JP2023091864A - ガスセンサ素子及びガスセンサ - Google Patents

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Abstract

【課題】NOに対する応答性に優れたガスセンサ素子等の提供。【解決手段】本発明のガスセンサ素子10は、複数のセラミックシート121等が積層された素子本体部100と、素子本体部100内に導入される測定対象ガス中の酸素濃度を調節するポンプセル110と、素子本体部100の内部に形成され、前記酸素濃度の調節後の前記測定対象ガスが導入される検出室160と、検出室160に収容され、NOを分解する層状のカソード電極133とを備える。ガスセンサ素子10における検出室160の容積V1とカソード電極133の体積V2との関係が、以下に示される条件(A)及び条件(B)の何れか1つを満たす。条件(A):容積V1が0.047mm3以上0.065mm3以下であり、かつ体積V2が0.030mm3以上0.059mm3以下である。条件(B):容積V1が0.047mm3以上0.125mm3以下であり、かつ体積V2が0.044mm3以上0.059mm3以下である。【選択図】図5

Description

本発明は、ガスセンサ素子及びガスセンサに関する。
内燃機関の排ガス中に含まれるNOの濃度を検出するガスセンサが知られている。この種のガスセンサは、高温に加熱したジルコニア(ZrO)の酸素イオン伝導性を利用したセンサであり、NOとN及びOの平衡反応について、酸素(O)を除去することでNOの分解を促進させつつ、その分解で発生した酸素を測定することにより、NO濃度が求められる。
このようなガスセンサとして、例えば、第1ポンプセル、検知セル、第2ポンプセル、第1測定室、第2測定室等を含むガスセンサ素子を備えるものが知られている(例えば、特許文献1参照)。
第1ポンプセルは、第1測定室と外部との間で排ガス中の酸素の汲み出し又は汲み入れ(所謂、ポンピング)を行うものであり、排ガス中の酸素濃度を調整する。この第1ポンプセルの働きにより、第1測定室内の酸素濃度が低く管理される。検知セルは、第1ポンプセルにて酸素を汲み出し又は汲み入れした排ガス中の酸素濃度を測定し、この酸素濃度に応じた出力電圧(起電力)が一定となるように、第1ポンプセルに電流(第1ポンプ電流)を流す働きをする。
上記のように酸素濃度が管理された第1測定室内の排ガスは、ガスセンサ素子内の所定の経路を通って、第2測定室内に導入される。第2ポンプセルは、第2測定室内に導入された排ガスから、NO濃度を検出する。第2ポンプセルは、1組の電極を備えており、そのうちの一方の電極(カソード電極、Ip2-電極)が、第2測定室内に収容されている。第2空間内に導入された排ガス中のNOは、第2測定室内の電極において、NとOに分解される。第2ポンプセルには、その分解により発生した酸素を、他方の電極(アノード電極)へ汲み出すための第2ポンプ電流が流れる。この第2ポンプ電流は、NO濃度と比例関係にあるため、その第2ポンプ電流を測定することで、排ガス中のNO(NO)濃度が求められる。
特開2017-207466号公報
従来のガスセンサでは、上述した第2ポンプ電流の出力波形について、その立ち上がり時間を短くして、NOに対する応答性を向上させることが求められていた。
本発明の目的は、NOに対する応答性に優れたガスセンサ素子及びガスセンサを提供することである。
前記課題を解決するための手段は、以下の通りである。即ち、
<1> 複数のセラミックシートが積層された素子本体部と、前記素子本体部内に導入される測定対象ガス中の酸素濃度を調節するポンプセルと、前記素子本体部の内部に形成され、前記酸素濃度の調節後の前記測定対象ガスが導入される検出室と、前記検出室に収容され、NOを分解する層状のカソード電極とを備えるガスセンサ素子であって、前記検出室の容積V1と前記カソード電極の体積V2との関係が、以下に示される条件(A)及び条件(B)の何れか1つを満たすガスセンサ素子。
条件(A):前記容積V1が0.047mm以上0.065mm以下であり、かつ前記体積V2が0.030mm以上0.059mm以下である
条件(B):前記容積V1が0.047mm以上0.125mm以下であり、かつ前記体積V2が0.044mm以上0.059mm以下である
<2> 前記検出室は、前記複数のセラミックシートのうち少なくとも1つのセラミックシートを厚み方向に貫通する形で設けられており、前記検出室が前記セラミックシートを貫通する領域において、前記セラミックシートの平面方向における前記検出室の断面積は0.05mm以上0.35mm以下である前記<1>に記載のガスセンサ素子。
<3> 前記素子本体部の一部を構成し、表面に前記カソード電極が形成される固体電解質層と、前記固体電解質層の前記表面に配され、NOの分解に応じて前記カソード電極で発生しかつ前記固体電解質層中を移動した酸素イオンを受け取るアノード電極とを備える前記<1>又は<2>に記載のガスセンサ素子。
<4> 前記<1>から<3>の何れか1つに記載のガスセンサ素子を備えるガスセンサ。
本発明によれば、NOに対する応答性に優れたガスセンサ素子及びガスセンサを提供することができる。
実施形態1に係るガスセンサの縦断面図 実施形態1に係るガスセンサ素子の斜視図 図2のA-A線断面図 ガスセンサ素子の分解斜視図 第2測定室付近を拡大したガスセンサ素子の断面図 ガスセンサ素子のIp2セルを流れる第2ポンプ電流の出力波形を表したグラフ ガスセンサの応答性の試験結果を座標で表した図
