JP2023095037A

JP2023095037A - 基板処理装置、基板処理方法、プログラム、および物品の製造方法

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Publication number: JP2023095037A
Application number: JP2021210689A
Authority: JP
Inventors: 正浩清水; Masahiro Shimizu
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2021-12-24
Filing date: 2021-12-24
Publication date: 2023-07-06

Abstract

【課題】計測時間の短縮と露光性能への影響の低減との両立の点で有利な基板処理装置を提供する。【解決手段】基板を処理する基板処理装置（１００）であって、複数の計測部（３０１、３０２、３０３）と、過去に処理された基板のマーク位置情報に基づいて、複数の計測部の駆動目標位置を決定する決定手段（２１２）と、複数の計測部の少なくとも１つを駆動目標位置へ駆動する駆動手段（３０４、３０５、３０６）と、駆動目標位置において複数の計測部による同時計測を行うか否かを判定する判定手段（２１３）とを有する。【選択図】図５

Description

本発明は、基板処理装置、基板処理方法、プログラム、および物品の製造方法に関する。

従来、複数の検出系を用いて基板上の複数のアライメントマークを同時に計測することにより、基板の位置合わせ時間を短縮する短くする基板処理装置が知られている。特許文献１には、基板上の複数のアライメントマークを同時に検出する場合に、エンコーダーシステムを用いてアライメントの高精度化と計測時間の短縮する方法が開示されている。特許文献２には、支持装置と検出系との間に所定のクリアランスを設けることにより、検出系の駆動の際に発生する摩擦の影響を低減する方法が開示されている。特許文献３には、複数のアライメントマークを同時に検出する場合に、複数の検出系を用いてアライメント計測とフォーカス計測とを同時に行う方法が開示されている。

特開２０１２－１１９７０５号公報特許第５５３４２６２号公報特許第５１９５４１７号公報

しかし、複数の検出系を用いて基板上の複数のアライメントマークを同時に検出する場合、通常、ロット処理中に、ロットで指定されたアライメントマークの計測位置情報に応じて、検出系をアライメントマークが計測可能な位置に駆動する必要がある。このため、駆動の際に検出系や周辺装置に振動や熱が発生し、露光性能に影響を及ぼす可能性がある。

特許文献１に開示された方法では、アライメントマークを同時に計測するために必要なマーク検出系の駆動による露光性能への影響が考慮されていない。特許文献２に開示された方法では、検出系の駆動処理の実施タイミングについて開示されておらず、露光性能への影響を低減できない可能性がある。特許文献３に開示された方法では、検出系の駆動による露光性能への影響が考慮されていない。

そこで本発明は、計測時間の短縮と露光性能への影響の低減との両立の点で有利な基板処理装置を提供することを目的とする。

本発明の一側面としての基板処理装置は、基板を処理する基板処理装置であって、複数の計測部と、過去に処理された基板のマーク位置情報に基づいて、前記複数の計測部の駆動目標位置を決定する決定手段と、前記複数の計測部の少なくとも１つを前記駆動目標位置へ駆動する駆動手段と、前記駆動目標位置において前記複数の計測部による同時計測を行うか否かを判定する判定手段とを有する。

本発明の他の目的及び特徴は、以下の実施形態において説明される。

本発明によれば、計測時間の短縮と露光性能への影響の低減との両立の点で有利な基板処理装置を提供することができる。

各実施形態における露光装置の構成図である。各実施形態における露光装置の制御部の構成図である。各実施形態における検出装置の構成図である。各実施形態における検出装置の駆動位置とウエハ上のマーク計測位置との関係を示す図である。第１実施形態における処理の流れを示すフローチャートである。第２実施形態における処理の流れを示すフローチャートである。第３実施形態における処理の流れを示すフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の各実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが本発明に必須のものではなく、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。

＜第１実施形態＞
まず、図１を参照して、本発明の第１の実施形態における露光装置（基板処理装置）１００について説明する。図１は、露光装置１００の構成図である。露光装置１００は、マークを検出する検出装置（計測装置）１５を備え、レチクル（原版）からの光でウエハ（基板）を露光する。なお本実施形態では、基板を処理する基板処理装置として、基板を露光して基板上にパターンを形成する露光装置１００を例示して説明するが、それに限られるものではない。例えば、モールド（原版）を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置や、荷電粒子線を基板に照射して当該基板にパターンを形成する描画装置などの他の基板処理装置においても本実施形態を適用しうる。

