CN116130391A - 基板输送装置和基板输送方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及基板输送装置和基板输送方法。提供一种能够抑制专用占地面积和重量的增加的基板输送装置。基板输送装置构成为具备：圆管，其管轴线横向延伸，在内部形成基板的输送区域；磁场形成部，其具备磁场形成面，该磁场形成面在面上形成磁场并且面对所述输送区域；以及输送体，其利用所述磁场自所述磁场形成面分开并且在该磁场形成面的面方向上移动，而输送所述基板。

Description

基板输送装置和基板输送方法
技术领域
本公开涉及基板输送装置和基板输送方法。
背景技术
在半导体器件的制造工序中，在装置内输送并处理作为基板的半导体晶圆(以下，记载为晶圆)。
在专利文献1中记载有如下装置：具备输送晶圆的机器人的真空模块设置有多个，并且利用真空管相互连接。在各真空模块连接有处理模块，设为可利用机器人输送晶圆的结构。示出了该机器人是其底部设置于真空模块的地面上的多关节臂。另外，未示出真空管的形状。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2020-170866号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够抑制专用占地面积和重量的增加的基板输送装置。
用于解决问题的方案
本公开的基板输送装置具备：圆管，其管轴线横向延伸，在内部形成基板的输送区域；磁场形成部，其具备磁场形成面，该磁场形成面在面上形成磁场并且面对所述输送区域；以及输送体，其利用所述磁场自所述磁场形成面分开并且在该磁场形成面的面方向上移动，而输送所述基板。
发明的效果
根据本公开，能够提供一种可抑制专用占地面积和重量的增加的基板输送装置。
附图说明
图1是包括作为本公开的一实施方式的基板输送模块的基板处理装置的俯视图。
图2是所述真空输送模块的沿着模块的管轴线的纵剖侧视图。
图3是所述真空输送模块的与所述管轴线正交的纵剖侧视图。
图4是构成所述真空输送模块的圆管的立体图。
图5是构成所述真空输送模块的圆管的端部的凸缘的主视图。
图6是设置于所述基板处理装置的输送体和地板的立体图。
图7是表示所述真空输送模块中的氮气的供给例的一个例子的说明图。
图8是表示所述圆管的分离的说明图。
图9是表示磁场形成部从所述圆管的拉出的说明图。
图10是设置有温度调整机构的情况的真空输送模块的纵剖侧视图。
图11是表示应用有清洗液供给机构的真空输送模块的纵剖侧视图。
图12是设为双层管的结构的情况的所述真空输送模块的纵剖侧视图。
图13是表示将所述基板处理装置彼此连结的结构例的俯视图。
图14是磁场形成面成为互不相同的朝向的真空输送模块的纵剖侧视图。
图15是磁场形成面构成圆管的真空输送模块的立体图。
具体实施方式
在图1中示出包括作为本公开的一实施方式的基板输送装置的基板处理装置1。基板处理装置1设置于大气气氛，具备装载模块2、加载互锁模块25、真空输送模块3以及8个处理模块7，在各处理模块7在真空气氛下处理作为圆形的基板的晶圆W。
装载模块2是被称为EFEM(Equipment Front End Module：设备前端模块)的模块，相对于收纳晶圆W的被称为FOUP(Front Open Unified Pod：前开式晶圆传送盒)的输送容器C进行该晶圆W的送入、送出。从输送容器C送出来的晶圆W被收进基板处理装置1。装载模块2呈横长，内部设为大气气氛且常压气氛。以下，将装载模块2的长度方向设为X方向、将与该X方向正交的方向设为Y方向而说明。这些X方向和Y方向分别是水平方向。并且，将X方向的一侧、另一侧分别记载为+X侧、－X侧，将Y方向的一侧、另一侧分别记载为+Y侧、－Y侧。
在装载模块2的－Y侧，在X方向上排列设置有例如4个分别载置输送容器C的容器载置部21。并且，在装载模块2内设置有输送机构22。该输送机构22不像后述的输送体61那样磁悬浮，而是构成为升降自如且在X方向上移动自如的多关节臂。晶圆W由输送机构22在容器载置部21上的输送容器C与加载互锁模块25之间输送。
在装载模块2的+Y侧设置有加载互锁模块25，在该加载互锁模块25的+Y侧依次设置有真空输送模块3。加载互锁模块25在内部具备用于载置晶圆W的载物台26。载物台26具备相对于载物台26的上表面突出没入的3个升降销27，可借助该升降销27在其与装载模块2的输送机构22以及真空输送模块3的输送体61之间进行晶圆W的交接。
在加载互锁模块25与装载模块2之间、加载互锁模块25与真空输送模块3之间分别夹设有门阀28、闸阀29。加载互锁模块25能够相对于其内部进行N2(氮)气体的供给和排气，在门阀28和闸阀29关闭着的状态下，可针对该内部进行作为N2气体气氛的常压气氛与真空气氛之间的切换。在向真空输送模块3输送晶圆W之际该内部设为真空气氛，在向装载模块2输送晶圆W之际该内部设为常压气氛。
接下来，对于作为基板输送装置的真空输送模块3，也参照作为纵剖视图的图2、图3而说明其概要。真空输送模块3具备壳体31、磁场形成单元6以及输送体61。磁场形成单元6和输送体61设置于壳体31内。并且，壳体31内构成密闭空间，通过排气而设为真空气氛。输送体61在利用由构成磁场形成单元6的地板65形成的磁场而自该地板65悬浮着的状态下横向移动，在加载互锁模块25与处理模块7之间以及在处理模块7之间输送晶圆W。通过如此悬浮地移动，从而防止发尘而将真空输送模块3内和处理模块7内保持为洁净，抑制由异物向晶圆W的附着导致的处理的异常的产生。
详细地说明壳体31。壳体31由接合圆管32、分隔壁39以及8个侧管34构成。接合圆管32是直管，该接合圆管32的管轴线P沿着Y方向延伸。因而，管轴线P沿横向、更具体而言水平方向延伸。此外，图2是沿着该管轴线P的纵剖侧视图，图3是与管轴线P的轴向正交的纵剖侧视图。为了防止图示的烦杂化，管轴线P仅表示在图2和图3中的图3。
