JP2023074714A - Metal-ceramic bonded substrate and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体チップなどの発熱体を冷却するための放熱フィンを備えた金属-セラミックス接合基板およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a metal-ceramic bonding substrate provided with heat radiation fins for cooling a heating element such as a semiconductor chip, and a manufacturing method thereof.
パワー半導体チップなど発熱量の大きい電子部品は、放熱フィンへ熱を逃がすことによって冷却される。現状の放熱フィンを備えたベースプレート(ベース板)と回路基板の一体型構造の金属-セラミックス接合基板では、水冷前提のピンフィン形状の放熱フィンが多用されているが、その一方で、空冷構造の放熱フィンもニーズが少なくない。空冷構造の放熱フィンの場合、熱交換効率の関係で、フィンの表面積を大きくする必要がある。具体的には、板状の高い(30mm以上の長さの)フィンが必要となる。 Electronic components that generate a large amount of heat, such as power semiconductor chips, are cooled by radiating heat to heat radiation fins. In the current metal-ceramic bonded substrate with integrated structure of base plate (base plate) equipped with heat radiation fins and circuit board, pin fin shaped heat radiation fins are often used assuming water cooling, but on the other hand, heat radiation of air cooling structure Fins are also in high demand. In the case of heat radiation fins with an air-cooling structure, it is necessary to increase the surface area of the fins in relation to heat exchange efficiency. Specifically, plate-shaped high (30 mm or longer) fins are required.
ここで、溶湯接合法で一体型の金属(アルミニウム)-セラミックス接合基板を作る場合、フィン部のアルミニウムの鋳型離型のためには、フィンに一定のテーパー角を設けることが必要となり、フィンの間隔を小さくすることは難しい。また、凝固時の溶湯供給が難しくなるなど、30mmを超える長さの板状のフィンを形成することが困難である。 Here, when an integrated metal (aluminum)-ceramic bonding substrate is manufactured by the molten metal bonding method, it is necessary to provide the fin with a certain taper angle in order to release the aluminum mold of the fin portion. It is difficult to reduce the interval. In addition, it is difficult to form plate-like fins with a length exceeding 30 mm, such as difficulty in supplying molten metal during solidification.
このため、例えば特許文献1には、ベースプレートに対し、複数のフィンをプレス機でカシメて取り付ける技術が開示されている。特許文献2には、溶湯にフィンを挿入し、凝固させてフィンを取り付ける技術が開示されている。特許文献3には、フィンをベースプレートにろう付けし、放熱フィンを作る技術が開示されている。この特許文献3の技術では、ろう材の溶解に誘導加熱を利用している。特許文献4には、凹部にフィンを嵌めてろう付けする技術が開示されている。特許文献5には、L字状のフィンをベース板にろう付けする技術が開示されている。特許文献6には、U字状のフィンをベース板にろう付けする技術が開示されている。
For this reason,
しかしながら、特許文献1のようにベースプレートに対し、複数のフィンをカシメて取り付ける技術では、フィンを水平方向に挟み込む形のため、強度を得るために強い加重でベースプレートの一部を変形させる必要がある。そのため例えばセラミックス板を備えた一体型構造の金属-セラミックス接合基板等に適用した場合、セラミックス基板が割れてしまう可能性が高い。また、特許文献2のように溶湯を凝固させてフィンを取り付ける技術では、フィンが溶けないように制御するのが困難である。
また、特許文献3のようにフィンを誘導加熱によりろう付する技術では、誘導加熱のためにベース部材に磁性体を形成したクラッド材などを準備する等で製造コストが高くなり、さらに誘導加熱は部位による温度分布が大きくなりやすいのでフィンの接合状態を均一に制御するのが難しい。また、フィンの端部を接合するため接合面積が小さく、ろう材の広がりが不十分になったり、フィンがとれてしまうなどの不具合が起きやすく接合信頼性の低下が懸念される。
特許文献4または特許文献6のように1枚の金属板を断面ジグザグ状或いはU字状に折り曲げてフィン体とする方法は、折り曲げ加工の寸法精度が要求され、フィン間を一定の距離に保つのが難しい。また上部に連接部がある場合は、連接部のない板状のフィンと比べて特に空冷の場合は放熱効率が低下するおそれがある。
特許文献5のようにL字状のフィンをベースにろう接する方法は、フィンとフィンの間の距離を精度よく保つのが困難で、またL字は底辺部を有するためにある程度の距離が必要でありフィン間を小さくすることが難しい。また、放熱フィン同志をスペーサ突起で接合される構造が示されているが、このような構造のフィンの形成は高コストであるという問題がある。
However, in the technique of attaching a plurality of fins to a base plate by crimping them as in
In addition, in the technique of brazing the fins by induction heating as in Patent Document 3, the manufacturing cost increases due to the preparation of a clad material in which a magnetic material is formed on the base member for induction heating. It is difficult to uniformly control the joining state of the fins because the temperature distribution tends to increase depending on the part. In addition, since the ends of the fins are joined, the joint area is small, and problems such as insufficient spread of the brazing filler metal and the fins coming off are likely to occur, leading to concerns about a decrease in joint reliability.