露光装置１００は、レチクルステージとウエハステージとを同期駆動させながら露光するステップアンドスキャン方式の露光装置（スキャナ）として説明する。また、露光装置１００はスキャナに限られず、ウエハステージを静止させた状態で露光するステップアンドリピート方式の露光装置（ステッパ）としても良い。図１の例では、露光装置１００は光源７、照明光学系８、レチクルステージ２、投影光学系３、ウエハステージ６、ウエハチャック５、および制御部１６を有する。また露光装置１００は、レーザ干渉計９、レーザ干渉計１０、フォーカスセンサ１１、ウエハ搬送部１２、レチクル搬送部１４、および検出装置１５を有する。また、以降の説明では、投影光学系３の光軸に平行な方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な平面内で互いに直交する２方向をＸ軸方向およびＹ軸方向とする。また、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸周りの回転方向を、それぞれωＸ軸方向、ωＹ軸方向、ωＺ軸方向とする。

光源７としては、例えば高圧水銀ランプ、ＡｒＦエキシマレーザ、及びＫｒＦエキシマレーザなどがある。また光源７は、露光装置１００のチャンバ内部にあるとは限らず、外付けになっている構成もあり得る。光源７を出た光は、照明光学系８を介して、レチクル（原版、マスク）１を照明する。レチクル１は、感光材が塗布されたウエハ（基板）４上に転写するパターンが描画されており、レチクルステージ２に搭載される。レチクルステージ２は、レチクルチャック（不図示）を介してレチクルを吸着保持し、例えば、リニアモータ（不図示）により移動可能に構成される。

投影光学系３は、レチクル１に描画されたパターンの像を、ウエハチャック５上に載置されたウエハ４上に投影（露光）する。パターンの像をウエハ４上に投影する際に、投影光学系３を介して投影倍率（例えば、１／４）で反転縮小した像が、ウエハ４上に投影される。パターンの像が投影される領域をショット領域とすると、ウエハ４には複数のショット領域が設定され、順次、ショット領域への投影が繰り返し行われる。

ウエハステージ６は、リニアモータ（不図示）に駆動されることによって、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に移動可能である。ウエハチャック５は、ウエハステージ６上に搭載され、ウエハ４を保持する。ウエハステージ６は、ウエハチャック５をＺ軸方向、ωＺ軸方向、ωＸ軸方向、およびωＹ軸方向に位置決めする。このように、ウエハチャック５に保持されたウエハ４は、ウエハステージ６、およびウエハチャック５の駆動によって移動する。

レーザ干渉計９は、レチクルステージ２のＹ軸方向の位置を計測し、かつレチクルステージ２の姿勢を計測する。レーザ干渉計９には、同様にレチクルステージ２のＸ軸方向の位置を計測するためのレーザ干渉計（不図示）を含む。またレーザ干渉計１０は、ウエハ４を搭載するウエハステージ６のＹ軸方向の位置を計測し、かつウエハステージ６の姿勢を計測する。またレーザ干渉計１０は、同様にウエハステージ６のＸ軸方向の位置を計測するレーザ干渉計（不図示）を含む。レチクルステージ２およびウエハステージ６のそれぞれの位置は、レーザ干渉計９およびレーザ干渉計１０によって計測された位置に基づき、後述の制御部１６により制御される。

フォーカスセンサ１１は、ウエハ４に対して光（複数のビーム）を投射する投光系１１ａと、ウエハ４からの反射光を受光する受光系１１ｂと、受光系からの光を検出し制御部１６へ検出信号を出力する検出部（不図示）とを含む。投光系１１ａと受光系１１ｂは、投影光学系３の射出部付近を挟むように設置され、投光系１１ａがウエハ４に斜入射光を照射し、受光系１１ｂが反対側で反射した光を取り込む。フォーカスセンサ１１により検出された検出信号から、制御部１６がウエハ４のＺ軸方向の位置を計測して、ウエハステージ６によるウエハ４の移動を制御する。

