JP2023099477A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】低い反射率を有し、虹ムラ現象を防止できる表示装置を提供する。【解決手段】本開示の表示装置は、基板、基板上に位置する発光素子、発光素子に対応する第１開口部を含むバンク、発光素子上に位置する封止層、封止層上に位置するタッチ電極、タッチ電極上に位置するブラックマトリクス、及びタッチ電極上に位置するカラーフィルターを含む表示装置を提供する構造において、第１層、及び第１層上に位置し、第１層に比べて屈折率が低い第２層を含むブラックマトリクスを備える。【選択図】図１０

Description

本開示の実施例は、表示装置に関する。

表示装置では、外部に光が存在する条件においても表示された情報をユーザが容易に識別できるようにするために、外部光に対する反射率を下げることが要求される。

表示装置は、発光素子、及び発光素子を駆動するための様々な回路素子を含む複数のピクセルを備えることができる。しかしながら、発光素子及び回路素子を構成する様々な物質層によって外部光が反射されると、表示装置を使用するユーザにとって、表示装置に表示された情報が識別し難いという問題がある。

従来の表示装置は、外部光の反射率を下げるために偏光板を用いている。偏光板を用いることによって外部光の反射率を効果的に下げることはできたが、偏光板は、高価の素材であるがために表示装置の製造コストを上昇させ、表示装置の厚さを薄くするに制約があり、発光素子から放出された光が偏光板を通過しながら明るさが減少するという問題があった。

ディスプレイ技術分野において、高価である他にも表示装置の明るさを大きく減少させる偏光板を使用しなくても低い反射率を具現する技術が研究されている。しかし、偏光板を使用しないと、表示装置から反射される光によって虹状の色ムラ（以下、「虹ムラ現象」と称する）が発生するか、虹ムラ現象を防止するために光学層がさらに含まれ、費用が上昇し、構造が複雑になるという問題があった。そこで、本開示の発明者らは、偏光板を使用しなくとも、低い反射率を具現しながら虹ムラ現象を防止でき、追加の光学層を使用しなくとも低い反射率を有する表示装置を発明した。

本開示の実施例は、第１層、及び第１層上に位置し、第１層に比べて屈折率が低い第２層を含むブラックマトリクスを備えることにより、低い反射率を有し、且つ虹ムラ現象を防止できる表示装置を提供することができる。

本開示の実施例は、基板、基板上に位置する発光素子、発光素子に対応する第１開口部を含むバンク、発光素子上に位置する封止層、封止層上に位置するタッチ電極、タッチ電極上に位置するブラックマトリクス、及びタッチ電極上に位置するカラーフィルターを含む表示装置を提供することができる。

ブラックマトリクスは、第１層及び第２層を含むことができる。第２層は、第１層上に位置し、第１層に比べて屈折率が低くてよい。

本開示の実施例によれば、第１層、及び第１層上に位置し、第１層に比べて屈折率が低い第２層を含むブラックマトリクスを備えることにより、低い反射率を有し、且つ虹ムラ現象を防止できる表示装置を提供することが可能になる

本開示の実施例に係る表示装置のシステム構成図である。 本開示の実施例に係るタッチパネルを示す図である。 実施例に係る表示パネル及びタッチパネルの領域関係を示す図である。 本開示の実施例に係る表示装置のシステム構成図である。 本開示の実施例に係る表示装置の表示領域構成図及びサブピクセル回路図である。 本開示の実施例に係る表示装置において、メッシュタイプのタッチ電極を示す図である。 本開示の実施例に係る表示装置において、メッシュタイプのタッチ電極の領域とサブピクセル領域の対応関係を示す図である。 本開示の実施例に係る表示装置において、カラーフィルター及びブラックマトリクスの位置を例示的に示す図である。 本開示の比較例に係る表示装置の断面図である。 本開示の実施例に係る表示装置の断面図である。 本開示の実施例に係る表示装置の断面図である。

以下、本開示の一部の実施例を、例示的な図面を参照して詳細に説明する。各図における構成要素に参照符号を付加するとき、たとえ異なる図面上に表示されていても同一の構成要素には可能なかぎり同一の符号を付するものとする。また、本開示の説明において、関連する公知構成又は機能に関する具体的な説明が本開示の要旨を曖昧にし得ると判断される場合には、その詳細な説明は省略できる。本明細書において「含む」、「有する」、「からなる」などが使われる場合、「～のみ」が使われない限り、他の部分が追加されてもよい。構成要素を単数で表現した場合に、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含むことができる。

また、本開示の構成要素を説明するとき、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）などの用語が使用できる。このような用語は、その構成要素を他の構成要素と区別するためのものに過ぎず、それらの用語によって該当の構成要素の本質、順番、順序又は個数などは限定されない。

構成要素の位置関係に関する説明において、２つ以上の構成要素が「連結」、「結合」又は「接続」などすると記載された場合に、２つ以上の構成要素が直接に「連結」、「結合」又は「接続」してもよいが、２つ以上の構成要素に別の構成要素がさらに「介在」して「連結」、「結合」又は「接続」してもよいと理解されるべきであろう。ここで、別の構成要素は、互いに「連結」、「結合」又は「接続」する２つ以上の構成要素の１つ以上に含まれてもよい。

構成要素、動作方法又は製作方法などに関連した時間的流れの関係に関する説明において、例えば、「～後に」、「～に続いて」、「～次に」、「～前に」などで時間上の先後関係又は流れ上の先後関係が説明される場合に、「直ちに」又は「直接」が使われない限り、連続していない場合も含むことができる。

一方、構成要素に対する数値又はその対応情報（例えば、レベルなど）が言及されている場合に、別の明示的な記載がなくても、数値又はその対応情報は各種の要因（例えば、工程上の要因、内部又は外部の衝撃、ノイズなど）によって発生し得る誤差範囲を含むものと解釈されてよい。

以下、添付の図面を参照して、本開示の様々な実施例を詳細に説明する。

図１を参照すると、実施例に係る表示装置１００は、映像を表示するための映像表示機能と、ユーザのタッチをセンシングするタッチセンシング機能を提供することができる。

実施例に係る表示装置１００は、映像表示のためにデータラインとゲートラインが配置される表示パネルＰＮＬと、表示パネルＰＮＬを駆動するためのディスプレイ駆動回路ＤＤＣなどを含み得る。

ディスプレイ駆動回路ＤＤＣは、機能的な面から、データラインを駆動するためのデータ駆動回路と、ゲートラインを駆動するためのゲート駆動回路と、データ駆動回路及びゲート駆動回路を制御するためのコントローラなどを含み得る。ディスプレイ駆動回路ＤＤＣは、１つ以上の集積回路によって具現されよい。

実施例に係る表示装置１００は、タッチセンシングのために、タッチセンサー（Ｔｏｕｃｈ Ｓｅｎｓｏｒ）として複数のタッチ電極ＴＥが配置され、複数のタッチ電極ＴＥの全体又は一部と電気的に連結される複数のタッチラインＴＬが配置されたタッチパネルＴＳＰと、タッチパネルＴＳＰを駆動してタッチの有無又はタッチ位置をセンシングするタッチ回路ＴＣなどを含み得る。

タッチ回路ＴＣは、タッチパネルＴＳＰを駆動するためにタッチパネルＴＳＰにタッチ駆動信号を供給し、タッチパネルＴＳＰからタッチセンシング信号を検出し、それに基づいて、タッチの有無及び／又はタッチ位置（タッチ座標）をセンシングする。

