JP2023080405A - 基板洗浄装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本願明細書に開示される技術は、基板の汚染を抑制しつつ、基板の洗浄具を洗浄するための技術である。【解決手段】本願明細書に開示される技術に関する基板洗浄装置は、洗浄具を使って基板を洗浄する基板洗浄装置であり、洗浄具を、基板の洗浄を行う洗浄位置と基板から退避する退避位置との間で移動させるための移動機構と、退避位置に位置する洗浄具に対して、洗浄液の１流体スプレーを噴射するためのスプレーノズルとを備える。【選択図】図３

Description

本願明細書に開示される技術は、基板洗浄技術に関するものである。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などのｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ（ＦＰＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、セラミック基板、電界放出ディスプレイ（ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｉｓｐｌａｙ、すなわち、ＦＥＤ）用基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。

基板を洗浄するための洗浄具としてスクラブブラシがある。ブラシを基板に作用させることによって、基板を適切に洗浄する技術が開示されている（たとえば、特許文献１を参照）。

上記のブラシを使って基板を洗浄すると基板の汚れがブラシに転写されるため、ブラシを洗浄することが必要となる。

特開２００３－３３２２８７号公報

たとえば、特許文献１では、基板の洗浄具であるブラシに対して２流体スプレーを噴霧することによって、ブラシを洗浄している。

しかしながら、そのような洗浄方法では、洗浄具の洗浄のために使われた２流体スプレーが基板にまで達し、基板汚染の原因となる場合がある。

本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、基板の汚染を抑制しつつ、基板の洗浄具を洗浄するための技術である。

本願明細書に開示される技術の第１の態様である基板洗浄装置は、洗浄具を使って基板を洗浄する基板洗浄装置であり、前記洗浄具を、前記基板の洗浄を行う洗浄位置と前記基板から退避する退避位置との間で移動させるための移動機構と、前記退避位置に位置する前記洗浄具に対して、洗浄液の１流体スプレーを噴射するためのスプレーノズルとを備える。

本願明細書に開示される技術の第２の態様である基板洗浄装置は、第１の態様である基板洗浄装置に関連し、前記スプレーノズルが、０．１ＭＰａ以上、かつ、０．５ＭＰａ以下の圧力で前記１流体スプレーを噴射する。

本願明細書に開示される技術の第３の態様である基板洗浄装置は、第１または２の態様である基板洗浄装置に関連し、前記スプレーノズルが、前記退避位置に位置し、かつ、回転している前記洗浄具に対して、前記１流体スプレーを噴射する。

本願明細書に開示される技術の第４の態様である基板洗浄装置は、第１から３のうちのいずれか１つの態様である基板洗浄装置に関連し、前記退避位置に位置し、かつ、前記洗浄具を収容可能なポッドをさらに備え、前記移動機構が、前記退避位置において前記洗浄具を前記ポッド内に収容し、前記スプレーノズルが、前記ポッド内に収容されている前記洗浄具に対して前記１流体スプレーを噴射する。

本願明細書に開示される技術の第５の態様である基板洗浄装置は、第１から４のうちのいずれか１つの態様である基板洗浄装置に関連し、前記洗浄具の前記基板に接触する面を洗浄面とし、前記スプレーノズルが、前記洗浄面に対して傾斜する方向から、前記１流体スプレーを噴射する。

本願明細書に開示される技術の第６の態様である基板洗浄装置は、第５の態様である基板洗浄装置に関連し、前記スプレーノズルには、前記１流体スプレーを噴射するための楕円形状の孔が形成され、前記孔の長軸の方向が、前記洗浄面に沿う方向である。

本願明細書に開示される技術の少なくとも第１の態様によれば、１流体スプレーを噴射して洗浄具を洗浄するため、洗浄具の洗浄に使われたスプレーが基板に到達することを抑制することができる。よって、基板の汚染を抑制しつつ、基板の洗浄具を洗浄することができる。

