JP2023081312A - インダクタ及びインダクタの提供方法 - Google Patents

Abstract

【課題】フリンジ場と導体との間の相互作用を低減し、コアに蓄積されるエネルギー量を増加させること。【解決手段】コアは、第１コア部と、第２コア部と、第１コア部と第２コア部との間に配置され、らせん導体によって取り囲まれたギャップと、を備えている。ギャップは、ギャップ磁気リラクタンスを提供するように構成され、ギャップ磁気リラクタンスは、コア磁気リラクタンスよりも大きい。らせん導体は、コアの一部を取り囲む導体の第１領域と、ギャップを取り囲む導体の第２領域と、を備えている。第１領域は、第１ピッチで構成され、第２領域は、第２ピッチで構成され、第２ピッチは、第１ピッチより大きい。導体の第２領域は、使用時に、導体の第２領域とギャップの周囲に発生する電磁場との間の相互作用の大きさを低減するように構成されている。【選択図】図３Ａ

Description

本発明は、インダクタ、例えばフラットリボンインダクタ、及びその形成方法に関する。

一般的なインダクタは、一定の断面積と一定のピッチを持つらせん状の導体と、ギャップを持つコアで構成されている。導体には高い電力密度の電流が流れ、ギャップ内にフリンジ場（例えば電磁場）を発生させるのが一般的である。フリンジ場は導体と相互作用し、導体に渦電流を発生させ、インダクタの電力損失を引き起こすことがある。

特許文献１には、フリンジングフィールドと導体との間の相互作用の大きさを低減することを目的とした装置が記載されている。

欧州特許出願公開第３９９２９９６号明細書

本発明の態様は独立項に記載されており、任意の特徴は従属項に記載されている。本開示の態様は、互いに関連して提供されてもよく、一態様の特徴は他の態様に適用されてもよい。

本開示の一態様は、らせん導体と、コア磁気リラクタンスを有するコアと、を備えるインダクタを提供する。コアは、第１コア部と、第２コア部と、第１コア部と第２コア部との間に配置され、らせん導体によって取り囲まれたギャップと、を備えている。ギャップは、ギャップ磁気リラクタンスを提供するように構成され、ギャップ磁気リラクタンスは、コア磁気リラクタンスよりも大きい。らせん導体は、コアの一部を取り囲む導体の第１領域と、ギャップを取り囲む導体の第２領域と、を備えている。第１領域は、第１ピッチで構成され、第２領域は、第２ピッチで構成され、第２ピッチは、第１ピッチより大きい。導体の第２領域は、使用時に、導体の第２領域とギャップの周囲に発生する電磁場との間の相互作用の大きさを低減するように構成されている。

本明細書において、電磁場は、フリンジ場と呼ばれてもよい。また、電磁場は、磁場であってもよい。本態様は、フリンジ場からなる体積内に配置される導体の体積が、単一ピッチからなる典型的なヘリカル導体と比較して小さくなるヘリカル導体を提供し得る。有利なことに、フリンジ場と導体との間の相互作用（すなわち電磁的相互作用）の大きさは、単一ピッチからなる典型的な導体と比較して低減される。

ギャップは、ギャップ長が第１コア部と第２コア部との間のギャップを通る最短距離であるギャップ長を有してもよく、第２ピッチはギャップ長以上でもよい。ギャップ長よりも大きいピッチを有する第２領域を提供することは、ギャップ長より小さい第２ピッチを有する導体と比較して、導体とフリンジ場とが交差する体積を減少させ、その結果、フリンジ場と導体との相互作用を減少させ得る。

導体は、長さＸの２辺と長さＹの２辺とを備えた矩形断面を有してもよく、長さＸは長さＹより大きい。導体の第２領域は、長さＸの導体の辺の１つが径方向内側表面の一部を形成するように配置される。有利な点は、導体の最も長い辺が径方向内側表面を形成するように導体の第２領域を配置することは、第２領域の内側半径を増加させ、これにより、導体とフリンジ場との間の相互作用を低減し得る第２領域とフリンジ場との間の距離を増加させ得る。

中央長手方向軸と径方向内側表面との間の径方向距離は、導体の第１領域よりも導体の第２領域において大きい。有利なことに、径方向内側表面が第１領域の径方向距離よりも大きい径方向距離を有するように導体の第２領域を配置することは、導体とフリンジ場との間の相互作用を低減し得る第２領域とフリンジ場との間の距離を増大させ得る。

本開示の一態様は、インダクタを形成する方法を提供する。本方法は、コアの周囲に導体の第１領域を配置するステップと、コアのギャップの周囲に前記導体の第２領域を配置するステップと、を備え、前記導体の前記第１領域は、第１ピッチで前記コアの周囲に配置され、前記導体の前記第２領域は、第２ピッチで前記コアの前記ギャップの周囲に配置され、前記第２ピッチは、前記第１ピッチより大きい。

ギャップは、ギャップ長を有していてもよく、ギャップ長は、第１部分と第２部分との間のギャップを通る最短距離であり、第２ピッチは、ギャップ長以上である。ギャップ長より大きいピッチを有する第２領域を提供することは、ギャップ長より小さい第２ピッチを有する導体と比較して、導体とフリンジ場とが交差する体積を減少させ、その結果、フリンジ場と導体との相互作用を減少させ得る。

本開示の一態様は、中央長手方向軸と径方向内側表面と径方向外側表面とを備えるらせん導体と、コア磁気リラクタンスを有するコアと、を備えたインダクタを提供する。コアは、第１コア部と、第２コア部と、第１コア部と第２コア部との間に配置され、らせん導体によって取り囲まれたギャップと、を備え、ギャップは、ギャップ磁気リラクタンスを提供するように構成され、ギャップ磁気リラクタンスは、コア磁気リラクタンスよりも大きく、らせん導体は、コアの一部を取り囲む導体の第１領域と、ギャップを取り囲む導体の第２領域と、を備え、第１領域は、第１ピッチで構成され、導体の第１領域は、第１断面積を有し、第２領域は、第２ピッチで構成され、第２ピッチは、第１ピッチより大きく、導体の第２領域は、第２断面積を有し、第２断面積は、第１断面積より小さく、導体の第２領域は、使用時に、導体の第２領域とギャップの周囲に発生する電磁場との間の相互作用の大きさを低減するように構成されている。

本態様は、フリンジ場に取り囲まれた空間内に配置されるらせん導体（第１断面積を有する第１領域と第２断面積を有する第２領域とを備え、第２断面積は第１断面積よりも小さい）の体積が、単一の断面積を有する典型的なヘリカル導体と比較して小さくなるインダクタを提供する。有利なことに、フリンジ場と導体との間の相互作用（すなわち電磁的相互作用）の大きさが、単一の断面積からなる典型的な導体と比較して低減される。

中央長手方向軸と径方向内側表面との間の径方向距離は、導体の第１領域よりも導体の第２領域において大きくてもよい。有利なことに、第２領域とフリンジ場との間の距離を大きくすることにより、導体とフリンジ場との間の電磁的相互作用を低減し得る。

本開示の一態様は、インダクタを形成する方法を提供する。本方法は、コアの周囲に導体の第１領域を配置するステップと、コアのギャップの周囲に導体の第２領域を配置するステップと、を備え、導体の前記第１領域は、第１断面積を有し、導体の前記第２領域は、第２断面積を有し、第２断面積は、前記第１断面積より小さい。

