JP2023088773A - 描画方法、原版製造方法および描画装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表面の高さが変化する基板にパターンを高い寸法精度で形成することが可能な描画方法、原版製造方法および描画装置を提供する。【解決手段】描画方法は、外部から入力された描画情報、高さ情報、および寸法差情報に基づいて、基板表面上のレジスト膜に描画されるパターンの描画条件を補正することを含む。描画情報は、電子ビームの照射によってレジスト膜にパターンを描画するための情報である。高さ情報は、基板表面の高さに関する情報である。寸法差情報は、描画情報に示されるパターンの寸法と、パターンの描画・現像が行われたレジスト膜をマスクとした基板の加工によって形成されるパターンの寸法との差に関する情報である。描画条件の補正は、基板表面の対象部分に対応するパターンにおいて差が低減されるように行われる。【選択図】図３

Description

本発明の実施形態は、描画方法、原版製造方法および描画装置に関する。

電子ビーム描画装置を用いて基板にパターンを形成することによって半導体プロセス用の原版を作製する場合がある。この場合、表面（すなわち、上面）の高さが変化する基板にパターンを高い寸法精度で形成することが困難となるおそれがある。

特開２０２１－１４９０１９号公報

表面の高さが変化する基板にパターンを高い寸法精度で形成することが可能な描画方法、原版製造方法および描画装置を提供する。

一の実施形態によれば、描画方法は、外部から入力された描画情報と、外部から入力された高さ情報と、外部から入力された寸法差情報とに基づいて、基板の表面上のレジスト膜に描画されるパターンの描画条件を補正することを含む。前記描画情報は、電子ビームの照射によって前記レジスト膜に前記パターンを描画するための情報である。前記高さ情報は、前記電子ビームの照射方向において異なる高さを有する前記基板の表面の高さに関する情報である。前記寸法差情報は、前記描画情報に示されるパターンの寸法と、パターンの描画および現像が行われたレジスト膜をマスクとした前記基板の加工によって前記基板に形成されるパターンの寸法との差に関する情報である。前記描画条件の補正は、前記基板の表面の対象部分に対応するパターンにおいて前記差が低減されるように行われる。

第１の実施形態による描画装置の一例を示す図である。 第１の実施形態による描画装置の他の一例を示す図である。 第１の実施形態による描画装置を適用可能なマスクブランクの一例を示す断面図である。 第１の実施形態による描画装置を適用可能なテンプレートブランクの一例を示す断面図である。 第１の実施形態による描画装置を適用可能なマスクブランクの他の一例を示す断面図である。 第１の実施形態による描画方法の一例を示すフローチャートである。 第１の実施形態による描画方法において、図３のフローチャートに示される描画データの取得工程の一例を示す図である。 第１の実施形態による描画方法において、図３のフローチャートに示される高さ関連データの取得工程の一例を示す図である。 第１の実施形態による描画方法において、図３のフローチャートに示される寸法差データの取得工程の一例を示す図である。 第１の実施形態による描画方法において、図６に示される寸法差データの算出方法の一例を説明するための説明図である。 第１の実施形態による描画方法において、図３のフローチャートに示される描画データの補正工程の一例を示す図である。 第１の実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す断面図である。 図９Ａに続く、第１の実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す断面図である。 図９Ｂに続く、第１の実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す平面図である。 図９Ｃに続く、第１の実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す平面図である。 図９Ｄに続く、第１の実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す平面図である。 第１の実施形態によるテンプレートの製造方法を示す断面図である。 図１０Ａに続く、第１の実施形態によるテンプレートの製造方法を示す断面図である。 図１０Ｂに続く、第１の実施形態によるテンプレートの製造方法を示す断面図である。 図１０Ｃに続く、第１の実施形態によるテンプレートの製造方法を示す断面図である。 図１０Ｄに続く、第１の実施形態によるテンプレートの製造方法を示す断面図である。 第２の実施形態による描画方法の一例を示すフローチャートである。 第２の実施形態による描画方法において、図１１のフローチャートに示される照射量の補正工程の一例を示す図である。 第２の実施形態による描画方法において、照射量の補正方法の一例を説明するための説明図である。 第３の実施形態による描画方法の一例を示すフローチャートである。 第３の実施形態による描画方法において、図１４のフローチャートに示される後方散乱ビームのエネルギー分布の算出工程の一例を説明するための説明図である。 第３の実施形態による描画方法において、図１５よりも詳細に後方散乱ビームのエネルギー分布の算出工程の一例を説明するための説明図である。 第３の実施形態による描画方法において、図１６に続く、後方散乱ビームのエネルギー分布の算出工程の一例を説明するための説明図である。 第３の実施形態による描画方法において、図１４のフローチャートに示される積算エネルギー分布の算出工程の一例を説明するための説明図である。 第３の実施形態による描画方法において、図１４のフローチャートに示される必要エネルギー量の算出工程の一例を説明するための説明図である。 第４の実施形態による描画方法の一例を示すフローチャートである。

以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。図１Ａから図２０において、同一または類似する構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

（第１の実施形態）
（描画装置）
図１Ａは、第１の実施形態による描画装置１の一例を示す図である。図１Ｂは、第１の実施形態による描画装置１の他の一例を示す図である。図１Ａおよび図１Ｂに示される描画装置１は、例えば、半導体プロセスに用いられる原版を製造する際に、電子ビームＥＢの照射によって基板２の表面上のレジスト膜３にパターンを描画するために用いることができる。基板２は、電子ビームＥＢの照射による原版の製造に適用できるものであれば具体的な態様は特に限定されない。例えば、図２Ａ～図２Ｃにおいて後述するように、基板２は、マスクブランク２Ａ，２Ｃまたはテンプレートブランク２Ｂであってもよい。より詳しくは、図１Ａおよび図１Ｂに示される描画装置１は、電子ビームＥＢの照射方向における表面の高さが変化する（すなわち、異なる）基板２にパターンを高い寸法精度で形成するために、基板２の表面上のレジスト膜３に描画されるパターンの描画条件を補正するために用いることができる。

図１Ａに示される描画装置１は、計算機４と、制御装置５と、電子照射ユニット６と、ステージ７とを備える。計算機４は、レジスト膜３に描画されるパターンの描画条件を補正するための各種の計算処理（例えば、後述するレジスト膜３に描画されるパターンの寸法の補正）を行う。図１Ａにおいて、計算機４は、更に、描画条件の補正以外の描画のための計算処理を行ってもよい。

図１Ｂに示される描画装置１では、計算機４が描画装置１の外部に配置されている。図１Ｂでは、描画装置１の外部の計算機４が描画条件の補正における各種の計算処理を行い、また、描画装置１が、描画条件の補正以外の描画のための計算処理を行う計算機（図示せず）を別途備えていてもよい。