このようなタッチ回路ＴＣは、タッチ駆動信号を供給し、タッチセンシング信号を受信するタッチ駆動回路と、タッチの有無及び／又はタッチ位置（タッチ座標）を算出するタッチコントローラなどを含んで具現されてもよい。ここで、タッチ駆動信号は、一定電圧値を有するＤＣ信号であってもよく、所定の振幅を有し、ハイレバルとローレベルとの間でスイングし、複数のパルスからなるＡＣタイプの信号であってもよい。

タッチ回路ＴＣは、１つ又は２つ以上の部品（例えば、集積回路）で具現されてよく、ディスプレイ駆動回路ＤＤＣと別個に具現されてもよい。また、タッチ回路ＴＣの全体又は一部は、ディスプレイ駆動回路ＤＤＣ又はその内部回路と統合して具現されてよい。例えば、タッチ回路ＴＣのタッチ駆動回路は、ディスプレイ駆動回路ＤＤＣのデータ駆動回路と共に集積回路として具現されてよい。

一方、実施例に係る表示装置１００は、タッチ電極ＴＥに形成されるキャパシタンス（Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）に基づいてタッチをセンシングすることができる。

実施例に係る表示装置１００は、キャパシタンスベースのタッチセンシング方式として、相互容量（Ｍｕｔｕａｌ－ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）方式のタッチセンシング方式でタッチをセンシングすることもでき、自己容量（Ｓｅｌｆ－ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）方式のタッチセンシング方式でタッチをセンシングすることもできる。

相互容量方式のタッチセンシング方式において、複数のタッチ電極ＴＥは、タッチ駆動信号が印加される駆動タッチ電極（駆動電極、送信電極、又は駆動ラインともいう。）と、タッチセンシング信号がセンシングされ、駆動電極と容量を形成するセンシングタッチ電極（センシング電極、受信電極、又はセンシングラインともいう。）とに分類されてよい。

タッチ電極ＴＥにおいて、駆動タッチ電極のうち、同一の行（又は、同一の列）に配置された駆動タッチ電極は、電気的に互いに連結されて１つの駆動タッチ電極ラインを形成する。

タッチ電極ＴＥにおいて、センシングタッチ電極のうち、同一の列（又は、同一の行）に配置されたセンシングタッチ電極は、電気的に互いに連結されて１つのセンシングタッチ電極ラインを形成する。
このような相互容量方式のタッチセンシング方式では、指、ペンなどのポインタの有無による駆動タッチ電極（駆動タッチ電極ライン）とセンシングタッチ電極（センシングタッチ電極ライン）間の容量（相互容量）の変化に基づいてタッチの有無及び／又はタッチ座標などを検出する。

自己容量方式のタッチセンシング方式において、各タッチ電極ＴＥは、駆動タッチ電極の役目（タッチ駆動信号印加）とセンシングタッチ電極の役目（タッチセンシング信号検出）の両方を有する。

すなわち、各タッチ電極ＴＥにタッチ駆動信号が印加され、タッチ駆動信号の印加されたタッチ電極ＴＥからタッチセンシング信号を受信する。このため、自己容量方式のタッチセンシング方式では駆動電極とセンシング電極との区分がない。

このような自己容量方式のタッチセンシング方式において、指、ペンなどのポインタとタッチ電極ＴＥ間の容量の変化に基づいてタッチの有無及び／又はタッチ座標などを検出する。

このように、実施例に係る表示装置１００は、相互容量方式のタッチセンシング方式でタッチをセンシングすることもでき、自己容量方式のタッチセンシング方式でタッチをセンシングすることもできる。

ただし、以下では、説明の便宜のために、相互容量方式のタッチセンシング方式が採択された表示装置１００及びタッチパネルＴＳＰを中心にしてタッチ感度の向上のための改善構造などを説明するが、このようなタッチ感度の向上のための改善構造などは、自己容量方式のタッチセンシング方式が採択された表示装置１００及びタッチパネルＴＳＰにも同様に適用可能であろう。

また、実施例に係る表示装置１００の表示パネルＰＮＬは、有機発光ダイオードパネル（ＯＬＥＤ Ｐａｎｅｌ）、液晶表示パネル（ＬＣＤ Ｐａｎｅｌ）などの様々なタイプであってよい。以下では、説明の便宜のために、有機発光ダイオードパネルを主に取り上げて説明する。

図２は、実施例に係るタッチパネルＴＳＰを示す図である。図３は、実施例に係る表示パネルＰＮＬ及びタッチパネルＴＳＰの領域関係を示す図である。ただし、図２に例示されたタッチパネルＴＳＰは、相互容量方式のタッチセンシングのためのタッチパネルＴＳＰである。

図２を参照すると、タッチパネルＴＳＰには複数のタッチ電極ＴＥが配置され、それらのタッチ電極ＴＥとタッチ回路ＴＣとを電気的に連結するためのタッチラインＴＬが配置されてよい。

それらのタッチラインＴＬは、タッチ電極ＴＥのうち最外側に配置されたタッチ電極ＴＥと電気的に連結されてよい。以下では、最外側に配置されたタッチ電極ＴＥを最外側タッチ電極Ｏ－ＴＥともいう。

また、タッチパネルＴＳＰには、タッチラインＴＬとタッチ回路ＴＣとを電気的に連結するために、タッチ回路ＴＣが接触するタッチパッドが存在してよい。
タッチ電極ＴＥ及びタッチラインＴＬは、同一の層に存在してもよく、異なる層に存在してもよい。

一方、前述した表示装置１００が相互容量方式のタッチセンシング方式を採択している場合に、同一の行（又は、同一の列）に配置される２つ以上のタッチ電極ＴＥは電気的に連結されて１つの駆動タッチ電極ライン（駆動ＴＥライン）を形成することができる。同一の列（又は、同一の行）に配置される２つ以上のタッチ電極ＴＥは電気的に連結されて１つのセンシングタッチ電極ライン（センシングＴＥライン）を形成することができる。

１つの駆動タッチ電極ライン（駆動ＴＥライン）を形成する２つ以上のタッチ電極は電気的に連結されるが、２つ以上のタッチ電極が一体化して電気的に連結されてもよく、ブリッジによって電気的に連結されてもよい。

１つのセンシングタッチ電極ライン（センシングＴＥライン）を形成する２つ以上のタッチ電極ＴＥは電気的に連結されるが、２つ以上のタッチ電極が一体化して電気的に連結されてもよく、ブリッジによって電気的に連結されてもよい。

図２の例示では、１つの駆動タッチ電極ライン（駆動ＴＥライン）を形成する２つ以上のタッチ電極は一体化して電気的に連結されており、１つのセンシングタッチ電極ライン（センシングＴＥライン）を形成する２つ以上のタッチ電極ＴＥはブリッジＢＰによって電気的に連結されている。

ここで、１つの駆動タッチ電極ライン（駆動ＴＥライン）を形成する２つ以上のタッチ電極を駆動タッチ電極（駆動ＴＥ）という。１つのセンシングタッチ電極ライン（センシングＴＥライン）を形成する２つ以上のタッチ電極ＴＥは、センシングタッチ電極（センシングＴＥ）という。

１つの駆動タッチ電極ラインごとに少なくとも１つのタッチラインＴＬが連結され、１つのセンシングタッチ電極ラインごとに少なくとも１つのタッチラインＴＬが連結されてよい。

１つの駆動タッチ電極ラインごとに連結される少なくとも１つのタッチラインＴＬを、駆動タッチライン（駆動ＴＬ）という。１つのセンシングタッチ電極ラインごとに連結される少なくとも１つのタッチラインＴＬを、センシングタッチライン（センシングＴＬ）という。１つのタッチラインＴＬごとに１つのタッチパッドＴＰが連結されてよい。

