JP2023096895A - カーボン膜の形成方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】プラズマエッチング耐性を有し、かつ、容易に除去可能なカーボン膜の形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】下地層が形成された基板を準備する工程と、前記下地層の上に炭素含有化合物により第1のカーボン膜を成膜する工程と、前記カーボン膜の上に炭素含有化合物とルテニウム含有化合物によりルテニウムを添加した第2のカーボン膜を成膜する工程と、有する、カーボン膜の形成方法。【選択図】図2
Description
本発明は、カーボン膜の形成方法及び半導体装置の製造方法に関する。
特許文献1には、耐プラズマ性が高く、低温成膜が可能なアモルファスカーボン膜の成膜方法、および、そのようなアモルファスカーボン膜の成膜方法を適用した半導体装置の製造方法が開示されている。
ところで、基板に形成された下地層をプラズマエッチングする処理において、例えば、マスク材料としてカーボン膜を用いる場合がある。このカーボン膜には、プラズマエッチング耐性の向上が求められている。また、下地層のプラズマエッチング処理後に、基板から容易に除去することが求められている。
上記課題に対して、一側面では、プラズマエッチング耐性を有し、かつ、容易に除去可能なカーボン膜の形成方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、一の態様によれば、下地層が形成された基板を準備する工程と、前記下地層の上に炭素含有化合物により第1のカーボン膜を成膜する工程と、前記カーボン膜の上に炭素含有化合物とルテニウム含有化合物によりルテニウムを添加した第2のカーボン膜を成膜する工程と、有する、カーボン膜の形成方法が提供される。
一の側面によれば、プラズマエッチング耐性を有し、かつ、容易に除去可能なカーボン膜の形成方法及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
<基板処理方法>
一実施形態に係る基板処理方法について、図1及び図2を用いて説明する。図1は、一実施形態に係る基板処理方法を説明するフローチャートである。図2は、基板Wの断面模式図の一例である。図1に示す基板処理方法では、基板Wに積層されたカーボン膜を形成する。
一実施形態に係る基板処理方法について、図1及び図2を用いて説明する。図1は、一実施形態に係る基板処理方法を説明するフローチャートである。図2は、基板Wの断面模式図の一例である。図1に示す基板処理方法では、基板Wに積層されたカーボン膜を形成する。
ステップS101において、基板Wを準備する。ここで、基板Wには、下地層200(図2参照)が形成されている。下地層200は、例えば、プラズマエッチング処理が施される被エッチング膜である。下地層200は、例えば、SiO2膜、SiN膜、SiO2膜とSiN膜を交互に積層した積層膜等であってよい。
ステップS102において、基板Wの下地層200の上にカーボン膜(第1のカーボン膜)211(図2参照)を成膜する。カーボン膜(第1のカーボン膜)211は、例えば、金属などの添加物質を含まない(金属などの添加物質が添加されていない)カーボン膜である。
ステップS103において、基板Wのカーボン膜211の上にルテニウムを添加したカーボン膜(第2のカーボン膜)212を成膜する。これにより、カーボン膜211及びルテニウムを添加したカーボン膜212は、積層カーボン膜210を形成する。下地層200の上に積層カーボン膜210が成膜された基板Wの一例を図2に示す。また、ルテニウムを添加したカーボン膜(第2のカーボン膜)212は、カーボン膜(第1のカーボン膜)211よりも薄く形成されている。
ここで、ステップS102において基板Wにカーボン膜211を成膜し、ステップS103において基板Wにルテニウムを添加したカーボン膜212を成膜することにより、基板Wに積層カーボン膜210を形成する成膜装置300について、図3を用いて説明する。図3は、成膜装置300の概略構成を示す図である。成膜装置300は、プラズマCVD(chemical vapor deposition)装置であって、基板Wにカーボン膜211及びルテニウムを添加したカーボン膜212を成膜する成膜装置である。
成膜装置300は、略円筒状の気密な処理容器1を有する。処理容器1の内部には、基板Wを載置するステージ2が設けられている。ステージ2は、円筒状の支持部材3によって支持されている。ステージ2の外縁部には、基板Wをガイドするためのガイドリング4が設けられている。これにより、ステージ2及びガイドリング4によって、ステージ2の上面に基板Wを載置するための略円形状の凹部が形成されている。ステージ2には、モリブデンなどの高融点金属で構成されたヒータ5が埋め込まれている。ヒータ5は、ヒータ電源6から給電され、ステージ2に載置された基板Wを所定の温度に加熱する。また、ステージ2は、平行平板電極の下部電極として機能する。ステージ2は、伝送路43を介して接地されている。また、ステージ2には、バイアスを印加するために高周波電源や直流電源が接続されていてもよい。