The method of bending a single metal plate into a zigzag or U-shaped cross section to form a fin body, as in Patent Document 4 or Patent Document 6, requires dimensional accuracy in the bending process, and maintains a constant distance between fins. is difficult. Moreover, if there is a connecting portion at the top, there is a possibility that the heat radiation efficiency will be lower than that of a plate-like fin without a connecting portion, especially in the case of air cooling.
In the method of brazing an L-shaped fin to a base as in Patent Document 5, it is difficult to keep the distance between the fins accurately, and since the L-shape has a base, a certain amount of distance is required. Therefore, it is difficult to reduce the distance between fins. Also, a structure is shown in which radiating fins are joined together by spacer projections, but there is a problem that the formation of fins with such a structure is costly.
したがって、本発明はセラミックス板を破損させずに複数のフィンをベースプレートに円滑に取り付けることができる金属-セラミックス接合基板およびその製造方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a metal-ceramic bonded substrate and a method of manufacturing the same, in which a plurality of fins can be smoothly attached to a base plate without damaging the ceramic plate.
上記目的を達成するために、セラミックス板の一方の面に、放熱フィンを備えたベースプレートが接合された金属-セラミックス接合基板であって、前記放熱フィンは、前記ベースプレートに取り付けられた複数のフィン部材からなり、前記フィン部材の基端部には、前記フィン部材の側面から両外側に突出した幅広部が形成され、前記幅広部の表面側が前記ベースプレートにろう付けされ、前記フィン部材が前記ベースプレートに取り付けられている、金属-セラミックス接合基板が提供される。 To achieve the above objects, there is provided a metal-ceramic bonded substrate in which a base plate having radiation fins is bonded to one surface of a ceramic plate, wherein the radiation fins are a plurality of fin members attached to the base plate. At the base end portion of the fin member, a wide portion protruding outward from the side surface of the fin member is formed, and the surface side of the wide portion is brazed to the base plate, and the fin member is attached to the base plate. An attached metal-ceramic bonded substrate is provided.
前記ベースプレートには、前記幅広部の表面側を当接させる複数の受容部が形成され、前記幅広部の表面側が前記受容部に当接した状態でろう付けされていても良い。また、前記フィン部材の材質がアルミニウムまたはアルミニウム合金であっても良い。また、前記ベースプレートの材質がアルミニウムまたはアルミニウム合金であっても良い。また、前記セラミックス板の他方の面に、金属回路板が形成されていても良い。また、前記金属回路板の材質がアルミニウムまたはアルミニウム合金であっても良い。また、前記ベースプレートの内部に強化部材が形成されていても良い。 The base plate may be formed with a plurality of receiving portions for contacting the surface side of the wide portion, and the surface side of the wide portion may be brazed while being in contact with the receiving portion. Moreover, the material of the fin member may be aluminum or an aluminum alloy. Moreover, the material of the base plate may be aluminum or an aluminum alloy. A metal circuit board may be formed on the other surface of the ceramic plate. Moreover, the material of the metal circuit board may be aluminum or an aluminum alloy. Further, a reinforcing member may be formed inside the base plate.
また本発明によれば、セラミックス板の一方の面に、放熱フィンを備えたベースプレートが接合された金属-セラミックス接合基板を製造する方法であって、前記放熱フィンは、前記ベースプレートに取り付けられる複数のフィン部材からなり、前記フィン部材の基端部には、前記フィン部材の側面から両外側に突出した幅広部が形成され、前記ベースプレートには、前記幅広部の表面側を当接させる複数の受容部が形成され、前記幅広部の表面側を前記受容部に当接させた状態でろう付けする、金属-セラミックス接合基板の製造方法が提供される。 Further, according to the present invention, there is provided a method for manufacturing a metal-ceramic bonded substrate in which a base plate having radiation fins is bonded to one surface of a ceramic plate, wherein the radiation fins are attached to the base plate. A fin member is formed at the base end of the fin member, and wide portions protruding outward from the side surfaces of the fin member are formed on the base plate. A method for manufacturing a metal-ceramic bonding substrate is provided, in which a portion is formed, and the surface side of the wide portion is brazed while being in contact with the receiving portion.