また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。

本実施の形態に関する基板処理装置の構成の例を概略的に示す平面図である。 本実施の形態に関する基板処理装置の構成の例を概略的に示す側面図である。 待機ポッドにおけるスプレーノズルについて説明するための図である。 スプレーノズルの断面図である。 スプレーノズルの噴射孔の形状の例を示す図である。 スプレーノズルの噴射孔に供給される純水の流量と、ブラシに残存するパーティクルの量との関係を示す図である。

以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施の形態が実施可能となるためにそれらすべてが必ずしも必須の特徴ではない。

なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化などが図面においてなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、断面図ではない平面図などの図面においても、実施の形態の内容を理解することを容易にするために、ハッチングが付される場合がある。

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。

また、本願明細書に記載される説明において、ある構成要素を「備える」、「含む」または「有する」などと記載される場合、特に断らない限りは、他の構成要素の存在を除外する排他的な表現ではない。

また、本願明細書に記載される説明において、「第１の」または「第２の」などの序数が使われる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上使われるものであり、実施の形態の内容はこれらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。

また、本願明細書に記載される説明において、「…軸正方向」または「…軸負方向」などの表現は、図示される…軸の矢印に沿う方向を正方向とし、図示される…軸の矢印とは反対側の方向を負方向とするものである。

また、本願明細書に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置または方向を意味する用語が使われる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上使われるものであり、実施の形態が実際に実施される際の位置または方向とは関係しないものである。

＜実施の形態＞
以下、本実施の形態に関する基板洗浄装置について説明する。

＜基板洗浄装置の構成について＞
図１は、本実施の形態に関する基板処理装置１００の構成の例を概略的に示す平面図である。また、図２は、本実施の形態に関する基板処理装置１００の構成の例を概略的に示す側面図である。

図１に例が示されるように、基板処理装置１００は、処理対象である基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。なお、基板処理装置１００が複数備えられる基板処理システムにおいて、基板Ｗがそれぞれの基板処理装置１００にロボットなどを介して搬送され、それぞれの基板処理装置１００で処理されてもよい。

本実施の形態に関する基板処理装置１００は、円形薄板状のシリコン基板である基板Ｗに対して、薬液および純水などのリンス液を用いて基板処理を行った後、乾燥処理を行う。

以下の説明では、基板Ｗの処理に使われる薬液とリンス液とを総称して「処理液」とする。なお、処理液には、基板Ｗにおける成膜処理のためのフォトレジスト液などの塗布液、基板Ｗにおける不要な膜を除去するための薬液、または、基板Ｗにおけるエッチングのための薬液なども含まれるものとする。

処理対象である基板Ｗは、基板処理装置１００におけるスピンチャック２０に水平姿勢で支持され、その姿勢で基板処理が行われる。

スピンチャック２０は、基板Ｗを真空吸着する真空チャックであるが、基板Ｗを保持する方法は他の方法であってもよい。たとえば、基板Ｗの周縁部を支持する複数個のチャックピンを備える、いわゆるメカチャックであってもよい。

スピンチャック２０は、モータ２２の回転軸に連結されている。スピンチャック２０は、モータ２２の駆動によって回転軸Ｐ１周りに回転する。モータ２２は、筒状形状を有するカバー部材２３によって周囲を取り囲まれている。

スピンチャック２０の周囲には、処理液の飛散を抑制するためのカップ５が配置されている。

カップ５のさらに側方には、基板Ｗの洗浄を行うための洗浄機構７と、スピンチャック２０に保持された基板Ｗの上面に処理液を供給するためのノズル３０、ノズル６０とが配備されている。基板処理装置１００は、基板Ｗを洗浄するための洗浄機構を備える基板洗浄装置としても機能する。

ノズル３０は、ノズルアーム３２の先端に吐出ヘッド３１を取り付けて構成されている。ノズルアーム３２の基端側はノズル基台３３に固定して連結されている。ノズル基台３３に設けられたモータ１３２によって鉛直方向に沿った軸のまわりで回動可能とされている。ノズル３０から基板Ｗへ処理液が供給されることによって、基板Ｗに対して基板処理が行われる。