本方法は、第１領域と第２領域とを有する導体を提供するステップと、インダクタの第２領域を圧縮するステップと、を含んでもよい。

ギャップはギャップ長を有してもよく、ギャップ長は第１部分と第２部分との間のギャップを通る最短距離であり、第２ピッチはギャップ長以上である。

らせん導体は、中央長手方向軸、径方向内側表面、及び径方向外側表面を備えてもよい。例では、第１コア部と第２コア部との間に配置されたギャップは、らせん導体の径方向内側表面により取り囲まれる。

インダクタ用の導体の斜視図である。 図１Ａに示す導体を軸方向から見た図である。 図１Ａに示す導体の側面図である。 図１Ａに示す導体の側面図である。 図１Ａに示す導体の上面図である。 インダクタ用対称型コアの断面図である。 インダクタ用対称型コアの断面図である。 インダクタ用対称型コアの断面図である。 図１Ｃの導体に関する平面Ａ－Ａに沿ったインダクタの第１断面図である。 図１Ｅの導体に関する平面Ｂ－Ｂに沿ったインダクタの第２断面図である。 インダクタ用導体の一部を示す断面図である。 図４Ａの導体の断面図である。 図２Ａ－図２Ｃに示す対称型コアに配置された図４の導体の断面図である。 インダクタ用非対称型コアの断面図である。

インダクタは、その間にギャップを設けるように配置された第１コア部と第２コア部とからなるコアを備えている。第１コア部及び第２コア部は、らせん導体を取り囲むように配置され（例えば、コア部はらせん導体の径方向外側表面の周りに配置される）、らせん導体は第１コア部及び第２コア部の少なくとも一方の少なくとも一部を取り囲む（例えば、以下により詳細に説明する円筒形の突起）。また、らせん導体は、ギャップを取り囲むように配置されている。

導体に電流が流れると、導体を取り囲むように磁場が発生し、コアやコアのギャップを通過する。つまり、導体に電流を流すと、インダクタの中に磁気回路が発生する。回路のインダクタンスは、電流経路の形状や近傍の材料の透磁率に依存する。インダクタは、回路を流れる磁束を増加させる形状のワイヤー等の導体からなる部品で、通常、コイル状又はらせん状で、２つの端子がある。ワイヤーをコイル状に巻くと、磁束線が回路にリンクする回数が増加し、磁場の大きさ（例えば磁力線密度）が大きくなり、インダクタンスも大きくなる。導体の巻数が多いほど、磁気回路のインダクタンスは大きくなる。また、インダクタンスは、コイルの形状や巻きの間隔等、さまざまな要因に依存する。コアの内部は鉄などの強磁性体で構成されてもよく、コイルからの磁場によって材料に磁化が誘導され、磁束が増加する。強磁性体コアは透磁率が高いため、コイルのインダクタンスを、コアがない場合に比べて数千倍も高めることができる。

導体に電流が流れると磁場が発生し、特に、ギャップ内及びその周囲において径方向に電磁場（いわゆるフリンジ場）が誘起される。フリンジ場は、らせん導体の領域と交差することがあり、その結果、フリンジ場とらせん導体との間に電磁的相互作用が生じる。この電磁的相互作用により、らせん導体のこれらの領域には渦電流が発生する。渦電流は、インダクタからエネルギーを散逸させ（例えば熱によって）、望ましくないことにインダクタの効率を低下させる。

本明細書に記載されるインダクタは、電磁的相互作用の大きさを低減するように構成された形状を有する導体、例えばフリンジ場と導体との間の交差が少ない（したがって相互作用の大きさが小さい）導体を提供することにより、フリンジ場とインダクタとの間の電磁的相互作用の大きさを低減させる。本明細書に記載のインダクタは、ギャップにおける大きなピッチ（例えば、ギャップの長手方向の長さよりも大きなピッチ）、ギャップを取り囲む導体の領域の断面積の減少（例えば、ギャップを取り囲まない導体の領域の断面積と比較して）の少なくとも１つを有する導体を提供する。

図１Ａはインダクタ用導体の斜視図、図１Ｂは図１Ａに示す導体の軸方向から見た図、図１Ｃ及び図１Ｄは図１Ａに示す導体の側面図、図１Ｅは図１Ａに示す導体の上面図である。

インダクタは、導体１００及びコアを備えている。コアの例は、図２Ａ－図２Ｃ及び図６に示されている。

導体１００は、らせん部（要素１１１Ａ、１２１、１１１Ｂからなる）を有し、一対の電気接続部１０２Ａ、１０２Ｂを有する。例えば、導体１００のらせん部は、らせん導体と称されることがある。

導体１００は、矩形断面を有する。矩形断面は、導体の局所的な長手方向軸に垂直であり、例えば、局所的な長手方向軸が導体の長さ全体に配置され、導体がらせん状である（又はらせん部を有する）場合、導体の局所的な長手方向軸は、中央長手方向軸Ｃを取り囲むらせん形状を有する（以下でより詳細に説明する）。矩形断面は、導体の長さに沿って同じ大きさである。矩形断面は、２対の辺によって特徴付けられ、各対の辺は、それぞれ長さＸ（例えば幅）及びＹ（例えば高さ）を有する。長さＸは、長さＹより大きい。

例えば、長さＸが長さＹと等しくてもよい、すなわち、断面が正方形の導体を使用してもよい。例えば、導体の断面は、円形であってもよい。円形の断面は、導体の局所的な長手方向軸に垂直である。

らせん導体は、中央長手方向軸Ｃを有する。らせん導体１００は、内側半径方向表面１０４を有する。内側半径方向表面１０４は、長手方向軸Ｃの周りに配置される。らせん導体は、長手方向軸Ｃ上の所定の点と内側半径方向表面１０４との間の最短距離として定義される内側半径Ｒ_Ｉを有する。らせん導体は、外側半径方向表面１０６を有する。外側半径方向表面１０６は、長手方向軸Ｃの周りに配置される。らせん導体は、長手方向軸Ｃ上の所定の点と外側半径方向表面１０６との間の最短距離として定義される外側半径Ｒ_Ｏを有する。外側半径Ｒ_Ｏと内側半径Ｒ_Ｉとの差は、導体の幅Ｘに等しく、Ｒ_Ｏ－Ｒ_Ｉ＝Ｘである。

らせん導体は、中央長手方向通路１０８を有する。中央長手方向通路１０８は、らせん導体の内側半径方向表面１０４によって区切られている。

らせん導体は、第１領域（Ａ部１１１Ａ、Ｂ部１１１Ｂ）と、第２領域１２１と、を備える。導体の第１領域１１１Ａ、１１１Ｂは、第１ピッチを構成する。導体の第２領域１２１は、第２ピッチを構成し、第２ピッチは、第１ピッチよりも大きい。

ここで、ピッチという用語は、長手方向軸Ｃに沿って、らせんが長手方向軸Ｃの周りを１回転する距離を意味する。

導体の第１領域は、例えば第１領域が第２領域を挟んで不連続であってもよい。すなわち、第１領域は、Ａ部１１１Ａ及びＢ部１１１Ｂの２つの不連続な部分からなる。Ａ部１１１Ａは、中央長手方向軸Ｃと平行な長手方向の長さＬ_Ａを有し、Ｂ部１１１Ｂは、中央長手方向軸Ｃと平行な長手方向の長さＬ_Ｂを有している。導体の第１領域は、Ａ部１１１Ａの長手方向の長さＬ_ＡとＢ部１１１Ｂの長手方向の長さＬ_Ｂとの和に等しい長手方向の長さＬ_１、Ｌ_１＝Ｌ_Ａ＋Ｌ_Ｂを有する。