処理容器1の天壁1aには、絶縁部材9を介してシャワーヘッド10が設けられている。シャワーヘッド10は、平行平板電極の上部電極として機能し、下部電極としてのステージ2と対向している。シャワーヘッド10には、整合器41を介して高周波電源42が接続されている。高周波電源42から上部電極(シャワーヘッド10)に例えば、400kHz~100MHzの高周波電力を供給することによって、上部電極(シャワーヘッド10)と下部電極(ステージ2)との間に高周波電界が生成され、容量結合プラズマが生成する。プラズマ生成部40は、整合器41と、高周波電源42と、を含む。なお、プラズマ生成部40は、容量結合プラズマに限らず、誘導結合プラズマなど他のプラズマを生成するものであってもよい。
シャワーヘッド10は、ベース部材11と、シャワープレート12と、を有する。ベース部材11とシャワープレート12との間には、ガス拡散空間13が形成されている。シャワープレート12には、ガス拡散空間13から処理容器1内へガスを分散供給するための多数のガス吐出孔14が例えば均等に配置されている。ベース部材11の中央付近には、ガス拡散空間13と連通するガス導入孔15が形成されている。ガス導入孔15は、ガス配管16を介して、ガス供給部20のガス供給ライン21d~24dと接続されている。なお、ベース部材11の上部に形成された凹部には、断熱部材17が設けられている。
ガス供給部20は、カーボン含有ガス供給源21と、ルテニウム含有ガス供給源22と、Arガス供給源23と、Heガス供給源24と、を有する。
カーボン含有ガス供給源21は、炭素(C)含有化合物ガス(カーボン(C)含有ガス)を供給する。具体的には、カーボン含有ガス供給源21は、炭化水素ガス(CxHyガス)を供給する。炭化水素ガスとして、例えば、CH4、C2H2、C3H4、C3H6、C3H8等のうち少なくとも1つを含むガスを用いることができる。
ルテニウム含有ガス供給源22は、ルテニウム(Ru)含有化合物ガス(ルテニウム(Ru)含有ガス)を供給する。具体的には、ルテニウム含有ガス供給源22は、ルテニウム前駆体ガスを供給する。ルテニウム前駆体ガスとして、例えば、EtCp2Ru((C2H5C5H5)2Ru)、Ru(C5H4C2H5)2、Ru(C11H19O2)3、Ru3(CO)12等の有機ルテニウムガスのうち少なくとも1つを含むガスを用いることができる。
Arガス供給源23は、プラズマ生成ガスやパージガス、カーボン含有ガスやルテニウム含有ガスのキャリアガスなどとして用いるArガスを供給する。
Heガス供給源24は、プラズマ生成ガスやパージガス、カーボン含有ガスやルテニウム含有ガスのキャリアガスなどとして用いるHeガスを供給する。
カーボン含有ガス供給源21は、ガス供給ライン21dを介して、ガス配管16に接続される。ガス供給ライン21dには、バルブ21a、マスフローコントローラ21b、バルブ21cが設けられる。マスフローコントローラ21bは、ガス供給ライン21dを流れる炭素(C)含有化合物ガスの流量を制御する。バルブ21a,21cは、開閉動作により、ガス配管16への炭素(C)含有化合物ガスの供給・遮断を行う。
ルテニウム含有ガス供給源22は、ガス供給ライン22dを介して、ガス配管16に接続される。ガス供給ライン22dには、バルブ22a、マスフローコントローラ22b、バルブ22cが設けられる。マスフローコントローラ22bは、ガス供給ライン22dを流れるルテニウム(Ru)含有化合物ガスの流量を制御する。バルブ22a,22cは、開閉動作により、ガス配管16へのルテニウム(Ru)含有化合物ガスの供給・遮断を行う。
Arガス供給源23は、ガス供給ライン23dを介して、ガス配管16に接続される。ガス供給ライン23dには、バルブ23a、マスフローコントローラ23b、バルブ23cが設けられる。マスフローコントローラ23bは、ガス供給ライン23dを流れるArガスの流量を制御する。バルブ23a,23cは、開閉動作により、ガス配管16へのArガスの供給・遮断を行う。
Heガス供給源24は、ガス供給ライン24dを介して、ガス配管16に接続される。ガス供給ライン24dには、バルブ24a、マスフローコントローラ24b、バルブ24cが設けられる。マスフローコントローラ24bは、ガス供給ライン24dを流れるHeガスの流量を制御する。バルブ24a,24cは、開閉動作により、ガス配管16へのHeガスの供給・遮断を行う。
そして、ガス供給ライン21d~24dからガス配管16に供給されたガスは、ガス導入孔15を介してガス拡散空間13に供給され、シャワープレート12のガス吐出孔14を通り、処理容器1内に吐出される。