前記複数のフィン部材を治具で並列に配置した状態で、前記複数のフィン部材の幅広部の表面側を前記受容部にそれぞれ当接させてろう付けしても良い。また、前記フィン部材の材質がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなっても良い。また、前記フィン部材が押し出し成型材であっても良い。また、前記ベースプレートの材質がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなっても良い。また、前記セラミックス板の他方の面に金属回路板を備えていても良い。また、前記金属回路板の材質がアルミニウムまたはアルミニウム合金であっても良い。また、前記ベースプレートの内部に強化部材が形成されていても良い。また、前記セラミックス板と前記ベースプレートを溶湯接合法により接合しても良い。また、前記セラミックス板と前記金属回路板を溶湯接合法により接合しても良い。 In a state in which the plurality of fin members are arranged in parallel using a jig, the surface sides of the wide portions of the plurality of fin members may be brought into contact with the receiving portions for brazing. Further, the fin member may be made of aluminum or an aluminum alloy. Further, the fin member may be an extruded material. Also, the base plate may be made of aluminum or an aluminum alloy. A metal circuit board may be provided on the other surface of the ceramic board. Moreover, the material of the metal circuit board may be aluminum or an aluminum alloy. Further, a reinforcing member may be formed inside the base plate. Also, the ceramic plate and the base plate may be joined by a molten metal joining method. Also, the ceramic plate and the metal circuit board may be joined by a molten metal joining method.
本発明によれば、セラミックス板を破損させずに複数のフィンをベースプレートに円滑に取り付けることができる金属-セラミックス接合基板およびその製造方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a metal-ceramic bonding substrate and a method of manufacturing the same, in which a plurality of fins can be smoothly attached to a base plate without damaging the ceramic plate.
以下、本発明の実施の形態の一例を、図面を参照にして説明する。なお、本明細書において、実質的に同様の構成要素については、同じ符号を付すことにより、重複する説明を省略する。 An example of an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In this specification, substantially the same components are denoted by the same reference numerals, thereby omitting duplicate descriptions.
<金属-セラミックス接合基板>
図1に示すように、本発明の実施の形態にかかる金属-セラミックス接合基板1は、(例えば略矩形の)セラミックス板15の一方の面(図1では、セラミックス板15の下の面)には、ベースプレート20を介して放熱フィン13を備えている。また、セラミックス板15の他方の面(図1では、セラミックス板15の上の面)に1または2以上の金属回路板12が接合された構造を有している。図示の形態では、セラミックス板15の上面に(例えば略矩形の)2つの金属回路板12が接合されている。
<Metal-ceramic bonded substrate>
As shown in FIG. 1, the metal-
金属回路板12には、パワー半導体チップなど発熱量の大きい電子部品が搭載されるため、金属回路板12は、電気伝導性、熱伝導性に優れた金属が好ましく、例えば、銅、アルミニウムなどの単一金属、銅合金、アルミニウム合金などの合金からなるのが好ましい。金属回路板12に搭載される電子部品は発熱体であり、その熱をセラミックス板15の反対側に備えている放熱フィン13へ、ベースプレート20を介して逃がすことによって電子部品が冷却される。
Since electronic components that generate a large amount of heat, such as power semiconductor chips, are mounted on the
セラミックス板15は、アルミナやシリカなどを主成分とする酸化物、または窒化アルミニウムや窒化ケイ素や炭化ケイ素などを主成分とする非酸化物からなることが好ましい。
The
放熱フィン13は、ベースプレート20に取り付けられた複数のフィン部材21からなる。放熱フィン13(複数のフィン部材21)は、熱伝導性に優れ、また押し出し加工しやすいアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることが好ましい。ベースプレート20は、後述の溶湯接合法によりセラミックス板15に接合でき、熱伝導が高いアルミニウムまたはアルミニウム合金(例えばA6063合金等)が好ましい。