ウエハ搬送部１２は、ウエハ４を搬送する。ウエハ搬送部１２は、ウエハ４を収納するウエハ収納容器（不図示）等からウエハステージ６にウエハ４を搬送する。また、ウエハ搬送部１２は、ウエハステージ６からウエハ収納容器等へウエハ４を搬送する。レチクル搬送部１４は、レチクル１を搬送する。レチクル搬送部１４は、レチクル１を収納するレチクル収納容器（不図示）等からレチクルステージ２にレチクル１を搬送する。また、レチクル搬送部１４は、レチクルステージ２からレチクル収納容器等へレチクル１を搬送する。

検出装置１５は、ウエハチャック５に保持されたウエハ４の位置決め（アライメント）を行うために、ウエハ４上に形成されたマークを撮像したデジタル画像信号を取得する。検出装置１５は、Ｚ軸方向に沿った方向を光軸とする照明光学系（不図示）を有し、ウエハ４を照明する。検出装置１５は、照明されたウエハ４からの光を受光する受光部（不図示）を有する。受光部は、例えばイメージセンサ等の光電変換素子を備え、ウエハ４からの光の明るさ、即ち濃淡に応じた濃淡画像信号を出力する。検出装置１５は、受光部から得られる濃淡画像信号をデジタル画像信号に変換するＡ／Ｄ変換器（不図示）を備える。制御部１６は、取得されたデジタル画像信号を用いてウエハ４上に形成されたマークの位置を検出して、検出したマークの位置に基づきウエハステージ６を制御してウエハ４の位置決めを行う。なお、検出装置１５の詳細については、図３を参照して後述する。

制御部１６は、露光装置１００の各部の動作および調整などを制御することでウエハ４を露光する処理を制御する。制御部１６は、例えば、ＦＰＧＡ（ＦｉｅｌｄＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＧａｔｅＡｒｒａｙ）などのＰＬＤ（ＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＬｏｇｉｃＤｅｖｉｃｅ）により構成される情報処理装置である。ただし制御部１６は、これに限定されるものではなく、ＡＳＩＣ（ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎＳｐｅｃｉｆｉｃＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）、プログラムが組み込まれたコンピュータでもよい。または、制御部１６は、前述の構成の全部もしくは一部の組み合せによって構成されうる。また制御部１６は、複数の情報処理装置から構成され得る。また制御部１６は、露光装置１００の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよく、または、露光装置１００の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。

次に、図２（Ａ）、（Ｂ）を参照して、制御部１６について説明する。図２（Ａ）、（Ｂ）は制御部１６の構成図であり、図２（Ａ）は制御部１６の全体構成のブロック図、図２（Ｂ）は処理部２０１のブロック図をそれぞれ示す。制御部１６は、コンピュータ（情報処理装置）によって実現されうる。図２（Ａ）に示されるように、制御部１６は、処理部２０１、ＲＯＭ２０２、ＲＡＭ２０３、記憶装置２０４、入力装置２０５、表示装置２０６、通信装置２０７、およびバス２０８を有する。

処理部２０１は、ＯＳ（ＯｐｅｒａｔｉｎｇＳｙｓｔｅｍ）および各種アプリケーションプログラムを実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）である。ただし処理部２０１は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）に限定されるものではなく、マイクロプロセッシングユニット（ＭＰＵ）、グラフィクスプロセッシングユニット（ＧＰＵ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）等のプロセッサ又は回路であってもよい。また処理部２０１は、プロセッサ又は回路のいずれかの組合せであってもよい。図２（Ｂ）に示されるように、本実施形態の処理部２０１は、取得部２１１、算出部（決定手段）２１２、および判定部（判定手段）２１３を有する。