処理容器1の底壁1bの中央部には、略円形の穴50が形成されている。また、底壁1bには、穴50を覆うように下方に向けて突出する排気室51が設けられている。排気室51の側面には、排気管52が接続されている。排気管52には、排気装置53が接続されている。これにより、排気管52は、排気装置53によって処理容器1内を減圧できるように構成されている。
ステージ2には、基板Wを支持して昇降させるための複数(たとえば、3本)のウェハ支持ピン54が設けられる。複数のウェハ支持ピン54は、ステージ2の表面に対して突没可能に設けられ、支持板55に支持される。そして、ウェハ支持ピン54は、駆動機構56により、支持板55を介して昇降可能に構成される。
処理容器1の側壁には、搬送口57が設けられている。搬送口57は、ゲートバルブ58によって開閉される。処理容器1内と搬送室(図示せず)との間における基板Wの搬入出は、搬送口57を介して行われる。
また、成膜装置300は、制御装置60を備えている。制御装置60は、例えばコンピュータであって、制御部61と、記憶部62と、を備えている。記憶部62には、成膜装置300において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部61は、記憶部62に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって成膜装置300の動作を制御する。
また、制御装置60には、ユーザーインターフェース63が接続されている。ユーザーインターフェース63は、オペレータが成膜装置300を管理するためにコマンドの入力操作などを行う入力装置や、成膜装置300の稼働状況を可視化して表示するディスプレイなどの出力装置を有している。
このような構成により、成膜装置300は、ガス供給部20から炭素(C)含有化合物ガスを処理容器1内に供給することにより、プラズマCVD処理によって、基板Wにカーボン膜211を成膜することができる。
また、成膜装置300は、ガス供給部20から炭素(C)含有化合物ガス及びルテニウム(Ru)含有化合物ガスを同時に処理容器1内に供給することにより、プラズマCVD処理によって、基板Wにルテニウムを添加したカーボン膜212を成膜することができる。換言すれば、成膜装置300は、ガス供給部20から炭素(C)含有化合物ガスを処理容器1内に供給してプラズマCVD処理によって基板Wにカーボン膜を成膜する。ここで、成膜装置300は、同時にガス供給部20からルテニウム(Ru)含有化合物ガスを処理容器1内に供給することにより、カーボン膜にルテニウム(Ru)を添加し、基板Wにルテニウムを添加したカーボン膜212を成膜することができる。
また、成膜装置300は、ルテニウム含有ガス供給源22からガス配管16に供給されるルテニウム(Ru)含有化合物ガスの流量を制御することにより、基板Wに成膜されるカーボン膜におけるルテニウムの添加量を制御することができる。
なお、成膜装置300は、プラズマCVD処理によって、基板Wにルテニウムを添加したカーボン膜212を成膜するものとして説明したが、これに限られるものではない。例えば、成膜装置300は、ガス供給部20から炭素(C)含有化合物ガスとルテニウム(Ru)含有化合物ガスを交互に処理容器1内に供給することにより、基板Wにルテニウムを添加したカーボン膜212を成膜してもよい。具体的には、成膜装置300は、ガス供給部20から炭素(C)含有化合物ガスを処理容器1内に供給することにより、プラズマCVD処理によって、基板Wにカーボン膜を成膜するカーボン膜成膜工程を行う。次に、成膜装置300は、ガス供給部20からルテニウム(Ru)含有化合物ガスを処理容器1内に供給することにより、基板Wに形成されたカーボン膜の表面にルテニウム(Ru)を吸着させるルテニウム吸着工程を行う。そして、カーボン膜成膜工程とルテニウム吸着工程とを交互に繰り返すことにより、基板Wにルテニウムを添加したカーボン膜212を成膜してもよい。
また、例えば、成膜装置300は、ガス供給部20から炭素(C)含有化合物ガスの供給中にルテニウム(Ru)含有化合物ガスを間欠的に処理容器1内に供給することにより、基板Wにルテニウムを添加したカーボン膜212を成膜してもよい。これにより、カーボン膜中のルテニウムの添加量を制御することができる。
また、成膜装置300は、処理容器1に炭素(C)含有化合物ガス及びルテニウム(Ru)含有化合物ガスを供給して、基板Wにカーボン膜211及びルテニウムを添加したカーボン膜212を成膜するものとして説明したが、これに限られるものではない。基板Wにカーボン膜211及びルテニウムを添加したカーボン膜212を成膜する成膜装置は、ターゲットをスパッタして基板Wに成膜するスパッタ装置であってもよい。即ち、成膜装置は、炭素(C)含有化合物のターゲットと、ルテニウム(Ru)含有化合物のターゲットと、を有するスパッタ装置であってもよい。スパッタ装置は、プラズマを用いて炭素(C)含有化合物のターゲットのみをスパッタすることにより、カーボン膜211を成膜する。また、スパッタ装置は、プラズマを用いて2つのターゲットをスパッタすることにより、ルテニウムを添加したカーボン膜212を成膜する。なお、ルテニウムを添加したカーボン膜212を成膜する際、スパッタ装置は、2つのターゲットを同時にスパッタする構成であってもよく、2つのターゲットを交互にスパッタする構成であってもよい。また、スパッタ装置は、2つのターゲットを任意のタイミングでスパッタする構成であってもよく、これにより、ルテニウムの添加量を制御することができる。