導体の第２領域１２１は、長手方向軸Ｃと平行な長手方向長さＬ_２を有する。

例えば、第１領域の第１ピッチは第２領域の第２ピッチと同じであってもよく、第１ピッチ及び第２ピッチはギャップ長より大きくてもよい。第２ピッチとギャップ長との差が大きいほど、導体とフリンジ場との間の相互作用の大きさは小さくなる。

らせん導体は、長手方向軸Ｃに平行な長手方向の全長Ｌ_Ｔを有し、らせん導体の長手方向の全長Ｌ_Ｔは、第１領域の長さＬ_１と第２領域の長さＬ_２の長さの合計に等しく、Ｌ_Ｔ＝Ｌ_１＋Ｌ_２である。図１Ａ～図１Ｅに示す例では、らせん導体の長手方向の全長Ｌ_Ｔは、Ａ部１１１Ａの長手方向の長さＬ_Ａ、Ｂ部１１１Ｂの長手方向の長さＬ_Ｂ、及び第２領域１２１の長手方向の長さＬ_２の合計に等しく、Ｌ_Ｔ＝Ｌ_Ａ＋Ｌ_Ｂ＋Ｌ_２である。

別の言い方をすれば、らせん導体の長手方向の全長Ｌ_Ｔは、第１領域１１１Ａ、１１１Ｂの長手方向の長さＬ_１と第２領域１２１の長手方向の長さＬ_２の合計に等しく、Ｌ_Ｔ＝Ｌ_１＋Ｌ_２である。

導体１００は、例えば起電力（ＥＭＦ）のソースに接続されたときに、電流が流れることを可能にするように構成されている。導体１００は、起電力のソースに接続するように構成されている。電気接続部１０２Ａ及び１０２Ｂは、ＥＭＦのソースに接続可能である。導体１００は、電流がそこを流れるときに磁場を発生するように構成されており、磁場は導体の周りに配置され、例えば磁場の磁力線は、導体の外側半径方向表面１０６の周りで中央通路１０８を通り、中央通路１０８を通って戻る閉ループを形成している。言い換えれば、磁力線は、導体の一部を取り囲む閉ループである。

図２Ａ～図２Ｃは、インダクタ用対称型コアの断面図である。いくつかの例では、コアは、図６に例示されるような非対称コアであってもよい。

対称型コア２００Ａは、第１対称型コア部２１０と、第２対称型コア部２２０と、を備えている。

第１対称型コア部２１０は、第１端部２１６と、第１円筒状突起２１２と、第１環状円筒状突起２１４と、を備えている。第１円筒状突起２１２は、第１端部２１６に接続されている。第１環状円筒状突起２１４は、第１端部２１６に接続されている。第１円筒状突起２１２及び第１環状円筒状突起２１４は、同心に、すなわち、第１円筒状突起２１２及び第１環状円筒状突起２１４は、第１円筒状突起２１２の長手方向軸及び第１環状円筒状突起２１４の長手方向軸が平行かつ一致するように配置される。第１円筒状突起２１２及び第１環状円筒状突起２１４は、それによってその間に第１環状中空２１８を提供するために同心に配置される。

第１端部２１６は、円筒形状を有し、第１円筒状突起２１２及び第１環状円筒状突起２１４は、第１端部２１６の軸方向の面に配置される。第１端部２１６は、第１環状円筒状突起２１４の外径と等しい直径を有している。

第１円筒状突起２１２は、直径Ｄ_Ｃ１Ｉを有する。第１環状円筒状突起２１４は、内径Ｄ_Ｃ１Ｏを有する。第１円筒状突起２１２の直径Ｄ_Ｃ１Ｉは、第１環状円筒状突起２１４の内径Ｄ_Ｃ１Ｏより小さい。

第１円筒状突起２１２は、長さＬ_Ｃ１を有する。言い換えれば、第１円筒状突起２１２は、第１端部２１６から長さＬ_Ｃ１だけ長手方向に延びている。第１環状円筒状突起２１４は、長さＬ_Ｃ１を有している。言い換えれば、第１環状円筒状突起２１４は、長さＬ_Ｃ１だけ第１端部２１６から長手方向に延びている。

第１対称型コア部２１０によって規定される第１環状中空は、第１円筒状突起２１２の長さＬ_Ｃ１に等しい長さと、第１円筒状突起２１２の直径Ｄ_Ｃ１Ｉに等しい内径と、第１環状円筒状突起２１４の内径Ｄ_Ｃ１Ｏに等しい外径とを有する。

第２対称型コア部２２０は、第２端部２２６と、第２円筒状突起２２２と、第２環状円筒状突起２２４と、を備えている。第２円筒状突起２２２は、第２端部２２６に接続されている。第２環状円筒状突起２２４は、第２端部２２６に接続される。第２円筒状突起２２２と第２環状円筒状突起２２４は、同心に、すなわち、第２円筒状突起２２２と第２環状円筒状突起２２４は、第２円筒状突起２２２の長手方向軸と第２環状円筒状突起２２４の長手方向軸が平行かつ一致しているように配置される。第２円筒状突起２２２及び第２環状円筒状突起２２４は、それによってその間に第２環状中空を提供するために同心に配置される。

第２端部２２６は円筒形状を有し、第２円筒状突起２２２及び第２環状円筒状突起２２４は、第２端部２２６の軸方向の面に配置される。第２端部２２６は、第２環状円筒状突起２２４の外径と等しい直径を有する。

第２円筒状突起２２２は、直径Ｄ_Ｃ２Ｉを有する。第２環状円筒状突起２２４は、内径Ｄ_Ｃ２Ｏを有する。第２円筒状突起２２２の直径Ｄ_Ｃ２Ｉは、第２環状円筒状突起２２４の内径Ｄ_Ｃ２Ｏより小さい。

第２円筒状突起２２２は、長さＬ_Ｃ２を有する。言い換えれば、第２円筒状突起２２２は、第２端部２２６から長さＬ_Ｃ２だけ長手方向に延びている。第２環状円筒状突起２２４は、長さＬ_Ｃ２を有している。言い換えれば、第２環状円筒形突起２２４は、長さＬ_Ｃ２だけ第２端部２２６から長手方向に延びている。

第２対称型コア部２２０によって規定される第２環状中空は、第２円筒状突起２２２の長さＬ_Ｃ２に等しい長さと、第２円筒状突起２２２の直径Ｄ_Ｃ２Ｉに等しい内径と、第２環状円筒状突起２２４の内径Ｄ_Ｃ２Ｏに等しい外径とを有する。

対称型コア２００Ａにおいて、第１円筒状突起２１２の直径Ｄ_Ｃ１Ｉは、第２円筒状突起２２２の直径Ｄ_Ｃ２Ｉと等しく、第１環状円筒状突起２１４の内径Ｄ_Ｃ１Ｏは、第２環状円筒状突起２２４の内径Ｄ_Ｃ２Ｏと等しく、第１環状円筒状突起２１４の外径は、第２環状円筒状突起２２４の外径と等しい。第１円筒状突起２１２の長さＬ_Ｃ１は、第２円筒状突起２２２の長さＬ_Ｃ２と等しく、第１円筒状環状突起２１４の長さは、第２円筒状環状突起２２４の長さと等しく、第１円筒状突起２１２の長さＬ_Ｃ１は、らせん導体１２１ＡのＡ部の長手方向の長さＬ_Ａと等しく、第２円筒状突起２２２の長さＬ_Ｃ２は、らせん導体１２１ＢのＢ部の長手方向の長さＬ_Ａと等しい。