接合圆管32通过金属制的两个圆管33以彼此的管轴线重叠的方式连接而构成。因而，上述的接合圆管32的管轴线P也是各圆管33的管轴线。并且，上述的8个侧管34以在圆管33各带有4个的方式设置。此外，在图2中，附图标记11是支柱，以在Y方向上隔开间隔的方式设置有多个，在基板处理装置1所设置的地面12上分别支承两个圆管33。如此被支承的各圆管33的高度与被台13支承于地面12上的已述的加载互锁模块25的高度对齐。
通过构成接合圆管32，从而圆管33形成壳体31的局部。若也参照图4的立体图而对该圆管33进行说明的话，则－Y侧的端部、+Y侧的端部分别朝向圆管33的外方扩展，从而形成凸缘35、36。并且，在圆管33的+X侧的侧壁、－X侧的侧壁分别以在Y方向上相互分开的方式设置有两个圆形的开口部37。－Y侧的两个开口部37相对，+Y侧的两个开口部37彼此相对。因而，4个开口部37配置成俯视时呈2×2的矩阵状。
并且，在圆管33的外周的－X侧、+X侧各设置有两个已述的侧管34。各侧管34是非常短的圆管，4个侧管34的一端与开口部37的周缘分别连接。并且，各侧管34的另一端侧向与管轴线P相反的方向沿着X方向延伸。各侧管34的另一端部朝向该侧管34的外方扩展，形成凸缘38。
以后，对于两个圆管33，为了相互区别，以后有时将位于－Y侧的圆管记载为33A、将位于+Y侧的圆管记载为33B。接下来，对圆管33A、33B与其他各构件之间的连接进行叙述。圆管33A的凸缘35与上述的闸阀29连接，在该闸阀29开放时，圆管33A内与加载互锁模块25内连通而可在真空输送模块3与加载互锁模块25之间输送晶圆W。并且，圆管33B的凸缘36与分隔壁39连接。该分隔壁39以封堵圆管33B的+Y侧的开口的方式设置。
另外，在上述的各侧管34的凸缘38，从X方向借助闸阀71连接有处理模块7。因而，在接合圆管32的侧面，以沿着管轴线P相互分开的方式开设有侧管34构成的晶圆W的输送路径，该输送路径成为由闸阀71开闭的结构。并且，8个处理模块7配置成俯视时呈2×4的矩阵状。并且，与处理模块7连接的闸阀71除了为了晶圆W的输送所需要的情况之外封闭，使模块间的气氛分离。此外，上述的门阀28、闸阀29也是同样的。对于处理模块7，有时为了相互区别而叙述为处理模块7A～7D，从－Y侧朝向+Y侧以处理模块7A、7B、7C、7D的顺序配置。也就是说，处理模块7A、7B、7C、7D各设置有两个。
若预先对上述的处理模块7的结构进行说明的话，则各处理模块7具备处理容器，处理容器内通过由未图示的排气机构排气而设为真空气氛。在处理容器内，与加载互锁模块25同样地设置有具备升降销27的载物台26。此外，处理模块7中的该载物台26例如具备供由冷却单元进行了温度调整的流体流通的流路、加热器作为温度调整部，以将所载置的晶圆W的温度调整成期望的温度而进行处理。
另外，在处理容器设置有例如气体喷头等未图示的气体供给部，向设为真空气氛的处理容器内供给处理气体。载置于载物台26而进行了温度调整的晶圆W暴露于该处理气体，从而进行与处理气体相应的处理。作为该处理，例如是蚀刻处理、成膜处理或者退火处理等。此外，也可以设置等离子体形成机构，以使处理气体等离子体化而进行处理。
接下来，对于圆管33A与圆管33B之间的连接，也参照作为从+Y侧观察圆管33A的凸缘36的主视图的图5而进行说明。圆管33A的凸缘36与圆管33B的凸缘35彼此相对，O形圈41、42以与该凸缘35、36分别密合的方式介于这些凸缘35、36之间。O形圈41、42分别是以管轴线P上的点为同心的圆环状的密封构件，O形圈41的直径比O形圈42的直径大。因而，O形圈41、42沿着圆管33A、33B的管口形成。在O形圈42的外周与O形圈41的内周之间形成有圆环状的间隙43。
如此隔着O形圈41、42相互连接的凸缘35、36由螺栓等未图示的固定件相互固定，能够通过拆下该固定件来解除该固定。也就是说，圆管33A、33B拆装自如。通过如此将圆管33彼此设为拆装自如，从而谋求后述的磁场形成单元6相对于壳体31内的拆装作业的容易化。并且，在如此将圆管33A、33B设为拆装自如时，构成为能够在上述的间隙43形成N2气体的气流，以便防止壳体31的外部的大气经由凸缘35、36之间向圆管33A、33B内流入。
对该气流的形成机构进行说明。在上述的圆管33A的凸缘36从－Y侧连接有配管44的下游端，该配管44的下游端经由在凸缘36的厚度方向(Y方向)上穿孔而成的孔44A而向该间隙43开口。并且，配管44的上游侧经由流量调整部45与气体供给源40连接。该气体供给源40向配管44供给例如N2气体作为洁净的非活性气体。并且，流量调整部45具备阀、质量流量控制器，调整N2气体向配管44的下游侧的供给量。
另外，在凸缘36从－Y侧连接有排气管46的上游端，排气管46的下游端经由在凸缘36的厚度方向(Y方向)上穿孔而成的孔46A而向该间隙43开口。孔44A的位置与孔46A的位置在从管轴线P观察时相差180度，以便能够均匀性较高地向间隙43的各部分供给N2气体。
排气管46的下游端经由排气量调整部47与排气机构48连接。排气机构48例如由真空泵构成。排气量调整部47例如由阀构成，调整排气管46的排气量。在为了输送晶圆W而将壳体31内排气并设为真空气氛之际，进行N2气体(第2气体)向间隙43的供给和自间隙43的排气，从而如在图中由虚线的箭头所示这样形成沿着呈圆环的间隙43的周向的气流。在壳体31内设为真空气氛的基板处理装置1的运转过程中，始终进行该气流的形成。即使大气从壳体31的外部流入间隙43，也会被该气流冲走而排气，从而防止该大气流入壳体31内。
此外，圆管33A、圆管33B分别是第1圆管、第2圆管，圆管33A的凸缘36、圆管33B的凸缘35分别是第1凸缘、第2凸缘，O形圈41、O形圈42分别是第1密封构件、第2密封构件。并且，气流形成机构由气体供给源40、流量调整部45、排气量调整部47、配管44、以及排气管46构成。
另外，对于以后的说明中的除了流量调整部45以外的流量调整部，与流量调整部45同样地构成，用于调整气体向设置有流量调整部的配管的下游侧的流量。此外，调整流量也包括使流量为0(即停止气体的供给)。另外，对于以后的说明中的除了排气量调整部47以外的排气量调整部，是与排气量调整部47同样的结构，用于调整气体向设置有该排气量调整部的排气管的下游侧的流量。