以上のように、成膜装置300によれば、基板Wに積層カーボン膜210を成膜することができる。また、成膜装置300は、ルテニウムを添加したカーボン膜212を成膜する際、ルテニウムの添加量を制御することができる。
なお、成膜装置300によって成膜される積層カーボン膜210は、図2に示す構成に限られない。図4は、基板Wの断面模式図の他の一例である。成膜装置300は、基板Wの下地層200の上にカーボン膜221を成膜する。カーボン膜221は、例えば、金属などの添加物質を含まない(金属などの添加物質が添加されていない)カーボン膜である。その後、成膜装置300は、基板Wのカーボン膜221の上にルテニウムを添加したカーボン膜222~225を順番に成膜することにより、積層カーボン膜220を形成する。ここで、ルテニウムを添加したカーボン膜222~225は、上層になるほどルテニウムの添加量が増加する。なお、図4においては、ルテニウムを添加したカーボン膜222~225に付すハッチングの濃淡でルテニウムの添加量を模式的に示す。
なお、積層カーボン膜220は、下層から上層に向かってルテニウムの添加量が増加するように形成されていればよい。また、積層カーボン膜220は、上層になるほどルテニウムの添加量が連続的に増加するように形成されていてもよい。また、積層カーボン膜220の積層数は、5層に限られるものではない。
<半導体装置の製造方法>
次に、上述したルテニウムを添加したカーボン膜をハードマスクとして用い、下地層をエッチングすることにより半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法について、図5及び図6を用いて説明する。図5は、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するフローチャートである。図6は、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法における基板Wの断面模式図の一例である。
次に、上述したルテニウムを添加したカーボン膜をハードマスクとして用い、下地層をエッチングすることにより半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法について、図5及び図6を用いて説明する。図5は、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するフローチャートである。図6は、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法における基板Wの断面模式図の一例である。
ステップS401において、基板Wを準備する。ここで、基板Wには、下地層500(図6(a)参照)が形成されている。下地層500は、後述するハードマスク510をマスクとして、プラズマエッチング処理が施される被エッチング膜である。下地層500は、例えば、SiO2膜、SiN膜、SiO2膜とSiN膜を交互に積層した積層膜等であってよい。
ステップS402において、基板Wの下地層500の上に積層カーボン膜で形成されたハードマスク510を成膜する。ハードマスク510は、カーボン膜511の上にルテニウムを添加したカーボン膜512を積層して形成される。カーボン膜511は、例えば、金属などの添加物質を含まない(金属などの添加物質が添加されていない)カーボン膜である。なお、ハードマスク510の成膜方法は、図1から図3に示す積層カーボン膜210の成膜方法と同様であり、重複する説明を省略する。また、ハードマスク510の構成は、これに限られるものではなく、下層から上層に向かってルテニウムの添加量が増加するようにカーボン膜(図4参照)が形成されていてもよい。以下の説明においては、図6(a)に示すように、下地層500の上にカーボン膜511を成膜し、更にその上にルテニウムを添加したカーボン膜512を積層してハードマスク510が形成されるものとして説明する。
ステップS403において、ハードマスク510にパターンを形成する。ここでは、ハードマスク510の上にパターンを有するレジスト膜(図示せず)を成膜する。次に、パターンが形成されたレジスト膜をマスクとして、ハードマスク510をエッチングすることにより、ハードマスク510にパターンを形成する。これにより、図6(b)に示すように、ハードマスク510には、ビア、ホール、トレンチ等のパターンを有する凹部515が形成される。
なお、レジスト膜(図示せず)をマスクとしてハードマスク510をエッチングする処理は、例えば、エッチングガスとしてO2ガスやH2ガスを用いて、ルテニウムを添加したカーボン膜512及びカーボン膜511をエッチングする。