図1に示すベースプレート20は、金属層17と強化部材16からなり、金属層17の内部にベースプレート20の反りを抑制するための強化部材16が形成(接合)されている例である。強化部材16の主面(板面)はセラミックス板15の主面(板面)と略平行の位置関係を有している。強化部材16の材質は、例えば窒化アルミニウムや窒化珪素を主成分とするセラミックス基板、炭素鋼等からなる板材などが好ましい。
金属層17は、金属回路板12に搭載される電子部品(発熱体)に発生する熱をフィン部材21へ円滑に伝導できるように、例えばアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることが好ましい。
The
The
The
複数のフィン部材21は、ベースプレート20の外面(ベースプレート20のセラミックス板15に接合される面と反対側の面(図1では金属層17の下面))において、互いに所定の間隔を空けて平行に並べて配置されており、複数のフィン部材21の表面全体で熱を逃がせるようになっている。後述するように、フィン部材21の基端部には、フィン部材21の側面から両外側に突出した幅広部46が形成されており、その幅広部46の表面側がベースプレート20(の受容部40)に当接した状態で、幅広部46の表面側をろう付けされ、フィン部材21がベースプレート20に取り付けられている、
The plurality of
<金属-セラミックス基板の製造方法>
次に、本発明の実施の形態にかかる金属-セラミックス接合基板1の製造方法の一例を説明する。なお一例として、図1に示したように、金属回路板12と、セラミックス板15と、内部に強化部材16が形成された金属層17からなる積層構造を有するベースプレート20と、を用いた製造方法を説明する。
<Method for producing metal-ceramic substrate>
Next, an example of a method for manufacturing the metal-
図2に示すように、まず、上型30と下型31からなるカーボン製の鋳型32の空隙部33に、セラミックス板15と、例えば材質がセラミックスであり板状の強化部材16(図2ではセラミックス板)を予め所定の隙間を空けてそれぞれの板面が略平行になるようにセットする。この鋳型32では、図1において上に示したセラミックス板15を鋳型32の空隙部33において下側に配置し、図1において下に示した強化部材16を上側に配置している。なお、図示はしないが、強化部材16は、図2における前後方向(紙面と直交する方向)において、上型30と下型31の間でその端部を挟み込んで保持している。また、セラミックス板15は下型31の突起(図示せず)に載せることで所定の位置に配置させている。
As shown in FIG. 2, first, a
こうして鋳型32の空隙部33に、セラミックス板15、強化部材16(セラミックス板)を予め所定の隙間を空けてセットした後、タンク部35に所定のアルミ原料を投入する。そして、タンク部35に蓋36を載せ、鋳型32を(図示しない)加熱炉に搬入した後、窒素雰囲気中でアルミの融点以上の温度まで加熱する。アルミが融解したら、100kPa程度の圧力のN2ガスでタンク部35を加圧し、タンク部35のアルミを湯道34より空隙部33に移送して、強化部材16の外側(図2では、強化部材16の上側)、セラミックス板15と強化部材16の間、セラミックス板15の外側(図2では、セラミックス板15の下側)等にアルミを充填させる。なお、アルミを移送する際、湯道34の一部に設けられた(図示しない)狭隘部を通過させてアルミの表面の酸化物を除去しながら、空隙部33に移送する。
After setting the
こうして空隙部33の全体にアルミを充填した状態で、タンク部35から離れた位置において鋳型32の側方(図2では、鋳型32の左側方)に水冷の銅ブロック(図示せず)を接触させ、鋳型32の側方から抜熱することで、空隙部33に充填されたアルミを指向性凝固させる。この時、タンク部35から100kPa程度でN2ガス加圧をし、アルミの凝固収縮による引け巣を防ぐ目的でアルミを補給する。
In this way, in a state where the
そして、空隙部33内のアルミを常温まで冷却し、鋳型32を解体して、アルミとセラミックス板15、強化部材16を一体型に溶湯接合法により接合させた接合体を取り出す。こうして得られた接合体において、湯道部等の余剰のアルミを切断するなどの後処理を行い、金属層17の内部に強化部材16が接合した積層構造のベースプレート20の表面に、他方の面に回路用金属板を備えたセラミックス板15を形成する。なお、筐体などの取付穴として、機械加工で例えば直径6mm程度の貫通穴をベースプレート20の四隅付近の4か所に設けてもよい。なお、セラミックス板15と強化部材16(本例ではセラミックス板)の板面は互いに平行に位置している。
Then, the aluminum in the
また、強化部材16の外側に接合されたアルミ(の金属層17)は、鋳型32で接合体を製造する際に、複数の受容部40が形成されたベースプレート20になっている。また、図3、図4のように、隣接する各受容部40の上端41の間に凹部が形成されたベースプレート20の表面形状になっている。
すなわち図2における鋳型32の上型30の空隙部33に対応する表面には、(図示しない)前記複数の受容部40と、(図示しない)隣接する各受容部40の上端41の間の凹部に対応する、凸状形状および凹状形状等が形成されている。
In addition, (the
That is, the surface corresponding to the
そして、セラミックス板15の外側に接合された回路用金属板であるアルミの表面には所定の回路形状のマスキング(フォトレジストの形成)をし、エッチング液として塩化鉄を含む水溶液をスプレーし、セラミックス板の端部や回路パターン間のアルミなどの不要部分を溶解(エッチング)するなどして、金属回路板12を形成する。なお、エッチング後、不要となったマスキング部材(フォトレジスト)は薬液で剥離する。このようにして基板半製品2を作製する。
また、金属回路板12の表面に電子部品をはんだ付け等により搭載(接合)するために電気Niメッキ或いは無電解Ni-Pメッキ等のNiめっきを施しても良い。また、電子部品を銀シンターにより搭載(接合)する際には、Niめっきの表面にさらに電気Auめっき或いは無電解Auメッキを施しても良い。
Then, the surface of aluminum, which is a circuit metal plate joined to the outside of the