図２を参照すると、複数のタッチ電極ＴＥのそれぞれは、一例として、輪郭線からいって、菱形であってよく、場合によっては、長方形（正方形を含み得る）であってもよく、その他、様々な形状であってもよい。

表示装置１００のディスプレイ性能及びタッチ性能を考慮して、タッチ電極ＴＥの形状を様々に設計すればよい。

図２に例示されたタッチパネルＴＳＰは、列方向に長くなっているが、表示装置１００の種類（例えば、ＴＶ、モニター、モバイル端末など）又はデザインなどによって、行方向に長く設計されてもよい。

実施例に係るタッチパネルＴＳＰは、表示パネルＰＮＬの外部に存在してもよいが（外付け型）、表示パネルＰＮＬの内部に存在してもよい（内蔵型）。

タッチパネルＴＳＰが外付け型である場合に、タッチパネルＴＳＰと表示パネルＰＮＬは、個別のパネル製作工程によって別体に作られた後、ボンディングされてよい。

タッチパネルＴＳＰが内蔵型である場合に、タッチパネルＴＳＰと表示パネルＰＮＬは一度のパネル製作工程で一緒に作られてよい。

タッチパネルＴＳＰが内蔵型である場合に、タッチパネルＴＳＰは複数のタッチ電極ＴＥの集合体と見なすことができる。ここで、複数のタッチ電極ＴＥが置かれる板（Ｐｌａｔｅ）は、専用基板であってもよく、表示パネルＰＮＬに既に存在する層（例えば、封止層）であってもよい。

図２及び図３を参照すると、表示パネルＰＮＬは、映像が表示されるアクティブ領域Ａ／Ａと、アクティブ領域Ａ／Ａの外領域であるノンアクティブ領域Ｎ／Ａを含むことができる。ここで、アクティブ領域Ａ／Ａを表示領域ともいい、ノンアクティブ領域Ｎ／Ａは非表示領域ともいう。

アクティブ領域Ａ／Ａには、データラインとゲートラインによって定義される複数のサブピクセルが配列されてよい。ノンアクティブ領域Ａ／Ａには、アクティブ領域Ａ／Ａにおけるデータライン、ゲートライン及び各種信号配線をディスプレイ駆動回路ＤＤＣと連結させるための配線及びパッドが存在してよい。

タッチパネルＴＳＰには複数のタッチ電極ＴＥ及び複数のタッチラインＴＬが配置されてよい。複数のタッチ電極ＴＥは、表示パネルＰＮＬのアクティブ領域Ａ／Ａに対応して位置してよい。複数のタッチラインＴＬは、表示パネルＰＮＬのノンアクティブ領域Ｎ／Ａに対応して位置してよい。すなわち、複数のタッチラインＴＬは、複数のタッチ電極ＴＥが配置されるタッチ電極領域（アクティブ領域Ａ／Ａ又はその対応領域）の外郭に存在する。タッチパネルＴＳＰは表示パネルＰＮＬに内蔵又は外付けされてよい。

前述したように、表示パネルＰＮＬのアクティブ領域Ａ／Ａにタッチ電極ＴＥが配置され、表示パネルＰＮＬのノンアクティブ領域Ｎ／ＡにタッチラインＴＬが配置されることにより、画面表示状態とマッチするタッチセンシングを提供することができる。

図２を参照すると、複数のタッチラインＴＬのそれぞれは、タッチ回路ＴＣと電気的に連結される。複数のタッチラインＴＬのうち各駆動タッチライン（Ｄｒｉｖｉｎｇ ＴＬ）は、一端がタッチ回路ＴＣの各駆動チャネルと電気的に連結され、他端が該当の駆動タッチ電極ライン（Ｄｒｉｖｉｎｇ ＴＥ Ｌｉｎｅ）に含まれるタッチ電極ＴＥのうち最外側に配置された最外側タッチ電極と電気的に連結される。

複数のタッチラインＴＬのうち各センシングタッチライン（Ｓｅｎｓｉｎｇ ＴＬ）は、一端がタッチ回路ＴＣの各センシングチャネルと電気的に連結され、他端が該当のセンシングタッチ電極ライン（Ｓｅｎｓｉｎｇ ＴＥ Ｌｉｎｅ）に含まれるタッチ電極ＴＥのうち最外側に配置された最外側タッチ電極と電気的に連結される。

図２に示すように、複数のタッチラインＴＬは、互いに長さが異なってよい。すなわち、複数のタッチラインＴＬのうち少なくとも１つは、異なる長さを有してよい。これにより、各タッチラインＴＬは、信号伝達特性又は電気的特性などが異なってよい。

図４は、本開示の実施例に係る表示装置１００のシステム構成図である。図４を参照すると、本開示の実施例に係る表示装置１００は、表示パネルＰＮＬと、表示パネルＰＮＬを駆動するための駆動回路を含むことができる。

駆動回路は、データ駆動回路ＤＤＩＣ及びゲート駆動回路ＧＤＩＣなどを含むことができ、データ駆動回路ＤＤＩＣ及びゲート駆動回路ＧＤＩＣを制御するコントローラＣＴＲをさらに含むことができる。

表示パネルＰＮＬは、基板ＳＵＢと、基板ＳＵＢ上に配置される複数のデータラインＤＬ及び複数のゲートラインＧＬなどの信号配線を含むことができる。表示パネルＰＮＬは、複数のデータラインＤＬ及び複数のゲートラインＧＬと連結された複数のサブピクセルＳＰを含むことができる。

表示パネルＰＮＬは、映像が表示される表示領域ＤＡと、映像が表示されない非表示領域ＮＤＡを含むことができる。表示パネルＰＮＬにおいて、表示領域ＤＡには、イメージを表示するための複数のサブピクセルＳＰが配置され、非表示領域ＮＤＡには、駆動回路ＤＤＩＣ、ＧＤＩＣ、ＣＴＲが電気的に連結されるか、駆動回路ＤＤＩＣ、ＧＤＩＣ、ＣＴＲが実装されてよく、集積回路又は印刷回路などが連結されるパッド部が配置されてもよい。

データ駆動回路ＤＤＩＣは、複数のデータラインＤＬを駆動するための回路であり、複数のデータラインＤＬにデータ信号を供給することができる。ゲート駆動回路ＧＤＩＣは、複数のゲートラインＧＬを駆動するための回路であり、複数のゲートラインＧＬにゲート信号を供給することができる。コントローラＣＴＲは、データ駆動回路ＤＤＩＣの動作タイミングを制御するためにデータ制御信号ＤＣＳをデータ駆動回路ＤＤＩＣに供給することができる。コントローラＣＴＲは、ゲート駆動回路ＧＤＩＣの動作タイミングを制御するためのゲート制御信号ＧＣＳをゲート駆動回路ＧＤＩＣに供給することができる。

コントローラＣＴＲは、各フレームにおいて具現するタイミングによってスキャンを始め、外部から入力される入力映像データを、データ駆動回路ＤＤＩＣで使用するデータ信号形式に合うように転換し、転換された映像データＤａｔａをデータ駆動回路ＤＤＩＣに供給し、スキャンに合わせて適当な時間にデータ駆動を制御することができる。

