes through the through hole 14d and is attracted by the holding surface 10a. The outer peripheral portion 11d of the held wafer 11 is irradiated.

これに対して、ウェーハ３１の外周部３１ｄを撮像する場合には、図１１に示す様に、反射ユニット２６を利用することなく、光３２ｂをウェーハ３１の外周部３１ｄに直接照射する。 On the other hand, when imaging the outer peripheral portion 31d of the wafer 31, the outer peripheral portion 31d of the wafer 31 is directly irradiated with the light 32b without using the reflection unit 26, as shown in FIG.

この様に、補助テーブル１４ｃを有するチャックテーブル１０を用いれば、チャックテーブル１０でウェーハ１１を吸引保持でき、更に、チャックテーブル１０よりも大径のチャックテーブル８０に交換することなく、ウェーハ１１よりも大きな径のウェーハ３１を吸引保持できる。 In this way, if the chuck table 10 having the auxiliary table 14c is used, the wafer 11 can be held by suction on the chuck table 10, and furthermore, the chuck table 80 can be replaced with a chuck table 80 having a diameter larger than that of the chuck table 10. A wafer 31 with a large diameter can be held by suction.

その他、上述の実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。例えば、円形凹部２１が形成されていないウェーハ１１の外周部１１ｄを、レーザー加工装置２を用いて同様に加工することもできる。 In addition, the structures, methods, and the like according to the above-described embodiments can be modified as appropriate without departing from the scope of the present invention. For example, the outer peripheral portion 11 d of the wafer 11 on which the circular concave portion 21 is not formed can be similarly processed using the laser processing device 2 .

ところで、上述の実施形態と同様の内容は、ウェーハ１１、３１の外周部１１ｄ、３１ｄに対してエッジトリミング（即ち、切削等の所定の加工）を施すことで環状凸部２３等を除去する切削装置（加工装置）（不図示）においても実現可能である。 By the way, the content similar to that of the above-described embodiment is cutting for removing the annular convex portion 23 and the like by subjecting the outer peripheral portions 11d and 31d of the wafers 11 and 31 to edge trimming (i.e., predetermined processing such as cutting). It can also be implemented in a device (processing device) (not shown).

切削装置は、レーザー加工ユニット６２に代えて、切削ユニット（加工ユニット）を有する。切削ユニットは、長手部がＹ軸方向に平行に配置された筒状のスピンドルハウジングを含む。スピンドルハウジングには、円柱状のスピンドルの一部が回転可能に収容されている。 The cutting device has a cutting unit (processing unit) instead of the laser processing unit 62 . The cutting unit includes a tubular spindle housing having a longitudinal portion arranged parallel to the Y-axis direction. A part of a cylindrical spindle is rotatably accommodated in the spindle housing.

スピンドルの基端部には、モータ等の回転駆動源が設けられている。スピンドルの先端部は、スピンドルハウジングから突出している。スピンドルの先端部には、円環状の切り刃を有する切削ブレードが装着される。 A rotational drive source such as a motor is provided at the base end of the spindle. A tip of the spindle protrudes from the spindle housing. A cutting blade having an annular cutting edge is attached to the tip of the spindle.

また、スピンドルの先端部に対して、Ｘ軸方向で隣接する位置には、カメラ部６４のヘッド部６４ａが設けられている。このヘッド部６４ａは、スピンドルハウジングに固定されている。 A head portion 64a of the camera portion 64 is provided at a position adjacent to the tip portion of the spindle in the X-axis direction. This head portion 64a is fixed to the spindle housing.

切削装置は、スピンドルハウジングをＺ軸方向に沿って移動させるボールねじ式の切り込み送りユニットを有する。切り込み送りユニットには、スピンドルハウジングをＹ軸方向に沿って移動させる割り出し送りユニットが連結されている。 The cutting device has a ball-screw type cutting feed unit that moves the spindle housing along the Z-axis direction. An indexing feed unit is connected to the incision feed unit to move the spindle housing along the Y-axis direction.