ステップS404において、凹部515が形成されたハードマスク510をマスクとして、下地層500をプラズマエッチングする。これにより、図6(c)に示すように、下地層500には、凹部505が形成される。
ここで、下地層500をエッチングする際、基板Wの温度が0℃以下の低温でエッチング処理される。また、ハードマスク510をマスクとして下地層500をエッチングする処理は、下地層500(例えば、SiO2膜、SiN膜、SiO2膜とSiN膜を交互に積層した積層膜等)をエッチングする処理と同様の条件で行うことができる。例えば、エッチングガスとしてフッ素含有ガス(例えば、C4F6、C4F8、O2、CH2F2のうち少なくとも1つを含むガス)を用いて、高バイアスを印加する条件で下地層500をエッチングする。
ステップS405において、ハードマスク510を基板Wから除去する。以上のように、図5のフローチャートに示す処理によって、図6(d)に示すように、基板Wの下地層500に凹部505のパターンを形成することができる。
ここで、ステップS405において、ハードマスク510を除去するアッシング装置600について、図7を用いて説明する。図7は、アッシング装置600の概略構成を示す図である。アッシング装置600は、ハードマスク510を除去(アッシング)する成膜装置である。
アッシング装置600(図7参照)は、成膜装置300(図3参照)と比較して、処理容器1に供給するガスが異なっている。即ち、ガス供給部20が供給するガスが異なっている。その他のアッシング装置600の構成は、成膜装置300の構成と同様であり、重複する説明は省略する。
アッシング装置600のガス供給部20は、酸素含有ガス供給源25を有する。
酸素含有ガス供給源25は、酸素(O)含有ガスを供給する。具体的には、酸素含有ガス供給源25は、例えばO2ガスを供給する。
酸素含有ガス供給源25は、ガス供給ライン25dを介して、ガス配管16に接続される。ガス供給ライン25dには、バルブ25a、マスフローコントローラ25b、バルブ25cが設けられる。マスフローコントローラ25bは、ガス供給ライン25dを流れる酸素(O)含有ガスの流量を制御する。バルブ25a,25cは、開閉動作により、ガス配管16への酸素(O)含有ガスの供給・遮断を行う。
そして、ガス供給ライン25dからガス配管16に供給されたガスは、ガス導入孔15を介してガス拡散空間13に供給され、シャワープレート12のガス吐出孔14を通り、処理容器1内に吐出される。
このような構成により、アッシング装置600は、ガス供給部20から酸素(O)含有ガスを処理容器1内に供給し、処理容器1内に酸素プラズマを生成することによって、基板W形成されたハードマスク510(カーボン膜511及びルテニウムを添加したカーボン膜512)をアッシングにより除去する。
ここで、ハードマスク510中の炭素(C)は、プラズマ中の酸素(O)と結合し、ガスとして排気装置53によって排気される。
C+2O→CO2↑(気体)
また、ハードマスク510中のルテニウム(Ru)は、プラズマ中の酸素(O)と結合し、ガスとして排気装置53によって排気される。
Ru+4O→RuO4↑(気体)
このように、アッシング装置600は、カーボン膜をアッシングするとともに、カーボン膜中に添加されたルテニウム(Ru)もアッシングすることができる。これにより、アッシング装置600は、基板Wからハードマスク510を除去することができる。
次に、ステップS102、および、ステップS402で成膜したルテニウムを添加したカーボン膜212,512の特性について、図8及び図9を用いて説明する。
図8は、下地層200(下地層500)をプラズマエッチングする処理における、ルテニウムを添加したカーボン膜212,512のプラズマエッチング耐性を示すグラフの一例である。
ここでは、ステップS102(ステップS402)における成膜装置300としてスパッタ装置を用いて、基板Wに対しルテニウムの添加量を変更したルテニウムを添加したカーボン膜212,512をそれぞれ成膜した。そして、ルテニウムを添加したカーボン膜212,512が成膜された基板Wに対し、ステップS404における処理条件でプラズマエッチング処理をそれぞれ行った。
図8に示すグラフにおいて、横軸は、カーボン膜中に添加されるルテニウムの添加量(ルテニウムを添加したカーボン膜212,512をRuXC1-Xと示した場合のRuとCの原子数濃度比X(%))を示す。即ち、横軸が0%は、ルテニウムを添加しないカーボン膜(丸印で示す。)であることを示す。横軸が100%は、ルテニウム膜(三角印で示す。)であることを示す。横軸が0%と100%の間は、ルテニウムを添加したカーボン膜(菱形印で示す。)であることを示す。
また、図8に示すグラフにおいて、縦軸は、アモルファスカーボン膜のエッチングレートを1として正規化した各ルテニウムを添加したカーボン膜212,512のエッチングレート比を示す。