<実施形態1>
以下、本発明の実施形態1を、図1~図7を参照しつつ説明する。図1は、実施形態1に係るガスセンサ(NOセンサ)1の縦断面図であり、図2は、実施形態1に係るガスセンサ素子10の斜視図であり、図3は、図2のA-A線断面図であり、図4は、ガスセンサ素子10の分解斜視図である。
図1には、ガスセンサ1の軸線AXが、上下方向に沿った直線(一点鎖線)として示されている。本明細書では、ガスセンサ1の軸線AX方向に沿った方向を、「長手方向」と称し、軸線AXに対して垂直に交わる方向を、「幅方向」と称する場合がある。また、本明細書では、図1に示されるガスセンサ1の下側を、「先端側」と称し、その反対側(図1の上側)を、「後端側」と称する。また、説明の便宜上、図2~図5の上側を、ガスセンサ素子10の「表側(表面側)」と称し、それらの下側を、ガスセンサ素子10の「裏側(裏面側)」と称する。
ガスセンサ1は、測定対象ガスである排ガス中のNOの濃度を検出可能なガスセンサ素子10を備えている。このガスセンサ1は、内燃機関の排気管(不図示)に装着されて使用されるNOセンサであり、排気管に固定するためのネジ部21が外表面の所定位置に形成された筒状の主体金具20を備えている。ガスセンサ素子10は、全体的には、軸線AX方向に沿って延びた細長い板状をなしており、そのようなガスセンサ素子10が主体金具20の内側で保持されている。
ガスセンサ1は、ガスセンサ素子10の後端部10kが挿入される挿入孔62を有する筒状の保持部材60と、この保持部材60の内側で保持される6個の端子部材とを備えている。なお、図1には、説明の便宜上、6個の端子部材のうち2個の端子部材75,76のみが示されている。
ガスセンサ素子10の後端部10kには、図2に示されるように、平面視で矩形状をなした電極端子部13~18が合計6個形成されている。なお、図1では、電極端子部14,17のみが図示される。これらの電極端子部13~18には、それぞれ、前述の端子部材が弾性的に当接して電気的に接続している。例えば、電極端子部14には、端子部材75の素子当接部75bが弾性的に当接して電気的に接続し、また、電極端子部17には、端子部材76の素子当接部76bが弾性的に当接して電気的に接続している。
また、6個の端子部材(端子部材75,76等)には、それぞれ、異なるリード線71が電気的に接続されている。例えば、図1に示されるように、端子部材75のリード線把持部77によって、リード線71の芯線が加締められて把持される。また、端子部材76のリード線把持部78によって、他のリード線71の芯線が加締められて把持される。
図2に示されるように、ガスセンサ素子10の後端部10kにおける2つの主面10a,10bのうち、その一方の(表側の)主面10aには、電極端子部13~15よりも先端側であり、かつ後述するセラミックスリーブ45(図1参照)よりも後端側の箇所に、開口状の大気導入口10hが設けられている。大気導入口10hは、保持部材60の挿入孔62内に配置されている。
主体金具20は、軸線AX方向に貫通する貫通孔23を有する筒状部材である。この主体金具20は、径方向内側に突出する形で、貫通孔23の一部を構成する棚部25を備えている。主体金具20は、ガスセンサ素子10の先端部10sを、自身の先端側外部(図1の下方)に突出させると共に、ガスセンサ素子10の後端部10kを自身の後端側外部(図1の上方)に突出させた状態で、ガスセンサ素子10を貫通孔23内で保持する。
また、主体金具20の貫通孔23の内部には、環状のセラミックホルダ42、滑石粉末を環状に充填してなる2つの滑石リング43,44、及びセラミックスリーブ45が配置されている。より詳細には、軸線AX方向に延びたガスセンサ素子10の周りを取り囲む形で、セラミックホルダ42、滑石リング43,44、及びセラミックスリーブ45が、この順で、主体金具20の先端側から後端側に重ねられている。
セラミックホルダ42と主体金具20の棚部25との間には、金属カップ41が配置されている。また、セラミックスリーブ45と主体金具20の加締め部22との間には、加締めリング46が配置されている。なお、主体金具20の加締め部22は、加締めリング46を介してセラミックスリーブ45を先端側に押し付けるように、加締められている。
主体金具20の先端部20bには、ガスセンサ素子10の先端部10sを覆うように、複数の孔を有する金属製(例えば、ステンレス)の外部プロテクタ31及び内部プロテクタ32が、溶接によって取り付けられている。また、主体金具20の後端部には、外筒51が溶接によって取り付けられている。外筒51は、全体的には、軸線AX方向に延びる筒状をなしており、ガスセンサ素子10を包囲している。
保持部材60は、絶縁性材料(例えば、アルミナ)からなり、軸線AX方向に貫通する挿入孔62を有する筒状部材である。挿入孔62内には、上述した6個の端子部材(端子部材75,76等)が配置されている(図1参照)。保持部材60の後端部には、径方向外側に突出する鍔部65が形成されている。保持部材60は、鍔部65が内部支持部材53に当接する形で、内部支持部材53によって保持されている。なお、内部支持部材53は、外筒51のうち、径方向内側に向けて加締められた加締め部51gによって保持されている。