以降の描画装置１の説明は、特に明記しない限り図１Ａおよび図１Ｂの描画装置１に共通の説明である。電子照射ユニット６は、電子光学鏡筒（図示せず）内に配置されている。基板２は、電子光学鏡筒に連通する真空チャンバ内においてステージ７上に載置されている。ステージ７は、モータ等の駆動装置によって例えば水平方向（Ｘ方向、Ｙ方向）および鉛直方向（Ｚ方向）に移動可能である。ステージ７が移動されることで、ステージ７上の基板２に対する電子ビームＥＢの照射位置が変更可能となっている。

ここで、描画装置１の構成部についてさらに詳述する前に、描画装置１を適用可能な基板２の例について説明する。図２Ａは、第１の実施形態による描画装置１を適用可能なマスクブランク２Ａの一例を示す断面図である。図２Ｂは、第１の実施形態による描画装置１を適用可能なテンプレートブランク２Ｂの一例を示す断面図である。図２Ｃは、第１の実施形態による描画装置１を適用可能なマスクブランク２Ｃの他の一例を示す断面図である。マスクブランク２Ａ，２Ｃは、フォトリソグラフィ用の原版であるフォトマスクの製造に用いられる基板２の例である。テンプレートブランク２Ｂは、ナノインプリントリソグラフィ用の原版であるテンプレートの製造に用いられる基板２の例である。

図２Ａおよび図２Ｃに示すように、基板２としてのマスクブランク２Ａ，２Ｃは、透光性基板２１と、透光性基板２１上に形成された遮光膜２２とを有する。透光性基板２１は、例えば、主成分として石英を含有していてもよい。遮光膜２２は、例えば、主成分としてクロム（Ｃｒ）などの金属を含有していてもよい。遮光膜２２は、下層側のＭｏＳｉ層と上層側のＣｒ層との複合層であってもよい。一方、図２Ｂに示すように、基板２としてのテンプレートブランク２Ｂは、例えば主成分として石英を含有することで、全体として透光性を有している。

半導体装置用のデバイス基板（ウエハ）に形成された被加工膜の表面に段差またはスロープが存在する場合、一様にフラットな表面を有するフォトマスクまたはテンプレートを用いた場合は被加工膜を精度良く加工することが困難となる。具体的には、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィの場合、被加工膜上のレジスト膜に露光光の焦点を合わせることが困難となることで、被加工膜上のレジスト膜を適切に露光することが困難となる。テンプレートを用いたナノインプリントリソグラフィの場合、被加工膜であるデバイス基板上のレジストにテンプレートを適切に押し付けてパターンを転写することが困難となる。この結果、被加工膜に所望の精度で回路パターンを形成することが困難となる。そこで、段差やスロープが存在する被加工膜を精度良く加工する観点から、フォトマスクまたはテンプレート用の基板２Ａ～２Ｃの表面（すなわち、上面）は、被加工膜の表面形状に合わせた表面形状を有する。具体的には、図２Ａに示されるマスクブランク２Ａの表面は、面内方向ｄ１に平行な平坦部２ａと、平坦部２ａよりも高く形成された平坦部２ｃと、両平坦部２ａ，２ｃを接続するスロープ部２ｂとを有する。なお、マスクブランク２Ａをステージ７上に載置したときに、面内方向ｄ１は水平方向に一致する。図２Ａに示されるスロープ部２ｂは直線状の傾斜平面であるが、図２Ａの符号２ｂ’に示すように、スロープ部２ｂ’は傾斜曲面であってもよい。図２Ｂに示されるテンプレートブランク２Ｂおよび図２Ｃに示されるマスクブランク２Ｃの表面は、異なる高さを有するように形成された互いに隣り合う平坦部２ａ，２ｃと、平坦部２ａ，２ｃを接続する段差部２ｄとを有する。なお、テンプレートブランク２Ｂは、スロープ部を有していてもよい。

ここで、原版（フォトマスク、テンプレート）を製造するために基板２上にパターンを描画する際には、基板２の表面上にレジスト膜３を形成する。レジスト膜３の形成には、例えば、スピンコータによるレジストの回転塗布が用いられる。なお、図９Ａでは、基板２の一例としてのマスクブランク２Ａの表面上にレジスト膜３を形成している。図１０Ａでは、基板２の一例としてのテンプレートブランク２Ｂの表面上にレジスト膜３を形成している。そして、レジスト膜３が形成された基板２に電子ビームＥＢを照射することで、レジスト膜３にパターンを描画する。基板２の表面の高さ（電子ビームＥＢの照射方向における高さ）が面内で殆ど変化しない場合（例えば、基板２の表面の高さが一定である場合）、基板２の表面に直交する方向のレジスト膜３の厚さは、面内で均一（すなわち一定）となる。

一方、基板２の表面に高さが変化する部分が含まれている場合、レジスト膜３の厚さは、例えば、基板２の表面の高さが変化する部分と基板２の表面の高さが殆ど変化しない部分との境界を含む基板の表面の境界周辺部において、境界周辺部以外の基板２の表面の部分よりも薄くなる。図９Ａに示されるマスクブランク２Ａの例において、レジスト膜３の厚さは、スロープ部２ｂと、スロープ部２ｂの上端においてスロープ部２ｂにつながる平坦部２ｃとの境界を含むマスクブランク２Ａの表面のスロープ境界周辺部２ｅにおいて薄くなっている。図９Ａに示される例において、スロープ境界周辺部２ｅは、スロープ部２ｂのうちの平坦部２ｃ側の部分と、平坦部２ｃのうちのスロープ部２ｂ側の部分とを含む。図１０Ａに示される例において、レジスト膜３の厚さは、段差部２ｄと段差部２ｄの上端において段差部２ｄにつながる平坦部２ｃとの境界および段差部２ｄと段差部２ｄの下端において段差部２ｄにつながる平坦部２ａとの境界を含むテンプレートブランク２Ｂの表面の段差境界周辺部２ｆにおいて薄くなっている。図１０に示される例において、段差境界周辺部２ｆは、平坦部２ｃのうちの段差部２ｄ側の部分と、平坦部２ａのうちの段差部２ｄ側の部分とを含む。

なお、レジスト膜３の厚さは、スロープ部２ｂまたは段差部２ｄの下端側から平坦部２ａにかけて増加してもよい。また、スロープ部２ｂまたは段差部２ｄの下端につながる平坦部２ａ上におけるレジスト膜３の厚さは、スロープ部２ｂまたは段差部２ｄの上端につながる平坦部２ｃ上におけるレジスト膜３の厚さよりも厚くてもよい。

レジスト膜３にパターンを描画した後は、レジスト膜３を現像し、現像されたレジスト膜３をマスクとして基板２をドライエッチングによって加工することで、基板２にパターンを形成する。ここで、基板２の表面の高さが面内で殆ど変化しない場合、レジスト膜３の厚さが均一であることで、現像されたレジスト膜３は、面内のいずれの箇所においても十分な厚さを有する。十分な厚さを有することで、現像されたレジスト膜３は、マスクとして適切に機能し、基板２に形成されるパターンの高い寸法精度を確保することができる。