ノズル６０は、ノズルアーム６２の先端に吐出ヘッド６１を取り付けて構成されている。ノズルアーム６２の基端側はノズル基台６３に固定して連結されている。ノズル基台６３に設けられたモータ（ここでは図示せず）によって鉛直方向に沿った軸のまわりで回動可能とされている。ノズル６０から基板Ｗへ処理液（ノズル３０から供給される処理液と同じ処理液であってもよいし、異なる処理液であってもよい）が供給されることによって、基板Ｗに対して基板処理が行われる。

ノズル基台３３（またはノズル基台６３）が回動することによって、図１中の矢印３１Ａ（または矢印６１Ａ）の方向に、ノズル３０（またはノズル６０）は、スピンチャック２０の上方の位置とカップ５よりも外側の位置との間で水平方向に沿って円弧状に移動可能である。

洗浄機構７は、基端部の揺動軸Ｐ２周りにその先端部が揺動可能である。洗浄機構７の先端部にはブラシ９が取り付けられており、基板Ｗの回転と洗浄機構７の揺動とによって、ブラシ９が基板Ｗの上面の任意の位置に接触可能である。ブラシ９を基板Ｗに作用させる（すなわち、洗浄機構７が、ブラシ９をＺ軸方向に移動させて、ブラシ９と基板Ｗの上面とが接触させる）ことによって、基板Ｗの洗浄処理を行う。基板Ｗの洗浄処理の際には、必要に応じて所定の処理液をノズル３０またはノズル６０から基板Ｗへ供給する。なお、洗浄処理を行う際のブラシ９の位置（すなわち、ブラシ９が基板Ｗに対向する位置）を洗浄位置とする。

洗浄機構７の揺動軸Ｐ２周りの揺動は、モータ１０によって行われる。当該揺動によって、ブラシ９は、上記の洗浄位置と、ブラシ９が基板Ｗから退避する位置（たとえば、平面視で基板Ｗとは重ならない位置。以下、退避位置）との間を移動可能である。

また、基板Ｗの上面に対向するように下方に向けられたブラシ９は、洗浄機構７の揺動だけでなく、自転軸Ｐ３周りに回転可能である。ブラシ９の回転数は、たとえば、１２５ｒｐｍ程度である。ブラシ９の回転は、洗浄位置および退避位置の双方で可能である。また、ブラシ９は、たとえば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製であり、その径が２０ｍｍ程度である。

また、ブラシ９が基板Ｗに対して作用していない退避位置にある場合には、ブラシ９自身の洗浄を行うために、退避位置に配置されている待機ポッド１１にブラシ９が収容される。待機ポッド１１内には、ブラシ９を洗浄するためのスプレーノズル１５が設けられている。

上記の構成のうち、モータ２２の動作、ノズル３０からの供給、ノズル６０からの供給、モータ１０の動作、スピンチャック２０の動作、または、スプレーノズル１５からの供給などは、制御部１３によって適宜制御される。

制御部１３は、電気回路を有する一般的なコンピュータによって構成されていてよい。具体的には、制御部１３は、中央演算処理装置（ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ、すなわち、ＣＰＵ）と、フラッシュメモリまたはハードディスク装置などの不揮発性記録装置によって構成される記録装置とを備えるものであってよい。そして、ＣＰＵが記録装置に記録された処理プログラムを実行することによって、上記のそれぞれの構成が制御される。

＜スプレーノズルについて＞
図３は、待機ポッド１１におけるスプレーノズル１５について説明するための図である。

スプレーノズル１５は、純水供給源１９から供給される純水（ＤＩＷ）をスプレー状にして噴射する１流体のスプレーノズルである。スプレーノズル１５は、純水（ＤＩＷ）１流体からなるスプレーである１流体スプレー１５Ａをブラシ９に噴射することによって、ブラシ９を洗浄する。

純水供給源１９に接続される供給配管２９には、操作弁１３３が設けられている。操作弁１３３は、予め流量が所定値となるように調節されており、制御部１３はその開閉を制御する。なお、スプレーノズル１５からブラシ９に噴射されるスプレーは、純水（ＤＩＷ）に限られるものではなく、たとえば、ＣＯ_２水であってもよいし、アンモニアであってもよい。