此外，圆管33B与分隔壁39之间的连接也与圆管33A、33B之间的连接一样。具体而言，分隔壁39借助固定件相对于圆管33B的凸缘36拆装自如，O形圈41、42介于该凸缘36与分隔壁39之间。并且，对于O形圈41、42之间的间隙43，也通过借助配管44和排气管46进行N2气体的供给和排气，从而形成有沿着该间隙43的周向的气流。
接下来，也参照图6而对输送体61和磁场形成单元6进行说明。输送体61具备移动主体62和支承体63。移动主体62例如包括作为永磁体的磁体64。支承体63设置于移动主体62的侧方，晶圆W被支承于该支承体63上。在本例中，支承体63构成为两股的叉状，以便支承体63在相对于各模块交接晶圆W之际不与升降销27相干扰。
磁场形成单元6设置于壳体31内，分别配置于圆管33A内、圆管33B内。该磁场形成单元6由地板65、支柱68以及车轮69构成。地板65构成为平板，在其面方向上分散地埋设有多个线圈66。从供电部60向各线圈66单独地供给电力。线圈66以与所供给的电力相应的强度在作为地板65的主面且朝向上方的磁场形成面67上形成磁场。即，各线圈66作为电磁体发挥作用。在本例中，磁场形成面67构成水平面。上述的输送体61的磁体64与通电的线圈66由于磁力而排斥，输送体61自磁场形成面67悬浮。
通过供给有电力的线圈66的切换、所供给的电力的调整而控制磁场形成面67上的磁场的分布、强度，从而输送体61可在悬浮的状态下进行X方向和Y方向上的移动、朝向的变更、静止、以及自磁场形成面67的悬浮高度的变更。此外，此处的X方向和Y方向上的移动是指包括单独进行X方向、Y方向上的移动、同时进行X方向、Y方向上的移动这两者的意思。如此，输送体61可在磁场形成面67上沿该磁场形成面67的面方向在不同的位置之间移动。并且，在构成输送体61的移动主体62位于磁场形成面67上的状态下，支承体63进入作为输送对象的模块，从而进行晶圆W相对于模块的交接。
若进一步说明作为磁场形成部的地板65的话，则地板65在Y方向上纵长地构成，具有与圆管33的长度大致相同的长度。并且，圆管33A的地板65与圆管33B的地板65位于相同的高度，并相互接触。因而，接合圆管32内从管轴线方向的一端部到另一端部由地板65划分成上部空间51和下部空间52。
对于下部空间52，例如构成供用于使基板处理装置1驱动的各种设备类设置的空间。此外，地板65例如通过形成为俯视时呈大致正方形的砖状的磁场形成板80在Y方向上相互连接而构成。此外，在图1～图6的各图中，出于防止图示的烦杂化的目的，省略了各个磁场形成板80的表示，在之后的实施例中示出磁场形成板80。并且，对于地板65，以分别朝向+X方向、－X方向的侧面与圆管33的内周面分开的方式设置，在该侧面与该内周面之间形成有使上部空间51与下部空间52连通的连通路径50(参照图3)。
支柱68为了从下方支承地板65的+X侧的端部和－X侧的端部，而分别在这些+X侧的端部、－X侧的端部以在Y方向上隔开间隔的方式设置有多个。并且，在各支柱68的下端设置有车轮69，车轮69能够以在X方向上延伸的轴线为旋转轴线旋转。磁场形成单元6相对于圆管33拆装自如，其拆装利用车轮69。随后叙述该拆装的步骤。
接下来，进一步说明壳体31。在接合圆管32内的上部空间51中，在地板65的上方以与该地板65相对的方式设置有作为遮热构件的遮热板14，该遮热板14从上部空间51的Y方向上的一端形成到另一端。该遮热板14与地板65之间的高度区域构成为由上述的输送体61输送晶圆W的输送区域15。因而，地板65的磁场形成面67面对输送区域15，遮热板14设置于相对于输送区域15而言与磁场形成面67相反的一侧。此外，上述的侧管34以输送体61能够相对于处理模块7进行晶圆W的交接的方式向输送区域15开口。
上述的遮热板14具有遮蔽从晶圆W朝向接合圆管32的管壁的辐射热的作用。即，设置遮热板14，以便即使晶圆W由处理模块7处理而以相对高温的状态送出到接合圆管32内，也可防止该管壁、进而真空输送模块3的周围由于来自该晶圆W的辐射热而成为高温。由此，在基板处理装置1的外部，可防止其他装置的处理变得异常或作业人员的移动、作业无法进行。
在接合圆管32的上部设置有气体喷嘴53，该气体喷嘴53的喷出口朝向下方。也就是说，该喷出口向上部空间51开口。如图2所示，气体喷嘴53以在Y方向上隔开间隔的方式配设，在本例中设置有4个气体喷嘴53。有时将这些气体喷嘴53相互区别而从－Y侧朝向+Y侧记载为53A、53B、53C、53D。例如气体喷嘴53A、53B、53C、53D的Y方向上的位置分别与处理模块7A、7B、7C、7D的Y方向上的位置对齐。
各气体喷嘴53借助配管54与气体供给源40连接。另外，在各配管54设有流量调整部55，该流量调整部55能够单独地调整从各气体喷嘴53喷出的N2气体的流量。另外，在接合圆管32的底部设置有向下部空间52开口的排气口56。该排气口56以在Y方向上隔开间隔的方式设置有多个。在该多个排气口56分别连接有排气管57的一端，各排气管57的另一端经由排气量调整部58与排气机构48连接。此外，气体喷嘴53的喷出口是第1气体供给口。因而，第1气体供给口在接合圆管32的管轴线方向上在互不相同的位置开口。另外，从该气体喷嘴53喷出的N2气体是第1气体。
在基板处理装置1的运转过程中进行自排气口56的排气，而将壳体31内设为期望的压力的真空气氛。并且，与该排气并行地进行N2气体从气体喷嘴53的供给，将壳体31内设为期望的真空压，进行晶圆W的输送。在图3中以虚线的箭头表示N2气体的流动。如该图3所示，在上部空间51中朝向下方的N2气体在绕至遮热板14的下方从而在输送区域15中向下方流动之后，经由连通路径50向下部空间52流入，向排气口56流入而被去除。
如以上这样从气体喷嘴53喷出来的N2气体作为吹扫气体以对上部空间51进行吹扫的方式流动，从上部空间51去除微粒等异物。另外，在如已述这样供未图示的设备类设置的下部空间52中，例如，即使产生微粒，也利用该吹扫气体的流动抑制向上部空间51飞散。如以上这样，由于圆管33内被上下分割以及向上部空间51供给的吹扫气体的作用，上部空间51以及在构成该上部空间51的输送区域15中输送的晶圆W保持为洁净。