保持部材60の後端面61上には、絶縁部材90が配置されている。絶縁部材90は、絶縁性材料(例えば、アルミナ)からなり、全体的には、円筒状をなしている。この絶縁部材90には、軸線AX方向に貫通する貫通孔91が合計6個形成されている。この貫通孔91には、上述した端子部材のリード線把持部77,78等が配置されている。
また、外筒51のうち、後端側に配される後端開口部51cの径方向内側には、フッ素ゴムからなる弾性シール部材73が配置されている。この弾性シール部材73には、軸線AX方向に延びる円筒状の挿通孔73cが、合計6個形成されている。各々の挿通孔73cは、弾性シール部材73の挿通孔面73b(円筒状の内壁面)によって構成されている。各々の挿通孔73cには、リード線71が1本ずつ挿通されている。各々のリード線71は、弾性シール部材73の挿通孔73cを通じて、ガスセンサ1の外部に延出している。弾性シール部材73は、外筒51の後端開口部51cを径方向内側に加締めることで径方向に弾性圧縮変形し、これにより、挿通孔面73bとリード線71の外周面71bとを密着させて、挿通孔面73bとリード線71の外周面71bとの間を水密に封止している。
図3に示されるように、ガスセンサ素子10は、複数の板状の絶縁層(セラミックシート)111s,121s,131sと、それらの中に形成された固体電解質体111e,121e,131eと、それらの間に配置された絶縁体140,145とを有する素子本体部100を備える。絶縁体140,145は、それぞれ緻密なセラミック(例えば、アルミナ)からなる。更に、ガスセンサ素子10は、固体電解質体131eの裏面側に配置されるヒータ261を備える。ヒータ261は、アルミナを主体とする板状の2つの絶縁体262,263と、それらの間に埋設されたヒータパターン264とを備える。ヒータパターン264は、白金(Pt)を主体とする膜状のパターンからなる。
なお、固体電解質体111e,121e,131eは、それぞれ平面視で略矩形状をなしている。固体電解質体111eは、軸線AX方向に延びた板状の絶縁層111sのうち、先端側(図4の左側)に設けられた開口部111aと重なるように形成されている。固体電解質体121eは、軸線AX方向に延びた板状の絶縁層121sのうち、先端側(図4の左側)に設けられた開口部121aと重なるように形成されている。固体電解質体131eは、軸線AX方向に延びた板状の絶縁層131sのうち、先端側(図4の左側)に設けられた開口部131aと重なるように形成される。なお、各固体電解質体111e,121e,131eは、対応する開口部111a,121,131aに対して、それぞれ埋め込まれるように形成されてもよいし、別途、用意されたシート状の部材を所定箇所に転写するように形成されてもよい。
絶縁体140,145は、絶縁層(セラミックシート)121s等よりも厚みの小さい印刷層が焼成されたものからなる。
固体電解質体(固体電解質層)111e,121e,131eは、固体電解質であるジルコニアからなり、酸素イオン伝導性を有する。固体電解質体111eの表面側には、多孔質のIp1+電極112が設けられている。また、固体電解質体111eの裏面側には、多孔質のIp1-電極113が設けられている。更に、Ip1+電極112の表面は、多孔質層114で覆われている。なお、Ip1+電極112には、Ip1+リード116が接続されている(図2、図4参照)。また、Ip1-電極113には、Ip1-リード117(図4参照)が接続されている。
図4に示されるように、Ip1+電極112及びIp1+リード116の各表面には、軸線AX方向に延びた板状の緻密層118Bが積層されている。緻密層118Bは、アルミア等からなるガス非透過性の材料からなる。緻密層118Bの先端側には、平面視で矩形状をなした開口部118Baが設けられている。そして、この開口部118Baを埋めるように、上述した多孔質層114が形成される。
なお、図4に示されるように、緻密層118Bの表面側には、空隙10Gを含むと共に、アルミナ等からなるガス非透過性の緻密層118が配置される。その空隙10Gからは、多孔質層114の一部が露出した状態となっている。空隙10Gは、軸線AX方向に延びた板状の緻密層118において、多孔質層114近傍から大気導入口10hに連通する部位まで真っ直ぐに延びている。そして、軸線AX方向に延びた板状の緻密層118のうち、後端側には、電極端子部13,14,15と導通するためのスルーホールが設けられている。
また、緻密層118の表面には、アルミナ等からなるガス非透過性の緻密層115が積層されている。緻密層115がこのように積層されることで、緻密層115により空隙110Gが閉塞される。
緻密層115のうち、長手方向(軸線AX方向)に延びた空隙10Gの後端と重なる位置に大気導入口10hが形成されている。大気導入口10hは、緻密層115を厚み方向に貫通する形で設けられた開口部からなる。このような大気導入口10hは、空隙10Gと繋がっている。大気導入口10hは、後述する第1多孔質体151よりも後端側に開口しており、排ガスではなく、大気を導入することができる。これにより、Ip1+電極112は、多孔質層114を介して大気導入口10hから導入される大気に晒される。
