JP2023106455A5 - - Google Patents

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Claims (14)

  1. カーボンナノチューブ膜を含み、
    前記カーボンナノチューブ膜はカーボンナノチューブを含有し、
    前記カーボンナノチューブ膜は波長13.5nmにおけるEUV光の透過率が80%以上であり、
    前記カーボンナノチューブ膜は厚みが1nm以上50nm以下であり、
    前記カーボンナノチューブ膜は共鳴ラマン散乱測定法により測定されるG/D比が10以上であり、
    前記カーボンナノチューブ膜をシリコン基板上に配置し、配置した前記カーボンナノチューブ膜について、反射分光膜厚み計を用い、下記条件にて反射率を測定した場合に、反射率の3σが15%以下である露光用ペリクル膜。
    <条件>
    測定点の直径:20μm
    基準測定波長:波長285nm
    測定点数:121点
    隣接する測定点における中心点間距離:40μm
  2. 前記カーボンナノチューブ膜をシリコン基板上に配置し、配置した前記カーボンナノチューブ膜について、互いに距離が2cm以上離れた複数の測定位置のそれぞれにおいて、反射分光膜厚み計を用い、下記条件にて反射率の測定及び平均反射率の算出を行った場合に、
    前記平均反射率の最大値から前記平均反射率の最小値を差し引いた値が15%以下である請求項1に記載の露光用ペリクル膜。
    <条件>
    測定点の直径:20μm
    基準測定波長:波長285nm
    測定点数:121点
    隣接する測定点における中心点間距離:40μm
  3. 前記カーボンナノチューブは、各測定点について、波長間隔を1.3nm~1.5nmとして波長200nm~600nmの範囲で取得した反射率スペクトルから各測定点の膜厚みを算出した場合に、膜厚みの標準偏差から得た膜厚みの3σが3.82nm以下である、請求項1又は請求項2に記載の露光用ペリクル膜。
  4. 前記カーボンナノチューブは、チューブ径が0.8nm以上6.0nm以下である請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の露光用ペリクル膜。
  5. さらに、前記カーボンナノチューブ膜に接するように配置される保護層を備える請求項1~請求項のいずれか1項に記載の露光用ペリクル膜。
  6. 前記カーボンナノチューブの有効長さが0.1μm以上である請求項1~請求項のいずれか1項に記載の露光用ペリクル膜。
  7. ナノインデンテーション試験により測定される破断荷重が、1.0μN/nm以上である請求項1~請求項のいずれか1項に記載の露光用ペリクル膜。
  8. 請求項1~請求項のいずれか1項に記載の露光用ペリクル膜と、
    前記露光用ペリクル膜を支持する支持枠と、
    を含むペリクル。
  9. 原版と、前記原版のパターンを有する側の面に装着された請求項に記載のペリクルと、を含む露光原版。
  10. 請求項に記載の露光原版を含む露光装置。
  11. 露光光を放出する光源と、請求項に記載の露光原版と、前記光源から放出された露光
    光を前記露光原版に導く光学系と、を含み、
    前記露光原版は、前記光源から放出された露光光が前記露光用ペリクル膜を透過して前記原版に照射されるように配置されている露光装置。
  12. 前記露光光が、EUV光である請求項11に記載の露光装置。
  13. 請求項1~請求項のいずれか1項に記載の露光用ペリクル膜を製造する方法であって、
    凝集体を含む粗カーボンナノチューブを準備する工程と、
    前記粗カーボンナノチューブと溶媒とを混合して分散液を得る工程と、
    前記分散液に含まれる前記凝集体を除去して、精製カーボンナノチューブを得る工程と、
    前記精製カーボンナノチューブをシート状に成膜して、カーボンナノチューブ膜を製造する工程と、を含む露光用ペリクル膜の製造方法。
  14. 前記精製カーボンナノチューブを得る工程において、平均相対遠心力が3,000xg以上である超遠心処理を行う請求項13に記載の露光用ペリクル膜の製造方法。
JP2023077419A 2020-04-17 2023-05-09 露光用ペリクル膜、ペリクル、露光原版、露光装置及び露光用ペリクル膜の製造方法 Pending JP2023106455A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7767985B2 (en) 2006-12-26 2010-08-03 Globalfoundries Inc. EUV pellicle and method for fabricating semiconductor dies using same
CN101417257A (zh) * 2007-10-26 2009-04-29 中国科学院沈阳自动化研究所 单壁碳纳米管与多壁碳纳米管分离方法
KR101082093B1 (ko) * 2007-12-21 2011-11-10 주식회사 하이닉스반도체 포토마스크의 제조방법
KR101219761B1 (ko) * 2009-01-09 2013-01-10 세종대학교산학협력단 탄소나노튜브의 정제 방법 및 분산 방법
JP5521348B2 (ja) * 2009-02-17 2014-06-11 東レ株式会社 透明導電積層体
WO2016001351A1 (en) * 2014-07-04 2016-01-07 Asml Netherlands B.V. Membranes for use within a lithographic apparatus and a lithographic apparatus comprising such a membrane
KR102345543B1 (ko) * 2015-08-03 2021-12-30 삼성전자주식회사 펠리클 및 이를 포함하는 포토마스크 조립체
WO2017179199A1 (ja) * 2016-04-15 2017-10-19 凸版印刷株式会社 ペリクル
TW201738650A (zh) * 2016-04-20 2017-11-01 Toppan Printing Co Ltd 防護膜組件
EP3483655A4 (en) 2016-07-05 2020-02-26 Mitsui Chemicals, Inc. FILM FILM, FILM FRAME, FILM, PRODUCTION METHOD THEREOF, ORIGINAL PLATE FOR LIGHT EXPOSURE, LIGHT EXPOSURE APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
EP3404487B1 (en) * 2017-05-15 2021-12-01 IMEC vzw Method for forming a carbon nanotube pellicle membrane
EP3404486B1 (en) * 2017-05-15 2021-07-14 IMEC vzw A method for forming a pellicle
JP7019472B2 (ja) 2018-03-22 2022-02-15 三井化学株式会社 カーボンナノチューブ自立膜の製造方法、およびペリクルの製造方法
JP6817477B2 (ja) 2020-02-10 2021-01-20 ヒロセ電機株式会社 回路基板用電気コネクタ

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