ＲＯＭ２０２は、処理部２０１が実行するプログラムや演算用のパラメータのうちの固定的なデータを格納するメモリである。ＲＡＭ２０３は、処理部２０１の作業領域やデータの一時記憶領域を提供するメモリである。ＲＯＭ２０２およびＲＡＭ２０３は、バス２０８を介して処理部２０１に接続される。入力装置２０５は、マウスやキーボードなどを含む操作入力部である。表示装置２０６は、ＣＲＴや液晶ディスプレイなどの表示部である。また、入力装置２０５および表示装置２０６は、タッチパネル等の一体型の装置であってもよい。また、入力装置２０５および表示装置２０６は、コンピュータとは別体の装置として構成されてもよい。記憶装置２０４は、ハードディスク装置、ＣＤ、ＤＶＤ、メモリカード等の記憶部であり、各種プログラムや各種データ等を記憶する。

入力装置２０５、表示装置２０６、および記憶装置２０４はそれぞれ、不図示のインタフェースを介してバス２０８に接続されている。また、ネットワークに接続して通信を行うための通信装置２０７も、バス２０８に接続されている。通信装置２０７は、例えばＬＡＮに接続してＴＣＰ／ＩＰ等の通信プロトコルによるデータ通信を行い、他の通信装置と相互に通信を行う場合に使用される。通信装置２０７は、データの送信部および受信部として機能し、例えば、露光装置１００内の送信部（不図示）から動作情報などのデータを受信して、記憶装置２０４に記憶する。

次に、図３を参照して、検出装置（計測装置）１５について説明する。図３は、検出装置１５の構成図である。検出装置１５は、ウエハ４に配置された複数のマーク３１、３２、３３のうちの互いに異なるマークを検出するように互いに離れて配置された複数の検出部（計測部）３０１、３０２、３０３を有する。検出部３０１、３０２、３０３は、少なくとも１軸方向に駆動可能であり、かつ計測領域が互いに異なる基板の複数のマークの同時計測が可能である。なお本実施形態において、検出装置１５は３つの検出部を有するが、これに限定されるものではなく、２つの検出部または４つ以上の検出部を有していてもよい。

本実施形態において、複数の検出部３０１、３０２、３０３は、Ｘ軸方向に沿って異なる位置に配置されている。また、検出装置１５は、複数の検出部３０１、３０２、３０３を保持するフレーム３０７に対して複数の検出部３０１、３０２、３０３をＸ軸方向に所定のストロークで駆動可能な複数の駆動機構（駆動手段）３０４、３０５、３０６を有する。検出装置１５は、複数の駆動機構３０４、３０５、３０６を個別に制御することにより、複数の検出部３０１、３０２、３０３それぞれの検出領域のＸ軸方向における位置（Ｘ位置）を個別に調整することが可能である。なお本実施形態において、複数の検出部３０１、３０２、３０３の検出領域の相対位置を、複数の駆動機構３０４、３０５、３０６によって少なくともＸ軸方向に沿って調整可能であればよい。また、駆動方向はＸ軸方向に限られず、Ｙ軸方向やＺ軸方向について駆動可能に構成してもよい。また、複数の検出部３０１、３０２、３０３のうち中央に位置する検出部３０２は、駆動機構を備えず、駆動機構３０４と駆動機構３０６とを用いて検出領域の相対位置を調整する構成としてもよい。

なお、以下では、複数の検出部３０１、３０２、３０３のうちの１つに関して、それらのうちのいずれであるのかを特定する必要がない場合には、単に検出部と記載することもある。また、複数のマーク３１、３２、３３のうち１つに関して、それらのうちのいずれであるのかを特定する必要がない場合には、単にマークと記載することもある。

次に、図４（Ａ）～（Ｄ）を参照して、検出装置１５によるウエハ４上のマーク（アライメントマーク）３０を計測する方法を説明する。図４（Ａ）は、検出装置１５をＺ軸方向から見た平面図である。図４（Ａ）に示されるように、検出装置１５の複数の検出部３０１、３０２、３０３は、複数のマークのうちの互いに異なるマークを検出するように互いに離れて配置されている。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）におけるウエハ４と検出装置１５との位置関係を示す図である。また図４（Ｃ）、（Ｄ）は、別の時点において、検出装置１５の検出部３０２がＸ軸方向へ駆動した場合の検出装置１５とウエハ４との位置関係を示す図である。検出装置１５は、生産性との兼ね合いから、図４（Ｂ）および図４（Ｄ）に示されるように、全ショット領域のうちの一部に形成されたマーク３０を計測対象とする。

