JP2023072528A - 基板搬送装置及び基板搬送方法 - Google Patents

Abstract

【課題】専有床面積及び重量の増加を抑制することができる基板搬送装置を提供する。【解決手段】管軸が横に伸び、内部に基板の搬送領域を形成する円管と、面上に磁界を形成すると共に、前記搬送領域に臨む磁界形成面を備える磁界形成部と、前記磁界により前記磁界形成面から離れると共に当該磁界形成面の面方向に移動して、前記基板を搬送する搬送体と、を備えるように基板搬送装置を構成する。【選択図】図２

Description

本開示は、基板搬送装置及び基板搬送方法に関する。

半導体デバイスの製造工程において、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）が装置内を搬送されて処理される。
特許文献１には、ウエハを搬送するロボットを備える真空モジュールが複数設けられると共に、真空チューブにより互いに接続された装置について記載されている。各真空モジュールには処理モジュールが接続されており、ロボットによりウエハを搬送可能な構成とされている。このロボットについては、その底部が真空モジュールの床上に設けられる多関節アームであることが示されている。また、真空チューブの形状については示されていない。

特開２０２０－１７０８６６号公報

本開示は、専有床面積及び重量の増加を抑制することができる基板搬送装置を提供する。

本開示の基板搬送装置は、管軸が横に伸び、内部に基板の搬送領域を形成する円管と、
面上に磁界を形成すると共に、前記搬送領域に臨む磁界形成面を備える磁界形成部と、
前記磁界により前記磁界形成面から離れると共に当該磁界形成面の面方向に移動して、前記基板を搬送する搬送体と、を備える。

本開示によれば、専有床面積及び重量の増加を抑制することができる基板搬送装置を提供することができる。

本開示の一実施形態である基板搬送モジュールを含む基板処理装置の平面図である。 モジュールにおける管軸に沿った前記真空搬送モジュールの縦断側面図である。 前記管軸に直交する前記真空搬送モジュールの縦断側面図である。 前記真空搬送モジュールを構成する円管の斜視図である。 前記真空搬送モジュールを構成する円管の端部のフランジの正面図である。 前記基板処理装置に設けられる搬送体及び床板の斜視図である。 前記真空搬送モジュールにおける窒素ガスの供給例の一例を示す説明図である。 前記円管の分離を示す説明図である。 前記円管からの磁界形成部の引き出しを示す説明図である。 温度調整機構を設けた場合の真空搬送モジュールの縦断側面図である。 洗浄液供給機構が適用された真空搬送モジュールを示す縦断側面図である。 二重管の構成とした場合の前記真空搬送モジュールの縦断側面図である。 前記基板処理装置同士が連結された構成例を示す平面図である。 磁界形成面が互いに異なる向きとなる真空搬送モジュールの縦断側面図である。 磁界形成面が円管をなす真空搬送モジュールの斜視図である。

本開示の一実施形態である基板搬送装置を含む基板処理装置１について図１に示す。基板処理装置１は大気雰囲気に設置されており、ローダーモジュール２、ロードロックモジュール２５、真空搬送モジュール３及び８つの処理モジュール７を備えており、各処理モジュール７において円形の基板であるウエハＷを真空雰囲気で処理する。

ローダーモジュール２はＥＦＥＭ（Equipment Front End Module）と呼ばれるモジュールであり、ウエハＷを格納するＦＯＵＰ（Front Open Unified Pod）と呼ばれる搬送容器Ｃに対して当該ウエハＷの搬入、搬出を行う。搬送容器Ｃから搬出されたウエハＷが、基板処理装置１に取り込まれる。ローダーモジュール２は横長であり、内部が大気雰囲気且つ常圧雰囲気とされている。以下、ローダーモジュール２の長さ方向をＸ方向、当該Ｘ方向に直交する方向をＹ方向として説明する。これらのＸ方向及びＹ方向は各々水平方向である。そしてＸ方向の一方側、他方側を夫々＋Ｘ側、－Ｘ側として記載し、Ｙ方向の一方側、他方側を夫々＋Ｙ側、－Ｙ側として記載する。

ローダーモジュール２の－Ｙ側には、搬送容器Ｃを各々載置する容器載置部２１が例えば３つ、Ｘ方向に並んで設けられている。そして、ローダーモジュール２内には搬送機構２２が設けられている。この搬送機構２２は、後述の搬送体６１のように磁気浮上はせず、昇降自在且つＸ方向に移動自在である多関節アームとして構成されている。搬送機構２２により、容器載置部２１上の搬送容器Ｃとロードロックモジュール２５との間でウエハＷが搬送される。

ローダーモジュール２の＋Ｙ側にロードロックモジュール２５が設けられ、そのロードロックモジュール２５の＋Ｙ側に真空搬送モジュール３が順に設けられている。ロードロックモジュール２５は内部にウエハＷを載置するステージ２６を備えている。ステージ２６は、ステージ２６の上面にて突没する３つの昇降ピン２７を備えており、当該昇降ピン２７を介してローダーモジュール２の搬送機構２２及び真空搬送モジュール３の搬送体６１との間で、ウエハＷの受け渡しが可能である。

ロードロックモジュール２５とローダーモジュール２との間、ロードロックモジュール２５とローダーモジュール２との間には、夫々ドアバルブ２８、ゲートバルブ２９が夫々介設されている。ロードロックモジュール２５は、その内部に対するＮ_２（窒素）ガスの供給と、排気とを行うことができ、ドアバルブ２８及びゲートバルブ２９が閉じられた状態で、当該内部についてＮ_２ガス雰囲気である常圧雰囲気と真空雰囲気との間での切り替えが可能である。当該内部は、ウエハＷを真空搬送モジュール３へ搬送する際には真空雰囲気とされ、ローダーモジュール２へウエハＷを搬送する際には常圧雰囲気とされる。

続いて基板搬送装置である真空搬送モジュール３について、縦断面図である図２、図３も参照して、その概要を説明する。真空搬送モジュール３は、筐体３１と、磁界形成ユニット６と、搬送体６１と、を備えている。磁界形成ユニット６及び搬送体６１は筐体３１内に設けられている。そして筐体３１内は密閉空間をなし、排気されることで真空雰囲気とされる。搬送体６１は、磁界形成ユニット６を構成する床板６５によって形成される磁界により、当該床板６５から浮いた状態で横方向に移動し、ロードロックモジュール２５と処理モジュール７との間、及び処理モジュール７間でウエハＷを搬送する。そのように浮上して移動することで、発塵を防止して真空搬送モジュール３内及び処理モジュール７内をクリーンに保ち、ウエハＷへの異物の付着による処理の異常の発生が抑制されるようにしている。

筐体３１について詳しく説明する。筐体３１は、接合円管３２、隔壁３９及び８つの側管３４により構成されている。接合円管３２は直管であり、当該接合円管３２の管軸ＰがＹ方向に沿って伸びる。従って管軸Ｐは横方向、より具体的には水平方向に伸びている。なお、図２は当該管軸Ｐに沿った縦断側面図、図３は管軸Ｐの軸方向と直交する縦断側面図である。図示の煩雑化を防ぐために、管軸Ｐは図２及び図３のうち、図３のみに示している。

接合円管３２は、金属製の２つの円管３３が互いの管軸が重なるように接続されることで構成されている。従って上記した接合円管３２の管軸Ｐは、各円管３３の管軸でもある。そして上記の８つの側管３４は、円管３３に４つずつ付帯するように設けられている。なお図２中１１は支柱であり、Ｙ方向に間隔を空けて複数設けられ、基板処理装置１が設置される床１２上に、２つの円管３３を各々支持している。そのように支持される各円管３３の高さは、台１３によって床１２上に支持される既述のロードロックモジュール２５の高さと揃えられている。