一方、基板２の表面に高さが変化する部分が含まれている場合、例えば、境界周辺部においてレジスト膜３の厚さが薄くなると、現像されたレジスト膜３は、境界周辺部において厚さが不十分となる。境界周辺部において厚さが不十分であることで、レジスト膜３は、境界周辺部においてマスクとして適切に機能することができず、基板２に形成されるパターンの高い寸法精度を確保することが困難となる。具体的には、境界周辺部において基板２が過剰に加工されてしまい、例えば、ラインパターンの幅寸法が設計値よりも大きくなってしまう。

これに対して、第１の実施形態による描画装置１は、表面の高さが変化する基板２にパターンを高い寸法精度で形成するように構成されている。

具体的には、図１Ａおよび図１Ｂに示すように、計算機４には、描画データ１１が外部から入力される。描画データ１１は、電子ビームＥＢの照射によって基板２の表面上のレジスト膜３にパターンを描画するためのデータである。描画データ１１は、例えば、原版の設計データに基づいて計算機４と異なる計算機で作成されたデータである。また、図１Ａおよび図１Ｂに示すように、計算機４には、高さ関連データ１２が外部から入力される。高さ関連データ１２は、電子ビームＥＢの照射方向において異なる高さを有する基板２の表面の高さに関する情報である。電子ビームＥＢの照射方向は、基板２の面内方向ｄ１に直交する方向であり、図１Ａおよび図１Ｂに示される例において、矢印ＥＢが指し示す方向（すなわち、下方）である。高さ関連データ１２は、例えば、原版の設計データに基づいて計算機４と異なる計算機で作成されたデータである。また、図１Ａおよび図１Ｂに示すように、計算機４には、寸法差データ１３が外部から入力される。寸法差データ１３は、描画データ１１に示されるパターンの寸法と、パターンの描画および現像が行われたレジスト膜３をマスクとした基板２の加工によって基板２に形成されるパターンの寸法との差（以下、パターン寸法差とも呼ぶ）に関する情報である。寸法差データ１３は、例えば、描画データと、描画データを用いた基板２へのパターン形成結果（例えば、実験結果またはシミュレーション結果）とに基づいて計算機４と異なる計算機で作成されたデータである。計算機４に描画データ１１、高さ関連データ１２および寸法差データ１３を入力する方法は特に限定されず、例えば、データ通信による入力および記憶媒体を介した入力のいずれであってもよい。描画データ１１、高さ関連データ１２および寸法差データ１３の更なる詳細については、後述する描画方法の実施形態で説明する。

計算機４は、外部から入力された描画データ１１、高さ関連データ１２および寸法差データ１３に基づいて、基板２の表面上のレジスト膜３に描画されるパターンの描画条件を補正する。描画条件の補正は、基板２の表面の対象部分に対応するパターンとしての基板２の表面の高さが変化する部分と基板２の表面の高さが殆ど変化しない部分と境界を含む基板２の表面の境界周辺部に対応するパターンにおいて、パターン寸法差が低減されるように行われる。描画条件の補正は、境界周辺部と異なる基板２の表面の対象部分に対応するパターンにおいても、パターン寸法差が低減されるように行われてもよい。境界周辺部と異なる対象部分は、境界周辺部と完全に異なってもよいし、境界周辺部２と部分的に異なってもよい。境界周辺部と異なる対象部分は、スロープ部２ｂの少なくとも一部、段差部２ｄの少なくとも一部、または平坦部２ａの少なくとも一部を含んでいてもよい。

第１の実施形態において、描画条件の補正は、境界周辺部上のレジスト膜３に描画されるパターンの寸法の補正を含む。描画条件の補正は、境界周辺部と異なる基板２の表面の対象部分上のレジスト膜３に描画されるパターンの寸法の補正を含んでもよい。

境界周辺部上のレジスト膜３に描画されるパターンの寸法の補正は、境界周辺部上のレジスト膜３に描画されるパターンの寸法をパターン寸法差に応じて減少させることを含む。境界周辺部上のレジスト膜３に描画されるパターンの寸法の補正は、境界周辺部上のレジスト膜３に描画されるパターンの寸法をパターン寸法差に応じて増加させることを含んでもよい。境界周辺部と異なる対象部分上のレジスト膜３に描画されるパターンの寸法の補正は、境界周辺部と異なる対象部分上のレジスト膜３に描画されるパターンの寸法をパターン寸法差に応じて減少させることを含む。境界周辺部と異なる対象部分上のレジスト膜３に描画されるパターンの寸法の補正は、境界周辺部と異なる対象部分上のレジスト膜３に描画されるパターンの寸法をパターン寸法差に応じて増加させることを含んでもよい。

境界周辺部上のレジスト膜３に描画されるパターンの寸法の補正は、境界周辺部上のレジスト膜３に描画されるパターンを示す描画データ１１の補正を含む。境界周辺部と異なる対象部分上のレジスト膜３に描画されるパターンの寸法の補正は、境界周辺部と異なる対象部分上のレジスト膜３に描画されるパターンを示す描画データ１１の補正を含む。

計算機４は、補正された描画データ１１を制御装置５に出力する。計算機４による描画データ１１の補正の具体例については、後述する描画方法の実施形態で説明する。

制御装置５は、計算機４から入力された描画データに基づいて、電子照射ユニット６によるレジスト膜３への電子ビームＥＢの照射（すなわち、パターンの描画）を制御する。例えば、制御装置５は、境界周辺部上のレジスト膜３に補正された寸法のパターンが描画されるように電子ビームＥＢの照射を制御する。電子照射ユニット６は、例えば、電子ビームＥＢを放出する電子銃と、放出された電子ビームＥＢの軌道を制御する電子光学系（偏向器、電磁レンズ等）とを備える。

もし、厚さが不十分な境界周辺部上のレジスト膜３に対するパターンの描画条件を境界周辺部以外の基板２の表面上のレジスト膜３に対するパターンの描画条件と同じにした場合、境界周辺部上のレジスト膜３が現像後にマスクとして適切に機能せず、境界周辺部において基板２が過剰に加工されてしまう。基板２が過剰に加工されることで、境界周辺部においてパターンの寸法が過大となってしまう。これに対して、第１の実施形態による描画装置１によれば、境界周辺部に対応するパターンにおいてパターン寸法差が低減されるように描画条件を補正することができる。これにより、表面の高さが変化する基板２にパターンを高い寸法精度で形成することができる。

（描画方法）
以下、第１の実施形態による描画装置１を適用した描画方法の実施形態について説明する。図３は、第１の実施形態による描画方法の一例を示すフローチャートである。

図３に示すように、先ず、計算機４は、外部から描画データ１１を取得する（ステップＳ１）。図４は、図３のフローチャートに示される描画データ１１の取得工程の一例を示す図である。図４に示すように、描画データ１１は、基板２の表面に対応する二次元の領域を示し、領域内に定義されたパターンＰ１を有する。描画データ１１上のパターンＰ１は、基板２の表面の対応する位置（すなわち座標）に描画される。描画データ１１は、二次元のデータであるため、基板２の表面上のスロープ部や段差部などの高さ方向の情報をもたない。描画データ１１の具体的な態様は図４に示される態様に限定されない。