第１円筒状突起２１２の直径Ｄ_Ｃ１Ｉは、導体の内側半径Ｒ_Ｉの２倍以下であり、Ｄ_Ｃ１Ｉ＝２Ｒ_Ｉとする。第２円筒状突起２２２の直径Ｄ_Ｃ２Ｉは、導体の内半径Ｒ_Ｉの２倍以下であり、Ｄ_Ｃ２Ｉ＝２Ｒ_Ｉでもよい。第１環状円筒状突起２１４の内径Ｄ_Ｃ１Ｏは、導体の外側半径Ｒ_Ｏの２倍以上であり、Ｄ_Ｃ１Ｏ＝２Ｒ_Ｏでもよい。第２環状円筒状突起２２４の内径Ｄ_Ｃ２Ｏは、導体の外側半径Ｒ_Ｏの２倍以上であり、Ｄ_Ｃ２Ｏ＝２Ｒ_Ｏでもよい。

第１対称型コア部２１０と第２対称型コア部２２０は、その間に隙間を設けるように配置される。第１対称型コア部２１０及び第２対称型コア部２２０は、第１円筒状突起２１２と第２円筒状突起２２２との間に直接的に内側ギャップ２４０を提供し、第１環状円筒状突起２１４と第２環状円筒状突起２２４との間に直接的に外側ギャップ２５０を提供するように配置される。

内側ギャップ２４０は、第１円筒状突起２１２と第２円筒状突起２２２との間に直接存在する空間の領域を指す。内側ギャップ２４０は、第１円筒状突起２１２と第２円筒状突起２２２の軸方向の面との間に配置される直径Ｄ_Ｃ１Ｉの円筒状の隙間である。より抽象的に言えば、第１円筒状突起の軸方向端面上の任意の点と第２円筒状突起の軸方向端面上の任意の点との間に引かれる任意の直線は、必ず内側ギャップ２４０の中に引かれる。

外側ギャップ２５０は、第１環状円筒状突起２１２と第２環状円筒状突起２２２との間に直接存在する空間の領域を指す。外側ギャップ２５０は、内径Ｄ_Ｃ１Ｏ、外径が第１円筒状突起の外径と等しい環状円筒状隙間であり、第１環状円筒状突起２１４及び第２環状円筒状突起２２４の軸方向の面の間に配置される。

実施例では、第１対称型コア部及び第２対称型コア部は、第１円筒状突起と第２円筒状突起との間に内側ギャップを提供するが、第１環状円筒状突起と第２環状円筒状突起との間に外側ギャップが提供しないように配置される。このような例では、環状円筒状突起は、円筒状突起の長さよりも大きい長さを有する。例えば、図６に示された非対称型コアは、外側ギャップを含んでいない。

第１対称型コア部２１０と第２対称型コア部２２０との間に設けられたギャップは、コアの磁気リラクタンス（例えば、第１対称型コア部２１０、第２対称型コア部２２０とギャップとの複合系の複合磁気リラクタンス）を増加させるように構成される。内側ギャップ２４０は、コアの磁気リラクタンスを増加させるように構成される。外側ギャップ２５０は、コアの磁気リラクタンスを増加させるように構成される。

有利なことに、コア２００Ａの磁気リラクタンスを増加させると、コア２００Ａに蓄積されるエネルギーの量（例えば、第１対称型コア部２１０、第２対称型コア部２２０及びギャップの結合系に蓄積されるエネルギー）が比較的に増加する。エネルギーは、磁場の形でコア２００Ａに蓄積される。

対称型コア２００Ａは、例えば、図１Ａ～図１Ｅに例示される導体１００に係合するように構成される。第１対称型コア部２１０によって画定される第１環状中空２１８は、導体の一部、例えば、導体１００のＡ部１５１Ａを受け入れるように構成される。第２の対称型コア部２２０によって規定される第２環状中空２２８は、導体の一部、例えば、導体１００のＢ部１５１Ｂを受け入れるように構成される。第１対称型コア部２１０と第２対称型コア部２２０との間のギャップは、導体の一部、例えば、導体１００の第２領域１５１Ｂを受け入れるように構成される。別の言い方をすれば、導体の一部は、第１対称型コア部２１０と第２対称型コア部２２０との間、例えば導体１００の第２領域１２１に配置されるように構成される。すなわち、導体の一部は、第１対称型コア部２１０と第２対称型コア部２２０との間に配置されるが、第１環状中空、第２環状中空、内側ギャップ及び外側ギャップのいずれにも配置されない。

対称型コア２００Ａ内に導体が配置され、導体に電流が流れ、導体の周囲に磁場が発生すると、導体には磁場が発生する。発生した磁場の磁力線の少なくとも一部が対称型コア２００Ａを通過するように対称型コア２００Ｂが配置される。

対称型コア内に配置されたらせん導体（例えば、図３Ａ及び図３Ｂに示されるように対称型コア内に配置された図１Ａ～図１Ｅに示される導体）の場合、閉ループ磁力線は、導体の中央通路から、導体の外側半径方向表面の周りを通過して導体の中央通路に戻る。対称型コア２００Ａは、導体を通る電流の流れによって発生する磁力線を遮断するように構成されている。例えば使用時に、対称型コア２００Ａは、導体の電流の流れによって発生する磁場の磁力線の一部が対称型コア内（すなわち、第１対称型コア部２１０及び第２対称型コア部分２２０）に位置するように配置され、磁力線の一部が内側ギャップ２４０及び外側ギャップ２５０を通るようにする。

有利なことに、上述したように、コアの磁気リラクタンスを増加させると、コアに蓄積されるエネルギー量（例えば、第１対称型コア部２１０、第２対称型コア部２２０及びギャップの結合系に蓄積される）が比較的に増加する。エネルギーは、磁場の形でコアに蓄積される。

エネルギーは、第１対称型コア部２１０及び第２対称型コア部２２０よりも、ギャップに高い密度で蓄積される。

磁場が対称型コア及びギャップを通過する場合、ギャップ内に内部電磁場（例えば磁場）が提供される。例えば、内部誘導電磁場は、第１円筒状突起部２１２と第２円筒状突起部２２２との間に配置される。

内部電磁場（例えば磁場）は、中央内部電磁場２４２（例えば磁場）とフリンジ内部電磁場２４５（例えば磁場）とからなる。中央内部電磁場２４２は、内側ギャップ２４０内に配置される。フリンジ内部電磁場２４５は、中央内部電磁場２４２の周囲に半径方向に配置されている（例えば、フリンジ内部電磁場２４５は中央内部電磁場２４２を半径方向に取り囲んでいる）。

フリンジ内部電磁場２４５の力線は、第１円筒状突起２１２の軸方向の面と第２円筒状突起２２２の軸方向の面とを結んでいる。

フリンジ内部電磁場２４５の力線は、湾曲した形状を有する。フリンジ内部電磁場２４５の所定の力線は、第１円筒状突起２１２の軸方向の面から始まり、第１円筒状突起２１２の軸方向の面と第２円筒状突起２２２の軸方向の面との間の軸方向中間点に到達するまで半径方向外側に移動する。軸方向中間点から、磁力線は、第２円筒状突起２２２の軸方向の面に達するまで半径方向内側に移動する。別の言い方をすれば、第１円筒状突起の軸面に配置された概念上の磁荷は、２つの軸面から等距離にあるときに第１円筒状突起から最大半径方向変位まで単調に増加し、次に最大半径方向変位から第２円筒状突起まで単調に減少する弧状の経路に沿って第２円筒状突起の軸面に向けて場によって移動することになる。