接合円管３２を構成することで、円管３３は筐体３１の一部を形成する。この円管３３について図４の斜視図も参照して説明すると、－Ｙ側の端部、＋Ｙ側の端部は夫々円管３３の外方へ向けて広がることで、フランジ３５、３６を形成している。そして、円管３３の＋Ｘ側の側壁、－Ｘ側の側壁には夫々２つの円形の開口部３７が、Ｙ方向に互いに離れて設けられている。－Ｙ側の２つの開口部３７は対向し、＋Ｙ側の２つの開口部３７は互いに対向している。従って、４つの開口部３７は、平面視２×２の行列状に配置されている。

そして円管３３の外周の－Ｘ側、＋Ｘ側に２つずつ、既述の側管３４が設けられている。各側管３４はごく短い円管であり、４つの側管３４の一端は、開口部３７の周縁に各々接続されている。そして、各側管３４の他端側は、管軸Ｐとは反対方向へと、Ｘ方向に沿って伸びている。各側管３４の他端部は、当該側管３４の外方へ向けて広がり、フランジ３８を形成している。

以降、２つの円管３３について互いに区別するために、以降は－Ｙ側に位置する円管を３３Ａ、＋Ｙ側に位置する円管を３３Ｂと記載する場合が有る。続いて、円管３３Ａ、３３Ｂと他の各部材との接続について述べる。円管３３Ａのフランジ３５は上記したゲートバルブ２９に接続されており、当該ゲートバルブ２９の開放時に円管３３Ａ内とロードロックモジュール２５内とが連通して、真空搬送モジュール３とロードロックモジュール２５との間でウエハＷが搬送可能となる。そして円管３３Ｂのフランジ３６は、隔壁３９に接続されている。この隔壁３９は、円管３３Ｂの＋Ｙ側の開口を塞ぐように設けられている。

また、上記した各側管３４のフランジ３８には、Ｘ方向からゲートバルブ７１を介して処理モジュール７が接続される。従って、接合円管３２の側面には、管軸Ｐに沿って互いに離れるように側管３４がなすウエハＷの搬送路が開口し、この搬送路についてはゲートバルブ７１により開閉される構成となっている。そして、８つの処理モジュール７については、平面視で２×４の行列状に配置されている。そして、処理モジュール７に接続されるゲートバルブ７１は、ウエハＷの搬送のために必要な場合を除いて閉鎖され、モジュール間の雰囲気を分離する。なお、上記のドアバルブ２８、ゲートバルブ２９についても同様である。処理モジュール７について、互いを区別するために処理モジュール７Ａ～７Ｄとして述べる場合が有り、-Ｙ側から＋Ｙ側に向けて処理モジュール７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄの順で配置されているものとする。つまり、処理モジュール７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄは２つずつ設けられている。

上記の処理モジュール７の構成について説明しておくと、各処理モジュール７は処理容器を備えており、処理容器内は図示しない排気機構によって排気されることで真空雰囲気とされる。処理容器内にはロードロックモジュール２５と同様に、昇降ピン２７を備えたステージ２６が設けられている。なお、処理モジュール７における当該ステージ２６は、載置されたウエハＷの温度を所望の温度に調整して処理を行うために、例えばチラーユニットにより温度調整された流体が通流する流路や、ヒーターを温度調整部として備えている。

また、処理容器には例えばガスシャワーヘッドなどの図示しないガス供給部が設けられ、真空雰囲気とされた処理容器内に処理ガスが供給される。ステージ２６に載置されて温度調整されたウエハＷが、この処理ガスに曝されることで、処理ガスに応じた処理がなされる。この処理としては、例えばエッチング処理、成膜処理あるいはアニール処理などである。なお、処理ガスがプラズマ化されて処理が行われるように、プラズマ形成機構が設けられていてもよい。

続いて、円管３３Ａと円管３３Ｂとの接続について、円管３３Ａのフランジ３６を＋Ｙ側から見た正面図である図５も参照して説明する。円管３３Ａのフランジ３６と、円管３３Ｂのフランジ３５とは互いに対向しており、これらのフランジ３５、３６間には、当該フランジ３５、３６の各々に密着するようにＯリング４１、４２が介在している。Ｏリング４１、４２の各々は、管軸Ｐにおける点を同心とする円環状のシール部材であり、Ｏリング４１の径はＯリング４２の径よりも大きい。従って、Ｏリング４１、４２は円管３３Ａ、３３Ｂの管口に沿って形成されている。Ｏリング４２の外周とＯリング４１の内周との間に円環状の隙間４３が形成されている。

このようにＯリング４１、４２を介して互いに接続されるフランジ３５、３６は、ボルトなどの不図示の固定具により互いに固定されており、この固定具を外すことで当該固定を解除することができる。つまり円管３３Ａ、３３Ｂは着脱自在である。そのように円管３３同士を着脱自在とすることによって、後述する磁界形成ユニット６の筐体３１内に対する着脱作業の容易化が図られている。そして、そのように円管３３Ａ、３３Ｂを着脱自在とするにあたり、筐体３１の外部の大気がフランジ３５、３６間を介して、円管３３Ａ、３３Ｂ内に流入することが防止されるように、上記の隙間４３においてＮ_２ガスの気流を形成できるように構成されている。

その気流の形成機構について説明する。上記の円管３３Ａのフランジ３６には－Ｙ側から配管４４の下流端が接続されており、当該配管４４の下流端はフランジ３６の厚さ方向（Ｙ方向）に穿孔された孔４４Ａを介して、当該隙間４３に開口する。そして、配管４４の上流側は流量調整部４５を介してガス供給源４０に接続されている。このガス供給源４０は、清浄な不活性ガスとして例えばＮ_２ガスを配管４４に供給する。そして流量調整部４５はバルブやマスフローコントローラを備えており、配管４４の下流側へのＮ_２ガスの供給量を調整する。

また、フランジ３６には－Ｙ側から排気管４６の上流端が接続されており、排気管４６の下流眼はフランジ３６の厚さ方向（Ｙ方向）に穿孔された孔４６Ａを介して、当該隙間４３に開口する。隙間４３の各部にＮ_２ガスを均一性高く供給することができるように、孔４４Ａの位置と、孔４６Ａの位置とは管軸Ｐから見て、１８０度異なっている。

排気管４６の下流端は、排気量調整部４７を介して排気機構４８に接続されている。排気機構４８は例えば真空ポンプにより構成されている。排気量調整部４７は例えばバルブによって構成され、排気管４６による排気量を調整する。ウエハＷを搬送するために筐体３１内が排気されて真空雰囲気とされる際は、隙間４３へのＮ_２ガス（第２ガス）の供給と、隙間４３からの排気とが行われることで、図中に点線の矢印で示すように円環をなす隙間４３の周に沿った気流が形成される。この気流の形成は、筐体３１内が真空雰囲気とされる基板処理装置１の稼働中、常時行われる。筐体３１の外部から隙間４３に大気が流入してもこの気流に押し流されて排気されることで、筐体３１内に当該大気が流入することが防止される。

なお、円管３３Ａ、円管３３Ｂは夫々第１円管、第２円管であり、円管３３Ａのフランジ３６、円管３３Ｂのフランジ３５は夫々第１フランジ、第２フランジであり、Ｏリング４１、Ｏリング４２は夫々第１シール部材、第２シール部材である。そして、気流形成機構は、ガス供給源４０、流量調整部４５、排気量調整部４７、配管４４、及び排気管４６により構成される。

ところで、以降の説明における流量調整部４５以外の流量調整部については流量調整部４５と同様に構成され、流量調整部が設けられる配管の下流側へのガスの流量を調整するものとする。なお流量を調整することには、流量を０にすること（即ちガスの供給を停止すること）も含まれる。また、以降の説明における排気量調整部４７以外の排気量調整部については排気量調整部４７と同様の構成であり、当該排気量調整部が設けられる排気管の下流側へのガスの流量を調整するものとする。