制御部１６は、ウエハステージ６を制御して、検出装置１５の複数の検出部３０１、３０２、３０３の検出領域に対してウエハ４上のマーク３０を位置合わせし、マーク３０の座標位置を求める。このとき、制御部１６は、可能な限り短い時間で計測対象である複数のマークを検出するようにウエハステージ６を制御する。具体的には、制御部１６は、検出装置１５の複数の検出部３０１、３０２、３０３のうち少なくとも２つの検出部の検出領域内にウエハ４上のマーク３０をそれぞれ位置合わせして、同時に２つのマークの位置を検出する。例えば、図４（Ｂ）に示されるように、制御部１６は、検出部３０１、３０２に対してウエハ４上の２つのマーク３０ａ、３０ｂを同時に位置合わせして計測動作を行う。

また、ウエハ４上のマーク３０のレイアウトに応じて計測に用いる検出部とその位置が変更されうる。例えば、図４（Ｄ）に示されるように、制御部１６は、検出部３０１、３０２に対してウエハ４上のマーク３０ｃ、３０ｄを同時に位置合わせして計測動作を行う。これにより、１つの検出部の検出領域に対してウエハ４上の複数のマーク３０を順次に位置合わせして計測動作を行う場合に比べて、ウエハステージ６の駆動時間および検出装置１５の計測時間を短縮することができる。

次に、図５を参照して、本実施形態における処理の流れ（基板処理方法）について説明する。図５は、本実施形態における処理の流れを示すフローチャートである。図５の各ステップは、主に、処理部２０１などの制御部１６により実行される。また、図５の各ステップは、露光装置１００において、複数の検出部３０１、３０２、３０３を用いた重ね合わせマークの計測処理に関わる箇所を抜粋し記載したものである。

まずステップＳ５０１において、取得部２１１は、過去に処理したロット履歴情報（履歴情報）を取得する（読み込む）。ロット履歴情報は、過去に複数のマークを複数の検出部３０１、３０２、３０３を用いて同時に計測した際のマーク位置情報（過去に処理された基板に対する検出部３０１、３０２、３０３の計測位置に関する情報）を含む。なお、ロットとは、複数のウエハ（例えば２５枚）のまとまりを意味し、ロット処理とは、複数のウエハを処理することを意味する。一般的に、履歴情報はデータベース化され、制御部１６の記憶装置２０４等に記録される。ここで取得される履歴情報は、記憶装置２０４に記録されている全ての期間の履歴情報でも、ある特定期間の履歴情報でもよい。

続いてステップＳ５０２において、算出部２１２は、ステップＳ５０１で取得したマーク位置情報に基づき、最も使用頻度が高い計測位置（最頻値）を算出し、算出した計測位置を検出装置１５の複数の検出部３０１、３０２、３０３の駆動目標位置として決定する。すなわち算出部（決定手段）２１２は、過去に処理された基板のマーク位置情報に基づいて、複数の検出部３０１、３０２、３０３の駆動目標位置を決定する。ただし本実施形態は、これに限定されるものではなく、算出部２１２は、マーク位置情報に基づき算出された平均値、中央値、または移動平均値（ある一定区間ごとの平均値を区間をずらしながら求めたもの）等の他の値を駆動目標位置として決定してもよい。

続いてステップＳ５０３において、駆動機構（駆動手段）３０４、３０５、３０６の少なくとも１つは、制御部１６の指令に基づいて、検出部３０１、３０２、３０３の少なくとも１つを、例えばＸ軸方向に沿って駆動目標位置へ駆動する。続いてステップＳ５０４において、駆動機構３０４、３０５、３０６の少なくとも１つは、制御部１６の指令に基づいて、駆動した検出装置１５のキャリブレーションを行う。具体的には、ウエハステージ６に対する検出部３０１、３０２、３０３のＸ、Ｙ、Ｚ軸方向のうちの少なくとも一方向における位置の校正や、投影光学系３の光軸に対する検出部３０１、３０２、３０３それぞれの照明光学系の光軸のベースラインの決定を行う。