コアのギャップに形成されたフリンジ場は、典型的な導体（例えば、上記のようなピッチ変化のない導体又は導体）と交差することがある。典型的な導体とフリンジ場との交差が生じる典型的な導体の領域では、典型的な導体のこれらの領域で渦電流が発生し、それによって損失（例えば、典型的な導体を流れる電流の損失、例えば、渦電流によって発生する加熱の結果として典型的な導体からのエネルギー損失）が生じることがある。

図３Ａは、図１Ｃの導体に関して示された平面Ａ－Ａに沿ったインダクタの第１断面図を示し、図３Ｂは、図１Ｅの導体に関して示された平面Ｂ－Ｂに沿ったインダクタの第２断面図を示している。

インダクタ３００は、図１Ａ～図１Ｅに例示した導体１００と、図２Ａ～図２Ｃに例示した対称型コア２００Ａとからなる。

導体１００のＡ部１１１Ａは、第１対称型コア部２１０によって規定される第１環状中空２１８に配置される。導体１００のＢ部１１１Ｂは、第２対称型コア部２２０によって規定される第２環状中空２２８に配置される。

導体は、起電力（ＥＭＦ）のソースに接続するように構成される。導体１００は、電流が導体の周囲を貫通して流れるときに磁場を生成するように構成されている。例えば磁場の磁力線は、導体の外側半径方向表面１０６の周囲で中央通路１０８を通過して中央通路１０８に戻る閉ループを形成する。

発生した磁場の磁力線の少なくとも一部は、対称型コア２００Ａを通過する。発生した磁場の磁力線は、導体１０８の中央通路から、導体の外側半径方向表面１０６の周りを通り、導体１０８の中央通路に戻る閉ループである。発生した磁場の磁力線は、第１対称型コア部２１０及び第２対称型コア部２２０と交差し、磁力線は、内側ギャップ２４０を通過し、外側ギャップ２５０を通過する。

内部フリンジ場が配置される空間に配置されるらせん導体１００（第１ピッチを有する第１領域と第２ピッチを有する第２領域とを含み、第２ピッチは第１ピッチよりも大きい）の体積は、単一のピッチからなる典型的ならせん導体と比較して減少する。有利なことに、フリンジ場と導体１００との間の相互作用（すなわち、電磁的相互作用）の大きさは、単一ピッチからなる典型的な導体と比較して低減される。

導体１００の第２領域１２１の一部は、内部フリンジ場２４５及び外部フリンジ場２５５に配置される。第２導体のピッチは、内側ギャップの長手方向の長さＬ_Ｇよりも大きい。導体１００の第２領域１２１のピッチが内側ギャップ２４０の長手方向の長さＬ_Ｇよりも大きいので、第２領域１２１は、第１対称型コア部２１０と第２対称型コア部２２０との間のギャップで部分的にターンすることしかできない。そのため、第１対称型コア部２１０と第２対称型コア部２２０との間のギャップには、導体が配置されていない領域が存在する。例えば、図３Ｂに示される断面は、導体１００の第２領域１２１が存在しないギャップの領域を示す。有利には、導体１００の第２領域１２１の間の相互作用は、ギャップＬ_Ｇの長さ以下であるピッチを有する第２領域と比較して低減される。

ギャップＬ_Ｇの長さよりも大きいピッチを有する第２領域を設けることは有利であり、第２領域のピッチをギャップＬ_Ｇの長さに対してできるだけ大きくすることがさらに有利である。ギャップの長さに対して第２領域のピッチが大きければ大きいほど、フリンジ場と導体との交差及び相互作用が小さくなり、例えばピッチが大きければ大きいほど、図３Ｂに示すような断面を有するインダクタの割合が大きくなる。

実施例では、第２コア部の導体は、より長い長さＸが第２領域でらせん導体の内側半径方向表面を形成し、それによって第２領域でらせん導体の内側半径が増加するように配置されてもよい。有利なことに、内部フリンジ場と導体の第２領域との間の距離は、（例えば、より短い長さＹが第２領域でらせん導体の内側半径方向表面を形成し、それによって、より長い長さＸが内側半径方向表面を形成する導体の内側半径よりも小さい内側半径を有する第２領域の内側半径方向表面を提供する第２領域を有する導体に対して）増加することができ、これにより、フリンジ場と導体との間の相互作用の大きさが減少する。

例えば図３Ａ及び図３Ｂに示されるインダクタは、コアの周囲（例えば、第１及び／又は第２コア部の円筒状突出部の周囲）に導体の第１領域を配置すること、導体の第１領域が第１ピッチでコアの周囲に配置されること、コアのギャップの周囲に導体の第２領域を配置すること、導体の第２領域が第２ピッチでコアのギャップに配置され、第２ピッチが第１ピッチよりも大きくなっていること、を含む方法により形成されてもよい。

実施例では、ギャップはギャップ長（例えば、コアの第１部分と第２部分との間のギャップを通る最短距離）を有し、第２ピッチはギャップ長より大きいか等しい。

図４Ａは、インダクタ用導体の一部の断面図を示し、例えば、導体は、図２Ａから図２Ｃに示される対称型コア内で配置されるように構成される。図４Ｂは、図４Ａの導体の断面図である。図５は、図２Ａ～図２Ｃに示す対称型コアに配置された図４の導体の断面図である。

導体４００の部分は、導体４００の第１領域のＡ部１５１Ａと、導体４００の第１領域のＢ部１５１Ｂと、導体４００の第２領域１７１と、を有する。

Ａ部１５１Ａは、第２領域１７１と接続されている。第２領域１７１は、第１領域のＢ部１５１Ｂと接続されている。Ａ部１５１Ａ及びＢ部１５１Ｂは、いずれも第１断面積を有する。第２領域１７１は、第２断面積を有し、第２断面積は、第１断面積よりも小さい。

導体４００は、これにより、第１領域のＡ部１５１Ａ及びＢ部１５１Ｂと第２領域１７１とからなるらせん導体を提供するために、らせん状に配置される。図５に示す例では、らせん導体４００は、単一のピッチを有し、例えば、第１領域と第２領域は、同じピッチを有する。

導体４００の第１領域１５１Ａ、１５１Ｂは、第１断面積Ａ_１を有する矩形断面を有する。矩形断面は、第１領域の全ての部分において同じ大きさである。矩形断面は、２対の側面によって特徴付けられ、各対の側面は、それぞれ長さＸ_１（例えば幅）及びＹ_１（例えば高さ）を有する。長さＸ_１は、長さＹ_１よりも大きい。第１断面積Ａ_１は、長さＸ_１と長さＹ_１との積に等しく、Ａ_１＝Ｘ_１Ｙ_１である。

実施例では、長さＸ_１は長さＹ_１に等しく、すなわち正方形の断面を持つ導体を与えることができる。実施例では、導体の断面が円形であってもよい。

導体４００の第２領域１７１は、第２断面積Ａ_２を有する矩形状の断面を有する。矩形断面は、第２領域の全ての部分において同じ大きさである。矩形断面は、２対の側面によって特徴付けられ、各対の側面は、それぞれ長さＸ_２（例えば幅）及びＹ_２（例えば高さ）を有する。長さＸ_２は、長さＹ_２よりも大きい。第２断面積Ａ_２は、長さＸ_２と長さＹ_２との積に等しく、Ａ_２＝Ｘ_２Ｙ_２である。

