JP2023107783A - 沈殿混合装置 - Google Patents
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Abstract
Description
に関するものである。
[1] 有価金属粉を含むレジスト廃液から有価金属粉を回収する方法であって、前記レジスト廃液を浮遊性有価金属粉含有上澄み液と、沈降性有価金属粉含有沈殿物とに沈降分離する工程、前記沈降分離する工程から越流した上澄み液に不溶性粒子を添加する工程、及び前記不溶性粒子を含む上澄み液をろ過する工程を有することを特徴とする有価金属粉回収方法。
(1)有価金属粉含有レジスト廃液を浮遊性有価金属粉含有上澄み液と、沈降性有価金属粉含有沈殿物とに分離する工程(以下、沈降分離工程という)
(2)上記沈降分離工程から越流した上澄み液に不溶性粒子を添加する工程(以下、添加工程という)
(3)上記不溶性粒子含有上澄み液をろ過する工程(以下、ろ過工程という)
上記回収方法によって有価金属粉は沈殿物、ろ過残渣としてレジスト廃液から高収率で回収できる。しかもろ過膜のメンテナンス期間を大幅に伸長できる。
本発明の対象とするレジスト廃液は、フェノール樹脂などの各種公知の高分子系レジスト成分、及びレジストの除去に使用した各種公知現像液、エッチング液、洗浄液などのレジスト除去液、及び有価金属粉を含む廃液である。またレジスト廃液には感光剤、溶剤など各種添加剤が含まれていてもよい。レジスト廃液の組成は排出源によって異なるがいずれも本発明で処理可能である。レジスト廃液はレジスト材料に起因して粘性を有するが、本発明で対象とするレジスト廃液の粘性は排出源によって異なるため特に限定されない。レジスト廃液の粘性は例えば室温において1.0cP以上である。
レジスト廃液は半導体製造工程などのレジスト廃液発生源1から本発明の沈降分離工程3に供給される。レジスト廃液はレジスト廃液発生源1から直接、あるいは一旦、レジスト廃液貯蔵タンク2で貯留してから沈降分離工程3に供給してもよい。レジスト廃液貯蔵タンク2を設けると本発明の有価金属粉回収工程がメンテナンス中でも半導体などの製造ラインを停止する必要がない。またレジスト廃液貯蔵タンク2を設けることで本発明の有価金属粉回収工程に供給するレジスト廃液の成分組成を均一化できる。更に本発明の有価金属粉回収工程の処理量に応じてレジスト廃液の供給量を調整できる。レジスト廃液は連続的に沈降分離工程3に供給してもよいし、一定量づつ供給してバッチ処理してもよい。沈降分離工程3での有価金属粉の沈殿効率などを考慮するとバッチ処理が好ましい。
本発明の沈降分離工程3は、レジスト廃液を浮遊性有価金属粉含有上澄み液と、沈降性有価金属粉含有沈殿物とに分離する工程である。レジスト廃液中の有価金属粉の一部を沈殿させることによって上澄み液中の有価金属粉濃度を低減できる。したがって上澄み液をろ過工程でろ過する際に有価金属粉に起因するろ過膜の目詰まりを抑制できる。本発明において浮遊性有価金属粉と沈殿性有価金属粉はいずれもレジスト廃液中の有価金属粉であるが、所定時間内で沈殿せずにレジスト廃液中に浮遊している有価金属粉を浮遊性有価金属粉、比重が大きく沈殿した有価金属粉を沈殿性有価金属粉という。また上澄み液とは沈降分離工程3から添加工程4に供給されるレジスト廃液をいう。
本発明の添加工程4は、上記沈降分離工程3から越流した上澄み液に不溶性粒子を添加する工程である。不溶性粒子は次工程であるろ過工程7でボディフィードとしても機能するため、ろ過膜への有価金属粉やレジスト成分の付着を抑制できる。
本発明で使用する不溶性粒子はレジスト廃液に対して不溶性の固体である。好ましくはレジスト廃液に含まれるレジスト除去液に対して不溶性である有機粒子または無機粒子であり、より好ましくは無機粒子である。また不溶性粒子は多孔質であることが好ましい。多孔質の不溶性粒子は上澄み液中の有価金属粉のうち微細な有価金属粉を吸着し、ろ過時に有価金属粉を孔内に保持するため、より一層ろ過膜への有価金属粉の付着を低減できる。また不溶性粒子は、ろ過時に沈殿する程度の比重を有するものが好ましい。