なお、円管３３Ｂと隔壁３９との接続も、円管３３Ａ、３３Ｂとの接続と同様になされている。具体的には、隔壁３９は円管３３Ｂのフランジ３６に対して固定具を介して着脱自在であり、当該フランジ３６と隔壁３９との間にはＯリング４１、４２が介在する。そして、Ｏリング４１、４２間の隙間４３についても、配管４４及び排気管４６を介してＮ_２ガスの供給と排気とが行われることで、当該隙間４３の周に沿った気流が形成されている。

続いて搬送体６１及び磁界形成ユニット６について、図６も参照して説明する。搬送体６１は、移動本体６２と、支持体６３とを備えている。移動本体６２は例えば永久磁石である磁石６４を含む。支持体６３は移動本体６２の側方に設けられており、当該支持体６３上にウエハＷが支持される。支持体６３は各モジュールに対して、ウエハＷを受け渡す際に昇降ピン２７に干渉しないように、本例では支持体６３は二股のフォーク状に構成されている。

磁界形成ユニット６は筐体３１内に設けられ、円管３３Ａ内、円管３３Ｂ内に各々配置されている。この磁界形成ユニット６は、床板６５、支柱６８及び車輪６９により構成される。床板６５は平板として構成されており、その面方向に多数のコイル６６が分散されて埋設されている。電力供給部６０から、各コイル６６に個別に電力が供給される。コイル６６は供給された電力に応じた強度で、床板６５の主面であると共に上方に向けられる磁界形成面６７上に磁界を形成する。即ち、各コイル６６は電磁石として作用する。本例では磁界形成面６７は水平面をなす。上記の搬送体６１の磁石６４と通電されたコイル６６とが磁力により反発し、搬送体６１は磁界形成面６７から浮上する。

電力が供給されるコイル６６の切り替えや、供給する電力の調整によって磁界形成面６７上の磁界の分布、強度が制御されることで、搬送体６１については浮上したままでＸ方向及びＹ方向の移動、向きの変更、静止、及び磁界形成面６７からの浮上高さの変更が可能である。なお、ここでのＸ方向及びＹ方向の移動とは、Ｘ方向、Ｙ方向の移動が別々に行われること、同時に行われることの両方を含む意味である。このように搬送体６１は、磁界形成面６７上において、当該磁界形成面６７の面方向に異なる位置間を移動可能である。そして、磁界形成面６７上に搬送体６１を構成する移動本体６２が位置した状態で、搬送対象となるモジュールに支持体６３が進入することで、モジュールに対するウエハＷの受け渡しがなされる。

磁界形成部である床板６５についてさらに説明すると、床板６５はＹ方向に長尺に構成されており、円管３３の長さと略同様の長さを有する。そして円管３３Ａの床板６５と、円管３３Ｂの床板６５とは同じ高さに位置し、互いに接している。従って接合円管３２内は、管軸方向の一端部から他端部に亘って、床板６５により、上部空間５１と下部空間５２とに区画されている。

下部空間５２については、例えば基板処理装置１を駆動させるための各種の機器類が設置されるスペースをなす。なお、床板６５については例えば、平面視で概ね正方形のタイル状に形成された磁界形成板８０が、Ｙ方向に互いに接続されることで構成される。なお、図１～図６の各図では磁界形成板８０の個々の表示は、図示の煩雑化を防ぐ目的から省略しており、後の実施例で磁界形成板８０を示す。そして、床板６５については＋Ｘ方向、－Ｘ方向の各々に向う側面が、円管３３の内周面と離間するように設けられ、当該側面と当該内周面との間において、上部空間５１と下部空間５２を連通させる連通路５０が形成される（図３参照）。

支柱６８は、床板６５の＋Ｘ側の端部及び－Ｘ側の端部を下方から支持するために、これら＋Ｘ側の端部、－Ｘ側の端部の各々において、Ｙ方向に間隔を空けて複数設けられている。そして、各支柱６８の下端には車輪６９が設けられており、車輪６９はＸ方向に伸びる軸を回転軸として回転可能である。磁界形成ユニット６は円管３３に対して着脱自在であり、その着脱に車輪６９を利用する。当該着脱の手順については後述する。

続いて筐体３１について、さらに説明する。接合円管３２内の上部空間５１には、床板６５の上方に、当該床板６５と対向するように遮熱部材である遮熱板１４が設けられており、上部空間５１のＹ方向の一端から他端に亘って形成されている。この遮熱板１４と床板６５との間の高さ領域が、上記した搬送体６１によってウエハＷが搬送される搬送領域１５として構成される。従って、床板６５の磁界形成面６７は搬送領域１５に臨み、遮熱板１４については、搬送領域１５に対する磁界形成面６７の反対側に設けられている。なお上記した側管３４は、処理モジュール７に対して搬送体６１がウエハＷの受け渡しを行えるように、搬送領域１５に開口している。

上記の遮熱板１４は、ウエハＷから接合円管３２の管壁へ向う輻射熱を遮蔽する役割を有する。即ち、処理モジュール７で処理されて比較的高温の状態でウエハＷが接合円管３２内に搬出されたとしても、そのウエハＷからの輻射熱により当該管壁ひいては真空搬送モジュール３の周囲について、高温となってしまうことが防止されるように、遮熱板１４が設けられている。それにより基板処理装置１の外部において、他の装置による処理が異常となったり、作業員の移動や作業が行えなくなったりすることが防止される。

接合円管３２の上部にはガスノズル５３が設けられ、当該ガスノズル５３の吐出口は、下方に向かう。つまり、上部空間５１に当該吐出口が開口する。図２に示すようにガスノズル５３はＹ方向に間隔を空けて配設されており、本例では４つのガスノズル５３が設けられている。これらのガスノズル５３を、－Ｙ側から＋Ｙ側に向けて５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄとして互いに区別して記載する場合が有る。例えばガスノズル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、５３ＤのＹ方向の位置は、夫々処理モジュール７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７ＤのＹ方向の位置に揃っている。

各ガスノズル５３は配管５４を介してガス供給源４０に接続されている。また、各配管５４には流量調整部５５が介設されており、各ガスノズル５３から吐出されるＮ_２ガスの流量を個別に調整することができる。また接合円管３２の底部には、下部空間５２に開口する排気口５６が設けられている。この排気口５６は、Ｙ方向に間隔を空けて複数設けられている。この複数の排気口５６に排気管５７の一端が各々接続されており、各排気管５７の他端は排気量調整部５８を介して、排気機構４８に接続されている。なお、ガスノズル５３の吐出口は第１ガス供給口である。従って、第１ガス供給口は、接合円管３２の管軸方向において互いに異なる位置に開口している。また、当該ガスノズル５３から吐出されるＮ_２ガスは第１ガスである。

基板処理装置１の稼働中に排気口５６からの排気が行われて、筐体３１内が所望の圧力の真空雰囲気とされる。そして、この排気と並行してガスノズル５３からのＮ_２ガスの供給が行われ、筐体３１内が所望の真空圧とされて、ウエハＷの搬送が行われる。図３中に点線の矢印でＮ_２ガスの流れを示している。この図３に示すように、上部空間５１を下方に向うＮ_２ガスは、遮熱板１４の下方に回り込むことで搬送領域１５を下方へと流れた後、連通路５０を介して下部空間５２に流入し、排気口５６に流入して除去される。