另外，优选设为上部空间51的压力比下部空间52的压力高，以便提高朝向上述的下部空间52的N2气体的流速而更可靠地进行上部空间51的洁净化。即，优选以形成这样的压力差的方式调整N2气体从各气体喷嘴53供给的供给量和从各排气口56排气的排气量(即，控制流量调整部55和排气量调整部58的动作)。地板65的侧方的连通路径50以具有适当的宽度(X方向上的长度)的方式形成，以便可形成该压力差。此外，为了抑制闸阀71开放时的处理模块7的处理容器内与壳体31内之间的气体的流动以及随着该流动而产生的微粒等异物的移动，而将处理模块7内的压力与上部空间51的压力之差设为比较小。
另外，如已述这样，气体喷嘴53A～53D各自相对于两个处理模块7在Y方向上的位置对齐，从而位于比较近的位置。因此，从气体喷嘴53A～53D喷出来的N2气体在上部空间51中向面对与像这样比较近的位置的处理模块7连接的闸阀71的区域供给。并且，像这样Y方向上的位置对齐的气体喷嘴53和与处理模块7连接的闸阀71相对应，各流量调整部55以按照该闸阀71的开闭而使来自相对应的气体喷嘴53的N2气体的流量变化的方式动作。
若进一步详细叙述的话，则气体喷嘴53在相对应的闸阀71均关闭的状态下以第1流量供给N2气体。另一方面，在相对应的两个闸阀71中的任一者打开的状态下，以比第1流量大的第2流量供给N2气体。因而，与来自相对应的闸阀71均关闭的气体喷嘴53的气体流量相比，来自相对应的闸阀71中的任一者打开的气体喷嘴53的气体流量较大。在图7中示出该气体流量的控制的具体例，在该图7的例子中，与处理模块7C连接的闸阀71打开，与处理模块7A、7B、7D连接的各闸阀71关闭。由此，从气体喷嘴53A、53B、53D以第1流量喷出N2气体，从气体喷嘴53C以第2流量喷出N2气体。
通过以上述的第2流量供给N2气体，从而上部空间51中的打开的闸阀71所面对的区域中的N2气体的流速变大，由此，抑制气体从处理模块7向壳体31内的扩散。作为其结果，抑制由该气体的扩散导致的异物向输送区域15的流出。
接合圆管32在Y方向上呈纵长，因此，如上述那样设置有多个气体喷嘴53。于是，若为了提高上述的针对气体从处理模块7扩散的抑制效果，而使来自各气体喷嘴53的N2气体的流量始终较大，则基板处理装置1的运转过程中的该N2气体的使用量变大。但是，通过如此根据相对应的闸阀71的开闭来调整各气体喷嘴53的流量，从而能够抑制N2气体的使用量，并且获得针对气体从处理模块7向上部空间51扩散的较佳的抑制效果。如此调整向各气体喷嘴53的气体流量的流量调整部55和气体供给源40构成第1气体供给部。
此外，作为来自除了以第2流量喷出气体的气体喷嘴53以外的气体喷嘴53的N2气体的流量，也可以自第1流量降低，在该情况下，也可以使从该气体喷嘴53的N2气体的供给停止。若具体叙述的话，则在如图7所示这样从气体喷嘴53C以第2流量喷出N2气体的情况下，对于从气体喷嘴53A、53B、53D的N2气体的喷出，既可以设为比第1流量低的流量，也可以使喷出停止。
另外，对于排气口56，也可以与在Y方向上位置比较近的闸阀71相对应。并且，在相对应的闸阀71均关闭时以第1排气量进行排气。也可以以如下方式控制排气量调整部58的动作：在相对应的闸阀71中的任一者打开时，以比第1排气量大的第2排气量排气。由此，也可以提高相对应的闸阀71所面对的区域中的气体的流速，抑制气体从处理模块7向上部空间51的扩散。此外，也可以将从除了成为第2排气量的排气口56以外的排气口56排气的排气量设为比第1排气量低的排气量，在该情况下，也可以使从除了以第2排气量排气的排气口56以外的排气口56的排气停止。
不过，排气口56是向相对于设置有闸阀71的上部空间51划分开的下部空间52开口的结构，因此，存在对上部空间51中的气流造成的影响较低的情况。因此，为了更可靠地获得针对气体从处理模块7扩散的抑制效果，优选如上述那样变更来自气体喷嘴53的气体流量、或与该气体流量的变更一起进行已述的从各排气口56排气的排气量的控制。
接下来，对图1所示的控制部10进行说明。该控制部10由计算机构成，具备程序。该程序以能够向基板处理装置1的各部输出控制信号而控制该各部的动作的方式编入有步骤组，以便进行后述的晶圆W的输送和处理。具体而言，控制输送机构22的动作、利用从供电部60向各线圈66的供电实现的输送体61的动作、门阀28、闸阀29、71的开闭、由流量调整部45、55进行的N2气体的流量调整动作、由排气量调整部47、58进行的排气量调整动作、各处理模块7的动作等。上述的程序以存储于例如硬盘、光盘、DVD、存储卡等存储介质的状态存储于控制部10。
若对基板处理装置1中的晶圆W的输送路径进行叙述的话，则从输送容器C收进装载模块2的晶圆W按照加载互锁模块25→真空输送模块3的顺序输送。并且，该晶圆W在由处理模块7进行了处理之后，按照真空输送模块3→加载互锁模块25→装载模块2→输送容器C的顺序输送。若进一步详细叙述真空输送模块3与处理模块7之间的输送的话，则既可以是仅向8个中的一个处理模块7输送而进行处理的装置结构，也可以是向8个中的多个处理模块7依次输送而进行处理的装置结构。
另外，公知有如下结构的真空输送模块：在将晶圆W在加载互锁模块25与处理模块7之间输送时，多关节臂设置于地面上。并且，出于确保多关节臂的回转所需的空间的目的，该真空输送模块壳体以成为前后、左右的各宽度比较大的方型的方式构成。
但是，该方型的壳体是如此在内部设置有较宽广的空间的结构，因此，存在占地面积(专用占地面积)比较大的倾向。另外，在将方型的壳体内设为真空压时，由于周围的大气而比较大的力施加于壳体的角部，因此，容易产生变形。若为了防止该变形的产生而提高角部的强度，则壳体的重量增大。作为其结果，在针对该壳体进行的输送、装配等操作之际，有可能需要比较大的成本、劳力。另外，在制造方型的壳体时会进行作为金属的大型的母材的切削，由于该切削量比较多，因而存在难以谋求制造成本的降低和量产性的提高的情况。