本実施形態において、処理部２０１は、ステップＳ５０１～Ｓ５０４の処理を、露光装置１００の露光精度に影響を与えないタイミング（所定のタイミング）で実行する。すなわち駆動機構３０４、３０５、３０６は、所定のタイミングで、複数の検出部３０１、３０２、３０３の少なくとも１つを駆動目標位置へ駆動し、駆動目標位置への駆動後にキャリブレーションを行う。ここで、所定のタイミングは、露光処理（基板処理）が行われておらず、露光装置１００がアイドル状態となっているタイミングである。つまり、所定のタイミングは、例えば、露光処理（基板処理）の開始前の状態、露光処理が中断されている状態、又は露光処理の終了後の状態などのアイドル状態の少なくとも１つのタイミングである。また、所定のタイミングは、例えば、ロット投入待ち状態、レチクル搬入待ち状態、ウエハ搬入待ち状態、光源のガス交換待ち状態、露光装置１００のメンテナンス処理の実行状態、初期化処理の実行状態の少なくとも１つのタイミングである。処理部２０１は、アイドル状態以外のタイミングでは、ステップＳ５０１～Ｓ５０４を実施しない。

続いてステップＳ５０５において、制御部１６は、ロット（複数のウエハ）を投入する。ロットが投入されることで、ウエハの搬送が開始され、ウエハに対する露光レイアウトや計測マークの位置が決定される。続いてステップＳ５０６において、判定部２１３は、検出部３０１、３０２、３０３の現在位置で（各検出部を駆動せずに）ロットの計測マークが計測可能であるか否かを判定する。すなわち判定部（判定手段）２１３は、駆動目標位置において複数の検出部３０１、３０２、３０３による同時計測を行うか否かを判定する。この判定は、ステップＳ５０３にて駆動された検出部３０１、３０２、３０３の現在位置と、ステップＳ５０５にて投入されたロットの計測マーク位置情報とに基づき行われる。

本実施形態において、判定部２１３は、駆動目標位置における計測可能領域（位置を基準とした一定領域）から、検出部３０１、３０２、３０３をいずれも駆動することなく複数のマークが計測可能である場合、同時計測を行うと判定する。一方、判定部２１３は、駆動目標位置における計測可能領域から、検出部３０１、３０２、３０２をいずれも駆動することなく複数のマークが計測可能でない場合、同時計測を行わないと判定する。本実施形態において、計測可能領域は、検出部３０１、３０２、３０３をいずれも駆動することなく複数のマークを計測可能な計測範囲（例えば円）である。

ステップＳ５０６にて計測可能であると判定された場合、ステップＳ５０７に進む。ステップＳ５０７において、制御部１６は、複数の検出部３０１、３０２、３０３のうち少なくとも２つを用いて、２つ以上の計測マークの位置を同時に検出する（同時計測アライメント）。一方、ステップＳ５０６にて計測不可能であると判定された場合（判定部２１３が同時計測を行わないと判定した場合）、ステップＳ５０８に進む。ステップＳ５０８において、制御部１６は、複数の検出部３０１、３０２、３０３のうちいずれか１つを用いて計測マークの位置を１つずつ逐次に検出する。すなわち制御部１６は、複数の検出部３０１、３０２、３０３を駆動することなく、検出部３０１、３０２、３０３の１つを用いて、逐次計測を行う（逐次計測アライメント）。ステップＳ５０７またはステップＳ５０８の処理が完了した後、ステップＳ５０９において、制御部１６は露光処理（基板処理）を行い、ウエハが搬出される。

本実施形態によれば、複数の検出部を用いた複数のマークの同時計測による計測時間の短縮と露光性能への影響の低減との両立の点で有利な基板処理装置を提供することができる。

＜第２実施形態＞
次に、図６（Ａ）を参照して、本発明の第２実施形態における処理の流れ（基板処理方法）について説明する。図６（Ａ）は、本実施形態における処理の流れを示すフローチャートである。なお、図６（Ａ）中のステップＳ６０１～Ｓ６０６、Ｓ６０８、Ｓ６１０は、図５のステップＳ５０１～Ｓ５０７、Ｓ５０９とそれぞれ同様であるため、それらの説明を省略する。