ろ過工程7は不溶性粒子が添加された上澄み液(以下、混合液という)を有価金属粉含有残渣と、有価金属粉非含有廃液とに固液分離する工程である。ろ過後、有価金属粉含有残渣から公知の手段で有価金属粉を回収できる。ろ過は有価金属粉の回収率、メンテナンス性、省スペース化、処理速度などに優れているため、他の固液分離手段、例えば沈降分離、遠心分離、フィルター分離などよりも好ましい。
本発明の上記有価金属粉回収方法に好適な有価金属粉回収設備は、少なくとも沈殿混合装置10(図2、3)、ろ過装置11(図4)を有している。本発明の有価金属粉回収設備は更にレジスト廃液貯蔵タンク(図1の2)、及び/または不溶性粒子含有液貯蔵タンク(図1の5)を有していてもよい。これら装置、及びタンクは配管(図1の8a~8e)で相互に接続されている。また配管には必要に応じて図示しないポンプやバルブを設けて供給量の調整が行われている。
本発明の沈殿混合装置10は沈降分離工程3を行う沈降槽12と添加工程4を行う混合槽13を有する構成である。沈殿混合装置10は好ましくは直方体乃至立方体であり、沈殿混合装置10の内部を隔壁17で仕切ることで沈降槽12と混合槽13とに分けている。隔壁17は天井面22と隔壁17の上端部との間に空隙ができるように設置されている。該空隙を設けることで沈降槽12のレジスト廃液の液面が隔壁17の上端を超えると越流して混合槽13に供給される。なお、図示例とは異なり、隔壁17を天井面22と接するように設置した場合は、隔壁17に開口部を設けて該開口部から上澄み液が混合槽13に供給されるように構成してもよい。
沈降槽12はレジスト廃液を所定時間滞在させて有価金属粉の少なくとも一部を沈殿させる手段である。沈降槽12はレジスト廃液供給口19、流路板14を有している。以下では流路板14と沈降槽12の壁面20cの間の空間(すなわち、レジスト廃液供給口19が設けられている側)を第1沈降部30、流路板14と隔壁17の間の空間を第2沈降部31ということがある。
混合槽13は沈降槽12から供給された上澄み液に不溶性粒子を添加して撹拌混合する手段である。混合槽13は不溶性粒子供給手段34、攪拌・混合手段35、排出口33とを有する。
本発明で使用するろ過装置は工業的に利用されているろ過装置を使用できる。そのため図示例に限定されず、適宜変更可能である。ろ過装置11は上澄み液を有価金属粉含有残渣と有価金属粉が除去された廃液(以下、処理液という)とに分離する手段である。ろ過装置11はろ過膜39、混合液供給手段40を有する。ろ過膜39には所望のろ過性能を有するろ過膜を用いる。ろ過膜39の周縁部は保護板44などの固定手段により固定されていていることが好ましい。なお、図示例ではろ過膜39を示すために透過させている。
下記条件でレジスト廃液から金粉の回収を行って使用したろ過膜の寿命について調べた。ろ過膜の寿命はろ過膜へのレジスト廃液供給速度がろ過速度以上となった場合にろ過寿命に達したと判断した。具体的にはろ過速度が0.043mL/sec・4.9cm2未満となった時点をろ過寿命と判断した。各実験結果を表1に示すと共に、ろ過膜の処理量とろ過速度との関係を図5に示した。
半導体製造工場から排出されるレジスト成分、レジスト剥離液、及び金粉(0.04g/L)を含有するレジスト廃液(52L)を沈降槽(幅320mm×奥行460mm×高さ500mm)に供給して有価金属粉の沈降分離を行った。50分経過後、上澄み液(10L)を抜き出して吸引ろ過(ろ過圧:-0.07MPa)を行った。ろ紙は1μmのガラスろ紙(ろ過面積:4.9cm2)を用い、ボディフィード、プリコートは共に行わなかった。
ろ過する際に珪藻土(0.2g:昭和化学工業社製ラジオライト(登録商標)#800)によるプリコート層を形成した以外は比較例1と同様にしてろ過を行った。ろ過面積:4.9cm2に対して0.2gの珪藻土をプリコートした。
比較例1と同様にしてレジスト廃液を沈降槽に供給して金粉の沈降分離を行った。沈降分離後、上澄み液(10L)を別のビーカーに移し替え、不溶性粒子として珪藻土粉末0.5gを添加した後、ガラス棒で10秒程度、攪拌して上澄み液と珪藻土を混合した。得られた混合液を吸引ろ過(ろ過圧:-0.07MPa)した。ろ紙は1μmのガラスろ紙(ろ過面積:4.9cm2)を用いた。
ろ過する際に珪藻土(0.2g)によるプリコート層をろ過膜上に2mm程度形成した以外は実施例1と同様にしてろ過を行った。