以上のようにガスノズル５３から吐出されたＮ_２ガスはパージガスとして上部空間５１をパージするように流れ、パーティクルなどの異物を上部空間５１から除去する。また、既述したように図示しない機器類が設けられる下部空間５２で、例えばパーティクルが生じても当該パージガスの流れによって上部空間５１へ飛散することが抑制される。以上のように円管３３内が上下に分割されたことと、及び上部空間５１に供給されるパージガスの作用とにより、上部空間５１及び当該上部空間５１を構成する搬送領域１５を搬送されるウエハＷは、清浄に保たれる。

ところで、上記の下部空間５２へ向うＮ_２ガスの流速を高めて、上部空間５１の清浄化がより確実になされるように、上部空間５１の圧力の方が下部空間５２の圧力よりも高くなるようにすることが好ましい。即ち、そのような圧力差が形成されるように、各ガスノズル５３からのＮ_２ガスの供給量と、各排気口５６からの排気量とを調整する（即ち、流量調整部５５及び排気量調整部５８の動作を制御する）ことが好ましい。当該圧力差が形成可能であるように、床板６５の側方の連通路５０については適正な幅（Ｘ方向の長さ）を有するように形成するものとする。なお、ゲートバルブ７１の開放時における処理モジュール７の処理容器内と筐体３１内との間のガスの流れ、及びその流れに伴うパーティクル等の異物の移動が抑制されるようにするために、処理モジュール７内の圧力と上部空間５１の圧力との差は、比較的小さくなるようにする。

ところで、既述したようにガスノズル５３Ａ～５３Ｄの各々は、２つの処理モジュール７に対してＹ方向の位置が揃うことで比較的近くに位置している。そのためガスノズル５３Ａ～５３Ｄから吐出されたＮ_２ガスは、上部空間５１において、そのように比較的近い位置の処理モジュール７に接続されているゲートバルブ７１に面する領域へと供給される。そして、そのようにＹ方向の位置が揃うガスノズル５３と、処理モジュール７に接続されるゲートバルブ７１とが対応付けられ、当該ゲートバルブ７１の開閉に従って、対応するガスノズル５３からのＮ_２ガスの流量が変化するように各流量調整部５５が動作する。

さらに詳しく述べると、ガスノズル５３は、対応するゲートバルブ７１がいずれも閉じられた状態では第１の流量でＮ_２ガスを供給する。一方、対応する２つのゲートバルブ７１のうちのいずれかが開かれた状態では、第１の流量よりも大きい第２の流量でＮ_２ガスを供給する。従って、対応するゲートバルブ７１がいずれも閉じられたガスノズル５３からのガス流量に比べて、対応するゲートバルブ７１のいずれかが開かれたガスノズル５３からのガス流量は大きい。図７にこのガス流量の制御の具体例を示しており、この図７の例では処理モジュール７Ｃに接続されるゲートバルブ７１が開き、処理モジュール７Ａ、７Ｂ、７Ｄに接続される各ゲートバルブ７１が閉じられている。それにより、ガスノズル５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｄからは第１の流量でＮ_２ガスが吐出され、ガスノズル５３Ｃからは第２の流量でＮ_２ガスが吐出されている。

上記の第２の流量でＮ_２ガスが供給されることで、上部空間５１における開かれたゲートバルブ７１が面する領域でのＮ_２ガスの流速が大きくなり、それによって処理モジュール７から筐体３１内へのガスの拡散が抑制される。その結果として、当該ガスの拡散による搬送領域１５への異物の流出が抑制されることになる。

接合円管３２はＹ方向に長尺であるため、上記したようにガスノズル５３は複数設けられる。そして、上記の処理モジュール７からのガスの拡散の抑制効果を高くするために、各ガスノズル５３からのＮ_２ガスの流量を常時大きくすると、基板処理装置１の稼働中の当該Ｎ_２ガスの使用量が大きくなってしまう。しかし、このように対応するゲートバルブ７１の開閉に応じて各ガスノズル５３の流量が調整されることで、Ｎ_２ガスの使用量を抑制しつつ、処理モジュール７から上部空間５１へのガスの拡散についての高い抑制効果を得ることができる。そのように各ガスノズル５３へのガス流量を調整する流量調整部５５及びガス供給源４０は、第１ガス供給部を構成する。

なお、第２の流量でガスを吐出するガスノズル５３以外のガスノズル５３からのＮ_２ガスの流量としては第１の流量から低下させてもよく、その場合は、当該ガスノズル５３からのＮ_２ガスの供給を停止させるようにしてもよい。具体的に述べると、図７に示したようにガスノズル５３Ｃから第２の流量でＮ_２ガスを吐出する場合、ガスノズル５３Ａ、５３Ｂ、５３ＤからのＮ_２ガスの吐出については第１の流量よりも低い流量とするようにしてもよく、吐出を停止させてもよい。

また、排気口５６についてもＹ方向において比較的位置が近いゲートバルブ７１と対応付けるようにしてもよい。そして、対応するゲートバルブ７１がいずれも閉じられるときには第１の排気量で排気を行い。対応するゲートバルブ７１のいずれかが開かれるときには、第１の排気量よりも大きい第２の排気量で排気されるように、排気量調整部４７の動作を制御してもよい。それにより、対応するゲートバルブ７１が面する領域でのガスの流速を高め、処理モジュール７から上部空間５１へのガスの拡散を抑制してもよい。なお、第２の排気量となる排気口５６以外の排気口５６からの排気量を第１の排気量よりも低い排気量としてもよく、その場合は第２の排気量で排気する排気口５６以外の排気口５６からの排気が停止されるようにしてもよい。

ただし、排気口５６はゲートバルブ７１が設けられる上部空間５１に対して区画された下部空間５２に開口する構成であるため、上部空間５１における気流へ与える影響が低い場合が有る。そのため、処理モジュール７からのガスの拡散効果をより確実に得るためには、上記したようにガスノズル５３からのガス流量を変更するか、このガス流量の変更と共に既述の各排気口５６からの排気量の制御を行うことが好ましい。

続いて、図１に示す制御部１０について説明する。この制御部１０はコンピュータによって構成されており、プログラムを備えている。このプログラムは、後述するウエハＷの搬送及び処理が行われるように、基板処理装置１の各部に制御信号を出力して、当該各部の動作を制御することができるようにステップ群が組まれている。具体的には、搬送機構２２の動作、電力供給部６０から各コイル６６への電力供給による搬送体６１の動作、ドアバルブ２８、ゲートバルブ２９、７１の開閉、流量調整部４５、５５によるＮ２ガスの流量調整動作、排気量調整部４７、５８による排気量調整動作、各処理モジュール７の動作などが制御される。上記のプログラムについては、例えばハードディスク、コンパクトディスク、ＤＶＤ、メモリーカード等の記憶媒体に格納された状態で、制御部１０に格納される。

基板処理装置１におけるウエハＷの搬送経路について述べると、搬送容器Ｃからローダーモジュール２に取り込まれたウエハＷは、ロードロックモジュール２５→真空搬送モジュール３の順で搬送される。そして当該ウエハＷは処理モジュール７で処理された後、真空搬送モジュール３→ロードロックモジュール２５→ローダーモジュール２→搬送容器Ｃの順で搬送される。真空搬送モジュール３と処理モジュール７との間の搬送についてさらに詳しく述べると、８つのうちの１つの処理モジュール７にのみ搬送されて処理が行われる装置構成であってもよいし、８つのうちの複数の処理モジュール７を順番に搬送されて処理される装置構成であってもよい。

ところで、ロードロックモジュール２５と処理モジュール７との間でウエハＷを搬送するにあたり、多関節アームが床面上に設けられる構成の真空搬送モジュールとすることが知られている。そして、多関節アームの旋回に必要なスペースを確保する目的で、この真空搬送モジュール筐体は前後、左右の各幅が比較的大きい角型となるように構成されている。