ステップＳ６０６にて計測不可能であると判定された場合、ステップＳ６０７に進む。ステップＳ６０７において、判定部２１３は、ステップＳ６０３にて駆動した検出部３０１、３０２、３０３の位置で計測可能な計測マーク（計測ショット）が再選択可能か否か、すなわち同時計測を行うことが可能なマークを再選択可能か否かを判定する。ステップＳ６０７にて複数のマークの同時検出が可能であると判定された場合、ステップＳ６０８に進む。ステップＳ６０８において、制御部１６は、検出部３０１、３０２、３０３のうち少なくとも２つを用いて、２つ以上の計測マークの位置を同時に検出する。一方、ステップＳ６０７にて複数マークの同時検出が不可能であると判定された場合、ステップＳ６０９に進む。ステップＳ６０９において、制御部１６は、複数の検出部３０１、３０２、３０３のうちいずれか１つを用いて計測マークの位置を１つずつ逐次に検出する。

次に、図６（Ｂ）を参照して、計測マーク再選択の処理（ステップＳ６０７）について詳述する。図６（Ｂ）は、計測マーク再選択の処理（ステップＳ６０７）を示すフローチャートである。まずステップＳ６１１において、取得部２１１は、検出部３０１、３０２、３０３のそれぞれの現在位置を取得する。続いてステップＳ６１２において、取得部２１１は、投入されたロットで指定されている計測マーク位置情報を含む計測レイアウト情報を取得する。続いてステップＳ６１３において、算出部２１２は、ステップＳ６１１、Ｓ６１２にて取得した情報に基づいて、複数の検出部３０１、３０２、３０３の少なくとも２つの計測マーク位置が同時に検出可能な計測マーク（計測ショット）を算出する。最後に、制御部１６は、ステップＳ６１４において、再選択した計測マークの情報をロットへ反映させる。

＜第３実施形態＞
次に、図７（Ａ）を参照して、本発明の第３実施形態における処理の流れ（基板処理方法）について説明する。図７（Ａ）は、本実施形態における処理の流れを示すフローチャートである。なお、図７（Ａ）中のステップＳ７０１～Ｓ７０６、Ｓ７０８、Ｓ７１０は、図５のステップＳ５０１～Ｓ５０７、Ｓ５０９とそれぞれ同様であるため、それらの説明を省略する。

ステップＳ７０６にて計測不可能であると判定された場合、ステップＳ７０７に進む。ステップＳ７０７において、算出部２１２は、ステップＳ７０３にて駆動された検出部３０１、３０２、３０３の位置と投入されたロットで指定されている計測マークの位置との間の距離（駆動距離）を算出する。そして判定部２１３は、駆動距離が閾値以下であるか否かを判定する。駆動距離が閾値以下である場合、ステップＳ７０８に進む。ステップＳ７０８において、制御部１６は、検出部３０１、３０２、３０３のうち少なくとも２つを用いて、２つ以上の計測マークの位置を同時に検出する。一方、ステップＳ７０７にて駆動距離が閾値よりも大きいと判定された場合、ステップＳ７０９に進む。ステップＳ７０９において、制御部１６は、複数の検出部３０１、３０２、３０３のうちいずれか１つを用いて、計測マークの位置を１つずつ逐次に検出する。

次に、図７（Ｂ）を参照して、駆動距離の算出処理（ステップＳ７０７）について詳述する。図７（Ｂ）は、駆動距離の算出処理（ステップＳ７０７）を示すフローチャートである。まずステップＳ７１１において、取得部２１１は、検出部３０１、３０２、３０３のそれぞれの現在位置を取得する。続いてステップＳ７１２において、取得部２１１は、投入されたロットで指定されている計測マーク位置情報を含む計測レイアウト情報を取得する。続いてステップＳ７１３において、算出部２１２は、ステップＳ７１１、Ｓ７１２にて取得された情報に基づいて、検出部３０１、３０２、３０３の現在位置とロットで指定されている計測マーク位置の位置との間の距離を算出する。

＜物品の製造方法の実施形態＞
各実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子やフラットパネルディスプレイ等の物品を製造するのに好適である。各実施形態の物品の製造方法は、上述した基板処理装置を用いて基板を処理する工程と、かかる工程で処理された基板から物品を製造する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、周知の工程（露光、酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。各実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