コントローラＣＴＲは、ゲート駆動回路ＧＤＩＣを制御するために、ゲートスタートパルス（ＧＳＰ：Ｇａｔｅ Ｓｔａｒｔ Ｐｕｌｓｅ）、ゲートシフトクロック（ＧＳＣ：Ｇａｔｅ Ｓｈｉｆｔ Ｃｌｏｃｋ）、ゲート出力イネーブル信号（ＧＯＥ：Ｇａｔｅ Ｏｕｔｐｕｔ Ｅｎａｂｌｅ）などを含む各種ゲート制御信号（ＧＣＳ：Ｇａｔｅ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｓｉｇｎａｌ）を出力することができる。

コントローラＣＴＲは、データ駆動回路ＤＤＩＣを制御するために、ソーススタートパルス（ＳＳＰ：Ｓｏｕｒｃｅ Ｓｔａｒｔ Ｐｕｌｓｅ）、ソースサンプリングクロック（ＳＳＣ：Ｓｏｕｒｃｅ Ｓａｍｐｌｉｎｇ Ｃｌｏｃｋ）、ソース出力イネーブル信号（ＳＯＥ：Ｓｏｕｒｃｅ Ｏｕｔｐｕｔ Ｅｎａｂｌｅ）などを含む各種データ制御信号（ＤＣＳ：Ｄａｔａ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｓｉｇｎａｌ）を出力することができる。

コントローラＣＴＲは、データ駆動回路ＤＤＩＣと別個の部品として具現されてもよく、データ駆動回路ＤＤＩＣと一緒に統合されて集積回路として具現されてもよい。

データ駆動回路ＤＤＩＣは、コントローラＣＴＲから映像データＤａｔａを受け取って複数のデータラインＤＬにデータ電圧を供給することにより、複数のデータラインＤＬを駆動する。ここで、データ駆動回路ＤＤＩＣはソース駆動回路ともいう。

このようなデータ駆動回路ＤＤＩＣは、１つ以上のソースドライバー集積回路（ＳＤＩＣ：Ｓｏｕｒｃｅ Ｄｒｉｖｅｒ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を含むことができる。例えば、各ソースドライバー集積回路ＳＤＩＣは、テープ自動ボンディング（ＴＡＢ：Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式で表示パネルＰＮＬと連結される、チップオングラス（ＣＯＧ：Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）又はチップオンパネル（ＣＯＰ：Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｐａｎｅｌ）方式で表示パネルＰＮＬのボンディングパッド（Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｐａｄ）に連結される、或いはチップオンフィルム（ＣＯＦ：Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式で表示パネルＰＮＬと連結されてよい。

ゲート駆動回路ＧＤＩＣはコントローラＣＴＲの制御によって、ターン－オンレベル電圧のゲート信号を出力するか、ターン－オフレベル電圧のゲート信号を出力することができる。ゲート駆動回路ＧＤＩＣは、複数のゲートラインＧＬに、ターン－オンレベル電圧のゲート信号を順次に供給することにより、複数のゲートラインＧＬを順次に駆動することができる。

ゲート駆動回路ＧＤＩＣは、テープ自動ボンディング（ＴＡＢ）方式で表示パネルＰＮＬと連結される、チップオングラス（ＣＯＧ）又はチップオンパネル（ＣＯＰ）方式で表示パネルＰＮＬのボンディングパッドに連結される、或いはチップオンフィルム（ＣＯＦ）方式で表示パネルＰＮＬと連結されてよい。又は、ゲート駆動回路ＧＤＩＣは、ゲートインパネル（ＧＩＰ：Ｇａｔｅ Ｉｎ Ｐａｎｅｌ）タイプで表示パネルＰＮＬの非表示領域ＮＤＡに形成されてよい。ゲート駆動回路ＧＤＩＣは、基板ＳＵＢ上に配置される、或いは基板ＳＵＢに連結されてよい。すなわち、ゲート駆動回路ＧＤＩＣは、ＧＩＰタイプである場合に、基板ＳＵＢの非表示領域ＮＤＡに配置されてよい。ゲート駆動回路ＧＤＩＣは、チップオングラス（ＣＯＧ）タイプ、チップオンフィルム（ＣＯＦ）タイプなどである場合に、基板ＳＵＢに連結されてよい。

一方、データ駆動回路ＤＤＩＣ及びゲート駆動回路ＧＤＩＣのうち少なくとも１つの駆動回路は、表示領域ＤＡに配置されてもよい。例えば、データ駆動回路ＤＤＩＣ及びゲート駆動回路ＧＤＩＣのうち少なくとも一つの駆動回路は、サブピクセルＳＰと重ならないように配置されてもよく、サブピクセルＳＰと一部又は全体が重なるように配置されてもよい。

データ駆動回路ＤＤＩＣは、ゲート駆動回路ＧＤＩＣによって特定ゲートラインＧＬが開くと、コントローラＣＴＲから受信した映像データＤａｔａをアナログ形態のデータ電圧に変換して、複数のデータラインＤＬに供給することができる。

データ駆動回路ＤＤＩＣは、表示パネルＰＮＬの一側（例えば、上側又は下側）に連結されてもよい。駆動方式、パネル設計方式などによって、データ駆動回路ＤＤＩＣは表示パネルＰＮＬの両側（例えば、上側と下側）に全て連結されるか、表示パネルＰＮＬの４側面のうち２つ以上の側面に連結されてもよい。

ゲート駆動回路ＧＤＩＣは、表示パネルＰＮＬの一側（例えば、左側又は右側）に連結されてもよい。駆動方式、パネル設計方式などによって、ゲート駆動回路ＧＤＩＣは、表示パネルＰＮＬの両側（例えば、左側と右側）に全て連結されるか、表示パネルＰＮＬの４側面のうち２つ以上の側面に連結されてもよい。
コントローラＣＴＲは、通常のディスプレイ技術で用いられるタイミングコントローラであるか、タイミングコントローラを含めて他の制御機能もさらに有し得る制御装置であってよく、タイミングコントローラと異なる制御装置であってもよく、制御装置内の回路であってもよい。コントローラＣＴＲは、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、又はプロセッサなどの様々な回路や電子部品によって具現されてよい。

コントローラＣＴＲは、印刷回路基板、軟性印刷回路などに実装され、印刷回路基板、軟性印刷回路などによってデータ駆動回路ＤＤＩＣ及びゲート駆動回路ＧＤＩＣと電気的に連結されてよい。

本実施例に係る表示装置１００は、液晶表示装置などのバックライトユニットを含むディスプレイであってもよく、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）ディスプレイ、量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）ディスプレイ、マイクロＬＥＤ（Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）ディスプレイなどの自発光ディスプレイであってもよい。

本実施例に係る表示装置１００がＯＬＥＤディスプレイである場合に、各サブピクセルＳＰは、自ら光を出す有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を発光素子として含むことができる。本実施例に係る表示装置１００がカンタムドットディスプレイである場合に、各サブピクセルＳＰは、自ら光を出す半導体結晶である量子ドットで作られた発光素子を含むことができる。本実施例に係る表示装置１００がマイクロＬＥＤディスプレイである場合に、各サブピクセルＳＰは、自ら光を出し、無機物ベースで作られたマイクロＬＥＤを発光素子として含むことができる。

図５は、本開示の実施例に係る表示パネルＰＮＬにおいてサブピクセルＳＰの等価回路である。

表示パネルＰＮＬの表示領域ＤＡに含まれた一般領域ＮＡ、第１光学領域ＯＡ１及び第２光学領域ＯＡ２に配置されたサブピクセルＳＰのそれぞれは、発光素子ＥＤと、発光素子ＥＤを駆動するための駆動トランジスターＤＲＴと、駆動トランジスターＤＲＴの第１ノードＮ１にデータ電圧ＶＤＡＴＡを伝達するためのスキャントランジスターＳＣＴと、１フレームにおいて一定電圧を維持するためのストレージキャパシターＣｓｔなどを含むことができる。