また、図３に示すように、計算機４は、外部から高さ関連データ１２を取得する（ステップＳ２）。高さ関連データ１２の取得は、描画データ１１の取得と前後が入れ替わってもよく、または同時であってもよい。図５は、図３のフローチャートに示される高さ関連データ１２の取得工程の一例を示す図である。図５に示すように、高さ関連データ１２は、基板２の表面の高さ［μｍ］を示す高さデータを含む。図５に示される例において、高さデータは、平坦部の高さデータと、スロープ部の高さデータとを含む。図５に示される例において、高さデータは、複数の平坦部のうちの１つの平坦部の高さを基準（０［μｍ］）とした相対的な高さを示すデータである。また、図５に示される例において、高さ関連データ１２は、高さデータに示される高さを有する表面の配置位置（Ｘ座標およびＹ座標の範囲）を示す位置データを含む。また、図５に示される例において、高さ関連データ１２は、スロープ部内の各位置に対応する高さを算出可能なデータとして、スロープ部の傾斜角θ［ｄｅｇ］を示す傾斜角データを含む。また、図５に示される例において、高さ関連データ１２は、スロープ部内の各位置に対応する高さを算出可能なデータとして、スロープ部の向き［ｄｅｇ］を示す傾斜向きデータを含む。より具体的には、図５に示される例において、傾斜向きデータは、スロープ部の高さが減少する二次元上の方向を、図５に示される＋Ｘ方向とのなす角度で表現したデータである。例えば、図５に示されるスロープ部ａは、スロープ部ａの高さが減少する二次元上の方向が＋Ｘ方向と一致すため、傾斜向きが０［ｄｅｇ］である。一方、図５に示されるスロープ部ｃは、スロープ部ｃの高さが減少する二次元上の方向が＋Ｘ方向と反対であるため、傾斜向きが１８０［ｄｅｇ］である。なお、図５に示される例では、スロープ部の高さデータに、最大値および最小値のみが含まれ、最大値と最小値との間の高さについては、位置データ、傾斜角データおよび傾斜向きデータに基づいて計算機４が算出できるようになっている。しかしながら、高さデータは、最大値と最小値との間の複数の高さを含んでいてもよい。その場合、複数の高さごとに位置データを対応付ければよい。また、図５に示すように、高さ関連データ１２は、テーブル形式のデータであってもよい。高さ関連データ１２の具体的な態様は図５に示される態様に限定されない。

また、図３に示すように、計算機４は、外部から寸法差データ１３を取得する（ステップＳ３）。寸法差データ１３の取得は、描画データ１１の取得と前後が入れ替わってもよく、または同時であってもよい。図６は、図３のフローチャートに示される寸法差データ１３の取得工程の一例を示す図である。図６に示される例において、寸法差データ１３は、スロープ部とスロープ部の上端につながる平坦部との境界を基準位置（０）としたスロープ部の傾斜向き方向の距離を横軸とし、パターン寸法差を縦軸としたデータである。パターン寸法差は、既述したように、描画データ１１に示されるパターンの寸法と、現像が行われたレジスト膜３をマスクとした基板２の加工によって基板２に形成されるパターンの寸法との差である。図７は、第１の実施形態による描画方法において、図６に示される寸法差データの算出方法の一例を説明するための説明図である。例えば、図７に示すように、寸法差データ１３は、描画データに示されるパターンＰ１と、実験またはシミュレーションによって取得された描画データに基づく基板２へのパターンＰ２の形成結果とを比較し、双方のパターンＰ１，Ｐ２の寸法差を算出することで取得することができる。

描画データ１１、高さ関連データ１２および寸法差データ１３を取得した後、図３に示すように、計算機４は、描画データを補正する（ステップＳ４）。描画データの補正は、境界周辺部に対応するパターンにおいてパターン寸法差を低減させるため、境界周辺部上のレジスト膜３に描画されるパターンの寸法を補正するように行う。図８は、第１の実施形態による描画方法において、図３のフローチャートに示される描画データの補正工程の一例を示す図である。図８に示される例において、描画データの補正は、スロープ境界周辺部２ｅ上のレジスト膜３に描画されるパターンＰ１の寸法をパターン寸法差に応じて減少させるように行われる。より具体的には、描画データの補正は、図６に示されるパターン寸法差を相殺する減少量でスロープ境界周辺部２ｅ上のレジスト膜３に描画されるパターンＰ１の寸法を減少させるように行われる。なお、図８に示される例では、スロープ境界周辺部２ｅ上のレジスト膜３に描画されるラインパターンＰ１の幅寸法が、スロープ境界周辺部２ｅ以外の基板表面上のレジスト膜３に描画されるラインパターンＰ１の幅寸法よりも小さくなるように描画データが補正される。なお、図８では、補正前におけるスロープ境界周辺部２ｅ上のラインパターンＰ１が破線で示されている。一方、通常の平坦部上のレジスト膜３に描画されるパターンＰ１については、描画データの補正は行われない。

なお、図１Ａに示すように計算機４が描画装置１内にある場合は、計算機４による描画データの補正（ステップＳ４）は描画装置１内で実施される。一方、図１Ｂに示すように計算機４が描画装置１外にある場合は、計算機４による描画データの補正（ステップＳ４）は描画装置１外で実施される。

なお、補正された描画データに基づくパターンの描画工程については、以下の原版製造方法において説明する。

（原版製造方法）
図３～図８で説明した第１の実施形態による描画方法は、原版の製造に用いることができる。以下、第１の実施形態による描画方法を適用した原版製造方法として、フォトマスクの製造方法の実施形態およびテンプレートの製造方法の実施形態を順に説明する。

図９Ａは、第１の実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す断面図である。フォトマスクの製造においては、先ず、図９Ａに示すように、図２Ａで説明したマスクブランク２Ａ上にレジスト膜３を形成する。レジスト膜３の形成は、レジスト膜３のコーティングおよびコーティング後のプリベーキングを含む。なお、図９Ａに示される例において、レジスト膜３は、ポジ型である。レジスト膜３は、ネガ型であってもよい。図９Ａに示すように、レジスト膜３の厚さは、スロープ境界周辺部２ｅにおいて薄くなるものとする。

図９Ｂは、図９Ａに続く、第１の実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す断面図である。レジスト膜３を形成した後、図９Ｂに示すように、描画装置１の電子照射ユニット６によって、第１の実施形態による描画方法を用いて補正された描画データ１１にしたがってレジスト膜３に電子ビームＥＢを照射する。これにより、電子ビームＥＢが照射された部分のレジスト膜３が露光され、レジスト膜３にパターンが描画される。図９Ｂに示される例において、スロープ境界周辺部２ｅ上のレジスト膜３に描画されるラインパターンの幅寸法は、スロープ境界周辺部２ｅ以外のマスクブランク２Ａの表面上のレジスト膜３に描画されるラインパターンの幅寸法よりも小さい。

図９Ｃは、図９Ｂに続く、第１の実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す平面図である。露光によってパターンが描画されたレジスト膜３をポストベーキングした後、図９Ｃに示すように、レジスト膜３を現像する。レジスト膜３の現像は、薬液を用いたウェットプロセスで行う。現像によって、露光された部分のレジスト膜３が除去され、レジスト膜３が除去された位置においてパターンに倣った形状で遮光膜２２が露出する。