Further, Ni plating such as electric Ni plating or electroless Ni--P plating may be applied to the surface of the
基板半製品2の製造条件の組み合わせ例1~4を表1に示す。表1中、アルミ材は、セラミックス板15、強化部材16の接合および回路用金属板と金属層17の形成に用いたアルミの組成であり数値は質量%を示す。すなわち例1、2はAlを99.9質量%以上含有する純アルミであり、例3、4は0.04質量%のMgと0.04質量%のSiを含み残部がAlであるアルミ合金である。
また、各層厚は、セラミックス板15の外側に接合されたアルミの回路用金属板、セラミックス板15、セラミックス板15と強化部材16の間のアルミの金属層17、強化部材16、強化部材16の外側に接合された(強化部材16と、受容部40および隣接する各受容部の上端の間の凹部が形成されている領域を除くベースプレート20外周部の表面との間の)アルミの金属層17、の各層の厚さ(mm)である。さらにセラミックス板15の材質、強化部材16(本例ではセラミックス板)の材質についても併記している。すなわち例1、3のセラミックス板15および強化部材16の材質は窒化アルミニウム、例2、4のセラミックス板15および強化部材16の材質は窒化珪素、のセラミックス板である。
また、各層外形サイズは、セラミックス板15の外側に接合されたアルミの回路用金属板、セラミックス板15、セラミックス板15と強化部材16の間のアルミの金属層17、強化部材16、強化部材16の外側に接合されたアルミの金属層17の各層の外形サイズ(いずれも長方形であり、短辺(mm)×長辺(mm))をそれぞれ示す。なお、接合方法は何れも公知の前述のアルミ溶湯接合法である。金属層17は強化部材17を取り囲んでおり、強化部材17と接合している。
Table 1 shows combination examples 1 to 4 of the manufacturing conditions for the
The thickness of each layer is the aluminum circuit metal plate joined to the outside of the
In addition, the external size of each layer is the aluminum circuit metal plate joined to the outside of the
図3、4に示すように、基板半製品2において強化部材16の外側に接合されたベースプレート20(金属層17)には、基板半製品2の短辺方向に延びる溝状の受容部40が複数並列に設けられている。各受容部40は外側(図3、4において上側)に向かって広がるように台形の断面形状を有しており、図示の形態では、底部の幅L1は1mm、上部の幅(一つの受容部40における上端部41同士の間隔)L2は3mm、深さH2は2mmに設定されている。なお、溝状の受容部40は、後述のフィン部材21の基端部の幅広部46が収容できる形状であればよく、例えば長方形や正方形等の断面形状としてもよい。断面を台形とするとフィン部材21の幅広部46の収容が容易になるので好ましい。また、後述するフィン部材21と受容部40のろう接を行う際、受容部40にフィン部材21を配置したときの接触を良好にするため、受容部40の断面形状はフィン部材21の断面形状に対応した形状とすることが好ましい。上記底部の幅L1は1~10mm、上部の幅L2は1~20mm、深さは0.5~3mmの範囲とするのが実用上好ましい。
また、基板半製品2の短辺方向における各受容部40の長さL3は70mmに設定されている。各受容部40の長さL3はフィン部材21の大きさに準ずるが、例えば30~150mmの範囲とするのが好ましい。
As shown in FIGS. 3 and 4, the base plate 20 (metal layer 17) bonded to the outer side of the reinforcing
In addition, the length L3 of each receiving
また、互いに隣接する受容部40の間においては、受容部40の上端部41同士の間隔L4は2mmに設定されている。受容部40の上端41と上端41の間隔は0~10mmの範囲とするのが好ましい。
また、図4においてベースプレート20(金属層17)の隣接する受容部40の上端41の間は逆三角形状の凹部が形成されている。しかしながら前記上端41間は凹部が形成されていなくてもよく、上端41間の形状は特に指定されない。後述の受容部40とフィン部材21のろう接が可能であればよい。
また、受容部40の上端41と上端41の間の距離を0mmまたは十分に小さくすることで、隣接するフィン部材21同士の間隔を小さくすることができる。
Further, between the receiving
In addition, in FIG. 4, an inverted triangular concave portion is formed between the upper ends 41 of the adjacent receiving
Further, by setting the distance between the upper ends 41 of the receiving
図5、6に示すように、ベースプレート20に取り付けられる略板状のフィン部材21は、直方体をなすフィン本体部45を有しており、フィン部材21(フィン本体部45)の基端部には、フィン部材21(フィン本体部45)の側面から両外側に突出した幅広部46が形成されている。フィン部材21の側面から両外側に突出した幅広部46とは、前記直方体をなすフィン本体部45の基端部に形成された、図6に示すようにフィン本体部45の厚さTよりも厚さが大きくなっている部分である。この幅広部46はフィン部材21の長さ方向に垂直な断面において同じ形状をなしていることが好ましい。
図示の形態では、フィン部材21(フィン本体部45)の幅L10は70mm、高さH10は30mm、厚さTは1mmに設定されている。フィン本体部45の長さL10は、例えば30~150mm、高さH10は20~50mmの範囲とするのが好ましい。
As shown in FIGS. 5 and 6, the substantially plate-shaped