駆動トランジスターＤＲＴは、データ電圧が印加され得る第１ノードＮ１、発光素子ＥＤと電気的に連結される第２ノードＮ２、及び駆動電圧ラインＤＶＬから駆動電圧ＥＬＶＤＤが印加される第３ノードＮ３を含むことができる。駆動トランジスターＤＲＴにおいて、第１ノードＮ１はゲートノードであり、第２ノードＮ２はソースノード又はドレインノードでよく、第３ノードＮ３はドレインノード又はソースノードでよい。

発光素子ＥＤは、アノード電極ＡＥ、発光層ＥＬ及びカソード電極ＣＥを含むことができる。アノード電極ＡＥは、各サブピクセルＳＰに配置されるピクセル電極であってよく、各サブピクセルＳＰの駆動トランジスターＤＲＴの第２ノードＮ２と電気的に連結されてよい。カソード電極ＣＥは、複数のサブピクセルＳＰに共通に配置される共通電極であってよく、基底電圧ＥＬＶＳＳが印加されてよい。

例えば、アノード電極ＡＥはピクセル電極であってよく、カソード電極ＣＥは共通電極であってよい。これと逆に、アノード電極ＡＥは共通電極であってよく、カソード電極ＣＥはピクセル電極であってもよい。以下では、説明の便宜のために、アノード電極ＡＥはピクセル電極であり、カソード電極ＣＥは共通電極であると仮定する。

例えば、発光素子ＥＤは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、無機発光ダイオード、又は量子ドット発光素子などであってよい。この場合、発光素子ＥＤが有機発光ダイオードであれば、発光素子ＥＤにおいて発光層ＥＬは、有機物含有の有機発光層を含むことができる。

スキャントランジスターＳＣＴは、ゲートラインＧＬを通じて印加されるゲート信号であるスキャン信号ＳＣＡＮによってオン－オフが制御され、駆動トランジスターＤＲＴの第１ノードＮ１とデータラインＤＬとの間に電気的に連結されてよい。

ストレージキャパシターＣｓｔは、駆動トランジスターＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２との間に電気的に連結されてよい。

各サブピクセルＳＰは、図２に示すように、２個のトランジスターＤＲＴ、ＳＣＴと１個のキャパシターＣｓｔを含む２Ｔ（Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１Ｃ（Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）構造を有してよく、場合によって、１個以上のトランジスターをさらに含むか、１個以上のキャパシターをさらに含んでもよい。

ストレージキャパシターＣｓｔは、駆動トランジスターＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２との間に存在し得る内部キャパシターである寄生容量（例えば、Ｃｇｓ、Ｃｇｄ）ではなく、駆動トランジスターＤＲＴの外部に意図的に設計した外部容量であってよい。

駆動トランジスターＤＲＴ及びスキャントランジスターＳＣＴのそれぞれは、ｎタイプトランジスターであるか、ｐタイプトランジスターであってよい。

各サブピクセルＳＰ内の回路素子（特に、発光素子ＥＤ）は、外部の水分や酸素などに脆弱なため、外部の水分や酸素が回路素子（特に、発光素子ＥＤ）に入り込むことを防止するための封止層ＥＮＣＡＰが表示パネルＰＮＬに配置されてよい。封止層ＥＮＣＡＰは発光素子らＥＤを覆う形態で配置されてよい。

図６は、実施例に係る表示装置１００において、メッシュタイプのタッチ電極ＴＥを示す図である。図６を参照すると、実施例に係る表示装置１００において、複数のタッチ電極ＴＥのそれぞれは、網タイプ（メッシュタイプ）にパターニングされて開口ＯＡが存在する電極メタルＥＭであってよい。ここで、開口ＯＡをオープン領域という。

電極メタルＥＭが網タイプ（メッシュタイプ）にパターニングされて形成されたタッチ電極ＴＥにおいて、開口ＯＡのそれぞれは１つ以上のサブピクセルの発光部と対応してよい。

図７は、実施例に係る表示装置１００において、メッシュタイプのタッチ電極ＴＥの領域とサブピクセル領域との対応関係を示す図である。図７を参照すると、実施例に係る表示装置１００において、複数のタッチ電極ＴＥのそれぞれは、メッシュタイプにパターニングされて開口ＯＡが存在する電極メタルＥＭであってよい。ここで、開口ＯＡをオープン領域ともいう。

電極メタルＥＭがメッシュタイプにパターニングされて形成されたタッチ電極ＴＥにおいて、開口ＯＡのそれぞれは１つ以上のサブピクセルの発光部と対応してよい。例えば、表示パネルＰＮＬがＬＣＤパネルである場合に、サブピクセルの発光部は、ピクセル電極又はカラーフィルターなどを含むことができる。表示パネルＰＮＬがＯＬＥＤパネルである場合に、サブピクセルの発光部は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のアノード電極、有機発光層などを含むことができ、場合によって、カラーフィルターなどを含むことができる

前述したように、平面から見ると、タッチ電極ＴＥの領域内に存在するオープン領域ＯＡのそれぞれの位置に１つ以上のサブピクセルの発光部が対応して存在するように、タッチ電極ＴＥの電極メタルＥＭがパターニングされることにより、電極メタルＥＭが不透明物質からなっていても、表示パネルＰＮＬの発光効率を上げることができる。

図８は、実施例に係る表示装置１００において、カラーフィルター及びブラックマトリクスの位置を例示的に示す図である。図８を参照すると、封止層ＥＮＣＡＰの下に有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のカソード電極ＣＥが存在してよい。封止層ＥＮＣＡＰの厚さＴは、一例として、５マイクロメートル以上であってよい。

前述したように、封止層ＥＮＣＡＰの厚さを５マイクロメートル以上に設計することにより、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のカソード電極ＣＥとタッチ電極ＴＥとの間に形成される寄生キャパシタンスを減らすことができる。これにより、寄生キャパシタンスＥによるタッチ感度低下を防止することができる。

一方、複数のタッチ電極ＴＥのそれぞれは、電極メタルＥＭが、複数のオープン領域ＯＡを有するメッシュ形態（網状）にパターニングされており、複数のオープン領域ＯＡには、垂直方向から見ると、１つ以上のサブピクセル又はその発光部が存在してよい。

前述したように、平面から見ると、タッチ電極ＴＥの領域内に存在するオープン領域ＯＡのそれぞれの位置に１つ以上のサブピクセルの発光部が対応して存在するように、タッチ電極ＴＥの電極メタルＥＭがパターニングされることにより、表示パネルＰＮＬの開口率及び発光効率を上げることができる。

したがって、図８に示すように、ブラックマトリクスＢＭの位置は、タッチ電極ＴＥの電極メタルＥＭの位置と対応する。そして、複数のカラーフィルターＣＦの位置は、複数のタッチ電極ＴＥの位置と対応する。前述したように、複数のオープン領域ＯＡの位置に対応する位置に複数のカラーフィルターＣＦが位置することにより、有機発光表示パネル、優れた発光性能を有する表示装置１００を提供することができる。

カラーフィルターＣＦとタッチ電極ＴＥ間の垂直位置関係について説明すると、次の通りである。図８に示すように、複数のカラーフィルターＣＦとブラックマトリクスＢＭは、複数のタッチ電極ＴＥ上に位置してよい。すなわち、カラーフィルターＣＦは封止層ＥＮＣＡＰ上に位置するが、タッチ電極ＴＥ及びタッチラインＴＬなどのタッチセンサーメタル上に位置してよい。複数のカラーフィルターＣＦとブラックマトリクスＢＭは、複数のタッチ電極ＴＥ上のオーバーコート層ＯＣ上に位置してよい。
前述によれば、発光性能などのディスプレイ性能とタッチ性能を考慮して、カラーフィルターＣＦとタッチ電極ＴＥ間の最適の位置関係を有するＯＬＥＤディスプレータイプの表示装置１００を提供することができる。