図９Ｄは、図９Ｃに続く、第１の実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す平面図である。レジスト膜３を現像した後、現像されたレジスト膜３をマスクとして用いて遮光膜２２をエッチング（すなわち、加工）する。エッチングはドライプロセスで行う。

ここで、スロープ境界周辺部２ｅ上のレジスト膜３の厚さは、スロープ境界周辺部２ｅ以外のマスクブランク２Ａの表面上のレジスト膜３の厚さよりも薄い。しかしながら、現像によってスロープ境界周辺部２ｅ上に露出された遮光膜２２の寸法（すなわち、ラインパターンの幅寸法）は、スロープ境界周辺部２ｅ以外のマスクブランク２Ａの表面上に露出された遮光膜２２の寸法よりも小さい。これにより、遮光膜２２の加工によってマスクブランク２Ａに形成されるパターンの寸法を、スロープ境界周辺部２ｅとスロープ境界周辺部２ｅ以外のマスクブランク２Ａの表面との間で揃えることができる。

図９Ｅは、図９Ｄに続く、第１の実施形態によるフォトマスクの製造方法を示す平面図である。遮光膜２２をエッチングした後、図９Ｅに示すように、レジスト膜３を除去する。これにより、パターンの幅が均一なフォトマスク２０Ａが得られる。

次に、第１の実施形態によるテンプレートの製造方法について説明する。なお、図９Ａ～図９Ｅで説明したフォトマスク２０Ａの製造方法と重複する説明は省略することがある。図１０Ａは、第１の実施形態によるテンプレートの製造方法を示す断面図である。テンプレートの製造においては、先ず、図１０Ａに示すように、図２Ｂで説明したテンプレートブランク２Ｂ上にレジスト膜３を形成する。なお、図１０Ａに示される例において、レジスト膜３は、ポジ型である。図１０Ａに示すように、レジスト膜３の厚さは、段差境界周辺部２ｆにおいて薄くなる。なお、レジスト膜３の厚さは、平坦部２ａ上において他の部分よりも厚くなってもよい。この場合、描画データの補正は、平坦部２ａに対応するパターンの幅寸法を平坦部２ａ以外の表面部分に対応するパターンの幅寸法よりも太くすることを含んでもよい。

図１０Ｂは、図１０Ａに続く、第１の実施形態によるテンプレートの製造方法を示す断面図である。レジスト膜３を形成した後、図１０Ｂに示すように、描画装置１の電子照射ユニット６によって、第１の実施形態による描画方法を用いて補正された描画データ１１にしたがってレジスト膜３に電子ビームＥＢを照射する。これにより、電子ビームＥＢが照射された部分のレジスト膜３が露光され、レジスト膜３にパターンが描画される。図１０Ｂに示される例において、段差境界周辺部２ｆ上のレジスト膜３に描画されるラインパターンの幅寸法は、段差境界周辺部２ｆ以外のテンプレートブランク２Ｂの表面上のレジスト膜３に描画されるラインパターンの幅寸法よりも小さい。

図１０Ｃは、図１０Ｂに続く、第１の実施形態によるテンプレートの製造方法を示す平面図である。露光によってパターンが描画されたレジスト膜３をポストベーキングした後、図１０Ｃに示すように、レジスト膜３を現像する。現像によって、露光された部分のレジスト膜３が除去され、レジスト膜３が除去された位置においてパターンに倣った形状でテンプレートブランク２Ｂの表面が露出する。

図１０Ｄは、図１０Ｃに続く、第１の実施形態によるテンプレートの製造方法を示す平面図である。レジスト膜３を現像した後、現像されたレジスト膜３をマスクとして用いてテンプレートブランク２Ｂをエッチング（すなわち、加工）する。

ここで、段差境界周辺部２ｆ上のレジスト膜３の厚さは、段差境界周辺部２ｆ以外のテンプレートブランク２Ｂの表面上のレジスト膜３の厚さよりも薄い。しかしながら、現像によって段差境界周辺部２ｆ上で露出されたテンプレートブランク２Ｂの表面の寸法（すなわち、ラインパターンの幅寸法）は、段差境界周辺部２ｆ上以外で露出されたテンプレートブランク２Ｂの表面の寸法よりも小さい。これにより、テンプレートブランク２Ｂの加工によってテンプレートブランク２Ｂに形成されるパターンの寸法を、段差境界周辺部２ｆと段差境界周辺部２ｆ以外のテンプレートブランク２Ｂの表面との間で揃えることができる。

図１０Ｅは、図１０Ｄに続く、第１の実施形態によるテンプレートの製造方法を示す平面図である。テンプレートブランク２Ｂをエッチングした後、図１０Ｅに示すように、レジスト膜３を除去する。これにより、パターンの幅が均一なテンプレート２０Ｂが得られる。

第１の実施形態によるフォトマスク２０Ａおよびテンプレート２０Ｂの製造方法によれば、第１の実施形態による描画方法を用いて補正された描画データ１１にしたがってレジスト膜３に電子ビームＥＢを照射することができる。これにより、表面の高さが変化するフォトマスク２０Ａおよびテンプレート２０Ｂにパターンを高い寸法精度で形成することができる。高い寸法精度のパターンを有するフォトマスク２０Ａおよびテンプレート２０Ｂを半導体プロセスに適用することで、表面にスロープや段差を有するデバイス基板に正確な寸法のパターンを形成することができ、半導体装置を適切に製造することができる。

上述したように、第１の実施形態によれば、境界周辺部に対応するパターンにおいてパターン寸法差が低減されるようにパターンの描画条件を補正することで、表面の高さが変化する基板にパターンを高い寸法精度で形成することができる。また、第１の実施形態によれば、境界周辺部上のレジスト膜３に描画されるパターンの寸法を補正することで、境界周辺部上のパターン寸法差を確実に低減させることができる。また、第１の実施形態によれば、境界周辺部上のレジスト膜３に描画されるパターンの寸法をパターン寸法差に応じて補正する（例えば、減少させる）ことで、境界周辺部上のパターン寸法差を簡便に低減させることができる。

（第２の実施形態）
次に、電子ビームの照射量を補正することで描画条件を補正する第２の実施形態について説明する。図１１は、第２の実施形態による描画方法の一例を示すフローチャートである。

図３に示すように、第１の実施形態においては、境界周辺部に対応するパターンにおいてパターン寸法差を低減するために、パターンの描画条件の補正として、描画データの補正、すなわち、レジスト膜３に描画されるパターンの寸法の補正を行う。