In the illustrated embodiment, the width L10 of the fin member 21 (fin body portion 45) is set at 70 mm, the height H10 is set at 30 mm, and the thickness T is set at 1 mm. It is preferable that the length L10 of the fin
幅広部46の表面側(ベースプレート20の受容部40に当接する側であり、図5、6では、幅広部46の下側)は、外側(図5、6において上側)に向かって広がるように台形の断面形状を有しており、図示の形態では、底部の幅L11は1mm、最大幅広部となる端部47同士の間隔(最大幅)L12は3mm(上部の各張出長さL13は1mm)、最大幅広部(端部47)から底部までの高さH11は2mmに設定されている。すなわち、幅広部46の表面側と受容部40は同様の台形の断面形状となっている。
なお、フィン部材21の幅広部46は、例えば長方形や正方形等の断面形状としてもよい。断面を台形とするとベースプレート20の受容部40への収容が容易になるので好ましい。
上記底部の幅L11は1~10mm、上部の幅L12は1~20mm(上部の各張出長さL13は1~8mm)、高さH11は0.5~3mmの範囲とするのが実用上好ましい。
The surface side of the wide portion 46 (the side that abuts on the receiving
The
Practically, the width L11 of the bottom is 1 to 10 mm, the width L12 of the top is 1 to 20 mm (the length L13 of each overhang of the top is 1 to 8 mm), and the height H11 is 0.5 to 3 mm. preferable.
図7に示すように、フィン部材21は治具50で保持することができる。治具50は、一対の支持部51、51を有しており、これら支持部51、51は、バー部材52によって、フィン部材21(フィン本体部45)の幅L10(70mm)よりも狭い所定の間隔をあけて平行に配置して固定されている。支持部51、51の高さは、フィン部材21の高さH10(30mm)と同程度に設定されている。
As shown in FIG. 7, the
支持部51、51同士の向かい合う内面には、複数のスロット部53が一定の等間隔で対向して設けられている。スロット部53は、フィン本体部45を通すが、幅広部46は通さない幅に設定されている。このため、図7に示すように、フィン部材21の幅広部46を上にした姿勢で、フィン本体部45の両側方を支持部51、51同士の内面に設けられた対をなすスロット部53、53に上から差し込むことにより、治具50でフィン部材21を支持することができる。なお、スロット部53は、フィン本体部45を通すが、幅広部46は通さない幅を有するため、このようにフィン本体部45の両側方をスロット部53、53に上から差し込むことにより、幅広部46がスロット部53の一端(図7に示す状態では、スロット部53の上端)に引っかかって支持されることとなる。なお、各スロット部53の一端には、幅広部46の裏面側(幅広部46の表面側と反対側、すなわち、ベースプレート20の受容部40に当接しない側であり、図5、6では、幅広部46の(端部47より)上側)を受容する凹部54が設けられている。こうして、支持部51、51の内面に一定の等間隔で対向して設けられた複数のスロット部53のそれぞれにフィン部材21を支持することにより、複数のフィン部材21を治具50で並列に配置した状態で保持することが可能となる。
A plurality of
本発明の実施の形態にかかる金属-セラミックス接合基板1の製造方法にあっては、図8に示すように、基板半製品2において、受容部40に予めろう材55を塗布しておく。
ろう材は、例えば、ベースプレートおよびフィン部材がアルミまたはアルミニウム合金の場合は、Al-Si系、Al-Si-Mg系ろう材など市販されているものが使用できる。例えば、10質量%のSiと残部Alからなる組成のAl-Si系ろう材(接合条件;少量のフラックス(SOLVAY社製のNOCOLOC)使用、雰囲気N2、接合温度590℃)、7.5質量%のSiと1.0質量%のMgと残部Alからなる組成のAl-Si-Mg系ろう材(接合条件;フラックスレス、雰囲気N2または真空(N2の場合は酸素濃度100ppm以下)、接合温度590℃)などが好適である。
本願の例1~4において、ろう材は上記の7.5質量%のSiと1.0質量%のMgと残部Alからなる組成のAl-Si-Mg系のろう材ペーストを、(フラックスは使用せず)ディスペンサーを用いて受容部40に塗布してベースプレート20の受容部40にろう材55を形成した。
In the manufacturing method of the metal-
As the brazing material, for example, when the base plate and fin members are made of aluminum or an aluminum alloy, commercially available brazing materials such as Al--Si and Al--Si--Mg brazing materials can be used. For example, an Al—Si brazing material having a composition of 10% by mass of Si and the balance of Al (joining conditions: using a small amount of flux (NOCOLOC manufactured by SOLVAY), atmosphere N 2 , joining temperature 590° C.), 7.5 mass % Si, 1.0% by mass Mg, and the balance Al (bonding conditions: fluxless, atmosphere N2 or vacuum (oxygen concentration 100 ppm or less in case of N2 ), A bonding temperature of 590° C.) is suitable.