一方、表示装置１００の製作便利性の向上及びサイズ縮小などのために、タッチ電極ＴＥからなるタッチパネルＴＳＰを表示パネルＰＮＬに内蔵するための試みが、従来よりなされてきている。しかしながら、有機発光表示パネルである表示パネルＰＮＬにタッチパネルＴＳＰを内蔵するには、相当なる困難や多くの制約事項がある。例えば、有機発光表示パネルである表示パネルＰＮＬの製作工程時に、有機物の存在より、一般に金属物質からなっているタッチ電極ＴＥをパネル内部に形成するための高温工程を自由に行うことができないという限界点がある。このような有機発光表示パネルの構造的特性及び工程などの制約要因により、有機発光表示パネルである表示パネルＰＮＬの内部にタッチセンサーとしてのタッチ電極ＴＥを配置させることが難しい実情であった。このため、従来は、タッチパネルＴＳＰを、有機発光表示パネルである表示パネルＰＮＬに内蔵させるのではなく、有機発光表示パネルである表示パネルＰＮＬ上に付着する方式でタッチ構造を実現してきた。

しかしながら、図８に示すように、タッチ電極ＴＥを封止層ＥＮＣＡＰ上に形成するなどのＴＯＥ（Ｔｏｕｃｈ Ｏｎ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）構造と、カラーフィルターＣＦを封止層ＥＮＣＡＰ上に形成するＣＯＥ（Ｃｏｌｏｒ Ｏｎ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）構造により、優れたディスプレイ性能及びタッチ性能を有し得るタッチパネルＴＳＰが内蔵された有機発光表示パネルである表示パネルＰＮＬを提供することができる。

図９は、本開示の比較例による表示装置の断面図である。図９を参照すると、比較例による表示装置は、基板ＳＵＢ、薄膜トランジスター層ＴＦＴ、バンクＢＡＮＫ、封止層ＥＮＣＡＰ、第１タッチバッファ層ＴＢＵＦ１、タッチ電極ＴＥ、第２タッチバッファ層ＴＢＵＦ２、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルターＣＦ及びカバーウィンドウＣＷを含むことができる。

表示装置に入射した外部光は表示装置の様々な部分から反射され得る。例えば、Ｌ１は、発光素子の発光領域から反射された外部光であり、Ｌ２は、ブラックマトリクスから反射される外部光である。

カラーフィルター及び発光領域ピクセルの配置及び発光素子のピクセル電極の勾配により、反射される光は虹ムラ現象を示すことがあり、これは、表示装置の表示品質が低下する原因となり得る。このような現象を解決するために、カラーフィルターＣＦ及びカバーウィンドウＣＷとの間に位置するオーバーコート層や光学接着剤層に顔料を添加してもよいが、追加費用が発生し、構造が複雑になるという問題点がある。また、オーバーコート層や光学接着剤層に顔料を添加しても、表示装置を低い反射率とするには依然として限界がある。

図１０及び図１１は、本開示の実施例に係る表示装置の断面図である。図１０及び図１１を参照すると、表示装置は、基板ＳＵＢ、発光素子ＥＤ、封止層ＥＮＣＡＰ、バンクＢＡＮＫ、タッチ電極ＴＥ、ブラックマトリクスＢＭ及びカラーフィルターＣＦを含むことができる。また、表示装置は、基板ＳＵＢ上に位置して発光素子ＥＤを駆動する薄膜トランジスターが位置する薄膜トランジスター層ＴＦＴ、封止層ＥＮＣＡＰ上に位置する第１タッチバッファ層ＴＢＵＦ１、タッチ電極ＴＥ上に位置する第２タッチバッファ層ＴＢＵＦ２、カラーフィルターＣＦ上に位置する光学接着剤層ＯＣＡを含み得る。

基板ＳＵＢは表示領域を含み得る。表示領域には複数の発光素子ＥＤが位置してよい。

薄膜トランジスター層ＴＦＴは基板ＳＵＢ上に位置してよい。薄膜トランジスター層ＴＦＴは、発光素子ＥＤを駆動するトランジスターが位置する層であってよい。

発光素子ＥＤは基板ＳＵＢ上に位置してよい。発光素子ＥＤは、薄膜トランジスター層ＴＦＴに位置するトランジスターと電気的に連結されて駆動されてよい。

バンクＢＡＮＫは基板ＳＵＢ上に位置してよい。また、バンクＢＡＮＫは、発光素子ＥＤのアノード電極ＡＥ上に位置してよい。バンクＢＡＮＫによってサブピクセルの発光領域が定義されてよい。サブピクセルの発光領域は、バンクＢＡＮＫがオープンされた領域であり、発光素子ＥＤのアノード電極ＡＥが露出された領域であってよい。

バンクＢＡＮＫは、発光素子ＥＤに対応する第１開口部Ｏ１を含むことができる。第１開口部Ｏ１が発光素子ＥＤに対応するということは、発光素子ＥＤの発光領域で発生した光が、第１開口部Ｏ１を通じて表示装置の外部に向かい得るように第１開口部Ｏ１が位置するということを意味できる。バンクＢＡＮＫの第１開口部Ｏ１によって発光領域が定義されてよく、バンクＢＡＮＫの第１開口部Ｏ１領域と発光領域は実質的に同一であってよい。

封止層ＥＮＣＡＰは発光素子ＥＤ上に位置してよい。封止層ＥＮＣＡＰが発光素子ＥＤ上に位置することにより、外部の酸素及び水分などから発光素子ＥＤを保護することができる。

タッチ電極ＴＥは封止層ＥＮＣＡＰ上に位置してよい。タッチ電極ＴＥは第２開口部Ｏ２を含むことができる。タッチ電極ＴＥの第２開口部Ｏ２は、先に図６及び図７で説明した開口ＯＡのことを指すことができる。タッチ電極ＴＥの第２開口部Ｏ２内にバンクＢＡＮＫの第１開口部Ｏ１が位置してよい。すなわち、第２開口部Ｏ２は、上下方向に第１開口部Ｏ１と対応する位置に配置されてよく、第１開口部Ｏ１のサイズは第２開口部Ｏ２のサイズよりも小さい。又は、第２開口部Ｏ２は、上下方向に複数の第１開口部Ｏ１に対応する位置に配置されてよい。タッチ電極ＴＥは、バンクＢＡＮＫによって定義される発光領域ではない、非発光領域に位置してよい。

ブラックマトリクスＢＭはタッチ電極ＴＥ上に位置してよい。ブラックマトリクスＢＭがタッチ電極ＴＥ上に位置することにより、外部光がタッチ電極ＴＥから反射されて表示装置が高い反射率を有することを防止することができる。ブラックマトリクスＢＭは、第１層ＢＭ１及び第２層ＢＭ２を含むことができる。第２層ＢＭ２は第１層ＢＭ１上に位置してよい。また、第２層ＢＭ２は第１層ＢＭ１に比べて屈折率が低くてよい。下部に位置する第１層ＢＭ１が屈折率が高く、上部に位置する第２層ＢＭ２が屈折率が低い場合に、外部光に対する反射率がさらに低くなり得る。