これに対して、図１１に示すように、第２の実施形態において、計算機４は、パターンの描画条件の補正として、電子ビームＥＢの照射量の補正を行う（ステップＳ４１）。

図１２は、第２の実施形態による描画方法において、図１１のフローチャートに示される照射量の補正工程の一例を示す図である。図１２に示される例において、計算機４は、スロープ境界周辺部２ｅ上のレジスト膜３に照射される電子ビームＥＢのドース量（すなわち、照射量）を補正する。一方、図１２に示される例において、計算機４は、スロープ境界周辺部２ｅ以外のマスクブランク２Ａの表面上のレジスト膜３に照射される電子ビームＥＢのドース量を補正せず、予め設定されたドース量（設計値）に維持する。より詳しくは、スロープ境界周辺部２ｅ上のレジスト膜３に照射される電子ビームＥＢのドース量の補正は、ドース量をパターン寸法差に応じて減少させる補正である。

図１３は、第２の実施形態による描画方法において、照射量の補正方法の一例を説明するための説明図である。補正後のドース量は、例えば、図１３に示す方法で決定することができる。図１３に示される例においては、予め、描画データ１１上の基準パターンＰ０（例えば、ラインパターン）に関して、複数のドース量（ＤＯＳＥ－１、ＤＯＳＥ－２、ＤＯＳＥ－３、・・・）と各ドース量に対応するマスクブランク２ＡへのパターンＰ４の形成結果とを対応付けた補正データを、計算機４または計算機４がデータ読み出し可能な記憶装置に記憶させておく。計算機４は、レジスト膜３に描画されるパターンＰ１の寸法に一致する寸法をスロープ境界周辺部２ｅ上で有するパターンＰ４を、補正データ（すなわち、複数のパターンＰ４の形成結果）の中からから抽出する。そして、計算機４は、抽出されたパターンＰ４に対応するドース量を、スロープ境界周辺部２ｅ上でのドース量すなわち補正後のドース量として決定する。なお、レジスト膜３に描画されるパターンＰ１の寸法に一致する寸法をスロープ境界周辺部２ｅ上で有するパターンＰ４が補正データ中に存在しない場合には、計算機４は、線形補間等の計算によって補正後のドース量を決定してもよい。

なお、図１２および図１３では、スロープ境界周辺部２ｅ上のレジスト膜３に照射される電子ビームＥＢのドース量を補正する例について説明したが、同様の方法によるドース量の補正は、段差境界周辺部２ｆ上のレジスト膜３に照射される電子ビームＥＢに適用することが可能である。

第２の実施形態によれば、境界周辺部上のレジスト膜３に照射される電子ビームＥＢのドース量を補正することで、簡便な手法により、表面の高さが変化する基板にパターンを高い寸法精度で形成することができる。

（第３の実施形態）
次に、近接効果補正を行う第３の実施形態について説明する。図１４は、第３の実施形態による描画方法の一例を示すフローチャートである。

原版（フォトマスク、テンプレート）を製造するために基板２上にパターンを描画する際には、基板２の表面上にレジスト膜３を形成する。そして、基板２の表面上のレジスト膜３に電子ビームＥＢを照射することで、レジスト膜３にパターンを描画する。基板２に照射された電子ビームＥＢは、基板２中で後方散乱する。後方散乱によって生じた後方散乱ビームは、基板２の表面上のレジスト膜３を再露光する。レジスト膜３の再露光によって、パターンの寸法が設計値から変動する近接効果が生じる。具体的には、パターン密度が高い箇所では、周辺からの後方散乱によるレジスト膜３の再露光量が大きくなるため、パターンの寸法が設計値よりも大きくなる。一方、パターン密度が低い箇所では、再露光量が少ないためパターンの寸法が設計値よりも小さくなる。パターンの寸法精度を確保するためには、近接効果を補正することが望ましい。近接効果の補正においては、後方散乱ビームのエネルギー分布に基づいて、電子ビームＥＢの照射量を制御する。後方散乱ビームのエネルギー分布としては、ガウシアン分布が用いられることが多い。しかるに、図２Ａ～図２Ｃに示される基板２Ａ～２Ｃのように、表面に段差やスロープが存在する基板２上にパターンを描画する場合、後方散乱ビームのエネルギー分布が一様でなくなる。すなわち、平坦部と、スロープ部と、段差部との間で、後方散乱ビームのエネルギー分布は異なる。この場合、後方散乱ビームのエネルギー分布として常にガウシアン分布を用いると、近接効果を適切に補正することができない。これに対して、第３の実施形態による描画装置１は、基板２の表面形状にかかわらず近接効果を適切に補正するように構成されている。

具体的には、計算機４は、外部から描画データ１１および高さ関連データ１２を取得した後、取得された高さ関連データ１２に基づいて、基板２の表面の高さの変化量に応じた後方散乱ビームのエネルギー分布を算出する（ステップＳ５）。すなわち、計算機４は、平坦部２ａ，２ｃ、スロープ部２ｂおよび段差部２ｄのそれぞれに応じた異なるエネルギー分布を算出する。

以下、スロープ部２ｂに応じた後方散乱ビームのエネルギー分布の算出について具体的な例を挙げて説明する。図１５は、第３の実施形態による描画方法において、図１４のフローチャートに示される後方散乱ビームのエネルギー分布の算出工程の一例を説明するための説明図である。図１５には、スロープ部２ｂに照射された１ショットの電子ビームＥＢが基板２中で後方散乱する領域Ｂと、後方散乱で生じた後方散乱ビームのエネルギー分布Ｄとが、断面図および平面図として示されている。また、図１５には、スロープ部２ｂとの比較として、平坦部に照射された１ショットの電子ビームＥＢが基板２中で後方散乱する領域Ａと、後方散乱で生じた後方散乱ビームのエネルギー分布Ｃとが示されている。図１５に示される例において、平坦部にける後方散乱ビームのエネルギー分布Ｃはガウシアン分布である。これに対して、図１５に示すように、スロープ部２ｂにおける後方散乱ビームのエネルギー分布Ｄは、ガウシアン分布Ｃとは異なる分布として算出される。より具体的には、図１５に示される例において、スロープ部２ｂにおける後方散乱ビームのエネルギー分布Ｄは、ガウシアン分布Ｃに対してエネルギー量のピークがスロープ部の傾斜向きｄ２側にずれた分布として算出される。

図１６は、第３の実施形態による描画方法において、図１５よりも詳細に後方散乱ビームのエネルギー分布の算出工程の一例を説明するための説明図である。図１６に示される例において、描画データ１１は、スロープ部２ｂに対応するデータである。エネルギー分布の算出工程（ステップＳ５）において、計算機４は、先ず、図１６に示すように、描画データ１１を複数のメッシュＭに分割したうえで、スロープ部２ｂに対応する各メッシュＭにおけるパターン面積率を算出する（ステップＳ５１）。パターン面積率は、個々のメッシュＭ毎にメッシュＭの面積に対するパターンＰ１の面積の比を示した０以上１以下の数値である。図１６に示すように、パターンＰ１が占める領域が大きいメッシュＭほど、パターン面積率は大きい。