図３に示すように、待機ポッド１１は、上部に開口１３１を備え、基板Ｗの洗浄処理によって汚れまたはパーティクルなどが付着しているブラシ９がここに挿入される。

待機ポッド１１の側壁には、上述のスプレーノズル１５が配備されている。スプレーノズル１５は、待機ポッド１１内においてブラシ９に対して１流体スプレー１５Ａを噴射する。待機ポッド１１内におけるスプレーノズル１５とブラシ９との間の距離は、たとえば、１５ｍｍ以上、かつ、２０ｍｍ以下である。

スプレーノズル１５は、待機ポッド１１内において、噴射孔２５が上方（Ｚ軸正方向）に向くように傾斜姿勢で取り付けられている。スプレーノズル１５のブラシ９に対する見上げ角度は、たとえば、３０°以上、かつ、９０°以下である。本実施の形態では、見上げ角度は３０°とする。スプレーノズル１５のブラシ９に対する見上げ角度は、噴射された１流体スプレー１５Ａがブラシ９の下面９ａ及び周縁部９ｂを覆う程度であることが好ましい。

なお、下面９ａおよび周縁部９ｂは、ブラシ９が基板Ｗに対して洗浄処理を行う際に基板Ｗに接触する面（すなわち、洗浄面）であり、洗浄面は、ブラシ９の下面である場合に限られず、たとえば、ブラシ９の上面または側面であってもよい。

スプレーノズル１５から噴射される１流体スプレー１５Ａは、洗浄面に対して傾斜する方向から噴射されることが望ましい。洗浄面が上面である場合には、スプレーノズル１５はＺ軸正方向側（洗浄面に対向する側）から、洗浄面に対して傾斜するように噴射されてもよい。１流体スプレー１５Ａが、洗浄面に対して傾斜する方向から噴射されることによって、ブラシ９の洗浄面に対して正面から（小さい入射角で）衝突する液滴が少なくなるため、液跳ねが待機ポッド１１外に拡散しにくい。

また、待機ポッド１１内に収容されているブラシ９が回転している場合には、下面９ａは少なくともその中心部までの範囲に１流体スプレー１５Ａが噴射されればよい。

また、制御部１３は、ブラシ９が待機ポッド１１内に収容されている間にスプレーノズル１５に純水（ＤＩＷ）が供給されるように、操作弁１３３の開閉を制御する。

このように、待機ポッド１１内でブラシ９の洗浄を行うことによって、噴射された１流体スプレー１５Ａがブラシ９に到達した後にその周囲に液跳ねが生じることがあっても、基板Ｗに到達してしまうことを十分に抑制することができる。

なお、ブラシ９が待機ポッド１１内に収容されている間にのみスプレーノズル１５に純水（ＤＩＷ）を供給すれば、純水（ＤＩＷ）の節約が可能である。また、ブラシ９が待機ポッド１１内に収容されている間は常時１流体スプレー１５Ａをブラシ９に噴射し続けることによって、ブラシ９の乾燥を抑制しつつ、ブラシ９にパーティクルが付着することを抑制することができる。

そして、ブラシ９に噴射された後汚れを含む状態となった１流体スプレー１５Ａの排液は、待機ポッド１１の底面に形成されている排液口１３４から排出される。

図４は、スプレーノズル１５の断面図である。図４に例が示されるように、１流体のスプレーノズル１５は、上流側の供給管１５１と、供給管１５１よりも下流側で、かつ、供給管１５１よりも径が小さい供給管１５２とを備える。供給管１５１と供給管１５２とは連通されている。

純水供給源１９から供給された純水（ＤＩＷ）は、供給配管２９を経由して供給管１５１に供給され、さらに、供給管１５２に供給された後、噴射孔２５から噴射される。

その際、供給管１５１および供給管１５２が全体として先絞り形状であるため、供給された純水（ＤＩＷ）は径が小さくなる供給管１５２の部分で加速され、噴射孔２５からスプレー状に噴射される。なお、供給管１５２の先端部の径は、噴射孔２５の径よりも若干小さく形成されている。

スプレーノズル１５から噴射される１流体スプレー１５Ａの形状は、たとえば、開き角度が１１５°程度である扇形である。ただし、そのような形状に限定されるものではなく、たとえば、円錐形状などの他の形状であってもよい。