固体電解質体111e、Ip1+電極112、及びIp1-電極113は、Ip1セル(第1ポンプセル。本発明のポンプセルの一例)110を構成する。このIp1セル110は、Ip1+電極112とIp1-電極113との間に流されるポンプ電流Ip1(第1ポンプ電流)に応じて、Ip1+電極112の接する雰囲気(空隙10G内の大気)と、Ip1-電極113の接する雰囲気(後述する第1測定室150内の雰囲気。つまり、ガスセンサ素子10の外部の測定対象ガス)との間で酸素の汲み出し及び汲み入れ(所謂、酸素ポンピング)を行う。Ip1セル110は、このようにして素子本体部100内に導入される測定対象ガス(排ガス)中の酸素濃度を調節する。
固体電解質体121eの表面側には、多孔質のVs-電極122が設けられている。また、固体電解質体121eの裏面側には、多孔質のVs+電極123が設けられている。
積層方向において、固体電解質体111eと固体電解質体121eとの間には、第1測定室150が形成されている。この第1測定室150は、排気管内の排気通路を流れる測定対象ガス(排ガス)が、ガスセンサ素子10内に最初に導入される内部空間S1からなり、ガス透過性及び透水性を有する第1多孔質体(拡散抵抗部)151(図2、図4参照)を通じてガスセンサ素子10の外部と連通している。第1多孔質体151は、ガスセンサ素子10の外部との仕切りとして、第1測定室150の側方に設けられている。このような第1多孔質体151は、第1測定室150内への排ガスの単位時間あたりの流通量(拡散速度)を制限する。第1多孔質体151は、多孔質セラミックからなる。
第1測定室150の後端側(図3の右側)には、第1測定室150と、後述する第2測定室160との間の仕切りとして、排ガスの単位時間あたりの流通量を制限する第2多孔質体152が設けられている。
固体電解質体121e、Vs-電極122及びVs+電極123は、Vsセル(検知セル)120を構成する。このVsセル120は、主として、固体電解質体121eにより隔てられた雰囲気(Vs-電極122の接する第1測定室150内の雰囲気と、Vs+電極123の接する基準酸素室170内の雰囲気)間の酸素分圧差に応じて起電力を発生する。
固体電解質体131eの表面側には、多孔質のIp2+電極(アノード電極)132と、多孔質のIp2-電極(カソード電極)133が設けられている。
Ip2+電極132とVs+電極123との間には、孤立した小空間としての基準酸素室170が形成されている。この基準酸素室170は、絶縁体145に形成されている開口部145bにより構成されている。なお、基準酸素室170内のうち、Ip2+電極132側には、セラミックス製の多孔質体171が配置されている(図3参照)。
また、積層方向において、Ip2-電極(カソード電極)133と対向する位置には、内部空間S2からなる第2測定室160が形成されている。第2測定室160等の詳細は、後述する。
第1測定室150と第2測定室160とは、ガス透過性及び透水性を有する第2多孔質体152を介して連通している。したがって、第2測定室160は、第1多孔質体151、第1測定室150及び第2多孔質体152を通じて、ガスセンサ素子10の外部と連通している。
固体電解質体131e、Ip2+電極132及びIp2-電極133は、NO濃度を検出するためのIp2セル130(第2ポンプセル)を構成する。このIp2セル130は、第2測定室160内で分解されたNO由来の酸素(酸素イオン)を、固体電解質体131eを通じて、基準酸素室170に移動させる。その際に、Ip2+電極132とIp2-電極133との間には、第2測定室160内に導入された排ガス(測定対象ガス)に含まれるNOの濃度に応じた電流(第2ポンプ電流)が流れる。
本実施形態では、絶縁層111sの裏面のうち、Ip1-電極113を除く部位に、アルミナ絶縁層119が形成されている。Ip1-電極113は、アルミナ絶縁層119を積層方向に貫通する貫通孔119b(図4参照)を通じて、固体電解質体111eと接触する。また、絶縁層121sの表面のうち、Vs-電極122を除く部位に、アルミナ絶縁層128が形成されている。なお、図4では、説明の便宜上、アルミナ絶縁層128は省略されている。Vs-電極122は、アルミナ絶縁層128を積層方向に貫通する貫通孔(不図示)を通じて、固体電解質体121eと接触する。
また、絶縁層121sの裏面のうち、Vs+電極123を除く部位に、アルミナ絶縁層129(図3参照)が形成されている。なお、図4では、説明の便宜上、アルミナ絶縁層129は省略されている。Vs+電極123は、アルミナ絶縁層129を積層方向に貫通する貫通孔(不図示)を通じて、固体電解質体121eと接触する。
また、絶縁層131sの表面のうち、Ip2+電極132及びIp2+電極133等を除く部位に、アルミナ絶縁層138(図3参照)が形成されている。なお、図4では、説明の便宜上、アルミナ絶縁層138は省略されている。Ip2+電極132及びIp2-電極133は、アルミナ絶縁層138を積層方向に貫通する貫通孔(不図示)を通じて、それぞれ固体電解質体131eと接触する。
ここで、本実施形態のガスセンサ1によるNO濃度の検出方法について、簡単に説明する。ガスセンサ素子10の固体電解質体111e,121e,131eは、ヒータパターン264の昇温に伴い加熱され、活性化する。これにより、Ip1セル110、Vsセル120及びIp2セル130がそれぞれ作動する。