図１７は、第３の実施形態による描画方法において、図１６に続く、後方散乱ビームのエネルギー分布の算出工程の一例を説明するための説明図である。パターン面積率を算出した後、図１７に示すように、計算機４は、スロープ部２ｂに対応する各メッシュＭにおける後方散乱ビームのエネルギー分布を算出する（ステップＳ５２）。言い換えれば、計算機４は、各メッシュＭのそれぞれに対応するスロープ部上の領域に各メッシュＭのそれぞれに含まれるパターンＰ１に応じた電子ビームＥＢを照射した場合に生じる後方散乱ビームのエネルギー分布を算出する。各メッシュＭにおける後方散乱ビームのエネルギー分布の算出は、例えば、スロープ部２ｂを対象とした後方散乱ビームのエネルギー分布のモンテカルロシミュレーションに基づいて得られた関数または当該関数を近似（すなわち単純化）した関数にしたがう。各メッシュＭにおける後方散乱ビームのエネルギー分布の算出は、実験結果に基づいて得られたメッシュＭ毎のエネルギー量を示すテーブルに基づいて行ってもよい。

図１７は、着目されるメッシュＭ１～Ｍ３のそれぞれに含まれるパターンＰ１にしたがって各メッシュＭ１～Ｍ３のそれぞれに対応するスロープ部２ｂ上の領域に照射される電子ビームＥＢによって生じる後方散乱ビームのエネルギー分布を示している。図１７において各メッシュＭ１～Ｍ３，Ｍに記述された数値は、各メッシュＭ１～Ｍ３，Ｍに対応する後方散乱ビームのエネルギー量を示している。より具体的には、図１７において各メッシュＭ１～Ｍ３，Ｍに記述されたエネルギー量は、最大値を１に換算した値である。なお、図１７においては、着目されるメッシュＭ１～Ｍ３のエネルギー量が各メッシュＭ１～Ｍ３のそれぞれに対応するパターン面積率（図１６参照）と一致している。図１７において、各メッシュＭ１～Ｍ３，Ｍは、後方散乱ビームのエネルギー量の大きさに概ねしたがった密度のドットで塗りつぶされている。また、図１７には、各メッシュＭ１～Ｍ３，Ｍのそれぞれに対応するスロープ部２ｂ上の領域の高さを表すために、スロープ部２ｂが模式的に示されている。図１７に示すように、パターンＰ１が含まれない、すなわちパターン面積率が０のメッシュＭ１であって、パターンＰ１が含まれるメッシュＭ２，Ｍ３から離れたメッシュＭ１においては、エネルギー量が０となる。何故ならば、メッシュＭ１は、自らのパターンＰ１にしたがって照射される電子ビームＥＢによる後方散乱を生じさせないだけでなく、他のメッシュ内のパターンＰ１にしたがって照射される電子ビームＥＢによる後方散乱の影響も受けないからである。一方、パターン面積率が０．３のメッシュＭ２においては、メッシュＭ２に含まれるパターンＰ１にしたがって照射される電子ビームＥＢによって生じる後方散乱ビームにより、メッシュＭ２およびその周囲のメッシュＭにわたるエネルギー分布が算出される。これは、メッシュＭ２のパターンＰ１にしたがった電子ビームＥＢの後方散乱が、メッシュＭ２だけでなく周囲のメッシュＭにも影響を及ぼすことによる。パターン面積率が最大値１のメッシュＭ３においては、メッシュＭ３に含まれるパターンＰ１にしたがって照射される電子ビームＥＢによって生じる後方散乱ビームにより、さらに広範囲のメッシュＭ３，Ｍにわたるエネルギー分布が算出される。図１７に示すように、スロープ部２ｂにおける後方散乱ビームのエネルギー分布は、着目されるメッシュＭ２，Ｍ３を中心とした等方的な分布ではなく、スロープ部の傾斜向きｄ２側に偏在する異方性をもった分布である。

スロープ部２ｂに応じた後方散乱ビームのエネルギー分布の具体的な算出方法について述べたが、平坦部に応じた後方散乱ビームのエネルギー分布としては、既述したガウス分布を算出することができる。段差部２ｄに応じた後方散乱ビームのエネルギー分布は、スロープ部２ｂと同様の手法により、例えば、段差部２ｄを対象とした後方散乱ビームのエネルギー分布のモンテカルロシミュレーションに基づいて得られた関数または当該関数を近似（すなわち単純化）した関数にしたがって算出することができる。

後方散乱ビームのエネルギー分布を算出した後、図１４に示すように、計算機４は、積算エネルギー分布を算出する（ステップＳ６）。積算エネルギー分布は、算出されたメッシュ毎のエネルギー分布を積算した分布である。図１８は、第３の実施形態による描画方法において、図１４のフローチャートに示される積算エネルギー分布の算出工程の一例を説明するための説明図である。図１６および図１７に示される描画データ１１からは、図１８に示される積算エネルギー分布が算出される。ただし、図１８において各メッシュに記述されている積算エネルギー量は、最大値を１として換算した値である。

積算エネルギー分布を算出した後、図１４に示すように、計算機４は、算出された積算エネルギー分布に基づいて必要エネルギー量を算出する（ステップＳ７）。図１９は、図１４のフローチャートに示される必要エネルギー量の算出工程の一例を説明するための説明図である。図１９においては、ショット毎にスロープ部２ｂにおける必要エネルギー量（μＣ）を算出している。なお、図１９には、説明の便宜上、ショット毎の必要エネルギー量に対応するパターンＰ１が示されている。パターンＰ１が描画される基板２上のレジスト膜３は、電子ビームＥＢだけでなく、後方散乱ビームによっても露光される。すなわち、レジスト膜３には、電子ビームＥＢの照射エネルギーだけでなく後方散乱ビームのエネルギーも付与される。このため、必要エネルギー量は、後方散乱ビームのエネルギー量を加味して算出することが求められる。そこで、図１９に示すように、計算機４は、先ず、積算エネルギー分布にしたがった積算エネルギー量が加算されたショット毎の電子ビームＥＢの照射エネルギー量を定義する。定義された照射エネルギー量は、近接効果補正のための調整が未だなされていない調整前の照射エネルギー量である。

次いで、計算機４は、調整前の照射エネルギー量の最大値に対して所定の割合（例えば５０％）のエネルギー量を閾値として設定する。そして、計算機４は、閾値においてショット毎の照射エネルギー量の分布幅（図１９における横幅）が揃うように、ショット毎の照射エネルギー量を調整する。調整後の照射エネルギー量が、必要エネルギー量として算出される。算出された必要エネルギー量は、制御装置５において電子ビームＥＢの照射量の調整に用いられる。このようにして、近接効果が補正される。近接効果を補正しない場合、図１９に破線部で示されるパターンＰ２のように、設計データ上で幅が等しい隣り合う複数のパターンＰ２が、異なる幅のパターンとして描画されてしまう。一方、第３の実施形態にしたがって近接効果を補正する場合、図１９に実線部で示されるパターンＰ１のように、設計データ上で幅が等しい隣り合う複数のパターンＰ１を、同じ幅のパターンＰ１として適切に描画することができる。

第３の実施形態によれば、境界周辺部に対応するパターンにおいてパターン寸法差が低減されるように描画データ１１を補正することに加えて、近接効果を補正することができる。これにより、表面の高さが変化する基板にパターンをより高い寸法精度で形成することができる。

