JP2023087192A - 半導体装置および電力変換装置 - Google Patents

半導体装置および電力変換装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2023087192A
JP2023087192A JP2021201431A JP2021201431A JP2023087192A JP 2023087192 A JP2023087192 A JP 2023087192A JP 2021201431 A JP2021201431 A JP 2021201431A JP 2021201431 A JP2021201431 A JP 2021201431A JP 2023087192 A JP2023087192 A JP 2023087192A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
electrode
field
limiting layer
field plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021201431A
Other languages
English (en)
Inventor
正樹 白石
Masaki Shiraishi
大助 川瀬
Daisuke Kawase
哲男 織田
Tetsuo Oda
智康 古川
Tomoyasu Furukawa
豊 加藤
Yutaka Kato
翼 森塚
Tsubasa MORITSUKA
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Power Semiconductor Device Ltd
Original Assignee
Hitachi Power Semiconductor Device Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Power Semiconductor Device Ltd filed Critical Hitachi Power Semiconductor Device Ltd
Priority to JP2021201431A priority Critical patent/JP2023087192A/ja
Priority to TW111141347A priority patent/TWI838936B/zh
Priority to CN202280051169.2A priority patent/CN117813693A/zh
Priority to PCT/JP2022/042064 priority patent/WO2023112570A1/ja
Publication of JP2023087192A publication Critical patent/JP2023087192A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/868—PIN diodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】従来よりも高温高湿バイアス耐性を高め、かつ、フィールドリミッティング層とフィールドプレートとの良好な接続も実現する半導体装置およびそれを用いた電力変換装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、ターミネーション領域に設けられたフローティングのフィールドリミッティング層１０２と、フィールドリミッティング層１０２に電気的に接続されたフィールドプレート１０５と、を備え、フィールドプレート１０５はポリシリコンにより形成され、フィールドプレート１０５とフィールドリミッティング層１０２はＡｌ電極１０８を介して接続されており、フィールドリミッティング層１０２とＡｌ電極１０８との接続と、フィールドプレート１０５とＡｌ電極１０８との接続は、異なるコンタクト１０９，１１０で接続されていることを特徴とする。【選択図】図２

Description

本発明は、半導体装置および電力変換装置に関する。
パワー半導体は、様々な過酷な環境で使用されるため、多くの信頼性評価項目を満たす必要がある。信頼性評価項目の１つとして高温高湿バイアス耐性がある。パワー半導体には、電流を流すアクティブ領域と耐圧を保持するためのターミネーション領域がある。ターミネーション領域は、耐圧を保持するためにｐ型のフィールドリミッティング層（ｎ型構造の場合）と、フィールドリミッティング層に接続されたフローティングのフィールドプレート（アルミニウム（Ａｌ）電極）を有している。
従来のパワー半導体においては、高温高湿環境にて、ターミネーション領域に水分が侵入した状態で、フィールドプレートであるＡｌ電極間に電圧が印加されることで、Ａｌ電極が腐食・融解し耐圧保持ができなくなったり、リーク電流が増大するといった課題があった。
ターミネーション領域のフィールドプレートをＡｌ以外の材料で構成する技術として、例えば特許文献１がある。特許文献１には、フィールドプレート（１１５）をＡｌより高抵抗のポリシリコンで形成することが示されている。特許文献１は、本発明の目的である高温高湿バイアス耐性を向上させるためではなく、フィールドプレートに流れる電流によるＡｌのマイグレーションを防ぐことを目的としている。