排気管内の排気通路(不図示)を流れる排ガスは、第1多孔質体151による流通量の制限を受けつつ、第1測定室150内に導入される。このとき、Vsセル120には、Vs+電極123側から、Vs-電極122側へ微弱な電流(微小電流)Icpが流されている。そのため、排ガス中の酸素は、負極側となる第1測定室150内のVs-電極122から電子を受け取ることができ、酸素イオンとなって固体電解質体121e内を流れ、基準酸素室170内に移動する。つまり、Vs-電極122とVs+電極123との間で、電流Icpが流されることによって、第1測定室150内の酸素が基準酸素室170内へ送り込まれる。
第1測定室150内に導入された排ガスの酸素濃度が、予め定められている所定値より低い場合、Ip1+電極112側が負極となるようにIp1セル110に電流Ip1が流され、ガスセンサ素子10の外部から第1測定室150内へ酸素の汲み入れが行われる。これに対して、第1測定室150内に導入された排ガスの酸素濃度が、前記所定値よりも高い場合、Ip1-電極113側が負極となるようにIp1セル110に電流Ip1が流され、第1測定室150内からガスセンサ素子10の外部へ酸素の汲み出しが行われる。
このように、第1測定室150において酸素濃度が調整された排ガスは、第2多孔質体152を通じて、第2測定室160内へ導入される。第2測定室160内でIp2-電極(カソード電極)133と接触した排ガス中のNOは、Ip2+電極132と、Ip2-電極133との間に電圧Vp2が印加されることで、Ip2-電極133上で、窒素と酸素とに分解(還元)され、分解された酸素は、酸素イオンとなって固体電解質体131e内を流れ、基準酸素室170内へ移動する。このとき、第1測定室150で汲み残された残留酸素も同様に、Ip2セル130によって基準酸素室170内へ移動される。これにより、Ip2セル130には、NO由来の電流と残留酸素由来の電流とが流れる。なお、基準酸素室170内に移動した酸素は、基準酸素室170内に接するVs+電極123とVs+リード及びIp2+電極132とIp2+リードを介して外部(大気)へ放出される。このため、Vs+リード及びIp2+リードは多孔質となっている。
第1測定室150で汲み残された残留酸素の濃度は、上記のように所定値に調整されているため、その残留酸素由来の電流は略一定とみなすことができる。つまり、残留酸素由来の電流は、NO由来の電流の変動に対して影響は小さく、Ip2セル130を流れる電流(第2ポンプ電流)は、NO濃度に比例することとなる。したがって、Ip2セル130を流れる電流Ip2(第2ポンプ電流)を測定し、その電流値に基づいて、排ガス中のNO濃度が検出される。
次いで、図5を参照しつつ、ガスセンサ素子10の内部に形成される第2測定室160について説明する。図5は、第2測定室160付近を拡大したガスセンサ素子の断面図である。なお、説明の便宜上、図5の上側を、第2測定室160の「上側(上端側)」と称し、図5の下側を、第2測定室160の「下側(下端側)」と称する。
第2測定室(本発明の検出室の一例)160は、測定対象ガスである排ガス中に含まれるNOを検出するための内部空間S2を形成する。第2測定室160は、ガスセンサ素子10(素子本体部)の積層方向(厚み方向)に延びつつ、一端(上端)が閉塞された円筒状の導入室161と、その導入室161の他端(下端)に接続し、Ip2-電極(カソード電極)133を収容する収容室162とを備えている(図5参照)。
導入室161は、第2多孔質体152を通過した排ガスが導入される部分であり、上述したように、一端(上端)が閉塞された円筒状をなしている。導入室161の上端側は、第2多孔質体152を厚み方向に貫通する孔部を囲む円筒状の第1周壁部152aからなる。第2多孔質体152を通過した排ガスは、第1周壁部152aから排出されて、導入室161内へ導入される。なお、第2多孔質体152は、絶縁体140に設けられた開口部141の後端側(ガスセンサ素子10の後端側)に嵌め込まれており、そのような第2多孔質体152が、第1測定室150の内部空間S1と、第2測定室160の内部空間S2とを連通可能な状態で隔てている。
第1周壁部152aの高さ(第2多孔質体152の厚み)は、例えば、30μm程度である。第1周壁部152aの上端は、図5に示されるように、第2多孔質体152と、絶縁層111sとの間に配置されているアルミナ絶縁層119によって覆われることで閉塞されている。第1周壁部152a(第1周壁部152a)は、例えば絶縁層121sに第2多孔質体152を形成するための材料を印刷した後、その印刷層を乾燥し、乾燥後の印刷層にパンチング等により孔部を開け、そのような印刷層を焼成することで製造される。
導入室161のうち、第1周壁部152aの下端側には、アルミナ絶縁層128を厚み方向に貫通する孔部を囲む円筒状の第2周壁部128aと、絶縁層121sを厚み方向に貫通する孔部を囲む円筒状の第3周壁部125と、アルミナ絶縁層129を厚み方向に貫通する孔部を囲む円筒状の第4周壁部129aとが、この順で配置されている。
第2周壁部128aは、絶縁体140(第2多孔質体152)と絶縁層121sとの間に配置されるアルミナ絶縁層128に形成されている。第2周壁部128aは、アルミナ絶縁層128を形成するための印刷層に、予め厚み方向に貫通する形でプレスピンによるパンチング等により孔部を設けておき、その印刷層を焼成することで得られる。第2周壁部128aの上下方向の長さ(高さ)は、例えば、15μm程度である。