但是，根据上述的真空输送模块3，利用磁场形成单元6进行磁悬浮的输送体在壳体31内移动而输送晶圆W，该壳体31由圆管33构成。因而，对于壳体31，不会产生上述的起因于角部的重量的增加，另外，也无需加强角部。另外，无需出于确保多关节臂的回转空间的目的而增大前后、左右的各宽度。根据以上的内容，真空输送模块3可抑制占地面积。另外，由于抑制了重量，因而操作较容易。而且，对于构成壳体31的圆管33，例如也可以使用现有的量产的管，在该情况下，能够谋求真空输送模块3的制造成本、劳力的降低。
接下来，说明为了进行磁场形成单元6和输送体61的维护而作业人员从壳体31搬出这些磁场形成单元6和输送体61时的作业工序的一个例子。首先，利用从排气口56的排气的停止和从气体喷嘴53的N2气体的供给，将壳体31内的压力从真空压变更成大气压。另一方面，使输送体61的磁悬浮停止而使该输送体61落到磁场形成面67。之后，解除构成壳体31的圆管33A、33B之间的连接而使该圆管33A、圆管33B分离(图8)。
接下来，经由圆管33A的凸缘36侧的管口，沿该圆管33A的管轴线方向拉拽磁场形成单元6，从而将该磁场形成单元6与输送体61一起向圆管33A的外部搬出(图9)。在使输送体61落到圆管33A、33B中的圆管33A内的磁场形成面67的情况下，该输送体61也与磁场形成单元6一起向圆管33A的外部搬出。对于磁场形成单元6从圆管33B的搬出，除了将磁场形成单元6从凸缘35侧的管口搬出之外，与从圆管33A的搬出同样地进行。车轮69在圆管33A、33B的内周面滚动，从而能够以比较少的力进行以上的磁场形成单元6从圆管33A、33B的搬出。该车轮69如上述那样以X方向上的轴线为旋转轴线旋转，从而构成用于引导磁场形成单元6相对于圆管33A、33B的沿着管轴线P的相对移动的引导构件。
在维护结束后，在将磁场形成单元6和输送体61再次向圆管33A、33B内收纳的情况下，进行与搬出时相反的步骤的作业。此时，也能够利用车轮69以比较少的力使磁场形成单元6在圆管33A、33B内移动。此外，在上述的说明中，对于磁场形成单元6相对于圆管33B的搬入搬出，也可以从凸缘36拆下分隔壁39，从而经由凸缘36侧的管口进行，来替代经由凸缘35侧的管口进行。此外，为了使作业人员从该圆管33的外部确认磁场形成单元6收纳于圆管33内的预定的位置的情况，也可以在该圆管33的管壁适当设置检查口。检查口设为在装置的使用时封堵。
如上所述，成为如下结构：构成壳体31的圆管33A、33B分离自如，并且，圆管33A、33B和磁场形成单元6经由圆管33A、33B的管口在管轴线方向上相对移动，从而进行拆装。因此，即使在圆管33A、33B的管径比较小的情况下，也能够容易地进行磁场形成单元6和输送体61的维护以及真空输送模块3的制造。另外，设置有引导该相对移动的车轮69，因此，能够容易地进行该拆装作业。
作为用于引导上述的相对移动的引导构件，并不限于车轮69这样的滚动体。例如，在地板65的下方设置沿着地板65延伸的导轨(设为一导轨)，在圆管33的内周面设置沿着管轴线P延伸的导轨(设为另一导轨)。也可以设为如下结构：一导轨、另一导轨相互卡合，能够沿着导轨的长度方向相互滑动移动。
另外，在图10中示出在上部空间51设置有进行温度调整的冷却部16的例子。该冷却部16构成为水平的板状，在内部具备流体的流路。并且，在冷却部16分别连接有向该流路供给流体的供给管17A的下游端、用于从该流路排出流体的排出管17B的上游端，供给管17A的上游端、排出管17B的下游端与具备泵和流体的温度调整机构的冷却装置18连接。作为温度调整部的冷却装置18、供给管17A、排出管17B以及冷却部16中的流路构成流体的循环路径，向该冷却部16的流路供给调整成预先设定的温度的流体，作为冷却部16的下表面的冷却面也设为预先设定的温度。该预先设定的温度是比各处理模块7中的晶圆W的处理温度低的温度。上述的冷却面在磁场形成面67的上方与该磁场形成面67相对地设置。
并且，若输送体61从处理模块7送出晶圆W，则如图10所示，输送体61向晶圆W的表面与冷却面隔开间隔地相对的位置移动。由此，在晶圆W与冷却面之间进行换热。也就是说，若针对晶圆W来看的话，由冷却面放射冷却。在晶圆W与冷却面相对的位置，例如输送体61静止预定的时间，从而在晶圆W冷却之后，向下一输送目的地(接下来进行处理的处理模块7、或者加载互锁模块25)输送该晶圆W。通过如此设置冷却部16，从而更可靠地防止真空输送模块3的周围成为高温。
此外，在该图10所示的真空输送模块3的结构例中，遮热板14以从冷却部16向+Y方向、－Y方向分别延伸的方式设置，遮热板14和冷却部16的下方区域构成为晶圆W的输送区域15。因而，若与在图2等中叙述的结构例比较，则在图10所示的结构例中，成为遮热板14的局部置换成该冷却部16的结构。也可以是不像这样仅局部置换成冷却部16，而是将整体置换。也就是说，也可以是，不设置遮热板14，而将冷却部16从上部空间51的Y方向上的一端形成到另一端。若对遮热板14进行补充的话，则由例如铝、陶瓷等热的反射率比较高的构件构成。在图10所示的例子中，以从上侧覆盖地板65的方式设置有遮热板59。该遮热板59由与遮热板14同样的材质构成，因此，该遮热板59的上表面的上述的反射率比地板65的上表面的上述的反射率高。由于该遮热板59的作用，遮挡从输送体61上的晶圆W朝向下方的辐射热，更可靠地防止真空输送模块3的周围成为高温。此外，在本例中，磁场透过遮热板59，从而在该遮热板59上形成。因而，遮热板59的上表面相当于用于使输送体61悬浮的磁场形成面。另外，对于在图1等中进行了说明的实施方式，也能够与该图10的例子同样地设置遮热板59。
另外，在真空输送模块3中，也可以设为具备去除附着于壳体31内的内壁的异物的清洁机构的装置结构。该清洁在真空输送模块3中未进行晶圆W的输送的期间在壳体31内设为真空气氛的状态下进行。执行清洁的机构能够设为各种结构，以下依次例示。此外，在说明时，有时将执行清洁的期间记载为清洁期间、将不进行清洁而能够输送晶圆W的期间记载为通常期间。