また、スプレーノズル１５から噴射される１流体スプレー１５Ａのスプレーノズル１５から出力される際の圧力（水圧）は、たとえば、０．１ＭＰａ以上、かつ、０．５ＭＰａ以下であり、望ましくは、０．１ＭＰａ以上、かつ、０．３ＭＰａ以下である。本実施の形態では、水圧は、０．１５ＭＰａとする。上記のように、スプレーノズル１５とブラシ９との間の距離は２０ｍｍ程度であるため、スプレーノズル１５から噴射された１流体スプレー１５Ａは、スプレーノズル１５から出力される際の圧力を維持しつつ、ブラシ９に到達する。

上記のような圧力で１流体スプレー１５Ａがブラシ９に噴射されることによって、通常のノズルから洗浄液を吐出する場合よりも高い液速で洗浄液を噴射することができるため、洗浄力を向上させることができる。また、１流体スプレー１５Ａの圧力が高すぎないことで、ブラシ９に付着している汚れまたはパーティクルなどがブラシ９内（ブラシ９の毛の隙間）に入り込むことを抑制することができる。

図５は、スプレーノズル１５の噴射孔２５の形状の例を示す図である。図５に例が示されるように、噴射孔２５は、長軸方向がＹ軸方向に沿う楕円形状である。噴射孔２５の長軸の長さは、たとえば、２ｍｍである。

図３および図５において、噴射孔２５の長軸方向がＹ軸方向に沿うように設けられる場合（すなわち、噴射孔２５の長軸方向が洗浄面に沿うように設けられる場合）、スプレーノズル１５から噴射される１流体スプレー１５ＡはＹ軸方向（すなわち、紙面奥行き方向）に拡がりを有するように噴射されることとなる。

一方で、スプレーノズル１５がブラシ９の洗浄面に対してＸ軸方向に傾斜して１流体スプレー１５Ａを噴射するため、１流体スプレー１５ＡはＸ軸方向にも拡がりを有して噴射されることとなる。よって、１流体スプレー１５Ａは、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に適度に拡がりを有する状態でブラシ９の洗浄面に噴射されることとなり、通常のノズルから洗浄液を吐出する場合よりも洗浄面全体を効果的に洗浄することができる。

また、スプレーノズル１５の噴射孔２５に供給される純水（ＤＩＷ）の流量は、たとえば、１５０ｍｌ／ｍｉｎである。

図６は、スプレーノズル１５の噴射孔２５に供給される純水の流量と、ブラシ９に残存するパーティクルの量との関係を示す図である。図６において、縦軸がパーティクルの量（相対値）を示し、横軸が供給される純水の流量を示す。なお、図６の左端に示されるグラフは、初期状態（すなわち、汚染前）のブラシ９におけるパーティクルの量を示すものである。また、図６の左から２番目に示されるグラフは、スプレーノズルではなく通常の液供給ノズル（たとえば、ノズル３０またはノズル６０）を使って純水を供給した場合の、ブラシ９におけるパーティクルの量を示すものである。

図６に例が示されるように、スプレーノズル１５を使ってブラシ９に対しスプレー状の純水を噴射することによって、通常の液供給ノズルを使ってブラシ９に対し純水を供給する場合よりも、高い洗浄効果を得ることができる。

また、ブラシ９に残存するパーティクルの量は、供給される純水の流量が１５０ｍｌ／ｍｉｎとなるまでは流量の増加に伴って減少していくが、供給される純水の流量が１５０ｍｌ／ｍｉｎよりもさらに増加していくと、パーティクルの量は逆に増加することが分かる。これは、所定の流量を超えるまでは流量に応じて洗浄液（純水）による洗浄効果は高まるが、所定の流量を超えると、高い流量の洗浄液（純水）によってパーティクルがブラシ９に押し付けられ（押し込められ）、洗浄効果（パーティクルの除去効果）が低下するためであると考えられる。