第3周壁部125は、Vsセル(検知セル)120に利用される絶縁層121sに形成されている。第3周壁部125は、絶縁層121sを形成するためのセラミックグリーンシートに、予め厚方向に貫通する形でプレスピンによるパンチング等により孔部を設けておき、そのセラミックグリーンシート(例えば、厚み:200μm)を焼成することで得られる。なお、第3周壁部125は、導入室161を構成する各部分の中で、最も上下方向の長さ(高さ)があり、導入室161の大部分を占めている(例えば、70~80%の高さ)。図5には、導入室161の上下方向の長さL1(例えば、220μm程度)が示されている。
第4周壁部129aは、絶縁層121sと絶縁体145との間に配置されるアルミナ絶縁層129に形成されている。第4周壁部129aは、アルミナ絶縁層129を形成するための印刷層に、予め厚み方向に貫通する形でプレスピンによるパンチング等により孔部を設けておき、その印刷層を焼成することで得られる。
このように導入室161は、第1周壁部152aと、第1周壁部152aの上端を閉塞する部分のアルミナ絶縁層119と、第2周壁部128aと、第3周壁部125と、第4周壁部129aとによって構成される。第2測定室160の内部空間S2のうち、導入室161によって形成されるものを、内部空間S21と称する。
なお、第2測定室(検出室)160の導入室161は、素子本体部100を構成する複数のセラミックシート(絶縁層)111s,121s,131s等のうち、少なくとも1つのセラミックシート(絶縁層)121sを厚み方向に貫通する形で設けられている。第2測定室160のうち、セラミックシート(絶縁層)121sを貫通する領域(つまり、第3周壁部125)において、セラミックシート(絶縁層)121sの平面方向(厚み方向に対して垂直な方向)における第2測定室160(導入室161)の断面積は、0.05mm以上0.35mm以下が好ましく、0.05mm以上0.09mm以下がより好ましい。第2測定室160(導入室161)の断面積が、このような範囲であると、後述する条件(A)及び条件(B)を満たし易い。
収容室162は、導入室161と繋がりつつ、Ip2セル(第2ポンプセル)130を構成するIp2-電極(カソード電極)133を収容する部分である。収容室162は、図5に示されるように、導入室161の下端に接続し、導入室161と共に第2測定室160を構成する。なお、第2測定室160の内部空間S2のうち、収容室162によって形成されるものを、内部空間S22と称する。収容室162の内部空間S22と、導入室161の内部空間S21は互いに繋がっており、導入室161内に導入された排ガスは、収容室162内へ移動することができる。
収容室162は、絶縁体145を厚み方向に貫通する孔部を囲む枠状の第5周壁部145cと、第5周壁部145cにおける下端の開口部を全面的に覆う多孔質のIp2-電極133と、第5周壁部145cにおける上端の開口部の一部を覆うアルミナ絶縁層129の一部129bとからなる。
第5周壁部145cは、絶縁体145の一部からなり、平面視で、内部空間S22を取り囲む枠状をなしている。第5周壁部145cは、平面視で、導入室161を構成する各周壁部よりも大きい。つまり、第5周壁部145cの内側の開口面積(断面積)は、導入室161の開口面積(断面積)よりも大きい。そのような収容室162の第5周壁部145cにおける上端の開口部と、導入室161の第4周壁部129aにおける下端の開口部とを接続させると、第5周壁部145cにおける上端の開口部の一部は、平面視で、導入室161(第4周壁部129a)よりも外側にはみ出した状態となる。そのため、このように外側にはみ出した第5周壁部145cの上端の開口部の一部を覆うように、アルミナ絶縁層129の一部129bが配置されている。
第5周壁部145cは、収容室162となる領域を除いて絶縁体145を印刷形成し、収容室162となる領域にカーボンを印刷し、それによる印刷層を焼成することで得られる。
Ip2-電極(カソード電極)133は、第5周壁部145cにおける下端の開口部を全面的に覆うように、固体電解質体131eの表面上に形成されている。固体電解質体131eは、素子本体部100の一部を構成している。Ip2-電極133は、印刷層が焼成されたものからなり、所定の厚み(膜厚)を有する偏平な多孔質の電極からなる。Ip2-電極133の膜厚は、15.0μm以上が好ましく、20.0μm以上がより好ましく、55.0μm以下が好ましく、40.0μm以下がより好ましい。Ip2-電極133の膜厚がこのような範囲であると、後述する条件(A)及び条件(B)を満たし易い。
Ip2+電極(アノード電極)132は、Ip2-電極(カソード電極)133と同様、固体電解質体131eの表面に配されている。このIp2+電極(アノード電極)132は、NOの分解に応じてIp2-電極(カソード電極)133で発生し、かつ固体電解質体131e中を移動した酸素イオンを受け取る。
本実施形態のガスセンサ素子10は、第2測定室160の容積V1と、Ip2-電極133の体積V2とが、以下に示される条件(A)及び条件(B)の何れか1つを満たすように構成されている。なお、条件(A)及び条件(B)を導き出した技術的な根拠については、後述する。
条件(A):前記容積V1が0.047mm以上0.065mm以下であり、かつ前記体積V2が0.030mm以上0.059mm以下である。
条件(B):前記容積V1が0.047mm以上0.125mm以下であり、かつ前記体積V2が0.044mm以上0.059mm以下である。