作为清洁机构，能够设为以与通常期间不同的形态在清洁期间供给气体的气体供给机构。具体而言，例如以可从上述的气体喷嘴53在清洁期间喷出清洁用气体来替代喷出N2气体的方式构成配管系统。更详细而言，将连接清洁气体的供给源和气体喷嘴53的配管和设于该配管的流量调整部55设置为构成清洁机构的气体供给机构，能够从各气体喷嘴53选择性地供给N2气体和清洁用气体。该清洁用气体是与N2气体不同的种类的气体、例如被称为清洁干燥空气的洁净性较高的大气。向壳体31内的壁面供给该清洁用气体，从而附着于该壁面的异物被剥离，向排气口56内流动而被去除。
另外，在清洁期间中喷出的气体的流量也可以比在通常期间中喷出的气体的流量大。在如已述这样在通常期间以第1流量或者第2流量从各气体喷嘴53喷出N2气体时，在如上述那样喷出清洁用气体的情况下，以比这些第1流量和第2流量大的第3流量从各气体喷嘴53喷出清洁用气体。
此外，也可以不改变在通常期间和清洁期间使用的气体种类，即在清洁期间以第3流量喷出的气体是N2气体。在如此在通常期间和清洁期间变更N2气体的流量的情况下，构成清洁机构的气体供给机构由流量调整部55构成。另外，在将向壳体31内供给的气体在N2气体和清洁用气体之间切换的情况下，叙述了从气体喷嘴53喷出各气体的情况，但也可以在壳体31设置清洁用气体专用的气体喷嘴，从该专用的气体喷嘴喷出清洁用气体。
并且，作为清洁机构，也可以设为向壳体31内供给清洗液的机构。在图11中示出应用有该清洗液供给机构的真空输送模块3的结构例。此外，为了避免图示的复杂化，而省略了排气口56、遮热板14等一部分结构要素的表示。例如在接合圆管32的上部以在Y方向上隔开间隔的方式设置有多个清洗液喷嘴72，该清洗液喷嘴72向下方喷出从清洗液的供给源73供给来的清洗液。这些清洗液喷嘴72和清洗液的供给源73是清洁机构(清洗液供给机构)。作为清洗液，适当选择不易产生真空气氛下的挥发的清洗液。
从清洗液喷嘴72喷出来的清洗液向接合圆管32的内周面中形成上部空间51的部位供给，沿着该部位向下方流动。然后，该清洗液经由连通路径50向接合圆管32的内周面中构成下部空间52的部位流动，去向接合圆管32的底部。在本例中，清洗液喷嘴72以在Y方向上隔开间隔的方式设置有多个。此外，图11中的虚线的箭头表示清洗液的流动。
该图11所示的接合圆管32倾斜，以+Y侧(管轴线方向上的一端侧)比－Y侧(管轴线方向上的另一端侧)低的方式支承于支柱11。因而，以点划线表示的管轴线P沿横向延伸，但相对于以实线表示的水平面L倾斜。该管轴线P的倾斜是为了在如上述那样使接合圆管32的底部的清洗液去向后述的排液口74并排出时、使该清洗液沿着接合圆管32的内周面向+Y侧流下而有意形成的倾斜。如此，倾斜是出于使清洗液流下的目的而形成的，不是在制造装置方面不可避免地产生的倾斜，因此，管轴线P与水平面L所成的角θ设定成例如3°以上且10°以下。此外，为了获得针对输送体61的较高的输送精度，地板65的磁场形成面67与已述的各例子同样地以成为水平的方式设置。
在接合圆管32的+Y侧的底部开设有排液口74，在该排液口74连接有排液管75。并且，在排液管75朝向下游侧依次设有阀76、77，该排液管75的下游端与设置成大气气氛的未图示的排液路径连接。在清洁期间，上述的阀76、77以仅任一者成为打开的状态的方式控制各自的开闭。具体地叙述该开闭。首先，在阀76打开的状态下，阀77成为关闭的状态，清洗液积存于排液管75的位于阀76、77之间的部位。之后，在阀76关闭的状态下，阀77成为打开的状态，上述的部位的清洗液向排液路径排出。
此外，也可以以清洗液充满整个壳体31内的方式供给清洗液而进行清洁。在如以上这样使用清洗液供给机构进行的清洁期间中，构成排气量调整部58的阀设为封闭的状态，以防止清洗液经由排气口56向作为真空泵的排气机构48供给。另外，从气体喷嘴53的N2气体的喷出也停止。
并且，对于像这样将清洗液供给机构应用为清洁机构的真空输送模块3，壳体31由圆管33构成，从而供给到该圆管33的内周面的清洗液沿着该内周面由于自重而向开设有排液口74的壳体31的底部流动。因此，能够谋求在清洁结束后清洗液从壳体31内迅速去除。而且，如已述这样，在图11所示的例子中，接合圆管32以管轴线P倾斜的方式设置，从而清洗液朝向排液口74流动而被去除，因此，能够更迅速地进行该清洗液的去除。
另外，也可以设置使壳体31超声波振动的机构作为清洁机构。该超声波振动机构由振子和向振子供给电力的振荡器构成。将振子设置于壳体31的外侧或支承壳体31的支柱11，在清洁期间使壳体31振动。附着于壳体31内的壁面的异物由于振动而从该壁面剥离，由于壳体31内的排气流而向排气口56内流动并被去除。此外，也可以一并使用由该超声波振动机构进行的清洁和由已述的气体供给机构或者清洗液供给机构进行的清洁。
接下来，对于作为真空输送模块3的变形例的真空输送模块3A，参照图12的纵剖侧视图而以与真空输送模块3之间的不同点为中心进行说明。以包围真空输送模块3A的接合圆管32的方式设置有作为圆管的外管81。该外管81的长度比接合圆管32的长度大。并且，外管81的管轴线与接合圆管32的管轴线P平行。因而，外管81和接合圆管32构成为双层管，接合圆管32构成内管。若更详细地叙述管轴线的话，则外管81的管轴线与管轴线P重叠。也就是说，外管81与接合圆管32同轴。
接合圆管32内与真空模块3同样地构成，因而，在接合圆管32内设置有磁场形成单元6。外管81的内周面与接合圆管32的外周面相互分开，在它们之间形成有圆筒状的间隙82。虽然省略了图示，但接合圆管32借助支承构件局部地支承于外管81的内周面。以上述的间隙82成为密闭空间的方式，外管81的轴向上的一端与加载互锁模块25连接，外管81的轴向上的另一端的开口由未图示的分隔壁封堵。因而，在本例中，圆管是外管81和接合圆管32，外管81和封堵该外管的端部的分隔壁构成真空输送模块3A的壳体。
在外管81的侧壁，在与接合圆管32的开口部37重叠的位置开设有开口部83。并且，侧管34设置于外管81的外周面来替代设置于接合圆管32，该侧管34从开口部83的周缘在X方向上延伸。侧管34的端部的凸缘38与真空输送模块3中的凸缘38同样地与闸阀71连接。根据这样的结构，上述的间隙82也由于接合圆管32内的排气而成为真空气氛。