0%に示すカーボン膜(丸印参照)において、スパッタで成膜したカーボン膜は、アモルファスカーボン膜と比較して、エッチングレートが高くなっている。
一方、100%に示すルテニウム膜(三角印参照)において、スパッタで成膜したルテニウム膜は、アモルファスカーボン膜と比較して、エッチングレートが低くなっている。即ち、エッチング耐性が向上している。
また、カーボン膜に添加するルテニウムの添加量が原子数濃度比で5%以上(菱形印参照)からエッチングレートが大きく低下する。このため、カーボン膜に添加するルテニウムの添加量は、原子数濃度比で5%以上が好ましい。これにより、ルテニウムを添加したカーボン膜212,512のエッチング耐性を大幅に向上することができる。
また、カーボン膜に添加するルテニウムの添加量が原子数濃度比で30%(菱形印参照)以上に達すると、ルテニウム膜(三角印参照)と同程度にエッチングレートが低下する。このため、カーボン膜に添加するルテニウムの添加量は、原子数濃度比で30%以下が好ましい。これにより、ルテニウムを添加したカーボン膜212,512に含まれるルテニウムの添加量を抑制しつつ、高いエッチング耐性を確保することができる。また、ルテニウムの添加量を減らすことにより、ルテニウムを添加したカーボン膜212,512のコストを低減することができる。また、ルテニウムを添加したカーボン膜212,512に使用される金属原子を低減することができるので、処理容器1内の金属汚染を抑制することができる。
このように、ルテニウムを添加したカーボン膜を用いることにより、プラズマエッチング処理において、ルテニウムを添加したカーボン膜212,512のエッチングを抑制しつつ、下地層200(下地層500)をエッチングすることができる。即ち、ルテニウムを添加したカーボン膜を用いることにより、プラズマエッチング処理におけるルテニウムを添加したカーボン膜212,512と下地層200(下地層500)の選択比を改善することができる。これにより、例えば下地層200(下地層500)に形成されるトレンチ等の凹部の形状(例えば、凹部505)の精度を向上させることができる。
また、下地層200(下地層500)のプラズマエッチング処理において、基板Wの温度が0℃以下の低温で、エッチングガスとしてフッ素含有ガスが用いられている。このため、ルテニウムを添加したカーボン膜212,512の材料は、室温以下の温度でフッ化物の蒸気圧が低いことが求められる。即ち、ルテニウムを添加したカーボン膜212,512の材料のフッ化物が気体ではない材料が望ましい。ここで、ルテニウム(Ru)のフッ化物は、常温付近で固体である。このため、ハードマスク510の材料として、ルテニウムを添加したカーボン膜を用いるこことができる。
このように、ハードマスク510の上層の材料として、ルテニウムを添加したカーボン膜を用いることにより、下地層500をプラズマエッチングする際、ハードマスク510の上側角部がエッチングされ凸形状となることを抑制することができる。これにより、下地層500に形成される凹部505の加工精度を向上させることができる。
図9は、アッシング処理における、ルテニウムを添加したカーボン膜212,512のアッシングレートを示すグラフの一例である。
ここでは、ステップS102(ステップS402)における成膜装置300としてスパッタ装置を用いて、基板Wに対しルテニウムの添加量を変更したルテニウムを添加したカーボン膜212,512をそれぞれ成膜した。そして、ルテニウムを添加したカーボン膜212,512が成膜された基板Wに対し、アッシング処理をそれぞれ行った。ここでは、基板温度:60℃、HF:1kW、LF:0.3kW、圧力:30mT、供給ガス:O2ガス、流量:800sccm、エッチング時間:20minでプラズマアッシングを行った。
図9に示すグラフにおいて、横軸は、カーボン膜中に添加されるルテニウムの添加量(ルテニウムを添加したカーボン膜212,512をRuXC1-Xと示した場合のRuとCの原子数濃度比X(%))を示す。縦軸は、アッシングレート(nm/min)を示す。
図9に示すように、ルテニウムを添加しないカーボン膜(0%)において、O2ガスのプラズマを用いて、カーボン膜がアッシングできることを示している。
ここで、ルテニウム(Ru)は、酸素(O)と結合することにより、常温付近、常圧で揮発性のある化合物を形成する。このため、図9に示すように、ルテニウムを添加したカーボン膜においても、カーボン膜(0%)のアッシング処理と同様にO2ガスのプラズマを用いて、ルテニウムを添加したカーボン膜もアッシング可能であることを示している。
以上のように、カーボン膜にルテニウムを添加することにより、エッチング耐性を向上させることができる。これにより、プラズマエッチングする際に、ルテニウムを添加したカーボン膜212,512と下地層200(下地層500)との選択比を向上させることができる。
また、カーボン膜にルテニウムを添加することにより、ルテニウムを添加しないカーボン膜と同様に、アッシングにより除去することができる。