従来技術によって単一層形態のブラックマトリクスを用い、上部接着剤層ＯＣＡに顔料を含める場合に、反射率は低くなるが、依然として改善が必要なレベルに留まる。第２タッチバッファ層ＴＢＵＦ２層の上部に位置するカラーフィルターＣＦ及びブラックマトリクスＢＭの代わりに偏光板を含む表示装置の反射率が４．７％であれば、偏光板を含まず、単一層構造のブラックマトリクスとカラーフィルターを含む表示装置の反射率は５．６％に減少する。しかし、カラーフィルターの配置及びアノード電極ＡＥの勾配によってグリーン領域帯の波長の光とレッド及びブルー領域帯の波長の光に反射方向の相違が発生し、これは虹ムラ現象につながる。したがって、従来は、偏光板を用いて低い反射率を具現する場合に、偏光板を省いた構造に比べて消費電力が約２０％程度増加する問題があり、消費電力を向上させるために偏光板を省く場合には、カラーフィルターによって虹ムラ現象が発生し、反射率が増加する問題があった。このように、反射率と消費電力は互いにトレードオフ関係であった。しかしながら、本開示の実施例に係る表示装置は、偏光板を含まないことにより低消費電力を有しながらも、第１層ＢＭ１及び第２層ＢＭ２を含むことにより反射率を低減させ、従来技術の問題点を解決した。

下記の表１は、本開示の実施例及び比較例に係る表示装置の特性を比較したものである。

表１で、実施例は、図１０に示した構造を有する本開示の実施例に係る表示装置である。比較例１は、図９に示した比較例において、カラーフィルターの上部に位置するオーバーコート層及びオーバーコート層の上部に位置する接着剤層に顔料を追加した表示装置である。比較例２は、図９に示した比較例において、カラーフィルターの上部に位置する接着剤層に顔料を追加した表示装置である。

表１を参照すると、本開示の実施例に係る表示装置が、低い反射率を有しながら高い光学密度（ｏｐｔｉｃａｌ ｄｅｎｓｉｔｙ）を示すので、低い反射率と高い光学密度がトレードオフである比較例の表示装置とは違い、低い反射率と高い光学密度をすべて有することが分かる。

第１層ＢＭ１と第２層ＢＭ２は直接接触してよい。すなわち、第１層ＢＭ１と第２層ＢＭ２との間には別の層が位置しなくてもよい。第１層ＢＭ１と第２層ＢＭ２とが直接接触する場合に、ブラックマトリクスＢＭは低い反射率を有し得る。

第１層ＢＭ１及び第２層ＢＭ２はブラックナノ粒子を含むことができる。ブラックナノ粒子の種類は特に制限されず、ブラックマトリクスＢＭに一般に使用されるものであってよい。また、第１層ＢＭ１に含まれたブラックナノ粒子の重量比率が、第２層ＢＭ２に含まれたブラックナノ粒子の重量比率よりも低くてよい。第１層ＢＭ１のブラックナノ粒子の重量比率が、第２層ＢＭ２に含まれたブラックナノ粒子の重量比率よりも低い場合に、ブラックマトリクスＢＭが低い反射率を有し得る。

第１層ＢＭ１は、ブラックナノ粒子、バインダー、光感剤及び添加剤を含むことができる。第１層ＢＭ１は、１００℃以下の低温工程によって形成されてよい。

第２層ＢＭ２は、ブラックナノ粒子、バインダー、光感剤及び添加剤を含むことができる。第２層ＢＭ２は、１００℃以下の低温工程によって形成されてよい。

第１層ＢＭ１が位置する領域と第２層ＢＭ２が位置する領域は実質的に同一であってよい。第１層ＢＭ１と第２層ＢＭ２が位置する領域が実質的に同一である場合に、タッチ電極ＴＥから外部光が反射されることを効果的に防止しながら、ブラックマトリクスＢＭの第３開口部Ｏ３が十分の面積を確保できるので、発光素子ＥＤから放出された光がブラックマトリクスＢＭによって内部反射されることを減らすことができる。これは、ブラックマトリクスＢＭの第３開口部が、タッチ電極ＴＥから外部光が反射されることを防止しながら十分の面積を有し得るからである。

ブラックマトリクスＢＭは第３開口部Ｏ３を含むことができる。また、第３開口部Ｏ３は、タッチ電極ＴＥの第２開口部Ｏ２内に位置してよい。第３開口部Ｏ３が第２開口部Ｏ２内に位置する場合に、表示装置に入射した外部光がタッチ電極ＴＥから反射されることをブラックマトリクスＢＭによって効果的に防止することができる。

ブラックマトリクスＢＭの第３開口部Ｏ３内にバンクＢＡＮＫの第１開口部Ｏ１が位置してよい。第３開口部Ｏ３内に第１開口部Ｏ１が位置する場合に、第３開口部Ｏ３が発光領域に対して所定距離だけ離隔し得るので、発光領域から放出された光がブラックマトリクスＢＭによって内部反射されることを防止することができる。これは、第３開口部Ｏ３が発光領域から一定の距離で離隔し得るからである。

カラーフィルターＣＦはタッチ電極ＴＥ上に位置してよい。カラーフィルターＣＦは、ブラックマトリクスＢＭの第３開口部Ｏ３を充填してよい。カラーフィルターＣＦは、発光素子から放出される光の色相に対応するカラーフィルターパターンを含むことができる。

図１０を参照すると、カラーフィルターＣＦは一部がブラックマトリクスＢＭの第２層ＢＭ２上に位置してよい。このような例示において、タッチ電極ＴＥの位置する領域においてブラックマトリクスＢＭ及びカラーフィルターＣＦが重なって位置するので、外部光がタッチ電極ＴＥによって反射されることをより効果的に防止することができる。これは、タッチ電極ＴＥの位置する領域においてブラックマトリクスＢＭとカラーフィルターＣＦとが重なるからである。他の実施例において、カラーフィルターＣＦは第２層ＢＭ２の上面を完全に覆ってもよい。具体的には、第２層ＢＭ２の上面は、隣接した２つのサブピクセルのカラーフィルターＣＦによって覆われてよい。例えば、赤サブピクセルのカラーフィルターＣＦは第２層ＢＭ２の上面の半分を覆ってよく、赤サブピクセルに接する緑サブピクセルのカラーフィルターＣＦは第２層ＢＭ２の上面の残り半分を覆ってよい。

光学接着剤層ＯＣＡは、カラーフィルターＣＦ上に位置してよい。光学接着剤層ＯＣＡは、例えば、顔料を含むことができる。光学接着剤層ＯＣＡが顔料を含む場合に、表示装置がさらに低い反射率を有し得る。

図１１を参照すると、第１層ＢＭ１及び第２層ＢＭ２の厚さの和がカラーフィルターＣＦの厚さよりも厚くてよい。すなわち、図１０とは異なり、カラーフィルターＣＦはブラックマトリクスＢＭの開口部にのみ位置し、ブラックマトリクスＢＭ上には位置しなくてもよい。第１層ＢＭ１及び第２層ＢＭ２の厚さの和がカラーフィルターＣＦよりも厚い場合に、タッチ電極ＴＥから反射される光をさらに効果的に減らすことができる。

以上に説明した本開示の実施例を簡略に説明すると、下記のようである。

本開示の実施例に係る表示装置１００は、表示領域を含む基板ＳＵＢ、基板ＳＵＢ上に位置する発光素子ＥＤ、バンクＢＡＮＫ、発光素子ＥＤ上に位置する封止層ＥＮＣＡＰ、封止層ＥＮＣＡＰ上に位置するタッチ電極ＴＥ、タッチ電極ＴＥ上に位置するブラックマトリクスＢＭ、及びタッチ電極ＴＥ上に位置するカラーフィルターＣＦを含むことができる。