切削ユニットの下方には、テーブルベース１８、回転軸２０、駆動部２２が設けられている。テーブルベース１８には、クランプユニット２４及び反射ユニット２６が上述の実施形態と同様に設けられる。テーブルベース１８上には、チャックテーブル１０、８０の１つが交換可能な態様で装着される。 A table base 18, a rotating shaft 20, and a drive section 22 are provided below the cutting unit. A clamp unit 24 and a reflection unit 26 are provided on the table base 18 in the same manner as in the above embodiments. One of the chuck tables 10, 80 is mounted on the table base 18 in a replaceable manner.

駆動部２２は、Ｘ軸方向移動板４０で支持されている。Ｘ軸方向移動板４０等は、ボールねじ式のＸ軸方向移動ユニット（加工送りユニット）４８を構成する。Ｘ軸方向移動板４０の上面には、発光ユニット３２が設けられている。少なくとも３つの反射ユニット２６、発光ユニット３２、カメラ部６４等は、撮像ユニット３６を構成する。 The drive unit 22 is supported by an X-axis moving plate 40 . The X-axis movement plate 40 and the like constitute a ball screw type X-axis movement unit (processing feed unit) 48 . A light emitting unit 32 is provided on the upper surface of the X-axis movement plate 40 . At least three reflection units 26 , light emission units 32 , camera section 64 and the like constitute an imaging unit 36 .

切削装置においても、サイズの異なるチャックテーブル１０、８０を使用する場合に、少なくとも３つの反射ユニット２６等の使用の有無を選択するだけで、径の異なるウェーハ１１、３１の外周部１１ｄ、３１ｄの座標をそれぞれ特定できる。 Even in the cutting apparatus, when chuck tables 10 and 80 having different sizes are used, the outer peripheral portions 11d and 31d of the wafers 11 and 31 having different diameters can be adjusted simply by selecting whether to use at least three reflection units 26 or the like. Each coordinate can be specified.

それゆえ、異なる径のチャックテーブル１０、８０に対しても使用可能な光学系を提供できる。更に、サイズの異なるチャックテーブル１０、８０ごとにチャックテーブル１０、８０の径に対応した専用の円錐台を装着する場合に比べて、円錐台の交換に要する手間も低減できる。なお、切削装置においても、第２及び第３の実施形態、並びに、変形例を適用できる。 Therefore, it is possible to provide an optical system that can be used for chuck tables 10 and 80 having different diameters. Furthermore, compared to the case where a dedicated truncated cone corresponding to the diameter of the chuck tables 10, 80 is attached to each of the chuck tables 10, 80 of different sizes, it is possible to reduce the labor required to replace the truncated cone. Note that the second and third embodiments and modifications can also be applied to the cutting device.