<半導体装置の製造方法>
次に、第2実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図10及び図11を用いて説明する。図10は、第2実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するフローチャートである。図11は、第2実施形態に係る半導体装置の製造方法における基板Wの断面模式図の一例である。
次に、第2実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図10及び図11を用いて説明する。図10は、第2実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するフローチャートである。図11は、第2実施形態に係る半導体装置の製造方法における基板Wの断面模式図の一例である。
ステップS701において、基板Wを準備する。ここで、基板Wには、下地層800(図11(a)参照)が形成されている。下地層800は、後述するハードマスク830をマスクとして、プラズマエッチング処理が施される被エッチング膜である。下地層800は、例えば、SiO2膜、SiN膜、SiO2膜とSiN膜を交互に積層した積層膜等であってよい。
ステップS702において、基板Wの下地層800の上にカーボン膜(第1のカーボン膜)831を成膜する。カーボン膜831は、例えば、金属などの添加物質を含まない(金属などの添加物質が添加されていない)カーボン膜である。なお、カーボン膜831の成膜方法は、図1から図3に示すカーボン膜211の成膜方法と同様であり、重複する説明を省略する。
ステップS703において、カーボン膜831にパターンを形成する。ここでは、カーボン膜831の上にパターンを有するレジスト膜(図示せず)を成膜する。次に、パターンが形成されたレジスト膜をマスクとして、カーボン膜831をエッチングすることにより、カーボン膜831にパターンを形成する。これにより、図11(b)に示すように、カーボン膜831には、ビア、ホール、トレンチ等のパターンを有する凹部835が形成される。
ステップS704において、パターンが形成されたカーボン膜831の上面及び凹部835の側面にルテニウムを添加したカーボン膜(第2のカーボン膜、RuC膜)832を成膜する。ここで、ルテニウムを添加したカーボン膜832は、カーボン膜831よりも薄く形成されている。これにより、図11(c)に示すように、パターンが形成されたカーボン膜831の上面及び凹部835の側面にルテニウムを添加したカーボン膜832が成膜される。これにより、パターンが形成されたカーボン膜831及びルテニウムを添加したカーボン膜832は、パターンが形成されたハードマスク830を形成する。
ステップS705において、パターンが形成されたハードマスク830をマスクとして、下地層800をプラズマエッチングする。これにより、図11(d)に示すように、下地層800には、凹部805が形成される。
ステップS706において、ハードマスク830を基板Wからアッシングにより除去する。以上のように、図10のフローチャートに示す処理によって、図11(e)に示すように、基板Wの下地層800に凹部805のパターンを形成することができる。
ここで、参考例に係る半導体装置の製造方法について、図12を用いて説明する。図12は、参考例に係る半導体装置の製造方法における基板Wの断面模式図の一例である。
参考例に係る半導体装置の製造方法においては、まず、図12(a)に示すように、基板Wの下地層800の上にカーボン膜831を成膜する。次に、図12(b)に示すように、カーボン膜831にパターンを形成する。そして、図12(c)に示すように、パターンが形成されたカーボン膜831をマスクとして、下地層800をプラズマエッチングする。
ここで、カーボン膜831をマスクとして下地層800をプラズマエッチングする際、カーボン膜831の上側角部もエッチングされ、カーボン膜831の形状が凸形状となる。これにより、下地層800に形成される凹部805の形状が歪になるおそれがある。
これに対し、図11(d)に示すように、ハードマスク830は、カーボン膜831の上面及び凹部835の側面が、エッチング耐性を有するルテニウムを添加したカーボン膜832で覆われている。ハードマスク830をマスクとして下地層800をプラズマエッチングする際、ハードマスク830の上側角部がエッチングされ凸形状となることを抑制することができる。これにより、下地層800に形成される凹部805の加工精度を向上させることができる。
200,500,800 下地層
210,220 積層カーボン膜
211,221,511,831 カーボン膜
212,222~225,512,832 ルテニウムを添加したカーボン膜
300 成膜装置
510,830 ハードマスク
600 アッシング装置
210,220 積層カーボン膜
211,221,511,831 カーボン膜