＜その他の実施形態＞
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。

各実施形態によれば、計測時間の短縮と露光性能への影響の低減との両立の点で有利な基板処理装置、基板処理方法、プログラム、および物品の製造方法を提供することができる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

１００露光装置（基板処理装置）
２１２算出部（決定手段）
２１３判定部（判定手段）
３０１、３０２、３０３検出部（計測部）
３０４、３０５、３０６駆動手段

Claims

基板を処理する基板処理装置であって、
複数の計測部と、
過去に処理された基板のマーク位置情報に基づいて、前記複数の計測部の駆動目標位置を決定する決定手段と、
前記複数の計測部の少なくとも１つを前記駆動目標位置へ駆動する駆動手段と、
前記駆動目標位置において前記複数の計測部による同時計測を行うか否かを判定する判定手段と、を有することを特徴とする基板処理装置。
前記判定手段は、前記マーク位置情報と前記複数の計測部の位置とに基づいて、前記同時計測を行うか否かを判定することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記複数の計測部は、少なくとも１軸方向に駆動可能であり、かつ計測領域が互いに異なる前記基板の複数のマークの同時計測が可能であることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
前記マーク位置情報は、過去に処理された前記基板に対する前記複数の計測部の計測位置に関する情報を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記決定手段は、前記マーク位置情報に基づいて、最も使用頻度が高い計測位置を前記駆動目標位置として決定することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記決定手段は、前記マーク位置情報に基づいて、計測位置の平均値を前記駆動目標位置として決定することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記決定手段は、前記マーク位置情報に基づいて、計測位置の中央値を前記駆動目標位置として決定することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記決定手段は、前記マーク位置情報に基づいて、計測位置の移動平均値を前記駆動目標位置として決定することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記駆動手段は、所定のタイミングで、前記複数の計測部の少なくとも１つを前記駆動目標位置へ駆動し、前記駆動目標位置への駆動後にキャリブレーションを行うことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記所定のタイミングは、ロット投入待ち状態、レチクル搬入待ち状態、ウエハ搬入待ち状態、光源のガス交換待ち状態、前記基板処理装置のメンテナンス処理の実行状態、前記基板処理装置の初期化処理の実行状態、基板処理の開始前、中断、または終了後の状態の少なくとも１つのタイミングであることを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
前記判定手段は、前記駆動目標位置における計測可能領域から前記駆動手段を駆動することなく前記複数のマークが計測可能である場合、前記同時計測を行うと判定することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記判定手段は、前記駆動目標位置における計測可能領域から前記駆動手段を駆動することなく前記複数のマークが計測可能でない場合、前記同時計測を行わないと判定することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記判定手段は、前記駆動目標位置における計測可能領域から前記駆動手段を駆動することなく前記複数のマークが計測可能でない場合であって、前記複数の計測部により前記同時計測を行うことが可能なマークを再選択可能である場合、前記同時計測を行うと判定することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記判定手段は、前記駆動目標位置における計測可能領域から前記駆動手段を駆動することなく前記複数のマークが計測可能でない場合であって、前記複数の計測部の位置と前記駆動目標位置との距離が閾値よりも小さい場合、前記同時計測を行うと判定することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記計測可能領域は、前記複数の計測部の少なくとも１つを駆動することなく前記複数のマークを計測可能な計測範囲であることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記判定手段は、前記同時計測を行わないと判定した場合、前記複数の計測部を駆動することなく、前記複数の計測部の１つを用いて計測を行うことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記基板処理装置は、前記基板を露光して該基板の上にパターンを形成する露光装置であることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
基板を処理する基板処理方法であって、
過去に処理された基板のマーク位置情報に基づいて、複数の計測部の駆動目標位置を決定するステップと、
前記複数の計測部の少なくとも１つを前記駆動目標位置へ駆動するステップと、
前記駆動目標位置において前記複数の計測部による同時計測を行うか否かを判定するステップと、を有することを特徴とする基板処理方法。
請求項１８に記載の基板処理方法をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の基板処理装置を用いて基板を処理する工程と、
処理された前記基板から物品を製造する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。