実施例では、長さＸ_２は長さＹ_２と等しく、すなわち正方形の断面を持つ導体を与えることができる。実施例では、導体の断面が円形であってもよい。

第２断面積Ａ_２は、第１断面積Ａ_１よりも小さく、例えばＸ_２Ｙ_２＜Ｘ_１Ｙ_１である。

らせん導体は、中央の長手方向軸Ｃを有し、第１領域１５１Ａ及び１５１Ｂは、第１内側半径方向表面１５４を有する。第１内側半径方向表面１５４は、長手方向軸Ｃの周りに配置され、第１領域は、長手方向軸Ｃ上の所定の点と第１内側半径方向表面１５４との間の最短距離として定義される第１内側半径Ｒ_１を有する。第１領域は、第１外側半径方向表面１５６を有する。第１外側半径方向表面１５６は、長手方向軸Ｃの周りに配置され、第１領域は、Ｒ_１Ｏ＝Ｒ_１＋Ｘ_１である、長手方向軸Ｃ上の所定の点と外側半径方向表面１５６との間の最短距離として定義される第１外側半径Ｒ_１Ｏを有している。

第２領域１７１は、第２内側半径方向表面１６４を有する。第１内側半径方向表面１６４は、長手方向軸Ｃの周りに配置され、第２領域は、長手方向軸Ｃ上の所定の点と第２内側半径方向表面１６４との間の最短距離として定義される第２内側半径Ｒ_２を有している。第２領域は、第２外側半径方向表面１６６を有する。第２外側半径方向表面１６６は、長手方向軸Ｃの周りに配置され、第２領域は、長手方向軸Ｃ上の所定の点と第２外側半径方向表面１６６との間の最短距離として定義される第２外側半径Ｒ_２Ｏを有し、Ｒ_２Ｏ＝Ｒ_２＋Ｘ_２である。

らせん導体は、中央の長手方向通路１５８を有する。中央の長手方向通路１５８は、らせん導体の第１領域の第１内側半径方向表面１５４と、らせん導体の第２領域の第２内側半径方向表面１６４とによって区切られる。

導体の第１領域は、例えば第１領域が第２領域を挟んでおり不連続である。言い換えれば、第１領域は、Ａ部１５１Ａ及びＢ部１５１Ｂの２つの不連続な部分で構成される。Ａ部１５１Ａは、中央の長手方向軸Ｃに平行な長手方向の長さＬ_Ａを有し、Ｂ部１５１Ｂは、中央の長手方向軸Ｃに平行な長手方向の長さＬ_Ｂを有する。導体の第１領域は、Ａ部１５１Ａの長手方向の長さＬ_ＡとＢ部１５１Ｂの長手方向の長さＬ_Ｂとの合計に等しい長手方向の長さＬ_１を有する。Ｌ_１＝Ｌ_Ａ＋Ｌ_Ｂである。

導体の第２領域１７１は、長手方向軸Ｃと平行な長手方向の長さＬ_２を有する。

らせん導体４００は、長手方向軸Ｃに平行な長手方向の全長Ｌ_Ｔを有し、らせん導体の長手方向の全長Ｌ_Ｔは、第１領域Ｌ_１及び第２領域Ｌ_２の長さの合計に等しく、Ｌ_Ｔ＝Ｌ_１＋Ｌ_２である。図４Ａ～図４Ｂに示す例では、らせん導体の長手方向の合計長さＬ_Ｔは、Ａ部１５１Ａの長手方向の長さＬ_Ａ、Ｂ部１５１Ｂの長手方向の長さＬ_Ｂ、及び第２領域１７１の長手方向の長さＬ_２の合計に等しく、Ｌ_Ｔ＝Ｌ_Ａ＋Ｌ_Ｂ＋Ｌ_２である。別の言い方をすれば、らせん導体の長手方向の全長Ｌ_Ｔは、第１領域１５１Ａ及び１５１Ｂの長手方向の長さＬ_１と第２領域１７１の長手方向の長さＬ_２の和に等しく、Ｌ_Ｔ＝Ｌ_１＋Ｌ_２である。

導体４００は、導体が起電力（ＥＭＦ）のソースに接続されたときなど、電流が流れることを可能にするように構成されている。導体４００は、ＥＭＦのソースに接続するように構成される。例えば、導体４００は、図１Ａ～図１Ｅに示す電気接続部１０２Ａ及び１０２Ｂと同様の電気接続部を備え、電気接続部は、ＥＭＦのソースに接続可能である。導体４００は、電流が流れるときに磁場を発生するように構成され、磁場は導体の周りに配置され、例えば、磁場の磁力線は、導体の外側半径方向表面１５６の周りで中央通路１５８を通過して中央通路１５８に戻る閉ループを形成する。言い換えれば、磁力線は、導体の一部を取り囲む閉ループである。

対称型コア２００Ａは、導体、例えば図４に図示された導体４００と係合するように構成されている。第１対称型コア部２１０により画定される第１環状中空２１８は、導体の一部、例えば、導体４００のＡ部１５１Ａを受け入れるように構成される。第２対称型コア部２２０によって規定される第２環状中空２２８は、導体の一部、例えば、導体４００のＢ部１５１Ｂを受け入れるように構成される。第１対称型コア部２１０と第２対称型コア部２２０との間のギャップは、導体の一部、例えば、導体４００の第２領域１５１Ｂを受け入れるように構成される。別の言い方をすれば、導体の一部は、第１対称型コア部２１０と第２対称型コア部２２０との間に、例えば、導体４００の第２領域１７１が配置されるように構成されている。すなわち、導体の一部は、第１対称型コア部２１０と第２対称型コア部２２０との間に配置されるが、第１環状中空、第２環状中空部、内側ギャップ、外側ギャップのいずれにも配置されることはない。

図５は、図２Ａ～図２Ｃに示す対称型コアに配置された図４の導体の断面図である。

導体４００のＡ部１５１Ａは、第１対称型コア部２１０によって規定される第１環状中空２１８に配置される。導体４００のＢ部１５１Ｂは、第２対称型コア部２２０によって規定される第２環状中空２２８に配置される。

導体は、起電力（ＥＭＦ）のソースに接続するように構成される。導体４００は、電流が導体の周囲を通過して流れるときに磁場を生成するように構成されている。例えば、磁場の磁力線は、導体４００の第１外側半径方向表面１５６及び第２外側半径方向表面１６６の周囲で中央通路１５８を通過して中央通路１５８を戻る閉ループを形成している。

発生した磁場の磁力線の少なくとも一部は、対称型コア２００Ａを通過する。発生した磁場の磁力線は、導体の中央通路１５８から、導体４００の第１外側径方向表面１５６及び第２外側半径方向表面１６６の周りを通り、導体４００の中央通路１５８に戻る閉ループである。発生した磁場の磁力線は、第１対称型コア部２１０及び第２対称型コア部２２０と交差し、磁力線は、内側ギャップ２４０を通過し、外側ギャップ２５０を通過している。