212,222~225,512,832 ルテニウムを添加したカーボン膜
300 成膜装置
510,830 ハードマスク
600 アッシング装置
Claims (15)
- 下地層が形成された基板を準備する工程と、
前記下地層の上に炭素含有化合物により第1のカーボン膜を成膜する工程と、
前記カーボン膜の上に炭素含有化合物とルテニウム含有化合物によりルテニウムを添加した第2のカーボン膜を成膜する工程と、有する、
カーボン膜の形成方法。 - 前記第2のカーボン膜の膜厚は、前記第1のカーボン膜の膜厚よりも薄い、
請求項1に記載のカーボン膜の形成方法。 - 前記第2のカーボン膜を成膜する工程は、
上層方向に向かってルテニウムの添加量が増加するように前記第2のカーボン膜を成膜する、
請求項1に記載のカーボン膜の形成方法。 - 前記第1のカーボン膜及び前記第2のカーボン膜で形成される積層カーボン膜にパターンを形成する工程を更に有する、
請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のカーボン膜の形成方法。 - 前記第1のカーボン膜にパターンを形成する工程を更に有し、
前記第2のカーボン膜を成膜する工程は、
パターンが形成された前記第1のカーボン膜に前記第2のカーボン膜を形成する、
請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のカーボン膜の形成方法。 - 前記第2のカーボン膜をRuXC1-Xと示した場合のRuとCの原子数濃度比Xは、0.05≦X≦0.3の範囲である、
請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のカーボン膜の形成方法。 - 前記第2のカーボン膜を成膜する工程は、
前記炭素含有化合物を含むガスと前記ルテニウム含有化合物を含むガスを同時に前記基板を収容する処理容器に供給し、前記処理容器内にプラズマを生成して、前記第2のカーボン膜を成膜する、
請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のカーボン膜の形成方法。 - 前記第2のカーボン膜を成膜する工程は、
前記炭素含有化合物を含むガスを前記基板を収容する処理容器に供給し前記処理容器内にプラズマを生成して、前記基板にカーボン膜を成膜する工程と、
前記ルテニウム含有化合物を含むガスを前記処理容器に供給して、前記カーボン膜にルテニウムを吸着させる工程と、を繰り返す、
請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のカーボン膜の形成方法。 - 前記炭素含有化合物を含むガスは、CH4、C2H2、C3H4、C3H6、C3H8のうち少なくとも1つを含むガスである、
請求項7乃至請求項8のいずれか1項に記載のカーボン膜の形成方法。 - 前記ルテニウム含有化合物を含むガスは、EtCp2Ru((C2H5C5H5)2Ru)、Ru(C5H4C2H5)2、Ru(C11H19O2)3、Ru3(CO)12のうち少なくとも1つを含むガスである、
請求項7乃至請求項9のいずれか1項に記載のカーボン膜の形成方法。 - 前記第2のカーボン膜を成膜する工程は、
前記炭素含有化合物を含むターゲットと前記ルテニウム含有化合物を含むターゲットをスパッタして、前記ルテニウムを添加したカーボン膜を成膜する、
請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のカーボン膜の形成方法。 - 請求項1乃至請求項11のいずれか1項に記載のカーボン膜の形成方法によって、前記基板に形成された前記下地層の上にハードマスクを形成する工程と、
前記ハードマスクにパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された前記ハードマスクを介して、前記下地層をプラズマエッチングする工程と、
前記ハードマスクをアッシングする工程と、を有する、
半導体装置の製造方法。 - 前記下地層をエッチングする工程は、
フッ素含有ガスを用いる、
請求項12に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記下地層をエッチングする工程は、
前記基板の温度が0℃以下で処理される、
請求項12または請求項13に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ハードマスクをアッシングする工程は、
O2ガスのプラズマを用いる、
請求項12乃至請求項14のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2021212935A JP2023096895A (ja) | 2021-12-27 | 2021-12-27 | カーボン膜の形成方法及び半導体装置の製造方法 |
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