In Examples 1 to 4 of the present application, the brazing filler metal was the Al--Si--Mg-based brazing paste having a composition of 7.5% by mass Si, 1.0% by mass Mg, and the balance Al (the flux was (not used) was applied to the
そして、図9に示すように、複数のフィン部材21を治具50で並列に配置した状態で、各フィン部材21の幅広部46の表面側(図5、6において幅広部46の下側、底面48および/または側面49)を、基板半製品2のベースプレート20に設けられた複数の受容部40の底面および/または側面にそれぞれ当接させる。この場合、図7に示すように、幅広部46を上にした姿勢として、フィン部材21を治具50に保持し、各スロット部53で複数のフィン部材21を並列に配置した後、基板半製品2のベースプレート20で、治具50で並列配置された複数のフィン部材21の幅広部46を上から押さえた状態で、治具50と基板半製品2を一緒に上下反転させる。これにより、図9、10に示すように、基板半製品2のベースプレート20の上に、治具50で保持された複数のフィン部材21を並列配置することができる。このように、基板半製品2のベースプレート20の上に複数のフィン部材21を並列配置することにより、フィン部材21の幅広部46が下に向いた姿勢となり、各幅広部46の表面側(図5、6において幅広部46の下側、底面48および/または側面49)が、基板半製品2のベースプレート20に設けられた複数の受容部40にそれぞれ受容されて当接した状態となる。このとき幅広部46の表面側の底面48および側面49の両方が受容部40に当接した状態とするのが好ましい。なお、各幅広部46の表面側がベースプレート20の受容部40にそれぞれ受容されて当接した状態を図10に示す。このように、幅広部46の表面側をベースプレート20の受容部40に受容させて当接させることにより、幅広部46の表面側とベースプレート20の受容部40との間にろう材55が介在した状態となる。
Then, as shown in FIG. 9, a plurality of
次に、基板半製品2のベースプレート20の上に治具50で保持された複数のフィン部材21を並列配置した状態のまま(治具50で複数のフィン部材21を保持したまま)、真空または非酸化性雰囲気中において加熱し、幅広部46の表面側とベースプレート20の受容部40との間に介在しているろう材55を溶融させる。その後、冷却してろう材55を凝固させることにより、図11に示すように、幅広部46の表面側をベースプレート20の受容部40にろう付けする。
本願の例1~4においては、前記ろう材が形成されたベースプレート20の受容部40に、フィン部材21の幅広部の底面および側面をろう材を介して当接させて配置した後、N2ガス雰囲気中(酸素濃度100ppm以下)で590℃に加熱してろう材を溶融させ、冷却してフィン部材21と受容部40をろう材を介して接合した。
こうして、ベースプレート20に複数のフィン部材21がろう付けによって一体的に固定された放熱フィン13を形成し、治具50を除去することで、本発明の実施の形態にかかる金属-セラミックス接合基板1を得ることができる。
Next, while the plurality of
In Examples 1 to 4 of the present application, after the bottom and side surfaces of the wide portion of the
Thus, a plurality of
こうして製造された本発明の実施の形態にかかる金属-セラミックス接合基板1にあっては、ベースプレート20に対して複数のフィン部材21がろう付けによって取り付けられるため、ベースプレート20に水平方向(板の長手方向または幅方向)に押圧されることがなく、セラミックス板15、強化部材16に過度の負荷がかからなくなる。その結果、セラミックス板15や強化部材16の割れを回避できる。また、フィン本体部45を溶融させることなく金属-セラミックス接合基板1を得ることができる。また、治具50を用いることでフィン部材21を整列させた後、ろう付けによりベースプレート20に円滑且つ容易に取り付けることができ、フィン部材21の取り付けの製造コストも抑制することができる。また、フィン部材21の端部に幅広部46を形成し、当該幅広部46の表面側とベースプレート20の受容部40を接合するため、ろう材による接合面積が大きく、ろう材の広がりが良好であり接合信頼性が高い。
In the metal-
以上、本発明の実施の形態の一例を説明したが、本発明は図示の形態に限られない。例えば、図1、2等では、金属層17の内部に強化部材16を介在させた積層構造のベースプレート20を示したが、金属層17のみで構成されるベースプレート20を用いても良い。
図12は、回路用金属板と、セラミックス板15と、(内部に強化部材16を有していない)金属層17のみで構成されるベースプレート20(金属板)を有する基板半製品2を溶湯接合法によって製造する例を示す。
また、その場合の、基板半製品2の製造条件の組み合わせ例5~8を表2に示す。すなわち鋳型内に強化部材16(セラミックス)を配置しなかった以外は、例1~4と同様に基板半製品2を作製した。その後、例1~4と同様のフィン部材21と治具50を用い、同様の製造方法で基板半製品2のベースプレート20にフィン部材21を形成(ろう接)することができ、金属-セラミックス接合基板1を完成させた。