内部フリンジ場が配置される空間内に配置されるらせん導体４００（第１断面積を有する第１領域と第２断面積を有する第２領域とを含み、第２断面積は第１断面積よりも小さい）の体積は、単一の断面積からなる典型的ならせん導体と比較して減少される。有利なことに、フリンジ場と導体４００との間の相互作用（すなわち、電磁的相互作用）の大きさは、単一の断面積からなる典型的な導体と比較して低減される。

図５に示す例では、導体４００の第２領域１７１は、内部フリンジ場２４５及び外部フリンジ場２５５に配置されない。有利なことに、導体４００の第２領域１７１の断面積よりも大きい第２領域（例えば、第１領域など）と比較して、導体４００の第２領域１７１間の相互作用が低減される。

実施例では、フリンジ場に配置される第２領域１７１の体積は、全体が単一の断面積からなる典型的な導体に比べて減少する。

実施例では、第１断面積を有する第１領域は第１ピッチを有し、第２断面積を有する第２領域（第２断面積Ａ_２は第１断面積よりも小さい）は第２ピッチを有し、第２ピッチは第１ピッチより大きい。このような例では、内側フリンジ場が配置される空間内に配置されるらせん導体（第１ピッチを有する第１断面積を有する第１領域と第２ピッチを有する第２断面積を有する第２領域とを含む）の体積は、単一のピッチからなる典型的ならせん導体及び／又は単一の断面積からなる典型的な導体と比較して減少する。有利なことに、フリンジ場と導体との間の相互作用（すなわち電磁的相互作用）の大きさは、単一のピッチおよび／または単一の断面積からなる典型的な導体と比較して低減される。

インダクタ、例えば図５に示されるインダクタは、コアの周囲に導体の第１領域を配置し、導体の第１領域が第１断面積を有すること、コアのギャップの周囲に導体の第２領域を配置し、導体の第２領域は第２断面積を有し、第２断面積は第１断面積より小さい、を含む方法によって形成することができる。

実施例では、この方法は、第１領域と第２領域とを有する導体を提供することと、インダクタの第２領域を圧縮すること、を含むでもよい。

実施例では、ギャップは、ギャップ長（例えば、コアの第１部分と第２部分との間のギャップを通る最短距離）を有し、第２ピッチは、ギャップ長よりも大きいか又はそれと等しい。

図６は、インダクタ用非対称型コアの断面図である。

非対称コア２００Ｂは、第１非対称型コア部２１０’と、第２非対称型コア部２２０’と、を備える。

第１非対称型コア部２１０’は、第１端部２１６’と、第１円筒状突起２１２’と、第１環状円筒状突起２１４’と、を備える。第１円筒状突起２１２’は、第１端部２１６’に接続される。第１環状円筒状突起２１４’は、第１端部２１６’に接続されている。第１円筒状突起２１２’と第１環状円筒状突起２１４’は、同心に配置される、すなわち、第１円筒状突起２１２’と第１環状円筒状突起２１４’は、第１円筒状突起２１２’の長手方向軸と第１環状円筒状突起２１４’の長手方向軸が平行かつ一致しているように配置される。第１円筒状突起２１２’と第１環状円筒状突起２１４’は、それによってその間に第１環状中空２１８’を提供するために同心に配置される。

第１端部２１６’は円筒形状を有し、第１円筒状突起２１２’と第１環状円筒状突起２１４’は、第１端部２１６’の軸方向の面に配置される。第１端部２１６’は、第１環状円筒状突起２１４’の外径と等しい直径を有する。

第１円筒状突起２１２’は、直径Ｄ_Ｃ１Ｉを有する。第１環状円筒状突起２１４’は、内径Ｄ_Ｃ１Ｏを有している。第１円筒状突起２１２’の直径Ｄ_Ｃ１Ｉは、第１環状円筒状突起２１４’の内径Ｄ_Ｃ１Ｏよりも小さい。

第１円筒状突起２１２’は、長さＬ_Ｃ１を有する。言い換えれば、第１円筒状突起２１２’は、長さＬ_Ｃ１だけ第１端部２１６から長手方向に延びている。第１環状円筒形突起２１４’は、長さＬ_Ｃ１を有する。言い換えれば、第１環状円筒状突起２１４’は、長さＬ_Ｃ１だけ第１端部２１６’から長手方向に延びている。

第１非対称型コア部２１０’によって規定される第１環状中空は、第１円筒状突起２１２’の長さＬ_Ｃ１に等しい長さ、第１円筒状突起２１２’の直径Ｄ_Ｃ１Ｉに等しい内径、第１環状円筒状突起２１４’の内径Ｄ_Ｃ１Ｏに等しい外径を備える。

第２非対称型コア部２２０’は、第２端部２２６’、第２環状円筒状突起２２４’を備えている。第２環状円筒状突起２２４’は、第２端部２２６’に接続されている。第２環状円筒状突起２２４’は、その間に第２環状中空２２８’を提供する。

第２端部２２６’は円筒形状を有し、第２環状円筒状突起２２４’は第２端部２２６’の軸方向の面に配置される。第２端部２２６’は、第２環状円筒状突起２２４’の外径と等しい直径を有する。

第２環状円筒状突起２２４’は、内径Ｄ_Ｃ２Ｏを有する。

第２環状円筒状突起２２４’は、長さＬ_Ｇを有する。言い換えれば、第２環状円筒状突起２２４’は、長さＬ_Ｇだけ第２端部２２６’から長手方向に延びている。

第２非対称型コア部分２２０’によって規定される第２環状中空２２８’は、第２環状円筒状突起２２４’の長さＬ_Ｇに等しい長さ、第２環状円筒状突起２２４’の直径Ｄ_Ｃ２Ｏに等しい内径を有する。

非対称型コア２００Ｂにおいて、第１環状円筒状突起２１４’の内径Ｄ_Ｃ１Ｏは、第２環状円筒状突起２２４’の内径Ｄ_Ｃ２Ｏと等しく、第１環状円筒状突起２１４’の外径は、第２環状円筒状突起２２４’の外径と等しい。

非対称コア２００Ｂは、第１領域と第２領域とを含むらせん導体を受け取るように構成されており、第１領域は連続的である（すなわち、第２領域によって分離されたＡ部分とＢ部分とから構成されるのではなく、第２領域に隣接する（ユニット））。らせん導体は、第１領域が第１ピッチを有し、第２領域が第２ピッチを有し、第２ピッチが第１ピッチよりも大きいという特徴、及び、第１断面積を有する第２領域と第２断面積を有する第２領域であって、第２断面積が第１断面積よりも小さいという特徴のうちの少なくとも1つを有している（第２領域によって分離されたＡ部分とＢ部分ではなく、第２領域に隣接した（一体の）第１領域）、これを受け取るように構成されている。このようならせん導体は、本明細書において、連続らせん導体と呼ばれる。連続らせん導体の第１領域は、Ｌ_１’の長手方向の長さを有し、連続らせん導体の第２領域は、Ｌ_２’の長手方向の長さを有している。

第１環状中空２１８’は、連続らせん導体の第１領域を受けるように構成されている。第２環状中空２２８’は、連続らせん導体の第２領域を受け入れるように構成される。

第１環状中空２１８’の長手方向の長さは、第１円筒状突出部２１２’の長さＬ_Ｃ１の長さと等しくなっている。第２環状中空２２８’の長手方向の長さは、第２環状突出部２２４’の長手方向の長さＬ_Ｇと同じである。第１環状中空２１８’の長手方向の長さは、導体の第１領域の長さＬ_１’と同じである。第２環状中空２２８’の長手方向の長さは、導体の第２領域Ｌ_２’の長さと等しい。