根据真空输送模块3A，即使由于来自从处理模块7送出来的晶圆W的辐射热而将接合圆管32加热，也如上述那样接合圆管32与外管81仅在局部的位置接触。并且，获得由间隙82产生的真空绝热效果，因此，抑制经由该接合圆管32将外管81加热。因而，根据该真空输送模块3A，抑制其周围的温度的上升。此外，在图12所例示的真空输送模块3A中，未设置已述的用于抑制模块的外部的周围温度的上升的遮热板14和冷却部16，但也可以设置它们来进一步抑制上述的周围温度的上升。
另外，外管81也与接合圆管32同样地是圆管。因此，该真空输送模块3A也起到在针对真空输送模块3的说明中所述的、由壳体不具备角部而产生的效果。
接着，对图13所示的基板处理装置8进行说明。基板处理装置8在X方向上排列配置有已述的两个基板处理装置1。并且，成为该两个基板处理装置1的真空输送模块3借助与真空输送模块3大致同样地构成的真空输送模块3B相互连接而成的结构。对于两个基板处理装置1，出于方便设为1A、1B。
若针对真空输送模块3B叙述与真空输送模块3之间的不同点的话，则接合圆管32的两端的圆管33以在X方向上延伸的方式设置，在该X方向上开口的各管口由分隔壁39封堵。另外，侧管34以在X方向上分开的方式设置有两个，以分别朝向+Y侧的方式形成。
并且，对于基板处理装置1A、1B的各真空输送模块3，在+Y侧的凸缘36未设置分隔壁39，该凸缘36与上述的真空输送模块3B的侧管34的凸缘38相互连接。另外，基板处理装置1A、1B的各地板65朝向真空输送模块3B的壳体31内延伸，并与该真空输送模块3B的地板65连接。通过像这样地板65彼此连接，从而输送体61能够经由真空输送模块3B在基板处理装置1A的壳体31内与基板处理装置1B的壳体31内之间移动。因而，基板处理装置8构成为，在基板处理装置1A的处理模块7与基板处理装置1B的处理模块7之间依次输送晶圆W而进行处理时，不用在大气气氛中输送晶圆W。
叙述了能够利用现有的构件作为基板处理装置1(1A、1B)的圆管33，可使用该现有的构件中的遵照预定的标准的圆管。因而，在真空输送模块3A中，作为与该圆管33连接的侧管34的凸缘38只要符合该标准即可。因而，能够谋求真空输送模块3B的制造的容易化。也就是说，真空输送模块3的壳体31由圆管33构成，从而不仅能够谋求壳体31自身的制造的容易化，也能够谋求作为其连接对象的模块的制造的容易化。因而，在图13中所例示这样的、将具备真空输送模块3的装置彼此连接而成的结构的装置的制造也较为容易。
此外，示出了形成壳体31的圆管是将两个圆管33A、33B在各管轴线方向上连接而成的接合圆管32，但也可以由单一的圆管构成，也可以将3个以上的圆管在各管轴线方向上相互连接而形成。此外，在如接合圆管32这样接合有多个圆管的情况下，对于该接合而成的圆管，也能够视作一个圆管。因而，设为分别在构成接合圆管32的圆管33A、33B各设置有一个侧管34(基板的输送路径)。在该情况下，不是视作在圆管仅设置有一个输送路径，而是基板的输送路径在圆管设置有多个，该输送路径形成于管轴线方向上的不同的位置。
接着，对图14所示的真空输送模块3C进行说明。作为与真空输送模块3之间的不同点，可列举出：在一个圆管33设置有两个地板65，以在轴向上看来两个地板65成为V字状的方式配置。若更详细地叙述的话，则两个中的一地板65的磁场形成面67从在管轴线方向上观察圆管33的左右的中央朝向左侧升高，另一地板65的磁场形成面67从该左右的中央朝向右侧升高。如此，两个磁场形成面67以各自朝向不同的方向的方式相对于水平面分别倾斜地设置，构成第1倾斜面、第2倾斜面。
并且，输送体61针对每个磁场形成面67设置。也就是说，输送体61以相对于构成第1倾斜面的磁场形成面67、构成第2倾斜面的磁场形成面67分别悬浮并在面方向上移动的方式设置有两个。在该真空输送模块3C中，向地板65的多个线圈66中的一部分线圈以针对输送体61的磁体64发挥排斥作用的方式供给电力，向另一部分线圈以针对输送体61的磁体64发挥吸引作用的方式供给电力。通过保持该排斥作用与吸引作用之间的平衡，从而输送体61相对于作为倾斜面的磁场形成面67以分开的状态在该磁场形成面67的面方向上移动自如。磁场形成面67的倾斜设为不使晶圆W从输送体61落下的程度的倾斜。通过设为以上的结构，能够防止圆管33的大型化，并且谋求由利用两个输送体61(第1输送体、第2输送体)并行地进行输送带来的生产率的提高。
接下来，对图15所示的真空输送模块3D进行说明。在本例中，作为地板65的结构要素的磁场形成板80以覆盖圆管33的内周面地铺满的方式设置有多个。各磁场形成板80的磁场形成面67朝向管轴线P。通过如上述那样设置磁场形成板80，从而各磁场形成板80的磁场形成面67构成为弯曲面。并且，若将多个磁场形成面67视作一体的话，则磁场形成面67形成为圆管状，该圆管的内侧表面上的区域构成晶圆W的输送区域15。也就是说，输送区域15也形成为圆管状。此外，通过如上述那样设置磁场形成板80，从而若将圆管33和磁场形成板80视作一体的圆管的话，则该圆管的内周面是磁场形成面67。
在该真空输送模块3D，也通过保持排斥作用与吸引作用之间的平衡，从而使输送体61以自磁场形成面67分开的状态在该磁场形成面67的面方向上移动自如。也就是说，在构成圆管的磁场形成面67上，在周向、轴向上，输送体61都能够移动。此外，在图中仅示出了一个输送体61，但也可以设置多个输送体61并以不互相干扰的方式使它们移动。并且，对于支承晶圆W的输送体61，以晶圆W的支承面朝向上方的方式移动，以使晶圆W不落下。另一方面，对于未支承晶圆W的输送体61，也可以使其以该支承面朝向上方、下方、侧方中的任一者的状态移动。此外，在该真空输送模块3D中也可以不设置圆管33。也就是说，也可以仅由磁场形成板80形成圆管。
另外，在已述的基板处理装置1等各装置中，输送体61在为真空气氛的壳体31内移动，但也可以是在大气气氛的壳体31内移动的装置结构。在像这样壳体31内为大气气氛的情况下，对于与该壳体31连接并由输送体61交接晶圆W的处理模块7内的气氛，也设为大气气氛为佳。另外，作为在本技术中所输送的基板，并不限于圆形，也可以是矩形。另外，作为构成壳体31的圆管，示出了在管轴线方向上看来管壁呈正圆的结构的圆管，但也可以使用呈椭圆的结构的圆管。除此以外，叙述了向壳体31内供给N2气体的情况，但并不限于此，例如也能够使用氩等其他任意的非活性气体。