また、特許文献１には、ｐ型のフィールドリミッティング層（１１４）とフィールドプレート（１１５）を電気的に接続するため、ポリシリコンのフィールドプレート（１１５）をフィールドリミッティング層（１１４）と直接接続する構造（図１）と、直接接続せずにアルミコンタクト電極（４０１）のコンタクト（４０２）を介してフィールドリミッティング層（１１４）とフィールドプレート（１１５）とを接続する構造（図４、図５）とが示されている。また、特許文献１には、ゲート酸化膜（１０８）を介してフィールドプレート（１１５）とフィールドリミッティング層（１１４）とで容量を形成する構造（図７）が示されている。
特開２００３－１５８２５８号公報
上述した特許文献１において、本発明者はフィールドリミッティング層とフィールドプレートとの接続構造に関して以下の課題点があると考えた。Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＩＧＢＴ）等のスイッチングデバイスにおいては、ポリシリコンはゲート電極の材料として用いられるため、通常ポリシリコンとＳｉの間には、ゲート酸化膜が存在し、ポリシリコンとフィールドリミッティング層を直接接続するためには、ゲート酸化膜を含むフィールド酸化膜を加工するために、フォトリソグラフィーおよびエッチング工程を含むパターニングを別途追加する必要がある。
また、アルミコンタクト電極を介してフィールドリミッティング層とポリシリコンのフィールドプレートを接続する構造の場合、アルミコンタクト電極とポリシリコンが、特許文献１の図５のように、ポリシリコンの側壁や上部のわずかな一部でコンタクトをとることになるため、コンタクト抵抗が高くなる。特許文献１では、コンタクト抵抗が高くなることで、Ａｌのマイグレーションが更に抑制できるとしているが、本発明においては、フィールドリミッティング層とポリシリコンの接合抵抗を高くする必要はなく、確実にコンタクトをとることを目的とするため、本発明においては、上記の接続方法は好適ではない。
また、容量結合も上記と同様で、高抵抗（高インピーダンス）となり、本発明においては好適な接続方法ではない。
さらに、特許文献１では、フィールドリミッティング層が１つの構造のみを開示しており、フィールドリミッティング層が複数ある場合に関する検討はなされていない。また、チップ内でのアルミコンタクト電極の配置に関する検討もなされてはいない。
本発明は、上記事情に鑑み、従来よりも高温高湿バイアス耐性を高め、かつ、フィールドリミッティング層とフィールドプレートとの良好な接続も実現する半導体装置およびそれを用いた電力変換装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するための本発明の半導体装置一態様は、ターミネーション領域に設けられたフローティングのフィールドリミッティング層と、フィールドリミッティング層に電気的に接続されたフィールドプレートと、を備える半導体装置において、フィールドプレートはポリシリコンにより形成され、フィールドプレートとフィールドリミッティング層はＡｌ電極を介して接続されており、フィールドリミッティング層とＡｌ電極との接続と、フィールドプレートとＡｌ電極との接続は、異なるコンタクトで接続されていることを特徴とする。
また、本発明の電力変換装置の一態様は、一対の直流端子と、交流出力の相数と同数の交流端子と、一対の直流端子間に接続され、スイッチング素子とスイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとで構成された並列回路が２個直列に接続された、交流出力の相数と同数のスイッチングレッグと、スイッチング素子を制御するゲート回路と、を有する電力変換装置であって、スイッチング素子およびダイオードの少なくとも一方は、上記半導体装置であることを特徴とする。
本発明のより具体的な構成は、特許請求の範囲に記載される。
本発明によれば、従来よりも高温高湿バイアス耐性を高め、かつ、フィールドリミッティング層とフィールドプレートとの良好な接続も実現する半導体装置およびそれを用いた電力変換装置を提供できる。
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
本発明の半導体装置の上面図 図１の部分拡大図とその断面図 本発明の電力変換装置の概略構成を示す回路図
以下、本発明の実施例を、図面を用いて詳細に説明する。
図１は本発明の半導体装置の上面図であり、図２は図１の部分拡大図とその断面図である。図２の上図は図１のＡｌ電極群１１３の拡大図であり、図２の下図は図２の上図のＡ－Ａ´線断面図である。図１に示すように、本実施例の半導体装置１１２は、中央のアクティブ領域に設けられたアノード電極１０６と、アクティブ領域の外周に設けられたターミネーション領域に、ポリシリコンフィールドプレート１０５およびＡｌ電極１０８を有する。ターミネーション領域の外周には、ガードリング１０７が設けられている。なお、本実施例においては、ダイオードに適用した実施例を説明しているが、これに限定されるものではなく、ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴなどのスイッチング素子に適用してもよい。