しかしこの角型の筐体については、そのように内部に広いスペースが設けられる構成であるので、フットプリント（専有床面積）が比較的大きくなってしまう傾向が有る。また、角型の筐体内を真空圧とするにあたり、筐体の角部については周囲の大気により比較的大きな力が加わるので、歪みが生じやすい。その歪みの発生を防止するために角部の強度を高くすると、筐体の重量が嵩む。その結果として当該筐体についての輸送、組み立てなどの取り扱いの際に、比較的大きなコストや労力を要することになるおそれが有る。また角型の筐体を製造するにあたっては金属である大型の母材の切削が行われるが、その切削量としては比較的多いことで、製造コストの低減及び量産性の向上を図ることが難しい場合が有る。

しかし上記した真空搬送モジュール３によれば、磁界形成ユニット６により磁気浮上する搬送体が筐体３１内を移動してウエハＷを搬送し、当該筐体３１は円管３３により構成されている。従って筐体３１について、上記した角部に起因した重量の増加が発生することが無く、また角部を補強する必要も無い。また、多関節アームの旋回スペースを確保する目的で前後、左右の各幅を大きくする必要が無い。以上のことから真空搬送モジュール３についてはフットプリントが抑制される。また、重量が抑えられることで取り扱いが容易である。さらに、筐体３１を構成する円管３３については例えば既存の量産された管を用いてもよく、その場合には真空搬送モジュール３の製造コストや手間についての低減を図ることができる。

続いて、磁界形成ユニット６及び搬送体６１のメンテナンスを行うために、作業員がこれらの磁界形成ユニット６及び搬送体６１を筐体３１から搬出する際の作業工程の一例について説明する。先ず、排気口５６からの排気の停止と、ガスノズル５３からのＮ_２ガスの供給とにより、筐体３１内の圧力を真空圧から大気圧に変更する。その一方で、搬送体６１の磁気浮上を停止させて磁界形成面６７に着地させる。その後、筐体３１をなす円管３３Ａ、３３Ｂの接続を解除して、当該円管３３Ａ、円管３３Ｂを分離させる（図８）。

続いて、円管３３Ａのフランジ３６側の管口を介して、磁界形成ユニット６を当該円管３３Ａの管軸方向に引っ張ることで、当該磁界形成ユニット６を搬送体６１と共に円管３３Ａの外部へと搬出する（図９）。円管３３Ａ、３３Ｂのうち円管３３Ａ内の磁界形成面６７に搬送体６１を着地させていた場合は、その搬送体６１も磁界形成ユニット６と共に円管３３Ａの外部へ搬出される。磁界形成ユニット６の円管３３Ｂからの搬出についても、フランジ３５側の管口から磁界形成ユニット６を搬出させることを除いて、円管３３Ａからの搬出と同様に行う。以上の磁界形成ユニット６の円管３３Ａ、３３Ｂからの搬出は、車輪６９が円管３３Ａ、３３Ｂの内周面を転動することで、比較的少ない力で行うことができる。当該車輪６９は上記したようにＸ方向の軸を回転軸として回転することで、円管３３Ａ、３３Ｂに対する磁界形成ユニット６の管軸Ｐに沿った相対移動をガイドするためのガイド部材をなす。

メンテナンス終了後、磁界形成ユニット６及び搬送体６１を円管３３Ａ、３３Ｂ内に再度格納する場合は、搬出時とは逆の手順の作業を行う。その際にも車輪６９により円管３３Ａ、３３Ｂ内において磁界形成ユニット６を比較的少ない力で移動させることができる。なお、上記の説明で、円管３３Ｂに対する磁界形成ユニット６の搬入出について、フランジ３５側の管口を介して行う代わりに、フランジ３６から隔壁３９を取り外すことで、フランジ３６側の管口を介して行うようにしてもよい。なお、磁界形成ユニット６が円管３３内の所定の位置に格納されたことを、作業員が当該円管３３の外部から確認するために、当該円管３３の管壁には点検口を適宜設けてもよい。点検口は装置の使用時に塞ぐものとする。

以上に述べたように、筐体３１をなす円管３３Ａ、３３Ｂが分離自在であり、且つ円管３３Ａ、３３Ｂと磁界形成ユニット６とが、円管３３Ａ、３３Ｂの管口を介して管軸方向に相対移動することで着脱される構成となっている。そのため円管３３Ａ、３３Ｂの管径が比較的小さい場合であっても、磁界形成ユニット６及び搬送体６１のメンテナンス、及び真空搬送モジュール３の製造を容易に行うことができる。また、この相対移動をガイドする車輪６９が設けられるので、この着脱作業を容易に行うことができる。

上記の相対移動をガイドするためのガイド部材としては車輪６９のような転動体であることには限られない。例えば、床板６５の下方に床板６５に沿って伸びるガイドレール（一のガイドレールとする）を設け、円管３３の内周面に管軸Ｐに沿って伸びるガイドレール（他のガイドレールとする）を設ける。一のガイドレール、他のガイドレールは互いに係合し、ガイドレールの長さ方向に沿って互いにスライド移動させることができる構成としてもよい。

ところで図１０には、上部空間５１に温度調整がなされる冷却部１６を設けた例を示している。この冷却部１６は水平な板状に構成されており、内部に流体の流路を備えている。そして、冷却部１６には、当該流路へ流体を供給する供給管１７Ａの下流端、当該流路から流体を排出するための排出管１７Ｂの上流端が夫々接続され、供給管１７Ａの上流端、排出管１７Ｂの下流端は、ポンプ及び流体の温度調整機構を備えるチラー１８に接続されている。温度調整部であるチラー１８、供給管１７Ａ、排出管１７Ｂ及び冷却部１６における流路は、流体の循環路をなし、当該冷却部１６の流路には、予め設定された温度に調整された流体が供給され、冷却部１６の下面である冷却面１９も予め設定された温度とされる。この予め設定された温度は、各処理モジュール７におけるウエハＷの処理温度よりも低い温度である。上記の冷却面１９は磁界形成面６７の上方にて、当該磁界形成面６７に対向して設けられている。

そして、搬送体６１がウエハＷを処理モジュール７から搬出すると、図１０に示すように、ウエハＷの表面が冷却面１９と間隔を空けて対向する位置へ、搬送体６１が移動する。それにより、ウエハＷと冷却面１９との間で熱交換が行われる。つまり、ウエハＷについて見れば、冷却面１９によって放射冷却される。ウエハＷが冷却面１９に対向する位置で、例えば搬送体６１が所定の時間、静止することでウエハＷが冷却された後、当該ウエハＷは次の搬送先（次に処理を行う処理モジュール７、あるいはロードロックモジュール２５）へと搬送される。このように冷却部１６を設けることによって、真空搬送モジュール３の周囲が高温となってしまうことが、より確実に防止される。

なお、この図１０に示す真空搬送モジュール３の構成例においては、遮熱板１４は冷却部１６から＋Ｙ方向、－Ｙ方向に夫々伸びるように設けられており、遮熱板１４及び冷却部１６の下方領域が、ウエハＷの搬送領域１５として構成されている。従って、図２等で述べた構成例と比較すると、図１０に示す構成例では、遮熱板１４の一部が、この冷却部１６に置き換わった構成となっている。そのように一部のみが冷却部１６に置き換わるのではなく全体を置き換えてもよい。つまり、遮熱板１４を設けず、温度調整部５が上部空間５１のＹ方向の一端から他端に亘って形成されるようにしてもよい。遮熱板１４について補足しておくと、例えばアルミニウムやセラミックスなどの熱の反射率が比較的高い部材により構成される。図１０に示す例では床板６５を上側から被覆するように遮熱板５９が設けられている。この遮熱板５９は遮熱板１４と同様の材質によって構成されており、そのため当該遮熱板５９の上面は、床板６５の上面よりも上記の反射率が高い。当遮熱板５９の作用によって、搬送体６１上のウエハＷから下方へ向う輻射熱が遮られ、真空搬送モジュール３の周囲が高温となることが、より確実に防止される。なお、本例では磁界は遮熱板５９を透過することで、当該遮熱板５９上に形成される。従って、遮熱板５９の上面が搬送体６１を浮上させるための磁界形成面に相当する。また、図１等で説明した実施形態においても、この図１０の例と同様に、遮熱板５９を設けることができる。