なお、噴射孔２５に供給される純水の流量は、ブラシ９の汚染度合いによって適宜変更可能である。

＜以上に記載された実施の形態によって生じる効果について＞
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。すなわち、以下では便宜上、対応づけられる具体的な構成のうちのいずれか１つのみが代表して記載される場合があるが、代表して記載された具体的な構成が対応づけられる他の具体的な構成に置き換えられてもよい。

以上に記載された実施の形態によれば、基板洗浄装置は、移動機構と、スプレーノズル１５とを備える。ここで、移動機構は、たとえば、洗浄機構７などに対応するものである。洗浄機構７は、洗浄具を、基板Ｗの洗浄を行う洗浄位置と基板Ｗから退避する退避位置との間で移動させる。ここで、洗浄具は、たとえば、ブラシ９などに対応するものである。スプレーノズル１５は、退避位置に位置するブラシ９に対して、洗浄液の１流体スプレー１５Ａを噴射する。

このような構成によれば、１流体スプレー１５Ａを噴射して洗浄具を洗浄するため、洗浄具の洗浄に使われたスプレーが基板Ｗに到達することを抑制することができる。具体的には、２流体スプレーで生じるような微小な液滴が生じないため、スプレーが浮遊して基板Ｗに到達してしまうことが抑制される。よって、基板Ｗの汚染を抑制しつつ、基板Ｗの洗浄具を洗浄することができる。また、通常のノズルから洗浄液を吐出する場合よりも拡がりを有する状態で１流体スプレー１５Ａをブラシ９に噴射することができるため、ブラシ９全体を効率的に洗浄することができる。また、通常のノズルから洗浄液を吐出する場合よりも高い液速で洗浄液を噴射することができるため、洗浄力を向上させることができる。また、ブラシ９を清浄な状態に維持することができるため、ブラシ９の交換寿命を延ばすことができる。また、ブラシ９の洗浄が退避位置で行われるため、ブラシ９の洗浄を行っている間にも基板Ｗの処理を続行することができる。

なお、上記の構成に本願明細書に例が示された他の構成を適宜追加した場合、すなわち、上記の構成としては言及されなかった本願明細書中の他の構成が適宜追加された場合であっても、同様の効果を生じさせることができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、スプレーノズル１５が、０．１ＭＰａ以上、かつ、０．５ＭＰａ以下の圧力で１流体スプレー１５Ａを噴射する。このような構成によれば、ブラシ９に付着している汚れまたはパーティクルなどを効果的に除去することができる。また、１流体スプレー１５Ａの圧力が高すぎないことで、ブラシ９に付着している汚れまたはパーティクルなどがブラシ９内（ブラシ９の毛の隙間）に入り込んでしまって除去しにくくなることを抑制することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、スプレーノズル１５が、退避位置に位置し、かつ、回転しているブラシ９に対して、１流体スプレー１５Ａを噴射する。このような構成によれば、洗浄面全体に均一に１流体スプレー１５Ａを噴射することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、基板洗浄装置は、退避位置に位置し、かつ、ブラシ９を収容可能なポッドを備える。ここで、ポッドは、たとえば、待機ポッド１１などに対応するものである。洗浄機構７は、退避位置においてブラシ９を待機ポッド１１内に収容する。そして、スプレーノズル１５が、待機ポッド１１内に収容されているブラシ９に対して１流体スプレー１５Ａを噴射する。このような構成によれば、待機ポッド１１内でブラシ９の洗浄を行うことによって、噴射された１流体スプレー１５Ａがブラシ９に到達した後にその周囲に跳ねることがあっても、基板Ｗに到達してしまうことを十分に抑制することができる。

また、以上に記載された実施の形態によれば、ブラシ９の基板Ｗに接触する面を洗浄面とする。そして、スプレーノズル１５が、洗浄面に対して傾斜する方向から、１流体スプレー１５Ａを噴射する。このような構成によれば、ブラシ９の洗浄面に対して正面から（小さい入射角で）衝突する液滴が少なくなるため、液跳ねが待機ポッド１１外に拡散しにくい。また、ブラシ９に適切に到達せずにブラシ９を通過してしまう液滴があっても、待機ポッド１１外に液滴が漏れにくい。