ターミネーション領域は、図２に示すように、ｎ－層基板１００の表面に、耐圧を保持するために、アノード電極１０６に接続されたｐ型ウェル層１０１と、複数のフローティングのｐ型のフィールドリミッティング層１０２と、チップ端部に形成されたｎ＋のチャネルストッパ層１０３が設けられている。アクティブ領域からｐ型ウェル層１０１が延伸し、アノード電極１０６に接続されている。チャネルストッパ層１０３は、ガードリング電極１０７に接続されている。なお、導電型（ｎ，ｐ）は反転しても良い。図２では、フィールドリミッティング層１０２が４つある場合を示しているが、フィールドリミッティング層１０２の数は少なくとも１つあれば良く、数は限られない。
ターミネーション領域中のフィールドリミッティング層１０２は、Ａｌ電極１０８を介して、ポリシリコンフィールドプレート１０５と電気的に接続されている。ここで、高温高湿バイアス耐性を確保するため、Ａｌ電極１０８はポリシリコンフィールドプレート１０５の一部のみに設けられている。本実施例では、Ａｌ電極１０８とフィールドリミッティング層１０２とを接続するためのコンタクト１１０と、Ａｌ電極１０８とポリシリコンフィールドプレート１０５とを接続するためのコンタクト１０９を別に設けている。すなわち、層間膜１０４ａにはＡｌ電極１０８とフィールドプレート１０５とを接続するためのコンタクトホール１１４が設けられてコンタクト１０９を構成し、層間膜１０４ａおよび層間膜１０４ｂにはＡｌ電極１０８とフィールドリミッティング層とを接続するためのコンタクトホール１１５が設けられてコンタクト１１０を構成している。なお、図２では１つのＡｌ電極１０８と１つのポリシリコンフィールドプレート１０５とのコンタクトが１つであるが、コンタクトの数は１つ以上あれば良く、複数あっても良い。同様に、Ａｌ電極１０８と１つのフィールドリミッティング層１０２とのコンタクトが１つであるが、コンタクトの数は１つ以上あれば良く、複数あっても良い。
Ａｌ電極１０８とフィールドリミッティング層１０２層とを確実に接続するために、コンタクト１１０の周りは、ポリシリコンフィールドプレート１０５を設けないように、ポリシリコンの抜き領域１１１が設けられている。
また、図２の上図に示すように、Ａｌ電極群は、隣り合うＡｌ電極１０８が一直線上に配置されないよう、互い違いに配置されている。このような構成とすることで、隣接するＡｌ電極間距離を大きく確保し、電位差によりＡｌ電極１０８が腐食・融解するのを防止できる。
本構造によれば、高温高湿バイアス耐性を向上するために、Ａｌ電極のフィールドプレートの替りにポリシリコンのフィールドプレートを設けることでＡｌ電極の腐食・融解を避けることができる。また、フィールドリミッティング層とポリシリコンフィールドプレートとを電気的に接続するためにＡｌ電極を用いるが、フィールドリミッティング層とＡｌ電極との接続と、フィールドプレートとＡｌ電極との接続を、異なるコンタクトで接続することで、ポリシリコンフィールドプレートの側壁以外で確実にコンタクトしてコンタクト抵抗を抑えることができるので、良好な接続を実現できる。さらに、Ａｌ電極の面積は極力小さくし、かつＡｌ電極領域を互い違いに配置することでＡｌ電極間にかかる電界を緩和し、高温高湿バイアス耐性を確保できる。
続いて、上述した本発明の半導体装置を用いた電力変換装置について説明する。
図３は本発明の電力変換装置の概略構成を示す回路図である。図３は、本実施形態の電力変換装置５００の回路構成の一例と直流電源と三相交流モータ（交流負荷）との接続の関係を示す。
本実施形態の電力変換装置５００では、上述した本発明の半導体装置を、電力スイッチング素子５０１～５０６およびダイオード５２１～５２６のいずれかまたは全部として用いている。電力スイッチング素子５０１～５０６は、例えばＩＧＢＴであり、素子５２１～５２６はダイオードである。
図３に示すように、本実施形態の電力変換装置５００は、一対の直流端子であるＰ端子５３１、Ｎ端子５３２と、交流出力の相数と同数の交流端子であるＵ端子５３３、Ｖ端子５３４、Ｗ端子５３５とを備えている。
また、一対の電力スイッチング素子５０１および５０２の直列接続からなり、その直列接続点に接続されるＵ端子５３３を出力とするスイッチングレッグを備える。また、それと同じ構成の電力スイッチング素子５０３および５０４の直列接続からなり、その直列接続点に接続されるＶ端子５３４を出力とするスイッチングレッグを備える。また、それと同じ構成の電力スイッチング素子５０５および５０６の直列接続からなり、その直列接続点に接続されるＷ端子５３５を出力とするスイッチングレッグを備える。
電力スイッチング素子５０１～５０６からなる３相分のスイッチングレッグは、Ｐ端子５３１、Ｎ端子５３２の直流端子間に接続されて、図示しない直流電源から直流電力が供給される。電力変換装置５００の３相の交流端子であるＵ端子５３３、Ｖ端子５３４、Ｗ端子５３５は図示しない三相交流モータに三相交流電源として接続されている。
電力スイッチング素子５０１と、電力スイッチング素子５０１に逆並列に接続されたダイオード５２１とが並列回路を構成するように接続されている。同様に、電力スイッチング素子５０２とダイオード５２２、電力スイッチング素子５０３とダイオード５２３、電力スイッチング素子５０４とダイオード５２４、電力スイッチング素子５０５とダイオード５２５および電力スイッチング素子５０６とダイオード５２６とが並列回路を構成するように接続されている。電力スイッチング素子５０１を含む並列回路と電力スイッチング素子５０２を含む並列回路とが直列に接続されている。同様に、電力スイッチング素子５０３を含む並列回路と電力スイッチング素子５０４を含む並列回路とが直列に接続されており、電力スイッチング素子５０５を含む並列回路と電力スイッチング素子５０６を含む並列回路とが直列に接続されている。