第2測定室160の容積V1は、導入室161の容積と、収容室162の容積とを足し合わせたものである。なお、第2測定室160の容積V1は、第2測定室160の内部空間S2の大きさに等しく、導入室161の容積は、内部空間S21の大きさに等しく、収容室162の容積は、内部空間S22の大きさに等しい。本実施形態の場合、導入室161は円筒状であり、その容積は、導入室161の内径(直径)Rと、導入室161の上下方向の長さ(高さ)L1とから、円柱の体積として求められる。
Ip2-電極133の体積V2は、Ip2-電極133のうち、第2測定室160の収容室162に収容されている部分の体積である。本実施形態の場合、ガスセンサ素子10の積層方向において、Ip2-電極133を平面視した際に、収容室162の第5周壁部145cの開口部の面積(開口面積)よりも、Ip2-電極133の面積の方が大きい。そのため、本実施形態の場合、収容室162の第5周壁部145cの開口面積に、Ip2-電極133の厚み(膜厚)を掛けたものが、Ip2-電極133の体積V2となる。なお、他の実施形態において、収容室162の第5周壁部145cの開口面積よりも、Ip2-電極133の面積が小さい場合は、そのIp2-電極133の面積にIp2-電極133の厚み(膜厚)を掛けたものが、Ip2-電極133の体積V2となる。
本実施形態のガスセンサ素子10において、第2測定室160の容積V1と、Ip2-電極133の体積V2とが、上述した条件(A)及び条件(B)の何れか1つを満たすように構成するためには、ガスセンサ素子10の製造時に、ガスセンサ素子10を製造するための部材(セラミックグリーンシート等の積層物)が、焼成によって収縮することを考慮して、第2測定室160の大きさ(断面積等)や、Ip2-電極133の大きさ(厚み等)を設定する必要がある。
ガスセンサ素子10において、第2測定室160の容積V1と、Ip2-電極133の体積V2との関係が、上記条件(A)及び条件(B)の何れか1つを満たすと、NO濃度を検出するためのIp2セル130の応答性(NOに対する応答性)が向上する。
具体的には、排気管内の排気通路を12m/秒のガス流速で、NOを含む排ガス(測定対象ガス)が流されている場合に、その排気管の所定箇所に、ガスセンサ素子10を備えるガスセンサ1が装着された状態において、ガスセンサ素子10の第2測定室160内に導入された排ガス中のNOが、Ip2セル130が備えるIp2-電極133において、窒素と酸素に分解された際に、Ip2セル130を流れる第2ポンプ電流(電流Ip2)の出力が10%から90%に到達する時間(出力波形の立ち上がり時間)が、1秒以内となる。
図6は、ガスセンサ素子10のIp2セル130を流れる第2ポンプ電流の出力波形を表したグラフである。図6に示されるグラフの横軸は、時間(秒)であり、その縦軸に示される応答(%)は、第2ポンプ電流の出力の割合(%)を表す。ここでは、第2ポンプ電流の出力波形におけるトップの電流値が、100%に設定されている。図6において、本実施形態のガスセンサ1(ガスセンサ素子10)における第2ポンプ電流の出力波形Weが実線で示されている。ガスセンサ1の第2ポンプ電流の出力が、10%から90%に到達するまでの時間teは、1秒以内である。なお、図6には、比較例として、上記条件(A)及び条件(B)の何れも満たしていないガスセンサにおける第2ポンプ電流の出力波形Wcが、一点鎖線で示されている。この比較例では、第2ポンプ電流の出力が、10%から90%に到達するまでの時間tcが1秒を超えている。
〔試験〕
次いで、上記条件(A)及び条件(B)を導き出した試験の内容について説明する。
(実施例1~5)
実施例1~5として、上述した実施形態1のガスセンサ(ガスセンサ素子)と基本的な構成が同じであるガスセンサを、それぞれ5個ずつ作製した。なお、各実施例のガスセンサにおける第2測定室の導入室の内径[mm]は、表1に示される各値に設定した。表1には、参考までに、焼成前のガスセンサ素子における第2測定室の導入室の内径[mm]も示した。各実施例のガスセンサでは、焼成後の収縮を考慮して、導入室の内径[mm]の大きさがそれぞれ設定されている。また、各実施例のガスセンサにおけるIp2-電極の膜厚[mm]は、表1に示される各値に設定した。なお、Ip2-電極の面積[mm2]については、収容室の開口面積によって定まる。参考までに、焼成前の収容室の開口面積は、2.13mmであった。
また、各実施例の導入室の高さ(上下方向の長さ)L1は、0.232mmであり、収容室の高さ(上下方向の長さ)L2は、0.024mmであった。
なお、焼成後のガスセンサにおける導入室の内径、導入室の高さL1、収容部の高さL2、Ip2-電極の膜厚、Ip2-電極の面積等の各数値は、後述する応答性の評価後に、ガスセンサ素子を長手方向(軸線AX方向)や幅方向に切断して得られる各切断面を、SEM画像で解析することで求められる。なお、各数値は、5個のサンプルの平均値である。
(比較例1~7)
ガスセンサにおける第2測定室の導入室の内径[mm]やIp2-電極の膜厚[μm]等を、表1に示される各値に設定したこと以外は、実施例1等と同様にして、比較例1~7のガスセンサを、それぞれ5個ずつ作製した。
(応答性)