２：レーザー加工装置（加工装置）
４：基台、６：基部、８：壁部
１０：チャックテーブル（第１の保持テーブル）
１０ａ：保持面、１０ｂ：第１の径、１０ｃ：中心位置
１１：ウェーハ（第１のウェーハ）
１１ａ：表面（一面）、１１ａ１：中心位置、１１ｂ：裏面
１１ｃ：ノッチ、１１ｄ：外周部、１１ｅ：外周縁
１２：保持ユニット
１３：分割予定ライン、１５：デバイス、１７：デバイス領域、１７ａ：境界
１４ａ：枠体、１４ｂ：多孔質板
１４ｃ：補助テーブル、１４ｃ１：外側上面、１４ｃ２：内側上面、１４ｃ３：境界
１４ｄ：貫通孔
１６：吸引源
１８：テーブルベース
２０：回転軸、２０ａ：中心
２２：駆動部
１９：外周余剰領域、２１：円形凹部、２３：環状凸部
２４：クランプユニット
２５：テープ、２７：環状フレーム、２９：ウェーハユニット
２６：反射ユニット（第１反射ユニット）
２８：腕部、２８ａ：長手方向、２８ｂ：貫通孔
３０：第１反射ブロック、３０ａ：垂直平面、３０ｂ：傾斜面、３０ｃ：第１鏡面
３１：ウェーハ（第２のウェーハ）
３１ａ：表面（一面）、３１ｂ：裏面、３１ｄ：外周部、３１ｅ：外周縁
３２：発光ユニット、３２ａ：光源、３２ｂ：光
３４：第２反射ブロック、３４ａ：開口、３４ｂ：傾斜面、３４ｃ：第２鏡面
３６：撮像ユニット
４０：Ｘ軸方向移動板
４１：円形凹部
４２：Ｘ軸ガイドレール、４４：ねじ軸、４６：駆動源
４８：Ｘ軸方向移動ユニット
５０：Ｙ軸方向移動板
５２：Ｙ軸ガイドレール、５４：ねじ軸、５６：駆動源
５８：Ｙ軸方向移動ユニット
６０：アーム
６２：レーザー加工ユニット（加工ユニット）、６２ａ：集光器
６４：カメラ部、６４ａ：ヘッド部
６６：筐体
６８：タッチパネル
７０：制御ユニット
８０：チャックテーブル（第２の保持テーブル）
８０ａ：保持面、８０ｂ：第２の径、８０ｃ：中心位置
８６：反射ユニット（第２反射ユニット）、８８：貫通孔
９０：反射ユニット
Ａ１，Ａ２：距離 2: Laser processing equipment (processing equipment)
4: Base, 6: Base, 8: Wall 10: Chuck table (first holding table)
10a: holding surface, 10b: first diameter, 10c: center position 11: wafer (first wafer)
11a: front surface (one surface), 11a 1 : center position, 11b: back surface 11c: notch, 11d: outer peripheral portion, 11e: outer peripheral edge 12: holding unit 13: planned division line, 15: device, 17: device area, 17a: Boundary 14a: Frame 14b: Porous plate 14c: Auxiliary table 14c 1 : Outer upper surface 14c 2 : Inner upper surface 14c 3 : Boundary 14d: Through hole 16: Suction source 18: Table base 20: Rotation shaft 20a : center 22: drive unit 19: outer peripheral surplus region 21: circular concave portion 23: annular convex portion 24: clamp unit 25: tape 27: annular frame 29: wafer unit 26: reflection unit (first reflection unit)
28: arm, 28a: longitudinal direction, 28b: through hole 30: first reflection block, 30a: vertical plane, 30b: inclined surface, 30c: first mirror surface 31: wafer (second wafer)
31a: front surface (one surface), 31b: back surface, 31d: outer peripheral portion, 31e: outer peripheral edge 32: light emitting unit, 32a: light source, 32b: light 34: second reflection block, 34a: opening, 34b: inclined surface, 34c: Second mirror surface 36: Imaging unit 40: X-axis direction moving plate 41: Circular recess 42: X-axis guide rail 44: Screw shaft 46: Drive source 48: X-axis direction moving unit 50: Y-axis direction moving plate 52: Y-axis guide rail 54: screw shaft 56: drive source 58: Y-axis movement unit 60: arm 62: laser processing unit (processing unit) 62a: condenser 64: camera unit 64a: head unit 66: Case 68: Touch panel 70: Control unit 80: Chuck table (second holding table)
80a: holding surface, 80b: second diameter, 80c: center position 86: reflection unit (second reflection unit), 88: through hole 90: reflection units A1, A2: distance

Claims (4)