应该认为此次所公开的实施方式在所有方面都是例示，并非限制性的。上述的实施方式在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下也可以以各种各样的方式进行省略、置换、变更和/或组合。

Claims (19)

1.一种基板输送装置，其中，
该基板输送装置具备：
圆管，其管轴线横向延伸，在内部形成基板的输送区域；
磁场形成部，其具备磁场形成面，该磁场形成面在面上形成磁场并且面对所述输送区域；以及
输送体，其利用所述磁场自所述磁场形成面分开并且在该磁场形成面的面方向上移动，而输送所述基板。
2.根据权利要求1所述的基板输送装置，其中，
所述圆管形成内部构成密闭空间的壳体的局部，
在所述壳体设置有以使所述密闭空间成为真空气氛的方式进行排气的排气口。
3.根据权利要求2所述的基板输送装置，其中，
所述磁场形成部将所述圆管内划分成下部空间和包括所述输送区域在内的上部空间，
所述排气口在所述圆管以向所述下部空间开口的方式设置，
该基板输送装置设置有：
连通路径，其使所述上部空间与所述下部空间连通；以及
第1气体供给口，其向该上部空间供给第1气体，以形成从所述上部空间朝向所述下部空间的气流。
4.根据权利要求3所述的基板输送装置，其中，
以所述上部空间的压力比所述下部空间的压力高的方式进行所述第1气体的供给以及从所述排气口的排气。
5.根据权利要求3或4所述的基板输送装置，其中，
为了经由所述圆管的管口相对于该圆管拆装所述磁场形成部，
该磁场形成部和该圆管以能够沿着所述管轴线相对移动的方式构成。
6.根据权利要求5所述的基板输送装置，其中，
该基板输送装置设置有用于引导所述相对移动的引导构件。
7.根据权利要求3～6中任一项所述的基板输送装置，其中，
所述第1气体供给口分别设置于所述圆管的管轴线方向上的不同的位置，
由阀分别开闭的所述基板的输送路径在所述圆管的侧面在所述圆管的管轴线方向上的不同的位置开口，
该基板输送装置设置有第1气体供给部，该第1气体供给部以来自多个所述第1气体供给口中的、与所述多个阀中的打开的阀相对应的第1气体供给口的所述第1气体的流量比来自与关闭的阀相对应的第1气体供给口的所述第1气体的流量大的方式向各所述第1气体供给口供给所述第1气体。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的基板输送装置，其中，
所述圆管包括在端部具备第1凸缘的第1圆管和在端部具备第2凸缘的第2圆管，
所述第1凸缘与所述第2凸缘彼此相对，
该基板输送装置设置有与所述第1凸缘以及所述第2凸缘密合并且沿着第1圆管和第2圆管的各管口分别形成为环状的第1密封构件和第2密封构件，
在所述第1密封构件与所述第2密封构件之间的间隙设置有用于供给第2气体而形成沿着该间隙的周向的气流的气流形成部。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的基板输送装置，其中，
所述圆管是双层管，该双层管具备：内管；和外管，其具备自所述内管的外周面分开的内周面并且包围该内管，
在所述内管内设置有所述磁场形成部，在所述内管与所述外管之间形成真空气氛。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的基板输送装置，其中，
该基板输送装置具备遮热构件，该遮热构件在所述圆管内相对于所述输送区域设置于与所述磁场形成面相反的一侧，用于遮挡从被所述输送体支承的所述基板向所述圆管的管壁的辐射热。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的基板输送装置，其中，
该基板输送装置具备冷却部，该冷却部由温度调整机构调整温度，以与被所述输送体支承的所述基板相对而冷却该基板，
该冷却部在所述圆管内相对于所述输送区域设置于与所述磁场形成面相反的一侧。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的基板输送装置，其中，
所述圆管形成内部构成密闭空间的壳体的局部，
在所述壳体设置有以使所述密闭空间成为真空气氛的方式进行排气的排气口，
该基板输送装置设置有对为真空气氛的所述壳体内进行清洁的清洁机构。
13.根据权利要求12所述的基板输送装置，其中，
所述清洁机构具备气体供给机构，该气体供给机构针对向所述壳体内供给的气体以比所述基板的输送过程中的流量大的流量供给、或者供给不同的种类的气体。
14.根据权利要求12所述的基板输送装置，其中，
所述清洁机构是向所述壳体内供给清洗液的清洗液供给机构。
15.根据权利要求14所述的基板输送装置，其中，
对于所述圆管，以管轴线方向上的一端侧比另一端侧低的方式倾斜，
在所述圆管的所述一端侧的底部形成有排出所述清洗液的排液口。
16.根据权利要求12～15中任一项所述的基板输送装置，其中，
所述清洁机构具备使所述壳体振动的振动机构。
17.根据权利要求1所述的基板输送装置，其中，
所述磁场形成面具备在所述管轴线的方向上看来随着从所述圆管的左右的中心部朝向左右中的一者、另一者而分别升高的第1倾斜面、第2倾斜面，
所述输送体具备在所述第1倾斜面的面方向上移动的第1输送体和在所述第2倾斜面的面方向上移动的第2输送体。
18.根据权利要求1所述的基板输送装置，其中，
所述磁场形成面以构成所述圆管的内周面的方式设置。
19.一种基板输送方法，其中，
该基板输送方法具备以下工序：
在管轴线横向延伸并在内部形成基板的输送区域的圆管设置的磁场形成部，在面对所述输送区域的磁场形成面上形成磁场；以及
利用所述磁场使输送体以自所述磁场形成面分开的状态在所述磁场形成面的面方向上移动，而输送所述基板。
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