バンクＢＡＮＫは、発光素子ＥＤに対応する第１開口部Ｏ１を含むことができる。

ブラックマトリクスＢＭは、第１層ＢＭ１及び第２層ＢＭ２を含むことができる。第２層ＢＭ２は第１層ＢＭ１上に位置し、第１層ＢＭ１に比べて屈折率が低くてよい。例えば、第１層ＢＭ１は、２．１～２．７の範囲の屈折率を有してよく、第２層ＢＭ２は、１．４～１．８の範囲の屈折率を有してよい。この範囲を用いて、第１層ＢＭ１及び第２層ＢＭ２の屈折率を選択することにより、第１層ＢＭ１と第２層ＢＭ２との相殺干渉を制御し、反射率を減少させることができる。

第１層ＢＭ１と第２層ＢＭ２は直接接触してよい。第１層ＢＭ１及び第２層ＢＭ２は、ブラックナノ粒子を含むことができる。第１層ＢＭ１に含まれたブラックナノ粒子の重量比率が、第２層ＢＭ２に含まれたブラックナノ粒子の重量比率よりも低くてよい。また、一実施例において、第１層ＢＭ１は、ルチル（Ｒｕｔｉｌｅ）、アナターゼ（Ａｎａｔａｓｅ）などのようなＴｉＯ２（酸化チタニウム）を含んでよい。

第１層ＢＭ１が位置する領域と第２層ＢＭ２が位置する領域は実質的に同一であってよい。第１層ＢＭ１、第２層ＢＭ２及びタッチ電極ＴＥは表示領域ＤＡにおいて互いに重なって位置してよい。

タッチ電極ＴＥは第２開口部Ｏ２を含み得る。タッチ電極ＴＥの第２開口部Ｏ２内にバンクの第１開口部Ｏ１が位置してよい。

ブラックマトリクスＢＭは第３開口部Ｏ３を含み得る。また、タッチ電極ＴＥの第２開口部Ｏ２内にブラックマトリクスの第３開口部が位置してよい。すなわち、第３開口部Ｏ３は、上下方向に第２開口部Ｏ２と対応する位置に配置されてよく、第３開口部Ｏ３のサイズは第２開口部Ｏ２のサイズよりも小さい。

ブラックマトリクスＢＭは第３開口部Ｏ３を含むことができる。また、ブラックマトリクスＢＭの第３開口部Ｏ３内にバンクの第１開口部Ｏ１が位置してよい。

カラーフィルターＣＦの一部が第２層ＢＭ２上に位置してよい。ブラックマトリクスＢＭの第１層ＢＭ１及び第２層ＢＭ２の厚さの和がカラーフィルターＣＦの厚さよりも厚くてよい。

以上の説明は、本開示の技術思想を例示的に説明したものに過ぎず、本開示の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本開示の本質的な特性から逸脱しない範囲で様々な修正及び変形が可能であろう。また、本開示に示されている実施例は、本開示の技術思想を限定するためのものではなく説明するためのものであり、このような実施例によって本開示の技術思想の範囲が限定されることはない。本開示の保護範囲は、添付する請求範囲によって解釈されるべきであり、それと同等な範囲内におけるあらゆる技術思想は本開示の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきであろう。

１００：表示装置

Claims (20)

1. 表示領域を含む基板と、
   前記基板上に位置する発光素子と、
   前記発光素子に対応する第１開口部を含むバンクと、
   前記発光素子上に位置する封止層と、
   前記封止層上に位置するタッチ電極と、
   前記タッチ電極上に位置し、第１層、及び前記第１層上に位置し、前記第１層に比べて屈折率の低い第２層を含むブラックマトリクスと、
   前記タッチ電極上に位置するカラーフィルターとを含む表示装置。
2. 前記第１層及び前記第２層が直接接触する、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１層は、屈折率が２．１～２．７であり、前記第２層は、屈折率が１．４～１．８である、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１層が位置する領域と前記第２層が位置する領域とは実質的に同一である、請求項１に記載の表示装置。
5. 前記第１層、前記第２層及び前記タッチ電極は、前記表示領域において互いに重なって位置する、請求項１に記載の表示装置。
6. 前記タッチ電極は第２開口部を含み、
   前記タッチ電極の第２開口部内に前記バンクの第１開口部が位置する、請求項１に記載の表示装置。
7. 前記ブラックマトリクスは第３開口部を含み、
   前記タッチ電極の第２開口部内に前記ブラックマトリクスの第３開口部が位置する、請求項６に記載の表示装置。
8. 前記バンクの第１開口部は、前記ブラックマトリクスの第３開口部内に形成される、請求項７に記載の表示装置。
9. 前記カラーフィルターの一部が前記第２層上に位置し、
   前記カラーフィルターは前記第３開口部を充填する、請求項１に記載の表示装置。
10. 前記ブラックマトリクスの前記第１層及び前記第２層の厚さの和が前記カラーフィルターの厚さよりも厚い、請求項１に記載の表示装置。
11. 基板上に配置された複数の発光素子と、
    前記複数の発光素子の発光領域を定義する複数の第１開口部を含むバンクと、
    前記バンク及び前記発光素子上に配置された封止層と、
    前記封止層上に配置され、複数のタッチ電極部及び前記複数の第１開口部とそれぞれ重なることにより、前記バンクによって定義される前記発光領域の外部の非発光領域に前記タッチ電極部が配置されるようにする複数の第２開口部を含むメッシュタイプ電極パターンと、
    前記メッシュタイプ電極パターン上に配置されたタッチバッファ層と、
    前記タッチバッファ層上に配置され、複数のブラックマトリクス部及び前記複数の第１開口部とそれぞれ重なる複数の第３開口部を含むことにより、前記ブラックマトリクス部が前記非発光領域に配置されるようにするブラックマトリクスパターンと、
    前記ブラックマトリクスパターンの第３開口部内に配置される複数のカラーフィルターとを含む表示装置。
12. 前記ブラックマトリクス部の第１層は、前記ブラックマトリクス部の第２層と直接に接触する、請求項１１に記載の表示装置。
13. 前記第１層は、２．１～２．７の屈折率を有し、前記第２層は、１．４～１．８の屈折率を有する、請求項１１に記載の表示装置。
14. 前記第１層のブラックマトリクス部が位置する面積は、前記第２層のブラックマトリクス部が位置する面積と実質的に同一である、請求項１１に記載の表示装置。
15. 前記ブラックマトリクス部の幅は、前記タッチ電極部の幅よりも大きい、請求項１１に記載の表示装置。
16. 前記ブラックマトリクスの第３開口部内に配置された前記複数のカラーフィルターは、隣接したブラックマトリクス部の前記第１層の上面に延長される、請求項１１に記載の表示装置。
17. 前記第２開口部の幅は前記第３開口部の幅よりも大きく、前記第３開口部の幅は前記第１開口部の幅よりも大きい、請求項１１に記載の表示装置。
18. 前記封止層と前記メッシュタイプ電極パターンとの間に配置された他のタッチバッファ層をさらに含む、請求項１１に記載の表示装置。
19. 前記ブラックマトリクス部の第１層の厚さは、前記ブラックマトリクス部の第２層の厚さよりも厚い、請求項１１に記載の表示装置。
20. 前記ブラックマトリクス部が前記カラーフィルターの上面よりも突出するように、前記ブラックマトリクス部の前記第１層及び第２層の厚さの和が前記カラーフィルターの厚さよりも厚い、請求項１１に記載の表示装置。

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