円板状のウェーハの一面の中心位置を算出する際に使用され、該ウェーハの外周部に対して所定の加工を施す加工装置であって、
該ウェーハを保持する保持ユニットと、
該ウェーハを加工する加工ユニットと、
該保持ユニットで保持された該ウェーハの外周部を撮像する撮像ユニットと、
を備え、
該保持ユニットは、
該ウェーハを吸引保持するための円板状の保持テーブルと、
該保持テーブルに対して連結され、該保持テーブルを回転させるための回転軸と、
該回転軸を回転させる駆動部と、
を有し、
該撮像ユニットは、
カメラ部と、
該カメラ部よりも下方に設けられ、光源を含む発光ユニットと、
それぞれ、該回転軸に対して固定され、該保持テーブルの周方向に沿って互いに離れる様に該保持テーブルの外周部に配置され、対向する一対の傾斜面を有し、該一対の傾斜面を介して該光源からの光を上方に照射可能な少なくとも３つの反射ユニットと、
を有し、
該撮像ユニットにおける各反射ユニットの位置を調整することにより、該保持テーブルよりも大きな径を有し該保持テーブルで吸引保持された際に該保持テーブルの径方向の外側にはみ出している該ウェーハの外周部に対して、該光源からの光を各反射ユニットから順次照射し、該ウェーハの外周部の少なくとも３箇所を該撮像ユニットで撮像することを特徴とする加工装置。 A processing device that is used to calculate the center position of one surface of a disk-shaped wafer and performs predetermined processing on the outer peripheral portion of the wafer,
a holding unit that holds the wafer;
a processing unit for processing the wafer;
an imaging unit for imaging the outer peripheral portion of the wafer held by the holding unit;
with
The holding unit is
a disc-shaped holding table for sucking and holding the wafer;
a rotating shaft coupled to the holding table for rotating the holding table;
a drive unit that rotates the rotating shaft;
has
The imaging unit is
camera section,
a light emitting unit provided below the camera unit and including a light source;
Each of them is fixed to the rotating shaft, arranged on the outer peripheral portion of the holding table so as to be separated from each other along the circumferential direction of the holding table, and has a pair of opposing inclined surfaces. at least three reflective units capable of upwardly emitting light from the light source through;
has
By adjusting the position of each reflection unit in the imaging unit, the wafer having a diameter larger than that of the holding table and protruding outside in the radial direction of the holding table when suction-held by the holding table is removed. A processing apparatus, wherein light from the light source is sequentially applied to an outer peripheral portion of the wafer from each reflection unit, and at least three locations on the outer peripheral portion of the wafer are imaged by the imaging units. 該少なくとも３つの反射ユニットは、
第１の径を有する第１の保持テーブルが該保持テーブルとして該保持ユニットに用いられる場合に、該第１の保持テーブルで吸引保持された際に該第１の保持テーブルの径方向の外側にはみ出しており、且つ、該第１の径よりも大きな径を有する第１のウェーハの外周部に対して、該光源からの光をそれぞれ照射可能な少なくとも３つの第１反射ユニットと、
該第１の保持テーブルに代えて該第１の径よりも大きな第２の径を有する第２の保持テーブルが該保持テーブルとして該保持ユニットに用いられる場合に、該第２の保持テーブルで吸引保持された際に該第２の保持テーブルの径方向の外側にはみ出しており、且つ、該第２の径よりも大きな径を有する第２のウェーハの外周部に対して、該光源からの光をそれぞれ照射可能な少なくとも３つの第２反射ユニットと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の加工装置。 The at least three reflective units are
When a first holding table having a first diameter is used as the holding table in the holding unit, when sucked and held by the first holding table, it is radially outward of the first holding table. at least three first reflection units each capable of irradiating the light from the light source to the outer peripheral portion of the first wafer that protrudes and has a diameter larger than the first diameter;
When a second holding table having a second diameter larger than the first diameter is used as the holding table in the holding unit instead of the first holding table, suction is performed by the second holding table. Light from the light source is applied to the outer peripheral portion of the second wafer, which protrudes radially outward of the second holding table when held and has a diameter larger than the second diameter. at least three second reflection units each capable of irradiating the
2. The processing apparatus according to claim 1, comprising: 該保持ユニットは、該保持テーブルの外周部に設けられた円環状の補助テーブルを更に有し、
該補助テーブルは、各反射ユニットで反射された光を該ウェーハの外周部に照射するための貫通孔を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の加工装置。 The holding unit further has an annular auxiliary table provided on the outer periphery of the holding table,
3. The processing apparatus according to claim 1, wherein the auxiliary table includes a through hole for irradiating the outer peripheral portion of the wafer with the light reflected by each reflecting unit. 各反射ユニットの該一対の傾斜面は、該光源からの光を上方へ照射する様に該一対の傾斜面が設けられている反射ユニットの長手方向と直交する平面に対して４５度傾いた第１鏡面及び第２鏡面を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の加工装置。 The pair of inclined surfaces of each reflecting unit is inclined by 45 degrees with respect to a plane orthogonal to the longitudinal direction of the reflecting unit on which the pair of inclined surfaces are provided so as to irradiate the light from the light source upward. 4. A processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, comprising one mirror surface and a second mirror surface.
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