ところで真空搬送モジュール３において、筐体３１内の内壁に付着する異物を除去するクリーニング機構を備える装置構成としてもよい。このクリーニングは、真空搬送モジュール３にてウエハＷの搬送が行われていない期間に、筐体３１内が真空雰囲気とされた状態で行われる。クリーニングを実行する機構は種々の構成とすることができ、以下に順に例示する。なお、説明にあたりクリーニングが実行される期間をクリーニング期間、クリーニングが行われておらず、ウエハＷを搬送し得る期間を通常期間として記載する場合が有る。

クリーニング機構として、通常期間とは異なる態様でクリーニング期間にガスを供給するガス供給機構とすることができる。具体的には、例えば上記したガスノズル５３から、クリーニング期間においてはＮ_２ガスの吐出の代わりに、クリーニング用ガスを吐出可能であるように配管系を構成する。より詳しくは、クリーニングガスの供給源と、ガスノズル５３とを接続する配管と、当該配管に介設される流量調整部５５とを、クリーニング機構をなすガス供給機構として設けて、各ガスノズル５３からＮ_２ガスと、クリーニング用ガスとを選択して供給できるようにする。このクリーニング用ガスはＮ_２ガスとは異なる種類のガス、例えばクリーンドライエアと呼ばれる清浄性が高い大気である。当該クリーニング用ガスが筐体３１内の壁面に供給されることで、当該壁面に付着した異物が剥がれ、排気口５６内へ流れて除去される。

また、クリーニング期間中に吐出されるガスの流量が、通常期間に吐出されるガスの流量よりも大きくなるようにしてもよい。既述したように通常期間において第１の流量あるいは第２の流量で各ガスノズル５３からＮ_２ガスを吐出する場合、上記したようにクリーニング用ガスを吐出する場合はそれらの第１流量及び第２の流量よりも大きい第３の流量で各ガスノズル５３からクリーニング用ガスを吐出するようにする。

なお、通常期間とクリーニング期間とで使用するガス種を変えない、即ち、クリーニング期間において第３の流量で吐出するガスとしてはＮ_２ガスであってもよい。そのように通常期間とクリーニング期間とでＮ_２ガスの流量を変更する場合は、クリーニング機構をなすガス供給機構としては流量調整部５５により構成されることになる。また、筐体３１内に供給するガスをＮ_２ガスとクリーニング用ガスとで切り替える場合、各ガスをガスノズル５３から吐出するものとして述べたが、クリーニング用ガス専用のガスノズルを筐体３１に設けて、当該専用のガスノズルからクリーニング用ガスを吐出してもよい。

そして、クリーニング機構としては筐体３１内に洗浄液を供給する機構としてもよい。その洗浄液供給機構が適用された真空搬送モジュール３の構成例を、図１１に示している。なお、排気口５６や遮熱板１４などの一部の構成要素については、図示の複雑化を避けるために表示を省略している。例えば接合円管３２の上部にＹ方向に間隔を空けて、洗浄液ノズル７２が複数設けられており、洗浄液の供給源７３から供給された洗浄液を下方に吐出する。これら洗浄液ノズル７２及び洗浄液の供給源７３がクリーニング機構（洗浄液供給機構）である。洗浄液としては真空雰囲気での揮発が起こりにくいものを適宜選択する。

洗浄液ノズル７２から吐出された洗浄液は、接合円管３２の内周面において上部空間５１を形成する部位に供給され、当該部位を伝わって下方へと流れる。そして、その洗浄液は連通路５０を介して接合円管３２の内周面において下部空間５２をなす部位へと流れ、接合円管３２の底部に向う。本例では、洗浄液ノズル７２はＹ方向に間隔を空けて複数設けられている。なお図１１中の点線の矢印は、洗浄液の流れを示している。

この図１１に示す接合円管３２については傾斜し、＋Ｙ側（管軸方向の一端側）が、－Ｙ側（管軸方向の他端側）よりも低くなるように支柱１１に支持されている。従って鎖線で示す管軸Ｐは横方向に伸びるが、実線で示す水平面Ｌに対しては傾いている。この管軸Ｐの傾きは、上記のように接合円管３２の底部における洗浄液を後述の排液口７４へと向わせて排出するにあたり、当該洗浄液が接合円管３２の内周面を伝って＋Ｙ側に流下させるために意図的に形成される傾きである。そのように傾きが洗浄液を流下させる目的の下に形成されるものであって、装置を製造する上で不可避的に生じる傾きではないことから、管軸Ｐと水平面Ｌとのなす角θは、例えば３°以上、１０°以下に設定される。なお搬送体６１についての高い搬送精度が得られるように、床板６５の磁界形成面６７は既述した各例と同様に、水平となるように設けられている。

接合円管３２の＋Ｙ側の底部には排液口７４が開口しており、当該排液口７４には排液管７５が接続されている。そして排液管７５には下流側に向けてバルブ７６、７７が順に介設されており、当該排液管７５の下流端は、大気雰囲気に設けられる図示しない排液路に接続されている。クリーニング期間において、上記のバルブ７６、７７については、いずれか一方のみが開いた状態となるように、各々の開閉が制御される。その開閉について具体的に述べる。先ず、バルブ７６が開いた状態でバルブ７７が閉じた状態となり、排液管７５におけるバルブ７６、７７間における部位に洗浄液が貯留される。その後、バルブ７６が閉じられた状態でバルブ７７が開いた状態となり、上記の部位における洗浄液が排液路へと排出される。

なお、筐体３１内全体に洗浄液が満たされるように洗浄液を供給してクリーニングを行ってもよい。以上のように洗浄液供給機構を用いて行うクリーニング期間中においては、洗浄液が排気口５６を介して真空ポンプである排気機構４８に供給されることが防止されるように、排気量調整部４７を構成するバルブは閉鎖した状態とする。また、ガスノズル５３からのＮ_２ガスの吐出も停止する。

そして、このように洗浄液供給機構がクリーニング機構として適用された真空搬送モジュール３については、筐体３１が円管３３により構成されることによって、当該円管３３の内周面に供給された洗浄液が、当該内周面を伝わって排液口７４が開口する筐体３１の底部へと自重で流れる。そのためクリーニング終了後における筐体３１内からの洗浄液の速やかな除去を図ることができる。さらに既述したように、図１１に示す例では接合円管３２は、管軸Ｐが傾斜するように設けられていることで、洗浄液は排液口７４へ向けて流れて除去されるので、この洗浄液の除去をより速やかに行うことができる。

またクリーニング機構として、筐体３１を超音波振動させる機構を設けてもよい。この超音波振動機構は、振動子と、振動子に電力を供給する発振器とにより構成される。振動子を筐体３１の外側や、筐体３１を支持する支柱１１に設けて、クリーニング期間において筐体３１を振動させる。振動により筐体３１内の壁面に付着した異物が当該壁面から剥がれ、筐体３１内の排気流により排気口５６内へと流されて除去される。なお、この超音波振動機構によるクリーニングと、既述したガス供給機構あるいは洗浄液供給機構によるクリーニングとを併用してもよい。