ＩＧＢＴからなる電力スイッチング素子５０１～５０６のそれぞれのゲートの入力端子には、ゲート回路５１１～５１６が接続されており、電力スイッチング素子５０１～５０６はゲート回路５１１～５１６によりそれぞれ制御される。なお、ゲート回路５１１～５１６は統括制御回路（図示せず）によって統括的に制御されている。
ゲート回路５１１～５１６によって、電力スイッチング素子５０１～５０６を統括的に適切に制御して、直流電源の直流電力は、三相交流電力に変換され、Ｕ端子５３３、Ｖ端子５３４、Ｗ端子５３５から出力される。
上述した本発明の半導体装置を電力変換装置５００に適用することで、従来よりも高温高湿バイアス耐性を高め、かつ、フィールドリミッティング層とフィールドプレートとの良好な接続も実現する電力変換装置を提供することができる。
以上、説明したように、本発明によれば、従来よりも高温高湿バイアス耐性を高め、かつ、フィールドリミッティング層とフィールドプレートとの良好な接続も実現する半導体装置およびそれを用いた電力変換装置を提供できることが示された。
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
１００…ｎ－層、１０１…ｐ型ウェル層（主接合）、１０２…フィールドリミッティング層（フローティング層）、１０３…チャネルストッパ層、１０４ａ，１０４ｂ…層間膜、１０５…ポリシリコンフィールドプレート、１０６…アノード電極、１０７…ガードリング電極、１０８…Ａｌ電極、１０９…コンタクト（Ａｌ電極とポリシリコンフィールドプレートを接続）、１１０…コンタクト（Ａｌ電極とフィールドリミッティング層を接続）、１１１…ポリシリコンの抜き領域、１１２…半導体装置、１１３…Ａｌ電極群、５００…電力変換装置、５０１～５０６…電力スイッチング素子、５１１～５１６…ゲート回路、５２１～５２６…ダイオード、５３１…Ｐ端子、５３２…Ｎ端子、５３３…Ｕ端子、５３４…Ｖ端子、５３５…Ｗ端子。

Claims (4)

  1. ターミネーション領域に設けられたフローティングのフィールドリミッティング層と、前記フィールドリミッティング層に電気的に接続されたフィールドプレートと、を備える半導体装置において、
    前記フィールドプレートはポリシリコンにより形成され、
    前記フィールドプレートと前記フィールドリミッティング層はＡｌ電極を介して接続されており、
    前記フィールドリミッティング層と前記Ａｌ電極との接続と、前記フィールドプレートと前記Ａｌ電極との接続は、異なるコンタクトで接続されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項１に記載の半導体装置において、
    前記フィールドリミッティング層、前記フィールドプレートおよび前記Ａｌ電極はそれぞれ複数配置され、
    複数の前記Ａｌ電極は、前記半導体装置の上面をみたときに、隣り合う前記Ａｌ電極が一直線上に並ばないように互い違いに配置されている電極群を構成することを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項２に記載の半導体装置において、
    互い違いに配置された複数の前記Ａｌ電極の電極群が複数配置されていることを特徴とする半導体装置。
  4. 一対の直流端子と、
    交流出力の相数と同数の交流端子と、
    前記一対の直流端子間に接続され、スイッチング素子と前記スイッチング素子に逆並列に接続されたダイオードとで構成された並列回路が２個直列に接続された、交流出力の相数と同数のスイッチングレッグと、
    前記スイッチング素子を制御するゲート回路と、を有する電力変換装置であって、
    前記スイッチング素子および前記ダイオードの少なくとも一方は、請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置であることを特徴とする電力変換装置。
JP2021201431A 2021-12-13 2021-12-13 半導体装置および電力変換装置 Pending JP2023087192A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021201431A JP2023087192A (ja) 2021-12-13 2021-12-13 半導体装置および電力変換装置
TW111141347A TWI838936B (zh) 2021-12-13 2022-10-31 半導體裝置及電力轉換裝置
CN202280051169.2A CN117813693A (zh) 2021-12-13 2022-11-11 半导体器件和功率转换装置
PCT/JP2022/042064 WO2023112570A1 (ja) 2021-12-13 2022-11-11 半導体装置および電力変換装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021201431A JP2023087192A (ja) 2021-12-13 2021-12-13 半導体装置および電力変換装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023087192A true JP2023087192A (ja) 2023-06-23