（第４の実施形態）
図２０は、第４の実施形態による描画方法の一例を示すフローチャートである。第３の実施形態では、境界周辺部に対応するパターンにおいてパターン寸法差が低減されるように描画データ１１を補正することに加えて、近接効果を補正する描画方法の例について説明した。

これに対して、図２０に示すように、近接効果の補正は、境界周辺部に対応するパターンにおいてパターン寸法差が低減されるように照射量を補正することに加えて行ってもよい。第４の実施形態においても、高さが変化する基板にパターンをより高い寸法精度で形成することができる。

図１Ａおよび図１Ｂに示される計算機４の少なくとも一部は、ハードウェアで構成してもよいし、ソフトウェアで構成してもよい。ソフトウェアで構成する場合には、計算機４の少なくとも一部の機能を実現するプログラムをフレキシブルディスクやＣＤ－ＲＯＭ等の記録媒体に収納し、コンピュータに読み込ませて実行させてもよい。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の着脱可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でもよい。また、計算機４の少なくとも一部の機能を実現するプログラムを、インターネット等の通信回線（無線通信も含む）を介して頒布してもよい。さらに、同プログラムを暗号化したり、変調をかけたり、圧縮した状態で、インターネット等の有線回線や無線回線を介して、あるいは記録媒体に収納して頒布してもよい。

以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例としてのみ提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図したものではない。本明細書で説明した新規な装置および方法は、その他の様々な形態で実施することができる。また、本明細書で説明した装置および方法の形態に対し、発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の省略、置換、変更を行うことができる。添付の特許請求の範囲およびこれに均等な範囲は、発明の範囲や要旨に含まれるこのような形態や変形例を含むように意図されている。

１：描画装置、２：基板、３：レジスト膜、４：計算機、６：電子照射ユニット、１１：描画データ、１２：高さ関連データ、１３：寸法差データ

Claims (15)

1. 外部から入力された描画情報と、外部から入力された高さ情報と、外部から入力された寸法差情報とに基づいて、基板の表面上のレジスト膜に描画されるパターンの描画条件を補正することを含み、
   前記描画情報は、電子ビームの照射によって前記レジスト膜に前記パターンを描画するための情報であり、
   前記高さ情報は、前記電子ビームの照射方向において異なる高さを有する前記基板の表面の高さに関する情報であり、
   前記寸法差情報は、前記描画情報に示されるパターンの寸法と、パターンの描画および現像が行われたレジスト膜をマスクとした前記基板の加工によって前記基板に形成されるパターンの寸法との差に関する情報であり、
   前記描画条件の補正は、前記基板の表面の対象部分に対応するパターンにおいて前記差が低減されるように行われる、描画方法。
2. 前記描画条件の補正は、前記対象部分上の前記レジスト膜に描画されるパターンの寸法の補正を含む、請求項１に記載の描画方法。
3. 前記パターンの寸法の補正は、前記対象部分上のレジスト膜に描画されるパターンの寸法を前記差に応じて減少させること、および、前記対象部分上のレジスト膜に描画されるパターンの寸法を前記差に応じて増加させることの少なくとも一方を含む、請求項２に記載の描画方法。
4. 前記パターンの寸法の補正は、前記対象部分上のレジスト膜に描画されるパターンを示す前記描画情報の補正を含む、請求項２に記載の描画方法。
5. 前記描画条件の補正は、前記対象部分上の前記レジスト膜に照射される前記電子ビームの照射量の補正を含む、請求項１に記載の描画方法。
6. 前記照射量の補正は、前記対象部分上のレジスト膜にパターンを描画するときの照射量を前記差に応じて減少させること、および、前記対象部分上のレジスト膜にパターンを描画するときの照射量を前記差に応じて増加させることの少なくとも一方を含む、請求項５に記載の描画方法。
7. 前記対象部分は、前記高さの変化が大きい前記基板の表面の第１部分と前記高さの変化が小さい前記基板の表面の第２部分との境界を含む前記基板の第３部分を含む、請求項１に記載の描画方法。
8. 前記第１部分は、スロープ部であり、
   前記第２部分は、前記スロープ部につながる平坦部であり、
   前記第３部分は、前記スロープ部のうちの前記平坦部側の第４部分と、前記平坦部のうちの前記スロープ部側の第５部分とを含む、請求項７に記載の描画方法。
9. 前記第１部分は、段差部であり、
   前記第２部分は、前記段差部につながる平坦部であり、
   前記第３部分は、前記平坦部のうちの前記段差部側の第６部分を含む、請求項７に記載の描画方法。
10. 前記対象部分は、スロープ部の少なくとも一部と、段差部の少なくとも一部との少なくとも一方を含む、請求項１に記載の描画方法。
11. 前記対象部分は、スロープ部の下端につながる第１平坦部、および、段差部の下端につながる第２平坦部の少なくとも一方を含む、請求項１に記載の描画方法。
12. 外部から入力された描画情報と、外部から入力された高さ情報と、外部から入力された寸法差情報とに基づいて、基板の表面上のレジスト膜に描画されるパターンの描画条件を補正し、
    補正された描画条件にしたがって、電子ビームの照射によって前記レジスト膜に前記パターンを描画し、
    前記パターンが描画された前記レジスト膜を現像し、
    前記現像されたレジスト膜をマスクとして前記基板を加工する、
    ことを含み、
    前記描画情報は、前記電子ビームの照射によって前記レジスト膜に前記パターンを描画するための情報であり、
    前記高さ情報は、前記電子ビームの照射方向において異なる高さを有する前記基板の表面の高さに関する情報であり、
    前記寸法差情報は、前記描画情報に示されるパターンの寸法と、パターンの描画および現像が行われたレジスト膜をマスクとした前記基板の加工によって前記基板に形成されるパターンの寸法との差に関する情報であり、
    前記描画条件の補正は、前記基板の表面の対象部分に対応するパターンにおいて前記差が低減されるように行われる、原版製造方法。
13. 前記原版は、フォトマスクである、請求項１２に記載の原版製造方法。
14. 前記原版は、ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートである、請求項１２に記載の原版製造方法。
15. 外部から入力された描画情報と、外部から入力された高さ情報と、外部から入力された寸法差情報とに基づいて、基板の表面上のレジスト膜に描画されるパターンの描画条件を補正する補正部と、
    補正された描画条件にしたがって、電子ビームの照射によって前記レジスト膜に前記パターンを描画する描画部と、を備え、
    前記描画情報は、前記電子ビームの照射によって前記レジスト膜に前記パターンを描画するための情報であり、
    前記高さ情報は、前記電子ビームの照射方向において異なる高さを有する前記基板の表面の高さに関する情報であり、
    前記寸法差情報は、前記描画情報に示されるパターンの寸法と、パターンの描画および現像が行われたレジスト膜をマスクとした前記基板の加工によって前記基板に形成されるパターンの寸法との差に関する情報であり、
    前記描画条件の補正は、前記基板の表面の対象部分に対応するパターンにおいて前記差が低減されるように行われる、描画装置。

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