各実施例及び各比較例で作製したガスセンサについて、以下の方法により、応答性の評価を行った。排気管内の排気通路を12m/秒のガス流速で、NOを濃度0ppmから100ppmまで徐々に増加させた排ガスを流した状態で、その排気管の所定箇所にガスセンサを装着した。そして、そのガスセンサについて、Ip2セルを流れる第2ポンプ電流(電流Ip2)の出力が10%から90%に到達するまでの時間(出力波形の立ち上がり時間)を求めた。そのような立ち上がり時間を、各実施例及び各比較例について、それぞれ5回ずつ求めた。そして、以下に示される評価基準に従って、各実施例及び各比較例のガスセンサの応答性を評価した。結果は、表1に示した。
<評価基準>
・5回とも立ち上がり時間が1秒以内の場合 ・・・・・「〇」
・少なくとも1回の試験で立ち上がり時間が1秒を超えた場合 ・・・・・「△」
・5回とも立ち上がり時間が1秒を超えた場合 ・・・・・「×」
Figure 2023091864000002
ここで、実施例1~5及び比較例1~7の試験結果を、図7の座標に示した。図7は、ガスセンサの応答性の試験結果を、座標で表した図である。図7に示される座標の縦軸は、Ip2-電極の膜厚[μm]を表し、横軸は、導入室の内径[mm]を表す。このような座標に、実施例1~5及び比較例1~7の結果をプロットすると、図7に示されるような状態となる。
このような座標において、実施例3~5及び比較例1~7の結果より、導入室の内径[mm]及びIp2-電極の膜厚[μm]の好ましい組み合わせの範囲Xaが導き出される。範囲Xaについて、導入室の内径[mm]の範囲は、0.30mm以上0.40mm以下であり、Ip2-電極の膜厚[μm]の範囲は、20.0μm以上40.0μm以下である。
また、実施例1,2,5及び比較例1~7の結果より、導入室の内径[mm]及びIp2-電極の膜厚[μm]の好ましい組み合わせの範囲Xbが導き出される。範囲Xbについて、導入室の内径[mm]の範囲は、0.0,30mm以上0.70mm以下であり、Ip2-電極の膜厚[μm]の範囲は、30.0μm以上40.0μm以下である。
上述した条件(A)は、範囲Xaに基づいて定められたものであり、条件(B)は、範囲Xbに基づいて定められたものである。なお、実施例1~5及び比較例1~7において、第2測定室の収容室の容積は、略一定とみなせる。
ガスセンサ(ガスセンサ素子)の第2ポンプ電流の出力波形は、第2測定室における導入室の内径(孔径)が小さいほど、出力波形の立ち上がりの傾き(例えば、図6の出力波形Weを参照)が大きくなる。これは、導入室が、収容室と共に第2測定室を構成しており、そのような導入室の内径(孔径)が小さくなるほど、第2測定室における排ガス(NOを含む)の交換速度が速くなるためと推測される。このことから、第2測定室の容積V1が、小さいほど、排ガスの返還速度が速くなると推測される。なお、導入室の内径(孔径)の下限値(容積V1の下限値)は、ガスセンサに要求される分解能や精度が確保される程度の第2ポンプ電流の電流値が得られるように設定される。また、導入室の内径(孔径)の上限値(容積V1の上限値)は、第2測定室付近のガスセンサ素子の強度が確保されるように設定される。
また、Ip2-電極の膜厚(体積V2)が大きいと、NOの分解反応が起こる部位が増加するため、Ip2-電極の膜厚(体積V2)が大きいほど、排ガスの交換速度が速くなると推測される。
1…ガスセンサ、10…ガスセンサ素子、100…素子本体部、110…Ip1セル(ポンプセル)、111s,121s,131s…絶縁層(セラミックシート)、130…Ip2セル、132…Ip2+電極(アノード電極)、133…Ip2-電極(カソード電極)、160…第2測定室(検出室)、161…導入室、162…収容室、V1…検出室の容積、V2…カソード電極の体積

Claims (4)

  1. 複数のセラミックシートが積層された素子本体部と、
    前記素子本体部内に導入される測定対象ガス中の酸素濃度を調節するポンプセルと、
    前記素子本体部の内部に形成され、前記酸素濃度の調節後の前記測定対象ガスが導入される検出室と、
    前記検出室に収容され、NOを分解する層状のカソード電極とを備えるガスセンサ素子であって、
    前記検出室の容積V1と前記カソード電極の体積V2との関係が、以下に示される条件(A)及び条件(B)の何れか1つを満たすガスセンサ素子。
    条件(A):前記容積V1が0.047mm以上0.065mm以下であり、かつ前記体積V2が0.030mm以上0.059mm以下である
    条件(B):前記容積V1が0.047mm以上0.125mm以下であり、かつ前記体積V2が0.044mm以上0.059mm以下である
  2. 前記検出室は、前記複数のセラミックシートのうち少なくとも1つのセラミックシートを厚み方向に貫通する形で設けられており、
    前記検出室が前記セラミックシートを貫通する領域において、前記セラミックシートの平面方向における前記検出室の断面積は0.05mm以上0.35mm以下である請求項1に記載のガスセンサ素子。
  3. 前記素子本体部の一部を構成し、表面に前記カソード電極が形成される固体電解質層と、
    前記固体電解質層の前記表面に配され、NOの分解に応じて前記カソード電極で発生しかつ前記固体電解質層中を移動した酸素イオンを受け取るアノード電極とを備える請求項1又は請求項2に記載のガスセンサ素子。
  4. 請求項1から請求項3の何れか一項に記載のガスセンサ素子を備えるガスセンサ。
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