続いて、真空搬送モジュール３の変型例である真空搬送モジュール３Ａについて、図１２の縦断側面図を参照して、真空搬送モジュール３との差異点を中心に説明する。真空搬送モジュール３Ａの接合円管３２を囲むように、円管である外管８１が設けられている。当該外管８１の長さは、接合円管３２の長さよりも大きい。そして外管８１の管軸は、接合円管３２の管軸Ｐと並行している。従って、外管８１及び接合円管３２は二重管として構成されており、接合円管３２は内管をなす。管軸についてより詳しく述べると、外管８１の管軸は、管軸Ｐと重なっている。つまり、外管８１と接合円管３２とは同軸である。

接合円管３２内は真空モジュール３と同様に構成されており、従って接合円管３２内に磁界形成ユニット６が設けられる。外管８１の内周面と接合円管３２の外周面とは互いに離れ、これらの間に円筒状の隙間８２が形成されている。図示は省略しているが支持部材を介して、接合円管３２は外管８１の内周面に対して局所的に支持されている。上記の隙間８２が密閉空間となるように、外管８１の軸方向における一端はロードロックモジュール２５に接続され、外管８１の軸方向における他端の開口は図示しない隔壁により塞がれている。従って本例では円管は、外管８１及び接合円管３２であり、外管８１及び当該外管の端部を塞ぐ隔壁が、真空搬送モジュール３Ａの筐体を構成する。

外管８１の側壁には、接合円管３２の開口部３７に重なる位置に開口部８３が開口している。そして側管３４が、接合円管３２に設けられる代わりに外管８１の外周面に設けられており、開口部８３の周縁からＸ方向に伸びる。側管３４の端部のフランジ３８は、真空搬送モジュール３におけるフランジ３８と同様にゲートバルブ７１に接続されている。そのような構成により、接合円管３２内の排気によって上記の隙間８２も真空雰囲気となる。

真空搬送モジュール３Ａによれば、処理モジュール７から搬出されたウエハＷからの輻射熱によって接合円管３２が加熱されても、上記のように接合円管３２と外管８１とは局所的位置のみで接している。そして、隙間８２による真空断熱効果が得られるので、当該接合円管３２を介しての外管８１の加熱は抑制される。従ってこの真空搬送モジュール３Ａによれば、その周囲の温度の上昇が抑制される。なお図１２に例示した真空搬送モジュール３Ａでは、既述したモジュールの外部の周囲温度の上昇を抑制するための遮熱板１４及び冷却部１６が設けられていないが、これらを設けて、上記の周囲温度の上昇をさらに抑制してもよい。

また、外管８１についても接合円管３２と同じく円管である。そのため、真空搬送モジュール３についての説明で述べた、筐体が角部を備えないことによる効果をこの真空搬送モジュール３Ａも奏することになる。

次に図１３に示した基板処理装置８について説明する。基板処理装置８は、既述した２つの基板処理装置１がＸ方向に並んで配置されている。そして真空搬送モジュール３と概ね同様に構成された真空搬送モジュール３Ｂを介して、当該２つの基板処理装置１の真空搬送モジュール３が互いに接続された構成となっている。２つの基板処理装置１について、便宜上１Ａ、１Ｂとする。

真空搬送モジュール３Ｂについて真空搬送モジュール３との差異点を述べると、接合円管３２の両端の接合円管３２がＸ方向に伸びるように設けられており、このＸ方向に開口する各管口は、隔壁３９によって塞がれている。また側管３４がＸ方向に離れて２つ設けられ、＋Ｙ側に各々向かうように形成されている。

そして基板処理装置１Ａ、１Ｂの各真空搬送モジュール３について、＋Ｙ側のフランジ３６には隔壁３９が設けられておらず、このフランジ３６と、上記の真空搬送モジュール３Ｂの側管３４のフランジ３８と、が互いに接続されている。また、基板処理装置１Ａ、１Ｂの各床板６５は、真空搬送モジュール３Ｂの筐体３１内へ向けて伸び、当該真空搬送モジュール３Ｂの床板６５に接続されている。このように床板６５同士が接続されることで、搬送体６１は基板処理装置１Ａの筐体３１内と基板処理装置１Ｂの筐体３１内との間を、真空搬送モジュール３Ｂを介して移動することができる。従って基板処理装置８は、基板処理装置１Ａの処理モジュール７と、基板処理装置１Ｂの処理モジュール７との間で順番にウエハＷを搬送して処理するにあたり、ウエハＷを大気雰囲気に搬送しなくて済むように構成されている。

基板処理装置１（１Ａ、１Ｂ）の円管３３としては既成のものを利用できることを述べたが、その既成のもののうち、所定の規格に従った円管を用いることが可能である。従って真空搬送モジュール３Ａにおいて、その円管３３に接続される側管３４のフランジ３８としては当該規格に合わせたものとすればよい。従って、真空搬送モジュール３Ｂの製造の容易化を図ることができる。つまり、真空搬送モジュール３の筐体３１が円管３３によって構成されることによって、筐体３１自体のみならず、その接続先のモジュールについての製造の容易化も図ることができる。従って、図１３に例示したような、真空搬送モジュール３を備える装置同士が接続された構成の装置の製造も容易となる。

なお、筐体３１を形成する円管は２つの円管３３Ａ、３３Ｂが各管軸方向に接続される接合円管３２であるものとして示してきたが、単一の円管により構成してもよいし、３つ以上の円管が、各管軸方向に互いに接続されて形成されたものであってもよい。なお、接合円管３２のように円管が複数接合される場合、その接合された円管については１つの円管と見ることもできる。従って、接合円管３２をなす円管３３Ａ、３３Ｂの夫々に一つずつ側管３４（基板の搬送路）が設けられたとする。その場合、円管に搬送路が一つのみ設けられると見るのではなく、基板の搬送路は円管に複数設けられ、当該搬送路は管軸方向の異なる位置に形成されているものとする。

次に、図１４に示す真空搬送モジュール３Ｃについて説明する。真空搬送モジュール３との差異点としては、１つの円管３３に床板６５が２つ設けられており、軸方向に見て２つの床板６５がＶ字状となるように配置されていることが挙げられる。より詳しく述べると２つのうち一方の床板６５の磁界形成面６７は、円管３３を管軸方向に見た左右の中央から左側に向けて上り、他方の床板６５の磁界形成面６７は、当該左右の中央から右側に向けて上る。このように２つの磁界形成面６７は、各々異なる方向を向うように水平面に対して各々傾斜して設けられており、第１傾斜面、第２傾斜面をなす。

そして搬送体６１は磁界形成面６７毎に設けられる。つまり、搬送体６１は、第１傾斜面をなす磁界形成面６７、第２傾斜面をなす磁界形成面６７に対して各々浮上して面方向に移動するように２つ設けられる。この真空搬送モジュール３Ｃでは、床板６５の多数のコイル６６のうちの一部のコイルには搬送体６１の磁石６４に対して反発作用を発揮し、他の一部のコイルには搬送体６１の磁石６４に対して吸引作用を発揮するように電力を供給する。この反発作用と吸引作用とのバランスが保たれることにより、傾斜面である磁界形成面６７に対して、搬送体６１が離間した状態で当該磁界形成面６７の面方向に移動自在である。磁界形成面６７の傾斜は、ウエハＷが搬送体６１から落下しない程度の傾斜とする。以上の構成とされることで、円管３３の大型化を防止しつつ、２つの搬送体６１（第１搬送体、第２搬送体）により並行して搬送を行うことによるスループットの向上を図ることができる。