Although one example of the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the illustrated form. For example, although FIGS. 1 and 2 show the
FIG. 12 shows a circuit metal plate, a
Table 2 shows examples 5 to 8 of combinations of manufacturing conditions for the
1 金属-セラミックス接合基板
2 基板半製品
12 金属回路板
13 放熱フィン
15 セラミックス板
16 強化部材
17 金属層
20 ベースプレート
21 フィン部材
30 上型
31 下型
32 鋳型
33 空隙部
34 湯道
35 タンク部
36 蓋
40 受容部
41 (受容部の)上端
45 フィン本体部
46 幅広部
47 (幅広部の)端部
48 (幅広部の)底面
49 (幅広部の)側面
50 治具
51 支持部
52 バー部材
53 スロット部
54 凹部
55 ろう材
1 Metal-Ceramic
Claims (17)
前記放熱フィンは、前記ベースプレートに取り付けられた複数のフィン部材からなり、
前記フィン部材の基端部には、前記フィン部材の側面から両外側に突出した幅広部が形成され、
前記幅広部の表面側が前記ベースプレートにろう付けされ、前記フィン部材が前記ベースプレートに取り付けられている、金属-セラミックス接合基板。 A metal-ceramic bonding substrate in which a base plate having heat dissipation fins is bonded to one surface of a ceramic plate,
The heat radiation fins are composed of a plurality of fin members attached to the base plate,
At the base end of the fin member, a wide portion protruding outward from the side surface of the fin member is formed,
A metal-ceramic bonding substrate, wherein the surface side of the wide portion is brazed to the base plate, and the fin member is attached to the base plate.
前記幅広部の表面側が前記受容部に当接した状態でろう付けされている、請求項1に記載の金属-セラミックス接合基板。 The base plate is formed with a plurality of receiving portions with which the surface side of the wide portion abuts,
2. The metal-ceramic bonding substrate according to claim 1, wherein the surface side of said wide portion is brazed while being in contact with said receiving portion.
前記放熱フィンは、前記ベースプレートに取り付けられる複数のフィン部材からなり、
前記フィン部材の基端部には、前記フィン部材の側面から両外側に突出した幅広部が形成され、
前記ベースプレートには、前記幅広部の表面側を当接させる複数の受容部が形成され、
前記幅広部の表面側を前記受容部に当接させた状態でろう付けする、金属-セラミックス接合基板の製造方法。 A method for manufacturing a metal-ceramic bonded substrate in which a base plate having heat radiating fins is bonded to one surface of a ceramic plate, the method comprising:
The heat radiation fins are composed of a plurality of fin members attached to the base plate,
At the base end of the fin member, a wide portion protruding outward from the side surface of the fin member is formed,
The base plate is formed with a plurality of receiving portions with which the surface side of the wide portion abuts,
A method for manufacturing a metal-ceramic bonding substrate, wherein the surface side of the wide portion is brazed while being in contact with the receiving portion.
15. The method for producing a metal-ceramic bonding substrate according to claim 13, wherein the ceramic plate and the metal circuit board are bonded by a molten metal bonding method.
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