また、以上に記載された実施の形態によれば、スプレーノズル１５には、１流体スプレー１５Ａを噴射するための楕円形状の孔が形成される。ここで、孔は、たとえば、噴射孔２５などに対応するものである。そして、噴射孔２５の長軸の方向が、洗浄面に沿う方向である。このような構成によれば、１流体スプレー１５Ａは、スプレーノズル１５の傾斜方向（Ｘ軸方向）および洗浄面に沿う方向（Ｙ軸方向）に適度に拡がりを有する状態でブラシ９の洗浄面に噴射されることとなり、洗浄面全体を効果的に洗浄することができる。

＜以上に記載された実施の形態の変形例について＞
以上に記載された実施の形態では、待機ポッド１１内において、１つのスプレーノズル１５からブラシ９に対して１流体スプレー１５Ａが噴射されたが、ブラシ９に対して１流体スプレー１５Ａを噴射するスプレーノズルは複数であってもよい。

また、ブラシ９に対する他の洗浄方法（たとえば、リンス液をブラシ９に対して吐出する方法）が併用されてもよい。

また、ブラシ９に噴射されるスプレー状の純水（ＤＩＷ）は、温水であってもよい。

また、スプレーノズル１５に供給される純水（ＤＩＷ）の圧力は、１流体スプレー１５Ａが噴射されている間に変動してもよい。

また、スプレーノズル１５の待機ポッド１１内における配置は、Ｚ軸方向に変更可能であってもよい。このような構成であれば、ブラシ９が回転しない場合であっても洗浄面全体をスキャンするように１流体スプレー１５Ａを噴射することができる。また、ブラシ９が回転する場合であっても洗浄面全体を効率的に洗浄することができる。

また、以上に記載された実施の形態では、待機ポッド１１は上部に開口１３１を有する構成として記載されたが、待機ポッド１１が、ブラシ９を収容している状態で開口１３１を適宜閉じるための蓋を備えていてもよい。

以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、限定的なものではないものとする。

したがって、例が示されていない無数の変形例と均等物とが、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合が含まれるものとする。

また、以上に記載された実施の形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。

９ ブラシ
１５ スプレーノズル
１５Ａ １流体スプレー
３０ ノズル
６０ ノズル

Claims (6)

1. 洗浄具を使って基板を洗浄する基板洗浄装置であり、
   前記洗浄具を、前記基板の洗浄を行う洗浄位置と前記基板から退避する退避位置との間で移動させるための移動機構と、
   前記退避位置に位置する前記洗浄具に対して、洗浄液の１流体スプレーを噴射するためのスプレーノズルとを備える、
   基板洗浄装置。
2. 請求項１に記載の基板洗浄装置であり、
   前記スプレーノズルが、０．１ＭＰａ以上、かつ、０．５ＭＰａ以下の圧力で前記１流体スプレーを噴射する、
   基板洗浄装置。
3. 請求項１または２に記載の基板洗浄装置であり、
   前記スプレーノズルが、前記退避位置に位置し、かつ、回転している前記洗浄具に対して、前記１流体スプレーを噴射する、
   基板洗浄装置。
4. 請求項１から３のうちのいずれか１つに記載の基板洗浄装置であり、
   前記退避位置に位置し、かつ、前記洗浄具を収容可能なポッドをさらに備え、
   前記移動機構が、前記退避位置において前記洗浄具を前記ポッド内に収容し、
   前記スプレーノズルが、前記ポッド内に収容されている前記洗浄具に対して前記１流体スプレーを噴射する、
   基板洗浄装置。
5. 請求項１から４のうちのいずれか１つに記載の基板洗浄装置であり、
   前記洗浄具の前記基板に接触する面を洗浄面とし、
   前記スプレーノズルが、前記洗浄面に対して傾斜する方向から、前記１流体スプレーを噴射する、
   基板洗浄装置。
6. 請求項５に記載の基板洗浄装置であり、
   前記スプレーノズルには、前記１流体スプレーを噴射するための楕円形状の孔が形成され、
   前記孔の長軸の方向が、前記洗浄面に沿う方向である、
   基板洗浄装置。

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