続いて、図１５に示す真空搬送モジュール３Ｄについて説明する。本例では、床板６５の構成要素である磁界形成板８０が、円管３３の内周面を被覆するように敷き詰められるように、多数設けられている。各磁界形成板８０の磁界形成面６７は管軸Ｐに向けられておいる。上記のように磁界形成板８０が設けられることで、個々の磁界形成板８０の磁界形成面６７としては湾曲面として構成されている。そして多数の磁界形成面６７を一まとめにして見ると、磁界形成面６７としては円管状に形成されており、この円管の内側表面上の領域がウエハＷの搬送領域１５をなす。つまり、搬送領域１５についても円管状に形成される。なお、上記のように磁界形成板８０が設けられることで、円管３３と磁界形成板８０を一まとめにした円管として見ることにすると、当該円管の内周面が磁界形成面６７であることになる。

この真空搬送モジュール３Ｄでも、反発作用と吸引作用とのバランスが保たれることで、搬送体６１が離間した状態で当該磁界形成面６７の面方向に移動自在である。つまり、円管をなす磁界形成面６７上において、周方向、軸方向のいずれにおいても、搬送体６１が移動することができる。なお、図中に搬送体６１は１つのみ示しているが、複数の搬送体６１を設けて、互いに干渉しないように移動させてもよい。そして、ウエハＷを支持している搬送体６１については、ウエハＷが落下しないようにウエハＷの支持面が上方を向くように移動する。一方、ウエハＷを支持していない搬送体６１については、当該支持面が、上方、下方、側方のうちのいずれを向いた状態で移動させてもよい。なお、この真空搬送モジュール３Ｄにおいて、円管３３が設けられなくてもよい。つまり、磁界形成板８０のみで円管が形成されていてもよい。

ところで既述した基板処理装置１等の各装置では、搬送体６１は真空雰囲気である筐体３１内を移動するが、大気雰囲気の筐体３１内を移動する装置構成であってもよい。そのように筐体３１内が大気雰囲気である場合には、当該筐体３１に接続されて搬送体６１によってウエハＷが受け渡される処理モジュール７内の雰囲気についても大気雰囲気としてよい。また、本技術で搬送される基板としては円形であるものに限られず、矩形であってもよい。また、筐体３１を構成する円管として管軸方向に見て管壁が正円をなす構成のものを示してきたが、楕円をなす構成のものを用いてもよい。その他に、筐体３１内にＮ２ガスを供給するものとして述べたがこれに限られず、例えばアルゴンなどの他の任意の不活性ガスを用いることもできる。

今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更及び／または組み合わせがなされてもよい。

Ｐ 管軸
Ｗ ウエハ
１５ 搬送領域
３ 真空搬送モジュール
３３ 円管
６１ 搬送体
６７ 磁界形成面

Claims (19)

1. 管軸が横に伸び、内部に基板の搬送領域を形成する円管と、
   面上に磁界を形成すると共に、前記搬送領域に臨む磁界形成面を備える磁界形成部と、
   前記磁界により前記磁界形成面から離れると共に当該磁界形成面の面方向に移動して、前記基板を搬送する搬送体と、
   を備える基板搬送装置。
2. 前記円管は、内部が密閉空間をなす筐体の一部を形成し、
   前記筐体には、前記密閉空間が真空雰囲気となるように排気する排気口が設けられる請求項１記載の基板搬送装置。
3. 前記磁界形成部は、前記円管内を下部空間と、前記搬送領域を含む上部空間と、に区画し、
   前記排気口は前記円管において前記下部空間に開口して設けられ、
   前記上部空間と前記下部空間とを連通させる連通路と、
   前記上部空間から前記下部空間に向う気流を形成するために、当該上部空間に第１ガスを供給する第１ガス供給口と、
   が設けられる請求項２記載の基板搬送装置。
4. 前記下部空間の圧力よりも前記上部空間の圧力の方が高くなるように、前記第１ガスの供給及び前記排気口からの排気が行われる請求項３記載の基板搬送装置。
5. 前記円管の管口を介して前記磁界形成部を当該円管に対して着脱するために、
   当該磁界形成部と当該円管とは、前記管軸に沿って相対移動が可能に構成される請求項３または４記載の基板搬送装置。
6. 前記相対移動をガイドするためのガイド部材が設けられる請求項５記載の基板搬送装置。
7. 前記第１ガス供給口は、前記円管の管軸方向における異なる位置に各々設けられ、
   バルブによって各々開閉される前記基板の搬送路が、前記円管の側面で前記円管の管軸方向における異なる位置に開口し、
   複数の前記第１ガス供給口のうち、前記複数のバルブのうちの開かれたバルブに対応する第１ガス供給口からの前記第１ガスの流量が、閉じられたバルブに対応する第１ガス供給口からの前記第１ガスの流量よりも大きくなるように、前記各第１ガス供給口に前記第１ガスを供給する第１ガス供給部が設けられる請求項３ないし６のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
8. 前記円管は、端部に第１フランジ、第２フランジを夫々備える第１円管と、第２円管とを含み、
   前記第１フランジと前記第２フランジとは互いに対向し、
   前記第１フランジと前記第２フランジとに密着すると共に、第１円管及び第２円管の各管口に沿って各々環状に形成される第１シール部材及び第２シール部材が設けられ、
   前記第１シール部材と前記第２シール部材との間の隙間に、第２ガスを供給して当該隙間の周に沿った気流を形成するための気流形成部が設けられる請求項１ないし７のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
9. 前記円管は、内管と、前記内管の外周面から離れた内周面を備えると共に当該内管を囲む外管とを備える二重管であり、
   前記内管内に前記磁界形成部が設けられ、前記内管と前記外管との間に真空雰囲気が形成される請求項１ないし８のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
10. 前記円管内において、前記搬送領域に対する前記磁界形成面の反対側に設けられ、
    前記搬送体に支持される前記基板から前記円管の管壁への輻射熱を遮るための遮熱部材を備える請求項１ないし９のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
11. 前記搬送体に支持される前記基板と対向して当該基板が冷却されるように、温度調整機構によって温度が調整される冷却部を備え、
    当該冷却部は前記円管内において、前記搬送領域に対する前記磁界形成面の反対側に設けられる請求項１ないし１０のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
12. 前記円管は、内部が密閉空間をなす筐体の一部を形成し、
    前記筐体には、前記密閉空間が真空雰囲気となるように排気する排気口が設けられ、
    真空雰囲気である前記筐体内をクリーニングするクリーニング機構が設けられる請求項１ないし１１のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
13. 前記クリーニング機構は、前記筐体内に供給されるガスについて、前記基板の搬送中よりも大きい流量で供給するか、あるいは異なる種類のガスを供給するガス供給機構を備える請求項１２記載の基板搬送装置。
14. 前記クリーニング機構は、前記筐体内に洗浄液を供給する洗浄液供給機構である請求項１２記載の基板搬送装置。
15. 前記円管について管軸方向の一端側が、他端側よりも低くなるように傾斜し、
    前記一端側の前記円管の底部には、前記洗浄液を排出する排液口が形成される請求項１４記載の基板搬送装置。
16. 前記クリーニング機構は、前記筐体を振動させる振動機構を備える請求項１２ないし１５のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
17. 前記磁界形成面は前記管軸方向に見て、前記円管の左右の中心部から左右の一方、他方に向かうにつれて夫々上る第１傾斜面、第２傾斜面を備え、
    前記搬送体は、前記第１傾斜面の面方向に移動する第１搬送体と、前記第２傾斜面の面方向に移動する第２搬送体と、を備える請求項１記載の基板搬送装置。
18. 前記磁界形成面は前記円管の内周面をなすように設けられる請求項１記載の基板搬送装置。
19. 管軸が横に伸び、内部に基板の搬送領域を形成する円管に設けられる磁界形成部において前記搬送領域に臨む磁界形成面上に磁界を形成する工程と、
    前記磁界により搬送体を前記磁界形成面から離れた状態で前記磁界形成面の面方向に移動させて、前記基板を搬送する工程と、
    を備える基板搬送方法。

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