Family

ID=86774088

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021201431A Pending JP2023087192A (ja) 2021-12-13 2021-12-13 半導体装置および電力変換装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2023087192A (ja)
CN (1) CN117813693A (ja)
WO (1) WO2023112570A1 (ja)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9548352B2 (en) * 2011-07-19 2017-01-17 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Semiconductor device with field threshold MOSFET for high voltage termination
DE112012006068B8 (de) * 2012-03-22 2020-03-19 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Halbleitervorrichtung
JP6322130B2 (ja) * 2014-12-24 2018-05-09 株式会社日立製作所 半導体装置、その製造方法、それを用いた電力変換装置
DE102017123285A1 (de) * 2017-10-06 2019-04-11 Infineon Technologies Austria Ag Hochspannungsabschlussstruktur einer Leistungshalbleitervorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023112570A1 (ja) 2023-06-22
TW202339261A (zh) 2023-10-01
CN117813693A (zh) 2024-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2015121899A1 (ja) 電力用半導体モジュール
US20110215746A1 (en) Semiconductor device
US7808070B2 (en) Power semiconductor component
JP2973588B2 (ja) Ｍｏｓ型半導体装置
JP2007522677A (ja) 集積型ｉｉｉ族−窒化物電力デバイス
JP2018032871A (ja) 集積回路のためのモノリシックセルおよび特にモノリシック転流セル
JP2016162855A (ja) 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置
US10109549B2 (en) Semiconductor device and power conversion device using same
CN101223644B (zh) 半导体装置
US8269304B2 (en) MOS gate power semiconductor device with anode of protection diode connected to collector electrode
JP6295012B2 (ja) 半導体装置および電力変換装置
JP2020047656A (ja) 半導体ユニット、半導体モジュール及び半導体装置
KR101060127B1 (ko) 모스 게이트 전력 반도체 소자
US9654027B2 (en) Semiconductor device and power converter using the same
WO2023112570A1 (ja) 半導体装置および電力変換装置
TWI838936B (zh) 半導體裝置及電力轉換裝置
WO2018066496A1 (ja) パワーモジュールおよび電力変換装置
JP2023074722A (ja) 半導体装置および電力変換装置
CN111509996B (zh) 半导体装置
US10121783B2 (en) Semiconductor integrated circuit and semiconductor module
JP2020099039A (ja) 双方向スイッチ
US20230170292A1 (en) Semiconductor device
US20230092229A1 (en) Semiconductor device
JP2008054495A (ja) 電流印加されたパワー回路のための低インダクタンスのパワー半導体モジュール
WO1996029744A1 (fr) Semi-conducteur plan, son procede de fabrication et convertisseur de puissance