実施例1、2では上澄み液に不溶性粒子を添加することでろ過膜の寿命が著しく伸長したことがわかる。更にプリコート層を設けることでより一層、ろ過膜の寿命が伸びたことがわかる。
上記実施例1における不溶性粒子の添加量を表2に示すように変更してろ過膜の寿命を同様に調べた。なお、使用したレジスト廃液の金粉含有量は同じであったが(0.04g/L)、更新前の剥離液を含むレジスト廃液であったため実験1よりもレジスト成分の濃度が高く、高粘性であった。各実験結果を表2に示すと共に、ろ過膜の処理量とろ過速度との関係を図6に示した。
No.3-1
実験2で使用したレジスト廃液を使用した以外は実施例1と同様にして実験を行った。
No.3-2
実験2で使用したレジスト廃液を使用した以外は実施例2と同様にして実験を行った。
結果を表3に示す。
沈降分離前後の金粉濃度を調べた。具体的には実験1で使用したレジスト廃液(5L)を沈降槽(幅320mm×奥行57.5mm×高さ500mm)に表4に示す通液量で供給し、処理前のレジスト廃液に含まれている金粉濃度と処理後のレジスト廃液に含まれている金粉濃度をそれぞれ測定し、沈降分離での金粉の除去率を調べた。なお、通液流量以外は同一条件とした。沈降分離前のレジスト廃液に含まれている金粉濃度は各回共に0.3045g/Lであった。沈降分離後のレジスト廃液に含まれている金粉濃度を調べた結果を表4に示す。同じレジスト廃液を使用して実験を4回行った。結果を表4に示す。
2 レジスト廃液貯蔵タンク
3 沈降分離工程
4 添加工程
5 不溶性粒子貯蔵タンク
6 プリコート層
7 ろ過工程
8a~8e 配管
10 沈殿混合装置
11 ろ過装置
12 沈降槽
13 混合槽
14 流路板
15 レジスト廃液受け部
15a 開口部
16 遮断板
17 隔壁
18 傾斜板
19 レジスト廃液供給口
20a、20b、20c 壁面
21 底面
22 天井面
30 第1沈降部
31 第2沈降部
32 空隙
33 排出口
34 不溶性粒子供給手段
35 攪拌・混合手段
35a 供給口
36 抜き出し口
37a、37b ノズル
38 排出口
39 ろ過膜
40 混合液供給手段
41 プリコート層
42 供給口
43a 43b 供給経路
44 保護板
46 ろ過液タンク
Claims (8)
- 沈殿混合装置であって、
前記沈殿混合装置は、
隔壁によって仕切られた沈降槽と混合槽とを有し、
前記沈降槽は、
流路板によって仕切られた第1沈降部と第2沈降部とを有すると共に
前記第1沈降部と前記第2沈降部は前記流路板の下端部と前記沈降槽の底面との間に設けられた空隙で接続されており、
前記混合槽と前記第2沈降部は前記隔壁に設けられた開口部で接続されており、
前記第1沈降部に液体供給口が設けられており、
前記混合槽に液体排出口が設けられており、
前記第2沈降部には前記流路板と前記隔壁との間に遮断板が設けられており、
前記遮断板の下端部は前記隔壁の上端部よりも低くなるように設置されていると共に、前記遮断板の上端部は前記隔壁の上端部よりも高くなるように設置されている沈殿混合装置。 - 前記沈降槽の底面には、前記第1沈降部の壁面側から前記隔壁側に向かって低くなるように傾斜した傾斜板が設けられている請求項1に記載の沈殿混合装置。
- 前記第2沈降部の底面付近には、沈殿物の排出口が設けられている請求項1に記載の沈殿混合装置。
- 前記混合槽には、不溶性粒子の供給手段と、攪拌・混合手段が設けられている請求項1に記載の沈殿混合装置。
- 前記沈殿混合装置は前記混合槽の前記液体排出口と接続されたろ過装置が設けられており、
前記ろ過装置はろ過膜と、前記液体排出口から前記ろ過膜に液体を供給する手段とを有するものである請求項1に記載の沈殿混合装置。 - 前記液体を供給する手段は、液体が水平方向に流通するように設けられた供給経路と、該供給経路上に設けられた前記液体を前記ろ過膜に供給する供給口とを有するものである請求項5に記載の沈殿混合装置。
- 前記供給口と前記ろ過膜との間には保護板が設けられており、前記保護板は前記供給口から供給された液体が前記保護板に当たるように設置されている請求項6に記載の沈殿混合装置。
- 前記ろ過装置は、
前記ろ過膜上にプリコート層を有するものである請求項5に記載の沈殿混合装置。
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