第１円筒状突起２１２’の直径Ｄ_Ｃ１Ｉは、導体の内径の２倍以下である。第２環状円筒状突起２２４’の直径Ｄ_Ｃ２Ｉは、導体の内径の２倍以下である。第１環状円筒状突起２１４’の内径Ｄ_Ｃ１Ｏは、導体の外径の２倍以上である。第２環状円筒状突起２２４’の内径Ｄ_Ｃ２Ｏは、導体の外径の２倍以上である。

第１非対称型コア部２１０’と第２非対称型コア部２２０’は、その間にギャップを提供するように配置される。第１非対称型コア部２１０’と第２非対称型コア部２２０’は、第１円筒状突起２１２’と第２端部２２６’との間に直接、内側ギャップ２４０’を提供するように配置される。

内側ギャップ２４０’は、第１円筒状突起２１２’と第２端部２２６’の軸方向の面間に配置される直径Ｄ_Ｃ１Ｉの円筒状ギャップである。

実施例では、第１非対称型コア部及び第２非対称型コア部は、第１円筒状突起と第２端部２２６’との間に内側ギャップを提供し、また、第１環状円筒状突起と第２環状円筒状突起との間に設けられる外側ギャップを提供するように配置される。このような例では、第１環状円筒状突起及び第２環状円筒状突起の長手方向の長さの和は、らせん導体の長手方向の長さより小さい。例えば、図２Ａ～図２Ｃに図示された対称型コアは、外側ギャップを含んでいる。

内側ギャップ２４０’は、コアの磁気リラクタンス（例えば、第１非対称型コア部２１０’、第２非対称型コア部２２０’及びギャップ２４０’の複合システムの複合磁気リラクタンス）を増大するように構成される。

有利なことに、コア２００Ｂの磁気リラクタンスを増加させると、コア２００Ｂに蓄積されるエネルギーの量（例えば、第１非対称型コア部２１０’、第２非対称型コア部２２０’とギャップ２４０’の複合システムに蓄積されるエネルギー）が比較的に増加する。エネルギーは、磁場の形態でコア２００Ｂに蓄積される。

さらなる実施形態が想定される。任意の１つの実施形態に関連して説明された任意の特徴は、単独で、又は説明された他の特徴と組み合わせて使用することができ、また、実施形態の任意の他の１つ又は複数の特徴、又は実施形態の任意の他の組み合わせと組み合わせて使用することができることを理解されたい。さらに、添付の特許請求の範囲に定義される本発明の範囲から逸脱することなく、上記に記載されていない同等物及び変更も採用することができる。

Claims (12)

1. らせん導体と、
   コア磁気リラクタンスを有するコアと、
   を備え、
   前記コアは、
   第１コア部と、
   第２コア部と、
   前記第１コア部と前記第２コア部との間に配置され、前記らせん導体によって取り囲まれたギャップと、
   を備え、
   前記ギャップは、ギャップ磁気リラクタンスを提供するように構成され、
   前記ギャップ磁気リラクタンスは、前記コア磁気リラクタンスよりも大きく、
   前記らせん導体は、
   前記コアの一部を取り囲む前記導体の第１領域と、
   前記ギャップを取り囲む前記導体の第２領域と、
   を備え、
   前記第１領域は、第１ピッチで構成され、
   前記第２領域は、第２ピッチで構成され、
   前記第２ピッチは、前記第１ピッチより大きく、
   前記導体の前記第２領域は、使用時に、前記導体の第２領域と前記ギャップの周囲に発生する電磁場との間の相互作用の大きさを低減するように構成されている、
   インダクタ。
2. 請求項１に記載のインダクタにおいて、
   前記ギャップは、ギャップ長を有し、
   前記ギャップ長は、前記第１コア部と前記第２コア部との間の前記ギャップを通る最短距離であり、
   前記第２ピッチは、前記ギャップ長以上である、
   インダクタ。
3. 請求項１又は２に記載のインダクタにおいて、
   前記導体は、長さＸの２辺と長さＹの２辺を備えた矩形断面を有し、
   長さＸは、長さＹより大きい、
   インダクタ。
4. 請求項３に記載のインダクタにおいて、
   前記導体の前記第２領域は、前記導体の長さＸを有する辺の１つが径方向内側表面の一部を形成するように配置されている、
   インダクタ。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載のインダクタにおいて、
   中央長手方向軸と前記径方向内側表面との間の径方向距離は、前記導体の前記第１領域よりも前記導体の前記第２領域において大きい、
   インダクタ。
6. コアの周囲に導体の第１領域を配置するステップと、
   前記コアのギャップの周囲に前記導体の第２領域を配置するステップと、
   を備え、
   前記導体の前記第１領域は、第１ピッチで前記コアの周囲に配置され、
   前記導体の前記第２領域は、第２ピッチで前記コアの前記ギャップの周囲に配置され、 前記第２ピッチは、前記第１ピッチより大きい、
   インダクタを形成する方法。
7. 請求項６に記載の方法において、
   前記ギャップは、ギャップ長を有し、
   前記ギャップ長は、第１部分と第２部分との間の前記ギャップを通る最短距離であり、
   前記第２ピッチは、ギャップ長以上である、
   方法。
8. らせん導体と、
   コア磁気リラクタンスを有するコアと、
   を備え、
   前記コアは、
   第１コア部と、
   第２コア部と、
   前記第１コア部と前記第２コア部との間に配置され、前記らせん導体によって取り囲まれたギャップと、
   を備え、
   前記ギャップは、ギャップ磁気リラクタンスを提供するように構成され、
   前記ギャップ磁気リラクタンスは、前記コア磁気リラクタンスよりも大きく、
   前記らせん導体は、
   前記コアの一部を取り囲む前記導体の第１領域と、
   前記ギャップを取り囲む前記導体の第２領域と、
   を備え、
   前記第１領域は、第１ピッチで構成され、
   前記導体の前記第１領域は、第１断面積を有し、
   前記第２領域は、第２ピッチで構成され、
   前記第２ピッチは、前記第１ピッチより大きく、
   前記導体の前記第２領域は、第２断面積を有し、
   前記第２断面積は、前記第１断面積より小さく、
   前記導体の前記第２領域は、使用時に、前記導体の第２領域と前記ギャップの周囲に発生する電磁場との間の相互作用の大きさを低減するように構成されている、
   インダクタ。
9. 請求項８に記載のインダクタにおいて、
   中央長手方向軸と前記径方向内側表面との間の径方向距離は、前記導体の前記第１領域よりも前記導体の前記第２領域において大きい、
   インダクタ。
10. コアの周囲に導体の第１領域を配置するステップと、
    前記コアのギャップの周囲に前記導体の第２領域を配置するステップと、
    を備え、
    前記導体の前記第１領域は、第１断面積を有し、
    前記導体の前記第２領域は、第２断面積を有し、
    前記第２断面積は、前記第１断面積より小さい、
    インダクタを形成する方法。
11. 請求項１０に記載の方法において、
    前記第１領域と第２領域とを有する導体を提供するステップと、
    インダクタの第２領域を圧縮するステップと、
    を備えた、
    方法。
12. 請求項１０又は１１に記載の方法において、
    前記ギャップは、ギャップ長を有し、
    前記ギャップ長は、第１部分と第２部分との間の前記ギャップを通る最短距離であり、
    前記第２ピッチは、前記ギャップ長以上である、
    方法。
    
    

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